当前位置：文档库 › 电子技术综合复习六

电子技术综合复习六

第六套综合复习试卷

一、填空题

1、两个与非门构成的基本RS触发器的功能有、和。电路中不允

许两个输入端同时为，否则将出现逻辑混乱。

2、通常把一个CP脉冲引起触发器多次翻转的现象称为，有这种现象的触发器是

触发器，此类触发器的工作属于触发方式。

3、为有效地抑制“空翻”，人们研制出了触发方式的触发器和触

发器。

4、JK触发器具有、、和四种功能。欲使JK触发器实现

+1的功能，则输入端J应接，K应接。

n Q

5、D触发器的输入端子有个，具有和的功能。

6、触发器的逻辑功能通常可用、、和等多种方法进行

描述。

7、组合逻辑电路的基本单元是，时序逻辑电路的基本单元是。

8、触发器有两个互非的输出端Q和Q，通常规定Q=1，Q=0时为触发器的状态；Q=0，

Q=1时为触发器的状态。

9、把JK触发器就构成了T触发器，T触发器具有的逻辑功能是

和。

10、让触发器恒输入“1”就构成了T'触发器，这种触发器仅具有功能。

二、正误识别题

1、仅具有保持和翻转功能的触发器是RS触发器。（）

2、基本的RS触发器具有“空翻”现象。（）

3、D触发器的输出总是跟随其输入的变化而变化。（）

4、CP=0时，由于JK触发器的导引门被封锁而触发器状态不变。（）

5、主从型JK触发器的从触发器开启时刻在CP下降沿到来时。（）

6、触发器和逻辑门一样，输出取决于输入现态。（）

7、维持阻塞D触发器状态变化在CP下降沿到来时。（）

8、凡采用电位触发方式的触发器，都存在“空翻”现象。（）

三、选择题

1、仅具有置“0”和置“1”功能的触发器是（）。

A、基本RS触发器

B、钟控RS触发器

C、D触发器

D、JK触发器

S?为（）。

2、由与非门组成的基本RS触发器不允许输入的变量组合R

A、00

B、01

C、10

D、11

3、仅具有保持和翻转功能的触发器是（）。

A、JK触发器

B、T触发器

C、D触发器

D、Tˊ触发器

4、触发器由门电路构成，但它不同门电路功能，主要特点是具有（）

A 、翻转功能

B 、保持功能

C 、记忆功能

D 、置0置1功能

5、TTL 集成触发器直接置0端D R 和直接置1端D S 在触发器正常工作时应（）

A 、D R =1，D S =0

B 、D R =0，D S =1

C 、保持高电平“1”

D 、保持低电平“0”

6、按触发器触发方式的不同，双稳态触发器可分为（）

A 、高电平触发和低电平触发

B 、上升沿触发和下降沿触发

C 、电平触发或边沿触发

D 、输入触发或时钟触发

7、按逻辑功能的不同，双稳态触发器可分为（）。

A 、RS 、JK 、D 、T 等

B 、主从型和维持阻塞型

C 、TTL 型和MOS 型

D 、上述均包括

8、为避免“空翻”现象，应采用（）方式的触发器。

A 、主从触发

B 、边沿触发

C 、电平触发

9、为防止“空翻”，应采用（）结构的触发器。

A 、TTL

B 、MOS

C 、主从或维持阻塞

10、对于T 触发器，若原态Qn=0，欲使新态Qn+1=1，应使输入T=（）。

A.0

B.1

C.Q

D.以上都不对

11、对于D 触发器，欲使Qn+1=Qn ，应使输入D=（）。

A.0

B.1

C.Q

D.Q

12、下列触发器中，不能在CP 上升/下降沿翻转从而克服了空翻现象的是（

）

。 A.边沿D 触发器 B.基本RS 触发器

C.JK 触发器

D.T 触发器

四、简述题

1、时序逻辑电路的基本单元是什么？组合逻辑电路的基本单元又是什么？

2、何谓“空翻”现象？抑制“空翻”可采取什么措施？

五、分析题（共35分）

1、基本RS触发器如图所示，试画出Q对应R和S的波形（设Q的初态为0）。

2、设图中的触发器的初态均为0，试画出Q端的波形。

3、设图中的触发器的初态均为0，试画出对应A、B的X、Y的波形。

4、TTL边沿JK触发器如图(a)所示，输入CP、J、K端的波形如图(b)所示，试对应画出输出Q和Q

端的波形。设触发器的初始状态为Q=0。

5、电路如图(a)所示，输入CP、A、B的波形如图（b）所示，试画出Q和Q端的输出波形。设触

发器的初始状态为Q=0。

6、电路如图(a)所示，输入时钟脉冲CP如图(b)所示，试画出输出Q0和Q1端的波形。设触发器的

初始状态Q0=Q1=0。

《高频电子技术》作业(.8.23.)

《高频电子技术》作业一、填空、选择 1、某无线通信系统的工作频率为225MHz ，它属于超短波频段，波长λ= 米，主要传播方式是直线传播，若天线为线天线，其长度约为米。 2、并联LC 回路在高频电路中作为负载，具有：选频、阻抗变换，功能。 3、高频小信号放大器的主要性能指标有：放大倍数、输入阻抗、输出阻抗、和稳定性。为了提高稳定性，常用的措施有：中和、失配。 4、高频功放在放大调频信号时，一般选：临界工作状态；高频功放在放大AM 信号时，一般选：欠压工作状态。 5、二极管峰值包络检波器用于解调 AM 信号。假设原电路工作正常，若负载电容器C 加大，会引起惰性失真；若调制度m 加大，会引起惰性、底部失真。 6、高频小信号谐振放大器的主要作用是：放大和滤波。从晶体管角度看，影响高频小信号放大器稳定性的因素为 bc C ' ，可用中和法、失配法等方法提高稳定性。 7、噪声系数F N 用于衡量放大器内部噪声大小。F N 越大，则内部噪声越大（大或小）。对级联系统而言，其噪声系数主要取决于：第一级（第一级，中间级，末级）。 8、设FM 波V t t t u FM )106sin 25102cos(5)(37?+?=ππ，其载频c f = 107 Hz ，调制信号频率F= 3×103 Hz ，最大频偏=?m f 75×103 Hz ，调频指数=f m 25 ，

信号带宽FM B = 156×103 Hz ；若调制信号幅度不变，调制信号频率F 增大一倍，则信号带宽FM B = 162×103 Hz 。图9 9、图9所示振荡器电路，o u 的频率为 27 MHz ，晶振在电路中的主要作用是：等效电感。 10、高频谐振动率放大器大多工作在： C 类工作状态。高频谐振功放用作集电极调制器，其工作状态应选为：过压。（1）临界（2）欠压（3）过压 11、电路如图11所示，1000=Q ，0ω= 2×108rad/s ，i R = Ωk 5.2 ，707.0B = 2×106rad/s 。 12、中波波段的频率范围通常为 300kHz ～3MHz ，波长为 102～103m ，主要传播方式为地波、天波。 13、已知一接收机正常接收时所需的最小信噪比为20dB ，其带宽为6MHz ，噪声系数为10db ，则该接收机的灵敏度为。（)/1038.123K J k -?= 图11 14、高频功率放大器在输入为AM 信号时，应选择在欠压状态工作；若输入为FM 信号时，应选择在弱过压（临界）状态工作。 15、并联型晶体振荡器中，晶体等效为电感；在串联型晶体振荡器中，晶体等效为选频短路线。 16、FM 信号可以通过倍频扩大频偏。N 倍频后，其频率稳定度（b ）不变。（a ）提高了N 倍（b ）不变（c ）降低了N 倍

(完整版)电子技术基础复习题及答案

电子技术基础一、选择题： 1．在杂质半导体中,少子浓度主要取决于( ) (A) 掺入杂质的浓度、 (B) 材料、 (C) 温度 2．测得某PNP型三极管各极点位为:UB=-3V UE=-4V UC=-6V,则该管工作于( ) (A) 放大状态、 (B) 饱和状态、 (C) 截止状态 3．在基本共射放大电路中，若更换晶体管使β值由50变为100,则电路的放大倍数( ) (A) 约为原来的1/2倍 (B) 约为原来的2倍 (C) 基本不变 4．在OCL电路中，引起交越失真的原因是( ) (A) 输入信号过大 (B) 晶体管输入特性的非线性 (C) 电路中有电容 5．差动放大器中,用恒流源代替长尾R e是为了( ) (A) 提高差模电压增益 (B) 提高共模输入电压范围 (C) 提高共模抑制比 6．若A+B=A+C，则（） (A) B=C； (B) B=C；(C)在A=0的条件下，B=C 7．同步计数器中的同步是指（）（A）各触发器同时输入信号；（B）各触发器状态同时改变；（C）各触发器受同一时钟脉冲的控制 8．由NPN管组成的单管基本共射放大电路，输入信号为正弦波，输出电压出现顶部被削平的失真，这种失真是（）（A）饱和失真（B）截止失真（C）频率失真 9．对PN结施加反向电压时，参与导电的是（）（A）多数载流子（B）少数载流子（C）既有多数载流子又有少数载流子 10．当温度增加时，本征半导体中的自由电子和空穴的数量（）（A）增加（B）减少（C）不变 11．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（） A、输入电阻高 B、输出电阻低

C 、共模抑制比大 D 、电压放大倍数大 12．对于桥式整流电路，正确的接法是( ) 13．将代码(10000011)8421BCD 转换成二进制数为（） A 、(01000011)2 B 、(01010011)2 13．将代码(10000011)8421BCD 转换成二进制数为（） A 、(01000011)2 B 、(01010011)2 C 、(10000011)2 D 、(000100110001)2 14．N 个变量的逻辑函数应该有最小项（） A 、2n 个 B 、n2个 C 、2n 个 D.、(2n-1)个 15．函数F=B A +AB 转换成或非－或非式为（） A 、 B A B A +++ B 、B A B A +++ C 、B A B A + D 、B A B A +++ 16．图示触发器电路的特征方程Qn+1 =（） A. n n Q T Q T + B. Q T +TQn C. n Q D. T 17．多谐振荡器有（） A 、两个稳定状态 B 、一个稳定状态，一个暂稳态 C 、两个暂稳态 D 、记忆二进制数的功能 18．本征半导体电子浓度______空穴浓度，N 型半导体的电子浓度______空穴浓度，P 型半导体的电子浓度 ______空穴浓度（） A 、等于、大于、小于 B 、小于、等于、大于 C 、等于、小于、大于 19．稳压管构成的稳压电路，其接法是（）

高频电子技术试题库第二章

1LC串联谐振回路发生谐振时，回路电抗为 ______ 。（） A.最大值 B.最小值 C. 0 答案：C 2LC串联谐振回路发生谐振时.回路总阻抗为______ o（） A.最大值 B.最小值 C. 0 答案：B 3LC串联谐振回路发生谐振时，回路电流达到_____ o < ） A.最大值 B.最小值 C. 0 答案：A 4串联谐振曲线是 _____ 之问的关系曲线。（） A.回路电流与谐振回路电流 B.回路电流幅值与信号电压频率 C.回路电压幅值与信号电流频率答案：B 5 LC串联谐振回路 ____ ,谐振特性曲残越尖锐。（） A.回路Q值大 B.回路Q值大 C. 0 答案：A 6 LC串联谐振回路Q值大，回路选择性0 （） A.差B?好 C. 不能确定答案：B 7单回路通频带B与谐振回路Q值成O() A.正比B?反比 C. 无关答案：B () 8单回路通频带B与谐扳频率f成 A.正比B?反比 C. 无关答案：A 9并联谐振回路发生谐振时，回路电纳为 _____ 。（） A.最大值 B.最小值 C. 0 答案：C 10并联谐振回路发生谐振时，回路总导纳为0 () A.最大值 B.最小值C?0 答案：B 11并联谐振回路发生谐振时，阻抗为 () A.最大值 B.最小值C?0 答案：A 12并联谐振回路发生谐振时，电压为 () A.最大值 B.最小值C?0 答案：A 13 LC串脫谐振回路发生失谐时，阻抗为0 () A.大 B.小 C. 0 答案：A 14 LC串联谐振回路发生失谐时，当f V坨时，阻抗呈 _______ 。（） A.容性 B.感性 C. 0

《高频电子技术》试卷及答案

试卷代号： ************************** 期末考试《高频电子技术》试卷(A) **级电子信息专业 200**年6月一、填空题（每空1分，共30分） 1、调制的方式有、、。它们分别由调制信号去控制高频载波的、、。 2、高频放大器按负载形式可分为放大器和放大器。 3、单调谐放大器，多级级联增益，通频带，选择性。 4、镜像干扰是指，抑制这种干扰的主要方法有和。 5、广播电台的载波是1500KHZ ，问接收机本振频率为，对接收机引起干扰的镜频为。 6、有一调幅波表达式为u (t)=25(1+0.7cos 2π×5000t-0.3cos2π×1000t )cos2π×106t,此调幅波包含的频率分量有，各频率对应的幅度分量为。 7、AM 信号幅度最大值为，最小值为，边频信号幅度为，载波信号幅度为。 8、正弦波振荡器由、、组成。 9、石英晶体与电感串联后，由于串联电感增加，串联谐振频率，而并联谐振频率，通频带向低频方向扩展。 10、反馈式振荡器振荡条件是和。二、选择题（每小题3分，共18分））时的等效阻抗最小。 A 串联谐振频率 B 并联谐振频率 C 串联谐振频率与并联谐振频率之间 D 工作频率 2、某丙类高频功率放大器原工作在过压状态，现欲调整使它工作在临界状态，可采用（）方法。 A UCC 增加、Ub 减小、UB B 减小、Re 减小 B UC C 减小、Ub 增加、UBB 增加、Re 增加 C UCC 减小、Ub 减小、UBB 减小、Re 减小 D UCC 增加、Ub 增加、UBB 增加、Re 增加 3、通信系统中，信号需要调制的原因是（） A 要发射的信号频率低 B 为了实现信道复用 C 减小发射天线尺寸 D A 和B 和C 4、低电平调幅器应用在（），高电平调幅器应用在（） A 发射机末级 B 发射机前级 C 发射机中间级 5、在调幅制发射机的频谱中，功率消耗最大的是（） A 载波 B 上边带 C 下边带 D 上、下边带之和 6、若单频调幅波的载波功率Pc=1000W ，调幅系数M=0.3，载波与边频总功率为（） C 1090W D 1180W 三、判断题（每小题1分，共10分） 1、混频可以用线性好的模拟乘法器来实现，这样，输出信号的失真可以减小。（） 2、非线性器件有频率变换作用，而混频电路中也是频率变换电路的一种，所以说非线性器件有混频作用。（） 3、调制信号和载波信号线性叠加也能得到调幅波。（） 4、二极管大信号包络检波器原来无失真，但当输入已调波信号幅度增大时，则将可能产生负峰切割失真。（） 5、同步检波，可以用来解调任何类型的调幅波。（） 6、石英晶体两个谐振频率fs 和fp 很接近，通频带宽度很窄。（） 7、谐振回路Q 值越高，谐振曲线就越尖锐，选择性就越好，而通频带就越宽。（） 8、声表面波滤波器的最大缺点是需要调谐。（） 9、为了是小信号调谐放大器工作稳定可采用中和法，但中和法较难调整。（） 10、电容三点式振荡器适用于工作频率高的电路，但输出谐波成分将比电感三点式振荡器的大。（）四、画图题（10分）已知调幅波表达式，画出他们的波形和频谱图。（c ω=5Ω） (1+0.5COS t t c ωsin )Ω

《电子技术基础》复习要点

《电子技术基础》复习要点课程名称：《电子技术基础》适用专业：2018级电气工程及其自动化（业余）辅导教材：《电子技术基础》张志恒主编中国电力出版社复习要点第一章半导体二极管 1.本征半导体 ?单质半导体材料是具有4价共价键晶体结构的硅Si和锗Ge。 ?导电能力介于导体和绝缘体之间。 ?特性：光敏、热敏和掺杂特性。 ?本征半导体：纯净的、具有完整晶体结构的半导体。在一定的温度下，本征半导体内的最重要的物理现象是本征激发（又称热激发），产生两种带电性质相反的载流子（空穴和自由电子对），温度越高，本征激发越强。 ◆空穴是半导体中的一种等效+q的载流子。空穴导电的本质是价电子依次填补本征晶体中空位，使局部显示+q电荷的空位宏观定向运动。 ◆在一定的温度下，自由电子和空穴在热运动中相遇，使一对自由电子和空穴消失的现象称为复合。当热激发和复合相等时，称为载流子处于动态平衡状态。 2．杂质半导体 ?在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 ◆P型半导体：在本征半导体中掺入微量的3价元素（多子是空穴，少子是电子）。 ◆N型半导体：在本征半导体中掺入微量的5价元素（多子是电子，少子是空穴）。 ?杂质半导体的特性 ◆载流子的浓度：多子浓度决定于杂质浓度，几乎与温度无关；少子浓度是温度的敏感函数。 ◆体电阻：通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 ◆在半导体中，存在因电场作用产生的载流子漂移电流（与金属导电一致），还才能在因载流子

浓度差而产生的扩散电流。 3.PN结 ?在具有完整晶格的P型和N型半导体的物理界面附近，形成一个特殊的薄层（PN结）。 ?PN结中存在由N区指向P区的内建电场，阻止结外两区的多子的扩散，有利于少子的漂移。 ?PN结具有单向导电性：正偏导通，反偏截止，是构成半导体器件的核心元件。 ◆正偏PN结（P+，N-）：具有随电压指数增大的电流，硅材料约为0.6-0.8V，锗材料约为0.2-0.3V。 ◆反偏PN结（P-，N+）：在击穿前，只有很小的反向饱和电流Is。 ◆PN结的伏安（曲线）方程： 4.半导体二极管 ?普通的二极管内芯片就是一个PN结，P区引出正电极，N区引出负电极。 ◆单向导电性：正向导通，反向截止。 ◆正向导通压降：硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 ◆死区电压：硅管0.5V，锗管0.1V。 ?分析方法：将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: ◆若V阳>V阴(正偏)，二极管导通(短路); ◆若V阳

高频电子技术试题库第三章

一、选择题（每题2分） 1在调谐功率放大器中，晶体管工作延伸到非线性区域包括。（） A．截止和饱和区 B．线性和截止区 C．线性和饱和区答案：A 2下列各参数不能够用于调节基本高频调谐功率放大器导通角的参数是。（） A． U B．b E C．L R j 答案：C 3调谐功率放大器工作状态的判定是根据 u与的比较判定。 ce min （） A． U B．bm U C．cm U ces 答案：A 4 一般不用作调谐功率放大器中自给偏压环节的是。（） A．射极电流 B．基极电流 C．集电极电流

答案：C 5 高频调谐功率放大器一般工作在。（） A．甲类 B．乙类 C．丙类答案：C 6 窄带高频功率放大器又被称为。（） A．调谐功率放大器 B．非调谐功率放大器 C．传输线放大器答案：A 7 高频调谐功率放大器分析方法。（） A．近似法 B．折线法 C．等效分析法答案：B 8 高频调谐功率放大器电路中晶体管的发射结。（） A．正偏 B．反偏 C．0偏置答案：B

9 高频调谐功率放大器一般工作时的导通角为。（） A．180o B．90o C．小于90o 答案：C 10 高频调谐功率放大器在静态时，晶体管处于区。（） A．截止 B．饱和 C．线性放大答案：A 11 高频调谐功率放大器无发射结偏置时，硅管的导通角为。（） A．20o~ 40o B．40o ~ 60o C．60o~ 80o 答案：B 12 高频调谐功率放大器无发射结偏置时，锗管的导通角为。（） A．20o~ 40o B．40o ~ 60o C．60o~ 80o

答案：C 13高频调谐功率放大器集电极电流脉冲展开系数中，对应任意导通角，展开系数最大的是。（） A ．0α B ．1α C ．2α 答案：B 14高频调谐功率放大器集电极电流脉冲展开系数中，对应任意导通角，10αα最大值为。（） A ．3 B ．2 C ．1 答案：B 15高频调谐功率放大器集电极电流脉冲展开系数中，对应任意导通角，10αα最小值为。（） A ．3 B ．2 C ．1 答案：C 16 某晶体管的转移特性，其转移导纳j b 10mA/V,U 0.6V,E 1V g ===-，激励信号电压幅值bm U =3.2V ，则导通角为。（） A ．90o B ．60o C ．30o 答案：B

高频电子技术复习题

一、填空题 1.LC回路并联谐振时，回路_______最大，电压电流相位为_______； 2.为了提高放大器的稳定性，可以从电路上设法消除晶体管的内部反向作用，具体方法有_______法和_______法。 3.与低频功放不同，高频功放选用谐振回路作负载，完成两个功能，即_______ 和_______。 4. 集中选频放大器由____________，___________两部分组成。 5.三点振荡器的类型有_____________反馈型和____________反馈型； 6．集电极调幅晶体管应工作于___________________状态； 7、双调谐回路的两种耦合形式为、。 8、普通调幅波的频带宽度为调制信号最大频率的，单边带调幅波的频带宽度为调制信号最大频率的。 9、调频制比调幅制抗干扰能力强的两个主要原因，。 10、设放大器有ｎ级, 各级电压增益分别为Ａu1, Ａu2, …, Ａun, 则总电压增益是。 11、高频功放常采用效率较高的工作状态, 即晶体管集电极电流导通时间输入信号半个周期的工作状态。为了滤除工作时产生的众多高次谐波分量, 常采用回路作为选频网络, 故称为功率放大电路。 12、高频输入回路常采用回路, 中频放大电路常用和两种选频方式。 13、振荡器是一种能自动地将能量转换为一定波形的交变振荡信号能量的转换电路。 14、单边带调幅波比普通调幅相比的优点是，缺点是。二、单项选择题 1.丙类谐振功率放大器的集电板电流i c 的波形和集电极与发射极之间电压u ce 的波形为( ) A. 均为正(余)弦波形 B. 均为周期性脉冲波形 C. ic为周期性脉冲波形、uce为正(余)弦波形 D ic为正(余)弦波形、uce为周期性脉冲波形

201X年《电子技术基础》复习资料(题目)

一、填空题 1、多极放大电路常用的耦合方式有三种：耦合、耦合和耦合。 2、半导体中中存在两种载流子：和。纯净的半导体称为，它的导电能力很差。掺有少量其他元素的半导体称为。杂质半导体分为两种：半导体——多数载流子是电子；P 型半导体——多数载流子是。当把P 型半导体和N 型半导体结合在一起时，在两者的交界处形成一个，这是制造半导体器件的基础。 3、在本征半导体中加入5价元素可形成半导体，加入3价元素可形成半导体。 4、对一个放大电路进行静态分析，首先应作该放大电路的通路，而作，动态分析时，应作该放大电路的通路。若放大电路的静态工作点设置不合理或信号太大，在放大信号时会容易引起输出信号失真。非线性失真分为失真和失真。 5、一只三极管的β＝50，当A I B μ10=时，集电极电流是 mA 。 6、不同类型的反馈对放大电路产生的影响不同。正反馈使放大倍数；负反馈使放大倍数；但其他各项性能可以获得改善。直流负反馈的作用是，交流负反馈能够改善放大电路的。 7、电压负反馈使输出保持稳定，因而了放大电路的输出电阻；而电流负反馈使输出保持稳定，因而了输出电阻。串联负反馈了放大电路的输入电阻；并联负反馈则了输入电阻。在实际的负反馈放大电路中，有以下四种基本的反馈组态：式、式、式和式。 8、滤波电路的主要任务是尽量滤掉输出电路中的成分，同时，尽量保留其中的成分。滤波电路主要由电容、电感等储能元件组成。电容滤波适用于电流，而电感滤波适用于电流。在实际工作中常常将二者结合起来，以便进一步降低成分。 9、直流稳压电源一般由变压器电路、及和稳压电路四部分组成。 10、在三极管多级放大电路中，已知Av1=20、Av2=-10、Av3=1,每一级的负载电阻是第二级的输入电阻，则总的电压增益Av= Av1是放大器，Av2是放大

高频电子技术复习资料

一、填空题： 1. 按照测量方式来分，测量分为直接测量、____间接__测量和_组合_____测量三类。 2. 示波器属于____时__域测量仪器，而频谱仪属于___频___域测量仪器。 3. 用量程为 100mA 的电流表测量电流，若测量值为 95mA，实际值为，则绝对误差为，满度误差为％_____。 4. 仪表的等级分为____7__个等级，其中准确度最低的是。 5. 测量仪器准确度等级一般分为±级的 50V 电压表，其最大的满度误差为_2%_____，在量程范围里面，其最大的绝对误差为_1_____V。 6. 将数字和保留 3 位有效数字，其值为__105____和__104____。 7. 系统误差决定了测量的__正确____度；而随机误差决定了测量的_____精密_____度；而两者决定了系统的_精确____精确_______度。 8. 一色环电阻，四环的颜色顺序为红、紫、红、金，那么它的阻值为___2700Ω___。 9. 一般的高频信号发生器能够输出正弦信号、__脉冲信号____和__高频信号____。 10. 我们民用交流电的电压值是 220V，那么它的均值是_220V_______。 11. 用一个正弦有效刻度的峰值电压表测量一个三角波电压，示值为 10V，那么这个三角波电压的有效值是。

12. 如果一个放大器的增益为 100 倍，用分贝来表示，为____40____dB，两个放大器串联，总增益为____80____ dB。 13. 用测频法测量频率时，被测信号的频率越低，测量准确度越__高____。 14. 放大—检波式灵敏度较__高____，工作频率较___低___，这种电压表也称作__低频____毫伏表。 15. 基本量程为 1V，最大显示为的 DVM，通常称为_4又1/2_____位 DVM，___没有___（有/没有）超量程能力。 16. 欲在 X=10div 长度对测量信号显示两个周期为 1mS 的完整波形，示波器应具有的扫描速度为div______。 17. 示波器中扫描发生器产生的是__锯齿波______波信号。 18. 测量的结果包括___数值___和__单位____两部分。 19. 扫频仪属于___频___域测量仪器，而逻辑分析仪属于__数据____域测量仪器。 20. 一个电压的真值而 100 伏，有电压表测量的示值为 105 伏，那么测量的绝对误差是___5V_________，实际相对误差是__5%_____。 21. 仪表的等级分为___7___个等级，其中准确度最高的是 22. 测量仪器准确度等级一般分为±级的 50V 电压表，其最大的满度误差为_1%_____，在

《电子技术基础》练习题库

《电子技术基础》练习题库第一章思考复习题 1.填空题 (1)半导体中有两种载流子,一种是_______.另一种是_____. (2)在N型半导体中,多数载流子是______.在P型半导体中.主要靠其多数载流子_____导电. (3)PN结单向导电性表现为:外加正向电压时_______;外加反向电压时 ______.。 (4)二极管的反向电流随外界的温度而________.反向电流越小,说明二极管的单向电性________.一般硅二极管的反向电流比锗管_______很多, 所以电流越小,说明二极管的单向导电性________.一般硅二极管的反向电流比锗管_______很多,所以应用中一般多选用硅管. (5)稳压二极管稳压时,应工作在其伏安特性的_______区. (6)三级管是一种________控制器件;而场效应管则是一种______控制器件. (7)三级管工作在放大区的外部条件是:发射结-_______位置,集电结 _________偏置. (8)三级管的输出特性分为三个区域,即_________区、___________区和 _________区. (9)三级管在放大区的特点是:当基极电流固定时,其_______电流基本不变, 体现了三极管的___________特性.

(10) 用在电路中的整流二极管,主要考虑两个参数____________和 _______________,选择时应适当留有余地. (11) 在放大区,对NPN型的三极管有电位关系:Uc___________Ub_______Ue; 而对PNP型的管子,有电位关系:Uc______Ub__________ Ue. (12) 根据结构不同,场效应管分为两大类,__________和___________场效应管. (13) 为实现场子效应管栅源电压对漏极电流的控制作用,结型场效应管在工作时,栅源之间的PN结必须_______位置.N沟道结型场效应管的Ucs 不能______0,P沟道结型场效应管的Ucs不能___________0. (14) 场效应管的参数__________反映了场效应管栅源电压对漏极电流的控制及放大作用. (15) 场效应管与三极管相比较,其特点是:输入电阻比较___________,热稳定性比较_________. 2.选择题 (1)本征半导体,自由电子工业和空穴的数目是________. ①相等②自由电子比空穴的数目多③自由电子比空穴的数目少 (2)P型半导体的空穴数目多于自由电子,则P型半导体呈现的电性为 ______. ①负电②正电③电中性 (3)稳压二极管稳压,利用的是稳夺二级管的______. ①正向特性②反向特性③反向击穿特性

高频复习题(有答案)

高频复习题一、单项选择题 1. 下列表达正确的是（） A. 低频信号可直接从天线有效地辐射 B. 低频信号必须装载到高频信号上才能从天线有效地辐射 C. 高频信号及低频信号都不能从天线上有效地辐射 D. 高频信号及低频信号都能从天线上有效地辐射 2. 高频电子技术所研究的高频工作频率是（） A. 300Hz～30MHz B. 300Hz～30kHz C. 30kHz～300MHz D. 300kHz～3000MHz 3. 在电视广播系统中，图像信号采用（） A. 残留边带调幅方式 B. 单边带调幅方式 C. 双边带调幅方式 D. 正交调幅方式 4. 晶体管fβ参数的定义为（） A. 当β下降到低频电流放大系数的 2 1时，此时的频率为fβ B. 当β的模值下降到低频电流放大系数的2 1时，此时的频率为fβ C. 当频率升高时，β值下降。当β的模值下降到低频电流放大器系数的 2 1时，此时的频率为fβ D.当β的模值下降到低频电流放大系数的10 1时，此时的频率为fβ 5. 在相同条件下，双调谐回路放大器与单调谐放大器相比，下列表达正确的是（） A. 双调谐回路放大器的选择性优于单调谐回路放大器，通频带也较宽 B. 双调谐回路放大器的选择性优于单调谐回路放大器，通频带也较窄 C. 单调谐回路放大器的选择性优于双调谐回路放大器，通频带也较宽 D. 单调谐回路放大器的选择性优于双调谐回路放大器，通频带也较窄 6. 设计一个稳定度高的频率可调振荡器，通常采用（） A. 晶体振荡器 B.变压器耦合振荡器 C. 西勒振荡器 D.哈莱特振荡器 7. 振荡器的幅度由（） A. 相位平衡确定 B. 幅度平衡确定 C. 相位稳定确定 D. 幅度稳定确定 8. 晶体的等效阻抗（） A. 是一个小电阻 B. 是一个大电阻 C. 是电容性 D. 是电感性 9. 电视机的高放与中放电路应采用（） A. 单调谐放大器 B. 双调谐放大器 C. 宽频带放大器 D. 单调谐放大器或双调谐放大器 10.单边带发射机频率合成是通过（） A. 混频、倍频、分频实现的 B. 混频、倍频、检波实现的 C. 倍频、差频、检波实现的 D. 调频、分频、放大实现的 11.在基极调幅电路中，谐振功放工作在（） A. 过压状态 B. 欠压状态 C. 临界状态 D. 任意状态均可

(完整版)模拟电子技术基础-知识点总结

模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子 ----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V 阳 >V 阴 ( 正偏 )，二极管导通(短路); 若 V 阳

高频电子技术试题库第二章

1 LC串联谐振回路发生谐振时，回路电抗为。（） A．最大值B．最小值C．0 答案：C 2 LC串联谐振回路发生谐振时，回路总阻抗为。（） A．最大值B．最小值C．0 答案：B 3LC串联谐振回路发生谐振时，回路电流达到。（）A．最大值B．最小值C．0 答案：A 4串联谐振曲线是之间的关系曲线。（） A．回路电流与谐振回路电流 B．回路电流幅值与信号电压频率 C．回路电压幅值与信号电流频率答案：B 5LC串联谐振回路，谐振特性曲线越尖锐。（）A．回路Q值大B．回路Q值大C．0 答案：A 6LC串联谐振回路Q值大，回路选择性。（）A．差B．好C．不能确定答案：B 7单回路通频带B与谐振回路Q值成。（）A．正比B．反比C．无关答案：B 8单回路通频带B与谐振频率f成。（） A．正比B．反比C．无关答案：A 9 并联谐振回路发生谐振时，回路电纳为。（） A．最大值B．最小值C．0 答案：C 10 并联谐振回路发生谐振时，回路总导纳为。（） A．最大值B．最小值C．0 答案：B 11 并联谐振回路发生谐振时，阻抗为。（） A．最大值B．最小值C．0 答案：A 12并联谐振回路发生谐振时，电压为。（） A．最大值B．最小值C．0 答案：A 13 LC串联谐振回路发生失谐时，阻抗为。（） A．大B．小C．0 答案：A 14 LC串联谐振回路发生失谐时，当f＜f0时，阻抗呈。（） A．容性B．感性C．0

15 LC串联谐振回路发生失谐时，当f＞f0时，阻抗呈。（） A．容性B．感性C．0 答案：B 16 并联谐振回路发生失谐时，当f＜f0时，阻抗呈。（） A．容性B．感性C．0 答案：B 17 并联谐振回路发生失谐时，当f＞f0时，阻抗呈。（） A．容性B．感性C．0 答案：A 18 负载回路采用部分接入方式接入电路时，接入系数n越小，二次负载等效到一次边是阻抗。（） A．越小B．0 C．越大答案：C 19 负载回路采用部分接入方式接入电路时，接入系数n越小，对回路的影响。（） A．越小B．0 C．越大答案：A 20 耦合回路临界耦合时，η。（） A．大于1 B．等于1 C．小于1 答案：B 21 耦合回路强耦合时，η。（） A．大于1 B．等于1 C．小于1 答案：A 22 耦合回路弱耦合时，η。（） A．大于1 B．等于1 C．小于1 答案：C 23 强耦合时，耦合回路η越大，谐振曲线在谐振频率处的凹陷，。（） A．越大B．越小C．不出现答案：A 24LC组成一个串联谐振回路，谐振时串联阻抗。（） A．最大B．最小C．无法估计答案：B 25LC组成一个串联谐振回路，谐振频率f0，把它用在并联电路中作为一条并联支路，它滤除信号的频率为。（） A．f0B．大于f0C．小于f0 答案：A 26 LC组成一个串联谐振回路，谐振频率f0，把它用在串联电路中，频率为的信号最易通过。（） A．f0B．大于f0C．小于f0 答案：A 27 LC组成并联谐振回路，谐振频率f0，把它用在串联电路中，就能阻止频率为的信号通过。（） A．f0B．大于f0C．小于f0 答案：A 28 LC组成并联谐振回路，谐振频率f0，把它用在并联电路中，对于的频率，并联回路对它阻抗最大（） A．f0B．大于f0C．小于f0

高职高专—高频电子技术期末复习材料分解

本人根据老师上课划的重点，自己手敲这么多字，收你们一个财富值，请多见谅，对不起了！！！高频电子线路期末复习 1.无线通信系统由发射设备，传输媒质，接收设备三部分组成。 ①发射设备：信息源、变换器、发射机、发射天线。 ②接收设备：受信人、变换器、接收机、接收天线。 ③传输媒质：自由空间。 2.发射设备的基本组成振荡器、倍频器、低频放大器、功率放大器、调制器。 3.接收设备的基本组成高频放大器、混频器、本地振荡器、中频放大器、解调器、低频放大器。 4.三种调制方式：①调幅②调频③调相 5.三种解调方式： ①检波（调幅波的解调） ②鉴频（调频波的解调） ③鉴相（调相波的解调） 6.无线通信中为什么要进行调制与解调？它们的作用是什么？ ①天线尺寸：天线尺寸与被辐射信号的波长相比拟时（波长λ的1/10~1），信号才能被天线有效的辐射出去。对于音频范围20Hz~20kHz来说，这样的天线不可能实现。 ②信号选择：如果直接发射，多家电台的发射信号频率范围大致相同，信号会干扰，接收机无法区分。 7.示意画出超外差式调幅收音机的原理框图，简要叙述其工作原理。

答：工作原理：接收天线接收从空间传来的电磁波并感生出微小的高频信号，高频放大器从中选择出所需的信号并进行放大，得到高频调幅波信号u1(t)，高频放大器通常由一级或多级具有选频特性的小信号谐振放大器组成。本地振荡器（又称本机振荡器）产生高频等幅振荡信号u2(t)，它比u1(t)的载频高一个中间频率，简称中频。调幅波信号u1(t)和本振信号u2(t)同时送至混频器进行混频，混频后输出电压u3(t)。u3(t)与u1(t)相比，其包络线的形状不变，即仍携有原来调制信号的信息，但载波频率则转换为u2(t)的频率与u1(t)的载频之差，即转换为中频，因此u3(t)为中频调幅波信号。u3(t)经中频放大器放大为u4(t)，再送到检波器。检波器从中频调幅信号u4(t)中取出反映传送信息的调制信号u5(t)，再经低频放大器放大为u6(t)，送到扬声器中转变为声音信号。 8.如接收的广播信号频率为936KHZ，中频为465KHZ，问接收机的本机振荡频率是多少？ 9.区分点 ①高频小信号放大器工作在甲类工作状态 ②高频功率放大器工作在丙类工作状态 10.宽带放大器的主要技术指标 ①通频带②增益③输入阻抗④失真 11.宽带放大器的分析方法 ①稳态法：通过分析宽放对不同频率正弦波的响应，得到电路的幅频特性和相频特性，并由此分析出该放大器的一些性能指标。 ②暂态法：通过观察矩形阶跃脉冲经宽放后波形的失真情况来判断该放大器的特性。 12.扩展放大器通频带的方法 ①负反馈法 ②组合电路法 ③补偿法【基极回路补偿；发射极回路补偿；集电极回路补偿】 13.简述共射-共基组合电路扩展通频带的原理。答：对于“共射-共基”组合电路，由于共基电路的上限频率远高于共射电路，所以整个组

电子技术基础期末复习资料(含答案)

11级电子技术基础期末复习资料一．概念填空： 1．电路由电源负载中间环节三部分组成。 2．电路中电流数值的正或负与参考方向有关，参考方向设的不同，计算结果也不同。 3．理想电压源的端电压与流过它s的电流的方向和大小无关，流过它的电流由端电压与外电路所共同决定。 4．由电路中某点“走”至另一点，沿途各元件上电压代数和就是这两点之间的电压。5．相互等效的两部分电路具有相同的伏安特性。 6．电阻并联分流与分流电阻值成反比，即电阻值大者分得的电流小，且消耗的功率也小。 7．串联电阻具有分压作用，大电阻分得的电压大，小电阻分得的电压小功率也小。 8．实际电压源与实际电流源的相互等效是对外电路而言。 9．在电路分析中，应用戴维南或诺顿定理求解，其等效是对外电路而言。 11 ．常用的线性元件有电阻、电容、电感，常用的非线性元件有二极管和三极管。 12．二极管正向偏置，是指外接电源正极接二极管的阳（或正）极，外接电源负极接二极管的阴（或负）极。 13．P型半导体是在本征半导体中掺杂 3 价元素，其多数载流子是空穴，少数

载流子是自由电子。 40. N 型半导体是在本征半导体中掺杂 5 价元素，其多数载流子是自由电子，少数载流子是空穴。 14．若三极管工作在放大区，其发射结必须正偏、集电结必须反偏；三极管最重要的特性是具有电流放大作用。 15.根据换路定则，如果电路在t=0时刻发生换路，则电容的电压u c(0+)= uc(0-) ,电感电流i l (0+)= i l (0-) 。 16.三极管工作时，有三种可能的工作状态，它们分别是__放大状态_、___饱和状态、___ 截止状态_____。 38．3个输入的译码器，最多可译出 __8____(2×2×2)____ 路的输出。 17.4个输入的译码器，最多可译出 __16___（2×2×2×2）______ 路的输出。 18.根据逻辑功能的不同，可将数字电路分为___组合 ______逻辑电路和时序________逻辑电路两大类。 19.F=A ——(B+C) +AB C —— 的最小项表达式是 m1+m2+m3+m6 。 20．两个电压值不同的理想电压源并联，在实际电路中将不允许（或不存在）。 33．两个电流值不同的理想电流源串联，在实际电路中将不允许（或不存在）。 21.基本数字逻辑关系有与、或、非三种。

电子技术综合复习六

《高频电子技术》作业(.8.23.)

(完整版)电子技术基础复习题及答案

高频电子技术试题库第二章

《高频电子技术》试卷及答案

《电子技术基础》复习要点

高频电子技术试题库第三章

高频电子技术复习题

201X年《电子技术基础》复习资料(题目)

最新高频电子期末考试试题及答案

高频电子技术复习资料

《电子技术基础》练习题库

高频复习题(有答案)

(完整版)模拟电子技术基础-知识点总结

高频电子技术试题库第二章

高职高专—高频电子技术期末复习材料分解

电子技术基础期末复习资料(含答案)

高频电子技术试题库-第二章

电子技术综合复习六

《高频电子技术》作业(.8.23.)

(完整版)电子技术基础复习题及答案

高频电子技术试题库第二章

《高频电子技术》试卷及答案

《电子技术基础》复习要点

高频电子技术试题库第三章

高频电子技术复习题

201X年《电子技术基础》复习资料(题目)

最新高频电子期末考试试题及答案

高频电子技术复习资料

《电子技术基础》练习题库

高频复习题(有答案)

(完整版)模拟电子技术基础-知识点总结

高频电子技术试题库 第二章

高职高专—高频电子技术期末复习材料分解

电子技术基础期末复习资料(含答案)

高频电子技术试题库-第二章

高频电子技术试题库第二章