【最新题库】模拟电子技术试卷6
１ 昆 明 冶 金 高 等 专 科 学 校 试 卷
课程名称：模拟电子技术 任课教师： 考试时间： 试卷类别： 专 业： 班 级： 学生姓名： 学 号： 一、单选题(每题1分) 1. 基本组态双极型三极管放大电路中，输入电阻最大的是___________电路。 A. 共发射极 B. 共集电极 C. 共基极 D. 不能确定 2. 图示电路（ ）。 A ．满足振荡的相位条件，能振荡； B ．不满足振荡的相位条件，不能振荡； C ．满足振荡的相位条件，能否振荡取决于R 1和R 2的阻值之比； D ．既不满足相位条件，也不满足振幅条件，不能振荡。 3. 直接耦合电路中存在零点漂移主要是因为（ ）。 A. 晶体管的非线性 B. 电阻阻值有误差 C. 晶体管参数受温度影响 D. 静态工作点设计不当 4. 在25oC 时，某二极管的死区电压U th ≈0.5V ，反向饱和电流I S ≈0.1pA ，则在35oC 时，下列哪组数据可能正确：（ ）。 A U th ≈0.525V ，I S ≈0.05pA B U th ≈0.525V ，I S ≈0.2pA C U th ≈0.475V ，I S ≈0.05pA D U th ≈0.475V ，I S ≈0.2pA 5. 关于放大电路中的静态工作点（简称Q 点），下列说法中不正确的是（ ）。 A ．Q 点要合适 B ．Q 点要稳定 C ．Q 点可根据直流通路求得 D ．Q 点要高 6. 某放大器的中频电压增益为40dB ，则在上限频率f H 处的电压放大倍数约为（ ）倍。 A. 43 B. 100 C. 37 D. 70 7. 关于三极管高频参数，下列说法中不准确的为
（ ）。 A. βf 为共发射极截止频率 B. αf 为共基极截止频率 C. T f 为特征频率 D. βf f T < 8. 放大电路如图所示，图中R F =110k Ω，R 1=11k Ω，
R 2=10k Ω，C 1=1μF ，则该电路的下限频率f L 等于（ ）。 A ．100Hz B ． 1.45Hz C ．15.9Hz D ．14.5Hz 9. 图示电路中，为共发射极放大电路的是（ ）。
10. RC 桥式振荡电路中RC 串并联网络的作用是（ ）。
A ．选频
B ．引入正反馈
C ．稳幅和引入正反馈
D ．选频和引入正反馈
11. 欲将方波电压转换成尖脉冲电压，应选
用（ ）运算电路。
A. 比例
B. 加减
C. 积分
D. 微分
12. 为了向负载提供较大功率，放大电路的输出级
应采用（ ）
A ．共射极放大电路
B ．差分放大电路
C ．功率放大电路
D ．复合管放大电路
13. 某共射极放大电路空载时输出电压有截止失
真，在输入信号不变的情况下，经耦合电容接上负载电阻时，失真消失，这时由于（ ）。
A. Q 点上移
B. Q 点下移
C. 三极管交流负载电阻减小
D. 三极管输出电阻减小 14. 为了展宽频带，应引入（ ）负反馈。
A. 直流
B. 交流
C.
串联 D. 并联
15. 理想集成运放具有以下特点：（ ）。
A. 开环差模增益A u d =∞，差模输入电
阻R i d =∞，输出电阻R o =∞
B. 开环差模增益A u d =∞，差模输入电
阻R i d =∞，输出电阻R o =0
C. 开环差模增益A u d =0，差模输入电
阻R i d =∞，输出电阻R o =∞
D. 开环差模增益A ud =0，差模输入电阻R id =∞，
输出电阻R o =0
16. 某三极管的V 15,mA 20,mW 100(BR)CEO CM CM ===U I P ，则下列状态下三极管能正常工作的是（ ）。
A. mA 10,V 3C CE ==I U
B. mA 40,V 2C CE ==I U
C. mA 20,V 6C CE ==I U
D. mA 2,V 20C CE ==I U 17. 要同时得到-12V 和+9V 的固定电压输出，应采用的三端稳压器分别为（ ）。
A. CW7812；CW7909
B. CW7812；
CW7809 C. CW7912；CW7909 D. CW7912；
CW7809
18. 图示电路中，欲增大U CEQ ，可以（ ）。
A. 增大Rc
B. 增大R L
C. 增大R B1
D. 增大β 图号3201
２
19. 放大电路A 、B 的放大倍数相同，但输入电阻、输出电阻不同，用它们对同一个具有内阻的信号源电压进行放大，在负载开路条件下测得A 的输出电压小，这说明A 的（ ）。 A. 输入电阻大 B. 输入电阻小 C. 输出电阻大 D.输出电阻小 20. 直接耦合放大电路 ( )信号。 A. 只能放大交流信号 B. 只能放大直流信号 C. 既能放大交流信号，也能放大直流信号 D. 既不能放大交流信号，也不能放大直流信号 21. 在输入量不变的情况下，若引入反馈后（ ） ，则说明引入的是负反馈。 A. 输入电阻增大 B. 输出量增大 C. 净输入量增大 D. 净输入量减小 22. 设计一个输出功率为8W 的扩音机电路，若采用乙类互补对称功率放大电路，则选择功率管时，要求P CM （ ） A ．至少大于 1.6W B ．至少大于0.8W C ．至少大于0.4W D ．无法确定 23. 已知变压器二次电压为t U u ωsin 222=V ，负载电阻为R L ，则半波整流电路流过二极管的平均电流为（ ）。 A. L R U 245.0 B. L R U 29.0 C. L R U 22 D. L R U 222 24. 为了抑制温漂，应引入（ ）负反馈。 A. 直流 B. 交流 C. 串联 D. 并联 25. 为了减小放大电路从信号源索取的电流并增强带负载能力，应引入（ ）负反馈。 A. 电压串联 B. 电压并联 C. 电流串联 D. 电流并联 二、判断题(每题1分) 1. 输入电阻反映了放大电路带负载的能力。 （ ） 2. 在电路参数相同的情况下，半波整流电路输出电压的平均值是桥式整流电路输出电压平均值的一半。 （ ） 3. 并联型晶体振荡电路中，英晶体的作用相当于电感；串联型晶体振荡电路中，晶体的作用相当于电容。（ ） 4. PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。 （ ） 5. 由晶振电路、锁相环路和可变分频器构成的锁相频率合成电路，可以生成频率连续变化的信号。（ ） 6. 集成放大电路采用直接耦合方式的主要原因之一是不易制作大容量电容。（ ） 7. 频率失真是由于线性的电抗元件引起的，它不会
产生新的频率分量，因此是一种线性失真。（ ） 8. 开关稳压电源的调整管主要工作在截止和饱和两种状态，因此管耗很小。 （ ） 9. 模拟乘法器可用以构成乘法、平方、除法、开平方等运算电路。（ ）
10. 理想集成运放用作电压比较器时，其输出电压应为高电平或低电平。（ ）
三、填空题(每题1分)
1. 功率较小的直流电源多数是将交流电经
过 、 、 和 后获得。
2. 低频信号能通过而高频信号不能通过的电路称
为 滤波电路，高频信号能通过而低频信号不能通过的电路称为 滤波电路。
3. 特征频率f T 即随着频率的升高，当β值下降到等
于 时所对应的频率。
4. 负反馈对输出电阻的影响取决于 端的反
馈类型，电压负反馈能够 输出电阻，电流负反馈能够 输出电阻。 5. 某集成运放闭环应用时放大倍数为200，带宽为100kHz ，则该运放的单位增益带宽为 。
6. 一阶RC 低通电路截止频率决定于RC 电路 常数的倒数，在截止频率处输出信号比通带内输出信号小 dB 。
7. 场效应管放大电路中，共 极电路具有电
压放大能力，输出电压与输入电压反相；共
极电路输出电阻较小，输出电压与输入电压同相。 8. 开关稳压电源主要由 、 、 、 、误差放大器和电压比较器等部分组成。 9. 双极型半导体三极管按结构可分为 型和 型两种，它们的符号分别_______和
10. 在深度负反馈放大电路中，净输入信号约
为 ， 约等于输入信号。
11. 反馈放大电路由 电路 和 网络组成。
12. 差分放大电路抑制零漂是靠电路结构
和两管公共发射极电阻的很强的 作用。
13. 理想集成运放中存在虚断是因为差模输入电阻为 ，流进集成运放的电流近似为 ；集成
运放工作在线性区时存在有虚短，是指
和 电位几乎相等。
14. 在RC 桥式正弦波振荡电路中，通过RC 串并联
网络引入的反馈是 反馈。
15. 二极管反向击穿分电击穿和热击穿两种情况，其中 是可逆的，而 会损坏二极管。
16. 差分电路的两个输入端电压分别为u i1=2.00V ，u i2=1.98V ，则该电路的差模输入电压u id 为 V
，共模输入电压u ic 为 V 。 17. _______通路常用以确定静态工作点； 通路提供了信号传输的途径。
18. 二极管P 区接电位 端，N 区接电位 端，称正向偏置，二极管导通；反之，称反向偏置，二极管截止，所以二极管具有 性。
19. 频率合成器框图如图所示，N=10~255，则其频率间隔为 ，输出频率范围为 。
20. 三种基本组态双极型三极管放大电路中，输入
电阻最大的是共 极电路，输入电阻最小的是共 极电路，输出电阻最小的是共 极
电路。
３ 21. 某负反馈放大电路的闭环增益为40dB ，当基本放大器的增益变化10%时，反馈放大器的闭环增益相应变化1%，则电路原来的开环增益为 。 22. 串联负反馈在信号源内阻 时反馈效果显著；并联负反馈在信号源内阻 时反馈效果显著。
23. β反映 态时集电极电流与基极电流之比；β反映 态时的电流放大特性。
24. 图示电路中集成运放是理想的，其最大输出电压幅值为±14V 。由图可知：电路引入了 （填入反馈组态）交流负反馈，电路的输入电阻趋近于 ，电压放大倍数A u f ＝u O /u I = 。设 u I ＝1V ，则u O = V ；若R 1开路，则u O 变为 V ；若R 1短路，则u O 变为 V ；若R 2开路，则u O 变为 V ；若R 2短路，则u O 变为 V 。 ￥+-+R 1 10k ΩR 2 100k Ωu I u O
25. 本征半导体掺入微量的五价元素，则形成 型半导体，其多子为 ，少子为 。
四、计算分析题(每题8分)1. 差分放大电路如图所示，已知β=50，r bb’=200Ω，U BEQ =0.6V ，试求：（1）I CQ1、U CQ1；（2）差模电压放大倍数A ud 、差模输入电阻R id 和输出电阻R o ；（3）共模电压放大倍数A uc 和共模抑制比K CMR 的分贝值。
2. 图示电路中，已知V CC =V EE =12V ，R L =50Ω，三极管饱和压降U CE(sat)≤2V ，试求该电路最大不失真时的输出功率、电源供给功率、功率及各管管耗，并指出三极管
V 3和V 4的作用。
3. 下图所示电路中，所有运放为理想器件。 （1）试求U O1=？ U O2=? U O3=?
（2）设电容器的初始电压为2V ，极性如图所示，求使U O4=-6V 所需的时间t=？ 4. 二极管电路如图所示，判断图中二极管是导
通还是截止，并确定各电路的输出电压U o 。设二极12V
9V V 1V 2R +－U o (c)9V 12V V 1V 2R (d)+－U o
5. 根据振荡的相位条件，判断如图所示各电路能否产生振荡，对能振荡的电路，指出构成何种类型的正弦波振荡电路，并计算振荡频率。
模拟电子技术基础期末考试试题及答案
《模拟电子技术》模拟试题一 一、填空题：（每空1分共40分） 1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向） 导电性。 2、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温 度）有关，而与外加电压（无关）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其 反偏时，结电阻为（无穷），等效成断开； 4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集） 放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳 定交流输出电流采用（串联）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路 的放大倍数AF=（1/ F ）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（）， （）称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号， 而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互 补功率放大器。 13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路； OTL电路是（）电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻 （）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（） 电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（），未被调制的高频信 号是运载信息的工具，称为（）。
模拟电子技术试卷及答案样本
模拟试卷一 一、填空(16分) 1．半导体二极管的主要特性是___________ 。 2．三极管工作在放大区时, 发射结为____ 偏置, 集电结为_____偏置; 工作在饱和区时发射结为___偏置, 集电结为____偏置。3．当输入信号频率为fL和fH时, 放大倍数的幅值约下降为中频时的__倍, 或者是下降了__dB, 此时与中频时相比, 放大倍数的 附加相移约为_____ 。 4．为提高放大电路输入电阻应引入___反馈; 为降低放大电路输出电阻, 应引入_____反馈。 5．乙类功率放大电路中, 功放晶体管静态电流ICQ =____、静态时的电源功耗PDC =______。这类功放的能量转换效率在理想情况下, 可达到_____, 但这种功放有______失真。 6．在串联型稳压电路中, 引入了——负反馈; 为了正常稳压, 调整管必须工作在____区域。 二、选择正确答案填空(24分) 1．在某放大电路中, 测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V, -10 V, -9.3 V, 则这只三极管是( )。 A．NPN 型硅管 B．NPN 型锗管 C．PNP 型硅管 D．PNP 型锗管2．某场效应管的转移特性如图１所示, 该管为 ( )。
A．P沟道增强型MOS管 B．P沟道结型场效应管 C．N沟道增强型MOS管 D．N沟道耗尽型MOS管 3．在图示2差分放大电路中, 若uI = 20 mV, 则电路的( )。 A．差模输入电压为10 mV, 共模输入电压为10 mV。 B．差模输入电压为10 mV, 共模输入电压为20 mV。 C．差模输入电压为20 mV, 共模输入电压为10 mV。 D．差模输入电压为20 mV, 共模输入电压为20 mV。 4．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路, 这是因为它的( )。 A．输入电阻高 B．输出电阻低 C．共模抑制比大 D．电压放大倍数大 5．在图示电路中,Ri为其输入电阻, RS为常数, 为使下限频率fL 降低, 应( )。 A．减小C, 减小Ri B．减小C, 增大Ri C．增大C, 减小Ri D．增大C, 增大 Ri 6．如图所示复合管, 已知V1的 b1 = 30, V2的 b2 = 50, 则复
模拟电子技术基础知识点总结
模拟电子技术复习资料总结 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6.杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路); 若V阳 2) 等效电路法 直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路); 若V阳 一、选择题：（共10题，每题1分。合计10分） 第一章： 1.PN 结加正向电压时，空间电荷区将（ ）。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 2.PN 结加反向电压时，空间电荷区将（ ）。 A. 变宽 B. 变窄 C. 基本不变 3.在本征半导体中加入（ ）元素可形成P 型半导体。 A. 五价 B. 四价 C. 三价 4.当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（ ）。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 5.当温度升高时，二极管的正向特性曲线将（ ）。 A. 不变 B. 左移 C. 右移 6.稳压管的稳压区是其工作在（ ）区。 A. 正向导通 B. 反向截止 C. 反向击穿 第二章： 1. 对于直接耦合基本放大电路，（ ）的输入电压与输出电压反相。 A. 共射电路 B. 共集接法 C. 共基接法 2. 对于直接耦合放大电路，（ ）的输入电压和输出电压同相。 A. 共射电路 B. 共集电路 C. 共源电路 3. 以下基本放大电路中，（ ）电路不具有电压放大能力。 A. 共射 B.共集 C. 共基 4. 工作在放大区的某三极管，如果当C I 从1mA 变为1.9mA ，E I 从1.01mA 变为1.92mA ，那么它的 约为（ ）。 A. 1 B. 86 C. 90 5. 对于n 沟道增强型MOS 管，只能满足（ ），管子才能工作在恒流区。 A. DS u > GS u -)(th GS U B. DS u 一、填空（共20空，每空 1 分，共 20 分，所有答案均填写在答题纸上） 1、晶体管三极管被称为双极型晶体管是因为 。 2、晶体三极管的输出特性可分三个区域，只有当三极管工作在 区时，关系式b I Ic β=才成立。 3、场效应管可分为结型场效应管和 型场效应管两种类型。 4、在由晶体管构成的单管放大电路的三种基本接法中，共 基本放大电路既能放大电流又能放大电压。 5、在绘制放大电路的交流通路时， 视为短路， 视为短路，但若有内阻则应保留其内阻。 6、多级放大电路级间的耦合方式有 、 、变压器耦合和光电耦合等。 7、场效应管是利用 极和 极之间的电场效应来控制漏极电流从而实现放大的半导体器件。 8、放大电路的直流通路用于研究 。 9、理想运放的两个输入端虚短是指 。 10、为判断放大电路中引入的反馈是电压反馈还是电流反馈，通常令输出电压为零，看反馈是否依然存在。若输出电压置零后反馈仍然存在则为 。 11、仅存在于放大电路的直流通路中的反馈称为 。 12、通用集成运放电路由输入级、中间级、 和 四部分组成。 13、集成运放的同相输入端和反相输入端中的“同相”和“反相”是指运放的 和 的相位关系。 14、在学习晶体三极管和场效应管的特性曲线时可以用类比法理解，三极管的放大工作区可与场效应管的 区相类比，而场效应管的可变电阻区则可以和三极管的 相类比。 二、单项选择题（共10题，每题 2 分，共 20分；将正确选项的标号填在答题纸上） 1、稳压二极管的反向电流小于min z I 时，稳压二极管 。 A ：稳压效果变差 B ：仍能较好稳压，但稳定电压变大 C ：反向截止 D ：仍能较好稳压，但稳定电压变小 2、如果在PNP 型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结反向偏置，则此管的工作状态为 。 A ：饱和状态 B ：截止状态 C ：放大状态 D ：不能确定 3、已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100，现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图1所示。关于这两只三极管，正确的说法是 。 一、填空（30分，每空1分） 1、半导体中存在两种载流子，分别为 电子和 空穴 。杂质半导体分为两种，分别为 N 型半导体 和 P 型半导体 。 2、三极管实现放大作用的内部结构条件是发射区掺杂浓度 高；基区做得 很薄 ，且掺杂浓度 低 。实现放大作用的外部条件是外加电源的极性应保证了射结正偏 ；而集电结 反偏 。 3、组成放大电路的基本原则是外加电源的极性应使三极管的 发射结 正向偏置，三极管的 集电结 反向偏置，以保证三极管工作在放大区。针对放大电路的基本分析方法有两种，分别为 微变等效法 和 图解法 。 4、基本放大电路有三种组态，即 共发射极 、 共基极 和 共集电极 。多级放大电路常用的耦合方式有三种，分别为 直接耦合、阻容耦合 和变压器耦合。多级放大电路的电压放大倍数为各级电压放大倍数的 代数乘积 。 13、电压负反馈使输出电压 稳定 ，因而降低了放大电路的 输出电阻；电流负反馈使输出电流 稳定 ，因而提高了电路的 输出电阻 。串联负反馈增大 放大电路的输入电阻，并联负反馈则减小输入电阻。在实际的负反馈放大电路中，有以下四种基本的组态，分别为 电压串联负反馈、电压并联负反馈 、电流串联负反馈、电流并联负反馈。 二、按要求选其中正确的一项填入括号（20分，每小题4分） 1、在某种纯净的半导体中掺入以下杂质可以形成N 型半导体。(D) A 、含四价元素的杂质 B 、含空穴的杂质 C 、三价元素镓 D 、五价元素磷 2、在三极管的基本组态电路中(B) A 、共集组态的电压增益最大 B 、共集组态的电压增益最小 C 、共发组态的电压增益最小 D 、共基组态的电压增益最小 3、差分放大器是一种直接耦合放大器，它(D) A 、只能放大直流信号 B 、只能放大交流信号 C 、不能放大交流信号 D 、可以抑制共模信号 4、在实际工作中调整放大器的静态工作点一般是通过改变(C) A 、发射极电阻 B 、集电极电阻 C 、基极电阻 D 、三极管的值 5、判断负反馈电路可能发生自激振荡的根据有（C ） A 、负反馈深度较大的两级放大电路； B 、环路增益的幅值 1 AF ； 得分 评卷人 一、填空题 1、P 型半导体又称为_____型半导体，它由本征半导体掺入_____价元素形成，其 多数载流子是__________，少数载流子是__________。当PN 结外加正向电压时，扩 散电流 漂移电流，耗尽层 。 2、三种基本组态的放大电路中，输入和输出相位相反的是____________，输入和 输出相位相同的是____________。 3、场效应管与双极晶体管比较，____________为电压控制器件，____________为电 流控制器件，____________的输入电阻高。 4、在分析含有负反馈的集成运放电路时，常用的两个基本且重要的概念是： 和 。 5、放大电路中静态工作点的设置非常重要，如果Q 点设置过低，将会引起 失真，其输出电压的波形 半周被部分削平。 6、直流稳压电源由 、 、 及 组成。 7、并联稳压电路中，稳压二极管需要串入 才能正常进行工作。 二、选择题 1、杂质半导体的少数载流子浓度取决于（ ） A 、掺杂浓度 B 、工艺 C 、温度 D 、晶体缺陷 2、测得某放大电路中BJT 的三个电极A 、B 、C 的各级电位为 V V V V V V C B A 2.6,6,9-=-=-= 则可以判断出 （ ） A ． A 是基极， B 是发射极， C 是集电极，是NPN 管 B．A是集电极，B是基极，C是发射极，是PNP管 C．A是集电极，B是发射极，C是基极，是PNP管 D．A是发射极，B是集电极，C是基极，是NPN管 3、P沟道增强型场效应管处于放大状态时要求（） A、UGS＞0，UDS＞0 B、UGS＜0，UDS＜0 C、UGS＞0，UDS＜0 D、UGS＜0，UDS＞0 4、某仪表的放大电路，要求Ri很大，输出电流稳定，则应采用（）形式来达到性能要求。 A、电流串联负反馈 B、电压并联负反馈 C、电流并联负反馈 D、电压串联负反馈 5、在长尾式差分放大电路中，电阻Re的作用是：（） A、提高Ri B、提高Avd C、提高K CMR D、提高Avc 6、差分放大电路的输出由双端输出改为由单端输出时，其K CMR将会（）。 A、增大 B、减小 C、不变 D、不能确定 7、乙类功率放大电路可以达到的最大效率是多少？（） A、100% B、78.5% C、50% D、20% 8、某单管共射基本放大电路，因晶体管损坏，采用β值为原来2倍的晶体管替换；问该放大电路的电压增益如何变化？（） A、增大为原来的2倍 B、降低为原来的一半 《模拟电子技术》复习题一 一、填空题 1、在N 型半导体中，多数载流子是 ；在P 型半导体中，多数载流子是 。 2、场效应管从结构上分为结型和 两大类，它属于 控制性器件。 3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入 （共射、共集、共基）组态放大电路。 4、在多级放大器中，中间某一级的 电阻是上一级的负载。 5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。 6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。 7、正弦波振荡电路通常由 ， ， 和 四部分组成。 二、选择题 1、利用二极管的（ ）组成整流电路。 A 正向特性 B 单向导电性 C 反向击穿特性 2、P 型半导体是在本征半导体中加入（ ）后形成的杂质半导体。 A 空穴 B 三价元素硼 C 五价元素锑 3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。 A P 沟道增强型MOS 型 B P 沟道耗尽型MOS 型 C N 沟道增强型MOS 型 D N 沟道耗尽型MOS 型 E N 沟道结型 F P 沟道结型 图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ ）。 ++ + - ---D1 D2R Rb Rc Rb Rb1Rb2Re1Re2 Rc RL C1Ce C1C2L 15V 8V 50K 2.5K B=50 Uo Ui +5V Rf Re1Re2Ucc Ucc Ucc C2 Ugs+10-1-2 id Ubs us Rs R R R 2R Uo1 Uo2Uo4 + +1A1 A2 A4 图2-1 图2-2图2-3 图2-6 图2-4 图2-5++ + + + --- --D1D2R Rb Rc Rb Rb1 Rb2Re1 Re2 Rc RL C1 Ce C1 C2 L 15V 8V 50K 2.5K B=50Uo Ui +5V Rf Re1Re2Ucc Ucc Ucc C2 Ugs+10-1 -2 id Ubs us Rs R R R 2R Uo1Uo2 Uo4++1A1 A2A4图2-1 图2-2 图2-3图2-6 图2-4图2-5 《模拟电子期末练习题》应用电子2班张昌文 《模拟电子技术》模拟试题一 填空题：（每空1分共40分） 1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。 2、漂移电流是（）电流，它由（）载流子形成，其大小与（）有关，而与外加电压（）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（零），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷大），等效成断开； 4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变大），发射结压降（变小）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共）、（）、（）放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（），（）称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称 为（）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（交越）失真，而采用（甲乙类）类互补功率放大器。 13、OCL电路是（双）电源互补功率放大电路；OTL电路是（单）电源互补功率放大电路。 14、共集电极电路电压放大倍数（1），输入电阻（大），输出电阻（小），常用在输入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（零点）漂移，也称（温度）漂移，所以它广泛应用于（集成）电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称（调幅），未被调制的高频信号是运载信息的工具称（载波信号）。 17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（KU X U Y ），电路符号是（）。 二、选择题 1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（B）状态，但其两端电压必须（C），它的稳压值Uz才有 导通电流，否则处于（F ）状态。 A、正偏 B、反偏 C、大于 D、小于 E、导通 F、截止 2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是（C），该管是（D）型。 A、（ B、 C、E）B、（C、B、E）C、（E、C、B） D、（NPN） E、（PNP） 3、对功率放大器的要求主要是（B）、（D）、（E）。A、U0高 B、P0大 C、功率大 D、Ri大 E、波形不失真 4、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（b ），此时应该（ e ）偏置电阻。 A、饱和失真 B、截止失真 C、交越失真 D、增大 E、减小 5、差分放大电路是为了（C）而设置的。A、稳定Au B、放大信号C、抑制零点漂移 6、共集电极放大电路的负反馈组态是（A ）。A、压串负B、流串负C、压并负 7、差分放大电路RE上的直流电流IEQ近似等于单管集电极电流ICQ（B ）倍。A、1 B、2 C、3 8、为了使放大器带负载能力强，一般引入（A ）负反馈。A、电压B、电流C、串联 第一章 半导体基础知识 自测题 一、（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）× 二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C 三、U O1≈1.3V U O2＝0 U O3≈－1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈－2V 四、U O1＝6V U O2＝5V 五、根据P CM ＝200mW 可得：U CE ＝40V 时I C ＝5mA ，U CE ＝30V 时I C ≈6.67mA ，U CE ＝20V 时I C ＝10mA ，U CE ＝10V 时I C ＝20mA ，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。图略。 六、1、 V 2V mA 6.2 A μ26V C C CC CE B C b BE BB B =-====-= R I U I I R U I β U O ＝U CE ＝2V 。 2、临界饱和时U CES ＝U BE ＝0.7V ，所以 Ω ≈-= == =-= k 4.45V μA 6.28mA 86.2V B BE BB b C B c CES CC C I U R I I R U I β 七、T 1：恒流区；T 2：夹断区；T 3：可变电阻区。 习题 1.1（1）A C （2）A （3）C （4）A 1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。 1.3 u i 和u o 的波形如图所示。 1.4 u i 和u o 的波形如图所示。 t 1.5 u o 的波形如图所示。 1.6 I D ＝（V －U D ）/R ＝ 2.6mA ，r D ≈U T /I D ＝10Ω，I d ＝U i /r D ≈1mA 。 1.7 （1）两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。 （2）两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。 1.8 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA ，R ＝U Z /I DZ ＝0.24～1.2k Ω。 1.9 （1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流为4mA ，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+= U R R R U 当U I ＝15V 时，由于上述同样的原因，U O ＝5V 。 当U I ＝35V 时，U O ＝U Z ＝5V 。 （2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。 1.10 （1）S 闭合。 （2）。，Ω=-=Ω≈-=700)V (233)V (Dm in D m ax Dm ax D m in I U R I U R 1.11 波形如图所示。 1.12 60℃时I CBO ≈32μA 。 1.13 选用β＝100、I CBO ＝10μA 的管子，其温度稳定性好。 1.14 模拟电子技术基础期末考试试题（B ） 姓名 班级 学号 计分 1．电路如图P1.4所示，已知u i ＝5sin ωt (V)，二极管导通电压U D ＝0.7V 。试画出u i 与u O 的波形，并标出幅值。 （5分） 2. 设图中A 为理想运放，请求出各电路的输出电压值。(12分) U 01 = U 02 = U 03 = U 04 = U 05 = U 06 = 3. 电路如图所示，设满足深度负反馈条件。 1．试判断级间反馈的极性和组态； 2．试求其闭环电压放大倍数A uf 。 （10分） (1) (2) 10 k Ω (3) 20 k Ω 2(5) 2 o5 (6) 2 20 k Ω 4. 试用相位平衡条件判断图示两个电路是否有可能产生正弦波振荡。如可能振荡，指出该振荡电路属于什么类型(如变压器反馈式、电感三点式、电容三点式等)，并估算其振荡频率。已知这两个电路中的L=0，C 1，C 2=F 。(8分) 5. 在图示电路中，设A 1、A 2、A 3均为理想运算放大器，其最大输出电压幅值为±12V 。 1． 试说明A 1、A 2、A 3各组成什么电路？ 2． A 1、A 2、A 3分别工作在线形区还是非线形区？ 3． 若输入为1V 的直流电压，则各输出端u O1、u O2、u O3的电压为多大？（10分） V CC V CC (a ) C b (b ) r=100Ω。 6．电路如图所示，晶体管的 ＝100，' bb A 、R i和R o； （1）求电路的Q点、 u （2）若电容C e开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化？（15分） r=100Ω，U B E Q≈0.7。试计算R W滑动端7．图所示电路参数理想对称，晶体管的β均为50，' bb 在中点时T1管和T2管的发射极静态电流I EQ，以及动态参数A d和R i。（15分） 14 15 16 模拟电子技术》模拟试题一 、 填空题：（每空 1、PN 结正偏时（ 2、 漂移电流是（ 3、 所谓理想二极管， 等效成断开； 1 分 共 40 分） ），反偏时（ ）电流，它由（ 就是当其正偏时， ），所以 PN 结具有（ ）载流子形成，其大小与（ 结电阻为 ），等效成一条直线； ）导电性。 ）有关，而与外加电压（ 当其反偏时， 结电阻为 （ ）。 ）， 4、 三极管是（ ） 5、 三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（ 6、 当温度升高时，晶体三极管集电极电流 Ic 7、 三极管放大电路共有三种组态分别是（ 8、 为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用 反馈。 控制元件，场效应管是（ 9、负反馈放大电路和放大倍数 AF= （ 10 、带有负反馈放大电路的频带宽度 BWF=（ ）、 控制元件。 ），集电结（ ），发射结压降（ ）、（ ） ） 。 ）。 放大电路。 ）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（ ）， 对于深度负反馈放大电路的放大倍数 ）BW 其中 BW=（ ）,（ AF= （ ）称为反馈深度。 ）。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（ 极性相反的两个信号，称为（ ）信号。 ）信号，而加上大小相等、 12、 为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（ 13、 OCL 电路是（ ）电源互补功率放大电路； 、共集电极放大电路具有电压放大倍数（ 用在输入级，输出级或缓冲级。 差分放大电路能够抑制（ ）漂移，也称（ 用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（ 称为（ ）失真，而采用 OTL 电路是（ ），输入电阻（ ）， ）。 17、 模拟乘法器输出与输入的关系式是 U0=( 选择题（每空 2 分 共 30 分） ）类互补功率放大器。 电源互补功率放大电路。 输出电阻（ ）等特点，所以常 ）漂移，所以它广泛应用于（ ）电路中。 ），未被调制的高频信号是运载信息的工具， ）， 电路符号是（ ）。 、稳压二极管是一个可逆击穿二极管， 值Uz 才有导通电流，否则处于（ A 、正偏 B 、反偏 C 、大于 D 、小于 E 、导通 、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是 该管是（ ）型。 稳压时工作在 ）状态。 ）状态，但其两端电压必须（ ）它的稳压 F 、截止 2V 、6V 、 2.7V ，则三个电极分别是（ ）， A 、（ B 、 C 、E ） B 、（ C 、B 、E ） C 、（E 、 、对功率放大器的要求主要是（ ）、（ ）、（ A 、U 0高 B 、P o 大 C 、功率大 D 、R 大 、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（ A 、饱和失真 B 、截止失真 C 、交越失真 D 、增大 E 、减小 B ) D 、(NPN ) C 、 ）。 E 、波形不失真 ），此时应该（ E 、（PNP ） ）偏置电阻。 5、 差分放大电路是为了（ ）而设置的。 A 、稳定Au B 、放大信号 C 、抑制零点漂移 6、 共集电极放大电路的负反馈组态是（ ）。 A 、压串负 B 、流串负 C 、压并负 7、 差分放大电路 RE 上的直流电流IEQ 近似等于单管集电极电流 ICQ （）倍 C 、 3 A 、 1 B 、 2 模拟电子技术基础试题汇总 1.选择题 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 ( A )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( D ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0，则在静态时该三极管 处于( B ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。 ( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工 作点过高，容易产生 ( B )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示，二极管导通电压U D＝0.7V，关于输出电压的说法正确的是( B )。 A：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为3.7V。 B：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为1V。 C：u I1=3V，u I2=3V时输出电压为5V。 D：只有当u I1=0.3V，u I2=0.3V时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可 能的原因是 。 A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高 C：基极电源+V BB电压变高D：基极回路电阻 R b变高。 8. 直流负反馈是指( C ) A. 存在于RC耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中，A为理想运放，则电路的输出电压约为( A ) A. －2.5V B. －5V C. －6.5V D. －7.5V 11. 在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输 入电压△υid为( B ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信 号源与低阻负载间接入 ( C )。 A. 共射电路 B. 共基电路 一、填空题：（要求） 1、电子电路中常用的半导体器件有二极管、稳压管、双极型三极管和场效应等。制造这些器材的主要材料是半导体，例如和等。 半导体中中存在两种载流子：和。纯净的半导体称为，它的导电能力很差。掺有少量其他元素的半导体称为杂质半导体。杂质半导体分为两种：型半导体——多数载流子是； 型半导体——多数载流子是。当把P型半导体和N型半导体结合在一起时，在两者的交界处形成一个结，这是制造半导体器件的基础。 2、三极管的共射输出特性可以划分为三个区：区、区和区。为了对输入信号进行线形放大，避免产生严重的非线形性失真，应使三极管工作在区内。当三极管的静态工作点过分靠近 区时容易产生截止失真，当三极管的静态工作点靠近区时容易产生饱和失真。 3、半导体二极管就是利用一个加上外壳，引出两个电极而制成的。它的主要特点是具有性，在电路中可以起整流和检波等作用。半导体二极管工作在区时，即使流过管子的电流变化很大，管子两端的电压变化也很小，利用这种特性可以做成。 4、场效应管利用栅源之间电压的效应来控制漏极电流，是一种控制器件。场效应管分为型和型两大类。 5、多极放大电路常用的耦合方式有三种：耦合、耦合和耦合。 6、在本征半导体中加入价元素可形成N型半导体，加入价元素可形成P型半导体。 7、集成运放中常用的偏置电路有电流源、电流源和电流源等。 8、不同类型的反馈对放大电路产生的影响不同。正反馈使放大倍数；负反馈使放大倍数；但其他各项性能可以获得改善。直流负反馈的作用是，交流负反馈能够。 9、电压负反馈使输出保持稳定，因而了放大电路的输出电阻；而电流负反馈使输出 保持稳定，因而了输出电阻。串联负反馈了放大电路的输入电阻；并联负反馈则了输入电阻。在实际的负反馈放大电路中，有以下四种基本的反馈组态：式、式、式和式。 10、将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起，可以组成带通滤波器；将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起，可以组成带阻滤波器。 11、滤波电路的主要任务是尽量滤掉输出电路中的成分，同时，尽量保留其中的成分。 模拟电子技术基础试卷及参考答案 试卷一专升本试卷及其参考答案 试卷一（总分150分） （成人高等学校专升本招生全国统一考试电子技术基础试卷之一） 一、选择题（本大题10个小题，每小题4分，共40分。在每小题给出的四个选项中，只有一项是符合题目要求的，把所选项前的字母填在题后的括号内。） 1. 用万用表的R ×100档测得某二极管的正向电阻阻值为500Ω，若改用R ×1k 档，测量同一二极管，则其正向电阻值（ ） a. 增加 b. 不变 c. 减小 d. 不能确定 2. 某三极管各电极对地电位如图2所示，由此可判断该三极管（ ） a. 处于放大区域 b. 处于饱和区域 c. 处于截止区域 d. 已损坏 图2 3. 某放大电路在负载开路时的输出电压为6V ，当接入2k Ω负载后，其输出电压降为4V ，这表明该放大电路的输出电阻为（ ） a. 10k Ω b. 2k Ω c. 1k Ω d. 0.5k Ω 4. 某放大电路图4所示.设V CC >>V BE,L CEO ≈0，则在静态时该三极管处于（ ） a.放大区 b.饱和区 c.截止区 d.区域不定 图4 5. 图5所示电路工作在线性放大状态，设L R '=R D //R L ,则电路的电压增益为（ ） a.L m R g ' b.s m L m 1R g R g +'- C.L m R g '- d.m L /g R '- 图5 6. 图5中电路的输入电阻R i 为（ ） a. R g +(R g1//R g2) b. R g //(R g1+R g2) c. R g //R g1//R g2 d. [R g +(R g1//R g2)]//(1+g m )R S 7. 直流负反馈是指（ ） a. 存在于RC 耦合电路中的负反馈 b. 放大直流信号时才有的负反馈 c. 直流通路中的负反馈 d. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 8. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是（ ） a. 输入信号所包含的干扰和噪声 b. 反馈环内的干扰和噪声 c. 反馈环外的干扰和噪声 d. 输出信号中的干扰和噪声 9. 在图9所示电路中，A 为理想运放，则电路的输出电压约为（ ） a. －2.5V b. －5V c. －6.5V d. －7.5V 图9 10. 在图10所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输入电压△υid 为（ ） a. 10mV b. 20mV c. 70mV d. 140mV 图10 半导体器件的基础知识 1.1 电路如图P1.1所示，已知u i＝5sinωt (V)，二极管导通电压U D＝0.7V。试画出u i 与u O的波形，并标出幅值。 图P1.1 解图P1.1 解：波形如解图P1.1所示。 1.2 电路如图P1.2（a）所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b）所示，二极管导通电压U D＝0.7V。试画出输出电压u O的波形，并标出幅值。 图P1.2 解：u O的波形如解图P1.2所示。 解图P1.2 1.3 已知稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Zmin ＝5mA ，最大功耗P ZM ＝150mW 。试求图P1.3所示电路中电阻R 的取值范围。 图P1.3 解：稳压管的最大稳定电流 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA 电阻R 的电流为I ZM ～I Zmin ，所以其取值范围为 Ω =-=k 8.136.0Z Z I ～I U U R 1.4 已知图P1.4所示电路中稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，最小稳定电流I Zmin ＝5mA ，最大稳定电流I Zmax ＝25mA 。 （1） 别计算U I 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值； （2） 若U I ＝35V 时负载开路，则会出现什么现象?为什么？ 图P1.4 解：（1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+=U R R R U 当U I ＝15V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 L O I L 5V R U U R R =?≈+ 当U I ＝35V 时，稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ，所以U O ＝U Z ＝6V 。 （2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。 1.5 电路如图P1.5（a ）、（b ）所示，稳压管的稳定电压U Z ＝3V ，R 的取值合适，u I 的波 图2 《模拟电子技术》试题 开卷（ ） 闭卷（√） 考试时长：100分钟 一、单项选择题（10*2=20分） 每小题备选答案中，只有一个符合题意的正确答案。请将选定的答案，按答题卡的要求进 行填涂。多选、错选、不选均不得分。 1、半导体二极管加正向电压时，有（ ） A 、电流大电阻小 B 、电流大电阻大 C 、电流小电阻小 D 、电流小电阻大 2、半导体稳压二极管正常稳压时，应当工作于（ ） A 、反向偏置击穿状态 B 、反向偏置未击穿状态 C 、正向偏置导通状态 D 、正向偏置未导通状态 3、三极管工作于放大状态的条件是（ ） A 、发射结正偏，集电结反偏 B 、发射结正偏，集电结正偏 C 、发射结反偏，集电结正偏 D 、发射结反偏，集电结反偏 4、三极管电流源电路的特点是（ ） A 、输出电流恒定，直流等效电阻大，交流等效电阻小 B 、输出电流恒定，直流等效电阻小，交流等效电阻大 C 、输出电流恒定，直流等效电阻小，交流等效电阻小 D 、输出电流恒定，直流等效电阻大，交流等效电阻大 5、画三极管放大电路的小信号等效电路时，直流电压源VCC 应当（ ） A 、短路 B 、开路 C 、保留不变 D 、电流源 6、为了使高内阻信号源与低阻负载能很好的配合，可以在信号源与低阻负载间接入（ ） A 、共射电路 B 、共基电路 C 、共集电路 D 、共集-共基串联电路 7、测量放大电路中某三极管各电极电位分别为6V 、2.7V 、2V ，（见图2所示）则此三极 管为（ ） A 、PNP 型锗三极管 B 、NPN 型锗三极管 C 、PNP 型硅三极管 D 、NPN 型硅三极管 8、当放大电路的电压增益为-20dB 时，说明它的电压放大倍数为（ ） A 、20倍 B 、-20倍 C 、-10倍 D 、0.1倍 9、电流源的特点是直流等效电阻( ) A 、大 B 、小 C 、恒定 D 、不定 10、在单相桥式整流电容滤波电路中，设U2为其输入电压，输出电压的平均值约为（ ） A 、U0=0.45U2 B 、U0=1.2U2 C 、U0=0.9U2 D 、U0=1.4U2 二、填空题（25*1=25分） 1．在常温下，硅二极管的门槛电压约为 V ，导通后在较大电流下的正向压降约为 V ；锗二极管的门槛电压约为 _ _V ，导通后在较大电流下的正向压降约为_ _V 。 2、二极管的正向电阻 ；反向电阻 。 《模拟电子技术基础》教案 1、本课程教学目的： 本课程是电气信息类专业的主要技术基础课。其目的与任务是使学生掌握常用半导体器件和典型集成运放的特性与参数，掌握基本放大、负反馈放大、集成运放应用等低频电子线路的组成、工作原理、性能特点、基本分析方法和工程计算方法；使学生具有一定的实践技能和应用能力；培养学生分析问题和解决问题的能力，为后续课程和深入学习这方面的内容打好基础。 2、本课程教学要求： 1．掌握半导体器件的工作原理、外部特性、主要参数、等效电路、分析方法及应用原理。 2．掌握共射、共集、共基、差分、电流源、互补输出级六种基本电路的组成、工作原理、特点及分析，熟悉改进放大电路，理解多级放大电路的耦合方式及分析方法，理解场效应管放大电路的工作原理及分析方法，理解放大电路的频率特性概念及分析。 3．掌握反馈的基本概念和反馈类型的判断方法，理解负反馈对放大电路性能的影响，熟练掌握深度负反馈条件下闭环增益的近似估算，了解负反馈放大电路产生自激振荡的条件及其消除原则。 4．了解集成运算放大器的组成和典型电路，理解理想运放的概念，熟练掌握集成运放的线性和非线性应用原理及典型电路；掌握一般直流电源的组成，理解整流、滤波、稳压的工作原理，了解电路主要指标的估算。 3、使用的教材： 杨栓科编，《模拟电子技术基础》，高教出版社 主要参考书目： 康华光编，《电子技术基础》（模拟部分）第四版，高教出版社 童诗白编，《模拟电子技术基础》，高等教育出版社， 张凤言编，《电子电路基础》第二版，高教出版社， 谢嘉奎编，《电子线路》（线性部分）第四版，高教出版社， 陈大钦编，《模拟电子技术基础问答、例题、试题》，华中理工大学出版社，唐竞新编，《模拟电子技术基础解题指南》，清华大学出版社， 孙肖子编，《电子线路辅导》，西安电子科技大学出版社， 谢自美编，《电子线路设计、实验、测试》（二），华中理工大学出版社， 绪论 本章的教学目标和要求： 要求学生了解放大电路的基本知识；要求了解放大电路的分类及主要性能指标。 本章总体教学内容和学时安排：（采用多媒体教学） §1－1 电子系统与信号0.5 §1－2 放大电路的基本知识0.5 本章重点： 放大电路的基本认识；放大电路的分类及主要性能指标。 本章教学方式：课堂讲授 本章课时安排： 1 本章的具体内容： 1节 介绍本课程目的，教学参考书，本课程的特点以及在学习中应该注意的事项和学习方法； 介绍放大电路的基本认识；放大电路的分类及主要性能指标。 重点: 放大电路的分类及主要性能指标。模拟电子技术习题
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