最新 镁光NAND FLASH命名规则

系统定制教学文案

ARM系统定制 以下是个人理解，经过看PPT，查课本，pdf，还有上网查阅总结得来，仅作参考。 简述： 系统定制的本质就是为新开发的硬件（开发板）定制软件系统。共分两大部分： 一：系统裁剪 二：系统移植 1、先说系统裁剪，首先ARM开发板本身的体系结构决定了，不同系列不同版本的ARM 可以共用（兼容）大部分的boot和内核代码，所以只需要在最相近的版本的软件系统稍作修改并测试成功就可以直接移植了，当然，如果整个软件系统打算亲手写的话，那就可以无视系统裁剪这个环节了（老师说这个基本上没有人写得出来）。具体的裁剪过程稍后讲述。 2、系统移植，就是把裁剪后可以运行在开发板上的软件系统烧写到板子中。这就需要了解arm中的存储体系，arm的总线结构，arm的串口等等。具体烧写过程稍后讲述。 第一章：系统裁剪 1、系统裁剪之前，我们需要知道要裁剪哪些东西。这就需要了解ARM的整个软件系统，开发板从上电启动到最后进入操作系统界面之间的流程依次是：boot （uboot），kernel （内核），fs（文件系统,也在内核中），驱动程序（动态加载到内核，部分也已在内核中编译好）。 一、首先是uBoot流程分两个阶段（uboot 的源码在解压后的uboot-2010.02-me下，其中第一阶段在/cpu/arm920t的start.s 和board/smdk2440 的lowlevel_init.s中，第二阶段在lib_arm/board.c 的start_armboot函数中，有兴趣的可以去看一看） 第一阶段：为自身准备（配置）硬件环境。主要操作有：(代码在/cpu/arm920t的start.s) 1、关闭看门狗（W ATCHDOG），就是把WTCON寄存器写0。 （ldr r0, =pWTCON，mov r1, #0x0，str r1, [r0]）。 2、关中断，配置各个中断控制寄存器的值。设置CPU为特权模式svc ，通过cpsr寄存器设置。（代码不列出来了，后面的代码都可以在starts.s文件中去看） 3、设置CPU的时钟频率（时钟分频），配置FCLK（cpu的频率）,HCLK（内部AHB 总线频率）,PCLK（外围APB总线频率）, 比例为1:4:8。 4、配置SDRAM，为本身准备内存空间。配置内存空间（页表），设置堆栈。（通过调用）（通过调用lowlevel_init 函数，函数实现在board/smdk2440的lowlevel_init.s中） 5、配置NAND/NOR flash驱动，主要是nand_read ，nand_write的实现。 第二阶段：为内核准备（配置）环境。（代码lib_arm/board.c 的start_armboot函数中） 1、初始化本阶段的硬件设备：关闭MMU和数据CACHE。设置CPU寄存器。R0 =0 R1 = 机器ID。R2 = 启动参数表在RAM中的起始地址。

51单片机命名规则

51单片机命名规则 89C51 8代表8位单片机 9代表falsh存储器，此位置为0代表无rom，7代表eprom存储器 c代表CMOS工艺，此位置为S代表ISP编程方式 1代表片内程序存储器容量，容量大小对应为该位数字*4KB 89C52:8KB容量 at89s51_&_stc89c51命名规则 本文介绍了最常见的两种厂家的单片机的命名规则. 以后见了stc和atmel的单片机看看型号就知道,什么配置了. 先说ATMEL公司的AT系列单片机 89系列单片机的型号编码由三个部分组成， 它们是前缀、型号和后缀。格式如下： AT89C XXXXXXXX其中，AT是前缀，89CXXXX是型号，XXXX是后缀。 下面分别对这三个部分进行说明，并且对其中有关参数的表示和意义作相应的解释。 (l)前缀由字母“AT”组成，表示该器件是ATMEL公司的产品。 (2)型号由“89CXXXX”或“89LVXXXX”或“89SXXXX”等表示。 “89CXXXX”中，9是表示内部含Flash存储器，C表示为CMOS产品。 “89LVXXXX”中，LV表示低压产品。 “89SXXXX”中，S表示含有串行下载Flash存储器。

在这个部分的“XXXX”表示器件型号数，如51、1051、8252等。 (3)后缀由“XXXX”四个参数组成，每个参数的表示和意义不同。在型号与后缀部分有“—”号隔开。 后缀中的第一个参数X用于表示速度，它的意义如下： X＝12，表示速度为12 MHz。X＝20，表示速度为20 MHz。 X＝16，表示速度为16 MHz。X＝24，表示速度为24 MHz。 后缀中的第二个参数X用于表示封装，它的意义如下： X＝D，表示陶瓷封装。X＝Q，表示PQFP封装。’ X＝J，表示PLCC封装。X＝A，表示TQFP封装。 X＝P，表示塑料双列直插DIP封装。X＝W，表示裸芯片。 X＝S，表示SOIC封装。 后缀中第三个参数X用于表示温度范围，它的意义如下： X＝C，表示商业用产品，温度范围为0～十70℃。 X＝I，表示工业用产品，温度范围为—40～十85℃。 X＝A，表示汽车用产品，温度范围为—40～十125℃。 X＝M，表示军用产品，温度范围为—55～十150℃。 后缀中第四个参数X用于说明产品的处理情况，它的意义如下： X为空，表示处理工艺是标准工艺。 X＝／883，表示处理工艺采用MIL—STD—883标准。 例如：有一个单片机型号为“AT89C51—12PI”，则表示意义为该单片机是ATMEL公司的Flash 单片机，内部是CMOS结构，速度为12 MHz，封装为塑封DIP，是工业用产品，按标准处理工艺生产。 国产stc单片机.我现在使用的就是stc 89C52RC-40C-PDIP可以看出 52内核,512字节RAM ,最大工作在40MHZ下,脚双列直插式封装形式,商业级. 4.1.1 MCS-51系列和80C51系列单片机

Intel处理器型号命名详解

Intel处理器型号命名详解 　凭借着妇孺皆知的品牌效应和随处可见的广告宣传，Intel的CPU在国内拥有数量极其庞大的用户群。但是由于产品线频繁更新，别说是普通消费者，就连一些泡在卖场的商家都被其种类繁多的产品型号搅得一头雾水。下面笔者就将对这些CPU的型号命名进行讲解，以帮助读者选择自己钟意的产品。 Intel CPU产品介绍 从大的命名规则来看，Intel的CPU产品主要分为Pentium奔腾系列和Celeron赛扬系列处理器。而从架构上区分，目前市面上的Intel CPU产品既有最常见的Socket 478架构，也有老一代的Socket 370架构，还有极少量的Socket 423架构。 (Intel的Pentium 4和Celeron处理器) 一、早期的Socket 370架构： 这是Intel的早期产品，当前二手市场上能见到的有Coppermine铜矿核心的Pentium Ⅲ和Celeron Ⅱ，以及Tualatin图拉丁核心的Celeron Ⅲ。虽然看起来稍显过时，但其实这里面也有着性价比较高的产品。例如Tualatin图拉丁核心的Celeron Ⅲ，因为拥有 32KB的一级缓存和256KB的二级缓存，所以性能与同频的Pentium Ⅲ都有得一拼。并且由于采用了0.13微米制程，所以Tualatin图拉丁赛扬的超频潜力也不错。不过由于Intel的市场策略，Socket 370架构现已被彻底抛弃，基于该架构的主板和CPU产品也因此失去了任何升级潜力。所以这些CPU只适合老用户升级使用，并不推荐新装机的用户购买。 二、过渡型Socket 423架构： 这主要见于Intel第一批推出的Willamette核心Pentium 4产品。但它只不过是昙花一现，上市不久便立即被Socket 478架构所取代。其相应的处理器和主板产品也迅速被品牌机等市场消化，现在市场上已经几乎见不到它们了。所以如果您在逛市场时见到这样的CPU，估计都是不知道从哪翻出的仓底货或是二手产品，笔者奉劝大家尽量少碰为妙。三、主流的Socket 478架构： 这是当前Intel的主流产品，产品线中既包括有高端的Pentium 4处理器，也包括了低端的Celeron处理器。可就是同属Socket 478架构的Intel处理器，也有许多不同类型。这就是我们下面将要讲述的内容。 "ABCDE"含义释疑 我们知道，Intel的不少Pentium 4处理器在频率后面还带有一个字母后缀，不同的字母也代表了不同的含义。 "A"的含义： Pentium 4处理器有Willamette、Northwood和Prescott三种不同核心。其中Willamette核心属于最早期的产品，采用0.18微米工艺制造。因为它发热较大、频率提升困难，而且二级缓存只有256KB，所以性能颇不理想。于是Intel很快用Northwood核心取代了它的位置。Northwood核心Pentium 4采用0.13微米制程，主频有了很大的飞跃，二级缓存容量也翻了一番达到了512KB。为了与频率相同但只有256KB二级缓存的Pentium 4产品区别，Intel在其型号后面加了一个大写字母"A"，例如"P4 1.8A"，代表产品拥有 512KB二级缓存。这些产品均只有400MHz的前端总线(Front Side Bus，简称FSB)。"B"的含义： 同样频率的产品，在更高的外频下可具备更高的前端总线，因此性能也更高。为此Intel在提升CPU频率的同时，也在不断提高产品的前端总线。于是从可以支持533MHz FSB的845E等主板上市开始，市场上又出现了533MHz FSB的Pentium 4处理器。为了与主频相同但是只有400MHz FSB的Pentium 4产品区别开来，Intel又给它们加上了字母"B"作为后缀，例如"P4 2.4B"。 "C"的含义：

nandflash命名规则大全(三星,海力士,美光)

NAND Flash Code Information(1/3)
Last Updated : August 2009
K9XXXXXXXX - XXXXXXX
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1. Memory (K) 2. NAND Flash : 9 3. Small Classification (SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell, SM : SmartMedia, S/B : Small Block) 1 : SLC 1 Chip XD Card 2 : SLC 2 Chip XD Card 3 : 4bit MLC Mono 4 : SLC 4 Chip XD Card 5 : MLC 1 Chip XD Card 6 : MLC 2 Chip XD Card 7 : SLC moviNAND 8 : MLC moviNAND 9 : 4bit MLC ODP A : 3bit MLC MONO B : 3bit MLC DDP C : 3bit MLC QDP F : SLC Normal G : MLC Normal H : MLC QDP K : SLC Die Stack L : MLC DDP M : MLC DSP N : SLC DSP O : 3bit MLC ODP P : MLC ODP Q : SLC ODP R : MLC 12-die stack S : MLC 6 Die Stack T : SLC SINGLE (S/B) U : MLC 16 Die Stack W : SLC 4 Die Stack 4~5. Density 12 : 512M 32 : 32M 64 : 64M 2G : 2G AG : 16G DG : 128G GG : 384G NG : 96G
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6. Technology 0 : Normal (x8) C : Catridge SIP M : moviNAND P : moviMCP Z : SSD 7. Organization 0 : NONE 6 : x16
1 : Normal (x16) D : DDR N : moviNAND FAB T : Premium eSSD
8 : x8
8. Vcc A : 1.65V~3.6V B : 2.7V (2.5V~2.9V) C : 5.0V (4.5V~5.5V) D : 2.65V (2.4V ~ 2.9V) E : 2.3V~3.6V R : 1.8V (1.65V~1.95V) Q : 1.8V (1.7V ~ 1.95V) T : 2.4V~3.0V S : 3.3V (3V~3.6V/ VccQ1.8V (1.65V~1.95V) U : 2.7V~3.6V V : 3.3V (3.0V~3.6V) W : 2.7V~5.5V, 3.0V~5.5V 0 : NONE 9. Mode 0 : Normal 1 : Dual nCE & Dual R/nB 3 : Tri /CE & Tri R/B 4 : Quad nCE & Single R/nB 5 : Quad nCE & Quad R/nB 6 : 6 nCE & 2 RnB 7 : 8 nCE & 4 RnB 8 : 8 nCE & 2 RnB 9 : 1st block OTP A : Mask Option 1 L : Low grade 10. Generation M : 1st Generation A : 2nd Generation B : 3rd Generation C : 4th Generation D : 5th Generation E : 6th Generation Y : 25th Generation Z : 26th Generation
16 : 16M 40 : 4M 80 : 8M 4G : 4G BG : 32G EG : 256G HG : 512G ZG : 48G
28 : 128M 56 : 256M 1G : 1G 8G : 8G CG : 64G FG : 256G LG : 24G 00 : NONE
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Part Number Decoder

flash开发中的命名

1、违反：代码规范的目的是增加代码的可读性，便于程序的维护所有有利于代码可读性的违反都是被允许的 .左大括号须放置于组合语句开始的末尾。 If(loggedin()){ https://www.wendangku.net/doc/c47280633.html,bel=”Welcome’; }else{ https://www.wendangku.net/doc/c47280633.html,bel=”Access”; } 2、命名规则使用含义丰富的名字(Use meaningful names) 在缩写中，只将首字母大写 如果一个类成员是由缩写开始，则该缩写全部使用小写字母，此约定不适用到常量 再说句废话，所有的名字都应该使用英文 3、包命名（package names Package names should be lower case 包的名字应全部为小写； 4、类命名（class names） Class neames should be nouns in singular form,written in mixed cases starting with upper case (类应该以名词单数形式，首字母大写，大小写混排，方式命名) Class representing collections should have names in plural form (表示一组事物的类应使用复数形成；) Names of exception classes should be prefixed with Error (异常类的名字须以Error开头) Defauit implementations of interfaces can be prefixed with Default; （接口的默认实现类可以以Ddfault开头） 接口命名Interface names Interface names should be nouns or adjectives prefixed with letter”I” (接口的名字应为字母“I”开头的名词或形容词) 变量/属性命名Variable/property names Private class variable names should be in mixed cases starting with lower case prefixed with ”_’; （私有类的变量名称应为以下划线为前缀，小写字母开头的大小写混排） Private var _lastYear:int; Private var _loader:Loader; 注：函数中局部变量的名字不必在前面加_; Property names should be in mixed cases starting with lower case (属性名应以小写字母开头，大小写字母混排) Parameter name can be suffixed with “_’ to differentiate it with variabke/property name

最新整理Intel处理器命名规则是怎样的

I n t e l处理器命名规则是怎样的 相信我们大多数人电脑都是使用I n t e l的处理器，处理器有很多种，官方都是怎么进行命名的呢?在I n t e l C P U型号中，都有哪些C P U是带后缀的呢?请看下文解析。 I n t e l处理器命名规则是怎样的? M：笔记本专用C P U，一般为双核，M前面一位数字是0，意味着是标准电压处理器，如果是7，则是低电 压处理器。 U：笔记本专用低电压C P U，一般为双核，U前面一位数字为8，则是28W功耗的低压处理器(标准电压双核处理器功耗为35W)，若前一位数字为7，则是17W功耗的低压处理器，若为0，则是15W功耗的低压处理器。 H：是高电压的，是焊接的，不能拆卸。 X：代表高性能，可拆卸的。 Q：代表至高性能级别。 Y：代表超低电压的，除了省电，没别的优点的了，是不能拆卸的。 T：是涡轮增压技术，能增加C P U的转速，比如5400转的，可以提升到7200转，用来增加C P U性能。 K：可以超频的版本。

无后缀的是标准版。 Q M(第四代开始改为M Q)：笔记本专用C P U，Q是Q u a d 的缩写，即四核C P U。若Q M前一位数字是0，则表示此产品为功耗45W的标准电压四核处理器，若为2，则表示此产品为35W功耗的低电压四核处理器，若为5，与对应为0的C P U主要规格相同，但集成的核芯显卡频率更高(如3630Q M和3635Q M，后者核显最大频率 1.2G H z，前者则是 1.15G H z)。 H Q：第四代C P U新出现的系列，主要参数和标准的四核C P U一致，但集成了性能空前强大的核芯显卡I r i s P r o5200系列，这种核显的性能可以直接媲美中端独立显卡。目前有i74750H Q，4850H Q和4950H Q三款C P U，后来出了一款i7 4702H Q，并没有集成高性能核芯显卡，是定位较为模糊的一款产品。 X M：最强大的笔记本C P U，功耗一般为55W。X意为E x t r e m e，此类型C P U完全不锁频，在散热和供电允许 的情况下可以无限制超频，而即便是默认频率下，也比同一时代的其它产品强大得多。这类C P U都是工厂生产后精心挑选出来得极品，质量极佳，性能完美，但价格非常昂贵。一块X M系列的C P U批发价可达1000美金以

最新三星FLASH命名规则

三星F L A S H命名规则

Samsung nand flash ID spec 三星在nand flash存储方面也是投入了很多精力，对于pure nand flash、OneNAND（带controller的nand flash模块）以及nand的驱动都有很深层的开发。后面说的nand都会基于Samsung的产品，包括驱动。三星的pure nand flash（就是不带其他模块只是nand flash存储芯片）的命名规则如下： 1. Memory (K) 2. NAND Flash : 9 3. Small Classification (SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell, SM : SmartMedia, S/B : Small Block) 1 : SLC 1 Chip XD Card 2 : SLC 2 Chip XD Card 4 : SLC 4 Chip XD Card A : SLC + Muxed I/ F Chip B : Muxed I/ F Chip D : SLC Dual SM E : SLC DUAL (S/ B) F : SLC Normal G : MLC Normal H : MLC QDP J : Non-Muxed One Nand K : SLC Die Stack L : MLC DDP M : MLC DSP N : SLC DSP Q : 4CHIP SM R : SLC 4DIE STACK (S/ B) S : SLC Single SM T : SLC SINGLE (S/ B) U : 2 STACK MSP V : 4 STACK MSP W : SLC 4 Die Stack 4~5. Density 12 : 512M 16 : 16M 28 : 128M 32 : 32M 40 : 4M 56 : 256M 64 : 64M 80 : 8M 1G : 1G 2G : 2G 4G : 4G 8G : 8G AG : 16G BG : 32G CG : 64G DG : 128G 00 : NONE 6~7. organization 00 : NONE 08 : x8

Intel芯片组命名规则

Intel芯片组命名规则 Intel芯片组往往分系列，例如845、865、915、945、975等，同系列各个型号用字母来区分，命名有一定规则，掌握这些规则，可以在一定程度上快速了解芯片组的定位和特点： 一、从845系列到915系列以前 PE是主流版本，无集成显卡，支持当时主流的FSB和内存，支持AGP插槽。 E并非简化版本，而应该是进化版本，比较特殊的是，带E后缀的只有845E这一款，其相对于845D是增加了533MHz FSB支持，而相对于845G之类则是增加了对ECC内存的支持，所以845E常用于入门级服务器。 G是主流的集成显卡的芯片组，而且支持AGP插槽，其余参数与PE类似。 GV和GL则是集成显卡的简化版芯片组，并不支持AGP插槽，其余参数GV则与G 相同，GL则有所缩水。 GE相对于G则是集成显卡的进化版芯片组，同样支持AGP插槽。 P有两种情况，一种是增强版，例如875P；另一种则是简化版，例如865P 二、915系列及之后 P是主流版本，无集成显卡，支持当时主流的FSB和内存，支持PCI-E X16插槽。 PL相对于P则是简化版本，在支持的FSB和内存上有所缩水，无集成显卡，但同样支持PCI-E X16。 G是主流的集成显卡芯片组，而且支持PCI-E X16插槽，其余参数与P类似。 GV和GL则是集成显卡的简化版芯片组，并不支持PCI-E X16插槽，其余参数GV 则与G相同，GL则有所缩水。 X和XE相对于P则是增强版本，无集成显卡，支持PCI-E X16插槽。 总的说来，Intel芯片组的命名方式没有什么严格的规则，但大致上就是上述情况。另外，Intel芯片组的命名方式可能发生变化，取消后缀，而采用前缀方式，例如P965和Q965等等。 三、965系列之后 从965系列芯片组开始，Intel改变了芯片组的命名方法，将代表芯片组功能的字母从后缀改为前缀，并且针对不同的用户群体进行了细分，例如P965、G965、Q965和Q963等等。 P是面向个人用户的主流芯片组版本，无集成显卡，支持当时主流的FSB和内存，支持PCI-E X16插槽。 G是面向个人用户的主流的集成显卡芯片组，而且支持PCI-E X16插槽，其余参数与P类似。 Q则是面向商业用户的企业级台式机芯片组，具有与G类似的集成显卡，并且除了具有G的所有功能之外，还具有面向商业用户的特殊功能，例如Active Management Technology(主动管理技术)等等。

Flash快闪记忆体分类介绍

Flash快閃記憶體分類介紹：SLC/MLC/黑片 1 Flash快閃記憶體是非易失性記憶體，這是相對於SDRAM等記憶體所說的。即記憶體斷電後，內部的資料仍然可以保存。Flash根據技術方式分為Nand 、Nor Flash和AG-AND Flash，而U盤和MP3中最常用的記憶體就是Nand Flash。 NOR和NAND是現在市場上兩種主要的非易失快閃記憶體技術。Intel于1988年首先開發出NOR flash技術，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統天下的局面。緊接著，1989年，東芝公司發表了NAND flash結構，強調降低每比特的成本，更高的性能，並且象磁片一樣可以通過介面輕鬆升級。但是經過了十多年之後，仍然有相當多的硬體工程師分不清NOR 和NAND快閃記憶體。大多數情況下快閃記憶體只是用來存儲少量的代碼，這時NOR快閃記憶體更適合一些。而NAND則是高資料存儲密度的理想解決方案。 Nand Flash也有幾種，根據技術方式，分為SLC、MCL、MirrorBit等三種。SLC 是Single level cell的縮寫，意為每個存儲單元中只有1bit資料。而MLC就是Multi-Level-Cell，意為該技術允許2 bit的資料存儲在一個存儲單元當中。而MirrorBit則是每個存儲單元中只有4bit資料。 SLC的技術存儲比較穩定，SLC的技術也最為成熟。然而MLC可以在一個單元中有2bit資料，這樣同樣大小的晶圓就可以存放更多的資料，也就是成本相同的情況下，容量可以做的更大，這也是同樣容量，MLC價格比SLC低很多的原因。通常情況下相同容量的MLC和SLC，MLC的價格比SLC低30％~40%，有些甚至更低。 區分SLC(停產)和MLC（現在主流，分新老制程，60NM 和56/50NM ） 1、看Flash的型號：根據Flash的命名規則，進行區分。 2、測試讀寫速度：SLC的非常快，MLC的很慢。 ： 目前市場上還流行黑片、白片的說法，這些都是Downgrade Flash的類型，由於Flash制程和容量的提升，內部的構成越來越複雜。而新的制程推出時，產品良率並不一定理想，那些不良的Flash有些是容量不足，有些是壽命不能達到要求，有些是測試不能通過，這些不能達到出廠要求的Flash都被稱為Downgrade Flash。Downgrade Flash有些由廠家推向市場，比如Spectech等就是鎂光(Micron)的Downgrade Flash。而另外一部分作為廢品淘汰掉，但是利潤驅使，這些廢品也會低價被收購流入市場。一些廠家以各種方案的掃描工具(Soting Board)來檢驗出來哪些能夠使用。這些廠家收購Flash按斤回收，通過少則數十台Soting

英特尔命名规则 (8页)

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三星的nand flash的命名规则

三星的pure nand flash的命名规则如下： K 9 ×××××××× - ×××× ××× 1 2 3 4~5 6~7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 1. Memory (K) 2. NAND Flash : 9 3. Small Classification (SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell, SM : SmartMedia, S/B : Small Block) 1 : SLC 1 Chip XD Card 2 : SLC 2 Chip XD Card 4 : SLC 4 Chip XD Card A : SLC + Muxed I/ F Chip B : Muxed I/ F Chip D : SLC Dual SM E : SLC DUAL (S/ B) F : SLC Normal G : MLC Normal H : MLC QDP J : Non-Muxed OneNand K : SLC Die Stack L : MLC DDP M : MLC DSP N : SLC DSP Q : 4CHIP SM R : SLC 4DIE STACK (S/ B) S : SLC Single SM T : SLC SINGLE (S/ B) U : 2 STACK MSP V : 4 STACK MSP W : SLC 4 Die Stack 4~5. Density 12 : 512M 16 : 16M 28 : 128M 32 : 32M 40 : 4M 56 : 256M 64 : 64M 80 : 8M

Flash知识点总结(有用哦)(吐血推荐)

Flash基础知识点总结(一) Flash的工作界面 标题栏主工具栏文档选项卡 工具箱 舞 属性面板编辑栏库面板

舞台：进行创作的主要工作区域。 标尺、网格、编辑栏中设置显示比例。 场景概念： 时间轴窗口：由一系列的帧组成，每一帧是一幅瞬时图。分为：图层控制区和时间轴控制区。时间线是通过时间变化精确控制图层在每一秒的位置的工具。默认12帧/秒。Fps(framepersecond) 工具箱：主要绘图工具 动画播放控制器面板 属性窗口：设置对象属性 动作窗口：编写动作脚本 浮动面板：如：库窗口：用于存放重复元素。 （二）Flash动画的制作原理 在时间轴的不同帧上放置不同的对象或设置同一对象的不同属性，例如形状、位置、大小、颜色和透明度等，当播放指针在这些帧之间移动时，便形成了动画。

（三）重要概念 图形：是组成Flash动画的基本元素。制作动画时，可利用Flash的工具箱提供的工具绘制出动画需要的任何图形。 元件：是指可以在动画场景中反复使用的一种动画元素。它可以是一个图形，也可以是一个小动画，或者是一个按钮。 图层：图层就像好多透明的纸，用户可以在不同的纸上绘制各种图画，然后再将所有的纸叠在一起就构成了一幅完整的图画。位于下层的图形将在上层中空白或者透明的地方显示出来。 帧：帧分为关键帧、空白关键帧和普通帧三种类型。 关键帧是可以直接在舞台上编辑其内容的帧, 记录动画内容发生根本性变化的画面。只有关键帧才能进行编辑。F6:插入关键帧。插入关键帧时将上一状态的帧内容完全复制。 空白关键帧帧内没有画面，帧标识是空心小圆圈； 普通帧的作用是延伸关键帧上的内容。 帧频：每秒钟播放的帧数，默认12fps 一般认为是网页上最合适的速度。

酷睿处理器命名规则

英特尔酷睿处理器命名规则 前面酷睿和iX标识和上一代完全相同的，不做更多介绍。变化主要是中间四位数字和最后两位字母。 第一位“4”：代表英特尔酷睿第四代处理器； 第二位“5”“6”“7”“8”“9”：这些数字代表处理器等级排序，数字越大性能等级相对越高；第三位“3”“5”“0”：这一位基本上就是对应核芯显卡的型号，其中“3”代表高性能处理器配HD 4600；“5”代表核芯显卡采用的是Iris 5000、5100或者Pro 5200；而“0”则是HD 4600；第四位“0”“2”“8”：“0”在标准电压中代表47W，而在低电压中是代表15W；“2”则代表37W，“8”在低电压处理器中代表28W； 第五位“MX”“HQ”“MQ”“U”：字母“MX”代表旗舰级，“HQ”封装方式FCBGA1364，并且部分支持Trusted Execution Technology和博锐技术，“MQ”版本封装方式FCBGA946， “U”代表超低电压以15W和28为主； 英特尔官方网站首批移动版酷睿i7处理器共有14款，其中TDP为57W的只有一款，就是之前我们评测过的酷睿i7-4930MX，不过其搭载的核芯显卡是HD 4600，并不是大家想看到的Iris Pro 5200。另外，酷睿i7 M、H系列也有细微的区别，初看后可能会认为H代表高性能、M代表主流。结果恰恰相反，M系列CPU频率比H系列更高，只是GPU没有使用最好的GT3e，旗舰型号Core i7-4930MQ的热设计功耗也唯一达到了57W。 除了酷睿i7外，官方网站也展示了酷睿i5和酷睿i3的具体规格。酷睿i5和i3低电压版分为U和Y两种系列，命名规则中主要也区别在后四位上。拿其中的酷睿i5-4200Y和酷睿i5-4258U为例，第一位“4”是第四代酷睿处理器；第二位的“2”则是产品序列，个人理解理论上数字越高性能越好；第三位数字“5”代表的是核芯显卡系列HD 5000以及Iris（锐矩）5100，“0”和“1”都是HD 4400和HD 4200；第四位“0”代表15W，而如果标注数字是“8”的，TDP 则是28W，最后一位字母U依然代表低电压，而全新的“Y”字母则代表更低功耗的11.5W。注：在表格中有一项SDP是之前没有过的，英特尔以往使用热设计功耗(TDP)来衡量计算机在最差情况下的功耗，即CPU全速运行一段时间的功耗。目前，英特尔引入了一个新概念，即场景设计功耗(SDP)。这主要衡量计算机在媒体播放等轻量级应用下的功耗。英特尔将以SDP来衡量用于平板电脑和笔记本的的处理器。可以看到，只有超低功耗的11.5W处理器上才会有SDP场景设计功能。 附：酷睿i7处理器中core i7 4710MQ 排名在五名左右（联想Y400-430笔记本系列CPU）

单片机的命名规则

系列产品命名规则 图为Intel公司80C51系列单片机产品命名规则。 Intel 80C51系列单片机产品命名规则 Mask ROM：为掩模ROM。 EPROM：紫外线可擦除ROM。 2. Atmel 80C51系列产品命名规则 Atmel公司是第一家将Flash EEPROM存储器用于80C51系列单片机的生厂商，其典型产品有AT89C51、AT89C52，对应的低功耗产品为AT89LV51

和AT89LV52。图为Atmel公司80C51系列单片机产品命名规则。 Atmel 80C51系列单片机产品命名规则 Flash EEPROM：在片程序存储器为电可擦除的闪速存储器Flash EEPROM。 LV：Low-Voltage，芯片工作电源电压为2.7V～6V。 8 9 系列单片机的型号编码 89 系列单片机的型号编码由三个部分组成它们是前缀型号和后缀格式如下 AT89C XXXXXXXX 其中AT 是前缀89CXXXX 是型号XXXX 是后缀 下面分别对这三个部分进行说明并且对其中有关参数的表示和意义作相应的解释 (l)前缀由字母AT 组成表示该器件是ATMEL 公司的产品 (2)型号由89CXXXX 或89LVXXXX 或89SXXXX 等表示

89CXXXX 中9 是表示部含 Flash 存储器C 表示为 CMOS 产品 89LVXXXX 中LV 表示低压产品 89SXXXX 中S 表示含有串行下载 Flash 存储器 在这个部分的XXXX 表示器件型号数如51 1051 8252 等 (3)后缀由XXXX 四个参数组成每个参数的表示和意义不同在型号与后缀部分有”-”号隔开 后缀中的第一个参数 X 用于表示速度它的意义如下 X 12 表示速度为12 MHz X 20 表示速度为20 MHz X 16 表示速度为16 MHz X 24 表示速度为24 MHz 后缀中的第二个参数 X 用于表示封装它的意义如下 X D 表示瓷封装 X Q 表示 PQFP 封装 X J 表示 PLCC 封装 X A 表示 TQFP 封装 X P 表示塑料双列直插 DIP 封装 X W 表示裸芯片 X S 表示 SOIC 封装 后缀中第三个参数 X 用于表示温度围它的意义如下 X C 表示商业用产品温度围为0 十 70 X I 表示工业用产品温度围为40 十 85 X A 表示汽车用产品温度围为40 十 125 X M 表示军用产品温度围为55 十 150 后缀中第四个参数 X 用于说明产品的处理情况它的意义如下 X 为空表示处理工艺是标准工艺 X 883 表示处理工艺采用 MIL STD 883 标准

Intel CPU命名规则

Dothan: 英特尔从这一代移动处理器开始，放弃了用频率来标注CPU，而使用了三位数字的方法来命名，用户的困惑也由此生根。我们需要解释一下，这三位数字的规律是:从左向右数的第一位数字，若是“7”则代表是奔腾M，若是“3”则代表赛扬M;从左向右数的第二位数字代表相对频率的高低，具体是多少需要参看下面的表格;结尾的数代表了处理器的前端总线和电压的信息，其中以“7“开头“0”结尾的代表前端总线为533MHZ的奔腾M，以“7“开头“5”结尾的，代表前端总线为400MHZ的奔腾M，“8”结尾表示是低电压版处理器，而“3”结尾的则表示超低电压版产品。 下面再来看看具体的命名对照表: 准版奔腾M： 低电压版奔腾M、超低电压版奔腾M、Dothan核心赛扬M 低电压版奔腾M： 超低电压版奔腾M：

Dothan核心赛扬M： Yonah: 从yonah开始，英特尔移动CPU启用Core命名，双核产品被称为Core Duo,单核产品则被称为Core Solo。在具体产品命名上，英特尔改变了上一代奔腾M所采用的三位数字命名方法，而开始采用一个由字母开头，后接四位数字的命名方法。打头的字母有T、L(LOW)和U(ULTRA LOW)三种，分别代表标准电压版、低电压版和超低电压版处理器。四位数字中从左往右数的第一位，若是“1”就代表单核产品、“2”则代表双核产品。从左往右数的第二位数字代表了同系列产品中相对频率的高低，数字越大则频率越高。举个例子，T2300，就表示这款产品是双核的标准电压处理器，“3”是它的相对频率，实际频率为1.66GHZ。 在yonah家族中，还有两款缩水版的T系列处理器，他们分别是T2050和T2250，这两款处理器的前端总线由标准的667MHZ降为了533MHZ，二级缓存保持不变，他们的频率分别为1.6GHZ 和1.73GHZ。T2050是一款性价比相当高的处理器，它的性能和T2300相差在5%以内，而采用它的笔记本的价格就要便宜500元以上。此外，还有一款名为T2300E的Yonah值得注意，正是它先前让戴尔卷入了“换芯事件”，这款处理器除了不支持VT虚拟化技术化，其余的各项指标完全和T2300一样。 我们来看看Yonah家族的产品规格表: Core Duo:

三星NAND FLASH命名规则

三星的pure nand flash（就是不带其他模块只是nand flash存储芯片）的命名规则如下：第1位. Memory (K) 第2位. NAND Flash : 9 第3位. Small Classification(SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell,SM : SmartMedia, S/B : Small Bl ock) 1 : SLC 1 Chip XD Card 2 : SLC 2 Chip XD Card 4 : SLC 4 Chip XD Card A : SLC + Muxed I/ F Chip B : Muxed I/ F Chip D : SLC Dual SM E : SLC DUAL (S/ B) F : SLC Normal G : MLC Normal H : MLC QDP J : Non-Muxed OneNand K : SLC Die Stack L : MLC DDP M : MLC DSP N : SLC DSP Q : 4CHIP SM R : SLC 4DIE STACK (S/ B) S : SLC Single SM T : SLC SINGLE (S/ B) U : 2 STACK MSP V : 4 STACK MSP W : SLC 4 Die Stack 第4~5位. Density（注：实际单位应该是bit，而不是Byte） 12 : 512M 16 : 16M 28 : 128M 32 : 32M 40 : 4M 56 : 256M 64 : 64M 80 : 8M 1G : 1G 2G : 2G 4G : 4G 8G : 8G AG : 16G BG : 32G CG : 64G

Intel-CPU分类解析

英特尔?处理器发展至今，已诞生了好几个家族， 分别有赛扬?、奔腾?、酷睿?、至强?、凌动?、Quark?、安腾?等系列。 比较常见的几个系列中，最早的是赛扬Celeron系列，所以性能比较落后，主打低端市场；接着就是奔腾Pentium系列，随着家族系列的发展，奔腾Pentium系列也逐步沦为低端市场， 但在性能上相较于赛扬Celeron系列会略胜一筹； 发展至今酷睿Core系列处理器已然成为主流， 上市以来以多核心、多线程、集成GPU功能提供一体式的影音娱乐解决方案为目标， 酷睿Core系列处理器可以说是大家最为熟悉、常见的， 也是众多品牌厂商常用到笔记本处理器 酷睿Core系列处理器命名规则 1、品牌 intel?Core?（英特尔?酷睿?）为家族品牌。 2、CPU家族标识 i7为CPU家族标识，酷睿Core系列分别有i3、i5、i7 分属低中高端三个系列定位。 *移动端i3为双核处理器，支持超线程技术，也就是2个核心模拟出4个线程，无睿频技术。常见于各类商务笔记本，娱乐笔记本，性能中等，不适合大型游戏。 *移动端i5有双核和四核，支持超线程技术，相对i3主要增加了睿频技术，

可以在不同负载下主频动态变化以达到较好的节能效果。 低压i5在商务笔记本，娱乐笔记本中较为常见，标压i5则是在中高端笔记本里面使用频率最高。 *移动端i7则复杂一些，价格一般较贵，有双核和四核，支持超线程，睿频技术。 其睿频幅度非常大，指令集支持上最为完善，常见于中高端游戏本。 3、代数 4为CPU代数，至今已发展至第七代，每一代架构都不同，工艺也会有所差异。 第一代为Arrandale架构，32NM工艺。第二代为Sandy Bridge架构，32NM工艺。 第三代为Ivy Bridge架构，22NM工艺。第四代为Haswell架构，22NM工艺。 第五代为Broadwell架构，14NM工艺。第六代为Skylake架构，14NM工艺。 第七代为Kaby Lake架构，14NM工艺。第八代据有关消息透漏为7NM工艺的，架构未知。 目前，第一~三代处理器已经逐步被淘汰出市场， 市场上四代处理器也已经属于清货阶段，主流的处理器以五代和六代居多。 七代处理器是今年新推出的，暂时只是先推出低压U系列， 标压系列还未全面铺货，而价格方面也是相对比较贵。 4、产品尾缀 M属于产品线尾缀，意为移动标压。 Intel在台式主机和笔记本领域处理器型号非常多，其中型号后缀也较为复杂， 常见的笔记本处理器后缀有Y、U、M、MQ、H、HQ、K等。 尾缀Y： 代表超低电压，散热功耗为10W，如：MY-6Y30、M5-6Y54、M7-6Y75等这种处理器，主要用于二合一的产品。 尾缀U： 代表低电压，散热功耗为15W，如：i5-4200U、i5-5200U、i5-6200U，主要用于超极本和