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page 1 of 3 pages Part Name:FORD MOD 6 FIELD COIL CASE Part Number: C549 REV5 Supplier: WUJIN ASIA PACIFIC MECHANICAL & ELECTRICAL FITTINGS Co., Ltd. Plant: WJAP

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研究生《高等半导体器件物理》试题

2014级研究生《高等半导体器件物理》试题 1.简单说明抛物线性能能带和非抛物线性能带的能带结构以及各自 的特点、应用。 2.试描述载流子的速度过冲过程和弹道输运过程，以及它们在实际 半导体器件中的应用。 3.什么是半导体超晶格？半导体器件中主要的量子结构有哪些？ 半导体超晶格:两种或者两种以上不同组分或者不同导电类型超薄层材料,交替堆叠形成多个周期结构,如果每层的厚度足够薄,以致其厚度小于电子在该材料中的德布罗意波的波长, 这种周期变化的超薄多层结构就叫做超晶格. 主要的量子结构:超晶格中, 周期交替变化的超薄层的厚度很薄,相临势阱中的电子波函数能够互相交叠, 势阱中的电子能态虽然是分立的, 但已被展宽. 如果限制势阱的势垒进度足够厚, 大于德布罗意波的波长, 那么不同势阱中的波函数不再交叠, 势阱中电子的能量状态变为分立的能级. 这种结构称之为量子阱( QW).在上述结构中,电子只在x 方向上有势垒的限制, 即一维限制,而在y , z 两个方向上是二维自由的. 如果进一步增加限制的维度,则构成量子线和量子点. 对于量子线而言, 电子在x , y 两个方向上都受到势垒限制; 对于量子点来说, 在x , y , z 三个方向上都有势垒限制. 我们通常将这些量子结构称为低维结构, 即量子阱、量子线和量子点分别为二维、一维和零维量子结构. 4.PHEMT的基本结构、工作原理以及电学特点。 5.隧道谐振二极管的主要工作特点，RITD的改进优势有哪些？ 6.突变发射结、缓变基区HBT的工作原理、特点及其应用。 7.举例讨论半导体异质结光电器件的性能。

参考文献： 1.沃纳，半导体器件电子学，电子工业出版社，2005 2.施敏，现代半导体器件物理，科学出版社，2002 3.王良臣等，半导体量子器件物理讲座（第一讲~第七讲），物理（期刊），2001~2002

半导体器件物理

半导体器件物理 Physics of Semiconductor Devices 教学大纲 课程名称：半导体器件物理 课程编号：M832001 课程学分：2 适用专业：集成电路工程领域 一、课程性质 本课程的授课对象为集成电路工程专业硕士研究生，课程属性为专业基础必修课。要求学生在学习过《电路分析》，《数字电路》，《模拟电路》和《半导体物理》的基础上选修这门课程。 二、课程教学目的 通过本课程教学，使得学生知道微电子学的用途、主要内容，明白学习微电子学应该掌握哪些基础知识；对微电子学的发展历史、现状和未来有一个比较清晰的认识；学会应用《半导体物理》的基础知识来对半导体器件物理进行分析，初步掌握电子器件物理、工作原理等基本概念，对微电子学的整体有一个比较全面的认识。

三、教学基本内容及基本要求 第一章微电子学常识 （一）教学基本内容 第一节晶体管的发明 1.1 晶体管发明的历史过程 1.2 晶体管发明对现代文明的作用 第二节集成电路的发展历史 2.1 集成电路的概念 2.2 集成电路发展的几个主要里程碑 2.3 目前集成电路的现状 2.4 集成电路未来发展的主要趋势 第三节集成电路的分类 3.1 集成电路的分类方法 3.2 MOS集成电路的概念 3.3 双极集成电路的概念 第四节微电子学的特点 4.1 微电子学的主要概念 4.2 微电子学的主要特点 （二）教学基本要求 了解：晶体管发明的过程，晶体管发明对人类社会的作用； 微电子学的概念，微电子学的特点； 掌握：集成电路的概念，集成电路发展的几个主要里程碑；集成电路的分

类方法，MOS集成电路的概念，双极集成电路的概念；第二章p-n结二极管 （一）教学基本内容 第一节p-n结的空间电荷区 1.1 p-n结的结构和制造概述 1.2 p-n结的空间电荷层和内建电场、内建电势 1.3 p-n结的耗尽层（势垒）电容 第二节p-n结的直流特性 2.1 p-n结中载流子的注入和抽取 2.2 理想p-n结的伏-安特性 2.3 实际p-n结的伏-安特性 2.4 大注入时p-n结的伏-安特性 2.5 实际p-n结的电流、正向结电压与温度的关系 第三节p-n结的小信号特性 3.1 p-n结的交流电流密度 3.2 扩散电容C d 第四节p-n结的开关特性 4.1 p-n结中少数载流子存储的电荷 4.2 p-n结的瞬变过程 4.3 p-n结反向恢复时间的计算 第五节p-n结的击穿特性 5.1 隧道击穿（Zener击穿）

现代半导体器件物理复习题

半导体器件物理复习题 1．简述Schrodinger 波动方程的物理意义及求解边界条件。 2．简述隧道效应的基本原理。 3．什么是半导体的直接带隙和间接带隙。 4．什么是Fermi-Dirac 概率函数和Fermi 能级，写出n(E) 、p(E) 与态密度和Fermi 概率函数的关系。 5．什么是本征Ferm 能级？在什么条件下，本征Ferm 能级处于中间能带上。 6．简述硅半导体中电子漂移速度与外加电场的关系。 7．简述Hall 效应基本原理。解释为什么Hall 电压极性跟半导体类型( N 型或P 型) 有关。 8．定性解释低注入下的剩余载流子寿命。 9．一个剩余电子和空穴脉冲在外加电场下会如何运动，为什么？ 10．当半导体中一种类型的剩余载流子浓度突然产生时，半导体内的净电荷密度如何变化？为什么？ 11．什么是内建电势？它是如何保持热平衡的？ 12．解释p-n 结内空间电荷区的形成机理及空间电荷区宽度与外施电压的关系。 13．什么是突变结和线性剃度结。 14．分别写出p-n 结内剩余少子在正偏和反偏下的边界条件。 15．简述扩散电容的物理机理。 16．叙述产生电流和复合电流产生的物理机制。 17．什么理想肖特基势垒？用能带图说明肖特基势垒降低效应。 18．画出隧道结的能带图。说明为什么是欧姆接触。 19．描述npn三极管在前向有源模式偏置下的载流子输运过程。 20．描述双极晶体管在饱和与截止之间开关时的响应情况。 21．画出一个n-型衬底的MOS 电容在积聚、耗尽和反型模式下的能带图。 22．什么是平带电压和阈值电压 23．简要说明p-沟道器件的增强和耗尽型模式。 24．概述MESFET 的工作原理。 25．结合隧道二极管的I-V 特性，简述其负微分电阻区的产生机理。 26．什么是短沟道效应？阐述短沟道效应产生的原因及减少短沟道效应的方法。 短沟道效应( shortchanneleffect )：当金属- 氧化物- 半导体场效应晶体管( MOSFE)T 的沟道长度L 缩短到可与源和漏耗尽层宽度之和(WS WD)相比拟时，器件将发生偏离长沟道 (也即L 远大于WSW D)的行为，这种因沟道长度缩短而发生的对器件特性的影响，通常称为短沟道效应。由于短沟道效应使MOSFET的性能变坏且工作复杂化，所以人们希望消除或 减小这个效应，力图实现在物理上是短沟道的器件，而在电学上仍有长沟道器件的特性。 当器件尺寸缩减时,必须将短沟道效应降至最低程度,以确保正常的器件特性及电路工作在器件按比例缩小设计时需要一些准则，一个简要维持长沟道特性的方法为将所有的尺寸及电压，除上一按比例缩小因素К (> 1)，如此内部电场将保持如同长沟道MOSFET 一般，此方法称为定电场按比例缩小(constant-field scaling) [ 随器件尺寸的缩减，其电路性能(速度以及导通时的功率损耗)得到加强§．然而，在实际的IC 制作中，较小器件的内部电场往往被迫增加而很难保持固定．这主要是因为一些电压因子( 如电源供 电、阈值电压等）无法任意缩减．由于亚阈值摆幅是无法按比例缩小的，所以，假若阈值电压过低，则关闭态（ off state ）（V G=0 ）的漏电流将会显著增加， 因此，待机功率（standby power）损耗亦将随之上升[12]．通过按比例缩小规范，