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《电子技术基础》练习题

第一章 整流滤波电路

一、填空题

1、把P型半导体N型半导体结合在一起,就形成。

2、半导体二极管具有单向导电性,外加正偏电压,外加反偏电压。

3、利用二极管的 ,可将交流电变成 。

4、根据二极管的 性,可使用万用表的R×1K挡测出其正负极,一般其正反向的电阻阻值相差越 越好。

5、锗二极管工作在导通区时正向压降大约是 ,死区电压是 。

6、硅二极管的工作电压为 ,锗二极管的工作电压为 。

7、整流二极管的正向电阻越 ,反向电阻越 ,表明二极管的单向导电性能越好。

8、杂质半导体分型半导体和型半导体两大类。

9、半导体二极管的主要参数有、,此外还有、、等参数,选用二极管的时候也应注意。

10、当加到二极管上的反向电压增大到一定数值时,反向电流会突然增大,此现象称为现象。

11、发光二极管是把能转变为能,它工作于状态;光电二极管是把能转变为能,它工作于状态。

12、整流是把转变为。滤波是将转变为。电容滤波器适用于的场合,电感滤波器适用于的场合。

13、设整流电路输入交流电压有效值为U2,则单相半波整流滤波电路的输出直流电压U L(A V)= ,单相桥式整流电容滤波器的输出直流电压U L(A V)= ,单相桥式整流电感滤波器的输出直流电压U L(A V)= 。

14、除了用于作普通整流的二极管以外,请再列举出2种用于其他功能的二极管:,。

15、常用的整流电路有和。

16、为消除整流后直流电中的脉动成分,常将其通过滤波电路,常见的滤波电路有,,复合滤波电路。

17、电容滤波器的输出电压的脉动τ与有关,τ愈大,输出电压脉动愈,输出直流电压也就愈。

18、桥式整流电容滤波电路和半波整流电容滤波电路相比,由于电容充放电过程(延

长,缩短),因此输出电压更为(平滑,多毛刺),输出的直流电压幅度也更(高,低)。

19、滤波电路中,负载电阻RL的阻值越_________、滤波电容C的容量越_________,电容

滤波效果更好

20、单相全波整流电路中,若负载电流为10mA,则流过每个二极管的电流是___________。

二、 选择题

1、具有热敏特性的半导体材料受热后,半导体的导电性能将。

A、变好

B、变差

C、不变

D、无法确定

2、P型半导体是指在本征半导体中掺入微量的。

A、硅元素

B、硼元素

C、磷元素

D、锂元素

3、N型半导体是指在本征半导体中掺入微量的。

A、硅元素

B、硼元素

C、磷元素

D、锂元素

4、PN结加正向电压时,空间电荷区将。

A、变窄

B、基本不变

C、变宽

D、无法确定

5、二极管正向电阻比反向电阻。

A、大

B、小

C、一样大

D、无法确定

6、二极管的导通条件。

A、u D>0

B、u D>死区电压

C、u D>击穿电压

D、以上都不对

7、晶体二极管内阻是。

A、常数

B、不是常数

C、不一定

D、没有电阻

8、电路如图所示,输出电压U O应为。

A、0.7V

B、3.7V

C、10V

D、0.3V

9、把一个二极管直接同一个电动势为1.5V,内阻为零的电池正向连接,该二极管。

A、击穿

B、电流为零

C、电流正常

D、电流过大使管子烧坏

10、下面列出的几条曲线中,哪条表示的理想二极管的伏安特性曲线。

A B C D

11、二极管的反向饱和电流在室温20o C时是5 μA,温度每升高10o C,其反向饱和电流值增大一倍,当温度为30o C时,反向饱和电流值为。

A、5 μA

B、10 μA

C、20 μA

D、30 μA

12、将交流电压Ui经单相半波整流电路转换为直流电压Uo的关系是。

A、Uo=Ui

B、Uo=0.45Ui

C、Uo=0.5Ui

D、Ui

13、三极管三个极的对地电位分别是-6 V、-3 V、-3.2 V,则该管是。

A、PNP硅管

B、NPN锗管

C、NPN硅管

D、PNP锗管

14、NPN型三极管,三个电极的电位分别有V C=3.3 V,V E=3 V,V B=3.7 V,则该管工作在。

A、饱和区

B、截止区

C、放大区

D、击穿区

15、用万用表欧姆挡测量小功率晶体二极管性能好坏时,应把欧姆挡拨到。

A、R×100?或R×1K?

B、R×1?

C、R×10?

D、R×100?

16、当环境温度升高时,二极管的反向电流将。

A、减少

B、增大

C、不变

D、缓慢减少

17、如图所示,设二极管为理想状态,则电压V AB为。

A、3V

B、6V

C、-3V

D、-6V

18、如图所示的电路中,理想二极管D1、D2的工作状态为。

A、D1、D2均导通

B、D1截止,D2导通

C、D1、D2均截止

D、D1导通,D2截止

19、二极管从反向到正向导通所需时间t1,从正向导通到反向截止所需要的时间t2,则t1和t2的关系是

A、相等

B、t1远大于t2

C、t1远小于t2

D、t1略小于t2

20、将交流220V经单相半波整流电路转换为直流电压的值为。

A、110V

B、0.45×220V C220V D、220V

21、问以下哪种情况中,二极管会导通。

A、B、

C、D、

22、用万用表测量小功率二极管极性时,应选用。

A、直流电压挡量程5V

B、直流电流挡量程100mA

C、交流电压挡量程10V

D、电阻挡量程R×100

23、当万用表不同欧姆挡去测量二极管正反向电阻时,获得的结果差异较大,这是因为。

A、该管已坏

B、万用表各挡有差异

C、二极管的电阻可变

D、二极管的伏安特性是非线性

24、二极管在反向截止区的反向电流。

A、随反向电压升高而升高

B、随反向电压升高而急剧升高

C、基本保持不变

D、随反向电压升高而减少

25、某晶体二极管的正、反向电阻都很小或为零时,则该二极管。

A、正常

B、已被击穿

C、内部短路

D、内部开路

26、已知输入正弦波Ui,欲获取图示输出波形Uo,应选取的合适电路是。

A、B、

C、 D

27、两只相同的灯泡L1、L2接在如图所示的电路中,则。

A、L1比L2亮

B、L2比L1亮

C、L1、L2一样亮

D、以上答案都不对

28、若PN结两侧的杂质浓度高,则形成的PN结。

A、反向漏电流小,反向击穿电压低

B、反向漏电流小,反向击穿电压高

C、反向漏电流大,反向击穿电压高

D、反向漏电流大,反向击穿电压低

29、在单相半波整流电路中,所用整流二极管的数量是。

A、四只

B、三只

C、二只

D、一只

30、在 整 流 电 路 中 , 设 整 流 电 流 平 均 值 为I 0, 则 流 过 每 只 二 极 管 的 电 流 平 均 值 I I D 0=

的 电 路 是 。

A 、单 相 桥 式 整 流 电 路

B 、单 相 半 波 整 流 电 路

C 、单 相 全 波 整 流 电 路

D 、以上都不行 31、设 整 流 变 压 器 副 边 电 压u U t 222=

sin ω,欲 使 负 载 上 得 到 图 示 整 流 电 压 的 波 形,

则 需 要 采 用 的 整 流 电 路 是 。 A 、 单 相 桥 式 整 流 电 路

B 、 单 相 全 波 整 流 电 路

C 、 单 相 半 波 整 流 电 路

D 、以上都不行

2U

32、整 流 滤 波 电 路 如 图 所 示, 负 载 电 阻 R L 不 变, 电 容 C 愈 大, 则 输 出 电 压 平 均 值

U O

应 。

A 、不 变

B 、愈 大 C

、愈 小 D 、无法确定

u O -

三、计算题

1、电路如图1.1所示,试

确定二极管是正偏还是反偏。设二极管正偏时的正向压降为0.7V ,

估算U A 、U B 、U C 、U D 、U AB 、U CD 。

2、电 路 如 图 所 示 , 试 分 析 当 u I V =3 时, 哪 些 二 极 管 导 通? u I V =0时, 哪 些 二 极 管

导 通?( 写 出 分 析 过 程 并 设 二 极 管 正 向 压 降 为0.7 V )

D 1

D 2

D 3

4

3、根据图(b)中给出的U A 、U B ,分析图(a)所示电路中二极管的工作状态,求U o 的值,并将

结果添入图(b)中。设二极管正向压降为0.7V 。

4、计算下图所示电路的电位U Y (设D 为理想二极管)。

(1)U A =U B =0时; (2)U A =E ,U B =0时; (3)U A =U B =

E

时。

5、在下图所示电路中,设D 为理想二极管,已知输入电压u i 的波形。试画出输出电压u o

的波形图。

6、如图所示电路中,设E=5V、υi=10sinωt,二极管的正向压降可忽略不计,试画出输出电

压υo的波形,并在波形上标出幅值。

7、写出图T1.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=0.7V。

8、如图所示电路中,υi=10sinωtV,二极管是理想的,试画出输出电压υo的波形。

9、如图所示电路中,设E=5V 、υi=10sinωt ,二极管的正向压降可忽略不计,试画出输出电压υo 的波形,并在波形上标出幅值。

10、(1-1,中)请根据输入信号画

出电路的输出波形。

11、整 流 滤 波 电 路 如 图 所 示,二 极 管 是 理 想 元 件,电 容 C F =500μ,负 载 电 阻R L k =5?,

开 关 S 1闭 合、S 2断 开 时,直 流 电 压 表 ()V 的 读 数 为1414.V ,求: (1) 开 关 S 1 闭 合、S 2断 开时, 直 流 电 流 表 ()A 的 读 数 ; (2) 开 关 S 1 断 开、S 2闭 合 时, 直 流 电 流 表 ()A 的 读 数 ;

(3) 开 关 S 1、S 2均 闭 合 时, 直 流 电 流 表()A 的 读 数。 (设 电 流 表 内 阻 为 零, 电 压 表 内 阻 为

无 穷 大 )。

u 1?

+

12、为了安全,机床上常用36V 直流电压供电的白炽灯作为照明光源,假设变压器输出侧

采用半波整流电路,那么变压器输出侧电压值为多少? 四、实践题

1、如何用万用表的欧姆档来辨别一只二极管的阴、阳两极?(提示:模拟万用表的黑表笔

接表内直流电源的正极,红表笔接负极)

2、有人用万用表测二极管的反向电阻时,为了使表笔和管脚接触良好,用两只手捏紧被测

二极管脚与表笔接触处,测量结果发现二极管的反向阻值比较小,认为二极管的性能不好,但二极管在电路中工作正常,试问这是什么原因?

3、能否用1.5V的干电池,以正向接法直接加至二极管的两端?估计会出现什么问题?你认为应该怎样解决?

4、在用万用表R×10,R×100,R×1000三个欧姆档测量某个二极管的正向电阻时,共测得三个数值:4k?,85?,680?。试判断它们各是哪一档测出的。

5、如果把二极管的阳极接到1.5V电源的正极,把阴极接到电源的负极,将会怎么样?

6、整流滤波电路如图所示。试问:(1)输出电压V L约为多少?标出V L的极性及电解电容器C的极性。(2)如果整流二极管V2虚焊,V L是否为正常情况下的一半?如果变压器中心抽头地方虚焊,此时有输出电压吗?(3)如果把V2的极性接反,是否能正常工作?会出现什么问题?(4)如果V2因过载损坏造成短路,还会出现什么其他问题?(5)如果输出端短路会出现什么问题?

7、在硅稳压管稳压电路中,若限流电阻R=0,能有稳压作用吗?R在电路中起什么作用?

8、利用稳压管的正向电压降,是否也可以稳压?

9、要使稳压性能好,稳压管的稳压值是大一些好,还是小一些好?工作电流大一些好,还

是小一些好?温度系数是大一些好,还是小一些好?

第二章 放大电路

对的画√√,错的画

错的画××)

是非题((对的画

一、是非题

(1) 为使晶体管处于放大工作状态,其发射结应加反向电压,集电结应加正向电压。

()

(2) 无论是哪种晶体三极管,当处于放大状态时,b极电位总是高于e极电位,c极电位也总是高于b极电位。()

(3) 晶体三极管的发射区和集电区是由同一类半导体(N型或P型)构成的,所以e极和c极可以互换使用。()

(4) 晶体三极管的穿透电流I CEO的大小不随温度而变化。()

(5) 晶体三极管的电流放大系数β随温度的变化而变化,温度升高,β减少。()(6) 对于NPN三极管,当V BE>0,V BE>V CE,则该管的工作状态是饱和状态。( )(7)已知某三极管的射极电流I E=1.36mA,集电极电流I C=1.33mA,则基极电流I B=30微安。()

(8)某晶体三极管的射极电流I B=10微安时,I C=0.44mA;当I B=20微安时,I C=0.89mA 则它的电流放大系数β=45。()

(9)放大器的静态工作点一经确定后,不会受外界因素的影响。()

(10)在单管放大电路中若VG不变,只要变化集电极的电阻RC的值就可改变集电极电流IC的值。()

(11)放大器常采用分压式偏置电路,主要的目的是为了提高输入阻抗。()

(12)放大器的放大倍数与信号频率无关,即无论信号是高、中、低任一频段,放大倍数是相同的。()

(13)晶体三管出现饱各失真是由于静态电流I CQ选得过低。()

(14)共发射极放大器的输出信号和输入信号反相。()

(15)晶体管放大器接有负载RL后,电压放大倍数A V将比空载时提高。()

(16)交流放大器工作时,电路中同时存在直流分理和交流分量,直流分量表示静态工作点,交流分量表示信号的变化情况。()

(17)多级放大器的通频带比组成它各级放大器的通频带窄,级数愈少,通频带愈窄。()

(18)共发射极电路也就是射极输出器,它具有很高的输入阻抗和很低的输出阻抗。()(19)射极输出器是共射极电路,其电压放大倍数小于1,输入电阻小,输出电阻大。()

(20)两个放大器单独使用时,电压放大倍数分别为A V1、A V2,则这两个放大器连成两级放大器后总的放大倍数为A V,则A V=A V1+A V2()

(21)画交流放大器的直流通路时,电容要作开路处理,画交流通路时,直流电源和电容器应作短路处理。()

(22)级放大器常采用正反馈来提高电压放大倍数。()

(23)体管放大器常采用分压式电流负反馈偏置电路,它具有稳定静态工作点的作用。()

(24)为了利用输入电阻高的特点,通常射极输出器不用分压式偏置电路。()

二、填空题

1、晶体三极管的三个电极分别称为 、 、 。三极管在放大电路中,PNP管电位最高的一极是 ,NPN管电位最高的一极是 。此时,三极

管发射结为 偏置,集电结为 偏置。晶体三极管放大电路中,当输入信号一

定时,静态工作点设置得太低,将产生失真;静态工作点设置得太高,将产生

失真。_____反馈能减小这类失真。晶体三极管工作在饱和区和截止区时,具有 特性,可应用于脉冲数字电路中。

2、直接耦合放大电路存在着 和 等两个

特殊问题。

3、测得工作在放大电路中的晶体管的两个电极在无交流信号输入时的电流大小及方向

如图1所示,则另一电极的电流大小为 ,该管属于 管(PNP NPN)。

0.1mA

4mA

图1 图2

4、工作在放大区的某三极管,基极电流从20μA增大到40μA,集电极电流从1mA变

为2mA,则该三极管的电流放大倍数为 。

5、当晶体三极管工作在饱和状态时,其特点是集电结处于 偏置,发射结处于

偏置。当工作在放大状态时,其特点是集电结处于 偏置,发射结于 偏

置。当工作在截止状态时,其特点是集电结处于 偏置,发射结于 偏置。

6、在基本放大电路的三种接法中,没有电压放大作用,但有电流放大作用的接法

是 。

7、设晶体三极管的管压降U CE不变,基极电流为20μA时,集电极电流等于2mA,这时

β= ;若基极电流增加到25μA时,集电极电流增加到2.6mA,则β= 。

8、在工程应用中,常通过实测电路板上三极管三个引脚对地的电压来判断三极管的工

作状态,若测得三极管的集电极对地电压接近于电源电压Vcc,则表明三极管处于

状态。

9、测得某正常线性放大电路中,晶体管三个管脚x、y、z对地的静态电压分别为6.7

伏、2.4伏、1.7伏,可判断出分别为三极管的_______极、_________极、________极。

10、放大电路的分析方法主要有 和 两种。

11、晶体三极管中有两个PN结,其中一个PN结叫做;另一个叫做。

12、晶体三极管I E、I B、I C之间的关系式是。I C/I B的比值叫,ΔI C/ΔI B的比

值叫。

13、硅晶体三极管的饱和压降约为V,锗晶体三极管的饱和压降约为V。

14、硅晶体三极管发射结的导通电压(门坎电压)约为V,锗晶体三极管发射结的

导通电压约为V。

15、NPN型晶体三极管的发射区是型半导体,集电区是型半导体,基区是

型半导体。

16、若晶体三极管集电极输出电流I C=9mA,该管的电流放大系数为β=50,则其输入

电流I B=

mA。

17、晶体三极管的穿透电流ICEO随温度的升高而增大,由于锗三极管的穿透电流比硅三极管,所以热稳定性三极管好。

18、一般情况下,晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而。

19、放大器的静态是指时的工作状态,静态工作点可根据电路的参数用方法分析确定,也可用方法分析确定。

20、表征放大器中晶体三极管静态工作点的参数有、和。

21、对于一个晶体管放大器来说,一般希望其输入电阻要些,以减轻信号源的负担,输出电阻要些,以增大带动负载的能力。

22、共发射极电路的输出电压与输入电压有的相位关系,所以该电路有时被称为

23、晶体三极管放大器中,当输入电流一定时,静态工作点设置太低,将产生失真,静态工作点设置太高,将产生失真。

24、某固定偏置放大器中,实测得三极管集电极电位VC=VG,则该放大器的三极管处于

工作状态。

25、多级放大器常用的耦合方式有、、三种形式。

26、阻容耦合放大器的缺点是,通常用作。

27、负反馈对放大器下列方面的影响是:使得放大倍数,放大倍数的稳定性,输出波形的非线性失真,通频带宽度,并且了输入电阻和输出电阻。

28、射极输出器作前级,主要是利用它的大的特点;放在末级是利用它的小的特点;放大中间级是兼用它的大和小的特点起阻抗变换作用。

29、在多级放大器中,前级是后级的,后级是前级的。只有当负载电阻RL和信号源的内阻rs 时负载获得的功率最大,这种现象称为。

30、射极输出器的特性可归纳为:电压放大倍数,电压跟随性好,输入阻抗,而且具有一定的放大能力和功率放大能力。

31、反馈放大器是由放大器和反馈电路两部分组成。反馈电路是跨接在

端和端之间的电路。

32、共射电路来讲,反馈信号引入到输入端晶体管发射极上,与输入信号串联起来,称为反馈;若反馈信号引入到输入端晶体管极上,与输入信号并联起来,称为反馈。

选择题((每小题2分)

二、选择题

1、用直流表测得放大电路中某晶体管电极1、

2、3的电位分别为8V、2.7V、3V,则( )

A、1为C2为E3为B

B、1为C2为B3为E

C、1为E2为C3为B

D、1为B2为C3为E

2、在分压式固定偏置放大电路中,如果射极旁路电容开路,其放大倍数将( )

A、不变

B、变大

C、变小

D、不能确定

图3

3、在分压式固定偏置放大电路中,当温度T升高时,直流负载线上的静态工作点将( )

A、上移

B、下移

C、基本不变

4、给某共发射极组态分压式偏置电路输入一个正弦信号,经示波器观察其输出波形如图3所示,这种现象属于( )

A、饱和失真

B、截止失真

C、正常现象

5、三极管共集电极极组态的放大电路具有以下特点:()

A、输出具有恒流源特性

B、输出具有恒压源特性

C、输入电阻很小

D、电压增益很大

6、三极管各极对公共端电位如图4所示,则处于放大状态的硅三极管是( )

图4

7、工作在放大状态的NPN三极管,其发射结电压U BE和集电结电压U BC应为( )

A.U BE>0,U BC<0B.U BE>0,U BC>0

C.U BE<0,U BC<0D.U BE<0,U BC>0

8、某晶体三极管,测得其发射结反偏,集电结反偏,则该三极管处于( )

A、放大状态

B、截止状态

C、饱和状态

D、无法确定

9、由NPN管组成的单级共射极放大电路,当输入正弦波电压时,输出电压Uo的波形如图5所示,可确定输出波形产生的失真为( )

A、饱和失真

B、截止失真

C、交越失真

D、频率失真

图5

10、 3D G6C晶体管的极限参数为Pcm=100m W,I cm=20mA,V(BR)CEO=20V,在下列几种情况下,能正常工作的是( )

A、Vc e=8V,I c=15mA B、Vc e=20V,I c=6mA

C、Vc e=10V,I c=8mAD、Vc e=3V,I c=25mA

11、有人在检修电视机电路板时,用直流电压表测得放大电路中某晶体管三个电极1、

2、3的电位分别为V1=2V,V2=6V,V3=2.7V,请你代他判断此晶体管三个极的名称。( )

A、1脚为c,2脚为b,3脚为c

B、1脚为b,2脚为e,3脚为c

C、1脚为b,2脚为c,3脚为e

D、1脚为e,2脚为c,3脚为b

12、工作在放大区的某三极管,基极电流从20μA,增大到40μA,集电极电流从1mA 变为2mA,则它的电流放大倍数为( )

A、10

B、50

C、20

D、100

13、某维修人员在修理过程中,需要更换一只三极管,手头有一只3D G6D型的晶体三极管,它的技术参数如下:P cM=100毫瓦,I cM=20毫安,U BR(CEO)=30伏,如果他将此三极管装接在I C=15毫安,U CE=20伏的电路中,则该管( )

A、工作正常

B、被击穿

C、功耗过大造成过热甚至烧坏

D、已知条件不够,无法确定

14、在检修电子线路时,用万用表测得三极管任意二极间的电阻均为无穷小,说明该管( )

A、二个PN结均击穿

B、发射结击穿,集电结正常

C、二个PN结均开路

D、此三极管处于饱和状态

15、已知某晶体三极管的B VCEO=25V,I CM=125mA,P CM=125m w,在下列条件中允许使用的是

( )

A.I C=50mA,U CE=25V B.I C=20mA,U CE=15V

C.I C=10mA,U CE=12V D.I C=30mA,U CE=10V

16、在基本放大电路的三种接法中,没有电压放大作用,但有电流放大作用的是( )

A.共集电极接法 B.共基极接法

C.共发射极接法

17、测得某电路中几个三极管的各极电位如图6所示,试判断( )管处于正常放大状态。

图7

20、晶体三极管工作在饱和状态时,它的I C将( )。

A.随I B增大而增大 B.与I B无关,只决定于R E和V G

C.B.随I B增大而减少

21、用万用表测得NPN型晶体三极管各电极对地的电位是:V B=4.7V,V C=4.3V,V E=4V,则该晶体三极管的工作状态是( )。

A.饱和状态 B.放大状态

C.截止状态

22、NPN型三极管放大器中,若三极管的基极与发射极短路,则( )

A.三极管集电结将正偏 B.三极管处截止状态

C.三极管将深度饱和

23、若晶体三极管的集电结反偏、发射结正偏,则当基极电流减小时,使该三极管( )

A.集电极电流减小 B.集电极与发射极间的电压VCE上升 C.集电极电流要增大

24、在三极管放大电路中,三极管最高电位的一端是( )

A.NPN型管的发射极 B.PNP型管的发射极

C.PNP型管的集电极

25、在单管放大电路中,为了使工作于饱和状态的晶体三极管进入放大状态,可采用的办法是( )

A.减小I B B.提高V G的绝对值

C.减小R C的值

26、NPN型三极管放大电路中,当集电极电流增大时,则晶体三极管( )

A.基极电流不变 B.集电极对发射极电压VCE下降

C.集电极对发射极电压VCE上升

27、某三极管放大器中,每级电压放大倍数为A V,则总的电压放大倍数为( )

A.3A V B.A V3

C.A V3/3

28、三级放大器中,各级的功率增益为:-3d B、20d B、30d B,则总功率增益为( )

A.47d B B.-180d B

C.53d B D.1/2I C Q V G

29、晶体三极管的发射结正遍,集电结反遍时,则晶体三极管所处的状态是

()。

A.放大状态B.截止状态

C.饱和状态

30、晶体三极管的两个PN结都反遍时,则晶体三极管所处的状态是()。

A.放大状态B.饱和状态

C.截止状态

31、当晶体三极管反偏时,则晶体三极管的集电极电流将()。

A.增大B.中断

C.反向

32、晶体三极管工作在饱和状态时,它的I C将()。

A.随I B增大而增大B.与I B无关,只决定于R E和V G

C.B.随I B增大而减少

33、用万用表测得NPN型晶体三极管各电极对地的电位是:V B=4.7V,V C=4.3V,V E=4V,则该晶体三极管的工作状态是()。

A.饱和状态B.

C.截止状态放大状态

34、晶体管放大器设置合适静态工作点,以保证放大信号时,三极管能()

A.发射结为反向偏置B.集电结为正向偏置

C.始终工作在放大区

35、在共发射极单管低频电压放大电路中,输出电压应视为()

A.vo=ic*Rc B.vo=-Rcic

C.vo=-IcRc

36、NPN型三极管放大器中,若三极管的基极与发射极短路,则()

A.三极管集电结将正偏B.三极管处截止状态

C.三极管将深度饱和

37、若晶体三极管的集电结反偏、发射结正偏则当基极电流减小时,使该三极管()

A.集电极电流减小B.集电极与发射极间的电压VCE上升C.集电极电流要增大

38、在三极管放大电路中,三极管最高电位的一端是()

A.NPN型管的发射极B.PNP型管的发射极

C.PNP型管的集电极

39、在单管放大电路中,为了使工作于饱和状态的晶体三极管进入放在状态,可采用的办法是()

A.减小IB B.提高VG的绝对值

C.减小RC的值

40、共发射极放大器的输出电压和输入电压在相位上的关系是()

A.同相位B.相位差为`90度

C.相位差为180度

41、NPN型三极管放大电路中,当集电极电流增大时,则晶体三极管()

A.基极电流不变B.集电极对发射极电压VCE下降

C.集电极对发射极电压VCE上升

42、某三极管放大器中,每级电压放大倍数为A V,则总的电压放大倍数为()

A.3A V B.A V3

C.A V3/3

43、在阻容耦合多级放大器中,在输入信号一定的情况下,要提高级间耦合效率,必须()

A.提高输入信号的频率B.加大电容减小容抗

C.减小电源电压

44、三级放大器中,各级的功率增益为:-3dB、20 dB、30 dB,则总功率增益为()

A.47 dB B.-180 dB

C.53 dB

45、放大器的通频带指的是()

A.频率响应曲线B.下限频率以上的频率范围

C.放大器上限频率和下限频率之间的

频率范围

46、放大器引入负反馈后,它的电压放大倍数和信号失真情况是()

A.放大倍数下降,信号失真减小B.放大倍数下降,信号失真加大

C.放大倍数增大,信号失真程度不变

实验题

四、实验题

1、在晶体三极管放大电路中,测得三极管三个脚的电位如图所示,请判断三极管所用的材料、管型和2脚的名称。

2、在研究三极管各极电流的情况与它们之间关系的实验中,调节集电极偏置电阻Rb可以改变基极电流I B。下表是实验中测得的三极管各极电流数据表。

I B/mA I B1=0.02I B2=0.04I B3=0.06

I c/mA I c1=2I c2=3.9I c3=6

I E/mA I E1=2.02I E2=3.94I E3=6.06

分析实验数据,你可以得出的结论是:

(1)三极管各极电流之间的关系: 。

(2)三极管具有电流放大作用,其直流电流放大倍数为 。其交流电流放大倍数为。

(3)当I B有一微小的变化时,就能引起I c较大的变化,这种现象称为三极管的 放大作用。

3、如图8所示为共射极基本放大电路的实验安排,试回答下列问题:

(1)在测量输出电压Vo并观察波形时,各测试仪器应如何与放大电路相连接?在图上画出。

(2)若R B为10MΩ,V BE=0.7V,β=30,Vcc=12V,则直流电压表测出的静态V CE= 。

(3)调节R B,使放大电路正常工作,若Vs(正弦波电压有效值)为10mV,用交流电压表测交流电压Vo= 。(设C1、C2的容抗和R B的分流作用可忽略。Rbe=2.5K Ω)

(4)在上题(3)条件下,若用一个内阻为5KΩ的交流电压表测Vo,则Vo= 。 (5)若示波器测出Vo的波形如图中示波器荧光屏上所示,该失真现象是截止失真还是饱和失真?R B应增加还是减少才能使波形接近正弦波?

图8

四、计算题

1、电路如图9所示,已知β=20,Rb=24KΩ,R c=0.5KΩ,Vcc=12V,求:

(1)电路的静态工作点I BQ、I CQ、V CEQ、(设V BEQ=0);

(2)输入电阻和输出电阻;

(3)若三极管的极限参数为I CM=30mA,U(BR)CEO=9V,P CM=100m W,试判断晶体管是否会超过上述极限

参数。

2、某三极管放大电路中,基极电流20微安,集电极电流0.8毫安,求:

(1) 发射极电流为多少?

(2) 直流电流放大系数为多少?

(3) 若基极电流从20微安增大到60微安,集电极电流从0.8毫安增大到2.48毫安,则交流电流放大系数为多少?

3、某锗三极管的β=50,I B=10微安,试求I C=?

4、三极管的电流放在系数β=30,当基极电流变化为50微安时,集电极电流的变化量是多少?

5、如图10所示的电路中,已知R c=4千欧,电源电压E=12伏,β=40,将可变电阻R P的阻值调到400千欧,求:

(1)静态工作点I BQ、I CQ、U CEQ的值(设U BE=0);

(2)输入电阻和输出电阻;

(3)电压放大倍数;

(4)在调整静态工作点时,如果把R P调至零,三极管是否会损坏?为什么?如果会损

坏,在电路中可以采取什么措施?

图10

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