电子技术基础
电子技术基础
一、选择题(每题1分)
1、当加在硅二极管两端的正向电压从O开始逐渐增加时，硅二极管()。
A．立即导通
B．到才开始导通
C．超过死区电压时才开始导通
D．不导通
2、把电动势为的干电池的正极直接接到一个硅二极管的正极，负极直接接到硅二极管的
负极，则该管()。
A．基本正常
B．将被击穿
C．将被烧坏
D．电流为零
3、用万用表R×100Ω挡来测试二极管，如果二极管()说明管子是好的。
A．正、反向电阻都为零
B．正、反向电阻都为无穷大
C．正向电阻为几百欧，反向电阻为几百千欧
D．反向电阻为几百欧，正向电阻为几百欧
4、用万用表的电阻挡判断小功率二极管管脚极性时，应选用()挡。
A．R×10和R×100
B．R×1和R×1k
C．R×1k和R×100
D．R×10k和R×1k
5、在测量二极管正向电阻时，若用两手把管脚捏紧，电阻值将会()。
A．变大
B．变小
C．不变化
D．不能确定
6、在三极管放大器中，三极管各极电位最高的是()。
A．NPN管的集电极
B．PNP管的集电极
C．NPN管的发射极
D．PNP管的基极
7、晶体三极管处于饱和状态时，它的集电极电流将()。
A．随基极电流的增加而增加
B．随基极电流的增加而减小
C．与基极电流变化无关，只取决于Ucc和Rc
8、三极管输出特性曲线中，当I B=0时，I C等于()。
A．I
CM
B．I
CBO
C．I
CEO
D．0
9、当硅二极管加上正向电压时，该二极管相当于()。
A．很小的电阻
B．很大的电阻
C．短路
D．电阻
10、某二极管反向击穿电压为150V，则其最高反向工作电压()。A．约等于150V
B．略大于150V
C．等于300V
D．等于75V
11、当环境温度升高时，二极管的反向电流将()。
A．增大
B．减小
C．不变
D．先变大后变小
12、测量小功率二极管的好坏时，一般把万用表欧姆挡拨到()。A．R×10和R×1k
B．R×1k和R×100
C．R×1和R×1k
D．R×10k和R×1k
13、交通信号灯采用的是()管。
A．发光二极管
B.光电二极管
C．变容二极管
D．整流二极管
14、用万用表的电阻挡判断发光二极管管脚极性时，应选用()挡。A．R×100
B．R×1k
C．R×1
D．R×10k
15、三极管放大的实质是()。
A．将小能量换成大能量
B．将低电压放大成高电压
C．将小电流放大成大电流
D．用较小的电流控制较大的电流
16、用直流电压表测量NPN型三极管中管子各极电位是U B=，UＣ=，U E=4V，则该晶体三极管
的工作状态是()。
A．截止状态
B．饱和状态
C．放大状态
D．击穿状态
17、三极管各极对地电位如图2-1所示，工作于饱和状态的三极管是()。
18、满足I C=βI B的关系时，三极管工作在()。
A．饱和区
B．放大区
C．截止区
D．击穿区
19、三极管是一种()的半导体器件。
A．电压控制
B．电流控制
C．既是电压又是电流控制
D．功率控制
20、三极管的()作用是三极管最基本和最重要的特性。
A．电流放大
B．电压放大
C．功率放大
D．电压放大和电流放大
21、NPN型晶体管处于放大状态时，各极电压关系是()。
A．U
C >U
E
>U
B
B．U
C >U
B
>U
E
C．U
C B E D．U C E B 22、有三只晶体三极管，除β和I CEO不同外，其他参数一样，用作放大器件时，应选用()。A．β=50,I CEO = B．β=140,I CEO = C．β=10，I CEO = 23、 路中，则该管()。 A．被击穿 B．工作正常 C．功耗太大过热甚至烧坏 D．截止 24、低频放大电路放大的对象是电压、电流的()。 A．稳定值 B．变化量 C.平均值 D．直流量 25、在单管共发射极放大电路中，其输出电压u0与输入电压u i()。 A．频率相同、波形相似和相位相同 B．波形相似、相位相反和幅度相同 C．幅度相同、频率不同和相位相反 D．相位相反、频率相同和波形相似 26、在共射极放大电路的输入端加入一个正弦波信号，这时基极电流的波形为图2-6中的()。 27、已知电路处于饱和状态，要使电路恢复成放大状态，通常采用的方法是()。 A．增大电阻R B B．减小电阻R B 不变 C.电阻R B 28、在放大电路中，当集电极电流增大时，将使晶体三极管()。 上升 A．集电极电压U CE B集电极电压U 下降 CE C．基极电流不变 D．基极电流也随着增大 29、共发射极基本放大电路中，当输入信号为正弦电压时，输出电压波形的正半周出现平顶失真，则这种失真为()。 A．截止失真 B．饱和失真 C．非线性失真 D．频率失真 30、共发射极基本放大电路中，当输入信号为正弦电压时，输出电压波形的负半周出现平顶失真，则这种失真为()。 A．截止失真 B．饱和失真 C．非线性失真 D．频率失真 31、NPN晶体三极管放大电路输入交流正弦波时，输出波形如图2-7所示，则引起波形失真 的原因是()。 A．静态工作点太高 B.静态工作点太低 C．静态工作合适，但输入信号太大 32、影响放大器工作点稳定的主要因素是()。 A．β值 B．穿透电流 C．温度 D．频率 33、一个三级放大器，工作时测得A u1=100，A u2=-50，A u3=1，则总的电压放大倍数是()。 A．51 B．100 C．-5000 D．1 34、放大器与负载要做到阻抗匹配，应采用()。 A．直接耦合 B．阻容耦合 C．变压器耦合 D．光电耦合 35、要提高放大器的输入电阻，并且使输出电压稳定，可以采用()。 A．电压串联负反馈 B．电压并联负反馈 C．电流串联负反馈 D．电流并联负反馈 36、在图2-14所示电路中引入了()。 A．交流负反馈 B．直流负反馈 C．交直流负反馈 D．直流正反馈 二、判断题(每题1分) 1、()二极管是线性元件。 2、()一般来说，硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。 3、()二极管加正向电压时一定导通。 4、 5、()有两个电极的元件都叫二极管。 6、()三极管有两个PN结，因此它具有单向导电性。 7、()三极管由两个PN结组成，所以可以用两只二极管组合构成三极管。 8、()晶体三极管的发射区和集电区是由同一类半导体材料(N型或P型)构成的，所以，集电极和发射极可以互换使用。 9、()发射结反向偏置的三极管一定工作在截止状态。 10、()放大器带上负载后，放大倍数和输出电压都会上升。 11、()二极管一旦反向击穿就一定损坏。 12、()不论是哪种类型的半导体二极管，其正向电压都为左右。 13、()二极管具有单向导电性。 14、()发射结正向偏置的三极管一定工作在放大状态。 15、()某晶体三极管的I B=10μA时，I C=；当I B=20μA时，I C=，则它的电流放大系数为45。 16、()放大器不设置静态工作点时，由于三极管的发射结有死区和三极管输入特性曲线的非线性，会产生失真。 17、()放大器在工作时，电路同时存在直流和交流分量。 18、()放大电路的电压放大倍数随负载R L而变化，R L越大，电压放大倍数越大。 19、()放大电路静态工作点过高时，在U CC和Rc不变情况下，可增加基极电阻R B。 20、()造成放大器工作点不稳定的主要因素是温度。 21、()放大电路的静态工作点一经设定后，不会受外界因素的影响。 22、()稳定静态工作点，主要是稳定三极管的集电极电流I C。 23、()分析多级放大电路时，可以把后级放大电路的输入电阻看成是前级放大电路的负载。 24、()串联反馈就是电流反馈，并联反馈就是电压反馈。 25、()电压反馈送回到放大器输入端的信号是电压。 26、 27、()负反馈可提高放大器放大倍数的稳定性。 28、()负反馈可以消除放大器非线性失真。 三、填空题(每空1分) 1、二极管的P区引出端叫_____极或_____极，N区的引出端叫_______极或_______极。 2、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为_______、_________和_______三类。 3、导电性能介于导体和绝缘体之间的物质是________。 4、PN结正偏时，P区接电源的_____极，N区接电源的_____极；PN结反偏时，P区接电源的_____极，N区接电源的_____极。 5、PN结具有________特性，即加正向电压时PN结________，加反向电压时PN结________。 6、硅二极管导通时的正向管压降约_______V，锗二极管导通时的管压降约_______V。 7、使用二极管时，应考虑的主要参数是________________和___________________。 8、半导体三极管有_____型和_____型，前者的图形符号是_____，后者的图形符号是_____。 9、在三极管中，I E与I B、I C的关系为_____，由于I B的数值远远小于I C，如忽略I B，则I C_____I E。 10、三极管基极电流I B的微小变化，将会引起集电极电流Ic的较大变化，这说明三极管具有_____作用。 11、三极管工作在放大状态时，集电极电流与基极电流的关系是_____。 12、三极管的穿透电流I CEO随温度的升高而_____，硅三极管的穿透电流比锗三极管的_____。 13、工作在放大状态的三极管可作为_____器件；工作在截止和饱和状态的三极管可作为_____器件。 14、放大电路设置静态工作点的目的是______________________________。 15、在共射极放大电路中，输出电压u0和输入电压u i相位________。 16、为防止失真，放大器发射结电压直流分量U BE比输入信号峰值U im________，并且要大于发射结的________。 17、对于一个放大电路来说，一般希望其输入电阻________些，以减轻信号源的负担，输 出电阻________些，以增大带负载的能力。 四、简答题() 1、三极管的主要功能是什么?三极管放大的外部条件是什么?（4分） 2、从晶体二极管的伏安特性曲线看，硅管和锗管有什么区别?（6分） 3、已知某三极管P CM=100mW，I CM=20mA，U(BR)CEO=15V。试问下列哪种情况能正常工作?哪种情况不能正常工作?为什么?（8分） (1)U CE =3V，I C =10mA (2)U CE =2V，I C =40mA (3)U CE =10V，I C =20mA (4)U CE =15V，I C =10mA 4、画出如图所示电路的直流通路和交流通路。 5、什么是交越失真?如何消除? 五、计算() 1、共发射极基本放大电路中，若R B=240kΩ，Rc=3kΩ，U CC=12V，β=40，若忽略U BEQ，求静 态工作点I BQ 、I CQ 、U CEQ 和电压放大倍数A u 。（8分） 2、如图所示，在电路中，U CC=15V，R B=300kΩ，R c===3kΩ，R L=6kΩ，晶体管的β=50。求： (1)放大电路的输入电阻、输出电阻。 (2)分别求放大电路空载和负载时的电压放大倍数。 六、分析题() 1、[问题] 电路图如图1-5所示，已知输入电压为正弦波，设二极管为理想元件，试画出u。的波形。 2、在图1-3所示的两个电路中，设V1、V2均为理想二极管，试根据表1-1所给输入值，判断二极管的工作状态。确定“u。的值，并将结果填入表中。 试题答案 一、选择题(每题1分) 1、C 2、C 3、C 4、C 5、B 6、A 7、C 8、C 9、B 10、D 11、A 12、B 13、A 14、D 15、D 16、B 17、C 18、B 19、B 20、A 21、 23、C 24、B 25、D 26、A 27、A 28、B 29、A 30、B 31、B 32、C 33、C 34、C 35、A 36、C 二、判断题(每题1分) 1、× 2、× 3、× 4、× 5、× 6、× 7、 9、√ 10、× 11、× 12、× 13、√ 14、× 15、√ 16、√ 17、√ 18、√ 19、√ 20、√ 21、× 22、√ 23、√ 24、× 25、× 26、× 27、√ 28、× 三、填空题(每空1分) 1、 2、导体半导体绝缘体 3、半导体 4、正负负正 5、单向导电正向导通反向截止 6、、最大整流电流最高反向工作电压 8、NPNPNP 9、I E=I B+I C则I C≈I E 10、电流放大 11、I C=βI B 12、增大小 13、放大开关 14、避免信号发生非线性失真 15、相反 16、大死区电压 17、大小 四、简答题() 1、三极管的主要功能是电流放大作用； 三极管放大的外部条件是发射结正偏，集电结反偏。 2、硅管死区电压为左右而锗管死区电压为左右；硅管的正向管压降为左右而锗管为左右；硅管的反向饱和电流较小而锗管较大。 (1)3、能正常工作 (2)不能正常工作，因为I C =40mA＞I CM (3)不能正常工作，因为I C U CE =200mW＞P CM (4)不能正常工作，因为I C U CE =150mW＞P CM 4、 5、交流电正负半周交接处发生的失真称为交越失真。给功放管提供一定的静态偏置，使功放管在未输人信号时已处于微导通状态，即工作在甲乙状态。 五、计算() 1、50μA2mA6V-144V 2、 六、分析题() 1、当u i≥2V时，二极管V导通，u0=2V； u i ＜2V时，二极管V截止，u =u i u 波形如图所示。 2、 第1章检测题（共100分，120分钟） 一、填空题：（每空0.5分，共25分） 1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为自由电子，少数载流子为空穴，不能移动的杂质离子带正电。P 型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为空穴，少数载流子为自由电子，不能移动的杂质离子带负电。 2、三极管的内部结构是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结组成的。三极管对外引出的电极分别是发射极、基极和集电极。 3、PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向相反，有利于多数载流子的 扩散运动而不利于少数载流子的漂移；PN结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向一致，有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散，这种情况下的电流称为反向饱和电流。 4、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子由P向N区进行扩散，N 型半导体中的多数载流子由N向P区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区，其方向由N区指向P区。空间电荷区的建立，对多数载流子的扩散起削弱作用，对少子的漂移起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时，PN结形成。 5、检测二极管极性时，需用万用表欧姆挡的R×1K档位，当检测时表针偏转度较大时，与红表棒相接触的电极是二极管的阴极；与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。检测二极管好坏时，两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时，说明二极管已经被击穿；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经绝缘老化。 7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管，正常工作应在特性曲线的反向击穿区。 二、判断正误：（每小题1分，共10分） 1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。（错） 2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。（对） 3、用万用表测试晶体管时，选择欧姆档R×10K档位。（错） 4、PN结正向偏置时，其内外电场方向一致。（PN结反向偏置时，其内外电场方向一致）（错） 5、无论在任何情况下，三极管都具有电流放大能力。 第三章组合逻辑电路 第一节重点与难点 一、重点: 1．组合电路的基本概念 组合电路的信号特点、电路结构特点以及逻辑功能特点。 ２。组合电路的分析与设计 组合电路分析是根据已知逻辑图说明电路实现的逻辑功能。 组合电路设计是根据给定设计要求及选用的器件进行设计,画出逻辑图。如果选用小规模集成电路SSI,设计方法比较规范且容易理解,用ＳＳI设计是读者应掌握的最基本设计方法。由于设计电路由门电路组成,所以使用门的数量较多，集成度低。 若用中规模集成电路MＳＩ进行设计，没有固定的规则，方法较灵活。 无论是用ＳSI或ＭSI设计电路，关键是将实际的设计要求转换为一个逻辑问题，即将文字描述的要求变成一个逻辑函数表达式。 3．常用中规模集成电路的应用 常用中规模集成电路有加法器、比较器、编码器、译码器、数据选择器和数据分配器等,重要的是理解外部引脚功能，能在电路设计时灵活应用. 4.竞争冒险现象 竞争冒险现象的产生原因、判断是否存在竞争冒险现象以及如何消除。 二、难点: 1.组合电路设计 无论是用SSI还是用MSI设计电路,首先碰到的是如何将设计要求转换为逻辑问题，得到明确的真值表，这一步既是重点又是难点.总结解决这一难点的方法如下： (1)分析设计问题的因果关系，分别确定输入变量、输出变量的个数及其名称. (2）定义逻辑变量０、1信号的含义。无论输入变量、输出变量均有两个状态０、1，这两个状态代表的含义由设计者自己定义。 (3）再根据设计问题的因果关系以及变量定义，列出真值表. ２。常用组合电路模块的灵活应用 同样的设计要求,用MSＩ设计完成后，所得的逻辑电路不仅与所选芯片有关，而且还与设计者对芯片的理解及灵活应用能力有关。读者可在下面的例题和习题中体会. 3．硬件描述语言ＶHDL的应用 VＨDL的应用非常灵活,同一个电路问题可以有不同的描述方法，初学者可以先仔细阅读已有的程序实例，再自行设计。 三、考核题型与考核重点 １。概念与简答 题型1为填空、判断和选择； 题型２为叙述基本概念与特点。 建议分配的分数为3～6分。 2。综合分析与设计 〖专业课〗 《电子技术基础》 课程标准 二Ｏ一二年八月 三年制中等职业教育 《电子技术基础》课程标准 一、概述 （一）课程性质。本课程是中等职业学校电工电子专业应用性很强的的一门基础必修课程，贯彻以培养学生实践技能为重点，基础理论与实际应用相结合的指导思想。在教学中要根据中职学生的知识基础及就业岗位需求组织教学内容，注重理论与实践相结合，从而提高学生分析问题及解决问题的能力，增强学生适应职业变化的能力，为继续学习打下基础。 （二）课程设计基本理念。注重以人为本的教学理念，培养学生个性发展；以理论与实验相结合，充分体会有关电子基础知识的重要性；注重学科渗透，关注科技发展，有机结合时代的新产品；创造团结协作的氛围，提倡学习方式的多样化；从分析解决实际问题，提高学生应知能力；建立学习结果与学习过程并重的评价机制。 （三）课程设计思路。该课程是依据“电子技术应用专业工作任务与职业能力分析表”中的以能力目标指导下，基于职业教育的校企合作、工学结合、基于生产过程的工作项目设置的。其总体设计思路是，打破以知识传授为主要特征的传统学科课程模式，转变为以工作任务为中心组织课程内容，并让学生在完成具体的项目中学会完成相应的工作任务，并构建相关理论知识，发展职业能力。课程内容突出对学生职业能力的训练，理论知识的选取紧紧围绕工作任务完成的需要来进行，同时又充分考虑了中等职业教育对理论知识学习的需要，并融合了相关职业资格证书对知识、技能和态度的要求。项目设计以生产过程为线索来进行。教学过程中，要通过校企合作，校内实训基地建设等多种途径，采取工学结合、半工半读等形式，充分开发学习资源，给学生提供丰富的实践机会。教学效果评价采取过程评价与结果评价相结合的方式，通过理论与实践相结合，重点评价学生的职业能力。 模拟电子技术复习资料总结 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子 ----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V 阳 >V 阴 ( 正偏 )，二极管导通(短路); 若 V 阳 2008年4月高等教育自学考试全国统一命题考试 电子技术基础（三） 试卷 课程代码 4730 一、单项选择题（本大题共15小题，每小题1分，共15分） 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1．电路如图所示,能正确反映电压1U 和U 之间关系的表达式是（ ） A ．U R R R U 2 12 1+= B ．U R R R U 22 11+= C ．U R R R U 2 11 1+= D ．U R R R U 12 11+= 2．正弦电压u(t)=t)sin( ?m U (V),则正弦电压的有效值等于（ ） A ．m U 21 B ． m U 2 2 C ．m U D ．m U 2 3．电路如图所示,已知V U ,R R R s 21K Ω321====。则电流I 等于（ ） A ．0.5mA B ．1mA C ．2mA D ．3mA 4．图示电路中二极管21D D 和的导通电压均为0.7V ,当V U ,V U 51021==时,可以判断出（ ） A ．截止导通21D ,D B ．导通截止21D ,D C ．导通导通21 D ,D D ．截止截止21D ,D 5．为使放大电路的输出电压稳定、输入电阻增大，需引入的交流负反馈是（ ） A ．电压串联 B ．电压并联 C ．电流串联 D ．电流并联 6．其特征是是理想运放的输出电阻,R o （ ） A ．0R o = B ．较大o R C ．∞趋于o R D ．与信号有关o R 7．集成运放作为线性应用时，电路形式一般是（ ） A ．开环 B ．正反馈 C ．开环或正反馈 D ．深度负反馈 8．单相桥式整流电路，2U 为变压器副边电压有效值，则二极管承受的最高反压RM U 为（ ） A ．222U B ．22U C ．2U 2 D ．2U 9．开关型集成稳压器与普通线性集成稳压器相比较，前者的突出特点是（ ） A ．稳压效果好 B ．效率高 C ．滤波电容大 D ．输出纹波小 10．某逻辑电路真值表如下表所示，其函数F 的表达式是（ ） A ． B F = B ．A F = C ．A F = D ．B F = 电子技术基础课程标准 [ 课程名称] 《电子技术基础》 [ 适用专业] 中等职业学校电工电子专业 [ 课程性质] 本课程是中等职业学校电工电子专业应用性很强的的一门基础必修课程，贯彻以培养学生实践技能为重点，基础理论与实际应用相结合的指导思想。主要内容分为两类：第一类为模拟电子技术。第二类为数字电子技术。在教学中要根据中职学生的知识基础及就业岗位需求组织教学内容，注重理论与实践相结合，从而提高学生分析问题及解决问题的能力，增强学生适应职业变化的能力，为继续学习打下基础。 [ 课程目标] 1、知识目标与技能目标 通过本课程的学习，使学生掌握电子技术各种基本功能电路的组成、基本工作原理、性能特点，熟悉电子技术工艺技能和电子仪器的正确使用方法，初步具有查阅电子元器件手册，正确使用元器件的能力、读识常见电子线路图的能力、测试常用电路功能及排除故障的能力。能复述逻辑门电路的功能，并能利用逻辑门电路设计简单的组合逻辑电路，并能分析简单时序逻辑电路的功能。为后续课程学习准备必要的知识，为今后从事实际 工作打下必要的基础。 2、过程与方法学会理论联系实际，使课内与课外实验，科技活动紧密结合，提高学生学习兴趣，增强掌握运用所学理论知识解决相关专业领域实际问题的能力。 充分利用实验设备，加大实验比重，使学生动手能力明显提高。培养学生查阅科技资料的能力。 3、情感态度与价值观参与科技活动的热情，勇于探究与日常生活有关 的电学问题；享受快乐的学习过程及学习成果，养成持之以恒的学习精神；形成主动与他人合作的精神，具有团队精神；关心国内外科技发展现状与趋势，有强烈的使命感与责任感。 [ 课程基本理念] 注重以人为本的教学理念，培养学生个性发展；以理论与实验相结合，充分体会有关电子基础知识的重要性；注重学科渗透，关注科技发展，有机结合时代的新产品；创造团结协作的氛围，提倡学习方式的多样化；从分析解决实际问题，提高学生应知能力；建立学习结果与学习过程并重的评价机制。 [ 课程内容和要求] 序 教学内容课程内容与要求考核要求 号 1 晶体二极1 、熟悉二极管器1. 半导体的概念；二极管的单 四川省仁寿县职业教育中心理论教学教案 教学过程 [引入新课] [新课教案] 一、什么是半导体？ 物质的导电能力介于导体和半导体之间。常见的半导体材料如硅、锗等。 二、半导体的基本特性 半导体的导电能力随着掺入杂质、输入电压（电流）、温度和光照条件的不同而发生很大变化。 1、掺杂性：在纯净的半导体中掺入及其微量的杂质元素，则它的导电能力将大大增强。 2、热敏性：温度升高，将使半导体的导电能力大大增强。 3、光敏性：对半导体施加光线照射时，光照越强，导电能力越强。 三、半导体的分类 分为本征半导体和杂质半导体。 1、本征半导体：不含其他杂质的纯净半导体。 【载流子：本征半导体中存在自由电子和空穴两种载流子，但由于其载流子数量太少，且受温度影响太明显，因此本征半导体不能直接用来制造晶体二极管。】 2、杂质半导体 N型半导体：在本征半导体中掺入少量五价元素磷或砷，称为N型半导体。其多数载流子为电子，少数载流子为空穴，主要靠 自由电子导电。 P型半导体：在本征半导体中参入少量三家 元素铟或硼，称为P型半导体。其多数载流子 为空穴，少数载流子为电子，主要靠空穴导电。 [课后练习] 1、半导体与金属相比较有什么特点？ 答：（1）半导体的导电能力较弱 （2）金属靠自由电子导电，半导体靠自由电子和空穴导电。 2、半导体具有哪些特性？答：三个特性 3、什么是P型半导体？什么是N型半导体？ 答：主要靠空穴导电的是P型半导体，主要靠自由电子导电的是N型半导体。 4、N型半导体本身是带负电的还是中性的？为什么？ 四川省仁寿县职业教育中心理论教学教案 内容 教学 程序 引入——新课——小结 学情 分析 在元器件课程中学生了解一些基本知识。教学 方法 讲授 教学 重点 二极管的特性及特性曲线 教学 手段 多媒体教学视频 教学 难点 二极管的特性曲线及测量方法 板 书 设 计 晶体二极管 一、二极管的构成和符号二、二极管的导电特性三、例题 （一）构成（一）实验一四、二极管的检测 （二）符号（二）实验二 （三）分类 教 学 过 [引入新课] 以前在元器件当中我们学习过二极管的符号、作用、分类和实训测量方法，以前学的是外表上面的，本书所讲的是从外到内的。 [新课教案] 一、二极管的结构和符号 （一）结构 在本征半导体上利用特殊工艺分别渗入硼元素和磷元素加工出一半是P型半导体、一半是N型半导体，在P型和N型半导体的结合部位形成一个特殊的结构，即PN结， PN结是构成各种半导体器件的基础。 在P区和N区两侧各接上电极引线，并将其封装在密封的壳体中，即构成半导体二极管，如图。接在P区的引线称为阳极（正极）用a表示，接在N区的引线称为阴 极或负极，用k表示。 二极管的核心即是一个PN结。 （二）符号 电子技术基础知识 一、电流 1、电路一般就是有哪几部分组成的？ 答:电路一般由电源、开关、导线、负载四部分组成。 2、电流,就是指电荷的定向移动。 3、电流的大小称为电流强度(简称电流,符号为I),就是指单位时间内通过导线某一截面的电荷量,每秒通过1库仑的电量称为1「安培」(A)。 4、电流的方向,就是正电荷定向移动的方向。 5、电流的三大效应:热效应磁效应化学效应 6、换算方法: 1A=1000mA 1mA=1000μA 1μA=1000nA 1nA=1000pA 1KA=1000A 7、电流产生的条件: ①必须具有能够自由移动的电荷(金属中只有负电荷移动,电解液中为正负离子同时移动)。 ②导体两端存在电压差(要使闭合回路中得到持续电流,必须要有电源)。 ③电路必须为通路。 8、电流表与电压表在电路中如何连接？为什么？ 答:电流表在电路中应与被测电路串联相接,因为电流表内阻小,串在电路中对电路影响不大;电压表在电路中应与被测电路并联相接,因为电压表内阻大,并联相接分流作用对电路影响较小、 二、电阻 1、电阻表示导体对电流阻碍作用的大小。 2、电阻在电路中通常起分压、分流的作用 3、换算方法:1MΩ=1000KΩ;1KΩ=1000Ω 4、导体的电阻的大小导体的长度、横截面积、材料与温度有关。 5、电阻元件就是对电流呈现阻碍作用的耗能元件,例如灯泡、电热炉等电器。电阻定律:R=ρL/S ρ——制成电阻的材料电阻率,国际单位制为欧姆·米(Ω·m) ; L——绕制成电阻的导线长度,国际单位制为米(m); S——绕制成电阻的导线横截面积,国际单位制为平方米(㎡) ; R ——电阻值,国际单位制为欧姆(Ω)。 6、使用万用表,应先关掉电路板路的电源以免烧坏万用表,若有其她电阻并在被测电阻上,应先断开其她电阻后再测,测时两手不应接触表棒或被测电阻的裸露导电部分,以免引起误差。 7、使用万用表,应先关掉电路板路的电源以免烧坏万用表,若有其她电阻并在被测电阻上,应先断开其她电阻后再测,测时两手不应接触表棒或被测电阻的裸露导电部分,以免引起误差。 8、什么叫电动势？它与电压有什么不同？在电路中,电压与电动势的方向就是如何规定的？ 答:电动势就是衡量电源力做功的量,它就是在电源内部把单位正电荷从电源的负极移动到电源的正极;而电压则就是在电源外部将单位正电荷从电源的正极移动到电源的负极。在电路中,电压的方向就是在外电路从电源的正极指向电源的负极;而电动势的方向则就是从在电源内部从电源的负极指向电源的正极。 三、欧姆定律 1、定律:在同一电路中,导体中的电流跟导体两端的电压成正比,跟导体的电阻 数字电子技术基础 模拟卷1 一、单项选择题 1、将十进制数56转换成8421BCD 码应是： （D ） A 、（56）10= （0011 1000）8421BCD B 、（56）10= （0011 1001）8421BCD C 、（56）10= （0101 1000）8421BCD D 、（56）10= （0101 0110）8421BCD 2、使晶体三极管工作于饱和区的电压条件是： （C ） A 、发射结正偏，集电结反偏 B 、发射结反偏，集电结反偏 C 、发射结正偏，集电结正偏 D 、发射结反偏，集电结正偏 3、只有当两个输入变量的取值相同时，输出才为1，否则输出为0，这种逻辑关系叫做： （A ） A 、同或 B 、与非 C 、异或 D 、或非 4、在功能表中×的含义是： （ D ） A 、表示高电平 B 、表示低电平 C 、高低电平都不可以 D 、高低电平都可以 5、下列4个电路中能实现AB L 逻辑关系的是： （ C ） A A ≥1 & B B B A L 1 L =1 B A =1 A B C D 6、TTL 门电路理论上的逻辑低电平为： （ B ） A 、0V B 、0.3V C 、1.4V D 、1.8V 7、下列电路中不属于时序逻辑电路的是： （B ） A 、移位寄存器 B 、译码器 C 、随机存取存储器 D 、计数器 8、下列电路中无需外加触发信号就能自动产生方波信号的电路是： （ A ） A 、多谐振荡器 B 、单稳态触发器 C 、施密特触发器 D 、RS 触发器 9、下面对时序逻辑电路的描述不正确的是： （A ） A 、时序电路中任一时刻的输出信号仅取决于该时刻的输入信号。 B 、时序电路包含组合电路和存储电路两部分。 C 、时序电路中的存储电路是要记忆以前的状态，存储电路可由触发器组成。 D 、时序电路一般分为两大类：同步时序电路和异步时序电路 2009年4月高等教育自学考试全国统一命题考试 电子技术基础(三)试题 课程代码：04730 一、单项选择题(本大题共15小题，每小题1分，共15分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个选项是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.两个串联元件A 、B 上的电压与电流参考方向如题1图所示，已知U 1=2V ，I=5A ，U 2=-4V ，则( ) A.元件A 吸收功率10W ，元件B 吸收功率20W B.元件A 产生功率10W ，元件B 产生功率20W C.元件A 产生功率10W ，元件B 吸收功率20W D.元件A 吸收功率l0W ，元件B 产生功率20W 2.实际电压源和电流源模型中，其内阻与理想电压源和电流源之间的正确连接关系是 ( ) A.理想电压源与内阻串联，理想电流源与内阻串联 B.理想电压源与内阻并联，理想电流源与内阻串联 C.理想电压源与内阻串联，理想电流源与内阻并联 D.理想电压源与内阻并联，理想电流源与内阻并联 3.若正弦电压)6 2sin()(11π-π=t U t u m （V ），)32s i n ()(22π-π=t U t u m (V)，则u 2相位( ) A.超前u 1相位3 π B.滞后u 1相位3π C.超前u 1相位6π D.滞后u 1相位6 π 4.某场效应管的转移特性曲线如题4图所示，则可以判断该管为( ) A.P 沟道增强型MOS 管 B.P 沟道耗尽型MOS 管 C.N 沟道增强型MOS 管 D.N 沟道耗尽型MOS 管 5.某放大器在1K Ω负载电阻上测得输出电压为1V ，在4.7K Ω负载电阻上测得输出电压为 1.65V ，则该放大器的输出电阻等于( ) 第一章数字电路基础 第一部分基础知识 一、选择题 1．以下代码中为无权码的为。 A. 8421BCD码 B. 5421BCD码 C.余三码 D.格雷码 2．以下代码中为恒权码的为。 A.8421BCD码 B. 5421BCD码 C.余三码 D.格雷码 3．一位十六进制数可以用位二进制数来表示。 A.１ B.２ C.４ D. 16 4．十进制数25用8421BCD码表示为。 A.10 101 B.0010 0101 C. D.10101 5．在一个8位的存储单元中，能够存储的最大无符号整数是。 A.（256）10 B.（127）10 C.（FF）16 D.（255）10 6．与十进制数（53.5）10等值的数或代码为。 A.(0101 0011.0101)8421BCD B.(35.8)16 C.(.1)2 D.(65.4)8 7．矩形脉冲信号的参数有。 A.周期 B.占空比 C.脉宽 D.扫描期 8．与八进制数(47.3)8等值的数为： A. (.011)2 B.(27.6)16 C.(27.3 )16 D. (.11)2 9.常用的B C D码有。 A.奇偶校验码 B.格雷码 C.8421码 D.余三码 10．与模拟电路相比，数字电路主要的优点有。 A.容易设计 B.通用性强 C.保密性好 D.抗干扰能力强 二、判断题（正确打√，错误的打×） 1. 方波的占空比为0.5。（） 2. 8421码1001比0001大。（） 3. 数字电路中用“1”和“0”分别表示两种状态,二者无大小之分。（） 4．格雷码具有任何相邻码只有一位码元不同的特性。（） 5．八进制数（18）8比十进制数（18）10小。（） 6．当传送十进制数5时，在8421奇校验码的校验位上值应为1。（） 、单项选择题 1、将十进制数56转换成8421BCD 码应是: 2、使晶体三极管工作于饱和区的电压条件是: 系叫做: 6、TTL 门电路理论上的逻辑低电平为: 7、下列电路中不属于时序逻辑电路的是: &下列电路中无需外加触发信号就能自动产生方波信号的电路是: A 、多谐振荡器 B 、单稳态触发器 C 、施密特触发器 9、下面对时序逻辑电路的描述不正确的是: A 、时序电路中任一时刻的输出信号仅取决于该时刻的输入信号。 数字电子技术基础 模拟卷1 A 、(56) 10= ( 0011 1000 8421BCD B 、 (56) 10= ( 0011 1001) 8421BCD C 、(56) 10= ( 0101 1000) 8421BCD D 、 (56) 10= ( 0101 0110) 8421BCD A 、发射结正偏，集电结反偏 B 、发射结反偏，集电结反偏 C 、发射结正偏，集电结正偏 D 、发射结反偏，集电结正偏 3、只有当两个输入变量的取值相同时, 输出才为 1,否则输出为0,这种逻辑关 A 、同或 B 、与非 C 、异或 D 、或非 4、 在功能表中刈勺含义是: A 、表示高电平 B 、表示低电平 C 、咼低电平都不可以 D 、咼低电平都可以 5、 下列4个电路中能实现L AB 逻辑关系的是: >1 =1 >1 =1 D- A 、0V B 、0.3V C 、1.4V D 、1.8V A 、移位寄存器 B 、译码器 C 、随机存取存储器 计数器 RS 触发器 B 、时序电路包含组合电路和存储电路两部分。 C 、时序电路中的存储电路是要记忆以前的状态， 存储电路可由触发器组成。 D 、时序电路一般分为两大类：同步时序电路和异步时序电路 10、已知静态RAM2114的存储容量为1K X 4位，若要扩展存储容量为 需要几片2114 D 、16 片 12、5G7520为10位集成数模转换器，设参考电压 V REF =10V ，R F =R , 、多项选择题(在每小题的四个备选答案中，选出至少两个正确答案，并将其 2、描述触发器逻辑功能的方法有: 3、比较下列几个数的大小，正确的结果是: D 、(2A ) 16 >( 101101) 2 4、在下式中选出正确的逻辑代数公式: 4KX8 位, 11、已知逻辑函数 L A B D ，则其反函数F 为: A 、A BCD B 、A BCD C 、A BCD D 、 A BCD 当输入全 1时，输出电压的绝对值为： 10V C 10V ——255 B 、—— 1 256 1024 B 、 C 、 10V ——1023 1024 D 、 10V —— 1 256 号码分别填在题干的括号内。多选、少选、 错选均无分。) 1、逻辑函数L (AB AB)C 中，变量A 、 B 、C 取哪些值时, L 的值为1。 A 、ABC 取 011 B 、AB C 取 101 C 、ABC 取 000 ABC 取 111 A 、功能表 B 、特征方程 C 、状态转换图 D 、驱动表 A 、(46) 8>( 39) 10 B 、(2A ) 16>( 39) 10 C 、(101101) 2>( 39) 10 2016年4月高等教育自学考试全国统一命题考试 电子技术基础(三) 试卷 (课程代码 04730) 本试卷共8页，满分l00分，考试时间l50分钟。 考生答题注意事项： 1．本卷所有试题必须在答题卡上作答。答在试卷上无效，试卷空白处和背面均可作草稿纸。2．第一部分为选择题。必须对应试卷上的题号使用2B铅笔将“答题卡”的相应代码涂黑。3．第二部分为非选择题。必须注明大、小题号，使用0．5毫米黑色字迹签字笔作答。4．合理安排答题空间，超出答题区域无效。 第一部分选择题(共l 5分) 一、单项选择题(本大题共l5小题，每小题l分，共l5分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其选出并将“答题卡” 的相应代码涂黑。错涂、多涂或来涂均无分。 1、理想电流源的外接负载电阻越大，它的端电压 A、越高 B、越低 C、不变 D、不能确定 2、EN电在电容c两端产生电流，则电流的相位 A、超前电压)的相位180 O。 B、滞后电压的相位180 O C、NN电压的相位90 O D、滞后电压电的相位90 O 3、己知正弦交流电压在t=锄时为220V，其初相位为45O，则它的有效值为 4、以下关于本征半导体特性的描述中，正确的是 A、本征半导体中的载流子只有自由电子 B、本征半导体中的载流子只有空穴 C、本征半导体中的载流子既有自由电子，也有空穴，且浓度相等 D、本征半导体中的载流子浓度与温度无关 5、为使放大器输出电压稳定，输入电阻增大，则需引入酶交流负反馈类型是 A、电压串联负反馈 B、电压并联负反馈 C、电流串联负反馈 D、电流并联负反馈 6、运算放大器输入级通常采用的电路结构是 A、单管共发射极电路 B、恒流源电路 C、射极跟随器电路 D、差动放大电路 7、回相比倒运算电路如题7图所示，设输入电压梯=20cosl000t(mV)，若要实现输出 电压为，则电阻和，的正确关系是 一、单选题（共 30 道试题，共 60 分。） 1. 图示电路，在参数设计合理，电路能正常工作的条件下，输出电压u o的波形是( ) A. 正弦波 B. 方波 C. 三角波 D. 锯齿波 正确答案：B 满分：2 分 2. 逻辑函数可化简为（） A. A B. B C. C D. D 正确答案：A 满分：2 分 3. 某10位A/D转换器的参考电压为10V，则该A/D转换器能分辨出的输入模 拟电压的最小变换量为( ) A. 4.88mV B. 9.76mV C. 19.53mV D. 39.06mV 正确答案：B 满分：2 分 4. 运放组成的放大电路如图所示，R F引入的级间反馈类型为（） A. 串联电压负反馈 B. 串联电流负反馈 C. 并联电压负反馈 D. 并联电流负反馈 正确答案：D 满分：2 分 5. 直流电源电路如图所示，变压器电压为220V/18V，稳压管稳定电压为6V，三极管U BE= 0.6V，电阻R3 = R4 = 510Ω，R P = 390Ω，输出电压u O的调节范围( ) A. A B. B C. C D. D 正确答案：B 满分：2 分6. 电路如图所示，设二极管D 1、D 2 为理想元件，则输出电压U O为( ) A. 0V B. -15V C. -15V D. 25V 正确答案：A 满分：2 分 7. 某D/A转换器的参考电压为10V，如要求其最小输出电压不大于9.766mV，则该D/A转换器的位数至少应为( ) A. 8位 B. 9位 C. 10位 D. 11位 正确答案：C 满分：2 分 8. 图示RC正弦波振荡电路的振荡频率为( ) 3《数字电子技术》试卷 姓名：__ _______ 班级：__________ 考号：___________ 成绩：____________ 1. 有一数码10010011，作为自然二进制数时，它相当于十进制数（ ），作为 8421BCD 码时，它相当于十进制数（ ）。 2.三态门电路的输出有高电平、低电平和（ ）3种状态。 3．TTL 与非门多余的输入端应接（ ）。 4．TTL 集成JK 触发器正常工作时，其d R 和d S 端应接（ ）电平。 5. 已知某函数??? ??+??? ??++=D C AB D C A B F ，该函数的反函数F = （ ）。 6. 如果对键盘上108个符号进行二进制编码，则至少要（ ）位二进制数码。 7. 典型的TTL 与非门电路使用的电路为电源电压为（ ）V ，其输出高电平为（ ）V ，输出低电平为（ ）V ， CMOS 电路的电源电压为（ ） V 。 8．74LS138是3线—8线译码器，译码为输出低电平有效，若输入为A 2A 1A 0=110时，输出 01234567Y Y Y Y Y Y Y Y 应为（ ）。 9．将一个包含有32768个基本存储单元的存储电路设计16位为一个字节的ROM 。该ROM 有（ ）根地址线，有（ ）根数据读出线。 10. 两片中规模集成电路10进制计数器串联后，最大计数容量为（ ）位。 11. ）；Y 3 ＝（ ）。 12. 某计数器的输出波形如图1所示，该计数器是（ ）进制计数器。 13．驱动共阳极七段数码管的译码器的输出电平为（ ）有效。 二、单项选择题（本大题共15小题，每小题2分，共30分） （在每小题列出的四个备选项中只有一个是最符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。） 1. 函数F(A,B,C)=AB+BC+AC 的最小项表达式为( ) 。 A ．F(A,B,C)=∑m （0，2，4） B. (A,B,C)=∑m （3，5，6，7） C ．F(A,B,C)=∑m （0，2，3，4） D. F(A,B,C)=∑m （2，4，6，7） 2．8线—3线优先编码器的输入为I 0—I 7 ，当优先级别最高的I 7有效时，其输出012Y Y Y ??的值是（ ）。 A ．111 B. 010 C. 000 D. 101 3．十六路数据选择器的地址输入（选择控制）端有（ ）个。 A ．16 B.2 C.4 D.8 4. 有一个左移移位寄存器，当预先置入1011后，其串行输入固定接0，在4个移位脉冲CP 作用下，四位数据的移位过程是（ ）。 A. 1011--0110--1100--1000--0000 B. 1011--0101--0010--0001--0000 C. 1011--1100--1101--1110--1111 D. 1011--1010--1001--1000--0111 5．已知74LS138译码器的输入三个使能端（E 1=1， E 2A = E 2B =0）时，地址码A 2A 1A 0=011，则输出 Y 7 ～Y 0是( ) 。 A. 11111101 B. 10111111 C. 11110111 D. 11111111 6. 一只四输入端或非门，使其输出为1的输入变量取值组合有( )种。 A ．15 B ．8 C ．7 D ．1 7. 随机存取存储器具有( )功能。 A.读/写 B.无读/写 C.只读 D.只写 8．N 个触发器可以构成最大计数长度（进制数）为( )的计数器。 A.N B.2N C.N 2 D.2N 9．某计数器的状态转换图如下， 其计数的容量为( ) A ． 八 B. 五 C. 四 D. 三 10．已知某触发的特性表如下（A 、B 为触发器的输入）其输出信号的逻辑表达式为( )。 A B Q n+1 说明 0 Q n 保持 000 001 010 011 100 101 110 111 《电子技术基础》课程标准教案 一、概述 （一）课程性质 本课程是高等职业技术学校机电一体化技术专业的核心课程，是本专业学生必修的专业基础技术课程。 通过本课程的学习和实践操作，使学生掌握电子技术的基础知识、一般分析方法和基础技能，为深入学习本专业有关后继课程和从事有关电子技术方面的实际工作打下基础。考虑到课程的基础性和应用性，一方面要求学生对基本概念、基本理论、基本工作原理要有所了解，更重要的要加强对学生综合分析和应用能力的培养。 （二）课程设计理念与思路 本课程贯彻以就业为导向，以能力为本位的职教思想。从高职学校培养应用型技术人才这一总目标出发，以应用为目的，以必需、够用为度，以职业能力分析为依据，设定课程培养目标，较大程度降低理论教学的重心，删除与实际工作关系不大的繁冗计算，以必备的相关基础知识和电子技术在工业中的应用为主线组织教学内容，注重培养学生的应用能力和解决问题的实际工作能力。 本课程在教学中，将实验室、实训室与教室整合为理论与实践融合互动的一体化情景氛围教学平台。即理论与实践融合互动的一体化情景氛围的教学实验室、实训室。实训室配置了常用工具、通用电子仪器仪表、常用元器件、实验实训装置等设施。创造了任务和条件就在手边的氛围环境，使学生产生强烈的实践学习的欲望、兴趣和冲动，激发了学生学习的潜能。 二、课程目标 （一）总目标 通过学习，使学生获得电子技术方面的基础知识和技能，培养学生分析问题和解决问题的能力，为以后深入学习电子技术在专业中的应用打好基础。 学习科学探究方法，发展自主学习能力，养成良好的思维习惯和职业规范，能运用相关的专业知识、专业方法和专业技能解决工程中的实际问题。 发展好奇心与求知欲，发展科学探索兴趣，培养坚持真理、勇于创新、实事求是的科学态度与科学精神，有振兴中华，将科技服务于社会的责任感。 理解科学技术与社会的相互作用，形成科学的价值观；培养学生的团队合作精神，激发学生的创新潜能，提高学生的实践能力。 （二）具体目标 1．知识与技能 （1）了解电子元器件的性能，能识别与检测常用电子元器件； （2）掌握电子线路的工作原理，并会分析具体的电子电路； （3）会使用万用表等常用电工仪表及常用电子仪器仪表来检测电子电路； （4）能阅读与理解整流电路及典型稳压电源的原理图； （5）能阅读与理解典型放大电路、运算放大电路； （6）能了解集成电路基本常识；重点理解集成电路在工业中的应用； （7）会使用常用电子仪表进行数字电路的测量与调试； （8）初步具有查阅电子元器件手册，撰写实验、实训技术报告和合理选用元器件的能力； 第一章数字逻辑基础 第一节重点与难点 一、重点： 1.数制 2.编码 (1) 二—十进制码（BCD码） 在这种编码中，用四位二进制数表示十进制数中的0~9十个数码。常用的编码有8421BCD码、5421BCD码和余3码。 8421BCD码是由四位二进制数0000到1111十六种组合中前十种组合，即0000~1001来代表十进制数0~9十个数码，每位二进制码具有固定的权值8、4、2、1，称有权码。 余3码是由8421BCD码加3（0011）得来，是一种无权码。 (2)格雷码 格雷码是一种常见的无权码。这种码的特点是相邻的两个码组之间仅有一位不同，因而其可靠性较高，广泛应用于计数和数字系统的输入、输出等场合。 3.逻辑代数基础 (1)逻辑代数的基本公式与基本规则 逻辑代数的基本公式反映了二值逻辑的基本思想，是逻辑运算的重要工具，也是学习数字电路的必备基础。 逻辑代数有三个基本规则，利用代入规则、反演规则和对偶规则使逻辑函数的公式数目倍增。 (2)逻辑问题的描述 逻辑问题的描述可用真值表、函数式、逻辑图、卡诺图和时序图，它们各具特点又相互关联，可按需选用。 (3)图形法化简逻辑函数 图形法比较适合于具有三、四变量的逻辑函数的简化。 二、难点： 1.给定逻辑函数，将逻辑函数化为最简 用代数法化简逻辑函数，要求熟练掌握逻辑代数的基本公式和规则，熟练运用四个基本方法—并项法、消项法、消元法及配项法对逻辑函数进行化简。 用图形法化简逻辑函数时，一定要注意卡诺图的循环邻接的特点，画包围圈时应把每个包围圈尽可能画大。 2.卡诺图的灵活应用 卡诺图除用于简化函数外，还可以用来检验化简结果是否最简、判断函数间的关系、求函数的反函数和逻辑运算等。 3.电路的设计 在工程实际中，往往给出逻辑命题，如何正确分析命题，设计出逻辑电路呢？通常的步骤如下： 1.2电子技术基础知识 一、填空 1、电容器的主要技术指标有Vmax、标称电容值、和允许误差范围四只200μF/50V的电容器串联，等效电容量为50μF。 2、三极管的极限参数有Pcm、Icm、BVceo。（集电极、发射极、击穿电压） 3、有一个稳压二极管稳压电路，焊接后挑食时发现其稳压输出端只有0.7伏的电压，经检查元件是好的，出现这种故障的原因是接反。 4、稳压管工作在反向击穿区，稳压管接入电路时，阴极应接电压的正极，阳极接负极，反映稳压管性能的参数时动态电阻。 6、晶闸管三个电极的名称是阳极、阴极和门极。 7、在晶体管放大电路中，反馈信号取自于输出电压，这种反馈叫做电压反馈。 8、三极管放大电路设置静态工作点的目的是获得最大不失真输出。 9、场效应管是通过改变栅源电压来改变漏极电流的，所以它是一个电压控制器件；根据结构的不同，场效应管可分为结型和绝缘栅型两种类型。 10、把集成运放接成负反馈组态是集成运放线性应用的必要条件。而在开环或正反馈时，集成运放工作在非线性工作状态。 11、已知某深度负反馈电路A Ud=100，F=0.1，则A Uf=9。 12、正弦波振荡电路一般由基本放大电路、反馈电路、选频网络和稳压电路等四个环节组成，而且缺一不可。 13、若采用市电供电，则通过变压、整流、滤波和稳压后可得到稳定的直流电。 14、理想运算放大器的开环放大倍数A od为∞，输入阻抗为∞，输出阻抗R od为0，共模抑制比K CMR为∞，频带宽度BW为∞。 15、串联型稳压电源电路包括调整输出、比较放大、采样和基准电位四个环节。 16、一个10位的DAC，输出电压满量程为10V，则它的分辨率为1/（210-1），能分辨的最小电压值为10/210V。 17、TTL电路多余管脚可以悬空，CMOS电路则不能悬空。 18、三极管放大器有共集、共射和共基三种基本组态。 19、多级放大器的级间耦合方式一般有直接耦合、光电耦合和变压器耦合三种。 20、为了抑制直流放大器中的零点漂移，最常采用的方法是差放、温度孔径和负反馈等措施。 21、集成运放按输入方式的不同可分为反相输入、同相输入和差放输入三种形式。 22、运算放大器是一种高增益的多级放大器，其输入级一般采用差分输入，输出级一般采用跟随。 23、RC电路最主要的应用包括耦合、微分和积分三种。 24、最基本的逻辑关系有与门、非门、或门三种。 25、七段数码显示器通常分为共阳和共阴。 1半导体二极管 自我检测题 一．选择和填空 1．纯净的、结构完整的半导体称为 本征半导体，掺入杂质后称 杂质半导体。若掺入五价杂质，其多数载流子是 电子 。 2．在本征半导体中，空穴浓度 C 电子浓度；在N 型半导体中，空穴浓度 B 电子浓度；在P 型半导体中，空穴浓度 A 电子浓度。 （A ．大于，B ．小于，C ．等于） 3. 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 C ，而少数载流子的浓度与 A 关系十分密切。 （A ．温度，B ．掺杂工艺，C ．杂质浓度） 4. 当PN 结外加正向电压时，扩散电流 A 漂移电流，耗尽层 E ；当PN 结外加反向电压时，扩散电流 B 漂移电流，耗尽层 D 。 （A ．大于，B ．小于，C ．等于，D ．变宽，E ．变窄，F 不变 ） 5．二极管实际就是一个PN 结，PN 结具有 单向导电性 ，即处于正向偏置时，处于 导通 状态；反向偏置时，处于 截止 状态。 6. 普通小功率硅二极管的正向导通压降约为_B ，反向电流一般_C_；普通小功率锗二极管的正向导通压降约为_A_，反向电流一般_D_。 （A ．0.1～0.3V ，B ．0.6～0.8V ，C ．小于A μ1，D ．大于A μ1） 7. 已知某二极管在温度为25℃时的伏安特性如图选择题7中实线所示，在温度为 T 1 时的伏安特性如图中虚线所示。在25℃时，该二极管的死区电压为 0.5 伏，反向击穿电 压为 160 伏，反向电流为 10-6 安培。温度T 1 小于 25℃。（大于、小于、等于） 图选择题7 8．PN 结的特性方程是)1(-=T V v S e I i 。普通二极管工作在特性曲线的 正向区 ；稳 压管工作在特性曲线的 反向击穿区 。 二．判断题（正确的在括号画√，错误的画×） 1．N 型半导体可以通过在纯净半导体中掺入三价硼元素而获得。 （ × ） 2．在P 型半导体中，掺入高浓度的五价磷元素可以改型为N 型半导体。 （ √ ） 3．P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。 （ × ） 4．PN 结的漂移电流是少数载流子在电场作用下形成的。 （ √ ） 5．由于PN 结交界面两边存在电位差，所以当把PN 结两端短路时就有电流流过。（ × ） 6．PN 结方程既描写了PN 结的正向特性和反向特性，又描写了PN 结的反向击穿特 性 。 （ × ） 7．稳压管是一种特殊的二极管，它通常工作在反向击穿状态（√ ），它不允许工作在正向导通状态（×）。电子技术基础l练习习题答案(1)
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