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PVC-M管与PVC-O管简介

PVC-M管与PVC-O管简介
PVC-M管与PVC-O管简介

PVC-M管与PVC-O管简介

一、术语名称

1、PVC-M是改性聚氯乙烯管,PVC类管材产品的改性产品——PVC-M管的抗震性能与PVC-U相比,有过之而无不及。

2、PVC-O,中文名双轴取向聚氯乙烯,是PVC管的最新进化形式,通过特殊的取向加工工艺制造的管材,将采用挤出方法生产的PVC-U管材进行轴向拉伸和径向拉伸,使管材中的PVC长链分子在双轴向规整排列,获得高强度、高韧性、高抗冲、抗疲劳的新型PVC管材。

二、产品简介

2.1、PVC-M改性聚氯乙烯管:抗冲改性聚氯乙烯(PVC-M)管是在PVC-U材料的基础上加入适当的改性剂,以共混改性的方式生产而成的,可以在不降低强度或稍降低强度的前提下显著地提高韧度,使材料具有优异的抗冲性、抗开裂性。饮水用PVC-M管材符合CJ/T272—2008《给水用抗冲改性聚氯乙烯(PVC-M)管材及管件》的要求。

2.1.1、PVC-M优势:

1、优异的抗冲性能

PVC-M管材的柔韧性得到了大幅度增强,而良好的韧性提高了管材的抗冲击性能,从而有效抵抗安装和运输过程对管材的外力冲击,提高了管材抗外力破坏能力。

以dn200mm管材为例,在0℃下的落锤冲击试验,PVC-U管材和PVC-M的冲击高度均为2米,但PVC-M的冲锤质量为10kg,PVC-U的冲锤质量仅为2kg。显然PVC-M承受的冲击能量远远高于PVC-U管材,说明PVC-M的韧性远高于普通PVC-U管材。

PVC-M管材22℃、20m快速冲击试验更具说服力。标准要求在22℃下进行试验,落锤质量为3~30kg(以dn200mm为例,冲锤质量达20kg),冲击高度为20m,试验要求所有试样不发生脆性破坏为合格,而PVC-U管材则没有这项要求。经过系统的对比测试发现: PVC-M管材受冲击后均为韧性破坏,在管材外壁上冲出一个小坑,管材本体并未受到损害;但在同样条件下做试验,PVC-U管材受冲击后则发生碎裂。

虽然在塑料管道施工技术规程中严禁对管材进行抛、摔、滚、拖,但管材在实际装卸运输以及安装过程中难免受到外力撞击, PVC-M则能有效地抵抗外力冲击保证管道安全。

2、优异的抗开裂性能和耐点载荷的能力

容易进行单轴拉伸取向,即轴向拉伸取向,只要增加管材牵引和挤出的速比即可实现这种取向。但这种轴向拉伸取向对管材的性能来讲是毫无意义的,因为它虽然通过拉伸取向增加了管材取向的强度,但却降低了管材径向(即环向)的强度,这对于塑料管材,尤其是给水管材来说,是十分有害的,因为它会大大降低管材的液压爆破强度,这也是管材的质量标准中要规定管材的纵向回缩率一定要小于等于5%的原因。理想的拉伸取向应当是双向的,即双轴拉伸取向,通过双轴拉伸取向,既增加了管材的轴向强度,同时也增加了管材的径向(即环向)强度。也就是说,通过双轴拉伸取向,提高了管材的整体性能。在管材材料强度大大增加、管材原有液压爆破强度基础上,通过降低壁厚的方法节省原料,降低产品的成本。

2.2.2、产品性能

1、PVC-O管优良抗冲击性能

2、超高的强度:管材壁厚仅为普通PVC-U管材的一半,但强度达到4倍。

3、拥有卓越的弹性

在管材直径方向上可以承受的变形达到管材内径的100%。当管材受到挤压后,管材可以迅速恢复原形,从而使得施工过程中因砂石挤压或机械冲撞而造成的破坏风险降至最低。同时,卓越的韧性使得管材极为适合于S形管线的铺设。

4、具有良好的耐低温脆性

即使在-25 ℃的寒冷环境下,其吸收冲击的能力也没有明显变化,从而扩大了管材的使用地区,延长了管线施工的窗口。

5、具备优良的抗开裂能力。

管材对缺口不敏感,网状的管壁结构可以有效阻止裂纹和划痕的延伸,外界对管材本体造成的破坏点不会扩展。消除了管线快速开裂及慢速开裂的现象,从而极大地保证了管网的安全,并延长了产品的使用寿命。

6、具有优良的抗水锤能力

管材的波速远低于传统管材,比铸铁管低4倍,这意味着减少了因水压和水量变化而形成的水锤,从而减少乃至消除了打开和关闭水网时爆管的可能性;同时,在水网运行时,也对水网的各个部件形成了保护。

7、具有便捷的连接性

管材采用柔性连接,不仅施工安装简单快速,而且确保管线安装完毕后接头不会移位,管线水密性好,漏失少,珍贵的水资源得到有效输送。

稳压管型号_标号对照表

稳压管型号标号对照表 代号参数代号参数代号参数代号参数 2B1 1.9V-2.1V4B1 3.7V-3.9V6B1 5.5V-5.8V9B18.3V-8.7V 2B2 2.0V-2.2V4B2 3.8V-4.0V6B2 5.6V-5.9V9B28.5V-8.9V 2B3 2.1V-2.3V4B3 3.9V-4.1V6B3 5.7V-6.0V9B38.7V-9.1V 2C1 2.2V-2.4V4C1 4.0V-4.2V6C1 5.8V-6.1V9C18.9V-9.3V 2C2 2.3V-2.5V4C2 4.1V-4.3V6C2 6.0V-6.3V9C29.1V-9.5V 2C3 2.4V-2.6V4C3 4.2V-4.4V6C3 6.1V-6.4V9C39.3V-9.7V 3A1 2.5V-2.7V5A1 4.3V-4.5V7A1 6.3V-6.6V11A19.5V-9.9V 3A2 2.6V-2.8V5A2 4.4V-4.6V7A2 6.4V-6.7V11A29.7V-10.1V 3A3 2.7V-2.95A3 4.5V-4.7V7A3 6.6V-6.9V11A39.9V-10.3V 3B1 2.8V-3.0V5B1 4.6V-4.8V7B1 6.7V-7.0V11B110.2V-10.6V 3B2 2.9V-3.1V5B2 4.7V-4.9V7B2 6.9V-7.2V11B210.4V-10.8V 3B3 3.0V-3.2V5B3 4.8V-5.0V7B37.0V-7.3V11B310.7V-11.3V 3C1 3.1V-3.3V5C1 4.9V-5.1V7C17.2V-7.6V11C110.9V-11.3V 3C2 3.2V-3.4V5C2 5.0V-5.2V7C27.3V-7.7V11C211.1V-11.6V 3C3 3.3V-3.5V5C3 5.1V-5.3V7C37.5V-7.9V11C311.4V-11.9V 4A1 3.4V-3.6V6A1 5.2V-5.4V9A17.7V-8.1V12A111.6V-12.1V 4A2 3.5V-3.7V6A2 5.3V-5.5V9A27.9V-8.3V12A211.8V-12.4V 4A3 3.6V-3.8V6A3 5.4V-5.7V9A38.1V-8.5V12A312.2V-12.7V 常用5W稳压管参数 二极管1N53335W\3.3V 二极管1N5333A5W\3.3V 二极管1N5333B5W3.3V 二极管1N53345W\3.6V

MOS管基础知识

MOS管基础知识 MOS管场效应管 知识要点: 场效应管原理、场效应管的小信号模型及其参数 场效应管是只有一种载流子参与导电的半导体器件,是一种用输入电压控制输出电流的半导体器件。有N沟道器件和P沟道器件。有结型场效应三极管JFET(Junction Field Effect Transister)和绝缘栅型场效应三极管IGFET( Insulated Gate Field Effect Transister) 之分。IGFET也称金属-氧化物-半导体三极管MOSFET (Metal Oxide Semiconductor FET)。 1.1 1.1.1 MOS场效应管 MOS场效应管有增强型(Enhancement MOS 或EMOS)和耗尽型(Depletion)MOS或DMOS)两大类,每一类有N沟道和P沟道两种导电类型。场效应管有三个电极: D(Drain) 称为漏极,相当双极型三极管的集电极; G(Gate) 称为栅极,相当于双极型三极管的基极; S(Source) 称为源极,相当于双极型三极管的发射极。 增强型MOS(EMOS)场效应管 根据图3-1,N沟道增强型MOSFET基本上是一种左右对称的拓扑结构,它是在P型半导体上生成一层SiO2 薄膜绝缘层,然后用光刻工艺扩散两个高掺杂的N型区,从N型区引出电极,一个是漏极D,一个是源极S。在源极和漏极之间的绝缘层上镀一层金属铝作为栅极G。P 型半导体称为衬底,用符号B表示。 图3-1 N 沟道增强型EMOS管结构示意 一、工作原理 1.沟道形成原理 当VGS=0 V时,漏源之间相当两个背靠背的二极管,在D、S之间加上电压不会在D、S间形成电流。 当栅极加有电压时,若0<VGS<VGS(th)时,通过栅极和衬底间的电容作用,将靠近栅极下方的P型半导体中的空穴向下方排斥,出现了一薄层负离子的耗尽层。耗尽层中的少子将向表层运动,但数量有限,不足以形成沟道,所以仍然不足以形成漏极电流ID。 进一步增加VGS,当VGS>VGS(th)时( VGS(th) 称为开启电压),由于此时的栅极电压已经比较强,在靠近栅极下方的P型半导体表层中聚集较多的电子,可以形成沟道,将漏极和源极沟通。如果此时加有漏源电压,就可以形成漏极电流ID。在栅极下方形成的导电沟 1 线性电子电路教案 道中的电子,因与P型半导体的载流子空穴极性相反,故称为反型层(inversion layer)。随着VGS的继续增加,ID将不断增加。在VGS=0V时ID=0,只有当VGS>VGS(th)后才会出现漏极电流,这种MOS管称为增强型MOS管。 转移特性曲线的斜率gm的大小反映了栅源电压对漏极电流的控制作用。 gm 的量纲为mA/V,所以gm也称为跨导。 跨导的定义式如下: constDS==VGSDVIgmΔΔ (单位mS) 2. VDS对沟道导电能力的控制 当VGS>VGS(th),且固定为某一值时,来分析漏源电压VDS对漏极电流ID的影响。VDS的不同变化对沟道的影响如图3-2所示。根据此图可以有如下关系 VDS=VDG+VGS= —VGD+VGS

常用二极管参数

常用二极管参数 2008-10-22 11:48 05Z6.2Y 硅稳压二极管 Vz=6~6.35V, Pzm=500mW, 05Z7.5Y 硅稳压二极管 Vz=7.34~7.70V, Pzm=500mW, 05Z13X 硅稳压二极管 Vz=12.4~13.1V, Pzm=500mW, 05Z15Y 硅稳压二极管 Vz=14.4~15.15V, Pzm=500mW, 05Z18Y 硅稳压二极管 Vz=17.55~18.45V, Pzm=500mW, 1N4001 硅整流二极管 50V, 1A,(Ir=5uA, Vf=1V, Ifs=50A) 1N4002 硅整流二极管 100V, 1A, 1N4003 硅整流二极管 200V, 1A, 1N4004 硅整流二极管 400V, 1A, 1N4005 硅整流二极管 600V, 1A, 1N4006 硅整流二极管 800V, 1A, 1N4007 硅整流二极管 1000V, 1A, 1N4148 二极管 75V, 4PF, Ir=25nA, Vf=1V, 1N5391 硅整流二极管 50V, 1.5A,(Ir=10uA, Vf=1.4V, Ifs=50A) 1N5392 硅整流二极管 100V, 1.5A, 1N5393 硅整流二极管 200V, 1.5A, 1N5394 硅整流二极管 300V, 1.5A, 1N5395 硅整流二极管 400V, 1.5A, 1N5396 硅整流二极管 500V, 1.5A, 1N5397 硅整流二极管 600V, 1.5A, 1N5398 硅整流二极管 800V, 1.5A, 1N5399 硅整流二极管 1000V, 1.5A, 1N5400 硅整流二极管 50V, 3A,(Ir=5uA, Vf=1V, Ifs=150A) 1N5401 硅整流二极管 100V, 3A, 1N5402 硅整流二极管 200V, 3A, 1N5403 硅整流二极管 300V, 3A, 1N5404 硅整流二极管 400V, 3A, 1N5405 硅整流二极管 500V, 3A, 1N5406 硅整流二极管 600V, 3A, 1N5407 硅整流二极管 800V, 3A, 1N5408 硅整流二极管 1000V, 3A, 1S1553 硅开关二极管 70V, 100mA, 300mW, 3.5PF, 300ma, 1S1554 硅开关二极管 55V, 100mA, 300mW, 3.5PF, 300ma, 1S1555 硅开关二极管 35V, 100mA, 300mW, 3.5PF, 300ma, 1S2076 硅开关二极管 35V, 150mA, 250mW, 8nS, 3PF, 450ma, Ir≤1uA, Vf≤0.8V,≤1.8PF, 1S2076A 硅开关二极管 70V, 150mA, 250mW, 8nS, 3PF, 450ma, 60V, Ir≤1uA, Vf≤0.8V,≤1.8PF, 1S2471 硅开关二极管80V, Ir≤0.5uA, Vf≤1.2V,≤2PF, 1S2471B 硅开关二极管 90V, 150mA, 250mW, 3nS, 3PF, 450ma, 1S2471V 硅开关二极管 90V, 130mA, 300mW, 4nS, 2PF, 400ma, 1S2472 硅开关二极管50V, Ir≤0.5uA, Vf≤1.2V,≤2PF, 1S2473 硅开关二极管35V, Ir≤0.5uA, Vf≤1.2V,≤3PF,

稳压二极管型号大全

美标稳压二极管型号: 500mW部分: 1N4614 1.8V 1N4615 2V 1N4616 2.2V 1N4617 2.4V 1N4618 2.7V 1N4619 3V 1N4620 3.3V 1N4621 3.6V 1N4622 3.9V 1N4623 4.3V 1N4624 4.7V 1N4625 5.1V 1N4626 5.6V 1N4627 6.2V 1N4099 6.8V 1N4100 7.5V 1N4101 8.2V 1N4102 8.7V 1N4103 9.1V 1N4104 10V 1N4105 11V 1N4106 12V 1N4107 13V 1N4108 14V 1N4109 15V 1N4110 16V 1N4111 17V 1N4112 18V 1N4113 19V 1N4114 20V 1N4115 22V 1N4116 24V 1N4117 25V 1N4118 27V 1N4119 28V 1N4120 30V 1N4121 33V 1N4122 36V

1N4124 43V 1N4125 47V 1N4126 51V 1N4127 56V 1N4128 60V 1N4129 62V 1N4130 68V 1N4131 75V 1N4132 82V 1N4133 87V 1N4134 91V 1N4135 100V 1W稳压部分: 1N4727 3V0 1N4728 3V3 1N4729 3V6 1N4730 3V9 1N4731 4V3 1N4732 4V7 1N4733 5V1 1N4734 5V6 1N4735 6V2 1N4736 6V8 1N4737 7V5 1N4738 8V2 1N4739 9V1 1N4740 10V 1N4741 11V 1N4742 12V 1N4743 13V 1N4744 15V 1N4745 16V 1N4746 18V 1N4747 20V 1N4748 22V 1N4749 24V 1N4750 27V 1N4751 30V 1N4752 33V 1N4753 36V 1N4754 39V 1N4755 43V

常用稳压二极管大全,

常用稳压管型号对照——(朋友发的) 美标稳压二极管型号 1N4727 3V0 1N4728 3V3 1N4729 3V6 1N4730 3V9 1N4731 4V3 1N4732 4V7 1N4733 5V1 1N4734 5V6 1N4735 6V2 1N4736 6V8 1N4737 7V5 1N4738 8V2 1N4739 9V1 1N4740 10V 1N4741 11V 1N4742 12V 1N4743 13V 1N4744 15V 1N4745 16V 1N4746 18V 1N4747 20V 1N4748 22V 1N4749 24V 1N4750 27V 1N4751 30V 1N4752 33V 1N4753 36V 1N4754 39V 1N4755 43V 1N4756 47V 1N4757 51V 需要规格书请到以下地址下载, 经常看到很多板子上有M记的铁壳封装的稳压管,都是以美标的1N系列型号标识的,没有具体的电压值,刚才翻手册查了以下3V至51V的型号与电压的对 照值,希望对大家有用 1N4727 3V0 1N4728 3V3 1N4729 3V6 1N4730 3V9

1N4733 5V1 1N4734 5V6 1N4735 6V2 1N4736 6V8 1N4737 7V5 1N4738 8V2 1N4739 9V1 1N4740 10V 1N4741 11V 1N4742 12V 1N4743 13V 1N4744 15V 1N4745 16V 1N4746 18V 1N4747 20V 1N4748 22V 1N4749 24V 1N4750 27V 1N4751 30V 1N4752 33V 1N4753 36V 1N4754 39V 1N4755 43V 1N4756 47V 1N4757 51V DZ是稳压管的电器编号,是和1N4148和相近的,其实1N4148就是一个0.6V的稳压管,下面是稳压管上的编号对应的稳压值,有些小的稳压管也会在管体 上直接标稳压电压,如5V6就是5.6V的稳压管。 1N4728A 3.3 1N4729A 3.6 1N4730A 3.9 1N4731A 4.3 1N4732A 4.7 1N4733A 5.1 1N4734A 5.6 1N4735A 6.2 1N4736A 6.8 1N4737A 7.5 1N4738A 8.2 1N4739A 9.1 1N4740A 10 1N4741A 11 1N4742A 12 1N4743A 13

场效应管(MOS管)综合知识

场效应管(MOS管) 6.1场效应管英文缩写:FET(Field-effect transistor) 6.2 场效应管分类:结型场效应管和绝缘栅型场效应管 6.3 场效应管电路符号: 结型场效应管 S S N沟道 P沟道 6.4场效应管的三个引脚分别表示为:G(栅极),D(漏极),S(源极) D D D D G G G G 绝缘栅型场效应管 增强型 S 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 注:场效应管属于电压控制型元件,又利用多子导电故称单极型元件,且具有输入电阻高,噪声小,功耗低,无二次击穿现象等优点。 6.5场效应晶体管的优点:具有较高输入电阻高、输入电流低于零,几乎不要向信号源吸取电流,在 在基极注入电流的大小,直接影响集电极电流的大小,利用输出电流控制输出电源的半导体。 6.6场效应管与晶体管的比较 (1)场效应管是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用场效应管;而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用晶体管。 (2)场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管是即有多数载流子,也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。 (3)有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管好。

(4)场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上,因此场效应管 6.7 场效应管好坏与极性判别:将万用表的量程选择在RX1K档,用黑表笔接D极,红表笔接S极,用手同时触及一下G,D极,场效应管应呈瞬时导通状态,即表针摆向阻值较小的位置,再用手触及一下G,S极, 场效应管应无反应,即表针回零位置不动.此时应可判断出场效应管为好管. 将万用表的量程选择在RX1K档,分别测量场效应管三个管脚之间的电阻阻值,若某脚与其他两脚之间的电阻值均为无穷大时,并且再交换表笔后仍为无穷大时,则此脚为G极,其它两脚为S极和D极.然后再用万用表测量S极和D极之间的电阻值一次,交换表笔后再测量一次,其中阻值较小的一次,黑表笔接的是S极,红表笔接的是D极.

常用稳压管型号

原型号国外型号稳压值国内替代型号 1N746 H23 MA4030 RD417E RD217EB 2.5-3.5 2CW51 1N747 1N748 1N749 HZ4 RD3.9E 3.9-4.5 2CW52 1N750 1N751 HZ5 05Z5.1 RD5A RD5.1E 4-5.8 2CW53 1N752 1N753 HZ6 HZ6.2E 05Z5.6E RD6A 5.5-6.5 2CW54 1N754 HZ6.8E 02Z6。8A RD6.8E RD7A 6.2-7.5 2CW55 1N755 1N756 HZ7 HZ7.5E 05Z7.5 RD7.5 7-8.5 2CW56 1N757 HZ9 RD9A 8.5-9.5 2CW57 1N758 HZ10A RD10E 9.2-10.5 2CW58 1N714 1N962 1S335 HZ11 HZ11E RD11E 10-11.8 2CW59 1N963 HZ12E 05Z12 BZX79C12 RD12E 11.5-12.5 2CW60 1N717 1N964 1S270 HZ12B2 MA1130 12.2-14 2CW61 1N718 1N965 1N966 HZ15-1 05Z15 RD15E 13.5-17 2CW62 1N967 HZ18-1 HZ18-2 05Z18 RD18E 16-19 2CW63 1N968 HZ20-1 RD20E 18-21 2CW64 1N969 HZ24E RD24E 20-24 2CW65 1N970 02Z24 23-26 2CW66 1N971 HZ27 25-28 2CW67 1N972 RD31E 27-32 2CW68 1N973 1N974 HZ733 ZX0249E UPC574J 31-35 2CW69 2 CW70

常用二极管型号_大全

常用整流二极管型号大全lzg 极管型号:4148安装方式:贴片功率特性:大功率 二极管型号:SA5.0A/CA-SA170A/CA安装方式:直插 二极管型号:IN4007/IN4001安装方式:直插功率特性:小功率频率特性:低频 二极管型号:70HF80安装方式:螺丝型功率特性:大功率频率特性:高频 二极管型号:MRA4003T3G安装方式:贴片 二极管型号:1SS355安装方式:贴片功率特性:大功率 二极管型号6A10安装方式:直插功率特性:大功率;型号:2DHG型安装方式:直插功率特性:大功率 二极管型号B5G090L安装方式:直插功率特性:小功率频率特性:超高频 型号最高反向峰值电压(v) 平均整流电流(a) 最大峰值浪涌电流(a 最大反向漏电流(Ua) 正向压降(V) 外型 IN4001 50 1.0 30 5.0 1.0 DO--41 IN4002 100 1.0 30 5.0 1.0 DO--41 IN4003 300 110 30 5.0 1.0 DO--41 IN4004 400 1.0 30 5.0 1.0 DO--41 IN4005 600 1.0 30 5.0 1.0 DO--41 IN4006 800 1.0 30 5.0 1.0 DO--41 IN4007 1000 1.0 30 5.0 1.0 DO--41 IN5391 50 1.5 50 5.0 1.5 DO--15 IN5392 100 1.5 50 5.0 1.5 DO--15 IN5393 200 1.5 50 5.0 1.5 DO--15 IN5394 300 1.5 50 5.0 1.5 DO--15 IN5395 400 1.5 50 5.0 1.5 DO--15 IN5396 500 1.5 50 5.0 1.5 DO--15 IN5397 600 1.5 50 5.0 1.5 DO--15 IN5398 800 1.5 50 5.0 1.5 DO--15 IN5399 1000 1.5 50 5.0 1.5 DO--15 RL151 50 1.5 60 5.0 1.5 DO--15 RL152 100 1.5 60 5.0 1.5 DO--15 RL153 200 1.5 60 5.0 1.5 DO--15 RL154 400 1.5 60 5.0 1.5 DO--15 RL155 600 1.5 60 5.0 1.5 DO--15 RL156 800 1.5 60 5.0 1.5 DO--15 RL157 1000 1.5 60 5.0 1.5 DO--15 普通整流二极管参数(二) 型号最高反向峰值电压(v) 平均整流电流(a) 最大峰值浪涌电流(a 最大反向漏电流(Ua) 正向压降(V) 外型 RL201 50 2 70 5 1 DO--15 RL202 100 2 70 5 1 DO--15 RL203 200 2 70 5 1 DO--15 RL204 400 2 70 5 1 DO--15

常用稳压管型号参数对照

常用稳压管型号参数对照 3V到51V 1W稳压管型号对照表1N4727 3V0 1N4728 3V3 1N4729 3V6 1N4730 3V9 1N4731 4V3 1N4732 4V7 1N4733 5V1 1N4734 5V6 1N4735 6V2 1N4736 6V8 1N4737 7V5

1N4739 9V1 1N4740 10V 1N4741 11V 1N4742 12V 1N4743 13V 1N4744 15V 1N4745 16V 1N4746 18V 1N4747 20V 1N4748 22V 1N4749 24V 1N4750 27V 1N4751 30V

1N4753 36V 1N4754 39V 1N4755 43V 1N4756 47V 1N4757 51V 摩托罗拉IN47系列1W稳压管IN4728 3.3v IN4729 3.6v IN4730 3.9v IN4731 4.3 IN4732 4.7 IN4733 5.1

IN4735 6.2 IN4736 6.8 IN4737 7.5 IN4738 8.2 IN4739 9.1 IN4740 10 IN4741 11 IN4742 12 IN4743 13 IN4744 15 IN4745 16 IN4746 18 IN4747 20

IN4749 24 IN4750 27 IN4751 30 IN4752 33 IN4753 34 IN4754 35 IN4755 36 IN4756 47 IN4757 51 摩托罗拉IN52系列 0.5w精密稳压管IN5226 3.3v IN5227 3.6v

场效应管复习知识点

hyj 1.4 场效应管 场效应管(简称FET )是一种电压控制器件(u GS ~i D )。工作时,只有一种载流子参与导电,因此它是单极型器件。 FET 因其制造工艺简单、功耗小、热稳定性好、输入电阻极高、便于集成等优点,得到了广泛应用。 场效应管根据结构不同分为两大类: 结型场效应管(JFET ) 输入阻抗 Ω 9 610~10绝缘栅场效应管(MOSFET ) 输入阻抗Ω 14 12 10~10

hyj 1.4.1 结型场效应管(JFET ) S 源极 D 漏极 G 栅极 G S D +P + P N 1 结构 N 沟道管:电子导电P 沟道管:空穴导电 一、JFET 的结构 (1)N 沟道管 ?在一块N 型半导体两边各扩散一个高浓度的P 型区,形成P +N 结;?两个P 型区的引线连在一起作为一个电极,称为栅极G ;?在N 型区两端引出两个电极分别称为源极S 和漏极D ; ?两个P +N 结之间的N 区是电流流通的通道,称为导电沟道; ?符号中箭头的方向代表了栅源P +N 结正偏时栅极的电流方向。

hyj G S D P +N + N G 栅极 D 漏极 S 源极 (2)P 沟道管 导电沟道为P 型半导体,称为P 型沟道管。 ?在一块P 型半导体两侧分别扩散一个高浓度的N 型区,形成N +P 结;?两个N 型区的引线连在一起作为一个电极,称为栅极G ; ?在P 型区两端引出两个电极分别称为源极S 和漏极D ;?两个P +N 结之间的P 区称为导电沟道; ?符号中箭头的方向代表了栅源P +N 结正偏时栅极的电流方向。

hyj 1PN 结反偏,耗尽层导电沟道 + P + P G S D N GS U 一般: | U GS |导电沟道沟道电阻当U GS =U GS(off)时 沟道夹断 ?当U GS =0时: 为平衡PN 结,导电沟道最宽。 u DS =0时,u GS 与对沟道电阻的控制作用夹断电压: U GS(off) 二、工作原理 ?当U GS < 0时:

常用稳压管型号参数查询

常用稳压型号参数查询 DZ是稳压管的电器编号,1N4148就是一个0.6V的稳压管,下面是稳压管上的编号对应的稳压值, 需要规格书请到以下地址下载, https://www.wendangku.net/doc/df11890693.html,/products/Rectifiers/Diode/Zener/ 经常看到很多板子上有M记的铁壳封装的稳压管,都是以美标的1N系列型号标识的,没有具体的电压值。

美标稳压二极管型号:

HITACHI(日立): LM7906 -6V 1A L7906,KA7906 LM7908 -8V 1A L7908 LM7909 -9V 1A L7909 LM7912 -12V 1A L7912 LM7915 -15V 1A L7915 LM7918 -18V 1A L7918 LM7924 -24V 1A L7924 78L05 5V 100mA 78L06 6V 100mA 78L08 8V 100ma 78L09 9V 100ma

78L15 15V 100ma 78L18 18V 100ma 78L24 24V 100ma 开关稳压器件(电压转换效率高) 型号说明最大输出电流LM1575T-3.3 3.3V简易开关电源稳压器1A LM1575T-5.0 5V简易开关电源稳压器1A LM1575T-12 12V简易开关电源稳压器1A LM1575T-15 15V简易开关电源稳压器1A LM1575T-ADJ 简易开关电源稳压器(可调1.23V~37V) 1A LM1575HVT-3.3 3.3V简易开关电源稳压器1A LM1575HVT-5.0 5V简易开关电源稳压器1A LM1575HVT-12 12V简易开关电源稳压器1A LM1575HVT-15 15V简易开关电源稳压器1A LM1575HVT-ADJ 简易开关电源稳压器(可调1.23V~37V) 1A LM2575T-3.3 3.3V简易开关电源稳压器1A LM2575T-5.0 5V简易开关电源稳压器1A LM2575T-12 12V简易开关电源稳压器1A LM2575T-15 15V简易开关电源稳压器1A LM2575T-ADJ 简易开关电源稳压器(可调1.23V~ 37V) 1A LM2575HVT-3.3 3.3V简易开关电源稳压器1A LM2575HVT-5.0 5V简易开关电源稳压器1A LM2575HVT-12 12V简易开关电源稳压器1A LM2575HVT-15 15V简易开关电源稳压器1A LM2575HVT-ADJ 简易开关电源稳压器(可调1.23V~37V) 1A LM2576T-3.3 3.3V简易开关电源稳压器3A LM2576T-5.0 5.0V简易开关电源稳压器3A LM2576T-12 12V简易开关电源稳压器3A LM2576T-15 15V简易开关电源稳压器3A LM2576T-ADJ 简易开关电源稳压器(可调1.23V~37V) 3A LM2576HVT-3.3 3.3V简易开关电源稳压器3A LM2576HVT-5.0 5.0V简易开关电源稳压器3A LM2576HVT-12 12V简易开关电源稳压器3A LM2576HVT-15 15V简易开关电源稳压器3A LM2576HVT-ADJ 简易开关电源稳压器(可调1.23V~37V) 3A

常用稳压管型号参数大全

常用稳压管型号 2009-12-06 22:56 美标稳压二极管型号 TLV4732运算放大器,可饱和输出。当单电源供电时,可作为0V和5V的稳压器。 其他的如LM358等放大器,输出均不能达到0V或者5V,一般为4V。 1N4727 3V0 1N4728 3V3 1N4729 3V6 1N4730 3V9 1N4731 4V3 1N4732 4V7 1N4733 5V1 1N4734 5V6 1N4735 6V2 1N4736 6V8 1N4737 7V5 1N4738 8V2 1N4739 9V1 1N4740 10V 1N4741 11V 1N4742 12V 1N4743 13V 1N4744 15V

1N4746 18V 1N4747 20V 1N4748 22V 1N4749 24V 1N4750 27V 1N4751 30V 1N4752 33V 1N4753 36V 1N4754 39V 1N4755 43V 1N4756 47V 1N4757 51V 需要规格书请到以下地址下载, https://www.wendangku.net/doc/df11890693.html,/products/Rectifiers/Diode/Zener/ 经常看到很多板子上有M记的铁壳封装的稳压管,都是以美标的1N系列型号标识的,没有具体的电压值,刚才翻手册查了以下3V至51V的型号与电压的对照值,希望对大家有用 1N4727 3V0 1N4728 3V3 1N4729 3V6 1N4730 3V9 1N4731 4V3 1N4732 4V7

1N4734 5V6 1N4735 6V2 1N4736 6V8 1N4737 7V5 1N4738 8V2 1N4739 9V1 1N4740 10V 1N4741 11V 1N4742 12V 1N4743 13V 1N4744 15V 1N4745 16V 1N4746 18V 1N4747 20V 1N4748 22V 1N4749 24V 1N4750 27V 1N4751 30V 1N4752 33V 1N4753 36V 1N4754 39V 1N4755 43V

mos管基础知识

MOS管的基础知识 什么是场效应管呢?场效应管式是利用输入回路的电场效应来控制输出回路 电流的一种半导体器件,并以此命名。由于它是靠半导体中的多数载流子导电,又称单极性晶体管。它区别晶体管,晶体管是利用基极的小电流可以控制大的集电极电流。又称双极性晶体管。 一, MOS管的种类,符号。 1JFET结型场效应管----利用PN结反向电压对耗尽层厚度的控制来改变导电沟道的宽度,从而控制漏极电流的大小。结型场效应管一般是耗尽型的。 耗尽型的特点: a,PN结反向电压,这个怎么理解,就是栅极G,到漏极D和源极s有个PN吉, b,未加栅压的时候,器件已经导通。要施加一定的负压才能使器件关闭。 C,从原理上讲,漏极D和源极S不区分,即漏极也可作源极,源极也可以做 漏极。漏源之间有导通电阻。 2IGFET绝缘栅极场效应管----利用栅源电压的大小来改变半导体表面感生电荷

的多少,从而控制漏极电流的大小。 增强型效应管特点: A, 栅极和源极电压为0时,漏极电流为0的管子是增强型的。 B, 栅源电压,这个之间是个绝缘层,绝缘栅型一般用的是 SIO 2绝缘层。 耗尽 型绝缘栅场效应晶体管 的性能特点是:当栅极电压U 0 =0时有一定的漏 极电流。对于N 沟道耗尽型绝缘栅场效应晶体管,漏极加正电压,栅极电压从 0 逐渐上升时漏极电流逐渐增大,栅极电压从 0逐渐下降时漏极电流逐渐减小直至 截 止。对于P 沟道耗尽型绝缘栅场效应晶体管,漏极加负电压,栅极电压从 0逐 渐下降时漏极电流逐渐增大,栅极电压从 0逐渐上升时漏极电流逐渐减小直至截 绝缘栅型场效应 管: N 沟道增强型,P 沟道增强型,N 沟道耗尽型,P 沟道耗 尽型 MOSFET 増强型 N 沟道 二,用数字万用表测量MO 管的方法 用数字万用表判断MOS 的管脚定义。 1, 判断结型场效应管的 栅极的判断, 我们以N 沟道为例,大家知道,结型场效应管在 VGS 之间不施加反向电压 的 话,DS 之间是导通的,(沟道是以N 型半导体为导电沟道),有一定的 阻值,所以止0 1, 2, 按功率分类: A, 小信号管,一般指的是耗尽型场效应管。主要用于信号电路的控制。 B, 功率管,一般指的是增强型的场效应管,只要在电力开关电路,驱动 电路等。 按结构分类: 结型场效应管: 型) 增强型, 耗尽型 N 沟道结型场效应管 P 沟道结型场效应管(一般是耗尽 ZU 耗尽型 ZK7 工4

常用稳压二极管技术参数及老型号代换.

常用稳压二极管技术参数及老型号代换 型号最大功耗 (mW) 稳定电压(V) 电流(mA) 代换型号国产稳压管日立稳压管 HZ4B2 500 3.8 4.0 5 2CW102 2CW21 4B2 HZ4C1 500 4.0 4.2 5 2CW102 2CW21 4C1 HZ6 500 5.5 5.8 5 2CW103 2CW21A 6B1 HZ6A 500 5.2 5.7 5 2CW103 2CW21A HZ6C3 500 6 6.4 5 2CW104 2CW21B 6C3 HZ7 500 6.9 7.2 5 2CW105 2CW21C HZ7A 500 6.3 6.9 5 2CW105 2CW21C HZ7B 500 6.7 7.3 5 2CW105 2CW21C HZ9A 500 7.7 8.5 5 2CW106 2CW21D HZ9CTA 500 8.9 9.7 5 2CW107 2CW21E HZ11 500 9.5 11.9 5 2CW109 2CW21G HZ12 500 11.6 14.3 5 2CW111 2CW21H HZ12B 500 12.4 13.4 5 2CW111 2CW21H HZ12B2 500 12.6 13.1 5 2CW111 2CW21H 12B2 HZ18Y 500 16.5 18.5 5 2CW113 2CW21J HZ20-1 500 18.86 19.44 2 2CW114 2CW21K HZ27 500 27.2 28.6 2 2CW117 2CW21L 27-3 HZT33-02 400 31 33.5 5 2CW119 2CW21M RD2.0E(B) 500 1.88 2.12 20 2CW100 2CW21P 2B1 RD2.7E 400 2.5 2.93 20 2CW101 2CW21S RD3.9EL1 500 3.7 4 20 2CW102 2CW21 4B2 RD5.6EN1 500 5.2 5.5 20 2CW103 2CW21A 6A1 RD5.6EN3 500 5.6 5.9 20 2CW104 2CW21B 6B2 RD5.6EL2 500 5.5 5.7 20 2CW103 2CW21A 6B1 RD6.2E(B) 500 5.88 6.6 20 2CW104 2CW21B RD7.5E(B) 500 7.0 7.9 20 2CW105 2CW21C RD10EN3 500 9.7 10.0 20 2CW108 2CW21F 11A2 RD11E(B) 500 10.1 11.8 15 2CW109 2CW21G RD12E 500 11.74 12.35 10 2CW110 2CW21H 12A1 RD12F 1000 11.19 11.77 20 2CW109 2CW21G RD13EN1 500 12 12.7 10 2CW110 2CW21H 12A3 RD15EL2 500 13.8 14.6 15 2CW112 2CW21J 12C3 RD24E 400 22 25 10 2CW116 2CW21H 24-1

场效应管知识点

场效应管工作原理 场效应管工作原理 MOS场效应管电源开关电路。 这是该装置的核心,在介绍该部分工作原理之前,先简单解释一下MOS 场效应管的工作原理。 MOS 场效应管也被称为MOS FET,既Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor(金属氧化物半导体场效应管)的缩写。它一般有耗尽型和增强型两种。本文使用的为增强型MOS 场效应管,其内部结构见图5。它可分为NPN型PNP型。NPN型通常称为N沟道型,PNP型也叫P沟道型。由图可看出,对于N沟道的场效应管其源极和漏极接在N型半导体上,同样对于P沟道的场效应管其源极和漏极则接在P型半导体上。我们知道一般三极管是由输入的电流控制输出的电流。但对于场效应管,其输出电流是由输入的电压(或称电场)控制,可以认为输入电流极小或没有输入电流,这使得该器件有很高的输入阻抗,同时这也是我们称之为场效应管的原因。 为解释MOS 场效应管的工作原理,我们先了解一下仅含有一个P—N结的二极管的工作过程。如图6所示,我们知道在二极管加上正向电压(P端接正极,N端接负极)时,二极管导通,其PN结有电流通过。这是因为在P型半导体端为正电压时,N型半导体内的负电子被吸引而涌向加有正电压的P型半导体端,而P型半导体端内的正电子则朝N型半导体端运动,从而形成导通电流。同理,当二极管加上反向电压(P端接负极,N端接正极)时,这时在P型半导体端为负电压,正电子被聚集在P型半导体端,负电子则聚集在N型半导体端,电子不移动,其PN结没有电流通过,二极管截止。 对于场效应管(见图7),在栅极没有电压时,由前面分析可知,在源极与漏极之间不会有电流流过,此时场效应

场效应管的基础知识

场效应管的基础知识 英文名称:MOSFET(简写:MOS) 中文名称:功率场效应晶体管(简称:场效应管) 场效应晶体管简称场效应管,它是由半导体材料构成的。 与普通双极型相比,场效应管具有很多特点。 场效应管是一种单极型半导体(内部只有一种载流子—多子) 分四类: N沟通增强型;P沟通增强型; N沟通耗尽型;P沟通耗尽型。 增强型MOS管的特性曲线 场效应管有四个电极,栅极G、漏极D、源极S和衬底B,通常字内部将衬底B与源极S相连。 这样,场效应管在外型上是一个三端电路元件场效管是一种 压控电流源器件,即流入的漏极电流ID栅源电压UGS控制。 1、转移特性曲线: 应注意: ①转移特性曲线反映控制电压VGS与电流ID之间的关系。 ②当VGS很小时,ID基本为零,管子截止;当VGS大于某一个电压VTN时ID随VGS的变化而变化,VTN称为开启电压,约为2V。 ③无论是在VGS 2、输出特性曲线:输出特性是在给顶VGS的条件下,ID与VDS之间的关系。可分三个区域。 ①夹断区:VGS ②可变电阻区:VGS>VTN且VDS值较小。VGS值越大,则曲线越陡,D、S极之间的等效电阻RDS值就越小。 ③恒流区:VGS>VTN且VDS值较大。这时ID只取于VGS,而与VDS无关。 3、MOS管开关条件和特点:管型状态,N-MOS,P-MOS特点 截止VTN,RDS非常大,相当与开关断开 导通VGS≥VTN,VGS≤VTN,RON很小,相当于开关闭合 4、MOS场效应管的主要参数 ①直流参数 a、开启电压VTN,当VGS>UTN时,增强型NMOS管通道。 b、输入电阻RGS,一般RGS值为109~1012Ω高值 ②极限参数 最大漏极电流IDSM击穿电压V(RB)GS,V(RB)DS 最大允许耗散功率PDSM 5、场效应的电极判别 用R×1K挡,将黑表笔接管子的一个电极,用红表笔分别接另外两个电极,如两次测得的结果阻值都很小,则黑表笔所接的电极就是栅极(G),另外两极为源(S)、漏(D)极,而且是N型沟场效应管。 在测量过程中,如出现阻值相差太大,可改换电极再测量,直到出现两阻值都很大或都小为止。 如果是P沟道场效应管,则将表笔改为红表笔,重复上述方法测量。 6、结型场效应管的性能测量 将万用表拨在R×1K或R×10K挡上,测P型沟道时,将红表笔接源极或漏极,黑表笔接栅极,测出的电阻值应很大,交换表笔测时,阻值应该很小,表明管子是好的。

常用稳压管型号

常用稳压管型号 Prepared on 22 November 2020

常用稳压型号参数查询 DZ是稳压管的电器编号,1N4148就是一个的稳压管,下面是稳压管上的编号对应的稳压值,有些小的稳压管也会在管体上直接标稳压电压,如5V6就是的稳压管。

美标稳压二极管型号:

HITACHI(日立): HITACHI(日立)稳压二极管 型号参数稳压 HZ3A1 ~ HZ3A2 ~ HZ3A3 ~ HZ3B1 ~ HZ3B2 ~ HZ3B3 ~ 线性稳压器件(输入输出电流相等,压降3V以上) 型号稳压(V) 最大输出电流可替代型号 79L05 -5V 100mA 79L06 -6V 100mA 79L08 -8V 100mA LM7805 5V 1A L7805,LM340T5 LM7806 6V 1A L7806 LM7808 8V 1A L7808 LM7809 9V 1A L7809 LM7812 12V 1A L7812,LM340T12 LM7815 15V 1A L7815,LM340T15 LM7818 18V 1A L7815 LM7824 24V 1A L7824 LM7905 -5V 1A L7905 LM7906 -6V 1A L7906,KA7906 LM7908 -8V 1A L7908 LM7909 -9V 1A L7909 LM7912 -12V 1A L7912 LM7915 -15V 1A L7915 LM7918 -18V 1A L7918 LM7924 -24V 1A L7924 78L05 5V 100mA 78L06 6V 100mA 78L08 8V 100ma 78L09 9V 100ma 78L12 12V 100ma 78L15 15V 100ma 78L18 18V 100ma 78L24 24V 100ma 开关稳压器件(电压转换效率高) 型号说明最大输出电流简易开关电源稳压器 1A 5V简易开关电源稳压器 1A LM1575T-12 12V简易开关电源稳压器 1A

场效应管基础知识资料

场效应管基础知识 一、场效应管的分类 按沟道半导体材料的不同,结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。若按导电方式来划分,场效应管又可分成耗尽型与增强型。结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有增强型的。 场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管。而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类。见下图。 二、场效应三极管的型号命名方法 第二种命名方法是CS××#,CS代表场效应管,××以数字代表型号的序号,#用字母代表同一型号中的不同规格。例如CS14A、CS45G等。 三、场效应管的参数 1、I DSS —饱和漏源电流。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,栅极电压U GS=0时的漏

源电流。 2、UP —夹断电压。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,使漏源间刚截止时的栅极电压。 3、UT —开启电压。是指增强型绝缘栅场效管中,使漏源间刚导通时的栅极电压。 4、gM —跨导。是表示栅源电压U GS —对漏极电流I D的控制能力,即漏极电流I D变化量与栅源电压UGS变化量的比值。gM 是衡量场效应管放大能力的重要参数。 5、BUDS —漏源击穿电压。是指栅源电压UGS一定时,场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。这是一项极限参数,加在场效应管上的工作电压必须小于BUDS。 6、PDSM —最大耗散功率。也是一项极限参数,是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。使用时,场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量。 7、IDSM —最大漏源电流。是一项极限参数,是指场效应管正常工作时,漏源间所允许通过的最大电流。场效应管的工作电流不应超过IDSM 几种常用的场效应三极管的主要参数 四、场效应管的作用 2、场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。 3、场效应管可以用作可变电阻。

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