MOSFET开关要求

一个好的MOSFET驱动电路的要求是：
(1)开关管开通瞬时,驱动电路应能提供足够大的充电电流使MOSFET栅源极间电压迅速上升到所需值,保证开关管能快速开通且不存在上升沿的高频振荡;

(2)开关管导通期间驱动电路能保证MOSFET栅源极间电压保持稳定使可靠导通;

(3)关断瞬间驱动电路能提供一个尽可能低阻抗的通路供MOSFET栅源极间电容电压的快速泄放,保证开关管能快速关断;

(4)关断期间驱动电路最好能提供一定的负电压避免受到干扰产生误导通;

(5)另外要求驱动电路结构简单可靠,损耗小,最好有隔离。

限制MOSFET开关速度因素：
1-MOSFET寄生电容，CISS,COSS；寄生电容越大，开通和关断速度约慢，反之越快；
2-外部串联驱动电阻，RC充电回路，R越大充电越慢，反之越快；
提高MOSFET开通速度：
1-使用寄生电容小的器件，比如超结或者COOLMOS，通道电流等级，寄生电容小，开关速度快；
2-外部串联驱动电阻使用小电阻；
3-外部驱动电阻反并二极管，比如1N4148,加速关断；


开：加大驱动电流
关：反并二极管，或用三级管直接拉地