NXP官方LPC系列ARM选型表

91常用电气设备选择的技术条件

9 电气设备选择 9.1 常用电气设备选择的技术条件和环境条件 9.1.1 电气设备选择一般原则[65,63] （1）应满足正常运行、检修、短路和过电压情况下的要求，并考虑远景发展； （2）应按当地环境条件校核； （3）应力求技术先进和经济合理； （4）与整个工程的建设标准应协调一致； （5）同类设备应尽量减少品种； （6）选用的新产品均应具有可靠的试验数据，并经正比鉴定合格。 9.1.2 技术条件 选择的高压电器，应能在长期工作条件下和发生过电压、过电流的情况下保持正常运行。各种高压电器的一般技术条件如表9?1?1所示。 表9?1?1 选择电器的一般技术条件 注①悬式绝缘子不校验动稳定。

9.1.2.1 长期工作条件 （1）电压：选用的电器允许最高工作电压max U 不得低于该回路的最高运行电压z U ，即 max U ≥z U （9?1?1） 三相交流3kV 及以上设备的最高电压见表9?1?2。 （2）电流：选用的电器额定电流n I 不得低于所在回路在各种可能运行方式下的持续工作电流 z I ，即 n I ≥z I （9?1?2） 不同回路的持续工作电流可按表9?1?3中所列原则计算。 由于变压器短时过载能力很大，双回路出线的工作电流变化幅度也较大，故其计算工作电流应根据实际需要确定。 表9?1?2 额定电压与设备最高电压 kV 表9?1?3 回路持续工作电流

表9?1?4 套管和绝缘子的安全系数 注①悬式绝缘子的安全系数对应于一小时机电试验荷载，而不是破坏荷载。若是后者，安全系数则分别应为5.3和3.3。 高压电器没有明确的过载能力，所以在选择其额定电流时，应满足各种可能运行方式下回路持续工作电流的要求。 （3）机械荷载：所选电器端子的允许荷载，应大于电器引线在正常运行和短路时的最大作用力。 电器机械荷载的安全系数，由制造部门在产品制造中统一考虑。套管和绝缘子的安全系数不应小于表9?1?4所列数值。 9.1.2.2 短路稳定条件 （1）校验的一般原则： 1）电器在选定后应按最大可能通过的短路电流进行行动、热稳定校验。校验的短路电流一般取三相短路时的短路电流，若发电机出口的两相短路，或中性点直接接地系统及自耦变压器

MOS功率与选型

品牌： 美国的IR，型号前缀IRF；日本的TOSHIBA； NXP，ST（意法），NS（国半），UTC，仙童，Vishay。 MOS管选型指南. xls

关于MOS选型 第一步：选用N沟道还是P沟道 低压侧开关选N-MOS，高压侧开关选P-MOS 根据电路要求选择确定VDS，VDS要大于干线电压或总线电压。这样才能提供足够的保护，使MOS管不会失效。 第二步：确定额定电流 额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似，设计人员必须确保所选的MOS管能承受这个额定电流，即使在系统产生尖峰电流时。 MOS管并不是理想的器件，因为在导电过程中会有电能损耗，这称之为导通损耗。MOS 管在“导通”时就像一个可变电阻，由器件的RDS（ON）所确定，并随温度而显著变化。器件的功率耗损可由Iload2×RDS（ON）计算，由于导通电阻随温度变化，因此功率耗损也会随之按比例变化。对MOS管施加的电压VGS越高，RDS（ON）就会越小；反之RD S（ON）就会越高。 第三步：确定热要求 器件的结温等于最大环境温度加上热阻与功率耗散的乘积（结温=最大环境温度+［热阻×功率耗散］）。根据这个方程可解出系统的最大功率耗散，即按定义相等于I2×RDS（ON）。第四步：决定开关性能

选择MOS管的最后一步是决定MOS管的开关性能。影响开关性能的参数有很多，但最重要的是栅极/漏极、栅极/源极及漏极/源极电容。这些电容会在器件中产生开关损耗，因为在每次开关时都要对它们充电。MOS管的开关速度因此被降低，器件效率也下降。 详细的MOS管的选型可以参考资料3

MOS管正确选择的步骤 正确选择MOS管是很重要的一个环节，MOS管选择不好有可能影响到整个电路的效率和成本，了解不同的MOS管部件的细微差别及不同开关电路中的应力能够帮助工程师避免诸多问题，下面我们来学习下MOS管的正确的选择方法。 第一步：选用N沟道还是P沟道 为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该MOS管就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟道MOS管，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOS管连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOS 管，这也是出于对电压驱动的考虑。 要选择适合应用的器件，必须确定驱动器件所需的电压，以及在设计中最简易执行的方法。下一步是确定所需的额定电压，或者器件所能承受的最大电压。额定电压越大，器件的成本就越高。根据实践经验，额定电压应当大于干线电压或总线电压。这样才能提供足够的保护，使MOS管不会失效。就选择MOS管而言，必须确定漏极至源极间可能承受的最大电压，即最大VDS。知道MOS管能承受的最大电压会随温度而变化这点十分重要。设计人员必须在整个工作温度范围内测试电压的变化范围。额定电压必须有足够的余量覆盖这个变化范围，确保电路不会失效。设计工程师需要考虑的其他安全因素包括由开关电子设备（如电机或变压器）诱发的电压瞬变。不同应用的额定电压也有所不同；通常，便携式设备为20V、FPGA电源为20～30V、85～220VAC应用为450～600V。 第二步：确定额定电流 第二步是选择MOS管的额定电流。视电路结构而定，该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似，设计人员必须确保所选的MOS管能承受这个额定电流，即使在系统产生尖峰电流时。两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。在连续导通模式下，MOS管处于稳态，此时电流连续通过器件。脉冲尖峰是指有大量电涌（或尖峰电流）流过器件。一旦确定了这些条件下的最大电流，只需直接选择能承受这个最大电流的器件便可。 选好额定电流后，还必须计算导通损耗。在实际情况下，MOS管并不是理想的器件，因为在导电过程中会有电能损耗，这称之为导通损耗。MOS管在“导通”时就像一个可变电阻，由器件的RDS（ON）所确定，并随温度而显著变化。器件的功率耗损可由Iload2&TImes;RDS（ON）计算，由于导通电阻随温度变化，因此功率耗损也会随之按比例变化。对MOS管施加的电压VGS越高，RDS（ON）就会越小；反之RDS（ON）就会越高。对系统设计人员来说，这就是取决于系统电压而需要折中权衡的地方。对便携式设计来说，采用较低的电压比较容易（较为普遍），而对于工业设计，可采用较高的电压。注意RDS（ON）电阻会随着电流轻微上升。关于RDS（ON）电阻的各种电气参数变化可在制造商提供的技术资料表中查到。 技术对器件的特性有着重大影响，因为有些技术在提高最大VDS时往往会使RDS（ON）

数据库选型的五大要素

数据库选型的五大要素 面对品种繁多的数据库产品，如何才能独具慧眼，选中适合自己的数据库产品呢？众所周知，正确的评估、选型与数据库技术本身同样重要。而通常，数据库厂商都会在性能清单和技术基准表中尽量展现产品最佳的一面，对产品弱点却避免提及或进行遮掩，关于这一点，业界已经是人尽皆知了。其实在挑选和评估过程中，首要目标是选择一款能够满足甚至超过预定要求的技术或解决方案。选型的正确方法将使用户在面对众多产品时，提高其做出最佳选择的能力。 数据库选型时，必须考虑以下五大因素： 1. 开发要求 2. 性能/成本 3. 数据库运行和管理 4. 可升级性 5. 总体拥有成本 开发要求 首先，需要清楚自己究竟想使用什么开发技术。例如，你是要以https://www.wendangku.net/doc/bb18298912.html,访问传统的关系型数据库？还是要以纯面向对象技术构建J2EE应用平台？又或是需要建设XML Web Services？如果你要实现的是纯关系型的开发典范，那么实际要 使用的受支持的标准（和非标准）SQL功能有多少？ 如果你要规划的是面向对象开发策略，那么在原计划里的数据库支持真正的面向对象吗？它是如何支持的？若有需要, 它能同时提供SQL的功能吗？数据库支持这个功能吗？虽然,有些关系型数据库声称支持对象开发，但实际上并不是直 接支持的。这种非直接的体系结构将导致更多的事务处理故障，以及潜在的可升级性和性能问题。 另外，你还需要确定自己的前端技术如何与后端进行“对话”。你的业务逻辑是放在客户机一端呢？还是放在服务器一端？你要使用哪些脚本语言？它们与后端服务器的兼容性如何？它们是快速应用开发（RAD）环境吗？ 目前，实现基于关系型数据库的应用可以选择传统的主流品牌，这些数据库产品有着很成熟的关系技术以及广泛的应用资源。但是,如果实现的是基于面向对象技术的应用、又或是数据结构更为复杂时，不妨考虑目前一些公司推出的所谓 后关系数据库。它所代表的正好是关系数据库和面向对象技术的融合，以多维数据引擎作为核心，从根本上支持复杂的对象存储及主流的二维表，同时也已经配备了功能强大的应用服务引擎，可作对象逻辑操作的平台。它的出现已经为传统数据库领域带来了冲击，而在面向对象数据库方面更是广受欢迎。 性能/成本 测量数据库性能最常见的方法是TPC基准。TPC明确地定义了数据库方案、数据量以及SQL查询。测量的结果是，在特 定的操作系统上，配置了特定的数据库版本，以及在惊人的硬件条件下，每项事务的成本是多少——其中的事务可以是TPC测试中定义的任何数据库操作。 从理论上来讲，这类基准旨在提供不同产品间客观的比较值。但在现实中，这些方案又有多少能准确反映并回答你在挑选技术时所存在的疑惑？其次，所有技术厂商发布的TPC基准都会超过以前发布的结果。这样，TPC基准在更大程度上 反映的是为解决问题而投入的内存和CPU量，而不是数据库性能的任何真实表现。 以笔者多年所见，只有在真实的环境中进行实际的比较测试才可以推断出数据库的预期性能及评估所需成本。常用的方法包括平衡移植，把原来的数据转移到类似硬件上的另一套数据库，然后以真实的客户端连接这套测试对象。又或是以数据产生器针对真实的数据模型，建立出庞大的数据量，再以客户端连接作测试。 这种做法跟实验室中的做法的不同之处有以下几点：第一，试验中的硬件构架跟你预期的方案不会有太大的差别；第二，所测试的事务在宽度和深度方面跟未来计划的也差不太远；第三，如果是硬件条件一样，我们可以直接看出测试对象跟原来方案有着多少差异。

设备选型

设备选型是水泥工厂设计非常重要的步骤，设备选型的优良也直接影响着水泥生产的成本节约，以及材料的减少，效率的提高。 车间设备选型一般步骤如下： 1、确定车间的工作制度，确定设备的年利用率。 2、选择主机的型式和规格，根据车间要求的小时产量、进料性质、产品质量要求以及其他技术条件，选择适当型式和规格的主机设备，务必使所选的主机技术先进，管理方便，能适应进料的情况，能生产出质量符合要求的产品。同时，还应考虑设备的来源和保证。 3、标定主机的生产能力，同类型规格的设备，在不同的生产条件下（如物料的易磨性、易烧性、产品质量要求以及具体操作条件等），其产量可以有很大的差异。所以，在确定了主机的型式和规格后，应对主机的小时生产能力进行标定。即根据设计中的具体技术条件，确定设备的小时生产能力。标定设备生产能力的主要依据是：定型设备的技术性能说明；经验公式（理论公式）的推算；与同类型同规格生产设备的实际生产数据对比。 4、计算主机的数量 ·h h l G n G = 式中：n ——主机台数， h G ——要求主机小时产量（t/h ）， ·h l G ——主机标定台时产量（t/h ）。 5、核算主机的年利用率 主机的实际年利用率和每周实际运转小时数，可用公式 ·h h l G nG ηη?= 式中：η?——主机的实际年利用率， η——预定的主机年利用率。 水泥厂主机年利用率选择参考表2-1， 表2-1 水泥厂主机年利用率（以小数表示） 主机名称 周别 每日工作班数 适宜利用率 备注 石灰石破碎 不连续周 1 0.24—0.28 也可连续周

石灰石破碎 不连续周 2 0.48—0.58 回转烘干机 连续周 3 0.70—0.80 生料磨（圈流） 连续周 3 0.70—0.78 生料磨（开流） 连续周 3 0.70—0.80 机械立窑 连续周 3 0.80—0.85 旋窑 连续周 3 0.82—0.88 水泥磨（圈流） 连续周 3 0.70—0.82 水泥磨（开流） 连续周 3 0.75—0.85 水泥包装 不连续周 1 0.24—0.28 水泥散装 不连续周 2 0.48—0.56 一， 破碎设备 1，石灰石破碎设备 一般石灰和石灰石大量用做建筑材料，也适用于工业的原料。石灰石可直接加工成石料和烧制成生石灰。石灰石刚开采出来粒度较大，并且大小不一，需要使用石灰石破碎机进行破碎后再运输使用。 （1）确定破碎车间的工作制度 石灰石破碎车间采用二班制，每班工作6.5小时，每年工作290天。 （2）根据车间运作班制和主机运转小时数，确定主机的年利用率： 232902 6.5 0.4387608760k k k η????= == 式中：k ——每年工作日数， 2k ——每日工作班数， 3k ——每班主机运转小时数。 （3）主机要求小时产量： 1.31331551250 600/2902 6.50.9y H gG G t h dntk ?= = =??? ,/H G t h 要求主机小时产量 ,/y G t y 烧成车间年产熟料量 ,0.8~1,0.9k 供料不平衡系数在之间取值这里取 ,d 每年工作日数 , n 每年工作班数

铝合金电缆选型及数据表)

ZA-AC90(-40) 铠装电缆 ZA-AC90(-40)是一种高柔韧性的自锁型铝铠装，90℃交联聚乙烯绝缘单芯或多芯低烟无卤阻燃A 级电缆，附一根等电位联结裸导线(可选)。ZA-AC90(-40)减少了管道布线所带来的施工难度和人力成本。电缆已在工厂用高柔韧性的自锁型铝铠装组装完毕，不需要管道及其附件和人工密集的拉线、扣纹和成管等工序。ZA-AC90(-40)通过CSA 认证可应用于非潮湿环境的明线或暗线敷设，并具备与管道方式敷线的相同性能。ZA-AC90(-40)为低烟无卤型，完全符合IEC 60754、GB 17650.2 及 IEC 60502.1、GB 12706.1的规范标准。 XLPE 绝缘 STABILOY ? 相线 自锁型铝铠装 标准：CSA C22.2 No. 51 表1 STABILOY ? ZA -AC90(-40) 3芯及 3+1芯铠装电缆

表1 （续）STABILOY?ZA-AC90(-40) 4芯及 4+1芯铠装电缆

附录一：铜及铝合金多芯电缆参照表

附录二：非金属含量表

铠装电缆功能表 XLPE 绝缘 STABILOY ? 相线 自锁型铝铠装 FT4-级 AG14 PVC 外护套 标准： C SA C22.2 No.51FT4-Rated: 垂直电缆托盘测试CSA C22.2 No.174 危险环境 警告： 易燃: 电缆的非金属护套在点燃时会燃烧起火。 有毒: 燃烧非金属护套会散发酸性、剧毒、具浓烟的气体。 腐蚀性: 酸性气体会腐蚀附近的金属，比如敏感仪器和混凝土中的钢筋。 ZB-ACWU90(-40) 铠装电缆 ZB-ACWU90(-40)是一种高柔韧性的自锁型铝铠装、PVC 外护套、90℃交联聚乙烯防水型绝缘单芯或多芯阻燃B 级电缆，附一根等电位联结裸导线(可选)。因为具有FT4级的PVC 外护套，ZB-ACWU90(-40)可直接埋地敷设，并适用于腐蚀环境和非燃性建筑中。ZB-ACWU90(-40)减少了管道布线所带来的施工难度和人力成本。 电缆已在工厂用高柔韧性的自锁型铝铠装和密封PVC 外护套组装完毕，不需要管道及其附件和人工密集的拉线、扣纹和成管等工序。ZB-ACWU90(-40)通过CSA 认证可应用于干燥和潮湿环境的明线或暗线敷设，也可应用于1区和2区1级危险环境, 以及2、3级危险环境。敷设方式户内可采用支架、梯架、托盘以及电缆夹明敷，户外可采用直埋、电缆沟、电缆隧道等多种方式。ZB-ACWU90(-40)每米设有标定标记，以便准确地确定电缆长度。它完全符合IEC 60502.1及GB 12706.1的规范标准。加铝还根据客户要求提供各规格的低烟无卤型产品。

常见mos管的型号参数

电调常见的烧毁问题，可通过更换烧坏的ＭＯＳ管来解决，如相应电流的，可用更多大额定电流的代替。注意，焊接ＭＯＳ止静电。 TO-220 TO-252 TO-3

附SO-8（贴片８脚）封装ＭＯＳ管IRF7805Z的引脚图。 上图中有小圆点的为１脚 注：下表按电流降序排列（如有未列出的，可回帖，我尽量补 封装形式极性型号电流(A)耐压(V)导通电阻(mΩ) SO-8N型SI43362230 4.2 SO-8N型IRF78312130 3.6 SO-8N型IRF783220304

SO-8N型IRF872114308.5 SO-8N型IRF78051330 SO-8N型IRF7805Q133011 SO-8N型IRF7413123018 SO-8N型TPC800312306 SO-8N型IRF7477113020 SO-8N型IRF7811113012 SO-8N型IRF7466103015 SO-8N型SI4410103014 SO-8N型SI4420103010 SO-8N型A27009307.3 SO-8N型IRF78078.330 SO-8N型SI48127.33028 SO-8N型SI9410 6.93050 SO-8N型IRF731363029 SO-8P型SI440517307.5 SO-8P型STM4439A143018 SO-8P型FDS667913309 SO-8P型SI441113308 SO-8P型SI446312.32016 SO-8P型SI44071230 SO-8P型IRF7424113013.5 SO-8P型IRF7416103020 SO-8P型IRF7416Q103020 SO-8P型SI442593019 SO-8P型IRF74248.83022 SO-8P型SI443583020 SO-8P型SI4435DY83020 SO-8P型A271673011.3 SO-8P型IRF7406 5.83045 SO-8P型SI9435 5.33050 SO-8P型IRF7205 4.63070 TO-252N型FDD668884305 TO-3N型IRF1504010055 TO-220N型IRF370321030 2.8 TO-220N型IRL3803140306 TO-220N型IRF140513155 5.3 TO-220N型IRF3205110558 TO-220N型BUZ111S80558

mos管选型指导

MOS管选型指导 正确选择MOS管是很重要的一个环节，MOS管选择不好有可能影响到整个电路的效率和成本，了解不同的MOS管部件的细微差别及不同开关电路中的应力能够帮助工程师避免诸多问题，下面我们来学习下MOS管的正确的选择方法。 第一步：选用N沟道还是P沟道 为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该MOS管就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟道MOS管，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOS管连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P 沟道MOS管，这也是出于对电压驱动的考虑。 要选择适合应用的器件，必须确定驱动器件所需的电压，以及在设计中最简易执行的方法。下一步是确定所需的额定电压，或者器件所能承受的最大电压。额定电压越大，器件的成本就越高。根据实践经验，额定电压应当大于干线电压或总线电压。这样才能提供足够的保护，使MOS管不会失效。就选择MOS管而言，必须确定漏极至源极间可能承受的最大电压，即最大VDS。知道MOS管能承受的最大电压会随温度而变化这点十分重要。设计人员必须在整个工作温度范围内测试电压的变化范围。额定电压必须有足够的余量覆盖这个变化范围，确保电路不会失效。设计工程师需要考虑的其他安全因素包括由开关电子设备(如

电机或变压器)诱发的电压瞬变。不同应用的额定电压也有所不同；通常，便携式设备为20V、FPGA电源为20～30V、85～220VAC应用为450～600V。 第二步：确定额定电流 第二步是选择MOS管的额定电流。视电路结构而定，该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似，设计人员必须确保所选的MOS管能承受这个额定电流，即使在系统产生尖峰电流时。两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。在连续导通模式下，MOS管处于稳态，此时电流连续通过器件。脉冲尖峰是指有大量电涌(或尖峰电流)流过器件。一旦确定了这些条件下的最大电流，只需直接选择能承受这个最大电流的器件便可。 选好额定电流后，还必须计算导通损耗。在实际情况下，MOS管并不是理想的器件，因为在导电过程中会有电能损耗，这称之为导通损耗。MOS管在“导通”时就像一个可变电阻，由器件的RDS(ON)所确定，并随温度而显著变化。器件的功率耗损可由Iload2×RDS(ON)计算，由于导通电阻随温度变化，因此功率耗损也会随之按比例变化。对MOS管施加的电压VGS越高，RDS(ON)就会越小；反之RDS(ON)就会越高。对系统设计人员来说，这就是取决于系统电压而需要折中权衡的地方。对便携式设计来说，采用较低的电压比较容易(较为普遍)，而对于工业设计，可采用较高的电压。注意RDS(ON)电阻会随着电流轻微上升。关于RDS(ON)电阻的各种电气参数变化可在制造商提供的技术资料表中查到。 技术对器件的特性有着重大影响，因为有些技术在提高最大VDS时往往会使RDS(ON)增大。对于这样的技术，如果打算降低VDS和RDS(ON)，那么就得增加晶片尺寸，从而增加与之配套的封装尺寸及相关的开发成本。业界现有好几种试图控制晶片尺寸增加的技术，其中最主要的是沟道和电荷平衡技术。 在沟道技术中，晶片中嵌入了一个深沟，通常是为低电压预留的，用于降低导通电阻RDS(ON)。为了减少最大VDS对RDS(ON)的影响，开发过程中采用了外延生长柱/蚀刻柱工艺。例如，飞兆半导体开发了称为SupeRFET的技术，针对RDS(ON)的降低而增加了额外的制造步骤。这种对RDS(ON)的关注十分重要，因为当标准MOSFET的击穿电压升高时，RDS(ON)会随之呈指数级增加，并且导致晶片尺寸增大。SuperFET工艺将RDS(ON)与晶片尺寸间的指数关系变成了线性关系。这样，SuperFET器件便可在小晶片尺寸，甚至在击穿电压达到600V的情况下，实现理想的低RDS(ON)。结果是晶片尺寸可减小达35%。而对于最终用户来说，这意味着封装尺寸的大幅减小。 第三步：确定热要求 选择MOS管的下一步是计算系统的散热要求。设计人员必须考虑两种不同的情况，即最坏情况和真实情况。建议采用针对最坏情况的计算结果，因为这个结果提供更大的安全余量，能确保系统不会失效。在MOS管的资料表上还有一些需要注意的测量数据；比如封装器件的半导体结与环境之间的热阻，以及最大的结温。

常用mos管(选型)

常用MOS管选型参考如下表所示: IRFU020 50V 15A 42W * * NmOS场效应IRFPG42 1000V 4A 150W * * NmOS场效应IRFPF40 900V 4.7A 150W * * NmOS场效应IRFP9240 200V 12A 150W * * PmOS场效应IRFP9140 100V 19A 150W * * PmOS场效应IRFP460 500V 20A 250W * * NmOS场效应IRFP450 500V 14A 180W * * NmOS场效应IRFP440 500V 8A 150W * * NmOS场效应IRFP353 350V 14A 180W * * NmOS场效应IRFP350 400V 16A 180W * * NmOS场效应IRFP340 400V 10A 150W * * NmOS场效应IRFP250 200V 33A 180W * * NmOS场效应IRFP240 200V 19A 150W * * NmOS场效应IRFP150 100V 40A 180W * * NmOS场效应IRFP140 100V 30A 150W * * NmOS场效应IRFP054 60V 65A 180W * * NmOS场效应IRFI744 400V 4A 32W * * NmOS场效应IRFI730 400V 4A 32W * * NmOS场效应IRFD9120 100V 1A 1W * * NmOS场效应IRFD123 80V 1.1A 1W * * NmOS场效应IRFD120 100V 1.3A 1W * * NmOS场效应IRFD113 60V 0.8A 1W * * NmOS场效应IRFBE30 800V 2.8A 75W * * NmOS场效应IRFBC40 600V 6.2A 125W * * NmOS场效应IRFBC30 600V 3.6A 74W * * NmOS场效应IRFBC20 600V 2.5A 50W * * NmOS场效应IRFS9630 200V 6.5A 75W * * PmOS场效应IRF9630 200V 6.5A 75W * * PmOS场效应IRF9610 200V 1A 20W * * PmOS场效应IRF9541 60V 19A 125W * * PmOS场效应IRF9531 60V 12A 75W * * PmOS场效应IRF9530 100V 12A 75W * * PmOS场效应IRF840 500V 8A 125W * * NmOS场效应IRF830 500V 4.5A 75W * * NmOS场效应IRF740 400V 10A 125W * * NmOS场效应IRF730 400V 5.5A 75W * * NmOS场效应IRF720 400V 3.3A 50W * * NmOS场效应IRF640 200V 18A 125W * * NmOS场效应

ARM体系结构变化

处理器的体系结构定义了指令集（ISA）和基于这一体系结构下处理器的程序员模型。尽管每个处理器性能不同，所面向的应用不同，每个处理器的实现都要遵循这一体系结构。ARM 体系结构为嵌入系统发展商提供很高的系统性能，同时保持优异的功耗和面积效率。 ARM体系结构的发展 ARM体系结构为满足ARM合作者以及设计领域的一般需求正稳步发展。 每一次ARM体系结构的重大修改，都会添加极为关键的技术。在体系结构作重大修改的期间，会添加新的性能作为体系结构的变体。下面的名字表明了系统结构上的提升，后面附加的关键字表明了体系结构的变体。 V3结构 32位地址。 T ? Thumb状态：16位指令。 M ? 长乘法支持（32*32=>64或者32*32+64=>64）。这一性质已经变成V4结构的标准配置。 V4结构加入了半字存储操作。 D ? 对调试的支持（Debug） I ? 嵌入的ICE（In Circuit Emulation） 属于V4体系结构的处理器（核）有ARM7，ARM7100（ARM7核的处理器），ARM7500(ARM7核的处理器)。 属于V4T（支持Thumb指令）体系结构的处理器（核）有 ARM7TDMI，ARM7TDMI-S （ARM7TDMI可综合版本），ARM710T（ARM7TDMI核的处理器），ARM720T（ARM7TDMI 核的处理器），ARM740T（ARM7TDMI核的处理器），ARM9TDMI，ARM910T（ARM9TDMI 核的处理器），ARM920T（ARM9TDMI核的处理器），ARM940T（ARM9TDMI核的处理器），StrongARM（Intel公司的产品）。 V5结构提升了ARM和Thumb指令的交互工作能力。 E ? DSP指令支持。 J ? Java指令支持。 属于V5T（支持Thumb指令）体系结构的处理器（核）有ARM10TDMI，ARM1020T （ARM10TDMI核处理器）。 属于V5TE（支持Thumb，DSP指令）体系结构的处理器（核）有ARM9E，ARM9E-S（ARM9E 可综合版本），ARM946（ARM9E核的处理器），ARM966（ARM9E核的处理器），ARM10E，ARM1020E（ARM10E核处理器），ARM1022E（ARM10E核的处理器）， Xscale（Intel公司产品）。 属于V5TEJ（支持Thumb，DSP指令，Java指令）体系结构的处理器（核）有ARM9EJ，ARM9EJ-S（ARM9EJ可综合版本），ARM926EJ（ARM9EJ核的处理器），ARM10EJ。 V6结构增加了媒体指令 属于V6体系结构的处理器核有ARM11。ARM体系结构中有四种特殊指令集：Thumb指令（T），DSP指令（E），Java指令（J），Media指令，V6体系结构包含全部四种特殊指令集。为满足向后兼容，ARMv6也包括了ARMv5的存储器管理和例外处理。这将使众多的第三方发展商能够利用现有的成果，支持软件和设计的复用。 新的体系结构并不是想取代现存的体系结构，使它们变得多余。新的CPU核和衍生产品将建立在这些结构之上，同时不断与制造工艺保持同步。例如基于V4T体系结构的ARM7TDMI

大数据平台技术框架选型

大数据平台框架选型分析 一、需求 城市大数据平台，首先是作为一个数据管理平台，核心需求是数据的存和取，然后因为海量数据、多数据类型的信息需要有丰富的数据接入能力和数据标准化处理能力，有了技术能力就需要纵深挖掘附加价值更好的服务，如信息统计、分析挖掘、全文检索等，考虑到面向的客户对象有的是上层的应用集成商，所以要考虑灵活的数据接口服务来支撑。 二、平台产品业务流程 三、选型思路 必要技术组件服务： ETL >非/关系数据仓储>大数据处理引擎>服务协调>分析BI >平台监管 四、选型要求 1．需要满足我们平台的几大核心功能需求，子功能不设局限性。如不满足全部，需要对未满足的其它核心功能的开放使用服务支持 2．国内外资料及社区尽量丰富，包括组件服务的成熟度流行度较高 3．需要对选型平台自身所包含的核心功能有较为深入的理解，易用其API或基于源码开发4．商业服务性价比高，并有空间脱离第三方商业技术服务 5．一些非功能性需求的条件标准清晰，如承载的集群节点、处理数据量及安全机制等 五、选型需要考虑 简单性：亲自试用大数据套件。这也就意味着：安装它，将它连接到你的Hadoop安装，集成你的不同接口（文件、数据库、B2B等等），并最终建模、部署、执行一些大数据作业。自己来了解使用大数据套件的容易程度——仅让某个提供商的顾问来为你展示它是如何工作是远远不够的。亲自做一个概念验证。 广泛性：是否该大数据套件支持广泛使用的开源标准——不只是Hadoop和它的生态系统，还有通过SOAP和REST web服务的数据集成等等。它是否开源，并能根据你的特定问题易于改变或扩展是否存在一个含有文档、论坛、博客和交流会的大社区 特性：是否支持所有需要的特性Hadoop的发行版本（如果你已经使用了某一个）你想要使用的Hadoop生态系统的所有部分你想要集成的所有接口、技术、产品请注意过多的特性可能会大大增加

ARM系统体系架构

ARM体统体系架构 ARM平台可以采用核心主板加扩展板的设计方式，基于ARM微处理器芯片的核心主板，能将ARM所有的I／O全部引出，在核心主板上面只提供最基本的接口；而对于一些 特殊用途的USB接口、以太网接口、LCD接口，以扩展板形式提供。 ARM模块部分是其一个重要的组成部分，在系统中ARM模块主要负责系统控制部分，其硬件体系结构灵活、接口丰富。核心包括嵌入式ARM CPU及必需的SDRAM和Hash 等器件，通过表贴封装的双排插针将各信号线及控制线引出。这样，只需要设计不同的扩展板即可实现不同的系统功能，节约了开发成本并提高了平台的灵活性。 软件开发方面，如果采用Linux开放源代码进行开发，可以大大降低开发成本，加快软件的开发过程，并有利于后期开发。 1．硬件体系结构 嵌入式系统硬件平台结构主要分为2大部分：一部分为系统主板，为基于ARM的最小系统，包括ARM CPU、∏ash、SDRAM、串口、键盘等最基本部分；另一部分为系统扩展板，提供了用于完成各个不同硬件的功能模块。 常用的嵌入式外围设备则有存储设备、通信设各和显示设备三类。相关支撑硬件包括显示卡、存储介质（ROM和RAM等）、通信设备、IC卡或信用卡的读取设备等。嵌入式系统有别于一般的计算机处理系统，它不具备像硬盘那样大容量的存储介质，而大多使用闪存（∏ash Memory）作为存储介质。 整个系统硬件结构如图1所示，主要组成部分及其功能如表1所示。

图1 ARM嵌入式硬件平台 表1 系统硬件主要组成及其功能描述

另外，系统总线扩展引出数据总线、地址总线和必需的控制总线，便于用户根据自身的特定需求，扩展外围电路。在选择嵌入式系统的硬件时，最重要的是要先选择ARM处理器类型，因为ARM处理器不仅决定整个系统的性能，而且影响其他硬件的选用，以及操作系统和软件代码的配置。 一个设计好的ARM核心板硬件如图2所示。 图2 ARM核心板硬件图

常用MOS管选型参考

常用MOS管选型参考 IRFU02050V15A42W NmOS场效应IRFPG421000V4A150W NmOS场效应IRFPF40900V 4.7A150W NmOS场效应IRFP460500V20A250W NmOS场效应IRFP450500V14A180W NmOS场效应IRFP440500V8A150W NmOS场效应IRFP353350V14A180W NmOS场效应IRFP350400V16A180W NmOS场效应IRFP340400V10A150W NmOS场效应IRFP250200V33A180W NmOS场效应IRFP240200V19A150W NmOS场效应IRFP150100V40A180W NmOS场效应IRFP140100V30A150W NmOS场效应IRFP05460V65A180W NmOS场效应IRFI744400V4A32W NmOS场效应IRFI730400V4A32W NmOS场效应IRFD9120100V1A1W NmOS场效应IRFD12380V 1.1A1W NmOS场效应IRFD120100V 1.3A1W NmOS场效应IRFD11360V0.8A1W NmOS场效应IRFBE30800V 2.8A75W NmOS场效应IRFBC40600V 6.2A125W NmOS场效应IRFBC30600V 3.6A74W NmOS场效应IRFBC20600V 2.5A50W NmOS场效应IRFS9630200V 6.5A75W PmOS场效应IRF9630200V 6.5A75W PmOS场效应IRF9610200V1A20W PmOS场效应IRF954160V19A125W PmOS场效应IRF953160V12A75W PmOS场效应IRF9530100V12A75W PmOS场效应IRF840500V8A125W NmOS场效应IRF830500V 4.5A75W NmOS场效应IRF740400V10A125W NmOS场效应IRF730400V 5.5A75W NmOS场效应IRF720400V 3.3A50W NmOS场效应IRF640200V18A125W NmOS场效应IRF630200V9A75W NmOS场效应IRF610200V 3.3A43W NmOS场效应IRF54180V28A150W NmOS场效应IRF540100V28A150W NmOS场效应IRF530100V14A79W NmOS场效应IRF440500V8A125W NmOS场效应IRF230200V9A79W NmOS场效应IRF130100V14A79W NmOS场效应BUZ20100V12A75W NmOS场效应BUZ11A50V25A75W NmOS场效应BS17060V0.3A0.63W NmOS场效应

设备选型

第五章设备选型 设备选型与计算是选煤厂设计中的重要步骤。选型的好坏，不仅体现设计人员和设计本身的水平，更重要的是关系到选煤厂投产后的生产效率。近年来，我国选煤设备发展迅猛，设备的品种、规格日渐繁多，国产的、引进的、仿制的应有尽有。随着科学技术的发展和原煤入选量增大，选煤设备向大型化、高效化方向发展。由于地方小煤矿的崛起，各种小型的、成套的选煤设备也随之发展起来。这使设备选择的范围更宽，但难度也相应增大。这就需要更好地了解各种设备的性能及适用条件，正确计算与选型。 5.1 工艺设备选型与计算的原则和规定 5.1.1 设备选型与计算的任务及原则 设备选型与计算的任务是根据已经确定的工艺流程及各作业的数、质量，并考虑原煤特征和对产品的需求，选出适合生产工艺要求的设备型号与台数，从而使选煤厂投产后达到设计所要求的各项生产指标。 设备选型时应注意以下几项原则： （1）所选设备的型号与台数，应与所设计厂型相匹配，尽量采用大型设备，充分考虑机组间的配合，使设备与厂房布置紧凑，便于生产操作。 （2）所选设备的类型应适合原煤特征和产品质量要求。 （3）做到技术先进、性能可靠，应优先选用高效率、低能耗、成熟可靠的新产品。 （4）经济实用，综合考虑节能、使用寿命和物品备件等因素，尽可能选用同类型、同系列的设备产品，以便于维修和备件的更换。优先选用具有“兼容性”的系列设备，以便于新型设备对老型设备的更换，也便于更新和改扩建。 （5）在设备选用过程中，要贯彻国家当前的技术经济政策，考虑长远规划。设备招标应考虑性能价格比，切忌一味最求低价格。 （6）噪声应小于85dB。 5.1.2 设备生产能力与台数的确定原则 （1）设备生产能力的确定原则 在设计中常用的确定设备能力的方法有：单位负荷定额，产品目录保证值以及理论计算公式或经验公式。

ARM体系及原理

1.1ARM体系结构概述 2.1指令集体系结构 1. 一条ARM指令的最高四位bit[31：28]为条件域（condition field），根据其值的不同来确定当前指令对CPSR中的N、Z、C和V标志的设置与否。 2. ARM指令集支持一个向前或向后32M范围内跳转的Branch指令。如果是Branch and Link指令，则除了支持向前或向后的32M范围跳转外，还能将跳转指令的下一条指令地址（返回地址）压入R14（LR）。而在ARMv4以上支持T的版本中，还有Branch and Exchange指令，此指令可以拷贝通用寄存器Rm的值到PC中，而若其bit[0]为0，则进行ARM至Thumb的切换。 3. ARM指令集中包含了状态寄存器获取指令MSR和MRS用来对CPSR和SPSR进行操作。同时ARM指令集还提供了对协处理器的操作指令MCR和MRC。 4. SWI提供了软件中断的功能，此指令的bit[23：0]为一个立即数，ARM处理器会忽略这个立即数，但这个立即数可以提供异常处理程序使用。 2.2寄存器 通用寄存器(r0-r15): 不分组寄存器r0-r7： 可以工作在所有的处理模式下，没有隐含的特殊用途 分组寄存器r8-r14: 分组寄存器的使用取决于当前的处理器模式，每种模式有专用的分组寄存器用于快速异常处理。 寄存器R13通常用作堆栈指针，称作sp。每种异常模式都有自己的R13。通常R13被初始化为指向异常模式分配的堆栈。在入口处，异常处理程序将用到的其他寄存器的值保存到堆栈中，返回时，重新将这些值加载到寄存器中。

寄存器R14用作子程序链接寄存器lr。当指令BL指令时，得到R15（PC）寄存器的备份。 程序寄存器R15: ARM状态下，PC位[1:0]为0（字对齐)。 Thumb状态下，位[0]为0（半字对齐）。 由于流水线特性，PC总是指向当前执行指令的下两条指令地址。 程序状态寄存器： 所有处理器模式下都访问相同的CPSR，CPSR包含条件码标志。中断禁止位，当前处理器模式以及其他状态和控制信息。 每种异常模式下都有一个程序状态保存寄存器，发生异常时，SPSR用来保存CPSR的状态。 2.3工作模式和特权等级 ARM工作模式: ARM工作状态:从编程的角度看有两种并可以切换 ARM状态:执行32位字对齐的ARM指令 THunb状态:执行 16位的半字对齐 thumb指令注意:ARM 状态下只能执行ARM指令 thumb也是 存储器格式:0-3第一个字 4-7第二个………………. 因此 ARM最大寻址是 4GB 大端格式:高字节存放在低地址空间 小端空间:高字节放高地址,低地址存放低字节 ARM绝大多数时候使用小端格式 指令长度: ARM支持字节,半字,字三种数据类型其中字需要4字节对齐(地址的低两位是0) 半字需要2字节对齐(地址最低位0) 工作模式: 1:用户模式 usr:正常执行程序 2：快速中断模式FIQ: 用于高速数据的传送 3：外部中断模式IRQ: 用于通常的中断处理 4：管理模式svc: super verzer 超级模式,操作系统使用的保护模式 5：数据访问终止模式abt:当数据或指令预取终止时进入该模式,用于虚拟存储及存储保护 6：系统模式sys: 运行具有特权的操作系统任务 7：未定义指令终止模式und: 当未定义的指令执行时进入该模式,可用于支持硬件除用户模式外,其它称为非用户模式,或者是特权模式除去用户模式和系统模式, 其它称为异常模式. 2.4存储器和映射 1.多数的系统需要通过以下的一些方式来初始化和控制存储系统设备： 1)使能Cache，以保证Cache执行所能获得的效益最大化 2)为虚拟存储系统建立虚拟到物理存储的映射 3)为不同的存储区域建立约束规则 4)保证在正确的时间，以正确的方式对存储映射I/O的获取 2.存储系统应该按以下的方式配置： 1)主存储区（RAM）应该被配置成cachable和bufferable； 2)ROM存储区通常只配置成cachable和只读，因此bufferable属性不会被设置。 3.一些ARM实现中包含了一种契入式的write buffer，将多次对同一位置的写操作归并成对主存储区的一次操作。此外一些write buffer还支持写操作 的重排序，那样会使处理器提交的写操作顺序与实际的写操作提交给存储区的顺序存在差异。因此，对I/O区域尽量不要配置成bufferable，以保证对I/O设置的写操作能以一个正确的顺序执行。 4. 所有存储和系统相关的特性都由协处理器15（CP15）来控制，因此CP15也被称为系统控制协处理器。其包含共计16个32位的主寄存器。此外，由于寄存器获取指令中可以包含额外的位来辨识特定的寄存器版本和（或者）对寄存器特定的获取方式，所以实际CP15种的32bit物理寄存器可以超过16个。CP15的属性可以是只读、只写或者可读可写。 5. ARM仅仅定义了一类对CP15操作的指令，即MCR和MRC，其中MCR用来将一个ARM寄存器的值写入CP15，而MRC指令可以将一个CP15寄存器的值读入ARM寄存器中。MRC和MCR指令只有在各个特权模式下才能正常执行，如果是在用户模式下执行这两条指令，则会导致一个未定义指令的异常发生。 CP15 Register 1中各个位的含义如下： M(bit[0]) MMU或保护单元使能位 A(bit[1]) 对齐错误校验使能位 C(bit[2]) Cache使能位（如果是统一cache架构，则标识统一cache使能，如果是独立cache架构，则标识数据cache使能） W(bit[3]) Write buffer使能位 P(bit[4]) 异常处理模式选择位，可选择进入26-bit模式或32-bit模式 D(bit[5]) 26-bit地址异常校验使能位 L(bit[6]) Abort模式版本选择位 B(bit[7]) 大端或小端配置位 S(bit[8]) 系统保护位（在基于MMU的存储系统中使用）