2013-2017年全球MO源行业发展情况(上海环盟)

2013-2017年全球MO源行业发展情况 ........................... 错误！未定义书签。

2.1 全球MO源行业发展概况 (2)

2.2 供给 (3)

2.3 需求 (4)

2.3.1 下游需求恢复增长 (4)

2.3.2 中上游产能逐渐消化 (7)

2.3.3 需求量 (8)

2.3.4 需求结构 (8)

2.4 市场竞争格局 (9)

2.5 美国 (9)

2.6 台湾 (10)

2.7 韩国 (11)

2.8 欧洲 (11)

2.9 日本 (12)

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2.1 全球MO源行业发展概况

1968年，美国Rockwell公司采用MOCVD工艺首次在绝缘衬底上成功制备出了砷化镓(GaAs)单晶薄膜。

20世纪70年代，美国和日本相继开始研制MO源。

20世纪80年代，美国、日本、英国等先后开发出了60多种MO源，并实现了产业化。由于MO源在化合物半导体和航天领域具有重要战略意义，发达国家出于政治考虑并为了保持技术优势，对MO源产品的出口严厉限制。

为了打破国外在MO源领域的垄断，保障我国半导体产业的顺利发展，我国自“七五”开始便将MO源的研制列入了863计划及国家重点科技攻关项目，并逐渐进入产业化。

图表- 1：全球MO源行业重点企业简介

数据来源：市场调研从2014年全球MO源市场份额来看，南大光电占全球MO源产品市场份额的28.1%，全球排名第一；而全球MO源市场份额排名第二的为Dow（陶氏化学公司），占23.2%，比南大光电的市场占有份额要少近5%。除南大光电外，目前全球主要的MO源生产厂家有Dow、Akzo Nobel（阿克苏诺贝尔公司）和SAFCHitech （赛孚思）等，目前这四家的市场份额总共占全球MO源市场的90%以上。

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图表- 2：2014年全球MO 源市场份额分布

数据来源：市场调研

陶氏与杜邦两大巨头2015年12月11日宣布合并，考虑到经营利润和环保安全的压力，2016年陶氏化学大概率会退出MO 源市场。同样由于成本与公共安全的问题，赛孚思未来也有可能会逐步退出MO 源市场。面对国际几大主要MO 源供应商的退出，南大光电作为全球MO 源第一供应商，在国际市场上亦具有较强影响力的情况下，有机会借此良机扩大MO 源全球市场份额，进一步推进主营业务的增长。

2.2 供给

2009年之前，MO 源的市场需求量较小，市场的供求关系基本上处于供给略微大于需求的状态，但2009年下半年LED 行业的爆发打破了市场供求关系的平衡，MO 源的需求量快速攀升，而MO 源的产能却未能及时跟上，市场出现了较为严重的供应短缺。2013-2016年间，MO 源市场逐渐达到供需平衡，其供需缺口在进一步缩小。未来几年，MO 源光电材料行业将保持正常供求状况，这将为维持行业高利润率和持续发展提供良好的基础。

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图表- 3：2013-2017年9月全球MO 源供给情况分析

数据来源：中国光学光电子行业协会

2.3 需求

2.3.1 下游需求恢复增长

MO 源即高纯金属有机化合物，是采用金属有机化学气相沉积（MOCVD ）技术进行外延生长时的支撑材料，如GaAs 、GaN 、InP 、AlGaAs 等化合物半导体超薄型膜材料，可用来生产LED 外延片、HEMT 器件、半导体激光器、太阳能电池等；是发展光电子产业的关键材料之一，也是生产高亮度、超高亮度发光材料及大规模集成电路的必备原料。在半导体照明、半导体激光器、红外探测、高效太阳能电池、超高速计算机等领域具有广泛的应用，MO 源的市场潜力巨大。

MO 源和特种气体的纯度、品质对外延片乃至最终的光电器件或高频器件有着至关重要的影响，尤其对于技术含量更高的蓝光器件、半导体激光器等产品的功能更是起着决定性的作用。由于MO 源对信息技术的发展具有举足轻重的作用，因此其需求量也在迅速恢复增长。

1、LED 是目前MO 源的主要应用

近年来，全球LED 市场规模年均增长率超过10%，2009年LED 器件市场规模达到82亿美元，2016年全球LED 器件市场达170亿美元，其中高亮LED 占LED