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模拟电子技术期中试卷

模拟电子技术期中试卷
模拟电子技术期中试卷

天津市第一轻工业学校2003年上学期

01级《模拟电子技术》期中试卷

班级_______姓名______学号____成绩_____

一、填空

1、本征硅中若掺入5价元素的原子,则多数载流子应是,掺杂越多,则其数量一定越,相反,少数载流子应是掺杂越多,其数量一定越。室温下,若多数载流子的浓度达到1015/cm3,则少数载流子的浓度为。

2、PN节空间电荷区又称为,在平衡条件下,电性呈,因为区中所带的电量相等。P区侧应带,N区侧带。空间电荷区内的电场为,其方向从指向。

3、场效应管的导电机理为,而晶体三极管为。比较两者受温度的影响优于。

4、场效应管属于式器件,其G、S间的阻抗要晶体三极管B、E间的阻抗,后者则应属于式器件。

5、晶体三极管3种工作区域是、、,与此不同,场效应管常把工作区域分为、、。

6、场效应管3个电极G、D、S类同晶体三极管的电极,而N沟道、P沟道场效应管则分别类同于、两种类型的晶体三极管。

7、掺杂半导体中影响多数和少数载流子数量的主要的因素是,温度变化时受影响更大的是载流子。

8、半导体二极管按制造工艺分为、、三种。通常流过的电流最大,流过的电流最小。而对工作频率而言,最高,最低。

9、在放大电路中,若测的某管的三个电极的电位分别为-2.5v,-3.2v,-9v,则分别代表管子的三个电极是,,。

10、一个单端输出的差动放大电路,要提高共模抑制比的方法为。二、判断

1、交流放大电路中,耦合电容C1、C2和发射极旁路电容总是可看作对交流短路。

()

2、晶体管放大电路中,耦合电容C1、C2取得较大,而场效应管放大电路中取得较

小,是由于晶体管是电流控制元件,而场效应管是电压控制元件。()

3、直流负载线是静态下,负载开路时工作点移动的轨迹。()

4、交流负载线是动态下,接负载工作点移动的轨迹。()

5、单管放大电器的电压放大倍数A u= -βR c/r be,所以R c越大,电压放大倍数就越

大。()

6、单管放大电路中,当电源电压U cc和集电极电阻R c决定后,若基极电流I B太大

会引起饱和失真,I B太小会引起截止失真。()

7、放大器的微变等效电路可以用来计算静态工作点。()

8、各种类型的单管放大电路中,集电极电阻R c都不能为零。()

9、射极输出器是一种共射级放大电路。()

10、各种类型的场效应管组成的放大电路,均可采用分压式偏置电路。()

11、甲类功率放大器的最大缺点是会引起交越失真。()

三、选择

1、在半导体材料中,其正确的说法是()

A、P型半导体中由于多数载流子为空穴,所以它带正电。

B、P型半导体中由于多数载流子为自由电子,所以它带负电。

C、N型半导体中由于多数载流子为空穴,所以它带正电。

D、N型半导体中由于多数载流子为自由电子,所以它带负电。

E、P型和N型半导体材料本身都不带电。

2、在放大电路中,若测得某管的三个电极的电位分别为1v,1.2v,6v则分别代表

管子的三个电极是()

A、e c b

B、e b c

C、b c e

D、c b e

3、一个NPN管在电路中正常工作,若测得U BE>0,U BC>0,U CE>0,则此管工作

区为()

A、饱和区

B、截止区

C、放大区

4、一个NPN管在电路中正常工作,若测得U BE>0,U BC<0,U CE>0,则此管工作

区为()

A、饱和区

B、截止区

C、放大区

5、一个NPN

区为()

A、饱和区

B、截止区

C、放大区

6、如图所示,D Z1

定电压为7v

U i输入下,输出U o

A、5v

B、7v

C、12v

D、0v

7、如图所示,D Z1

定电压为7v

U i输入下,输出U o

A、5v

B、7v

C、12v

D、0v

四、简答

1

I2,I3。

可直接使用高职高考数学模拟试题(1).doc

一、选择题(本大题共15小题,每题只有一个正确答案,请将其序号填在答题卡 上,每小题5分,满分75分) 1、已知全集U =R ,M={x|x 21+≤,x ∈R},N ={1,2,3,4},则C U M ∩N= ( ) A. {4} B. {3,4} C. {2,3,4} D. {1,2,3,4} 2、“G =ab ±”是“a,G,b 成等比数列”的 ( ) A. 充分不必要条件 B. 必要不充分条件 C. 充要条件 D. 既不充分也不必要条件 3、函数y=)32(log 3-x 的定义域为区间 ( ) A. ),23(+∞ B. ),23 [+∞ C. ),2(+∞ D. ),2[+∞ 4、函数y=sin3xcos3x 是 ( ) A. 周期为3π的奇函数 B. 周期为3π 的偶函数 C. 周期为32π的奇函数 D. 周期为32π 的偶函数 5、已知平面向量与的夹角为90°,且=(k,1),=(2,6),则k 的值为 ( ) A. -31 B. 3 1 C. -3 D. 3 6、在等差数列{a n }中,若S 9=45,则a 5= ( ) A. 4 B. 5 C. 8 D. 10 7、已知抛物线y=mx 2的准线方程为y=-1,则m = ( ) A. -4 B. 4 C. 41 D. -4 1 8、在△ABC 中,内角A 、B 所对的边分别是a 、b ,且bcosA=acosB ,则△ABC 是( ) A. 等腰三角形 B. 直角三角形 C. 等边三角形 D. 等腰直角三角形 9、过原点的直线与圆x 2+y 2+4x+3=0相切,若切点在第二象限,则该直线的方程是 ( ) A. y=x 3 B. y=-x 3 C. y=x 33 D. y=-x 3 3 10.下列命题中正确的是( ) A .平行于同一平面的两直线平行 B.垂直于同一直线的两直线平行 C.与同一平面所成的角相等的两直线平行D.垂直于同一平面的两直线平行 11、已知tan α=5,则sin α·cos α= ( )

(完整版)高考理科综合模拟试卷(一)

高考理科综合模拟试卷(一) 第1卷 (选择题共22题每题6分共132分) 在下列各题的四个选项中,只有一个选项是符合题目要求的。 以下数据可供解题时参考:相对原子质量:H 1 O 16 Cu 63.5 1.内质网膜与核膜、细胞膜相连,这种结构特点表明内质网的重要功能之一是( )。 A、扩展细胞内膜,有利于酶的附着B.提供细胞内物质运输的通道 C.提供核糖体附着的支架D.参与细胞内某些代谢反应 2.北美爱斯基摩人的饮食以肉食为主,他们的排泄物中含量偏高的物质是( )。 A.H2O B.CO2 C.尿素D.无机盐 3.一对同源染色体在减数分裂时发生了交叉互换,产生了基因重组。则这时能产生( )基因重组的染色体。 A、1个B.2个C.3个D.4个 4.如果科学家通过基因工程成功地改造了一位女性血友病患者的造血细胞,并使其凝血功能恢复正常。那么,她后来所生的儿子中( )。 A、全部正常B.一半正常C.全部有病D.不能确定 5.生活在不同纬度地区的动物,其动物个体大小是不一样的。下表是生活在不同纬度地区企鹅的体长据此,能得出的结论是( )。 A、生物具有遗传性、变异性和适应性B.生物具有适应性和应激性 C、生物既能适应环境,又能影响环境D;生物具有遗传性、变异性和应激性 6.下图是观察SO2对植物的影响的实验装置,观察植物在SO2浓度为28mg/L的环境下受到的影响。下列说法中,与此实验不相符的是( )。 A、实验前植物幼苗需要阳光照射 B.植物叶片首先受害的是成熟叶 C.植物受害程度与植物接触SO2的时间成正比 D.植物受害程度与玻璃罩中SO2的浓度成反比 7.下面是农作物I和农作物Ⅱ在同一土壤中N、P、K三要素肥效试验结 果。“+”表示施肥,“—”表示未施。下列结论正确的是( ) A.农作物I的氮素来自共生固氮菌 B.农作物Ⅱ的氮素来自固氮菌 C.对农作物I来说,磷、钾是必需元素,氮是非必需元素 D.不同的农作物对磷、钾的需要量是相同的 8.下列关于硅的说法不正确的是( )。 A、硅是非金属元素,但它的单质是灰黑色有金属光泽的固体 B.硅的导电性能介于金属和绝缘体之间,是良好的半导体材料 C.硅的化学性质不活泼,常温下不与任何物质起反应 D.当加热到一定温度时,硅能与氧气、氢气等非金属反应 9.由实验测得,把同物质的量浓度的NaOH溶液滴人CuS04溶液中,两者体积比为1.5:1时(残存在溶液中的Cu2+极少,可认为全部转入沉淀中),所生成的沉淀的化学式是( )。 A.Cu(OH)2B、Cu(OH)2·CuS04 C.2Cu(OH)2·CuS04D.3Cu(OH)2·CuS04 10.用铝分别与盐酸和NaOH溶液反应制取相同物质的量的氢气时,所转移的电子数大小前者和后者的关系是( )。 A、大于B.小于C.等于D.不能肯定 11.某种物质经测定只含有一种元素,这种物质( )。 A、可能是一种单质,也可能是混合物B.肯定是一种单质 C、肯定是由一种原子构成的D.肯定是分子晶体 12.已知一溶液中有四种离子:X+、Y—、H+、OH—,下列分析结果肯定错误的是( )。 A.c(Y—)>c(X+)X(H+)>c(OH—) B。c(X+)>c(Y—)>c(OH—)>c(H+) C c(H+)>c(Y—)>c(X+)>c(OH—) D.c(OH—)X(X+)>c(H+)>c(Y—) 13.在硫酸生产中,若进入接触室的气体的体积分数为:S027%,O211%,N282%,经过一段时间后,在相同的温度、压强下,混合气体的体积变为原来的96.7%,则此时S02的转化率为( )。 A.56.7%B.74.3%C.82.4%D.94.3% 14.甲基丙烯酸甲酯是世界上年产量超过100万吨的高分子单体,旧法合成反应是: (CH3)2C=O+HCN——→(CH3)2C(OH)CN (CH3)2C(OH)CN+CH30H+H2SO4——→CH2=C(CH3)COOCH3+NH4HSO4

模拟电子技术期末考试试卷及答案

《模拟电子技术》期末考试卷 一、填空题(20 分) 1、二极管最主要的特性是 。 2、当三极管处于放大状态时其放射结、集电结的偏置方式为 、 。 3、多级放大电路中,常见的级间的耦合方式有 、 、 。 4、负反馈放大电路中的四种组态为 、 、 、 。 5、正弦波振荡电路的振荡条件为 、 。 二、选择题(20分) 1、P 型半导体中的多数载流子是 ,N 型半导体中的多数载流子是 。A 、电子 B 、空穴 C 、正离子 2、杂质半导体中少数载流子的浓度 本征半导体载流子的浓度。A 、大于 B 、小于 C 、等于 3、温度升高,二极管在正向电流不变的情况下的正向电压 ,反向电流 。 A 、增大 B 、减小 C 、不变 4、如图所示复合管,已知V 1的1 = 30,V 2的 2 = 50,则复合后的 约为 ( )。 A .1500 .80 C 5、RC 串并联网络在f=f 0=1/2 RC 时呈 。 A 、感性 B 、阻性 C 、容性 三、判断题(10分)(对的打“√”,错的打“×”) 1、本征半导体温度升高后,两种载流子浓度还是相等。( ) 2、参数理想对称的双端输入双端输出差分放大电路只能放大差模信号,不能放大共模信号。( ) 3、放大电路采用复合管是为了增大放大倍数和输入电阻。( ) 4、负反馈越深,电路的性能越稳定。( ) 5、集成运放在开环情况下一定工作在非线性区。( ) 四、简答题:( 25分) 1.写出下图所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D =。 V 2 V 1

2、判断下图所示电路中是否引入了反馈,如果有反馈试判断反馈类型 ¥+ -+R S u o R L u i R F (b) R 1 R 2 R 4 R 5 R 3 u i + -+v cc -+ V 1 V 2 u o C 1 +- 3、 电路下图所示:请将图中左右两部分正确连接起来,使之能够产生正弦波振荡 五、计算题(25分) 1、电路如下图所示,试求出电路A U 、R i 、和R 0的表达式。

电力电子技术期末考试试题及答案(史上最全)

电力电子技术试题 第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__,而当器件开关频率较高 时,功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统,一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成, 由于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _ 双极型器件_ 、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通,承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 7.肖特基 二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 | 9.对同一晶闸管,维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为,UDSM_大于__Ubo。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_(如何连接)在同一管芯上的功率集成器件。 的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系, 其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。 的开启电压UGE(th)随温度升高而_略有下降__,开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质,可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数,在1/2或1/3额定电流以 上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)中,属 于不可控器件的是_电力二极管__,属于半控型器件的是__晶闸管_,属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _;属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _,属于双 极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _,属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _;在可控的器件中,容量最大的是_晶闸管_,工作频率最高的是_电力MOSFET,属于电压驱动 的是电力MOSFET 、IGBT _,属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。 . 第2章整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_,在单相半波可控整流电阻性负载电路中,晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-180O_。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变,在单相半波可控整流带阻感负载并联续 流二极管的电路中,晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O _ ,其承受的最大正反向电压均为___,续流二极管承受的最大反向电压为___(设U2为相电压有效值)。 3.单相桥式全控整流电路中,带纯电阻负载时,α角移相范围为__0-180O _,单个晶闸管 所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 和_;带阻感负载时,α角移相范围为_0-90O _, 单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为___和___;带反电动势负载时,欲使电阻上的电流不出现断续现象,可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。 4.单相全控桥反电动势负载电路中,当控制角α大于不导电角时,晶闸管的导通角=_π-α-_; 当控制角小于不导电角时,晶闸管的导通角=_π-2_。

高职高考数学模拟试卷

---精品文档欢迎来主页下载 2018高职高考数学模拟试卷120分钟。小题,满分150分。考试时间本试题卷共24注意事项:、答卷前,考生务必用黑色字迹的钢笔或签字笔将自己的姓名和考生号、1铅笔将试卷类型填涂在答题卡试室号、座位号填定在答题卡上。用2B 相应位置上。将条形码横贴在答题卡右上角“条形码粘贴除”铅笔把答题纸上对应题目的答案标号用2B2、选择题每小题选出答案后,涂黑。如需改动,用橡皮擦干净后,再选涂其他答案标号。3、非选择题用黑色字迹的签字笔或钢笔将答案写在答题纸上。4、考生必须保持答题卡的整洁。不能使用涂改液。A 试卷类型:75分)小题,每小题5分,共一、单项选择题(本大题共15在 每小题列出的四个备选答案中,只有一个是符合题目要求的。错涂、多 涂或未涂均无分。????5,44N?,3M?,0,1,23,)1.已知集合,,则下列结论正确的是( ????MM?NN?52,0,1?N?,3,4?MN?M D. C. A. B. log(x?1)2?x)f(的定义域是(2 、函数)x?2A B C D ),??(((??,0)1,2]2)21(,log2?log31a?0?”的(”是“)3.“aa A.必要非充分条件 B.充分非必要条件 C.充分必要条件 D.非充分非必要条件 4. 下列等式正确的是( ) . 7lg7?lg B. A. 1lg3?lg7?3lg3lg37?7lg D. C. 37lg3lg?3lg7?????????xcb??1,02,a?4,5x? ( ,). 5. 设向量,,且满足与,垂直则cba?11? C. D. A. B. 2?222 3x?1?2的解集是()6.不等式 精品文档. 欢迎来主页下载---精品文档 11???? B. C.(-1,3) D.(1,3) A.?1,,1????33????. )x+y-5=0的直线方程是(7、过点A(2,3),且垂直于直线2 2x+y-7=0 x-y-1=0 D、x-2y+4=0 B、y -2 x +4=0 C、2A、). 函数的最大 值是( 8. )?4sinxcosx(x?Rf(x) D. C. B. A. 8412k??),则9.已知角的值是(终边上的一点?cos,?4),P(3k41216 D.A.C.. B ?3?4?55?. )平移后的图象对应的函数为(的图象按向量10、函数,1)?a=(x2y?sin6??B、A、1)?y?sin(2y?sin(2x?)?1x? 63??D、、 C1y?sin(2x??x?)y)?1?sin(236n???a).

四川省泸州市2018届高三高考模拟考试理科综合试卷含答案

四川省泸州市泸州高中高2018届高考模拟考试 理科综合试题 可能用到的相对原子质量:H 1 C 12 N 14 O 16 Mg 24 Ni 59 第Ⅰ卷(选择题共126 分) 一.选择题:本大题共13小题,每小题6分。在每小题给出的四个选项中,只有一项是符合 题目要求的。 1.细胞或细胞的部分结构、成分有”骨架或支架”之说,下列有关叙述正确的是()A.真核细胞中有维持细胞形态的细胞骨架,细胞骨架与物质运输无关 B.磷脂双分子层构成了细胞膜的基本支架,其他生物膜无此基本支架 C.DNA分子中的脱氧核糖和磷酸交替连接,排列在外侧构成基本骨架 D.生物大分子以单体为骨架,每一个单体都以碳原子构成的碳链为基本骨架 2.下列关于无机盐和其他化合物对人体与动物机能影响的叙述,正确的是() A.摄入过多过咸食物后,会引起细胞内液的量增加 B.骨骼肌纤维内乳酸积累过多,会引起细胞体积增大 C.发生局部炎症反应时的肿胀,是由于组织中的Na+浓度增加所致 D.将蛙神经纤维置于适宜的溶液后再适当增加溶液的KCI浓度,其静息电位绝对值增大 3.下列关于遗传的分子基础和细胞基础的叙述,错误的是() A.有丝分裂间期RNA聚合酶可结合在DNA上催化相应化学反应 B.色盲男性的次级精母细胞中色盲基因的数目为0个或1个 C.被某些致癌病毒感染的细胞内会发生遗传信息由RNA流向DNA的现象 D.白化病实例体现了基因可通过控制酶的合成来控制代谢过程,进而控制生物的性状 4.下列有关生物变异和育种的叙述,正确的是() A.猫叫综合征是由于染色体中增加某一片段引起的 B.亲代的突变基因一定能传递给子代 C.秋水仙素处理单倍体植株后得到的一定是二倍体 D.杂交育种依据的主要遗传学原理是基因自由组合 5.基因组成为X b X b Y的色盲患者甲,其父患色盲、其母表现正常。下列分析中可能性较大的是() ①甲母减数第一次分裂中,2条X染色体未分开而是一起进入了次级卵母细胞

《电子技术应用》期中考试试卷

一、 选择题(本题共5小题,每小题2分,共10分) 1、下列符号中表示发光二极管的为( )。 A B C D 2、硅管正偏导通时,其管压降约为( )。 A 0.1V B 0.3V C 0.5V D 0.7V 3、在三极管放大电路中,下列等式不正确的是( )。 A. C B E I I I += B. B C I I β= C. B E I I )1(β+= D. B E I I β= 4、当三极管的发射结和集电结都正偏时,工作于( )状态。 A. 放大 B. 截止 C. 饱和 D. 无法确定 5、NPN 型三极管要实现放大作用,c 、b 、e 三个电极的电位必须符合:( ) A. E B C U U U >> B. B E C U U U >> C. E B U U > D. B C U U > 二、填空题((本题共5小题,每空2分,共20分) 1、在本征半导体中掺入 元素得N 型半导体,掺入 元素则得 P 型半导体。 2、二极管P 区接电源 极,N 区接电源 极,称正向偏置,二极 管导通;反之,称反向偏置,二极管截止,所以二极管具有 性。 3、三极管电流放大作用的条件是:发射结加 电压,集电结 加 电压。 4、三极管电流放大系数β反映了放大电路中 极电流对 极电流的控制能力。 5、工作在放大区的一个三极管,如果基极电流从10微安变化到22微安 时,集电极电流从1毫安变为2.2毫安,则该三极管的β约为 。 三、计算题(本题共5小题,共70分) 1、二极管电路如图所示,判断图中二极管是导通还是截止,并确定各电 路的输出电压AB U 。(设二极管为硅管,导通压降为0.7V ) (15分) 2、已知三极管的发射极电流mA I E 24.3=,基极电流A I B μ40=,求集电极电流C I 的数值。 (10分)

2018年高职高考数学模拟试题一

2018年高职高考数学模拟试题一 数 学 本试卷共4页,24小题,满分150分。考试用时120分钟。 注意事项:1.答卷前,考生务必用黑色字迹的钢笔或签字笔将自己的姓名和考生号、试室号、座 位号填写在答题卡上。用2B 铅笔将试卷类型(A)填涂在答题卡相应位置上。将条形 码横贴在答题卡右上角“条形码粘贴处”。 2.选择题每小题选出答案后,用2B 铅笔把答题卡上对应题目选项的答案信息点涂黑, 如需改动,用橡皮擦干净后,再选涂其他答案,答案不能答在试卷上。 3.非选择题必须用黑色字迹钢笔或签字笔作答,答案必须写在答题卡各题目指定区域 内相应位置上;如需改动,先划掉原来的答案,然后再写上新的答案;不准使用铅笔和 涂改液。不按以上要求作答的答案无效。 4.考生必须保持答题卡的整洁。考试结束后,将试卷和答题卡一并交回。 一.选择题(共15题,每小题5分,共75分) 1. 设集合{}2,0,1M =-,{}1,0,2N =-,则=M N I ( ). A.{}0 B. {}1 C. {}0,1,2 D. {}1,0,1,2- 2.设x 是实数,则 “0>x ”是“0||>x ”的( ) A .充分而不必要条件 B .必要而不充分条件 C .充要条件 D .既不充分也不必要条件 3.若sin 0α<且tan 0α>是,则α是( ) A .第一象限角 B . 第二象限角 C . 第三象限角 D . 第四象限角

4.函数21 )1lg(-+-=x x y 的定义域为( ) A . B. C. D. 5.已知点)33,1(),3,1(-B A ,则直线AB 的倾斜角是( ) A .3π B .6 π C .32π D . 65π 6.双曲线22 1102 x y -=的焦距为( ) A . B . C . D . 7.设函数()???≤+->=0 , 10 ,x log 2x x x x f ,则()[]=1f f ( ) A .5 B .1 C .2 D .2- 8.在等差数列{n a }中,已知2054321=++++a a a a a ,那么3a 等于( ) A .4 B .5 C .6 D .7 9.已知过点),2(m A -和)4,(m B 的直线与直线012=-+y x 平行,则m 的值为( ) A .0 B .-8 C . 2 D . 10 10. 函数x x cos sin 4y =是 ( ) (A) 周期为π2的奇函数 (B)周期为π2的偶函数 (C) 周期为π的奇函数 (D) 周期为π的偶函数 11、设向量a ρ=(2,-1), b ρ=(x,3)且a ρ⊥b ρ则x=( ) A. 21 B.3 C. 2 3 D.-2 12. 某公司有员工150人,其中50岁以上的有15人,35~49岁的有45人,不到35岁的有90人.为了调查 员工的身体健康状况,采用分层抽样方法从中抽取30名员工,则各年龄段人数分别为( ) (A )5,10,15 (B) 5,9,16 (C)3,9,18 (D) 3,10,17 13.已知01a << ,log log a a x =1log 52 a y = ,log log a a z =- ) A .x y z >> B .z y x >> C .y x z >> D .z x y >> 14. 过点P(1,2)且与直线013=+-y x 垂直的直线是( ) }2|{≤x x }12|{≠≤x x x 且}2|{>x x } 12|{≠-≥x x x 且

(完整版)高三理综模拟试卷(带完整答案)

2017-2018 学年度高三上学期第三次月考 理综试卷 考试时间: 2017 年 12 月 13 日 注意事项: 1.本试卷分第Ⅰ卷(选择题 )和第Ⅱ卷 (非选择题 )两部分。 2.答题前,考生务必将自己的姓名、准考证号填写在本试题相应的位置。 3.全部答案在答题卡上完成,答在本试题上无效。 4.考试结束后,将本试题和答题卡一并交回。 第Ⅰ卷(选择题共 126 分) 本卷共 21 小题,每小题 6 分,共 126 分。 可能用到的相对原子质量: H 1 C 12 N 14、O 16、Mg 24、Al 27、Na 23Fe 56 Cu 64 Si28 S32 Cr52 一、选择题:本大题共13 小题,每小题 6 分。在每小题给出的四个选项中,只有一项是符合题目 要求的。 1.当人所处环境温度从25℃降至 5℃,耗氧量、尿量、抗利尿激素及体内酶活性的变化依次为A.减少、减少、增加、不变 B .增加、增加、减少、不变()C.增加、减少、增加、不变D.增加、增加、减少、降低 2 .下面的①、②、③分别表示生物体内的三个生理过程,其中Q 分别代表三种物质,下列有关Q 的叙述错误的是 A .Q 可能位于细胞膜上 B . Q 中可能含有硫元素 C.①不一定发生在细胞内 D.②必须依赖三磷酸腺苷5.下图所示实验能够说明 A .效应 T 细胞的作用B.浆细胞产生抗体的作用 C.病毒刺激淋巴细胞增殖的作用 D .病毒抗原诱导 B 细胞分化的作用 6.下图是人体缩手反射的反射弧结构,方框甲代表大脑皮层、乙代表脊髓神经中枢。当手被尖锐的物体刺痛时,先缩手后产生痛觉。对此生理过程的分析正确的是 A .图中 e 为感受器, a 为效应器 B.先缩手后产生痛觉的现象说明,痛觉感觉中 枢位于甲方框处 C.受到刺激时,神经纤维 d 处膜外的电位变化 是由负电位变为正电位 D.由甲发出的传出神经纤维末端释放的神经递 质只能引起乙的兴奋 7.纵观古今,化学与生活皆有着密切联系。下列有关说法错误的是 A.“梨花淡自柳深青,柳絮飞时花满城”中柳絮的主要成分和棉花的相同 B.制作烟花的过程中常加入金属发光剂和发色剂使烟花放出五彩缤纷的颜色 C.草莓棚中使用的“吊袋式二氧化碳气肥”的主要成分可以是碳酸钙 D. 芒硝晶体 (Na2 SO4·10H2O)白天在阳光下曝晒后失水、溶解吸热,晚上重新结晶放热,实现了太 阳能转化为化学能继而转化为热能 8下列关于热化学反应的描述正确的是 3.关于下列四图的叙述中,正确的是 DNA ?—A—T—G—C —??—— —— RNA U A C G —?甲 () A — P~P~P A C12H 22O11 乙丙丁 A.CO 的燃烧热是 283.0 kJ/mol ,则 2CO (g)2CO(g)+O 2 (g)H=+283.0 kJ/mol 2 B.HCl 和 NaOH 反应的中和热H=-57.3 kJ/mol ,则 H2SO4和 Ba(OH) 2的反应热 H=2×(-57.3) kJ/mol C.等物质的量的硫蒸气和硫固体分别完全燃烧,后者放出热量少 D. 已知: H- H 键的键能为a kJ/mol , Cl - Cl 键的键能为 b kJ/mol, H- Cl 键的键能为 c kJ/mol ,则 生成 1 mol HCl 放出的能量为 (a+b-2c)/2 kJ A.甲图中共有 5 种核苷酸B.在小鼠的体细胞内检测到的化合物丁很可能是蔗糖C.组成丙物质的单糖是脱氧核糖或核糖D.乙图所示的化合物中不含糖类物质 4.下图所示为来自同一人体的 4 种细胞 ,下列叙述正确的是 A .因为来自同一人体,所以各细胞中的DNA 含量相同 B.因为各细胞中携带的基因不同,所以形态、功能不同 C.虽然各细胞大小不同,但细胞中含量最多的化合物相同 D.虽然各细胞的生理功能不同,但吸收葡萄糖的方式相同9.埋在地下的钢管道可以用如图所示方法进行电化学保护。 下列说法正确的是 A.该方法将电能转化成化学能 B.在此装置中钢管道作正极 C.该方法称为“外加电流的阴极保护法” D. 镁块上发生的电极反应为O2+2H 2O+4e-4OH -

电力电子技术期末复习考卷综合

一、填空题: 1、电力电子技术的两个分支是电力电子器件制造技术和 变流技术 。 2、举例说明一个电力电子技术的应用实例 变频器、 调光台灯等 。 3、电力电子承担电能的变换或控制任务,主要为①交流变直流(AC —DC )、②直流变交流(DC —AC )、③直流变直流(DC —DC )、④交流变交流(AC —AC )四种。 4、为了减小电力电子器件本身的损耗提高效率,电力电子器件一般都工作在 开关状态,但是其自身的功率损耗(开通损耗、关断损耗)通常任远大于信息电子器件,在其工作是一般都需要安装 散热器 。 5、电力电子技术的一个重要特征是为避免功率损耗过大,电力电子器件总是工作在开关状态,其损耗包括 三个方面:通态损耗、断态损耗和 开关损耗 。 6、通常取晶闸管的断态重复峰值电压UDRM 和反向重复峰值电压URRM 中较 小 标值作为该器件的额电电压。选用时,额定电压要留有一定的裕量,一般取额定电压为正常工作时晶闸管所承受峰值电压的2~3倍。 7、只有当阳极电流小于 维持 电流时,晶闸管才会由导通转为截止。导通:正向电压、触发电流 (移相触发方式) 8、半控桥整流带大电感负载不加续流二极管电路中,电路可能会出现 失控 现象,为了避免单相桥式 半控整流电路的失控,可以在加入 续流二极管 来防止失控。 9、整流电路中,变压器的漏抗会产生换相重叠角,使整流输出的直流电压平均值 降低 。 10、从晶闸管开始承受正向阳极电压起到施加触发脉冲止的电角度称为 触发角 。 ☆从晶闸管导通到关断称为导通角。 ☆单相全控带电阻性负载触发角为180度 ☆三相全控带阻感性负载触发角为90度 11、单相全波可控整流电路中,晶闸管承受的最大反向电压为 2√2U1 。(电源相电压为U1) 三相半波可控整流电路中,晶闸管承受的最大反向电压为 。(电源相电压为U 2) 12、四种换流方式分别为 器件换流 、电网换流 、 负载换流 、 强迫换流 。 13、强迫换流需要设置附加的换流电路,给与欲关断的晶闸管强迫施加反压或反电流而关断。 14、直流—直流变流电路,包括 直接直流变流电路 电路和 间接直流变流电路 。(是否有交流环节) 15、直流斩波电路只能实现直流 电压大小 或者极性反转的作用。 ☆6种斩波电路:电压大小变换:降压斩波电路(buck 变换器)、升压斩波电路、 Cuk 斩波电路、Sepic 斩波电路、Zeta 斩波电路 升压斩波电路输出电压的计算公式 U= 1E β=1- ɑ 。 降压斩波电路输出电压计算公式: U=ɑE ɑ=占空比,E=电源电压 ☆直流斩波电路的三种控制方式是PWM 、 频率调制型 、 混合型 。 16、交流电力控制电路包括 交流调压电路 ,即在没半个周波内通过对晶闸管开通相位的控制,调节输出电压有效值的电路, 调功电路 即以交流电的周期为单位控制晶闸管的通断,改变通态周期数和断态周期数的比,调节输出功率平均值的电路, 交流电力电子开关即控制串入电路中晶闸管根据需要接通或断开的电路。

电力电子技术-模拟试题2-试卷

电力电子技术模拟试题2(开卷,时间:120分钟) (所有答案必须写在答题纸上) 一、填空题(40分,每空1分) 1. GTO的结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 2.GTO的开通控制方式与晶闸管相似,但是可以通过在门极使其关断。 3. GTO导通过程与普通晶闸管一样,只是导通时饱和程度,导通时管压降。 4. GTO最大可关断阳极电流与门极负脉冲电流最大值I GM之比称 为, 该值一般很小,只有左右,这是GTO的一个主要缺点。 5. GTR导通的条件是:且。 6. 在电力电子电路中GTR工作在开关状态, 在开关过程中,在区和 区之间过渡时,要经过放大区。 7. 电力MOSFET导通的条件是:且。 8. 电力MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系,其中前者的截止区对应后者的、前者的饱和区对应后者的、前者的非饱和区对应后者的。 9.电力MOSFET的通态电阻具有温度系数。 10.IGBT是由和两类器件取长补短结合而成的复合器件10.PWM控制的理论基础是原理,即相等而形状不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时,其效果基本相同。 11.根据“面积等效原理”,SPWM控制用一组的脉冲(宽度按 规律变化)来等效一个正弦波。 12.PWM控制就是对脉冲的进行调制的技术;直流斩波电路得到的PWM波是等效波形,SPWM控制得到的是等效波形。 13.PWM波形只在单个极性范围内变化的控制方式称控制方式,PWM 波形在正负极性间变化的控制方式称控制方式,三相桥式PWM型逆变电路采用控制方式。 14.SPWM波形的控制方法:改变调制信号u r的可改变基波幅值;改变

2018高职高考数学模拟试卷

页脚内容1 2018高职高考数学模拟试卷 本试题卷共24小题,满分150分。考试时间120分钟。 注意事项: 1、答卷前,考生务必用黑色字迹的钢笔或签字笔将自己的姓名和考生号、试室号、座位号填定在答题卡上。用2B 铅笔将试卷类型填涂在答题卡相应位置上。将条形码横贴在答题卡右上角“条形码粘贴除” 2、选择题每小题选出答案后,用2B 铅笔把答题纸上对应题目的答案标号涂黑。如需改动,用橡皮擦干净后,再选涂其他答案标号。 3、非选择题用黑色字迹的签字笔或钢笔将答案写在答题纸上。 4、考生必须保持答题卡的整洁。不能使用涂改液。 试卷类型:A 一、单项选择题(本大题共15小题,每小题5分,共75分) 在每小题列出的四个备选答案中,只有一个是符合题目要求的。错涂、多涂或未涂均无分。 1.已知集合{}4,3,2,1,0=M ,{}5,4,3=N ,则下列结论正确的是( ) A. N M ? B. M N ? C. {}4,3=?N M D. {}5,2,1,0=?N M 2、函数x x x f --=2) 1(log )(2的定义域是( ) A )0,(-∞ B )2,1( C ]2,1( D ),2(+∞

页脚内容2 3.“01a <<”是“log 2log 3a a >”的( ) A.必要非充分条件 B.充分非必要条件 C.充分必要条件 D.非充分非必要条件 4. 下列等式正确的是( ) . A. lg 7lg31+= B. 7 lg 7 lg 3lg 3= C. 3lg 3 lg 7lg 7= D. 7lg 37lg 3= 5. 设向量()4,5a =r ,()1,0b =r ,()2,c x =r ,且满足→→+b a 与→c 垂直,则x = ( ). A. 2- B. 1 2- C. 1 2 D. 2 6.不等式312x -<的解集是( ) A.1 13??- ???, B.1 13?? ???, C.(-1,3) D.(1,3) 7、过点A (2,3),且垂直于直线2x +y -5=0的直线方程是( ). A 、 x -2y +4=0 B 、y -2 x +4=0 C 、2x -y -1=0 D 、 2x +y -7=0 8. 函数()4sin cos ()f x x x x R =∈的最大值是( ). A. 1 B. 2 C. 4 D. 8

2020年高考理综模拟试题(四)含答案及解析

2020年高考理综模拟试题(四) 理科综合能力测试卷共8页,满分300分。考试时间150分钟。 ★祝考试顺利★ 注意事项: 1.答题前,请考生认真阅读答题卡上的注意事项。务必将自己的姓名、考号填写在答题卡上指定位置,贴好考号条形码或将考号对应数字涂黑。用2B铅笔将试卷类型A填涂在答题卡相应位置上。 2.选择题每小题选出答案后,用2B铅笔把对应题目的答案标号涂黑。如需改动,用橡皮擦干净后,再选涂其它答案标号。答在试题卷、草稿纸上无效。 3.非选择答题用0.5毫米黑色墨水签字笔直接答在答题卡上每题对应的答题区域内,答在试题卷、草稿纸上无效。 4.考生必须保持答题卡的清洁。考试结束后,监考人员将答题卡和试卷一并收回。 可能用到的相对原子质量(相对原子量):H-1 C-12 N-14 O-16 Na-23 Ca-40 P-31 Zn-65 第Ⅰ卷(选择题共126分) 一、选择题:本大题共13小题,每小题6分,共78分。在每小题给出的四个选项中,只 有一项是符合题目要求的。 1.下列有关生物膜上蛋白质叙述,正确的是 A.细胞膜控制物质运输时必须需要载体蛋白的协助 B.类囊体膜上没有行使催化功能的蛋白质 C.线粒体的双层膜上没有转运葡萄糖的载体 D.垂体细胞膜上有识别促甲状腺激素的受体 2.下列对有关实验的描述中,正确的是 A.探究温度对酶活性影响的实验中不宜选择过氧化氢酶的原因是过氧化氢的分解与温度有关 B.叶绿体色素滤液细线浸入层析液,会导致滤纸条上色素带重叠 C.在噬菌体侵染细菌的实验中,以T2噬菌体为实验材料的原因是其缺乏独立的代谢系统 D.调查血友病的遗传方式,可在学校内对同学进行随机抽样调查 3.下列叙述正确的是 A.进行有性生殖的植物都存在伴性遗传的现象 B.基因A与其等位基因a含有的碱基数不一定相等 C.碱基对的改变属于基因突变,但不一定引起遗传信息改变 D.造成同卵双生兄弟或姐妹间性状差异的主要原因是基因重组 4.“调控植物生长--代谢平衡实现可持续农业发展”入选2018年度中国科学十大进展,其研究证实DELLA蛋白通过阻遏某些基因的转录从而抑制植物生长发育,而赤霉素能解除细胞中已经存在的DELLA蛋白的阻遏效果。以下叙述不合理的是 A.植物合成赤霉素的部位主要是未成熟的种子、幼根和幼芽 B.赤霉素与脱落酸在调控种子萌发与休眠中的作用相互拮抗 C.赤霉素通过抑制DELLA蛋白基因的表达解除其阻遏效果 D.DELLA蛋白分子上可能存在具有不同生物学功能的区域 5.miRNA是一种小分子RNA,某miRNA能抑制W基因控制的蛋白质(W蛋白)的合成。某真核细胞内形成该miRNA及其发挥作用的过程示意图如下,下列叙述错误的是

《电子技术》期中考试试卷

2012~2013年第二学期《电子技术》期中考试试卷 总分:100分时量:60分钟 班级:姓名:学号: 一、填空题(37×1分=37分) 1、能够将变成的电路称为整流电路,能够将变成比较平滑的的电路称为滤波电路。 2、PN结正偏时,P区接电源的极,N区接电源的极;PN 结反偏时,P区接电源的极,N区接电源的极。 3、硅二极管的正向压降约为V,锗二极管的正向压降约为V。 4、利用半导体二极管的特性,将变成的过程称做整流。 5、交流电经过变成脉动直流电后,仍有变化,滤波电路能够脉动直流电中的成分。 6、半导体三极管有两个PN结,即结和结;有三个电极,即极、 极和极,分别用、、和表示。 7、晶体管有型和型,前者的图形符号是,后者的图形符号是。 8、半导体三极管的输出特性曲线可分为三个区域,即区、区和区。 9、放大电路设置静态工作点的目的是。 10、在纯净的硅晶体中掺入三价元素,就成为型半导体,它的多数载流子量是,少数载流子是。 二、选择题(6×4分=21分) 1、在纯净半导体硅中,掺入微量的()价元素就成了N型半导体。 A. 三价 B. 四价 C. 五价 2、性能良好的二极管正向电阻()反向电阻。A. 大于 B. 等于 C. 小于 D. 不确定 3、稳压二级管的稳压性能是利用二极管的()特性实现的。 A. 单向导电 B.反向击穿 C.正向导通 D.反向截止 4、整流的目的是()。 A. 将高频变为低频 B. 将低频变为高频 C. 将正弦波变为方波 D. 将交流变为直流 5、整流电路后面接入滤波电路的目的是()。 A. 去除直流电中的脉动成份 B. 将高频变成低频 C. 将正弦交流信号变成矩形脉冲 D. 将直流电变成交流电 6、三极管的发射结正偏、集电路反偏时,三极管处于()。 A. 放大状态 B. 饱和状态 C.截止状态 三、判断题(5×2分=10分) 1、PN结正向偏置时导通,反向偏置时截止。() 2、在P型半导体中,多数载流子是电子。() 3、二极管加反向电压不一琯是导通状态。() 4、稳压二极管是工作在反向击穿状态。() 5、单相半波整流电路的特点是:电路简单、成本低,输出电压高、脉动小。() 四、综合题(14分+15分=29分) 1、试画出单相半波整流的电路图,并说明它的整流过程。 2、请画出共射放大电路的原理图,并写出静态工作点的计算公式。(I BQ、I CQ、V CEQ)

电力电子技术期末考试试题及答案

电力电子技术试题 第1章 电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__,而当器件开关频率较高时,功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统,一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成,由于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _双极型器件_ 、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通,承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 9.对同一晶闸管,维持电流IH 与擎住电流I L 在数值大小上有I L __大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM 与转折电压Ubo 数值大小上应为,UDSM _大于__Ubo 。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_(如何连接)在同一管芯上的功率集成器件。 12.GTO 的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 13.MOSFET 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR 共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系,其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET 的通态电阻具有__正__温度系数。 15.IGBT 的开启电压UGE (th )随温度升高而_略有下降__,开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质,可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 17.IGBT 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数, 在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件:电力二极管(Power Diode )、晶闸管(SCR )、门极可关断晶闸管(GTO )、电力晶体管(GTR )、电力场效应管(电力MOSFET )、绝缘栅双极型晶体管(IGBT )中,属于不可控器件的是_电力二极管__,属于半控型器件的是__晶闸管_,属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _;属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _,属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _,属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _;在可控的器件中,容量最大的是_晶闸管_,工作频率最高的是_电力MOSFET ,属于电压驱动的是电力MOSFET 、IGBT _,属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。 第2章 整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_,在单相半波可控整流电阻性负载电路中,晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-180O _。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变,在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中,晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O _ , 2__,续流二极管承受的最大反向电压为2_(设U 2为相电压有效值)。 3.单相桥式全控整流电路中,带纯电阻负载时,α角移相范围为__0-180O _,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为22 和2;带 阻感负载时,α角移相范围为_0-90O _,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为2_和2_;带反电动势负载时,欲使电阻上的电流不出 现断续现象,可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。 4.单相全控桥反电动势负载电路中,当控制角α大于不导电角δ时,晶闸管的导通角θ =_π-α-δ_; 当控制角α小于不导电角 δ 时,晶闸管的导通角 θ =_π-2δ_。 5.电阻性负载三相半波可控整流电路中,晶闸管所承受的最大正向电压UFm 2_,晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-150o _,使负载电流连续的条 件为__o 30≤α__(U2为相电压有效值)。 6.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差_120o _,当它带阻感负载时,α的移相范围为__0-90o _。 7.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中,共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是_最高__的相电压,而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是_最低_的相电压;这种电路 α 角的移相范围是_0-120o _,u d 波形连续的条件是_o 60≤α_。 8.对于三相半波可控整流电路,换相重迭角的影响,将使用输出电压平均值__下降_。 9.电容滤波单相不可控整流带电阻负载电路中,空载时,输出电压为2_,随负载加重Ud 逐渐趋近于_0.9 U 2_,通常设计时,应取RC ≥_1.5-2.5_T ,此 时输出电压为Ud ≈__1.2_U 2(U 2为相电压有效值,T 为交流电源的周期)。 10.电容滤波三相不可控整流带电阻负载电路中,电流 id 断续和连续的临界条件是_=RC ω。 11.实际工作中,整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数,当 α 从0°~90°变化时,整流输出的电压ud 的谐波幅值随 α 的增大而 _增大_,当 α 从90°~180°变化时,整流输出的电压 ud 的谐波幅值随 α 的增大而_减小_。

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