电子技术(模拟部分)刘颖主编习题详解
s第一章习题参考答案
1-1.填空
（1）光信号、声信号和电信号
（2）电压或电流
（3）连续，离散
（4）模拟信号
（5）信号提取、信号预处理、信号的加工和信号执行
2-1. 简答下列问题
（1）有源元件的特点就是在电子电路中必须外加适合的电源电压或电流后方可有效工作；无源元件的特点就是在电子电路中无须外加适合的电源即可有效工作。
（2）参见1.2.2小节
（3）参加图1.2.5
第二章习题参考答案
2-1．填空
（1）五价元素；三价元素；
（2）单向导电性；
（3）0，无穷大；
（4）势垒电容和扩散电容；
（5）增大；
（6）变窄，变宽；
（7）扩散运动，漂移运动；
（8）反偏截止状态；
（9）正向导通状态。
2-2．
(1)错（2）对（3）错（4）错（5）对（6）对（7）错(8) 错（9）错（10）对
2-3．简答题
（1）否则二极管性能将变坏甚至击穿。
（2）能，工作原理略。
（3）将模拟万用表设置为欧姆档，模拟万用表的黑色表笔（正极）和红色表笔（负极）分别接二极管的两端，如果电阻很小，则黑表笔接的就是二极管的正极；如果利用数字表的欧姆档测量二极管极性，与模拟表接法相反；当然目前很多数字万用表都有测试二极管的功能。
（4）不行，将造成二极管损坏。
（5）概念见教材，只有热击穿后PN 结将损坏。 2-4．
（a ）导通，6V; （b ）导通,3V;
（c ）D 1导通、D 2截止; 0V;
（d ）D 1、D 3截止，D 2、D 4导通; 8V 。 2-5．
题2-5解图
2-6 .
题2-6解图
2-7．
（1）利用作图法，D D 07V 26mA U .,I .≈≈
T
1
D T D i
D 1261026i
u U d I e U r du I .-??
??-??
? ?????
????=
≈
=Ω=Ω ???
（2）流过二极管的交流电流有效值为 i d D 10mA 1mA 10U I r ??
=== ???
2-8．
假设稳压管正向导通压降近似为零，输入波形如2-8解图所示。
(a)
(b)
题2-8解图
2-9 .
(1) 3.33V ，5V ，6V ；
(2)稳压管电流为29mA>I Zmax ，因功耗过大而损坏。 2-10.
根据二极管特性曲线、测试回路方程作图，根据二极管静态电阻定义，测得数据为 85
Ω、680Ω和4k Ω时所用的档分别是R ×1k Ω、R ×100Ω和R ×10Ω三个欧姆档。
2-11 .
题2-11解图
2-12.
第三章习题参考答案
3-1．填空
（1）发射极、基极和集电极；发射结、集电结；截止区、放大区和饱和区；放大区。（2）正偏，反偏；正偏，正偏；反偏，反偏。
（3）自由电子，空穴；
（4）较高；
（5）小，大，大，小。
3-2．判断下列说法正确与否。
（1） 错（2）对（3）对（4）对（5）对（6）错（7）错（8）错（9）对（10）对 3-3．简答题
（1）不能。因为三极管中的两个PN 结是相互有关联的。
（2）α是共基极电流放大系数；β是共射极电流放大系数；随着集电极电流增大，β略有减小。
（3）不能，因为三极管中两个PN 结并不对称。 （4）三极管放大电路的动态工作点进入了非线性区。
（5）放大电路的动态工作轨迹进入了饱和区；放大电路的动态工作轨迹进入了截止区 （6）产生原因有直流电源电压波动、元件老化、温度变化引起的电子元件参数发生变化；当采用高质量的直流稳压电源和经过老化实验的元件后，可以大大减小直流电源电压波动和元件老化带来的影响，此时产生零点漂移的主要原因是温度的变化，因此零点漂移也称为温度漂移，简称温漂。
（7）低频小信号放大电路消耗的功率小；功放电路消耗的功率大。 （8）三极管的Π模型，Π模型是三极管的物理模型。 （9）利用公式
()C B CBO CEO
1B I I I I I βββ=++=+，调整电路参数，测量2组基极电流和
集电极电流，列写方程组C11CEO
C22CEO
B B I I I I I I ββ=+??=+?，解方程组即可求得电流增益β和穿透电流
CEO I 。
3-4． 选择填空
(1)A (2) C (3)B (4)A,B (5)D,A,B (6) B (7) C (8) B,A,A （9）A,C,B,D （10）B,B,C,C,B （11）A,C,D （12）A (13）D （14）A （15）C ，B ，B （16）C （17）C （18） C （19）A （20）C （21）C （22）A,D 3-5.
(a)损坏 (b) 截止 (c)饱和 (d) 放大
题3-5解图
3-6．
题3-6解图
(a)硅管NPN (b)锗管PNP (c)锗管PNP
3-7．(1)
0975E B E I I .I α-≈
=，391αβα==-，()CEO CBO CBO 1
140μA 1I I I βα
==+=- 或
()C B CBO 1I I I ββ=++
C CBO E B CBO
B CBO B CBO
382I I I I I .I I I I β---=
==++
09751.β
αβ
=
=+ ()CEO CBO 140μA I I β=+=
(2) A 为集电极，B 为基极，C 为发射极；C B 1550003I .mA
I .mA
β=== 3-8．（a ）饱和 (b) 放大 (c) 饱和 3-9．
题3-9解图
（a ）（b ）
+
u o -
+
u o -
3-10．
a 不能。没有直流偏置，不能提供合适的静态工作点。
b 不能。电源V CC 使发射结反偏，不能提供合适的静态工作点。
c 不能。集电结不是反偏，电路不具备合适的静态工作点。 3-11．
V CC
（a ）
V CC
（b ）
R CC
C
CC
（c ）
R V CC
（d ）
题3-11解图
3-12．
L
（a ）
u
-
+u o
-
题3-12解图
（b ）
+o -
（c ）
+
u o -
（d ）
+
u o -
3-13．
()()
()()CC BE
BQ C B1
CQ BQ CEQ CC BQ C V 32μA 1 1.6mA V 17.1V
-=
=++=?==-+=U I R R I I U I R βββ
3-14．
（1）CE CC C C C 33U V I R I =-=-；
()CC BE
BQ B
153μA V U I .R -=
=,
I CQ 和U CEQ 如题3-14解图中所示。
题3-14解图
0.751
（2）若R L =∞，o 08V U .≈；
(3)若R L =7kΩ，()
o o max1o max208V ,,U min U ,U .=≈
3-15．
静态工作点 ()CC BE
BQ B E
100μA 1V U I R R β-=
≈++
(1) ()()CEQ CC
CQ C E C CQ 200.5U V I R R R I ≈-+=-+
题3-15解图
R C 增加时，直流负载线的斜率绝对值减小，静态工作点Q1将向左边移动到Q2。 （2） R B 增加时，直流负载线不变，静态工作点Q1沿负载线向下移动。
（3）为了使三极管不进入饱和区，
()CEQ CC CQ C E CES C , 1.47k Ω=-+≥≤U V I R R U R 3-16． (1) ()()CC B EB
BQ E
0.53μA 1--=
=+V U U I R β
()
()CQ B CEQ CC BQ E CQ C 53μA 111.82V
===-+-=I I U V I R I R ββ
(2) R B1开路，
()()
()()
CC EB
BQ B2E
C BQ C EC CC BQ C BQ E 0.02mA 11000.0224V 1 5.4V -=
=++=?=??==-?-+=集电极电位（）V U I R R U I R U V I R I R ββββ 此时三极管的发射结正偏、集电结反偏，管子处于放大状态。 R B2开路， BQ C 00I ,U ==,此时管子处于截止状态。 3-17． （1）()C BE
BQ CQ fe B B
17.7μA ,0.89(mA)-=
==?=C V U I I h I R
（2）h 参数等效电路如题3-17解图。 其中()
T
ie bb'EQ
1178k Ω=++=U h r .I β 题3-17解图
R i
o
+u o -
+u -
（3）o fe C
U i ie
113-=
==-u h R A u h （4）()fe C L o o i
U Us U i ie s i s
//57,44-===-===-+h R R u u r A A A u h u r R 3-18．
（1）()B BEQ
BQ B1B2E
32μA 1U U I R //R R β-=
=++
CQ BQ 096mA I I .β=?=
()CEQ CC CQ C EQ E CC CQ C E 816V U V I R I R V I R R .=--≈-+=
（2）交流小信号等效电路如题3-18解图所示。
+u i -
o
题3-18解图(a)
（3）
o C
U i be
1286-=
==-u R A .u r β （1） i B1B2be 07k Ω=≈r R //R //r .， o C 3k Ω==r R
（2） C E 开路时低频小信号等效电路如题3-18解图（b ）所示。
()o C U i be E
2841-=
==-++u R A .u r R ββ
o
题3-18解图(b)
3-19．
(1) 直流通路如题3-19解图(a)所示。
R C 2k Ω题3-19解图（a ）
V CC C
()()CC BE
BQ 12C CQ BQ CEQ CC BQ C 30.8μA
13.08mA
1 3.8V
-==+++=?==-+=（）V U I R R R I I U V I R βββ
(2) 交流通路及交流等效电路如题3-19解图（b ）、题3-19解图（c ）所示.。
R L k Ω
R R L
k Ω题3-19解图（c ）
R i
o
题3-19解图（b ）
+u -
+
u o -
u -
+
u o
-
（3）()()i 1ie o 2C //0.94k Ω,// 1.98k Ω====r R h r R R
()
2C L i
U Us U ie
i S
////125,103=-
=-=
=-+R R R r A A A h r R β
3-20．
(1)静态工作点
()B BEQ
B BE
EQ B1B2E E
fe
CQ EQ fe
CEQ CC EQ E 134mA 1133mA 193V
--=≈
=++=
=+=-=U U U U I .R //R R R h I I .h U V I R .β
(2)中频电压增益
()()()()
fe E L U ie fe E L 1098
1+=
=++h R //R A .h h R //R
（3）()i B1B2fe E L [1]126k Ω=++=ie r R //R //h (h )R //R .
S B1B2ie o E fe 25Ω1??+== ?+??
R //R //R h r //R h
考虑信号源内阻时电压增益i
Us U i
094=
=+S r A A .R r
3-21．
（1） 共基组态放大电路；
（2） 直流通路如题3-21解图（a ）所示。
题3-21解图(a)
R E 2.9k +V CC +15V
()B BEQ
BQ B1B2fe E
211μA 1U U I .R //R h R -=
=++
CQ fe BQ 21mA I h I .=?=
CEQ CC CQ C EQ E 45V U V I R I R .=--=
（3）题3-21图放大电路的交流通路如题3-21解图（ b ）所示, 等效电路如题3-21解图（c ）所示。
+
u o
-
题3-21解图(b)
+
u o
-
题3-21解图(c)
()C L o U i ie
//43.7-=
==-R R u A u h β ie i E fe //15.2Ω1??
== ?+??
h r R h
()o C 21k Ω==r R .
3-22．
(1)共基组态放大电路。
(2)直流电路如题3-22解图（a ）所示。
V CC +12v
题3-22解图（a ）
()B BE
EQ E fe
CQ EQ fe CQ BQ fe
CEQ CC CQ C E 165mA 162mA 1003mA
375V
-≈===+=
=≈-+=U U I .R h I I .h I I .h U V I R R .
(3)交流等效电路如题3-22解图(b)所示。
题3-22解图（b ）
+
u o
-
+u
i -i
r
()fe C L o U i ie
//88?=
==h R R u A u h (4) ()i ie
i
fe
16.7Ω1+'==
=i u h r i h
()E //16.5Ω'==-i i r R r
()o C 3k Ω==r R
3-23 .
(1)静态工作点计算，
()()()EE BE
BQ P
B E
9.18μA 1212
-=
=++++V U I R R R ββ
()
()()
CQ BQ P CEQ CC CQ C BQ E EE 046mA 12719V 2I I .R U V I R I R V .ββ=?=?
?=--+++= ??? （2）()p id B ie 2(1)
18.46k Ω2??
=+++β= ??
?
R r R h od C 224k Ω==r R
（3）差模增益()C
Ud P
B ie 6512
R A R h ββ?=-
=-+++?
共模增益A Uc =0
输出()O Ud id1Ud i 2=-6.5V =??=u A u A u 3-24．.
（1） o
EQ1EQ2100μA 2
=≈
=I I I ()
ie bb'EQ
26
12626k Ω=++=h r .I β 双输入单输出的差模电压增益A U d 为
o o C Ud 1i2id 19022=
==-=--i ie
u u R
A u u u h β
（2） 双输入单输出的共模电压增益()o C
Uc ic e EE
-21?=
=
++i u R A u h R ββ ()ie EE
Ud CMR CMR Uc ie
213846291dB 2++=
===或h R A K ,K A h β (3) id ie 25252k Ω==r h .
od C ce 100k Ω==r R //r 3-25.
EE BE
EQ EE
E
BQ CQ
BQ 0585mA
272μA 10576mA
-====+==V U I .R I I .I I .β
β
CEQ CC EE C C E E 2654V U V V I R I R .=+--=
(2)不接R L 时,
()T
ie bb'EQ
C
Ud ie
139k Ω2051
=++=?=-
=-U h r .I R A .h ββ
O i Ud 2051V =?=-u u A .
(3)接R L 时,
L
C Ud ie
21026?=-
=-R R //
A .h β
o i Ud 1026V =?=-u u A .
3-26.
（1） 静态工作点
o
EQ CQ
EQ C
BQ CEQ C1E105mA 2
05mA 001mA
78V
===≈==
==-=I I .I I .I I .U U U .β
（2） ()C
Ud B be E
5010
13.31102510.5
R A R r R ββ??=-
=-
=-+++++?
(3)假设T1的集电极为输出端 ()
Uc A 单()()C
B be E EE
0121?=-≈+++++R R r R R βββ
3-27.
（1） 计算静态工作点
()()()EE BE
BQ1W
B EE
EQ1BQ1CQ1E 1.2μA
1212
10.1mA 0.1mA
1-==++++=+==
=+V U I R R R I I I I ββββ
β
T2的静态工作电流与T1的相同。
CC
CQ1
CC C1
C1C CQ1C1C
L
L C
35V 11--=+?==+由
V I V U U R I U .R R R R
T1管的静态压降为()
CEQ1C1E1C1BQ1B BE1 4.2V =-=---=U U U U I R U T2管的静态压降()()
CEQ2C2E2CC C2C BQ2B BE27.7V =-=----=U U U V I R I R U （2）
()
k Ω16.21mA
1.0mV
26811001EQ T bb'ie ≈?+=++=I U r h β
()W id B ie 21685k Ω2R r R h .β?
?=+++= ??
?
k Ω50C od ==R r
(2) 单端输出的差模电压放大倍数()()fe L od1
Ud W id1B ie -2922212=
==-?
?+++??
?
?C h R //R u A .R u R h β
(4) 单端输出的共模电压放大倍数
()
()fe L oc1
Uc W ic
B ie E -021122=
==-??
++++ ?
??
C h R //R u A .R u R h R β
（5）Ud Uc 292
CMRR 139021
A .A .=
== 用分贝表示为Ud
Uc
CMRR 2020139429dB A lg
lg .A === （6）差模信号 i1i2
id1id210mA 2
u u u u -=-=
= 共模信号 i1i2
ic 30mA 2
u u u +=
= 差模输入信号 id id1id2=20mA =-u u u 。 动态输出电压o Ud id Uc ic 059V =?+?≈-u A u A u .
O CQ1o 2.91V u U u =+=单端输出端总电压
3-28. （1）CQ1
BQ11
10.4A =
=I I μβ
()()()EE BQ1BQ2B EE
CQ1CQ2BQ1EQ1EQ2BQ1CEQ1CC EE CQ1C1EE 0.7()
10.1A
+210.404mA 10.414mA
()2 5.88V
---==
≈+=====+=≈---+=V I I R R I I I I I I U V V I R R μβββ
（2）()ie1bb'EQ1
26mV
127k Ω=++=h r .I β, C1Ud B1ie185=-
=-+R A R h β 3-29.
(1）()()EE BQ1BQ2W B EE
0.7
8.2A 1212
-==
=++++V I I R R R μββ
CQ1CQ2BQ1W CEQ1CC EE CQ1C EE 0.5mA
()2 6.7V
2===??
≈---++= ???
I I I R U V V I R R β （2）()
T T ie1bb'bb'EQ1BQ1
134k Ω=++=+=U U
h r r .I I β
()L C Ud W
B ie124112
?? ??
?
=-
=-+++R R //
A R
R h ββ
（3）()W id B ie12121k Ω2R r R h β??
=+++=????
,od C 224k Ωr R == 3-30. （1）EE BQ1B EE
0.7
2.5A +2-=
=V I R R μ
()CQ1BQ1CEQ1CC EE CQ1C EE 0.25mA
()2 5.7V
==≈---+=I I U V V I R R β
（2）()
T T ie1bb'bb'EQ1BQ1
110.7k Ω=++=+=U U
h r r I I β []id B ie12254k Ωr R h .=+=
od C 280k Ω==r R
（3）L C Ud B ie1
2105?? ??
?
=-
=-+R R //
A R h β
（4）静态工作点为Q ，动态负载为L L C 40
k Ω23
'===R R R //，
单管输出交流负载线如题3-30解图所示。
Uces
题3-30解图
o,max1CEQ CES CQ o,max2L 57075V 33V
1=-=-==
='
U U U ..I U ./R
单管动态输出最大电压幅度o,max o,max1o,max2min 33V U U ,U .??==?? 差模信号的输出幅度U od,max =2U o,max =6.6V 3-31.
（1）EE BQ1BQ2 B EE
0.7
5μA 2-===+V I I R R
CQ1CQ2CB10.5mA ==β=I I I
()CEQ2CC EE CQ2C2EE 277V ≈---+=U V (V )I R R .
C1C1C1R L CQ1R R C1L L CC L CQ1L L 085mA 035mA 03510 3.5V
-==??????
+==???
∴==?= I I I I .I R I R V I .U I R . CEQ1CQ1EE CQ1EE ()2 4.2V ≈---?=U U V I R
（2）()
T
ie1bb'EQ1
1 5.5k Ω=++=U h r I β []id B ie1221k Ω=+=r R h ，od C 10k Ωr R ==
（3）()
()
()
C L Ud B ie1//23.82=-
=-+单R R A R h β
《电子技术应用》期中考试试卷
一、 选择题（本题共5小题，每小题2分，共10分） 1、下列符号中表示发光二极管的为（ ）。 A B C D 2、硅管正偏导通时，其管压降约为（ ）。 A 0.1V B 0.3V C 0.5V D 0.7V 3、在三极管放大电路中，下列等式不正确的是（ ）。 A. C B E I I I += B. B C I I β= C. B E I I )1(β+= D. B E I I β= 4、当三极管的发射结和集电结都正偏时，工作于（ ）状态。 A. 放大 B. 截止 C. 饱和 D. 无法确定 5、NPN 型三极管要实现放大作用，c 、b 、e 三个电极的电位必须符合：（ ） A. E B C U U U >> B. B E C U U U >> C. E B U U > D. B C U U > 二、填空题（（本题共5小题，每空2分，共20分） 1、在本征半导体中掺入 元素得N 型半导体，掺入 元素则得 P 型半导体。 2、二极管P 区接电源 极，N 区接电源 极，称正向偏置，二极 管导通；反之，称反向偏置，二极管截止，所以二极管具有 性。 3、三极管电流放大作用的条件是：发射结加 电压，集电结 加 电压。 4、三极管电流放大系数β反映了放大电路中 极电流对 极电流的控制能力。 5、工作在放大区的一个三极管，如果基极电流从10微安变化到22微安 时，集电极电流从1毫安变为2.2毫安，则该三极管的β约为 。 三、计算题（本题共5小题，共70分） 1、二极管电路如图所示，判断图中二极管是导通还是截止，并确定各电 路的输出电压AB U 。（设二极管为硅管，导通压降为0.7V ） （15分） 2、已知三极管的发射极电流mA I E 24.3=，基极电流A I B μ40=，求集电极电流C I 的数值。 （10分）
模拟电子技术习题
一、选择题：（共10题，每题1分。合计10分） 第一章： 1.PN 结加正向电压时，空间电荷区将（ ）。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 2.PN 结加反向电压时，空间电荷区将（ ）。 A. 变宽 B. 变窄 C. 基本不变 3.在本征半导体中加入（ ）元素可形成P 型半导体。 A. 五价 B. 四价 C. 三价 4.当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（ ）。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 5.当温度升高时，二极管的正向特性曲线将（ ）。 A. 不变 B. 左移 C. 右移 6.稳压管的稳压区是其工作在（ ）区。 A. 正向导通 B. 反向截止 C. 反向击穿 第二章： 1. 对于直接耦合基本放大电路，（ ）的输入电压与输出电压反相。 A. 共射电路 B. 共集接法 C. 共基接法 2. 对于直接耦合放大电路，（ ）的输入电压和输出电压同相。 A. 共射电路 B. 共集电路 C. 共源电路 3. 以下基本放大电路中，（ ）电路不具有电压放大能力。 A. 共射 B.共集 C. 共基 4. 工作在放大区的某三极管，如果当C I 从1mA 变为1.9mA ，E I 从1.01mA 变为1.92mA ，那么它的 约为（ ）。 A. 1 B. 86 C. 90 5. 对于n 沟道增强型MOS 管，只能满足（ ），管子才能工作在恒流区。 A. DS u > GS u -)(th GS U B. DS u 第一章 半导体基础知识 自测题 一、（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）× 二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C 三、U O1≈1.3V U O2＝0 U O3≈－1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈－2V 四、U O1＝6V U O2＝5V 五、根据P CM ＝200mW 可得：U CE ＝40V 时I C ＝5mA ，U CE ＝30V 时I C ≈6.67mA ，U CE ＝20V 时I C ＝10mA ，U CE ＝10V 时I C ＝20mA ，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。图略。 六、1、 V 2V mA 6.2 A μ26V C C CC CE B C b BE BB B =-====-= R I U I I R U I β U O ＝U CE ＝2V 。 2、临界饱和时U CES ＝U BE ＝0.7V ，所以 Ω ≈-= == =-= k 4.45V μA 6.28mA 86.2V B BE BB b C B c CES CC C I U R I I R U I β 七、T 1：恒流区；T 2：夹断区；T 3：可变电阻区。 习题 1.1（1）A C （2）A （3）C （4）A 1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。 1.3 u i 和u o 的波形如图所示。 t t u u O O i o /V /V 1010 1.4 u i 和u o 的波形如图所示。 1.5 u o 1.6 I D ＝（V －U D ）/R ＝ 2.6mA ，r D ≈U T /I D ＝10Ω，I d ＝U i /r D ≈1mA 。 1.7 （1）两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。 （2）两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。 1.8 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA ，R ＝U Z /I DZ ＝0.24～1.2k Ω。 1.9 （1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流为4mA ，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+= U R R R U 当U I ＝15V 时，由于上述同样的原因，U O ＝5V 。 当U I ＝35V 时，U O ＝U Z ＝5V 。 （2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。 1.10 （1）S 闭合。 （2）。，Ω=-=Ω≈-=700)V (233)V (Dm in D m ax Dm ax D m in I U R I U R t t 《电子技术基础》练习题库 第一章思考复习题 1.填空题 (1)半导体中有两种载流子,一种是_______.另一种是_____. (2)在N型半导体中,多数载流子是______.在P型半导体中.主要靠其多数 载流子_____导电. (3)PN结单向导电性表现为:外加正向电压时_______;外加反向电压时 ______.。 (4)二极管的反向电流随外界的温度而________.反向电流越小,说明二极 管的单向电性________.一般硅二极管的反向电流比锗管_______很多, 所以电流越小,说明二极管的单向导电性________.一般硅二极管的反向 电流比锗管_______很多,所以应用中一般多选用硅管. (5)稳压二极管稳压时,应工作在其伏安特性的_______区. (6)三级管是一种________控制器件;而场效应管则是一种______控制器 件. (7)三级管工作在放大区的外部条件是:发射结-_______位置,集电结 _________偏置. (8)三级管的输出特性分为三个区域,即_________区、___________区和 _________区. (9)三级管在放大区的特点是:当基极电流固定时,其_______电流基本不变, 体现了三极管的___________特性. (10) 用在电路中的整流二极管,主要考虑两个参数____________和 _______________,选择时应适当留有余地. (11) 在放大区,对NPN型的三极管有电位关系:Uc___________Ub_______Ue; 而对PNP型的管子,有电位关系:Uc______Ub__________ Ue. (12) 根据结构不同,场效应管分为两大类,__________和___________场效 应管. (13) 为实现场子效应管栅源电压对漏极电流的控制作用,结型场效应管在 工作时,栅源之间的PN结必须_______位置.N沟道结型场效应管的Ucs 不能______0,P沟道结型场效应管的Ucs不能___________0. (14) 场效应管的参数__________反映了场效应管栅源电压对漏极电流的控 制及放大作用. (15) 场效应管与三极管相比较,其特点是:输入电阻比较___________,热稳 定性比较_________. 2.选择题 (1)本征半导体,自由电子工业和空穴的数目是________. ①相等②自由电子比空穴的数目多③自由电子比空穴的数目少 (2)P型半导体的空穴数目多于自由电子,则P型半导体呈现的电性为 ______. ①负电②正电③电中性 (3)稳压二极管稳压,利用的是稳夺二级管的______. ①正向特性②反向特性③反向击穿特性 一、填空题 1、P 型半导体又称为_____型半导体，它由本征半导体掺入_____价元素形成，其 多数载流子是__________，少数载流子是__________。当PN 结外加正向电压时，扩 散电流 漂移电流，耗尽层 。 2、三种基本组态的放大电路中，输入和输出相位相反的是____________，输入和 输出相位相同的是____________。 3、场效应管与双极晶体管比较，____________为电压控制器件，____________为电 流控制器件，____________的输入电阻高。 4、在分析含有负反馈的集成运放电路时，常用的两个基本且重要的概念是： 和 。 5、放大电路中静态工作点的设置非常重要，如果Q 点设置过低，将会引起 失真，其输出电压的波形 半周被部分削平。 6、直流稳压电源由 、 、 及 组成。 7、并联稳压电路中，稳压二极管需要串入 才能正常进行工作。 二、选择题 1、杂质半导体的少数载流子浓度取决于（ ） A 、掺杂浓度 B 、工艺 C 、温度 D 、晶体缺陷 2、测得某放大电路中BJT 的三个电极A 、B 、C 的各级电位为 V V V V V V C B A 2.6,6,9-=-=-= 则可以判断出 （ ） A ． A 是基极， B 是发射极， C 是集电极，是NPN 管 B．A是集电极，B是基极，C是发射极，是PNP管 C．A是集电极，B是发射极，C是基极，是PNP管 D．A是发射极，B是集电极，C是基极，是NPN管 3、P沟道增强型场效应管处于放大状态时要求（） A、UGS＞0，UDS＞0 B、UGS＜0，UDS＜0 C、UGS＞0，UDS＜0 D、UGS＜0，UDS＞0 4、某仪表的放大电路，要求Ri很大，输出电流稳定，则应采用（）形式来达到性能要求。 A、电流串联负反馈 B、电压并联负反馈 C、电流并联负反馈 D、电压串联负反馈 5、在长尾式差分放大电路中，电阻Re的作用是：（） A、提高Ri B、提高Avd C、提高K CMR D、提高Avc 6、差分放大电路的输出由双端输出改为由单端输出时，其K CMR将会（）。 A、增大 B、减小 C、不变 D、不能确定 7、乙类功率放大电路可以达到的最大效率是多少？（） A、100% B、78.5% C、50% D、20% 8、某单管共射基本放大电路，因晶体管损坏，采用β值为原来2倍的晶体管替换；问该放大电路的电压增益如何变化？（） A、增大为原来的2倍 B、降低为原来的一半 第一章半导体器件与放大电路习题 一、填空题 1. PN结的特性是单向导电性。 2.射极输出器具有：①输入电阻高，②输出电阻低，③放大倍数为1的特点。 3.互补对称功率放大电路中晶体管工作在甲乙类工作状态，主要是为了克服交越失真。 4.稳压二极管工作在反向击穿区，当外加电压撤除后，管子还是正常的，这种性能称为可逆性击穿。 二、选择题 1．电路如图1-1所示，所有二极管均为理想元件，则二极管D1、D2的工作状态为（Ｃ）。 、D2均截止 B. D1、D2均导通 C. D1导通，D2截止 D. D1截止，D2导通 图1-1 图1-2 为（ A ）。 2．电路如图1-2所示，二极管为理想元件，则电压U AB A. 6V B. 3V C. 9V D. 不确定 3.某晶体管工作在放大状态，测得三极电位分别是①～，②～1V，③～，则对三个电极的判定，( B )是正确的。 A.①～E，②～B，③～C B.①～B，②～E，③～C C.①～C，②～B，③～E D.①～B，②～C，③～E 4.若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏，好的管子应为 ( C )。 A.正、反向电阻相等 B.正向电阻大，反向电阻小 C.反向电阻很大，正向电阻很小 D.正、反向电阻都等于无穷大 5.在N型半导体中参与导电的多数载流子是( A )。 A.自由电子 B.空穴 C.正离子 D.负离子 ( A )。 6.当温度升高时，晶体管的穿透电流I CEO A.增大 B.减小 C.不变 D.无法确定 7. 对于三极管放大作用的实质，下列说法正确的是（ D ）。 A.三极管可以把小能量放大成大能量 B.三极管可以把小电流放大成大电流 C.三极管可以把小电压放大成大电压 D.三极管用较小的电流控制较大的电流 8. 由共射极放大电路组成的两级阻容耦合放大电路，若将第二级换成射极输出器，则第一级的电压放大倍数将（ A ）。 A.增大 B.减小 C.不变 D.为零 9.电路如图1-3所示，设D Z1的稳定电压为6V ，D Z2的稳定电压为12V ，设稳压管的正向压降为，则输出电压U o 等于（ B ）。 图1- 3 三、计算题 1.在图1-4所示电路中，已知E=5V ，u i =10sin ωtV ，二极管的正向压降可忽略不计，试分别画出输出电压u o 的波形。 (a) (b) 图1-4 解：（ａ）u i > E ＝５Ｖ时，D 导通，u 0 = E ＝５Ｖ；u i < E 时，D 截止，u o = u i 。 (b ) u i > E ＝５Ｖ时，D 导通，u o = u i ；u i < E 时，D 截止，u 0 = E ＝５Ｖ。 u 0的波形分别如下图所示。 2.在图1-5所示稳压管电路中，已知稳压管的稳压值是6V ，稳定电流是10mA ，额定功耗为200mW ，限流电阻R=500Ω，试求： (1)当U i =18V ，R L =1KΩ时，U o=? I Z =? (2)当U i =18V ，R L =100Ω时，U o=? I Z =? 图1-5 解：(1)6Z U V =，18612R i Z U U U V =-=-=，126 24,60.51 R Z L L U U I mA I mA R R = =====，18Z L I I I mA =-= 第一章常用半导体器件 自测题 一、判断下列说法是否正确，用“V”和“X”表示判断结果填入空内。 (1)在N型半导体中掺入足够量的三价元素，可将其改为P型半导体。() (2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( ) (3)PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。( ) (4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。( ) (5)结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其Rs大的特点。() (6)若耗尽型N沟道MOS管的U Gs大于零，则其输入电阻会明显变小。() 解：(1) V (2) X (3) V (4) X (5) V (6) X 二、选择正确答案填入空内。 (1) ____________________________________ PN结加正向电压时， 空间电荷区将______________________________ 。 A.变窄 B.基本不变 C.变 宽 (2) _______________________________________________ 设二极管 的端电压为U,则二极管的电流方程是______________________ 。 A. I s e U B. Is^^ C. I s(e UU T-1) (3)稳压管的稳压区是其工作在________ 。 A.正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 (4)_____________________________________________________ 当晶 体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为_______________ 。 资料收集于网络，如有侵权请联系网站删除 《电子技术基础》题库 适用班级：2012级电钳3、4、5、6班 备注：本学期进行到第七章；第一、二、三章是重点内容，要求掌握；第四、八章没有涉及。 一、填空题： 第一章半导体二极管 Q、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为导体，半导体和绝缘体三类。 A2、导电性能介于导体和绝缘体之间物质是半导体。 Q3、半导体具有热敏特性、光敏特性、参杂的特性。 虫、PN结正偏时，P区接电源的正极，N极接电源的负极。 ?、PN结具有单向导电特性。 @、二极管的P区引出端叫正极或阳极,N区的引出端叫负极或阴极。 △7、按二极管所用的材料不同，可分为硅二极管和锗二极管两类; 食、按二极管用途不同，可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极 管、发光二极管、光电二极管和变容二极管。 ★9、二极管的正向接法是二极管正极接电源的正极，负极接电源的负极：反响接法相反。Q0、硅二极管导通时的正向管压降约0.7V，锗二极管导通时的管压降约0.3V。 △11、使用二极管时，应考虑的主要参数是最大整流电流、最高反向电压和反向电流。 ★12、发光二极管将电信号转换为光信号。 ★13、变容二极管在高频收音机的自动频率控制电路中，通过改变其反向偏置电压来自动 调节本机震荡频率。 只供学习与交流 资料收集于网络，如有侵权请联系网站删除 ★14、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为零。 第二章半导体三极管及其放大电路 05、三极管是电流控制元件。 06、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结正偏丿电结反偏。 ★17、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic变大，发射结压降变小。 △18、三极管处在放大区时，其集电结电压小于零，发射结电压大于零。★19、三极管的发射区杂质浓度很高，而基区很薄。 △20、三极管实现放大作用的内部条件是：发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度，同时基区厚度要很小. △21、工作在放大区的某三极管，如果当I B从12讥增大到22讥时，I c从1mA变为2mA，那么它的B约为100 。 OL2、三极管的三个工作区域分别是饱和区、放大区和截止区。 ★23、发射结…正向…偏置，集电结正向偏置，贝U三极管处于饱和状态。 ★24、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（交越）失真，而采用（甲乙类）类互补功率放大器。 ★25、OCL电路是（双）电源互补功率放大电路； ★26、0TL电路是（单）电源互补功率放大电路。 ★27、共集电极电路电压放大倍数（1），输入电阻（大），输出电阻（小），常用在 输入级，输出级或缓冲级。 第三章集成运算放大器及其应用 &8、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为____ 。△29、差分放大电路能够抑制零点漂移。 只供学习与交流 模拟电子技术基础期末考试试题（B ） 姓名 班级 学号 计分 1．电路如图P1.4所示，已知u i ＝5sin ωt (V)，二极管导通电压U D ＝0.7V 。试画出u i 与u O 的波形，并标出幅值。 （5分） 2. 设图中A 为理想运放，请求出各电路的输出电压值。(12分) U 01 = U 02 = U 03 = U 04 = U 05 = U 06 = 3. 电路如图所示，设满足深度负反馈条件。 1．试判断级间反馈的极性和组态； 2．试求其闭环电压放大倍数A uf 。 （10分） (1) (2) 10 k Ω (3) 20 k Ω 2(5) 2 o5 (6) 2 20 k Ω 4. 试用相位平衡条件判断图示两个电路是否有可能产生正弦波振荡。如可能振荡，指出该振荡电路属于什么类型(如变压器反馈式、电感三点式、电容三点式等)，并估算其振荡频率。已知这两个电路中的L=0，C 1，C 2=F 。(8分) 5. 在图示电路中，设A 1、A 2、A 3均为理想运算放大器，其最大输出电压幅值为±12V 。 1． 试说明A 1、A 2、A 3各组成什么电路？ 2． A 1、A 2、A 3分别工作在线形区还是非线形区？ 3． 若输入为1V 的直流电压，则各输出端u O1、u O2、u O3的电压为多大？（10分） V CC V CC (a ) C b (b ) r=100Ω。 6．电路如图所示，晶体管的 ＝100，' bb A 、R i和R o； （1）求电路的Q点、 u （2）若电容C e开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化？（15分） r=100Ω，U B E Q≈0.7。试计算R W滑动端7．图所示电路参数理想对称，晶体管的β均为50，' bb 在中点时T1管和T2管的发射极静态电流I EQ，以及动态参数A d和R i。（15分） 第6章习题答案 1. 概念题： （1）由运放组成的负反馈电路一般都引入深度负反馈，电路均可利用虚短路和虚断路的概念来求解其运算关系。 （2）反相比例运算电路的输入阻抗小，同相比例运算电路的输入阻抗大，但会引入了共模干扰。 （3）如果要用单个运放实现：A u＝－10的放大电路，应选用 A 运算电路；将正弦波信号移相＋90O，应选用 D 运算电路；对正弦波信号进行二倍频，应选用 F 运算电路；将某信号叠加上一个直流量，应选用 E 运算电路；将方波信号转换成三角波信号，应选用 C 运算电路；将方波电压转换成尖顶波信号，应选用 D 运算电路。 A. 反相比例 B. 同相比例 C. 积分 D. 微分 E. 加法 F. 乘方 （4）已知输入信号幅值为1mV，频率为10kHz～12kHz，信号中有较大的干扰，应设置前置放大电路及带通滤波电路进行预处理。 （5）在隔离放大器的输入端和输出端之间加100V的电压会击穿放大器吗？（不会）加1000V的交流电压呢？（不会） （6）有源滤波器适合于电源滤波吗？（不适用）这是因为有源滤波器不能通过太大的电流或太高的电压。 （7）正弦波发生电路中，输出端的晶体管一定工作在放大区吗？（一定）矩形波发生电路中，输出端的晶体管一定工作在放大区吗？（不一 定） （8）作为比较器应用的运放，运放一般都工作在非线性区，施密特比较器中引入了正反馈，和基本比较器相比，施密特比较器有速度快和抗干扰性强的特点。 （9）正弦波发生电路的平衡条件与放大器自激的平衡条件不同，是因为反馈耦合端的极性不同，RC正弦波振荡器频率不可能太高，其原因是在高频时晶体管元件的结电容会起作用。 （10）非正弦波发生器离不开比较器和延时两个环节。 （11）当信号频率等于石英晶体的串联谐振或并联谐振频率时，石英晶体呈阻性；当信号频率在石英晶体的串联谐振频率和并联谐振频率之间时，石英晶体呈感性；其余情况下石英晶体呈容性。 （12）若需要1MHz以下的正弦波信号，一般可用 RC 振荡电路；若需要更高频率的正弦波，就要用 LC 振荡电路；若要求频率稳定度很高，则可用石英晶体振荡电路。 （13）设计一个输出功率为20W的扩音机电路，若用乙类互补对称功率放大，则应选至少为 4 瓦的功率管两个。 （14）对于甲类变压器音频功率放大电路，在没有输入信号时，扬声器不发声，这时管子的损耗最小。对吗？（不对，此时管子功耗最大）（15）线性电源的调整管工作在放大区，所以称为线性电源， 模拟电子技术 第1章半导体二极管及其基本应用1．1 填空题 1．半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。 2．本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成N 型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成P 型半导体，其多数载流子是空穴。 3．PN结在正偏时导通反偏时截止，这种特性称为单向导电性。 4．当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大，正向压降将减小。 5．整流电路是利用二极管的单向导电性，将交流电变为单向脉动的直流电。稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。 6．发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。 7．光电二极管能将光信号转变为电信号，它工作时需加反向偏置电压。 8．测得某二极管的正向电流为1 mA，正向压降为0.65 V，该二极管的直流电阻等于650 Ω，交流电阻等于26 Ω。 1．2 单选题 1．杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于( C )。 A．温度B．掺杂工艺C．掺杂浓度D．晶格缺陷2．PN结形成后，空间电荷区由( D )构成。 A．价电子B．自由电子C．空穴D．杂质离子3．硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而( B )。 A．减小B．基本不变C．增大 4．流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将( C )。 A．增大B．基本不变C．减小 5．变容二极管在电路中主要用作( D )。、 A．整流B．稳压C．发光D．可变电容器1．3 是非题 1．在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。( √) 2．因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( ×) 3．二极管在工作电流大于最大整流电流I F时会损坏。( ×) 4．只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。( ×) 1．4 分析计算题 1．电路如图T1．1所示，设二极管的导通电压U D(on)=0.7V，试写出各电路的输出电压Uo值。 解：(a)二极管正向导通，所以输出电压U0＝(6—0.7)V＝5.3 V。 (b)令二极管断开，可得U P＝6 V、U N＝10 V，U PUp— 《电子技术基础》题库 适用班级：2012级电钳3、4、5、6班 备注：本学期进行到第七章；第一、二、三章是重点内容，要求掌握；第四、八章没有涉及。一、填空题： 第一章半导体二极管 ○1、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为导体，半导体和绝缘体三类。 Δ2、导电性能介于导体和绝缘体之间物质是半导体。 ○3、半导体具有热敏特性、光敏特性、参杂的特性。 Δ4、PN结正偏时，P区接电源的正极，N极接电源的负极。 ○5、PN结具有单向导电特性。 ○6、二极管的P区引出端叫正极或阳极，N区的引出端叫负极或阴极。 Δ7、按二极管所用的材料不同，可分为硅二极管和锗二极管两类； ○8、按二极管用途不同，可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、发光二极管、光电二极管和变容二极管。 ★9、二极管的正向接法是二极管正极接电源的正极，负极接电源的负极；反响接法相反。 ○10、硅二极管导通时的正向管压降约0.7V ，锗二极管导通时的管压降约0.3V。 Δ11、使用二极管时，应考虑的主要参数是最大整流电流，最高反向电压和反向电流。★12、发光二极管将电信号转换为光信号。 ★13、变容二极管在高频收音机的自动频率控制电路中，通过改变其反向偏置电压来自动调节本机震荡频率。 ★14、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为零。 第二章半导体三极管及其放大电路 ○15、三极管是电流控制元件。 ○16、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结正偏，集电结反偏。 ★17、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic变大，发射结压降变小。 Δ18、三极管处在放大区时，其集电结电压小于零，发射结电压大于零。★19、三极管的发射区杂质浓度很高，而基区很薄。 Δ20、三极管实现放大作用的内部条件是：发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度，同时基区厚度要很小. Δ21、工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C从1mA变为2mA，那么它的β约为100 。 ○22、三极管的三个工作区域分别是饱和区、放大区和截止区。 ★23、发射结﹍正向﹍偏置，集电结正向偏置，则三极管处于饱和状态。 ★24、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（交越）失真，而采用（甲乙类）类互补功率放大器。 ★25、OCL电路是（双）电源互补功率放大电路； ★26、OTL电路是（单）电源互补功率放大电路。 ★27、共集电极电路电压放大倍数（1），输入电阻（大），输出电阻（小），常用在输入级，输出级或缓冲级。 第三章集成运算放大器及其应用 ○28、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为共模信号。.Δ29、差分放大电路能够抑制零点漂移。 模拟电子技术基础试题汇总 1.选择题 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 ( A )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( D ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0，则在静态时该三极管 处于( B ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。 ( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工 作点过高，容易产生 ( B )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示，二极管导通电压U D＝0.7V，关于输出电压的说法正确的是( B )。 A：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为3.7V。 B：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为1V。 C：u I1=3V，u I2=3V时输出电压为5V。 D：只有当u I1=0.3V，u I2=0.3V时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可 能的原因是 。 A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高 C：基极电源+V BB电压变高D：基极回路电阻 R b变高。 8. 直流负反馈是指( C ) A. 存在于RC耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中，A为理想运放，则电路的输出电压约为( A ) A. －2.5V B. －5V C. －6.5V D. －7.5V 11. 在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输 入电压△υid为( B ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信 号源与低阻负载间接入 ( C )。 A. 共射电路 B. 共基电路 一、填空题 1、右图中二极管为理想器件， V1工作在_导通__ 状态；V2工作在__截止___状态。 2、差分放大器对差模信号有较强的放大能力，对共模信号有较强的__抑制__能力。 3、三级管工作在放大区时，发射结__正向__偏置，集电结__反向__偏置， 工作在饱和区时，发射结__正向_偏置，集电结_正向__偏置。 4、根据反馈的分类方式，负反馈电路有4种组合形式，即_串联负反馈、_并联负反馈__、_电流负反馈_、电压负反馈。 5、理想集成运算放大器有两个重要特性对分析线性运用电路非常有用，他们分别是虚短、虚断。 6、逻辑函数的表示形式有四种：逻辑函数式、______真值表____、卡诺图和逻辑图。 7、将十六进制（0BF）转换成十进制= __191________。 8、计数器、寄存器、编码器、译码器中，属于组合逻辑电路的是___译码器编码器___，属于时序逻辑电路的是_____计数器、寄存器_________ 。 9、共阳接法的发光二极管数码显示器，应采用___低_______电平驱动的七段显示译码器。 1、数字信号只有 0 和 1 两种取值。 2、十进制123的二进制数是 1111011 ；八进制数是 173 ；十六进制数是 7B 。 3、一位十进制计数器至少需要 4 个触发器。 4、有一A/D转换器，其输入和输出有理想的线性关系。当分别输入0V和5V电压时，输出的数字量为00H 和FFH，可求得当输入2V电压时，电路输出的数字量为： 66H 。 5、设ROM容量为256字×8位，则它应设置地址线 8 条，输出线 8 条。 6、用256字×4位RAM，扩展容量为1024字×8位RAM，则需要 8 片 1、在常温下，锗二极管的门槛电压约为 0.1 V，导通后在较大电流下的正向压降约为 0.2 V。 2、三极管须使发射结正向偏置，集电结反向偏置才能工作在放大区。 3、一般直流稳压电源由电源变压器、整流电路、滤波电路 和稳压电路四个部分组成。 4、按移位方向，移位寄存器可分为单向移动寄存器和双向移动寄存器。 5、三态门的“三态”指输出高电平，输出低电平和输出高阻态。 6、（101111）(2)=47(10),(87)(10)=1010111(2) 7、用一个称为时钟的特殊定时控制信号去限制存储单元状态的改变时间，具有这种特点的存储单元电路称为触发器。 8、时序电路分为组合电路和存储电路两种。 二、选择题 1、离散的，不连续的信号，称为（B ） A、模拟信号 B、数字信号 2、在下列逻辑部件中，不属于组合逻辑部件的是（ D ）。 A．译码器B．编码器 C．全加器D．寄存器 中等职业技术学校电子技术应用专业参考试题3 一、选择题 1. 硅二极管的导通电压为（）。 A.0.2V B.0.3V C.0.5V D.0.7V 2.二极管的内部是由（）所构成的。 A.两块P型半导体 B.两块N型半导体 C.一个PN结 D.两个PN结 3.二极管的伏安特性曲线反映的是二极管（）的关系曲线。 A.V D—I D B.V D—R D C.I D—R D D.f—I D 4.二极管的正极电位是－10V，负极电位是－5V，则该二极管处于（）。 A.导通 B.截止 C.击穿 D.热击穿 5.下列二极管可用于稳压的是（）。 A.2AU6 B. 2BW9 C.2CZ8 D.2DP5 6.若把二极管直接同一个电动势为1.5V,内阻为零的电源实行正向连接,则该管( ) A.击穿 B.电流为零 C.电流过大而损坏 D.正向电压偏低而截止 1．用万用表测得PNP三极管三个电极的电位分别是V C=6V，V B=0.7V，V E=1V则晶体管工作在（）状态。 A. 放大 B.截止 C.饱和 D.损坏 2．在三极管的输出特性曲线中，当I B减小时，它对应的输出特性曲 线 （） A.向下平移 B.向上平移面 C. 向左平移 D. 向右平移 3.工作在放大区的某三极管，如果当I B从10μA增大到30μA时，I C 从2mA变为3mA，那么它的β约为( ) A.50 B. 20 C. 100 D.10 4.工作于放大状态的PNP管，各电极必须满足（） A.V C > V B > V E B.V C < V B < V E C.V B > V C > V E D.V C > V E > V B 5.三极管的主要特性是具有（）作用。 A.电压放大 B.单向导电 C.电流放大 D.电流与电压放大 6.一个正常放大的三极管，测得它的三个电极c、b、e的电位分别为6V、3.7V、3.0V，则该管是（）管。 A.锗PNP B.锗NPN C.硅PNP D.硅NPN 7.三极管各极对地电位如图1-3-1所示，则处于放大状态的硅三极管是( ) 8.当三极管的发射结和集电结都反偏时，则晶体三极管的集电极电 半导体器件的基础知识 1.1 电路如图P1.1所示，已知u i＝5sinωt (V)，二极管导通电压U D＝0.7V。试画出u i 与u O的波形，并标出幅值。 图P1.1 解图P1.1 解：波形如解图P1.1所示。 1.2 电路如图P1.2（a）所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b）所示，二极管导通电压U D＝0.7V。试画出输出电压u O的波形，并标出幅值。 图P1.2 解：u O的波形如解图P1.2所示。 解图P1.2 1.3 已知稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Zmin ＝5mA ，最大功耗P ZM ＝150mW 。试求图P1.3所示电路中电阻R 的取值范围。 图P1.3 解：稳压管的最大稳定电流 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA 电阻R 的电流为I ZM ～I Zmin ，所以其取值范围为 Ω =-=k 8.136.0Z Z I ～I U U R 1.4 已知图P1.4所示电路中稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，最小稳定电流I Zmin ＝5mA ，最大稳定电流I Zmax ＝25mA 。 （1） 别计算U I 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值； （2） 若U I ＝35V 时负载开路，则会出现什么现象?为什么？ 图P1.4 解：（1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+=U R R R U 当U I ＝15V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 L O I L 5V R U U R R =?≈+ 当U I ＝35V 时，稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ，所以U O ＝U Z ＝6V 。 （2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。 1.5 电路如图P1.5（a ）、（b ）所示，稳压管的稳定电压U Z ＝3V ，R 的取值合适，u I 的波 【理论测验】 一、单项选择题： 1．不属于对助焊剂的要求的是（C ） A、常温下必须稳定，熔点应低于焊料 B、在焊接过程中具有较高的活化性，较低的表面张力，粘度和比重应小于焊料 C、绝缘差、无腐蚀性、残留物无副作用，焊接后的残留物难清洗 D、不产生有刺激性的气味和有害气体，熔化时不产生飞溅或飞沫 2．松香酒精溶液的松香和酒精的比例为（B ） A、1：3 B、3：1 C、任何比例均可 3．烙铁头按照材料分为合金头和纯铜头，使用寿命长的烙铁头是（ A ） A、合金头 B、纯铜头 4．焊接一般电容器时，应选用的电烙铁是（ A ） A、20W内热式 B、35W内热式 C、60W外热式 D、100W外热式5．150W外热式电烙铁采用的握法是（ B ） A、正握法 B、反握法 C、握笔法 6．印刷电路板的装焊顺序正确的是（C ） A、二极管、三极管、电阻器、电容器、集成电路、大功率管，其它元器件是先小后大。 B、电阻器、电容器、二极管、三极管、集成电路、大功率管，其它元器件是先大后小。 C、电阻器、电容器、二极管、三极管、集成电路、大功率管，其它元器件是先小后大。 D、电阻器、二极管、三极管、电容器、集成电路、大功率管，其它元器件是先大后小。7．在更换元器件时就需要拆焊，属于拆焊用的工具的是（A ） A、电烙铁、铜纺织线、镊子 B、电烙铁、铜纺织线、螺丝刀 C、电烙铁、镊子、螺丝刀 D、铜纺织线、镊子、螺丝刀 二、多项选择题 1．焊点出现弯曲的尖角是由于（AB ） A、焊接时间过长，烙铁撤离方向不当 B、焊剂太多，烙铁撤离方向不当 C、电烙铁功率太大造成的 D、电烙铁功率太小造成的 2．焊接一只低频小功率三极管应选用的电烙铁是（A ） A、20W内热式 B、35W内热式 C、50W外热式 D、75W外热式 ３．75W外热式电烙铁（B ） A、一般做成直头，使用时采用握笔法 B、一般做成弯头，使用时采用正握法 C、一般做成弯头，使用时采用反握法 D、一般做成直头，使用时采用正握法４．下列电烙铁适合用反握法的是（ D ） A、20W B、35W C、60W D、150W ５．20W内热式电烙铁主要用于焊接（ D ） A、8W以上电阻 B、大电解电容器 C、集成电路 D、以上答案都不对６．焊点表面粗糙不光滑（ B ） A、电烙铁功率太大或焊接时间过长 B、电烙铁功率太小或焊丝撤离过早 C、焊剂太多造成的 D、焊剂太少造成的 ７．电烙铁“烧死”是指（ C ） A、烙铁头不再发热 B、烙铁头粘锡量很多，温度很高 C、烙铁头氧化发黑，烙铁不再粘锡 D、烙铁头内电热丝烧断，不再发热 第1章习题答案 1. 判断题：在问题的后面括号中打√或×。 （1）当模拟电路的输入有微小的变化时必然输出端也会有变化。（√） （2）当模拟电路的输出有微小的变化时必然输入端也会有变化。（×） （3）线性电路一定是模拟电路。（√） （4）模拟电路一定是线性电路。（×） （5）放大器一定是线性电路。（√） （6）线性电路一定是放大器。（×） （7）放大器是有源的线性网络。（√） （8）放大器的增益有可能有不同的量纲。（√） （9）放大器的零点是指放大器输出为0。（×） （10）放大器的增益一定是大于1的。（×） 2 填空题： （1）放大器输入为10mV电压信号，输出为100mA电流信号，增益是10S。 （2）放大器输入为10mA电流信号，输出为10V电压信号，增益是1KΩ。 （3）放大器输入为10V电压信号，输出为100mV电压信号，增益是0.01 。 （4）在输入信号为电压源的情况下，放大器的输入阻抗越大越好。 （5）在负载要求为恒压输出的情况下，放大器的输出阻抗越大越好。 （6）在输入信号为电流源的情况下，放大器的输入阻抗越小越好。 （7）在负载要求为恒流输出的情况下，放大器的输出阻抗越小越好。 （8）某放大器的零点是1V，零漂是+20PPM，当温度升高10℃时，零点是 1.0002V 。（9）某放大器可输出的标准正弦波有效值是10V，其最大不失真正电压输出+U OM是14V，最大不失真负电压输出-U OM是-14V 。 （10）某放大器在输入频率0~200KHZ的范围内，增益是100V/V，在频率增加到250KHZ时增益变成约70V/V，该放大器的下限截止频率f L是0HZ，上限截止频率f H是250KHZ，通频带 f BW是250KHZ。 3. 现有：电压信号源1个，电压型放大器1个，1K电阻1个，万用表1个。如通过实验法求信号源的 内阻、放大器的输入阻抗及输出阻抗，请写出实验步骤。 解:提示：按照输入阻抗、输出阻抗定义完成，电流通过测电阻压降得到。 4. 现有：宽频信号发生器1个，示波器1个，互导型放大器1个，1K电阻1个。如通过实验法求放大 器的通频带增益、上限截止频率及下限截止频率，请写出实验步骤。 解: 提示：放大器输入接信号源，输出接电阻，从0HZ开始不断加大频率，由示波器观测输入信号和输出信号的幅值并做纪录，绘出通频带各点图形。 第2章习题答案清华大学《模拟电子技术基础》习题解答与答案
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