12~18GHz GaAs MMIC低噪声放大器设计

12~18GHz GaAs MMIC低噪声放大器设计

孙博文[1];王磊[1];陈庆[1];方堃[1];杨漫菲[1];

【期刊名称】《太赫兹科学与电子信息学报》

【年(卷),期】2019(017)002

【摘要】采用GaAs工艺设计了一个12~18GHz毫米波单片集成电路(MMIC)低噪声放大器(LNA)。采用三级单电源供电放大结构,运用最小噪声匹配设计、共轭匹配技术和负反馈结构,同时满足了噪声系数、增益平坦度和输出功率等要求。仿真表明:在12~18GHz的工作频带内,噪声系数为1.15~1.41dB,增益为27.9~29.1dB,输出1dB压缩点达到15dBm,输入、输出电压驻波比(VSWR)系数小于1.72。

【总页数】4页(P.348-351)

【关键词】Ku波段;毫米波单片集成电路;低噪声放大器;GaAs工艺

【作者】孙博文[1];王磊[1];陈庆[1];方堃[1];杨漫菲[1];

【作者单位】[1]电子科技大学电子工程学院,四川成都611731;[1]电子科技大学电子工程学院,四川成都611731;[1]电子科技大学电子工程学院,四川成都611731;[1]电子科技大学电子工程学院,四川成都611731;[1]电子科技大学电子工程学院,四川成都611731;

【正文语种】英文

【中图分类】TN722.3

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