(完整word版)半导体物理期末试卷(含部分答案

一、填空题

1．纯净半导体Si 中掺错误！未找到引用源。族元素的杂质，当杂质电离时释放 电子 。这种杂质称 施主 杂质；相应的半导体称 N 型半导体。

2．当半导体中载流子浓度的分布不均匀时，载流子将做 扩散 运动；在半导体存在外加电压情况下，载流子将做 漂移 运动。

3．n o p o =n i 2标志着半导体处于 平衡 状态，当半导体掺入的杂质含量改变时，乘积n o p o 改变否？

不变 ；当温度变化时，n o p o 改变否？ 改变 。

4．非平衡载流子通过 复合作用 而消失， 非平衡载流子的平均生存时间 叫做寿命τ，寿命τ与 复合中心 在 禁带 中的位置密切相关，对于强p 型和 强n 型材料，小注入时寿命τn 为 ，寿命τp 为 .

5． 迁移率 是反映载流子在电场作用下运动难易程度的物理量， 扩散系数 是反映有浓度梯度时载 q

n n 0=μ ，称为 爱因斯坦 关系式。 6．半导体中的载流子主要受到两种散射，它们分别是电离杂质散射 和 晶格振动散射 。前者在 电离施主或电离受主形成的库伦势场 下起主要作用，后者在 温度高 下起主要作用。

7．半导体中浅能级杂质的主要作用是 影响半导体中载流子浓度和导电类型 ；深能级杂质所起的主要作用 对载流子进行复合作用 。

8、有3个硅样品，其掺杂情况分别是：甲 含铝1015cm -3 乙. 含硼和磷各1017 cm -3 丙 含镓1017 cm -3 室温下，这些样品的电阻率由高到低的顺序是 乙 甲 丙 。样品的电子迁移率由高到低的顺序是甲丙乙 。费米能级由高到低的顺序是 乙> 甲> 丙 。

9．对n 型半导体，如果以E F 和E C 的相对位置作为衡量简并化与非简并化的标准，那么 T k E E F C 02>- 为非简并条件； T k E E F C 020≤-< 为弱简并条件； 0≤-F C E E 为简并条件。

10．当P-N 结施加反向偏压增大到某一数值时，反向电流密度突然开始迅速增大的现象称为 PN 结击穿 ，其种类为： 雪崩击穿 、和 齐纳击穿（或隧道击穿） 。

11．指出下图各表示的是什么类型半导体？

12. 以长声学波为主要散射机构时，电子迁移率μn 与温度的 -3/2 次方成正比

13 半导体中载流子的扩散系数决定于其中的 载流子的浓度梯度 。

14 电子在晶体中的共有化运动指的是 电子不再完全局限在某一个原子上，而是可以从晶胞中某一点自由地运动到其他晶胞内的对应点，因而电子可以在整个晶体中运动 。

二、选择题 1根据费米分布函数，电子占据（E F +kT ）能级的几率 B 。

A ．等于空穴占据（E F +kT ）能级的几率

B ．等于空穴占据（E F －kT ）能级的几率

C ．大于电子占据E F 的几率

D ．大于空穴占据

E

F 的几率

2有效陷阱中心的位置靠近 D 。

A. 导带底

B.禁带中线 C ．价带顶 D ．费米能级

3对于只含一种杂质的非简并n 型半导体，费米能级E f 随温度上升而 D 。

A. 单调上升

B. 单调下降 C ．经过一极小值趋近E i D ．经过一极大值趋近E i 7若某半导体导带中发现电子的几率为零，则该半导体必定＿D ＿。

A ．不含施主杂质

B ．不含受主杂质

C ．不含任何杂质

D ．处于绝对零度

三、简答题

1 简述常见掺杂半导体材料（Si ，Ge ）中两种主要的散射机构，并说明温度及掺杂浓度对这两种散射机构几率的影响及原因。

答：主要的散射机构为晶格振动散射和电离杂质散射

其散射几率和温度的关系为：晶格振动散射：3/2s p T ∝，电离杂质散射：3/2i i p N T -∝

2 有4块Si 半导体样品，除掺杂浓度不同外，其余条件均相同。根据下列所给数据判断哪块样品电阻率最大？哪块样品的电阻率最小？并说明理由。

（1）N A =1.2×1013/cm 3, N D =8×1014/cm 3;

（2）N A =8×1014/cm 3, N D =1.2×1015/cm 3;

（3）N A =4×1014/cm 3;

（4）N D =4×1014/cm 3.

3 当PN 结两侧掺杂浓度N D 及N A 相同时，比较Si 、Ge 、GaAs 材料PN 结内建电势的大小，为什么？

4 画出外加正向和负向偏压时pn 结能带图（需标识出费米能级的位置）。

5 在一维情况下，描写非平衡态半导体中载流子（空穴）运动规律的连续方程是什么？说明各项的物理意义。 p

t ??――在x 处，t 时刻单位时间、单位体积中空穴的增加数；22p p D x ?

?――由于扩散，单位时间、单位体积中空穴的积累数；p p E p E p

x x μμ??--??――由于漂移，单位时间、单位体积中空穴的积累数；

p p

τ?-――由于复合，单位时间、单位体积中空穴的消失数；p g ――由于其他原因，单位时间、单位体积中空穴的产生数。

6 室温下某n 型Si 单晶掺入的施主浓度N D 大于另一块n 型Ge 掺入的施主浓度N D1，试问哪一块材料的平衡少子浓度较大？为什么？

7 以n 型Si 材料为例，画出其电阻率随温度变化的示意图，并作出说明和解释。

答：设半导体为n 型，有 n

nq μρ1= AB ：本征激发可忽略。温度升高，载流子浓度增加，杂质散射导致迁移率也升高，

故电阻率ρ随温度T 升高下降；

BC ：杂质全电离，以晶格振动散射为主。温度升高，载流子浓度基本不变。晶格

振动散射导致迁移率下降，故电阻率ρ随温度T 升高上升；

CD ：本征激发为主。晶格振动散射导致迁移率下降，但载流子浓度升高很快，故

电阻率ρ随温度T 升高而下降；

8．金属和半导体导电类型上有何不同?

金属自由电子导电，半导体非平衡载流子导电

p g 22p p p p E p p p p D E p g t x x x μμτ?????=--+????－

T k E E F e

E f 0/)(11)(-+=T

k E E B o F

e E

f --=)(3150102-?=-=cm N N p D A 353162100010125.1cm 102.0)105.1(--?=??==cm p n n i

9．平衡p-n 结的空间电荷区示意图如下，画出空间电荷区中载流子漂移运动和扩散运动的方向（在下图右侧直线上添加尖头即可）。并说明扩散电流和漂移电流之间的关系。（大小相等，方向相反）

10 型半导体的电阻率随温度的变化曲线如图所示，试解释为什么会出现这样的变化规律。

四 计算题

1． InSb 禁带宽度0.23g E eV =，相对介电常数25r

ε=，电子有效质量*00.015n m m =。试采用类氢模型计算施主杂质电离能。

2． 单晶硅中均匀地掺入两种杂质掺硼1.5?1016cm -3, 掺磷5.0?1015cm -3。试计算：（1）室温下载流子浓度；（2）室温下费米能级位置；（3）室温下电导率；（4）600K 下载流子浓度。

已知：室温下n i =1.5?1010cm -3, N C =2.8?1019cm -3, N V =1.0?1019cm -3, k 0T=0.026eV ；

)/(1300),/(50022s V cm s V cm p n ?=?=μμ ；600K 时n i =6?1015cm -3。

解：（1）对于硅材料：N D =5×1015cm -3；N A ＝1.5×1016cm -3；T ＝300k 时 n i =1.5×1010cm -3：

3. F E E -为004,10k T k T 时，分别用费米分布函数和玻尔兹曼分布函数

计算电子占据该能级的几率。 解：费米分布函数为 当E －EF 等于4k 0T 时，f ＝ 0.01799； 当E －EF 等于10k 0T 时，f ＝ 4.54* 510- 玻耳兹曼分布函数为

当E －EF 等于4k 0T 时，f ＝ 0.01832；当E －EF 等于10k 0T 时，f ＝ 4.54* 510- ； 上述结果显示在费米能级附近费米分布和玻耳兹曼分布有一定的差距。

4. 有三块半导体硅材料，已知在室温下（300K ）空穴浓度分别为34033100231601/102

5.2,/105.1,/1025.2cm p cm p cm p ?=?=?=。

1）分别计算这三块材料的电子浓度030201,,n n n

2）判断三块材料的导电类型；

3）分别计算这三块材料费米能级的位置（与本征费米能级比较）。

5． 求本征半导体的费米能级

半导体物理试卷b答案

一、名词解释（本大题共5题每题4分，共20分） 1. 直接复合：导带中的电子越过禁带直接跃迁到价带，与价带中的空穴复合，这样的复合过程称为直接复合。 2.本征半导体：不含任何杂质的纯净半导体称为本征半导体，它的电子和空穴数量相同。 3．简并半导体：半导体中电子分布不符合波尔兹满分布的半导 体称为简并半导体。 过剩载流子：在光注入、电注入、高能辐射注入等条件下，半导体材料中会产生高于热平衡时浓度的电子和空穴，超过热平衡浓度的电子△0和空穴△0称为过剩载流子。 4. 有效质量、纵向有效质量与横向有效质量 答：有效质量：由于半导体中载流子既受到外场力作用，又受到半导体内部周期性势场作用。有效概括了半导体内部周期性势场的作用，使外场力和载流子加速度直接联系起来。在直接由实验测得的有效质量后，可以很方便的解决电子的运动规律。 5. 等电子复合中心 等电子复合中心：在 V族化合物半导体中掺入一定量与主原子等价的某种杂质原子，取代格点上的原子。由于杂质原子与主原子之间电性上的差别，中性杂质原子可以束缚电子或空穴而成为带电中心。带电中心吸引与被束缚载流子符号相反的载流子，形成一个激子束缚态。这种激子束缚态叫做等电子复合中心。二、选择题（本大题共5题每题3分，共15分）

1．对于大注入下的直接辐射复合，非平衡载流子的寿命与（D ） A. 平衡载流子浓度成正比 B. 非平衡载流子浓度成正比 C. 平衡载流子浓度成反比 D. 非平衡载流子浓度成反比 2．有3个硅样品，其掺杂情况分别是： 甲．含铝1×10-153乙.含硼和磷各1×10-173丙.含镓1×10-173 室温下，这些样品的电子迁移率由高到低的顺序是（C ）甲乙丙 B. 甲丙乙 C. 乙甲丙D. 丙甲乙 3．有效复合中心的能级必靠近( A ) A.禁带中部 B.导带 C.价带 D.费米能级 4．当一种n型半导体的少子寿命由直接辐射复合决定时，其小注入下的少子寿命正比于（C ） A.10 B.1/△n C.10 D.1/△p 5．半导体中载流子的扩散系数决定于其中的( A ) A.散射机构 B. 复合机构 C.杂质浓变梯度 D.表面复合速度 6．以下4种半导体中最适合于制作高温器件的是（ D ）

电路分析基础期末试卷A及参考答案

桂 林 电 子 科 技 大 学 试 卷 2018-2019 学年第 一 学期 课号 BT122003_01 课程名称电路与电场导论 （A 、B 卷; 开、闭卷） 适用班级（或年级、专业）17电子信息类 一．选择题：本大题共15个小题，每小题2分，共30分，在每小题给出的四个选项中，只有一项是符合题意要求的，把所选项前的字母填在题后的括号内。 1、已知空间有a 、b 两点，电压U ab =8V ，a 点电位为V a =3V ，则b 点电位V b 为（ ）。 A 、5V B 、－5V C 、 11V D 、15V 2、两个电阻，当它们串联时，功率比为4:9；若它们并联，则它们的功率比为：（ ）。 A 、4:9 B 、9:4 C 、2:3 D 、3:2 3、图1所示电路中，已知元件A 放出功率10W ，则电流I =( )。 A 、 1A B 、2A C 、－1A D 、 5A 图2 。 、 D 、2A 5、由电压源、电流源的特性知,几个( )的电压源可以等效为一个电压源；几个( )的电流源可以等效为一个电流源，电压源与任意二端元件( )，可以等效为电压源；电流源与任意二端元件( )，可以等效为电流源。（ ① 并联 ② 串联 ） A 、② ，① ，① ，② B 、①，②，②，① C 、② ，①， ② ，① D 、①，②，①，② 6、用戴维南定理分析电路求端口等效电阻时，电阻为该网络中所有独立电源置零时的等效电阻。其独立电源置零是指（ ）。 A 、独立电压源开路，独立电流源短路 B 、独立电压源短路，独立电流源短路 C 、独立电压源短路，独立电流源开路 D 、以上答案都不对 7、314μF 电容元件用在100Hz 的正弦交流电路中，所呈现的容抗值为（ ） A 、Ω B 、Ω C 、Ω D 、51Ω 装 订 线 内 请 勿 答 题 4a

《数字电路》期末模拟试题及答案

- 1 - 一、填空题 1. PN 结具有单向导电性。正向偏置时，多子以扩散运动为主，形成正向电流；反向 偏置时，少子漂移运动，形成反向饱电流。 2. 双极型晶体三极管输出特性曲线的三个工作区是放大区、截止区、饱和区。 3. 已知三态与非门输出表达式C AB F ?=，则该三态门当控制信号C 为高电平时， 输出为高阻态。 4. 十进制数211转换成二进制数是(11010011)2；十六进制数是(D3)16。 5. 将若干片中规模集成电路计数器串联后，总的计数容量为每片计数容量的乘积。 6. 若用触发器组成某十一进制加法计数器，需要四个触发器，有五个无效状态。 7. 同步RS 触发器的特性方程为n 1n Q R S Q +=+；约束方程为RS=0 。 8. 下图所示电路中，Y 1 ＝B A Y 1=；Y 2 ＝ ；Y 3 ＝AB Y 3= 二、选择题 1. 下列函数中，是最小项表达式形式的是＿＿＿＿ c ＿＿＿＿＿。 A. Y=A+BC B. Y=ABC+ACD C. C B A C B A Y +?= D. BC A C B A Y +?= 2. 要实现n 1n Q Q =+,JK 触发器的J 、K 取值应为＿＿d ＿＿＿。 A ． J=0，K=0 B. J=0，K=1 C. J=1，K=0 D. J=1，K=1 3．数值[375]10与下列哪个数相等＿b ＿＿。 A ． [111011101]2 B. [567]8 C. [11101110]BCD D. [1F5]16 4．属于组合逻辑电路的是＿＿＿＿＿b ＿＿＿＿＿＿ A ． 触发器 B. 全加器 C. 移位寄存器 D. 计数器 5．M 进制计数器状态转换的特点是：设定初态后，每来＿c ＿＿个计数脉冲CP ，计数器重 新 B 2 B V CC Y 1

半导体物理试卷b答案

半导体物理试卷b答案 Document serial number【NL89WT-NY98YT-NC8CB-NNUUT-NUT108】

一、名词解释（本大题共5题每题4分，共20分） 1. 直接复合：导带中的电子越过禁带直接跃迁到价带，与价带中的空穴复合，这样的复合过程称为直接复合。 2.本征半导体：不含任何杂质的纯净半导体称为本征半导体，它的电子和空穴数量相同。 3．简并半导体：半导体中电子分布不符合波尔兹满分布的半导体称为简并半导体。 过剩载流子：在光注入、电注入、高能辐射注入等条件下，半导体材料中会产生高于热平衡时浓度的电子和空穴，超过热平衡浓度的电子△n=n-n 和空穴 称为过剩载流子。 △p=p-p 4. 有效质量、纵向有效质量与横向有效质量 答：有效质量：由于半导体中载流子既受到外场力作用，又受到半导体内部周期性势场作用。有效概括了半导体内部周期性势场的作用，使外场力和载流子加速度直接联系起来。在直接由实验测得的有效质量后，可以很方便的解决电子的运动规律。 5. 等电子复合中心 等电子复合中心：在III- V族化合物半导体中掺入一定量与主原子等价的某种杂质原子，取代格点上的原子。由于杂质原子与主原子之间电性上的差别，中性杂质原子可以束缚电子或空穴而成为带电中心。带电中心吸引与被束缚载流子符号相反的载流子，形成一个激子束缚态。这种激子束缚态叫做等电子复合中心。 二、选择题（本大题共5题每题3分，共15分） 1．对于大注入下的直接辐射复合，非平衡载流子的寿命与（D ） A. 平衡载流子浓度成正比 B. 非平衡载流子浓度成正比 C. 平衡载流子浓度成反比 D. 非平衡载流子浓度成反比2．有3个硅样品，其掺杂情况分别是： 甲．含铝1×10-15cm-3乙.含硼和磷各1×10-17cm-3丙.含镓1×10-17cm-3室温下，这些样品的电子迁移率由高到低的顺序是（C ） 甲乙丙 B. 甲丙乙 C. 乙甲丙 D. 丙甲乙

电路期末试卷1(含答案)

电路试题样卷1(考试时间：120分钟) 一、单项选择题（从每小题的四个备选答案中，选出一个正确答案，并将正确答案的填入题干的括号）。 1、图示电路中电流i S等于( ) 1) 1.5A 2) –1.5 A 3)3A 4) -3 A 2、图示电路中电流I等于( ) 1) 2A 2) -2 A 3) 3 A 4) -3 A 3、图示直流稳态电路中电压U等于( ) 1) 12V 2) -12V 3) 10V 4) -10V 4、图示电路中电压U等于( ) 1) 2V 2) -2V 3) 6V 4) -6V 5、图示电路中5V电压源发出功率P等于( ) 1) 15W 2) -15W 3) 30W 4) -30W 6、图示电路中负载电阻R L获得的最大功率为( ) 1)1) 2W 2) 4W 3) 8W 4) 16W 7、图示单口网络的输入电阻等于( )

1) 3Ω 2) 4Ω 3) 6Ω 4) 12Ω 8、 图示单口网络的等效电阻R ab 等于( ) 1) 2Ω 2) 3Ω 3) 4Ω 4) 6Ω 9、 图示电路中开关闭合后电容的稳态电压u C ()等于( ) 1) -2V 2) 2V 3) -5V 4) 8V 10、 图示电路的当开关闭合后的时间常数等于( ) 1) 0.5s 2) 1s 3) 2s 4) 4s 11、 图示电路在开关闭合后电流i (t )等于( ) )A e 1(3 4))A e 1(3 3))A e 1(3 2)A e 3 )10.5230.5t t t t ------- 12、 图示正弦电流电路中电流i (t )等于( ) 1) )A 1.532cos(2 +t 2) )A 1.532cos(2 -t 3) )A 9.362cos(2 +t 4) )A 9.362cos(2 -t 13、 图示正弦电流电路中电流i R (t )的有效值等于( ) 1) 5A 2) 10A 3) 52A 4) 102A

电路分析基础-期末考试试题与答案

试卷编号 命题人：审批人：试卷分类（ A 卷或 B 卷） A 大学试卷 学期：2006 至2007 学年度第 1 学期 课程：电路分析基础I 专业：信息学院05 级 班级：姓名：学号： （本小题 5分）求图示电路中 a、b 端的等效电阻R ab。 （本小题 6分）图示电路原已处于稳态，在t 0时开关打开，求则i 0 。 t0 4A 5 1F 0.5H 3 得分 题号一二三四五六七八九十 十十 总分得分 、得分 R ab =R2 得分

i(0+)=20/13=1.54A

（本小题 5 分）已知某二阶电路的微分方程为 则该电路的固有频率（特征根）为d 2 u dt 2 du 8 12u 10 dt 和___-6 ___ 。该电路处于阻尼 得分 （本大题6分）求图示二端网络的戴维南等效电路。u ab=10v, R0=3Ω 得分 （本小题 5分）图示电路中 , 电流I =0，求 U S。 Us=6v 得分 b

U=4.8V 得分 （本小题 5分） 电路如图示 , 求a 、b 点对地的电压 U a 、U b 及电流 I 。 3V U a =U b =2v, I=0A. 得分 （ 本 大 题10分 ） 试用网孔分析法求解图示电路的电流 I 1 、 I 2 、 I 3 。 I 1=4A, I 2=6A, I 3=I 1-I 2=-2A 得分 （本小题 10 分 ） 用节点分析法求电压 U 。 2 2V 1 I 1

（本大题12分）试用叠加定理求解图示电路中电流源的电压。 34 6+ 4A 4A 单独作用时， u'=8/3V; 3V 单独作用时， u'='-2V; 共同作用时， u=u'+u'='2/3V 得分 （本大题 12 分）试求图示电路中R L为何值时能获得最大功率，并计算此时该电路效率 Uoc=4v,R0=2.4Ω; R L= R0=2.4Ω时，获得最大功率 Pmax，Pmax＝ 5/3W; P s=40/3W，η＝ Pmax/ P s=12.5%。 100%为多

数字电子技术基础期末考试试卷及答案

数字电子技术基础期末考试试卷及答案 Document serial number【KKGB-LBS98YT-BS8CB-BSUT-BST108】

数字电子技术基础试题（一） 一、填空题 : （每空1分，共10分） 1． 10 = ( ) 2 = ( ) 16 。 2 . 逻辑函数L = + A+ B+ C +D = 1 。 3 . 三态门输出的三种状态分别为：、和。 4 . 主从型JK触发器的特性方程= 。 5 . 用4个触发器可以存储位二进制数。 6 . 存储容量为4K×8位的RAM存储器，其地址线为 12 条、数据线为 8 条。 二、选择题： (选择一个正确的答案填入括号内，每题3分，共30分 ) 1.设下图中所有触发器的初始状态皆为0，找出图中触发器在时钟信号作用下,输出电压波形恒为0的是：（C ）图。 2.下列几种TTL电路中，输出端可实现线与功能的电路是（ D）。 A、或非门 B、与非门 C、异或门 D、OC门

3.对CMOS与非门电路，其多余输入端正确的处理方法是（D ）。 A、通过大电阻接地（>Ω） B、悬空 C、通过小电阻接地（<1KΩ） B、 D、通过电阻接V CC 4.图2所示电路为由555定时器构成的（A ）。 A、施密特触发器 B、多谐振荡器 C、单稳态触发器 D、T触发器 5.请判断以下哪个电路不是时序逻辑电路（C ）。 A、计数器 B、寄存器 C、译码器 D、触发器 6．下列几种A/D转换器中，转换速度最快的是（A ）。 A、并行A/D转换器 B、计数型A/D转换器 C、逐次渐进型A/D转换器 B、 D、双积分A/D转换器 7．某电路的输入波形 u I 和输出波形 u O 如下图所示，则该电路为（ C）。 A、施密特触发器 B、反相器 C、单稳态触发器 D、JK触发器 8．要将方波脉冲的周期扩展10倍，可采用（C ）。

半导体物理期末试卷(含部分答案

一、填空题 1．纯净半导体Si 中掺错误！未找到引用源。族元素的杂质，当杂质电离时释放 电子 。这种杂质称 施主 杂质；相应的半导体称 N 型半导体。 2．当半导体中载流子浓度的分布不均匀时，载流子将做 扩散 运动；在半导体存在外加电压情况下，载流子将做 漂移 运动。 3．n o p o =n i 2标志着半导体处于 平衡 状态，当半导体掺入的杂质含量改变时，乘积n o p o 改变否？ 不变 ；当温度变化时，n o p o 改变否？ 改变 。 4．非平衡载流子通过 复合作用 而消失， 非平衡载流子的平均生存时间 叫做寿命τ，寿命τ与 复合中心 在 禁带 中的位置密切相关，对于强p 型和 强n 型材料，小注入时寿命τn 为 ，寿命τp 为 . 5． 迁移率 是反映载流子在电场作用下运动难易程度的物理量， 扩散系数 是反映有浓度梯度时载 q n n 0=μ ，称为 爱因斯坦 关系式。 6．半导体中的载流子主要受到两种散射，它们分别是电离杂质散射 和 晶格振动散射 。前者在 电离施主或电离受主形成的库伦势场 下起主要作用，后者在 温度高 下起主要作用。 7．半导体中浅能级杂质的主要作用是 影响半导体中载流子浓度和导电类型 ；深能级杂质所起的主要作用 对载流子进行复合作用 。 8、有3个硅样品，其掺杂情况分别是：甲 含铝1015cm -3 乙. 含硼和磷各1017 cm -3 丙 含镓1017 cm -3 室温下，这些样品的电阻率由高到低的顺序是 乙 甲 丙 。样品的电子迁移率由高到低的顺序是甲丙乙 。费米能级由高到低的顺序是 乙> 甲> 丙 。 9．对n 型半导体，如果以E F 和E C 的相对位置作为衡量简并化与非简并化的标准，那么 T k E E F C 02>- 为非简并条件； T k E E F C 020≤-< 为弱简并条件； 0≤-F C E E 为简并条件。 10．当P-N 结施加反向偏压增大到某一数值时，反向电流密度突然开始迅速增大的现象称为 PN 结击穿 ，其种类为： 雪崩击穿 、和 齐纳击穿（或隧道击穿） 。 11．指出下图各表示的是什么类型半导体？ 12. 以长声学波为主要散射机构时，电子迁移率μn 与温度的 -3/2 次方成正比 13 半导体中载流子的扩散系数决定于其中的 载流子的浓度梯度 。 14 电子在晶体中的共有化运动指的是 电子不再完全局限在某一个原子上，而是可以从晶胞中某一点自由地运动到其他晶胞内的对应点，因而电子可以在整个晶体中运动 。 二、选择题 1根据费米分布函数，电子占据（E F +kT ）能级的几率 B 。 A ．等于空穴占据（E F +kT ）能级的几率 B ．等于空穴占据（E F －kT ）能级的几率 C ．大于电子占据E F 的几率 D ．大于空穴占据 E F 的几率 2有效陷阱中心的位置靠近 D 。 A. 导带底 B.禁带中线 C ．价带顶 D ．费米能级 3对于只含一种杂质的非简并n 型半导体，费米能级E f 随温度上升而 D 。 A. 单调上升 B. 单调下降 C ．经过一极小值趋近E i D ．经过一极大值趋近E i 7若某半导体导带中发现电子的几率为零，则该半导体必定＿D ＿。 A ．不含施主杂质 B ．不含受主杂质 C ．不含任何杂质 D ．处于绝对零度

电路分析基础_期末考试试题与答案

命题人： 审批人： 试卷分类（A 卷或B 卷） A 大学 试 卷 学期： 2006 至 2007 学年度 第 1 学期 课程： 电路分析基础I 专业： 信息学院05级 班级： 姓名： 学号： (本小题5分) 求图示电路中a 、b 端的等效电阻R ab 。 1 R R ab =R 2 (本小题6分) 图示电路原已处于稳态，在t =0时开关打开， 求则()i 0+。 Ω

i(0+)=20/13=1.54A ( 本 大 题6分 ) 求图示二端网络的戴维南等效电路。 1A a b u ab =10v, R 0=3Ω (本小题5分) 图示电路中, 电流I =0，求U S 。 Us=6v

(本小题5分) 已知某二阶电路的微分方程为 d d d d 22 81210u t u t u ++= 则该电路的固有频率(特征根)为____-2________和___-6______。该电路处于___过_____阻 尼工作状态。 (本小题5分) 电路如图示, 求a 、b 点对地的电压U a 、U b 及电流I 。 U a =U b =2v, I=0A. ( 本 大 题10分 ) 试用网孔分析法求解图示电路的电流I 1、I 2、I 3。 I 1=4A, I 2=6A, I 3=I 1-I 2=-2A (本小题10分) 用节点分析法求电压U 。

U U=4.8V ( 本 大 题12分 ) 试用叠加定理求解图示电路中电流源的电压。 3V 4A 单独作用时，u ’=8/3V; 3V 单独作用时，u ’’=-2V; 共同作用时，u=u ’+u ’’=2/3V 。 十、 ( 本 大 题12分 ) 试求图示电路中L R 为何值时能获得最大功率，并计算此时该电路效率

《数字电路》期末模拟试题及答案 3

1. 当PN 结外加正向电压时，PN 结中的多子＿＿＿＿＿＿形成较大的正向电流。 2. NPN 型晶体三极管工作在饱和状态时，其发射结和集电结的外加电压分别处于＿＿＿ ＿＿＿偏置和＿＿＿＿＿＿＿偏置。 3. 逻辑变量的异或表达式为：_____________________B A =⊕。 4. 二进制数A=1011010；B=10111，则A -B=＿＿＿＿＿＿＿。 5. 组合电路没有＿＿＿＿＿＿功能，因此，它是由＿＿＿＿＿＿组成。 6. 同步RS 触发器的特性方程为：Q n+1 =＿＿＿＿＿＿,其约束方程为：＿＿＿＿＿＿。 7. 将BCD 码翻译成十个对应输出信号的电路称为＿＿＿＿＿＿＿＿，它有＿＿＿个输入 端，＿＿＿＿输出端。 8. 下图所示电路中，Y 1 Y 3 ＝＿＿＿＿＿＿。 1. 四个触发器组成的环行计数器最多有＿＿＿＿个有效状态。 A.4 B. 6 C. 8 D. 16 2. 逻辑函数D C B A F +=，其对偶函数F * 为＿＿＿＿＿＿＿＿。 A ．()()D C B A ++ B. ()()D C B A ++ C. ()()D C B A ++ 3. 用8421码表示的十进制数65，可以写成＿＿＿＿＿＿。 A ．65 B. [1000001]BCD C. [01100101]BCD D. [1000001]2 4. 用卡诺图化简逻辑函数时，若每个方格群尽可能选大，则在化简后的最简表达式 中 。 A ．与项的个数少 B . 每个与项中含有的变量个数少 C . 化简结果具有唯一性 A 1 A B 3

5. 已知某电路的真值表如下，该电路的逻辑表达式为 。 A ．C Y = B . AB C Y = C ．C AB Y += D ．C C B Y += 化简下列逻辑函数，写出最简与或表达式: 1． 证明等式:AB B A B A B A +?=+ 2． Y 2＝Σm （0，1，2，3，4，5，8，10，11，12） 3． Y 3＝ABC C AB C B A C B A + ++? 分析设计题: 1．双四选一数据选择器如图所示，其功能表达式如下。现要实现八选一数据选择器的功能（地址信号为 A 2A 1A 0，数据输入端信号为 D 7 ~ D 0 ） ，请画出电路连接图。 1A A A A D Y =(2D Y =( ２．TTL

半导体物理学期末复习试题及答案一

1.与绝缘体相比，半导体的价带电子激发到导带所需要的能量 （ B ）。 A. 比绝缘体的大 B.比绝缘体的小 C. 和绝缘体的相同 2.受主杂质电离后向半导体提供（ B ），施主杂质电离后向半 导体提供（ C ），本征激发向半导体提供（ A ）。 A. 电子和空穴 B.空穴 C. 电子 3.对于一定的N型半导体材料，在温度一定时，减小掺杂浓度，费 米能级会（ B ）。 A.上移 B.下移 C.不变 4.在热平衡状态时，P型半导体中的电子浓度和空穴浓度的乘积为 常数，它和（ B ）有关 A.杂质浓度和温度 B.温度和禁带宽度 C.杂质浓度和禁带宽度 D.杂质类型和温度 5.MIS结构发生多子积累时，表面的导电类型与体材料的类型 （ B ）。 A.相同 B.不同 C.无关 6.空穴是( B )。 A.带正电的质量为正的粒子 B.带正电的质量为正的准粒子 C.带正电的质量为负的准粒子 D.带负电的质量为负的准粒子 7.砷化稼的能带结构是（ A ）能隙结构。 A. 直接 B.间接 8.将Si掺杂入GaAs中，若Si取代Ga则起（ A ）杂质作

用，若Si 取代As 则起（ B ）杂质作用。 A. 施主 B. 受主 C. 陷阱 D. 复合中心 9. 在热力学温度零度时，能量比F E 小的量子态被电子占据的概率为 （ D ），当温度大于热力学温度零度时，能量比F E 小的 量子态被电子占据的概率为（ A ）。 A. 大于1/2 B. 小于1/2 C. 等于1/2 D. 等于1 E. 等于0 10. 如图所示的P 型半导体MIS 结构 的C-V 特性图中，AB 段代表 （ A ），CD 段代表（B ）。 A. 多子积累 B. 多子耗尽 C. 少子反型 D. 平带状态 11. P 型半导体发生强反型的条件（ B ）。 A. ???? ??=i A S n N q T k V ln 0 B. ??? ? ??≥i A S n N q T k V ln 20 C. ???? ??=i D S n N q T k V ln 0 D. ??? ? ??≥i D S n N q T k V ln 20 12. 金属和半导体接触分为：（ B ）。 A. 整流的肖特基接触和整流的欧姆接触 B. 整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触 C. 非整流的肖特基接触和整流的欧姆接触 D. 非整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触 13. 一块半导体材料，光照在材料中会产生非平衡载流子，若光照

数电期末试卷及答案(共4套)

XX大学信息院《数字电子技术基础》 期终考试试题（110分钟）(第一套) 一、填空题：（每空1分，共15分） 1．逻辑函数Y AB C =+的两种标准形式分别为（）、 （）。 2．将2004个“1”异或起来得到的结果是（）。 3．半导体存储器的结构主要包含三个部分，分别是（）、（）、（）。 4．8位D/A转换器当输入数字量10000000为5v。若只有最低位为高电平，则输出电压为（）v；当输入为10001000，则输出电压为（）v。 5．就逐次逼近型和双积分型两种A/D转换器而言，（）的抗干扰能力强，（）的转换速度快。 6．由555定时器构成的三种电路中，（）和（）是脉冲的整形电路。7．与PAL相比，GAL器件有可编程的输出结构，它是通过对（）进行编程设定其（）的工作模式来实现的，而且由于采用了（）的工艺结构，可以重复编程，使它的通用性很好，使用更为方便灵活。 二、根据要求作题：（共15分） 1．将逻辑函数P=AB+AC写成“与或非”表达式，并用“集电极开路与非门”来实现。 2．图1、2中电路均由CMOS门电路构成，写出P、Q 的表达式，并画出对应A、B、C的P、Q波形。 三、分析图3所示电路：（10分） 1）试写出8选1数据选择器的输出函数式； 2）画出A2、A1、A0从000~111连续变化时，Y的波形图； 3）说明电路的逻辑功能。

四、设计“一位十进制数”的四舍五入电路（采用8421BCD码）。要求只设定一个输出，并画出用最少“与非门”实现的逻辑电路图。（15分） 五、已知电路及CP、A的波形如图4(a) (b)所示，设触发器的初态均为“0”，试画出输出端B和C的波形。（8分） B C 六、用T触发器和异或门构成的某种电路如图5(a)所示，在示波器上观察到波形如图5(b)所示。试问该电路是如何连接的？请在原图上画出正确的连接图，并标明T的取值。 （6分） 七、图6所示是16*4位ROM和同步十六进制加法计数器74LS161组成的脉冲分频电路。ROM 中的数据见表1所示。试画出在CP信号连续作用下的D3、D2、D1、D0输出的电压波形，并说明它们和CP信号频率之比。（16分） 表1：

电工电子技术基础期末考试试卷答案

《电工电子技术》期末测验试卷 班级： 姓名： 得分： 一、填空题：（每题3分，共12题，合计 36 分） 1、用国家统一规定的图形符号画成的电路模型图称为 电路图 ，它只反映电路中电气方面相互联系的实际情况，便于对电路进行 分析 和 计算 。 2、在实际应用中，按电路结构的不同分为 简单 电路和 复杂 电路。凡是能运用电阻串联或电阻并联的特点进行简化，然后运用 殴 姆 定 律 求解的电路为 简单电路；否则，就是复杂电路。 3、在直流电路的分析、计算中，基尔霍夫电流第一定律又称 节点电流 定律，它的数学表达式为 。假若注入节点A 的电流为5A 和－6A ，则流出节点的电流 I 出 = -1 A 。 4、电路中常用的四个主要的物理量分别是 电压 、 电流 、 电位 、 电动势 。 它们的代表符号分别是 I 、 U 、 V 和 E ； 5、在实际电路中，负载电阻往往不只一个，而且需要按照一定的连接方式把它们连接起来，最基本的连接方式是 串联 、 并联 、 混联 。 6、描述磁场的四个主要物理量是： 磁通 、 磁感应强度 、 磁导率 和 磁场强度 ；它们的代表符号分别是 Φ 、 Ｂ 、 Ｕ 和 Η ； 7、电磁力F 的大小与导体中 电流I 的大小成正比，与导体在磁场中的有效 长度L 及导体所在位置的磁感应强度B 成正比，即表达式为： F = BIL ,其单位为： 牛顿 。 8、凡大小和方向随时间做周期性变化的电流、电压和电动势交流电压 、 交流电流 和 交流电动势 ，统称交流电。而随时间按正弦规律变化的交流电称为 正弦交流电 。 9、 有效值（或最大值） 、 频率（或周期、角频率） 和 初相位 是表征正弦交流电的三个重要物理量，通常把它们称为正弦交流电的三要素。 10、已知一正弦交流电压为u =2202sin(314t+45°)V ，该电压最大值为 220，角频率为 314 rad/s,初相位为 45° 、频率是 50 Hz 周期是 s 。 11、我国生产和生活所用交流电（即市电）电压为 220 V 。其有效值为 220 V,最大值为 V ，工作频率f ＝__50 __Hz ，周期为T ＝，其角速度ω＝__314___rad/s ，在1秒钟内电流的方向变化是__50___次。 12、在正弦电路中，用小写字母如i 、 u 等表示 瞬时 值，用大写字母如I 、U 等表示 有效 值 二、选择题：（每小题2分，共 24 分） 1、有一根阻值为1的电阻丝，将它均匀拉长为原来的3倍，拉长后的电阻丝的阻值为（D ） A 、1 B 、3 C 、6 D 、9 2、试计算长度为100m ，横截面积为的铝导线在常温20℃时(备注：20℃时，铝的电 电阻率ρ=×10-8 Ω.m)的电阻值是多少（ B ）。 ∑∑=出入I I

数字电路的期末试题及标准答案

数字电路的期末试题 一、客观题：请选择正确答案，将其代号填入（）内；（本大题共10小题，每空2分，共20分） ⒈当某种门的输入全部为高电平，而使输出也为高电平者，则这种门将是： A．与非门及或非门； B．与门及或门； C．或门及异或门； D．与门及或非门．（ B ） ⒉在如下所列4种门电路中，与图示非门相等效的电路是：（ B ） ⒊已知，则函数F和H的关系，应是：（ B ） A．恒等； B．反演； C．对偶； D．不确定． ⒋若两个逻辑函数恒等，则它们必然具有唯一的：（A） A．真值表； B．逻辑表达式； C．电路图； D．逻辑图形符号． ⒌一逻辑函数的最小项之和的标准形式，它的特点是：（C） A．项数最少； B．每个乘积项的变量数最少； C．每个乘积项中，每种变量或其反变量只出现一次； D．每个乘积项相应的数值最小，故名最小项． ⒍双向数据总线可以采用（ B ）构成。 A．译码器； B．三态门； C．与非门； D．多路选择器． ⒎在下列逻辑部件中，不属于组合逻辑部件的是（ D ）。 A．译码器； B．编码器； C．全加器； D．寄存器． ⒏八路数据选择器，其地址输入端（选择控制端）有（ C ）个。

A．8个 B．2个 C．3个 D．4个 ⒐为将D触发器转换为T触发器，如图所示电路的虚线框内应是（ D ）。 A．或非门 B．与非门 C．异或门 D．同或门 ⒑为产生周期性矩形波，应当选用（ C ）。 A．施密特触发器 B．单稳态触发器C．多谐振荡器 D．译码器 二、化简下列逻辑函数（每小题5分，共10分） ⒈用公式法化简逻辑函数： ⒉用卡诺图法化简逻辑函数：Y(A,B,C,D)=∑m(2 ,3,7,8,11,14) 给定约束条件为m0+m5+ m10+m15=0 三、非客观题(本题两小题，共20分) ⒈如图所示为三输入变量的或门和与门的逻辑图。根据两种不同的输入波形(见图b)，画出Y1、Y2的波形。（本题共8分,每个Y1、Y2各 2分） 解

模拟电路期末试卷及答案

《模拟电子技术基础（1）》期末试题 （A 卷）参考答案及评分标准 一、填空（每空1分，共20分） 1. 双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结 正偏 、集电结 反偏 。 2. 放大器级间耦合方式有三种： 直接 耦合； 阻容 耦合； 变压器 耦合；在集成电路中通常采用 直接 耦合。 3. 差分放大器的基本特点是放大 差模信号 、抑制 共模信号 。 4. 乙类推挽放大器的主要失真是 交越失真 ，要消除此失真，应改用 甲乙 类推挽放大器。 5. 图1所示两级放大电路，图中级间采用 阻容 耦合方式，1T 接成 共基 组态，2T 接成 共集 组态，1R 和2R 的作用是 为T1管提供基极偏置 。 6. 在阻容耦合放大器中，若要降低下限频率，应将耦合电容的值 增大 。 7. 共射－共基组合电路中，由于共射电路的上限频率 小于 共基电路的上限频率，故此组合电路的上限频率主要取决于 共射 电路。 8. 负反馈系统产生自激的条件是1)(-=ωj T ，相应的振幅条件是1)(=ωj T ，相位条件是()πω?±=T 。

二、简答（共3小题，每小题5分，共15分） 1. 测得工作在放大电路中两个晶体管的三个电极电流如图2所示 （1）判断它们各是NPN 管还是PNP 管，在图中标出e ，b ，c 极； 答：见图中标识（判断NPN 管还是PNP 管各1分，标出e ，b ，c 极1分， 共3分） （2）估算(b)图晶体管的β和α值。 601 .06 === B C I I β， 985.01≈+= ββα （各1分，共2分）

2.电路如图3所示，试回答下列问题 （1）要使电路具有稳定的输出电压和高的输入电阻，应接入何种负反馈？ R f 应如何接入？（在图中连接） 答：应接入电压串联负反馈（1分） R接法如图（1分） f （2）根据前一问的反馈组态确定运放输入端的极性（在图中“□”处标出），并根据已给定的电路输入端极性在图中各“○”处标注极性。 答：见图中标识（3分）（共6空，两个1分） 3.简述直流电源的主要组成部分及各部分功能。 答：直流电源主要由整流电路、滤波滤波、稳压电路组成，其中整流电路的作用是将交流电压转换为直流电压，滤波电路的作用是减小电压的脉动，稳压电路的作用是使输出直流电压基本不受电网电压波动和负载电阻变化的影响，从而获得足够高的稳定性。（组成部分3分，功能2分）

最新《电路与电子技术基础》期末考试卷(附答案)

《电路与电子技术基础》期末考试试卷（A） 时间：120分钟 班级学号姓名成绩 【注意事项】 1.答题用黑色或兰色钢笔与圆珠笔，作图可以用铅笔； 2.除可以携带指定的文具用品（钢笔、圆珠笔、铅笔、橡皮、绘图仪器、无存储功能的计算器）外，其他物品不准带入考场（手机必须关机，参考资料与书包全部放到教室前面）； 3.遇有试卷字迹不清、卷面缺损等问题，可以先举手，经监考人员同意后方可提问。 一、单项选择题（本题共40分，每题2分，将你认为正确的选项对应的字母填在括号内） 1．测得一放大电路中三极管各极电压如考试题图1所示：该管为（）。 A. PNP型硅管 B. NPN型硅管 C. PNP型锗管 D. NPN型锗管 2．正常工作状态下的稳压二极管，处于伏安特性曲线中的（）。 A. 正向特性工作区 B. 反向击穿区 C. 正向特性非工作区 D. 特性曲线所有区域 3．组合逻辑电路的设计是指（）。 A. 已知逻辑要求，求解逻辑表达式并画逻辑图的过程 B. 已知逻辑要求，列真值表的过程 C. 已知逻辑图，求解逻辑功能的过程 4．考试题图2所示电路的u S (t) = 2 cos t V，则电感电流 i L(t)的初相等于（）。 A. 26.6° B. －26.6° C. 63.4° D. －63.4° 5．电流并联负反馈对放大器的输入、输出的电阻的影响是（）。 A. 减小输入电阻及输出电阻 B. 减小输入电阻、增大输出电阻 C. 增大输入电阻、减小输出电阻 D. 增大输入电阻及输出电阻 6．考试题图3所示电路中的电压U为（）。 A. 5V B. -5V C. 10V D. 7V 7．TTL与非门中多余的输入端应接电平是（）。 考试题图3 ① -2V ③-2.2V -8V 考试题图1 考试题图2 u s(t

数字电路期末试卷及答案A

系名____________班级____________姓名____________学号____________ 密封线内不答题 2011 —— 2012 学年第 2 学期 课程名称： 数字电子技术基础 使用班级：11级电子、通信、控制本科 一、 填空、单选题（在括号内填入所选序号）（每小题2分、共20分） 1、5F.8 16 ＝（___________） 10 ＝（___________） BCD 8421 2、一个四位二进制递减计数器的初态为1110，经过三个计数脉冲后，该计数器的状态 为_________。 3、要用1K ×4的RAM 构成存储容量为4K ?16位的存储器，需要用 _________片进行扩展。 4、A/D 转换器用以将输入的_________转换成相应_________输出的电路。 5、偏离状态能在计数脉冲作用下自动转入有效状态的特性，称为__________特性。 6、如果F （A,B,C ）＝∑)7,5,4,2,0(m ，那么F (A,B,C)＝M ∏( ) 。 A. 0,2,4,5,7 B . 1,3,6 C . 0,2,3,5,7 D . 1,4,6 7、已知D/A 转换器的最小输出电压为10mv ，最大输出电压为2.5v ，则应选用（ ）位的D/A 转换器。 A . 7 B . 8 C. 9 D . 10 8、存储容量为256×8的RAM 有（ ）根地址输入线。 A . 8 B. 256 C . 10 D . 11 9、TTL 电路中三极管作为开关时工作区域是( )。 A. 饱和区+放大区 B. 饱和区+截止区 C. 放大区+击穿区 D. 击穿区+截止区 10、4位输入的二进制译码器，其输出端有( )位。 A. 16 B. 8 C. 4 D. 2 二、逻辑函数简化及变换 （共15分） 1、用公式法将下面的逻辑函数式化简为最简与—或表达式。（6分）

2009半导体物理试卷-B卷答案

………密………封………线………以………内………答………题………无………效…… 电子科技大学二零 九 至二零 一零 学年第 一 学期期 末 考试 半导体物理 课程考试题 B 卷 （ 120分钟） 考试形式： 闭卷 考试日期 2010年 元月 18日 课程成绩构成：平时 10 分， 期中 5 分， 实验 15 分， 期末 70 分 一、填空题: （共16分，每空1 分） 1. 简并半导体一般是 重 掺杂半导体，忽略。 2. 处在饱和电离区的N 型Si 半导体在温度升高后，电子迁移率会 下降/减小 ，电阻 3. 4. 随温度的增加，P 型半导体的霍尔系数的符号 由正变为负 。 5. 在半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，它们具有 杂质补偿 的作用，在制 造各种半导体器件时，往往利用这种作用改变半导体的导电性能。 6. ZnO 是一种宽禁带半导体，真空制备过程中通常会导致材料缺氧形成氧空位，存在 氧空位的ZnO 半导体为 N/电子 型半导体。 7. 相对Si 而言，InSb 是制作霍尔器件的较好材料，是因为其电子迁移率较 高/ 8. 掺金工艺通常用于制造高频器件。金掺入半导体Si 中是一种 深能级 9. 有效质量 概括了晶体内部势场对载流子的作用，可通过回旋共振实验来测量。 10. 某N 型Si 半导体的功函数W S 是4.3eV ，金属Al 的功函数W m 是4.2 eV ， 该半导

………密………封………线………以………内………答………题………无………效…… 体和金属接触时的界面将会形成 反阻挡层接触/欧姆接触 。 11. 有效复合中心的能级位置靠近 禁带中心能级/本征费米能级/E i 。 12. MIS 结构中半导体表面处于临界强反型时，表面少子浓度等于内部多子浓度，表面 13. 金属和n 型半导体接触形成肖特基势垒，若外加正向偏压于金属，则半导体表面电 二、选择题（共15分，每题1 分） 1. 如果对半导体进行重掺杂，会出现的现象是 D 。 A. 禁带变宽 B. 少子迁移率增大 C. 多子浓度减小 D. 简并化 2. 已知室温下Si 的本征载流子浓度为310105.1-?=cm n i 。处于稳态的某掺杂Si 半导体 中电子浓度315105.1-?=cm n ，空穴浓度为312105.1-?=cm p ，则该半导体 A 。 A. 存在小注入的非平衡载流子 B. 存在大注入的非平衡载流子 C. 处于热平衡态 D. 是简并半导体 3. 下面说法错误的是 D 。 A. 若半导体导带中发现电子的几率为0，则该半导体必定处于绝对零度 B. 计算简并半导体载流子浓度时不能用波尔兹曼统计代替费米统计 C. 处于低温弱电离区的半导体，其迁移率和电导率都随温度升高而增大 D. 半导体中，导带电子都处于导带底E c 能级位置 4. 下面说法正确的是 D 。 A. 空穴是一种真实存在的微观粒子 B. MIS 结构电容可等效为绝缘层电容与半导体表面电容的的并联 C. 稳态和热平衡态的物理含义是一样的

《数字电路》期末试卷一答案

试卷一答案一、填空题（每题3分，共24分） 1．（ F8） 16=（ 248 ） 10 =（ 11111000 ） 2 2．X= -16 D，其一字节长的[X] 反= ；[X] 补 = 。 3．写出图1逻辑电路的输出表达式F，F= 4．动态MOS存储单元是利用MOS栅极电容存储信息 的,为不丢失信息,必须定期刷新。 5．由n个D触发器构成的环形计数器，其有效计数 状态共有 n 个; 由n个JK触发器构成的扭环形计数器，其有效计数状态共有 2n 个。 6．单稳态触发器暂态时间取决于电路本身的参数，与触发信号无关。 7．施密特触发器的主要用途有波形变换、波形整形、消除干扰、幅度鉴别。 8．若要求DAC电路的分辩率达到千分之一，则至少应选用 10 （因为）位二进制代码输入的转换器。 二、简化下列函数，且写出最简“与非”表达式（14分） （用代数法） (用反演定律) (用消元法) (利用包含律) (用还原律和反演定律) 2． 解：将上式填入卡诺图如图2。

含有无关项的逻辑函数化简时可根据实际情况将无关项做“0”或“1”处理，以使函数可以化到最简。 若不考虑约束条件则最简与或式为 当考虑约束条件则最简与或式为 三、（10分） 分别用TTL“与非”门和OC门，实现函数，画出逻辑电路图。 解： 用TTL“与非门”实现时，必须将表达式变成“与非”--“与非”式，然后再画逻辑图。 由此可得： 用OC门实现时，由于OC门具有线与的逻辑功能，可直接按表达式画图。如图3所示。 四、用四输入数据选择器实现函数（8分）

解：用代数法求。根据逻辑表达式，其有四个输入变量A、B、C、D，而四选一数据选择器只需两位地址代码和，若选A和B作为选择器的地址输入，A =、B =,余下的项可选作数据输入用。 于是将表达式进行变换，变化成每项都含有A和B原变量和反变量组成的表达式。 由此可知：D 0=0 D 1 =D D 2 = D 3 =1 根据得到的表达式可画出逻辑图 五、设8421BCD码对应的十进制数为X，当X ≤2,或≥7时电路输出F为高电平,否则为低电平。试设计该电路，并用于非门实现之。（14分） 解：1、根据题意，列真值表。由于8421BCD码由十种状态，而四变量组合由16种，6种未用的状态,可按无关项处理，由此可列出实现该功能的电路的真值表

2019年电子电路基础课程期末测试卷(内含答案)

电子电路基础课程期末测试卷（ A 卷） 学校：姓名：学院：班别： 一、单项选择题 1.关于交流电路的阻抗，以下说法正确的是（ B ）。 A．是相量，可以用相量图表示 B.是复数，称为复阻抗 C.不可能是纯实数 D.是总电压与总电流之比 2.由电源和若干个电阻组成的电路中，关于功率的说法正确的是（ D ）。 A．功率不存在负值 B.电源不会消耗功率，只能提供功率 C. 交流电正负交变，不消耗功率 D.电路的功率之和为0 3.已知纯电容电路 X C 8 ，电流为 10A，则电路的视在功率为（ B ）。 A． 800sin45 B.800VA ( 伏安 )C.800WD.800Var ( 无功 ) 4. 关于等效电源的说法正确的是（ D ）。 A．理想电流源可以等效为理想电压源 B.电源的等效变换只适用于直流电路 C.电源之间不能进行等效变换 D.可以将含有内阻的电压源等效为电流源 5. 为了实现稳压，稳压二极管在电路中的正确使用是（ B ）。（尖头算正极） ++++ — ——— A. B. C. D. 6.已知V,= 90 I 42 A,无功功率为（ A ）。 P=UI72-42=30度 sin30*p U 10072 VA 是视在功率单位 A. 4.5KVar var(无功功率单位 ) B. 7.94Kvar C. 9KVA D. 4.5KW 7.万用表测量交流电压，其读值是交流电的（ D ）。交流电压 =电压×根号 2 A．平均值 B.最大值 C.瞬时值 D.有效值 8.关于电路分析中电流的参考方向说法错误的是（D）。 A．参考方向的设置不会影响计算结果 B.计算结果为负，说明实际方向与参考方向相反 C. 参考方向可以根据需要指定 D.参考方向要与实际方向一致