内存条分类、区别以及图文

内存条分类图文汇总

外观区别更直接：

SDR：两个缺口、单面84针脚、双面168针脚、左10中30右44、内存颗粒长方形

DDR1：一个缺口、单面92针脚、双面184针脚、左52右40、内存颗粒长方形

DDR2：一个缺口、单面120针脚、双面240针脚、左64右56、内存颗粒正方形、电压1.8V

DDR3：一个缺口、单面120针脚、双面240针脚、左72右48、内存颗粒正方形、电压1.5V

安装好CPU后，接下来就要开始安装内存条了。在安装内存条之前，可以在主板说明书上查阅主板可支持的内存类型、可以安装内存的插槽数据、支持的最大容量等等。虽然这些都是很简单的，但是你知道不同内存条是如何区分的吗？你知道EDO RAM内存为什么必须成对才能使用吗？你知道RDRAM内存插槽的空余位置为何要插满终结器才能使用吗？这些都是安装内存条所必须了解的。如果你还不知道，那么这篇文章就非常适合你。

一、从外观上识别内存

从计算机诞生开始，内存型态的发展真可谓千变万化。因此，下面先着重介绍内存的种类及其外观，好让大家对它们进行分辨，这也是大家在装机过程中必须了解的。从内存型态上看，常见的内存有：FPM RAM、EDO RAM、SDRAM、DDR RAM、Rambus DRAM，如图1所示。从外观上看，它们之间的差别主要在于长度和引脚的数量，以及引脚上对应的缺口。

FPM RAM主要流行在286、386时代，当时使用的是30pin的FPM RAM内存，容量只有1MB或2MB。而在486时代，及少数586电脑也使用72pin的FPM RAM内存。EDO RAM主要应用在486、586时代，也有72pin和168pin之分。从外形上看，30pin的FPM RAM内存的长度最短，72pin的FPM RAM和EDO RAM内存的长度稍长一些，而168pin和EDO RAM内存与大家常见的SDRAM内存是基本一样的。这几种内存很容易就可以在长度和引脚的数量上区分开来。只不过这些内存如今基本上已经销声匿迹了。

小提示：由于EDO RAM与FPM RAM内存的内存数据宽度均为32位，而奔腾及其以上级别的数据总线宽度都是64位。因此，要想在奔腾及其以上级别的电脑中使用这些内存条，就必须同时使用二根同样的内存条。成对的二根内存条最好是使用相同型号，且相同容量的内存条。

大家最常见到的SDRAM内存具有168个引脚，引脚上有两个不对称的缺口。在SDRAM内存的两侧，还可以发现各有一个缺口。如果是PC100/133 SDRAM，会在内存条上包含一个8针的SPD芯片，这是识别PC100/133内存的一个必要条件和重要标志。但是大家也要注意，有SPD芯片不一定代表这条SDRAM内存就是PC100/133，但如果没有则肯定不是。

接下来，我们再来看看DDR RAM与SDRAM有什么不同。从外形上看，DDR RAM和传统的SDRAM区别并不很大，它们的金手指具有相同的总长度。但是，DDR RAM内存具有184个引脚，引脚上也只有一个小缺口。另外，在DDR RAM内存的两侧，各有两个缺口。

Rambus DRAM（也称为RDRAM）内存的引脚也跟DDR RAM内存一样，采用184个引脚。但是它看上去和SDRAM和DDR RAM是完全不一样的。首选在RDRAM的外面包裹着一层金属屏蔽罩，以减少电磁干扰。大家注意看它的引脚，在中间的两个缺口附近没有设计引脚，

这两个缺口也与SDRAM上的两个缺口是不一样的哦。在RDRAM内存的两侧，各有一个缺口。

小知识：SIMM、DIMM、RIMM

不同的内存条必须安装在主板上的专用内存插槽上。应用在台式电脑的内存插槽主要有：SIMM、DIMM、RIMM，这些都会在主板的内存插槽边上，以及主板说明书上标示出来。

SIMM（Single In-Line Memory Module，单边接触内存模组）是486及其较早的PC机中常用的内存插槽。SIMM内存插槽主要有两种型态：30pin和72pin。30pin的单面内存条是用来支持8位的数据处理量。72pin的单面内存条是用来支持32位的数据处理量。因此，例如一次可处理64位的英特尔奔腾系列的中央处理器，你需要8条30pin或2条72pin的内存条来支持它。在486以前，大多采用30pin 的SIMM插槽，或者与72pin的SIMM插槽并存；而在Pentium中，应用更多的则是72pin的SIMM接口，或者是与DIMM插槽并存。

DIMM(Dual In-Line Memory Module，双边接触内存模组)内存插槽是指这种类型接口内存的插板的两边都有数据接口触片，这种接口模式的内存通常为84pin或92pin，但由于是双边的，所以一共有84×2=168pin或92×2=184pin接触。DIMM内存插槽支持64位数据传输，使用3.3V电压。

RIMM（Rambus In-Line Memory Module）内存插槽就是支持Direct RDRAM内存条的插槽。RIMM有184pin，资料的输出方式为串行，

与现行使用的DIMM模块168pin，并列输出的架构有很大的差异。

二、安装内存条

在安装内存条之前，大家不要忘了看看主板的说明书，看看主板支持哪些内存，可以安装的内存插槽位置及可安装的最大容量。不同内存条的安装过程其实都是大同小意的，这里主要说明常见的SDRAM、DDR RAM、RDRAM内存。

STEP1：首先将需要安装内存对应的内存插槽两侧的塑胶夹脚（通常也称为"保险栓"）往外侧扳动，使内存条能够插入，如图2所示。

STEP2：拿起内存条，然后将内存条的引脚上的缺口对准内存插槽内的凸起（如图3所示）；或者按照内存条的金手指边上标示的编号1的位置对准内存插槽中标示编号1的位置。

STEP3：最后稍微用点用力，垂直地将内存条插到内存插槽并压紧，直到内存插槽两头的保险栓自动卡住内存条两侧的缺口，如图4所示。

小提示：在任何一块支持RDRAM的主板上，你都能够看到RIMM 内存插槽是成对出现。因为RDRAM内存条是不能够一根单独使用，它必须是成对的出现。RDRAM要求RIMM内存插槽中必须都插满，空余的RIMM内存插槽中必须插上传接板（也称"终结器"），这样才

能够形成回路，如图5所示。

内存条分类、区别以及图文(2)

时下国际内存颗粒价格一路走高，于是大量假冒伪劣内存再次浮出水面，毕竟过高的价格差值成为他们铤而走险的导火索。所以打磨条、水货条、山寨货、甚至二手翻新条都出现在北京中关村市场内。这些假冒伪劣内存的出现，不仅严重威胁着消费者的权益，更成为阻碍整个内存市场良性发展的一颗毒瘤。

其实内存的生产门槛并不高，内存主要的部件就是DRAM颗粒和PCB板，而DRAM颗粒是造假最常用到的。下面寻修网https://www.wendangku.net/doc/d51631010.html,/就揭秘内存市场集中比较典型的造假手段，希望对您今后购买起到一定的帮助。

为何造假？

理由其实很简单--利益。内存造假并不能算是一个新的话题，早在SDRAM内存占据主流市场的时代，造假就已经成为不法内存厂商

和经销商们最主要的获利手段。

假冒内存有什么危害？

如果消费者不小心购买了劣质内存条，在使用过程中麻烦就会接踵而来，系统经常性蓝屏死机、不规则重启，有甚者颗粒烧毁并秧及电脑内的其他硬件，后果非常严重。而且假条在产品质量极差的情况下，又没有售后服务，肯定会损害到消费者的利益。

内存颗粒

常见的造假方式有那些？

目前最为常见的几种造假手段主要有：以次充好、打磨、改字和翻修。以次充好，就是指奸商将一些坏掉但依旧可以利用的内存条经过特殊的处理，使其中一部分好的内存颗粒正常工作，然后将其再次拿到市场上按照全新产品出售。打磨也就是我们通常所说的REMARK，奸商将内存颗粒表面的字迹擦除，然后再重新标上金士顿、Kingmax、

现代等名牌标签。改字条就是将内存颗粒表面的部分字母或者数字改写。翻修就是将回收到的"垃圾芯片"重新焊接在PCB电路板上当新品卖。这些内存往往因为生产简陋，没有经过出厂测试，所以质量根本没有保证。

哪些内存产品容易被仿造？

造假者都有一个共性：只要那个品牌被消费者所青睐，他们就会伺机而动，疯狂仿冒。金士顿作为全球第一大独立内存模组制造商，更是被造假者当成重点目标，这不但侵害了金士顿的利益，也严重危及到用户权益。

猜猜哪条是真的，哪条是假的？

下图真品内存为之前笔者拍的金士顿2GB/667笔记本内存颗粒特写，采用和假金士顿内存同样的尔必达颗粒，从图中可以清晰看出，真品内存颗粒印刷清晰，而假内存的颗粒则非常暗淡，对比非常鲜明。

芯片颗粒对比

其实对于一款内存来说，PCB电路板仅占内存成本的百分之十以内，而颗粒价格才是真正的"大头"。所以通常PCB基本均为正规代工厂制造，而颗粒则采用行话里的"白片"，就是业内所说的次品颗粒，价格非常便宜，但稳定性和兼容性很差。

细节处对比（真品）

从上面图中可以看出两处破绽，其中第一处就是金士顿R型商标的微缩字体印刷，在注册商标"R"的周围应该清楚印着KINGSTON英文，这里由于笔者的相机缘故不能清晰显示出来，不过对照假内存胡乱瞎画而言已经清晰很多了。

细节处对比（假货）

另外一点，请仔细看标签内部的水印，假内存水印和KINGSTON 字体衔接处都有明显的痕迹，明显是后印上去的，这点在真金士顿内存中是不会发现的。

金士顿官方网站"一分钟正品鉴定"

虽然金士顿内存常年被假货困扰，但是依然是内存行业的销量冠军，这说明大多数消费者还是认可金士顿内存的兼容性和稳定性。但是用户在购买内存的时候一定要用笔者上述的方法仔细鉴定一番，然后在通过网上或者短信查询方式鉴别，这样购买到假货的几率就会大大减少。如果能够直接去金士顿指定商家购买产品的话，那么就更放心了。

内存散热片里面不为人知的秘密

其实，内存市场不光只是打磨颗粒内存，还存在一些"超频"条。而这些超频条多半会用马甲散热片作为掩饰，一旦马甲被撕破，谎言也随即被揭穿。

威刚红龙DDR2-1066+内存

不知道大家对威刚2GB DDR2-800+红龙上市还有没有印象，当时这款内存威刚是包超条，就是每款内存都可以轻松超值DDR2-1066，虽然价格稍显贵，但是超频后的性价比非常高。为此，很多不法商家就到市场各个柜台收集一些DDR2-800的内存，比如创见、金士顿等等，然后在里面挑选一些超频性能稍好的，再加上红色威龙的壳子，就成为了名副其实的"威刚红龙"内存。这样的好处就是通过购买低价的DDR2-800条子，加以伪装就可以卖到比这高出好几十的价格，利润非常可观。

另外一条内幕消息就是三星的大量DDR3-1333内存被收购，不知道大家对笔者的《神条再现三星2GB内存激超DDR3-1800》这篇文章还有没有印象，这批三星金条体制非常好，所以很多商家就都拿他来做海盗船的内存，加上马甲后就可以卖到DDR3-1600或者更高的频率，这样的利润相比谁看了都会留下口水。

内存条分类、区别以及图文(3)

●超频前后内存带宽/延时测试对比

海盗船4GB DDR3-1600内存标签

虽然这些内存不是所谓的打磨垃圾内存，但是也属于造假欺骗消费者，所以用户在购买带散热片内存的时候一定要到指定的代理处购买，切忌不要到小柜台炒货，以免上当受骗。不同类型的防呆缺口缺口不同

防呆缺口不同意味着不同类型的内存不能混用

但同一类型不同频率的内存可以混用

只不过频率高的内存会自动降频至频率低的内存的工作频率这样会造成性能浪费.

SDR有PC-100 和PC-133

DDR有226 333 400

DDR2有533 667 800 1066

DDR3有1066 1333 1600 2000 甚至更高

支持内存类型是指主板所支持的具体内存类型。不同的主板所支持的内存类型是不相同的。早期的主板使用的内存类型主要有FPM、EDO、，SDRAM、RDRAM，目前主板常见的有DDR、DDR2内存。

FPM内存

FPM是Fast Page Mode（快页模式）的简称，是较早的PC机普遍使用的内存，它每隔3个时钟脉冲周期传送一次数据。现在早就被淘汰掉了。

EDO内存

EDO是Extended Data Out（扩展数据输出）的简称，它取消了主板与内存两个存储周期之间的时间间隔，每隔2个时钟脉冲周期传输一次数据，大大地缩短了存取时间，使存取速度提高30％，达到60ns。EDO内存主要用于72线的SIMM内存条，以及采用EDO内存芯片的PCI显示卡。这种内存流行在486以及早期的奔腾计算机系统中，它有72线和168线之分，采用5V工作电压，带宽32 bit，必须两条或四条成对使用，可用于英特尔430FX/430VX甚至430TX芯片组主板上。目前也已经被淘汰，只能在某些老爷机上见到。

SDRAM内存

SDRAM是Synchronous Dynamic Random Access Memory（同步动态随机存储器）的简称，是前几年普遍使用的内存形式。SDRAM采用3.3v工作电压，带宽64位，SDRAM将CPU与RAM通过一个相同的时钟锁在一起，使RAM和CPU能够共享一个时钟周期，以相同的

速度同步工作，与EDO内存相比速度能提高50％。SDRAM基于双存储体结构，内含两个交错的存储阵列，当CPU从一个存储体或阵列访问数据时，另一个就已为读写数据做好了准备，通过这两个存储阵列的紧密切换，读取效率就能得到成倍的提高。SDRAM不仅可用作主存，在显示卡上的显存方面也有广泛应用。SDRAM曾经是长时间使用的主流内存，从430TX芯片组到845芯片组都支持SDRAM。但随着DDR SDRAM的普及，SDRAM也正在慢慢退出主流市场。

RDRAM内存

RDRAM是Rambus Dynamic Random Access Memory（存储器总线式动态随机存储器）的简称，是Rambus公司开发的具有系统带宽、芯片到芯片接口设计的内存，它能在很高的频率范围下通过一个简单的总线传输数据，同时使用低电压信号，在高速同步时钟脉冲的两边沿传输数据。最开始支持RDRAM的是英特尔820芯片组，后来又有840，850芯片组等等。RDRAM最初得到了英特尔的大力支持，但由于其高昂的价格以及Rambus公司的专利许可限制，一直未能成为市场主流，其地位被相对廉价而性能同样出色的DDR SDRAM迅速取代，市场份额很小。

DDR SDRAM内存

DDR SDRAM是Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory（双数据率同步动态随机存储器）的简称，是由VIA 等公司为了与RDRAM相抗衡而提出的内存标准。DDR SDRAM是SDRAM的更新换代产品，采用2.5v工作电压，它允许在时钟脉冲的

上升沿和下降沿传输数据，这样不需要提高时钟的频率就能加倍提高SDRAM的速度，并具有比SDRAM多一倍的传输速率和内存带宽，例如DDR 266与PC 133 SDRAM相比，工作频率同样是133MHz，但内存带宽达到了2.12 GB/s，比PC 133 SDRAM高一倍。目前主流的芯片组都支持DDR SDRAM，是目前最常用的内存类型。

DDR2

DDR2（Double Data Rate 2）SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。换句话说，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。

DDR2内存的频率

此外，由于DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装形式，而不同于目前广泛应用的TSOP/TSOP-II封装形式，FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。回想起DDR的发展历程，从第一代应用到个人电脑的DDR200经过DDR266、DDR333到今天的双通道DDR400技术，第一代DDR的发展也走到了技术的极限，已经很难通过常规办法提高内存的工作速度；随着Intel最新处理器技术的发展，前端总线对内存带宽的要求是越来越高，拥有更高更稳定运行频

率的DDR2内存将是大势所趋。

DDR2与DDR的区别：

在了解DDR2内存诸多新技术前，先让我们看一组DDR和DDR2技术对比的数据。

1、延迟问题：

从上表可以看出，在同等核心频率下，DDR2的实际工作频率是DDR的两倍。这得益于DDR2内存拥有两倍于标准DDR内存的4BIT 预读取能力。换句话说，虽然DDR2和DDR一样，都采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2拥有两倍于DDR的预读取系统命令数据的能力。也就是说，在同样100MHz的工作频率下，DDR的实际频率为200MHz，而DDR2则可以达到400MHz。

这样也就出现了另一个问题：在同等工作频率的DDR和DDR2内存中，后者的内存延时要慢于前者。举例来说，DDR 200和DDR2-400具有相同的延迟，而后者具有高一倍的带宽。实际上，DDR2-400和DDR 400具有相同的带宽，它们都是3.2GB/s，但是DDR400的核心工作频率是200MHz，而DDR2-400的核心工作频率是100MHz，也就是说DDR2-400的延迟要高于DDR400。

2、封装和发热量：

DDR2内存技术最大的突破点其实不在于用户们所认为的两倍于DDR的传输能力，而是在采用更低发热量、更低功耗的情况下，DDR2可以获得更快的频率提升，突破标准DDR的400MHZ限制。

DDR内存通常采用TSOP芯片封装形式，这种封装形式可以很好

的工作在200MHz上，当频率更高时，它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容，这会影响它的稳定性和频率提升的难度。这也就是DDR的核心频率很难突破275MHZ的原因。而DDR2内存均采用FBGA 封装形式。不同于目前广泛应用的TSOP封装形式，FBGA封装提供了更好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了良好的保障。

DDR2内存采用1.8V电压，相对于DDR标准的2.5V，降低了不少，从而提供了明显的更小的功耗与更小的发热量，这一点的变化是意义重大的。

DDR2采用的新技术：

除了以上所说的区别外，DDR2还引入了三项新的技术，它们是OCD、ODT和Post CAS。

OCD（Off-Chip Driver）：也就是所谓的离线驱动调整，DDR II通过OCD可以提高信号的完整性。DDR II通过调整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的电阻值使两者电压相等。使用OCD通过减少DQ-DQS 的倾斜来提高信号的完整性；通过控制电压来提高信号品质。

ODT：ODT是内建核心的终结电阻器。我们知道使用DDR SDRAM 的主板上面为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻。它大大增加了主板的制造成本。实际上，不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的，终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率，终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低；终结电阻高，则数据线的信噪比高，但是信号反射也会增加。因此主板上的终结电阻并

不能非常好的匹配内存模组，还会在一定程度上影响信号品质。DDR2可以根据自已的特点内建合适的终结电阻，这样可以保证最佳的信号波形。使用DDR2不但可以降低主板成本，还得到了最佳的信号品质，这是DDR不能比拟的。

Post CAS：它是为了提高DDR II内存的利用效率而设定的。在Post CAS操作中，CAS信号（读写/命令）能够被插到RAS信号后面的一个时钟周期，CAS命令可以在附加延迟（Additive Latency）后面保持有效。原来的tRCD（RAS到CAS和延迟）被AL（Additive Latency）所取代，AL可以在0，1，2，3，4中进行设置。由于CAS信号放在了RAS 信号后面一个时钟周期，因此ACT和CAS信号永远也不会产生碰撞冲突。

总的来说，DDR2采用了诸多的新技术，改善了DDR的诸多不足，虽然它目前有成本高、延迟慢能诸多不足，但相信随着技术的不断提高和完善，这些问题终将得到解决。

ECC并不是内存类型，ECC（Error Correction Coding或Error Checking and Correcting）是一种具有自动纠错功能的内存，英特尔的82430HX芯片组就开始支持它，使用该芯片组的主板都可以安装使用ECC内存，但由于ECC内存成本比较高，所以主要应用在要求系统运算可靠性比较高的商业电脑中，例如服务器/工作站等等。由于实际上存储器出错的情况不会经常发生，而且普通的主板也并不支持ECC 内存，所以一般的家用与办公电脑也不必采用ECC内存。

DDR，DDR2和DDR3

严格的说DDR应该叫DDR SDRAM，人们习惯称为DDR，部分初学者也常看到DDR SDRAM，就认为是SDRAM。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。

SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据，它是在时钟的上升期进行数据传输；而DDR内存则是一个时钟周期内传输两次次数据，它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，因此称为双倍速率同步动态随机存储器。DDR内存可以在与SDRAM相同的总线频率下达到更高的数据传输率。

与SDRAM相比：DDR运用了更先进的同步电路，使指定地址、数据的输送和输出主要步骤既独立执行，又保持与CPU完全同步；DDR使用了DLL(Delay Locked Loop，延时锁定回路提供一个数据滤波信号)技术，当数据有效时，存储控制器可使用这个数据滤波信号来精确定位数据，每16次输出一次，并重新同步来自不同存储器模块的数据。DDL本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的速度，它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数据，因而其速度是标准SDRA的两倍。

从外形体积上DDR与SDRAM相比差别并不大，他们具有同样的尺寸和同样的针脚距离。但DDR为184针脚，比SDRAM多出了16个针脚，主要包含了新的控制、时钟、电源和接地等信号。DDR内存

电脑组装图解

电脑组装图解 第一步：安装CPU处理器 当前市场中，英特尔处理器主要有32位与64位的赛扬与奔腾两种（酷睿目前已经上市，酷睿处理器是英特尔采用0.65制作工艺的全新处理器，采用了最新的架构，同样采用LGA 775接口，在今后一段时间内，英特尔将全面主推酷睿处理器。由于同样采用LGA 775接口，因此安装方法与英特尔64位奔腾赛扬完全相同）。32位的处理器采用了478针脚结构，而64位的则全部统一到LGA775平台。由于两者价格差距已不再明显，因此我推荐新装机用户选择64位的LGA775平台，32位的478针脚已不再是主流，不值得购买。

上图中我们可以看到，LGA 775接口的英特尔处理器全部采用了触点式设计，与478针管式设计相比，最大的优势是不用再去担心针脚折断的问题，但对处理器的插座要求则更高。 这是主板上的LGA 775处理器的插座，大家可以看到，与针管设计的插座区别相当的大。在安装CPU之前，我们要先打开插座，方法是：用适当的力向下微压固定CPU的压杆，同时用力往外推压杆，使其脱离固定卡扣。

压杆脱离卡扣后，我们便可以顺利的将压杆拉起。 接下来，我们将固定处理器的盖子与压杆反方向提起。

LGA 775插座展现在我们的眼前。 在安装处理器时，需要特别注意。大家可以仔细观察，在CPU处理器的一角上有一个三角形的标识，另外仔细观察主板上的CPU插座，同样会发现一个三角形的标识。在安装时，处理器上印有三角标识的那个角要与主板上印有三角标识的那个角对齐，然后慢慢的将处理器轻压到位。这不仅适用于英特尔的处理器，而且适用于目前所有的处理器，特别是对

RAM内存分为哪些种类

RAM内存分为哪些种类 RAM的特点是：电脑开机时，操作系统和应用程序的所有正在运行的数据和程序都会放置其中，并且随时可以对存放在里面的数据进行修改和存取。它的工作需要由持续的电力提供，一旦系统断电，存放在里面的所有数据和程序都会自动清空掉，并且再也无法恢复。 01.DRAM（Dynamic RAM，动态随机存取存储器） 这是最普通的RAM，一个电子管与一个电容器组成一个位存储单元，DRAM将每个内存位作为一个电荷保存在位存储单元中，用电容的充放电来做储存动作，但因电容本身有漏电问题，因此必须每几微秒就要刷新一次，否则数据会丢失。存取时间和放电时间一致，约为2~4ms。因为成本比较便宜，通常都用作计算机内的主存储器。 02.SRAM（Static RAM，静态随机存取存储器） 静态，指的是内存里面的数据可以长驻其中而不需要随时进行存取。每6颗电子管组成一个位存储单元，因为没有电容器，因此无须不断充电即可正常运作，因此它可以比一般的动态随机处理内存处理速度更快更稳定，往往用来做高速缓存。 03.VRAM（Video RAM，视频内存） 它的主要功能是将显卡的视频数据输出到数模转换器中，有效降低绘图显示芯片的工作负担。它采用双数据口设计，其中一个数据口是并行式的数据输出入口，另一个是串行式的数据输出口。多用于高级显卡中的高档内存。 04.FPM DRAM（Fast Page Mode DRAM，快速页切换模式动态随机存取存储器） 改良版的DRAM，大多数为72Pin或30Pin的模块。传统的DRAM在存取一个BIT的数据时，必须送出行地址和列地址各一次才能读写数据。而FRM DRAM在触发了行地址后，如果CPU 需要的地址在同一行内，则可以连续输出列地址而不必再输出行地址了。由于一般的程序和数据在内存中排列的地址是连续的，这种情况下输出行地址后连续输出列地址就可以得到所需要的数据。FPM将记忆体内部隔成许多页数Pages，从512B到数KB不等，在读取一连续区域内的数据时，就可以通过快速页切换模式来直接读取各page内的资料，从而大大提高读取速度。在96年以前，在486时代和PENTIUM时代的初期，FPM DRAM被大量使用。 05.EDO DRAM（Extended Data Out DRAM，延伸数据输出动态随机存取存储器） 这是继FPM之后出现的一种存储器，一般为72Pin、168Pin的模块。它不需要像FPM DRAM 那样在存取每一BIT 数据时必须输出行地址和列地址并使其稳定一段时间，然后才能读写有效的数据，而下一个BIT的地址必须等待这次读写操作完成才能输出。因此它可以大大缩短等待输出地址的时间，其存取速度一般比FPM模式快15%左右。它一般应用于中档以下

内存型号说明

Samsung 具体含义解释 主要含义： 第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。 第2位——芯片类型4，代表DRAM。 第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM 、T代表DDR2 DRAM、D表示GDDR1（显存颗粒）。 第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A 代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit 的容量。 第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。 第8位——为一个数字，表示内存的物理Bank，即颗粒的数据位宽，有3和4两个数字，分别表示4Banks和8Banks。对于内存而言，数据宽度×芯片数量＝数据位宽。这个值可以是64或128，对应着这条内存就是1个或2个bank。例如256M内存32×4格式16颗芯片：4×16=64，双面内存单bank；256M内存 16M×16格式 8颗芯片：16×8=128，单面内存双bank。所以说单或双bank和内存条的单双面没有关系。另外，要强调的是主板所能支持的内存仅由主板芯片组决定。内存芯片常见的数据宽度有4、8、16这三种，芯片组对于不同的数据宽度支持的最大数据深度不同。所以当数据深度超过以上最大值时，多出的部分主板就会认不出了，比如把256M认成128M就是这个原因，但是一般还是可以正常使用。 第9位——由一个字符表示采用的电压标准，Q：SSTL-1.8V （1.8V，1.8V）。与DDR的2.5V电压相比，DDR2的1.8V是内存功耗更低，同时为超频留下更大的空间。 第10位——由一个字符代表校订版本，表示所采用的颗粒所属第几代产品，M 表示1st，A-F表示2nd-7th。目前，长方形的内存颗粒多为A、B、C三代颗粒，而现在主流的FBGA颗粒就采用E、F居多。靠前的编号并不完全代表采用的颗粒比较老，有些是由于容量、封装技术要求而不得不这样做的。 第11位——连线“-”。 第12位——由一个字符表示颗粒的封装类型，有G，S：FBGA（Leaded）、Z，Y：FBGA（Leaded-Free）。目前看到最多的是TSOP和FBGA两种封装，而FBGA是主流（之前称为mBGA）。其实进入DDR2时代，颗粒的封装基本采用FBGA了，因为TSOP封装的颗粒最高频率只支持到550MHz，DDR最高频率就只到400MHz，像DDR2 667、800根本就无法实现了。 第13位——由一个字符表示温控和电压标准，“C”表示Commercial Temp.( 0°C ~ 85°C) & Normal Power，就是常规的1.8V电压标准；“L”表示Commercial Temp.( 0°C ~ 85°C) & Low Power，是低电压版，适合超频，

Java内存区域划分、内存分配原理

本文由我司收集整编，推荐下载，如有疑问，请与我司联系 Java 内存区域划分、内存分配原理 2014/11/16 2448 运行时数据区域 Java 虚拟机在执行Java 的过程中会把管理的内存划分为若干个不同的数据区域。这些区域有各自的用途，以及创建和销毁的时间，有的区域随着虚拟机进程 的启动而存在，而有的区域则依赖线程的启动和结束而创建和销毁。 Java 虚拟机包括下面几个运行时数据区域： 程序计数器 程序计数器是一块较小的区域，它的作用可以看做是当前线程所执行的字节码的行号指示器。在虚拟机的模型里，字节码指示器就是通过改变程序计数器的值 来指定下一条需要执行的指令。分支，循环等基础功能就是依赖程序计数器来完成的。 由于java 虚拟机的多线程是通过轮流切换并分配处理器执行时间来完成，一个处理器同一时间只会执行一条线程中的指令。为了线程恢复后能够恢复正确的 执行位置，每条线程都需要一个独立的程序计数器，以确保线程之间互不影响。因 此程序计数器是“线程私有”的内存。 如果虚拟机正在执行的是一个Java 方法，则计数器指定的是字节码指令对应的地址，如果正在执行的是一个本地方法，则计数器指定问空undefined。程序计数器区域是Java 虚拟机中唯一没有定义OutOfMemory 异常的区域。 Java 虚拟机栈 和程序计数器一样也是线程私有的，生命周期与线程相同。虚拟机栈描述的是Java 方法执行的内存模型：每个方法被执行的时候都会创建一个栈帧用于存储局部变量表，操作栈，动态链接，方法出口等信息。每一个方法被调用的过程就对应 一个栈帧在虚拟机栈中从入栈到出栈的过程。

内存数据库介绍

常用内存数据库介绍（一） 博客分类： 内存数据库 数据结构Oracle企业应用网络应用设计模式 （注：部分资料直接来源于Internet） 1. 内存数据库简介 1.1 概念 一、什么是内存数据库 传统的数据库管理系统把所有数据都放在磁盘上进行管理，所以称做磁盘数据库（DRDB:Disk-Resident Database）。磁盘数据库需要频繁地访问磁盘来进行数据的操作，由于对磁盘读写数据的操作一方面要进行磁头的机械移动，另一方面受到系统调用（通常通过CPU中断完成，受到CPU时钟周期的制约）时间的影响，当数据量很大，操作频繁且复杂时，就会暴露出很多问题。 近年来，内存容量不断提高，价格不断下跌，操作系统已经可以支持更大的地址空间（计算机进入了64位时代），同时对数据库系统实时响应能力要求日益提高，充分利用内存技术提升数据库性能成为一个热点。 在数据库技术中，目前主要有两种方法来使用大量的内存。一种是在传统的数据库中，增大缓冲池，将一个事务所涉及的数据都放在缓冲池中，组织成相应的数据结构来进行查询和更新处理，也就是常说的共享内存技术，这种方法优化的主要目标是最小化磁盘访问。另一种就是内存数据库 (MMDB:Main Memory Database，也叫主存数据库)技术，就是干脆重新设计一种数据库管理系统，对查询处理、并发控制与恢复的算法和数据结构进行重新设计，以更有效地使用CPU周期和内存，这种技术近乎把整个数据库放进内存中，因而会产生一些根本性的变化。两种技术的区别如下表：

内存数据库系统带来的优越性能不仅仅在于对内存读写比对磁盘读写快上，更重要的是，从根本上抛弃了磁盘数据管理的许多传统方式，基于全部数据都在内存中管理进行了新的体系结构的设计，并且在数据缓存、快速算法、并行操作方面也进行了相应的改进，从而使数据处理速度一般比传统数据库的数据处理速度快很多，一般都在10倍以上，理想情况甚至可以达到1000倍。 而使用共享内存技术的实时系统和使用内存数据库相比有很多不足，由于优化的目标仍然集中在最小化磁盘访问上，很难满足完整的数据库管理的要求，设计的非标准化和软件的专用性造成可伸缩性、可用性和系统的效率都非常低，对于快速部署和简化维护都是不利的。 2. 内存数据库历史和发展 一、雏形期 从上个世纪60年代末到80年代初。在这个时期中，出现了主存数据库的雏形。1969年IBM公司研制了世界上最早的数据库管理系统------基于层次模型的数据库管理系统IMS，并作为商品化软件投入市场。在设计IMS时，IBM考虑到基于内存的数据管理方法，相应推出了IMS/VS Fast Path。Fast Path是一个支持内存驻留

笔记本内存条安装图解(超详细)

笔记本内存安装详细图解 笔记本内存安装之所以显得那么神秘，主要是因为大家接触得太少的缘故。相信只要装过一次，大家就会熟悉起来。 安装笔记本的内存，请在断电情况下进行，并先拆掉电池，如果在冬天，手摸水管或洗手放掉静电。因各笔记本构造不尽相同，本文仅供参考，请根据自己笔记本情况判断是否适合，因安装不当，造成的一切后果，与本人无关。 温馨小贴士：内存现有SDR,DDR,DDR2,DDR3之分，各种内存不能混用，购买前请确定自己的机器是用的什么类型内存，如果不能确定，可以用CPU-Z这个软件检测一下,如果你没有这软件,可以上百度搜一下后自行下载。 内存条 内存条小常识： PC 2100是DDR 266内存 PC 2700是DDR 333内存 PC 3200是DDR 400内存 PC2 4200是DDR2 533内存 PC2 4300是DDR2 533内存 PC2 5300是DDR2 667内存 PC3 6400是DDR2 800内存 PC3 8500是DDR3 1066内存 PC3 10700是DDR3 1333内存

PC3 12800是DDR3 1600内存 一代DDR、二代DR2、三代DDR3内存互不通用，插槽插不进去内存就是型号不对，切忌霸王硬上弓！拔插内存请一定要先切断电源，释放静电，稍等几分钟，开机前确认已经插好内存。 目前笔记本内存安装位置主要有两个地方，主要在机身底部或者键盘下方，其中又以底部最为常见，笔者的本本正好是前面一种。位于机身底部的内存插槽一般都用一个小盖子保护着，只要拧开这个内存仓盖上面的螺丝，就可以方便地安装内存；而位于键盘下方的内存插槽，在安装内存时需要先把键盘拆下来，虽然复杂一些，但只要耐心把固定机构找出来，也可以很快完成添加内存操作。下面将以机身底部的安装方式为例加以说明。 1、准备一支大小合适的十字螺丝刀，假如是键盘下面的安装方式还可能用到一字螺丝刀。 简单的工具与内存

各种内存概念

各种内存概念 这里需要明确的是，我们讨论的不同内存的概念是建立在寻址空间上的。 IBM推出的第一台PC机采用的CPU是8088芯片，它只有20根地址线，也就是说，它的地址空间是1MB。 PC机的设计师将1MB中的低端640KB用作RAM，供DOS及应用程序使用，高端的384KB则保留给ROM、视频适配卡等系统使用。从此，这个界限便被确定了下来并且沿用至今。低端的640KB就被称为常规内存即PC机的基本RAM区。保留内存中的低128KB是显示缓冲区，高64KB是系统BIOS（基本输入／输出系统）空间，其余192KB空间留用。从对应的物理存储器来看，基本内存区只使用了512KB芯片，占用0000至80000这512KB 地址。显示内存区虽有128KB空间，但对单色显示器（MDA卡）只需4KB就足够了，因此只安装4KB的物理存储器芯片，占用了B0000至B10000这4KB的空间，如果使用彩色显示器（CGA卡）需要安装16KB的物理存储器，占用B8000至BC000这16KB的空间，可见实际使用的地址范围都小于允许使用的地址空间。 在当时（1980年末至1981年初）这么“大”容量的内存对PC机使用者来说似乎已经足够了，但是随着程序的不断增大，图象和声音的不断丰富，以及能访问更大内存空间的新型CPU相继出现，最初的PC机和MS－DOS设计的局限性变得越来越明显。 ●1.什么是扩充内存？ 到1984年，即286被普遍接受不久，人们越来越认识到640KB的限制已成为大型程序的障碍，这时，Intel和Lotus，这两家硬、软件的杰出代表，联手制定了一个由硬件和软件相结合的方案，此方法使所有PC机存取640KB以上RAM成为可能。而Microsoft刚推出Windows不久，对内存空间的要求也很高，因此它也及时加入了该行列。 在1985年初，Lotus、Intel和Microsoft三家共同定义了LIM－EMS，即扩充内存规范，通常称EMS为扩充内存。当时，EMS需要一个安装在I／O槽口的内存扩充卡和一个称为EMS的扩充内存管理程序方可使用。但是I／O插槽的地址线只有24位（ISA总线），这对于386以上档次的32位机是不能适应的。所以，现在已很少使用内存扩充卡。现在微机中的扩充内存通常是用软件如DOS中的EMM386把扩展内存模拟或扩充内存来使用。所以，扩充内存和扩展内存的区别并不在于其物理存储器的位置，而在于使用什么方法来读写它。下面将作进一步介绍。 前面已经说过扩充存储器也可以由扩展存储器模拟转换而成。EMS的原理和XMS不同，它采用了页帧方式。页帧是在1MB空间中指定一块64KB空间（通常在保留内存区内，但其物理存储器来自扩展存储器），分为4页，每页16KB。EMS存储器也按16KB分页，每次可交换4页内容，以此方式可访问全部EMS存储器。符合EMS的驱动程序很多，常用的有EMM386.EXE、QEMM、TurboEMS、386MAX等。DOS和Windows中都提供了EMM386.EXE。 ●2.什么是扩展内存？ 我们知道，286有24位地址线，它可寻址16MB的地址空间，而386有32位地址线，它可寻址高达4GB的地址空间，为了区别起见，我们把1MB以上的地址空间称为扩展内存XMS（eXtend memory）。 在386以上档次的微机中，有两种存储器工作方式，一种称为实地址方式或实方式，

内存条的种类

内存条的种类 老的内存有FPM、EDO、SDRM，后来的有DDR、DDR2、DDR3、RDRAM 目前能见到的内存有：SDR、DDR、DDR2 ,DDR3三类。比如说DDR 800后面所带的数字表示内存的频率，数字越高速度越快。 内存的价格非常不稳定，没办法讨论其性价比。 性能从低到高分别是：SDR DDR DDR2 DDR3 外观： SDR一般有两个缺口 DDR1的缺口比较靠外 DDR2的缺口比较靠中间 DDR2代和DDR3代的槽是一样的 其中DDR与DDR2的区别很不明显，DDR是184线接口，DDR2是240线接口，金手指比DDR的要密看标识，上面写的很清，下面用图片来直观的说一下其中的区别吧 延迟问题

在同等核心频率下，DDR2的实际工作频率是DDR的两倍。这得益于DDR2内存拥有两倍于标准DDR内存的4BIT预读取能力。换句话说，虽然DDR2和DDR一样，都采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2拥有两倍于DDR的预读取系统命令数据的能力。也就是说，在同样100MHz的工作频率下，DDR的实际频率为200MHz，而DDR2则可以达到400MHz。 这样也就出现了另一个问题：在同等工作频率的DDR和DDR2内存中，后者的内存延时要慢于前者。举例来说，DDR 200和DDR2-400具有相同的延迟，而后者具有高一倍的带宽。实际上，DDR2-400和DDR 400具有相同的带宽，它们都是3.2GB/s，但是DDR400的核心工作频率是200MHz，而DDR2-400的核心工作频率是100MHz，也就是说DDR2-400的延迟要高于DDR400。 封装和发热量： DDR2内存技术最大的突破点其实不在于用户们所认为的两倍于DDR的传输能力，而是在采用更低发热量、更低功耗的情况下，DDR2可以获得更快的频率提升，突破标准DDR的400MHZ限制。 DDR内存通常采用TSOP芯片封装形式，这种封装形式可以很好的工作在200MHz上，当频率更高时，它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容，这会影响它的稳定性和频率提升的难度。这也就是DDR的核心频率很难突破275MHZ的原因。而DDR2内存均采用FBGA封装形式。不同于目前广泛应用的TSOP封装形式，FBGA封装提供了更好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了良好的保障。 DDR2内存采用1.8V电压，相对于DDR标准的2.5V，降低了不少，从而提供了明显的更小的功耗与更小的发热量，这一点的变化是意义重大的。 DDR2采用的新技术： 除了以上所说的区别外，DDR2还引入了三项新的技术，它们是OCD、ODT和Post CAS。 OCD（Off-Chip Driver）：也就是所谓的离线驱动调整，DDR II通过OCD可以提高信号的完整性。DDR II通过调整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的电阻值使两者电压相等。使用OCD通过减少DQ-DQS的倾斜来提高信号的完整性；通过控制电压来提高信号品质。 ODT：ODT是内建核心的终结电阻器。我们知道使用DDR SDRAM的主板上面为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻。它大大增加了主板的制造成本。实际上，不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的，终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率，终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低；终结电阻高，则数据线的信噪比高，但是信号反射也会增加。因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组，还会在一定程度上影响信号品质。DDR2可以根据自已的特点内建合适的终结电阻，这样可以保证最佳的信号波形。使用DDR2不但可以降低主板成本，还得到了最佳的信号品质，这是DDR不能比拟的。

内存种类与特点

1、FPM内存 FPM是Fast Page Mode（快页模式）的简称，是较早的PC机普遍使用的内存，它每隔3个时钟脉冲周期传送一次数据。现在早就被淘汰掉了。 2、EDO内存 EDO是Extended Data Out（扩展数据输出）的简称，它取消了主板与内存两个存储周期之间的时间间隔，每隔2个时钟脉冲周期传输一次数据，大大地缩短了存取时间，使存取速度提高30％，达到60ns。EDO内存主要用于72线的SIMM内存条，以及采用EDO内存芯片的PCI显示卡。这种内存流行在486以及早期的奔腾计算机系统中，它有72线和168线之分，采用5V工作电压，带宽32 bit，必须两条或四条成对使用，可用于英特尔430FX/430VX甚至430TX芯片组主板上。目前也已经被淘汰，只能在某些老爷机上见到。 3、SDRAM内存 SDRAM是Synchronous Dynamic Random Access Memory（同步动态随机存储器）的简称，是前几年普遍使用的内存形式。SDRAM采用3.3v工作电压，带宽64位，SDRAM将CPU与RAM通过一个相同的时钟锁在一起，使RAM和CPU能够共享一个时钟周期，以相同的速度同步工作，与EDO内存相比速度能提高50％。SDRAM基于双存储体结构，内含两个交错的存储阵列，当CPU从一个存储体或阵列访问数据时，另一个就已为读写数据做好了准备，通过这两个存储阵列的紧密切换，读取效率就能得到成倍的提高。SDRAM不仅可用作主存，在显示卡上的显存方面也有广泛应用。SDRAM曾经是长时间使用的主流内存，从430TX芯片组到845芯片组都支持SDRAM。但随着DDR SDRAM的普及，SDRAM 也正在慢慢退出主流市场。 4、RDRAM内存 RDRAM是Rambus Dynamic Random Access Memory（存储器总线式动态随机存储器）的简称，是Rambus公司开发的具有系统带宽、芯片到芯片接口设计的内存，它能在很高的频率范围下通过一个简单的总线传输数据，同时使用低电压信号，在高速同步时钟脉冲的两边沿传输数据。最开始支持RDRAM 的是英特尔820芯片组，后来又有840，850芯片组等等。RDRAM最初得到了英特尔的大力支持，但由于其高昂的价格以及Rambus公司的专利许可限制，一直未能成为市场主流，其地位被相对廉价而性能同样出色的DDR SDRAM迅速取代，市场份额很小。 5、DDR SDRAM内存 DDR SDRAM是Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory（双数据率同步动态随机存储器）的简称，是由VIA等公司为了与RDRAM相抗衡而提出的内存标准。DDR

如何判断内存条类型

如何判断内存条类型 A部分标明的是生产此颗粒企业的名称——Hynix。B部分标明的是该内存模组的生产日期，以三个阿拉伯数字的形式表现。第一个阿拉伯数字表示生产的年份，后面两位数字表明是在该年的第XX周生产出来的。如上图中的517表示该模组是在05年的第17周生产的。 C部分表示该内存颗粒的频率、延迟参数。由1-3位字母和数字共同组成。其根据频率、延迟参数不同，分别可以用“D5、D43、D4、J、M、K、H、L”8个字母/数字组合来表示。其含义分别为D5代表DDR500（250MHz），延迟为3-4-4；D43代表DDR433（216MHz），延迟为3-3-3；D4代表DDR400（200MHz），延迟为3-4-4；J代表DDR333（166MHz），延迟为2.5-3-3；M代表DDR266（133MHz），延迟为2-2-2；K代表DDR266A（133MHz），延迟为2-3-3；H代表DDR266B （133MHz），延迟为2.5-3-3；L代表DDR200（100MHz），延迟为2-2-2。 D部分编号实际上是由12个小部分组成，分别表示内存模组的容量、颗粒的位宽、工作电压等信息。具体详细内容如图二所示。 D部分编号12个小部分分解示意图 采用现代颗粒的内存颗粒特写 第1部分代表该颗粒的生产企业。“HY”是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代生

产制造。第2部分代表产品家族，由两位数字或字母组成，“5D”表示为DDR内存，“57”表示为SDRAM内存。 第3部分代表工作电压，由一个字母组成。其中含义为V代表VDD=3.3V & VDDQ=2.5V； U代表VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W代表VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S代表VDD=1.8V & VDDQ=1.8V来分别代表不同的工作电压。 第4部分代表内存模组的容量和刷新设置，由两位数字或字母组成。对于DDR内存，分别由“64、66、28、56、57、12、1G”来代表不同的容量和刷新设置。其中含义为：64代表64MB容量，4K刷新；66代表64MB容量，2K刷新； 28代表128MB容量，4K刷新；56代表256MB容量，8K刷新；57代表256MB容量，4K刷新；12代表512MB容量，8K刷新；1G代表1GB容量，8K刷新。 第5部分代表该内存颗粒的位宽，由1个或2个数字组成。分为4种情况，分别用“4、8、16、32”来分别代表4bit、8bit、16bit和32bit。 第6部分表示的是Bank数，由1个数字组成。有三种情况，分别是“1”代表2 bank，“2”代表4 bank，“4”代表8 bank。 第7部分代表接口类型，由一个数字组成。分为三种情况，分别是“1”代表SSTL_3，“2”代表SSTL_2；“3”代表SSTL_18。 第8部分代表该颗粒的版本，由一个字母组成，这部分的字母在26个字母中的位

内存的存储管理--段式和页式管理的区别

存储管理的基本原理 内存管理方法 内存管理主要包括内存分配和回收、地址变换、内存扩充、内存共享和保护等功能。 下面主要介绍连续分配存储管理、覆盖与交换技术以及页式与段式存储管理等基本概念和原理。 1．连续分配存储管理方式 连续分配是指为一个用户程序分配连续的内存空间。连续分配有单一连续存储管理和分区式储管理两种方式。 (1)单一连续存储管理 在这种管理方式中，内存被分为两个区域：系统区和用户区。应用程序装入到用户区，可使用用户区全部空间。其特点是，最简单，适用于单用户、单任务的操作系统。CP／M和DOS 2．0以下就是采用此种方式。这种方式的最大优点就是易于管理。但也存在着一些问题和不足之处，例如对要求内存空间少的程序，造成内存浪费；程序全部装入，使得很少使用的程序部分也占用—定数量的内存。 (2)分区式存储管理 为了支持多道程序系统和分时系统，支持多个程序并发执行，引入了分区式存储管理。分区式存储管理是把内存分为一些大小相等或不等的分区，操作系统占用其中一个分区，其余的分区由应用程序使用，每个应用程序占用一个或几个分区。分区式存储管理虽然可以支持并发，但难以进行内存分区的共享。 分区式存储管理引人了两个新的问题：内碎片和外碎片。前者是占用分区内未被利用的空间，后者是占用分区之间难以利用的空闲分区(通常是小空闲分区)。为实现分区式存储管理，操作系统应维护的数据结构为分区表或分区链表。表中各表项一般包括每个分区的起始地址、大小及状态(是否已分配)。 分区式存储管理常采用的一项技术就是内存紧缩(compaction)：将各个占用分区向内存一端移动，然后将各个空闲分区合并成为一个空闲分区。这种技术在提供了某种程度上的灵活性的同时，也存在着一些弊端，例如：对占用分区进行内存数据搬移占用CPU~t寸间；如果对占用分区中的程序进行“浮动”，则其重定位需要硬件支持。 1)固定分区(nxedpartitioning)。 固定式分区的特点是把内存划分为若干个固定大小的连续分区。分区大小可以相等：这种作法只适合于多个相同程序的并发执行(处理多个类型相同的对象)。分区大小也可以不等：有多个小分区、适量的中等分区以及少量的大分区。根据程序的大小，分配当前空闲的、适当大小的分区。这种技术的优点在于，易于实现，开销小。缺点主要有两个：内碎片造成浪费；分区总数固定，限制了并发执行的程序数目。 2)动态分区(dynamic partitioning)。 动态分区的特点是动态创建分区：在装入程序时按其初始要求分配，或在其执行过程中通过系统调用进行分配或改变分区大小。与固定分区相比较其优点是：没有内碎片。但它却引入了另一种碎片——外碎片。动态分区的分区分配就是寻找某个空闲分区，其大小需大于或等于程序

内存条的安装方法【图文讲解】

内存条的安装方法【图文讲解】 在安装内存条之前，大家不要忘了看看主板的说明书，看看主板支持哪些内存，可以安装的内存插槽位置及可安装的最大容量。不同内存条的安装过程其实都是大同小异的，这里主要说明常见的SDRAM、DDR RAM、RDRAM内存。下面一起来看看内存条的安装方法详细步骤图解： STEP1：首先将需要安装内存对应的内存插槽两侧的塑胶夹脚（通常也称为“保险栓”）往外侧扳动，使内存条能够插入，如图1所示。转自https://www.wendangku.net/doc/d51631010.html, 转自电脑入门到精通网 转自电脑入门到精通网 小提示：在任何一块支持RDRAM的主板上，你都能够看到RIMM内存插槽是成对出现。因为RDRAM内存条是不能够一根单独使用，它必须是成对的出现。RDRAM 要求RIMM内存插槽中必须都插满，空余的RIMM内存插槽中必须插上传接板（也称“终结器”），这样才能够形成回路。转自https://www.wendangku.net/doc/d51631010.html, 转自https://www.wendangku.net/doc/d51631010.html, 转自电脑入门到精通网 转自https://www.wendangku.net/doc/d51631010.html,

转自https://www.wendangku.net/doc/d51631010.html, STEP2：拿起内存条，然后将内存条的引脚上的缺口对准内存插槽内的凸起（如图2所示）；或者按照内存条的金手指边上标示的编号1的位置对准内存插槽中标示编号1的位置。转自https://www.wendangku.net/doc/d51631010.html, 转自https://www.wendangku.net/doc/d51631010.html,

转自https://www.wendangku.net/doc/d51631010.html, STEP3：最后稍微用点用力，垂直地将内存条插到内存插槽并压紧，直到内存插槽两头的保险栓自动卡住内存条两侧的缺口，如图3所示。 转自电脑入门到精通网 转自https://www.wendangku.net/doc/d51631010.html, 本文由孕婴童网https://www.wendangku.net/doc/d51631010.html,整理发布

服务器内存安装方法

内存安装方法 本文主要简要介绍FlexServer服务器内存安装的方法，分为R390机架式服务器与B390刀片式服务器两部分。 总体上说，服务器内存安装依照编号顺序进行即可。服务器的所有内存插槽编号均由“数字+字母”的形式组成，实际安装时需要关注的仅仅是编号中的字母部分。扩容时按照A，B，C，D，……的顺序进行，同时兼顾多个CPU对应内存尽量均衡。 首先说机架式服务器，机架式服务器中R390为两路CPU，其每个CPU有4个通道12个内存。插槽机架式服务器的内存插槽上会盖有一个导风盖，盖子上会具体记录内存插槽编号： 简单说机架式服务器的主要扩容顺序如下： 12A-9B-1C-4D-11E-8F-2G-5H-10I-7J-3K-6L 只要看好对应的插槽进行安装即可。特别提醒的是在服务器中每个CPU两侧各有6个插槽，图中红线两侧的插槽分属两个不同CPU，扩容时请兼顾两个CPU的内存数量均衡。如果遇到奇数个数的内存，建议插在CPU1（主CPU）上。

内存条具体的形态如上图所示，进行安装前请先确保内存条本身完好，不应有任何的弯曲损坏。 安装时，先将插槽两侧的小卡扣向下按下，再将内存插入插槽中即可，插好后内存条应该无松动。由于内存下方一边较长一边较短，需要按照正确的方向进行放置。 小卡扣 较短一侧 对于刀片式服务器，扩容方法类似，只是刀片服务器中内存插槽数有所缩减。每个CPU只有4通道8个插槽，每个通道减为两个插槽。需要注意的是CPU与内存插槽的对应关系仍然没有改变，内存插槽分布在CPU两侧。 在扩容时，现将刀片从刀框上取下：

如上图所示，拔出刀片时请先开启卡扣。

内存区划分、内存分配、常量存储区、堆、栈、自由存储区、全局区[C ][内存管理]

内存区划分、内存分配、常量存储区、堆、栈、自由存储区、全局区 [C++][内存管理] 一.在c中分为这几个存储区 1.栈- 由编译器自动分配释放 2.堆- 一般由程序员分配释放，若程序员不释放，程序结束时可能由OS回收 3.全局区（静态区），全局变量和静态变量的存储是放在一块的，初始化的全局变量和静态变量在一块区域，未初始化的全局变量和未初始化的静态变量在相邻的另一块区域。- 程序结束释放 4.另外还有一个专门放常量的地方。- 程序结束释放 #define不占用内存单元。C++编译器通常并不给const常量分配存储空间，而是把const变量的定义保存在符号表里。在VC中，const变量与一般变量一样，都分配内存空间。 在函数体中定义的变量通常是在栈上，用malloc, calloc, realloc等分配内存的函数分配得到的就是在堆上。在所有函数体外定义的是全局量，加了static修饰符后不管在哪里都存放在全局区（静态区）,在所有函数体外定义的static变量表示在该文件中有效，不能extern到别的文件用，在函数体内定义的static 表示只在该函数体内有效。另外，函数中的"adgfdf"这样的字符串存放在常量区。比如： int a = 0; //全局初始化区 char *p1; //全局未初始化区 void main() { int b; //栈 char s[] = "abc"; //栈 char *p2; //栈 char *p3 = "123456"; //123456{post.content}在常量区，p3在栈上 static int c = 0; //全局（静态）初始化区 p1 = (char *)malloc(10); //分配得来得10字节的区域在堆区 p2 = (char *)malloc(20); //分配得来得20字节的区域在堆区 strcpy(p1, "123456"); //123456{post.content}放在常量区，编译器可能会将它与p3所指向的"123456"优化成一块} 二.在C++中，内存分成5个区，他们分别是堆、栈、自由存储区、全局/静态存储区和常量存储区

内存名称详解

内存名称详解 PC-66 这种内存使用66MHz的频率，而这也是第一代的SDR SDRAM内存。 PC-100 同样的，这种内存只是将工作频率提升到了100MHz，工作在CAS3模式下。 PC-133 这次改变还是只是将频率提升到133MHz，同样工作在CAS3模式下。 PC-150 这种内存并非官方发布的一个版本，而PC-150实际上就是一个超频版的内存。通常这种内存可以运行在150MHz频率CAS3模式或者是133MHz频率CAS2模式下，但是据说Corsair 的PC-150内存可以在150MHz 的频率下以CAS2的模式工作。 PC-166 另外一类超频内存，只是单纯的超频使得频率达到了一个新高点而已，仍然运行在CAS3之下。 PC-180 可以算作是另类的超频内存了，它简单的将频率提升到了180MHz，但是我个人认为这种内存没有实际使用的意义，因为毕竟现在DDR内存的价格已经是非常便宜了。 DDR SDRAM DDR内存按照速度分类就可以用两种方法来进行分类了。第一种就是以DDRXXX这种方式命名。后边的“XXX”就表示了这个内存是以两倍于XXX的速度运行的内存。另外一种就是以PCXXXX进行命名。后边的“XXXX”就是内存的带宽。 PC1600 此类DDR内存就是最早的一代DDR内存了。它的工作频率为200MH(由于是DDR内存，所以频率增加一倍，就是100MHz x2所以实际上这类内存是工作在200MHz的频率下的)，而工作模式为CAS2.5。 DDR266/PC2100 现在最普遍见到的DDR内存，工作频率为266MHz，工作模式为CAS2.5。 PC2400 又是一个非官方版本的DDR内存。实际上就是通过对内存颗粒的筛选、改造而制造成质量上乘的超频DDR内存。这样，让它们可以在150MHz（实际使用中双倍变为300MHz）的频率下工作在CAS2的模式下。Corsair就是其中的一个厂商。 DDR333/PC2700 官方发布的一个DDR内存版本，通过将内存频率增加到166MHz DDR(实际工作中双倍变为333MHz)的CAS2.5模式，来提升系统性能。

必看的电脑高手装机图解教程

必看的电脑高手装机图解教程（图文并茂） 电脑diy装机对于专门从事电脑行业的人来说不算什么，是非常简单的事，甚至都谈不上会了不难，但对于普通人刚接触电脑的人来说可能是很神秘的，什么时候也自己组装一台电脑试试，成为很多人的现实理想。下面就以英特尔处理器为例图解电脑装机的全过程，老鸟不要笑话，虽然简单，但你敢说自己一开始就那么明白，英特尔的cpu均采用了LGA 775接口，无论是入门的赛扬处理器，还是中端的奔腾E与Core 2，甚至高端的四核Core 2，其接口均为LGA775，安装方式完全一致。所以本人喜欢英特尔，规范简单，不像AMD搞那么多系列，针脚五花八门，一个字“乱”。

上图中可以看到，LGA 775接口的英特尔处理器全部采用了触点式设计，与AMD的针式设计相比，最大的优势是不用再去担心针脚折断的问题，但对处理器的插座要求则更高。 这是主板上的LGA 775处理器的插座，大家可以看到，与针管设计的插座区别相当的大。在安装CPU之前，我们要先打开插座，方法是：用适当的力向下微

压固定CPU的压杆，同时用力往外推压杆，使其脱离固定卡扣。 压杆脱离卡扣后，我们便可以顺利的将压杆拉起。 接下来，我们将固定处理器的盖子与压杆反方向提起。

LGA 775插座展现在我们的眼前。 在安装处理器时，需要特别注意。大家可以仔细观察，在CPU处理器的一角上有一个三角形的标识，另外仔细观察主板上的CPU插座，同样会发现一个三角

形的标识。在安装时，处理器上印有三角标识的那个角要与主板上印有三角标识的那个角对齐，然后慢慢的将处理器轻压到位。这不仅适用于英特尔的处理器，而且适用于目前所有的处理器，特别是对于采用针脚设计的处理器而言，如果方向不对则无法将CPU安装到全部位，大家在安装时要特别的注意。

Java内存空间划分初识(适合初学者)

Java内存空间划分初识（适合初学者） 前言：在编程中，自己归纳过那些变量会被初始化，可是全靠死记硬背，实际开发中还老犯错。后来在看书中，了解是自己对Java内存空间的认识不足。今天通过看视频，查阅书籍和网上查询，简单归纳了Java内存空间划分，使得自己对Java数据分类和运用有很大的提升。现在分享给大家，希望能有一些帮助和启发。 同其他软件一样，JVM从计算机获取一片内存。 JVM中的内存划分为五个区域，每个区域有着不同的数据处理方式。 分别是： 1、寄存器。--给CPU用的地方，一般Java程序员可不做过多学 习。 2、本地方法区。--与所在系统相关，分不同版本。具体系统可部 分学习。 3、方法区。--后面JAVA应该深入学习部分，初学者可暂时放一 放。 4、栈内存。--（下面详讲。） 5、堆内存。--（下面详讲。） 一、栈内存。

1、存放的是什么？ 答：存储的都是局部变量。 （局部变量所属方法也进栈中。局部变量都在方法中，方法不进栈，局部变量就没办法进栈。） 2、变量所属的作用域一旦结束，该变量就自动释放。 （栈内存更新很快，因为变量的生命周期很短。） （局部代码块，限定局部变量的生命周期。） 小结：栈内存更新速率很快。 二、堆内存。 1、存放的什么? 答：存储是数组和对象（其实数组就是对象）。凡是new建立在堆中。 2、堆内存的特点： （1）每一个实体都有首地址值。 （2）堆内存中的每一个变量都有默认初始化值；根据类型的不同而不同。 整数是0，小数是0.0或者0.0f，boolean是false，char 是‘\u000’。 （’\u0000’指Unicode下的空格。） （3）垃圾回收机制。 3、堆特点的附带说明

4G内存条的终极解释

昨天刚换4G内存虽然是64BIT windows7 但是依然无法完全使用。可用内存只有3G。。。坛子上搜了不少帖子发现时主板问题。。 SIS671DX 号称支持4G内存的主板。。实际在操作系统里是无法完全使用的。。。内存映射PAE这些选项在笔记本主板里是没有的。。所以至今还是个无解的难题。 一下转载某人博客里的文章希望大家能深刻理解。。。 全面解析4GB内存无法识别问题 因为内存价格的持续走低，目前各大内存厂商相继推出了单条2GB的DDR2 800内存，这些内存给人最大的感觉就是价格便宜量又足。很多用户就直接买了两条2GB的内存，想组成双通道使用。可拿回家一看，原本4GB的内存容量被识别出来的只有3.2GB左右。通过检查，发现内存本身并没有问题。那又是什么吞食了你的内存呢？这就是我们本期将要给大家说清楚的一个问题。 800MB内存被吞食了 大家或许会发现一种很奇怪的现象，在我们的Windows XP和Vista中，安装4GB内存后，显示出来的只有3.2GB左右甚至更少，有800多MB的内存“无缘无故”地消失了，这让人感觉十分费解，主板和操作系统之所以不能使用全部的4GB内存，问题的根源就在于计算机那32位X86架构。32位X86架构是指个人电脑的地址总线是32位的，CPU、内存控制器、操作系统都是按32位地址总线设计。32位地址总线可以支持的内存地址代码是4096MB，也就是有4GB的地址代码，可以编4GB个地址。这4GB个地址码正好可以分配给4GB内存。但是，这4GB个地址码不能全部分配给安装在主板上的物理内存。因为个人电脑还有很多设备需要地址代码，以便CPU可以根据地址码找到它们，同时CPU和这些设备交换数据需要暂时存放数据的存储器——寄存器，这些寄存器也需要地址代码。比如硬盘控制器、软驱控制器、管理插在PCI槽上的PCI卡的PCI总线控制器，PCI-E总线控制器和PCI-E显卡，它们都有寄存器都需要系统分配给它们地址代码。这些地址由系统分配，电脑用户在使用中感觉不到。这样一来，当我们为电脑插上总容量为4GB的内存时，就有一部分内存分配不到地址代码而不能使用。 要深入了解4GB内存之谜，我们就得弄清楚各部件与4GB内存关系，其中涉及到的部件有CPU、内存控制器（Intel平台集成在北桥，AMD平台集成在CPU）和操作系统。CPU、内存控制器、BIOS：能支持4GB CPU能支持4GB内存 从386时代开始，CPU的地址总线就是32位的，可以访问4GB的地址代码。从奔腾Ⅱ到奔腾Ⅳ，理论上已经可以访问64GB的地址编码。后来支持64位架构的奔腾Ⅳ到现在的酷睿2，地址总线已经升级到64位，64位地址总线可以访问千亿GB的地址编码。实际上用不到这么多的地址总线，一般用42位足够了，可以编码的地址量有4TB。兼容64位架构的CPU 用在32位系统时地址总线就缩小为36位。所以现在的CPU支持4GB内存是没有问题的。