模电题库及答案
模拟电子线路随堂练习
第一章半导体器件
作业1-1
一、习题（满分100分）
1.N型半导体带负电，P型半导体带正电。（）
2.以空穴为主要导电方式的半导体称为P型半导体。（）
3.PN结处于正向偏置时，正向电流小，电阻大，处于导通状态。（）
4.晶体二极管的反向电压上升到一定值时，反向电流剧增，二极管被击穿，就不能再使用了。（）
5.硅二极管两端只要加上正向电压时立即导通。（）
6.在本征半导体中，空穴和自由电子两种载流子的数量不相等。（）
7.晶体三极管的基极，集电极，发射极都不可互换使用。（）
8.晶体三极管工作在饱和状态的条件是：发射结正偏，集电结正偏。（）
9.晶体三极管有三种工作状态，即：放大状态，饱和状态，导通状态。（）
10.三极管是一种电压控制器件，场效应管是一种电流控制器件。（）
11.温度升高后，在纯净的半导体中（）。
A.自由电子和空穴数目都增多，且增量相同
B.空穴增多，自由电子数目不变
C.自由电子增多，空穴不变
D.自由电子和空穴数目都不变
12.如果PN结反向电压的数值增大（小于击穿电压），则（）。
A.阻当层不变，反向电流基本不变
B.阻当层变厚，反向电流基本不变
C.阻当层变窄，反向电流增大
D.阻当层变厚，反向电流减小
一、习题（满分100分）
1.N型半导体（）。
A.带正电
B.带负电Ｃ.呈中性Ｄ.不确定
2.如果二极管的正反向电阻都很大，则该二极管（）。
A.正常
B.断路Ｃ.被击穿Ｄ.短路
3.对于晶体二极管，下列说法正确的是（）。
A.正向偏置时导通，反向偏置时截止
B.反向偏置时无电流流过二极管
C.反向击穿后立即烧毁
D.导通时可等效为一线性电阻
4.工作在放大状态的三极管两个电极电流如图，那么，第三个电极的电流大小、方向和管脚自左至右顺序分别为（）。
A.0.03mA 流出三极管e、c、b
B.0.03mA 流进三极管e、c、b
C.0.03mA 流出三极管c、e、b
D.0.03mA 流进三极管c、e、b
5.测得电路中晶体三极管各电极相对于地的电位如图，从而可判断该晶体管工作在（）。
A.饱和状态
B.放大状态
C.倒置状态Ｄ.截止状态
6.PNP型晶体管工作在放大状态，三个极电位的关系是（）。
A.V C>V B>V E
B. V C> V E> V BＣ.V E>V B> V CＤ.V E>V C>V B
7.PNP型硅管工作在放大状态，各极对地电位分别是V1=6V，V2=2.7V，V3=2V，则1，2，3分别为（）。
A.发射极、基极、集电极
B.集电极、基极、发射极
C.集电极、发射极、基极
D.基极、集电极、发射极
8.测得三极管i b=30μA时i c=2.4mA，而i b=40μA时i c=3mA，则该管的交流电流放大系数β为（）。
A.60
B.75
C.80Ｄ.100
9.NPN型硅管各极对地电位分别是V1=6V，V2=2.7V，V3=2V，则1，2，3分别为（）。
A.基极、集电极、发射极
B.发射极、基极、集电极
C.集电极、发射极、基极
D.集电极、基极、发射极
10.三极管输出特性曲线可分为三个区，下列不属于工作区的是（）。
A.截止区
B.放大区
C.饱和区Ｄ.击穿区
11.在放大电压信号时，通常希望放大电路的输入电阻和输出电阻分别为（）
A.输入电阻小，输出电阻大
B.输入电阻小，输出电阻小
C.输入电阻大，输出电阻小
D.输入电阻大，输出电阻大
一、习题（满分100分）
1.以下属于半导体的是（）。
A.锗
B.塑料Ｃ.铜Ｄ.云母
2.P型半导体中的多数载流子是（）。
A.负电荷
B.自由电子Ｃ.正电荷Ｄ.空穴
3.将PN结P区接电源负极，N区接电源正极，此时PN结处于（）偏置。
A.正向
B. 双向Ｃ.单向Ｄ.反向
4.将PN结两端加反向电压时，在PN结内参与导电的是（）。
A.空穴
B.自由电子Ｃ.自由电荷Ｄ.空穴和自由电子
5.由理想二极管组成的电路如图所示，其A、B两端的电压为（）。
A.+6V
B.-6VＣ. -18VＤ.+18V
6.在半导体材料中，其说法正确的是（）。
A.P型半导体和N型半导体材料本身不带电
B.P型半导体中，由于多数载流子为空穴，所以它带正电
C.N型半导体中，由于多数载流子为自由电子，所以它带负电
D.N型半导体中，由于多数载流子为空穴，所以它带负电
7.如果二极管的反向电阻都很小或者为零，则该二极管（）。
A.正常
B. 短路Ｃ.断路Ｄ.被击穿
8.实现晶体三极管截止的条件是（）。
A.发射结正偏，集电结反偏
B.发射结，集电结均正偏
C.发射极，集电结均反偏
D.发射结反偏，集电结正偏
9.满足△I C=β△I B的关系时，三极管一定工作在（）。
A.截止区
B. 放大区Ｃ.饱和区Ｄ.以上都可以
10.测得三极管i b=10μA时，i c=2.4mA；而i b=30μA时，i c=3.4mA，则该管的交流电流放大系数β为（）。
A.50
B.60
C. 80 Ｄ.100
11.PN结未加外部电压时，扩散电流漂流电流，加正向电压时，扩散电流漂流电流，其耗尽层；加反向电压时，扩散电流漂流电流，其耗尽层。
12.三极管工作在饱和区时，发射结为，集电结为，工作在放大区时，发射结为，集电结为，此时，流过发射结的电流主要是，流过集电结的电流主要是。
第二章放大电路的基本原理和分析方法
作业2-1
一、习题（满分100分）
1.放大器放大信号的能量来源于交流信号强与弱。（）
2.电压放大倍数小于1，输入电阻小，输出电阻大，为共射极输出电路。（）
3.既能放大电压，又能放大电流，是共集电极放大电路。（）
4.单级共发射极放大电路中，u i为正弦信号时，u o正半周出现削顶，表明放大器出现截止失真。（）
5.放大器的输入电阻越小越好，放大器的输出电阻越大越好。（）
6.直接耦合放大器可以阻止直流使信号变得缓慢。（）
7.放大器采用分压式偏置电路，主要目的是为了提高输入电阻。（）
8. 当输入信号不太大时，要使信号在整个周期内不发生非线性失真取决静态工作点的设置。（）
9.放大电路分析常使用图解法和微变等效电路法。（）
10.晶体管的连接组态为共射极，共基极和共源极三种组态。（）
11.放大电路输出电阻越小，带负载能力越强。（）
一、习题（满分100分）
1.在共射极电路中，当用直流电压表测得U CE=U CC时，有可能是因为（）。
A.R b开路
B.R b过小
C. R c开路
2.单级共射极放大电路中u o与u i相位相差（）。
A.0
B.900
C.1800
D.2700
3.在放大电路中，三极管因故由放大状态进入截止，此时三极管的集电极电位会（）。
A.降低
B.升高
C.不变
D.先升高，后降低
4.单管共射极放大器输入正弦电压，用示波器观察到输出波形的正半周被削顶，该放大器的静态工作点设置得（）。
A.无法确定
B.偏高
C.偏低
5.在分压式偏置电路中，发射极旁路电容C e的作用是。（）
A.减少信号的损耗
B.使工作点稳定
C.增大放大能力
6.为了使高阻输出的放大电路与低阻负载很好地配合，可以在放大电路与负载之间插入（）。
A.共基极电路.
B.共射极电路
C.共集电极电路
7.放大器三种组态都有（）。
A.电流放大作用
B.电压放大作用
C.功率放大作用
D.储存能量作用
8.在共射、共集电极和共基极三种放大电路组态中，电压放大倍数小于1的是（）。
A.共基极
B.共集电极
C.共发射极
D.不确定
9.放大器把信号放大，其放大器的作用是。（）
A.晶体管把交流能量进行放大
B.晶体管把小能量进行放大
C.放大器不消耗电能
D.把直流电源提供的能量转换成交流信号
10.在分压式共射极放大电路中，若更换管子使β由50变为100，则电路中的电压放大倍数（）。
A.约为原来的0.5倍
B. 约为原来的2倍
C. 约为原来的4倍
D.基本不变
12.射极跟随器具有，，等三个特点。
13.在晶体管组成的三种基本放大电路中，输出电阻最小的是电路，输入电阻最小的是电路，输出电压与输入电压相位相反的是电路。无电流放大能力的是放大电路，无电压放大能力的是放大电路。但三种放大电路都有放大能力。
－、习题（满分100分）
1.在分压式偏置电路中，发射极旁路电容C e的作用是（）。
A.减少信号的损耗
B.使工作点稳定
C.增大放大能力
2.在极低频直流放大电路中，主要采用（）。
A.阻容耦合方式
B.变压器耦合方式
C.直接耦合方式
3.共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（），此时应该（）偏置电阻。
A.饱和失真
B.截止失真
C.交越失真
D.增大
E.减小
4.直接耦合多级放大电路（）。
A.只能放大直流信号
B.只能放大交流信号
C.既能放大直流信号也能放大交流信号
D.既不能放大直流信号也不能放大交流信号
5.晶极管放大电路共有三种组态分别是、、放大电路。
6.晶体三极管具有放大作用时，发射结，集电结。
7.在放大状态下，晶体三极管的集电极电流I c=，所以它是控制元件。
8.对共基极电路而言，输出信号和输入信号。
9.晶体三极管的三种工作状态分别是、、。
10.共集电极放大电路具有电压放大倍数，输入电阻，输出电阻等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。
11.共基极放大电路的高频特性比共射极电路，f a=fβ。
12.在画放大电路的直流通路时，应该将电路中的电容。
一、习题（满分100分）
1.如图所示，放大电路中，已知V CC=15V，R s=0.5KΩ，R b1=40KΩ，
R b2=20K，Rc=2KΩ，R E1=0.2KΩ，R E2=1.8KΩ，R L=2KΩ，β=50，U BE=0.7V。试求：
(1)电路的静态工作点
(2)画出微变等效电路
(3)输入电阻R i和输出电压R o
(4)电压放大倍数A u
2.如图所示的放大电路中，已知R b1=16kΩ，R b2=11kΩ, R c1=0.5kΩ，
=2.2kΩ，R E1=0.2kΩ, R E2=2.2kΩ，R L=2.2kΩ，β=80，u BE=0.7V，
R
V CC=24V。试求：
（1）静态工作点
（2）画出微变等效电路
（3）电压放大倍数
（4）输入电阻R i、输出电阻R o
第四章功率放大电路
作业4-1
一、习题（满分100分）
1.甲类功率放大电路的能量转换效率最高是（）。
A.50%
B. 78.5%
C.100%
2.乙类互补推挽功率放大电路的能量转换效率最高是（）。
A.50%
B.78.5%
C.100%
3.为了消除交越失真，应当使功率放大电路的功放管工作在（）状态。
A.甲类
B.甲乙类
C.乙类
4.乙类互补功放电路中的交越失真，实质上就是（）。
A.线性失真
B.饱和失真
C.截止失真
5.在乙类互补推挽功率放大电路中，每只管子的最大管耗为（）。
A.0.5P om
B. 0.4P om
C.0.2P om
6.乙类互补推挽功率放大电路中，若电源电压为V CC，放大管的饱和压降为U CES，那么放大管的最大管压降为（）。
A.V cc/2
B.V cc/2-U CES
C.2V cc
7.互补输出级采用射极输出方式是为了使（）。
A.电压放大倍数高
B.输出电流小
C.输出电阻增大
D.带负载能力强
8.什么是交越失真，如何克服交越失真？
第五章集成运算放大电路
作业5-1
－、习题（满分100分）
1.大小相等，极性相同的两个输入信号称为差模信号。（）
2.共模抑制比越小，则差分放大器抑制零点漂移的能力也愈弱。（）
3.差分放大器对差模信号有抑制作用，对共模信号有放大作用。（）
4.采用差分放大电路的目的是为了放大直流信号。（）
5.共模抑制比越大差分放大器抑制零点漂移的能力越强。（）
6.已知单管放大器的放大倍数A u1＝A u2＝50，则差分放大器的差模放大倍数A ud为（）
A．20 B．30 C．40 D．50
7.已知单管放大器的放大倍数A u1＝A u2＝100，若差分放大器的共模放大倍数为0.02，则共模抑制比为（）
A．2000 B．2500 C．4000 D．5000
8.集成运放的输出级一般采用（）。
A.共基极电路
B.阻容耦合电路
C.互补对称电路
9.集成运放的中间级主要是提供电压增益，所以多采用（）。
A.共集电极电路
B.共发射极电路
C.共基极电路
10.集成运放中的偏置电路，一般是电流源电路，其主要作用是（）。
A.电流放大
B.恒流作用
C.交流传输
11.图5-1是集成运放BG303偏置电路的示意图，已知±U CC=±15V，
外接偏置电阻R=1MΩ，设三极管的β值均足够大，U BEQ=0.7V，试估算
基准电流I REF以及输入级放大管的电流I C1和I C2。
图5-1 12.图5-2所示是一集成运放偏置电路的示意图，已知-U CC =-6V，
R5=85Ω，R4 =68Ω，R3 =1.7KΩ，设三极管的β足够大，U BE=0.6V，试
问T1、T2的静态电流I C1，I C2为多大?
图5-2
1.实用差分放大电路中的发射极电阻R e，将使电路的（）。
A.差模放大倍数值增大
B.差模输入电阻增大
C.抑制共模信号能力增强
2.对集成电路描述正确的是（）。
A.高输入电阻，高输出电阻，高增益
B.高输入电阻，低输出电阻，高增益
C.高输入电阻，低输出电阻，低增益
D.低输入电阻，低输出电阻，低增益
3.对于放大电路，所谓开环是指（）。
A.无信号源
B.无电源
C.无反馈通路
D.无负载
4.差分放大电路由双端输入变为单端输入，差模电压放大倍数（）。
A.增加一倍
B.减小一半
C.不变
D.按指数规律变化
5.如图所示的差分放大电路中，为了使输入电压为零时，输出电压也为零，
加入了调零电位器R P。已知β1=β2=50，u BE1=u BE2= 0.7V，R c=10kΩ，R S=1kΩ，
R P=200Ω，R e=10kΩ，R L=0.15kΩ，V CC=15v。试求：I CＱ，U CQ，差模输
入电阻R id、输出电阻R O及差模电压增益A Vd
－、习题（满分100分）
1.差动放大电路的主要特点是（）。
A.有效放大差模信号，有力抑制共模信号
B.既放大差模信号，又放大共模信号
C.有效放大共模信号，有力抑制差模信号
D.既抑制差模信号，又抑制共模信号。
2.直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是（）。
A.电阻阻值有误差
B.晶体管参数的分散性
C.晶体管参数受温度影响
D.受输入信号变化的影响
3．典型的差分放大电路中R e （）。
A.对差模信号起抑制作用
B.对共模信号起抑制作用
C.对差模信号和共模信号均无作用
4．在差动电路中，若单端输入的差模输入电压为20V ，则其共模输入电压为（）。
A.40V
B.20V
C.10V
D.5V
5.在集成运放中，一般采用差分放大电路来克服现象。
6.在集成运放中，电流源电路的主要作用有两种：一是为放大电路提供合适的，二是作为放大电路的。
7.什么是零点漂移，产生的原因是什么，抑制零点漂移最有效的方法是什么？
8.电路如图所示，, 20,30,52121Ω=Ω==Ω==k R k R R k R R e C C b b 1T 和2T 的性能一致，V 15V ,V 15V EE CC -=-+=+；
Ω==k 4r r 2be 1be ，5021=β=β；U BEQ =0.7V 。试求：
１）求静态工作点即I BQ ，I CQ ，U CQ
２）求ud A ，id R ，od R ；
３）电路改成从Ｔ２的集电极与地之间输出时ud A
－、习题（满分100分）
1.差分放大电路公共端R E上的直流电流近似等于单管集电极电流I CQ（）倍。
A.1
B.2
C.3
2.K MCR是差分放大电路的一个主要技术指标，它反映放大电路（）能力。
A.放大差模抑制共模
B.输入电阻高
C.输出电阻低
3.差分放大电路能够抑制（）信号，放大（）信号。
4.差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于集成电路中。
5.差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。
6.通用型集成运放一般由哪几个部分组成，每一个部分常采用哪种基本电路？
7.如图所示，电路中已知T1、T2均为硅管，U BE1=U BE2=0.7V，R C1=R C2=3.8KΩ，R B1=R B2=1KΩ,R E=5.1KΩ，V CC=1.5V，
V EE=-12V，β1=β2=50
试计算：
(1)静态工作点的值；
(2)差模电压放大倍数、共模电压放大倍数及共模抑制比；
(3)差模输入电阻、共模输入电阻及输出电阻。
第六章放大电路中的反馈
作业6-1
－、习题（满分100分）
1.若放大电路的放大倍数为负值，则引入的一定是负反馈。（）
2.要使放大电路的输出电流稳定并使输入电阻增大，则应引入电流串联负反馈。（）
3.在放大电路中引入电压负反馈可以使输出电阻减小，引入电流负反馈可以使输出电阻增大。（）
4.交流反馈是指（）。
A.只存在于阻容耦合电路中的负反馈
B.变压器耦合电路中的负反馈
C.交流通路中的负反馈
D.放大正弦信号时才有的负反馈
5.若引入反馈后（），则说明引入的反馈是串联负反馈。
A.输入电阻减小
B.输出电阻减小
C.输出电阻增大
D.输入电阻增大
6.在输入量不变的情况下，若引入反馈后（），则说明引入的是负反馈。
A.输入电阻增大
B.输出量增大
C.净输入量增大
D.净输入量减小
7.欲实现电流放大，输出稳定信号电流，应引入( )负反馈。
A.电压并联
B.电流串联
C.电压串联
D.电流并联
8.需要一个阻抗变换电路，要求输入电阻大，输出电阻小，应选用( )负反馈。
A.电压串联
B.电压并联
C.电流串联
D.电流并联
9.在深度负反馈条件下，闭环增益主要取决于，而与开环增益基本无关。
10.在放大电路中，引入电压负反馈可以稳定、降低。
11.若希望提高放大电路的输入电阻且稳定输出电流，应选用。
12.什么是深度负反馈？其本质是什么？
1.电路中只要引入负反馈就可以改善电路的性能。（）
2.振荡电路中只要引入了负反馈，就不会产生振荡信号。（）
3.根据负反馈自动调节原理，交流负反馈可以减弱闭环内部的噪声、干扰和非线性失真。（）
4.引入负反馈后放大电路的通频带（）。
A.变窄
B.不变
C.展宽
5.按要求填写负反馈的四种类型
（1）需要一个电流控制的电压源，应选择负反馈；
（2）某仪表放大电路要求R i大，输出电流稳定，应选择负反馈；
（3）为减小从信号源索取的电流并增强带负载能力，应引入负反馈。
6.“负反馈改善非线形失真。所以，不管输入波形是否存在非线形失真，负反馈总能将它改善为正常波形。”这种说法对吗？为什么？
7.什么叫“虚短”、“虚断”？负反馈放大电路是否都有“虚短”、“虚断”的特点？
8.深度负反馈放大电路有何特点？其闭环电压增益如何估算？
9.反馈放大器电路如下图所示，试回答：
（1）判断该电路引入了何种反馈？反馈网络包括哪些元件？工作点的稳定主要依靠哪些反馈？
（2）该电路的输入输出电阻如何变化，是增大还是减少了？
（3）在深反馈条件下，交流电压增益A uf＝？
1.负反馈放大电路以降低电路的（）来提高电路的其他性能指标。
A.带宽
B.稳定性
C.增益
D.输入电阻
2.为了稳定放大电路的输出电压，那么对于高内阻的信号源来说，放大电路应引入（）负反馈。
A.电流串联
B.电流并联
C.电压串联
D.电压并联
3.直流负反馈在电路中的主要作用是（）。
A.提高输入电阻
B.降低输出电阻
C.增大电路增益
D.稳定静态工作点
4.若希望减小放大电路从信号源索取的电流，应采取反馈；若希望取得较强的反馈作用而信号源内阻又很大，应采用反馈；当负载变化时，若希望输出电流稳定。应采用反馈。
5.负反馈类型可分为、、和四种。
6.负反馈放大电路产生自激振荡的幅度条件是________，相位条件是。
7.如下图所示的反馈电路，试求：
（1）用瞬时极性法在电路图上标出极性，并指出反
馈的类型；
（2）说明反馈对输入电阻和输出电阻的影响；
（3）在深度负反馈条件下的闭环电压放大倍数。
第七章模拟信号运算电路
作业7-1
－、习题（满分100分）
7．理想运放的两个重要结论是（C）
A. 虚地与反相
B.虚短与虚地
C. 虚短与虚断
D.断路与短路
2.要使放大电路的输出电流稳定并使输入电阻增大，则应引入电流串联负反馈。（）
3.在放大电路中引入电压负反馈可以使输出电阻减小，引入电流负反馈可以使输出电阻增大。（）
4.交流反馈是指（）。
A.只存在于阻容耦合电路中的负反馈
B.变压器耦合电路中的负反馈
C.交流通路中的负反馈
D.放大正弦信号时才有的负反馈
5.若引入反馈后（），则说明引入的反馈是串联负反馈。
A.输入电阻减小
B.输出电阻减小
C.输出电阻增大
D.输入电阻增大
6.在输入量不变的情况下，若引入反馈后（），则说明引入的是负反馈。
A.输入电阻增大
B.输出量增大
C.净输入量增大
D.净输入量减小
7.欲实现电流放大，输出稳定信号电流，应引入( )负反馈。
A.电压并联
B.电流串联
C.电压串联
D.电流并联
8.需要一个阻抗变换电路，要求输入电阻大，输出电阻小，应选用( )负反馈。
A.电压串联
B.电压并联
C.电流串联
D.电流并联
9.在深度负反馈条件下，闭环增益主要取决于，而与开环增益基本无关。
10.在放大电路中，引入电压负反馈可以稳定、降低。
11.若希望提高放大电路的输入电阻且稳定输出电流，应选用。
12.什么是深度负反馈？其本质是什么？
习题参考答案
第一章习题答案
作业1-1
1.×
2.√
3.×
4.C
5.×
6.×
7.√
8.√
9.×10.×11.A 12.B
作业1-2
1.C
2.C
3.A
4.C
5.D
6.C
7.A
8.A
9.D10.D11.C
作业1-3
1.Ａ
2.Ｄ
3.Ｄ
4.D
5.B
6.A
7.D
8.D
9.B 10.A11.等于、大于、变薄、小于、变厚12.正偏、正偏、正偏、反偏扩散电流、漂移电流
第二章习题答案
作业2-1
1.×
2.×
3.×
4.√
5.×
6.×
7.×
8.√
9.√10.×11.√
作业2-2
1.Ａ
2.Ｃ
3.Ｂ
4.Ｃ
5.Ｃ
6.Ｃ
7.Ｃ
8.Ｂ
9.Ｄ10.Ｂ12.输入电阻高，输出电阻低，电流增益大13.共集电极共基极共射极共基极共集电极功率
作业2-3
1.B
2.C
3.BE
4.C
5.共发射极、共基极、共集电极
6.正偏，反偏
7.βiＢ，电流
8.同相位
9.放大状态、饱和状态、截止状态10.小于１，大，小11.好，1+β012.短路
作业2-4
1．解(1)
(2)微变等效电路
（3）
（4）
２．解（1）
（2）
（3）
（4）
第四章习题答案
作业4-1
1.A
2.B
3.B
4.C
5.C
6.B
7.C
8.答：由于三极管存在死区电压，在OCL 电路中，工作于乙类时，输入信号在过零时，将产生失真，称为交越失真。克服交越失真的方法是使管子处于微导通状态。
第五章习题答案
习题5-1答案
1-5 ×√××√ 6.D 7.D 8.C9.B 10.B
11解：
43229.3CC BE C REF U U I I A R μ-==
= 31214.72
C E E I I I A μ=== 12114.7C C E I I I A μ=≈=
12解：
33
2 2.82CC BE R U U I mA R -≈= 由5445C C I R I R ≈得：3445455
2.26C C R R R I I I mA R R =≈= 512 1.132C C C I I I mA =≈
= 习题5-2答案
1.C
2.B
3.C
4.C
5.I BQ =14u Ａ I C Ｑ=0.7m Ａ U CQ =8V r be =2.19K ? R i =1
6.6K A vd =0.45
习题5-3答案
1.A
2.C
3.B
4.C
5.零点漂移
6.偏置电流、有源负载
7.答：直接耦合放大电路中，前级放大器器件参数随温度发生缓慢变化，使工作点随机漂移，这种漂移被后级逐级放大，从而在输出端产生零点漂移。抑制零漂最有效的方法是采用差分电路。
8.解：１）ＩＢＱ=
()e b BEQ EE R R U v β++-121=7uA,ＩＣＱ=βＩＢＱ=0.35mA,ＵＣＱ==-1C CQ CC R I V 4.5Ｖ ２）3.831
11-=+-=be b C UD r R R A β，, 18)(2Ω=+=k r R R be b id Ω==k R R c od 6021 ３）7.4121111=+?=
be b C UD r R R A β 习题5-4答案
1.B
2.A
3.共模、差模
4.零、温度
5.共模、差模
6.答：集成运放通常包括输入级、中间级、输出级和偏置电路这四个部分，输入级又叫前置级，通常采用差动放大电路，中间级一般采用共射（或共源）电路，输出级多采用互补对称输出电路，偏置电路一般采用电流源电路，为各级提供稳定的Q 点。
7.解（1）由电路参数可见R Ｂ<<2(1+β)R E ，基极电阻R Ｂ上的静态压降可忽略不计，并且电路两边参数对称，则有
（2）差模电压放大倍数
由于电路两边参数对称，双端输出时，共模电压放大倍数
共模抑制比
（3）差模输入电阻
共模输入电阻
输出电阻
第六章习题答案
习题6-1答案
1.×
2.√
3.√
4.C
5.D
6.D
7.D
8.A
9.反馈系数10.输出电压、输出电阻 11.电流串联负反馈
12.答:当1＋AF 》1时，A f ≈1/F ，称为电路引入了深度负反馈。其实质是在负反馈放大电路的近似分析和计算中忽略净输入量。
习题6-2答案
1.×
2.×
3.√
4.C
5.电压并联、电流串联、电压串联
6.答：不正确。因为负反馈只能改善反馈放大电路自身产生的非线性失真，对输入信号的失真，则无能为力。
7．答：在深度负反馈放大电路中，基本放大电路两个输入端的电位近似相等，两输入端间似乎短路但并没有真的短路，因此称为“虚短”；流经基本放大电路两输入端的电流近似为零，两输入端之间近似断开，但并没有真的断开，因此称为“虚断”。只有深度负反馈放大电路才有“虚短”、“虚断”的特点。
8.答：特点：（1）；（2）x f ≈x i ，x id ≈0；（3）深度串联负反馈R if →∞，深度并联负反馈R if →0；深度电
压负反馈R of →0，深度电流负反馈R of →∞。（4）基本放大电路的两个输入端既“虚短”又“虚断”。估算闭环电压增益通常有两种方法。方法一：根据“虚短”、“虚断”的特点，通过电路求出u o 与u i
的关系式，便可求得F A f 1
模电试题及答案12
《模拟电子技术》复习题综合（第1、2章） 一.选择题 1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素,形成N 型半导体。A.二 B.三 C.四 D 五 ２、在P 型半导体中,自由电子浓度 Ｃ 空穴浓度。A ．大于 B.等于 C ．小于 ３、本征半导体温度升高以后， Ｃ 。 A.自由电子增多,空穴数基本不变 B ．空穴数增多,自由电子数基本不变 C ．自由电子数和空穴数都增多，且数目相同 Ｄ.自由电子数和空穴数都不变 4、空间电荷区是由 C 构成的。A ．电子 B.空穴 C.离子 D.分子 5、ＰN 结加正向电压时,空间电荷区将 Ａ 。 Ａ. 变窄 Ｂ． 基本不变 C. 变宽 D ． 无法确定 6、稳压管的稳压区是其工作在 Ｃ 。A. 正向导通 B ．反向截止 C.反向击穿 7、当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。 A. 前者反偏、后者也反偏 Ｂ. 前者正偏、后者反偏 Ｃ. 前者正偏、后者也正偏 D ． 前者反偏、后者正偏 ８、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。Ａ． 增大 B ． 不变 C. 减小 D. 都有可能 ９、工作在放大区的某三极管,如果当I B 从12μA 增大到２2μA 时，I Ｃ从1m Ａ变为２mA ，那么它的β约为 C 。Ａ. 83 B. ９1 C. 10０ D ． 1０ １0、晶体管是 A 器件。Ａ.电流控制电流 B.电流控制电压 Ｃ．电压控制电压 D.电压控制电流 1１、在正常放大的电路中,测得晶体管三个电极的对地电位如图所示,试判断管子的类型和材料。图1为 Ｄ ；图２为 A 。[基极电位总是处于中间］ A.ＮＰN 硅管 B.P ＮP 硅管 C ．ＮP Ｎ锗管 D.P ＮP 锗管 12、场效应管是 Ｄ 器件。 A ．电流控制电流 B.电流控制电压 C ．电压控制电压 D.电压控制电流 13、基本共射放大电路中,基极电阻R ｂ的作用是 A 。 Ａ.限制基极电流,使晶体管工作在放大区，并防止输入信号短路 Ｂ.把基极电流的变化转化为输入电压的变化C ．保护信号源 D.防止输出电压被短路 １4、基本共射放大电路中,集电极电阻Ｒc 的作用是 Ｂ 。 A ．限制集电极电流的大小 B.将输出电流的变化量转化为输出电压的变化量 C.防止信号源被短路 D.保护直流电压源E Ｃ 15、基本共射放大电路中，输入正弦信号,现用示波器观察输出电压u o 和晶体管集电极电压u c 的波形,二者相位 A 。A.相同 B ．相反 C.相差90° Ｄ.相差270° 16、NP Ｎ管基本共射放大电路输出电压出现了非线性失真，通过减小R b 失真消除, 这种失真一定 ① 0V 5.7V 图 1 ① 9V 2.3V 图2
模电 习题答案(精选.)
2.10 在图P2.9所示电路中，设静态时I C Q ＝2mA ，晶体管饱和管压降U C E S ＝0.6V 。试问：当负载电阻R L ＝∞和R L ＝3k Ω时电路的最大不失真输出电压各为多少伏？ 解：由于I C Q ＝2mA ，所以U C E Q ＝V C C －I C Q R c ＝6V 。 空载时，输入信号增大到一定幅值，电路首先出现饱和失真。故 V 82.32 CES CEQ om ≈-= U U U Ω=k 3L R 时，当输入信号增大到一定幅值，电路首先出现截止失真。故 V 12.22 ' L CQ om ≈= R I U 2.11 电路如图P2.11所示，晶体管的β＝100，'bb r =100Ω。 （1）求电路的Q 点、u A &、R i 和R o ； （2）若电容C e 开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变 化？ 解：（1）静态分析： V 7.5)( A μ 101mA 1 V 2e f c EQ CEQ EQ BQ e f BEQ BQ EQ CC b2b1b1 BQ =++-≈≈+=≈+-= =?+≈ R R R I V U I I R R U U I V R R R U CC β 动态分析： Ω ==Ω≈++=-≈++-=Ω≈++=k 5k 7.3])1([7 .7)1()(k 73.2mV 26) 1(c o f be b2b1i f be L c EQ bb'be R R R r R R R R r R R A I r r u ββββ∥∥∥& （2）R i 增大，R i ≈4.1k Ω；u A &减小，e f ' L R R R A u +-≈& 2.18 电路如图P2.18所示，晶体管的β＝80，r b e =1k Ω。 （1）求出Q 点； （2）分别求出R L ＝∞和R L ＝3k Ω时电路的u A &和R i ；
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模拟电子线路随堂练习 第一章半导体器件 作业1-1 一、习题（满分100分） 1.N型半导体带负电，P型半导体带正电。（） 2.以空穴为主要导电方式的半导体称为P型半导体。（） 3.PN结处于正向偏置时，正向电流小，电阻大，处于导通状态。（） 4.晶体二极管的反向电压上升到一定值时，反向电流剧增，二极管被击穿，就不能再使用了。（） 5.硅二极管两端只要加上正向电压时立即导通。（） 6.在本征半导体中，空穴和自由电子两种载流子的数量不相等。（） 7.晶体三极管的基极，集电极，发射极都不可互换使用。（） 8.晶体三极管工作在饱和状态的条件是：发射结正偏，集电结正偏。（） 9.晶体三极管有三种工作状态，即：放大状态，饱和状态，导通状态。（） 10.三极管是一种电压控制器件，场效应管是一种电流控制器件。（） 11.温度升高后，在纯净的半导体中（）。 A.自由电子和空穴数目都增多，且增量相同 B.空穴增多，自由电子数目不变 C.自由电子增多，空穴不变 D.自由电子和空穴数目都不变 12.如果PN结反向电压的数值增大（小于击穿电压），则（）。 A.阻当层不变，反向电流基本不变 B.阻当层变厚，反向电流基本不变 C.阻当层变窄，反向电流增大 D.阻当层变厚，反向电流减小
一、习题（满分100分） 1.N型半导体（）。 A.带正电 B.带负电Ｃ.呈中性Ｄ.不确定 2.如果二极管的正反向电阻都很大，则该二极管（）。 A.正常 B.断路Ｃ.被击穿Ｄ.短路 3.对于晶体二极管，下列说法正确的是（）。 A.正向偏置时导通，反向偏置时截止 B.反向偏置时无电流流过二极管 C.反向击穿后立即烧毁 D.导通时可等效为一线性电阻 4.工作在放大状态的三极管两个电极电流如图，那么，第三个电极的电流大小、方向和管脚自左至右顺序分别为（）。 A.0.03mA 流出三极管e、c、b B.0.03mA 流进三极管e、c、b C.0.03mA 流出三极管c、e、b D.0.03mA 流进三极管c、e、b 5.测得电路中晶体三极管各电极相对于地的电位如图，从而可判断该晶体管工作在（）。 A.饱和状态 B.放大状态 C.倒置状态Ｄ.截止状态 6.PNP型晶体管工作在放大状态，三个极电位的关系是（）。 A.V C>V B>V E B. V C> V E > V BＣ.V E >V B> V CＤ.V E >V C>V B 7.PNP型硅管工作在放大状态，各极对地电位分别是V1=6V，V2=2.7V，V3=2V，则1，2，3分别为（）。 A.发射极、基极、集电极 B.集电极、基极、发射极 C.集电极、发射极、基极 D.基极、集电极、发射极 8.测得三极管i b=30μA时i c=2.4mA，而i b=40μA时i c=3mA，则该管的交流电流放大系数β为（）。 A.60 B.75 C.80 Ｄ.100 9.NPN型硅管各极对地电位分别是V1=6V，V2=2.7V，V3=2V，则1，2，3分别为（）。 A.基极、集电极、发射极 B.发射极、基极、集电极 C.集电极、发射极、基极 D.集电极、基极、发射极 10.三极管输出特性曲线可分为三个区，下列不属于工作区的是（）。 A.截止区 B.放大区 C.饱和区Ｄ.击穿区 11.在放大电压信号时，通常希望放大电路的输入电阻和输出电阻分别为（） A.输入电阻小，输出电阻大 B.输入电阻小，输出电阻小 C.输入电阻大，输出电阻小 D.输入电阻大，输出电阻大
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第二章晶体三极管及其放大电路基础 1、简述三极管制作的结构特点？ 答：基区：很薄且杂质浓度很低；发射区：杂质浓度很高；集电区：面积很大，但杂质浓度远远小于发射区的杂质浓度 2、简述三极管的放大原理。 答： 1、三极管有三个级：发射极E、集电极C、基极B 有三个区：发射区、集电区、基区 有两个结：发射结、集电结 2、三极管用于放大时，首先保证发射结正偏、集电结反偏。 3、分析以NPN型硅三极管为例： ( 1)、BJT内部的载流子传输过程： 因为发射结正偏，所以发射区向基区注入电子，形成了扩散电流IEN 。同 时从基区向发射区也有空穴的扩散运动，形成的电流为IEP。但其数量小， 可忽略。所以发射极电流I E ≈ IEN 。 发射区的电子注入基区后，变成了少数载流子。少部分遇到空穴后复合掉，形成IBN。所以基极电流I B ≈ IBN 。大部分到达了集电区的边缘。 因为集电结反偏，收集扩散到集电区边缘的电子（漂移运动），形成电流ICN 。另外，集电结区的少子形成漂移电流ICBO（很小），所以IC ≈ICN （2）、BJT的放大： 集电极电流受基极电流的控制（假设电源能够提供给集电极足够大的电流的话）：基极电流很小的变化，会引起集电极电流很大的变化，且变化 满足一定的比例关系：IC= βIB 即电流变化被放大了倍， (β叫做三极管的 放大倍数,一般远大于1）。如果我们将一个变化的小信号加到基极跟发射极 之间，这就会引起基极电流Ib的变化，Ib的变化被放大后，导致了IC很大 的变化。如果集电极电流IC是流过一个电阻RC的，那么根据电压计算公式 U=R*I 可以算得，这电阻上电压就会发生很大的变化。我们将这个电阻上的 电压取出来，就得到了放大后的电压信号了。 3、如何理解三极管是电流控制的有源器件？ 答：这要从三极管的电流放大和开关特性说起! 半导体三极管的结构是在硅片的基区上形成相邻的集电结和发射结!这两个结的电流导通必需通过基区!这有点像两根水管中间要通过一层滤网或是闸门!基区的网栅密度或闸门开闭控制着集,射极间的电流强度! 三极管的基区空穴密度取决于所加电位!而空穴密度又决定着该结的厚度!这个厚度又决定了其导电强度!这就决定了集,射间的电流强度! 三极管的三个极电压是基极很低!集电极很高!发射极是公共端! 我们在基极和发射极间控制一个小电位的变化或通断!就能间接地控制集电极和发射极间的大电流(高电位)变化或是通断!这就是三极管是电流控制的有源器件的原理
模电试题及答案
试题一 一、选择题：（每小题2分，共24分） （1）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（ B ）。 A.前者反偏、后者反偏 B .前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者正偏 （2）N 型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的（ C ）。 A.电子 B.三价硼元素 C .五价磷元素 （3）为了减小零点漂移，通用型运放的输入级大多采用（ C ）。 A.共射电路 B.乙类放大电路 C .差动放大电路 （4）高通滤波电路可以用于（ A ）。 A . 滤除低于某一频率的无用信号 B. 滤除高于某一频率的无用信号 C. 让低于某一频率的有用信号通过 （5）长尾式差动放大电路抑制零点漂移的主要原因是（ C ）。 A.采用了双极型电源 B.电路和参数对称性好 C .引入了电流串联型负反馈 （6）、电路如图所示，其输出电压u O 等于（ B ）。 A.i2i1u u - B .i1i2u u - C. i2i1u u + （7）当信号频率等于放大电路的f L 或f H 时，放大倍数的值约下降到中频时的0.7倍,即增益下降（ A ）。 A .3d B B.4dB C.5dB （8）( B )运算电路可将三角波电压转换成方波电压。 A ．同相比例 B ．微分 C ．同相求和 （9）PN 结加正向电压时，空间电荷区将( A )。 A . 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （10）OCL 功率放大电路如图所示，当u i 为正半周时，则( A )。
A. T1导通T2截止 B. T1截止T2导通 C. T1，T2导通 （11）整流的目的是（ A ）。 A. 将交流变为直流 B. 将高频变为低频 C. 将正弦波变为方波（12）电路如图所示，二极管D为理想元件，输入信号u i为如图所示的三角波，则输出电压u o的最大值为（ B ）。 A. 5 V B. 7 V C. 2 V 二、填空题：（总16 分，每空 2 分） （1）、一只晶体管在放大电路中，用万用表测出管脚对地电压分别是：A脚为12伏，B脚为11.7伏，C脚为6伏，则该管为PNP型锗管，A为e 极，B为 b 极，C为 c 极。 （2）工作在放大区的晶体管，当I B从10μA增大到20μA，I C从1mA增大到2mA，它的β为 100 。 （3）由于不易制造大容量电容，集成电路采用直接耦合放大方式。
2017模电习题课复习
模电典型例题分析 第一章 题1.1 1、对某放大电路进行测试，u s=15mv,Rs=1kΩ，R L=12 kΩ。若测得ui=12 mv,则可知该放大电路的输入电阻Ri= kΩ。若当开关S断开时，测得uo=1.5v, 当开关S闭合时，测得uo=1.2v，则可知该放大电路的输出电阻Ro= kΩ。 2、对某放大电路进行测试，当接入一个内阻等于零的电压信号源时，测得输出电压为5V，在信号源内阻增大到1，其它条件不变时，测得输出电压为4V， 说明该放大电路的输入电阻Ri= ______kΩ。若在接有2负载电阻时，测得输 出电压为3V，在输入电压不变的情况下断开负载电阻，输出电压上升到7.5V，说明该放大电路的输出电阻Ro= kΩ。 3、用两个放大电路A和B分别对同一个电压信号进行放大，当输出端开路时，U OA=U OB；都接入负载电阻R L时，测得U OA
=8.26和=2.5 第二章 题2.1 1.如图所示电路，已知集成运放开环差模电压增益为∞，其电源电压±VCC=±14V ，Ui=1V ；R1＝10k,Rw=100k 。请问：当Rw 滑动端分别在最下端、最上端和中点时时，输出Uo ＝？V ； 解：14V ,1V ,6（7）V 2.如图所示电路，已知集成运放开环差模电压增益为∞，其电源电压±VCC=±14V ，Ui=1V ；R1＝10k,R2=200k 。请问： 当R2滑动端在最左端、最右端、中点时输出Uo ＝？V ； 最左端时Uo ＝ -14 V ；最右端时Uo ＝ 0 V ；中点时Uo ＝ -10 V 。 题 2.2 在题图所示的放大电路中，已知Ω=====k R R R R R 1087521， Ω===k R R R 201096∶ ① 列出1O u 、2O u 和O u 的表达式； ② 设V u I 3.01=，V u I 1.02=，则输出电压?=O u s i s i i v v R R R += L o L i O o R R R A V +=v v s v v o = VS A L o L o R R R A +=v
大学模电最新最全题库模拟电路考试试题10套和答案
试卷编号01 ……………………………………………………………………………………………………………… 一、填空（本题共20分，每空1分）： 1．整流电路的任务是__将交流电变成脉动直流电________；滤波电路的任务是_滤除脉动直流电中的交流成分_________。 2．在PN结的形成过程中，载流子的扩散运动是由于__载流子的浓度差________而产生的，漂移运动是_______内电场的电场力___作用下产生的。 3．放大器有两种不同性质的失真，分别是____线性______失真和非线性__________失真。 4．在共射阻容耦合放大电路中，使低频区电压增益下降的主要原因是_耦合电容__和旁路电容_______的影响；使高频区电压增益下降的主要原因是__三极管的级间电容________的影响。 5．在交流放大电路中，引入直流负反馈的作用是_稳定静态工作点_________；引入交流负反馈的作用是___稳定增益、抑制非线性失真、___改变输入输出电阻、展宽频带、抑制干扰和噪声__。 6．正弦波振荡电路一般由选频网络__________、__放大电路________、正反馈网络__________、__稳幅电路________这四个部分组成。 7．某多级放大器中各级电压增益为：第一级25dB 、第二级15dB 、第三级60dB ，放大器的总增益为__100________，总的放大倍数为__________。 8．在双端输入、单端输出的差动放大电路中，发射极公共电阻R e对__差模输入________信号的放大无影响，对_共模输入_________信号的放大具有很强的抑制作用。共模抑制比K CMR为_差模增益与共模增益_________之比。 9．某放大电路的对数幅频特性如图1（在第三页上）所示，当信号频率恰好为上限频率时，实际的电压增益为____37______dB。 二、判断（本题共10分,每小题1分，正确的打√，错误的打×）： 1、（y ）构成各种半导体器件的基础是PN结，它具有单向导电和反向击穿特性。 2、（y ）稳定静态工作点的常用方法主要是负反馈法和参数补偿法。 3、（y ）在三极管的三种基本组态中，只有电流放大能力而无电压放大能力的是基本共集组态。 4、（n ）若放大电路的放大倍数为负值，则引入的一定是负反馈。 5、（yn ）通常，甲类功放电路的效率最大只有40%，而乙类和甲乙类功放电路的效率比甲类功放电路的效率要高。 6、（n ）一般情况下，差动电路的共模电压放大倍数越大越好，而差模电压放大倍数越小越好。 7、（y n）根据负反馈自动调节原理，交流负反馈可以消除噪声、干扰和非线性失真。 8、（y）要使放大电路的输出电流稳定并使输入电阻增大，则应引入电流串联负反馈。 9、（y）在放大电路中引入电压负反馈可以使输出电阻减小，在放大电路中引入电流负反馈可以使输出电阻增大。 10、（y n）在正弦波振荡电路的应用中，通常，当要求振荡工作频率大于1MHz时，应选用RC正弦波振荡电路。 三、选择（本题共20分,每个选择2分）： 1．在放大电路中，测得某三极管的三个电极的静态电位分别为0V，－10V，－9.3V，则此三极管是（ A ） A. NPN型硅管； B. NPN型锗管； C. PNP型硅管； D. PNP型锗管； 2．为了使放大电路Q点上移，应使基本放大电路中偏置电阻R b的值（C ）。 A. 增大 B.不变 C. 减小 3．典型的差分放大电路中Re（ B ）。 A.对差模信号起抑制作用 B. 对共模信号起抑制作用 C. 对差模信号和共模信号均无作用 4．在差动电路中，若单端输入的差模输入电压为20V，则其共模输入电压为（C ）。 A. 40V B. 20V C. 10V D. 5V 5．电流源的特点是（ A ）。 A .交流电阻大，直流电阻小； B . 交流电阻小，直流电阻大； C. 交流电阻大，直流电阻大； D. 交流电阻小，直流电阻小。 6．影响放大电路高频特性的主要因素是（ D ）。 A. 耦合电容和旁路电容的存在； B. 放大电路的静态工作点不合适； C. 半导体管的非线性特性； D. 半导体管极间电容和分布电容的存在； 7．关于理想运算放大器的错误叙述是（ A ）。 A．输入阻抗为零，输出阻抗也为零；B．输入信号为零时，输出处于零电位； C．频带宽度从零到无穷大；D．开环电压放大倍数无穷大 8．有T1 、T2和T3三只晶体管，T1的β＝200，I CEO＝200μA；T2的β＝100，I CEO＝10μA；T3的β＝10，I CEO＝100μA，其它参数基本相同，则实用中应选（ B ） A. T1管； B. T2管； C. T3管 9．交流反馈是指（ C ） A．只存在于阻容耦合电路中的负反馈；B．变压器耦合电路中的负反馈； C．交流通路中的负反馈；D．放大正弦信号时才有的负反馈； 10．RC桥式正弦波振荡电路是由两部分组成，即RC串并联选频网络和（ D ） A. 基本共射放大电路； B. 基本共集放大电路； C. 反相比例运算电路； D. 同相比例运算电路； 四、分析与计算（本题共50分）： 1．(本小题10分) 电路如图2所示，通过分析判断反馈组态，并近似计算其闭环电压增益A usf。 2．(本小题10分) 电路如图3所示，u2=10V，在下列情况下，测得输出电压平均值U o的数值各为多少？（1）正常情况时；（2）电容虚焊时；（3）R L开路时；（4）一只整流管和电容C同时开路时。 3．(本小题12分) 如图4所示电路中，A为理想运放，Vcc＝16V，R L＝8Ω，R1＝10kΩ，R2＝100kΩ，三极管的饱和管压降U CES＝0V，U o＝－10V。（1）合理连接反馈电阻R2；（2）设A输出电压幅值足够大，估算最大输出功率P om；（3）估算单个三极管的最大集电极
最新模电数电复习题(已整理)
第1章 常用半导体器件自测题 三、写出图Tl.3 所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D =0.7V 。 图T1.3 解：U O1=1.3V , U O2=0V , U O3=-1.3V , U O4=2V , U O5=1.3V , U O6=-2V 。 四、已知稳压管的稳压值U Z =6V ，稳定电流的最小值I Zmin =5mA 。求图Tl.4 所示电路中U O1和U O2各为多少伏。 (a) (b) 图T1.4 解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V 。 右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V 。 五、电路如图T1.5所示，V CC =15V ，β=100，U BE =0.7V 。 试问： (1)R b =50k Ω时，U o=? (2)若T 临界饱和，则R b =? 解：(1)26BB BE B b V U I A R μ-= =， 2.6C B I I mA β==,
2O CC C c U V I R V =-=。 图T1.5 (2)∵ 2.86CC BE CS c V U I mA R -= =， /28.6BS CS I I A βμ== ∴45.5BB BE b BS V U R k I -= =Ω 习题 1.2电路如图P1.2 所示，已知10sin i u t ω=(V )，试画出i u 与o u 的波形。设二极管导通电压可忽略不计。 图P1.2 解图P1.2 解：i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。 1.3电路如图P1.3所示，已知t u i ωsin 5=(V )，二极管导通电压U D =0.7V 。试画出i u 与 o u 的波形图，并标出幅值。 图P1.3 解图P1.3 解：波形如解图Pl.3所示。
华南理工大学模电试题(附答案)
B 选择题（在题末的备选答案中选出一个正确答案的号码。每空1分，共14分） 1． 已知常温下26mV T U =,二极管D 正偏电压U D =0.6V ，电流I D =0.8mA ，其交流电阻 r D =（ ）。 A. 750Ω B. 32.5Ω C. 375Ω D. 16.25Ω 2． BJT 放大电路中，测得三个电极①、②、③对地电位分别为12V 、12.2V 、0V ，据此 可判定BJT 为( A )型三极管，其三个电极中①为( D )极。 A. PNP B. NPN C. 发射极 D. 基极, E. 集电极 3． 图1所示共射放大电路，设静态时CQ 5mA I =，晶体管 饱和管压降CES 0.6V U =，当输入信号幅度增大到一定值时，电路将首先出现（ ）失真，其输出波形的( )将削去一部分。 A. 截止 B. 饱和 C. 顶部 D. 底部 4． 在图1所示电路中，已知晶体管的100β=， be 1k r =Ω，i 20mV U =；静态工作时BEQ 0.7V U =，CEQ 5V U =，BQ 20uA I =， 相应的电压增益为（ ）。 A ．u 1003 3001A ?=-=-& B ．u 1001.5 1501 A ?=-=-& C ．u -352502010A =-=-?& D ．u 57.140.7 A =-≈-& 5． 根据不同器件的工作原理，试判断（ ）可以构成复合管。 （A ） （B ）（C ） （D ） 6． 在设计两级放大电路的过程中，要求输入电阻i R 约为150k Ω，电压放大倍数的数值 u A &约为100，第一级电和第二级电路应采用（ ）。 A. 共集电路；共射电路 B ．共基电路；共射电路 C. 共集电路；共基电路 D. 共射电路；共射电路 7． MOS FET 构成的两级放大电路，总电压增益u 2000A =倍，其中第一级的电压增益
模电习题课答案版
1．当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流Ｉs将增大,是因为此时ＰN结内部的B 。 [ ] A 多数载流子浓度增大 B 少数载流子浓度增大 C 多数载流子浓度减小 D 少数载流子浓度减小 2. 某只硅稳压管的稳定电压Ｖz = 4v,其两端施加的电压分别为＋５v（正向偏置）和-5v(反向偏置）时，稳压管两端的最终电压分别为 D 。［］ A +5ｖ和-５v Ｂ－５ｖ和+4v C +４v和-0.7v Ｄ +0．7v和－4v ⒊根据某只晶体管的各极对地电压分别是V B ＝ -６．３v，ＶＥ＝ -７ｖ，VＣ＝ -４ｖ，可以判定此晶体管是管，处于 B 。 [ ] A ＮPN管，饱和区ＢＰNP管, 放大区 C PNP管，截止区 D NPN管, 放大区 ⒋场效应管起放大作用时应工作在其漏极特性的Ｂ。［］ A 非饱和区 B 饱和区 C 截止区 D 击穿区 ⒌在单级放大电路的三种接法中,它们相互比较起来正确的说法是: Ｂ。 [ ] A 共发射极电路的A V最大、RＩ最小、R O最小 Ｂ共集电极电路的A V最小、ＲI最大、R O最小 C 共基极电路的AＶ最小、R I最小、R O最大 D 共发射极电路的A V最小、ＲI最大、RＯ最大 ⒍直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是Ｃ。 [ ] A 电阻阻值有误差Ｂ晶体管参数的分散性 Ｃ晶体管参数受温度影响 D 受输入信号变化的影响 7.差分放大电路的长尾电阻的主要功能是 A ，而提高共模抑制比. [ ] A 抑制共模信号； B 抑制差模信号; Ｃ放大共模信号； D 既抑制共模信号又抑制差模信号; 8.组合放大电路的输出级采用射极输出方式是为了使D。 [ ]Ａ电压放大倍数高 B 输出电流小 C 输出电阻增大 D 带负载能力强 9．集成运放电路的实质是一个 B 的多级放大电路。[ ] A阻容耦合式 B直接耦合式 C 变压器耦合式 D 三者都有 10．放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是 B 。 [ ]Ａ耦合电容和旁路电容的影响Ｂ晶体管极间电容和分布电容的影响 C 晶体管的非线性特性Ｄ放大电路的静态工作点设置不合适 11．在输入量不变的情况下,若引入反馈后 D ，则说明引入的是负反馈。 [ ] A电路稳定性变差 B输出量增大 C 净输入量增大 D 净输入量减小 12、共发射极电路中采用恒流源做有源负载是利用其 B 的特点以获得较高增益。［ ] A 直流电阻大、交流电阻小Ｂ直流电阻小、交流电阻大 C 直流电阻和交流电阻都小 D 直流电阻大和交流电阻都大
模电试卷题库(含答案)
1.某个处于放大状态的电路，当输入电压为10mV，输出电压 为6.5V,输入电压为15mV时，输出电压为7V（以上均为直 流电压），它的电压增益为（ C ） a、700 b、650 c、100 d、-100 2.当输入信号频率为f L或f H时，电压增益的幅值约下降为中 频时的（ B ） a、05. b、0.7 c、0.9 d、1 3.当输入信号频率为fL或fH时, 电压增系下降了( B )。 A、2 dB B、3dB C、4dB D、6dB 4.某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接3KΩ的负载 电阻后输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为 （ C ） a、10KΩ b、2KΩ c、1 KΩ d、0.5KΩ 5.用两个AU相同的放大电路A和B分别对同一个具有相同内 阻的电压 信号进行放大，测试结果输出电压VOA>VOB，由此可知A比B （ B ） a、一样 b、差 c、好 d、无法判别 6.用两个放大电路A和B分别对同一电压信号进行放大。当输出端开路时V OA=V OB ，都接入负载R L时，测得V OA 模电典型例题分析 第二章 题2．1 如图所示电路，已知集成运放开环差模电压增益为∞，其电源电压±VCC=±１４Ｖ，Ｕｉ=１V;R １＝10k,R ｗ=1０0k 。请问：当Rw 滑动端分别在最下端、最上端和中点时时，输出Ｕo=?V ； 解： 1４V ,1V ,6V 题２．2 在题图所示的放大电路中，已知Ω=====k R R R R R 1087521，Ω===k R R R 201096∶ ① 列出1O u 、2O u 和O u 的表达式； ② 设V u I 3.01=,V u I 1.02=,则输出电压?=O u 注：此图A 1的同相端、反相端标反。 解 分析:本题中,运放A １构成反相比例运用电路,A 2构成同相比例运用。而A ３则构成了一个减法电路，由于可将运放当作理想器件,又在线线场合下使用，所以可使用“虚短”及“虚断”的两个基本概念来对电路进行分析。 (1) 21111152221 610 10 10311202O I I I O I I I R u u u u R R u u u u R =- =-?=-???? =+=+?= ? ????? 对A 3,1032222 810202 10203O O O I R u u u u u R R +=?===++ 因为0133079u u u u R R ---=－ 332011 I I u u u u u -+===- ()()90313212712 20 10 23O I I I I I R u u u u u u u R u u -=- -=---=+ (2）120.3,0.120.330.10.9I I O u V u V u V ===?+?= 题２.３ 加减运算电路如图所示，求输出电压O u 的值。 R u 分析:本题中运放Ａ构成了差分减法电路，由于运放可作理想器件,且工作在线性区,可用“虚短”和“虚断”的基本概念来分析电路。此电路的同相和反相端分别有两个输入信号,因此可用叠加原理来分析。 1s u 单独作用：2s u 、 3s u 、4s u 接地，此时输出为O1u F O11 1s R u u R =- 2s u 单独作用:1s u 、 3s u 、4s u 接地,此时输出为O2u F O222 s R u u R =- 3s u 单独作用：1s u 、 2s u 、4s u 接地，此时输出为O3u 45 p 3 453////s R R u u R R R =+ N P N O3N 12F //u u u u u R R R =-∴ = F O3N 12 (1)//R u u R R =+ 45F 3 12453//(1)////s R R R u R R R R R =++ 4s u 单独作用：1s u 、 2s u 、3s u 接地，此时输出为O4u 35F O44 12354 //(1)////s R R R u u R R R R R =+ + 1.某个处于放大状态的电路，当输入电压为1０mV,输出电压 为6.5Ｖ,输入电压为１5mV时，输出电压为7V(以上均为直 流电压),它的电压增益为( Ｃ) ａ、70０b、6５0 ｃ、100 d、－１０0 2.当输入信号频率为f L或ｆH时,电压增益的幅值约下降为中 频时的( Ｂ） ａ、05. b、0．７c、0．9 ｄ、１ 3.当输入信号频率为fL或ｆH时, 电压增系下降了( B )。 Ａ、2 ｄＢB、3ｄＢC、４ｄＢD、6dB 4.某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接3KΩ 的负载 电阻后输出电压降为３V,这说明放大电路的输出电阻为（C) ａ、１0KΩb、2KΩｃ、1 KΩｄ、0．5KΩ 5.用两个A U相同的放大电路A和B分别对同一个具有相同内阻的电压 信号进行放大，测试结果输出电压V OＡ>ＶOＢ,由此可知A比B（ B ） a、一样 b、差 c、好 d、无法判别 6.用两个放大电路A和Ｂ分别对同一电压信号进行放大。当输出端开路时Ｖ =V OB,都接入负载R L时，测得V OＡ a、虚短 b、虚断ｃ、虚地d、以上均否 8.如图示,运放Ａ为理想器件,则其输出电压V0为（A ） a、０V b、３V c、6Ｖｄ、9Ｖ 9.如图示,运放Ａ为理想器件，则其输出电压V O为（Ｃ) a、9Ｖｂ、6Vｃ、0V d、3Ｖ 10.设ＶN、V P和Ｖ0分别表示反相输入端、同相输入端和输 出端，则V0与V N、V P分别成( Ｄ) a、同相、同相 b、反相、反相 c、同相、反相 d、反相、同相 11.若要将幅度为±Uｍ的矩形波转变为三角波，则应选用( D ) A、反相比例运算电路?Ｂ、同相比例运算电路?C、微分运算电路 D、积分运算电路 半导体 12.N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的( Ｄ)。 ａ、电子b、空穴c、三价硼元素d、五价磷元素 13.半导体中有两种载流子，它们分别是（Ｃ) ａ、电子和受主离子b、空穴和施主离子 c、电子和空穴 d、受主离子和施主离子 14.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于( B ） a、温度 b、杂质浓度 c、掺杂工艺ｄ、晶体缺陷 15.在室温附近，当温度升高时,杂质半导体中浓度明显增加是（C ） a、载流子ｂ、多数载流子c、少数载流子d、正负离子 模拟电子技术基础试卷及参考答案 试卷三及其参考答案 试卷三 一、选择题（这是四选一的选择题，选择一个正确的答案填在括号内）（共16分） 1．有两个增益相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。在负载开路的条件下，测得A放大器的输出电压小，这说明A的（） a. 输入电阻大 b. 输入电阻小 c. 输出电阻大 d. 输出电阻小 2．共模抑制比K CMR越大，表明电路（）。 a. 放大倍数越稳定 b. 交流放大倍数越大 c. 抑制温漂能力越强 d. 输入信号中的差模成分越大 3．多级放大电路与组成它的各个单级放大电路相比，其通频带（）。 a. 变宽 b. 变窄 c. 不变 d. 与各单级放大电路无关 4．一个放大电路的对数幅频特性如图1-4所示。当信号频率恰好为上限频率或下限频率时，实际的电压增益为（）。 a. 43dB b. 40dB c. 37dB d. 3dB 图1-4 图1-5 5．LC正弦波振荡电路如图1-5所示，该电路（）。 a. 满足振荡条件，能产生正弦波振荡 b. 由于无选频网络，不能产生正弦波振荡 c. 由于不满足相位平衡条件，不能产生正弦波振荡 d. 由于放大器不能正常工作，不能产生正弦波振荡 6．双端输入、双端输出差分放大电路如图1-6所示。已知静态时，V o=V c1－V c２＝０，设差 模电压增益 100 vd = A ，共模电压增益mV 5 V mV, 10 ,0 i2 i1 c = = =V A V，则输出电压o V为（）。 a. 125mV b. 1000 mV c. 250 mV d. 500 mV 图1-6 图1-7 7．对于图1-7所示的复合管，假设CEO1I 和CEO2I 分别表示T 1、T 2单管工作时的穿透电流，则复合管的穿透电流CEO I 为（ ）。 a. CEO2CEO I I = b. CEO2CEO1CEO I I I += c. CEO1CEO I I = d. CEO12CEO2CEO )1(I I I β++= 8．某仪表放大电路，要求R i 大，输出电流稳定，应选（ ）。 a. 电流串联负反馈 b. 电压并联负反馈 c. 电流并联负反馈 d. 电压串联负反馈 二、判断下列管子的工作状态（共10分） 1．测得各三极管静态时三个电极对地的电位如图2-1 a 、b 、c 所示，试判断它们分别工作在什么状态（饱和、放大、载止、倒置）。设所有的三极管和二极管均为硅管。 图2-1 2．电路如图2-2 a 、b 所示，分别指出它们工作在下列三个区中的哪一个区（饱和区、夹断区、可变电阻区）。 模电练习题 Company number：【0089WT-8898YT-W8CCB-BUUT-202108】 练习题一 1. 填空题 贴片电阻多用数码法标示，如512标示Ω。（） 色环电阻，红+红+橙+金+棕，表示阻值和误差为。（Ω±1%） 某采样电阻标注为R005，表示该电阻的阻值为Ω。（） 一瓷片电容其标示为104J，表示其容量为 uF、误差为±5%。（） 电容具有通，阻的电气特性。（交流，直流） 电感在电路中常用“L”表示，电感的特性是通直流阻交流，频率越，线圈阻抗越大。（高） 低频扼流圈应用于电流电路、音频电路或场输出等电路，其作用是阻止电流通过。（低频交流） P型半导体中的多数载流子是，N型半导体中的多数载流子是。（空穴，电子） 温度增加时，二极管的正向电阻将会变。（小） PN结最大的特点是。（单向导电性） 硅整流二极管1N4001的最大整流电流为 A，最高反向工作电压为 V。（1,50） 用指针式万用表R×1k挡测量某二极管电阻，在阻值较小的一次测量中，黑表笔接的是二极管的极。（正） 三极管有三个引脚，基极用表示、集电极用C表示、极用E表示。（B，发射） 三极管是内部含有2个PN结，并且具有放大能力的特殊器件。它分为型和型两种。（NPN，PNP） 指针式万用表的黑表笔接三极管基极，红表笔接触另外两极中的任一电极，若指针偏转角度很大，说明被测管子是型。（NPN） 驻极体话筒与电路的接法有输出和输出两种。（源极，漏极） 用万用表测出的扬声器电阻值是电阻值，比标称阻抗值要，这是正常现象。（直流，小） 压电陶瓷片是一种结构简单、轻巧的器件。（电声） 电烙铁按结构可分为电烙铁和电烙铁。（内热式，外热式） 焊接电子元件时，一般来说最恰当的时间是在 s内完成。（~4） 用数字万用表测试二极管的反向电阻，应显示为。（1） 2. 选择题 有几位同学拿来一个滑动变阻器，看到铭牌上标有“20Ω1A”的字样，这几位同学讨论时说出了以下几种对铭牌意义的理解，你认为正确的是（）。（C） 最新模电题库附答案 1晶体管工作在放大区时，发射结为____，集电结为____，工作在饱和区时，发射结为____，集电结为____。 A、正向偏置， B、反向偏置， C、零偏置 [答案]A|B|A|A 2N型半导体是在纯净半导体中掺入____；P型半导体是在纯净半导体中掺入____。 A、带负电的电子， B、带正电的离子， C、三价元素，如硼等， D、五价元素，如磷等 [答案]D|C 3当PN结外加正向电压时，扩散电流漂移电流，耗尽层；当PN 结外加反向电压时，扩散电流漂移电流，耗尽层。 A、大于， B、小于， C、等于， D、变宽， E、变窄， F、不变 [答案]A|E|B|D 4在保持二极管反向电压不变的条件下，二极管的反向电流随温度升高而____；在保持二极管的正向电流不变的条件下，二极管的正向导通电压随温度升高而____。 A、增大， B、减小， C、不变 [答案]A|B 5某二极管反向电压为10V时，反向电流为μA。在保持反向电压不变的条件下，当二 极管的结温升高10℃，反向电流大约为____。 A、0.05μA， B、0.1μA， C、0.2μA， D、1μA [答案]C 6在如图所示的电路中，当V＝3V时，测得I＝1mA，。 1．当V调到6V，则I将为____。 A、1mA， B、大于1mA，但小于2mA C、2mA， D、大于2mA 2．保持V＝3V不变，温度升高20℃，则将为____。 A、小于0.7V， B、0.7V不变， C、大于0.7V [答案]D|A 7电路如图所示，，当直流电源电压V增大时，二极管VD的动态电阻 将____。 A、增大， B、减小， C、保持不变 [答案]B 8在某放大电路中，测得晶体管的三个电极①、②、③的流入电流分别为－1.22mA、0.02mA、1.2mA。由此可判断电极①是____，电极②是____，电极③是____（A、发射极，B、基极，C、集电极）；该晶体管的类型是____（A、PNP型，B、NPN型）；该晶体管的共射电流放大系数约为____ 判断题 1、在N型半导体中如果掺有足够量的三价素，可将其改型为P型半导体(√ ). 2、因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电（×）。 3、处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。（×） 4、结型场效应管的栅-源电压的耗尽层承受反向电压，才能保证其R GS大的特点。（√） 5、放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作（√） 6、只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用（√） 7、阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立，（√）它只能放大交流信号。（√） 8、直接耦合多级放大电路各级的Q点相互影响，（√）它只能放大直流信号。（×） 9、运放的输入失调电压U IO是两输入电压之差（×） 10、运放的输入失调电流I IO是两输入端电流之差（×） 11、若放大电路的放大倍数为负，则引入的反馈一定是负反馈（×） 12、负反馈放大电路的放大倍数与组成它的基本放大电路的放大倍数量纲基本相同（√） 13、运算放大电路一般均引入负反馈（√） 14、在集成运算电路中，集成运放的反相输入端均为虚地（×）。 15、只要电路引入了正反馈，就一定会产生正弦波震荡（×） 16、凡是振荡电路中的集成运放均工作在线性区。（×） 17、在功率放大电路中，输出功率越大，功放管的功耗越大（×） 18、功放电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下，负载上可能获得的最大交流功率（√）。 19、整流电路可将正弦电压变为脉动的直流电压（√）。 20、在单相桥式整流电容滤波电路中，若有一只整流管断开，输出平均电压变为原来的一半（×）。 二、填空题 1、在本征半导体中加五价元素可形成N型半导体，加入三价元素可形成形成P型半导体。 2、工作在放大区的某三极管，如果当I B从12uA增大到22uA时，I C从1mA变到2mA，那麽它的β约为 100 。 3、要求输入电阻1K至2K电压放大倍数大于3000，第一级采用共射放大电路，第二级采用共射放大电路 4、为了稳定静态工作点，应引入直流负反馈。 5为了稳定放大电路的输出电流，应引入电流负反馈。 6、反相比例运算电路中集成运放反相输入端为虚地，而同相比例运算电路中集成运放两个输入端的电位等于输入电压。 7、同相比例运算电路可实现Au＞1的放大器。 8、LC并联网络在谐振时呈阻性，在信号频率大于谐振频率时呈容性，在信号频率小于谐振频率时呈感性。 三、选择题 1、PN结加正向电压时，空间电荷区将 A 。 A变窄 B基本不变 C变宽 2、当晶体管工作在放大区时发射结电压和集电结电压应为 B A前者反偏，后者也反偏 B前者正偏，后者反偏 C前者正偏，后者也正偏 3、Ugs=0时，能够工作在恒流区的场效应管有 A C A结型管 B增强型MOS管 C耗尽型MOS管模电课后习题答案
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