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2300(MOS管封装资料).

深圳市金道微电子有限公司

SHENZHEN KINGDAU ELECTRONICS CO., LTD.

2300（文件编号:S&CIC0919） 20V N-Channel Power MOSFET Wafer Specification

V DS = -20V , I D =6A

R DS(ON)<35m ? (max.), @V GS = 4.5V R DS(ON)<40m ? (max.), @V GS = 2.5V

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Application

? Power Management in Desktop PC ? Powered System ? DC/DC Converter ?

Load Switch

SOT- 23

Absolute Maximum Ratings (T A =25°C unless otherwise noted)

Parameter

Symbol Value

Unit

Drain-Source V oltage V DS 20 V

Gate-Source V oltage

V GS

±10 V

Drain Current-Continuous @ T C =25°C I D

6 A

Drain Current-Pulsed @ T C =25°C I DM

20 A Storage Temperature Range

T stg -55 to +150 ℃ Operating Junction Temperature Range T J -55 to +150

℃ Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

R θJA

100

℃/W

Electrical Characteristics (T A =25°C unless otherwise noted)

Parameter

Symbol Conditions

Min.

Typ.

Max.

Unit

Drain-Source Breakdown Voltage BV DSS V GS =0V, I D =250μA 20 - - V T J =25°C - - 1

Zero Gate Voltage Drain Current I DSS V DS =16V, V GS =0V

T J =85°C - - 30

μA Gate - Body Leakage Current I GSS V GS =±8V, V DS =0V - - ±100nA Gate Threshold Voltage

V GS(th)V DS =V GS , I D =250μA 0.45 0.65 1 V V GS =4.5V, I D = 1.0A - 25 35

Drain-Source On-State Resistance R DS(ON)V GS =2.5V, I D = 1.0A - 27 40

m ?

Diode Forward Voltage

V SD

V GS =0V, I S = 1.0A -

0.7 1.3 V Notes:

A : Current maybe limit by bonding wire.

B : The R θJA is the sum of the thermal resistance from junction to ambient and depend on package type.

MOS管封装分析报告

MOS管封装分析报告（含主流厂商封装）在完成MOS管芯片在制作之后，需要给MOS管芯片加上一个外壳，这就是MOS管封装。该封装外壳主要起着支撑、保护和冷却的作用，同时还可为芯片提供电气连接和隔离，从而将MOS管器件与其它元件构成完整的电路。而不同的封装、不同的设计，MOS管的规格尺寸、各类电性参数等都会不一样，而它们在电路中所能起到的作用也会不一样；另外，封装还是电路设计中MOS管选择的重要参考。封装的重要性不言而喻。 MOS管封装分类按照安装在PCB板上的方式来划分，MOS管封装主要有两大类：插入式(Through Hole)和表面贴装式(Surface Mount)。插入式就是MOSFET的管脚穿过PCB板的安装孔并焊接在PCB板上。常见的插入式封装有：双列直插式封装(DIP)、晶体管外形封装(TO)、插针网格阵列封装(PGA)三种样式。插入式封装

表面贴裝则是MOSFET的管脚及散热法兰焊接在PCB板表面的焊盘上。典型表面贴装式封装有：晶体管外形(D-PAK)、小外形晶体管(SOT)、小外形封装(SOP)、方形扁平式封装(QFP)、塑封有引线芯片载体(PLCC)等。表面贴装式封装随着技术的发展，目前主板、显卡等的PCB板采用直插式封装方式的越来越少，更多地选用了表面贴装式封装方式。 1、双列直插式封装(DIP) DIP封装有两排引脚，需要插入到具有DIP结构的芯片插座上，其派生方式为SDIP(Shrink DIP)，即紧缩双入线封装，较DIP的针脚密度高6倍。DIP封装结构形式有：多层陶瓷双列直插式DIP、单层陶瓷双列直插式DIP、引线框架式DIP(含玻璃陶瓷封接式、塑料包封结构式、陶瓷低熔玻璃封装式)等。DIP封装的特点是可以很方便地实现PCB板的穿孔焊接，和主板有很好的兼容性。但由于其封装面积和厚度都比较大，而且引脚在插拔过程中很容易被损坏，可靠性较差;同时由于受工艺的影响，引脚一般都不超过100个，因此在电子产业高度集成化过程中，DIP封装逐渐退出了历史舞台。 2、晶体管外形封装(TO)

常用全系列场效应管 MOS管型号参数封装资料.

场效应管分类型号简介封装常用三极管型号及参数(1 DISCRETE晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频MOS FET 2N7000 60V,0.115A TO-92IRFU02050V15A42W**NMOS场效应 DISCRETE IRFPG421000V4A150W**NMOS场效应 MOS FET 2N7002 60V,0.2A SOT-23IRFPF40900V4.7A150W**NMOS场效应 DISCRETE IRFP9240200V12A150W**PMOS场效应 MOS FET IRF510A 100V,5.6A TO-220IRFP9140100V19A150W**PMOS场效应 DISCRETE IRFP460500V20A250W**NMOS场效应 MOS FET IRF520A 100V,9.2A TO-220IRFP450500V14A180W**NMOS场效应 DISCRETE IRFP440500V8A150W**NMOS场效应 MOS FET IRF530A 100V,14A TO-220IRFP353350V14A180W**NMOS场效应 DISCRETE IRFP350400V16A180W**NMOS场效应 MOS FET IRF540A 100V,28A TO-220IRFP340400V10A150W**NMOS场效应 DISCRETE IRFP250200V33A180W**NMOS场效应 MOS FET IRF610A 200V,3.3A TO-220IRFP240200V19A150W**NMOS场效应 DISCRETE IRFP150100V40A180W**NMOS场效应 MOS FET IRF620A 200V,5A TO-220晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm 放大系数特征频DISCRETE IRFP140100V30A150W**NMOS场效应 MOS FET IRF630A 200V,9A TO-220IRFP05460V65A180W**NMOS场效应

全系列MOS管型号参数封装资料

常用全系列场效应管MOS管型号参数封装资料场效应管分类型号简介封装 DISCRETE MOS FET2N700060V,0.115A TO-92 DISCRETE MOS FET2N700260V,0.2A SOT-23 DISCRETE MOS FET IRF510A100V,5.6A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF520A100V,9.2A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF530A100V,14A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF540A100V,28A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF610A200V,3.3A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF620A200V,5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF630A200V,9A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF634A250V,8.1A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF640A200V,18A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF644A250V,14A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF650A200V,28A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF654A250V,21A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF720A400V,3.3A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF730A400V,5.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF740A400V,10A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF750A400V,15A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF820A500V,2.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF830A500V,4.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF840A500V,8A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF9520TO-220 DISCRETE MOS FET IRF9540TO-220 DISCRETE

常用元件封装

1. 电阻原理图中常用的名称为RES1-RES4；电阻类及无极性双端元件封装形式：AXIAL0.3-AXIAL1.0，数字代表两焊盘的间距，单位为Kmil.。电阻排：RESPACK1/RESPACK2 RESPACK3/RESPACK4 。贴片电阻： 0603表示的是封装尺寸与具体阻值没有关系，但封装尺寸与功率有关通常来说 0201 1/20W 0402 1/16W 0603 1/10W 0805 1/8W 1206 1/4W 2.电容原理图中常用的名称为CAP（无极性电容）、ELECTRO（有极性电容）；引脚封装形式：无极性电容为RAD0.1--RAD0.4，有极性电容为RB.2/.4或RB.3/.6或RB.4/.8或RB.5/1.0斜杠前数字表示焊盘间距，斜杠后数字表电容外直径。电解电容为 3.电位器原理图中常用的名称为POT1和POT2；引脚封装形式：VR-1到VR-5. 4.二极管原理图中常用的名称为DIODE（普通二极管）、DIODE SCHOTTKY（肖特基二极管）DUIDE TUNNEL（隧道二极管）DIODE VARCTOR（变容二极管）ZENER1~3（稳压二极管）发光二极管：LED；封装可以才用电容的封装。（RAD0.1-0.4）引脚封装形式：DIODE0.4和DIODE 0.7; 发光二极管封装（RAD0.1-0.4）。 5.继电器引脚封装形式：RELAY-DPDT/ RELAY-DPST RELAY-SPDT/ RELAY-SPST 6.三极管原理图中常用的名称为NPN，NPN1和PNP，PNP1；

引脚封装形式TO18、TO92A（普通三极管）TO220H（大功率三极管）TO3（大功率达林顿管） 7.场效应管原理图中常用的名称为JFET N（N沟道结型场效应管），JFET P（P 沟道结型场效应管） MOSFET N（N沟道增强型管）MOSFET P（P沟道增强型管）引脚封装形式与三极管同。 8.整流桥原理图中常用的名称为BRIDGE1和BRIDGE2，引脚封装形式为D系列，如D-44，D-37，D-46等。 9.单排多针插座原理图中常用的名称为CON系列，从CON1到CON60，引脚封装形式为SIP系列，从SIP-2到SIP-20。 10.双列直插元件原理图中常用的名称为根据功能的不同而不同，引脚封装形式DIP 系列。 11.串并口类原理图中常用的名称为DB系列，引脚封装形式为DB和MD系列。 12.晶体振荡器：CRYSTAL；封装：XTAL1 13.发光数码管：DPY；至于封装嘛，建议自己做！ 14.拨动开关：SW DIP；封装就需要自己量一下管脚距离来做！ 15.按键开关：SW-PB：封装同上，也需要自己做。 16.变压器：TRANS1——TRANS5；封装不用说了吧？自己量，然后加两个螺丝上去。 Protel 零件库中常用的零器件及封装类别名称零件名称零件英文名称常用编号封装封装说明电阻RES1/RES2 R? AXIAL0.3-AXIAL1.0 数字表示焊盘间距电阻排RESPACK1/RESPACK2 RESPACK3/RESPACK4 可变电阻RES3/RES4 电位器POT1或POT2 VR1- VR 5 数字表示管脚形状

二极管封装大全

二极管封装大全篇一：贴片二极管型号、参数贴片二极管型号.参数查询 1、肖特基二极管SMA（DO214AC） 2010-2-2 16:39:35 标准封装： SMA 2010 SMB 2114 SMC 3220 SOD123 1206 SOD323 0805 SOD523 0603 IN4001的封装是1812 IN4148的封装是1206 篇二：常见贴片二极管三极管的封装常见贴片二极管/三极管的封装常见贴片二极管/三极管的封装二极管：名称尺寸及焊盘间距其他尺寸相近的封装名称 SMC SMB SMA SOD-106 SC-77A SC-76/SC-90A SC-79 三极管： LDPAK

DPAK SC-63 SOT-223 SC-73 TO-243/SC-62/UPAK/MPT3 SC-59A/SOT-346/MPAK/SMT3 SOT-323 SC-70/CMPAK/UMT3 SOT-523 SC-75A/EMT3 SOT-623 SC-89/MFPAK SOT-723 SOT-923 VMT3 篇三：常用二极管的识别及ic封装技术常用晶体二极管的识别晶体二极管在电路中常用“D”加数字表示，如： D5表示编号为5的二极管。 1、作用：二极管的主要特性是单向导电性，也就是在正向电压的作用下，导通电阻很小;而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。正因为二极管具有上述特性，无绳电话机中常把它用在整流、隔离、稳压、极性保护、编码控制、调频调制和静噪等电路中。电话机里使用的晶体二极管按作用可分为：整流二极管(如1N4004)、隔离二极管(如1N4148)、肖特基二极管(如BAT85)、发光二极管、稳压二极管等。 2、识别方法：二极管的识别很简单，小功率二极管的N极(负极)，在二极管外表大多采用一种色圈标出来，有些二极管也用二极管专用符号来表示P极(正极)或N极(负极)，也有采用符号标志为“P”、“N”来确定二极管极性的。发光二极管的正负极可从引脚长短来识别，长

常用贴片元件封装尺寸

常用贴片元件封装 1 电阻：最为常见的有0201、0402、0805、0603、1206、1210、1812、2010、2512几类 1）贴片电阻的封装与尺寸如下表：英制(mil) 公制(mm) 长(L)(mm) 宽(W)(mm) 高(t)(mm) 0201 0603 0.60±0.05 0.30±0.05 0.23±0.05 0402 1005 1.00±0.10 0.50±0.10 0.30±0.10 0603 1608 1.60±0.15 0.80±0.15 0.40±0.10 0805 2012 2.00±0.20 1.25±0.15 0.50±0.10 1206 3216 3.20±0.20 1.60±0.15 0.55±0.10 1210 3225 3.20±0.20 2.50±0.20 0.55±0.10 1812 4832 4.50±0.20 3.20±0.20 0.55±0.10 2010 5025 5.00±0.20 2.50±0.20 0.55±0.10 2512 6432 6.40±0.20 3.20±0.20 0.55±0.10 2）贴片电阻的封装、功率与电压关系如下表：英制(mil)公制(mm)额定功率@ 70°C 最大工作电压(V) 0201 0603 1/20W 25 0402 1005 1/16W 50 0603 1608 1/10W 50 0805 2012 1/8W 150 1206 3216 1/4W 200

1210 3225 1/3W 200 1812 4832 1/2W 200 2010 5025 3/4W 200 2512 6432 1W 200 3）贴片电阻的精度与阻值贴片电阻阻值误差精度有±1％、±2％、±5％、±10％精度， J －表示精度为5％、 F－表示精度为1％。 T －表示编带包装阻值范围从0R-100M 2电容： 1）贴片电容可分为无极性和有极性两种，容值范围从0.22pF-100uF 无极性电容下述两类封装最为常见，即0805、0603；英制尺寸公制尺寸长度宽度厚度 0402 1005 1.00±0.05 0.50±0.05 0.50±0.05 0603 1608 1.60±0.10 0.80±0.10 0.80±0.10 0805 2012 2.00±0.20 1.25±0.20 0.70±0.20 1206 3216 3.20±0.30 1.60±0.20 0.70±0.20 1210 3225 3.20±0.30 2.50±0.30 1.25±0.30 1808 4520 4.50±0.40 2.00±0.20 ≤2.00 1812 4532 4.50±0.40 3.20±0.30 ≤2.50 2225 5763 5.70±0.50 6.30±0.50 ≤2.50 3035 7690 7.60±0.50 9.00±0.05 ≤3.00

常用全系列场效应管MOS管型号参数封装资料

场效应管分类DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET 型号简介封装2N7000 2N7002 IRF510A IRF520A IRF530A IRF540A IRF610A IRF620A IRF630A IRF634A IRF640A IRF644A IRF650A IRF654A IRF720A 60V,0.115A 60V,0.2A 100V,5.6A 100V,9.2A 100V,14A 100V,28A 200V,3.3A 200V,5A 200V,9A 250V,8.1A 200V,18A 250V,14A 200V,28A 250V,21A 400V,3.3A TO-92 SOT-23 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220

DISCRETE MOS FET IRF730A 400V,5.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF740A 400V,10A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF750A 400V,15A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF820A 500V,2.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF830A 500V,4.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF840A 500V,8A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF9520 DISCRETE MOS FET IRF9540 DISCRETE MOS FET IRF9610 DISCRETE MOS FET IRF9620 DISCRETE MOS FET IRFP150A 100V,43A TO-3P DISCRETE MOS FET IRFP250A 200V,32A TO-3P DISCRETE MOS FET IRFP450A 500V,14A TO-3P DISCRETE MOS FET IRFR024A 60V,15A D-PAK DISCRETE MOS FET IRFR120A 100V,8.4A D-PAK TO-220 TO-220 TO-220 TO-220

【经典】AD 9.0 PCB封装大全

PCB封装大全电位器：pot1,pot2；封装属性为vr-1到vr-5 二极管：封装属性为diode-0.4(小功率）diode-0.7(大功率）三极管：常见的封装属性为to-18（普通三极管）to-22(大功率三极管）to-3(大功率达林顿管）电源稳压块有78和79系列 78系列如7805，7812，7820等 79系列有7905，7912，7920等常见的封装属性有to126h和to126v 整流桥：BRIDGE1,BRIDGE2: 封装属性为D系列（D-44，D-37，D-46）电阻：AXIAL0.3-AXIAL0.7 其中0.4-0.7指电阻的长度，一般用AXIAL0.4 瓷片电容：RAD0.1-RAD0.3。其中0.1-0.3指电容大小，一般用RAD0.1 电解电容：RB.1/.2-RB.4/.8 其中.1/.2-.4/.8指电容大小。一般<100uF用RB.1/.2,100uF-470uF用RB.2/.4,>470uF用RB.3/.6 二极管：DIODE0.4-DIODE0.7 其中0.4-0.7指二极管长短，一般用DIODE0.4 发光二极管：RB.1/.2 集成块：DIP8-DIP40, 其中８－４０指有多少脚，８脚的就是DIP8 贴片电阻 0603表示的是封装尺寸与具体阻值没有关系但封装尺寸与功率有关通常来说 0201 1/20W 0402 1/16W 0603 1/10W 0805 1/8W 1206 1/4W

电容电阻外形尺寸与封装的对应关系是: 0402=1.0x0.5 0603=1.6x0.8 0805=2.0x1.2 1206=3.2x1.6 1210=3.2x2.5 1812=4.5x3.2 2225=5.6x6.5 关于零件封装我们在前面说过，除了DEVICE。LIB库中的元件外，其它库的元件都已经有了固定的元件封装，这是因为这个库中的元件都有多种形式：以晶体管为例说明一下：晶体管是我们常用的元件之一，在DEVICE。LIB库中，简简单单的只有NPN 与PNP之分，但实际上，如果它是NPN的2N3055那它有可能是铁壳子的TO—3，如果它是NPN的2N3054，则有可能是铁壳的TO-66或TO-5，而学用的CS9013，有TO-92A，TO-92B，还有TO-5，TO-46，TO-52等等，千变万化。还有一个就是电阻，在DEVICE库中，它也是简单地把它们称为RES1和RES2，不管它是100Ω还是470KΩ都一样，对电路板而言，它与欧姆数根本不相关，完全是按该电阻的功率数来决定的我们选用的1/4W和甚至1/2W的电阻，都可以用AXIAL0.3元件封装，而功率数大一点的话，可用AXIAL0.4,AXIAL0.5等等。现将常用的元件封装整理如下：电阻类及无极性双端元件 AXIAL0.3-AXIAL1.0 无极性电容 RAD0.1-RAD0.4 有极性电容 RB.2/.4-RB.5/1.0 二极管 DIODE0.4及 DIODE0.7 石英晶体振荡器 XTAL1 晶体管、FET、UJT TO-xxx(TO-3,TO-5) 可变电阻（POT1、POT2） VR1-VR5

常用元器件封装(重要)

常用元器件封装— 电阻：RES1，RES2，RES3，RES4；封装属性为axial系列无极性电容：cap;封装属性为RAD-0.1到rad-0.4 电解电容：electroi;封装属性为rb.2/.4到rb.5/1.0 电位器：pot1,pot2；封装属性为vr-1到vr-5 二极管：封装属性为diode-0.4(小功率)diode-0.7(大功率) 三极管：常见的封装属性为to-18（普通三极管）to-22(大功率三极管)to-3(大功率达林顿管) 电源稳压块有78和79系列；78系列如7805，7812，7820等 79系列有7905，7912，7920等常见的封装属性有to126h和to126v 整流桥：BRIDGE1,BRIDGE2: 封装属性为D系列（D-44，D-37，D-46）电阻：AXIAL0.3-AXIAL0.7其中0.4-0.7指电阻的长度，一般用AXIAL0.4 瓷片电容：RAD0.1-RAD0.3。其中0.1-0.3指电容大小，一般用RAD0.1 电解电容：RB.1/.2-RB.4/.8 其中.1/.2-.4/.8指电容大小。一般<100uF用 RB.1/.2,100uF-470uF用RB.2/.4,>470uF用RB.3/.6 二极管：DIODE0.4-DIODE0.7 其中0.4-0.7指二极管长短，一般用DIODE0.4 发光二极管：RB.1/.2 集成块：DIP8-DIP40, 其中８－４０指有多少脚，８脚的就是DIP8 贴片电阻0603表示的是封装尺寸与具体阻值没有关系，但封装尺寸与功率有关通常来说如下： 0201 1/20W 0402 1/16W 0603 1/10W 0805 1/8W 1206 1/4W 电容电阻外形尺寸与封装的对应关系是： 0402=1.0mmx0.5mm 0603=1.6mmx0.8mm 0805=2.0mmx1.2mm 1206=3.2mmx1.6mm 1210=3.2mmx2.5mm 1812=4.5mmx3.2mm 2225=5.6mmx6.5mm 零件封装是指实际零件焊接到电路板时所指示的外观和焊点的位置。是纯粹的文章概念因此不同的元件可共用同一零件封装，同种元件也可有不同的零件封装。像电阻，有传统的针插式，这种元件体积较大，电路板必须钻孔才能安置元件，完成钻孔后，插入元件，再过锡炉或喷锡（也可手焊），成本较高，较新的设计都是采用体积小的表面贴片式元件（SMD）这种元件不必钻孔，用钢膜将半熔状锡膏倒入电路板，再

发光二极管封装结构与技术

发光二极管封装结构及技术（ 1 ） 1、LED 封装的特殊性 LED 封装技术大都是在分立器件封装技术基础上发展与演变而来的，但却有很大的特殊性。一般情况下，分立器件的管芯被密封在封装体内，封装的作用主要是保护管芯和完成电气互连。而LED 封装则是完成输出电信号，保护管芯正常工作，输出：可见光的功能，既有电参数，又有光参数的设计及技术要求，无法简单地将分立器件的封装用于LED 。 LED 的核心发光部分是由p 型和n 型半导体构成的pn 结管芯，当注入pn 结的少数载流子与多数载流子复合时，就会发出可见光，紫外光或近红外光。但pn 结区发出的光子是非定向的，即向各个方向发射有相同的几率，因此，并不是管芯产生的所有光都可以释放出来，这主要取决于半导体材料质量、管芯结构及几何形状、封装内部结构与包封材料，应用要求提高LED的内、外部量子效率。常规①5mm型LED封装是将边长0.25mm 的正方形管芯粘结或烧结在引线架上，管芯的正极通过球形接触点与金丝，键合为内引线与一条管脚相连，负极通过反射杯和引线架的另一管脚相连，然后其顶部用环氧树脂包封。反射杯的作用是收集管芯侧面、界面发出的光，向期望的方向角内发射。顶部包封的环氧树脂做成一定形状，有这样几种作用：保护管芯等不受外界侵蚀；采用不同的形状和材料性质（掺或不掺散色剂），起透镜或漫射透镜功能，控制光的发散角；管芯折射率与空气折射率相关太大，致使管芯内部的全反射临界角很小，其有源层产生的光只有小部分被取出，大部分易在管芯内部经多次反射而被吸收，易发生全反射导致过多光损失，选用相应折射率的环氧树脂作过渡，提高管芯的光出射效率。用作构成管壳的环氧树脂须具有耐湿性，绝缘性，机械强度，对管芯发出光的折射率和透射率高。选择不同折射率的封装材料，封装几何形状对光子逸出效率的影响是不同的，发光强度的角分布也与管芯结构、光输出方式、封装透镜所用材质和形状有关。若采用尖形

MOS管封装

MOS管外部封装-标准封装形式概览下面我们对标准的封装形式进行如下简要的介绍。按照“封装形式+要点介绍+相关图片”的方式进行如下说明。 TO（Transistor Out-line）封装 1、TO（Transistor Out-line）的中文即“晶体管外形”，是早期的封装规格，例如TO-92，TO-92L，TO-220，TO-252等等都是插入式封装设计。 2、近年来表面贴装市场需求量的增大也使得TO封装进展到表面贴装式封装。TO252和TO263就是表面贴装封装。其中TO-252又称之为D-PAK，TO-263又称之为D2PAK。 TO封装的进展 D-PAK(TO-252)封装 SOT（Small Out-Line Transistor）封装

SOT（Small Out-Line Transistor）小外形晶体管封装。这种封装就是贴片型小功率晶体管封装，比TO封装体积小，一般用于小功率MOSFET。 SOT封装常用的四端引脚SOT-89 MOSFET SOP（Small Out-Line Package）封装 1、SOP（Small Out-Line Package）的中文意思是“小外形封装”。SOP是表面贴装型封装之一，引脚从封装两侧引出呈海鸥翼状(L 字形)。材料有塑料和陶瓷两种。SOP也叫SOL 和DFP。 2、SOP封装标准有SOP-8、SOP-16、SOP-20、SOP-28等等，SOP后面的数字表示引脚数。MOSFET的SOP封装多数采用SOP-8规格，业界往往把“P”省略，叫SO（Small Out-Line ）。 3、SO-8采用塑料封装，没有散热底板，散热不良，一般用于小功率MOSFET。 4、SO-8是PHILIP公司首先开发的，以后逐渐派生出TSOP（薄小外形封装）、VSOP（甚小外形封装）、 SSOP（缩小型SOP）、TSSOP（薄的缩小型SOP）等标准规格。

元器件封装对照表元器件封装大全

元器件封装对照表元器件封装大全 Protel 99se 元件封装电阻 AXIAL 无极性电容 RAD 电解电容 RB- 电位器 VR 二极管 DIODE 三极管 TO 电源稳压块78和79系列 TO－126H和TO-126V 场效应管和三极管一样整流桥 D－44 D－37 D－46 单排多针插座 CON SIP (搜索con可找到任何插座) 双列直插元件 DIP 晶振 XTAL1 电容电阻外形尺寸与封装的对应关系是: 0402=1.0x0.5 0603=1.6x0.8 0805=2.0x1.2 1206=3.2x1.6 1210=3.2x2.5 1812=4.5x3.2 2225=5.6x6.5 零件封装是指实际零件焊接到电路板时所指示的外观和焊点的位置。是纯粹的空间概念因此不同的元件可共用同一零件封装，同种元件也可有不同的零件封装。像电阻，有传统的针插式，这种元件体积较大，电路板必须钻孔才能安置元件，完成钻孔后，插入元件，再过锡炉或喷锡（也可手焊），成本较高，较新的设计都是采用体积小的表面贴片式元件（SMD）这种元件不必钻孔，用钢膜将半熔状锡膏倒入电路板，再把SMD元件放上，即可焊接在电路板上了。关于零件封装我们在前面说过，除了DEVICE。LIB库中的元件外，其它库的元件都已经有了固定的元件封装，这是因为这个库中的元件都有多种形式：以晶体管为例说明一下：晶体管是我们常用的的元件之一，在DEVICE。LIB库中，简简单单的只有NPN与PNP之分，但实际上，如果它是NPN的2N3055那它有可能是铁壳子的TO—3，如果它是NPN的2N3054，则有可能是铁壳的TO-66或TO-5，而学用的CS9013，有TO-92A，TO-92B，还有TO-5，TO-46，TO-5 2等等，千变万化。

_《元器件》MOS管封装说明

板卡稳压器显卡帝详解MOSFET封装技术 MOS管简介 MOS管的英文全称叫MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)，即金属氧化物半导体型场效应管，属于场效应晶体管中的绝缘栅型。因此，MOS管有时被称为场效应管。在一般电子电路中，MOS管通常被用于放大电路或开关电路。而在板卡上的电源稳压电路中，MOSFET扮演的角色主要是判断电位。 MOS管的作用是什么 MOS管对于整个供电系统而言起着稳压的作用。目前板卡上所采用的MOS管并不是太多，一般有10个左右，主要原因是大部分MOS管被整合到IC芯片中去了。由于MOS管主要作用是为配件提供稳定的电压，所以它一般使用在CPU、GPU 和插槽等附近。MOS管一般是以上下两个组成一组的形式出现板卡上。 MOS管封装形式 MOSFET芯片在制作完成之后，需要给MOSFET芯片加上一个外壳，即MOS管封装。MOSFET芯片的外壳具有支撑、保护、冷却的作用，同时还为芯片提供电气连接和隔离，以便MOSFET器件与其它元件构成完整的电路。按照安装在PCB 方式来区分，MOS管封装主要有两大类：插入式（Through Hole）和表面贴装式（Surface Mount）。插入式就是MOSFET的管脚穿过PCB的安装孔焊接在PCB 上。表面贴裝则是MOSFET的管脚及散热法兰焊接在PCB表面的焊盘上。常见的插入式封装MOSFET 典型的表面贴装式封装MOSFET

随着技术的革新与进步，主板和显卡的PCB板采用直插式封装的MOSFET越来越少了，而多改用表面贴装式封装的MOSFET。故而本文中重点讨论表面贴装式封装MOSFET，并从MOS管外部封装技术、MOS管内部封装改进技术、整合式DrMOS、MOSFET发展趋势和MOSFET实例讲解等进行详细介绍。 MOS管外部封装-标准封装形式概览 MOS管外部封装-标准封装形式概览下面我们对标准的封装形式进行如下简要的介绍。按照“封装形式+要点介绍+相关图片”的方式进行如下说明。 TO（Transistor Out-line）封装 1、TO（Transistor Out-line）的中文即“晶体管外形”，是早期的封装规格，例如TO-92，TO-92L，TO-220，TO-252等等都是插入式封装设计。 2、近年来表面贴装市场需求量的增大也使得TO封装进展到表面贴装式封装。TO252和TO263就是表面贴装封装。其中TO-252又称之为D-PAK，TO-263又称之为D2PAK。 TO封装的进展

电子制作中常用二极管的主要参数及封装丝印

二极管是电子电路中常用的元件之一，其在电子电路中可以作为整流、检波、钳位保护等用途。本文介绍一下电子爱好者搞电子制作时经常用到的一些二极管的主要电参数及封装丝印。 1、常用的整流二极管电子制作中常用二极管的主要参数及封装丝印 1N4001整流二极管 1N4001整流二极管是1N40xx系列中常用的管子，其耐压值为50V，整流电流为1A，在一些低压稳压电源中很常见。对于直插的1N4001二极管，带有白色色环的那一端为负极（其它型号的直插二极管亦然）。贴片封装的1N4001的丝印为M1，其参数与直插的1N4001的参数一样。电子制作中常用二极管的主要参数及封装丝印贴片1N4001二极管电子制作中常用二极管的主要参数及封装丝印 ▲ 1N4007整流二极管 1N4007二极管可以说是1N40xx系列中最常用的二极管，该管耐压值为1000V，整流电流为1A，其广泛用于电子镇流器、LED驱动器中作为低频高压整流。电子制作中常用二极管的主要参数及封装丝印 ▲ 贴片1N4007二极管电子制作中常用二极管的主要参数及封装丝印 ▲ 1N5408整流二极管

1N40xx系列二极管的整流电流为1A，若需要大电流整流，可以选用整流电流为3A的1N54xx 的整流二极管。其中1N5408是该系列中最常用的二极管。该管的耐压值可达1000V。电子制作中常用二极管的主要参数及封装丝印 ▲ 6A10整流二极管电子制作中常用二极管的主要参数及封装丝印 ▲ 10A10整流二极管若需要更大电流的整流二极管，可以选用6A10及10A10，它们的耐压值皆为1000V，整流电流分别为6A和10A。 2、常用的肖特基二极管肖特基二极管高频性能良好，正向压降小，多用于开关电源及逆变器中作高频整流。电子制作中常用二极管的主要参数及封装丝印 ▲ 1N5819肖特基二极管 1N5819肖特基二极管高频性能良好，正向压降低（在左右），在一些输出电流1A以下的锂电池充电器中很常见。1N5819的耐压值为40V，整流电流为1A。电子制作中常用二极管的主要参数及封装丝印贴片封装的1N5819肖特基二极管电子制作中常用二极管的主要参数及封装丝印 1N5822肖特基二极管电子制作中常用二极管的主要参数及封装丝印贴片封装的1N5822肖特基二极管

常用元器件封装尺寸大小

封装形式图片国际统一简称 LDCC LGA LQFP PDIP TO5 TO52 TO71 TO71 TO78 PGA Plastic PIN Grid Array 封装形式图片国际统一简称 TSOP Thin Small OUtline Package QFP Quad Flat Package PQFP 100L QFP Quad Flat Package SOT143 SOT220 Thin Shrink Qutline Package uBGA

PLCC LQFP LQFP 100L TO8 TO92 TO93 T099 EBGA 680L QFP Quad Flat Packa ge TQFP 100L Micro Ball Grid Array uBGA Micro Ball Grid Array PCDIP ZIP Zig-Zag Inline Pa cka SOT223 SOT223 SOT23 SOT23/SOT323 SOT25/SOT353

SBGA LBGA 160L PBGA 217L Plastic Ball Grid Array SBGA 192L TSBGA 680L CLCC SC-705L SDIP SIP Single Inline Package SOT26/SOT363 FBGA FDIP SOJ SOP EIAJ TYPE II 14L SSOP 16L SSOP SOJ 32L Flat Pack HSOP28

SO Small Outline Package CNR CPGA Ceramic Pin Outline Package DIP Dual Inline Package DIP-tab DUAL Inline Packag e with Metal Heatsink BQFP 132 C-Bend Lead ITO220 ITO3P TO220 TO247 TO264 TO3 JLCC LCC TO263/TO268 SO DIMM Small Outline Dual In-line Memory

常用全系列场效应管_MOS管型号参数封装资料

场效应管分类型号简介封装常用三极管型号及参数(1) DISCRETE晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系MOS FET 2N7000 60V,0.115A TO-92IRFU02050V15A42W**NMOS场效应DISCRETE IRFPG421000V4A150W**NMOS场效应 MOS FET 2N7002 60V,0.2A SOT-23IRFPF40900V4.7A150W**NMOS场效应DISCRETE IRFP9240200V12A150W**PMOS场效应 MOS FET IRF510A 100V,5.6A TO-220IRFP9140100V19A150W**PMOS场效应DISCRETE IRFP460500V20A250W**NMOS场效应 MOS FET IRF520A 100V,9.2A TO-220IRFP450500V14A180W**NMOS场效应DISCRETE IRFP440500V8A150W**NMOS场效应 MOS FET IRF530A 100V,14A TO-220IRFP353350V14A180W**NMOS场效应DISCRETE IRFP350400V16A180W**NMOS场效应 MOS FET IRF540A 100V,28A TO-220IRFP340400V10A150W**NMOS场效应DISCRETE IRFP250200V33A180W**NMOS场效应 MOS FET IRF610A 200V,3.3A TO-220IRFP240200V19A150W**NMOS场效应DISCRETE IRFP150100V40A180W**NMOS场效应 MOS FET IRF620A 200V,5A TO-220晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系DISCRETE IRFP140100V30A150W**NMOS场效应 MOS FET IRF630A 200V,9A TO-220IRFP05460V65A180W**NMOS场效应DISCRETE IRFI744400V4A32W**NMOS场效应 MOS FET IRF634A 250V,8.1A TO-220IRFI730400V4A32W**NMOS场效应DISCRETE IRFD9120100V1A1W**NMOS场效应 MOS FET IRF640A 200V,18A TO-220IRFD12380V1.1A1W**NMOS场效应DISCRETE IRFD120100V1.3A1W**NMOS场效应 MOS FET IRF644A 250V,14A TO-220IRFD11360V0.8A1W**NMOS场效应DISCRETE IRFBE30800V2.8A75W**NMOS场效应 MOS FET IRF650A 200V,28A TO-220IRFBC40600V6.2A125W**NMOS场效应DISCRETE IRFBC30600V3.6A74W**NMOS场效应 MOS FET IRF654A 250V,21A TO-220IRFBC20600V2.5A50W**NMOS场效应DISCRETE IRFS9630200V6.5A75W**PMOS场效应 MOS FET IRF720A 400V,3.3A TO-220IRF9630200V6.5A75W**PMOS场效应DISCRETE IRF9610200V1A20W**PMOS场效应 MOS FET IRF730A 400V,5.5A TO-220晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系DISCRETE IRF954160V19A125W**PMOS场效应 MOS FET IRF740A 400V,10A TO-220IRF953160V12A75W**PMOS场效应DISCRETE IRF9530100V12A75W**PMOS场效应 MOS FET IRF750A 400V,15A TO-220IRF840500V8A125W**NMOS场效应DISCRETE IRF830500V4.5A75W**NMOS场效应 MOS FET IRF820A 500V,2.5A TO-220IRF740400V10A125W**NMOS场效应DISCRETE IRF730400V5.5A75W**NMOS场效应 MOS FET IRF830A 500V,4.5A TO-220IRF720400V3.3A50W**NMOS场效应DISCRETE IRF640200V18A125W**NMOS场效应 MOS FET IRF840A 500V,8A TO-220IRF630200V9A75W**NMOS场效应DISCRETE IRF610200V3.3A43W**NMOS场效应 MOS FET IRF9520 TO-220IRF54180V28A150W**NMOS场效应DISCRETE IRF540100V28A150W**NMOS场效应 MOS FET IRF9540 TO-220IRF530100V14A79W**NMOS场效应

常用封装库元件(珍藏)

protel99se常用封装库元件&分立元件库（三份资料汇总）资料一： 1.电阻固定电阻：RES 半导体电阻：RESSEMT 电位计：POT 变电阻：RVAR可调电阻：res1 2.电容定值无极性电容；CAP 定值有极性电容;CAP 半导体电容：CAPSEMI 可调电容：CAPVAR 3.电感：INDUCTOR 4.二极管：DIODE.LIB 发光二极管：LED 5.三极管:NPN1 6.结型场效应管：JFET.lib 7.MOS场效应管 8.MES场效应管 9.继电器：PELAY. LIB 10.灯泡:LAMP 11.运放:OPAMP 12.数码管：DPY_7-SEG_DP (MISCELLANEOUS DEVICES.LIB) 13.开关;sw_pb 原理图常用库文件： Miscellaneous Devices.ddb Dallas Microprocessor.ddb Intel Databooks.ddb Protel DOS Schematic Libraries.ddb PCB元件常用库： Advpcb.ddb General IC.ddb Miscellaneous.ddb

资料二： ___________________________________________________________ ______________ Q:在protel99se中调出power objects的时候，调出的竟然是上下滚动条——不能用power objects A：VIEW（视图）----TOOLBARS（工具条）----Customize（定制）----右键单击POWER OBJECTS（电源工具栏）----Edit...（编辑）----找到Position栏----将其换成Fixed TOP！OK！！！！！！！！！！ Q: 第一次使用，在Documents建立了一个新的sheet后总是出现一个Lock对话框，里面是Lock Properties,然后有一把钥匙的形状，旁边写着Available Access Code,再旁边是三个选项分别是Add,Remove和Edit。无法打开任何DDB文件。 A: 这是因为在安装的时候选择了“先安装在输入序列号” 在界面左上角大箭头——Security——UN-LOCK“开门”: 选择add 添加Y7ZP-5QQG-ZWSF-K858 如果不行的话建议卸载后重新安装，在安装时选择先输入序列号的安装方法 S/N:Y7ZP-5QQG-ZWSF-K858 ___________________________________________________________ ______________ 我喜欢的快捷键： b 工具条选择 eea 取消所有选择状态 ctrl+del 删除 pw 画导线 pb 画总线 pu画总线分支线 pn 设置网络标号现在仅仅是会连线了而已哈哈哈哈，星际人都是快捷键狂~~~ ___________________________________________________________ ______________ 元件属性对话框中英文对照： Lib ref 元件名称