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SetupSTM32CubeMX新建工程及仿真问题

SetupSTM32CubeMX新建工程及仿真问题
SetupSTM32CubeMX新建工程及仿真问题

SetupSTM32CubeMX新建工程及仿真问题

SetupSTM32CubeMX是ST发布的Cortex-M系列图形化开发工具,主要是时钟、管脚等外设配置并生成相关的初始化代码,已经面世很久了,一直没有抽出时间来感受一下,今天决定感受一下。

按照手册下载、安装好文件后,根据手册实地练习了一个例程:usart1通讯。

一、工程新建

1. 进入STM32CubeMX工具页面,点击‘new project’:

2. 点击新建工程之后进入芯片或开发板型号:

3. 根据过滤参数选择自己的MCU信号或者开发板,选好型号后双击对应的型号即可进入主页面:

4. 主页面:

5. 时钟配置:在标题栏选择‘Pinout’,选择下面的‘peripherals’-> RCC,根据自己硬件时钟源配置时钟:

6. 时钟配置:在标题栏选择‘Clock configeration’,选择‘HSI’或’HSE’, 如果是外部时钟需要输入外部晶振频率,输入自己需要的系统时钟频率等参数:

至此,系统时钟配置完毕。

7. USART1配置:串口使能——配置串口1在异步工作模式,在标题栏选择‘Pinout’,选择下面的‘peripherals’-> USART1:

此时默认管脚PA9\PA10已经分配为USART1管脚,可以根据自己的实际硬件进行配置。

8. 串口1控制引脚配置:在工具栏的‘Find’框输入‘PC9’对管脚进行配置,输入回车后PC9管脚在灰色和黑色之间闪烁:

将PC9配置为输出:

9. 在标题栏选择‘configeration’,对相关硬件进行配置:

点击上图中‘Connectivity’参数中的‘USART1’对串口参数进行配置,点击‘System’中的‘GPIO’可以对普通的输入输出端口进行配置,串口配置如下:

点击上图中‘GPIO Settings’对串口引脚进行配置:

基本上可以选的参数只有speed,其余参数不可选,这里感觉有点不灵活,特别是上下拉都不可选。

‘User Label’可以输入你自己的标签,类似于自己定义的宏名称,但是系统会默认的在后面加上‘_Pin’,在软件的主页面的工具栏上勾上‘Show user Label’复选框则显示:

11. GPIO 配置:

其中的‘GPIO Pin State’为端口初始化后的输出状态。

至此,硬件端口配置完毕。

13. 工程配置:点击‘Project’->‘Settings …’进行工程配置:

可以命名项目名称和设置项目路径。

‘Advanced Settings’选项可以设置相关的函数是否被调用,函数MX_GPIO_Init必须

调用,不可设置:

至此所有配置完成。

14. 代码生成:点击‘Project’->‘Generate Code’可以生成初始化代码。

二、调试:

1. 顺利编译完成后,下载到MCU进行仿真调试;

2. 代码可以顺利下载和正确运行,可是设置断点时出现如下现象:

或者多运行一段时间后出现:

3. 经过查找后发现是仿真接口设置问题:

前面说过了函数MX_GPIO_Init默认必须被执行,全功能其功能是把未使用的端口均配置为模拟输入。由于前面没有设置SWD仿真接口(PA13\PA14),调用该函数后,SWD 仿真接口变为了模拟输入,不在具有仿真功能,故出现如上现象。

4. 解决方法——设置仿真接口:在标题栏选择‘Pinout’,选择下面的‘peripherals’-> sys:

选择实际的仿真接口即可。

或者简答粗暴的方法直接屏蔽该函数。

以上是第一次使用体会,如有错误之处,请多多指点。

变压器局部放电试验内部编号:(YUUT-TBBY-MMUT-URRUY-UOOY-DBUYI-0128)

变压器局部放电试验 试验及标准 国家标准GB1094-85《电力变压器》中规定的变压器局部放电试验的加压时间步骤,如图5所示。其试验步骤为:首先试验电压升到U 2下进行测量,保持5min ;然后试验电压升到U 1,保持5s ;最后电压降到U 2下再进行测量,保持30min 。U 1、 U 2的电压值规定及允许的放电量为 U U 2153=.m 电压下允许放电量Q <500pC 或 U U 213 3=.m 电压下允许放电量Q <300pC 式中 U m ——设备最高工作电压。 试验前,记录所有测量电路上的背景噪声水平,其值应低于规定的视在放电量的50%。 测量应在所有分级绝缘绕组的线端进行。对于自耦连接的一对较高电压、较低电压绕组的线端,也应同时测量,并分别用校准方波进行校准。 在电压升至U 2及由U 2再下降的过程中,应记下起始、熄灭放电电压。 在整个试验时间内应连续观察放电波形,并按一定的时间间隔记录放电量Q 。放电量的读取,以相对稳定的最高重复脉冲为准,偶尔发生的较高的脉冲可忽略,但应作好记录备查。整个试验期间试品不发生击穿;在U 2的第二阶段的30min 内,所有测量端子测得的放电量Q ,连续地维持在允许的限值内,并无明显地、不断地向允许的限值内增长的趋势,则试品合格。 如果放电量曾超出允许限值,但之后又下降并低于允许的限值,则试验应继续进行,直到此后30min 的期间内局部放电量不超过允许的限值,试品才合格。利用变压器套管电容作为耦合电容C k ,并在其末屏端子对地串接测量阻抗Z k 。

Tracepro 入门与进阶
CYQ DESIGN STUDIO
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Tracepro 入门与进阶
CYQ DESIGN STUDIO
内 容 简 介
本书以美国 Lambda Research Corporation 的最新 3.24 版本为蓝本进行编写, 内容涵盖了 tracepro3.24 光学仿真设计的概念、tracepro 软件的配置和用户定制、光 学元件模型的创建、描光、分析等内容。 本书章节的安排次序采用由浅入深,前后呼应的教学原则,在内容安排上,为方 便读者更快、更深入地理解 tracepro 软件中的一些相关概念、命令和功能,并对运用 该软件进行光学仿真设计的过程有一个全局的了解,本书中介绍了单片 LCD 投影机 的仿真设计全过程,同时在本书的最后一章详细介绍了背光源等光学仿真设计过程, 增强了本书的可读性和实用性,摆脱单个概念、命令、功能的枯燥讲解和介绍。 本书可作为光学专业人员的自学教程和参考书籍, 也可作为大专院校光学、 光电专业 的学生学习 tracepro 的使用教材。
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Tracepro 入门与进阶
CYQ DESIGN STUDIO


Tracepro 是一套可以做照明光学系统分析、传统光学分析,辐射度以及光度分析 的软件, 它也是第一套由符合工业标准的 ACIS 立体模型绘图软件发展出来的光机软 件。 功能强大的 Tracepro 减轻了光学设计人员的劳动强度,节约了大量的人力资源, 缩短了设计周期,还可以开发出更多质量更高的光学产品。但目前 Tracepro 学习教 程甚少, 不少初学者苦于无参考学习资料而举步为艰。 本人根据从事光学设计的经验 与运用 Tracepro 的体会,汇集成书,目的是使 Tracepro 的初学人员能快速入门,快 速见效,使已入门者能进一步提高 Tracepro 的应用水平和操作能力,从而在工作中 发挥更大的效益,为中国的光学事业作出贡献! 本书乃仓促而成,虽然几经校对,但错误之处在所难免,恳请广大读者朋友予以 指正,不甚感谢! 电子邮箱: cyqdesign@https://www.wendangku.net/doc/e218000340.html,
陈涌泉 2004 年 12 月 4 日
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仲恺农业工程学院实验报告纸 自动化学院(院、系)工业自动化专业144班组单片机与嵌入式系统实验课学号201421714406姓名黄国盛实验日期2016年11月05日教师评定 实验一Keil C51集成开发环境的使用练习 一、实验目的 熟悉Keil C51集成开发环境的使用方法。 二、实验设备及器件 IBM PC机一台 三、实验内容 按照Keil C51软件的使用说明进行Keil C51集成开发环境的安装和使用练习,然后按照以下内容建立并编译产生HEX文件。 ORG0000H LJMP Main ORG00F0H Main: MOV R7,#0 Loop: MOV R6,#0 DJNZ R6,$ DJNZ R6,$ DJNZ R6,$ DJNZ R6,$ DJNZ R7,Loop;延时 CPL P1.0;P1.0取反 CPL P1.1;P1.1取反 CPL P1.2;P1.2取反 CPL P1.3;P1.3取反 CPL P1.4;P1.4取反

CPL P1.5;P1.5取反 CPL P1.6;P1.6取反 CPL P1.7;P1.7取反 SJMP Main END 四、实验要求 熟练掌握Keil C51集成开发环境的工程建立、编辑与编译功能。 五、实验预习要求 认真阅读Keil C51软件的使用说明。 六、实验思考题 试写一条把片内RAM50H~59H单元清零的程序。 实现程序如下: ORG0000h LJMP Main ORG0100H Main:MOV R0,#50H;立即数50H(内部RAM地址)传送到R0中 MOV R1,#10;立即数10(循环次数为10次)传送到R1中 MOV A,#0;立即数0传送到A,中将累加器A的值清0 LOOP:MOV@R0,A;将R0内容所指向的单元清0 INC R0;R0内容加1,修改地址指针 DJNZ R1,LOOP;减1不为0判断,若为真跳回循环,否,则运行下一语句 END;结束 七、实验总结 通过实验,熟悉80C51指令系统,熟悉Keil C51集成开发环境的使用方法,熟练掌握Keil C51集成开发环境的工程建立、编辑与编译功能。加深对内部存储器读写的认识。

Requirements Models: None Properties: None Editions: TracePro LC, Standard and Expert Introduction In this example you will build a source model for a Siemens LWT676 surface mount LED based on the manufacturer’s data sheet. The dimensions will be used to build a solid model and the source output will be defined to match the LED photometric curve. Copyright ? 2013 Lambda Research Corporation.

Create a Thin Sheet First analyze the package to determine the best method of constructing the geometry in TracePro. The symmetry of the package suggests starting from a Thin Sheet and extruding the top and bottom halves with a small draft angle. Construct Thin Sheet in the XY plane. 1. Start TracePro 2. Select View|Profiles|XY or click the View XY button on the toolbar, and switch to silhouette mode, View|Silhouette. 3. Select Insert|Primitive Solid and select the Thin Sheet tab. 4. Enter the four corners of the Thin Sheet in mm in the dialog box, as shown below, and click Insert. 5. Click the Zoom All button or select View|Zoom|All to see the new object.

南京晓庄学院电子工程学院 实验报告 课程名称:单片机系统设计与应用 姓名:森 专业:电子信息科学与技术 年级:14级 学号:05 2016年12 月1 日

实验项目列表 序号实验项目名称成绩指导教师 1 单片机仿真软件的使用 2 单片机I/O接口应用实验——流水灯 3 外部中断实验——工业顺序控制模拟 4 定时/计数器实验——矩形波 5 定时/计数器实验——计数器 6 综合实验 7 8 9 10 注: 1、实验箱端口为com6。 2、芯片选择切换到51 3、停止运行使用实验箱上的复位按钮

实验室号:___ 实验时间:成绩: 实验一仿真软件的使用 1.实验目的和要求 1)熟悉Keil C51软件界面,以及编辑、编译、运行程序的步骤; 2)掌握单片机仿真软件使用和调试的方法。 2.实验原理 Keil C51软件使用 在Keil C51集成开发环境下,建立一个工程并编辑源程序,熟悉Keil C51集成开发环境下各种菜单、命令的使用。 3.主要仪器设备(实验用的软硬件环境) 安装有Keil C51软件的PC机1台 4.操作方法与实验步骤 Keil C51软件使用 (1)建立用户文件夹 (2)建立工程 (3)建立文件并编码。输入以下源程序,并保存在项目所在的目录中 (4)把文件加入工程中 (5)编译工程。编译时观察在界面下方的“Build”页中的到编译错误信息和使用的系统资源情况等。 (6)调试。利用常用调试命令,如复位、运行、暂停、单步、单步跳过、执行完当前子程序、运行到当前行、下一状态、打开跟踪、观察跟踪、反汇编窗口、观察窗口、代码作用范围分析、1#串行窗口、内存窗口、性能分析、工具按钮等命令进行调试,观察并分析调试结果。 (7)目标代码文件的生成。运行生成相应的.HEX文件。 5.实验内容及程序 1)从DATA区地址起始地址为40H的连续10个内存单元的内容传送到XDATA区起始地址为2000H的10个内存单元中。 注意:DATA区地址起始地址为40H的连续10个内存单元必须先赋初值。 P83-5源程序 #include #define uchar unsigned char xdata unsigned char buffer1[10]_at_ 0x2000; //在xdata区定义数组变量BUF1,首地址为2000H data unsigned char buffer2[10]_at_ 0x40; //在data区定义数组变量BUF2,首地址为40H void main(void)

局部放电测试方法

局部放电测试方法 随着电力设备电压等级的提高,人们对电力设备运行可靠性提出了更加苛刻的要求。我国近年来110kV以上的大型变压器事故中50%是属正常运行下发生匝间或段间短路造成突发事故,原因也是局部放电所致。局部放电检测作为一种非破坏性试验,越来越得到人们的重视。 虽然局部放电一般不会引起绝缘的穿透性击穿,但可以导致电介质(特别是有机电介质)的局部损坏。若局部放电长期存在,在一定条件下会导致绝缘劣化甚至击穿。对电力设备进行局部放电试验,不但能够了解设备的绝缘状况,还能及时发现许多有关制造与安装方面的问题,确定绝缘故障的原因及其严重程度。因此,高压绝缘设备都把局部放电的测量列为检查产品质量的重要指标,产品不但在出厂时要做局部放电试验,而且在投入运行之后还要经常进行测量。对电力设备进行局部放电测试是一项重要预防性试验。 根据局部放电产生的各种物理、化学现象,如电荷的交换,发射电磁波、声波、发热、光、产

生分解物等,可以有很多测量局部放电的方法。总的来说可分为电测法和非电测法两大类,电测法包括脉冲电流法、无线电干扰法、介质损耗分析法等,非电测法包括声测法、光测法、化学检测法和红外热测法等。 一、电测法 局部放电最直接的现象即引起电极间的电荷移动。每一次局部放电都伴有一定数量的电荷通过电介质,引起试样外部电极上的电压变化。另外,每次放电过程持续时间很短,在气隙中一次放电过程在10 ns量级;在油隙中一次放电时间也只有1μs。根据Maxwell电磁理论,如此短持续时间的放电脉冲会产生高频的电磁信号向外辐射。局部放电电检测法即是基于这两个原理。常见的检测方法有脉冲电流法、无线电干扰法、介质损耗分析法等。 1.脉冲电流法 脉冲电流法是一种应用最为广泛的局部放电测试方法。脉冲电流法的基本测量回路见图3-5 。图中C x代表试品电容,Z m(Z'm)代表测量阻抗,C k代表耦合电容,它的作用是为C x与

并行I/O接口实验 一、实验目的 熟悉掌握单片机并行I/O接口输入和输出的应用方法。 二、实验设备及器件 个人计算机1台,装载了Keil C51集成开发环境软件。https://www.wendangku.net/doc/e218000340.html,单片机仿真器、编程器、实验仪三合一综合开发平台1台。 三、实验内容 (1)P1口做输出口,接八只发光二极管,编写程序,使发光二极管延时(0.5-1秒)循环点亮。实验原理图如图3.2-1所示。 图3.2-1单片机并行输出原理图 实验程序及仿真 ORG 0000H LJMP START ORG 0100H START:MOV R2,#8 MOV A,#0FEH LOOP:MOV P1,A LCALL DELAY RL A

DJNZ R2,LOOP LJMP START DELAY:MOV R5,#20 D1:MOV R6,#20 D2:MOV R7,#248 D3:DJNZ R7,D3 DJNZ R6,D2 DJNZ R5,D1 RET END 中断实验 一、实验目的 熟悉并掌握单片机中断系统的使用方法,包括初始化方法和中断服务程序的编写方法。 二、实验设备及器件

个人计算机1台,装载了Keil C51集成开发环境软件。 https://www.wendangku.net/doc/e218000340.html,单片机仿真器、编程器、实验仪三合一综合开发平台1台。 三、实验内容 (2)用P1口输出控制8个发光二极管LED1~LED8,实现未中断前8个LED闪烁,响应中断时循环点亮。 实验程序及仿真 ORG 0000H LJMP MAIN ORG 0003H LJMP INT00 ORG 0010H MAIN: A1:MOV A,#00H MOV P1,A MOV A,#0FFH MOV P1,A SETB EX0 JB P3.2,B1 SETB IT0 SJMP C1 B1:CLR IT0 C1:SETB EA NOP SJMP A1 INT00:PUSH Acc PUSH PSW MOV R2,#8 MOV A,#0FEH LOOP: MOV P1,A LCALL DELAY RL A DJNZ R2,LOOP

一变压器局部放电分类及试验目的 电力变压器是电力系统中很重要的设备,通过局部放电测量判断变压器的绝缘状况是相当有效的,并且已作为衡量电力变压器质量的重要检测手段之一。 高压电力变压器主要采用油一纸屏障绝缘,这种绝缘由电工纸层和绝缘油交错组成。由于大型变压器结构复杂、绝缘很不均匀。当设计不当,造成局部场强过高、工艺不良或外界原因等因素造成内部缺陷时,在变压器内必然会产生局部放电,并逐渐发展,后造成变压器损坏。电力变压器内部局部放电主要以下面几种情况出现: (1)绕组中部油一纸屏障绝缘中油通道击穿; (2)绕组端部油通道击穿; (3)紧靠着绝缘导线和电工纸(引线绝缘、搭接绝缘,相间绝缘)的油间隙击穿; (4)线圈间(匝间、饼闻)纵绝缘油通道击穿; (5)绝缘纸板围屏等的树枝放电; (6)其他固体绝缘的爬电; (7)绝缘中渗入的其他金属异物放电等。 因此,对已出厂的变压器,有以下几种情况须进行局部放电试验: (1)新变压器投运前进行局部放电试验,检查变压器出厂后在运输、安装过程中有无绝缘损伤。 (2)对大修或改造后的变压器进行局放试验,以判断修理后的绝缘状况。 (3)对运行中怀疑有绝缘故障的变压器作进一步的定性诊断,例如油中气体色谱分析有放电性故障,以及涉及到绝缘其他异常情况。

二测量回路接线及基本方法 1、外接耦合电容接线方式 对于高压端子引出套管没有尾端抽压端或末屏的变压器可按图1所示回路连接。 图1:变压器局部放电测试仪外接耦合电容测量方式110kV以上的电力变压器一般均为半绝缘结构,且试验电压较高,进行局部放电测量时,高压端子的耦合电容都用套管代替,测量时将套管尾端的末屏接地打开,然后串入检测阻抗后接地。测量接线回路见图2或图3。 图2:变压器局部放电测试中性点接地方式接线

JFD-401 局放仪校验装置使用说明书 一、概述 按照DL/T846.4-2004《局部放电测量仪》、GB7354-2003《局部放电测量》、JJG(机械)145 -93《局部放电检测装置》检定规程的要求,检定局放仪需用仪器有:示波器、正弦信号发生器、脉冲发生器、双脉冲发生器、频率计、电压表、电流表、电容电桥、兆欧表等。上述仪器中除脉冲发生器、双脉冲发生器外,均为常规测试仪器。而脉冲发生器要求电压覆盖范围宽,脉冲波形满足特殊规定要求;双脉冲发生器需输出脉冲时延可调的双脉冲,固均需专门研制。本校准系统的核心即为一台高性能的校准脉冲发生器和一台双脉冲发生器,校准脉冲发生器可以满足局放仪视在放电量测量线性度误差、正负脉冲响应不对称误差、开关换档误差、检测灵敏度等主要检定项目检定的要求;双脉冲发生器可以满足局放仪低重复率脉冲响应误差、脉冲分辨时间测量、脉冲频率测量、数字式局放仪等检定项目检定的要求。另配的校准回路箱提供屏蔽的校准回路,使检定时干扰水平大大降低,保证检定的顺利进行以及检定的测量精度。 二、原理和结构 JFD-401 校准系统分为四大部分:JFD-401C校准脉冲发生器、JFD-401J 积分系统、JFD-401S双脉冲发生器和JFD-401H校准回路箱。校准脉冲发生器可输出幅值大范围可调、波形符合要求的校准脉冲。双脉冲发生器可输出脉冲频率可调、两脉冲间隔脉冲时延可调、波形符合要求的校准脉冲并可进行脉冲计数、积分系统用于以积分方式检定局放仪方波发生器。校准回路箱可以调节试品电容及耦合电容,使其满足检测阻抗的调谐范围。上述四部分分别装在独立的金属机箱里,保证屏蔽效果良好。 三、技术参数 JFD-401C 校准脉冲发生器的技术指标如下: 1、校准脉冲上升时间:<60nS 2、校准脉冲电压幅值可调范围:粗调档分0db,-20db,-40db三档;细调档可从1.0V至110V无级调节;实际上可以做到从10mV至100V连续可调。 3、校准脉冲电容档:20pF,50PF,100pF,500pF,1000PF,2000PF 共六档。

人的一生要疯狂一次,无论是为一个人,一段情,一段旅途,或一个梦想 ------- 屠呦呦 实验三定时器中断实验 一、实验目的 1、掌握51单片机定时器基本知识; 2、掌握定时器的基本编程方法; 3、学会使用定时器中断。 二、实验内容 1、利用定时器设计一个秒表,计数范围为0—59,并在数码管实时显示。 三、实验设备 PC 机一台、单片机实验箱 主要器件:AT89C52、7SEG-BCD、 四、实验步骤 1、使用Proteus设计仿真原理图; 2、使用Keil设计程序; 3、联合调试仿真。 五、实验流程图 六、实验程序与结果 #include #define uint unsigned int #define uchar unsigned char sbit F=P2^1;

void timer1_init() { TMOD=0x10;//将定时器1设置为工作方式1 TH1=(65536-6000)/256;//定时器每加一时间为1/fsoc,定时时间为1/500 //(1/500)s/(1/3000000)s=6000 TL1=(65536-6000)%256;//fsoc=3000000,所以装入16位定时器中值为65536-6000 EA=1; ET1=1; TR1=1; } void main() { timer1_init(); while(1); } void timer1() interrupt 3 { TH1=(65536-6000)/256;//每次进入中断,重装初值TL1=(65536-6000)%256; F=~F;//每次进入中断P1.1口取反 } #include #define uint unsigned int #define uchar unsigned char sbit F=P2^1; void timer0_init() {TMOD=0x01;//将定时器0设置为工作方式1 TH0=(65536-83)/256;//定时器每加一时间为1/fsoc,定时时间为2Khz,既500us //500us/6us=83.3333 TL0=(65536-83)%256;//fsoc=6000000,所以装入16位定时器中值为65536-83 EA=1; ET0=1; TR0=1; }void main() { timer0_init(); while(1); } void timer0() interrupt 1 { TH0=(65536-83)/256;//每次进入中断,重装初值 TL0=(65536-83)%256; F=~F;//每次进入中断P1.1口取反,表示定时时间到 } #include // 包含51单片机寄存器定义的头文件 #define seg_data P1 #define seg_data2 P3 #define uint unsigned int sbit D1=P2^0; //将D1位定义为P2.0引脚 uint counter=0; unsigned int unit=0,decade=0,avs=0;//time=0;

局部放电测量指导书 一、适用范围 本指导书适用于电力设备在交流电压下进行局部放电试验,包括测量在某一定电压下的局部放电量、设备局部放电的起始电压和熄灭电压。 二、测量基本方法与步骤 2.1试验方法:根据接线方式可分为并联法、串联法,即检测阻抗与被试品串联进行测量,称为串联法;检测阻抗与被试品并联进行测量,称为并联法,此时,需加测量用耦合电容器。对于变压器来说,一般通过套管末屏处测量,类似并联法。 (1)并联法: 2.2试验步骤: 2.2.1试验接线:应根据被试品的特点完成接线,检查试验加压回路、测量系统回路;

2.2.2试验回路校准:在加压前应对测试回路中的仪器进行例行校正,以确定接入试品时测试回路的刻度系数,该系数受回路特性及试品电容量的影响。在已校正的回路灵敏度下,观察未接通高压电源及接通高压电源后是否存在较大的干扰,如果有干扰应设法排除。 2.2.3试验前试品应按有关规定进行预处理: (1)使试品表面保持清洁、干燥,以防绝缘表面潮气或污染引起局放。 (2)在无特殊要求情况下,试验期间试品应处于环境温度。 (3)试品在前一次机械、热或电气作用以后,应静放一段时间再进行试验,以减少上述因素对本次试验结果的影响。 2.2.4测定局放起始电压和熄灭电压 拆除校准装置,其他接线不变,在试验电压波形符合要求的情况下,电压从远低于预期的局放起始电压加起,按规定速度升压直至放电量达到某一规定值(一般为局放仪在测量时可观测到的设备放电)时,此时的电压即为局放起始电压。其后电压再增加10%,然后降压直到放电量等于上述规定值,对应的电压即为局放熄灭电压。测量时,不允许所加电压超过试品的额定耐受电压,另外,重复施加接近于它的电压也有可能损坏试品。 2.2.5测定局部放电量 (1)无预加电压的测量 试验时试品上的电压从较低值起逐渐增加到规定值,保持一定 时间再测量局放量,然后降低电压,切断电源。有时在电压升

Multisim快速上手教程 每一次数电实验都要疯了有木有!!!全是线!!!全是线!!!还都长得要命!!!完全没地方收拾啊!!!现在数电实验还要求做开放实验,还要求最好先仿真!!!从来没听说过仿真是个什么玩意儿的怎么破!!! 以下内容为本人使用仿真软件的一些心路历程,可供参考。 所谓仿真,以我的理解,就是利用计算机强大的计算能力,结合相应的电路原理(姑且理解为KVL+KCL)来对电路各时刻的状态求解然后输出的过程。相较于模拟电路,数字电路的仿真轻松许多,因为基本上都转化为逻辑关系的组合了。有人用minecraft来做数字电路,都到了做出8bitCPU的水平(https://www.wendangku.net/doc/e218000340.html,/v_show/id_XMjgwNzU5MDUy.html、https://www.wendangku.net/doc/e218000340.html,/v_show/id_XNjEwNTExODI4.html)。这个很神奇。 以下进入正文 首先,下载Multisim安装程序。具体链接就不再这里给出了(毕竟是和$蟹$版的软件),可以到BT站里搜索,有一个Multisim 12是我发的,里面有详细的安装说明,照着弄就没问题了。 好,现在已经安装上Multisim 12了。 然后运行,在Circuit Design Suite12.0里,有一个multisim,单击运行。 进去之后就是这样的。 那一大块白的地方就是可以放置元件的地方。 现在来以一个简单的数字逻辑电路为例:

菜单栏下一排是这些东西,划线的是数字电路仿真主要用得上的元件。 来个7400吧 点击TTL那个图标(就是圈里左边那个)。出来这样一个东西: 红圈里输入7400就出来了,也可以一个一个看,注意右边“函数”栏目下写的“QUAD 2-INPUT NAND”即是“四个双输入与非门”的意思。 点击确认,放置元件。 A、B、C、D在这里指一块7400里的四个双输入与非门,点击即可放置。 看起来很和谐,那就做个RS触发器吧。 这里输出用的是一种虚拟器件PROBE,在Indicators组,图标就是个数码管的那个。功能相当于实验箱上那些LED,也是高电平就点亮。元件旋转方向的方法是选中元件然后按Ctrl+R(otate)。还可以选中元件后点击右键,选择“水平翻转”等。

单片机原理及应用课程 实验报告 专业: 班级: 姓名: 学号:

实验一、keilC51及proteus软件的使用 一、实验目的: 1、掌握keil和proteus软件的基本操作 2、通过具体实例掌握keil和proteus软件的使用。 二、实验原理: keil使用步骤,proteus使用步骤 三、程序: 四、实验结果分析: 五、总结:学会了使用keil和proteus软件,掌握了利用keil和proteus软 件进行仿真的步骤。

实验二、并行输入/输出接口实验 一、实验目的: 1、进一步熟悉keil仿真软件、proteus仿真软件的使用。 2、了解并熟悉单片机I/O口和LED灯的电路结构,学会构建简单的流水灯电路。 3、掌握C51中单片机I/O口的编程方法和使用I/O口进行输入输出的注意事项。 二、实验原理: MCS 51单片机的串行口在实际使用中通常用于三种情况:利用方式0 扩展并行i/0 接口:利用方式1 实现点对点的双机通信;利用方式2 或方式3 实现多机通信。利用方式0 扩展并行i/0 接口MCS 5 1 单片机的串行口在方式0 时,若外接一个串入并出的移位寄存器,就可以扩展并行输出口;若外接一个并入串出的移位寄存器,就可以扩展并行输入口。 三、程序: #include sbit P1_0=P1^0; void main() { unsigned char i; unsigned int j;

i=0x01; for(;;) { P1_0=0; SBUF=I; while(!TI) {i} P1_0=1;TI=0; for(j=0;j<=254;j++){;} i=i*2; if(i==0x00) i=0x01; } } 四、实验结果分析: 五、总结:进一步熟悉了keil仿真软件、proteus仿真软件的使用。了解并熟悉单片机I/O口和LED灯的电路结构,学会了构建简单的流水灯电路。掌握了C51中单片机I/O口的编程方法和使用I/O口进行输入输出的注意事项。

实 验 报 告 实验课程:单片机原理及应用 实验名称:实验1 ——原理图绘制练习 班级:13自动化2班学号:201310320226 :李浩 教师:张玲成绩: 实验日期:2016 年 5 月24 日

一、实验目的:学习Proteus 软件的使用,掌握单片机原理图的绘图方法 二、实验内容: 1、绘制“计数显示器”电路原理图; 2、利用提供的hex文件验证此电路的运行效果。 三、实验要求: 提交的实验报告中应包括:1、绘图方法简述,要求说明元件与电源的选取、摆放及属性编辑,总线与标签的画法等内容;2、电路原理图;3、仿真运行效果展示,要求就仿真文件加载方法及3~4幅运行截图进行简要说明;4、实验小结,说明遇到的主要问题或实验1体会等。 参考电路原理图如下: 元件类别电路符号元件名称 Microprocessor ICs “U1”80C51 Miscellaneous “X1”/12MHz CRYSTAL Capacitors “C1”~“C2”/1nF CAP Capacitors “C3”/22μF CAP-ELEC Resistors Packs “RP1”/7-100ΩRESPACK-7 Resistors “R1”/100ΩRES Optoelectronics “LED1”~“LED2”7SEG-COM-CAT-GRN Switches & Relays “BUT”BUTTON ————————————————

1、绘图方法简述 Protues绘图:打开之后首先新建设计,然后按照元件英文名查找器件,单击鼠标即可放置好元件,单击引脚即可连好导线。点击左方标签后即可在相应导线上放置标签,点击总线图标后即可画出总线。Keic中生成hex文件后在protues中双击单片机芯片即可下载仿真程序。点击左下角播放开始仿真。 2、电路原理图

局部放电试验一般步骤 IMB standardization office【IMB 5AB- IMBK 08- IMB 2C】

局部放电试验一般步骤 局部放电试验是非破坏性试验项目,从试验顺序而言,应放在所有绝缘试验之后。通常是以工频耐压作为预加电压持续数秒,然后降到局部放电测量电压(一般为Um/√3的倍数,变压器为倍,互感器为~倍),持续时间几分钟,测局部放电量; 预加电压是模拟运行中的过电压(例如雷击),预加电压激发的局部放电量不应由局部放电试验电压所延续,即系统上有过电压时所激发的局部放电量不会由长期工作电压所延续。这一方法是使变压器或互感器在Um/√3长期工作电压下无局部放电量,以保证变压器能安全运行,使局部放电起始电压与局部放电熄灭电压都能高于Um/√3。 具体步骤: 1.选择试验线路确定试验电源 局部放电试验回路的连接方法,应依照国标GB7354-2003《局部放电测量》及行标DL417-91《电力设备局部放电现场测量导则》进行。 选择试验线路的同时应参考目前拥有试验电源及容量 对试验电源的要求: 电压互感器: 为防止励磁电流过大,电压互感器试验的预加电压,推荐采用150Hz或其它合适频率的试验电源。一般可采用电动机—发电机组产生的中频电源,三相电源变压器开口三角接线产生的150Hz电源,或其它形式产生的中频电源。

当采用磁饱和式三倍频发生器作电源时,因容易造成波形严重畸变,使峰值与真有效值电压之间的幅值关系不是√2倍的倍数关系,可能造成一次绕组实际电压峰值过高,造成试品损坏,故必须在被试品的高压侧接峰值电压表监测电压。 电压波形应接近正弦波形。当波形畸变时,应以峰值除以√2作为试验电压值。 电流互感器: 一般可选用频率为50Hz的试验电源。 变压器: 一般采用50Hz的倍频或其它合适的频率。三相变压器可三相励磁,也可单相励磁。 2、确定局放允许水平选择标准脉冲进行校准 依据DL/T596-1996《电力设备预防性试验规程》和有关反事故技术措施之规定,结合地区局部放电标准和行业标准,确定试品的局部放电允许水平(试验判据)。 确定试验判据以后,可选择标准脉冲进行试验回路的校准。如局放允许水平为 50PC,可选择50PC标准脉冲进行校准 3、加压测量 互感器试验: 试验电压应在不大于1/3规定测量电压下接通电源,再开始缓慢均匀上升到预加电压保持10秒后,降到规定测量电压,保持1分钟以上,再读取放电量;最后降到1/3测量电压以下,方能切除电源。 变压器试验:

变压器试验基础与原理 1.概述 随着电力系统电压等级的不断提高,为使输变电设备和输电线路的建设和使 用更加经济可靠,就必须改进限制过电压的措施,从而降低系统中过电压(雷电冲击电压和操作冲击电压)的水平。这样,长期工作电压对设备绝缘的影响相对地显得越来越重要。 电力产品出厂时进行的高电压绝缘试验(如:工频电压、雷电冲击电压、操 作冲击电压等试验),其所施加的试验电压值,只是考核了产品能否经受住长期 运行中所可能受到的各种过电压的作用。但是,考虑这种过电压值的试验与运行中长期工作电压的作用之间并没有固定的关系,特别对于超高电压系统,工作电压的影响更加突出。所以,经受住了过电压试验的产品能否在长期工作电压作用 下保证安全运行就成为一个问题。为了解决这个问题,即为了考核产品绝缘长期运行的性能,就要有新的检验方法。带有局部放电测量的感应耐压试验(ACSD 和ACLD)就是用于这个目的的一种试验。 2.局部放电的产生 对于电气设备的某一绝缘结构,其中多少可能存在着一些绝缘弱点,它在- 定的外施电压作用下会首先发生放电,但并不随即形成整个绝缘贯穿性的击穿。 这种导体间绝缘仅被局部桥接的电气放电被称为局部放电。这种放电可以在导体附近发生也可以不在导体附近发生(GB/T 7354-2003《局部放电测量》)。 注1:局放一般是由于绝缘体内部或绝缘表面局部电场特别集中而引起的。 通常这种放电表现为持续时间小于1微秒的脉冲。 注2:“电晕”是局放的一种形式,她通常发生在远离固体或液体绝缘的导体 周围的气体中。 注3:局部放电的过程除了伴随着电荷的转移和电能的损耗之外,还会产生 电磁辐射、超声、发光、发热以及出现新的生成物等。 高压电气设备的绝缘内部常存在着气隙。另外,变压器油中可能存在着微量 的水份及杂质。在电场的作用下,杂质会形成小桥,泄漏电流的通过会使该处发热严重,促使水份汽化形成气泡;同时也会使该处的油发生裂解产生气体。绝缘内部存在的这些气隙(气泡),其介电常数比绝缘材料的介电常数要小,故气隙 上承受的电场强度比邻近的绝缘材料上的电场强度要高。另外,气体(特别是空

局部放电试验一般步骤 局部放电试验是非破坏性试验项目,从试验顺序而言,应放在所有绝缘试验之后。通常是以工频耐压作为预加电压持续数秒,然后降到局部放电测量电压(一般为Um/√3的倍数,变压器为倍,互感器为~倍),持续时间几分钟,测局部放电量; 预加电压是模拟运行中的过电压(例如雷击),预加电压激发的局部放电量不应由局部放电试验电压所延续,即系统上有过电压时所激发的局部放电量不会由长期工作电压所延续。这一方法是使变压器或互感器在Um/√3长期工作电压下无局部放电量,以保证变压器能安全运行,使局部放电起始电压与局部放电熄灭电压都能高于Um/√3。 具体步骤: 1.选择试验线路确定试验电源 局部放电试验回路的连接方法,应依照国标GB7354-2003《局部放电测量》及行标 DL417-91《电力设备局部放电现场测量导则》进行。 选择试验线路的同时应参考目前拥有试验电源及容量 对试验电源的要求: 电压互感器: 为防止励磁电流过大,电压互感器试验的预加电压,推荐采用150Hz或其它合适频率的试验电源。一般可采用电动机—发电机组产生的中频电源,三相电源变压器开口三角接线产生的150Hz电源,或其它形式产生的中频电源。 当采用磁饱和式三倍频发生器作电源时,因容易造成波形严重畸变,使峰值与真有效值电压之间的幅值关系不是√2倍的倍数关系,可能造成一次绕组实际电压峰值过高,造成试品损坏,故必须在被试品的高压侧接峰值电压表监测电压。 电压波形应接近正弦波形。当波形畸变时,应以峰值除以√2作为试验电压值。 电流互感器: 一般可选用频率为50Hz的试验电源。 变压器: 一般采用50Hz的倍频或其它合适的频率。三相变压器可三相励磁,也可单相励磁。 2、确定局放允许水平选择标准脉冲进行校准 依据DL/T596-1996《电力设备预防性试验规程》和有关反事故技术措施之规定,结合地区局部放电标准和行业标准,确定试品的局部放电允许水平(试验判据)。

电子线路设计软件课程设计报告 实验内容:实验八multisim电路仿真 一、验目的 1、进一步熟悉multisim的操作和使用方法 2、掌握multisim做电路仿真的方法 3、能对multisim仿真出的结果做分析 二、仿真分析方法介绍 Multisim10为仿真电路提供了两种分析方法,即利用虚拟仪表观测电路的某项参数和利用Multisim10 提供的十几种分析工具,进行分析。常用的分析工具有:直流工作点分析、交流分析、瞬态分析、傅立叶分析、失真分析、噪声分析和直流扫描分析。利用这些分析工具,可以了解电路的基本状况、测量和分析电路的各种响应,且比用实际仪器测量的分析精度高、测量范围宽。下面将详细介绍常用基本分析方法的作用、分析过程的建立、分析对话框的使用以及测试结果的分析等内容 1、直流工作点分析 直流工作点分析也称静态工作点分析,电路的直流分析是在电路中电容开路、电感短路时,计算电路的直流工作点,即在恒定激励条件下求电路的稳态值。在电路工作时,无论是大信号还是小信号,都必须给半导体器件以正确的偏置,以便使其工作在所需的区域,这就是直流分析要解决的问题。了解电路的直流工作点,才能进一步分析电路在交流信号作用下电路能否正常工作。求解电路的直流工作点在电路分析过程中是至关重要的。 执行菜单命令Simulate/Analyses,在列出的可操作分析类型中选择DC Operating Point,则出现直流工作点分析对话框,如图所示。直流工作点分析对话框包括3页。

Output 页用于选定需要分析的节点。 左边Variables in circuit 栏内列出电路中各节点电压变量和流过电源的电流变量。右边Selected variables for 栏用于存放需要分析的节点。 具体做法是先在左边Variables in circuit 栏内中选中需要分析的变量(可以通过鼠标拖拉进行全选),再点击Plot during simulation 按钮,相应变量则会出现在Selected variables for 栏中。如果Selected variables for 栏中的某个变量不需要分析,则先选中它,然后点击Remove按钮,该变量将会回到左边Variables in circuit 栏中。Analysis Options页 点击Analysis Options按钮进入Analysis Options页,其中排列了与该分析有关的其它分析选项设置,通常应该采用默认的 Summary页

准直TIR透镜的TracePro模拟过程 说明:本例只讲解我用TP的模拟过程,不是TP的使用手册之类,讲解有误或不清楚的地方请见谅。本例不讲解透镜的设计方法,请不要追问如何设计透镜。 最后提一个要求:不喜勿喷。 作者:虫洞里的猫 准直TIR透镜,是指在原点的点光源经过透镜后光线能平行出射的透镜,但由于LED的发光面都是面光源,因此LED经过此透镜后不可能是平行光出射,但其出光角度会是最小值。 本实例以已设计好的准直TIR透镜为例,逐步演示TracePro的模拟过程。 1.插入3D文件 TracePro可以打开多种3D格式的文件,最方便的是直接插入零件,但此过程只能使用.SAT格式的文件,如下图的过程。

如果你的3D文件是其它格式,如STEP等,则可以用TracePro直接打开,具体过程为:文件-打开,在打开的对话框的下拉菜单中选择合适的格式。 2.设置光源 2.1 设置档案光源 2.1.1 方法一 设置光源可以有很多方式,但最直接也最准确的是使用光源文件,在TracePro中也称为档案光源,TracePro可用的档案光源主要有.DAT或.RAY格式的。此文件可以从LED厂家的官网上下载,本实例使用的LED为CREE公司的XLamp XP-E。如下图,XP-E Cool White Optical Source Model - TracePro (zip) (42 MB)是适合TracePro使用的光源文件,其网站地址为:https://www.wendangku.net/doc/e218000340.html,/LED-Components-and-Modules/Products/XLamp/Discrete-Directional/XLa mp-XPE。

本科生实验报告 实验课程单片机原理及应用 学院名称核技术与自动化工程学院 专业名称电气工程及其自动化 学生姓名 学生学号 指导教师任家富 实验地点6C902 实验成绩 二〇一五年三月二〇一五年六月 单片机最小系统设计及应用 摘要 目前,单片机以其高可靠性,在工业控制系统、数据采集系统、智能化仪器仪表等领域得到极其广泛的应用。因此对于在校的大学生熟练的掌握和使用单片机是具有深远的意义。通过本次课程设计掌握单片机硬件和软件方面的知识,更深入的了解单片机的实际应用,本次设计课程采用STC89C52单片机和ADC0804,LED显示,键盘,RS232等设计一个单片机开发板系统。进行了LED显示程序设计,键盘程序设计,RS232通信程序设计等。实现了单片机的各个程序的各个功能。对仿真软件keil的应用提升了一个新的高度。单片机体积小、成本低、使用方便,所以被广

泛地应用于仪器仪表、现场数据的采集和控制。通过本实验的学习,可以让学生掌握单片机原理、接口技术及自动控制技术,并能设计一些小型的、综合性的控制系统,以达到真正对单片机应用的理解。 关键词:单片机;智能;最小系统;ADC;RS232;显示;STC89C52 第1章概述 单片机又称单片微控制器,它不是完成某一个逻辑功能的芯片,而是把一个计算机系统集成到一个芯片上。相当于一个微型的计算机,和计算机相比,单片机只缺少了I/O设备。单片机采用超大规模集成电路技术把具有数据处理能力的中央处理器CPU随机存储器RAM、只读存储器ROM、多种I/O口和中断系统、定时器/计时器等功能(可能还包括显示驱动电路、脉宽调制电路、模拟多路转换器、A/D转换器等电路)集成到一块硅片上构成的一个小而完善的微型计算机系统。概括的讲:一块芯片就成了一台计算机。它的体积小、质量轻、价格便宜、为学习、应用和开发提供了便利条件。同时,学习使用单片机是了解计算机原理与结构的最佳选择。 它最早是被用在工业控制领域,由于单片机在工业控制领域的广泛应用,单片机由芯片内仅有CPU的专用处理器发展而来。最早的设计理念是通过将大量外围设备和CPU集成在一个芯片中,使计算机系统更小,更容易集成进复杂的而对体积要求严格的控制设备当中。 现代人类生活中所用的几乎每件电子和机械产品中都会集成有单片机。手机、电话、计算器、家用电器、电子玩具、掌上电脑以及鼠标等电脑配件中都配有1-2部单片机。汽车上一般配备40多部单片机,复杂的工业控制系统上甚至可能有数百台单片机在同时工作!单片机的数量不仅远超过PC机和其他计算的总和,甚至比人类的数量还要多。单片机的使用领域已十分广泛,如智能仪表、实时工控、通讯设备、导航系统、家用电器等。各种产品一旦用上了单片机,就能起到使产品升级换代的功效,常在产品名称前冠以形容词——“智能型”,如智能型洗衣机等。 第2章实验内容 2.1单片机集成开发环境应用

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