模电期末复习
半导体基本知识和
半导体器件（二极管、三极管、场效应管、集成运放）
一、选择题：
1、PN结外加正向电压时，其空间电荷区（C P14 ）。
A.不变
B.变宽
C.变窄
D.无法确定
2、PN结外反正向电压时，其空间电荷区（ B P15）。
A.不变
B.变宽
C.变窄
D.无法确定
3、当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流I s将增大，是因为此时PN结内
部的（ B P15 ）
A. 多数载流子浓度增大
B.少数载流子浓度增大
C.多数载流子浓度减小
D.少数载流子浓度减小
4、PN结反向向偏置时，其内电场被（ B P15 ）。
A.削弱
B.增强
C.不变
D.不确定
5、在绝对零度（0K）和没有外界激发时，本征半导体中( B P11 ) 载流子。
A.有
B.没有
C.少数
D.多数
6、集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以（ A P186 ）。
A．减小温漂B. 增大放大倍数
C. 提高输入电阻
D. 减小输出电阻
7、以下所列器件中，（ B P25 ）器件不是工作在反偏状态的。
A、光电二极管
B、发光二极管
C、变容二极管
D、稳压管
8、当晶体管工作在放大区时，（B ）。
A. 发射结和集电结均反偏
B.发射结正偏，集电结反偏
C.发射结和集电结均正偏
D.发射结反偏，集电结正偏
9、稳压二极管稳压时，其工作在( B )，
A．正向导通区B．反向截止区C．反向击穿区 D.不确定
10、抑制温漂（零漂）最常用的方法是采用（ A P155 ）电路。
A.差放
B.正弦
C.数字
D.功率放大
11、在某放大电路中，测得三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V，-9.3 V，
则这只三极管是（ A P29 ）。（C集电极最大）
A．NPN 型硅管B.NPN 型锗管Array
C.PNP 型硅管
D.PNP 型锗管
12、某场效应管的转移特性如右图所示，该管为（D ）。
A．P沟道增强型MOS管 B.P沟道结型场效应管
C.N沟道增强型MOS管
D.N沟道耗尽型MOS管
13、通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（C P186 ）。
A．输入电阻高 B.输出电阻低
C.共模抑制比大
D.电压放大倍数大
14、如右图所示复合管，已知V1的β1 = 30，V2的β2 = 50，则复合后的β约为（A ）。
A ．1500 B.80 C.50 D.30
15、发光二极管发光时，工作在( A P25 )。
A ．正向导通区
B ．反向截止区
C ．反向击穿区
D ．不确定 16、当温度升高时，二极管反向饱和电流将（ A ）
A. 增大
B. 减小
C. 不变
D. 等于零 17、场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的（ A P43 ） 。 A. 非饱和区 B. 饱和区 C. 截止区 D. 击穿区 18、稳压二极管稳压时，其工作在( B )。
A ．正向导通区
B ．反向截止区
C ．反向击穿区 D.饱和区 19、集成运放电路采用直接耦合方式是因为 （ C P186 ） A. 可获得较高增益 B. 可使温漂变小 C. 在集成工艺中难于制造大电容 D. 可以增大输入电阻
20、测得BJT 各电极对地电压为：V B =4.7V ，V C =4.3V ，V E =4V ，则该BJT 工作在
（ A ）状态。
A.截止
B.饱和
C.放大
D. 无法确定 21、FET 是（ C ）控制器件。
A . 电流
B .电压
C .电场 D.磁场 22、通常要求运算放大器带负载能力强，在这里，负载的大小是指负载（ B ）。 A.电阻大 B. 功率大 C. 电压高 D.功率小 23、二极管的电流方程是（ C ）。
A ．u S e I
B .T
V u
S e I C.)1( T
V u S e
I D . T V S e I
24、FET 是（ B ）控制器件。
A . 电流
B .电压
C .电场
D .磁场 25、三极管工作在饱和状态的条件是（ B P33 ）。（只有放大情况下集电极） A.发射结正偏，集电结正偏 B.发射结正偏，集电结反偏 C.发射结反偏，集电结反偏 D.发射结反偏，集电结正偏
26、测得工作在放大状态的BJT 三个管脚1、2、3对地电位分别为0V ，-0.2V ，-3V ，则1、2、3脚对应的三个极是（ A ）。 A .ebc B .ecb C .cbe D.bec 27、稳压二极管是利用PN 结的（ B ）。
A.单向导电性 B .反向击穿性 C.电容特性 D.正向特性
28、测得工作在放大状态的BJT 三个管脚1、2、3对地电位分别为0V ，-0.2V ，-3V ，则1、2、3脚对应的三个极是（ A ）。 A .ebc B .ecb C .cbe D.bec
29、半导体稳压二极管正常稳压时，应当工作于（ B ）。
A.反向偏置击穿状态
B.反向偏置未击穿状态
C.正向偏置导通状态
D.正向偏置未导通状态
?30、 当超过下列哪个参数时，三极管一定被击穿（ A ）
A ．集电极最大允许功耗ＰＣＭ
B ．集电极最大允许电流ＩＣＭ
C ．集－基极反向击穿电压Ｕ（ＢＲ）ＣＢＯ D. Ｕ（ＢＲ）ＣE Ｏ
31、若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏，好的管子应为( C )。
A.正、反向电阻相等
B.正向电阻大，反向电阻小
C.反向电阻比正向电阻大很多倍
D.正、反向电阻都等于无穷大
32、电路如图1所示，设二极管D1，D2，D3的正向压降忽略不计，则输出电压
u O =（A ）。
A .－2V B.0V C.6V D. 12V
33、半导体稳压二极管正常稳压时，应当工作于（B ）。
A.反向偏置击穿状态
B.反向偏置未击穿状态
C.正向偏置导通状态
D.正向偏置未导通状态
34、结型场效应管利用栅源极间所加的( A )来改变导电沟道的电阻。
A.反偏电压
B.反向电流
C.正偏电压
D.正向电流
35、场效应管是属于（A ）控制型器件。
A.电压
B.电流
C.电感
D.电容
36、半导体稳压二极管正常稳压时，应当工作于（ B ）。
A.反向偏置击穿状态
B.反向偏置未击穿状态
C.正向偏置导通状态
D.正向偏置未导通状态
37、测量某硅BJT 各电极的对地电压值为V
U C6
=，V
U B2
=，V
U E3.1
=，该管子工作在（A ）
A.放大区
B.截止区
C.饱和区
D.无法判断
38、如图1所示复合管，已知V1的β1 = 30，V2的β2 = 50，则复合后的β约为（
A ）。
A．1500 B.80 C.50 D.30 图1
39、共模抑制比CMR K 越大，表明电路（D P161 ）。
A.放大倍数越稳定
B.交流放大倍数越大
C.抑制温漂能力越强
D.输入信号的差模成分越大
二、填空题：
40、根据是否掺入杂质，半导体可分为 本征 半导体和 杂质 半导体两大类。
41、N 沟道场效应管中的载流子是 多数载流子 ，P 沟道场效应管中的载流子是
少数载流子 。
42、图1所示处于反向截止状态的PN 结，则a 、b 两区分别是PN 结的
P 区、 N 区。
43、PN 结是靠多数载流子的 扩散 运动和少数载流子的 漂移 运动形成的。
44、 PN 结中内电场阻止 自由电子（多数载流子） 的扩散，推动 空穴（少数载流子） 的漂移运动。
45、二极管的特性是 单向导电性 ，场效应管是 电压 控制型器件。
46、集成运放是多级 直接 耦合放大器。P186
47、 BJT 工作在放大区时，其发射结处于 （正向）偏置，集电结处于（反向）偏置。
48、集成运放内部是一个具有高放大倍数的 直接 耦合的放大电路，故它的主要缺点是 不能制作大电容 ，为了克服这一缺点，输入
级一般采用 差分 电路提高放大倍数，中间级一般采用 负载，放大管多用 复合管 ；为了提高功率，输出级常采用互补对称电路。
49、BJT 是 电流 控制器件，FET 是 电压 控制器件。
50、用万用表的欧姆档对二极管进行正反两次测量，若两次读数都为∞，则此二极管（损坏）；若两次读数都接近零，则此二极管（击穿）；若读数一次很大，一次读数小，则此二极管（完好）。 51、设如图3电路中, D 1为硅二极管, D 2为锗二极管,
图1
则D 1处于（截止）状态, D 2处于（导通）状态, 输出电压U o 为（0.2）伏。
52、 BJT 工作在截止区时，其发射结处于 反向 偏置，集电结处于 反向 偏
置。 53、结型场效应管输入回路PN 结处于 反向偏置 状态，因此它的输入电阻比双
极型三极管的输入电阻 大 。（由于耗尽层中没有载流子，因此这时漏-源极间的电阻
将趋于无穷大）
54、晶体三极管的输出特性曲线一般分为三个区，即： 截止区 、 放大区 、 饱和区 ；
要使三极管工作在放大区必须给发射结加 正向电压 ，集电结加 反向电压 。
55、测得工作在放大电路中的晶体管三个电极电位321,,U U U 分别为，
V U V U V U 12,3.11,6321===，则此管是 PNP 型三极管，材料为
硅管 。
56、理想运放有“虚短”即指 输入端电位无穷接近 和“虚断”即指 输入端电
流趋于零 两个重要特性，“虚地”是 输入端均为零 的特殊情况。（）
57、二极管最主要的特性是 单向导电性 。
58、.在选用整流二极管时，主要应考虑参数 耐压电流 、 最大工作电流 。 59、在室温下，某三极管的I CBO =8μA ，β=70，穿透电流为 mA 。另一只三极管的电流值：I B = 20μA 时I C = 1.18m A 、I B = 80μA 时I C = 4.78m A ，该管的β = 。 60、整流二极管的整流作用是利用PN 结的 单向导电性 特性，稳压管的稳压
作用是利用PN 结的 反向击穿性 特性。
三、判断题：
61、运放的输入失调电压U IO 是两输入端电位之差。（ x ）
62、因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（ x ）
63、本征半导体温度升高后，自由电子数目增多，空穴数基本不变。（ x ） 64、P 型半导体中的多数载流子是空穴，因此，P 型半导体带正电。（ x ） 65、本征半导体不带电，P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。（ x ） 66、N 型半导体中的多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。（ √ ） 67、P 型半导体中的多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。（ √ ） 68、BJT 的β值越大，放大能力越强，但在选用BJT 时，并不是β值越大越好。（√ ） 69、发射结处于反偏的BJT ，它一定工作在截止区。（ √ ）
70、BJT 是由两个PN 结组合而成的，所以将两个二极管对接，也可以当BJT 使用。（ x ）
图3
71、BJT 的输入电阻r be 是对交流而言的一个动态电阻，在小信号情况下为常数。（√ ） 72、在三极管放大电路的三种基本组态中，共集电极放大电路带负载的能力最强。（ √ ）
73、二极管的反向偏置电压升高时，其正向电阻增大。（ ）
74、处于放大状态的晶体管其基极电流同场效应管的栅极电流差不多。（ ） 75、三极管是双极型管，属于电流控制器件；场效应管是单极性管，属于电压控制器件。（ √ ）
76、在运放电路中，闭环增益àf 是指广义的放大倍数。（ √ ） 7、二极管的反向偏置电压升高时，其正向电阻增大。（ ）
80、小功率晶体二极管2CP12的正向电流在20mA 的基础上增加1倍，它的两端压降也增加1倍。（ ） 81、双极型晶体管和场效应管都是电流控制型器件。（ x ）
82、处于线性工作状态的实际集成运放，在实现信号运算时，两个输入端对地的直流电阻必须相等，才能防止输入偏置电流带来误差。（ ）
四、分析作图题：
83、画出图中各电路的u 0波形。设u i =10sin ωt(V),且二极管具有理想特性。
84、电路如图（a ）、（b ）所示，稳压管的稳定电压U Z ＝3V ，R 的取值合适，u I 的波形如图（c ）所示。试分别画出u O1和u O2的波形。
u i
u i
分析作图题答案：
83
84、解: 解题要点：（1）U Z=(0—3V时，稳压管反向偏置，但没有击穿，所以U O=0V,U Z>3V 时，稳压管反向击穿，工作在稳压状态，它的阴极比阳极高出3V电压。如下图所示。
（2）U Z=(0—3V)时，稳压管反向偏置，但没有击穿，所以U O=U Z，U Z>3V时，稳压管反向击穿，工作在稳压状态，它的阴极比阳极高出3V电压。U O=3V。如下图所示。
功率放大电路
一、选择题：
1、功率放大管的导通角是0
180的放大电路是（）功率放大电路。
A.甲类
B.乙类
C.丙类
D.甲乙类
2、与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是( c )。
A．不用输出变压器B．不用输出端大电容
C．效率高D．无交越失真
3、互补输出级采用射极输出方式是为了使（）
A. 电压放大倍数高
B. 输出电流小
C. 输出电阻增大
D. 带负载能力强
4、与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是( )。
A．不用输出变压器B．不用输出端大电容
C．效率高D．无交越失真
5、在OCL乙类功放电路中，若最大输出功率为1W，则电路中功放管的
集电极最大功耗约为（）。
A．1W B．0.5W C．0.2W D.无法确定
6、若OCL功率放大器的输出电压波形如图1所示，为消除该失真，应：（）
A. 进行相位补偿
B. 适当减小功放管的静态工作点
C. 适当增大功放管的静态
D. 适当增大负载电阻的阻值
7、OCL功放电路的输出端直接与负载相联，静态时，其直流电位为（）。
A.V CC
B.(1/2)V CC
C. 0
D. 2V CC
8、对甲乙类功率放大器，其静态工作点一般设置在特性曲线的（）
A.放大区中部
B.截止区
C.放大区但接近截止区
D.放大区但接近饱和区
9、乙类双电源互补对称功放电路的效率可达( )。
A.25%
B.78.5%
C.50%
D.90%
10、功率放大电路的最大输出功率是在输入电压为正弦波时，输出基本不失真情
况下负载上获得的最大（）。
A.交流功率
B.直流功率
C.平均功率
D.有功功率
11、功率放大电路与电压放大电路的主要区别是（）。
A.前者比后者电源电压高
B.前者比后者电压放大倍数数值大
C.前者比后者效率高
D. 没有区别
二、判断题：
12、对于任何功率放大电路，功放管的动态电流都等于负载的动态电流。（）
13、功率放大电路与电压或电流放大电路的主要区别是：功放电路的功率放大倍数大于1，即U A和I A均大于1。（）
14、乙类功放中的两个BJT交替工作，各导通半个周期。（）
15、乙类功放中的两个BJT交替工作，各导通半个周期。（）
9、甲乙类互补对称电路与乙类互补对称电路相比，效率高并且交越失真
小。（）
16、功率放大电路工作在大信号状态，要求输出功率大，且转换效率高。（）
17、功率放大器中是大信号工作，因此要用图解法进行分析。（）
4、功率放大电路工作在大信号状态，要求输出功率大，且转换效率高。（）
18、乙类功放中的两个BJT交替工作，各导通半个周期。（）
三、填空题：
19、设晶体三极管在信号周期时间T内的导电时间为t，试写出甲类、乙类和甲乙类三种功放电路的t与T的关系。
甲类；乙类；甲乙类。
20、甲类功放BJT的导通角为；乙类功放BJT的导通角为；甲乙类功
放BJT的导通角为。
21、甲乙类互补对称电路与乙类互补对称电路相比，效率并且交越失真
。
22、下图所示电路中，D1和D2管的作用是消除失真。静态时，晶体管发射极电位U EQ = 。
23、在甲类、乙类和甲乙类功率放大电路中，功率放大电路的效率最高。
24、乙类推挽放大器的主要失真是 ，要消除此失真，应
改用甲乙类推挽放大器。
25、乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ = ，静态时的电源功耗P DC = 。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到 %，但这种功放有 失真。
26、在功率放大电路中，甲类放大电路是指放大管的导通角等于 乙类放大电路是指放大管的导通角等于 ，甲乙类放大电路是指放大管的导通角等于 。 27、在乙类互补对称功率放大器中，因晶体管输入特性的非线性而引起的失真叫做 。
28、功率三极管有 类、 类、 类和丙类等几种不同的工作状态，从而构成了不同类型的功率放大器。
29、OTL 功放因输出与负载之间无 耦合而得名，它采用 电源供电，输出端与负载间必须连接 。
30、甲类功放BJT 的导通角为 ；乙类功放BJT 的导通角为 ；甲乙类功放BJT 的导通角为 。
四、分析设计计算题：
1、功率放大电路如图所示
（1）0=i v 时，E v 应调至多大？ （2）电容C 的作用是什么？
（3）Ω=8L R ，管子饱和压降2=CES V V ，求最大不失真输出功率m ax o P 。
CC V
V
20
2、2030集成功率放大器的一种应用电路如图所示，假定其输出级BJT 的饱和压
降CES V 可以忽略不计，i v 为正弦电压。
（1） 指出该电路是属于OTL 还是OCL 电路； （2） 求理想情况下最大输出功率om P ；
i
v
3、电路如图3所示，已知T 1和T 2的饱和管压降│U C E S │＝2V ，直流功耗可忽
略不计。
回答下列问题：
（1）R 3、R 4和T 3的作用是什么？ （2）负载上可能获得的最大输出功率P o m 和电路的转换效率η各为多少？ （3）设最大输入电压的有效值为1V 。为了使电路的最大不失真输出电压
的峰值达到16V ，电阻R 6至少应取多少千欧？
4、OCL 互补对称电路及元件参数如图所示，设T 1、T 2管的饱和压降U CE （sat ）≈1V 。试回答下列问题：
（1）指出电路中的反馈通路，并判断反馈为何组态； （2）估算电路在深度负反馈时的闭环电压放大倍数；
（3）当u i 的幅值U Im 为多大时，R L 上有最大的不失真输出功率？并求出该最大不失真输出功率。
图3
5、如图所示，电路如图所示。已知电压放大倍数为－100，输入电压u I 为正弦波，T 2和T 3管的饱和压降｜U C E S ｜=1V 。试问：
（1）在不失真的情况下，输入电压最大有效值u i ma x 为多少伏？
（2）若u i ＝10mv(有效值)，则u o ＝？若此时R 3开路，则u o =？若R 3短路，则u o =？
6、如图所示的功放电路中，设输入信号足够大，晶体管的P CM 、U （BR ）CEO 和I CM 足够大。若晶体管T 1、T 2的|U CES |≈3V ,计算此时的P O 。
功率放大电路计算题答案
1、解 （1）0=i v ，V V V CC E 10202
1
21=?==
（2）在信号正半周时，1T 导通，2T 截止，通过1T 向C 充电。在信号负半周时1T 截止，2T 导通，C 通过2T 放电，电容C 在此起到电源的作用。
（3）W R V V P L CES CC o 48
821)21
(2122max =?=-=
2、解：（1）2030是双电源集成运放，由此构成OCL 电路。
（2）W R V R V P L
CC L om om 06.14)(21)(212
2=≈=
3、解：（1）消除交越失真。
（2）最大输出功率和效率分别为
%8.694πW
162)(CC
CES
CC L
2
CES CC om ≈-?=
=-=
V U V R U V P η
（3）电压放大倍数为
3.1113.1121
6i omax ≈+=≈=R R A U U A u
u
R 1＝1k Ω，故R 6至少应取10.3 k Ω。 4、解： （1）、R F 、、R 1构成电压串联负反馈。 （2）、011
u R R R u u f f i +=
=，则6111
0=+
==R R u u A f i uf
（3）、U O(max)=V CC -V CES =17V ,所以U Im = U Om / A uf =0.28V ,
P O(max)=L
OM
R U 221=18W
5、解：（1）最大不失真输出电压有效值为 V 78.72
CES
CC om ≈-=
U V U
故在不失真的情况下，输入电压最大有效值U i ma x mV 8.77om
imax ≈=
u
A
U U （2） 若U i ＝10mV ，则U o ＝1V （有效值）。 若R 3开路，则T 1和T 3组成复合管，等效β≈β
1β3，T 3
可能饱和，使得
u O ≈－11V （直流）。
若R 3短路，则u O ≈11.3V （直流）。
6、解： W R U U p L C E S CC o 92)(2=-=
放大电路（基本放大电路、集成运算放大、负反馈电路）
一、选择题：
1、负反馈放大电路的一般表达式为F
A A A f
+=1 ,当11>+
F A
时，表明放大电路 引入了（ A ）。P273
A ． 负反馈
B ． 正反馈
C ． 自激振荡 D.干扰 2、负反馈放大电路产生自激振荡条件是（ B P273 ）
A ．F A
=1 B ．F A = -1 C ．F A >1 D. F A <1 3、在放大电路中，为稳定输出电压、增大输入电阻、减小输出电阻、展宽通频带，可引入：（ A ）P285
A. 电压串联负反馈
B. 电压并联负反馈
C. 电流串联负反馈
D. 电流并联负反馈
4、在单级共基放大电路中，若输入电压为正弦波形，则v o 和v i 的
相位( A )。
A.同相
B.反相
C.相差90度
D.不确定
5、直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是（ C ）P154。
A .电阻阻值有误差
B .晶体管参数的分散性
C .晶体管参数受温度影响 D.受输入信号变化的影响
6、差分放大电路由双端输入变为单端输入，则差模电压增益(A )。
A.增加一倍
B.为双端输入时的1/2
C.不变
D.不确定 7、对于放大电路，所谓开环是指( C )。
A.无负载
B.无信号源
C.无反馈通路
D.无电源 8、在反馈放大电路中，如果反馈信号和输出电压成正比，称为( C )反馈。
A.电流
B.串联
C.电压
D.并联
9、 对于单管共射放大电路，当f ＝ f L 时，o
U 与i U 相位关系是（B ）。 A.＋45?
B .－90?
C .－135?
D . －180?
10、 欲从信号源获得更大的电流，并稳定输出电流，应在放大电路中引入（ D ） 。
A ．电压串联负反馈
B ．电压并联负反馈
C ．电流串联负反馈
D ．电流并联负反馈
11、在某放大电路中，测得三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ，-9.3 V ， 则这只三极管是（ C ）。
A ．NPN 型硅管
B .NPN 型锗管 C. PNP 型硅管 D .PNP 型锗管
12、 放大管的导通角是0
180的放大电路是（ ）功率放大电路。 A ．甲类 B ．乙类 C ．丙类 D .甲乙类 13、射极输出器适合作多级放大电路的输入级，是因为它的（ A ） A. 电压放大倍数近似为1 B. r i 很大
C. r O 很小 D . 电流放大倍数近似为1 14、放大电路的频率特性在低频区主要受( D)影响。
A.偏置电阻
B. 三极管的极间电容
C.管子内部结电容
D. 耦合电容和射极旁路电容
15、差动放大电路主要是为了( A)而设置的。
A. 克服温漂
B.提高输入电阻
C. 稳定放大倍数
D.扩展频带 16、为了增大放大电路的输入电阻，应引入（ C ）负反馈。
A. 电压
B. 电流
C. 串联
D. 并联
17、具有放大环节的串联型稳压电路在正常工作时，若要求输出电压为18V，调整管压降为6V，整流电路采用电容滤波，则电源变压器次级电压有效值应为（ D ）。
A.12V
B.18V
C.20V
D.24V
18、欲从信号源获得更大的电流，并稳定输出电流，应在放大电路中引入（ D ）。
A．电压串联负反馈B．电压并联负反馈
C．电流串联负反馈D．电流并联负反馈
19、直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是（C ）。
A. 电阻阻值有误差
B. 晶体管参数的分散性
C. 晶体管参数受温度影响
D. 受输入信号变化的影响
20、差动放大电路的主要特点是（ A ）
A. 有效放大差模信号，有力抑制共模信号
B. 既放大差模信号，又放大共模信号
C.有效放大共模信号，有力抑制差模信号
D. 既抑制差模信号，又抑制共模信号
21、放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是（ B ）
A .耦合电容和旁路电容的影响 B. 晶体管极间电容和分布电容的影响
C. 晶体管的非线性特性
D. 放大电路的静态工作点设置不合适
22、当信号频率等于放大电路的L f和H f时，放大倍数的数值将下降到中频时的（）
A. 0.5倍
B. 0.7倍
C. 0.9倍
D. 1.2倍
23、在输入量不变的情况下，若引入反馈后（D ），则说明引入的是负反馈。
A.输入电阻增大
B.输出量增大
C. 净输入量增大
D.净输入量减小
24、集成放大电路采用直接耦合方式的原因是（C ）。
A．便于设计B.放大交流信号 C.不易制作大电容D.消除干扰
25、通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（C ）。
A．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大26、对于放大电路，所谓开环是指（ B ）。
A．无信号源B.无反馈通路 C.无电源D.无放大作用
27、对于放大电路，在输入量不变的情况下，若引入反馈后（ A ），则说明引入的反馈是正反馈。
A．净输入量增大B.净输入量减小 C.输入电压增大D.输出电流增大28、共模抑制比K CMR是（ C ）之比。
A．差模输入信号与共模成分B.输出量中差模成分与共模成分
C.差模放大倍数与共模放大倍数（绝对值）
D.共模放大倍数与差模放大倍数
29、为了稳定放大电路的静态工作点，应引入（ A ）。P261
A．直流负反馈B.交流负反馈 C.正反馈D.电压负反馈
30、为了稳定放大电路的输出电流，应引入（B ）负反馈。
A．电压B.电流 C.串联D.并联
31、希望放大器输入端向信号源索取的电流比较小，应引入（ C ）负反馈。
A.电压
B. 电流
C. 串联
D.并联
32、要求输入电阻R i大，输出电流稳定，应引入（ A ）负反馈。
A.电压串联
B. 电压并联
C.电流串联
D. 电流并联
33、工作在放大区的BJT，I B从20μA增大到40μA时，I C从1mA变为2mA则它的β
值为（ B ）。
A.10
B. 50
C.100
D.80
34、若差分电路两输入电压分别为V i1=10 mV，V i2=6mV，则V id和V ic分别为（）
mV。
A.4 8
B.2 8
C. 4 2
D.2 4
35、共模抑制比越大表明电路（）。
A.放大倍数越稳定
B.交流放大倍数越大
C.输入信号中差模成分越大
D.抑制温漂能力越大
36、负反馈所能抑制的干扰和噪音是（）。
A.输入信号所包含的干扰和噪音
B.反馈环外的干扰和噪音
C.反馈环内的干扰和噪音
D.输出信号中的干扰和噪音
37、差动放大器与其它放大器相比，其特点是能（）
A．克服温漂B．稳定放大倍数C．提高输入电阻 D.扩展通频带
38、对某一级晶体管放大电路，要其对前一级的影响小（吸取的电流小），对后级带负载能力强，宜采用（）
A.共基极放大电路
B.共发射极放大电路
C.共集电极放大电路
D. 以上电路都可以
39、欲从信号源获得更大的电流，并稳定输出电流，应在放大电路中引入（）。
A．电压串联负反馈B．电压并联负反馈
C．电流串联负反馈D．电流并联负反馈
40、放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是（）。
A. 耦合电容和旁路电容的影响
B. 晶体管极间电容和分布电容的影响
C. 晶体管的非线性特性
D. 放大电路的静态工作点设置不合适
41、共发射极电路中采用恒流源做有源负载是利用其（）的特点以获得较高增益。
A. 直流电阻大、交流电阻小
B. 直流电阻小、交流电阻大
C. 直流电阻和交流电阻都小
D. 直流电阻大和交流电阻都大
42、若差分电路两输入电压分别为V i1=10 mV，V i2=6mV，则V id和V ic分别为
（）mV。
A.4 ; 8
B.2; 8
C. 4; 2
D.2; 4
43、直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是（）。
A.电阻阻值有误差
B.晶体管参数的分散性
C.晶体管参数受温度影响
D.受输入信号变化的影响
44、差分放大电路的长尾电阻的主要功能是（），而提高共模抑制比。
A.抑制共模信号；
B.抑制差模信号；
C.放大共模信号；
D.既抑制共模信号又抑制差模信号；
45、在运算放大器电路中，引入深度负反馈的目的之一是使运放( )。
A.工作在线性区，降低稳定性
B. 工作在非线性区，提高稳定性
C. 工作在线性区，提高稳定性
D.工作在非线性区，降低稳定性
46、所谓电路的最大不失真输出功率是指输入正弦波信号幅值足够大，使输出信
号基本不失真且幅值最大时，( )。
A.晶体管上得到的最大功率
B.电源提供的最大功率
C.负载上获得的最大直流功率 D ．负载上获得的最大交流功率 47、在单级放大电路的三种接法中，正确的说法是：（ ）
A .共发射极电路的A V 的数值最大、R I 最小、R O 最小 B.共集电极电路的A V 的数值最小、R I 最大、R O 最小 C.共基极电路的A V 的数值最小、R I 最小、R O 最大 D.共发射极电路的A V 的数值最小、R I 最大、R O 最大
48、希望放大器输入端向信号源索取的电流比较小，应引入（ ）负反馈。
A.电压
B. 电流
C. 串联
D.并联 49、在三极管放大电路中，若Q 点设置得过高，则容易产生（ ）失真。
A. 截止
B. 饱和
C. 频率
D. 电源
50、在某放大电路中，测得三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ，-9.3 V ，则这只三极管是（ ）。
A.NPN 型硅管
B.NPN 型锗管
C.PNP 型硅管
D.PNP 型锗管
51、为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与低阻负载间
接入（ ）。
A.共射电路
B.共基电路
C.共集电路
D.共集---共基串联电路 52、在考虑放大电路的频率失真时，若i v 为正弦波，则o v （ ）。 A.只有可能产生相位失真 B.有可能产生幅度失真和相位失真
C.一定会产生非线性失真
D.不会产生线性失真
53、通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ ）。
A.输入电阻高
B.输出电阻低
C.共模抑制比大
D.电压放大倍数大 54、某仪表放大电路，要求输入电阻i R 大，输出电流稳定，应采用（ ）。
A.电压串联负反馈
B.电压并联负反馈
C.电流串联负反馈
D.电流并联负反馈
55、多级放大电路与组成它的各个单级放大电路相比，其通频带（ ）。
A.变宽
B.变窄
C.不变
D.与各单级放大电路无关
56、欲减小电路从信号源索取的电流，增强带负载能力，应在放大电路中引入
（ ）。
A.电压串联负反馈
B.电压并联负反馈
C.电流串联负反馈
D.电流并联负反馈
57、某负反馈放大电路反馈深度为10，若开环放大倍数相对变化率为0.1%，则
闭环放大倍数相对变化率为（）。
A. 1%
B. 0. 1%
C.0. 01%
D.10%
二、填空题：
1、简单的差分放大器双端输出时，对_______信号有较强的抑制能力，而对
________信号有较强的放大作用。
2、具有相同参数的两级放大电路，各个单管在其截至频率处，幅值下降
dB。两级放大器频带比构成此两级放大器的任一单级放大器频带要。3、已知某放大器的输入信号为1mV，输出电压为1V，引入负反馈后，为达到
同样的输出，需加入的输入电压为10mV，则引入负反馈的反馈系数F
为，电路的反馈深度1+AF为。
4、多级放大器有、、等三种级间耦合方式，它的
输入电阻等于电阻，输出电阻等于电阻。
5、分析放大器有和两种分析方法，分别适用于大信号和小
信号工作情况。
6、三极管用于放大时，必须保证发射结偏置、集电结偏置。
7、多级放大器的电压放大倍数等于，分析计算时必须考虑到前后级的相互影响，可将后级看作前级的。
8、利用三极管可以构成、和共集电极三种组态的放大器
9、采用差动放大器的主要原因是为了抑制。
10、负反馈能稳定放大器的输出信号，这是以降低为代价的。
11、多级放大电路常用的耦合方式有三种，它们是耦合耦合
和耦合，其中耦合方式易于集成。
12、射极输出器的输入信号从极间输入，而输出是从极间取出。
因此，射极输出器是一个共极放大器。
13、若两个输入信号电压的大小，极性，就称为差模输入信号。
14、简单的差分放大器双端输出时，对_______信号有较强的抑制能力，而对
________信号有较强的放大作用。
15、差动放大电路两个输入端的电压分别是2V和3V，则共模信号是V ，差
模信号为V。
16、希望静态时，元件参数改变时对放大器静态工作点的影响较小，应引入
反馈。要求得到一个由电流控制的电流源，应引入负反馈。
17、共模抑制比K CMR是：。
18、由运算放大器构成的比例运算电路的输入电流基本上等于流过反馈
电阻上的电流，而比例运算电路的输入电流几乎等于零。
19、若三级放大电路中A u1=A u2=30dB，A u3=20dB，则其总电压增益为dB，
折合为 倍。
20、在共射，共基，共集三种组态中，即可作为输入级或输出级，又变换阻抗的中间缓冲级的是 组态。
21、在电子线路中，一般用输出电阻R O 来衡量放大器带负载的能力，R O 越小，则带负载的能力 。
22、把电压信号转换为电流输出的电路称 放大电路，.
.
.
I O G U I A =称 ；利用 放大电路可将电流信号转换为电压信号，其增益表达式为 。
23、把电压信号转换为电流输出的电路称 放大电路，.
.
.
I O G U I A =称 ；利用 放大电路可将电流信号转换为电压信号。 24、用示波器观察到NPN 硅管构成的共射放大电路，u ce 的波形如右图所示，这是 失真，调整R b 可使波形趋向于正弦，R b 数值应 。
25、射极跟随器常常用于作输入级，是因为 。 26、引入电压串联负反馈可改善放大电路性能，使增益恒定性 、非线性失真 、通频带 、输入电阻 、输出电阻 。
27、既能放大电压，又能放大电流的是 组态的双极型三极管放大电路；可以放大电压，但不能放大电流的是 组态的双极型三极管放大电路；只能放大电流，但不能放大电压的是 组态的双极型三极管放大电路。 28、放大电路电压放大倍数用分贝数来表示时，称为电压增益，其表达式为 。一个放大电路的电压增益为20 dB 时，输入电压为10mV ，输出电压为 。 29、有两个100=U A 的放大电路Ⅰ和Ⅱ分别对同一个具有内阻的电压信号进行放大时得到V U V U 95.4,85.40201==，由此可知放大电路（Ⅰ还是Ⅱ） 比较好，因为它的 （指的是输入电阻如何？）。
30、射极输出器的主要特点是 、 和 。 31、当输入信号频率为L f 或H f 时，放大倍数的幅值约下降为中频时
的 ， 或者说下降了 dB 。
32、双端输出的差分放大电路，若两个输入信号21I I u u =，则输出电压u O = ；
若V u
I μ1001=，V u I μ802=,则差模输入电压u Id 为
μV ；共模输入电压u Ic
为 μV 。
模电总结复习资料
第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路); 若 V阳 2) 等效电路法 ?直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路); 若 V阳 测量电功率的几种特殊方法 同学们都熟悉用如图1的方法测量小灯泡 的电功率，这是测量电功率的标准方法，除过 这种方法外，还有几种测量电功率得特殊方 法，这里就结合几道考题予以介绍。 例1、要测出一只额定电压为3.8V的小灯泡的额定功率，器材有：电源（电压恒为6V）、阻值合适的滑动变阻器一个、开关一个、导线 若干、电流表一块、电压表一块，其中电流表 的量程完好，电压表的量程只有0～3V档可 用。请设计电路，并回答：闭合开关，调节滑 动变阻器，使电压表的示数达到＿＿＿V时， 小灯泡恰好正常发光。若此时电流表的示数为 0.3A，则小灯泡的额定功率为＿＿＿W。 解析：显然，小灯泡的额定电压3.8V大于电压表的最大量程3V，所以我们不能用电压表直接测量小灯泡两端的电压；但是，由于电源电压已知，我们可考虑通过测量滑动变阻器两端的电压间接测量出小灯泡两端的电压。因为电源电压为6V，小灯泡的额定电压为3.8V，这时滑动变阻器两端的电压为2.2V，而2.2V正好小于3V，所以可以这样来测量。因此可得如图2的电路图。然而，由于电压表测量的是滑动变阻器两端的电压，所以，要测量小灯泡的额定功率，电压表的示数应为2.2V。而小灯泡的额定功率应为其额定电压（一定要注 意是 3.8V 而不是 2.2V ）和此时电流的乘积，所以有：W A V UI P 14.13.08.3=?==。 可以看出，用这样的电路测量电功率时，当电流表示数变大时电压表示数变小；而当电流表示数变小时电压表示数变大。有时命题者也依此命题，请同学们注意。 例2、在一次测定小灯泡额定功率的实验中，老师给出了如下器材：额定电压为U 0的小灯泡、电源（电压未知）、一个阻值为R 的电阻、一个滑动变阻器、一只电流表、一只电压表、一个单刀双掷开关和若干导线。实验时不能忽略灯丝的电阻随温度的变化。 ⑴小张同学设计的实验电路图如图3，请你 根据这个电路图写出测量小灯泡额定功率的主 要步骤和需要测量的物理量（物理量用字母表 示）。 ⑵本实验中，小灯泡额定功率的表达式P=＿＿＿＿＿＿＿。 ⑶若在给出的器材中只将其中的一只电流表改为一只电压表，请你重新设计一个实验电路图，测量小灯泡的额定功率（只画出电路图，不需要说明测量步骤）。 解析：⑴由于题目中只给了电流表，所以设法使小灯泡两端的电压等于其额定电压是解决问题的关键。从电路图可以看出，小灯泡与定值电阻并联，它们两端的电压相等，而定值电阻两端的电压为U=I R R ，这样，如果将S 掷向1时，当电流表的示数为R U 0时，它们两端的电压就为小灯泡的额定电压U 0。因此，我们可以这样测量小 《模拟电子技术》模拟试题一 一、填空题：（每空1分共40分） 1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向） 导电性。 2、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温 度）有关，而与外加电压（无关）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其 反偏时，结电阻为（无穷），等效成断开； 4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集） 放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳 定交流输出电流采用（串联）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路 的放大倍数AF=（1/ F ）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（）， （）称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号， 而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互 补功率放大器。 13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路； OTL电路是（）电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻 （）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（） 《模拟电子技术》 一、判断下列说法是否正确，用“×”或“√”表示判断结果。（10分） 1只要满足相位平衡条件，电路就会产生正弦波振荡。 （×）2引入直流负反馈可以稳定静态工作点。 （√）3负反馈越深，电路的性能越稳定。 （×）4零点漂移就是静态工作点的漂移。 （√）5放大电路采用复合管是为了增大放大倍数和输入电阻。 （√）6镜像电流源电路中两只晶体管的特性应完全相同。 （√）7半导体中的空穴带正电。 （√）8 P型半导体带正电，N型半导体带负电。 （×）9实现运算电路不一定非引入负反馈。 （×）10凡是引入正反馈的集成运放，一定工作在非线性区。 （×）二、选择填空（10分） （1）为了增大输出电阻，应在放大电路中引入 A ；为了展宽频带，应在放大电路中引入 D 。 （A）电流负反馈（B）电压负反馈（C）直流负反馈（D）交流负反馈（2）在桥式（文氏桥）RC正弦波振荡电路中， C 。 （A）φA=-1800，φF=+1800 （B）φA=+1800，φF=+1800 （C）φA=00，φF=00 （3）集成运放的互补输出级采用 B 。 （A）共基接法（B）共集接法（C）共射接法（D）差分接法 （4）两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为 B 。 （A）β（B）β2 （C）2β（D）1+β （5）在（A）、（B）、（C）三种电路中输入电阻最大的电路是 B ； 既能放大电流，又能放大电压的电路是 C 。 （A）共基放大电路（B）共集放大电路（C）共射放大电路（6）当PNP型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为u C B u B B u E。 （A）> （B）< （C）= （D）≤ （7）硅二极管的正向导通压降比锗二极管的 A 。 （A）大（B）小（C）相等 三、（5分）图示电路中二极管为理想二极管，请判断它是否导通，并求出u0。解：二极管D截止，u0=-6V 四、（10分）在一个放大电路中，三只三极管三个管脚①、②、③的电位分别如表所示，将每只管子所用材料（Si或Ge）、类型（NPN或PNP）及管脚为哪个极（e、b或c）填入表内。 管号T1 T2T3 管 号 T1T2T3 管脚电位（V）①0.7 6.2 3 电 极 名 称 ① ②0 6 10 ② ③ 5 3 3.7 ③ 材料类型 五、（10分）在图示电路中，已知晶体管静态时U BEQ=0.7V，电流放大系数为β=80，r be=1.2 kΩ，R B=500 kΩ，R C=R L=5 kΩ，V CC=12V。 【物理】电功率知识点(大全)经典 一、电功率选择题 1．现有电源、开关、电流表、电压表、灯泡、滑动变阻器各一个，其中灯泡的U﹣I图象如图所示。将这些元件用导线连成电路后，闭合开关，滑动变阻器的滑片从最左端向右滑动的过程中，电压表的示数从5V开始减小，电流表的示数从0.3A开始增大。下列结论正确的是（） A. 电源的电压为5V B. 小灯泡的最大功率为0.3W C. 滑动变阻器的最大阻值为20Ω D. 整个电路的最小功率是1.8 W 【答案】 D 【解析】【解答】解：（1）根据题意可知，滑动变阻器与灯泡串联，电压表测变阻器两端的电压，电流表测电路中的电流，如图所示： ；（2）当电压表的示数为5V时，电路中的电流为0.3A，由图象得出此时灯泡两端的电压U L＝1V， 因串联电路中总电压等于各分电压之和，所以电源的电压： U＝U滑+U L＝5V+1V＝6V，A不符合题意； 由I＝可得，滑动变阻器的最大阻值： R滑＝＝≈16.7Ω，C不符合题意； 整个电路的最小功率： P min＝UI＝6V×0.3A＝1.8W，D符合题意；（3）当滑动变阻器接入电路中的电阻最小时，灯泡两端的电压和电源的电压相等， 由图象可知通过灯泡的电流I′＝0.5A，则小灯泡的最大功率： P Lmax＝UI′＝6V×0.5A＝3W，B不符合题意。 故答案为：D。 【分析】结合题意，将滑动变阻器的滑片从最左端向右滑动的过程中，电压表的示数减小，电流表的示数增大，则电压表并联在滑动变阻器两端，否则两电表示数应同时增大或同时减小；当电压表的示数为5V时，滑动变阻器接入电路中的电阻最大，电路中的电流最小，电路的总功率最小，根据图象读出电路中的电流为0.3A时灯泡两端的电压，根据串 模电知识要点总结_期末复习用_较全面【适合考前时间充分的全面复习】 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路); 若 V阳 模拟电路试题B卷 一.（24分） 1）射极输出器的特性归纳为：电压增益，电压跟随性好，输入阻抗，输出阻抗，而且具有一定的放大能力和功率放大能力，射极输出器的反馈类型是。 2）电压负反馈可以使放大器的输出稳定，电流负反馈可以使放大器的输出稳定。 3）在差分放大电路中，大小相等、极性或相位一致的两个输入信号称为信号；大小相等，极性 或相位相反的两个输入信号称为信号。 4）在导体中导电的是，在半导体中导电的不仅有，而且有，这是半导体区别于导 体导电的重要特征。 5）PN结正向偏置时，反向偏置时，这种特性称为PN结的。 6）晶体三极管有两个PN结，即结和结，在放大电路中结必须正偏， 结必须反偏。 7）晶体三极管有型和型两种类型。 8）画放大器的直流通路时，将视为开路，画交流通路时，将和视为短;. 路。 二.（1.9分，2.9分，3.6分，共24分） 1.放大电路如图所示,T为锗NPN管. (1)设V cc=12V,R c=3kΩ,β=70,如果要将静态工作点电流I c调至1.5mA,问R b要取多大? (2)电路参数同上,如果要将静态工作点的电压V CE调至3.3V,问R b应多大? (3)在调整静态工作点时,如稍不小心把R b调至零,这时三极管是否会损坏,为什么?为避免损坏,电路上可 采取什么措施? 得分 ;. 2.已知电路参数如图所示,R g1=300kΩ，R g2=100kΩ，R g3=2MΩ，R d=10kΩ，R2=10kΩ，+V DD=+20V，场效应 管工作点的互导g m=1ms,设r d>>R d (1)画出小信号等效电路； (2)求电压增益A v； (3)求放大器的输入电阻R i 3.下面电路其输入,输出波形如图所示 试问： a)此电路产生何种类型失真? (饱和?截止?) b)为消除此失真,应如何调节电阻R b? ;. 模电总结复习资料-免费-模拟电子技术基础(总22页) 本页仅作为文档页封面，使用时可以删除 This document is for reference only-rar21year.March 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路); 若 V阳 模电题目 一、填空题 1.为使BJT发射区发射电子，集电区收集电子，必须具备的条件是（发射极正偏，集电极反偏）。 2.N型半导体是在纯硅或锗中加入（磷（+5））元素物质后形成的杂质半导体。 3.差分放大电路对（差模）信号有放大作用，对（共模）信号起到抑制作用。 3.在电容滤波和电感滤波中，（电感）滤波适用于大电流负载，（电容）滤波的直流输出电压高。 5．集成运放主要包括输入级、(中间放大级)、(输出级)和 (偏置)电路。其中输入级一般采用(差模)电路。 6.为稳定放大器的静态工作点，应在放大电路中引入（直流负）反馈，为稳定放大器的输出电压应引入（电压负）反馈。 7．与甲类功放电路相比，乙类互补对称功率放大电路的优点是（管耗小），其最高效率可达到（78.5%），但容易产生（交越）失真。 8．集成运算放大器是一种采用（直接）耦合方式的多级放大电路，它的输入级常采用差分电路形式，其作用主要是为了克服（共模干扰）。 9．若放大器输入信号电压为1mV,输出电压为1V，加入负反馈后，为达到同样输出需要的输入信号为10mV，该电路的反馈深度为（10）。 10．产生1Hz～1MHz范围内的低频信号一般采用（RC）振荡器，而产生1MHz以上的高频信号一般采用（LC）振荡器 11．半导体二极管具有（单向导电）作用，稳压二极管用作稳压元件时工作在（反向击穿）状态。 12．晶体三极管是一种（电流）控制型器件，当工作在饱和区时应使其发射结（正偏）集电结（正偏），而场效应管是一种( 电压) 控制型器件。 13．集成电路运算放大器是一种高电压增益、高输入电阻、（低）输出电阻的（直接）耦合方式的多级放大电路。 14．差分放大电路有四种输入－输出方式，其差模电压增益大小与输（出）有关而与输（入）方式无关。 15．在放大电路中引入（直流负）反馈可以稳定放大电路的静态工作点，。 16．三种组态的放大电路中（共发射极组态、共基极组态、共集电极组态）输入电阻最小的是（共集电极放大）电路。 17．在一个交流放大电路中，测出某晶体管三个管脚对地电位为：（1）端为1.5V，（2）端为4V，（3）端为2.1V，则（1）端为（发射）极；（2）端为（集电）极；（3）端为（基）极；该管子为（NPN）型晶体管。 18．若要设计一个输出功率为10W的乙类功率放大器，则应选择PCM至少为（4 ）W的功率管两只。 19．电流串联负反馈放大器是一种输出端取样量为（电流），输入端比较量为（串联）的负反馈放大器，它使输入电阻（增大），输出电阻（增大）。 20．当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（增大）。 21. 当信号频率等于石英晶体的串联谐振频率或并联谐振频率时，石英晶体呈（阳性）；当信号频率在石英晶体的串联谐振频率和并联谐振频率之间时，石英晶体呈（感性）；其余情况下石英晶体呈（容性）。 模拟电子技术基础期末考试试题（B ） 姓名 班级 学号 计分 1．电路如图P1.4所示，已知u i ＝5sin ωt (V)，二极管导通电压U D ＝0.7V 。试画出u i 与u O 的波形，并标出幅值。 （5分） 2. 设图中A 为理想运放，请求出各电路的输出电压值。(12分) U 01 = U 02 = U 03 = U 04 = U 05 = U 06 = 3. 电路如图所示，设满足深度负反馈条件。 1．试判断级间反馈的极性和组态； 2．试求其闭环电压放大倍数A uf 。 （10分） (1) (2) 10 k Ω (3) 20 k Ω 2(5) 2 o5 (6) 2 20 k Ω 4. 试用相位平衡条件判断图示两个电路是否有可能产生正弦波振荡。如可能振荡，指出该振荡电路属于什么类型(如变压器反馈式、电感三点式、电容三点式等)，并估算其振荡频率。已知这两个电路中的L=0，C 1，C 2=F 。(8分) 5. 在图示电路中，设A 1、A 2、A 3均为理想运算放大器，其最大输出电压幅值为±12V 。 1． 试说明A 1、A 2、A 3各组成什么电路？ 2． A 1、A 2、A 3分别工作在线形区还是非线形区？ 3． 若输入为1V 的直流电压，则各输出端u O1、u O2、u O3的电压为多大？（10分） V CC V CC (a ) C b (b ) r=100Ω。 6．电路如图所示，晶体管的 ＝100，' bb A 、R i和R o； （1）求电路的Q点、 u （2）若电容C e开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化？（15分） r=100Ω，U B E Q≈0.7。试计算R W滑动端7．图所示电路参数理想对称，晶体管的β均为50，' bb 在中点时T1管和T2管的发射极静态电流I EQ，以及动态参数A d和R i。（15分） 《模电》复习题库 1.某放大电路输入端测量到输入正弦信号电流和电压的峰—峰值分别为5μA和5 mV，输出端接2kΩ电阻负载，测量到正弦电压信号峰—峰值1V，则Av( )A I( )Ap( )； 2.一电压放大电路输出端接1kΩ负载电阻时，输出电压为1V，负载电阻断开时，输出电压上升到1.1V。则该放大电路的输出电阻R。为（）； 答案：1. 46dB 40dB 43dB ；2. R。=100Ω 一、选择判断题 1、在绝对零度（0K）时，本征半导体中_______B__ 载流子。 A. 有 B. 没有 C. 少数 D. 多数 2、在热激发条件下，少数价电子获得足够激发能，进入导带，产生_____D____。 A. 负离子 B. 空穴 C. 正离子 D. 电子-空穴对 3、半导体中的载流子为___D______。 A. 电子 B. 空穴 C. 正离子 D. 电子和空穴 4、N型半导体中的多子是______A___。 A. 电子 B. 空穴 C. 正离子 D. 负离子 5、P型半导体中的多子是______B___。 A. 电子 B. 空穴 C. 正离子 D. 负离子 6、当PN结外加正向电压时，扩散电流_______A_漂移电流。 A. 大于 B. 小于 C. 等与 7、当PN结外加反向电压时，扩散电流___B_____漂移电流。 A. 大于 B. 小于 C. 等于 8、二极管加正向电压时，其正向电流是由（ A ）。 a：:多数载流子扩散形成 b：多数载流子漂移形成 c：少数载流子漂移形成9、PN结反向电压的数值增加，小于击穿电压时，（C ）。 a：其反向电流增大 b：其反向电流减小 c：其反向电流基本不变 10、稳压二极管是利用PN结的（ B ）。 a：单向导电性 b：反向击穿特性 c：电容特性 11、二极管的反向饱和电流在20℃时是5μA，温度每升高10℃，其反向饱和电流增大一倍， 当温度为40℃时，反向饱和电流值为（C ）。 a：10μA b：15μA c：20μA d：40μA 12、变容二极管在电路中使用时，其PN结是BB ）。 a：正向运用 b：反向运用 答案：1B 2D 3D 4A 5B 6A 7B 8（a）； 9（c）； 10（b）；11（c）； 12（b）一、选择填空 1、在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，则v o和v i的相位__B_______。 A. 同相 B. 反相 C. 相差90度 D. 不确定 2、在单级共基放大电路中，若输入电压为正弦波形，则v o和v i的相位_A________。 A. 同相 B. 反相 C. 相差90度 D. 不确定 3、既能放大电压，也能放大电流的是__A_______组态放大电路。 A. 共射 B. 共集 C. 共基 D. 不确定 4、在单极共集放大电路中，若输入电压为正弦波形，则v o和v i的相位____A_____。 A. 同相 B. 反相 C. 相差90度 D. 不确定 5、在单极共基放大电路中，若输入电压为正弦波形，则v o和v i的相位____A_____。 A. 同相 B. 反相 C. 相差90度 D. 不确定 6、可以放大电压，但不能放大电流的是_____C____组态放大电路。 A. 共射 B. 共集 C. 共基 D. 不确定 7、可以放大电流，但不能放大电压的是_____B____ 组态放大电路。 A. 共射 B. 共集 C. 共基 D. 不确定 8、在共射、共集和共基三种基本放大电路组态中，电压放大倍数小于1的是B_________组态。 电功率测试卷（解析版） 一、选择题 1．下列说法正确的是（） A. 电流表测电路中电流时，流过的电流是正电荷定向移动形成的 B. 某同学家的电能表示数是，表示他家消耗的电能是1234.5J C. 可燃冰属于可再生能源 D. 卫星电话用电磁波传递信息 【答案】D 【解析】【解答】解： A、在金属导体中自由电子的定向移动形成电流，故A错误； B、某同学家的电能表示数是，表示他家消耗的电能是1234.5kW?h，故B错误； C、可燃冰是埋藏于海底的化石燃料，可燃冰属于不可再生能源，故C错误； D、卫星电话是用电磁波传递信息的，故D正确． 故选：D． 【分析】（1）金属导电靠的是自由电子的定向移动；（2）要知道电能表示数的最后一位是小数，单位是kw?h．（3）从能源是否可再利用的角度可把能源分为可再生能源和不可再生能源．人类开发利用后，在现阶段不可能再生的能源，属于不可再生能源；指在自然界中可以不断再生、连续利用的能源，属于可再生能源．（4）移动通信、卫星通信都是利用电磁波中的微波来传递信息的，因为微波传递信息量大． 2．如图所示，电源电压U为10V并保持不变，滑动变阻器规格为“20Ω 1A”。闭合开关S，当滑片P移至最左端时，灯泡正常发光，电流表示数为0.5A；当滑片P移至中点时，电流表示数为0.4A．则（） A. 电路消耗的最小功率为2.5W B. 滑片P在中点时，灯泡消耗的功率为 2.4W C. 滑片P在中点时，灯泡消耗的功率为3.2W D. 滑片P在最左端时，2min内电流通过灯泡所做的功为10J 【答案】B 【解析】【解答】解：滑片P在最左端时，电路中只有灯泡，灯泡正常发光，由I＝得， 灯泡正常发光时的电阻：R L＝＝20Ω；滑动变阻器连入电路的电阻最大时，电路 最新模电复习要点详解 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体:在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6.杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7.PN结 *PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 *PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8.PN结的伏安特性 二.半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴(正偏)，二极管导通(短路); 若V阳 2)等效电路法 直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴(正偏)，二极管导通(短路); 若V阳 (10 一、判断下列说法是否正确，用“X”或 分) 1 《模拟电子技术》 “2”表示判断结果。 只要满足相位平衡 电路就 会产生正 波振荡。 ) 2 引’ 入 直 流负反馈 可 以 稳 定静态工 ( 作点 V 。 ) 3 负 反 馈 越深， 电 路 的 性能越 稳定 。 ( X ) 4 >-l-A 零 点 漂 移就是 静 态 工 作点的 漂移 。 ( V ) 5 放大 电路采用复合管是为了 增大放大倍数和输入电阻 。 ( V ) 6 镜像 电 流： 源电路中两 只晶 体 管 的特性应完 全相同 。 ( V ) 7 半 导 体 中 的 空 穴 带 正 电 。 ( V ) 8 P 型 半 导体带正 电， N 型半导体带负电 。 ( X ) 9 实 现 运 算电路： 不一 定 非引入负 反馈 。 ( X ) 10 凡是引 入 正反馈的集 成运 放， 」定工作在非 线性区 。 ( X ) ( X (10 分) 二、选择填空 (1) 为了增大输出电阻，应在放大电路中引入 为了展宽频带，应在放大电路中引入 ________ (A )电流负反馈(B )电压负反馈(C )直流负反馈 (D )交流负反馈 (2) 在桥式(文氏桥)RC 正弦波振荡电路中， C _______________ 。 (A ) ?A =-180 0，杆=+180 0 (B )杯=+180 0，?F =+180 0 (C )杯=00, ?F =0 0 (3) 集成运放的互补输出级采用 (A )共基接法 (B )共集接法(C )共射接法(D )差分接法 (4) 两 个B 相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为 B 一、 半导体器件 1． N 型半导体，在本征半导体中掺入五价元素，它的多数载流子是电子，少数载流子是空 穴。 2． P 型半导体。在本征半导体中掺入三价元素，它的多数载流子是空穴，少数载流子是电 子。 3． 半导体中载流子的运动方式：漂移运动、扩散运动。 4． PN 结及基单向导电性 ① PN 结外加正向电压,即P 型区接外加电源正极, N 型区接外加电源负极,PN 结导通当PN 结外加正向电压时,扩散电流 增加,漂移电流减小扩散电流由N 型区,P 型区多数载流子产生 漂移电流由N 型区,P 型区少数载流子形成 ② PN 结外加反向电压,即P 型区接外加电源负极,N 型区接外加电源正极,PN 结截止,P 结呈高阻抗.PN 结反向偏置时,扩散电流趋于零,反向漂移电流很少 5.二极管 二极管由一个PN 结组成，二极管的伏安特性由正向伏安特性、反向伏安特性及击穿特性 三部份组成 ① 正向特性 当外加电压大于其阀值电压(Si: th V =0.5V , Ge: th V =0.1V)时, 流过二极管的电流由零显著增加. ② 反向特性 二极管外加反向电压时,其反向电流很少 ③ 击穿特性 当二极管承受的反向电压大于其本身的击穿电压时,反向电流急剧增大 例: 二极管电路如图示,试判断图4中二极管是导通还是截止,并求出0A 二端的电压0 A V ,设 二极管是理想的. 解: 对于图4a ） 首先断开二极管D,求 A V 、 B V 此时, A V =－12V, B V =－6V , 则BA V =B V －A V ＝－６－（－１２）＝６Ｖ 这样，二极管是正向导通的 由理想模型,F V ＝０． 由此 ＋６－１２＋３Ｉ＝０ Ｉ＝２mA A V ＝２×３－１２＝－６Ｖ． 解：对于图b ），当D 断开时， B V ＝－１５Ｖ，A V ＝－１２Ｖ 图1.PN 结外加正向电压 图2.PN 结外加反向电压 图3.二极管的伏案特性 O a) 九年级物理下册《测量电功率》知识点 复习沪教版 知识点 一、电能电功 1电能：电以各种形式做功的能力。电能可以转化为其他形式的能。 2电能的单位是千瓦时，也就是平常我们所说的度，符号是·h。1度=1千瓦时=QQ截图XX0327102828pg焦耳。 3测量电能的工具：电能表，常用的有机械式电能表和I卡电能表。 4电能表铭牌含义： ①“220V”是说这个电能表应该在220V的电路中使用; ②“10A”是说这个电能表的额定电流是10A，在短时间内允许大一些，但不能超过20A; ③“0Hz”是说这个电能表在0Hz的交流电路中使用; ④“600revs/·h”是说接在这个电能表上的用电器，每消耗1·h的电能，电能表上转盘转过600转。 电能表的读数：电能表前后两次的示数之差就是用电器对应这段时间消耗的电能，单位是·h。 6电功：电流所做的功叫电功，符号为，国际单位是焦耳。 7电功计算公式：=UIt，式中单位→焦;U→伏;I→安;t →秒。 8利用=UIt计算电功时注意： ①式中的、U、I和t是在同一段电路; ②计算时单位要统一; ③已知任意的三个量都可以求出第四个量。 9计算电功还可用以下公式：QQ截图XX0327102928pg 二、电功率 1电功率：电流在单位时间内所做的功，用符号P表示。国际单位：瓦特;常用单位：千瓦，毫瓦。1=1000，1=1000。 2计算电功率公式： ①定义式：P=/t; ②常用公式：P=/t=UIt/t=UI，即P=UI; ③推导公式：。 式中单位P→瓦;→焦;t→秒;U→伏;I→安 3利用公式P=/t计算时单位要统一： ①如果用焦，t用秒，则P的单位是瓦; ②如果用千瓦时，t用小时，则P的单位是千瓦。 4①额定电压：用电器正常工作的电压; ②实际电压：实际加在用电器两端的电压; 模电总复习 1.晶体管工作在放大区时的偏置状态为（C ） A. b与e极，b与c极间均正向偏置 B. b与e极，b与c极间均反偏 C. b与e极间正偏，b与c极间反偏 D. b与e极间反偏，b与c极间正偏 2.放大电路中的晶体管应工作在（B ） A. 饱和区 B. 放大区 C. 载止区 D. 夹断区 3．电子电路里常用的双极型三极管是（B ） A. 电压控制器件 B. 电流控制器件 C. 其它物理量控制器件 D. 以上各项都不是 4.在单管共射放大器中（D ） A. i o与v i反相 B. v o与i o同相 C. v o与v i同相 D. v o与v i反相 5. 某放大电路中的一只三极管，三个引线的标号分别为1、2、3，它们对公共 端的电位分别是 V1= - 4V，V2= -3.3V，V3= - 8V，该三极管是（C ） A. NPN型硅管 B. NPN型锗管 C. PNP型硅管 D. PNP型锗管 6.分压式共射放大电路如下图所示。若更换晶 体管使β由50变为100，则电路的电压放大 倍数（ C ） A. 约为原来的一半 B. 基本不变 C. 约为原来的2倍 D. 约为原来的4倍 8. 晶体管中电流分配关系为（C ） A. I B=I C+I E B. I C=I B+I E C. I E=I C+I B D. I B≥I C+I E 9.某放大电路如下图所示。设V CC=12V，I CEO≈0， 则在静态时该三极管处于（ B ）。 A. 放大区 B. 饱和区 C. 截止区 D. 区域不定 10.运算放大器理想化条件为（C ）。 A. A vo=∞r i=∞r o=∞K CMR= 0 B. A vo=0 r i=∞r o=0 K CMR=∞ C. A vo=∞r i=∞r o= 0 K CMR=∞ D. A vo=∞r i=0 r o=∞K CMR=0 一、 填空（16分） 1、在电流控制方式上，双极型晶体管是__电流控制电流源____型，而场效应管是__电压控制电流源___型；二者比较，一般的由_____场效应管___构成的电路输入电阻大。 2、放大电路中，为了不出现失真，晶体管应工作在___放大___区，此时发射结___正偏______，集电结___反偏______。 3、负反馈能改善放大电路性能，为了提高负载能力，应采用___电压___型负反馈，如果输入为电流源信号，宜采用___并联___型负反馈。 4、正弦波振荡电路应满足的幅值平衡条件是___AF=1____。RC 振荡电路、LC 振荡电路及石英晶体振荡电路中，___石英晶体振荡电路___的频率稳定性最好。 5、直流电源的组成一般包括变压器、_整流电路__、_滤波电路_和_稳压电路_。 6、下列说法正确的画√，错误的画× （1）放大电路的核心是有源器件晶体管，它能够实现能量的放大，把输入信号的能量放大为输出信号的能量，它提供了输出信号的能量。 （ × ） （2）共集组态基本放大电路的输入电阻高，输出电阻低，能够实现电压和电流的放大。 （ × ） （3）图1所示的文氏桥振荡电路中，对于频率为01 2f RC π=的信号，反馈信 号U f 与输出信号U o 反相，因此在电路中引入了正反馈环节，能产生正弦波振荡。 （ × ） 第 1 页 （共 8 页） 图1 试 题： 班号： 姓名： 二、（18分）基本放大电路及参数如图2所示，U BE =0.7V ，R bb ’=300?。回答下列各问： （1） 请问这是何种组态的基本放大电路？（共射、共集、共基） （2） 计算放大电路的静态工作点。 （3） 画出微变等效电路。 （4） 计算该放大电路的动态参数：u A ，R i 和R o （5） 若观察到输出信号出现了底部失真，请问应如何调整R b 才能消除失真。 图2 答：（1）是共射组态基本放大电路 （1分） （2）静态工作点Q ： Vcc=I BQ *R b +U BEQ +(1+β) I BQ *R e ，即15= I BQ *200k ?+0.7V+51* I BQ *8k ?， ∴I BQ =0.0235mA （2分） ∴I CQ =βI BQ =1.175mA ， （2分） ∴U CEQ =V cc-I CQ *R C -I EQ *R E ≈V cc-I CQ *(R C +R E )=15-1.175*10=3.25V （2分） （3）微变等效电路 o （4分） （4）r be =r bb ’+(1+β)U T /I EQ =0.2+51*26/1.175=1.33K ? A u =-β(R c //R L )/r be =-50*1.32/1.33=-49.6 （2分） Ri=R b //r be ≈1.33K ?; （2分） Ro ≈Rc=2K ? （2分） （5）是饱和失真，应增大R b （1分） 2019电子电路基础期末复习提纲 第五章半导体器件基础与二极管电路 1. 掌握杂质半导体的基础知识，多子少子的基本概念及影响其浓度的因素； 2. 掌握二极管的主要特性（正向，反向，反向击穿）及其简化电路模型（理想模型和恒压降模型）； 3. 掌握含二极管电路的分析方法； 4. 稳压管稳压原理及其分析计算； 第六章晶体管放大电路基础 1. 双极型晶体三极管（BJT）及其放大电路 共射电路工作原理；晶体三极管输入输出特性曲线及工作状态判断； BJT共射和共集组态放大电路的静态分析（直流通路画法，静态工作点的估算）及动态分析（交流小信号等效电路画法，增益，输入电阻输出电阻计算。）；图解法分析静态工作点对最大不失真输出的影响及其波形失真问题。 2. 场效应晶体管（FET）及其放大电路 场效应管工作原理； NMOSFET增强型及耗尽型共源组态放大电路的静态分析（直流通路画法，静态工作点的估算）及动态分析（交流小信号等效电路画法，增益，输入电阻输出电阻计算。）； 3. 多级放大电路 掌握二级放大电路交流通路画法；输入电阻和输出电阻、电压增益的求法。4. 功率放大电路 乙类功率放大器特点，掌握交越失真产生的原因及消除方法；掌握乙类及甲乙类功放工作原理，输出功率、直流电源供给的功率和效率的计算。 5. 放大电路的频率特性 掌握共发射极放大电路高频响应和低频响应的影响因素； 6. 放大电路中的负反馈 能用瞬时极性法判断反馈的极性；掌握四种类型负反馈的判断方法；掌握负反馈对放大电路性能的影响；掌握负反馈稳定输出电量的原理。 第七章模拟集成电路及其应用电路 1. 集成运算放大器概述 掌握模拟集成运算放大器组成内部框图及各部分功能。 2. 集成运算放大器中的内部单元电路 差分放大电路特点及作用；掌握差分放大电路原理，零点漂移产生的原因及抑制零点漂移的原理；掌握差模信号和共模信号的定义；掌握差分放大电路的静态工作点计算和动态分析计算（会画差模和共模半电路交流通路，会计算单端输出和双端输出时的差模增益、差模输入电阻、差模输出电阻及共模抑制比） 3. 集成运算放大器的线性应用 利用虚短、虚断，分析理想集成运放构成的各种功能电路，如同相放大器、反相放大器、加减法器及积分器等。 《模拟电子技术》期末考试试卷 一、填空题：（每空1分共40分） 1、PN结正偏时（），反偏时（），所以PN结具有（）导电性。 2、漂移电流是（）电流，它由（）载流子形成，其大小与（） 有关，而与外加电压（）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（），等效成一条直线；当其反 偏时，结电阻为（），等效成断开； 4、三极管是（）控制元件，场效应管是（）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（），集电结（）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（），发射结压降（）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（）、（）、（）放 大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（）负反馈，为了稳 定交流输出电流采用（）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（），对于深度负反馈放大电 路的放大倍数AF=（）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（）， （）称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号， 而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互补 功率放大器。 13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路； OTL电路是（）电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻（） 等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（） 电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（），未被调制的高频信号 是运载信息的工具，称为（）。 17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（），电路符号是（）。 二、选择题（每空2分共30分） 1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（）状态，但其两端电压 必须（），它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于（）状态。 A、正偏 B、反偏 C、大于 D、小于 E、导通 F、截止 2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电 极分别是（），该管是（）型。 A、（ B、 C、E） B、（C、B、E） C、（E、C、B） D、（NPN） E、（PNP） 3、对功率放大器的要求主要是（）、（）、（）。 A、U0高 B、P0大 C、功率大 D、Ri大 E、波形不失真 4、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（），此时应该（）偏置 电阻。 A、饱和失真 B、截止失真 C、交越失真 D、增大 E、减小 5、差分放大电路是为了（）而设置的。 A、稳定Au B、放大信号 C、抑制零点漂移 6、共集电极放大电路的负反馈组态是（）。 A、压串负 B、流串负 C、压并负 7、差分放大电路RE上的直流电流IEQ近似等于单管集电极电流ICQ（）倍。 A、1 B、2 C、3 8、为了使放大器带负载能力强，一般引入（）负反馈。 A、电压 B、电流 C、串联 9、分析运放的两个依据是（）、（）。 A、U-≈U+ B、I-≈I+≈0 C、U0=Ui D、Au=1测量电功率要点
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