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光电技术第一章答案

光电技术第一章参考答案

辐射度量与光度量的根本区别是什么？为什么量子流速率的计算公式中不能出现光

度量？

答：为了定量分析光与物质相互作用所产生的光电效应，分析光电敏感器件的光电

特性，以及用光电敏感器件进行光谱、光度的定量计算，常需要对光辐射给出相应

的计量参数和量纲。辐射度量与光度量是光辐射的两种不同的度量方法。根本区别

在于：前者是物理（或客观）的计量方法，称为辐射度量学计量方法或辐射度参数，

它适用于整个电磁辐射谱区，对辐射量进行物理的计量；后者是生理（或主观）的

计量方法，是以人眼所能看见的光对大脑的刺激程度来对光进行计算，称为光度参

数。因为光度参数只适用于0.38~0.78um的可见光谱区域，是对光强度的主观评价，

超过这个谱区，光度参数没有任何意义。而量子流是在整个电磁辐射，所以量子流

速率的计算公式中不能出现光度量。

光源在给定波长λ处，将λ～λ+dλ范围内发射的辐射通量dΦe，除以该波长λ的光子能量hν，就得到光源在λ处每秒发射的光子数，称为光谱量子流速率。

试写出e 、e M、e 、e L 等辐射度量参数之间的关系式，说明它们与辐射源的关系。

辐（射）能：以辐射形式发射、传播或接收的能量称为辐（射）能，用符号表示，其计量单位为焦耳（J）。e Q e Q

辐（射）通量e ：在单位时间内，以辐射形式发射、传播或接收的辐（射）能称为辐（射）通量，以符号e 表示，其计量单位是瓦（W），即

e =dtdQ e 。

）出（射）度：对面积为A的有限面光源，表面某点处的面元向半球面空间内发射的辐通量d e M e 该面元面积d比，定义为辐（射）出（射）度e M即MAdA。e=d 其计量单位是瓦每平方米

[W/m2]。

辐（射）强度：对点光源在给定方向的立体角元e d内发射的辐射通量e d ，与该方向立体角元 d d 之比，定义为点光源在该方向的辐（射）强度，即e e =d e ，辐射强度的计量单位

是瓦特每球面度（W/sr）。

辐射亮度：光源表面某一点处的面元在给定方向上的辐射强度，除以该面元在垂直

于给定方向平面上的正投影面积，称辐射亮度，e L e L

e LdSK , VV m= cos dAdI e = cos2dAdd e ，式中，θ为所给方向与面元法线间的夹角。

其计量单位是瓦特每球面度平方米[W/（sr. m2）]。

何谓余弦辐射体？余弦辐射体的主要特性有哪些？

答：一般辐射体的辐射强度与空间方向有关。但是有些辐射体的辐射强度在空间方向上的分布满足

cos0ee dIdI

式中I e0是面元沿其法线方向的辐射强度。符合上式规律的辐射体称为余弦辐射体或朗伯体。黑体为理想的余弦辐射体。它满足黑体辐射定律：

a.普朗克辐射定律黑体表面向半球空间发射波长为λ的光谱，其辐射出射度是黑体温度T和波长λ的函数，这就是普朗克辐射定律； ,e M

b.斯忒藩—玻尔兹曼定律黑体的总辐射出射度为对积分，得到其为σT4； ,e M

c.维恩位移定律峰值光谱辐出度所对应的波长与绝对温度的乘积为常数。当温度升高时，峰值光谱辐射出射度所对应的波长向短波长方向移动。

试举例说明辐射出射度M e与辐射照度Ee是两个意义不同的物理量。

答：略。

5．试说明、、的意义及区别。m K W K

答：为人眼的明视觉最灵敏波长λm的光度参量对辐射度参量的转换常数，称为正常人眼的明视觉最大光谱光视效能。其值为683lm/W。m K

KX 对于所谓辐射对人眼锥状细胞或柱状细胞的刺激程度，是从生理上评价所有的辐射参量与所有的光度参量的关系。对于明视觉，刺激程度平衡条件为

e X m ,v X ,v X ,,ev XK 令 K ,e L=/ = × ,e X m K V，称为人眼的明视觉光谱光视效能。（其中定义V= m,e L为正常人眼的明视觉光谱光视效率。m 等于0.555um）

定义一个热辐射体发射的总光通量v 与总辐射通量e K之比，为该辐射体的光视效能K，K= ，其中V为辐射体的光视效率。在光电信息变换技术领域常用色温为2856K 的标准钨丝灯作为光源，测量硅、锗等光电器件光的电流灵敏度等特性参数。定义标准钨丝灯的光视效能为，=17．1 （lm/W）。K m K m

6．（平面发散角为1mrad）解：（1）氦氖激光器输出的光为光谱辐射，则辐射通量为 ,e =3mW 根据式（1-56）可计算出它发出的光通量为 ,v = ,em VK

又=683lm/W，V0.6328=0.235，带入数据计算得m K ,v为0.4815 lm。发光强度= ,v I ,v，立体角为Ω=2π（1－（1－r2）1/2），

将光束平面发散角转换α= 1×10-3×180 /（π）=0.057度

则r = sin（α/2）=5×10-4带入公式得Ω= 8.17×10-7sr

所以发光强度= ,v I ,v = 0.4815/（8.17×10-7）=5.89×105cd

d v = 0.4815/（π×（0.001/2）2）=6.13×105lx

光出射度M = 2,2

a+0.0005 （2）激光投射到10m远处屏幕上，可得接受面半径r=10× 2tan

=5.5×10-3m，面积A= =7.85×10-5m2 2r

屏幕的光照度为=v EA v , =6.13×103 lx

6.（平面发散角为0.02mrad）解：（1）氦氖激光器输出的光为光谱辐射，则辐射通量为 ,e =3mW 根据式（1-56）可计算出它发出的光通量为 ,v = ,em VK

又=683lm/W，V0.6328=0.235，带入数据计算得m K ,v为0.4815 lm。

发光强度= ,v I ,v，由空间立体角的定义，

将光束平面发散角转换α= 0.02×10-3

由于这个角度很小，可以把其所对应的球面度近似的看作锥面圆的面积，且半径为22sin RRr ，则Ω=22Rr

所以发光强度= ,v I ,v = 00000103.04815.051067.4 cd

d v = 0.4815/（π×（0.001/2）2）=6.13×105lx

光出射度M = 2,2

（2）激光投射到10m远处屏幕上，可得接受面半径 210121021012tan1033 r m003366.0

面积A==3.56 2r 510

屏幕的光照度为=v EA v ,= 51056.34815.01.35lx 10

7．解：由题意有 ,e =3mW，又查表得V（0.5145um）=0.6082

光通量 ,v = ,em VK =683×0.6082×3=1.246×103 lm，

屏幕上的光照度=v EA v , =1.246×103/（0.2×10-4）=6.23×107 lx

若屏幕的反射系数是0.8，则光出射度为=0.8×6.23×107=4.984×107 lx ,v M 设屏幕每分钟接收的光子数目为N，则 Nhc = ,e×60（1-0.8）

所以N=60×0.2×3×0.5145×10-6/ （3×108×6.63×10-34）=9.31×1019个/分钟8.解：依题意，设光子流速率为N个/秒，则 Nhc= ,e

又 ,e=30mW，λ=0.6328um

所以N=hc e ,= 9.54×1016个/秒

9．解：依题意，m = 0.465um，由维恩位移定律，m =2898/T，

则太阳表面的温度T=m 2898 =6232.25K，又=1.309T5×10-15 m se M ,,

计算得其峰值光谱辐射出射度=1.23×104 m se M ,,12..u mcmW

10.解：人体在正常体温时T=36.5+273=309.5K

由维恩位移定律，T m2898 =9.36um

当发烧到38.5时，T=38.5+273=311.5K，此时T m2898 =9.303um

峰值光谱辐射出射度=3.84 155,,10309.1 TM m se 12..u mcmmW

11.解：依题意，由杂质吸收条件，则杂质吸收的长波限iL E 24.1

所以杂质电离能Li 24.1 =1.24/13=0.095ev

12.解：光照灵敏度VV IS ，而辐射灵敏度ee IS ，

又标准钨丝灯的辐射量与光度量的转化关系为=17.1（lm/W），w K

wev K

所以，又=200uA/lm ewv SKS v S

则其辐射灵敏度=200×17.1=3.42mA/lm。e S

13.解：依题意，辐射通量为100W，则它的辐射强度为 4100 e I=7.96cd 对应于0.2sr范围的辐射通量为WI ee592.12.096.72.0

由evw K

则对应的光通量lmK ewv223.27592.11.171

所以100W的标准钨丝灯在0.2sr范围内所发出的光通量为27.223lm。

14.解：设甲厂生产的光电器件的光照灵敏度为，则有，1v S eWv SKS 1

wev KSS 1 =5/17.1= 0.29 lmA，

而乙厂光电器件的光照灵敏度是= 0.4 v SlmA

显然，所以乙厂光电器件灵敏度高。vv SS 1

15.解：依题意，=50uA，=300uA，=1uA 1 I2 I D I

而PN结两端的开路电压为)1ln( Doc IIqkTU

由于T不是定值，故只有当T=273K条件下才有：

V InInqKTU oc134.03 VInInqKTU oc093.051106.12731038.1115019231

01106.12731038.11130019232

16.解：由ggL EEhc24.1

又=1.2 ，则g EeV u m L03.12.124.1

17.答：在微弱辐射作用下，半导体的光电导为

,2e hvlqg

可见此时半导体材料的光电导与入射辐射通量 ,e成线性关系。半导体材料在弱辐射作用下的光电灵敏度为

2,hclqddgS eg

可见，为与材料性质有关的常数，与光电导材料两电极间长度l的平方成反比。为了提高光电导器件的光电灵敏度，一般就将光敏电阻的形状制造成蛇形。还有就是增大了受光面积，也提高了光电灵敏度。g S g S

18.答：光生伏特效应是基于半导体PN结基础上的一种将光能转换为电能的效应。当入射辐射作用在半导体PN结上产生本征吸收时，价带中的光生空穴与导带中的光生电子在PN结内建电场的作用下分开，N区的空穴向P区运动，P区的电子向N区运动，结果P区带正电，N区带负电，形成光生伏特电压或光生电流。激光器输出光的波长（10.6um）远远超过激光器锗窗材料的本征吸收长波限，不可能产生光电子发射。2CO

19.解：由nmEEhc ththL1239

则evE Lth82.168012391239 ，即该光电发射材料的光电发射域值为1.82电

子伏特。

20.解：由gL E24.1 Lg E 24.1

又um L4.1

所以evE Lg886.04.124.124.1

光电技术习题

第一章习题 1、解释概念：辐射出射度，辐射强度，辐射亮度Le ，照度，稳定腔和非稳定腔 2、教材1.1题和1.3题。 3、如图所示，设点源的辐射强度为I，它与被照面上x点处面积元dA的距离为l，dA的法线与l的夹角为q。求点源在被照面dA上产生的辐射照度。 4、已知波长l＝400nm光的光视效率Vl= 0.0004 ，该波长上1W的光功率可以产生的光通量为多少？ 5、假设人体辐射符合黑体辐射规律，人体的温度为310K，求其峰值辐射波长和辐射出射度。 6、简述题：维恩位移定律;普朗克定律（公式）;斯忒藩-玻尔兹曼定律; 7、什么是朗伯辐射体（或余弦辐射体）？朗伯辐射体的Le与Me有什么样的关系？ 8、什么是光视效能？什么是光视效率？在哪个波长光视效能最大？该波长的光视效能和光视效率各是多少？ 9、简述激光产生的条件、激光器的主要组成及各部分的作用是什么？ 10、何谓激光的纵模和横模？基模激光束有什么特点？ 11、固体激光器主要采用哪种泵浦方式？举几个固体激光器例子。气体激光器主要采用哪种泵浦方式？举几个气体激光器例子。 12、半导体激光器主要有哪些特性？第二章习题 1、解释概念：大气窗口、电光效应、半波电压、声光效应、法拉第效应、弱导光纤； 2、简述大气对光辐射的衰减因素和主要吸收气体。在红外波段有哪几个窗口？位于哪些波段？ 3、何为大气湍流效应，大气湍流对光电探测系统有什么影响？ 4、请设计一个电光光开关（详细组成），并说明其工作原理。 5、简述拉曼-纳斯衍射和布喇格衍射产生的条件及其特点。 6、简述引起光纤衰减的原因。光纤的衰减特性用什么指标来衡量？它是如何定义的？石英光纤衰减最小的波长是多少？ 7、光纤的折射率分布主要有那两种？平方律折射率分布光纤有什么特点？阶跃光纤单模传输的条件是什么？ 8、什么是光纤色散？色散对光纤通信系统有什么影响？简述产生光纤色散的原因有哪些。 9、光纤色散、带宽和脉冲展宽之间有什么关系？对光纤传输容量有什么影响？ 10、什么是非线性光学？简述产生非线性光学现象的条件。试举几个非线性光学现象例子。 11、简述非线性光学中的光学倍频和混频技术。 12、简述在实际光学倍频和混频应用中，为了获得较高的转换效率要考虑的条件。 13、某阶跃光纤，纤芯半径a＝20mm，如果n1=1.48，n2=1.46。当入射光波长为1.31mm 时， (计算光纤的规一化频率。(若要使光纤单模传输，则纤芯半径应如何选择? 第三章习题

光电检测技术试题及答案

光电检测技术试题及答案光电检测技术试题及答案1、光电器件的基本参数特性有哪些? (响应特性噪声特性量子效率线性度工作温度) @响应特性分为电压响应度电流响应度光谱响应度积分响应度响应时间频率响应 @噪声分类：热噪声散粒噪声产生-复合噪声 1/f噪声信噪比S/N 噪声等效功率NEP 2、光电信息技术是以什么为基础，以什么为主体，研究和发展光电信息的形成、传输、接收、变换、处理和应用。 (光电子学光电子器件) 3、光电检测系统通常由哪三部分组成 (光学变换光电变换电路处理) 4、光电效应包括哪些外光电效应和内光电效应) 外光电效应：物体受光照后向外发射电子——多发生于金属和金属氧化物。内光电效应：物体受到光照后所产生的光电子只在物质内部而不会逸出物体外部——多发生在半导体。内光电效应又分为光电导效应和光生伏特效应。

光电导效应：半导体受光照后，内部产生光生载流子，使半导体中载流子数显著增加而电阻减少的现象。光生伏特效应：光照在半导体PN结或金属—半导体接触面上时，会在PN结或金属—半导体接触的两侧产生光生电动势。 5、光电池是根据什么效应制成的将光能转换成电能的器件，按用途可分为哪几种? (光生伏特效应太阳能光电池和测量光电池) 6、激光的定义，产生激光的必要条件有什么? ( 定义：激光是受激辐射的光放大粒子数反转光泵谐振腔) 7、热释电器件必须在什么样的信号的作用下才会有电信号输出? (交变辐射) 8、 CCD是一种电荷耦合器件，CCD的突出特点是以什么作为信号，CCD的基本功能是什么? (电荷 CCD的基本功能是电荷的存储和电荷的转移。) 9根据检查原理，光电检测的方法有哪四种。 (直接作用法差动测量法补偿测量法脉冲测量法) 10、光热效应应包括哪三种。 (热释电效应辐射热计效应温差电效应) 11、一般PSD分为两类，一维PSD和二维PSD，他们各自用途是什么?

光电检测技术期末试卷试题大全

1、光电器件的基本参数特性有哪些? （响应特性噪声特性量子效率线性度工作温度）响应特性分为电压响应度电流响应度光谱响应度积分响应度响应时间频率响应噪声分类：热噪声散粒噪声产生-复合噪声1/f噪声信噪比S/N 噪声等效功率NEP 2、光电信息技术是以什么为基础，以什么为主体，研究和发展光电信息的形成、传输、接收、变换、处理和应用。（光电子学光电子器件） 3、光电检测系统通常由哪三部分组成（光学变换光电变换电路处理） 4、光电效应包括哪些外光电效应和内光电效应）外光电效应：物体受光照后向外发射电子——多发生于金属和金属氧化物。内光电效应：物体受到光照后所产生的光电子只在物质内部而不会逸出物体外部——多发生在半导体。内光电效应又分为光电导效应和光生伏特效应。光电导效应：半导体受光照后，内部产生光生载流子，使半导体中载流子数显著增加而电阻减少的现象。光生伏特效应：光照在半导体PN结或金属—半导体接触面上时，会在PN结或金属—半导体接触的两侧产生光生电动势。 5、光电池是根据什么效应制成的将光能转换成电能的器件，按用途可分为哪几种？（光生伏特效应太阳能光电池和测量光电池） 6、激光的定义，产生激光的必要条件有什么？（定义：激光是受激辐射的光放大粒子数反转光泵谐振腔） 7、热释电器件必须在什么样的信号的作用下才会有电信号输出？（交变辐射） 8、CCD是一种电荷耦合器件，CCD的突出特点是以什么作为信号，CCD的基本功能是什么？（电荷CCD的基本功能是电荷的存储和电荷的转移。） 9根据检查原理，光电检测的方法有哪四种。（直接作用法差动测量法补偿测量法脉冲测量法） 10、光热效应应包括哪三种。（热释电效应辐射热计效应温差电效应） 11、一般PSD分为两类，一维PSD和二维PSD，他们各自用途是什么？（一维PSD主要用来测量光点在一维方向的位置；二维PSD用来测定光点在平面上的坐标。） 12、真空光电器件是基于什么效应的光电探测器，它的结构特点是有一个真空管，其他元件都在真空管中，真空光电器件包括哪两类。（外光电效应光电管光电倍增管）二、名词解释 1、响应度（响应度（或称灵敏度）：是光电检测器输出信号与输入光功率之间关系的度量。）2、信噪比（是负载电阻上信号功率与噪声功率之比）

光电技术试题

光电技术自动成卷系统单选题（10题，20分）；简答题（5题，40分）；综合题（1题，15分）；计算题（1题，10分）；设计题（1题，15分）锁定放大器是基于 A.自相关检测理论 C B.互相关捡测理论「 C.直接探测址子限理论 C D?相T?探测原理 2、下列哪一种应用系统为典型的相干探测应用实例「 A ?照相机自动曝光「 B ?飞行目标红外辐射探测「 C.激光陀螺测址转动角速度 C D ?子弹射击钢板闪光测址 3、依据光电器件伏安特性，下列哪些器件不能视为恒流源：「 A.光电二极管（ B.光电三极管 C C.光电倍増管 r D.光电池 4、对于P型半导体來说.以下说法不正确的是 A?空穴为多子.电子为少子 B ?能帯图中费米能级靠近价带顶 C.光照时内部不可能产生木征吸收

' D.弱光照时载流子寿命与热平衡时空穴浓度成反比 5、在飞轮转速和方向的光电测虽系统中.若光源采用激光二极管.激光波长632nm.输出光调制频率为1kHz,探测器为CdSe光敬电阻，后接的检测电路为帯通滤波放大器.其中心频率为1kHz.带宽为lOOHzo 这样，检测系统可以消除光敏电阻哪些噪声的影响 f噪声，热噪声 r B?产生-复合噪声，热噪声 r C?产生-复合噪声，热噪声 f噪声，产生■复合噪声 6、在非相干探测系统中「A?检测器能响应光波的波动性质，输出的电信号间接表征光波的振幅、频率和相 C B ?检测器貝响应入射其上的平均光功率 C C.具有空间滤波能力 C D.具有光谱滤波能力 7、关于半导体对光的吸收.下列说法正确的是「 A.半导体非木征吸收时，产生电子一空穴对 B.朵质半导体木材料不会发生本征吸收 C C ?半导体对光的吸收与入射光波长有关 C D?非木征吸收时，吸收的能址全部转换为材料的热能 8、下列关于热电偶和热电堆的说法不正确的是 A.热电堆的测址误差比热电偶小 B ?热电堆的测量分辨率比热电偶高 c?热电堆的光电灵墩度比热电偶高 ' D.两者均基于光热效应

光电系统设计题目及答案 (1)

一、简答题 1、根据系统工作的基本目的，通常光电系统可以分为哪两大类？答：(1)信息光电系统。例如：光电测绘仪器仪表、光电成像系统、光电搜索与跟踪系统、光电检测系统、光通信系统等。(2)能量光电系统。例如：激光武器、激光加工设备、太阳能光伏发电、“绿色”照明系统等。 2、光电系统的研发过程需要哪些学科理论与技术的相互配合？答：光电系统的发展需要多种学科相互配合。它是物理学、光学、光谱学、电子学、微电子学、半导体技术、自动控制、精密机械、材料学等学科的相互促进和渗透。应用各学科的最新成果，将使光电系统不断创新和发展。 3、光学系统设计基本要求包括哪些？答：基本要求包括：性能、构型选择、和可制造性三个方面。 4、光学系统设计技术要求包括哪些？答：基本结构参数（物距、成像形式、像距、F数或数值孔径、放大率、全视场、透过率、焦距、渐晕）；成像质量要求（探测器类型、主波长、光谱范围、光谱权重、调制传递函数、RMS波前衰减、能量中心度、畸变）；机械和包装要求；其它具体要求。 5、望远物镜设计中需要校正的像差主要是哪些？答：球差、慧差和轴向色差。 6、目镜设计中需要校正的像差主要是哪些？答：像散、垂轴色差和慧差。 7、显微物镜设计中需要校正的像差主要是哪些？答：球差、轴向色差和正弦差，特别是减小高级像差。 8、几何像差主要有哪些？答：几何像差主要有七种：球差、慧差、象散、场曲、畸变、轴向色差和垂轴色差。 9、用于一般辐射测量的探头有哪些？答：光电二极管 10、可用于微弱辐射测量的探头有哪些？答：光电倍增管 11、常用光源中哪些灯的显色性较好？答：常用光源中，白炽灯、卤钨灯、氙灯的显色性较好。（高压汞灯、高压钠灯的显色性较差） 12、何谓太阳常数？答：太阳常数——在地球-太阳的年平均距离，大气层外太阳对地球的的辐照度(1367±7) W2m-2

光电子技术安毓英习题答案(完整版)

第一章 2. 如图所示，设小面源的面积为?A s ，辐射亮度为L e ，面源法线与l 0 的夹角为θs ；被照面的面积为?A c ，到面源?A s 的距离为l 0。若θc 为辐射在被照面?A c 的入射角，试计算小面源在?A c 上产生的辐射照度。解：亮度定义: r r e e A dI L θ?cos = 强度定义:Ω Φ =d d I e e 可得辐射通量：Ω?=Φd A L d s s e e θcos 在给定方向上立体角为： 2 cos l A d c c θ?= Ω 则在小面源在?A c 上辐射照度为：2 cos cos l A L dA d E c s s e e e θθ?=Φ= 3.假如有一个按朗伯余弦定律发射辐射的大扩展源（如红外装置面对的天空背景），其各处的辐亮度L e 均相同，试计算该扩展源在面积为A d 的探测器表面上产生的辐照度。答：由θcos dA d d L e ΩΦ = 得θcos dA d L d e Ω=Φ，且() 2 2cos r l A d d +=Ωθ 则辐照度：()e e e L d r l rdr l L E πθπ =+=? ?∞ 20 0222 2 7.黑体辐射曲线下的面积等于等于在相应温度下黑体的辐射出射度M 。试有普朗克的辐射公式导出M 与温度T 的四次方成正比，即 M=常数4T ?。这一关系式称斯特藩-波耳兹曼定律，其中常数为 5.6710-8W/m 2K 4 解答：教材P9，对公式2 1 5 1 ()1 e C T C M T e λλλ=-进行积分即可证明。第二章 3．对于3m 晶体LiNbO3，试求外场分别加在x,y 和z 轴方向的感应主折射率及相应的相位延迟（这里只求外场加在x 方向上）解：铌酸锂晶体是负单轴晶体，即n x =n y =n 0、n z ＝n e 。它所属的三方晶系3m 点群电光系数有四个，即γ22、γ13、γ33、γ51。电光系数矩阵为： L e ?A s ?A c l 0 θs θc 第1.2题图

数控技术试题库含答案

1、数控机床自动编程有两种：软件编程和软件编程。[APT、CAM] 2、使用作位置检测装置的半闭环进给系统，一方面用它作实际位移反馈信号，另一方面作测速信号。[旋转变压器] 3、在数控编程时，是按照______来进行编程，而不需按照刀具的在机床中的具体位置。 [工件原点] 4、数控车床自动换刀装置的刀架动作是刀架抬起、____ __、_____ __、 _____ _。 [刀架转位、刀架定位、夹紧刀架] 5、按照伺服系统类型，可将数控机床的控制系统分为、和。 [开环、半闭环、闭环] 6、数控机床有着不同的运动方式，编写程序时，我们总是一律假定并规定为正。 [工件不动刀具运动、刀具远离工件的方向] 7、普通数控铣床程序与加工中心编程的主要区别于。[换刀程序] 8、数控机床是由、、、、组成的。 [数控程序、计算机、外部设备、输入/出通道、操作面板] 9、按所用的进给伺服系统的不同数控机床可为、、。 [开环、半闭环、闭环] 10、NC机床的含义是数控机床，CNC是_ FMS 是CIMS是。 [计算机数控机床、柔性制造系统、计算机集成制造系统] 11、数控机床程序编制可分为、。[手工编程、自动编程] 12、脉冲编码器是一种位置检测元件，按照编码方式，可分为和两种。 [光学式、增量式、绝对式] 13、一个零件加工的程序是由遵循一定结构、句法和格式规则的若干个组成的，而每个是由若干个组成的。[程序段、程序段、指令字] 14、圆弧插补加工时，通常把与时钟走向一致的圆弧叫使用_______指令，反之使用_______ 指令。[G02、G03] 15、对步进电机施加一个电脉冲信号，步进电机就回转一个固定的角度，这个角度叫做 ______，电机的总角位移和输入脉冲的_______成正比，而电机的转速则正比于输入脉冲的______。 [步距角、数量、频率] 16、插补是指。[将工件轮廓的形状描述出来，边根据计算结果向各坐标发出进给指令]

电工电子技术课后答案

《电工电子技术》（第二版）节后学习检测解答第1章节后检验题解析第8页检验题解答： 1、电路通常由电源、负载和中间环节组成。电力系统的电路功能是实现电能的传输、分配和转换；电子技术的电路功能是实现电信号的产生、处理与传递。 2、实体电路元器件的电特性多元而复杂，电路元件是理想的，电特性单一、确切。由理想元件构成的、与实体电路相对应的电路称为电路模型。 3、电路中虽然已经定义了电量的实际方向，但对某些复杂些的直流电路和交流电路来说，某时刻电路中电量的真实方向并不能直接判断出，因此在求解电路列写方程式时，各电量前面的正、负号无法确定。只有引入了参考方向，方程式中各电量前面的的正、负取值才有意义。列写方程式时，参考方向下某电量前面取正号，即假定该电量的实际方向与参考方向一致，若参考方向下某电量前面取负号，则假定该电量的实际方向与参考方向相反；求解结果某电量为正值，说明该电量的实际方向与参考方向相同，求解结果某电量得负值，说明其实际方向与参考方向相反。电量的实际方向是按照传统规定的客观存在，参考方向则是为了求解电路方程而任意假设的。 4、原题修改为：在图1-5中，五个二端元件分别代表电源或负载。其中的三个元件上电流和电压的参考方向已标出，在参考方向下通过测量得到：I 1＝－2A ，I 2＝6A ，I 3＝4A ，U 1＝80V ，U 2＝－120V ，U 3＝30V 。试判断哪些元件是电源？哪些是负载？解析：I 1与U 1为非关联参考方向，因此P 1=－I 1×U 1=－（－2）×80=160W ，元件1获得正功率，说明元件1是负载；I 2与U 2为关联参考方向，因此P 2=I 2×U 2=6×（－120）=－720W ，元件2获得负功率，说明元件2是电源；I 3与U 3为关联参考方向，因此P 3= I 3×U 3=4×30=120W ，元件3获得正功率，说明元件3是负载。根据并联电路端电压相同可知，元件1和4及3和5的端电压之代数和应等于元件2两端电压，因此可得：U 4=40V ，左高右低；U 5=90V ，左低右高。则元件4上电压电流非关联，P 4=－40×（－2）=80W ，元件4是负载；元件5上电压电流关联，P 5=90×4=360W ，元件5是负载。验证：P ＋= P 1+P 3+ P 4+ P 5= 160+120+80+360=720W P －= P 2 =720W 电路中电源发出的功率等于负载上吸收的总功率，符合功率平衡。第16页检验题解答：图1-5检验题4电路图 U 3

光电技术(A卷)试卷

武汉理工大学考试试题纸(A卷) 课程名称光电技术名词解释(每小题3分，总共15分) 1. 坎德拉(Candela,cd) 2.外光电效应 3.量子效率 4.象增强管 5.本征光电导效应填空题(每小题3分，总共15分) 1. 光电信息变换的基本形式_________________ 、_______________ 、________________ 、 2. 光电倍增管是一种真空光电器件，它主要由_______ 、____ 、______ 、____ 和_____ 组成。 3. 发光二极管(LED)是一种注入电致发光器件，他由P型和N型半导体组合而成。其发光机理可以分为和。 4. _________________________________________________________ 产生激光的三个必要条件是 E g，要使该材料有光电子产生，其入射光波的最大波长为 5.已知本征硅的禁带宽度为、如图1所示的电路中，已知R b=820 Q ,R e=3.3K Q,U W=4V，光敏电阻为输出电压为6V，80lx是为9V。设光敏电阻在30~100之间的Y值不变。试求：(1)输出电压为8V时的照度； (2) 若R e增加到6 K Q ,输出电压仍然为8V ,求此时的照度； (3) 输出电压为8V时的电压灵敏度。四、如果硅光电池的负载为R L。(10分) (1) 、画出其等效电路图； (2) 、写出流过负载的电流方程及开路电压和短路电流; (3) 、标出等效电路图中电流方向。五、简述PIN光电二极管的工作原理。为什么PIN管比普通光电二极管好？(10分) 六、1200V负高压供电，具有11级倍增的光电倍增管，若倍增管的阴极灵敏度S K为20uA/ lm，阴极入射

传感器与检测技术试题及答案

传感器与检测技术试题及答案 Prepared on 24 November 2020

光电技术试题

————————————————————————————————作者：————————————————————————————————日期：

命题人：李阳审核人：试卷分类（A 卷或B 卷） A 五邑大学试卷学期： 2012 至 2013 学年度第 1 学期课程：光电子技术课程代号： 010A1860 使用班级： AP10221、AP10222 姓名：学号：一、单选题：（50分，每小题2分）请将正确的答案填入下表中： 1、从光源的分类上分，汞灯属于：（B ）（A ）热辐射光源；（B ）气体放电光源；（C ）激光光源；（D ）电致发光光源。 2、在辐射度学的基本物理量中，描述点辐射源的辐射功率在不同方向上分布的物理量是（C ）（A ）辐射能；（B ）辐射通量；（C ）辐射强度；（D ）辐射出射度。 3、从辐射通量与光通量之间的换算关系可知，1W=（A ）lm. （A ）683；（B ）386；（C ）836；（D ）638。 4、绝对黑体的温度决定了它的辐射光谱分布，随着温度T 的升高，峰值波长将（A ）。（A ）向短波方向移动；（B ）向长波方向移动；（C ）不移动；（D ）随机移动。 5、日光灯是一种低压汞灯，发出波长为（ B ）nm 紫外光源，再激发荧光粉发了可见光。（A ）283.7；（B ）253.7；（C ）353.7；（D ）333.7。 6、激光器的构成一般由（A ）组成。（A ）激励能源、谐振腔和工作物质（B ）固体激光器、液体激光器和气体激光器（C ）半导体材料、金属半导体材料和PN 结材料（D ）电子、载流子和光子 7、热释电器件是由TGS 、LiTaO 3等热电晶体材料组成的，但不论哪种材料，都有一个特定温度，称居里温度。只有（ C ）居里温度，材料才有自发极化性质。题号一二三四五六总分得分题号 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 答案题号 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 答案试卷编号得分 m

数字电子技术课后习题及答案

第二章 2.2 证明下列异或运算公式（1）A 0A =⊕ 证明：左侧0A 0A ?+?= A = 得证（2）A 1A =⊕ 证明：左侧1A 1A ?+?= A = 得证（3） 0A A =⊕ 证明：左侧A A A A ?+?= 0= 得证（4）A A A =⊕ 证明：左侧A A A A ?+?= A = 得证（5）B A B A ⊕=⊕ 证明：右侧B A B A ?+?= B A B A ?+?= B A ⊕= 得证 (6) )C B (A C )B A (⊕⊕=⊕⊕ 证明：等式右侧)C B (A ⊕⊕= )C B C B (A +⊕=

)C B C B (A )C B C B (A +++= C B A C B A )C B C B (A ++?= C B A C B A )C B )(C B (A ++++= C B A C B A )C C C B BC B B (A +++++= C B A C B A C B A A B C +++= C )B A AB (C )B A B A (+++= C )B A (C )B A (⊕+⊕= （将看成一个整体)B A (⊕，用M 来表示 C M C M += C M ⊕= 再替换M ，则） C )B A (⊕⊕= 得证 2.3 用逻辑代数法将下列逻辑函数式化简为最简与或表达式（1）L=AB(BC+A) 解：L=AB(BC+A) =ABC+AB =AB(C+1) =AB (2) L=B B A B A ++ 解：L=B B A B A ++ =B A B A )1(++ =B B A + =B B A ++ A =A+B (3) C B B C B C A A B C A L ++++= 解：C B B C B C A A B C A L ++++=

光电技术(A卷)试卷

图1 武汉理工大学考试试题纸（A 卷）课程名称光电技术一、名词解释(每小题3分，总共15分) 1.坎德拉(Candela,cd) 2.外光电效应 3.量子效率 4. 象增强管 5. 本征光电导效应二、填空题(每小题3分，总共15分) 1. 光电信息变换的基本形式、、、、、。 2.光电倍增管是一种真空光电器件，它主要由、、、和组成。 3. 发光二极管(LED)是一种注入电致发光器件，他由P 型和N 型半导体组合而成。其发光机理可以分为和。 4. 产生激光的三个必要条件是。 5. 已知本征硅的禁带宽度为g E ，要使该材料有光电子产生，其入射光波的最大波长为。三、如图1所示的电路中，已知R b =820Ω,R e =3.3K Ω,U W =4V ，光敏电阻为R p ,当光照度为压为6V ，80lx 是为9V 。设光敏电阻在30~100之间的γ值不变。试求：(1) 输出电压为8V 时的照度；（2）若e R 增加到6 K Ω，输出电压仍然为8V ，求此时的照度； (3) 输出电压为8V 时的电压灵敏度。四、如果硅光电池的负载为R L 。(10分) (1)、画出其等效电路图； (2)、写出流过负载的电流方程及开路电压和短路电流； (3)、标出等效电路图中电流方向。五、简述PIN 光电二极管的工作原理。为什么PIN 管比普通光电二极管好？ (10分) 六、 1200V 负高压供电，具有11级倍增的光电倍增管，若倍增管的阴极灵敏度S K 为20uA/lm ，阴极入射光的照度为0.1Lx ，阴极有效面积为2cm 2 ，各倍增极二次发射系数均相等(4=δ)，光电子的收集率为98.00=ε，各倍增极的电子收集率为95.0=ε 。(提示增益可以表示为N G )(0εδε=) (15分) (1) 计算光电倍增管的放大倍数和阳极电流。

光电技术试题和答案

三、名词解释： 1、传感器：传感器是能感受规定的被测量并按照一定的规律将其转换成可用输出信号的器件或装置。 2、重复性：用本方法在正常和正确操作情况下，由同一操作人员，在同一实验室内，使用同一仪器，并在短期内，对相同试样所作多个单次测试结果，在95%概率水平两个独立测试结果的最大差值 3、线性度：测试系统的输出与输入系统能否像理想系统那样保持正常值比例关系（线性关系）的一种度量。 2、正压电效应答：压电效应：某些电介质物体在沿一定方向受到压力或拉力作用时发生变形，并且在其表面上会产生电荷，若将外力去掉，它们又重新回到不带电的状态。具有压电效应材料有石英晶体、人工制造的压电陶瓷、锆钛酸铅等。逆压电效应：是指对晶体施加交变电场引起晶体机械变形的现象四、简答题 1、解释什么是传感器？传感器的基本组成包括哪两大部分？这两大部分各自起什么作用？答：传感器是能感受规定的被测量并按照一定的规律将其转换成可用输出信号的器件或装置。通常传感器由敏感元件和转换元件组成。敏感元件是指传感器中能直接感受或响应被测量的部分，转换元件是指传感器中将敏感元件感受或响应的被测量转换成适于传输或测量的电信号部分。 2、什么是传感器的静态特性，描述静态特性的技术指标有哪些？答：传感器的静态特性是指被测量的值处于稳定状态时的输出—输入关系。与时间无关。主要性能指标有：线性度、灵敏度、分辨率、迟滞、重复性和量程等。 3金属电阻应变片与半导体材料的电阻应变效应有什么不同? 答：金属电阻的应变效应主要是由于其几何形状的变化而产生的，半导体材料的应变效应则主要取决于材料的电阻率随应变所引起的变化产生的。 4简要说明电容式传感器的工作原理。

完整word版,高电压技术考试试题及其答案精华版

《高电压技术》期末冲刺试卷(1) 1.流注理论未考虑( B )的现象。 A.碰撞游离 B.表面游离 C.光游离 D.电荷畸变电场 2.极化时间最短的是( A )。 A.电子式极化 B.离子式极化 C.偶极子极化 D.空间电荷极化 3.先导通道的形成是以( C )的出现为特征。 A.碰撞游离 B.表现游离 C.热游离 D.光游离 4.下列因素中，不会影响液体电介质击穿电压的是（A ） A.电压的频率 B.温度 C.电场的均匀程度 D. 杂质 5.电晕放电是一种（ D ）。 A.滑闪放电 B.非自持放电 C.沿面放电 D.自持放电 6.以下四种气体间隙的距离均为10cm，在直流电压作用下，击穿电压最低的是（ D ）。 A.球—球间隙(球径50cm) B.棒—板间隙，棒为负极 C.针—针间隙 D.棒—板间隙，棒为正极 7.不均匀的绝缘试品，如果绝缘严重受潮，则吸收比K将( C ) A.远大于1 B.远小于1 C.约等于1 D.不易确定 8.雷击线路附近地面时，导线上的感应雷过电压与导线的（ B ） A. 电阻率成反比 B.悬挂高度成反比 C.悬挂高度成正比 D. 电阻率成正比二、填空题(本大题共9小题，每空1分，共18分) 1.固体电介质电导包括___表面____电导和_体积______电导。 2.极不均匀电场中，屏障的作用是由于其对__空间电荷__的阻挡作用，造成电场分布的改变。

3.电介质的极化形式包括_电子式极化__、__离子式极化_、__偶极子极化_和夹层极化。 4.气体放电现象包括__击穿_____和__闪络_____两种现象。 5.带电离子的产生主要有碰撞电离、__光电离____、_热点离_____、表面电离等方式。 6.工频耐压试验中，加至规定的试验电压后，一般要求持续__60_____秒的耐压时间。 7.按绝缘缺陷存在的形态而言,绝缘缺陷可分为__集中性_____缺陷和__分散性____缺陷两大类。 8.在接地装置中，接地方式可分为_防雷接地_______、_保护接地_______、_工作接地_______。 9.输电线路防雷性能的优劣主要用__耐雷水平______和_雷击跳闸率________来衡量。三、判断题(本大题共5小题，每小题2分，共10分)在每小题的括号内对的打“√”，错的打“×”。 1.无论何种结构的电介质，在没有外电场作用时，其内部各个分子偶极矩的矢量和平均来说为零，因此电介质整体上对外没有极性。（对） 2.在四种电介质的基本极化形式中，只有电子式极化没有能量损耗。（错） 3.测量电气设备的绝缘电阻时一般要加直流电压，绝缘电阻与温度没有关系。（错） 4.防雷接地装置是整个防雷保护体系中可有可无的一个组成部分。（错） 5.管式避雷器实质上是一只具有较强灭弧能力的保护间隙。（对）四、名词解释题(本大题共5小题，每小题6分，共30分) 1.吸收比：指的是电流衰减过程中的两个瞬间测得的两个电流值或两个相应的绝缘电阻值之比。（或指被试品加压60秒时的绝缘电阻与加压15秒时的绝缘电阻之比。） 2.雷击跳闸率：指每100KM线路每年由雷击引起的跳闸次数 3.雷暴日：指某地区一年四季中有雷电放电的天数，一天中只要听到一次及以上雷声就是一个雷暴日。 4.伏秒特性：对某一冲击电压波形，间隙的击穿电压和击穿时间的关系称为伏秒特性 5.气体击穿：气体由绝缘状态变为导电状态的现象称为击穿五、简答题(本大题共2小题，每小题8分，共16分)

光电技术课后答案第五章

第五章作业题答案 5.7解：最小可探测功率为： W 1074.11103001038.11067.51011616115231222 1 5 min 2 1 ----?=??? ? ?????????==???? ???=ασf kT A P 5.8解：(1) 当T =300K 时最小可探测功率为： W 1038.18.013001038.11067.51051616115231222 15 2 1 ----?=??? ? ??????????=??? ? ???=ασf kT A P NE 比探测率为：/W H cm 1062.110 38.1)1105()(*2 121 z 1011 22 1??=???=?=--NE P f A D 热传导为： W/K 1045.230010 67.58.0105445 312 2 3 ---?=??????==T A G ασ (2) 当T =280K 时最小可探测功率为： W 1016.18.012801038.11067.5105161611 5231222 15 2 1 ----?=??? ? ??????????=??? ? ???=ασf kT A P NE 比探测率为：/W H cm 1093.110 16.1)1105()(*2 121 z 1011 22 1??=???=?=--NE P f A D 热传导为： W/K 1099.128010 67.58.0105445 312 2 3 ---?=??????==T A G ασ 5.9 热释电器件为什么不能工作在直流状态？答：当红外辐射照射到已经极化的铁电体薄片上时，引起薄片温度升高，表面电

光电技术习题&答案提示

《光电技术》习题第一章第一部分: 1．已知表示光电导体的灵敏度的G（光电增益）= βτ/ tL ，式中β为量子产额；τ为光生载流子寿命；tL为载流子在光电导两极间的渡越时间，如果在光电导体中自由电子与空穴均参与导电，请推导：G = β(τnμn +τpμp )U/l2 式中τn和τp分别为自由电子和空穴的寿命；μn和μp 分别为自由电子和空穴的迁移率。（答案见课本P6）2．简答P型与N型半导体杂质能级区别. 3．比较直线性光电导与抛物线性光电导的主要特性。(答案见讲稿1.1.3的P7,10) 4．举一简例说明研究光电导的光谱分布有何实际应用。 5．简述光生伏特效应与热释电效应的原因及其应用。(答案见讲稿1.1.4&1.1.5的P1,6) 6．观察图1.1.3-4，指出本征光电导与杂质光电导的长波限位置。 7. 设在半径为R c的圆盘中心法线上，距盘圆中心为l0处有一个辐射强度为I e的点源S，如图所示。试计算该点源发射到盘圆的辐射功率。第1题图

8. 如图所示，设小面源的面积为?A s ，辐射亮度为L e ，面源法线与l 0的夹角为θs ；被照面的面积为?A c ，到面源?A s 的距离为l 0。若θc 为辐射在被照面?A c 的入射角，试计算小面源在?A c 上产生的辐射照度。用定义r r e e A dI L θ?cos = 和A E e e d d Φ =求解。 *9. 从黑体辐射曲线图可以看出，不同温度下的黑体辐射曲线的极大值处的波长λm 随温度T 的升高而减小。试由普朗克热辐射公式导出常数=T m λ。这一关系式称为维恩位移定律，其中常数为2.898?10-3m ?K 。第2题图

《传感器与检测技术》试题及答案

《传感器与检测技术》试题一、填空：（20分） 1，测量系统的静态特性指标主要有线性度、迟滞、重复性、分辨力、稳定性、温度稳定性、各种抗干扰稳定性等。（2分） 2.霍尔元件灵敏度的物理意义是表示在单位磁感应强度相单位控制电流时的霍尔电势大小。 3、光电传感器的理论基础是光电效应。通常把光线照射到物体表面后产生的光电效应分为三类。第一类是利用在光线作用下光电子逸出物体表面的外光电效应,这类元件有光电管、光电倍增管；第二类是利用在光线作用下使材料内部电阻率改变的内光电效应，这类元件有光敏电阻；第三类是利用在光线作用下使物体内部产生一定方向电动势的光生伏特效应，这类元件有光电池、光电仪表。 4.热电偶所产生的热电势是两种导体的接触电势和单一导体的温差电势组成的，其表达式为Eab （T ，To ）=T B A T T B A 0d )(N N ln )T T (e k 0σ-σ?+-。在热电偶温度补偿中补偿导线法（即冷端延长线法）是在连接导线和热电偶之间，接入延长线，它的作用是将热电偶的参考端移至离热源较远并且环境温度较稳定的地方，以减小冷端温度变化的影响。 5.压磁式传感器的工作原理是：某些铁磁物质在外界机械力作用下，其内部产生机械压力，从而引起极化现象，这种现象称为正压电效应。相反，某些铁磁物质在外界磁场的作用下会产生机械变形，这种现象称为负压电效应。（2分） 6. 变气隙式自感传感器，当街铁移动靠近铁芯时，铁芯上的线圈电感量（①增加②减小③不变）（2分） 7. 仪表的精度等级是用仪表的（① 相对误差 ② 绝对误差 ③ 引用误差）来表示的（2分） 8. 电容传感器的输入被测量与输出被测量间的关系，除（① 变面积型 ② 变极距型 ③ 变介电常数型）外是线性的。（2分） 9. 电位器传器的（线性），假定电位器全长为Xmax, 其总电阻为Rmax ，它的滑臂间的阻值可以用Rx = （① Xmax/x Rmax,②x/Xmax Rmax ,③ Xmax/XRmax ④X/XmaxRmax ）来计算，其中电阻灵敏度Rr=（① 2p(b+h)/At , ② 2pAt/b+h, ③ 2A(b+b)/pt, ④ 2Atp(b+h)） 1、变面积式自感传感器，当衔铁移动使磁路中空气缝隙的面积增大时，铁心上线圈的电感量（①增大，②减小，③不变）。 2、在平行极板电容传感器的输入被测量与输出电容值之间的关系中，（①变面积型， ②变极距型，③变介电常数型）是线性的关系。 3、在变压器式传感器中，原方和副方互感M 的大小与原方线圈的匝数成（①正比，②反比，③不成比例），与副方线圈的匝数成（①正比，②反比，③不成比例），与回路中磁阻成（①正比，②反比，③不成比例）。 4、传感器是能感受规定的被测量并按照一定规律转换成可用输出信号的器件或装置，传感器通常由直接响应于被测量的敏感元件和产生可用信号输出的转换元件以及相应的信号调节转换电路组成。 5、热电偶所产生的热电热是由两种导体的接触电热和单一导体的温差电热组成。 2、电阻应变片式传感器按制造材料可分为① _金属_ 材料和②____半导体__体材料。它们在受到外力作用时电阻发生变化，其中①的电阻变化主要是由 _电阻应变效应形成的，而②的电阻变化主要是由温度效应造成的。半导体材料传感器的灵敏度较大。 3、在变压器式传感器中，原方和副方互感M 的大小与绕组匝数成正比，与穿过线圈的磁通_成正比，与磁回路中磁阻成反比，而单个空气隙磁阻的大小可用公式 __ 表示。 1.热电偶所产生的热电势是由两种导体的接触电势和单一导体的温差电势组成的，其表达式为E ab （T,T o ）=T B A T T B A 0d )(N N ln )T T (e k 0σ-σ?+-。在热电偶温度补偿中，补偿导线法（即冷端延长线法）是在连接导线和热电偶之间，接入延长线它的作用是将热电偶的参考端移至离热源较远并且环境温度较稳定的地方，以减小冷端温度变化的影响。（7分） 3.电位器或电阻传感器按特性不同，可分为线性电位器和非线性电位器。线性电位器的

光电技术试题及答案2

中国海洋大学命题专用纸（首页） 2006－2007学年第 2 学期试题名称：光电技术（A 卷）共 3 页第 1 页专业年级学号姓名授课教师分数（请将选择题和填空题答案写在试卷上，其余答案写在答题纸上）题号一二三四五总分得分一、选择题（下列选择题有一个或多个答案）（21分，每题3分） 1、有两块材料制成的热敏电阻，A 为半导体材料，B 为白金，当温度升高，则两种材料的电阻将（ C ） A 、R A 变小； R B 变小 B 、R A 变大； R B 变大 C 、R A 变小； R B 变大 D 、R A 变大； R B 变小 2、有一辐射功率恒为5W 的辐射光源，照射到热释电器件上，若输出的电压为0.1V ，则热释电器件的电压灵敏度为（ A ） A 、0 B 、0.02V/W C 、无法判断 D 、50W/V 3、下面说法正确的是（ BCD ） A 、CCD 可实现随机读取方式。 B 、 C I D 可工作在非破坏性读出方式。 C 、 C ID 的光敏单元结构和CCD 相似，电荷读取方式和CMOS 相似。 D 、CCD 最突出的特点是以电荷作为信号。 4、下列器件运用了光电导效应的是（ B ） A 、红外变像管 B 、光敏电阻 C 、硅靶视像管 D 、光电二极管 5、对于大气对可见光的散射，下列说法正确是（ ABC ） A 、当光波长远大于散射粒子尺度时，即产生瑞利散射。 B 、当光波长相当于或小于散射粒子的尺度时，即产生米氏散射。 C 、对于瑞利散射，蓝光比红光散射强烈。 D 、对于瑞利散射，波长越长，散射越强 6、光电倍增管中，产生光电效应的是（A ） A 、阴极 B 、阳极 C 、二次倍增极 D 、玻璃窗 7、下列说法正确是（ C ） A 、电场方向与光束在晶体中的传播方向垂直，称为纵向电光效应。 B 、电场方向与光束在晶体中的传播方向一致，称为横向电光效应。 C 、半波电压是表征电光晶体性能的一个重要参数，这个电压越小越好。 D 、在运用横向电光效应中，光波通过晶体后的相位差只和V ＝ E z L 有关。授课教师命题教师或命题负责人签字院系负责人签字年月日 * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 装订线 * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * *