项目1 半导体器件的识别与检测(陈振源)

模拟电子技术基础 1章 常用半导体器件题解

第一章 常用半导体器件 自 测 题 一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。 （1）在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。（ ） （2）因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（ ） （3）PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（ ） （4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。 （ ） （5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R G S 大的特点。（ ） （6）若耗尽型N 沟道MOS 管的U G S 大于零，则其输入电阻会明显变小。（ ） 解：（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）× 二、选择正确答案填入空内。 （1）PN 结加正向电压时，空间电荷区将 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （2）设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是 。 A. I S e U B. T U U I e S C. )1e (S －T U U I （3）稳压管的稳压区是其工作在 。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 （4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏 （5）U G S ＝0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有 。 A. 结型管 B. 增强型MO S 管 C. 耗尽型MOS 管 解：（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C

三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。 图T1.3 解：U O1≈1.3V，U O2＝0，U O3≈－1.3V，U O4≈2V，U O5≈1.3V， U O6≈－2V。 四、已知稳压管的稳压值U Z＝6V，稳定电流的最小值I Z mi n＝5m A。求图T1.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。 图T1.4 解：U O1＝6V，U O2＝5V。

电阻器的识别与检测

任务一电阻器的识别与检测 【任务描述】 作为电路中最常用的器件，电阻器，通常简称为电阻。电阻几乎是任何一个电子线路中不可缺少的一种器件，在电路中主要的作用是：缓冲、负载、分压分流、保护等作用。那么如何识别电阻器？如何检测电阻器？下面让我们通过本任务的学习，掌握电阻器的基本知识。 【知识目标】 1、掌握各种电阻器、电位器的种类、作用与标识方法。 2、掌握各种电阻器、电位器的主要参数。 【技能目标】 1、能用目视法判断、识别常见电阻器、电位器的种类，能正确说出各种电阻器、电位器的名称。 2、对电阻器、电位器上标识的主要参数能正确识读，了解该电阻器、电位器的作用和用途。 3、会使用万用表对各种电阻器和电位器进行正确测量并对其质量做出评价。 【技能知识】 电阻器通常简称为电阻,电阻是电子元器件应用最广泛的一种，其质量的好坏对电路的性能有较大影响。电阻的主要用途是稳定和调节电路中的电压和电流，其次还可以作为分流器、分压器和消耗电能的负载等。 一、电阻的分类 在电子电路中常用的电阻分三大类：阻值固定的电阻称为固定电阻或普通电阻；阻值连续可变的电阻称为可变电阻（电位器和微调电阻）；具有特殊作用的电阻器称为敏感电阻（如热敏电阻、

光敏电阻、气敏电阻等）。 按制作材料分类电阻器又可分为：膜式电阻（碳膜RT、金属膜RJ、合成膜RH和氧化膜RY）、实芯电阻（有机RS和无机RN）、金属线绕电阻（RX）、特殊电阻（MG型光敏电阻、MF型热敏电阻）四种。 按制作工艺分类电阻器又可分为：通孔式电阻器和贴片式电阻器两大类。 1、固定电阻的外形及特点（如表1.1.1所示） 表1.1.1 普通电阻的外形及特点 名称 实物图 结构和特点 碳膜电阻 碳膜电阻是以碳膜作为基本材料，利用浸渍或真空蒸发形成结晶的电阻膜（碳膜）,属于通用性电阻。 金属氧化膜电阻 金属氧化膜电阻是在陶瓷机体上蒸发一层金属氧化膜，然后再涂一层硅树脂胶，使电阻的表面坚硬而不易碎坏。 金属膜电阻金属膜电阻以特种稀有金属作为电阻材料，在陶瓷基体上，利用厚膜技术进行涂层和焙烧的方法形成电阻膜。 线绕电阻 线绕电阻是将电阻线绕在耐热瓷体上，表面涂以耐热、耐湿、耐腐蚀的不燃性涂料保护而成。线绕电阻与额定功率相同的薄膜电阻相比，具有体积小的优点，它的缺点是分布电感大。 水泥电阻 水泥电阻也是一种线绕电阻，它是将电阻线绕与无碱性耐热瓷体上，外面加上耐热、耐湿及耐腐蚀材料保护固定而成的。 贴片式电阻 贴片式电阻又称表面安装电阻，是小型电子线路的理想元件。它是把很薄的碳膜或金属合金涂覆到陶瓷基底上，电子元件和电路板的连接直接通过金属封装端面，不需引脚，主要有矩形和圆柱型两种。

常用半导体器件复习题

第1章常用半导体器件 一、判断题（正确打“√”，错误打“×”，每题1分） 1．在N型半导体中，如果掺入足够量的三价元素，可将其改型成为P型半导体。（）2．在N型半导体中，由于多数载流子是自由电子，所以N型半导体带负电。（）3．本征半导体就是纯净的晶体结构的半导体。（） 4．PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（） 5．使晶体管工作在放大状态的外部条件是发射结正偏，且集电结也是正偏。（）6．晶体三极管的β值，在任何电路中都是越大越好。( ) 7．模拟电路是对模拟信号进行处理的电路。( ) 8．稳压二极管正常工作时,应为正向导体状态。( ) 9．发光二极管不论外加正向电压或反向电压均可发光。( ) 10．光电二极管外加合适的正向电压时，可以正常发光。( ) 一、判断题答案：（每题1分） 1．√； 2．×； 3．√； 4．√； 5．×； 6．×； 7．√； 8．×； 9．×； 10．×。

二、填空题（每题1分） 1．N型半导体中的多数载流子是电子，P型半导体中的多数载流子是。2．由于浓度不同而产生的电荷运动称为。 3．晶体二极管的核心部件是一个，它具有单向导电性。 4．二极管的单向导电性表现为：外加正向电压时，外加反向电压时截止。5．三极管具有放大作用的外部条件是发射结正向偏置，集电结偏置。6．场效应管与晶体三极管各电极的对应关系是：场效应管的栅极G对应晶体三极管的基极b，源极S对应晶体三极管，漏极D对应晶体三极管的集电极c。7．PN结加正向电压时，空间电荷区将。 8．稳压二极管正常工作时，在稳压管两端加上一定的电压，并且在其电路中串联一支限流电阻，在一定电流围表现出稳压特性，且能保证其正常可靠地工作。 9．晶体三极管三个电极的电流I E 、I B 、I C 的关系为：。 10．发光二极管的发光颜色决定于所用的，目前有红、绿、蓝、黄、橙等颜色。 二、填空题答案：（每题1分） 1．空穴 2．扩散运动 3．PN结 4．导通 5．反向 6．发射机e 7．变薄 8．反向 9．I E ＝I B ＋I C 10．材料 三、单项选择题（将正确的答案题号及容一起填入横线上，每题1分）

功率半导体器件项目计划书

功率半导体器件项目 计划书 投资分析/实施方案

摘要 功率半导体器件（PowerSemiconductorDevice）也称为电力电子器件，是用于对电流、电压、频率、相位、相数等进行变换和控制，以实现整流（AC/DC）、逆变（DC/AC）、斩波（DC/DC）、开关、放大等各种功能的半 导体电子器件。 该功率半导体器件项目计划总投资16598.29万元，其中：固定资 产投资13595.59万元，占项目总投资的81.91%；流动资金3002.70万元，占项目总投资的18.09%。 本期项目达产年营业收入23518.00万元，总成本费用17854.84 万元，税金及附加307.74万元，利润总额5663.16万元，利税总额6752.03万元，税后净利润4247.37万元，达产年纳税总额2504.66万元；达产年投资利润率34.12%，投资利税率40.68%，投资回报率 25.59%，全部投资回收期5.41年，提供就业职位468个。

功率半导体器件项目计划书目录 第一章项目总论 一、项目名称及建设性质 二、项目承办单位 三、战略合作单位 四、项目提出的理由 五、项目选址及用地综述 六、土建工程建设指标 七、设备购置 八、产品规划方案 九、原材料供应 十、项目能耗分析 十一、环境保护 十二、项目建设符合性 十三、项目进度规划 十四、投资估算及经济效益分析 十五、报告说明 十六、项目评价 十七、主要经济指标

第二章项目建设背景及必要性分析 一、项目承办单位背景分析 二、产业政策及发展规划 三、鼓励中小企业发展 四、宏观经济形势分析 五、区域经济发展概况 六、项目必要性分析 第三章项目建设规模 一、产品规划 二、建设规模 第四章项目选址评价 一、项目选址原则 二、项目选址 三、建设条件分析 四、用地控制指标 五、用地总体要求 六、节约用地措施 七、总图布置方案 八、运输组成 九、选址综合评价

电力半导体器件项目计划书

电力半导体器件项目 计划书 投资分析/实施方案

报告说明— 该电力半导体器件项目计划总投资4483.86万元，其中：固定资产投资3971.48万元，占项目总投资的88.57%；流动资金512.38万元，占项目总投资的11.43%。 达产年营业收入4480.00万元，总成本费用3463.82万元，税金及附加74.58万元，利润总额1016.18万元，利税总额1230.92万元，税后净利润762.13万元，达产年纳税总额468.78万元；达产年投资利润率 22.66%，投资利税率27.45%，投资回报率17.00%，全部投资回收期7.38年，提供就业职位100个。 电力电子技术作为一种通过高效转换提供高质量电能、实现节能环保和提高人民生活质量的重要技术，已经成为弱电控制与强电运行相结合、信息技术与先进制造技术相融合、实现智慧化升级不可或缺的重大关键核心技术，属关键共性技术领域。电力电子技术是能源高效转换领域的核心技术，包括电力半导体器件、变流电路和控制技术三个部分，其中电力半导体器件是基础，变流电路是电力电子技术的核心。电力半导体器件在我国又常被称为功率半导体器件，电力半导体器件是现代电力电子装置的心脏，其功能包括变频、变压、变流、功率放大和功率管理等，通过对电能高效地产生、传输、转换、存储和控制，降低电路损耗，提高能源利用效率，实现节能和传统产业信息化。电力半导体器件在国民经济工业部门和

社会生活各方面应用广泛，在电力工业领域未来发展建设中起到至关重要的作用。新能源发电、直流输电、储能、新型配电、智能电网等都会用到电力半导体器件。

第一章基本情况 一、项目概况 （一）项目名称及背景 电力半导体器件项目 （二）项目选址 xxx产业示范基地 项目建设方案力求在满足项目产品生产工艺、消防安全、环境保护卫生等要求的前提下尽量合并建筑；充分利用自然空间，坚决贯彻执行“十分珍惜和合理利用土地”的基本国策，因地制宜合理布置。 （三）项目用地规模 项目总用地面积14440.55平方米（折合约21.65亩）。 （四）项目用地控制指标 该工程规划建筑系数54.36%，建筑容积率1.04，建设区域绿化覆盖率6.29%，固定资产投资强度183.44万元/亩。 （五）土建工程指标

任务1THTSMT电阻器的识别与检测

厦门技师学院实习教案用纸 课程名称电子工艺与技能训练授课教师陈建禄 课题名称任务1 THT/SMT电阻器的识别与检测 实训电阻器的识别和检测及模拟万用 表欧姆档的使用 审批签字 年月日 目的要求1、了解实训操作安全要点 2、识别与了解电阻器、电位器电容器的型号、参数和分类 3、熟练使用万用表对电阻器、电位器的质量进行检测 授课班级14华大电子授课日期2014-09-15 总课时 6 讲课与示范时间4+1 实作时间 1 实习前准备实 习 材 料 、 工 量 具 、 仪 器 1、电子实习工具人手1套； 2、数字万用表UT-51型25台； 3、各式电阻器件各25支； 实 习 图 纸 详见正文

第 1 页 厦门技师学院实习教案用纸 教学环节教学内容

组织教学新课导入 教学过程 讲授 （1）检查学生的出勤情况； （2）强调实训操作安全守则； （3）检查实训设备和仪器是否正常、完整。 1、讲解电子工艺与技能训练这门课程要学习的主要内容 2、了解本学期学习的主要内容和要完成的实训任务 电子工艺与技能训练学习的主要内容 1、常用电子元器件的识别与检测 2、电子元器件的焊接工艺 3、无线电装配准备工艺基础 4、电子常用材料的熟悉 5、常用仪器仪表介绍和使用 6、综合电子电路设计和制作 实训操作安全教育 1实训要求 ●上课前： 准备好书本、笔记等学习用品以及有关的实训材料、工具等 不带与实训无关的物品到实训室。 ●上课时： 先检查实训设备是否完好，发现问题及时向老师报告 实训过程保持眼到、心到、手到，特别注意实训安全注意事项 保持实训环境整洁有序 ●下课后： 整理好个人物品、收拾好桌面、打扫好实训室 ●课后： 认真复习、完成相关作业、适当做点电子小制作 人身安全 1、用电：触电、灼伤、电气火灾。 2、操作：摔伤、割伤、夹伤、烙伤、其他伤害。 设备安全 1、用电：过压、过流、短路、过热、电气火灾。 2、操作：脱落、误操作、ESD、其他伤害。 第 2 页

半导体器件芯片生产线项目可研

半导体器件芯片生产线项目可行性研究报告 二零二零年八月

目录 第一章总论 (1) 1.1项目名称 (1) 1.2项目承办单位 (1) 1.3报告编制依据 (1) 1.4项目拟建地点 (1) 1.5建设内容与建设规模 (2) 1.6项目建设期限 (2) 1.7投资估算与资金筹措 (2) 1.8社会效益情况 (2) 1.9研究结论 (3) 第二章项目建设背景及必要性 (4) 2.1项目建设背景 (4) 2.2项目建设的必要性 (6) 第三章市场分析 (9) 3.1行业分析 (9) 3.2产品市场分析 (10) 第四章建设条件 (15) 4.1建设地址 (15) 4.2建设条件 (15) 4.3建设条件分析结论 (16)

5.1设计依据 (17) 5.2项目技术方案 (18) 5.3项目设备选型 (23) 5.4工程方案 (25) 5.5总图布置 (29) 第六章节能节水 (31) 6.1设计依据和标准 (31) 6.2能耗指标计算分析 (31) 6.3节能措施和效果分析 (32) 6.4节水措施和效果分析 (34) 第七章环境影响评价 (35) 7.1环境保护设计依据 (35) 7.2环境保护原则 (35) 7.3环境影响分析 (36) 7.4环境保护措施方案 (38) 7.4环境影响评价 (43) 第八章组织机构 (44) 8.1组织机构 (44) 8.2劳动定员 (45) 8.3人员培训 (45) 8.4劳动制度 (45)

9.1项目招投标 (47) 9.2项目建设工期和施工进度 (48) 第十章投资估算与资金筹措 (50) 10.1投资估算 (50) 10.2资金筹措方式 (53) 第十一章财务评价 (54) 11.1评价基础数据 (54) 11.2财务评价指标的计算 (55) 11.3不确定性分析 (56) 11.4财务评价综合结论 (56) 第十二章社会效益评价 (58) 12.1降低成本，提升国产化市场占有率 (58) 12.2掌握核心技术，不再受制于人 (58) 12.3助力“大国”崛起，提升国际话语权 (59) 第十二章研究结论及建议 (60) 12.1研究结论 (60) 12.2建议 (60)

公路工程试验检测仪器设备校准指南

公路工程试验检测仪器设备校准指南 常用非强检设备校准方法 目录 1.4 电动击实仪校准方法（JTJZ 01-04） (2) 1.7 CBR试验装置校准方法（JTJZ 01－07） (4) 2.8容量筒校准方法（JTJZ 02-08） (6) 3.1透气比表面积仪校准方法（JTJZ 03-01） (8) 3.2水泥负压筛析仪校准方法（JTJZ 03-02） (10) 3.4量水器校准方法（JTJZ 03-04） (12) 3.6雷氏夹校准方法（JTJZ 03－06） (15) 3.13坍落度测定仪校准方法（JTJZ 03-13） (17) 3.16水泥混凝土抗渗仪校准方法（JTJZ 03-16） (19) 3.18水泥砂浆分层度仪校准方法（JTJZ 03-18） (22) 3.19水泥混凝土试模、砂浆试模校准方法（JTJZ 03-19） (24) 5.1 灌砂筒校准方法（JTJZ 05-01） (27) 5.6玻璃器皿校准方法（JTJZ 05-06） (29) 游标卡尺：最大量程不小于200 mm，分度值0.02 mm。 钢直尺：量程不少于500 mm，分度值1 mm。 塞尺：0.02~2 mm。 电子天平：量程不小于2000g，感量为0.01g。 电子天平：量程不小于5000g，感量为1g。 电子天平：量程不小于15kg，感量为1g。

分析天平：量程不小于100g，感量为0.0001g。 电子秤或磅秤：量程不小于50kg，感量为5g。 1.4 电动击实仪校准方法（JTJZ 01-04） 1 适用范围 本方法适用于电动击实仪的校准，参照《土工击实仪检定规程》[JJG（交通）058－2004]编制。 2 技术要求 2.1 仪器应带有名牌（包括仪器名称、型号规格、出厂编号、出厂日期、制造厂等）、合格证、使用说明书。 3 校准项目 3.1 外观检查。 3.2 击实锤质量。 3.3 击实锤落高。 3.4 击实锤锤头直径。 3.5 击实锤体的侧母线与击实筒内壁的间隙。 3.6 击实筒几何尺寸。 4 校准环境及校准器具 4.1 校准环境：环境温度为（25±10）℃，相对湿度不大于85%，校准现场应洁净，周围无影响结果的振动、污染、腐蚀性气体。 4.2 校准器具： 4.2.1 电子天平：量程不小于5000g，感量为1g。 4.2.2 钢直尺：量程不小于500mm，分度值为1mm。 4.2.3 游标卡尺：最大量程不小于200 mm，分度值0.02 mm。 4.2.4 塞尺：0.02~2 mm。 5 校准方法 5.1 外观检查：按本方法2.1条要求对仪器的外观进行检查。

最新1章常用半导体器件题解09677汇总

1章常用半导体器件题解09677

第一章常用半导体器件 自测题 一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。 （1）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（） （2）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（） （3）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（） （4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。 解：（1）√（2）×（3）√（4）× 二、选择正确答案填入空内。 （1）PN结加正向电压时，空间电荷区将。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （2）设二极管的端电压为U，则二极管的电流方程是。 A. I S e U B. ?Skip Record If...? C. ?Skip Record If...? （3）稳压管的稳压区是其工作在。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 （4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏 解：（1）A （2）C （3）C （4）B 三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。

图T1.3 解：U O1≈1.3V，U O2＝0，U O3≈－1.3V，U O4≈2V，U O5≈1.3V， U O6≈－2V。 四、已知稳压管的稳压值U Z＝6V，稳定电流的最小值I Zmin＝5mA。求图T1.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。 图T1.4 解：U O1＝6V，U O2＝5V。 六、电路如图T1.6所示，V CC＝15V，β＝100，U BE＝0.7V。试问： （1）R b＝50kΩ时，u O＝？ （2）若T临界饱和，则R b≈？ 解：（1）R b＝50kΩ时，基极电流、集电 极电流和管压降分别为 ?Skip Record If...?μA ?Skip Record If...? 所以输出电压U O＝U CE＝2V。 图T1.6 （2）设临界饱和时U CES＝U BE＝0.7V，所以 ?Skip Record If...?

项目8 常用半导体器件练习题

项目8 常用半导体器件性能与测试 任务8.1 二极管的性能与测试 一、判断题 1.漂移运动是少数载流子运动而形成的。（√） 2.PN结正向电流的大小由温度决定的。（×） 3.PN结内的扩散电流是载流子的电场力作用下形成的。（×） 4.因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（×） 5.PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（√） 6.处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。（×） 7.在外电场作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。（√） 8.P型半导体中，多数载流子是电子，少数载流子是空穴。（×） 9.晶体二极管有一个PN结，所以有单向导电性。（√） 10.晶体二极管的正向特性也有稳压作用。（√） 11.硅稳压管的动态电阻小，则稳压管的稳压性能愈好。（√） 12.将P型半导体和N型半导体用一定的工艺制作在一起，其交界处形成PN 结。（√） 13.稳压二极管按材料分有硅管和锗管。（×） 14.用万用表欧姆挡的不同量程去测二极管的正向电阻，其数值是相同的。（×） 15.二极管的反向电阻越大，其单向导电性能越好。（×） 16.用500型万用表测试发光二极管，应选R×10K挡。（√） 二、选择题 1.在本征半导体中掺入微量的（ D ）价元素，形成N型半导体。 A.二 B.三 C.四 D.五 2.在P型半导体中，自由电子浓度（ C ）空穴浓度。 A.大于 B.等于 C.小于 D.无法确定 3.本征半导体温度升高以后，（ C ）。 A.自由电子增多，空穴数基本不变

B.空穴数增多，自由电子数基本不变 C.自由电子数和空穴数都增多，且数目相同 D.自由电子数和空穴数都不变 4.空间电荷区是由（ C ）构成的。 A.电子 B.空穴 C.离子 D.分子 5.PN结加正向电压时，空间电荷区将（ A ）。 A.变窄 B.基本不变 C.变宽 D.无法确定 6.稳压管的稳压区是其工作在（ C ）。 A.正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 D.都有可能 7.当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（ A ）。 A.增大 B.不变 C.减小 D.都有可能 8.当环境温度升高时，晶体二极管的反向电流将（ A ）。 A.增大 B.减小 C.不变 D.无法确定 9.测量小功率晶体二极管性能好坏时，应把万用表欧姆档拨到（ A ）。 A.R×100或R×1K B.R×1 C.R×10K D.R×100 10.半导体中的空穴和自由电子数目相等，这样的半导体称为（ B ）。 A.P型半导体 B.本征半导体 C.N型半导体 D.无法确定 11.稳压管的稳压性能是利用（ B ）实现的。 A．PN结的单向导电性 B.PN结的反向击穿特性 C．PN结的正向导通特性 D.本征半导体 12.二极管的正向电阻（ B ）反向电阻。 A.大于 B.小于 C.等于 D.不确定 13.某二极管反向击穿电压为140V，则它的最高反向工作电压为（ C ）。 A.280V B.140V C.70V D.40V 14.考虑二极管正向压降为0.7V时，输出电压U0为（ B ）。 A．-14.3V B．-0.7V C.-12V D．-15V 15.P型半导体中多数载流子是（ D ）。 A．正离子 B．负离子 C．自由电子 D.空穴 16.N型半导体中多数载流子是（ C ）。 A．正离子 B．负离子 C．自由电子 D.空穴

试验检测仪器设备一览表资料

试验检测仪器设备一览表 第页共页 序号公司控制 仪器设备 编号 设备名称型号规格生产厂家生产日期量程或规格编号 仪器设 备负责 人 数量备注 1 S1 微机控制电液伺服万能试 验机 WAW-30 0B 浙江辰鑫机械设备有限公司2014-3-15 一级精度140301 2 S2 微机控制压力试验机 W AW-1000 B 浙江辰鑫机械设备有限公司2010-01 最大负荷1000KN 20101 3 S3 连续式标点机LB-40 浙江上虞市道墟实达试验仪 器厂 2006-06 1CM 1949 4 S4 微机控制压力试验机YAW-200 浙江辰鑫机械设备有限公司2013-10 最大负荷2000KN 131005 5 S5 微机控制压力试验机YAW-300 D 浙江辰鑫机械设备有限公司2013-09 最大负荷300KN 130908 6 S6 标准养护恒温恒湿控制仪BYSF-40 浙江华南仪器设备有限公司2013-11 131115 7 S7 砼振实台试验机ZHJ100 浙江辰鑫机械设备有限公司2013-11 50±3HZ 131101 8 S8 强制式单卧混凝土搅拌机SJD-60 浙江辰鑫机械设备有限公司2013-11 最大进料70L 最大出料60L 131101 9 S9 混凝土贯入阻力仪ZC-1A浙江上虞市新光仪器设备厂2013-11 20-1500牛 1牛 1301

序号公司控制 仪器设备 编号 设备名称型号规格生产厂家生产日期量程或规格编号 仪器设 备负责 人 数量备注 10 S10 卧轴式砂浆搅拌机SJZ15 上海上迈电子仪器有限公司2011-01 最大进料22L 最大出料15L 030 11 S11 自动调压砼抗渗仪HS-4S 上海英松工矿设备仪器有限 公司 2011-03 10mm 1156 12 S12 电热恒温干燥箱101-4A 上海天缘试验仪器厂2000-05 温度范围10℃-300℃222 13 S13 水压直读式含气量测定仪CA-3 上海路达实验仪器有限公司2009-05 含气量≤8％2736 14 S14 砂浆稠度仪SZ-145天津建工仪器厂2011-8 14.5CM 0051 15 S15 集料筛200 上虞市道墟冲压筛具厂2012/5 111 16 S16 震击式标准振筛机ZBSX92 A 浙江省上虞市胜飞试验机械 厂 2001-07 摆动次数221min-1 112 17 S17 洛杉矶磨耗机MH-II 绍兴市上虞区道墟建筑机械 厂 2014-7 30-33rpm 0903 18 S18 加速磨光机JM-III 沐阳县华通高速公路仪器有 限公司 2009-06 320±5转090611 19 S19 针片状规准仪国标河北虹宇仪器2009-6 000 20 S20 压碎值仪北方检测仪器厂 2002-8 21 S21 细集料流动时间测定仪BES-1 上虞市探矿仪器厂2009-05 2128

电力半导体器件项目规划设计方案

电力半导体器件项目规划设计方案 规划设计/投资分析/实施方案

报告说明— 该电力半导体器件项目计划总投资14020.72万元，其中：固定资产投 资10613.77万元，占项目总投资的75.70%；流动资金3406.95万元，占项目总投资的24.30%。 达产年营业收入30850.00万元，总成本费用23889.54万元，税金及 附加271.95万元，利润总额6960.46万元，利税总额8192.47万元，税后 净利润5220.35万元，达产年纳税总额2972.13万元；达产年投资利润率49.64%，投资利税率58.43%，投资回报率37.23%，全部投资回收期4.19年，提供就业职位622个。 传统型的电力半导体器件主要指高压直流阀用晶闸管，其在许多关键 领域仍具有不可替代的作用。尤其是随着特高压直流输电、SVC等变流装置容量的不断加大，对高压大电流的高端传统型器件等需求巨大，这就要求 行业内企业通过研发，不断突破大功率晶闸管的电压电流等级，以适应不 断增大的变流装置容量。在新型电力半导体器件方面，随着我国高压变频、交流传动机车/动车组、城市轨道交通等技术发展和市场需求的增加，对集 成门极换流晶闸管（IGCT）、绝缘栅双极晶体管（IGBT）的需求非常紧迫 且需求量也非常大。

目录 第一章项目总论 第二章项目建设单位基本情况第三章建设背景及必要性分析第四章项目建设方案 第五章选址评价 第六章项目工程设计说明 第七章工艺说明 第八章环境保护和绿色生产第九章项目安全卫生 第十章投资风险分析 第十一章项目节能概况 第十二章实施计划 第十三章项目投资估算 第十四章项目盈利能力分析 第十五章项目结论 第十六章项目招投标方案

【精品】模拟电子技术基础第1章 常用半导体器件题解

第一章常用半导体器件 自测题 一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×"表示判断结果填入空内。 （1）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体.（） （2)因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。() （3)PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（） (4）处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。

（) （5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R G S大的特点。（） （6）若耗尽型N沟道MOS管的U G S大于零，则其输入电阻会明显变小。（） 解:（1）√(2)×（3）√（4）×(5）√（6)× 二、选择正确答案填入空内。 (1）PN结加正向电压时,空间电荷区将. A。变窄B.基本不变C。变宽

（2）设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是. A.I S e U B.T U U I e S C.)1e (S －T U U I (3)稳压管的稳压区是其工作在. A.正向导通 B.反向截止C 。反向击穿 （4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为。 A.前者反偏、后者也反偏 B 。前者正偏、后者反偏 C.前者正偏、后者也正偏 （5)U G S ＝0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有。 A.结型管B 。增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管 解：(1）A(2)C （3）C(4)B(5）AC

三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0。 7V。 图T1。3 解:U O1≈1。3V，U O2＝0,U O3≈－1.3V，U O4≈2V，U O5≈1。3V， U O6≈－2V。 四、已知稳压管的稳压值U Z＝6V,稳定电流的最小值I Z m i n＝5mA。求图T1。4所示电路中U O1和U O2各为多少伏. 图T1.4 解：U O1＝6V，U O2＝5V。

功率半导体器件项目投资计划与经济效益分析

功率半导体器件项目投资计划与经济效益分析 一、项目背景 （一）全球制造业发展呈现新趋势。 新一代信息技术与制造业深度融合，正在引发制造模式、生产组织方式和产业形态的深刻变革，数字化、网络化、智能化、服务化与绿色化成为制造业发展新趋势。泛在连接和普适计算将无所不在，虚拟化技术、3D打印、工业互联网、大数据等技术将重构制造业技术体系，如3D打印将新材料、数字技术和智能技术植入产品，使产品的功能极大丰富，性能发生质的变化；在互联网、物联网、云计算和大数据等泛在信息的强力支持下，制造商、生产服务商、用户在开放、共用的网络平台上互动，大规模个性化订制生产将逐步取代大批量流水线生产；基于信息物理系统的智能工厂将成为未来制造的主要形式，重复和一般技能劳动将不断被智能装备和智能生产方式所替代。随着产业价值链重心由生产端向研发设计、营销服务等环节的转移，产业形态将从生产型制造向服务型制造转变。网络众包、异地协同设计、精准供应链管理等正在构建企业新的竞争优势；全生命周期管理、总集成总承包、互联网金融、电子商务等加速重构产业价值链新体系。

制造业重新成为全球经济竞争的制高点，各国纷纷制定以重振制 造业为核心的再工业化战略。美国从2011年起陆续出台《美国先进制 造业伙伴关系计划》《美国先进制造业国家战略计划》《美国制造业 创新网络计划》，力求促进美国先进制造业的发展、提高美国制造业 全球竞争力。德国在2013年出台《德国工业4.0战略实施建议》，力 求使德国成为先进智能制造技术的创造者和供应者。日本在2014年出 台《日本制造业白皮书》，力求通过重振国内制造业复苏日本经济。 英国在2015年出台《英国制造业2050》，力求重振英国制造业并提升国际竞争力。法国在2013年出台《“新工业法国”战略》，力求通过 创新重塑工业实力，使法国处于全球工业竞争力第一梯队。 （二）我国制造业发展面临新形势。 制造业发展迎来新机遇。2015年，我国工业增加值达到22.9万亿元，制造业产出占世界比重超过20%，在500余种主要工业产品中，我国有220多种产品产量位居世界第一，是全球第一制造大国。随着新 型工业化、信息化、城镇化、农业现代化同步推进，需求潜力加速释放，为我国制造业发展提供了广阔空间。各行业新的装备需求、人民 群众新的消费需求、社会管理和公共服务新的民生需求、国防建设新 的安全需求，都要求制造业在重大技术装备创新、消费品质量和安全、

模拟电子技术基础第1章 常用半导体器件题解(童诗白)

第一章 常用半导体器件（童诗白） 自 测 题 一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。 （1）在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。（ ） （2）因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（ ） （3）PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（ ） （4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。 （ ） （5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R G S 大的特点。（ ） （6）若耗尽型N 沟道MOS 管的U G S 大于零，则其输入电阻会明显变小。（ ） 解：（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）× 二、选择正确答案填入空内。 （1）PN 结加正向电压时，空间电荷区将 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （2）设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是 。 A. I S e U B. T U U I e S C. )1e (S －T U U I （3）稳压管的稳压区是其工作在 。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 （4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏 （5）U G S ＝0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有 。 A. 结型管 B. 增强型MOS 管 C. 耗尽型MOS 管 解：（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C

三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。 图T1.3 解：U O1≈1.3V，U O2＝0，U O3≈－1.3V，U O4≈2V，U O5≈1.3V， U O6≈－2V。 四、已知稳压管的稳压值U Z＝6V，稳定电流的最小值I Z mi n＝5mA。求图T1.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。 图T1.4 解：U O1＝6V，U O2＝5V。

最新电阻器的识别与测量一体化教案

电阻器的识别与测量一体化教案 一、电阻器的基础知识 引入新课：（和学生互动，复习和讲解相结合） 请同学们回顾电工基础课和电子技术课中都学了哪些电阻器的内容？（让学生分组讨论，然后选第二组一名同学起立说明，其他组补充，然后老师讲评并由此引出本次课程的学习内容） 1、电阻器的用途： 稳定和调节电路中的电流和电压，电阻在电子产品中使用最多的是分压、降压、分流、限流、滤波（与电容组合）和阻抗匹配。 2、电阻器的分类、性能与特点 常见固定电阻器的外形如图2—1（讲课时用实物和PPT结合演示）： 图2—1 固定电阻器实物图 可变电阻器的外形图（讲课时用结合实物和PPT结合演示）： 必备知识

图2—2 可变电阻器实物图 敏感电阻的外形图（讲课时用结合实物和PPT结合演示） 图2—3 敏感电阻器实物图 常用电阻的性能与特点见表2—1 电阻名称性能与特点 碳膜电阻稳定性高，噪声小，应用广泛。阻值范围：1Ω-10MΩ 金属膜电阻体积小，噪声小，稳定性高，温度系数小,耐高温，精度高，但脉冲负载稳定性差。阻值范围：0.1Ω-620MΩ 线绕电阻体积小，噪声小，稳定性高，温度系数小,耐高温，精度很高，功率大（可达500W）。但高频性能差，体积大，成本高。阻值范围：0.1Ω-5MΩ

【记忆窍门】 用背景颜色可以区别电阻器的种类：浅色（淡绿、浅兰、浅棕）表示碳膜电阻器，红色、棕色表示金属膜电阻器，深绿、灰色表示线绕电阻器。 3、电阻器的主要性能参数，见表2—2

4、电阻器的命名方法 根据国家标准GB/T2470—1995《电子设备用固定电阻器、固定电容器型号命名方法》的规定，电阻器的型号由以下4部分组成：第一部分表示主称；第二部分表示材料；第三部分表示分类特征；第四部分表示序号，如图2—4所示，详细内容见下表。 图2—4 电阻命名方法 表2—3 电阻器的型号命名方法 第一部分第二部分第三部分第四部分用字母表示主称用字母表示材料用数字或字母表示类别或额定功率序号 字母含义字母含义数字或字母含义数字额定功率用数字表示 R RP 电阻器 电位器 C 沉积膜 或高频瓷 1 普通 0.125 1/8W 用个位数或无数字 表示 2 普通或 阻燃 F复合膜 3 或C 超高频 0.25 1/4W H合成碳膜 4 高阻 I玻璃釉膜 5 高温 0.5 1/2W J金属膜7或J 精密 N无机实心8 高压 1 1W S有机实心9 特殊 T碳膜G 高功率 2 2W U硅碳膜L 测量 X线绕T 可调 3 3W Y氧化膜 X 小型 C 防潮 5 5W O玻璃膜Y 被釉 B 不燃性10 10W 例如RJ71-0.125－5.1kⅠ型的命名含义：R表示电阻器；J表示金属膜；7表示精密；1表示序号；0.125表示额定功率；5.1k表示标称阻值；Ⅰ表示误差5%。

2章 常用半导体器件及应用题解

第二章常用半导体器件及应用 一、习题 2.1填空 1. 半导材料有三个特性，它们是、、。 2. 在本征半导体中加入元素可形成N型半导体，加入元素可形成P型半导体。 3. 二极管的主要特性是。 4．在常温下，硅二极管的门限电压约为V，导通后的正向压降约为V；锗二极管的门限电压约为V，导通后的正向压降约为V。 5．在常温下，发光二极管的正向导通电压约为V，考虑发光二极管的发光亮度和寿命，其工作电流一般控制在mA。 6. 晶体管(BJT)是一种控制器件；场效应管是一种控制器件。 7. 晶体管按结构分有和两种类型。 8. 晶体管按材料分有和两种类型。 9. NPN和PNP晶体管的主要区别是电压和电流的不同。 10. 晶体管实现放大作用的外部条件是发射结、集电结。 11. 从晶体管的输出特性曲线来看，它的三个工作区域分别是、、。 12. 晶体管放大电路有三种组态、、。 13. 有两个放大倍数相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。在负载开路的条件下，测得A放大器的输出电压小，这说明A 的输入电阻。 14．三极管的交流等效输入电阻随变化。 15．共集电极放大电路的输入电阻很，输出电阻很。 16．射极跟随器的三个主要特点是、、。 17．放大器的静态工作点由它的决定，而放大器的增益、输入电阻、输出电阻等由它的决定。 18．图解法适合于，而等效电路法则适合于。 19．在单级共射极放大电路中，如果输入为正弦波，用示波器观察u o和u i的波形的相位关系为；当为共集电极电路时，则u o和u i的相位关系为。 20. 在NPN共射极放大电路中，其输出电压的波形底部被削掉，称为失真，原因是Q点(太高或太低)，若输出电压的波形顶部被削掉，称为失真，原因是Q 点(太高或太低)。如果其输出电压的波形顶部底都被削掉，原因是。 21．某三极管处于放大状态，三个电极A、B、C的电位分别为9V、2V和1.4V，则该三极管属于型，由半导体材料制成。 22．在题图P2.1电路中，某一元件参数变化时，将U CEQ的变化情况(增加；减小；不变)填入相应的空格内。 (1) R b增加时，U CEQ将。 (2) R c减小时，U CEQ将。 (3) R c增加时，U CEQ将。 (4) R s增加时，U CEQ将。 (5) β增加时(换管子)，U CEQ将。

常用半导体器件习题考答案

第7章 常用半导体器件 习题参考答案 7-1 计算图所示电路的电位U Y （设D 为理想二极管）。 （1）U A ＝U B ＝0时； （2）U A ＝E ，U B ＝0时； （3）U A ＝U B ＝E 时。 解：此题所考查的是电位的概念以及二极管应用的有关知识。从图中可以看出A 、B 两点电位的相对高低影响了D A 和D B 两个二极管的导通与关断。 当A 、B 两点的电位同时为0时，D A 和D B 两个二极管的阳极和阴极（U Y ）两端电位同时为0，因此均不能导通；当U A ＝E ，U B ＝0时，D A 的阳极电位为E ，阴极电位为0（接地），根据二极管的导通条件，D A 此时承受正压而导通，一旦D A 导通，则U Y ＞0，从而使D B 承受反压（U B ＝0）而截止；当U A ＝U B ＝E 时，即D A 和D B 的阳极电位为大小相同的高电位，所以两管同时导通，两个1k Ω的电阻为并联关系。本题解答如下： （1）由于U A ＝U B ＝0，D A 和D B 均处于截止状态，所以U Y ＝0； （2）由U A ＝E ，U B ＝0可知，D A 导通，D B 截止，所以U Y ＝E ? +9 19＝109E ； （3）由于U A ＝U B ＝E ，D A 和D B 同时导通，因此U Y ＝E ?+5.099＝1918E 。 7-2 在图所示电路中，设D 为理想二极管，已知输入电压u i 的波形。试画出输出电压u o 的波形图。 解：此题的考查点为二极管的伏安特性以及电路的基本知识。 首先从（b ）图可以看出，当二极管D 导通时，电阻为零，所以u o ＝u i ；当D 截止时，电阻为无穷大，相当 于断路，因此u o ＝5V ，即是说，只要判断出D 导通与否， 就可以判断出输出电压的波形。要判断D 是否导通，可 以以接地为参考点（电位零点），判断出D 两端电位的高 低，从而得知是否导通。 u o 与u i 的波形对比如右图所示： 7-3 试比较硅稳压管与普通二极管在结构和运用上有 何异同 （参考答案：见教材） 7-4 某人检修电子设备时，用测电位的办法，测出管脚①对地电位为－；管脚②对地电位

电阻器和电位器的识别与检测

项目二电阻器和电位器的识别与检测 【本项目学习目标】 ●知道电阻器和电位器的作用及种类； ●能描述电阻器和电位器的参数及参数标注方法，并正确识别其参数； ●会正确识别各种电阻器及功用； ●能正确筛选和检测各种电阻器、电位器； ●能正确识别贴片电阻器参数。

任务一电阻器的认识 任务描述 在电子产品生产、检测维护中，会发现电路板上有很多电子元器件，这些元器件直接影响电子产品的正常工作，每一种元器件都有特定的功能和作用，我们必须清楚的认识这些元器件，才能使这些元器件的基本功能和作用得以充分的发挥，使电子产品能正常工作，所以我们先来认识一种叫电阻器的元件，它是电子产品中的主要元器件之一。 任务分析 电阻器的种类多，外部特征各有不同，只有通过对电阻器表面的型号、参数的识别，才能灵活地使用各种电阻器，发挥电阻器在电路中应有的功能。本任务就是通过观察电阻器的实物和图片，知道电阻器的作用、种类、参数及参数标注方法。 任务实施 物体对电流通过的阻碍作用称为电阻，利用了这种阻碍作用做成的元件称为电阻器，电阻器在电路中具有分流、分压、绥冲、负载、保护、检测等作用。 活动一认识电阻器型号命名及电阻器种类、符号 根据国标GB2471-81规定，固定电阻器型号命名由四个部分构成，如下所示：

例如：RJ71为精密金属膜固定电阻器、 RX81为高压线绕固定电阻器、RTG6为高功率碳膜固定电阻器。 常用电阻器种类及在电路中的符号见表2-1。 表2-1 常用电阻器种类、符号 碳膜 电阻器 金属膜 电阻器 金属氧化 膜电阻器 有机实芯 电阻器

气敏电阻器

在电子产品中还有如下两种电阻器：