IGCT---段廷平

IGCT的发展、特点及其应用

机电081段廷平200800384121

晶闸管IGCT是一种新型电力电子器件,它是将GCT芯片与其门极驱动器以低电感方式集成在一起,综合了晶体管的稳定关断能力和晶闸管低通态损耗的优点,具有电流大、电压高、开关频率高、可靠性高、结构紧凑、损耗低等特点,而且成本低、成品率高,因此有着广泛的应用前景。因此,有必要对IGCT器件进行深入的应用研究,并设计一套能够对IGCT器件进行高压大电流测试实验的设备。本文从IGCT器件出发,介绍了IGCT器件的结构,工作原理,关键技术,IGCT与GTO、IGBT的比较,IGCT的特性参数及门极驱动电路原理。文章从IGCT 器件扩展到整个IGCT模块,对IGCT功率相单元模块进行了计算和仿真分析。从整体上阐述了IGCT相单元模块的电路原理。用仿真和计算分析了相单元模块中钳位保护电路对器件开通和关断过程的影响。分析了相单元电路中杂散电感对器件关断过电压的影响,提出了减小杂散电感的方法。阐述了反并联二极管对IGCT器件的影响,提出二极管的反向恢复特性对IGCT的关断过电压有较大影响。在分析IGCT功率相单元模块的基础上,我们设计了一套IGCT功率相单元测试实验平台。该平台由电源控制柜和器件测试柜组成,在设计中重点考虑了测试试验的安全性和测试功能的多样性。对该测试实验平台的电路进行了仿真,表明了测试电路的合理性。根据仿真和计算进行了相关器件选型和测试平台的制作。最后在测试实验平台上进行了一些初步的IGCT相单元脉冲测试,挑选了一些测试结果,对被测波形进行分析,测试结果表明该测试实验平台的设计是有效和合理的,它能完成对IGCT功率相单元的测试,来辅助IGCT器件进一步研究,为使用IGCT器件取代现有中压变频中H桥单元的IGBT 器件打下基础。

一个理想的功率器件，应当具有下列理想的静态和动态特性:在截止状态时，能承受较高的电压；在导通状态时，能承受大电流并具有很低的压降；在开关转换时，开/关速度快，能承受很高的di/dt和dv/dt，同时还应具有全控功能。

自从50年代硅晶闸管问世以后，功率半导体器件的研究工作者为达到上述理想目标做出了不懈的努力。60年代后期，可关断晶闸管GTO实现了门极可关断功能，并使斩波工作频率扩展到1kHz以上。70年代中期，高功率晶体管和功率MOSFET问世，功率器件实现了场控功能，打开了高频应用的大门。80年代，绝缘栅门控双极型晶体管(IGBT)问世，它综合了功率MOSFET和双极型功率晶体管两者的功能。它的迅速发展，又激励了人们对综合功率MOSFET和晶闸管两者功能的新型功率器件-MOSFET门控晶闸管的研究。因此，当前功率器件研究工作的重点主要集中在研究现有功率器件的性能改进、MOS门控晶闸管以及采用新型半导体材料制造新型的功率器件等。

大功率器件及其发展

门极关断晶闸管（GTO）

功率晶闸管（SCR）在过去相当一段时间内，几乎是能够承受高电压和大电流的唯一半导体器件。因此，针对SCR的缺点，人们很自然地把努力方向引向了如何使晶闸管具有关断能力这一点上，并因此而开发出了门极关断晶闸管。

用GTO晶闸管作为逆变器件取得了较为满意的结果，但其关断控制较易失败，故仍较复杂，工作频率也不够高。而几乎是与此同时，电力晶体管（GTR）迅速发展起来，使GTO 晶闸管相形见绰。因此，在大量的中小容量变频器中，GTO晶闸管已基本不用。但因其工作电流大，故在大容量变频器中仍居主要地位。

绝缘栅双极晶体管（IGBT）

IGBT是MOSFET和GTR相结合的产物。其主体部分与晶体管相同，也有集电极（C）和发射极（E），但驱动部分却和场效应晶体管相同，是绝缘栅结构。

IGBT的工作特点是：控制部分与场效应晶体管相同，控制信号为电压信号UGE，输人阻抗高，栅极电流IG≈0，驱动功率很小。而其主电路部分则与GTR相同，工作电流为集电极电流输入。此外，其工作频率可达20kHz。由IGBT作为逆变器件的变频器的载波频率一般都在10kHz以上，故电动机的电流波形比较平滑，基本无电磁噪声。虽然硅双极型及场控型功率器件的研究已趋成熟，但是它们的性能仍在不断提高和改善，近年来出现的集成门极换流晶闸管（IGCT）可望迅速地取代GTO。

集成门极换流晶闸管（IGCT）

集成门极换流晶闸管IGCT（Integrated Gate Commutated Thyristor）是1996年问世的一种新型半导体开关器件。该器件是将门极驱动电路与门极换流晶闸管GCT集成于一个整体形成的。门极换流晶闸管GCT是基于GTO结构的一种新型电力半导体器件，它不仅有与GTO相同的高阻断能力和低通态压降，而且有与IGBT相同的开关性能，即它是GTO和IGBT 相互取长补短的结果，是一种较理想的兆瓦级、中压开关器件，非常适合用于6kV和10kV 的中压开关电路。IGCT芯片在不串不并的情况下，二电平逆变器容量0.5M～3MV A，三电平逆变器1M～6MV A。若反向二极管分离，不与IGCT集成在一起，二电平逆变器容量可扩至4.5MV A，三电平扩至9MV A，现在已有这类器件构成的变频器系列产品。目前，IGCT 已经商品化，ABB公司制造的IGCT产品的最高性能参数为4.5kV／4kA，最高研制水平为6kV／4kA。1998年，日本三菱公司开发了直径为88mm的6kV／4kA的GCT晶闸管。

IGCT的结构与工作原理

门极换流晶闸管GCT的结构，GCT内部由成千个GCT组成，阳极和门极共用，而阴极并联在一起。与GTO的重要差别是GCT阳极内侧多了缓冲层，以透明（可穿透）阳极代替GTO的短路阳极。其导通机理与GTO一样，但关断机理与GTO完全不同。在GCT的关断过程中，GCT能瞬间从导通转到阻断状态，变成一个PNP晶体管以后再关断，所以，它无外加du／dt限制；而GTO必须经过一个既非导通又非关断的中间不稳定状态进行转换，即"GTO区"，所以GTO需要很大的吸收电路来抑制重加电压的变化率du／dt。阻断状态下GCT的等效电路可认为是一个基极开路、低增益PNP晶体管与门极电源的串联。

GCT无中间区、无缓冲关断的机理在于，强关断时可使它的阴极注入瞬时停止，不参与以后过程。改变器件在双极晶体管模式下关断，前提是在P基N发射结外施加很高负电压，使阳极电流很快由阴极转移（或换向）至门极（门极换向晶闸管即由此得名），不活跃的NPN管一停止注入，PNP管即因无基极电流容易关断。GCT成为PNP管早于它承受全阻断电压的时间，而GTO却是赟CR转态下承受全阻断电压的，所以GCT可像IGBT无缓冲运行，无二次击穿，拖尾电流虽大但时间很短。

IGCT的关键技术

（1）缓冲层在传统GTO、二极管及IGBT等器件中，采用缓冲层形成穿通型（PT）结构，与非穿通型（NPT）结构相比，它在相同的阻断电压下可使器件的厚度降低约30%。同理，在GCT中采用缓冲层，即用较薄的硅片可达到相同的阻断电压，因而提高了器件的效率，降低了通态压降和开关损耗，可得到较好的VT-Eoff。同时，采用缓冲层还使单片GCT与二极管的组合成为可能。

（2）透明阳极为了实现低的关断损耗，需要对阳极晶体管的增益加以限制，因而要求阳极的厚度要薄，浓度要低。透明阳极是一个很薄的PN结，其发射效率与电流有关。因为电子穿透该阳极时就像阳极被短路一样，因此称为透明阳极。传统的GTO采用阳极短路结

构来达到相同目的。采用透明阳极来代替阳极短路，可使GCT的触发电流比传统无缓冲层的GTO降低一个数量级。GCT的结构与IGBT相比，因不含MOS结构而从根本上得以简化。

（3）逆导技术GCT大多制成逆导型，它可与优化续流二极管FWD单片集成在同一芯片上。由于二极管和GCT享有同一个阻断结，GCT的P基区与二极管的阳极相连，这样在GCT门极和二极管阳极间形成电阻性通道。逆导GCT与二极管隔离区中因为有PNP结构，其中总有一个PN结反偏，从而阻断了GCT与二极管阳极间的电流流通。

（4）极驱动技术IGCT触发功率小，可以把触发及状态监视电路和IGCT管芯做成一个整体，通过两根光纤输入触发信号，输出工作状态信号。在图1（A）中，GCT与门极驱动器相距很近（间距15cm），该门极驱动器可以容易地装人不同的装置中，因此可认为该结构是一种通用形式。为了使IGCT的结构更加紧凑和坚固，用门极驱动电路包围GCT，并与GCT和冷却装置形成一个自然整体，称为环绕型IGCT，如图1（B）所示，其中包括GCT 门极驱动电路所需的全部元件。这两种形式都可使门极电路的电感进一步减小，并降低了门极驱动电路的元件数、热耗散、电应力和内部热应力，从而明显降低了门极驱动电路的成本和失效率。所以说，IGCT在实现最低成本和功耗的前提下有最佳的性能。另外，IGCT开关过程一致性好，可以方便地实现串、并联，进一步扩大功率范围。

总之，在采用缓冲层、透明阳极、逆导技术和门极驱动技术后，IGCT从GTO中脱颖而出，在所有中高压领域及功率为0.5M～100MV A的应用中代替了GTO。

IGCT应用

带有标准配置门极单元的IGCT广泛应用于电压源型逆变器、电流源型逆变器、斩波器、静态断路器和许多其它拓扑电路。

与标准GTO相比，IGCT的最显著特点是存储时间短，因此器件之间关断时间的差异很小，可方便地将IGCT进行串并联，适合应用于大功率的范围。ABB公司已将IGCT用于100MV A的铁路交叉拉杆设备上，实现三相50Hz和单相16Hz之间的变频。在16Hz的输出端，共有12支H型桥路，每个H型桥路包括4×6串联联结的IGCT模块。6只IGCT中，有1只为冗余设计，因为存在冗余，保证了变频器的可靠性。设备的额定相输出电流为1430A，由于IGCT采用无缓冲设计，且与二极管集成制造，因此系统所使用的元器件数与传统的GTO相比减少一半以上，系统更加简单、可靠。据ABB报道[2]，此设备一年多来一直运转正常，IGCT器件总的安全无故障时间已达1.8×106h。

IGCT应用的另一实例是将它用于换能器。因不须采用抑制dV/dt的缓冲电路，且门极驱动为集成驱动，所以换能器体积明显减小。另外由于IGCT具有低通态损耗，极小的开通和关断损耗，并联二极管优化设计，使换能器的工作效率极高，其冷却方式可用水冷。如功率为3MV A的换能器，其直流链路电压为2800V，相电流额定值为1000A，开关频率可达200Hz，其全功率效率高达99.65％，而其体积只有0.152m3。

IGCT是ABB研究的成果，是一种理想的大功率开关器件，ABB称IGCT的问世是电力半导体器件的重大突破和飞跃，是电力半导体器件发展的里程碑，并宣称现已为全美提供了IGCT的系列产品。

IGCT的这些优良特性，使它在刚诞生不久就在中大功率装置中得到了应用[3]。据报导，它可用于2.3kV、3.3kV、4.16kV、6.9kV的电压、0.5～100MVA的功率范围，具体用途是调速驱动、高动态轧钢驱动和大功率直流输电等方面。其装置成本低，体积小，效率高，可靠性高。

IGBT同IGCT相比，因其触发为电压型，驱动电路十分简单，受到用户的欢迎，发达国家均以巨资开发和生产这种器件。目前，IGBT的容量达1200A、3300V，预计今后几年内其容量将有大的突破。笔者认为，由于每种器件的性能差异，使它们在不同的功率和频率

的应用中具有自己独特的领域，如西门子的SIMOVERT的MD、MV、ML、D4种变频器因功率和频率不同，分别选用的器件是IGBT、GTO和SCR。

IGCT变频器

低压IGBT和高压IGBT在高电压变频器中都采用。IGBT具有快速的开关性能，但在高压变频中其导电损耗大，而且需要许多IGBT复杂地串联在一起。对低压IGBT来讲，高压IGBT串联的数量相对要少一些，但导电损耗却更高。元件总体数量增加使变频器可靠性降低、柜体尺寸增大、成本提高。因此高压、大电流变频调速器在IGBT和GTO成熟技术的基础上，有了简洁的方案-IGC。这个优化的技术包含了对GTO的重新设计，使其具有重要的设计突破。新的IGCT引进了快速、均衡换流和内在的低损耗，主要的设计性能含有可靠的阳极设计来达到快速泄流、低损耗薄型硅晶片使切换快速以及使用大功率半导体的集成型门驱动器。

由于IGCT象IGBT那样具有快速开关功能，象GTO那样导电损耗低，在高压、大电流各种应用领域中可靠性更高。IGCT装置中所有元件装在紧凑的单元中,降低了成本。IGCT 采用电压源型逆变器，与其他类型变频器的拓扑结构相比，结构更简单，效率更高。对于4.16kV的变频器，逆变器中需要24个高压IGBT，如使用低压IGBT，则需60个，而同类型变频器若采用IGCT，则只需12个。

优化的技术只需更少的元件，相同电压等级的变频器采用IGCT的数量只需低压IGBT 的五分之一。并且，由于IGCT损耗很小，所需的冷却装置较小，因而内在的可靠性更高。更少的元件还意味着更小的体积。因此，使用IGCT的变频器比使用IGBT的变频器简洁、可靠性高。

尽管IGCT变频器不需要限制du/dt的缓冲电路，但是IGCT本身不能控制di/dt（这是IGCT的主要缺点），所以为了限制短路电流上升率，在实际电路中常串入适当电抗，如图3所示。整套逆变器由11个元器件组成：6个IGCT（带集成反向二极管），1个电抗，1个钳位二极管，1个钳位电容和1个电阻，一套门极驱动电源。一套3MV A的逆变器外形尺寸仅为780mmx590rnmx333mm，结构紧凑，并且元器件数少、可靠性高、成本低。

有效硅面积小、低损耗、快速开关这些优点保证了IGCT能可靠、高效地用于300 kV A～10MVA变流器，而不需要串联或并联。在串联时，逆变器功率可扩展到100MV A。虽然高功率的IGBT模块具有一些优良的特性，如能实现di/dt和dv/dt的有源控制、有源箝位、易于实现短路电流保护和有源保护等。但因存在着导通损耗高、硅有效面积利用率低、损坏后造成开路以及无长期可靠运行数据等缺点，限制了高功率IGBT模块在高功率低频变流器中的实际应用。因此在大功率MCT问世以前，IGCT可望成为高功率高电压变频器。

AO工艺设计计算公式

A/O工艺设计参数 ①水力停留时间：硝化不小于5～6h；反硝化不大于2h，A段:O段=1:3 ②污泥回流比：50～100% ③混合液回流比：300～400% ④反硝化段碳/氮比：BOD 5 /TN>4，理论BOD消耗量为1.72gBOD/gNOx--N ⑤硝化段的TKN/MLSS负荷率（单位活性污泥浓度单位时间内所能硝化的凯氏氮）：<0.05KgTKN/KgMLSS·d ⑥硝化段污泥负荷率：BOD/MLSS<0.18KgBOD 5 /KgMLSS·d ⑦混合液浓度x=3000～4000mg/L（MLSS） ⑧溶解氧：A段DO<0.2～0.5mg/L O段DO>2～4mg/L ⑨pH值：A段pH =6.5～7.5 O段pH =7.0～8.0 ⑩水温：硝化20～30℃ 反硝化20～30℃ ⑾ 碱度：硝化反应氧化1gNH 4+-N需氧4.57g，消耗碱度7.1g（以CaCO 3 计）。 反硝化反应还原1gNO 3 --N将放出2.6g氧， 生成3.75g碱度（以CaCO 3 计） ⑿需氧量Ro——单位时间内曝气池活性污泥微生物代谢所需的氧量称为需氧量 (KgO 2 /h)。微生物分解有机物需消耗溶解氧，而微生物自身代谢也需消耗溶解氧，所以Ro应包括这三部分。 Ro=a’QSr+b’VX+4.6Nr a’─平均转化 1Kg的BOD的需氧量KgO 2 /KgBOD b’─微生物（以VSS 计）自身氧化（代谢）所需氧量KgO 2 /Kg VSS·d。

上式也可变换为： Ro/VX=a’·QSr/VX+b’ 或 Ro/QSr=a’+b’·VX/QSr Sr─所去除BOD的量（Kg） Ro/VX─氧的比耗速度，即每公斤活性污泥（VSS）平均每天的耗氧量KgO 2 /KgVSS·d Ro/QSr─比需氧量，即去除1KgBOD 的需氧量KgO 2 /KgBOD 由此可用以上两方程运用图解法求得a’ b’ Nr—被硝化的氨量kd/d 4.6—1kgNH 3－N转化成NO 3 -所需的氧 量（KgO 2 ） 几种类型污水的a’ b’值 ⒀供氧量─单位时间内供给曝气池的氧量，因为充氧与水温、气压、水深等因素有关，所以氧转移系数应作修正。 ⅰ.理论供氧量 1.温度的影响 KLa(θ)=K L(20)×1.024Q-20 θ─实际温度 2.分压力对Cs的影响（ρ压力修正系数） ρ=所在地区实际压力（Pa）/101325（Pa） =实际Cs值/标准大气压下Cs值

MOS管工作原理及其驱动电路

功率场效应晶体管MOSFET 技术分类：电源技术模拟设计 | 2007-06-07 来源：全网电子 1.概述 MOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体），FET（Field Effect Transistor场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管。 功率场效应晶体管也分为结型和绝缘栅型,但通常主要指绝缘栅型中的 MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET）,简称功率MOSFET（Power MOSFET）。结型功率场效应晶体管一般称作静电感应晶体管（Static Induction Transistor——SIT）。其特点是用栅极电压来控制漏极电流，驱动电路简单，需要的驱动功率小，开关速度快，工作频率高，热稳定性优于GTR，但其电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置。 2.功率MOSFET的结构和工作原理 功率MOSFET的种类：按导电沟道可分为P沟道和N沟道。按栅极电压幅值可分为；耗尽型；当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道，增强型；对于N（P）沟道器件，栅极电压大于（小于）零时才存在导电沟道，功率MOSFET 主要是N沟道增强型。 2.1功率MOSFET的结构 功率MOSFET的内部结构和电气符号如图1所示；其导通时只有一种极性的载流子（多子）参与导电，是单极型晶体管。导电机理与小功率mos管相同，但结构上有较大区别，小功率MOS管是横向导电器件，功率MOSFET大都采用垂直导电结构，又称为VMOSFET（Vertical MOSFET），大大提高了MOSFET 器件的耐压和耐电流能力。

简单介绍词汇的教学方法

简单介绍词汇的教学方法。 答：1、词汇呈现法 不同的教师呈现词汇的方法也各不相同，一般来说，根据词汇特点以及学习者的需求，教师可以选择下列词汇呈现法： （1）利用图片、图表及地图来呈现词汇意义和意义之间的联系 （2）利用实物（即直观教具）来呈现词汇意义 （3）利用模仿或肢体动作来呈现词汇意义，如，刷牙、洗脸、打篮球等； （4）利用同义词或反义词来解释词汇意义 （5）利用词汇图（Lexical map），如，cook: fry, boil, bake, grill; （6）利用翻译法和举例法，尤其是专业术语或者具有抽象意义的词汇 （7）利用词汇生成规则或共同具有的词缀特征 （8）用英语释义的方法来揭示词义 2．词汇策略训练法 根据词汇学习特点，词汇策略可以分为以下五类： （1）调控资源 （2）资源策略 （3）认知策略 （4）记忆策略 （5）活动策略 外语词汇学习中一个非常重要的问题是如何促进学习者对词汇

的记忆，促进学习者的策略训练包括下列几类： （1）阅读记忆策略训练 （2）兴趣记忆策略训练 （3）最佳时期记忆策略训练 （4）联想记忆策略训练 （5）猜想记忆策略训练 （6）拆词记忆策略训练 （7）词汇图记忆策略训练 3、词汇应用策略 （1）看图描述 （2）描述绘画 （3）词汇游戏 4、词汇评价策略 评价学习者是否掌握一个单词包含以下准则： 发音正确 拼写正确 能够辨认这个单词的书写和口语形式 能够随意回忆起这个单词 能够将这个单词与一个恰当的实物或概念联系起来 能够将这个单词用在一个恰当的语法形式里 无论是在口语，还是在书面语中，学习者都能够熟练地识辨和应用这个单词

IGBT驱动电路原理及保护电路

驱动电路的作用是将单片机输出的脉冲进行功率放大，以驱动IGBT.保证IGBT 的可靠工作，驱动电路起着至关重要的作用，对IGBT驱动电路的基本要求如下： (1) 提供适当的正向和反向输出电压，使IGBT可靠的开通和关断。 (2) 提供足够大的瞬态功率或瞬时电流，使IGBT能迅速建立栅控电场而导通。 (3) 尽可能小的输入输出延迟时间，以提高工作效率。 (4) 足够高的输入输出电气隔离性能，使信号电路与栅极驱动电路绝缘。 (5) 具有灵敏的过流保护能力。 第一种驱动电路EXB841/840 EXB841工作原理如图1,当EXB841的14脚和15脚有10mA的电流流过1us 以后IGBT正常开通，VCE下降至3V左右，6脚电压被钳制在8V左右，由于VS1稳压值是13V,所以不会被击穿，V3不导通，E点的电位约为20V,二极管VD,截止，不影响V4和V5正常工作。 当14脚和15脚无电流流过，则V1和V2导通，V2的导通使V4截止、V5导通，IGBT栅极电荷通过V5迅速放电，引脚3电位下降至0V,是IGBT 栅一射间承受5V左右的负偏压，IGBT可靠关断，同时VCE的迅速上升使引脚6“悬空”.C2的放电使得B点电位为0V,则V S1仍然不导通，后续电路不动作，IGBT正常关断。 如有过流发生，IGBT的V CE过大使得VD2截止，使得VS1击穿，V3导通，C4通过R7放电，D点电位下降，从而使IGBT的栅一射间的电压UGE降低 ,完成慢关断，实现对IGBT的保护。由EXB841实现过流保护的过程可知，EXB841判定过电流的主要依据是6脚的电压，6脚的电压不仅与VCE 有关，还和二极管VD2的导通电压Vd有关。

介绍自我英语作文60个单词

介绍自我英语作文60个单词 作文：自我介绍 参考题目：（1）Myself我自己 （2）Talking about myself 介绍自己 （3）Introduce myself 介绍自己 注意：考试中不允许出现自己的真实姓名和学校等信息 提示词：年龄来自哪里爱好（喜欢什么）性格特征（友好、善良等） 要求：可以自拟题目，也可以用参考题目，字数在50左右。字迹清晰，语句通顺，条理清 楚。 可能用到的短语和句型： Inner Mongolia 内蒙古by bike/on foot骑自行车/步行primary school小学 study hard 努力学习 after school 放学后get up 起床班help others 帮助别人 play basketball/football打篮球/踢足球 there be句型 like doing something 喜欢做某事kind (善良) friendly（友好） Talking about myself My name is Liu ’吉林省)、I’m eleven years old and my birthday is in ’第一小学）、I can speak a little is

my favorite ’s very I don’t like ’s too like doing something喜欢做某事） with friends after school、（护士）、I love them very much、 自我介绍 我的名字叫刘芳，是一个中国女孩。最全面的范文参考写作网站我住在延吉，吉林省的一个小城市。我今年一岁，出生于六月。我在第一小学上学。我能说一点英语，英语很有趣，是我最喜欢的科目。但是我不喜欢数学，它太难了。我喜欢在放学后和朋友打篮球。我有一个快乐的家。我妈妈是护士，我爸爸是警察。我分爱他们。 Introduce Myself My name is Yang English name is ’学生的） colour is favourite number is favourite day is favourite pet is a dog、 I like English,Chisene and like to eat chichen,eggs,hot dogs,and don’t like meat and like coke and don’t like like swimming,reading,taking a trip and watching TV、、 自我介绍 我的名字叫杨欣欣，我的英文名字是玛丽。我是一名小学生。最喜欢的颜色是绿色，最喜欢的数字是六，最喜欢的日子是星期六，最喜欢的宠物是小狗。

公司企业简介 简单大气

周口亨祥建筑工程有限公司 企业简介 一、公司简介 周口亨祥建筑工程有限公司于2020年成立，注册于周口市市辖区，注册资金200万元。 周口亨祥建筑工程有限公司是一家专业从事建筑等各类工程活动的企业、公司自创立以来，一直专业致力于建筑等各类工程服务活动，始终坚持发扬“诚信、创新、沟通”为企业宗旨，以“优质健康、全心服务”为立业之本的团队精神。 二、企业理念 创新精神——创新是这个时代的要求，创新是打破固有的思维模式，更是获取发展空间的重要途径。 倡导竞争——竞争是企业生存和员工发展的唯一途径。 顾客第一——顾客是我们一切活动的中心。我们以客户的要求标准来评判我们的表现。 团队合作——我们坚信集体配合和沟通的重要，我们珍视公司所有人员的团结和合作。 合作发展——与各界同行合作，在合作中快速发展；与广大用户合作，在服务中不断提高自身水平；注重公司内部合作，强调团队精神，相互信任和有效沟通。 企业与员工双赢策略——鼓励员工忠诚于公司的事业，建立企业与员工双赢策略。 三、专业团队 公司现有员工26人，其中专业技术人员13人，各类专业检测试验仪器21套。 四、服务范围 1、建筑工程、市政工程、水利水电工程、环保工程、建筑装修装饰工程、特种工程、地基基础工程检测、园林绿化工程、工程劳务分包、消防设施工程、工程测量、工程技术咨询服务、岩土工程勘察活动。 2、公司本着以客户三个满意为基本原则：“质量的满意、先进技术的满意，服务的满意”,不断加强企业内部的综合竞争力，公司在竞争中求发展，在挑战中谋机遇，相信我公司会给您提供最高端、最优质、最满意的服务。勤劳和真诚的我们愿与您携手并进、共创辉煌！

MOSFET与MOSFET驱动电路原理及应用

MOSFET与MOSFET驱动电路原理及应用 下面是我对MOS FET及MOSFET驱动电路基础的一点总结，其中参考了一些资料，非全部原创。包括MOS管的介绍，特性，驱动以及应用电路。 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不是优秀的，作为正式的产品设计也是不允许的。 1、MOS管种类和结构 MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET)，可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。右图是这两种MOS管的符号。 至于为什么不使用耗尽型的MOS管，不建议刨根问底。 对于这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小且容易制造。所以开关电源和马达驱动的应用中，一般都用NMOS。下面的介绍中，也多以NMOS为主。 在MOS管原理图上可以看到，漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管，在驱动感性负载(如马达)，这个二极管很重要。顺便说一句，体二极管只在单个的MOS管中存在，在集成电路芯片内部通常是没有的。下图是MOS管的构造图，通常的原理图中都画成右图所示的样子。 (栅极保护用二极管有时不画)

MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在，如图所示。这不是我们需要的，而是由于制造工艺限制产生的。寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一些，但没有办法避免，在MOS管的驱动电路设计时再详细介绍。 2、MOS管导通特性 导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。 NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况(低端驱动)，只要栅极电压达到4V或10V就可以了。 PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，使用与源极接VCC时的情况(高端驱动)。但是，虽然PMOS 可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。 下图是瑞萨2SK3418的Vgs电压和Vds电压的关系图。可以看出小电流时，Vgs达到4V，DS间压降已经很小，可以认为导通。 3、MOS开关管损失

6个表示介绍的词汇

6个表示介绍的词汇 Are you using it to describe two or more people meeting each other for the first time? 你用这个词来描述两个或者更多人的初次见面吗？ Or are you using introduce to describe the first time you or someone tries something? 或者你用这个词来描述你或者其他人第一次尝试某件事情？ 下面的词或者词组都有相同的含义，能够用他们来描述两个人或者更 多人初次见面。以下的一些短语也能够用来描述第一次尝试某件事情。这里我们将以一个次要的句子作为这种用法的例子。 1. Acquaint 使熟悉 Please, acquaint me with Mark, he looks like a good man. 请把马克介绍给我，他看起来是一个不错的人。 I was not acquainted with white chocolate until you gave me some to try. 直到你给我一些白巧克力，我才尝试吃。以前我没有吃过。 2. Present (formal) 介绍提出（正式） I would like to present you to Jenny; she is our local doctor. 我会把你介绍给Jenny，她是我们本地的医生。 3. Familiarize

使熟悉 Make sure you familiarize yourself with the other employees before you start working. 在你开始工作之前，确保你和其他员工熟悉。 Please familiarize yourself with our company guidelines before starting on Monday. 下周一工作之前请先熟悉我们公司的工作方针。 4. Make known to (formal) 介绍（正式） Let me make known to you the leader of our country. 我来给你介绍我们国家的领导人。 5. Fix me up with (casual) 介绍（非正式） Can you fix me up with your sister Stacy? I would like to go on a date with her. 你能介绍我和你的姐姐史黛西理解吗？我想和她约会。 6. Introduction/s (formal) 介绍；引进（正式） John will make the introductions once everyone has arrived at the party. 每个人都来参加聚会时，约翰会实行介绍。

英语重点词汇介绍

prove用法 prove是个常用动词,也是一个多义动词.由于它的用法比较复杂,现归纳如下 一、prove作"证明;证实"解时,用法如下: 1.prove+名词/代词 He has proved his courage in the battle.他已在作战中证明了他的勇气. This further proved the strength of our economy.这进一步证明了我们的经济实力. Can you prove that?你能证实那一点吗? 2.prove+直接宾语(sth.)+to+间接宾语(sb.) The difficulty was how he could prove his ideas to other scientists.困难在于他怎样向其他科学家证实他的想法. Can you prove your theory to us?你能向我们证实你的理论吗? 3.prove+宾语+宾语补足语 (1)形容词作宾语补足语 They proved themselves wise and brave.他们证实自己机智、勇敢. Facts have proved these worries groundless.事实证明,这些忧虑是没有理由的. (2)名词作宾语补足语 She proved herself an able secretary.她证实自己是个能干的秘书. He has proved himself a success.他已证明了自己是个成功者. (3)动词不定式作宾语补足语 All this proved him to be an honest man.这一切都证明他是一个诚实的人. The experiment proved his theory to be important to our research.实验证明他的理论对我们的研究是重要的. 4.prove+宾语从句 Galileo proved that the earth and all other planets move around the sun.伽利略证实地球和所有其它的行星都是绕太阳运转的.

MOS管工作原理及其驱动电路

MOS管工作原理及其驱动电路 1.概述 MOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导 体），FET（Field Effect Transistor场效应晶体管），即以金属层（M）的 栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管。 功率场效应晶体管也分为结型和绝缘栅型,但通常主要指绝缘栅型中的MOS 型（Metal Oxide Semiconductor FET）,简称功率MOSFET（Power MOSFET）。 结型功率场效应晶体管一般称作静电感应晶体管（Static Induction Transistor——SIT）。其特点是用栅极电压来控制漏极电流，驱动电路简单， 需要的驱动功率小，开关速度快，工作频率高，热稳定性优于GTR，但其电流 容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置。 2.功率MOSFET的结构和工作原理 功率MOSFET的种类：按导电沟道可分为P沟道和N沟道。按栅极电压幅值 可分为；耗尽型；当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道，增强型；对 于N（P）沟道器件，栅极电压大于（小于）零时才存在导电沟道，功率MOSFET 主要是N沟道增强型。 2.1功率MOSFET的结构 功率MOSFET的内部结构和电气符号如图1所示；其导通时只有一种极性的 载流子（多子）参与导电，是单极型晶体管。导电机理与小功率mos管相同， 但结构上有较大区别，小功率MOS管是横向导电器件，功率MOSFET大都采用垂 直导电结构，又称为VMOSFET（Vertical MOSFET），大大提高了MOSFET器件 的耐压和耐电流能力。

常见医药化工术语简单介绍

常见医药化工知识简单介绍 化学品分类： 《全球化学品统一分类和标签制度》（Globally Harmonized System of Classification and Lablling of Chemicals，简称GHS，又称“紫皮书”）是由联合国出版的指导各国控制化学品危害和保护人类健康与环境的规范性文件。2002年联合国可持续发展世界首脑会议鼓励各国2008年前执行GHS。APEC会议各成员国承诺自2006年起执行GHS。2011年联合国经济和社会理事会25号决议要求GHS专家分委员会秘书处邀请未实施GHS的政府尽快通过本国立法程序实施GHS。 一、建立GHS目的 目前世界上大约拥有数百万种化学物质，常用的约为7万种，且每年大约上千种新化学物质问世。 二、化学品GHS分类及危险性公示要素 GHS内容包括：（1）按照物理危害性，健康危害性和环境危害性对化学物质和混合物进行分类的标准；（2）危险性公示要素，包括包装标签和化学品安全技术说明书。目前GHS共设有28个危险性分类，包括16个物理危害性分类种类，10个健康危害性分类种类以及2个环境危害性分类种类。具体如下： 物理危害性健康危害性环境危害性 爆炸性物质急性毒性危害水生环境物质 易燃气体皮肤腐蚀/刺激性（1）水生急性毒性 易燃气溶胶严重眼损伤/眼刺激性（2）水生慢性毒性 氧化性气体呼吸或皮肤致敏性危害臭氧层 高压气体生殖细胞致突变性 易燃液体致癌性 易燃固体生殖毒性 自反应物质特定靶器官系统毒性（单次接触） 发火液体特定靶器官系统毒性（反复接触） 发火固体吸入危害性自燃物质 与水放出易燃气体物质 氧化性固体 氧化性液体

AO工艺设计参数

污水处理A/O工艺设计参数 1.HRT水力停留时间：硝化不小于5～6h；反硝化不大于2h，A段:O段=1:3 在 A／O工艺中，好氧池的作用是使有机物碳化和使氮硝化；缺氧池的作用是反硝 化脱氮，故两池的容积大小对总氮的去除率极为重要。A／O的容积比主要与该废 水的曝气分数有关。缺氧池的大小首先应满足NO3--N利用有机碳源作为电子供体，完成脱氮反应的需要，与废水的碳氮比，停留时间、回流比等因素相应存在一定的关系。借鉴于类似的废水以及正交试验，己内酷胺生产废水的A／0容积比确定在1：6左右，较为合适。 而本设计的A／ 0容积比为亚：2，缺氧池过大，导致缺氧池中的m（BOD）／m （NO3--N）比值下降，当比值低于1.0时，脱氮速率反趋变慢。另外，缺氧池过大，废水停留时间过长，污泥在缺氧池内沉积，造成反硝化严重，经常出现大块上浮死泥，影响后续好氧处理。后将A／O容积比按1：6改造，缺氧池运行平稳。 1.1、A/O除磷工艺的基本原理 A/O法除磷工艺是依靠聚磷菌的作用而实现的，这类细菌是指那些既能贮存聚磷(poly—p)又能以聚β—羟基丁酸(PHB)形式贮存碳源的细菌。在厌氧、好氧交替条 件下运行时，通过PHB与poly—p的转化，使其成为系统中的优势菌，并可以过 量去除系统中的磷。其中聚磷是若干个基团彼此以氧桥联结起来的五价磷化合物，亦被称为聚磷酸盐，其特点是：水解后生成溶解性正磷酸盐，可提供微生物生长繁殖所需的磷源；当积累大量聚磷酸盐的细菌处于不利环境时，聚磷酸盐可分解释放能量供细菌维持生命。聚β—羟基丁酸是由多个β—羟基丁酸聚合而成的大分子聚 合物，当环境中碳源物质缺乏时，它重新被微生物分解，产生能量和机体生长所需要的物质。这一作用可分为两个过程：厌氧条件下的磷释放过程和好氧条件下的磷吸收过程。 厌氧条件下，通过产酸菌的作用，污水中有机物质转化为低分子有机物(如醋酸等)，聚磷菌则分解体内的聚磷酸盐释放出磷酸盐及能量，同时利用 水中的低分子有机物在体内合成PHB，以维持其生长繁殖的需要。研究发现，厌 氧状态时间越长，对磷的释放越彻底。 好氧条件下，聚磷菌利用体内的PHB及快速降解COD产生的能量，将污水中的磷 酸盐吸收到细胞内并转变成聚磷贮存能量。好氧状态时间越长，对磷的吸收越充分。由于好氧状态下微生物吸收的磷远大于厌氧状态下微生物释放出的磷，随着厌氧—好氧过程的交替进行，微生物可以在污泥中形成稳定的种类并占据一定的优势，磷就可以通过系统中剩余污泥的排放而去除(见图1)。

H桥电路驱动原理(经典)

H桥电路驱动原理 2009年04月08日 星期三 上午 08:43 H桥电路驱动原理 一、H桥驱动电路 图4.12中所示为一个典型的直流电机控制电路。电路得名于“H桥驱动电路”是因为它的形状酷似字母H。4个三极管组成H的4条垂直腿，而电机就是H中的横杠（注意：图4.12及随后的两个图都只是示意图，而不是完整的电路图，其中三极管的驱动电路没有画出来）。 如图所示，H桥式电机驱动电路包括4个三极管和一个电机。要使电机运转，必须导通对角线上的一对三极管。根据不同三极管对的导通情况，电流可能会从左至右或从右至左流过电机，从而控制电机的转向。 图4.12 H桥驱动电路 要使电机运转，必须使对角线上的一对三极管导通。例如，如图4.13所示，当Q1管和Q4管导通时，电流就从电源正极经Q1从左至右穿过电机，然后再经 Q4回到电源负极。按图中电流箭头所示，该流向的电流将驱动电机顺时针转动。当三极管Q1和Q4导通时，电流将从左至右流过电机，从而驱动电机按特定方向 转动（电机周围的箭头指示为顺时针方向）。

图4.13 H桥电路驱动电机顺时针转动 图4.14所示为另一对三极管Q2和Q3导通的情况，电流将从右至左流过电机。当三极管Q2和Q3导通时，电流将从右至左流过电机，从而驱动电机沿另一方向转动（电机周围的箭头表示为逆时针方向）。 图4.14 H桥驱动电机逆时针转动 二、使能控制和方向逻辑 驱动电机时，保证H桥上两个同侧的三极管不会同时导通非常重要。如果三极管Q1和Q2同时导通，那么电流就会从正极穿过两个三极管直接回到负极。此时，电 路中除了三极管外没有其他任何负载，因此电路上的电流就可能达到最大值（该电流仅受电源性能限制），甚至烧坏三极管。基于上述原因，在实际驱动电路中通常 要用硬件电路方便地控制三极管的开关。 图4.155 所示就是基于这种考虑的改进电路，它在基本H桥电路的基础上增加了4个与门和2个非门。4个与门同一个“使能”导通信号相接，这样，用这一个信号就能控制 整个电路的开关。而2个非门通过

介绍个人资料常用词汇_个人简介.doc

介绍个人资料常用词汇_个人简历 A Useul Glossry or Persol D(个人资料常用词汇) me 姓名i 英寸 e me 笔名英尺 lis 别名sree 街 Mr 先生rod 路 Miss 小姐disri 区 Ms （小姐或太太）ouse umber 门牌 Mrs 太太le 胡同，巷 e 年龄ei 身高 bloodye 血型ei 体重 ddress 地址bor 生于 erme ddress 永久住址birdy 生日 rovie 省birde 出生日期 iy 市birle 出生地点 ouy 县ome oe 住宅电话 reeure 专区oie oe 办公电话 uoomous reio 自治区busiess oe 办公电话 ioliy 民族；国籍urre ddress 目前住址 iizesi 国籍de o bir 出生日期 ive le 籍贯osl ode 邮政编码 duel iizesi 双重国籍mril sus 婚姻状况 mily sus 家庭状况mrried 已婚 sile 未婚divored 离异

sered 分居umber o ildre 子女人数 el odiio 健康状况el 健康状况 exelle （身体）极佳sor-sied 近视 r-sied 远视ID rd 身份证 de o vilbiliy 可到职时间membersi 会员、资格 reside 会长vie-reside 副会长 direor 理事sdi direor 常务理事 soiey 学会ssoiio 协会 serery-eerl 秘书长reser soiey 研究会 介绍更有效销售的2个秘密-销售 介绍更有效销售的2个秘密BNET 商学院周安利| 今天的市场对提出的要求是巨大的，这也是一个最有挑战的工作。但是人的潜力也是在挑战中才可能最大程度爆发。

公司简介怎么写及公司简介范文

公司简介怎么写及公司简介范文 公司简介怎么写及公司简介范文 公司简介就是对一个公司或者企业做一个简单全面的介绍，这种介绍不是一句话带过，也不是长篇大论，是简单扼要的介绍公司的一段文字，让别人初步了解公司的基本情况，同时能给客户留下一方面的深刻印象，这样就达到了介绍的目的了。 公司简介一般包括以下几个方面： 1. 公司概况：这里面可以包括注册时间，注册资本，公司性质，技术力量，

规模，员工人数，员工素质等; 2. 公司发展状况：公司的发展速度，有何成绩，有何荣誉称号等; 3. 公司文化：公司的目标，理念，宗旨，使命，愿景，寄语等; 4. 公司主要产品：性能，特色，创新，超前; 5. 销售业绩及络：销售量，各地销售点等; 6. 售后服务：主要是公司售后服务的承诺。 下面我们以郑州福斯特电子有限公司为例，加以阐述公司简介的书写方式。 公司概况：郑州福斯特电子有限公司，1999年，注册资金100万，员工40

余名，专业的研发设计团队，一家专业的生产创造公司; 发展状况：主要面向全国拥有装载机的个体和企业团体用户，已经为上百家企业提供了专业的售后服务; 公司文化：优秀的员工，先进的技术，精良的设备，严格的管理是公司得以不断发展养大、产品能够赢得用户依赖的根本所在。“精确、可靠、专业”是我们生产精神和服务信念; 公司产品：主要为企业提供装载机电子秤的安装，调试和完善的售后服务; 销售业绩以及络：为拥有装载机的客户提供优质服务，主要面向的是全国的市场;

售后服务：郑州福斯特电子公司有完善的售后服务体系，提供终生维护的服务。 以上就是关于郑州福斯特电子有限公司的一个分类详细说明，下面开始整理书写： 郑州福斯特电子有限公司成立于1999年，注册资金100万，员工40余人，是河南省郑州市一家专业做装载机电子秤的公司。公司的产品主要用于货场、矿山、冶金、化工、能源交通等企事业单位和个体的装载机上，充分发挥产品的优势，提高劳动效率，防止车辆的超载。优秀的员工，先进的技术，精良的设备，严格的管理是公司得以不断发

污水处理中AO工艺的设计参数

A/O生物除磷工艺是由厌氧和好氧两部分反应组成的污水生物处理系统。污水进入厌氧池后，与回流污泥混合。活性污泥中的聚磷菌在这一过程中大量吸收污水中的BOD，并将污泥中的磷以正磷酸盐的形式释放到混合液中。混合液进入好氧池后，有机物被氧化分解，同时聚磷菌大量吸收混合液中的正磷酸盐到污泥中。由于聚磷菌在好氧条件下吸收的磷多于厌氧条件下释放的磷，因此污水经过“厌氧－好氧”的交替作用和二沉池的污泥分离达到除磷的目的。一般情况下，TP的去除率可达到85％以上。 A/O工艺设计参数 ①水力停留时间：硝化不小于5～6h；反硝化不大于2h，A段:O段=1:3 ②污泥回流比：50～100% ③混合液回流比：300～400% ④反硝化段碳/氮比：BOD5/TN>4，理论BOD消耗量为1.72gBOD/gNOx--N ⑤硝化段的TKN/MLSS负荷率（单位活性污泥浓度单位时间内所能硝化的凯氏氮）：<0.05KgTKN/KgMLSS·d ⑥硝化段污泥负荷率：BOD/MLSS<0.18KgBOD5/KgMLSS·d ⑦混合液浓度x=3000～4000mg/L（MLSS） ⑧溶解氧：A段DO<0.2～0.5mg/L O段DO>2～4mg/L ⑨pH值：A段pH =6.5～7.5 O段pH =7.0～8.0 ⑩水温：硝化20～30℃ 反硝化20～30℃ ⑾碱度：硝化反应氧化1gNH4+-N需氧4.57g，消耗碱度7.1g（以CaCO3计）。 反硝化反应还原1gNO3--N将放出2.6g氧，生成3.75g碱度（以CaCO3计） ⑿需氧量Ro——单位时间内曝气池活性污泥微生物代谢所需的氧量称为需氧量(KgO2/h)。微生物分解有机物需消耗溶解氧，而微生物自身代谢也需消耗溶

公司简介的写法 公司简介模板100字

公司简介的写法公司简介模板100字 公司简介对于一个企业来说，就是一个门面，不管你是网站上的介绍，还是摆在门口的标牌，很多人通过你的简介来了解你，那对于一个企业来说，简介尤为重要，简介内容既要简单。又要把重点说清楚。让大家初步了解，并且让大家有兴趣继续了解该公司。但是目前中小企业对公司简介不知道如何写，控制不好字数多，总是不能好好把握，今天我们在这里好好说说关于公司简介的书写方法。公司简介是什么，就是对公司、对企业的介绍。这种介绍不是一句话带过，也不是长篇大论，是简单扼要的介绍公司的一段文字，让别人初步了解公司的基本情况。公司简介一般包括以下几个方面：1.公司概况：这里面可以包括注册时间，注册资本，公司性质，技术力量，规模，员工人数，员工素质等；2.公司发展状况：公司的发展速度，有何成绩，有何荣誉称号等； 3.公司文化：公司的目标，理念，宗旨，使命，愿景，寄语等； 4.公司主要产品：性能，特色，创新，超前； 5.销售业绩及网络：销售量，各地销售点等； 6.售后服务：主要是公司售后服务的承诺。对于普通工厂而言：首先要写清楚厂房所在地。其次可以增加厂房面积和员工数目的介绍。第三是该厂的生产产品种类介绍。第四是公司获得的证书或者荣誉。第五是写希望合作之类的话语。 企业简介主要是给客户看的，所以规模不大的公司的简介要有竞争力是

简介的核心，首先要找到自身与同行的区别在那里，整理出简洁、明了、华丽但不夸张的书面语言作为简介的核心，其他各项围绕这个核心写；与同行相比较薄弱的地方尽可能不要写上去，因为客户看了的第一感觉就是“比较”；建议你先看一下同行的简介，看是否能找出他们各自的优势和劣势，你可以找到灵感 1.公司组织结构设定及职能分配; 2.公司战略的制定与经营目标的实现; 3.管理制度与企业文化相关性分析; 4.人力资源方案与重大问题决策机制; 5.动态经济条件下的公司资源分析简介呀！

垃圾焚烧发电工艺设计参数的计算方法

垃圾焚烧发电工艺设计参数的计算方法 浙江旺能环保股份有限公司作者：周玉彩 摘要：本文介绍了垃圾焚烧发电炉排炉、汽轮机组工艺设计的参数计算方法。 关键词：参数、垃圾、焚烧、炉排、汽轮机组。 前言： 生活垃圾焚烧发电应用于环境保护领域，实现城市生活垃圾的无害化、减量化、减容化和资源化、智能化处理，达到节能减排之目的。在生活垃圾焚烧发电工艺设计流程中首先进行垃圾焚烧发电炉排炉工艺设计参数的计算，为后续设计提供参数依据。 一、生活垃圾焚烧炉排炉工艺设计参数的计算 1、待处理生活垃圾的性质 1.1待处理生活垃圾主要组成成分 表1：待处理生活垃圾的性质 表2：待处理生活垃圾可燃物的元素分析（应用基）% 表3：要求设计主要参数 1.2 根据垃圾元素成分计算垃圾低位热值： LHV=81C+246H+26S-26O-6W (Kcal/Kg) =81*20.6+246*0.9+26*0.12-26*0.12-6*47.4=1388(Kcal/Kg)*4.18=5800(KJ/Kg)。 1.3根据垃圾元素成分计算垃圾高位热值： HHV=｛LHV+600*(W+9H)｝*4.18=｛1388+600(0.474+9*0.009)｝*4.18=7193.78(KJ/Kg)。 2、处理垃圾的规模及能力 焚烧炉3台: 每台炉日处理垃圾350t；

处理垃圾量： 1000t/24h=41.67（t/h）； 炉系数：（8760-8000）/8000=0.095； 实际每小时处理生产能力：41.67*（1+0.095）=45.6（t/h）； 全年处理量： 45.6*8000=36.5*104t； 故:每台炉每小时处理垃圾量：350/24*1.05=15.3（t/h）。 3、设计参数计算： 3.1垃圾仓的设计和布置 已知设计中焚烧炉长度L=75.5米，宽D=18.5米，取垃圾仓内壁与炉长度对齐,T=5d,垃圾的堆积密度取0.35t/m3 求：垃圾的容积工程公式：V=a*T 式中： V----垃圾仓容积m3； a--- 容量系数，一般为 1.2～1.5，考虑到由于垃圾仓存在孔角，吊车性能和翻 仓程度以及有效量的缺陷，导致垃圾仓可利用的有效容积小于几何容积； T--- 存放时间，d；根据经验得出适合燃烧存放天数，它随地区及季节稍有变化； V=a*T=1.2*5*1000/0.35=17142.86（m3 ）。 故：垃圾仓的容积设计取18000（m3）。 垃圾仓的深度为Hm Hm=L*D/V=18000/75.5*18.5=12.88（m）。 故：垃圾池全封闭结构，长75.5米，宽18.5米，总深度以6米卸料平台为基准负13米。 3.2焚烧炉的选择与计算 （1）焚烧炉的加料漏斗 焚烧炉的加料漏斗挂在加料漏斗层，通过垃圾吊车将间接垃圾供料变为均匀加料，漏斗的容积要能满足“1h”内最大焚烧量。 垃圾通过竖溜槽送到给料机，垃圾竖溜槽可通过液压传动闸板关闭，竖溜槽的尺寸选择要满足溜槽中火焰密封闭合，给料机根据要求向焚烧炉配送垃圾，每台炉安装配合给料机传动用液压汽缸，液压设备由每台炉生产线控制中心控制。 料斗的容积V D V D=G/24*Kx/ρL 式中： V D---料斗的容积（m3）； G--- 每台炉日处理垃圾的量，（t/h）；

电磁阀驱动电路

设计文件 （项目任务书） 一、设计题目 电磁阀驱动电路系统设计全程解决方案 二、关键词和网络热点词 1．关键词 电磁阀驱动光电耦合…… 2．网络热点词 电动开关……….. 三、设计任务 设计一个简单的电池阀驱动电路，通过按钮开关控制市场上的12V常闭电池阀打开和闭合。 基本要求： 1）电路供电为24V； 2）电磁阀工作电压为12V； 3）带有光电耦合控制电路； 4）用发光二极管来区别、显示电磁阀的开关开关状态 四、设计方案 1.电路设计的总体思路 电磁阀驱动电路是各种气阀、油阀、水阀工作的首要条件，其作用是通过适当的电路设计，使电池阀能够按时打开或半打开，有需要控制阀以几分之几的规律打 开之类的要求，应设计较精密的的驱动电路。我做的只是一个简单的驱动常闭电池 阀全打开的简单驱动电路。通过光电耦合器控制三极管的导通，进而控制电磁阀的 打开与闭合。电磁阀导通的同时，与之并联的LED灯也随之亮。来指示电磁阀正 在工作。我们选用大功率管TIP122来控制电路的导通、截止，而且这里必须用大 功率管，因为电磁阀导通时电流特别大。考虑到电磁阀断开时会有大股电流回流，这时则需要设置回流回路，防止烧坏元器件，我们这里采用大功率二极管1N4007 与电磁阀形成回流回路来消弱逆流电流的冲击。具体的电路图如下图1所示：

2、系统组成：

在设计整个电路前，我们应该先有个整体构思，建立一个整体框架，然后根据设计要求再逐步细化、设计每一个模块的具体电路，及工作原理。最后将各部分有机的连接到一起，形成一个完整的电路系统。完成项目任务。系统框图如下图2所示： 图2 系统框图 电磁阀驱动电路整个系统主要分两个部分： 第一个部分：光电耦合器控制电路。我们都知道光电耦合器随着输入端电流的增加，其内部发光二极管的亮度也会增强，紧随着光电耦合器的输出电流就会跟着增大。光电耦合器一般由三部分组成：光的发射、光的接受、及信号放大。输入的电信号驱动发光二极管（LED），使之发出一定波长的光，被光探测器接受而产生光电流，再进一步放大后输出。这就完成了电-光-电的转换，从而起到输入、输出、隔离的作用。而我们本电路只需要小电流，故我们加了两个10K限流电阻，产生足以驱动或打开后面的三极管的电流即可。具体电路见图3，其中J1接口外接24V正电源给系统供电。 图3 开关电路原理图

简单词汇用高级词汇表达大全

【转】英文写作第一反应词替换表 2008-03-31 13:00 | (分类:默认分类) 很多同学经常把第一反应词翻来覆去的用，这样的后果就是：第一，写文章时用词的质量一直上不去；第二，一直缺乏对背过的单词的应用以及通过应用的语境理解和辨析。下面，我给大家列举了我们在写作常用的那些第一反应词的替换表，旨在告诉大家，要让自己的语言表达能力书面化，多样化。 很多同学在写作的时候，往往想到某个意思，立刻脑子中想到都是例如I think, important, show, because, moreandmore等等这些词汇，这些词汇在英语教学中，我们称他们为第一反应词，所谓第一反应词，很好理解，就是每个人第一时间反应出来的这些表达。那么，如果要写出一篇高质量的文章，除了内容，词的使用能够表现出你的英语能力，我们很多同学的阅读词汇量远远大于写作词汇量，原因很简单，大家背了很多漂亮的单词，但是却从不给他们“出镜”的机会，而是把这些第一反应词翻来覆去的用，这样的后果就是：第一，写文章时用词的质量一直上不去；第二，一直缺乏对背过的单词的应用以及通过应用的语境理解和辨析。下面，我给大家列举了我们在写作常用的那些第一反应词的替换表，旨在告诉大家，要让自己的语言表达能力书面化，多样化。 through－>in term of/via operate－>manipulate offspring－>descendant inevitable－dispensable detail－>specific explain－>interpret obvious－>conspicuous hurt－>vulnerable use－>employ/utilize value－>merit provide－>lend－>offer true－>accurate leading to－>contribute to/ conduce to/result in more and more－>increasing/growing