呼吸机专用mos管 AP5N10SI 5A 100V SOT-89

General Description: The AP5N10SI is the single N-Channel logic
enhancement mode power field effect transistors to provide excellent RDS(on), low gate charge and low gate resistance. It’s up to 30V operation voltage is well suited in switching mode power supply, SMPS, notebook computer power management and other battery powered circuits.
AP5N10SI
100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Features:
RDS(ON)<125mΩ@VGS=10V (N-Ch) RDS(ON)<135mΩ @VGS=4.5V (N-Ch) Super high density cell design for extremely low RDS(ON) Exceptional on-resistance and maximum DC current
AP5N10SI XX XXXX
Applications:
Switching power supply, SMPS
Battery Powered System
DC/DC Converter DC/AC Converter Load Switch
Package Marking and Ordering Information
Product ID
Pack
AP5N10SI
SOT89-3
Marking AP5N10SI YYWWWW
Qty(PCS) 1000
Table 1.Absolute Maximum Ratings (TA=25℃)
Symbol
Parameter
VDS
Drain-Source Voltage (VGS=0V）
VGS
Gate-Source Voltage (VDS=0V)
Drain Current-Continuous(Tc=25℃) ID
Drain Current-Continuous(Tc=100℃)
IDM (pluse)
Drain Current-Continuous@ Current-Pulsed (Note 1)
PD
Maximum Power Dissipation
TJ,TSTG
Operating Junction and Storage Temperature Range
Notes 1.Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature
Value 100 ±25
5 3.1 20 9.3 -55 To 150
Table 2.Thermal Characteristic
Symbol
Parameter
R JA
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
Typ
Value
-
13.5
Unit V V A A A W ℃
Unit
℃/W
1
AP5N10SI Rev3.8
臺灣永源微電子科技有限公司

AP5N10SI
100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Table 3. Electrical Characteristics (TA=25℃unless otherwise noted)
Symbol
Parameter
Conditions
Min Typ Max Unit
On/Off States
BVDSS Drain-Source Breakdown Voltage
VGS=0V ID=250μA
100
V
IDSS
Zero Gate Voltage Drain Current
VDS=100V,VGS=0V
100
μA
IGSS
Gate-Body Leakage Current
VGS=±20V,VDS=0V
±100 nA
VGS(th) Gate Threshold Voltage RDS(ON) Drain-Source On-State Resistance
VDS=VGS,ID=250μA VGS=10V, ID= 10A VGS=4.5V, ID=-5A
1
1.5
3
V
110 125 mΩ
120 135 mΩ
Dynamic Characteristics
Ciss
Input Capacitance
690
pF
Coss
Output Capacitance
Crss
Reverse Transfer Capacitance
VDS=25V,VGS=0V, f=1.0MHz
120
pF
90
pF
Switching Times
td(on)
Turn-on Delay Time
11
nS
tr
Turn-on Rise Time
td(off)
Turn-Off Delay Time
VDD=15V,ID=1A,RL=15 VGS=10V,RG=2.5
7.4
nS
35
nS
tf
Turn-Off Fall Time
9.1
nS
Qg
Total Gate Charge
VDS=15V,ID=10A VGS=10V
15.5
nC
Qgs
Gate-Source Charge
3.2
nC
Qgd
Gate-Drain Charge
4.7
nC
Source-Drain Diode Characteristics
ISD
Source-Drain Current(Body Diode)
20
A
VSD
Forward on Voltage(Note 1)
VGS=0V,IS=2A
Notes 1. Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature.
0.8
V
2
AP5N10SI Rev3.8
臺灣永源微電子科技有限公司

AP5N10SI
100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Switch Time Test Circuit and Switching Waveforms：
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS (Curves)
Figure1. Output Characteristics
Figure2. Transfer Characteristics
VDS Drain-Source Voltage (V) Figure3. BVDSS vs Junction Temperature
VDS Drain-Source Voltage (V) Figure4. ID vs Junction Temperature
Temperature（℃） AP5N10SI Rev3.8
Temperature（℃ 臺灣永源微電子科技有限公司
3

AP5N10SI
100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Figure5. VGS(th) vs Junction Temperature
Figure6. Rdson Vs Junction Temperature
Temperature（℃）
Figure7. Gate Charge
Figure8. Capacitance vs Vds
VSD
Drain
(V) VDS
VDS Drain-Source Voltage (V) Figure9.
Source Source- Drain Diode Forward
(V)
Temperature（℃）
SourceVoltage
Drain-
Figure10. Safe Operation Area Voltage
AP5N10SI Rev3.8
Tc = 25℃
臺灣永源微電子科技有限公司
4

AP5N10SI
100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Figure11. Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
5
AP5N10SI Rev3.8
臺灣永源微電子科技有限公司

AP5N10SI
100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Reflow Soldering: The choice of heating method may be influenced by plastic QFP package). If infrared or vapor phase heating is used and the package is not absolutely dry (less than 0.1% moisture content by weight), vaporization of the small amount of moisture in them can cause cracking of the plastic body. Preheating is necessary to dry the paste and evaporate the binding agent. Preheating duration: 45 minutes at 45 °C.
Reflow soldering requires solder paste (a suspension of fine solder particles, flux and binding agent) to be applied to the printed-circuit board by screen printing, stenciling or pressure-syringe dispensing before package placement. Several methods exist for reflowing; for example, convection or convection/infrared heating in a conveyor type oven. Throughput times (preheating, soldering and cooling) vary between 100 and 200 seconds depending on heating method.
Typical reflow peak temperatures range from 215 to 270 °C depending on solder paste material. The top-surface
temperature of the packages should preferable be kept below 245 °C for thick/large packages (packages with a thickness 2.5 mm or with a volume 350 mm3 so called thick/large packages). The top-surface temperature of the packages should preferable be kept below 260 °C for thin/small packages (packages with a thickness < 2.5 mm and a volume < 350 mm3 so
called thin/small packages).
Stage
Condition
Duration
1’st Ram Up Rate
max3.0+/-2 /sec
-
Preheat
150 ~200
60~180 sec
2’nd Ram Up
max3.0+/-2 /sec
-
Solder Joint
217 above
60~150 sec
Peak Temp
260 +0/-5
20~40 sec
Ram Down rate
6 /sec max
-
Wave Soldering: Conventional single wave soldering is not recommended for surface mount devices (SMDs) or printed-circuit boards with a high component density, as solder bridging and non-wetting can present major problems.
Manual Soldering: Fix the component by first soldering two diagonally-opposite end leads. Use a low voltage (24 V or less) soldering iron applied to the flat part of the lead. Contact time must be limited to 10 seconds at up to 300 °C. When using a dedicated tool, all other leads can be soldered in one operation within 2 to 5 seconds between 270 and 320 °C.
SOT-89-3L Package Information
AP5N10SI Rev3.8
臺灣永源微電子科技有限公司
6

Package Mechanical Data
AP5N10SI
100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Notes
1. All dimensions are in millimeters. 2. Tolerance ±0.10mm (4 mil) unless otherwise specified 3. Package body sizes exclude mold flash and gate burrs. Mold flash at the non-lead sides should be less than 5 mils. 4. Dimension L is measured in gauge plane. 5. Controlling dimension is millimeter, converted inch dimensions are not necessarily exact.
AP5N10SI Rev3.8
臺灣永源微電子科技有限公司
7

AP5N10SI
100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Attention
1,Any and all APM Microelectronics products described or contained herein do not have specifications that can handle applications that require extremely high levels of reliability, such as life support systems, aircraft's control systems, or other applications whose failure can be reasonably expected to result in serious physical and/or material damage. Consult with your APM Microelectronics representative nearest you before using any APM Microelectronics products described or contained herein in such applications.
2,APM Microelectronics assumes no responsibility for equipment failures that result from using products at values that exceed, even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition ranges, or other parameters) listed in products specifications of any and all APM Microelectronics products described or contained herein.
3, Specifications of any and all APM Microelectronics products described or contained here instipulate the performance, characteristics, and functions of the described products in the independent state, and are not guarantees of the performance, characteristics, and functions of the described products as mounted in the customer’s products or equipment. To verify symptoms and states that cannot be evaluated in an independent device, the customer should always evaluate and test devices mounted in the customer’s products or equipment.
4, APM Microelectronics Semiconductor CO., LTD. strives to supply high quality high reliability products. However, any and all semiconductor products fail with some probability. It is possible that these probabilistic failures could give rise to accidents or events that could endanger human lives that could give rise to smoke or fire, or that could cause damage to other property. When designing equipment, adopt safety measures so that these kinds of accidents or events cannot occur. Such measures include but are not limited to protective circuits and error prevention circuits for safe design, redundant design,and structural design.
5,In the event that any or all APM Microelectronics products(including technical data, services) described or contained herein are controlled under any of applicable local export control laws and regulations, such products must not be exported without obtaining the export license from the authorities concerned in accordance with the above law.
6, No part of this publication may be reproduced or transmitted in any form or by any means,electronic or mechanical, including photocopying and recording, or any information storage or retrieval system, or otherwise, without the prior written permission of APM Microelectronics Semiconductor CO., LTD.
7, Information (including circuit diagrams and circuit parameters) herein is for example only; it is not guaranteed for volume production. APM Microelectronics believes information herein is accurate and reliable, but no guarantees are made or implied regarding its use or any infringements of intellectual property rights or other rights of third parties.
8, Any and all information described or contained herein are subject to change without notice due to product/technology improvement,etc. When designing equipment, refer to the "Delivery Specification" for the APM Microelectronics product that you Intend to use.
9, this catalog provides information as of Sep.2014. Specifications and information herein are subject to change witho
8
AP5N10SI Rev3.8
臺灣永源微電子科技有限公司

场效应管和mos管的区别

功率场效应晶体管MOSFET 1.概述 MOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体），FET（Field Effect Transistor场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管。 功率场效应晶体管也分为结型和绝缘栅型,但通常主要指绝缘栅型中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET）,简称功率MOSFET（Power MOSFET）。结型功率场效应晶体管一般称作静电感应晶体管（Static Induction Transistor——SIT）。其特点是用栅极电压来控制漏极电流，驱动电路简单，需要的驱动功率小，开关速度快，工作频率高，热稳定性优于GTR，但其电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置。 2.功率MOSFET的结构和工作原理 功率MOSFET的种类：按导电沟道可分为P沟道和N沟道。按栅极电压幅值可分为；耗尽型；当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道，增强型；对于N（P）沟道器件，栅极电压大于（小于）零时才存在导电沟道，功率MOSFET主要是N沟道增强型。 2.1功率MOSFET的结构 功率MOSFET的内部结构和电气符号如图1所示；其导通时只有一种极性的载流子（多子）参与导电，是单极型晶体管。导电机理与小功率MOS管相同，但结构上有较大区别，小功率MOS管是横向导电器件，功率MOSFET大都采用垂直导电结构，又称为VMOSFET （Vertical MOSFET），大大提高了MOSFET器件的耐压和耐电流能力。 按垂直导电结构的差异，又分为利用V型槽实现垂直导电的VVMOSFET和具有垂直导电双扩散MOS结构的VDMOSFET（Vertical Double-diffused MOSFET），本文主要以VDMOS 器件为例进行讨论。 功率MOSFET为多元集成结构，如国际整流器公司（International Rectifier）的HEXFET 采用了六边形单元；西门子公司（Siemens）的SIPMOSFET采用了正方形单元；摩托罗拉公司（Motorola）的TMOS采用了矩形单元按“品”字形排列。 2.2功率MOSFET的工作原理 截止：漏源极间加正电源，栅源极间电压为零。P基区与N漂移区之间形成的PN结J1 反偏，漏源极之间无电流流过。 导电：在栅源极间加正电压UGS，栅极是绝缘的，所以不会有栅极电流流过。但栅极的正电压会将其下面P区中的空穴推开，而将P区中的少子—电子吸引到栅极下面的P区表面 当UGS大于UT（开启电压或阈值电压）时，栅极下P区表面的电子浓度将超过空穴浓度，使P型半导体反型成N型而成为反型层，该反型层形成N沟道而使PN结J1消失，漏极和源极导电。 2.3功率MOSFET的基本特性

呼吸机使用脱机拔管的观察要点

使用时呼吸机观察要点 1病情观察：意识状况、心率、呼吸、血压、氧饱和度变化，有无喘息、憋气，有无出现呕吐，误吸，自主呼吸与呼吸机是否同步。 2 ?机参数观察：观察呼吸机各管路衔接是否牢固，呼吸模式有无变更，潮气量、呼吸频率、 气道压力动态变化等。出现潮气量降低、呼吸频率增快、气道压力增高>20cmH2O时，可能提示气道内分泌物增多，有痰液潴留发生，须立即进行吸痰。吸痰前后要给予100%纯氧吸入2min，以缓解低氧血症。 3 ?人工气道湿化与排痰：及时开启呼吸机湿化罐开关，观察湿化用水量，及时加入无菌蒸馏水，调整湿化罐合适温度，及时彻底清除呼吸道分泌物，防止痰堵。 4?人工气道的保护：气管插管或气管套管固定牢固，调整好呼吸机管道。操作时避免触及呼吸机管道，避免拖拉造成人工气道脱出、移位或扭曲，以免发生严重后果。为病人翻身时 先脱开呼吸机，调整好管道的正确位置再接机，接机后须观察呼吸机运转是否正常。 5 ?电源突然中断处理：立即脱开呼吸机，给予吸氧，不能脱机者立即应用简易人工呼吸器， 同时迅速排除故障或通知相关人员进行检查。 脱机观察要点 观察患者的心率，血压，呼吸，血氧饱和度的变化，观察有无鼻翼扇动及紫绀的表现，撤机后30分种检查血气分析?若心率较基础快20-30次/分，收缩压升高大于20毫米汞柱或舒张压升高大于10毫米汞柱，呼吸次数小于10次/分或大于30次/分，血氧饱和度低于90%时,应考虑重新接呼吸机辅助呼吸。 拔管观察要点 1严密观察生命体征：注意有无鼻翼扇动，呼吸增快、费力，三凹征、发绀、烦躁不安等缺氧现象，拔管后30min复查动脉血气； 2拔管后有无声音嘶哑、喉头水肿等。

三极管MOS管原理(很详细)

双极型晶体管
双极型晶体管又称三极管。电路表示符号： Ｂ Ｊ Ｔ 。根据功率的不同具有不同的外形结构。
（ａ ）小功率管 （ｂ ）小功率管 （ｃ ）中功率管 （ｄ ）大功率管
1
双极型晶体管的几种常见外形

一. 基本结构
由两个掺杂浓度不同且背靠背排列的PN结组成， 根据排列方式的不同可分为NPN型和PNP型两种,每个 PN结所对应区域分别称为发射区、基区和集电区。
C NPN型 B
基极
集电极
集电极
C P N P E
2
N P N E 发射极
PNP型
B
基极 发射极

C B IB E
IC B IE IB
C
IC
E
IE
NPN型三极管
PNP型三极管
制成晶体管的材料可以为Si或Ge。
3

集电区： 面积较大
C N P N E
集电极
基区：较薄， 掺杂浓度低
基极
B
发射区：掺 杂浓度较高
4
发射极

C N P N E
集电极
集电结
Ｂ Ｊ Ｔ 是非线性元 件，其工作特性与其 工作模式有关： 当Ｅ Ｂ 结加正偏，Ｃ Ｂ 结 加反偏时， Ｂ Ｊ Ｔ 处于放 大模式；
基极
B
发射结 发射极
当Ｅ Ｂ 结和Ｃ Ｂ 结均加正偏时， Ｂ Ｊ Ｔ 处于饱和模式； 当Ｅ Ｂ 结加零偏或反偏、Ｃ Ｂ 结加反偏时， Ｂ Ｊ Ｔ 处于截止 模式。 Ｂ Ｊ Ｔ 主要用途是对变化的电流、电压信号进行放大， 饱和模式和截止模式主要用于数字电路中。
5

气管插管意外拔管应急处置预案

气管插管意外拔管应急预案 1、当病人意外拔出呼吸机管路时，严密观察病情及生命体征，通知值班医生，当病人需再次插管时，护士应立即电话通知麻醉科医生，并告知病人的年龄、体重。 2 、备好简易呼吸器及加压吸氧的面罩、吸引器、吸痰管。备好呼吸机，并设定好呼吸机参数。 3、根据心电监测及血气指标，除颤仪备床旁备用。 4、根据医嘱给病人肌松剂、镇静剂。 5、医生给病人加压吸氧时，为防止病人胃肠胀气，要轻轻按压病人胃部，但进食后的病人应先插胃管抽吸胃液，排空胃内容物及气体，防止病人呕吐或误吸。 6、麻醉医生插管时，注意监测病人的生命体征，以便及时发现异常，及时处理抢救病人。 7、插管后，确定插管位置，固定好气管插管，连接呼吸机，复查动脉血气。详细记录抢救经过。 气管切开使用呼吸机患者意外脱管应急预案及程序 1、立即用血管钳撑开气管切口处，同时通知医师，根据患者情况进行处理。 2、当患者气管切开时间超过一周窦道形成时，更换套管重新置入，连接呼吸机，氧流量调节至100%，然后根据病情再调整。 3、如切开时间在一周以内，立即进行气管插管，连接呼吸机，通知麻醉医师进行重新置管。 4、其他医护人员应迅速准备好抢救药品和物品，如患者出现心跳骤停时立即给予心脏按压。 5、查动脉血气，根据结果调整呼吸机参数。 6、严密观察生命体征及神志，瞳孔，血氧饱和度的变化及时通知医生进行处理。 7、病情稳定后，专人护理，应补记抢救记录。 8、患者意外脱管，重在预防，护理人员应注意： （1）对于颈部短粗的患者，应使用加长型气管套管，并牢固固定。（2）对于烦躁不安的患者，给予必要的肢体约束，或根据医嘱给予镇静药物。 （3）为患者实施各种治疗（如翻身，拍背，吸痰等）时应专人固定

三极管与MOS管区别

1.场效应管和三极管输入电阻的差异？ 答：1.场效应管是单极、三极管是双极区别. 2.解决问题方面: 场效应管是电压控制电流源,控制电压和电流属于不同的支路,因而电压的求解一般不难,进而根据漏极电流表达式来求出电流值,然后进行模型分析,求出跨导和输出电阻. 而三极管要先建立模型,然后进行电路分析,求解过程特别是计算很复杂,容易出错; 总体而言,我觉得场效应管的分析要比三极管简单一些. 3.三极管和场效应管的比较可以归纳以下几点: 一、在三极管中,空穴和自由电子都参与导电,称为双极型器件,用BJT表示;而场效应管只有多子导电,称为单极型器件,用FET表示.由于多子浓度不受外界温度、光照、辐射的影响,在环境变化剧烈的条件下,选用FET比较合适. 这也就是我们通常所说的场效应管比较稳定的原因. 二、在放大状态工作时,三极管发射结正偏,有基极电流,为电流控制器件,相应的输入电阻较小,约103Ω;FET在放大状态工作时无栅极电流,为电压控制器件,输入电阻很大,JFET的输入电阻大于107Ω,MOS管的输入电阻大于109Ω. 三、场效应管的源极和漏极在结构上对称,可以互换使用(但应注意,有时厂家已将MOS管的源极与衬底在管内已经短接,使用时就不能互换).对耗尽型MOS 管的VGS可正、可负、可为零,使用时比较灵活.三极管的集电极和发射

极一般不能互换使用. 四、在低电压小电流状态下工作时,FET可作为压控可变线性电阻器和导通电阻很小的无触点电子开关. 五、MOS管工艺简单,功耗小,适合于大规模集成.三极管的增益高,非线性失真小,性能稳定.在分立元件电路和中、小规模集成电路中,三极管仍占优势. 六、三极管的转移特性(ic-vbe的关系)按指数规律变化,场效应管的转移特性按平方规律变化,因此场效应管的非线性失真比三极管的非线性失真大.七、场效应管的三种基本组态电路(共源、共漏和共栅)可以对照三极管的共发、共集和共基电路,由于场效应管的栅极无电流,所以输入电阻R'i≈∞.跨导gm 比三极管的小一个数量级,gm我们可以用转移特性求导得到 4.三极管可以说是电流控制电流源的器件,而电流是通过输入电阻的大小来体现的;但场效应管是电压控制电流源的器件 5.记住四种mos管的特性曲线的方法:只需记住n沟道的emos管的曲线,它的Vgs是大于0的,且曲线呈递增趋势．而p沟道的emos的Vgs是小于0的,且呈现递减趋势．dmos的Vgs既有大于0的部分,又有小于0的部分,按照n沟道递增,p沟道递减的曲线特征就可以将dmos的特性曲线记住了 6.1)场效应管是电压控制元件,而三级管是电流控制元件; 2)场效应管是利用多数载流子导电,所以称为单极性器件,而三级管既有多子,

三极管和MOS管做开关用时的区别

三极管和MOS管做开关用时的区别 ?我们在做电路设计中三极管和MOS管做开关用时候有什么区别工作性质： 1.三极管用电流控制，MOS管属于电压控制. 2、成本问题：三极管便宜，MOS管贵。 3、功耗问题：三极管损耗大。 4、驱动能力：MOS管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。 实际上就是三极管比较便宜，用起来方便，常用在数字电路开关控制。 MOS管用于高频高速电路，大电流场合，以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方。 一般来说低成本场合，普通应用的先考虑用三极管，不行的话考虑MOS管 实际上说电流控制慢，电压控制快这种理解是不对的。要真正理解得了解双极晶体管和MOS晶体管的工作方式才能明白。三极管是靠载流子的运动来工作的，以npn管射极跟随器为例，当基极加不加电压时，基区和发射区组成的pn结为阻止多子（基区为空穴，发射区为电子）的扩散运动，在此pn结处会感应出由发射区指向基区的静电场（即内建电场），当基极外加正电压的指向为基区指向发射区，当基极外加电压产生的电场大于内建电场时，基区的载流子（电子）才有可能从基区流向发射区，此电压的最小值即pn结的正向导通电压（工程上一般认为0.7v）。但此时每个pn结的两侧都会有电荷存在，此时如果集电极-发射极加正电压，在电场作用下，发射区的电子往基区运动（实际上都是电子的反方向运动），由于基区宽度很小，电子很容易越过基区到达集电区，并与此处的PN的空穴复合（靠近集电极），为维持平衡，在正电场的作用下集电区的电子加速外集电极运动，而空穴则为pn结处运动，此过程类似一个雪崩过程。集电极的电子通过电源回到发射极，这就是晶体管的工作原理。三极管工作时，两个pn结都会感应出电荷，当做开关管处于导通状态时，三极管处于饱和状态，如果这时三极管截至，pn结感应的电荷要恢复到平衡状态，这个过程需要时间。而MOS三极管工作方式不同，没有这个恢复时间，因此可以用作高速开关管。 ?（1）场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。 （2）场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。

呼吸机操作流程图(图文并茂版)

呼吸机的操作 一、启动呼吸机 按以下步骤启动呼吸机： 1.按下开始/确认按钮。呼吸机将处于待机状态，并显示参数。 开始确认按钮 2.检查参数，确保按照医生的医嘱设定。若参数未正确设定，此时可以调整。 加减按钮 3.当参数显示时，按下输气按钮来启动呼吸机。 通气按钮

运行后，检查以下项目： ●呼吸机的灯将亮起并且声响警报将响起。确认所有的视觉警报指示器均 亮起，并可听到警报声响。如果不是这样，则呼吸机需要修理。在故障 未排除前不要使用呼吸机。 ●当输气按钮被按下时，读出在显示器上闪亮的压力触发和高度设定值。 确认这些设定值与预先规定的数值相一致。 说明为了用户的安全，当呼吸机第一次接上交流电源或者由低压待机状态被开启时，呼吸机将从呼气管路放出第一次呼吸气体。设备的微处理器需要一个循环来建立参考点；就是指运行模式和使用的设置。此过程可防止呼吸机输送错误流量的气体而导致过多的压力集结。

二、停止呼吸机 断开病人与呼吸机的连接。持续按下待机按钮至少3秒。 三、设置的显示 Achieva 呼吸机在不输气时，将显示所有参数的设定。在输气模式下，呼吸机显示10秒参数设定值，然后显示运行数值。在设定被改变后，或者按下开始/确定按钮后，设定值也会出现10秒。设定值和运行数值从不同时显示。某些参数（如低压和高压警报设置）是没有运行数值的，显示器将以破折号（―――）代替。 四、调整参数 按以下步骤设定呼吸机的参数： 1. 按下开始/确认按钮。显示当前设置。 2. 按按钮以选中需改变的参数。则显示器上该参数开始闪亮。 3. 所有上下箭头按钮来调整该参数值。 4. 当显示为所要的值时，按下开始/ 确认按钮来完成操作。 待机按钮（长按3秒） 参数闪烁变暗，加减按钮可以改变数值；重复模式按钮可以更换模式

呼吸机的撤离及困难 脱 机 的 对 策

呼吸机的撤离及困难脱机的对策广州市第一人民医院中心ICU 陈裕胜 一、呼吸机的撤离 机械通气的撤离是指行机械通气患者在原发病得到控制，通气与换气功能得到改善后，逐渐地撤除机械通气对呼吸的支持，使患者恢复完全自主呼吸的过程(简称撤机)。 机械通气的撤离过程是一个重要的临床问题。当导致呼衰的病因好转后，应尽快开始撤机。延迟撤机将增加医疗费用和机械通气并发症的发生，过早撤机又可导致撤机失败，增加再插管率和病死率。 1 、积极地为撤机创造条件 一旦病人上机，除了有效纠正引起呼吸衰竭的直接原因外，还应从保持呼吸中枢驱动力，改善外周呼吸肌肌力和耐力，降低呼吸前、后负荷等多个环节创造条件，积极地为撤机创造条件。 （1）有效地纠正引起呼吸衰竭的直接原因：是撤离机械通气的首要条件。只有在这一条件具备后，才可以考虑撤机问题。 （2）促进、改善患者呼吸泵的功能。 a、保持患者呼吸中枢适宜的神经驱动力。撤机前应使患者有良好的睡眠，尽量避免使用镇静剂；纠正代谢性碱中毒，以免反射性地引起肺泡通气量下降；纠正感染中毒、电解质紊乱等原因所致脑病。 b、纠正引起呼吸肌肌力下降或呼吸肌疲劳的因素。 b.1 长期机械通气患者常存在营养不良，使呼吸肌能量供应不足，肌力下降并会导致呼吸肌萎缩,使呼吸肌难于适应撤机时的负荷增加。在机械通气中积极、适量地补充营养，将对保持呼吸肌功能有极大帮助。

b.2 长期机械通气的患者亦常合并呼吸肌的废用性萎缩。在病情允许并注意避免呼吸肌疲劳的前提下,及早改用部分通气支持,加一部分呼吸负荷于患者呼吸肌,有助于防止呼吸肌的废用性萎缩。 b.3 低钾、低镁、低磷、低钙血症会影响呼吸肌的收缩功能,需积极纠正。 b.4 维持良好的循环功能和氧输送能力是撤机的重要前提条件。一般认为撤机前患者的血压、心率、心输出量宜基本在正常范围并保持稳定,无心律失常,外周灌注良好,血红蛋白含量不宜低于100g/L。 b.5 低氧、高碳酸血症、酸中毒将使呼吸肌肌力下降,需根据患者的背景疾病情况将其维持在一个可以耐受的范围内。 （3 ）减小呼吸负荷和呼吸功耗。 a、减小呼吸阻力 a.1 减小患者气道阻力。 a.2 减小人工气道及呼吸机气路阻力：小口径气管插管会明显增加气流阻力，需尽可能采用大口径导管；呼吸机管道过细或过长及某类型的湿化器对气道阻力有较大影响，需尽量调换；呼吸机参数中吸气流速设置过低将增加吸气做功；有条件采用流量触发型或有2功能的呼吸机,有助于减少患者呼吸功耗。 a.3 减小内源性呼气末正压（PEEPi）。PEEPi的存在会引起吸气功耗增加。减小PEEPi主要方法是加用一个小于PEEPi水平的PEEP，可以起到降低吸气做功和延缓呼吸肌疲劳的作用。另一种减小PEEPi的方法为改善通气后使呼吸频率降低，呼气时间延长而起到降低PEEPi的作用。 b、减少呼吸前负荷 b.1 发热、感染中毒、代谢性酸中毒会明显增加氧耗和二氧化碳产生量,使通气量增加，呼吸负荷加大，撤机前应努力纠正。

三极管和MOS管的区别

工作性质：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制. 2、成本问题：三极管便宜，mos管贵。 3、功耗问题：三极管损耗大。 4、驱动能力：mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。 实际上就是三极管比较便宜，用起来方便，常用在数字电路开关控制。 MOS管用于高频高速电路，大电流场合，以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方。 一般来说低成本场合，普通应用的先考虑用三极管，不行的话考虑MOS管 实际上说电流控制慢，电压控制快这种理解是不对的。要真正理解得了解双极晶体管和mos 晶体管的工作方式才能明白。三极管是靠载流子的运动来工作的，以npn管射极跟随器为例，当基极加不加电压时，基区和发射区组成的pn结为阻止多子（基区为空穴，发射区为电子）的扩散运动，在此pn结处会感应出由发射区指向基区的静电场（即内建电场），当基极外加正电压的指向为基区指向发射区，当基极外加电压产生的电场大于内建电场时，基区的载流子（电子）才有可能从基区流向发射区，此电压的最小值即pn结的正向导通电压（工程上一般认为0.7v）。但此时每个pn结的两侧都会有电荷存在，此时如果集电极-发射极加正电压，在电场作用下，发射区的电子往基区运动（实际上都是电子的反方向运动），由于基区宽度很小，电子很容易越过基区到达集电区，并与此处的PN的空穴复合（靠近集电极），为维持平衡，在正电场的作用下集电区的电子加速外集电极运动，而空穴则为pn结处运动，此过程类似一个雪崩过程。集电极的电子通过电源回到发射极，这就是晶体管的工作原理。三极管工作时，两个pn结都会感应出电荷，当做开关管处于导通状态时，三极管处于饱和状态，如果这时三极管截至，pn结感应的电荷要恢复到平衡状态，这个过程需要时间。而mos三极管工作方式不同，没有这个恢复时间，因此可以用作高速开关管。 （1）场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。 （2）场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。 （3）有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。 （4）场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。 （5）场效应晶体管具有较高输入阻抗和低噪声等优点，因而也被广泛应用于各种电子设备中。尤其用场效管做整个电子设备的输入级，可以获得一般晶体管很难达到的性能。

《呼吸机使用应急预案》

《呼吸机使用应急预案》 应急预案 值班护士应熟知本病房、本班使用呼吸机患者的病情，严密观察生命体征。 患者使用呼吸机过程中，随时观察呼吸机的动态变化，并保持管道通畅，氧气充足，出现异常及时处理。如遇意外突然停电、呼吸机内部故障、氧气压力不足、气管切开套管或气管插管脱出等紧急情况时，护理人员应及时采取补救措施，以保证患者使用呼吸机安全有效。 带有蓄电池的呼吸机，平时应定期充电，使蓄电池始终处于饱和状态，以保证在应急情况能够正常运行。护士要观察氧量是否充足，患者生命体征有无变化。 呼吸机不能正常工作时，护士应立即停止应用呼吸机，迅速将简易呼吸器与患者呼吸道相连，用人工呼吸的方法调整患者呼吸，如果患者自主呼吸良好，应给鼻导管吸氧，立即通知值班医生，同时通知有关部门，尽快恢复通电，调配呼吸机。 当气管切开套管意外脱管时，立即用管钳撑开气管切口，同时通知医师，根据患者情况进行处理。①当患者切开时间超过1周时，窦道形成，更新套管重新置入，连接呼吸机，氧气量调至100％，然后根据病情再调整；②如切开时间在1周以内，立即行气管插管，连接呼吸机，通知专业医师进行重新置管。 准备好抢救药品、物品，如患者出现心跳骤停时，立即给予心脏按压。

严密观察生命体征及神志、瞳孔、血氧饱和度的情况，及时报告医生进行处理。 配合医生查动脉血气分析，遵医嘱根据患者情况调整呼吸机参数，重新将呼吸机与患者呼吸道连接。病情稳定后，应补记抢救记录。 讨论 对可预测的情况重在预防，护理人员应从以下几方面注意。①严格交接班，并登记、签名。②熟悉病人情况、病因、诊断、生命体征、神志、瞳孔、面色、血氧饱和度、主要的辅助检查、治疗情况等。③病房所有物品有序放置，抢救物品固定位置，标签明显，整齐清洁，以备急用，呼吸机实行全院统一调配，并经常检查，定期保养维修，做到随用随到。④护士在为患者进行各种治疗时，如翻身、吸痰、整理床铺等，应有专人固定套管，以防气管切开套管或气管插管脱出，对烦躁不安的患者，给予必要的肢体约束，或根据医嘱给予镇静药，以防拔管。⑤加强气道的温化、湿化，吸痰要彻底、有效，防止痰痂形成，阻塞管道。⑥对护士进行培训，掌握呼吸机特点及性能、使用注意事项、常见故障分析和排除以及保养等内容，保证呼吸机的安全使用。总之，要消除一切隐患，掌握急救知识和急救技术，提高应急和应变能力，对各种有可能发生的事件做到尽早预防和有效救护〔2〕。 使用呼吸机过程中突遇断电的应急预案 【应急预案】 （一）值班护士应熟知本病房、本班次使用呼吸机患者的病情。 （二）住院患者使用呼吸机过程中，如果突然遇到意外停电、跳

MOS管与三极管做开关用法比较

Kevin pen 1/1 MOS 管（MOSFET ）的压降 是指MOSFET 饱和导通的时候，VDS=I*RDS(on)的电压。VDS 表示场效应管的漏极和源极的电压，G 表示栅极，I 表示流过DS 的电流，RDS(on)表示导通电阻，一般为几百毫欧。 MOSFET 的管压降，一般指的是静态压降。只要知道导通阻抗和通过的电流的话用上面的公式就可以计算出来压降是多少了。 三极管管压降 三极管的管压降Uce 就是指集电极与发射极的电压。一般情况下，CE 极电压在0.3或者0.3V 以下时，三极管进入饱和区的工作状态，集电极电流不随着基集电流增加而增加了，也叫饱和电压。 正常三极管管压降为0.1-0.7V 。 由于管压降Uce 与集电极电流ic 具有非线性的函数关系，Uce 的大小随着Ice 的增大，在一定的范围内增大。 通过Ic 与Uce （饱和压降）的曲线图，就可以清晰的知道Uce 的大小了。 对比应用 通过初步计算，在流过相同的电流（小于100MA ）的情况下，场效应管的管压降要比三极管的管压降略低。一般小于0.1V 。随着电流增大，三极管管压降最大达到0.7V 左右。 下图为三极管的管压降示例图，一般在DATASHEET 中都有给出。 对于场效应管（MOSFET ），VDS 取决于电流和导通电阻RDS(on)。导通电阻一般变化不大，但是与VGS 有关，VGS 大导通程度也大，导通电阻就小。 如果RDS(on)=250M Ω，流过电流为100MA ，管压降VDS=0.025V 。图一为0.05V ，图二为0.03V 。 因此，可以看出，在实际开关应用中，如果要使被控的电压的压降尽量小，MOSFET 比三极管有略微的优势。

有创呼吸机操作流程

有创呼吸机操作流程 Prepared on 22 November 2020

有创呼吸机操作流程 1.按循环系统护理常规 2.了解操作目的： （1）保证肺通气功能排出二氧化碳，纠正缺氧 （2）改善肺通气换气功能，提高动脉血氧分压 （3）减轻呼吸作功，减少消耗 3.操作前准备 （1）评估病人的病情、年龄、体位、意识状态、呼吸状况，皮肤黏膜颜色（2）患者置平卧位，连接呼吸机后，如无禁忌症摇高床头30°~45° 4.用物准备 （1）有创呼吸机、呼吸机消毒管道、呼吸球囊、管道氧、灭菌注射用水、输液器、减压透明贴、听诊器、牙垫、气管固定器（粘性胶布） （2）评估鼻腔，必要时备胃肠减压 5.操作程序 （1）操作前评估病人的病情、年龄、体位、意识状态、呼吸状况，皮肤黏膜颜色 （2）将功能正常的呼吸机推至床旁 （3）连接呼吸机电源及气体管道装置——打开主机电源——连接测试管道——主机自检— —连接呼吸机螺纹管——湿化罐内加湿化滤纸及灭菌注射用水并打开

（4）根据医嘱、病情调节好呼吸机的通气方式及各参数，调解各预置参数(潮气量、呼吸 频率、吸呼比、氧浓度、每分通气量、呼气末正压、呼气压力等，确定报警限和气道 安全阀，调节湿化器温度或加热档位) ①潮气量：成人400～600ml，约8～10ml/kg，小儿10～12ml/kg ②呼吸频率：成人12～16次/分，小儿20～25次/分 ③吸呼比：1：～2 ④氧浓度：常规40%（可根据病情设定） ⑤每分钟通气量：潮气量×呼吸频率 （5）用模拟肺与呼吸机连接进行试通气，观察呼吸机运转情况，有无漏气，观察设置的参 数和显示的参数是否一致，在试运行过程中如果出现报警，则一定要根据报警内容作 相应处理 （6）确认运转正常后，接病人，妥善固定管道，以防脱落，并锁住呼吸机底部滑轮，防止 机器移动 （7）清理床单位，整理用物，洗手，记录 （8）人工通气30min后做血气分析检查，根据结果调整限定的通气参数 5.护理要点 （1）观察病人两侧胸壁运动是否对称，听双肺呼吸音是否一致，检查通气效果

呼吸机操作流程

呼吸机操作流程表（Drager Savina）

呼吸机操作时情景设置说明 1、患者情况介绍 患者，王华，男性，52岁，诊断为：重度颅脑损伤，体重约50kg，目前为浅昏迷状态，双侧瞳孔等大等圆，对光反应迟钝，直径约3mm,经口气管插管，气管插管型号为7.5号，插管深度为25cm,已经试行脱机3小时，但患者目前突然心率为126次/分，呼吸微弱，血氧饱和度85%，需要继续行呼吸机辅助通气。 2、现场设置 因此次比赛现场不能提供气源，故参数设置中吸入氧浓度为21%，呼吸机可能会出现吸入氧浓度低报警，为正常现象。 3、参数设置 选择呼吸机模式为同步间歇指令通气（SIMV） 4、报警设置 呼吸频率（Ftot）30次/分，甚至更高。 2010-8-25

Ⅰ. 目的：此SOP的目的是描述呼吸机的使用和一般维护 Ⅱ. 范围：适用于呼吸机的操作 Ⅲ. 规程： 1、开机步骤 1.1 连接好主机上的病人呼吸管道，三叉端接上模拟肺，确认MR370湿化罐已加入指定的医用纯净水； 1.2 连接交流电，确认面板“～”绿色指示灯亮； 1.3 连接氧气，确认氧气压力已调节在0.3~0.4 Mpa范围内； 1.4 打开主机背面带有标志的主机电源，确认前面板“?”指示灯亮，同时主机自动进行开机自检； 1.5 自检完毕后，屛幕上显示相应的自检完毕图案； 1.6 按RESUME CURRENT, 再按PATIENT ACCEPT，机器按上次呼吸机的设定，屛幕进入正常状态； 1.7 打开MR410加温器面板右侧的电源开关。 2、关机顺序 2.1 关掉MR410加温器电源开关； 2.2 断开氧气连接； 2.3 关掉主机电源； 2.4 按压面板上的“?”静音键。 3、日常保养维护 3.1 病人呼吸管道中的白色细菌过滤器不能浸泡消毒，其余与病人呼吸有接触的部分可以浸泡消毒； 3.2 主机背面散热风扇的过滤网需定期查看，如有积尘需取出来清洗 (不能搓洗)；

三极管MOS管复习题

习题3 客观检测题 一、填空题 2. 三极管的发射区 杂质 浓度很高，而基区很薄。 5. 处于放大状态的晶体管，集电极电流是 少数载流 子漂移运动形成的。 6. 工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12μA 增大到22μA 时，I C 从1mA 变为2mA ，那么它的β约为 100 。 8. 双极型三极管是指它部的 参与导电载流子 有两种。 9. 三极管工作在放大区时，它的发射结保持 正向 偏置，集电结保持 反向 偏置。 11. 为了使高阻信号源与低电阻负载能很好的配合，可以在信号源与低电阻负载间接入 共 集电极 组态的放大电路。 12. 题图3.0.1所示的图解，画出了某单管共射放大电路中晶体管的输出特性和直流、交流负载线。由此可以得出： （1）电源电压CC V = 6V ； （2）静态集电极电流CQ I = 1mA ；集电极电压CEQ U = 3V ； （3）集电极电阻C R = 3k Ω ；负载电阻L R = 3k Ω ； （4）晶体管的电流放大系数β= 50 ，进一步计算可得电压放大倍数v A = －50 ；（'bb r 取200Ω）； （5）放大电路最大不失真输出正弦电压有效值约为 1.06V ； （6）要使放大电路不失真，基极正弦电流的振幅度应小于 20μA 。 13. 稳定静态工作点的常用方法有 射极偏置电路 和 集电极－基极偏置电路 。 14. 有两个放大倍数相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路A 和B ，对同一个具有阻的信号源电压进行放大。在负载开路的条件下，测得A 放大器的输出电压小，这说明A 的输入电阻 小 。 15. 三极管的交流等效输入电阻随 静态工作点 变化。 16. 共集电极放大电路的输入电阻很 大 ，输出电阻很 小 。 17. 放大电路必须加上合适的直流 偏置 才能正常工作。 题图3.0.1

分享一个比较经典的MOS管驱动电路

问题提出： 现在的MOS驱动，有几个特别的需求， 1，低压应用 当使用5V电源，这时候如果使用传统的图腾柱结构，由于三极管的be有左右的压降，导致实际最终加在gate上的电压只有。这时候，我们选用标称gate电压的MOS管就存在一定的风险。 同样的问题也发生在使用3V或者其他低压电源的场合。 2，宽电压应用 输入电压并不是一个固定值，它会随着时间或者其他因素而变动。这个变动导致PWM电路提供给MOS管的驱动电压是不稳定的。 为了让MOS管在高gate电压下安全，很多MOS管内置了稳压管强行限制gate电压的幅值。在这种情况下，当提供的驱动电压超过稳压管的电压，就会引起较大的静态功耗。 同时，如果简单的用电阻分压的原理降低gate电压，就会出现输入电压比较高的时候，MOS管工作良好，而输入电压降低的时候gate电压不足，引起导通不够彻底，从而增加功耗。 3，双电压应用

在一些控制电路中，逻辑部分使用典型的5V或者数字电压，而功率部分使用12V 甚至更高的电压。两个电压采用共地方式连接。 这就提出一个要求，需要使用一个电路，让低压侧能够有效的控制高压侧的MOS 管，同时高压侧的MOS管也同样会面对1和2中提到的问题。 在这三种情况下，图腾柱结构无法满足输出要求，而很多现成的MOS驱动IC，似乎也没有包含gate电压限制的结构。 于是我设计了一个相对通用的电路来满足这三种需求。 电路图如下： ? 图1 用于NMOS的驱动电路 图2 用于PMOS的驱动电路 这里我只针对NMOS驱动电路做一个简单分析： Vl和Vh分别是低端和高端的电源，两个电压可以是相同的，但是Vl不应该超过Vh。 Q1和Q2组成了一个反置的图腾柱，用来实现隔离，同时确保两只驱动管Q3和Q4不会同时导通。

三极管和MOS管的区别是什么

三极管和MOS管的区别是什么 三极管和MOS管的区别是什么? 工作性质： 1.三极管用电流控制，MOS管属于电压控制。 2、成本问题：三极管便宜，MOS管贵。 3、功耗问题：三极管损耗大。 4、驱动能力：MOS管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。 实际上就是三极管比较便宜，用起来方便，常用在数字电路开关控制。 MOS管用于高频高速电路，大电流场合，以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方。 一般来说低成本场合，普通应用的先考虑用三极管，不行的话考虑MOS管 实际上说电流控制慢，电压控制快这种理解是不对的。要真正理解得了解双极晶体管和MOS晶体管的工作方式才能明白。三极管是靠载流子的运动来工作的，以 npn管射极跟随器为例，当基极加不加电压时，基区和发射区组成的pn结为阻止多子(基区为空穴，发射区为电子)的扩散运动，在此pn结处会感应出由发射区指向基区的静电场(即内建电场)，当基极外加正电压的指向为基区指向发射区，当基极外加电压产生的电场大于内建电场时，基区的载流子(电子)才有可能从基区流向发射区，此电压的最小值即pn结的正向导通电压(工程上一般认为0.7v)。但此时每个pn结的两侧都会有电荷存在，此时如果集电极-发射极加正电压，在电场作用下，发射区的电子往基区运动(实际上都是电子的反方向运动)，由于基区宽度很小，电子很容易越过基区到达集电区，并与此处的PN的空穴复合(靠近集电极)，为维持平衡，在正电场的作用下集电区的电子加速外集电极运动，而空穴则为pn结处运动，此过程类似一个雪崩过程。集电极的电子通过电源回到发射极，这就是晶体管的工作原理。三极管工作时，两个pn结都会感应出电荷，当做开关管处于导通状态时，三极管处于饱和状态，如果这时三极管截至，pn结感应的电荷要恢复到平衡状态，这个过程需要时间。而MOS三极管工作方式不同，没有这个恢复时间，因此可以用作高速开关管。 (1)场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管;而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。 (2)场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。

呼吸机使用应急预案

呼吸机治疗是抢救严重呼吸衰竭的重要措施，但同时呼吸机也是临应用中最容易出现问题的医疗设备之一〔1〕。 应急预案值班护士应熟知本病房、本班使用呼吸机患者的病情，严密观察生命体征。患者使用呼吸机过程中，随时观察呼吸机的动态变化，并保持管道通畅，氧气充足，出现异常及时处理。如遇意外突然停电、呼吸机内部故障、氧气压力不足、气管切开套管或气管插管脱出等紧急情况时，护理人员应及时采取补救措施，以保证患者使用呼吸机安全有效。带有蓄电池的呼吸机，平时应定期充电，使蓄电池始终处于饱和状态，以保证在应急情况能够正常运行。护士要观察氧量是否充足，患者生命体征有无变化。呼吸机不能正常工作时，护士应立即停止应用呼吸机，迅速将简易呼吸器与患者呼吸道相连，用人工呼吸的方法调整患者呼吸，如果患者自主呼吸良好，应给鼻导管吸氧，立即通知值班医生，同时通知有关部门，尽快恢复通电，调配呼吸机。当气管切开套管意外脱管时，立即用管钳撑开气管切口，同时通知医师，根据患者情况进行处理。①当患者切开时间超过1周时，窦道形成，更新套管重新置入，连接呼吸机，氧气量调至100％，然后根据病情再调整；②如切开时间在1周以内，立即行气管插管，连接呼吸机，通知专业医师进行重新置管。准备好抢救药品、物品，如患者出现心跳骤停时，立即给予心脏按压。严密观察生命体征及神志、瞳孔、血氧饱和度的情况，及时报告医生进行处理。配合医生查动脉血气分析，遵医嘱根据患者情况调整呼吸机参数，重新将呼吸机与患者呼吸道连接。病情稳定后，应补记抢救记录。讨论对可预测的情况重在预防，护理人员应从以下几方面注意：①严格交接班，并登记、签名。②熟悉病人情况、病因、诊断、生命体征、神志、瞳孔、面色、血氧饱和度、主要的辅助检查、治疗情况等。③病房所有物品有序放置，抢救物品固定位置，标签明显，整齐清洁，以备急用，呼吸机实行全院统一调配，并经常检查，定期保养维修，做到随用随到。④护士在为患者进行各种治疗时，如翻身、吸痰、整理床铺等，应有专人固定套管，以防气管切开套管或气管插管脱出，对烦躁不安的患者，给予必要的肢体约束，或根据医嘱给予镇静药，以防拔管。⑤加强气道的温化、湿化，吸痰要彻底、有效，防止痰痂形成，阻塞管道。⑥对护士进行培训，掌握呼吸机特点及性能、使用注意事项、常见故障分析和排除以及保养等内容，保证呼吸机的安全使用。总之，要消除一切隐患，掌握急救知识和急救技术，提高应急和应变能力，对各种有可能发生的事件做到尽早预防和有效救护〔2〕。 使用呼吸机过程中突遇断电的应急预案 【应急预案】(一)值班护士应熟知本病房、本班次使用呼吸机患者的病情。(二)住院患者使用呼吸机过程中，如果突然遇到意外停电、跳闸等紧急情况时，医护人员应采取补救措施，以保护患者的安全。(三)部分呼吸机本身带有蓄电池，在平时应定期充电，使蓄电池始终处于饱和状态，以保证在出现突发情况时能够正常运行。护理人员应定期观察呼吸机蓄电池充电情况、呼吸机能否正常工作以及患者生命体征变化。(四)呼吸机不能正常工作时，护士应立即停止应用呼吸机，迅速将简易呼吸器与患者呼吸道相连，用人工呼吸的方法调整患者呼吸；如果患者自主呼吸良好，应给予鼻导管吸氧，严密观察患者的呼吸、面色、意识等情况。(五)突然断电时，护士应携带简易呼吸器到患者前，同时通知值班医生，观察患者面色、呼吸、意识及呼吸机工作情况。(六)立即与有关部门联系：总务科、医院办公室、医务处、护理部、医院总值班等，尽快恢复通电。(七)停电期间，本病区医生、护士不得离开患者，以便随时处理紧急情况。(八)遵医嘱调整呼吸机参数。来电后，重新将呼吸机与患者呼吸道连接。(十)护理人员将停电经过及患者生命体征准确记录于护

晶体三极管放大电路和MOS管工作原理

晶体三极管可以组成三种基本放大电路，如图5-38所示。的三种放大电路外图（a)是共发射极电路，信号从基极发射极输人，从集电极发射极输出，发射极是公共端。这是最常用的放大电路，图（b)是共基极电路，信号从发射极基极输入，从集电极基极输出，基极是公共端。图（c）是共集电极电路，信号从基极集电极输人，从发射极集电极输出，集电极是公共端。必须指出，电源对交流信号来说可以看成短路，三种电路的比较见表5-23.

详细讲解MOSFET管驱动电路 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不是优秀的，作为正式的产品设计也是不允许的。 下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结，其中参考了一些资料，非全部原创。包括MOS管的介绍，特性，驱动以及应用电路。 1，MOS管种类和结构 MOSFET管是FET的一种（另一种是JFET），可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。 至于为什么不使用耗尽型的MOS管，不建议刨根问底。 对于这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS。原因是导通电

阻小，且容易制造。所以开关电源和马达驱动的应用中，一般都用NMOS。下面的介绍中，也多以NMOS为主。 MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在，这不是我们需要的，而是由于制造工艺限制产生的。寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一些，但没有办法避免，后边再详细介绍。 在MOS管原理图上可以看到，漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管，在驱动感性负载（如马达），这个二极管很重要。顺便说一句，体二极管只在单个的MOS管中存在，在集成电路芯片内部通常是没有的。 2，MOS管导通特性 导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。 NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。 PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC 时的情况（高端驱动）。但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。 3，MOS开关管损失 不管是NMOS还是PMOS，导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右，几毫欧的也有。 MOS在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。MOS两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，MOS管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多，而且开关频率越快，损失也越大。

气管插管脱管演练应急预案

ICU气管插管脱出的应急预案及处理流程 一、总则 为提高重症医学科对气管插管意外脱出的快速响应及处置能力，加强医护之间协调配合，最大限度地降低意外脱管对患者造成的危害，保障医疗安全，组织2016年气管插管脱出应急处置演练。 二、目的 1、检查应对气管插管意外脱出所需的应急设备设施的准备情况，以便发现不足及时调整补充，做好应急准备工作。 2、通过演练提高医护人员对气管插管意外脱出事件的认识，增强其对气管插管意外脱出事件的应急处置能力。 3、进一步明确相关科室和人员的职责任务，完善应急机制。 三、应急演练 【背景设置】 ICU-1床患者李茯苓气管插管后，听诊双肺可闻及呼吸音，插管深度22cm，予牙垫固定插管，胶带妥善固定。使用约束带约束双手，以防止自行拔管。患者躁动明显，拟给予镇静处理，护士正在配液中…… 【演练步骤】 患者意外拔出部分气管插管，护士A发现立即制止患者，并通知医生窦微微：“1床意外拔管，马上处理。” 医生甲查看患者气管插管深度，评估已完全脱出，立即评估患者一般情况，查患者自主呼吸强，指氧饱和度良好：“给予高流量吸氧，吸痰”并立即上报亢凤兵主任，亢凤兵主任查看病人后指示：“继续密切观察患者病情变化，注意监测指氧饱和度、呼吸情况，指氧饱和度低于90%给予无创呼吸机，作好记录、上报”。 医生甲查看患者气管插管完全脱出，呼吸急促血氧饱和度明显下降、烦躁不安者立即仰头抬颏开放气道，予以简易呼吸器人工通气，护士B按皮球，医生甲固定面罩，同时嘱护士A通知乙主任：“1床意外拔管，呼吸急促，指氧饱和度明显下降，需要重新插管”。乙主任：“准备镇静剂、肌松剂、利多卡因、喉镜、7号半气管插管，准备重新插管。”乙主任立即予重新气管插管接呼吸机，密切观察患者病情变化详细记录并上报。 【演练简图】