模拟电子技术复习题及答案
一、填空题：
1、电子电路中常用的半导体器件有二极管、稳压管、双极型三极管和场效应等。制造这些器材的主要材料是半导体，例如硅和锗等。半导体中中存在两种载流子：电子和空穴。纯净的半导体称为本征半导体，它的导电能力很差。掺有少量其他元素的半导体称为杂质半导体。杂质半导体分为两种：N型半导体——多数载流子是电子；P型半导体——多数载流子是空穴。当把P型半导体和N型半导体结合在一起时，在两者的交界处形成一个PN结，这是制造半导体器件的基础。
2、三极管的共射输出特性可以划分为三个区：截止区、放大区区和饱和区。为了对输入信号进行线形放大，避免产生严重的非线形性失真，应使三极管工作在放大区内。当三极管的静态工作点过分靠近截止区时容易产生截止失真，当三极管的静态工作点靠近饱和区时容易产生饱和失真。
3、半导体二极管就是利用一个PN结加上外壳，引出两个电极而制成的。它的主要特点是具有单向性，在电路中可以起整流和检波等作用。半导体二极管工作在反向击穿区时，即使流过管子的电流变化很大，管子两端的电压变化也很小，利用这种特性可以做成稳压管。
4、场效应管利用栅源之间电压的电场效应来控制漏极电流，是一种电压控制器件。场效应管分为结型型和绝缘栅型两大类。
5、多极放大电路常用的耦合方式有三种：阻容耦合、直接耦合和变压器耦合。
6、在本征半导体中加入 5 价元素可形成N型半导体，加入 3 价元素可形成P型半导体。
7、集成运放中常用的偏置电路有镜像电流源、比例电流源和微电流源等。
8、不同类型的反馈对放大电路产生的影响不同。正反馈使放大倍数提高；负反馈使放大倍数降低；但其他各项性能可以获得改善。直流负反馈的作用是稳定静态工作点，交流负反馈能够改善放大电路的各项动态技术指标。
9、电压负反馈使输出电压保持稳定，因而减小了放大电路的输出电阻；而电流负反馈使输出电流保持稳定，因而增大了输出电阻。串联负反馈增大了放大电路的输入电阻；并联负反馈则减小了输入电阻。在实际的负反馈放大电路中，有以下四种基本的反馈组态：电压串联式、电压并联式、电流串联式和电流并联式。
10、将一个RC低通电路与一个RC高通电路串联联在一起，可以组成带通滤波器；将一个RC低通电路与一个RC高通电路并联联在一起，可以组成带阻滤波器。
11、滤波电路的主要任务是尽量滤掉输出电路中的交流成分，同时，尽量保留其中的直流成分。滤波电路主要由电容、电感等储能元件组成。电容滤波适用于小负载电流，而电感滤波适用于大负载电流。在实际工作中常常将二者结合起来，以便进一步降低脉动成分。
12在三极管多级放大电路中，已知Av1=20、Av2=-10、Av3=1,每一级的负载电阻是第二级的输入电阻，则总的电压增益Av=(200 ); Av1是( 共基)放大器，Av2是( 共射) 放大器，Av3是( 共集)
放大器。13集成运算放大器在(理想)状态和(工作在线性条件下)条件下，得出两个重要结论他们是：(净输入电流为零) 和(净输入电压为零) 14单相桥式整流电路中，若输入电压V2=30,则输出电压V o=(0.9v2 =27)V;若负载电阻R L=100Ω,整流二极管电流Id(av)=(0.135 )A。
二、选择题：
1、ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流_B灯__大于漂移电流，耗尽层_变窄。
2、图中D1-D3为理想二极管，A，B，C灯都相同，试问哪个灯最亮？
3、设硅稳压管Dz1和Dz2的稳定电压分别为5V和10V，求图中电路的输出电压Uo。已知稳压管的正向压降为0.7V。Uo=0.7v
4、图所示电路，设Ui=sinωt(V)，V=2V，二极管具有理想特性，则输出电压Uo 的波形应为图示_A______图。
5、判断图所示电路中各二极管是否导通,并求A,B两端的电压值。设二极管正向压降为0.7V。（D2导通，D1截止，V=-5.3v
6、二极管最主要的特性是__单向导电性_，它的两个主要参数是反映正向特性的_最大整流电流_和反映反向特性的__反向击穿电压___。（注：本题为往年考题）8、测得某NPN管得ＶBE＝0.7V，ＶCE＝0.2V，由此可判定它工作在（饱和区）区。
9、为保证BJT共发射极放大器不产生削波失真，并要求在2K得负载上有不小于2V得信号电压幅度，在选择静态工作点时，就应保证|ＩCQ|≥__1mA_____，|ＶCEQ|≥_2V_
10、在由PNP晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1KHz、5mV的正弦电压时，输出电压波形出现了顶部削平的失真。这种失真是A__
A.饱和失真
B.截止失真
C.交越失真
D.频率失真
11、如下电路能否实现正常放大？
均不能
12、在如图所示的基本放大电路中，输出端接有负载电阻RL，输入端加有正弦信号电压。若输出电压波形出现底部削平的饱和失真，在不改变输入信号的条件下，减小RL的值，将出现什么现象？A
A.可能使失真消失
B.失真更加严重
C. 可能出现波形两头都削平的失真。
13、为了使一个电压信号能得到有效的放大，而且能向负载提供足够大的电流，应在这个信号源后面接入什么电路？A
A.共射电路
B.共基电路
C.共集电路
14、在如图所示的放大电路中，设Vcc=10V，
Rb1=4KΩ,Rb2=6KΩ,Rc=2KΩ,Re=3.3KΩ,Rl=2KΩ。电容C1，C2和Ce都足够大。若更换晶体管使β由50改为100，ｒbb'约为0)，则此放大电路的电压放大倍数_C___。
A.约为原来的2倍
B.约为原来的0.5倍
C.基本不变
D.约为原来的4倍
15、对于如图所示电路，问关于放大倍数的计算，以下式子哪个正确？
B
A.-β×[(Rc||RL)/(rbe+Re)]
B.-β[(Rc||RL)/rbe]
C.-β×[(Rc||RL)/(Rb1||Rb2||rbe)]
16、集成运算放大器是一种采用（直接耦合）方式的放大电路，最常见的问题是（零点漂移），限于集成工艺的限制，在内部组成上，对高阻值电阻通常采用由三极管或场效应管组成的（恒流源）来替代，或是采用（外接）的方法来解决。
17、在差动放大电路中，若Vs1=18mV，Vs2=10mV，则输入差模电压Vsd （8）mV，共模输入电压Vsc(14)mV；若差模电压增益Avd= - 10，共模电压增益Avc= - 0.2，则差动放大电路输出电压Vo(-82.8)mV。
18、差动放大电路的基本功能是对差模信号的___放大____作用和对共模信号的__抑制_____作用。在不考虑反馈网络的附加移相作用时，负反馈转化为正反馈C 单级能相移90度，但幅值为零
A：一级放大 B：二级放大 C：三级放大
19、某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入12KΩ的负载电阻后，
输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为：c戴维南定理
A：10KΩ B：2KΩ C：4KΩ D：3KΩ
21. 在考虑放大电路的频率失真时。若Ui为正弦波，则Uo（b）Ａ有可能产生相位失真Ｂ有可能产生幅度失真和相位失真Ｃ一定会产生非线性失真Ｄ不会产生线性失真
22 某电路有用信号频率为2KHz，可选用（c）
A 低通滤波器
B 高通滤波器C带通滤波器 D 带阻滤波器
23工作在电压比较器中的运放与工作在运算电路中的运放的主要区别是，前者的运放通常工作在（a）
A 开环或正反馈状态
B 深度负反馈状态
C 放大状态
D 线形工作状态
24与甲类功率放大方式比较，乙类OCL互补对称功放的主要优点是（c无静态设置）
A 不用输出变压器
B 不用输出端大电容
C 效率高
D 无交越失真
25 某仪表放大电路，要求R i大，输出电流稳定，应选（a ）
A 电流串联负反馈
B 电压并联负反馈
C 电流并联负反馈
D 电压串联负反馈
26有两个放大倍数相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。在负载开路的条件下，测得A放大器的输出电压小，这说明A的（b ）
A 输入电阻大B输入电阻小C 输出电阻大 D 输出电阻小
三、计算题 1、写出下图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D ＝
0.7V 。
解：U O1≈1.3V ，U O2＝0，U O3≈－1.3V ，U O4≈2V ，U O5≈1.3V ， U O6≈－
2V 。
3、 电路如图所示，晶体管导通时U BE ＝0.7V ，β=50。试分析V BB 为0V 、1V 、
3V 三种情况下T 的工作状态及输出电压u O 的值。
解：（1）当V BB ＝0时，T 截止，u O ＝12V 。
（2）当V BB ＝1V 时，因为
60b BEQ BB BQ =-=
R U V I μ A V 9mA
3 C CQ CC O BQ CQ =-===R I V u I I β
所以T 处于放大状态。
（3）当V BB ＝3V
时，因为 160b
B E Q BB BQ =-=R U V I μA
BE C CQ O BQ CQ mA
8 U R I V u I I CC ＜-===β所以T 处于饱和状态。
4、 电路如图所示，试问β大于多少时晶体管饱和？
解：取U CES ＝U BE ，若管子饱和，则
C
b C BE CC b BE CC R R R U V R U V ββ=-=-?所以，
100C
b =≥R R β时，管子饱和。
5、电路如下图所示，晶体管的β＝60，'bb r =100Ω。
（1）求解Q 点、u A 、R i 和R o ； （2）设s
U ＝10mV （有效值），问i U ＝？o U ＝？若C 3开路，则i U ＝？o U ＝？
解：（1）Q 点：V
56.4)(mA
86.1 A
μ 31)1(e c EQ CC CEQ BQ CQ e b BEQ
CC BQ =+-≈≈=≈++-=R R I V U I I R R U V I ββ
u A 、R i 和R o 的分析： Ω
==-≈-=Ω≈=Ω
≈++=k 3 95
)
( 952 952mV
26)1( c o be
L c be b i EQ
bb'be R R r R R A r R R I r r u ∥∥ββ
（2）设s U ＝10mV （有效值），
则 mV
304 mV
2.3 i o s i s i
i ≈=≈?+=U A U U R R R U u
若C 3开路，则mV
4.14mV
6.95
.1k 3.51])1([i o i
s i
i e L
c e be b i ≈=≈?+=-=-≈Ω
≈++=U A U U R R R U R R R A R r R R u s u
∥∥β
6、电路如图下所示共集电极电路，晶体管的β＝80，r b e =1k Ω。
（1）求出Q 点；
（2）分别求出R L ＝∞和R L ＝3k Ω时电路的u A 和R i ；
（3）求出R o 。
解：（1）求解Q 点： V
17.7mA 61.2)1(A
μ3.32)1(e EQ CC CEQ BQ EQ e
b BEQ
CC BQ ≈-=≈+=≈++-=R I V U I I R R U V
I ββ
（2）求解输入电阻和电压放大倍数： R L ＝∞时
996.0)1()1(k 110])1([e be e e be b i ≈+++=Ω
≈++=R r R A R r R R u βββ ∥ R L ＝3k Ω时
992.0))(1())(1( k 76)])(1([L e be L e L e be b i ≈+++=Ω
≈++=R R r R R A R R r R R u ∥∥∥∥βββ
（3）求解输出电阻： Ω≈++=371be b s e o β
r R R R R ∥∥ 7、电路如图P2.13所示，晶体管的β＝100，'bb r =100Ω。
（1）求电路的Q 点、u
A 、R i 和R o ； （2）若电容C e 开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？
如何变化？
解：（1）静态分析：
V
7.5)( A μ 101mA 1 V 2e f c EQ CEQ EQ BQ e
f BEQ BQ EQ CC b2
b1b1BQ =++-≈≈+=
≈+-==?+≈R R R I V U I I R R U U I V R R R U CC β
动态分析： Ω==Ω
≈++=-≈++-=Ω≈++=k 5k 7.3])1([7.7)1()(k 73.2mV 26)1(c o f be b2b1i f
be L c EQ
bb'be R R R r R R R R r R R A I r r u ββββ∥∥∥
（2）R i 增大，R i ≈4.1k Ω；u A 减小，e
f 'L R R R A u +-≈ ≈－1.92。
8、 电路如下图所示，判断反馈类型，并求出输出与输入的表达式。
I f o f I f o I f f o f u R
R R u uI uo R R R b u R
R u u R R R u R R R U a +==+-==+++=-2211;)(;0)（叠加定理
解：利用虚断及虚短和
9、 比例运放电路如下图所示，试求其输出电压Vo 与输入Vi1、Vi2的关
系表达式。
Vi1
解：
11、下图所示电路参数理想对称，晶体管的β
均为50，'bb r =100Ω，U B EQ ≈0.7。试计算R W 滑动端
在中点时T 1管和T 2管的发射极静态电流I E Q ，以及
动态参数A d 和R i 。
解：R W 滑动端在中点时T 1管和T 2管的发射极静态
电流分析如下：
mA 517.022
22e W BEQ EE EQ EE e EQ W EQ BEQ ≈-==+?
+R R U V I V R I R I U ＋ A d 和R i 分析如下： Ω≈++=-≈++-=Ω≈++=k 5.20)1(2972
)1( k 18.5mV 26)
1(W be i W be c d EQ bb'be R r R R r R A I r r ββββ
12、判断图（a ）所示电路的反馈类型，并估算图(a)所示负反馈放大器的闭环电
压增益
A uf =U o /U i 。
121211
128536185361802018016054i i i i O O i i V V Vo Vo V V V V V V V V V V -==-==+==-+-+所以：第二级为电压跟随器，所以：又因为虚短，则：；断，则：由于理想运算放大器虚
解 由于是串联电压负反馈, 故U i ≈U f 。由图 (b )可知, 输出电压U o 经R f 和R e 1
分压后反馈至输入回路, 即1
1e f o e f R U U R R ≈+
111
11e f f o o uf f e e R R R U U A U U R R +=≈==+
13、定性分析图所示电路，说明T1、T2
在电路中的作用。
答：输入信号加在T1管基极，输出信号取自T1管发射极，因此T1管构成共集
电路。T2管构成了电流源，作为T1管发射极的有源负载。
14:判断如图电路的反馈类型
解：（1）利用瞬时极性法判断反馈极性
(a ) 电路(b ) 反馈网络
设T1管基极有一瞬时增量Vi(Vb1)⊕→Vc1(-)→Vc2⊕→Ve1⊕因为，T1管Vb1⊕,Ve1⊕ 所以，T1管的净输入电压UBE减小,所以，为负反馈.
（2）从采样端，利用输出短接法。将输出端Vo短接，则无反馈量影响输入信号，所以为电压负反馈。
（3）从比较端，由于反馈信号是以电压形式影响输入信号，所以为串联负反馈。结论：电压串联负反馈。
15、判断如图电路的反馈类型解：
（1）判断反馈极性设输入信号Vi即 T1基极有一个瞬时增量Vb1⊕→Vc1（-）→Ve2（-）
使流过反馈电阻的电流If增加，消减了T1的基极电流，所以为负反馈。
（2）从采样端，Vo端接，由于T2发射极电流存在，所以仍有反馈量影响输入信号，所以为电流负反馈。（3）从比较端，由于反馈信号是以电流并联形式影响输入信号，所以为并联负反馈。结论：电流并联负反馈。
16、倍压整流电路如图所示，求输出电压ＶL2的值。
解：倍压整流电路，在空载情况下，C1上电压为Ｖ2，C2、C4上电压均为2Ｖ2。因此，以C1两端作为输出端，输出电压的值为Ｖ2，以C1和C3上电压相加作为输出，输出电压为3Ｖ2。
17、电路如图所示，设半导体三极管的β=80，试分析当开关K分别接通A、B、C三位置时，三级管各工作在输出特性曲线的哪个区域，并求出相应的集电极电流Ic。
解：（1）当开关Ｋ置A，在输入回路ＩB×Ｒb+ＶBE=Vcc，可得ＩB=Vcc/Ｒb=0.3mA 假设工作在放大区，则ＩC=β×ＩB=24mA，ＶCE=Vcc-ＩC×Ｒe< 0.7V，故假设不成立，三级管工作在饱和区。此时，ＶCE=ＶCES=0.3V，ＩC=Vcc/Ｒe=3mA （2）当开关Ｋ置B，同样的方法可判断三级管工作在放大区，ＩC=β×Ｉ
B=1.92mA
（3）当开关Ｋ置C，三级管工作在截止状态，ＩC=0
18、已知某共射放大电路的中频电压放大倍数为A
um =-1000，f
L
=10Hz f
H
=1MHz，
请画出该放大电路的对数幅频特性曲线图。
答案：
十倍频
0f/Hz
20
10110210310410510610
19、在图5所示运算放大电路中，已知v1=10mV ，v2=30mV ，推导输入输出表
达式，并求vo=?
解：
mV v R R R R v R R vo f f f 20)()(21142132
≈---=
7、在晶体管放大电路中测得三个晶体管的各个电极的电位如图所示。试判断各
晶体管的类型(是PNP 管还是NPN 管,是硅管还是锗管),并区分e 、b 、c 三个电极。
ebc NPN 硅管 cbePNP 硅管 ceb PNP
锗管
2、电路如图所示，V CC ＝15V ，β＝100，U BE ＝0.7V 。试问：
（1）R b ＝50k Ω时，u O ＝？
（2）若T 临界饱和，则R b ≈？
U2U3
+_+_
解：（1）R b ＝50k Ω时，基极电流、集电极电流和管压降分别为
26b
BE BB B =-=R U V I μA V 256.215mA
6.2 C C CC CE B C =?-=-===R I V U I I β
所以输出电压U O ＝U CE ＝2V 。
（2）设临界饱和时管压降：U CES ＝0.3V ，所以
Ω≈-=-====-=-=k 2.440294.07.02A 4.29mA 94.25
3.015B BE BB b c CES CC S CS BS CS I U V R I I R U V I μβ
临界饱和基极电流：临界饱和集电极电流：
10、试分别判断比较器类型，并求出图(a)、（b ）所示各电路的电压传输特性。
当 时所对应的u I 值就是阈值, 即 当u O=U OL 时得上阈值:
当u O=U OH 时得下阈值：
(a ) 同相滞回比较器
(b ) 反相滞回比较器
1323322u R R R u R R R u U u O R +++==⊕Θ⊕Θ=u u O R TH u R R U R R U 32321-???? ??+=
(a ) 同相滞回比较器(b ) 反相滞回比较器
在常温下，硅二极管的门槛电压约为 0.5V，导通后在较大电流下的正向压降约
为 0.7V；锗二极管的门槛电压约为 _0.1_V，导通后在较大电流下的正向压降约
为_0.2_V。
2、二极管的正向电阻小；反向电阻大。
3、二极管的最主要特性是单向导电性。ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流
大于漂移电流，耗尽层变窄。
4、二极管最主要的电特性是单向导电性，稳压二极管在使用时，稳压二
极管与负载并联，稳压二极管与输入电源之间必须加入一个电阻。
5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分，其中研究在平滑、连
续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术，称为模拟电子技
术。
6、PN结反向偏置时，PN结的内电场增强。PN具有具有单向导电特
性。
7、硅二极管导通后，其管压降是恒定的，且不随电流而改变，典型值为 0.7 伏；其门坎电压Vth约为 0.5 伏。
8、二极管正向偏置时，其正向导通电流由多数载流子的扩散运动形成。
9、P型半导体的多子为空穴、N型半导体的多子为自由电子、本征半导
体的载流子为电子—空穴对。
10、因掺入杂质性质不同，杂质半导体可为空穴（P）半导体和电子（N）
半导体两大类。
11、二极管的最主要特性是单向导电性，它的两个主要参数是反映正向特性
的最大整流电流和反映反向特性的反向击穿电压。
12、在常温下，硅二极管的开启电压约为 0.5 V，导通后在较大电流下的正向压
降约为 0.7 V。
13、频率响应是指在输入正弦信号的情况下，输出随频率连续变化的稳态响
应。
15、N型半导体中的多数载流子是电子，少数载流子是空穴。
16、按一个周期内一只三极管的导通角区分，功率放大电路可分为甲类、乙类、甲乙类三种基本类型。
17、在阻容耦合多级放大电路中，影响低频信号放大的是耦合和旁路电容，影响高频信号放大的是结电容。
18、在NPN三极管组成的基本共射放大电路中，如果电路的其它参数不变，三极管的β增加，则IBQ 增大，ICQ 增大，UCEQ 减小。
19、三极管的三个工作区域是截止，饱和，放大。集成运算放大器是一种采用直接耦合方式的放大电路。
20、某放大电路中的三极管，在工作状态中测得它的管脚电压Va = 1.2V， Vb = 0.5V, Vc = 3.6V, 试问该三极管是硅管管（材料）， NPN 型的三极管，该管的集电极是a、b、c中的 C 。
21、已知某两级放大电路中第一、第二级的对数增益分别为60dB和20dB, 则该放大电路总的对数增益为 80 dB，总的电压放大倍数为 10000 。
22、三极管实现放大作用的外部条件是：发射结正偏、集电结反偏。某放大电路中的三极管，测得管脚电压Va = -1V，Vb =-3.2V, Vc =-3.9V, 这是硅管（硅、锗）， NPN 型，集电极管脚是 a 。23、三种不同耦合方式的放大电路分别为：阻容（RC）耦合、直接耦合和_变压器耦合_，其中直接耦合能够放大缓慢变化的信号。
24、在多级放大电路中，后级的输入电阻是前级的负载，而前级的输出电阻可视为后级的信号源的内阻。多级放大电路总的通频带比其中每一级的通频带要窄。
25、某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入12kΩ的负载电阻后，输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为 4 kΩ。
26、为了保证三极管工作在放大区，要求：
①发射结正向偏置，集电结反向偏置。②对于ＮＰＮ型三极管，应使VBC ＜0 。
27、放大器级间耦合方式主要有阻容（RC）耦合、直接耦合和变压器耦合三大类。
28、在三极管组成的三种不同组态的放大电路中，共射和共基组态有电压放大作用，共射组态有电流放大作用，共射和共集组态有倒相作用；共集组态带负载能力强，共集组态向信号源索取的电流小，共基组态的频率响应好。
29、三极管放大电路的三种基本组态是共集、共基、共射。
30、多级放大器各级之间的耦合连接方式一般情况下有直接耦合，阻容耦合，变压器耦合。
31、在单级共射放大电路中，如果输入为正弦波形，用示波器观察VO和VI的波形，则VO和VI的相位差为 1800 ；当为共集电极电路时，则VO和VI的相位差为 0 。
32、放大器有两种不同性质的失真，分别是饱和失真和截止失真。
33、晶体管工作在饱和区时，发射结 a ，集电结 a ；工作在放大区时，集电结 b ，发射结 a 。（填写a正偏，b反偏，c零偏）
34、在共射、共集和共基三种放大电路组态中，希望电压放大倍数大、输出电压
与输入电压反相，可选用共射组态；希望输入电阻大、输出电压与输入电压同相，可选用共集组态。
35、场效应管同双极型三极管相比，其输入电阻大，热稳定性好
36、影响放大电路通频带下限频率fL的是隔直电容和极间电容。
37、三极管工作在放大区时，它的发射结保持正向偏置，集电结保持反向偏置。
38、场效应管有共源、共栅、共漏三种组态。
39、在多级放大电路中总的通频带比其中每一级的通频带窄。
40、场效应管从结构上分成结型FET 和 MOSFET 两大类型，它属于电压控制型器件。
41、场效应管属于电压控制电流型器件，而双极型半导体三极管则可以认为是电流控制电流型器件。
42、场效应管是电压控制电流器件器件，只依靠多数载流子导电。
43、根据场效应管的输出特性，其工作情况可以分为可变电阻区、恒流区、击穿区和截止区四个区域。
44、当栅源电压等于零时，增强型FET 无导电沟道，结型FET的沟道电阻最小。
45、FET是电压控制器件，BJT是电流控制器件。
46、在甲类、乙类和甲乙类功率放大电路中，效率最低的电路为甲类。
47、一个输出功率为10W的扩音机电路，若用乙类推挽功放，则应选额定功耗至少应为 2W 的功率管 2 只。
48、在甲类、乙类和甲乙类功率放大电路中，效率最低的电路为甲类，为了消除交越失真常采用甲乙类电路。
49、乙类功放的主要优点是效率高，但出现交越失真，克服交越失真的方法是采用甲乙类。
50、乙类互补对称功率放大电路产生特有的失真现象叫交越失真。
51、双电源互补对称功率放大电路（OCL）中VCC=8v，RL=8Ω，电路的最大输出功率为 4W ，此时应选用最大功耗大于 0.8W 功率管。
52、差动放大电路中的长尾电阻Ｒe或恒流管的作用是引人一个共模负反馈。
54、差分式放大电路能放大直流和交流信号，它对差模信号具有放大能力，它对共模信号具有抑制能力。53、已知某差动放大电路Ad=100、KCMR=60dB，则其AC= 0.1 。集成电路运算放大器一般由差分输入级、中间级、输出级、偏置电路四部分组成。
55、差动放大电路能够抑制零漂和共模输入信号。
56、电路如图1所示，T1、T2和T3的特性完全相同，则I2≈ 0.4 mA，I3≈0.2mA，则R3≈ 10 kΩ。
57、集成运放通常由输入级、中间级；输出级、偏置级四个部分组成。
58、正反馈是指反馈信号增强净输入信号；负反馈是指反馈信号减弱净输入信号。
59、电流并联负反馈能稳定电路的输出电流，同时使输入电阻减小。
60、负反馈对放大电路性能的改善体现在：提高增益的稳定性、减小非线性失真、抑制反馈环内噪声、扩展频带、改变输入电阻和输出电阻。
61、为了分别达到下列要求，应引人何种类型的反馈：
①降低电路对信号源索取的电流：串联负反馈。
②当环境温度变化或换用不同值的三极管时，要求放大电路的静态工作点保持稳定：直流负反馈。
③稳定输出电流：电流负反馈。
62、电压串联负反馈能稳定电路的输出电压，同时使输入电阻大。
63、某负反馈放大电路的开环放大倍数Ａ=100000，反馈系数Ｆ＝0.01，则闭环放大倍数 100 。
65、负反馈放大电路的四种基本类型是电压串联、电压并联、电流串联、电流并联。
66、为稳定电路的输出信号，电路应采用负反馈。为了产生一个正弦波信号，电路应采用正反馈。
67、理想集成运算放大器的理想化条件是Aud= ∞、Rid= ∞、KCMR= ∞、RO = 0
68、理想运算放大器的理想化条件中有Avd= 无穷，KCMR= 无穷。
69、电流源电路的特点是，直流等效电阻小，交流等效电阻大。
70、电流源的特点是输出电流恒定，直流等效电阻小，交流等效电阻大。
71、工作在线性区的理想集成运放有两条重要结论是虚断和虚短。
72、理想运算放大器，Ad= 无穷大、Ri= 无穷大、Ro= 0 。
73、在构成电压比较器时集成运放工作在开环或正反馈状态。
76、有用信号频率高于1000Hz, 可选用高通滤波器；希望抑制50 Hz的交流电源干扰，可选用带阻滤波器；如果希望只通过500Hz到1kHz的有用信号，可选用带通滤波器。
77、根据工作信号频率范围滤波器可以分为：低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器及带阻滤波器。
78、集成运算放大器在线性状态和理想工作条件下，得出两个重要结论，它们是：虚断和虚短。
79、通用型集成运算放输入级大多采用差分放大电路，输出级大多采用共集电路。
80、正弦波振荡电路是由放大电路、反馈网络、选频网络、稳幅环节四个部分组成。
82、信号发生器原理是在电路负反馈时= -1 ，例如自激电路。在正反馈时= 1 ，例如文氏振荡电路。
83、石英晶体振荡器是 LC振荡电路的特殊形式，因而振荡频率具有很
模拟电子技术复习题
1、根据实际的输入信号和所需的输出信号时电压或电流，放大电路可 分为四种类型，即： 电压放大、电流放大、互阻放大、互导放大。 2、当温度升高时，三极管的参数变化趋势为：电流放大系数β升高 ，I B不变时，发射结正向电压V BE 降低。 3、串联负反馈只有在信号源内阻小时，其反馈效果才显著，并 联负反馈只有在信号源内阻大时，其反馈效果才显著。 4、FET是电压控制电流器件，只依靠一种载流子导电，属于 单极型器件。 5、 二阶低通滤波电路，当Q = 和ω/ωc = 时，20lg|A(jω)/A o| = ?3dB。 6、根据实际的输入信号和所需的输出信号时电压或电流，放大电 路可分为四种类型，即： 电压放大、电流放大、互阻放大、互导放大。 7、当温度升高时，BJT共射级连接时的输入特性曲线向左移 动，输出特性曲线向上移动。 8、引入串联负反馈可以提高输入电阻，而引入电流 负反馈则可以提高输出电阻。 9、BJT是电流控制电流器件，有两种载流子参与导电， 属于双极型器件。 欲使振荡电流能自行建立振荡，必须满足的条件。RC振荡电路 一般用来产生范围内信号。 1、半导体二极管按所用材料不同可分为 管和 管。 2、要使三极管处于放大状态，发射结必须 ，集电结必须 。 放大电路存在两种状态即未输入信号时的 态和输入信号时的 态。放大电路的电压放大倍数在高频区下降的主要原因是三极管的 电容和 电容的影响。三极管具有电流放大作用的实质是 电流实现 对 电流的控制。 3、能使输出电阻降低的是 负反馈，能使输入电阻提高的是 负反馈。 4、差分放大器能有效地抑制 信号，放大 信号。 5、负反馈有四种基本组态： 、 、 、和 。
(完整版)电子技术复习题(答案)
电子技术复习题 一、填空 1．二极管最主要的特性是 单向导电性 。 2.当电源电压升高时，电抗原件将能量存储起来，而当电源电压降低时，又将能量释放出来，从而使输出电压比较平滑，这就是滤波 3.双极性晶体管按结构可分为NPN 型和PNP 型。 4.晶体管是有三个电极的电流放大器，任选其中一个电极为公共电极时，可组成三种不同的四端网络，分别成为共基极、共发射极、共集电极。 5．构成放大电路的条件有两个：一是发射结正偏，集电结反偏；二是放大电路要有完善的直流通路和交流通路。 6、当温度升高时，会引起放大电路的静态工作点向上偏移，造成饱和失真 7、半导体的导电性能具有光敏性、热敏性和 掺杂性 特点。 8．半导体载流子的运动有扩散运动和 漂移 运动。 9．硅二极管的正向导通压降约为 0.6~0.7 V 10．二极管的反向电压在一定范围时，电流基本上是 恒定（或不变） 的。 11．稳压管工作在 反向击穿 区。 12．NPN 型硅三极管的发射结电压U BE 约这 0.6~0.7 V 。 13．PNP 型锗三极管的发射结电压U BE 约为 -0.2~ -0.3 V 。 14．非线性失真包括截止失真和 饱和 失真。 15．为不产生非线性失真，放大电路的静态工作点Q 大致选在交流负载线的 中点 ，输入信号的幅值不能太大。 16．在外部因素（如温度变化、三极管老化、电源电压波动等）的影响下，会引起放大电路 静态工作点 的偏移。 17．外部因素中，对放大电路静态工作点影响最大的是 温度 变化。 18．三极管级间耦合的方式主要有：阻容耦合、变压器耦合和 直接耦合 。 19．三极管阻容耦合电路的频率特性包括幅频特性和 相频特性 。 20．三极管阻容耦合电路的 电压放大倍数 与频率的关系称为幅频特性。 21．三极管阻容耦合电路的输出电压相对于输入电压的 相位移 与频率的关系称为相频特性。 22．场效应管是一种 电压 控制的单极型半导体器件。 23．场效应管有两种类型：结型场效应管、 绝缘栅 场效应管。 24．最常用的绝缘栅场效应管为 金属—氧化物—半导体（或MOS ） 场效应管 25．绝缘栅场效应管按工作状态可分为增强型和 耗尽 型两类。 26．在多级直接耦合放大电路中，即使把输入端短路，在输出端也会出现电压波动，使输出电压偏离零值，这种现象称为 零点漂移（或零漂） 。 27． 温度 对晶体管参数的影响是产生零漂的主要因素。 28．差动放大电路有两个输入端，在有信号输入时，其输入类型有：共模输入、差模输入和 两个任意信号 的输入。 29．通常采用 共模抑制 比来描述差动放大电路放大差模信号和抑制共模信号的能力。 30．集成运算放大电路通常由输入级、中间级和 输出级 三部分组成。 31．理想运放的两个重要特性为： 输入电流为零 和两个输入端子间的电压为零。 32．带负反馈的放大电路的输入电阻取决于反馈网络与基本放大电路输入端的 连接方式 ，与取样对象无关。 33．自激振荡的起振时应满足 AF>1 33．交流电源变换成直流电源的电路一般由电源变压器、整流电路、滤波电路和稳压电路等四部分组成。 34．晶体管作为开关使用，是指它的工作状态处于饱和导通状态和截止状态。 35.TTL 逻辑门电路的典型高电平值是3.6V ，典型低电平值是0.3V 。 36.逻辑代数中的基本运算关系是与、或、非 37.十进制数513对应的二进制数1000000001，对应的十六进制数是201。 38.CMOS 门电路的闲置输入端不能悬空，对于与门应当接到高电平，对于或门应当接到低电平。 39.JK 触发器的特性方程为n n n Q K Q J Q +=+1 40.根据用途分，存储器分为两大类。一类是RAM 另一类是ROM 。
数字电子技术试题及答案(题库)
《数字电子技术》试卷 姓名：__ _______ 班级：__________ 考号：___________ 成绩：____________ 1. 有一数码10010011，作为自然二进制数时，它相当于十进制数（ ），作为8421BCD 码时，它相当于 十进制数（ ）。 2.三态门电路的输出有高电平、低电平和（ ）3种状态。 3．TTL 与非门多余的输入端应接（ ）。 4．TTL 集成JK 触发器正常工作时，其d R 和d S 端应接（ ）电平。 5. 已知某函数??? ??+??? ??++=D C AB D C A B F ，该函数的反函数F =（ ） 。 6. 如果对键盘上108个符号进行二进制编码，则至少要（ ）位二进制数码。 7. 典型的TTL 与非门电路使用的电路为电源电压为（ ）V ，其输出高电平为（ ）V ，输出低电平为（ ）V ， CMOS 电路的电源电压为（ ） V 。 8．74LS138是3线—8线译码器，译码为输出低电平有效，若输入为A 2A 1A 0=110时，输出 01234567Y Y Y Y Y Y Y Y 应为（ ）。 9．将一个包含有32768个基本存储单元的存储电路设计16位为一个字节的ROM 。该ROM 有（ ）根地址线，有（ ）根数据读出线。 10. 两片中规模集成电路10进制计数器串联后，最大计数容量为（ ）位。 11. ）；Y 3 ＝（ ）。
12. 某计数器的输出波形如图1所示，该计数器是（ ）进制计数器。 13．驱动共阳极七段数码管的译码器的输出电平为（ ）有效。 二、单项选择题（本大题共15小题，每小题2分，共30分） （在每小题列出的四个备选项中只有一个是最符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。） 1. 函数F(A,B,C)=AB+BC+AC 的最小项表达式为( ) 。 A ．F(A,B,C)=∑m （0，2，4） B. (A,B,C)=∑m （3，5，6，7） C ．F(A,B,C)=∑m （0，2，3，4） D. F(A,B,C)=∑m （2，4，6，7） 2．8线—3线优先编码器的输入为I 0—I 7 ，当优先级别最高的I 7有效时，其输出012Y Y Y ??的值是（ ）。 A ．111 B. 010 C. 000 D. 101 3．十六路数据选择器的地址输入（选择控制）端有（ ）个。 A ．16 B.2 C.4 D.8 4. 有一个左移移位寄存器，当预先置入1011后，其串行输入固定接0，在4个移位脉冲CP 作用下，四位数据的移位过程是（ ）。 A. 1011--0110--1100--1000--0000 B. 1011--0101--0010--0001--0000 C. 1011--1100--1101--1110--1111 D. 1011--1010--1001--1000--0111 5．已知74LS138译码器的输入三个使能端（E 1=1， E 2A = E 2B =0）时，地址码A 2A 1A 0=011，则输出 Y 7 ～Y 0是( ) 。 A. 11111101 B. 10111111 C. 11110111 D. 11111111 6. 一只四输入端或非门，使其输出为1的输入变量取值组合有( )种。 A ．15 B ．8 C ．7 D ．1 7. 随机存取存储器具有( )功能。 A.读/写 B.无读/写 C.只读 D.只写 8．N 个触发器可以构成最大计数长度（进制数）为( )的计数器。
电子技术基础期末复习资料(含答案)。
11级电子技术基础期末复习资料 一．概念填空： 1．电路由电源负载中间环节三部分组成。 2．电路中电流数值的正或负与参考方向有关，参考方向设的不同，计算结果也不同。 3．理想电压源的端电压与流过它s的电流的方向和大小无关，流过它的电流由端电压与外电路所共同决定。 4．由电路中某点“走”至另一点，沿途各元件上电压代数和就是这两点之间的电压。5．相互等效的两部分电路具有相同的伏安特性。 6．电阻并联分流与分流电阻值成反比，即电阻值大者分得的电流小，且消耗的功率也小。 7．串联电阻具有分压作用，大电阻分得的电压大，小电阻分得的电压小功率也小。 8．实际电压源与实际电流源的相互等效是对外电路而言。 9．在电路分析中，应用戴维南或诺顿定理求解，其等效是对外电路而言。 11 ．常用的线性元件有电阻、电容、电感，常用的非线性元件有二极管和三极管。 12．二极管正向偏置，是指外接电源正极接二极管的阳（或正）极，外接电源负极接二极管 的阴（或负）极。 13．P型半导体是在本征半导体中掺杂 3 价元素，其多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。
40. N 型半导体是在本征半导体中掺杂 5 价元素，其多数载流子是 自由电 子 ，少数载流子是 空穴 。 14．若三极管工作在放大区，其发射结必须 正偏 、集电结必须 反偏 ；三极管最重要的特性是具有 电流放大 作用。 15.根据换路定则，如果电路在t=0时刻发生换路，则电容的电压u c(0+)= uc(0-) , 电感电流i l (0+)= i l (0-) 。 16.三极管工作时，有三种可能的工作状态，它们分别是__放大状态_、___饱和状态、___ 截止状态_____。 38．3个输入的译码器，最多可译出 __8____(2×2×2)____ 路的输出。 17.4个输入的译码器，最多可译出 __16___（2×2×2×2）______ 路的输出。 18.根据逻辑功能的不同，可将数字电路分为___组合______逻辑电路和 时序________逻辑电路两大类。 19.F=A —— (B+C) +AB C —— 的最小项表达式是 m1+m2+m3+m6 。 20．两个电压值不同的理想电压源并联，在实际电路中将 不允许（或不存在） 。 33．两个电流值不同的理想电流源串联，在实际电路中将 不允许（或不存 在） 。 21.基本数字逻辑关系有 与 、 或 、 非 三种。
《模拟电子技术》复习题10套及答案
《模拟电子技术》复习题一 一、填空题 1、在N型半导体中，多数载流子是；在P型半导体中，多数载流子是。 2、场效应管从结构上分为结型和两大类，它属于控制性器件。 3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入（共射、共集、共基）组态放大电路。 4、在多级放大器中，中间某一级的电阻是上一级的负载。 5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。 6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。 7、正弦波振荡电路通常由，，和 四部分组成。 二、选择题 1、利用二极管的（）组成整流电路。 A 正向特性 B 单向导电性C反向击穿特性 2、P型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。 A空穴B三价元素硼C五价元素锑 3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。 A P沟道增强型MOS型 B P沟道耗尽型MOS型 C N沟道增强型MOS型 D N沟道耗尽型MOS型 E N沟道结型 F P沟道结型
+ + +++ + ------Rb1 Rb2Re1Re2 Rc RL C1Ce C1C2L 15V 8V Re1 Re2 Ucc Ucc C2 Ugs+10-1-2 id Ubs us Rs R R R R R R R R 2R 2R 2R Uo1Uo2Uo3Uo4+-Uo +1 +2+4A1A2A3 A4图2-1 图2-2 图2-3 图2-6 图2-4 图2-5图3-1 + + ++++ ------D2R Rb1 Rb2Re1 Re2 Rc RL C1 Ce C1 C2 L 15V 8V B=50 Ui Rf Re1 Re2 Ucc Ucc C2 Ugs+10-1 -2 id Ubs us Rs R R R R R R R R 2R 2R 2R Uo1Uo2Uo3Uo4+-Uo +1+2+4A1A2A3 A4图2-1 图2-2 图2-3图2-6 图2-4图2-5图3-1 图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ ）。 A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃ B 1：ｃ、2：e 、3：ｂ C 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅ D 其它情况 5、集成运放中间级的作用是（ ）。 A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。 A 可能 B 不能 7、差模信号电压是两个输入信号电压（ ）的值。 A 差 B 和 C 算术平均 8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。 A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况 9、某仪表放大电路，要求输入电阻大，输出电流稳定，应选（ ）负反馈。 A 电压串联 B 电压并联 C 电流串联 D 电流并联 10、设图2-10所示电路中二极管D1、D2为理想二极管，判断它们是导通还是截止？（ ） A D1导通，D2导通 B D1导通，D2截止 C D1截止，D2导通 D D1截止，D2截止 三、判断题 （ ）1、温度升高后，本征半导体中自由电子和空穴数目都增多，且增量相同。 （ ）2、结型场效应管通常采用两种偏置方式，即（源极）自给偏压式和栅极分压与源极自偏相结合的偏置方式。 （ ）3、共集电极电路没有电压和电流放大作用。 （ ）4、用电流源代替R e 后电路的差模倍数增加。 （ ）5、集成运放内部第一级是差分放大电路，因此它有两个输入端。 （ ）6、只有两个晶体管的类型相同（都为NPN 管或都为PNP 管时）才能组成复合管。 （ ）7、RC 桥式振荡电路只要R ｆ≤2R １就能产生自激振荡。 （ ）8、一个理想的差分放大电路，只能放大差模信号，不能放大共模信号。 （ ）9、电压负反馈可以稳定输出电压。 （ ）10、直流电源是一种电能形式转换电路，将交流电变为直流电。 四、分析题 电路如图所示：
(完整版)电子技术基础复习题及答案
电子技术基础 一、选择题： 1．在杂质半导体中,少子浓度主要取决于( ) (A) 掺入杂质的浓度、 (B) 材料、 (C) 温度 2．测得某PNP型三极管各极点位为:UB=-3V UE=-4V UC=-6V,则该管工作于( ) (A) 放大状态、 (B) 饱和状态、 (C) 截止状态 3．在基本共射放大电路中，若更换晶体管使β值由50变为100,则电路的放大倍数( ) (A) 约为原来的1/2倍 (B) 约为原来的2倍 (C) 基本不变 4．在OCL电路中，引起交越失真的原因是( ) (A) 输入信号过大 (B) 晶体管输入特性的非线性 (C) 电路中有电容 5．差动放大器中,用恒流源代替长尾R e是为了( ) (A) 提高差模电压增益 (B) 提高共模输入电压范围 (C) 提高共模抑制比 6．若A+B=A+C，则（） (A) B=C； (B) B=C；(C)在A=0的条件下，B=C 7．同步计数器中的同步是指（） （A）各触发器同时输入信号；（B）各触发器状态同时改变； （C）各触发器受同一时钟脉冲的控制 8．由NPN管组成的单管基本共射放大电路，输入信号为正弦波，输出电压出现顶部被削平的失真，这种失真是（） （A）饱和失真（B）截止失真（C）频率失真 9．对PN结施加反向电压时，参与导电的是（） （A）多数载流子（B）少数载流子（C）既有多数载流子又有少数载流子 10．当温度增加时，本征半导体中的自由电子和空穴的数量（） （A）增加（B）减少（C）不变 11．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（） A、输入电阻高 B、输出电阻低
C 、共模抑制比大 D 、电压放大倍数大 12．对于桥式整流电路，正确的接法是( ) 13．将代码(10000011)8421BCD 转换成二进制数为（ ） A 、(01000011)2 B 、(01010011)2 13．将代码(10000011)8421BCD 转换成二进制数为（ ） A 、(01000011)2 B 、(01010011)2 C 、(10000011)2 D 、(000100110001)2 14．N 个变量的逻辑函数应该有最小项（ ） A 、2n 个 B 、n2个 C 、2n 个 D.、(2n-1)个 15．函数F=B A +AB 转换成或非－或非式为（ ） A 、 B A B A +++ B 、B A B A +++ C 、B A B A + D 、B A B A +++ 16．图示触发器电路的特征方程Qn+1 =（ ） A. n n Q T Q T + B. Q T +TQn C. n Q D. T 17．多谐振荡器有（ ） A 、两个稳定状态 B 、一个稳定状态，一个暂稳态 C 、两个暂稳态 D 、记忆二进制数的功能 18．本征半导体电子浓度______空穴浓度，N 型半导体的电子浓度______空穴浓度，P 型半导体的电子浓度 ______空穴浓度 （ ） A 、等于、大于、小于 B 、小于、等于、大于 C 、等于、小于、大于 19．稳压管构成的稳压电路，其接法是（ ）
电工电子技术试题及答案..
电工电子技术试题 一、填空题(共133题，每空一分) 1、电力系统中一般以大地为参考点，参考点的电位为 0伏 2、欧姆定律一般可分为部分电路的欧姆定律和全电路欧姆定律。 3、部分电路的欧姆定律是用来说明电路中电压、电流和电阻三个物理量之间关系的定律。 4、全电路欧姆定律，说明了回路中电流Ⅰ与电源电动势的代数和成比，而与回路中的 及之和成反比。 5、导体电阻的单位是欧姆，简称欧，用符号表示，而电阻率则用符号表示。 6、已知电源电动势为E，电源的内阻压降为U0，则电源的端电压U= E-U O。 7、有一照明线路，电源端电压为２２０伏，负载电流为１０安，线路的总阻抗为０.2欧姆，那么负载端电 压为 218 伏。 8、串联电路中的处处相等，总电压等于各电阻上之和。 9、一只２２０伏１５瓦的灯泡与一只２２０伏１００瓦的灯泡串联后，接到２２０伏电源上，则 15 瓦灯 泡较亮，而 100 瓦灯泡较暗。 10、１度电就是１千瓦的功率做功１小时所消耗的电量，所以它的单位又叫千瓦时。 11、频率是单位时间内交流电重复变化的次数。 12、某正弦交流电流，频率为５０赫，最大值为２０安，初相位为－４０°，此正弦交流电的瞬时值表达式 为 u=20sin(314t- ４０°) ，相量式为。 13、如果用交流电压表测量某交流电压，其读数为３８０伏，此交流电压的最大值为 537 伏。 14、把一个１００欧的电阻元件接到频率为５０赫、电压为１０伏的正弦交流电源上，其电流为 0.1A 安。 15、有一电感Ｌ为０．０８亨的纯电感线圈，通过频率为５０赫的交流电流，其感抗X L＝ 25.12 欧。如 通过电流的频率为10000赫，其感抗X L＝ 5024 欧。 16、一个１０微法的电容接在５０赫的交流电源上，其容抗X C＝ 318 欧，如接在2000赫的交流电源上， 它的容抗X C＝ 7.95 欧。 17、某正弦交流电流为ｉ＝100sin（6280t- π／4）毫安，它的频率ｆ＝ 1000Hz ，周期Ｔ＝ 0.001 秒， 角频率ω＝ 6280 ，最大值Im= 100mA ，有效值Ｉ＝ 100/1.414 mA ，初相位φ＝π／4 。 18、已知两交流电流分别为i１＝15sin(314t＋45°)安，i２＝10sin(314t－３0°）安，它们的相位差为75 °。 19、在纯电感交流电路中，电感元件两端的电压相位超前电流 90 度。 20、在纯电容交流电路中，电容元件两端的电压相位滞后电流 90 度。 21、在纯电阻交流电路中，电阻元件通过的电流与它两端的电压相位同相。 22、交流电路中的有功功率用符号 P 表示，其单位是 W 。 23、交流电路中的无功功率用符号 Q 表示，其单位是 VAR 。 24、交流电路中的视在功率用符号 S 表示，其单位是 VA 。 25、三相正弦交流电的相序，就是三相交流电到达最大值的顺序。 26、如三相对称负载采用星形接法时，则负载的相电压等于电源的相电压，线电流等于相电流的 1 倍。 27、如三相对称负载采用三角形接法时，则负载的相电压等于电源的线电压， 倍。 28、在三相对称电路中，已知线电压Ｕ、线电流Ｉ及功率因数角φ，则有功功率Ｐ＝ＵＩCOSφ，无功功率 Ｑ＝ＵＩSINφ，视在功率Ｓ＝ＵＩ 29伏。 30、当三相发电机的三相绕组联成星形时，其线电压为３８０伏，它的相电压为 220 伏。 31、有一台三相异步电动机，额定电压为３８０伏，三角形联接，若测出线电流为３０安，那么通过每相绕
电工与电子技术考试题库含答案
电工与电子技术试题 一、填空题（每空1分） 1、若各门电路的输入均为A和B，且A=0，B=1；则与非门的输出为_________，或非门 的输出为_________。 2、一个数字信号只有________种取值，分别表示为________ 和________ 。 3、模拟信号是在时间与幅值上________ 的，数字信号在时间与幅值上是________的。 4、根据逻辑功能的不同特点，逻辑电路可分为两大类: ________ 和________。 5、二进制数A=1011010；B=10111，则A-B=＿＿＿＿。 6、组合逻辑电路的输出仅仅只与该时刻的________ 有关，而与________ 无关。 7、将________变成________ 的过程叫整流。 8、在单相桥式整流电路中，如果负载平均电流是20A，则流过每只晶体二极管的电流是 ______A。 9、单相半波整流电路，已知变压器二次侧电压有效值为22V，负载电阻RL=10Ω，则整 流输出电压的平均值是______；流过二极管的平均电流是______；二极管承受的最高反向 电压是______。 10、三极管是________控制元件，场效应管是________控制元件。 11、逻辑函数Y=(A+B)(B+C)(C+A)的最简与或表达式为_______。 12、三极管输入特性曲线指三极管集电极与发射极间所加电压V CE一定时，与之间的关系。 13、作放大作用时，场效应管应工作在区。 14、放大电路的静态工作点通常是指__、和_。 15、某三级放大电路中，测得Av1=10,Av2=10,Av3=100,总的放大倍数是_。
模拟电子技术练习题(专升本)
《模拟电子技术》练习题 一、填空题 1． 在N 型半导体中， 是多数载流子， 是少数载流子。 2． 电路如图1-1所示，设二极管的导通电压U D ＝0.7V ，则图1-1（a ）中U O ＝ V ，图1-1（b ）中U O ＝ V 。 （a ） （b ） 图1-1 3．图1-2中二极管为理想器件，则VD 1工作在 状态；VD 2工作在 状态；电流 O I mA 。 4．PN 结具有 特性；稳压二极管的稳压区在其伏安特性曲线的 区内。 5．在晶体管放大电路中，测得一晶体管三个管脚1、2和3对地的直流电位分别为U 1 = -5 V ，U 2 = -8 V ，U 3 = -5.2 V ，则与 该晶体管对应的电极是：管脚1为 极，2为 极，3为 极，晶体管为 型（PNP 或NPN ），所用材料为 （硅或锗）。 6. 电压放大电路要求是要有较 的输入电阻和较 的输出电阻。 7． 在由NPN 管构成的基本共射放大电路中，若静态工作点设置得过高，则将产生 失真；乙类功率放大电路的缺点是存在 失真；直接耦合放大电路的最大问题是存在 现象。 8．共射放大电路的输出电压与输入电压的相位 （填“相同”或“相反” ）；共集放大电路的输出电压与输入电压的相位 。 9．射极输出器具有输入电阻 和输出电阻 的特点。。 10．为稳定输出电压，应引入 负反馈；为提高输入电阻，应引入 负反馈；当信号源的内阻较大时，为增强负反馈的效果，应引入 负反馈；由集成运放构成线性放大电路时，应引入 反馈（填“正反馈”或“负反馈” ）。 I O
11．集成运放有两个工作区，即线性区和非线性区，则图1-3（a ）所示的集成运放工作于 区，图（b ）所示的集成运放工作于 区。 图1-3 二、单项选择题（每小题3分，共15分） 1．如图2-1所示电路，二极管D 1和D 2的工作状态为（ ）。 A ．D 1截止，D 2导通 B ．D 1导通，D 2截止 C ．D 1和D 2均导通 D ．D 1和D 2均截止 2．在放大电路中，若测得某晶体管三个极的电位分别为9V ，2.5V ，3.2V ，则这三个极分别为（ ）。 A ．C ， B ，E B ． C ，E ，B C ．E ，C ，B D ．B ， E ，C 3．在图2-2中，V CC =12V ，R C =3kΩ，β=50，U BEQ 可忽略不计，若使U CEQ =6V ，则R B 应为（ ）。 A ．360 k Ω B ．300 kΩ C ．300 Ω D ．400 kΩ 4．工作在放大区的某晶体管当i B 从20μA 增大到30μA 时，i C 从2mA 增大到4mA ，那么它的 值约为（ ）。 A. 50 B. 200 C. 20 D ．100 5．射极输出器（ ）。 A ．有电流放大作用，没有电压放大作用 B ．有电压放大作用，没有电流放大作用 C ．既有电流放大作用，也有电压放大作用 6．某测量放大电路，要求输入电阻高，输出电流稳定，应引入（ ）。 图2-1 4V 0V +V CC 图2-2 R B
电子技术复习题及答案
一、填空题 1、右图中二极管为理想器件， V1工作在_导通__ 状态；V2工作在__截止___状态。 2、差分放大器对差模信号有较强的放大能力，对共模信号有较强的__抑制__能力。 3、三级管工作在放大区时，发射结__正向__偏置，集电结__反向__偏置， 工作在饱和区时，发射结__正向_偏置，集电结_正向__偏置。 4、根据反馈的分类方式，负反馈电路有4种组合形式，即_串联负反馈、_并联负反馈__、_电流负反馈_、电压负反馈。 5、理想集成运算放大器有两个重要特性对分析线性运用电路非常有用，他们分别是虚短、虚断。 6、逻辑函数的表示形式有四种：逻辑函数式、______真值表____、卡诺图和逻辑图。 7、将十六进制（0BF）转换成十进制= __191________。 8、计数器、寄存器、编码器、译码器中，属于组合逻辑电路的是___译码器编码器___，属于时序逻辑电路的是_____计数器、寄存器_________ 。 9、共阳接法的发光二极管数码显示器，应采用___低_______电平驱动的七段显示译码器。 1、数字信号只有 0 和 1 两种取值。 2、十进制123的二进制数是 1111011 ；八进制数是 173 ；十六进制数是 7B 。 3、一位十进制计数器至少需要 4 个触发器。 4、有一A/D转换器，其输入和输出有理想的线性关系。当分别输入0V和5V电压时，输出的数字量为00H 和FFH，可求得当输入2V电压时，电路输出的数字量为： 66H 。 5、设ROM容量为256字×8位，则它应设置地址线 8 条，输出线 8 条。 6、用256字×4位RAM，扩展容量为1024字×8位RAM，则需要 8 片 1、在常温下，锗二极管的门槛电压约为 0.1 V，导通后在较大电流下的正向压降约为 0.2 V。 2、三极管须使发射结正向偏置，集电结反向偏置才能工作在放大区。 3、一般直流稳压电源由电源变压器、整流电路、滤波电路 和稳压电路四个部分组成。 4、按移位方向，移位寄存器可分为单向移动寄存器和双向移动寄存器。 5、三态门的“三态”指输出高电平，输出低电平和输出高阻态。 6、（101111）(2)=47(10),(87)(10)=1010111(2) 7、用一个称为时钟的特殊定时控制信号去限制存储单元状态的改变时间，具有这种特点的存储单元电路称为触发器。 8、时序电路分为组合电路和存储电路两种。 二、选择题 1、离散的，不连续的信号，称为（B ） A、模拟信号 B、数字信号 2、在下列逻辑部件中，不属于组合逻辑部件的是（ D ）。 A．译码器B．编码器 C．全加器D．寄存器
电子技术考题大全及答案(完整版)
习题 【2-1】填空、选择正确答案 1．对于阻容耦合放大电路，耦合电容器的作用是 A．将输入交流信号耦合到晶体管的输入端； √B．将输入交流信号耦合到晶体管的输入端；同时防止偏置电流被信号源旁路； C．将输入交流信号加到晶体管的基极。 2．在基本放大电路中，如果集电极的负载电阻是R c，那么R c中： A．只有直流； B．只有交流； √ C．既有直流，又有交流。 3．基本放大电路在静态时，它的集电极电流的平均值是（）；动态时，在不失真的条件下，它的集电极电流的平均值是（）。（I CQ；I CQ） 4．下列说法哪个正确： A．基本放大电路，是将信号源的功率加以放大； √B．在基本放大电路中，晶体管受信号的控制，将直流电源的功率转换为输出的信号功率； C．基本放大电路中，输出功率是由晶体管提供的。 5．放大电路如图2.1.7所示，试选择以下三种情形之一填空。 a:增大、b:减少、c:不变（包括基本不变） (1) 要使静态工作电流I c减少，则R b1应。（a） (2) R b1在适当范围内增大，则电压放大倍数，输入电阻，输出电阻 。（b；a；c） (3) R e在适当范围内增大，则电压放大倍数，输入电阻，输出电阻 。（b；a；c） (4) 从输出端开路到接上R L，静态工作点将，交流输出电压幅度要。 （c；b） (5) V cc减少时，直流负载线的斜率。（c） 6．放大电路的输出电阻越小，放大电路输出电压的稳定性（）。（越好） 7．放大电路的饱和失真是由于放大电路的工作点达到了晶体管特性曲线的（）而引起的非线性失真。（饱和区） 8．在共射基本放大电路中，若适当增加 ，放大电路的电压增益将（）。（基本不增加） 9．在共射基本放大电路中，若适当增加I E，电压放大倍数将如何变化（）。（增加） 10．在共射基本放大电路中，适当增大R c，电压放大倍数和输出电阻将有何变化。 √ A．放大倍数变大，输出电阻变大 B．放大倍数变大，输出电阻不变 C．放大倍数变小，输出电阻变大 D．放大倍数变小，输出电阻变小 11．有两个电压放大电路甲和乙，它们的电压放大倍数相同，但它们的输入输出电阻不同。对同一个具有一定内阻的信号源进行电压放大，在负载开路的条件下测得甲的输出电压小。哪个电路的输入电阻大。（对放大电路输出电压大小的影响，一是放大电路本身的输入电阻，输入电阻越大，加到放大电路输入端的信号就越大；二是输出电阻，输出电阻越小，被放大了的信号在输出电阻上的压降就越小，输出信号就越大。在负载
模拟电子技术复习题(含答案)知识分享
模拟电子技术复习题 (含答案)
模拟电子技术复习题 一、判断题（在正确的论断前的括号内填入“√”，否则填入“×”。） 第二章 （×）1. 运算电路中一般引入正反馈。 （√）2. 凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。 第三章 （×）1. 因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。 （×）2. 因为P型半导体的多子是空穴，所以它带正电。 （×）3. 稳压二极管在稳压工作时，只要反向击穿，不需要限流。 （√）4. N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。 （×）5.二极管的正向偏置电压升高时，其正向电阻增大。 （√）6. PN结中的空间电荷区是由带电的正负离子形成的，因而它的电阻率很高。 （×）7. 未加外部电压时，PN结中电流从P区流向N区。 第四章 （√）1. 放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。 （√）2. 直接耦合多级放大电路各级的Q点相互影响。 （×）3. 晶体管的参数不随温度变化。 （√）4. 放大电路没有直流偏置不能正常工作。 （×）5. 多级放大电路总的电压放大倍数，等于各级空载电压放大倍数的乘积。 （√）6. 放大电路的直流分析，要依据直流通路图；放大电路的交流小信号分析计算，要依据交流通路图。（×）7. 只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。 （×）8. 放大电路在低频信号作用时，放大倍数下降的原因是半导体管的非线性特性。 （×）9. 射极跟随器的放大倍数为1，因此在电路不起任何作用。 （×）10.只要将晶体管的静态工作点设置在BJT特性曲线的放大区，则不论输入什么信号都不会产生非线性失真。 （×）11.多极放大电路的级数越多，其放大倍数越大，且其通频带越宽。 （√）12. 射极输出器的输入电流是B i，输出电流是E i，因此具有较高的电流放大倍数。 第五章 （×）1. 场效应管都可分为增强型和耗尽型两种。
数字电子技术复习题及答案
数字电子技术复习题及答案 一、填空题 1、(238)10＝( )2 ＝( EE )16。2＝( )16＝( )10。 2、德?摩根定理表示为 B A +＝( B A ? ) , B A ?＝( B A + )。 3、数字信号只有（ 两 ）种取值，分别表示为（ 0 ）和（ 1 ）。 4、异或门电路的表达式是( B A B A B A +=⊕ )；同或门的表达式是( B A AB B A ?+=⊙ ) 。 5、组成逻辑函数的基本单元是（ 最小项 ）。 6、与最小项C AB 相邻的最小项有( C B A )、( C B A ? ) 和 ( ABC ) 。 7、基本逻辑门有（ 与门 ）、（ 或门 ）和（ 非门 ）三种。复合门有（ 与非门 ）、（ 或非门 ）、（ 与或非门 ） 和（ 异或门 ）等。 8、 9、 10、最简与或式的定义是乘积项的（ 个数最少 ），每个乘积项中相乘的（ 变量个数也最少）的与或表达式。 11、在正逻辑的约定下，“1”表示（ 高电平 ），“0”表示（ 低电平 ）。在负逻辑的约定下，“1”表示（ 低电 平 ），“0”表示（ 高电平 ）。 12、一般TTL 门电路输出端( 不能 )直接相连，实现线与。(填写“能”或“不能”) 13、三态门的三种可能的输出状态是( 高电平 )、( 低电平 )和( 高阻态 )。 14、实现基本和常用逻辑运算的(电子电路)，称为逻辑门电路，简称门电路。 15、在TTL 三态门、OC 门、与非门、异或门和或非门电路中，能实现“线与”逻辑功能的门为（OC 门），能实 现总线连接方式的的门为（三态门）。 16、T TL 与非门的多余输入端不能接（ 低 ）电平。 17、 18、真值表是将输入逻辑变量的（ 所有可能取值 ）与相应的（ 输出变量函数值 ）排列在一起而组成的表格。 19、组合逻辑电路是指任何时刻电路的稳定输出，仅仅只决定于（该时刻各个输入变量的取值）。 20、用文字、符号或者数码表示特定对象的过程叫做（ 编码 ）。把代码的特定含义翻译出来的过程叫（ 译码 ）。 在几个信号同时输入时，只对优先级别最高的进行编码叫做（ 优先编码 ）。 21、两个1位二进制数相加，叫做（半加器）。两个同位的加数和来自低位的进位三者相加，叫做（全加器）。 22、比较两个多位二进制数大小是否相等的逻辑电路，称为(数值比较器)。 23、半导体数码显示器的内部接法有两种形式：共(阳)极接法和共(阴)极接法。对于共阳接法的发光二极管数
电子技术试题及答案(
资料收集于网络，如有侵权请联系网站删除 《电子技术基础》题库 适用班级：2012级电钳3、4、5、6班 备注：本学期进行到第七章；第一、二、三章是重点内容，要求掌握；第四、八章没有涉及。 一、填空题： 第一章半导体二极管 Q、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为导体，半导体和绝缘体三类。 A2、导电性能介于导体和绝缘体之间物质是半导体。 Q3、半导体具有热敏特性、光敏特性、参杂的特性。 虫、PN结正偏时，P区接电源的正极，N极接电源的负极。 ?、PN结具有单向导电特性。 @、二极管的P区引出端叫正极或阳极,N区的引出端叫负极或阴极。 △7、按二极管所用的材料不同，可分为硅二极管和锗二极管两类; 食、按二极管用途不同，可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极 管、发光二极管、光电二极管和变容二极管。 ★9、二极管的正向接法是二极管正极接电源的正极，负极接电源的负极：反响接法相反。Q0、硅二极管导通时的正向管压降约0.7V，锗二极管导通时的管压降约0.3V。 △11、使用二极管时，应考虑的主要参数是最大整流电流、最高反向电压和反向电流。 ★12、发光二极管将电信号转换为光信号。 ★13、变容二极管在高频收音机的自动频率控制电路中，通过改变其反向偏置电压来自动 调节本机震荡频率。 只供学习与交流 资料收集于网络，如有侵权请联系网站删除
★14、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为零。 第二章半导体三极管及其放大电路 05、三极管是电流控制元件。 06、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结正偏丿电结反偏。 ★17、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic变大，发射结压降变小。 △18、三极管处在放大区时，其集电结电压小于零，发射结电压大于零。★19、三极管的发射区杂质浓度很高，而基区很薄。 △20、三极管实现放大作用的内部条件是：发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度，同时基区厚度要很小. △21、工作在放大区的某三极管，如果当I B从12讥增大到22讥时，I c从1mA变为2mA，那么它的B约为100 。 OL2、三极管的三个工作区域分别是饱和区、放大区和截止区。 ★23、发射结…正向…偏置，集电结正向偏置，贝U三极管处于饱和状态。 ★24、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（交越）失真，而采用（甲乙类）类互补功率放大器。 ★25、OCL电路是（双）电源互补功率放大电路； ★26、0TL电路是（单）电源互补功率放大电路。 ★27、共集电极电路电压放大倍数（1），输入电阻（大），输出电阻（小），常用在 输入级，输出级或缓冲级。 第三章集成运算放大器及其应用 &8、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为____ 。△29、差分放大电路能够抑制零点漂移。 只供学习与交流
模拟电子技术复习题2
模拟电子技术复习题2 5.1．场效应管是电压控制元件，而双极型管是电流控制元件。在放大电路中，场效应管工作在饱和区，双极型管工作在放大区。 5.2电路如右图所示，其中 (a) (b) 图(a)是__C __组态。 A.共源-共射 B.共漏-共射 C.共漏-共集 D.共源-共集 图(b)是_ _D__组态。 A.共源-共射 B.共漏-共射 C.共漏-共集 D.共源-共集 5.3在右图所示放大电路中，耗尽型MOS管的g =1ms,r d趋于无穷大，各电容对交流信号可视为短路。 m 该电路的=_A___。 A. -3 B. 3 C. -5 D. 5 该电路的R i =___C_ 。 A. ∞ B. 3kΩ C. 5MΩ D. 5kΩ 该电路的R o =__D__。 A. ∞ B. 3kΩ C. 5MΩ D. 5kΩ 若C3开路，R 、R d 和R L不变，则的大小_A___。 A. 减小 B. 增大 C. 不变
6.1电流源电路的特点是：__D____。 A. 一个双口网络 B. 端口电流恒定，交流等效电阻小 C. 端口电压恒定，交流等效电阻大 D. 端口电流恒定，交流等效电阻大 6.2三极管电流源电路正常工作时，三极管处于____ _B____工作状态。 A. 截止 B. 放大 C. 饱和 D. 不确定 6.3电流源常用于放大电路，其作用是：___B ______。 A. 提高放大倍数的稳定性 B. 提供静态偏置，提高放大倍数 C. 作为放大电路的输入信号 D. 用来放大信号 6.4 4个电流源电路如图所示。其中哪个电路不能正常工作？___C _____。 6.5放大电路产生零点漂移的主要原因是：__ B______。 A. 电压增益太大 B. 环境温度变化 C. 采用直接耦合方式 D. 采用阻容耦合方式 6.6多级直接耦合放大器中，影响零点漂移最严重的一级是____A____工作状态。 A. 输入级 B. 中间级 C. 输出级 D. 增益最高的一级
电路与电子技术复习试题部分答案
一．单项选择题 1. 图示电路中,电流I＝（A ）。 A.–3 A B. 2 A C. 3 A D. 5 A 2. 图示电路中, 电压U＝（D ）。 A. 2 V B. 4 V C. 6 V D. 8 V 3. 图示电路中, 电流I＝（A ）。 A. 1 A B. 2 A C. 3 A D. 1/2 A 4. 图示电路中, 实际发出功率的元件是（D )。 A. U S 。 B. R C. U S和I S D. I S 5. 图示电路中, 电压U＝（A ）。 A. 8 V B. －8 V C. 16 V D. －16 V 6. 图示无源单口网络电路中, ab间等效电阻R ab =（B ）。 A. R1//R2//R3 B. R1//R3 C. (R1+R2)//R3
D. (R1+R3)//R2 7. 图示电路中, 电流I＝（B ）。 A. 5 A B. －5 A C. 1 A D. 2 A 8 . 图示一阶电路中,开关在t＝0时闭合，电容初始电压u C（0+）= ( C )。 A. -5 V B. 10 V C. 5 V D. 20 V 9. 图示电路中, 电压源单独作用时，电流I＝（B ）。 A. 0 A B. 1 A C. －1 A D. 1.5 A 10. 图示电路中, ab短路线中电流I ab = ( A ）。 A. 1 A B. 2 A C. 3 A D. -1 A 11. 图示电路中, 电流I＝（A ）。 A. –4A B. 4A C. –2A D. –3A 12. 图示电路中, 电压U＝（C ）。 A. 3 V B. -3 V C. -6 V 。。