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模电(李国立)10章习题答案

10 模拟集成电路

自我检测题

一．选择和填空

1.试比较图选择题1中三个电流源电路的性能，填空：I0更接近于I REF的电路是 a ；I0受温度影响最小的电路是b ；I0受电源电压变化影响最大的电路是a 。

0I0

R R

( a )( b )

图选择题1

2．差分放大电路是为了C 而设置的（A．提高放大倍数，B．提高输入电阻，C．抑制温漂），它主要通过 F 来实现。（D．增加一级放大电路，E．采用两个输入端，F ．利用参数对称的对管）。

3．在长尾式的差分放大电路中，R e的主要作用是B 。

（A．提高差模电压放大倍数，B．抑制零漂，C．增大差模输入电阻）

4．在长尾式的差分放大电路中，R e对B 有负反馈作用。

（A．差模信号，B．共模信号，C．任意信号）

5．差分放大电路利用恒流源代替R e是为了C 。

（A．提高差模电压放大倍数，B．提高共模电压放大倍数，C．提高共模抑制比）

6．具有理想电流源的差分放大电路，无论何种组态，其共模抑制比A 。

（A．均为无穷大，B．均为无穷小，C．不相同）

7．输入失调电压V IO是C 。

(A．两个输入端电压之差，B．两个输入端电压均为零时的输出电压，C．输出电压为零时，两个输入端之间的等效补偿电压)

8．V IO越大，表明运放B 。（A．开环差模电压放大倍数越小，B．输入差放级V BE 或（V GS）的失配越严重，C．输入差放级β的失配越严重）

9．输入失调电流I IO是C 。

（A．两个输入端信号电流之差，B．两个输入端信号电流均为零时的输出电流，C．两个输入端静态电流之差）

10．I IO越大，表明运放B 。

（A．差模输入电阻越小，B．输入差放级β的失配越严重，C．输入差放级V BE 或（V GS）的失配越严重）

二．判断题（正确的在括号内画√，错误的画×）

1．一个理想对称的差分放大电路，只能放大差模输入信号，不能放大共模输入信号。

（√ ）

2．共模信号都是直流信号，差模信号都是交流信号。（ ? ） 3．对于长尾式差分放大电路，不论是单端输入还是双端输入，在差模交流通路中，发射极电阻R e 一概可视为短路。（ √ ）

4．在长尾式差分放大电路单端输入情况时，只要发射极电阻R e 足够大，则R e 可视为开路。（ √ ）

5．带有理想电流源的差分放大电路，只要工作在线性范围内，不论是双端输出还是单端输出，其输出电压值均与两个输入端电压的差值成正比，而与两个输入端电压本身的大小无关。（ √ ）

6．单端输入差分放大电路的差模输入信号等于该输入端信号的大小。（ √ ） 7．双端输入差分放大电路的差模输入信号等于两输入端信号的差值。（ √ ） 8．单端输入差分放大电路的共模输入信号等于该输入端信号的一半。（ √ ） 9．差分放大电路的输出信号电压值等于差模电压放大倍数与差模输入电压的乘积。

（ ? ）

10．由于集成运放实际上是一个直接耦合放大电路，因此它只能放大直流信号，不能放大交流信号。（ ? ）

11．实际集成运放在开环时，其静态输出电压很难调整到零电压，只有在闭环时才能调至零电压。（ √ ）

12．实际集成运放在开环时，其输出电压只有两种可能取值，即输出高电平或输出低电平。（ √ ）

习题

10.1在图题10.1所示的镜像电流源电路中， T 1、T 2特性相同，且β足够大，V 6.0BE =V 。试计算I C2的值。

2k ΩI C2V CE2

R 1

图题10.1

解：mA R V V I I I BE

CC REF C C 7.41

12=-=

≈=

10.2电流源电路如图题10.2所示。已知T 1、T 2特性相同，且β足够大，V BE ＝-0.6V ，电阻R 1＝R 2＝4.8k Ω，R 3＝54k Ω。

（1）估算I C2＝？

（2）T 2的集电极电位V C2大小有无限制？若有，有何限制？

CC ( 15V)

R R

图题10.2

解：

（1）mA R R V V V I I I BE EE CC REF C C 5.03

12=+-+=

≈=

（2）为保证T 2正常放大，必须有V C2≤ V B2 而 V V R I V V R I V V BE C EE BE E EE B 121121112=--≈--= 故V C2≤12V

10.3某集成运放的一个单元电路如图题10.3所示。T 1、T 2特性相同且β足够大。（1）指出由T 1、T 2和R 组成的电路名称是什么？（2）写出I C2的近似表达式。

图题10.3

解：

（1）T 1、T 2和R 组成镜像电流源电路

（2）R

V V I I BE CC REF C 1

2-=

≈

10.4 差分放大电路如图题10.4所示。设T 1、T 2特性对称且β1＝β2＝β＝100， V BE1

＝V BE2＝V BE ＝0.6V ，bb 1bb 2240r r ''==Ω。试估算：

（1）T 1、T 2集电极的静态电位（对地）V C1、V C2；

（2）当v i ＝20mV 时，T 1、T 2的集电极电位（对地）v C1、v C2。

图题10.4

解：

（1）mA R R V V I I I I e

EE E E C C 1.0212121≈++-=

=≈=β

V R I V V V c C CC C C 91121=-== （2）Ω=++='k I r r E

b b be 5.2626

)1(β 4.67)

(22121-=+-=-==

-=be b c

i c i c vd vd r R R v v v v A A β V v A V v i vd C C 65.702.04.679111=?-=+= V v A V v i vd C C 35.1002.04.679222=?+=+=

10.5双端输入、单端输出差分放大电路如图题10.5所示。T 1、T 2两管特性对称，β＝60，V BE ＝0.6V ，r be ＝6.9K Ω，V CC ＝V EE ＝15V ，R b ＝2 K Ω，R e ＝30K Ω，R c ＝20K Ω。

（1）估算T 1的静态工作点I C1、V CE1、V C1；

（2）求差模电压放大倍数)(211d1i i c v v v v A -=，共模电压放大倍数ic c v v v A 1c1=和共模抑制比11CMR1vc vd A A K =；

（3）当v i1＝100mV ，v i2＝50mV 时，输出信号电压v o ＝v c1＝？输出端C 1对地的电位v C1＝？

（4）若T 2发射极与电阻R e 之间断开，判断T 1是否仍处于放大状态。若能正常放大，试估算==111i c v v v A ？

图题10.5

解：

（1） mA R R V V I I I I e

EE E E C C 24.0212121≈++-=

=≈=β

V V R I V BE b E

E 59.01-=-+=

V R I V V C C CC C 2.101=-= V V R I V V E C C CC CE 79.101=--=

（2） 4.67)

(211-=+-==

be b c

i c vd r R R v v A β 328.02)1(11-=+++-==

be b c ic c vc R r R R v v A ββ 5.2051

1≈=

vc vd CMR A A K （3） V v v v v v A v A v v i i i i ic vc id vd c o 39.32

328

.0)(4.672

121111-=+--?-=+== V v V v c C C 81.639.32.10111=-=+=

（4） mA R R V V I I e

EE E C 48.0111≈++-=

≈β

V V R I V BE b E

E 59.01-=-+=

V R I V V C C CC C 4.511=-=

V V R I V V E C C CC CE 61=--=

故T 1仍能正常放大

66.0)1(111-≈+++-=

be b c

i c v R r R R v v A ββ

10.6差分放大电路如图题10.6所示。设晶体管T 1、T 2的参数对称β均为50，r be 均为2.6k Ω。试估算：

（1）差模电压放大倍数A v d ；

（2）共模电压放大倍数A v c 和共模抑制比K CMR 。

V EE ( 12V)

图题10.6

解：（1）11)

(211-=+-==

be s c

i c vd r R R v v A β （2）画出共模微变等效电路如下图所示

Ω=++='k R r R e be i 10232)1(β

45.0////1-='

'-=

i b s i b i c vc R R R R R R R A β

4.241

1≈=

vc vd CMR A A K

10.7单端输入、单端输出差分放大电路如图题10.7所示。设晶体管T 1、T 2参数β1＝β2＝50，r be1＝r be2＝2k Ω，V BE1＝V BE2＝0.6V 。试估算：

（1）差模电压放大倍数d v A ，差模输入电阻R id 和输出电阻R o ；（2）共模电压放大倍数c v A 和共模抑制比K CMR 。

V EE ( 12V)

图题10.7

解：

（1） 5.622//21===

c i o

d vd r R R v v A β Ωk 42b

e id =≈r R Ωk 10c2o =≈R R

(3) 25.02)1(//21-=++-==

be L c ic oc vc R r R R v v A ββ 2501

1≈=

vc vd CMR A A K

10.8差分放大电路如图题10.8所示。设场效应管T 1、T 2参数相同，且g m ＝1mS ，r ds ＝

∞。试估算：

（1）差模电压放大倍数d v A ；

（2）共模电压放大倍数A v c 和共模抑制比K CMR 。

图题10.8

解：

（1） 52

1d m d ≈=R g A v （2） 476.021s

m d m ic oc c -=?+-==R g R g v v A v

5.10c

CMR ≈=

v v A A K

10.9设图题10.9所示恒流源式差分放大电路中，晶体管T 1、T 2特性对称，且β＝60，V BE ＝0.7V ，r bb’＝300Ω。试估算：

（1）静态工作点I C1、I C2 、V C1、V C2；

（2）当输入电压v i1＝1V ，v i2＝1.01V 时，单端输出信号电压v o1＝？

EE ( 6V)

图题10.9

解：

（1）m A 55.02

E2E1C2C1=====I I I I I V 6c C1CC C1=-=R I V V

V 12C2=V

（2） Ωk 18.326

)

1(be ≈++='E

b b I r r β ()7.632be b1c

id o1d1-≈+-==

r R R v v A v β ()V 64.0i2i1d1o1=-=v v A v v

10.10恒流源式差分放大电路如图题10.10所示。设各晶体管特性均相同，且V BE ＝0.7V ，已知电阻R 3＝1k Ω，电源电压V CC ＝V EE ＝9V ，且负电源提供的总电流为4mA ，现要求T 1、T 2静态集电极电流I C1＝I C2＝1mA ，试计算电阻R 1和R 2的电阻值。

图题10.10

解： V R I V V C R R 223132===

mA 224C12=-=I I R

故 Ω==

k I V R R R 12

2 Ω=--==

k I V V V I V R R BE

R EE R R 15.32

2111 选R 1为3.3K Ω，R 2为1K Ω

10.11恒流源式差分放大电路如图题10.10所示。设晶体管T 1、T 2、T 3、T 4特性相同，β＝50，r be ＝1.5k Ω，V BE ＝0.7V ，R W ＝100Ω，且其滑动端位于中点，V CC ＝V EE ＝12V ，R c1＝R c2＝R c ＝5k Ω，R b1＝R b2＝R b ＝1k Ω，R L ＝10k Ω，R 2＝1k Ω，R 1＝R 3＝5k Ω。试估算：

（1）静态时各管的I C 和T 1、T 2管的V C ；（2）差模电压放大倍数)(21d i i o v v v v A -=；

（3）差模输入电阻R id 和输出电阻R od 。解：

（1） m A 88.12

1BE EE C4≈+-≈R R V

V I

mA 38.0C43

C3≈=

I R R I m A 19.02

C3C2C1≈=

=I I I V 05.11c C1CC C2C1=-==R I V V V

（2） ()75.242

12//

be b L c d -≈+++??

? ??-

r R R R A v ββ

（3） ()Ωk 1.10212w be b id =???

+++=R r R R β

Ωk 102c1od =≈R R

10.12直接耦合两级差分放大电路如图题10.12所示。设各晶体管的β均为50，V BE 均为0.7V ，r be1＝r be2＝3k Ω，r be4＝r be5＝1.6k Ω，R W 的滑动端位于中点，又设该电路共模抑制比足够大。试估算：

（1）总的电压放大倍数i o v v v A =；

（2）输入电阻R i 和输出电阻R o 。

( 6V)

图题10.12

解：

（1） ()

()83.92

1//w

1be1b1be4c11i

o11-≈+++-

==R

r R r R v v A v ββ

88.462be4

c45o1o 2-≈-==

r R

v v A v β 46121i

≈?==

v v v A A v v A （2） ()Ωk 82be1b1i =+=r R R

Ωk 3c4o =≈R R

10.13两级直接耦合差分放大电路如图题10.13所示。设场效应管T 1、T 2的g m 均为4mS ，晶体管T 3 ～T 6的β均为20，V BE 均为0.6V ，r be3＝r be4＝1.6k Ω，电位器R W1、R W2的滑动端均位于中点。试估算：

（1）总的差模电压放大倍数d v A ；

（2）输入电阻R i 和输出电阻R o 。

图题10.13

解：

（1） ()2.1821//2W2be3W1D1m i

o1d1-≈?

??????????

?++??? ?

?+-==R r R R g v v A v β

()4.412

1W2

be3c3

d2-≈++-==

R v v A v ββ

753d2d1d ≈?=v v v A A A

（2） ΩM 1.51i =≈R R

Ωk 242c3o =≈R R

10.14两级直接耦合差分放大电路如图题10.14所示。已知差模增益为60dB ，共模抑制比K CMR 为40dB 。试求输入电压v i1＝10mV ，v i2＝8mV 时，输出电压v o ＝？

图题10.14

解：

设输入差模电压极性由v i ＝v i1－v i2确定，则差模电压放大倍数为正值，且A v d ＝1000，共模电压放大倍数10CM R d c ±=±=K A A v v

差模输入电压v id ＝v i1－v i2＝2mV 共模输入电压()m V 92

i2i1ic =+=

v v v

输出电压()m V 902000ic c id d O ±=?+?=v A v A v v v

10.15某集成电路的输出级如图题10.15所示，试说明：（1）R 1、R 2和T 3组成什么电路，在电路中起何作用；（2）恒流源I 在电路中起何作用；

（3）电路中引入了D 1、D 2作为过载保护，试说明其理由。

v o

15-

图题10.15

解：

（1）R 1、R 2和T 3组成V BE 扩大电路，给互补对称功率放大电路提供静态偏置，克服交越失真。

（2）恒流源I 给T 1、T 2构成的复合管放大电路提供静态偏置电流，并作为交流大电阻，提高第一级的电压放大倍数。

（3）T 4导通时，若电流过大，D 1导通，给T 4的基极恒流；T 6导通时，若电流过大，D 2导通，给T 5

的基极恒流。这样达到保护输出级功放管的目的。

10.16 一个用集成功放LM384组成的功率放大电路如图题10.16所示。已知电路在通频带内的电压增益为40dB ，在R L =8Ω时，不失真最大输出电压（峰-峰）值可达到18V ，当v i 为正弦信号时，求：

（1）最大不失真输出功率om P ；

（2）输出功率最大时，输入电压的有效值。

v v o +_

图题10.16

解：

（1） V V V PP om 92/==

W R V P L om om

06.58

29222=?== （2） mV A V V v

o i 64100

29==

模拟电子技术模电课后习题含答案第三版

第1章常用半导体器件 1.1选择合适答案填入空内。 (l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体，加入( C )元素可形成P 型半导体。 A.五价 B. 四价 C. 三价 (2)当温度升高时，二极管的反向饱和电流将(A) 。 A.增大 B.不变 C.减小 (3)工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时，I C 从l mA 变为2mA ，那么它的β约为( C ) 。 A.83 B.91 C.100 (4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。 A.增大； B.不变； C.减小 1.3电路如图P1.2 所示，已知10sin i u t ω=(V )，试画出i u 与o u 的波形。设二极管导通电压可忽略不计。图P1.2 解图P1.2 解：i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。 1.4电路如图P1.3所示，已知t u i ωsin 5=(V )，二极管导通电压U D =0.7V 。试画出i u 与o u 的波形图，并标出幅值。图P1.3 解图P1.3

1.6电路如图P1.4所示, 二极管导通电压U D =0.7V ,常温下mV U T 26≈，电容C 对交流信号可视为短路；i u 为正弦波，有效值为10mV 。试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少？解：二极管的直流电流 ()/ 2.6D D I V U R mA =-= 其动态电阻: /10D T D r U I ≈=Ω 故动态电流的有效值：/1d i D I U r mA =≈ 1.7现有两只稳压管，稳压值分别是6V 和8V ，正向导通电压为0.7V 。试问： (1)若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？ (2)若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？解：(1)串联相接可得4种：1.4V ；14V ；6.7V ；8.7V 。 1、两个管子都正接。（1.4V ） 2、6V 的管子反接，8V 的正接。(6.7V) 3、8V 的反接， 6V 的管子正接。(8.7V) 4、两个管子都反接。（14V ） (2)并联相接可得2种：0.7V ；6V 。 1、两个管子都反接，电压小的先导通。(6V) 2.、一个正接，一个反接，电压小的先导通。（0.7V ） 1.8 已知稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Zmin ＝5mA ，最大功耗P ZM ＝150mW 。试求图P1.8所示电路中电阻R 的取值范围。解：稳压管的最大稳定电流： I ZM ＝P ZM / U Z ＝25mA 电阻R 的电流为I ZM ～I Zmin 所以其取值范围为 Ω=-= k 8.136.0Z Z I ～I U U R

模拟电路第二章课后习题答案(供参考)

第二章习题与思考题 ◆ 题 2-1 试判断图 P2-1中各放大电路有无放大作用，简单说明理由。解： (a) 无放大作用，不符合“发射结正偏，集电结反偏”的外部直流偏置要求； (b) 不能正常放大，三极管发射结没有偏置（正偏）； (c) 无放大作用，三极管集电结没有偏置（反偏）； (d) 无放大作用，三极管发射结没有偏置（正偏）； (e) 有放大作用（电压放大倍数小于1）； (f) 无放大作用，电容C 2使输出端对地交流短路，输出交流电压信号为0； (g) 无放大作用，电容C b 使三极管基极对地交流短路，输入交流信号无法加至三极管基极； (h) 不能正常放大，场效应管栅源之间无直流偏置； (i) 无放大作用，VGG 的极性使场效应管不能形成导电沟道。本题的意图是掌握放大电路的组成原则和放大原理。 ◆ 题 2-2 试画出P2-2中各电路的直流通路和交流通路。设电路中的电容均足够大，变压器为理想变压器。解：本题的意图是掌握直流通路和交流通路的概念，练习画出各种电路的直流通路和交流通路。 ◆ 题 2-3 在NPN 三极管组成的单管共射放大电路中，假设电路其他参数不变，分别改变以下某一项参数时，试定性说明放大电路的I BQ 、I CQ 、U CEQ 将增大、减小还是不变。 ① 增大Rb ；②增大VCC ；③增大β。解： ① ↓↓?↓?↑?CEQ CQ BQ b U I I R ② 不定)(↑-↑=↑?↑?↑?CQ c CC CEQ CQ BQ CC I R V U I I V ③ ???↓↑?↑?CC CQ BQ V I I 基本不变β 本题的意图是理解单管共射放大电路中各种参数变化时对Q 点的影响。 ◆ 题 2-4 在图，假设电路其他参数不变，分别改变以下某一项参数时，试定性说明放大电路的I BQ 、I CQ 、 U CEQ 、r be 和||u A &将增大、减小还是不变。 ① 增大R b1；②增大R b2；③增大Re ；④增大β。解： ① ?????↑↓?↓↑↑?≈↑?↑?↑?||1u be CEQ BQ EQ CQ EQ BQ b A r U I I I U U R & ② ?????↓↑?↑↓↓?≈↓?↓?↑?||2u be CEQ BQ EQ CQ EQ BQ b A r U I I I U U R & ③ ?????↓↑?↑↓↓?≈↑?||u be CEQ BQ EQ CQ e A r U I I I R &

模拟电子技术基础[李国丽]第一章习题答案解析

1半导体二极管自我检测题一．选择和填空 1．纯净的、结构完整的半导体称为本征半导体，掺入杂质后称杂质半导体。若掺入五价杂质，其多数载流子是电子。 2．在本征半导体中，空穴浓度 C 电子浓度；在N 型半导体中，空穴浓度 B 电子浓度；在P 型半导体中，空穴浓度 A 电子浓度。（A ．大于，B ．小于，C ．等于） 3. 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 C ，而少数载流子的浓度与 A 关系十分密切。（A ．温度，B ．掺杂工艺，C ．杂质浓度） 4. 当PN 结外加正向电压时，扩散电流 A 漂移电流，耗尽层 E ；当PN 结外加反向电压时，扩散电流 B 漂移电流，耗尽层 D 。（A ．大于，B ．小于，C ．等于，D ．变宽，E ．变窄，F 不变） 5．二极管实际就是一个PN 结，PN 结具有单向导电性，即处于正向偏置时，处于导通状态；反向偏置时，处于截止状态。 6. 普通小功率硅二极管的正向导通压降约为_B ，反向电流一般_C_；普通小功率锗二极管的正向导通压降约为_A_，反向电流一般_D_。（A ．0.1～0.3V ，B ．0.6～0.8V ，C ．小于A μ1，D ．大于A μ1） 7. 已知某二极管在温度为25℃时的伏安特性如图选择题7中实线所示，在温度为 T 1 时的伏安特性如图中虚线所示。在25℃时，该二极管的死区电压为 0.5 伏，反向击穿电

压为 160 伏，反向电流为 10-6 安培。温度T 1 小于 25℃。（大于、小于、等于）图选择题7 8．PN 结的特性方程是)1(-=T V v S e I i 。普通二极管工作在特性曲线的正向区；稳压管工作在特性曲线的反向击穿区。二．判断题（正确的在括号画√，错误的画×） 1．N 型半导体可以通过在纯净半导体中掺入三价硼元素而获得。（ × ） 2．在P 型半导体中，掺入高浓度的五价磷元素可以改型为N 型半导体。（ √ ） 3．P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。（ × ） 4．PN 结的漂移电流是少数载流子在电场作用下形成的。（ √ ） 5．由于PN 结交界面两边存在电位差，所以当把PN 结两端短路时就有电流流过。（ × ） 6．PN 结方程既描写了PN 结的正向特性和反向特性，又描写了PN 结的反向击穿特性。（ × ） 7．稳压管是一种特殊的二极管，它通常工作在反向击穿状态（√ ），它不允许工作在正向导通状态（×）。

模电第2章_作业答案

模拟电子技术作业答案班级_________ _ 学号_____ __ 姓名_____________ 第2章半导体三极管及其放大电路1．简答题：（1）放大电路中为何设立静态工作点？静态工作点的高、低对电路有何影响？答：设立静态工作点的目的是使放大信号能全部通过放大器。Q点过高易使传输信号部分进入饱和区；Q点过低易使传输信号部分进入截止区，其结果都是信号发生失真。（2）说明利用三极管组成放大电路的基本原则。答：不论那种组态的放大电路，如果希望能够正常放大信号，必须遵守以下原则。 ①有极性连接正确的直流电源、合理的元件参数，以保证三极管发射结正偏、集电结反偏和合适的静态工作点，使三极管工作在放大区。 ②信号能够从放大电路的输入端加到三极管上，经过三极管放大后，又能传给放大电路的下一级或负载。 (3) 分析放大电路有哪几种方法？几种方法分别有什么特点？答：分析放大电路有近似法、微变等效法和图解法。近似法简洁、精确，工程上常用来分析放大电路的静态工作点；微变等效法方便分析放大电路的动态；图解法直观，可同时用于分析放大电路的静态和动态。（4）共射、共集和共基表示BJT的三种电路接法，而反相电压放大器，电压跟随器和电流跟随器则相应地表达了输出量与输入量之间的大小与相位关系，如何从物理概念上来理解？答：共射电路有电压放大作用，且输出电压与输入电压相位相反。为此，称这种放大电

路为反相电压放大器。共集电路没有电压放大作用且输出电压与输入电压同相位。因此，可将这种放大电路称为电压跟随器。共基电路有输出电流与输入电流接近相等。为此，可将它称为电流跟随器。 2．图1所示电路中，已知硅型晶体三极管发射结正向导通电压为0.7V， =100，临界放大饱和时三极管压降（集电极-发射极之间）为0.3V。判断电路中各晶体管的工作状态。 (a) (b) (c) 图1 解：分析：判断晶体三极管的工作状态并计算各级电流问题的分析方法如下。方法一： 1．对于NPN管，若U BE<0.7V，则管子截止；对于PNP管，若U BE>-0.7V，或U EB<0.7V 则管子截止； 2．若NPN管，U BE>0.7V，PNP管U EB>0.7V，则说明三极管处于放大状态或饱和状态。对于NPN管，如果假设三极管工作在放大区，计算结果得管子压降U CE>0.3V（设小功率三极管饱和压降为0.3V），说明管子确实工作在放大状态。如果计算结果得管子压降U CE<0.3V，说明管子工作在饱和区。对于PNP管，如果假设三极管工作在放大区，计算结果得管子压降U EC>0.3V，说明管子确实工作在放大状态。如果计算结果得管子压降U EC<0.3V，说明管子工作在饱和区。方法二：当确定三极管处于非截止状态时，计算三极管的基极电流I B及饱和电流集电极电流I CS （U EC=0.3V），如果βI B I CS，说明电路处于饱和状态。方法二似乎更为简单。解：

模电第二章习题答案

习题2-5 设图中的三极管β =100，U BEQ =0.6V ，V CC =12 V ，R C =3 k Ω，R b =120 k Ω。求静态工作点处的I BQ I CQ 和U CEQ 值。习题2-15 设图中三极管的β =100，U BEQ =0.6V ，V CC =10V ，R C =3 k Ω，Rb b’=100 Ω。V CC =10V ,，R C =3 k Ω，Re=1.8 k Ω，RF=200Ω，Rb1=33 k Ω，Rb2=100 k Ω，RL=3 k Ω C1，C2和Ce 足够大。 ①求静态工作点 ②画微变等效电路如图 (3)求O i u U A U =； (4)设Rs =4 k Ω，求o s us U A U =

(5)求o i R R 和 ① 2.48,0.94, 5.3E U I I mA U =≈=≈BQ CQ Q CEQ V V ②微变等效电路如图 ③ be 2.9r ≈ k Ω， L be = 6.5 (1)u F R A r R ββ'-≈-++

(4) 12i r ≈ k Ω，= 4.9i us u i s r A A r R -≈-+ (5) R i ≈12 k Ω，R o ≈3 k Ω 习题2-17 画出如图放大电路的微变等效电路，写出计算电压放大倍O1O2 i i U U U U 和数的表达式，并画出当c e R R =时的两个输出电压o1o1U U 和的波形（与正弦波i U 相对应）。

微变等效电路如下图解 O1i be (1)c e U R U r R ββ=-++ e c O1O2O1O2R u u R U U =≈当时，，和的波形如下图 e be e * 02* )1(1R r R U U Au i ββ+++= = ）（

模拟电路第二章课后习题答案汇编

模拟电路第二章课后习题答案

(f) 无放大作用，电容C2使输出端对地交流短路，输出交流电压信号为0； (g) 无放大作用，电容C b使三极管基极对地交流短路，输入交流信号无法加至三极管基极； (h) 不能正常放大，场效应管栅源之间无直流偏置； (i) 无放大作用，VGG的极性使场效应管不能形成导电沟道。本题的意图是掌握放大电路的组成原则和放大原理。 ◆题 2-2 试画出P2-2中各电路的直流通路和交流通路。设电路中的电容均足够大，变压器为理想变压器。解：

本题的意图是掌握直流通路和交流通路的概念，练习画出各种电路的直流通路和交流通路。 ◆题 2-3 在NPN三极管组成的单管共射放大电路中，假设电路其他参数不变，分别改变以下某一项参数时，试定性说明放大电路的I BQ、I CQ、U CEQ将增大、减小还是不变。①增大Rb；②增大VCC；③增大β。解： ①↓ ↓? ↓? ↑? CEQ CQ BQ b U I I R ②不定 ) (↑ - ↑ = ↑? ↑? ↑? CQ c CC CEQ CQ BQ CC I R V U I I V b CC b CC b BEQ CC BQ R V R V R U V I≈ - ≈ - = 7.0 BQ BQ CQ I I Iβ β≈ ≈C CQ CC CEQ R I V U- =

模拟电子技术第一章习题与答案

第一章习题与答案 1.什么是PN结的偏置？PN结正向偏置与反向偏置时各有什么特点？答：二极管（PN结）阳极接电源正极，阴极接电源负极，这种情况称二极管正向偏置，简称正偏，此时二极管处于导通状态，流过二极管电流称作正向电流。二极管阳极接电源负极，阴极接正极，二极管处于反向偏置，简称反偏，此时二极管处于截止状态，流过二极管电流称为反向饱和电流。把二极管正向偏置导通、反向偏置截止的这种特性称之为单向导电性。 2.锗二极管与硅二极管的死区电压、正向压降、反向饱和电流各为多少？答：锗管死区电压约为0.1V，硅管死区电压约为0.5V。硅二极管的正向压降约0.6～0.8 V；锗二极管约0.2～0.3V。硅管的反向电流比锗管小，硅管约为1uA，锗管可达几百uA。 3.为什么二极管可以当作一个开关来使用？答：二极管在正向电压作用下电阻很小，处于导通状态，相当于一只接通的开关；在反向电压作用下，电阻很大，处于截止状态，如同一只断开的开关。 4.普通二极管与稳压管有何异同？普通二极管有稳压性能吗？答：普通二极管的主要特性是单向导电性，也就是在正向电压的作用下，导通电阻很小；而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。稳压二极管的稳压原理：稳压二极管的特点就是加反向电压击穿后，其两端的电压基本保持不变。而普通二极管反向击穿后就损坏了。这样，当把稳压管接入电路以后，若由于电源电压发生波动，或其它原因造成电路中各点电压变动时，负载两端的电压将基本保持不变。因此，普通二极管在未击穿的条件下具有稳压性能。 5.选用二极管时主要考虑哪些参数？这些参数的含义是什么？答：正向电流IF：在额定功率下，允许通过二极管的电流值。正向电压降VF：二极管通过额定正向电流时，在两极间所产生的电压降。最大整流电流（平均值）IOM：在半波整流连续工作的情况下，允许的最大半波电流的平均值。反向击穿电压VB：二极管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。正向反向峰值电压VRM：二极管正常工作时所允许的反向电压峰值。反向电流IR：在规定的反向电压条件下流过二极管的反向电流值。结电容C：电容包括电容和扩散电容，在高频场合下使用时，要求结电容小于某一规定数值。最高工作频率FM：二极管具有单向导电性的最高交流信号的频率。 6.三极管具有放大作用的内部条件和外部条件各是什么？答：内部条件：发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度，同时基区厚度要很小。外部条件：发射结正偏，集电结反偏。 7.三极管有哪些工作状态？各有什么特点？答：三极管输出特性曲线可以分为三个区，即三极管有三种工作状态。（1）放大区（放大状态）。即三极管静态时工作在放大区（处于放大状态），发射结必

模电题库及标准答案

模拟电子线路随堂练习第一章半导体器件作业1-1 一、习题（满分100分） 1.N型半导体带负电，P型半导体带正电。（） 2.以空穴为主要导电方式的半导体称为P型半导体。（） 3.PN结处于正向偏置时，正向电流小，电阻大，处于导通状态。（） 4.晶体二极管的反向电压上升到一定值时，反向电流剧增，二极管被击穿，就不能再使用了。（） 5.硅二极管两端只要加上正向电压时立即导通。（） 6.在本征半导体中，空穴和自由电子两种载流子的数量不相等。（） 7.晶体三极管的基极，集电极，发射极都不可互换使用。（） 8.晶体三极管工作在饱和状态的条件是：发射结正偏，集电结正偏。（） 9.晶体三极管有三种工作状态，即：放大状态，饱和状态，导通状态。（） 10.三极管是一种电压控制器件，场效应管是一种电流控制器件。（） 11.温度升高后，在纯净的半导体中（）。 A.自由电子和空穴数目都增多，且增量相同 B.空穴增多，自由电子数目不变 C.自由电子增多，空穴不变 D.自由电子和空穴数目都不变 12.如果PN结反向电压的数值增大（小于击穿电压），则（）。 A.阻当层不变，反向电流基本不变 B.阻当层变厚，反向电流基本不变 C.阻当层变窄，反向电流增大 D.阻当层变厚，反向电流减小

一、习题（满分100分） 1.N型半导体（）。 A.带正电 B.带负电Ｃ.呈中性Ｄ.不确定 2.如果二极管的正反向电阻都很大，则该二极管（）。 A.正常 B.断路Ｃ.被击穿Ｄ.短路 3.对于晶体二极管，下列说法正确的是（）。 A.正向偏置时导通，反向偏置时截止 B.反向偏置时无电流流过二极管 C.反向击穿后立即烧毁 D.导通时可等效为一线性电阻 4.工作在放大状态的三极管两个电极电流如图，那么，第三个电极的电流大小、方向和管脚自左至右顺序分别为（）。 A.0.03mA 流出三极管e、c、b B.0.03mA 流进三极管e、c、b C.0.03mA 流出三极管c、e、b D.0.03mA 流进三极管c、e、b 5.测得电路中晶体三极管各电极相对于地的电位如图，从而可判断该晶体管工作在（）。 A.饱和状态 B.放大状态 C.倒置状态Ｄ.截止状态 6.PNP型晶体管工作在放大状态，三个极电位的关系是（）。 A.V C>V B>V E B. V C> V E > V BＣ.V E >V B> V CＤ.V E >V C>V B 7.PNP型硅管工作在放大状态，各极对地电位分别是V1=6V，V2=2.7V，V3=2V，则1，2，3分别为（）。 A.发射极、基极、集电极 B.集电极、基极、发射极 C.集电极、发射极、基极 D.基极、集电极、发射极 8.测得三极管i b=30μA时i c=2.4mA，而i b=40μA时i c=3mA，则该管的交流电流放大系数β为（）。 A.60 B.75 C.80 Ｄ.100 9.NPN型硅管各极对地电位分别是V1=6V，V2=2.7V，V3=2V，则1，2，3分别为（）。 A.基极、集电极、发射极 B.发射极、基极、集电极 C.集电极、发射极、基极 D.集电极、基极、发射极 10.三极管输出特性曲线可分为三个区，下列不属于工作区的是（）。 A.截止区 B.放大区 C.饱和区Ｄ.击穿区 11.在放大电压信号时，通常希望放大电路的输入电阻和输出电阻分别为（） A.输入电阻小，输出电阻大 B.输入电阻小，输出电阻小 C.输入电阻大，输出电阻小 D.输入电阻大，输出电阻大

模电复习题和答案..

《模拟电子技术实践》课程习题答案一、填空题 1、共集电极放大器的特点有输入阻抗大、输出阻抗小、电压放大倍数≈1等。是从射极输出，所以简称射极跟随器。 2、三极管有放大、饱和、截止三种工作状态，在数字电路中三极管作为开关使用时，它是工作在饱和、截止两种状态下。 3、在三极管的输出特性曲线中，当I B=0时的I C是穿透电流I CEO。 4E，V C=8V，V B=3.7V，则该管是NPN、处于放大状态。 5、集成运放其内部电路的耦合方式是直接耦合。 6、三极管的输出特性曲线分为饱和、截止、放大等区域，三极管放大器处于截止区的条件是发射结反偏、集电结反偏。 7、场效应管是一种利用电压来控制其电流大小的半导体三极管，所以我们说场效应管是电压控制型器件，三极管是电流控制型器件。 8、三极管具有放大作用的外部条件是发射结正向偏置，集电结反向偏置；三极管的结温升高时穿透电流I CEO将增加。 9、二极管具有单向导电性，两端加上正向电压时有一段“死区电压”，锗管约为0.1-0.2 V；硅管约为0.4-0.5 V。 10、串联型可调稳压电源由取样电路、基准电路、比较放大、调整电路四个部分组成。 11、我们通常把大小相等、极性相同的输入信号叫做共模信号把大小相等、极性相反的信号叫做差模信号。集成运算放大器一般由输入电路、电压放大电路、推动级、输出级四个部分组成。 12、稳压电源一般由变压电路、整流电路、滤波电路、稳压电路四个部分组成。 13、理想集成放大器的开环差模电压放大倍数A VO为_无穷大，共模抑制比K CMR为无穷大，差模输入电阻为无穷大。 14、单相半波整流电路输出电压的有效值U O=0.45U2 ，单相桥式整流电路输出电压的有效值 U O=0.9U2 ；整流电路是利用二极管的单向导电特性将交流电变成直流电的。滤波电路是利用电容或电感的储能充放电性质来减少脉动成分的。 15、三端固定式稳压器LM7805的输出电压为_5_V；LM7924输出电压为-24V。 16、理想乙类互补功率放大电路的效率为78.5%，理想甲类功率放大器的效率为50% 。 17、如希望减小放大电路从信号源索取电流，则可采用B；如希望负载变化时输出电流稳定，应引入D；如希望动态输出电阻要小，应引入A；（A 电压负反馈；B 并联负反馈；C 串联负反馈；D电流负反馈）。 18、在图示电路中，已知开环电压放大倍数Au=10000，若需要Auf =100，则电路的负反馈系数 F为0.01。 19、多级放大器耦合的方式有阻容耦合、变压器耦合、直接耦合；集成运算放大器是一种直接耦合耦合放大器。 20、多级放大器与单级放大器相比，电压放大倍数较大；通频带较窄； 21、能使输入电阻提高的负反馈是C；能使输入电阻降低的负反馈是D；能使输出电阻提高的负反馈是B；能使输出电阻降低的负反馈是A；（A 电压负反馈；B 电流负反馈：C 串联负反馈：D 并联负反馈）22、电压串联负反馈能稳定输出A ，并能使输入电阻D；

工学模电试题与答案

一、判断下列说法是否正确，用“×”或“√”表示判断结果。（10分）（1）在运算电路中，同相输入端和反相输入端均为“虚地”。（）（2）电压负反馈稳定输出电压，电流负反馈稳定输出电流。（）（3）使输入量减小的反馈是负反馈，否则为正反馈。（）（4）产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。（）（5）利用两只NPN 型管构成的复合管只能等效为NPN 型管。（）（6）本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。（）（7）未加外部电压时，PN 结中电流从P 区流向N 区。（）（8）集成运放在开环情况下一定工作在非线性区。（）（9）只要引入正反馈，电路就会产生正弦波振荡。（）（10）直流稳压电源中的滤波电路是低通滤波电路。（）二、选择填空（10分）（1）为了减小输出电阻，应在放大电路中引入；为了稳定静态工作点，应在放大电路中引入。（A ）电流负反馈（B ）电压负反馈（C ）直流负反馈（D ）交流负反馈（2）RC 串并联网络在RC f f π21 0= =时呈。（A ）感性（B ）阻性（C ）容性（3）通用型集成运放的输入级多采用。（A ）共基接法（B ）共集接法（C ）共射接法（D ）差分接法（4）两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为。（A ）β（B ）β2 （C ）2β（D ）1+β （5）在（A ）、（B ）、（C ）三种电路中输出电阻最小的电路是；既能放大电流，又能放大电压的电路是。（A ）共基放大电路（B ）共集放大电路（C ）共射放大电路（6）当NPN 型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为u C u B u E 。（A ） > （B ） < （C ） = （D ）≤ （7）硅二极管的正向导通压降比锗二极管的。（A ）大（B ）小（C ）相等三、（5分）图示电路中二极管为理想二极管，请判断它是否导通，并求出 u 0。

模电课后习题答案

模电典型例题分析第二章题2．1 如图所示电路，已知集成运放开环差模电压增益为∞，其电源电压±VCC=±１４Ｖ，Ｕｉ=１V;R １＝10k,R ｗ=1０0k 。请问：当Rw 滑动端分别在最下端、最上端和中点时时，输出Ｕo=?V ；解： 1４V ,1V ,6V 题２．2 在题图所示的放大电路中，已知Ω=====k R R R R R 1087521，Ω===k R R R 201096∶ ① 列出1O u 、2O u 和O u 的表达式； ② 设V u I 3.01=,V u I 1.02=,则输出电压?=O u 注：此图A 1的同相端、反相端标反。解分析:本题中,运放A １构成反相比例运用电路,A 2构成同相比例运用。而A ３则构成了一个减法电路，由于可将运放当作理想器件,又在线线场合下使用，所以可使用“虚短”及“虚断”的两个基本概念来对电路进行分析。 (1) 21111152221 610 10 10311202O I I I O I I I R u u u u R R u u u u R =- =-?=-???? =+=+?= ? ????? 对A 3,1032222 810202 10203O O O I R u u u u u R R +=?===++ 因为0133079u u u u R R ---=－ 332011 I I u u u u u -+===-

()()90313212712 20 10 23O I I I I I R u u u u u u u R u u -=- -=---=+ (2）120.3,0.120.330.10.9I I O u V u V u V ===?+?= 题２.３加减运算电路如图所示，求输出电压O u 的值。 R u 分析:本题中运放Ａ构成了差分减法电路，由于运放可作理想器件,且工作在线性区,可用“虚短”和“虚断”的基本概念来分析电路。此电路的同相和反相端分别有两个输入信号,因此可用叠加原理来分析。 1s u 单独作用：2s u 、 3s u 、4s u 接地，此时输出为O1u F O11 1s R u u R =- 2s u 单独作用:1s u 、 3s u 、4s u 接地,此时输出为O2u F O222 s R u u R =- 3s u 单独作用：1s u 、 2s u 、4s u 接地，此时输出为O3u 45 p 3 453////s R R u u R R R =+ N P N O3N 12F //u u u u u R R R =-∴ = F O3N 12 (1)//R u u R R =+ 45F 3 12453//(1)////s R R R u R R R R R =++ 4s u 单独作用：1s u 、 2s u 、3s u 接地，此时输出为O4u 35F O44 12354 //(1)////s R R R u u R R R R R =+ +

模电第一章练习习题

第一章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。（1）在P型半导体中如果掺入足够量的五价元素，可将其改型为N型半导体。（√）（2）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（×）（3）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（√）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。（×）（5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R G S大的特点。（√）（6）若耗尽型N沟道MOS管的U G S大于零，则其输入电阻会明显变小。（×）解：二、选择正确答案填入空内。（1）PN结加正向电压时，空间电荷区将。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽（2）稳压管的稳压区是其工作在。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿（3）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏（4）U G S＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有。 A. 结型管 B. 增强型MOS管 C. 耗尽型MOS管解：（1）A （2）C （3）B （4）A C 第一章题解－1

第一章题解－2 三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D ＝0.7V 。图T1.3 解：U O 1≈1.3V ，U O 2＝0，U O 3≈－1.3V ，U O 4≈2V ，U O 5≈1.3V ， U O 6≈－2V 。四、已知稳压管的稳压值U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Z mi n ＝5mA 。求图T1.4所示电路中U O 1和U O 2各为多少伏。图T1.4 解：(a)图能击穿稳压，U O 1＝6V ；(b)图不能击穿，靠电阻分压，U O 2＝5V 。

模电答案第二章

第2章基本放大电路自测题一?在括号内用“V”和“X”表明下列说法是否正确。 1?只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。（X） 2?可以说任何放大电路都有功率放大作用。（V） 3?放大电路中输出的电流和电压都是有源元件提供的。（X ） 4?电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的。（X ） 5?放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。（V） 6?由于放大的对象是变化量，所以当输入直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化。（X ） 7?只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。（X ）二?试分析图T2.2各电路是否能放大正弦交流信号，简述理由。设图中所有电容对交流信号均可视为短路。 (a) (b) (c) (d) (e) (f)

(h) 图 T2.2 解：图(a)不能。V BB将输入信号短路。图(b)可以。图(c)不能。输入信号与基极偏置是并联关系而非串联关系。图(d)不能。晶体管基极回路因无限流电阻而烧毁。图(e)不能。输入信号被电容C2短路。图⑴不能。输出始终为零。图(g)可能。图(h)不合理。因为G-S间电压将大于零。图(i)不能。因为T截止。三?在图T2.3所示电路中，已知V cc 12V ,晶体管p=100, R b 100k 。填空：要求先填文字表达式后填得数。 (1)当U i 0V时，测得U BEQ 0.7V，若要基极电流I BQ 20 A,则R b和R W之和负载后输出电压有效值U。( L U o)=( 0.3 )V。 R L R c 四、已知图T2.3所示电路中V cc 12V, R c 3k ，静态管压降U CEQ 6V ,并在输出端加负载电阻R L,其阻值为3k 。选择一个合适的答案填入空内。 (1)该电路的最大不失真输出电压有效值U om( A ); A.2V B.3V C.6V ⑵当U& 1mV时，若在不失真的条件下，减小R w，则输出电压的幅值将(C ); A.减小 B.不变 C.增大 (g) (i)

模电第一章习题解答

第一章电路的基本概念和基本定律 1.1 在题1.1图中，各元件电压为 U 1=-5V ，U 2=2V ，U 3=U 4=-3V ，指出哪些元件是电源，哪些元件是负载？解：元件上电压和电流为关联参考方向时，P=UI ；电压和电流为非关联参考方向时，P=UI 。P>0时元件吸收功率是负载，P<0时，元件释放功率，是电源。 P 1=-P 2P 3=U P 4=-元件2、4 1.2 3t C e (u -=i =-R u =L u = 1.3 在题1.3图中，已知I=2A ，求U ab 和P ab 。解：U ab =IR+2-4=2×4+2-4=6V ，电流I 与U ab 为关联参考方向，因此 P ab =U ab I=6×2=12W 1.4 在题1.4图中，已知 I S =2A ，U S =4V ，求流过恒压源的电流I 、恒流源上的电压U 及它们的功率，验证电路的功率平衡。 +U 4 -b a 题1.3图

解：I=I S =2A ， U=IR+U S =2×1+4=6V P I =I 2R=22×1=4W ， U S 与I 为关联参考方向，电压源功率：P U =IU S =2×4=8W ， U 与I 为非关联参考方向，电流源功率：P I =-I S U=-2×6=-12W ，验算：P U +P I +P R =8-12+4=0 U U 1.7 求题1.7图中的I x 和U x 。 a b 10Ω题1.4图 +6V - (a) 3Ω (b) 题1.7图 2

解：（a ）以c 为电位参考点，则V a =2×50=100V I 3×100=V a =100，I 3=1A ， I 2=I 3+2=3A ， U X =50I 2=150V V b =U X +V a =150+100=250V I 1×25=V b =250, I 1=10A ， I X =I 1+I 2=10+3=13A （ 6×由 1.8 20 1a V I =，5502 +=a V I ， 10503-=a V I 由KCL 得： I 1+I 2+I 3=0 即 010 50 55020=-+++a a a V V V 解得 V V a 7 100 -= 1.9 在题1.9图中，设t S m S e I i t U u α-==0,ωsin ,求u L 、i C 、i 和u 。

模电第二章习题参考答案

第二章自我检测题参考答案一、填空题 1.三极管用来放大时，应使发射结处于正向偏置，集电结处于反向偏置。 2.型号为3CG4D的三极管是PNP型高频小功率管。 3.温度升高时，三极管的电流放大系数β增大，反向饱和电流I CBO增大，正向结电压U BE下降。 4. 有两只三极管：A管β=200，I CEO=200μA；B管β=80，I CEO=10μA，其他参数大致相同，一般应选B管。 5.共射基本电路电压放大倍数为负值，说明输出信号与输入信号相位相差180o。 6.放大电路未输入信号时的状态称为静态，其在特性曲线上的点称为静态工作点；有输入信号时的状态称为动态，动态工作点移动的轨迹称为交流负载线。 7.在放大电路的下限截止频率处，幅度的放大倍数为中频处的0.707倍，这主要是由电路的频率失真引起的。 8.场效应晶体管是通过改变栅源电压来改变漏极电流（输出电流），所以它是一个电压控制电流源（或电压控制）器件。二、判断题 1.由于放大的是变化量，所以在输入直流信号时，任何放大电路的输出量都没有变化。（×）提示：直接耦合放大电路就有变化。 2.阻容耦合多级放大电路的点相互独立，（√）它只能放大交流信号。（√） 3.放大电路中各电量的交流成分是由交流信号源提供的。（×）提示：增加的幅度所需能量是由直流电源提供的。 4.通常，JFET在漏极与源极互换时，仍有正常放大作用。（√）三、选择题 1.测得某放大电路中三极管三个管脚对地电压分别为U1=2V，U2=6V，U3= 2.7V，则三极管三个电极为（B）。 A.①管脚为发射极，②管脚为基极，③管脚为集电极； B.①管脚为发射极，②管脚为集电极，③管脚为基极； C.①管脚为集电极，②管脚为基极，③管脚为发射极； D. ①管脚为发射极，②管脚为集电极，③管脚为基极。 2.在共射基本放大电路中，集电极电阻R C的作用是（C）。 A.放大电流 B.调节I BQ C.防止输出信号交流对地短，把放大了的电流转换成电压。 3. 在共射基本放大电路中，当用直流电压表测得U CE≈V CC，有可能是因为（A）；当测得U CE≈0，有可能是因为（B） A. R b开路 B. R b过小 C. R c开路 4.当输入电压为正弦信号时，如果PNP管共发射极放大电路发生饱和失真，则输出电压波形将()。 A.正半周削波 B.负半周削波 C.不削波 5.为了使高阻输出的放大电路与低阻输入的放大负载很好地配合，可以在放大电路与负载之间插入（B）。 A.共射电路 B.共集电路 C.共基电路

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作业1-2 一、习题（满分100分） 1.N型半导体（）。 A.带正电 B.带负电Ｃ.呈中性Ｄ.不确定 2.如果二极管的正反向电阻都很大，则该二极管（）。 A.正常 B.断路Ｃ.被击穿Ｄ.短路 3.对于晶体二极管，下列说法正确的是（）。 A.正向偏置时导通，反向偏置时截止 B.反向偏置时无电流流过二极管 C.反向击穿后立即烧毁 D.导通时可等效为一线性电阻 4.工作在放大状态的三极管两个电极电流如图，那么，第三个电极的电流大小、方向和管脚自左至右顺序分别为（）。 A.0.03mA 流出三极管 e、c、b B.0.03mA 流进三极管 e、c、b C.0.03mA 流出三极管 c、e、b D.0.03mA 流进三极管 c、e、b 5.测得电路中晶体三极管各电极相对于地的电位如图，从而可判断该晶体管工作在（）。 A.饱和状态 B.放大状态 C.倒置状态Ｄ.截止状态 6.PNP型晶体管工作在放大状态，三个极电位的关系是（）。 A.V C>V B>V E B. V C> V E > V BＣ.V E >V B> V CＤ.V E >V C>V B 7.PNP型硅管工作在放大状态，各极对地电位分别是V1=6V，V2=2.7V，V3=2V，则1，2，3分别为（）。 A.发射极、基极、集电极 B.集电极、基极、发射极 C.集电极、发射极、基极 D.基极、集电极、发射极 8.测得三极管i b=30μA时i c=2.4mA，而i b=40μA时i c=3mA，则该管的交流电流放大系数β为（）。 A.60 B.75 C.80 Ｄ.100 9.NPN型硅管各极对地电位分别是V1=6V，V2=2.7V，V3=2V，则1，2，3分别为（）。 A.基极、集电极、发射极 B.发射极、基极、集电极 C.集电极、发射极、基极 D.集电极、基极、发射极 10.三极管输出特性曲线可分为三个区，下列不属于工作区的是（）。 A.截止区 B.放大区 C.饱和区Ｄ.击穿区 11.在放大电压信号时，通常希望放大电路的输入电阻和输出电阻分别为（） A.输入电阻小，输出电阻大 B.输入电阻小，输出电阻小 C.输入电阻大，输出电阻小 D.输入电阻大，输出电阻大

童诗白模电第三版课后习题答案详解第一章

第一章半导体基础知识自测题一、（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）× 二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C 三、U O1≈1.3V U O2＝0 U O3≈－1.3V U O4≈2V U O5≈1.3V U O6≈－2V 四、U O1＝6V U O2＝5V 五、根据P CM ＝200mW 可得：U CE ＝40V 时I C ＝5mA ，U CE ＝30V 时I C ≈6.67mA ，U CE ＝20V 时I C ＝10mA ，U CE ＝10V 时I C ＝20mA ，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。图略。六、1、 V 2V mA 6.2 μA 26V C C CC CE B C b BE BB B =-====-= R I U I I R U I β U O ＝U CE ＝2V 。 2、临界饱和时U CES ＝U BE ＝0.7V ，所以 Ω ≈-= == =-= k 4.45V μA 6.28mA 86.2V B BE BB b C B c CES CC C I U R I I R U I β 七、T 1：恒流区；T 2：夹断区；T 3：可变电阻区。习题 1.1（1）A C （2）A （3）C （4）A 1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。 1.3 u i 和u o 的波形如图所示。 t t

1.4 u i 和u o 的波形如图所示。 1.5 u o 的波形如图所示。 1.6 I D ＝（V －U D ）/R ＝ 2.6mA ，r D ≈U T /I D ＝10Ω，I d ＝U i /r D ≈1mA 。 1.7 （1）两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。（2）两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。 1.8 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA ，R ＝U Z /I DZ ＝0.24～1.2k Ω。 1.9 （1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流为4mA ，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+= U R R R U 当U I ＝15V 时，由于上述同样的原因，U O ＝5V 。当U I ＝35V 时，U O ＝U Z ＝5V 。（2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。 1.10 （1）S 闭合。（2）。，Ω=-=Ω≈-=700)V (233)V (Dm in D m ax Dm ax D m in I U R I U R t t

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