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电路模拟试卷及答案

电路模拟试卷及答案
电路模拟试卷及答案

浙江工商大学《电路》模拟试卷

课程名称: 电路 考试方式: 闭卷 完成时限:120分钟 班级名称: 学号: 姓名:

题号 一

总分

分值 23

8

10

10

12

12

15

10

100

得分 阅卷人

一.分析下列各题 (23分)

1.电路如图所示,求各个电源的功率(以吸收功率为正, 供出功率为负)。(6分)

I S 1

3A

I S 2

I S 3

2A 5A

U S 2

2V 5V

U S 3

U S 1

10V

2.已知正弦电压u t 11002120=

-?s i n ()ωV

u t 2100230=

+?c o s ()ωV 试写出其对应相量,绘出相量图,并确定它们的相位差。(4分)

3.图示正弦交流电路中,已知ω=5rad/s ,求该电路的(复)阻抗Z 。(4分)

-+

Ω

5

1H

0.02F

2H

u

4.将图示电路中的CCCS 等效变换为CCVS ,画出其电路图。(4分)

?

?

R 2

R

1

41

I U 1

I 1

5.单口网络N 的端口电压为:)

2030sin(10)1010sin(64)(

++++=t t t u

电流为:)

4030sin(5)1010sin(23)(

-+++=t t t i ,试求电压、电流的有效值及该单口网络

吸收的平均功率。(5分)

二.试用叠加定理求图示电路中的电压U 。 (8分)

9V 4ΩU 9V

4Ω4Ω

三.试用网孔分析法求图示电路中的电流I 。(10分)

10V

I

2V

四.应用戴维南定理求解图示电路中的电流I 。(10分)

Ω

1V

24I

V

5

五.图示电路在换路前已达稳态。当t =0时开关接通,求t >0的i t ()。(12分)

?

?

+_

42mA

3k Ω

6k Ω

i

t =0100μF

u C

六.图示对称三相电路中,已知电源线电压U l =380V ,R =40Ω

,1

30ωC

,求三相负载功

率P 。(12分)

C

A

B ?

?

?

R

1

ωC

1

ωC

1

ωC

R

R

七.电路如图所示.已知 ()(

)i t t L s i n =+28ωA,R =10Ω,ωL =5Ω, 1

20ωC

,

求()u t 。(15分)

C

u

L

?

?

i

L

R

八.图示电路中,u 、 i 均为非正弦周期波,如要求电路对各次电压、电流谐波均同相,试求电路参数应满足的关系。(10分)

R C

u

L

i

?

?

R

+

-

一.分析下列各题 (23分)

1.电路如图所示,求各个电源的功率(以吸收功率为正, 供出功率为负)。(6分)

P U S 1=50 W P U S 26=- W P U S 3=0 P I S 1

15=- W P I S 2 W =-14 P I S 3

15=- W

2.已知正弦电压u t 11002120=

-?s i n ()ωV

u t 2100230=

+?c o s ()ωV

试写出其对应相量,绘出相量图,并确定它们的相位差。(4分)

120∠?

代表sin ωt 则 U 1=∠-?100120 V

U 2

=∠?

100120 V

U 2

U 1

120?

U 1

超前 U 2

120?

3.图示正弦交流电路中,已知ω=5rad/s ,求该电路的(复)阻抗Z 。(4分)

()()

()Ω+=--?++=10j 105

j 510j 5j 510j Z

4.将图示电路中的CCCS 变换为CCVS ,画出其电路图。(4分)

?

?

R 2

R 1

41

I U 1

I 1

5.单口网络N 的端口电压为:)

2030sin(10)1010sin(64)(

++++=t t t u

电流为:)

4030sin(5)1010sin(23)

(

-+++=t t t i ,试求电压、电流的有效值及该单口网络

吸收的平均功率。(5分)

二.试用叠加定理求图示电路中的电压U 。 (8分)

A

I V

U W P 8.42.95.26===

9Ω4Ω

U

'

9V 4Ω4Ω+

4Ω4Ω

U

"

2

()

a ()

b 9V

图()a :U '

=

-?49 4

4 4+4

V =-3 V

图()b :U

"

=-?49 4

4 4+4 V =-3 V

故:U =-6 V

三.试用网孔分析法求图示电路中的电流I 。(10分)

设网孔电流分别为I 、I '(顺时针方向)

632

388I I I I -=--+=-????

?'

'

I =-103

. A

四.应用戴维南定理求解图示电路中的电流I 。(10分)

V 776oc =U

Ω=

7

10o R

A 2=I

五.图示电路在换路前已达稳态。当t =0时开关接通,求t >0的i t ()。(12分)

u C ()V 0126+=

i ()m A 06

3+= i ()m A ∞=42

τ=06

.s 得

i t t

()(e )m A

=+-42215

3 t >0

六.图示对称三相电路中,已知电源线电压U l =380V ,R =40Ω,

1

30ωC

,求三相负载功

率P 。(12分)

I l j30

=

-=2204044. A

P U I =3l l c

o s ?=2.32kW

?=-?369.

(或者

P I

=3l

2

?=40232

.kW)

七.电路如图所示.已知 ()(

)i t t L s i n =+28ωA,R =10Ω,ωL =5Ω, 1

20ωC

,

求()u t 。(15分)

u R

i 0020==V

I I I L C 18

260=+=-=∠? A

U U I L 1110=+=∠?j 40+60 =72.133.7V

()()[

]u t t =++?20721337..s i n ω

V

八.图示电路中,u 、 i 均为非正弦周期波,如要求电路对各次电压、电流谐波均同相,试求电路参数应满足的关系。(10分)

Z R L C LR R C R L C =

+?? ???+-?

? ??

?+-?

? ??

?

22j j 1ωωωω

分母幅角和分子辐角必须相等,这两角的正切亦必相等,亦即

ωωωωL R R

L C

L R

-?? ?

?

?+

=

-

11

22

CC

R L C

=

最新模拟电路试卷及答案---副本

电子基础 [ 模拟电路试卷及答案] [填空及选择题]

模拟综合试卷一 一.填充题 1.集成运算放大器反相输入端可视为虚地的条件是a , b 。 2.通用运算放大器的输入级一般均采用察动放大器,其目的是 a , b 。 3.在晶体三极管参数相同,工作点电流相同条件下,共基极放大电路的输入电阻比共射放大电路的输入电阻。 4.一个NPN晶体三极管单级放大器,在测试时出现顶部失真,这是失真。 5.工作于甲类的放大器是指导通角等于,乙类放大电路的导通角等于,工作于甲乙类时,导通角为。 6.甲类功率输出级电路的缺点是,乙类功率输出级的缺点是 故一般功率输出级应工作于状态。 7.若双端输入,双端输出理想差动放大电路,两个输入电压u i1=u i2 ,则输出电压 为 V;若u i1=1500μV, u i2 =500μV,则差模输入电压u id 为μV,共模 输入信号u ic 为μV。 8.由集成运放构成的反相比例放大电路的输入电阻较同相比例放大电路的输入电阻较。 9.晶体三极管放大器的电压放大倍数在频率升高时下降,主要是因为的影响。 10.在共射、共集、共基三种组态的放大电路中,组态电流增益最;组态电压增益最小;组态功率增益最高;组态输出端长上承受最高反向电压。频带最宽的是组态。 二.选择题 1.晶体管参数受温度影响较大,当温度升高时,晶体管的β,I CBO,u BE 的变化情 况为()。 A.β增加,I CBO,和 u BE 减小 B. β和I CBO 增加,u BE 减小

C.β和u BE 减小,I CBO 增加 D. β、I CBO 和u BE 都增加 2.反映场效应管放大能力的一个重要参数是() A. 输入电阻 B. 输出电阻 C. 击穿电压 D. 跨导 3.双端输出的差分放大电路主要()来抑制零点飘移。 A. 通过增加一级放大 B. 利用两个 C. 利用参数对称的对管子 D. 利用电路的对称性 4.典型的差分放大电路由双端输出变为单端输出,共模电压放大倍数()。 A. 变大 B. 变小 C. 不变 D. 无法判断 5.差分放大电路的共模抑制比K CMR 越大,表明电路() A. 放大倍数越稳定 B. 交流放大倍数越大 C. 直流放大倍数越大 D. 抑制零漂的能力越强 6.负反馈放大电路以降低电路的()来提高嗲路的其他性能指标。 A. 带宽 B. 稳定性 C. 增益 D. 输入电阻 7.为了使运放工作于线性状态,应() A. 提高输入电阻 B. 提高电源电压 C. 降低输入电压 D. 引入深度负反馈 8.在正弦振荡电路中,能产生等幅振荡的幅度条件是()。 A. àF=1 B. àF>1 C. àF<1 D. àF=1 9.振荡电路的振荡频率,通常是由()决定 A. 放大倍数 B. 反馈系数 C. 稳定电路参数 D. 选频网络参数 10.在串联型线性稳定电路中,比较放大环节放大的电压是() A. 取样电压与基准电压之差 B. 基准电压 C. 输入电压 D. 取样电压

模拟电子基础复习题与答案

模拟电子技术基础复习题 图1 图2 一、填空题 1、现有基本放大电路:①共射放大电路②共基放大电路③共集放大电路 ④共源放大电路 一般情况下,上述电路中输入电阻最大的电路是③,输入电阻最小的电路是②,输出电阻最小的电路是③,频带最宽的电路是②;既能放大电流,又能放大电压的电路是①;只能放大电流,不能放大电压的电路是③;只能放大电压,不能放大电流的电路是②。 2、如图1所示电路中,已知晶体管静态时B-E间电压为U BEQ,电流放大系数为β,B-E间动态电阻为r be。填空: (1)静态时,I BQ的表达式为,I CQ的表达式为;,U CEQ的表达式为 (2)电压放大倍数的表达式为,输入电阻的表达式为,输出电阻的表达式为; (3)若减小R B,则I CQ将 A ,r bc将 C ,将 C ,R i将 C ,R o将 B 。

A.增大 B.不变 C.减小 当输入电压不变时,R B减小到一定程度,输出将产生 A 失真。 A.饱和 B.截止 3、如图1所示电路中, (1)若测得输入电压有效值为10mV,输出电压有效值为1.5V,则其电压放大倍数= 150;若已知此时信号源电压有效值为20mV,信号源内阻为1kΩ,则放大电路的输入电阻R i= 1 。 (2)若已知电路空载时输出电压有效值为1V,带5 kΩ负载时变为0.75V,则放大电路的输出电阻Ro 1.67 。 (3)若输入信号增大引起电路产生饱和失真,则可采用将R B增大或将Rc 减小的方法消除失真;若输入信号增大使电路既产生饱和失真又产生截止失真,则只有通过设置合适的静态工作点的方法才能消除失真。 4、文氏桥正弦波振荡电路的“桥”是以RC串联支路、RC并联支路、 电阻R1 和R2 各为一臂而组成的。 5、正弦波振荡电路按选频网络所用元件可分为变压器反馈式、电感三点式和 电容三点式三种电路,其中电容三点式振荡电路的振荡频率最为稳定。 6、为了得到音频信号发生器,应采用正弦波振荡电路。 7、稳压电源一般由整流电路、滤波电路和稳压电路三部分电路组成。 8、在负载电流比较小且其变化也比较小的时候,应采用电容滤波电

模拟电路考试试题10套和答案

坑爹的模电 试卷编号01 ……………………………………………………………………………………………………………… 一、填空(本题共20分,每空1分): 1.整流电路的任务是__________;滤波电路的任务是__________。 2.在PN结的形成过程中,载流子的扩散运动是由于__________而产生的,漂移运动是__________作用下产生的。 3.放大器有两种不同性质的失真,分别是__________失真和__________失真。 4.在共射阻容耦合放大电路中,使低频区电压增益下降的主要原因是__________的影响;使高频区电压增益下降的主要原因是__________的影响。 5.在交流放大电路中,引入直流负反馈的作用是__________;引入交流负反馈的作用是___________。 6.正弦波振荡电路一般由__________、__________、__________、__________这四个部分组成。 7.某多级放大器中各级电压增益为:第一级25dB 、第二级15dB 、第三级60dB ,放大器的总增益为__________,总的放大倍数为__________。 8.在双端输入、单端输出的差动放大电路中,发射极公共电阻R e对__________信号的放大无影响,对__________信号的放大具有很强的抑制作用。共模抑制比K CMR为__________之比。 9.某放大电路的对数幅频特性如图1(在第三页上)所示,当信号频率恰好为上限频率时,实际的电压增益为__________dB。 二、判断(本题共10分,每小题1分,正确的打√,错误的打×): 1、()构成各种半导体器件的基础是PN结,它具有单向导电和反向击穿特性。 2、()稳定静态工作点的常用方法主要是负反馈法和参数补偿法。 3、()在三极管的三种基本组态中,只有电流放大能力而无电压放大能力的是基本共集组态。 4、()若放大电路的放大倍数为负值,则引入的一定是负反馈。 5、()通常,甲类功放电路的效率最大只有40%,而乙类和甲乙类功放电路的效率比甲类功放电路的效率要高。 6、()一般情况下,差动电路的共模电压放大倍数越大越好,而差模电压放大倍数越小越好。 7、()根据负反馈自动调节原理,交流负反馈可以消除噪声、干扰和非线性失真。 8、()要使放大电路的输出电流稳定并使输入电阻增大,则应引入电流串联负反馈。 9、()在放大电路中引入电压负反馈可以使输出电阻减小,在放大电路中引入电流负反馈可以使输出电阻增大。 10、()在正弦波振荡电路的应用中,通常,当要求振荡工作频率大于1MHz时,应选用RC正弦波振荡电路。 三、选择(本题共20分,每个选择2分): 1.在放大电路中,测得某三极管的三个电极的静态电位分别为0V,-10V,-9.3V,则此三极管是() A. NPN型硅管; B. NPN型锗管; C. PNP型硅管; D. PNP型锗管; 2.为了使放大电路Q点上移,应使基本放大电路中偏置电阻R b的值()。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 3.典型的差分放大电路中Re()。 A. 对差模信号起抑制作用 B. 对共模信号起抑制作用 C. 对差模信号和共模信号均无作用 4.在差动电路中,若单端输入的差模输入电压为20V,则其共模输入电压为()。 A. 40V B. 20V C. 10V D. 5V 5.电流源的特点是()。 A . 交流电阻大,直流电阻小; B . 交流电阻小,直流电阻大; C. 交流电阻大,直流电阻大; D. 交流电阻小,直流电阻小。 6.影响放大电路高频特性的主要因素是()。 A. 耦合电容和旁路电容的存在; B. 放大电路的静态工作点不合适; C. 半导体管的非线性特性; D. 半导体管极间电容和分布电容的存在; 7.关于理想运算放大器的错误叙述是()。 A.输入阻抗为零,输出阻抗也为零;B.输入信号为零时,输出处于零电位; C.频带宽度从零到无穷大;D.开环电压放大倍数无穷大 8.有T1 、T2和T3三只晶体管,T1的β=200,I CEO=200μA;T2的β=100,I CEO=10μA;T3的β=10,I CEO=100μA,其它参数基本相同,则实用中应选() A. T1管; B. T2管; C. T3管 9.交流反馈是指() A.只存在于阻容耦合电路中的负反馈;B.变压器耦合电路中的负反馈; C.交流通路中的负反馈;D.放大正弦信号时才有的负反馈; 10.RC桥式正弦波振荡电路是由两部分组成,即RC串并联选频网络和() A. 基本共射放大电路; B. 基本共集放大电路; C. 反相比例运算电路; D. 同相比例运算电路; 四、分析与计算(本题共50分): 1.(本小题10分) 电路如图2所示,通过分析判断反馈组态,并近似计算其闭环电压增益A usf。

模拟电路期末试卷及答案

《模拟电子技术基础(1)》期末试题 (A 卷)参考答案及评分标准 一、填空(每空1分,共20分) 1. 双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结 正偏 、集电结 反偏 。 2. 放大器级间耦合方式有三种: 直接 耦合; 阻容 耦合; 变压器 耦合;在集成电路中通常采用 直接 耦合。 3. 差分放大器的基本特点是放大 差模信号 、抑制 共模信号 。 4. 乙类推挽放大器的主要失真是 交越失真 ,要消除此失真,应改用 甲乙 类推挽放大器。 5. 图1所示两级放大电路,图中级间采用 阻容 耦合方式,1T 接成 共基 组态,2T 接成 共集 组态,1R 和2R 的作用是 为T1管提供基极偏置 。 6. 在阻容耦合放大器中,若要降低下限频率,应将耦合电容的值 增大 。 7. 共射-共基组合电路中,由于共射电路的上限频率 小于 共基电路的上限频率,故此组合电路的上限频率主要取决于 共射 电路。 8. 负反馈系统产生自激的条件是1)(-=ωj T ,相应的振幅条件是1)(=ωj T ,相位条件是()πω?±=T 。

二、简答(共3小题,每小题5分,共15分) 1. 测得工作在放大电路中两个晶体管的三个电极电流如图2所示 (1)判断它们各是NPN 管还是PNP 管,在图中标出e ,b ,c 极; 答:见图中标识(判断NPN 管还是PNP 管各1分,标出e ,b ,c 极1分, 共3分) (2)估算(b)图晶体管的β和α值。 601 .06 === B C I I β, 985.01≈+= ββα (各1分,共2分)

2.电路如图3所示,试回答下列问题 (1)要使电路具有稳定的输出电压和高的输入电阻,应接入何种负反馈? R f 应如何接入?(在图中连接) 答:应接入电压串联负反馈(1分) R接法如图(1分) f (2)根据前一问的反馈组态确定运放输入端的极性(在图中“□”处标出),并根据已给定的电路输入端极性在图中各“○”处标注极性。 答:见图中标识(3分)(共6空,两个1分) 3.简述直流电源的主要组成部分及各部分功能。 答:直流电源主要由整流电路、滤波滤波、稳压电路组成,其中整流电路的作用是将交流电压转换为直流电压,滤波电路的作用是减小电压的脉动,稳压电路的作用是使输出直流电压基本不受电网电压波动和负载电阻变化的影响,从而获得足够高的稳定性。(组成部分3分,功能2分)

模拟电路测验试题套和答案

模拟电路测验试题套和答案 1 / 29

————————————————————————————————作者:————————————————————————————————日期: 2 / 29

坑爹的模电 试卷编号01 ……………………………………………………………………………………………………………… 一、填空(本题共20分,每空1分): 1.整流电路的任务是__________;滤波电路的任务是__________。 2.在PN结的形成过程中,载流子的扩散运动是由于__________而产生的,漂移运动是__________作用下产生的。 3.放大器有两种不同性质的失真,分别是__________失真和__________失真。 4.在共射阻容耦合放大电路中,使低频区电压增益下降的主要原因是__________的影响;使高频区电压增益下降的主要原因是__________的影响。 5.在交流放大电路中,引入直流负反馈的作用是__________;引入交流负反馈的作用是___________。 6.正弦波振荡电路一般由__________、__________、__________、__________这四个部分组成。 7.某多级放大器中各级电压增益为:第一级25dB 、第二级15dB 、第三级60dB ,放大器的总增益为__________,总的放大倍数为__________。 8.在双端输入、单端输出的差动放大电路中,发射极公共电阻R e对__________信号的放大无影响,对__________信号的放大具有很强的抑制作用。共模抑制比K CMR为__________之比。 9.某放大电路的对数幅频特性如图1(在第三页上)所示,当信号频率恰好为上限频率时,实际的电压增益为__________dB。 二、判断(本题共10分,每小题1分,正确的打√,错误的打×): 1、()构成各种半导体器件的基础是PN结,它具有单向导电和反向击穿特性。 2、()稳定静态工作点的常用方法主要是负反馈法和参数补偿法。 3、()在三极管的三种基本组态中,只有电流放大能力而无电压放大能力的是基本共集组态。 4、()若放大电路的放大倍数为负值,则引入的一定是负反馈。 5、()通常,甲类功放电路的效率最大只有40%,而乙类和甲乙类功放电路的效率比甲类功放电路的效率要高。 6、()一般情况下,差动电路的共模电压放大倍数越大越好,而差模电压放大倍数越小越好。 7、()根据负反馈自动调节原理,交流负反馈可以消除噪声、干扰和非线性失真。 8、()要使放大电路的输出电流稳定并使输入电阻增大,则应引入电流串联负反馈。 9、()在放大电路中引入电压负反馈可以使输出电阻减小,在放大电路中引入电流负反馈可以使输出电阻增大。 10、()在正弦波振荡电路的应用中,通常,当要求振荡工作频率大于1MHz时,应选用RC正弦波振荡电路。 三、选择(本题共20分,每个选择2分): 1.在放大电路中,测得某三极管的三个电极的静态电位分别为0V,-10V,-9.3V,则此三极管是() A. NPN型硅管; B. NPN型锗管; C. PNP型硅管; D. PNP型锗管; 2.为了使放大电路Q点上移,应使基本放大电路中偏置电阻R b的值()。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 3.典型的差分放大电路中Re()。 A. 对差模信号起抑制作用 B. 对共模信号起抑制作用 C. 对差模信号和共模信号均无作用 4.在差动电路中,若单端输入的差模输入电压为20V,则其共模输入电压为()。 A. 40V B. 20V C. 10V D. 5V 5.电流源的特点是()。 A . 交流电阻大,直流电阻小; B . 交流电阻小,直流电阻大; C. 交流电阻大,直流电阻大; D. 交流电阻小,直流电阻小。 6.影响放大电路高频特性的主要因素是()。 A. 耦合电容和旁路电容的存在; B. 放大电路的静态工作点不合适; C. 半导体管的非线性特性; D. 半导体管极间电容和分布电容的存在; 7.关于理想运算放大器的错误叙述是()。 A.输入阻抗为零,输出阻抗也为零;B.输入信号为零时,输出处于零电位; C.频带宽度从零到无穷大;D.开环电压放大倍数无穷大 8.有T1 、T2和T3三只晶体管,T1的β=200,I CEO=200μA;T2的β=100,I CEO=10μA;T3的β=10,I CEO=100μA,其它参数基本相同,则实用中应选() A. T1管; B. T2管; C. T3管 9.交流反馈是指() A.只存在于阻容耦合电路中的负反馈;B.变压器耦合电路中的负反馈; C.交流通路中的负反馈;D.放大正弦信号时才有的负反馈; 10.RC桥式正弦波振荡电路是由两部分组成,即RC串并联选频网络和() A. 基本共射放大电路; B. 基本共集放大电路; C. 反相比例运算电路; D. 同相比例运算电路; 四、分析与计算(本题共50分): 1.(本小题10分) 电路如图2所示,通过分析判断反馈组态,并近似计算其闭环电压增益A usf。 2.(本小题10分) 电路如图3所示,u2=10V,在下列情况下,测得输出电压平均值U o的数值各为多少?(1)正常情况时;(2)电容虚焊时;(3)R L开路时;(4)一只整流管和电容C同时开路时。 1 / 29

模拟电子技术习题及答案定稿版

模拟电子技术习题及答 案 HUA system office room 【HUA16H-TTMS2A-HUAS8Q8-HUAH1688】

模拟电子技术 第1章半导体二极管及其基本应用 1.1 填空题 1.半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。 2.本征半导体中,若掺入微量的五价元素,则形成 N 型半导体,其多数载流子是电子;若掺入微量的三价元素,则形成 P 型半导体,其多数载流子是空穴。 3.PN结在正偏时导通反偏时截止,这种特性称为单向导电性。 4.当温度升高时,二极管的反向饱和电流将增大,正向压降将减小。 5.整流电路是利用二极管的单向导电性,将交流电变为单向脉动的直流电。稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。 6.发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。 7.光电二极管能将光信号转变为电信号,它工作时需加反向偏置电压。 8.测得某二极管的正向电流为1 mA,正向压降为0.65 V,该二极管的直流电阻等于650 Ω,交流电阻等于 26 Ω。 1.2 单选题 1.杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于( C )。 A.温度 B.掺杂工艺 C.掺杂浓度 D.晶格缺陷

2.PN结形成后,空间电荷区由( D )构成。 A.价电子 B.自由电子 C.空穴 D.杂质离子 3.硅二极管的反向电流很小,其大小随反向电压的增大而( B )。 A.减小 B.基本不变 C.增大 4.流过二极管的正向电流增大,其直流电阻将( C )。 A.增大 B.基本不变 C.减小 5.变容二极管在电路中主要用作( D )。、 A.整流 B.稳压 C.发光 D.可变电容器 1.3 是非题 1.在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。( √ ) 2.因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。( × ) 时会损坏。( × ) 3.二极管在工作电流大于最大整流电流I F 4.只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。( × ) 1.4 分析计算题 1.电路如图T1.1所示,设二极管的导通电压U =0.7V,试写出各电路的输出电压 D(on) Uo值。

《电路与电子技术基础》期末考试卷以及答案

《电路与电子技术基础》2004~2005学年第二学期期末考试试卷(A) 时间:120分钟 班级学号姓名成绩 【注意事项】 1.答题用黑色或兰色钢笔与圆珠笔,作图可以用铅笔; 2.除可以携带指定的文具用品(钢笔、圆珠笔、铅笔、橡皮、绘图仪器、无存储功能的计算器)外,其他物品不准带入考场(手机必须关机,参考资料与书包全部放到教室前面); 3.遇有试卷字迹不清、卷面缺损等问题,可以先举手,经监考人员同意后方可提问。 一、单项选择题(本题共40分,每题2分,将你认为正确的选项对应的字母填在括号内) 1.测得一放大电路中三极管各极电压如考试题图1所示:该管为()。 A. PNP型硅管 B. NPN型硅管 C. PNP型锗管 D. NPN型锗管 2.正常工作状态下的稳压二极管,处于伏安特性曲线中的()。 A. 正向特性工作区 B. 反向击穿区 C. 正向特性非工作区 D. 特性曲线所有区域 3.组合逻辑电路的设计是指()。 A. 已知逻辑要求,求解逻辑表达式并画逻辑图的过程 B. 已知逻辑要求,列真值表的过程 C. 已知逻辑图,求解逻辑功能的过程 4.考试题图2所示电路的u S (t) = 2 cos t V,则电感电流 i L(t)的初相等于()。 A. 26.6° B. -26.6° C. 63.4° D. -63.4° 5.电流并联负反馈对放大器的输入、输出的电阻的影响是()。 A. 减小输入电阻及输出电阻 B. 减小输入电阻、增大输出电阻 C. 增大输入电阻、减小输出电阻 D. 增大输入电阻及输出电阻 6.考试题图3所示电路中的电压U为()。 A. 5V B. -5V C. 10V D. 7V 7.TTL与非门中多余的输入端应接电平是()。 考试题图3 ① -2V ③-2.2V -8V 考试题图1 考试题图2 u s(t

模拟电路考试题及答案【精】

自测题一 一、判断题 1.因为P型半导体的多数载流子是空穴,所以它带正电。(F) 2.在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。(T) 3.处于放大状态的三极管,集电极电流是多数载流子漂移所形成的。(F) 二、单选题 1.半导体中的少数载流子产生的原因是(D)。 A.外电场B.内电场C.掺杂D.热激发2.用万用表测二极管的正、反向电阻来判断二极管的好坏,好的管子应为(C)。 A.正、反向电阻相等B.正向电阻大,反向电阻小 C.反向电阻比正向电阻大很多倍D.正、反向电阻都等于无穷大 3.二极管的伏安特性曲线的正向部分在环境温度升高时将(B)。(X 轴为电压) A.右移B.左移C.上移D.下移 4.当外加偏置电压不变时,若工作温度升高,二极管的正向导通电流将(A)。 A.增大B.减小C.不变D.不确定 5.三极管β值是反映(B )能力的参数。(三极管可改为电流控制电流源) A.电压控制电压B.电流控制电流C.电压控制电流D.电流控制电压 6.温度升高时,三极管的β值将(A )。 A.增大B.减少C.不变D.不能确定 7.下列选项中,不属三极管的参数是(B )。 A.电流放大系数B.最大整流电流 C.集电极最大允许电流D.集电极最大允许耗散功率 8.某放大电路中三极管的三个管脚的电位分别为V U6 1 =,V U4.5 2 =,V U12 3 =,则对应该管的管脚排列依次是(B)。 A.e, b, c B.b, e, c C.b, c, e D.c, b, e 9.晶体三极管的反向电流是由(B)运动形成的。 A.多数载流子B.少数载流子 C.扩散D.少数载流子和多数载流子共同 10.三极管工作在放大区,三个电极的电位分别是6V、12V和6.7V,则此三极管是(D)。(发正偏集反偏) A.PNP型硅管B.PNP型锗管C.NPN型锗管D.NPN型硅管 11.场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的(B)。 A.非饱和区B.饱和区C.截止区D.击穿区12.增强型绝缘栅场效应管,当栅极g与源极s之间电压为零时(B)。 A.能够形成导电沟道B.不能形成导电沟道 C.漏极电流不为零D.漏极电压为零 三、填空题 1.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于掺杂浓度。 2.少数载流子在内电场力作用下有规则的运动称为漂移。 3.PN结正偏导通,反偏截止,称为PN结的单向导电性性能。 4.PN结加正向电压时,空间电荷区将变窄。 5.PN结正向偏置时,PN结的内电场被削弱。 6.三极管最重要的特性是电流放大作用。 7.温度升高时,晶体管的反向饱和电流将增大。 8.场效应晶体管属于电压控制器件。 精选文档

《模拟电子技术》模拟试题与答案解析

《模拟电子技术》模拟题1及答案 一、判断(10分) 1、以自由电子导电为主的半导体称为N型半导体。() 2、模拟信号的特点是信号在时间和幅度上均是连续的。() 3、PN结具有单向导电特性。() 4、差动放大电路结构可以抑制零点漂移现象。() 5、交流放大器工作时,电路中同时存在直流分量和交流分量,直流分量表示静态工作点,交流分量表示信号的变化情况。() 6、单管共发射极放大电路的集电极和基极相位相同。() 7、直流负反馈不能稳定静态工作点。() 8、晶体二极管击穿后立即烧毁。() 9、采用集成电路和R,C元件构成的电路称为无源滤波电路。() 10、集成稳压器79XX系列输出的是正向电压。() 二、选择(10分) 1、P型半导体是在本征半导体内掺杂( )价元素。 A、3 B、5 C、2 D、4 2、稳压管工作于( )状态下,可以稳定电压。 A、正偏导通 B、反偏截止 C、反向击穿 3、三极管放大的外部条件( )。 A、正偏导通,反偏截止 B、正偏截止,反偏导通 C、正偏导通,反偏导通 D、正偏截止,反偏截止 4、既能放大电压,也能放大电流的电路( )。 A、共发射极 B、共集电极 C、共基级 D、以上均不能 5、共模抑制比CMR K越大,表明电路()。 A、放大倍数越稳定; B、交流放大倍数越大; C、抑制温漂能力越强; D、输入信号中的差模成分越大。6、放大电路中为增大输入电阻应引入()反馈,为稳定输出电压应引入()反馈,为稳定输出电流应引入()反馈,为减小输出电阻,应引入()反馈。 A、电压 B、电流 C、串联 D、并联 7、振荡电路中其振荡频率特别稳定的是()。 A、RC振荡电路 B、LC振荡电路 C、石英晶体振荡电路 三、在图1所示的电路中,已知输入信号ui=5sinωt V,试画出输出电压uo1和uo2的波形,设二极管为理想二极管。(每题10分,共20分)

电路考试试题库及参考答案汇总

第1章 试题库 第2章 三、单项选择题(建议每小题2分) 1、当电路中电流的参考方向与电流的真实方向相反时,该电流( B ) A 、一定为正值 B 、一定为负值 C 、不能肯定是正值或负值 2、已知空间有a 、b 两点,电压U ab =10V ,a 点电位为V a =4V ,则b 点电位V b 为( B ) A 、6V B 、-6V C 、14V 3、当电阻R 上的u 、i 参考方向为非关联时,欧姆定律的表达式应为( B ) A 、Ri u = B 、Ri u -= C 、 i R u = 4、一电阻R 上u 、i 参考方向不一致,令u =-10V ,消耗功率为0.5W ,则电阻R 为( A ) A 、200Ω B 、-200Ω C 、±200Ω 5、两个电阻串联,R 1:R 2=1:2,总电压为60V ,则U 1的大小为( B ) A 、10V B 、20V C 、30V 6、已知接成Y 形的三个电阻都是30Ω,则等效Δ形的三个电阻阻值为( C ) A 、全是10Ω B 、两个30Ω一个90Ω C 、全是90Ω 7、电阻是( C )元件,电感是( B )的元件,电容是( A )的元件。 A 、储存电场能量 B 、储存磁场能量 C 、耗能 8、一个输出电压几乎不变的设备有载运行,当负载增大时,是指( C ) A 、负载电阻增大 B 、负载电阻减小 C 、电源输出的电流增大 9、理想电压源和理想电流源间( B ) A 、有等效变换关系 B 、没有等效变换关系 C 、有条件下的等效关系 10、当恒流源开路时,该恒流源内部( B ) A 、有电流,有功率损耗 B 、无电流,无功率损耗 C 、有电流,无功率损耗 五、计算分析题(根据实际难度定分,建议每题在6~12分范围) 1、图1.5.1所示电路,已知U =3V ,求R 。(2Ω)

模拟电子技术基础考试试题答案

一、填空(共20空,每空 1 分,共 20 分,所有答案均填写在答题纸上) 1、晶体管三极管被称为双极型晶体管是因为 。 2、晶体三极管的输出特性可分三个区域,只有当三极管工作在 区时,关系式b I Ic β=才成立。 3、场效应管可分为结型场效应管和 型场效应管两种类型。 4、在由晶体管构成的单管放大电路的三种基本接法中,共 基本放大电路既能放大电流又能放大电压。 5、在绘制放大电路的交流通路时, 视为短路, 视为短路,但若有内阻则应保留其内阻。 6、多级放大电路级间的耦合方式有 、 、变压器耦合和光电耦合等。 7、场效应管是利用 极和 极之间的电场效应来控制漏极电流从而实现放大的半导体器件。 8、放大电路的直流通路用于研究 。 9、理想运放的两个输入端虚短是指 。 10、为判断放大电路中引入的反馈是电压反馈还是电流反馈,通常令输出电压为零,看反馈是否依然存在。若输出电压置零后反馈仍然存在则为 。 11、仅存在于放大电路的直流通路中的反馈称为 。 12、通用集成运放电路由输入级、中间级、 和 四部分组成。 13、集成运放的同相输入端和反相输入端中的“同相”和“反相”是指运放的 和 的相位关系。 14、在学习晶体三极管和场效应管的特性曲线时可以用类比法理解,三极管的放大工作区可与场效应管的 区相类比,而场效应管的可变电阻区则可以和三极管的 相类比。 二、单项选择题(共10题,每题 2 分,共 20分;将正确选项的标号填在答题纸上) 1、稳压二极管的反向电流小于min z I 时,稳压二极管 。 A :稳压效果变差 B :仍能较好稳压,但稳定电压变大 C :反向截止 D :仍能较好稳压,但稳定电压变小 2、如果在PNP 型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置,集电结反向偏置,则此管的工作状态为 。 A :饱和状态 B :截止状态 C :放大状态 D :不能确定 3、已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100,现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图1所示。关于这两只三极管,正确的说法是 。

《模拟电子技术基础》典型习题解答

半导体器件的基础知识 1.1 电路如图P1.1所示,已知u i=5sinωt (V),二极管导通电压U D=0.7V。试画出u i 与u O的波形,并标出幅值。 图P1.1 解图P1.1 解:波形如解图P1.1所示。 1.2 电路如图P1.2(a)所示,其输入电压u I1和u I2的波形如图(b)所示,二极管导通电压U D=0.7V。试画出输出电压u O的波形,并标出幅值。 图P1.2 解:u O的波形如解图P1.2所示。

解图P1.2 1.3 已知稳压管的稳定电压U Z =6V ,稳定电流的最小值I Zmin =5mA ,最大功耗P ZM =150mW 。试求图P1.3所示电路中电阻R 的取值范围。 图P1.3 解:稳压管的最大稳定电流 I ZM =P ZM /U Z =25mA 电阻R 的电流为I ZM ~I Zmin ,所以其取值范围为 Ω =-=k 8.136.0Z Z I ~I U U R 1.4 已知图P1.4所示电路中稳压管的稳定电压U Z =6V ,最小稳定电流I Zmin =5mA ,最大稳定电流I Zmax =25mA 。 (1) 别计算U I 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值; (2) 若U I =35V 时负载开路,则会出现什么现象?为什么? 图P1.4 解:(1)当U I =10V 时,若U O =U Z =6V ,则稳压管的电流小于其最小稳定电流,所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+=U R R R U 当U I =15V 时,若U O =U Z =6V ,则稳压管的电流小于其最小稳定电流,所以稳压管未击穿。故 L O I L 5V R U U R R =?≈+ 当U I =35V 时,稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ,所以U O =U Z =6V 。 (2)=-=R U U I )(Z I D Z 29mA >I ZM =25mA ,稳压管将因功耗过大而损坏。 1.5 电路如图P1.5(a )、(b )所示,稳压管的稳定电压U Z =3V ,R 的取值合适,u I 的波

电路基础试题库及答案

《电路分析基础》练习题及答案一.填空题(每空分) 1)电压和电流的参考方向一致,称为关联参考方向。 2)电压和电流的参考方向相反,称为非关联参考方向。 3)电压和电流的负值,表明参考方向与实际方向不一致。 4)若P>0(正值),说明该元件消耗(或吸收)功率,该元件为负载。 5)若P<0(负值),说明该元件产生(或发出)功率,该元件为电源。 6)任一电路中,产生的功率和消耗的功率应该相等,称为功率平衡定律。 7)基尔霍夫电流定律(KCL)说明在集总参数电路中,在任一时刻,流出(或流出)任一 节点或封闭面的各支路电流的代数和为零。 8)基尔霍夫电压定律(KVL)说明在集总参数电路中,在任一时刻,沿任一回路巡行一 周,各元件的电压代数和为零。 u(t),与流过它的电流i无关的二端元件称为电压源。 9)端电压恒为 S i(t),与其端电压u无关的二端元件称为电流源。 10)输出电流恒为 S 11)几个电压源串联的等效电压等于所有电压源的电压代数和。 12)几个电流源并联的等效电流等于所有电流源的电流代数和。 13)某元件与理想电压源并联,其等效关系为该理想电压源。 14)某元件与理想电流源串联,其等效关系为该理想电流源。 15)两个电路的等效是指对外部而言,即保证端口的伏安特性(VCR)关系相同。 16)有n个节点,b条支路的电路图,必有n-1 条树枝和b-n+1条连枝。 17)有n个节点,b条支路的电路图,其独立的KCL方程为n-1个,独立的KVL方程数 为b-n+1。 18)平面图的回路内再无任何支路的闭合回路称为网孔。 19)在网孔分析法中,若在非公共支路有已知电流源,可作为已知网孔电流。 20)在节点分析法中,若已知电压源接地,可作为已知节点电压。 21)叠加定理只适用线性电路的分析。

模拟电子技术基础期末考试试题及答案

模拟电子技术基础期末考试试题及答案

《模拟电子技术》模拟试题一 一、填空题:(每空1分共40分) 1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向) 导电性。 2、漂移电流是(温度)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温 度)有关,而与外加电压(无关)。 3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(0 ),等效成一条直线;当其 反偏时,结电阻为(无穷),等效成断开; 4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。 6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(变小),发射结压降(不变)。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共基)、(共射)、(共集) 放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用(电压并联)负反馈,为了稳 定交流输出电流采用(串联)负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(1/(1/A+F)),对于深度负反馈放大电路 的放大倍数AF=(1/ F )。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=()BW,其中BW=(), ()称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为()信号, 而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为()信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的()失真,而采用()类互 补功率放大器。 13、OCL电路是()电源互补功率放大电路; OTL电路是()电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(),输入电阻(),输出电阻() 等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制()漂移,也称()漂移,所以它广泛应用于() 电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为(),未被调制的高频信号是 运载信息的工具,称为()。 2

模拟电路习题及答案-免费下载(1)

填空题 1.在常温下,硅二极管的门槛电压约为0.5V,导通后在较大电流下的正向压降约为0.7V;锗二极管的门槛电压约为_0.1_V,导通后在较大电流下的正向压降约为_0.2_V。 2、二极管的正向电阻小;反向电阻大。 3单向导电性大于漂移电流,耗尽层变窄。 4单向导电性 电阻 5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分,其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下 模拟电子技术。 6、PN 结反向偏置时,PN 增强具有具有单向导电 7、硅二极管导通后,其管压降是恒定的,且不随电流而改变,典型值为0.7V th 约为0.5伏。 8、二极管正向偏置时,其正向导通电流由多数载流子的扩散运动形成。 9、P 型半导体的多子为空穴、N 自由电子、本征半导体的载流子为电子—空穴对。 10、因掺入杂质性质不同,杂质半导体可为 空穴 (P)半导体和 电子 (N) 11、二极管的最主要特性是单向导电性,它的两个主要参数是反映正向特性的最大整流电流和反映反向特性的反向击穿电压。 12、在常温下,硅二极管的开启电压约为0.5 V,导通后在较大电流下的正向压降约为0.7 V。 13输出随频率连续变化的稳态响应 15、N 型半导体中的多数载流子是电子,少数载流子是空穴 16甲类、乙类、甲乙类三种基本类型。 17、在阻容耦合多级放大电路中,影响低频信号放大的是耦合和旁路电容,影响高频信号放大的是结电容。 18、在 NPN 三极管组成的基本共射放大电路中,如果电路的其它参数不变,三极管的β增加,则 I BQ增大, I CQ增大, U CEQ减小。 19截止,饱和,放大。集成运算放大器是一种采用直接耦合方式的放大电路。 20、某放大电路中的三极管,在工作状态中测得它的管脚电压 V a = 1.2V, V b = 0.5V, V c = 3.6V, 试问该三极管是硅管管(材料),NPN型的三极管,该管的集电极是a、b、c中的C。 21、已知某两级放大电路中第一、第二级的对数增益分别为 60dB 和 20dB, 则该放大电路总的对数增益为80 dB,总的电压放大倍数为 10000 。 发射结正偏、集电结反偏 得管脚电压V a= -1V,V b=-3.2V, V c=-3.9V,这是硅管(硅、锗),NP N型,集电极管 a。 23、三种不同耦合方式的放大电路分别为:阻容(RC)耦合、直接耦合和_变压器耦合_,其中直接耦合能够放大缓慢变化的信号。 24、在多级放大电路中,后级的输入电阻是前级的负载,而前级的输出电阻可视为后级的信号源的内阻。多级放大电路总的通频带比其中每一级的通频带要窄。 4V,接入12kΩ 3V,这说明放大 4 kΩ。 26 正向偏置,集电结反向偏置。②对于NPN型三极管,应使 V BC<0 27变压器耦合三大类。 28、在三极管组成的三种不同组态的放大电路中,共射和共基组态有电压放大作用,共射组态有电 共射和共集组态有倒相作用;共集组态带负载能力强,共集 共基 29共集、共基、共射。 30直接耦合,阻容耦合,变压器耦合 31O I O I 1800;当为共集电极电路时,则V O和V I0

电路电子技术综合考试试题及答案(选择题)

1:在本征半导体中加入 元素可形成N 型半导体,加入 元素可形成P 型半导体。 1.五价 2.四价 3.三价 2:直流稳压电源中滤波电路的目的是 。 1.电压 2.将高频变为低频 3. 将交、直流混合量中的交流成分滤掉 3: 1. 2V 2. 3V 3.6V 4: R 、L 串联的正弦交流电路中,复阻抗为( ) 1. 2.

3. 5:欲减小电路从信号源索取的电流,增大带负载能力,应在放大电路中引入。 1.电压串联负反馈 2.电压并联负反馈 3.电流串联负反馈 4.电流并联负反馈 6: 已知接成Y形的三个电阻都是30Ω,则等效Δ形的三个电阻阻值为() 1.全是10Ω 2.两个30Ω一个90Ω 3.全是90Ω 7: 整流的目的是。 1.将交流变为直流 2.将高频变为低频 3.将正弦波变为方波 8: 电容元件的正弦交流电路中,电压有效值不变,当频率增大时,电路中电流将() 1.增大 2.减小 3.不变

9: 1.> 0V 2.= 0V 3.<0V 10: 1.25° 2.95° 3.115° 11: 稳压管的稳压区是其工作在。 1.正向导通 2.反向截止 3.反向击穿 12:已知工频电压有效值和初始值均为380V,则该电压的瞬时值表达式为() 1. 2. 3.

13:三相对称电路是指() 1.380V 2.负载对称的电路 3.电源和负载均对称的电路 14:在单相桥式整流电路中,若有一只整流管接反,则。 1.输出电压约为2U D 2.变为半波直流 3.整流管将因电流过大而烧坏 15:欲得到电流-电压转换电路,应在放大电路中引入。 1.电压串联负反馈 2.电压并联负反馈 3.电流串联负反馈 4.电流并联负反馈 16:设二极管的端电压为U,则二极管的电流方程是。 1.I S e U 2. 3. 17:RLC并联电路在f0时发生谐振,当频率增加到2f0时,电路性质呈() 1.电阻性 2.电感性 3.电容性 18:实验室中的交流电压表和电流表,其读值是交流电的()。

模拟电子技术习题与答案

模拟电子技术 第 1 章半导体二极管及其基本应用 1. 1填空题 1.半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。 2.本征半导体中,若掺入微量的五价元素,则形成 N 型半导体,其多数载流子是电子;若掺入微量的三价元素,则形成 P 型半导体,其多数载 流子是空穴。 3. PN结在正偏时导通反偏时截止,这种特性称为单向导电性。 4.当温度升高时,二极管的反向饱和电流将增大,正向压降将减小。 5.整流电路是利用二极管的单向导电性,将交流电变为单向脉动的直 流电。稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。 6.发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。 7.光电二极管能将光信号转变为电信号,它工作时需加反向偏置电压。 8.测得某二极管的正向电流为 1 mA,正向压降为 0.65 V ,该二极管的直流电阻等于 650 Ω,交流电阻等于 26 Ω。 1. 2单选题 1.杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 ( C ) 。 A.温度B.掺杂工艺C.掺杂浓度 D .晶格缺陷2. PN结形成后,空间电荷区由 ( D ) 构成。 A.价电子B.自由电子C.空穴D.杂质离子3.硅二极管的反向电流很小,其大小随反向电压的增大而( B )。 A.减小B.基本不变C.增大 4.流过二极管的正向电流增大,其直流电阻将 ( C ) 。 A.增大B.基本不变C.减小 5.变容二极管在电路中主要用作 ( D )。、 A.整流B.稳压C.发光D.可变电容器1. 3是非题 1.在 N 型半导体中如果掺人足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。( √ ) 2.因为 N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。( × ) 3.二极管在工作电流大于最大整流电流I F时会损坏。 ( × ) 4.只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。(× ) 1. 4分析计算题 1.电路如图 T1.1 所示,设二极管的导通电压U D(on) =0.7V,试写出各电路的输出电压 Uo 值。

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