二极管习题
第一章整流滤波电路
一、填空题
1、（1-1，低）把P型半导体N型半导体结合在一起，就形成。
2、（1-1，低）半导体二极管具有单向导电性，外加正偏电压，外加反偏电压。
3、（1-1，低）利用二极管的，可将交流电变成。
4、（1-1，低）根据二极管的性，可使用万用表的R×1K挡测出其正负极，一般其正反向的电阻阻值相差越越好。
5、（1-1，低）锗二极管工作在导通区时正向压降大约是，死区电压是。
6、（1-1，低）硅二极管的工作电压为，锗二极管的工作电压为。
7、（1-1，中）整流二极管的正向电阻越，反向电阻越，表明二极管的单向导电性能越好。
8、（1-1，低）杂质半导体分型半导体和型半导体两大类。
9、（1-1，低）半导体二极管的主要参数有、，此外还有、、等参数，选用二极管的时候也应注意。
10、（1-1，中）当加到二极管上的反向电压增大到一定数值时，反向电流会突然增大，此现象称为现象。
11、（1-1，中）发光二极管是把能转变为能，它工作于状态；光电二极管是把能转变为能，它工作于状态。
12、（1-2，中）整流是把转变为。滤波是将转变为。电容滤波器适用于的场合，电感滤波器适用于的场合。
13、（1-1，中）设整流电路输入交流电压有效值为U2，则单相半波整流滤波电路的输出直流电压U L（A V）= ，单相桥式整流电容滤波器的输出直流电压U L（A V）= ，单相桥式整流电感滤波器的输出直流电压U L（A V）= 。
14、（1-1，中）除了用于作普通整流的二极管以外，请再列举出2种用于其他功能的二极管：，。
15、（1-1，低）常用的整流电路有和。
16、（1-2，中）为消除整流后直流电中的脉动成分，常将其通过滤波电路，常见的滤波电路有，，复合滤波电路。
17、（1-2，难）电容滤波器的输出电压的脉动τ与有关，τ愈大，输出电压脉动愈，输出直流电压也就愈。
18、（1-2，中）桥式整流电容滤波电路和半波整流电容滤波电路相比，由于电容充放电过程
（a.延长，b.缩短），因此输出电压更为（a.平滑，b.多毛刺），输出的直流电压幅度也更（a.高，b.低）。
二、选择题
1、（1-1，低）具有热敏特性的半导体材料受热后，半导体的导电性能将。
A、变好
B、变差
C、不变
D、无法确定
2、（1-1，中）P型半导体是指在本征半导体中掺入微量的。
A、硅元素
B、硼元素
C、磷元素
D、锂元素
3、（1-1，中）N型半导体是指在本征半导体中掺入微量的。
A、硅元素
B、硼元素
C、磷元素
D、锂元素
4、（1-1，难）PN结加正向电压时，空间电荷区将。
A、变窄
B、基本不变
C、变宽
D、无法确定
5、（1-1，低）二极管正向电阻比反向电阻。
A、大
B、小
C、一样大
D、无法确定
6、（1-1，中）二极管的导通条件。
A、u D>0
B、u D>死区电压
C、u D>击穿电压
D、以上都不对
7、（1-1，中）晶体二极管内阻是。
A、常数
B、不是常数
C、不一定
D、没有电阻
8、（1-1，中）电路如图所示，输出电压U O应为。
A、0.7V
B、3.7V
C、10V
D、0.3V
9、（1-1，中）把一个二极管直接同一个电动势为1.5V，内阻为零的电池正向连接，该二极管。A、击穿B、电流为零C、电流正常D、电流过大使管子烧坏
10、（1-1，中）下面列出的几条曲线中，哪条表示的理想二极管的伏安特性曲线。
A B C D
11、（1-1，低）二极管的反向饱和电流在室温20o C时是5 μA，温度每升高10o C，其反向饱和电流值增大一倍，当温度为30o C时，反向饱和电流值为。
A、5 μA
B、10 μA
C、20 μA
D、30 μA
12、（1-1，中）将交流电压Ui经单相半波整流电路转换为直流电压Uo的关系是。
A、Uo=Ui
B、Uo=0.45Ui
C、Uo=0.5Ui
D、Ui
13、（1-1，中）三极管三个极的对地电位分别是-6 V、-3 V、-3.2 V，则该管是。
A、PNP硅管
B、NPN锗管
C、NPN硅管
D、PNP锗管
14、（1-1，中）NPN型三极管，三个电极的电位分别有V C=3.3 V，V E=3 V，V B=3.7 V，则该管工作在。
A、饱和区
B、截止区
C、放大区
D、击穿区
15、（1-1，中）用万用表欧姆挡测量小功率晶体二极管性能好坏时，应把欧姆挡拨到。
A、R×100Ω或R×1KΩ
B、R×1Ω
C、R×10Ω
D、R×100Ω
16、（1-1，中）当环境温度升高时，二极管的反向电流将。
A、减少
B、增大
C、不变
D、缓慢减少
17、（1-1，中）如图所示，设二极管为理想状态，则电压V AB为。
A、3V
B、6V
C、-3V
D、-6V
18、（1-1，难）如图所示的电路中，理想二极管D1、D2的工作状态为。
A、D1、D2均导通
B、D1截止，D2导通
C、D1、D2均截止
D、D1导通，D2截止
19、（1-1，中）二极管从反向到正向导通所需时间t1，从正向导通到反向截止所需要的时间t2,则t1和t2的关系是
A、相等
B、t1远大于t2
C、t1远小于t2
D、t1略小于t2
20、（1-1，中）将交流220V经单相半波整流电路转换为直流电压的值为。
A、110V
B、0.45×220V C×220V D、220V
21、（1-1，中）问以下哪种情况中，二极管会导通。
A、B、
C、D、
22、（1-1，难）用万用表测量小功率二极管极性时，应选用。
A、直流电压挡量程5V
B、直流电流挡量程100mA
C、交流电压挡量程10V
D、电阻挡量程R×100
23、（1-1，中）当万用表不同欧姆挡去测量二极管正反向电阻时，获得的结果差异较大，这是因为。
A、该管已坏
B、万用表各挡有差异
C、二极管的电阻可变
D、二极管的伏安特性是非线性
24、（1-1，难）二极管在反向截止区的反向电流。
A、随反向电压升高而升高
B、随反向电压升高而急剧升高
C、基本保持不变
D、随反向电压升高而减少
25、（1-1，中）某晶体二极管的正、反向电阻都很小或为零时，则该二极管。
A、正常
B、已被击穿
C、内部短路
D、内部开路
26、（1-1，难）已知输入正弦波Ui，欲获取图示输出波形Uo，应选取的合适电路是。
A、B、
C、 D
27、（1-1，难）两只相同的灯泡L1、L2接在如图所示的电路中，则。
A、L1比L2亮
B、L2比L1亮
C、L1、L2一样亮
D、以上答案都不对
28、（1-1，难）若PN结两侧的杂质浓度高，则形成的PN结。
A、反向漏电流小，反向击穿电压低
B、反向漏电流小，反向击穿电压高
C、反向漏电流大，反向击穿电压高
D、反向漏电流大，反向击穿电压低
29、（1-1，低）在 单 相 半 波 整 流 电 路 中， 所 用 整 流 二 极 管 的 数 量 是 。 A 、四 只 B 、三只 C 、二 只 D 、一 只 30、（1-1，难）在 整 流 电 路 中 ， 设 整 流 电 流 平 均 值 为I 0， 则 流 过 每 只 二 极 管 的 电 流 平 均 值 I I D 0= 的 电 路 是 。
A 、单 相 桥 式 整 流 电 路
B 、单 相 半 波 整 流 电 路
C 、单 相 全 波 整 流 电 路
D 、以上都不行 31、（1-1，难）设 整 流 变 压 器 副 边 电 压u U t 222=
sin ω，欲 使 负 载 上 得 到 图 示 整 流 电
压 的 波 形， 则 需 要 采 用 的 整 流 电 路 是 。 A 、 单 相 桥 式 整 流 电 路
B 、 单 相 全 波 整 流 电 路
C 、 单 相 半 波 整 流 电 路
D 、以上都不行
2U
32、（1-2，难）整 流 滤 波 电 路 如 图 所 示， 负 载 电 阻 R L 不 变， 电 容 C 愈 大， 则 输 出 电 压 平 均 值U O 应 。
A 、不 变
B 、愈 大
C 、愈 小
D 、无法确
定
u O
-
33、（1-2，难）单 相 半 波 整 流 、 电 容 滤 波 电 路 中， 设 变 压 器 副 边 电 压 有 效 值 为U 2， 则
整 流 二 极 管 承 受 的 最 高 反 向 电 压 为 。
A 、222U
B 、22U
C 、
U 2 D 、2 U 2
～
u O
-
三、判断题
1、二极管的内部结构实质就是一个PN 结。（ ）
2、在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。（ ）
3、因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（）
4、（1-1，中）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（）
5、（1-1，低）硅二极管的热稳定性比锗二极管好。（）
6、普通二极管正向使用也有稳压作用。（）
7、（1-1，低）P型半导体带正电，N型半导体带负电。（）
8、（1-1，中）二极管反向漏电流越小，表明二极管单向导电性越好。（）
9、（1-1，低）二极管仅能通过直流，不能通过交流。（）
10、（1-1，中）对于实际的晶体二极管，当加上正向电压时它立即导通，当加上反向电压时，它立即截止。（）
11、（1-1，中）用数字万用表识别晶体二极管的极性时，若测的是晶体管的正向电阻，那么与标有“+”号的表笔相连接的是二极管正极，另一端是负极。（）
12、（1-2，低）任何电子电路都需要直流电源供电，因此需要直流稳压电源（）
13、（1-2，中）电容滤波效果是由电容器容抗大小决定的（）
14、（1-2，中）电容滤波器广泛运用于负载电流小且变化量不大的场合（）
四、简答
1、（1-1，低）什么是PN结？PN结有什么特性？
2、（1-1，低）欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？
3、（1-1，中）为什么说二极管是一种非线形元件？什么是二极管的伏安特性？它的伏安特性曲线是如何绘制的？
4、（1-1，低）什么是二极管的死区电压？硅管和锗管的死区电压值约为多少？
5、（1-1，低）为什么二极管可以当着一个开关来使用？
6、（1-1，中）选用二极管时候主要考虑哪些参数？这些参数的含义是什么？
7、（1-2，中）什么叫整流？什么叫滤波？其各自组成的基本原理是什么？
五、计算题
1、（1-1，低）电路如图1.1所示，试确定二极管是正偏还是反偏。设二极管正偏时的正向
压降为0.7V，估算U A、U B、U C、U D、U AB、U CD。
2、（1-1，低）电 路 如 图 所 示 ， 试 分 析 当 u I V =3 时， 哪 些 二 极 管 导 通？ u I V =0时， 哪 些 二 极 管 导 通？（ 写 出 分 析 过 程 并 设 二 极 管 正 向 压 降 为0.7 V ）。
D 1
D 2
D 3
4
3、（1-1，低）根据图(b)中给出的U A 、U B ，分析图(a)所示电路中二极管的工作状态，求U o 的值，并将结果添入图(b)中。设二极管正向压降为0.7V 。
4、（1-1，低）计算下图所示电路的电位U Y（设D为理想二极管）。
（1）U A＝U B＝0时；
（2）U A＝E，U B＝0时；
（3）U A＝U B＝E时。
5、（1-1，中）在下图所示电路中，设D为理想二极管，已知输入电压u i的波形。试画出输出电压u o的波形图。
6、（1-1，中）如图所示电路中，设E=5V、υi=10sinωt，二极管的正向压降可忽略不计，试
画出输出电压υo的波形，并在波形上标出幅值。
7、（1-1，中）写出图T1.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。
8、（1-1，难）如图所示电路中，υi=10sinωtV，二极管是理想的，试画出输出电压υo 的波形。
9、（1-1，低）如图所示电路中，设E=5V、υi=10sinωt，二极管的正向压降可忽略不计，试画出输出电压υo的波形，并在波形上标出幅值。
10、（1-1，中）请根据输入信号画出电路的输出波形。
11、（1-2，中）为了安全，机床上常用36V直流电压供电的白炽灯作为照明光源，假设变压器输出侧采用半波整流电路,那么变压器输出侧电压值为多少？
12、（1-2，难）整流滤波电路如图所示，二极管是理想元件，电容C F
=500μ，负载电阻
R L
k
=5Ω，开关S
1闭合、
S
2断开时，直流电压表
()
V的读数为1414.V，求：
(1) 开关S1闭合、S2断开时，直流电流表()
A的读数 ;
(2) 开关S1断开、S2闭合时，直流电流表()
A的读数 ;
A的读数。 (设电流表内阻为零，电压表内阻为(3) 开关S1、S2均闭合时，直流电流表()
无穷大 )。
+
u
1
-
六、实践题
1、（1-1，低）如何用万用表的欧姆档来辨别一只二极管的阴、阳两极？（提示：模拟万用表的黑表笔接表内直流电源的正极，红表笔接负极）
2、（1-1，中）有人用万用表测二极管的反向电阻时，为了使表笔和管脚接触良好，用两只手捏紧被测二极管脚与表笔接触处，测量结果发现二极管的反向阻值比较小，认为二极管的性能不好，但二极管在电路中工作正常，试问这是什么原因？
3、（1-1，低）能否用1.5V的干电池，以正向接法直接加至二极管的两端？估计会出现什么问题？你认为应该怎样解决？
4、（1-1，中）在用万用表R×10，R×100，R×1000三个欧姆档测量某个二极管的正向电阻时，
共测得三个数值：4kΩ,85Ω,680Ω。试判断它们各是哪一档测出的。
二极管练习题
《电子技术基础》石家庄市第十一中学 第1 页 共 3 页 《二极管及其应用》 章节测验 一、选择 1、本征半导体又叫（ ） A 、普通半导体 B 、P 型半导体 C 、掺杂半导体 D 、纯净半导体 2、锗二极管的死区电压为（ ） A 、0.3V B 、0.5V C 、1V D 、0.7V 3、如下图所示的四只硅二极管处于导通的是（ ） -5.3V -6V -6V -5.3V 0V -0.7V 4、变压器中心抽头式全波整流电路中，每只二极管承受的最高反向电压为（ ） A 、U 2 B 、2 U 2 C 、1.2 U 2 D 、22 U 2 5、在有电容滤波的单相半波整流电路中，若要使输出的直流电压平均值为60V ，则变压器的次级低电压应为（ ） A 、50V B 、60V C 、72V D 、27V 6、在下图所示电路中，正确的稳压电路为（ ） 7、电路如图7所示，三个二极管的正向压降均可忽略不计，三个白炽灯规格也一样，则最亮的白炽灯是( ) A ．A B ．B C ．C D ．一样亮 8、图8所示电路，二极管导通电压均为0.7V ，当V1=10V ，V 2=5V 时， （1）判断二极管通断情况( ) A ．VD1导通、VD2截止 B ．VD1截止、VD2 导通 C ．VD1、VD2均导通 D ．VD1、VD2 均截 （2）输出电压VO 为( ) A ．8.37V B ．3. 87V C ．4.3V D ．9.3V 9．分析图9所示电路，完成以下各题 （1）变压器二次电压有效值为10 V ，则V1为( ) A ．4.5V B ．9V C ．12V D ．14V (2)若电容C 脱焊,则V1为( ) A ．4.5V B ．9V C ．12V D ．14V (3)若二极管VD1接反，则( ) A ．VD1、VD2或变压器烧坏 B ．变为半波整流 C ．输出电压极性反转，C 被反向击穿 D ．稳压二极管过流而损坏 （4）若电阻R 短路，则( ) A ．VO 将升高 B ．变为半波整流 C ．电容C 因过压而击穿 D ．稳压二极管过流而损坏 二、判断 （ ）1、本征半导体中没有载流子。 （ ）2、二极管的反向电流越大说明二极管的质量越好。 （ ）4、RC π型滤波器的特点是：滤波效果好，有直流损耗，带负载能力差。 （ ）5、使用发光二极管时，要加正向电压；使用光敏和稳压二极管时要加反向电压。 A B C D R L R L B C D 图9
半导体二极管及其应用
第1章半导体二极管及其应用 本章要点 ●半导体基础知识 ●PN结单向导电性 ●半导体二极管结构、符号、伏安特性及应用 ●特殊二极管 本章难点 ●半导体二极管伏安特性 ●半导体二极管应用 半导体器件是近代电子学的重要组成部分。只有掌握了半导体器件的结构、性能、工作原理和特点，才能正确地选择和合理使用半导体器件。半导体器件具有体积小、重量轻、功耗低、可靠性强等优点，在各个领域中得到了广泛的应用。半导体二极管和三极管是最常用的半导体器件，而PN结又是组成二极管和三极管及各种电子器件的基础。本章首先介绍有关半导体的基础知识，然后将重点介绍二极管的结构、工作原理、特性曲线、主要参数以及应用电路等，为后面各章的学习打下基础。 1.1 PN结 1.1.1 半导体基础知识 1. 半导体特性 自然界中的各种物质，按其导电能力划分为：导体、绝缘体、半导体。导电能力介于导体与绝缘体之间的，称之为半导体。导体如金、银、铜、铝等；绝缘体如橡胶、塑料、云母、陶瓷等；典型的半导体材料则有硅、锗、硒及某些金属氧化物、硫化物等，其中，用来制造半导体器件最多的材料是硅和锗。 半导体之所以用来制造半导体器件，并不在于其导电能力介于导体与绝缘体之间，而在于其独特的导电性能，主要表现在以下几个方面。 (1) 热敏性：导体的导电能力对温度反应灵敏，受温度影响大。当环境温度升高时，其导电能力增强，称为热敏性。利用热敏性可制成热敏元件。 (2) 光敏性：导体的导电能力随光照的不同而不同。当光照增强时，导电能力增强，称为光敏性。利用光敏性可制成光敏元件。 (3) 掺杂性：导体更为独特的导电性能体现在其导电能力受杂质影响极大，称为掺杂性。这里所说的“杂质”，是指某些特定的纯净的其他元素。在纯净半导体中，只要掺入极微量的杂质，导电能力就急剧增加。一个典型的数据是：如在纯净硅中，掺入百万分之
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二级管电路习题选 1 在题1.1图所示电路中，U0电压为（）。 （a）12V （b）-9V （c）-3V 2 在题1.2图所示电路中，所有二极管均为理想元件，则D1、D2、D3的工作状态为（）。 （a）D1导通，D2、D3截止（b）D1、D2截止，D3导通 （c）D1、D3截止，D2导通 题1.1图题1.2图 3 在题1.3图所示电路中，所有二极管均为理想元件，则D1、D2的工作状态为（）。 （a）D1导通，D2、截止（b）D1、D2均导通（c）D1、截止，D2导通 题1.3图题1.4图 4 在题1.4图所示电路中，D1、D2为理想元件，则电压U0为（）。（a）3V （b）5V （c）2V 5 电路如题1.5图（a）所示，二极管D为理想元件，输入信号u i为图（b）所示的三角波，则输出电压u0的最大值为（）。 （a）5V （b）17V （c）7V
（a）(b) 题1.5图 6 在题1.6图所示电路中，二极管为理想元件，u A=3v,u B=2sinωtV,R=4KΩ,则u F等于( ). （a）3V （b）2sinωtV （c）3+2sinωtV 题1.6图题1.7图 7 在题1.7图所示电路中，二极管为理想元件，则输出电压U0为（）。（a）3V （b）0V （c）－12V 8 在题1.8图（1）所示电路中，二极管D为理想元件，设u1=2sinωtV,稳压二极管D Z的稳定电压为6V，正向压降不计，则输出电压u0的波形为图（2）中的波形（）。 (1) (2)
9 在题1.9图所示电路中，稳压二极管D Z2的稳定电压为6V，D Z2的稳定电压为12V，则输出电压U0等于（）。 （a）12V （b）6V （c）18V 10 在题1.10图所示电路中，稳压二极管D Z1和 D Z2的稳定电压分别为6V和9V，正向电压降都是0.7V。则电压U0等于（）。 （a）3V （b）15V （c）－3V 11 在题1.11图所示电路中，稳压二极管D Z1的稳定电压U Z1=12V,D Z2的稳定电压U Z2=6V，则电压U0等于（）。 （a）12V （b）20V （c）6V 12 已知某晶体管处于放大状态，测得其三个级的电位分别为6V、9V和6.3V，则6V所对应的电极为（a ）。 （a）发射极（b）集电极（c）基极 13晶体管的工作特点是（ a ）。 一、（a）输入电流控制输出电流（b）输入电流控制输出电压选 择题 1．在N型半导体中，多数载流子为电子，N型半导体（） A、带正电 B、带负电 C、不带电 D、不能确定 2．如果在NPN型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结也为正向偏置，则此管的工作状态为（） A、放大状态 B、饱和状态 C、截止状态 D、不能确定 3．在一个放大电路中，测得某三极管各极对地的电位为U1=3V，U2=﹣3V，U3=﹣2.7V，则可知该管为（）。 A. PNP锗管 B. NPN硅管 C. NPN锗管 D. PNP硅管 4、已知某三极管的三个电极电位为6V, 2.7V, 2V, 则可判断该三极管的类型及工作状态为（）。 A、NPN型，放大状态 B、PNP型，截止状态 C、NPN型，饱和状态 D、PNP型，放大状态 5.已知某晶体管处于放大状态，测得其三个极的电位分别为 6V、9V 和 6.3V，则 6V所对应的电极为（）。
3 半导体二极管的识别检测与选用(二)
[复习提问] 1、半导体二极管的结构、符号及分类？ 2、半导体二极管的重要特性是什么？ [导入新课]二极管是电路中的关键器件，种类繁多，应用十分广泛，识别常用半导体二极管，掌握检测质量及选用方法是学习电子技术必须掌握的一项基本技 能，下面我们来学习相关知识。 [讲授新课] 1.1半导体二极管的识别、检测与应用（二） 九、二极管的型号命名 1、国产二极管 国产二极管的型号命名分为五个部分，各部分的含义见下表。 第一部分用数字“2”表示主称为二极管。 第二部分用字母表示二极管的材料与极性。 第三部分用字母表示二极管的类别。 第四部分用数字表示序号。
例如： 2、日本半导体器件的型号命名(JIS-C-7012工业标准)由五部分组成,各部分含义见下表。 第一部分用数字表示器件的类型或有效电极数。 第二部分用字母S表示该器件已在日本电子工业协会（JEIA）注册登记。 第三部分用字母表示器件的类别。 第四部分用数字表示登记序号。 第五部分用字母表示产品的改进序号。 日本半导体器件型号命名及含义
例如： 2SA733（PNP型高频晶体管）2SC4706（NPN型高频晶体管）2——三极管2——三极管 S——JEIA注册产品S——JEIA注册产品A——PNP型高频管C——NPN型高频管733——JEIA登记序号4706——JEIA登记序号 3、美国半导体器件型号命名由四部分组成。各部分的含义见下表。 第一部分用数字表示器件的类别。 第二部分用字母“N”表示该器件已在EIA注册登记。 第三部分用数字表示该器件的注册登记号。 第四部分用字母表示器件的规格号。 美国半导体器件型号命名及含义 例如： lN 4007 2N 2907 A l——二极管2——晶体管 N——ElA注册标志N——ElA注册标志 4007——ElA登记号2907——ElA登记号 A——规格号 1、整流二极管 整流二极管主要用于整流电路，即把交流电变换 成脉动的直流电。整流二极管都是面结型，因此结 电容较大，使其工作频率较低。一般为3kHZ以下。 从封装上看，有塑料封装和金属封装两大类。常用 的整流二极管有2CZ型、2DZ型、IN400 X型及用于 高压、高频电路的 2DGL型等。
(完整版)二极管试题(打印版)(可编辑修改word版)
永州综合职业中专学校电子技术基础 半导体二极管及整流滤波电路试题 班级: 、姓名 、得分 。 一、填空题 1、纯净的半导体称为 ，它的导电能力很 。在纯净的半导体中掺 入少量的 价元素，可形成 P 型半导体，其中多数载流子为 ，少数载流子为 。 2、在本征半导体中掺入 价元素，可形成 N 型半导体，其中多数载流子为 ，少数载流子为 。 3、如图，这是 材料的二极管的 曲线，在正向电压超过 V 后，正常导通后，此管的正向压降约 为 V 。当反向电压增大到 V 时 ， 即称为 电压时，反 向电流会急剧增大，该现象为 。其中 稳压管一般工作在 区。 V(v 4、二极管的主要特性是 ，具体指：给二极管加 电压，二极管导通；给二极管加 电压，二极管截止。 5、PN 结的单向导电性指 。 6、二极管的主要参数有 、 和 。 7、用模拟式万用表欧姆档测二极管的正、反向电阻时，若两次测得的阻值都较小，则表明二极管内部 ；若两次测得的阻值都较大，则表明二极管内部 。两次测的阻值相差越大，则说明二极管的 性能越好。 8、整流是指 。 9、 有 一 直 流 负 载 R L =9Ω ， 需 要 直 流 电 压 V L =45V,现 有 2CP21(I FM =3000mA,V RM =100V)和 2CP33B(I FM =500mA, V RM =50V) 两种型号的二极管若, 采用桥式整流电路，应选用 型二极管 只。 10、滤波器的作用是将整流电路输出的 中的 成分滤去，获得比较 的直流电,通常接在 电路的后面。它一般分为 、 和 三类。 二、判断题 1、( )将 P 型半导体和 N 型半导体的接触并连在一起，就会形成 PN 结。 2、（ ）P 型半导体可通过纯净半导体中掺入五价磷元素获得。 3、（ ）P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。 4、（ ）硅二极管死区电压是 0.3V ，正向压降是 0.7V 。 5、（ ）硅的导通电压为 0.3V ，锗的导通电压为 0.7V 。 6、（ ）二极管只要加上了正向电压，就一定能导通。 7、（ ）二极管正向使用时不能稳压。 8、（ ）电感滤波器一般常用于负载电流较小的场合。 9、（ ）电容滤波器实质上是在整流电路负载电阻旁串联一个电容器，常选用于负载电流较小的场合。 10、（ ）稳压二极管一般工作在反向击穿区。
二极管练习题
《二极管及其应用》章节测验 一、选择 1、本征半导体又叫（） A、普通半导体 B、P型半导体 C、掺杂半导 体 D、纯净半导体 2、锗二极管的死区电压为（） A、0.3V B、0.5V C、1V D、0.7V 3、如下图所示的四只硅二极管处于导通的是（） D C B A -5.3V -6V -6V -5.3V -5V -5V 0V -0.7V
4、变压器中心抽头式全波整流电路中，每只二极管承受的最高反向电压为（） A、U2 B、 U2 C、1.2 U2 D、2 U2 5、在有电容滤波的单相半波整流电路中，若要使输出的直流电压平均值为60V，则变压器的次级低电压应为（） A、50V B、60V C、 72V D、27V 6、在下图所示电路中，正确的稳压电路为（）
7、电路如图7所示，三个二极管的正向压降均可忽略不计，三个白炽灯规格也一样，则最亮的白炽灯是( ) A．A B．B C．C D．一样亮 8、图8所示电路，二极管导通电压均为0.7V，当V1=10V，V 2=5V时， （1）判断二极管通断情况( ) A．VD1导通、VD2截止 B．VD1截止、VD2 导通 C．VD1、VD2均导通 D．VD1、VD2均截 （2）输出电压VO为( ) A．8.37V B．3. 87V C．4.3V D．9.3V 9．分析图9所示电路，完成以下各题
（1）变压器二次电压有效值为10 V，则V1为( ) A．4.5V B．9V C．12V D．14V (2)若电容C脱焊,则V1为( ) A．4.5V B．9V C．12V D．14V (3)若二极管VD1接反，则( ) A．VD1、VD2或变压器烧坏 B．变为半波整流C．输出电压极性反转，C被反向击穿 D．稳压二极管过流而损坏 （4）若电阻R短路，则( ) A．VO将升高 B．变为半波整流 C．电容C因过压而击穿 D．稳压二极管过流而损坏 二、判断 （）1、本征半导体中没有载流子。 （）2、二极管的反向电流越大说明二极管的质量越好。
二极管习题
12.5习题详解 12-1电路如图12-15所示，求电位U 0，二极管的正向压降忽略不计。 解：因为压差大的二极管优先导通，所以VD 1先导通，导通后U O =0V ，VD 2、 VD 3截止。 12-2 在图12-16中，试求下列几种情况下的输出端电位V 0及各元件中流过的电流： （1）U A =+10V,U B =0V;(2)U A =+6V ,U B =+5.8V;(3)U A =U B =+5V 。设二极管的正向电阻为零，反 向电阻为无穷大。 解：（1）二极管VD 1导通，则 O 910V 9V 19 U =? =+ O VD1R 39A 910V I I R ===? 3110A 1mA -=?= VD 2截止，VD20I =。 （2）设VD 1和VD 2两管都导通，应用结点电压法计算U O ： 6 5.811.8911V V 5.59V 5.8V 11119119 O U +?===<++ 可见VD 2管能导通。
3VD136 5.59A 0.4110A 0.41mA 110 I --= =?=? 3VD235.8 5.59A 0.2110A 0.21mA 110 I --==?=? 335.59A 0.6210A 0.62mA 910R I -==?=? (3) VD 1和VD 2两管都能导通 O 5511V 4.74V 111119 U + ==++ 3O R 34.74A 0.5310A 0.53mA 910 V I R -===?=? R VD1VD20.53mA 0.26mA 22 I I I ==== 12—3 求图12-17所示各电路的输出电压值，设二极管正向压降U D ＝0.7V 。 解： U O1≈3V —0.7V=2.3V （VD 导通） ；U O2＝0 （VD 截止）；U O3≈—3V+0.7V=－2.3V （VD 导通）；U O4≈3V （VD 截止）；U O5≈3V —0.7V=2.3V （VD 导通）；U O6≈－3V （VD 截止）。 12-4电路如图12-18所示，已知u i ＝5sin ωt (V)，二极管压降不计，试画出u i 与u O 的波形， 并标出幅值。 解：（a ）u i >2V 时,VD 导通，o 2V u =；u i <2V 时，VD 截止，u o =u i 。 (b) u i >2V 时,VD 截止，o 2V u =；u i <2V 时，VD 导通，u o =u i 。
半导体二极管-练习题1
半导体二极管练习题1 一、单选题(每题1分) 1.用模拟指针式万用表的电阻档测量二极管正向电阻，所测电阻是二极管的＿＿电阻，由于不同量程时通过二极管的电流，所测得正向电阻阻值。 A. 直流，相同，相同 B. 交流，相同，相同 C. 直流，不同，不同 D. 交流，不同，不同 2.杂质半导体中（）的浓度对温度敏感。 A. 少子 B. 多子 C. 杂质离子 D. 空穴 3. PN结形成后，空间电荷区由（）构成。 A. 电子和空穴 B. 施主离子和受主离子 C. 施主离子和电子 D. 受主离子和空穴 4.硅管正偏导通时，其管压降约为（）。 A 0.1V B 0.2V C 0.5V D 0.7V 5.在PN结外加正向电压时，扩散电流漂移电流，当PN结外加反向电压时，扩散电流漂移电流。 A. 小于，大于 B. 大于，小于 C. 大于，大于 D. 小于，小于 6.杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于（）。 A. 温度 B. 掺杂工艺 C. 掺杂浓度 D. 晶体缺陷 7.当温度升高时，二极管正向特性和反向特性曲线分别（）。 A. 左移，下移 B. 右移，上移 C. 左移，上移 D. 右移，下移 8.设二极管的端电压为U，则二极管的电流方程为（）。 A. U I e S B. T U U I e S C. )1 e( S － T U U I D. 1 e S － T U U I 9.下列符号中表示发光二极管的为（）。 A B C D
10.在25oC时，某二极管的死区电压U th≈0.5V，反向饱和电流I S≈0.1pA，则在35oC 时，下列哪组数据可能正确：（）。 A U th≈0.525V，I S≈0.05pA B U th≈0.525V，I S≈0.2pA C U th≈0.475V，I S≈0.05pA D U th≈0.475V，I S≈0.2pA 11.稳压二极管工作于正常稳压状态时，其反向电流应满足( )。 A. I D = 0 B. I D < I Z且I D > I ZM C. I Z > I D > I ZM D. I Z < I D < I ZM 12.从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（）时处于正偏导通状态。 A. 0 B. 死区电压 C. 反向击穿电压 D. 正向压降 二、判断题(每题1分) 1.因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（） 2. PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（） 3.在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（） 4.稳压管正常稳压时应工作在正向导通区域。（） 5.二极管在工作电流大于最大整流电流I F时会损坏。（） 6.二极管在反向电压超过最高反向工作电压U RM时会损坏。（） 7.二极管在工作频率大于最高工作频率f M时会损坏。（） 三、填空题(每题1分) 1.二极管反向击穿分电击穿和热击穿两种情况，其中是可逆的，而会损坏二极管。 2.温度升高时，二极管的导通电压，反向饱和电流。 3.普通二极管工作时通常要避免工作于，而稳压管通常工作于。 4.硅管的导通电压比锗管的，反向饱和电流比锗管的。 5.本征半导体掺入微量的五价元素，则形成型半导体，其多子为，少子
二极管,三极管部分习题集
模拟电子技术部分习题及答案 ——直流稳压电源项目 一、二极管与三极管的基础知识 二极管习题 一、熟悉概念与规律 1．半导体 2．P型半导体 3．N型半导体 4．PN结 5．单向导电性 6．整流二极管 7．稳压二极管 8．发光二极管 9．开关特性 10．三极管 11．三极管的饱合特性 12．三极管的截止特性 13．三极管的放大特性 二、理解与计算题 1．当温度升高时，二极管的正向压降_ 变小，反向击穿电压变小。 2．硅稳压二极管并联型稳压电路中，硅稳压二极管必须与限流电阻串联，此限流电阻的作用是（C——调压限流）。 A、提供偏流 B、仅限流电流 C、兼有限流和调压两个作用 3. 有两个2CW15 稳压管，一个稳压值是8V，另一个稳压值是7.5V，若把两管的正极 并接，再将负极并接，组合成一个稳压管接入电路，这时组合管的稳压值是（B—— 7.5V）。 8V；B、7.5V；C、15.5V 4．稳压管DW稳压值为5.3V，二极管VD正向压降0.7V，当VI 为12V时，DW和VD 是否导通，V0 为多少？R电阻的作用。
答：DW和VD 不导通，V0 为5.3V，R电阻的作用是分压限流。 5．下图中D1-D3为理想二极管，A，B，C灯都相同，试问哪个灯最亮？（） 6．在图所示的电路中，当电源V=5V 时，测得I=1mA。若把电源电压调整到V=10V，则电流的大小将_____。 A.I=2mA B.I<2mA C.I>2mA 7．图所示电路，设Ui=sinωt(V)，V=2V，二极管具有理想特性，则输出电压Uo 的波形应为图示_______图。 8．图所示的电路中，Dz1 和Dz2 为稳压二极管，其稳定工作电压分别为6V 和7V，且具有理想的特性。由此可知输出电压Uo 为_______。 9．二极管最主要的特性是____________，它的两个主要参数是反映正向特性的 ____________和反映反向特性的____________。 10．图所示是一个输出6V 正电压的稳压电路，试指出图中有哪些错误，并在图上加以改正。
半导体二极管及其基本电路
第二章半导体二极管及其基本电路 本章内容简介 半导体二极管是由一个PN结构成的半导体器件,在电子电路有广泛的应用。本章在简要地介绍半导体的基本知识后，主要讨论了半导体器件的核心环节——PN 结。在此基础上，还将介绍半导体二极管的结构、工作原理,特性曲线、主要参数以及二极管基本电路及其分析方法与应用。最后对齐纳二极管、变容二极管和光电子器件的特性与应用也给予简要的介绍。（一）主要内容: ?半导体的基本知识 ?PN结的形成及特点，半导体二极管的结构、特性、参数、模型及应用电路 （二）基本要求: ?了解半导体材料的基本结构及PN结的形成 ?掌握PN结的单向导电工作原理 ?了解二极管（包括稳压管）的V-I特性及主要性能指标 （三）教学要点： ?从半导体材料的基本结构及PN结的形成入手，重点介绍PN结的单向导电工作原理、 ?二极管的V-I特性及主要性能指标
2.1 半导体的基本知识 2.1.1 半导体材料 根据物体导电能力(电阻率)的不同，来划分导体、绝缘体和半导体。导电性能介于导体与绝缘体之间材料，我们称之为半导体。在电子器件中，常用的半导体材料有：元素半导体，如硅（Si）、锗（Ge）等；化合物半导体，如砷化镓（GaAs）等；以及掺杂或制成其它化合物半导体材料，如硼（B）、磷（P）、锢（In）和锑（Sb）等。其中硅是最常用的一种半导体材料。 半导体有以下特点： 1．半导体的导电能力介于导体与绝缘体之间 2．半导体受外界光和热的刺激时，其导电能力将会有显著变化。 3．在纯净半导体中，加入微量的杂质，其导电能力会急剧增强。 2.1.2 半导体的共价键结构 在电子器件中，用得最多的半导体材料是硅和锗，它们的简化原子模型如下所示。硅和锗都是四价元素，在其最外层原子轨道上具有四个电子，称为价电子。由于原子呈中性，故在图中原子核用带圆圈的+4符号表示。半导体与金属和许多绝缘体一样，均具有晶体结构，它们的原子形成有排列，邻近原子之间由共价键联结，其晶体结构示意图如下所示。图中表示的是晶体的二维结构，实际上半导体晶体结构是三维的。 硅和锗的原子结构简化模型及晶体结构
二极管习题
二极管电路习题 一、选择题 1、在题图所示电路中，U A0电压为（） （a）12V （b）-9V （c）-3V 2 在题图所示电路中，所有二极管均为理想元件，则 D1、D2、D 3 的工作状态为（）。（a）D1 导通，D2、D3 截止（b）D1、D2 截止，D3 导通 （c）D1、D3 截止，D2 导通 3 在题图所示电路中，所有二极管均为理想元件，则 D1、D2 的工作状态为（）。 （a）D1 导通，D2、截止（b）D1、D2 均导通 （c）D1、截止，D2 导通 4 在题图所示电路中，D1、D2 为理想元件，则电压 U0 为（） （a）3V （b）5V （c）2V 5 电路如题图（a）所示，二极管 D 为理想元件，输入信号 ui 为图（b）所示的三角波，则输出电压 u0 的最大值为（）。 （a）5V （b）17V （c）7V 6 在题图所示电路中，二极管为理想元件，uA=3v,uB=2sinωtV,R=4KΩ,则 uF 等于( ). （a）3V （b）2sinωtV （c）3+2sinωtV 7 在题图所示电路中，二极管为理想元件，则输出电压 U0 为（） （a）3V （b）0V （c）－12V 8 在题图（1）所示电路中，二极管 D 为理想元件，设u1=2sinωtV,稳压二极管 DZ 的稳定电压为 6V，正向压降不计，则输出电压 u0 的波形为图（2）中的波形（） 12 9 ( R V A O 题图
9 在题图所示电路中，稳压二极管 DZ2 的稳定电压为 6V，DZ2 的稳定电压为 12V，则输出 电压 U0 等于（）。 （a）12V （b）6V （c）18V 10 在题图所示电路中，稳压二极管 DZ1 和 DZ2 的稳定电压分别为 6V 和 9V，正向电压 降都是。则电压 U0 等于（）。（a）3V （b）15V （c）－3V 11 在题图所示电路中，稳压二极管 DZ1 的稳定电压 UZ1=12V,DZ2 的稳定电压 UZ2=6V， 则电压 U0 等于（）。 （a）12V （b）20V （c）6V 12 已知某晶体管处于放大状态，测得其三个级的电位分别为 6V、9V 和，则 6V 所对应的 电极为（a ）。 （a）发射极（b）集电极（c）基极 13 晶体管的工作特点是（ a ）。（a）输入电流控制输出电流（b）输入电流控制输出电压 （c）输入电压控制输出电压
二极管练习题
《二极管及其应用》 章节测验 一、选择 1、本征半导体又叫（ ） A 、普通半导体 B 、P 型半导体 C 、掺杂半导体 D 、纯净半导体 2、锗二极管的死区电压为（ ） A 、0.3V B 、0.5V C 、1V D 、0.7V 3、如下图所示的四只硅二极管处于导通的是（ ） -5.3V -6V -6V -5.3V 0V -0.7V 4、变压器中心抽头式全波整流电路中，每只二极管承受的最高反向电压为（ ） A 、U 2 B 、 2U 2 C 、1.2 U 2 D 、22 U 2 5、在有电容滤波的单相半波整流电路中，若要使输出的直流电压平均值为60V ，则变压器的次级低电压应为（ ） A 、50V B 、60V C 、72V D 、27V 6、在下图所示电路中，正确的稳压电路为（ ） 7、电路如图7所示，三个二极管的正向压降均可忽略不计，三个白炽灯规格也一样，则最亮的白炽灯是( ) A ．A B ．B C ．C D ．一样亮 8、图8所示电路，二极管导通电压均为0.7V ，当V1=10V ，V 2=5V 时， （1）判断二极管通断情况( ) A ．VD1导通、VD2截止 B ．VD1截止、VD2 导通 C ．VD1、VD2均导通 D ．VD1、VD2 均截 （2）输出电压VO 为( ) A ．8.37V B ．3. 87V C ．4.3V D ．9.3V 9．分析图9所示电路，完成以下各题 （1）变压器二次电压有效值为10 V ，则V1为( ) A ．4.5V B ．9V C ．12V D ．14V (2)若电容C 脱焊,则V1为( ) A ．4.5V B ．9V C ．12V D ．14V (3)若二极管VD1接反，则( ) A ．VD1、VD2或变压器烧坏 B ．变为半波整流 C ．输出电压极性反转，C 被反向击穿 D ．稳压二极管过流而损坏 （4）若电阻R 短路，则( ) A ．VO 将升高 B ．变为半波整流 C ．电容C 因过压而击穿 D ．稳压二极管过流而损坏 二、判断 （ ）1、本征半导体中没有载流子。 （ ）2、二极管的反向电流越大说明二极管的质量越好。 （ ）4、RC π型滤波器的特点是：滤波效果好，有直流损耗，带负载能力差。 （ ）5、使用发光二极管时，要加正向电压；使用光敏和稳压二极管时要加反向电压。 （ ）6、在单相半波整流电容滤波电路中，输出电压平均值ū= U 2 （ ）7、二极管和三极管都属于非线性器件。 A B C D R L R L B C D 图7 图9
(完整版)二极管习题
二极管电路习题 一、选择题 1、在题 1.1 图所示电路中，U A0 电压为（ ） （a ）12V （b ）-9V （c ）-3V 2 在题 1.2 图所示电路中，所有二极管均为理想元件，则 D1、D2、D 3 的工作状 态为（ ） 。 （a ）D1 导通，D2、D3 截止 （b ）D1、D2 截止，D3 导通 （c ）D1、D3 截止，D2 导通 3 在题 1.3 图所示电路中，所有二极管均为理想元件，则 D1、D2 的工作状态为 （ ） 。 （a ）D1 导通，D2、截止 （b ）D1、D2 均导通 （c ）D1、截止，D2 导通 4 在题 1.4 图所示电路中，D1、D2 为理想元件，则电压 U0 为（ ） （a ）3V （b ）5V （c ）2V 5 电路如题 1.5 图（a ）所示，二极管 D 为理想元件，输入信号 ui 为图（b ）所 示的三角波，则输出电压 u0 的最大值为（ ） 。 （a ）5V （b ）17V （c ）7V 6 在题 1.6 图所示电路中，二极管为理想元件，uA=3v,uB=2sinωtV ,R=4KΩ,则 uF 等于( ). （a ）3V （b ）2sinωtV （c ）3+2sinωtV 7 在题 1.7 图所示电路中，二极管为理想元件，则输出电压 U0 为（ ） （a ）3V （b ）0V （c ）－12V 8 在题 1.8 图（1）所示电路中，二极管 D 为理想元件，设 u1=2sinωtV,稳压二 极管 DZ 的稳定电压为 6V ，正向压降不计，则输出电压 u0 的波形为图（2）中的 波形（ ） 12V 9V (c) R V O 题1.1 图
半导体二极管练习题Word版
半导体二极管 练习题1 一、单选题(每题1分) 1. 用模拟指针式万用表的电阻档测量二极管正向电阻，所测电阻是二极管的＿＿ 电阻，由于不同量程时通过二极管的电流 ，所测得正向电阻阻值 。 A. 直流，相同，相同 B. 交流，相同，相同 C. 直流，不同，不同 D. 交流，不同，不同 2. 杂质半导体中（ ）的浓度对温度敏感。 A. 少子 B. 多子 C. 杂质离子 D. 空穴 3. PN 结形成后，空间电荷区由（ ）构成。 A. 电子和空穴 B. 施主离子和受主离子 C. 施主离子和电子 D. 受主离子和空穴 4. 硅管正偏导通时，其管压降约为（ ）。 A 0.1V B 0.2V C 0.5V D 0.7V 5. 在PN 结外加正向电压时，扩散电流 漂移电流，当PN 结外加反向电压时，扩 散电流 漂移电流。 A. 小于，大于 B. 大于，小于 C. 大于，大于 D. 小于，小于 6. 杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于（ ）。 A. 温度 B. 掺杂工艺 C. 掺杂浓度 D. 晶体缺陷 7. 当温度升高时，二极管正向特性和反向特性曲线分别（ ）。 A. 左移，下移 B. 右移，上移 C. 左移，上移 D. 右移，下移 8. 设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程为（ ） 。 A. U I e S B. T U U I e S C. )1e (S －T U U I D. 1e S －T U U I 9. 下列符号中表示发光二极管的为（ ）。 A B C D 10. 在25oC 时，某二极管的死区电压U th ≈0.5V ，反向饱和电流I S ≈0.1pA ，则在35oC 时，下列哪组数据可能正确：（ ）。 A U th ≈0.525V ，I S ≈0.05pA B U th ≈0.525V ，I S ≈0.2pA C U th ≈0.475V ，I S ≈0.05pA D U th ≈0.475V ，I S ≈0.2pA 11. 稳压二极管工作于正常稳压状态时，其反向电流应满足( )。 A. I D = 0 B. I D < I Z 且I D > I ZM C. I Z > I D > I ZM D. I Z < I D < I ZM 12. 从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（ ）时处于正偏导 通状态。
二极管试题(打印版)
l t n i o d 1 永州综合职业中专学校电子技术基础 半导体二极管及整流滤波电路试题 班级:______、姓名______、得分________。 一、填空题 1、纯净的半导体称为 ，它的导电能力很 。在纯净的半导体中掺入少量的 价元素，可形成P 型半导体，其中多数载流子为 ，少数载流子为 。 2、在本征半导体中掺入 价元素，可形成N 型半导体，其中多数载流子为 ，少数载流子为 。 3、如图，这是 材料的二极管的____ 曲线，在正向电压超过 V 后，正常导通后，此管的正向压降约为 V 。当反向电压增大到 V 时， 即称为 电压时，反向电流会急剧 增大，该现象为 。其中稳压管一般工作在 区。 4、二极管的主要特性是 ，具体指：给二极管加 电压，二极管导通；给二极管加 电压，二极管截止。 5、PN 结的单向导电性指 。 6、二极管的主要参数有 ________、_________和 。 7、用模拟式万用表欧姆档测二极管的正、反向电阻时，若两次测得的阻值都较小，则表明二极管内部 ；若两次测得的阻值都较大，则表明二极管内部 。两次测的阻值相差越大，则说明二极管的 性能越好。 8、整流是指_______________________________________。 9、有一直流负载R L =9Ω，需要直流电压V L =45V,现有 2CP21(I FM =3000mA,V RM =100V)和2CP33B(I FM =500mA, V RM =50V) 两种型号的二极管,若采用桥式整流电路，应选用 型二极管 只。 10、滤波器的作用是将整流电路输出的 中的 成分滤去，获得比较 的直流电,通常接在 电路的后面。它一般分为 、 和 三类。二、判断题 1、( )将P 型半导体和N 型半导体的接触并连在一起，就会形成PN 结。 2、（ ）P 型半导体可通过纯净半导体中掺入五价磷元素获得。 3、（ ）P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。 4、（ ）硅二极管死区电压是0.3V ，正向压降是0.7V 。 5、（ ）硅的导通电压为0.3V ，锗的导通电压为0.7V 。 6、（ ）二极管只要加上了正向电压，就一定能导通。 7、（ ）二极管正向使用时不能稳压。 8、（ ）电感滤波器一般常用于负载电流较小的场合。 9、（ ）电容滤波器实质上是在整流电路负载电阻旁串联一个电容器，常选用于负载电流较小的场合。 10、（ ）稳压二极管一般工作在反向击穿区。 V(v
常用的元器件半导体二极管
常用的元器件半导体二极管 5.1 半导体二极管的分类 半导体二极管是具有单向导电特性或非线性伏安特性的半导体两级器件。按用途分为检波二极管、混频二极管、参放二极管、开关二极管、稳压二极管、整流二极管、光电二极管、发光二极管等；按采用材料不同可分为锗二极管、硅二极管、砷化镓二极管等;按结构不同又可分为点接触和面接触二极管;按工作原理分为隧道二极管、变容二极管、雪崩二极管等。 5．2 国产半导体二、三极管型号命名名方法 半导体二极管、三极管的型号由五部分组成。 第一部分用数字表示半导体管的电极数目。 例如：2——二极管 3——三极管 第二部分用汉语拼音字母表示半导体管的材料和极性。 例如：A——表示二极管时为N型锗材料 表示三极管时为PNP型锗材料 B——表示二极管时为P型锗材料 表示三极管时为NPN型锗材料 C ——表示二极管时为N型硅材料 表示三极管时为PNP 型硅材料
型硅材料P——表示二极管时为D 表示三极管时为NPN型硅材料 第三部分用汉语拼音字母表示半导体管的类型，各字母及其代表类型见表1-17。 表1-17 二极管、三极管型号第三部分各字母的代表类型
用数字表示半导体管的序号。第四部分． 第五部分用汉语拼音字母表示区别代号。 5.3 半导体二极管的极性判别及选用 5.3.1 半导体二极管的极性判别 一般情况下，二极管有色点的一端为正极，如2AP1～2AP7，2AP11～2AP17等。如果是透明玻璃壳二极管，可直接看出极性，即内部连触丝的一端是正极，连半导体片的一端是负极。如果既无色点，管壳又不透明，则可用万用表来判别正、负极。根据二极管正向电阻小、反向电阻大的特点，将万用表拨到欧姆档（一般用R*100或R*1k档。不要用R*1或R*10k 档，因为R*1档使用的电流太大，容易烧坏管子，而R*10k 档使用的电压太高，可能击穿管子），用表分别与二极管的正极。同理，在测得阻值较大的一次，与黑表棒相接的一端为二极管的负极。 5.3.2 通常小功率锗二极管的正向电阻值为300Ω～500Ω，硅管为1000Ω或更大一些。锗管反向电阻为几十千欧，硅管反向电阻在500kΩ以上（大功率二极管要小得多）。正反向电阻差值越大越好。 点接触二极管的工作频率高，不能承受较高的电压和通过较
第一章 二极管试题
一、晶体二极管和二极管整流电路 一、填空 1、纯净的半导体称为，它的导电能力很。在纯净的半导体中掺入少量的价元素，可形成P型半导体，又称型半导体，其中多数载流子为，少数载流子为。 2、在本征半导体中掺入价元素，可形成N 子为，它的导电能力比本征半导体 3、如图，这是材料的二极管的____ 曲线，在正向电压超过 V 后，二极管开始导通，这个电压称为 电压。正常导通后，此管的正向压降约 为 V。当反向电压增大到 V时， 即称为电压。其中 稳压管一般工作在区。 4、二极管的伏安特性指和关系，当正向电压超过_____后，二极管导通。正常导通后，二极管的正向压降很小，硅管约为 V,锗管约为 V。 5、二极管的重要特性是，具体指：给二极管加电压，二极管导通；给二极管加电压，二极管截止。 6、PN结的单向导电性指，当反向电压增大到时，反向电流会急剧增大，这种现象称。 7、二极管的主要参数有 ________、_________和，二极管的主要特性是。 8、用模拟式万用表欧姆档测二极管的正、反向电阻时，若两次测得的阻值都较小，则表明二极管内部；若两次测得的阻值都较大，则表明二极管内部。两次测的阻值相差越大，则说明二极管的性能越好。 9、整流是指_______________________________________，整流电路分可
为：和电路。将交流电转换成较稳定的直流电，一般要经过以下过程： ___________ →____________ →____________ →____________ 10、有一直流负载R L =9Ω，需要直流电压V L =45V,现有 2CP21(I FM =3000mA,V RM =100V)和2CP33B(I FM =500mA, V RM =50V) 两种型号的二极 管,若采用桥式整流电路，应选用型二极管只。 11、稳压二极管的稳压特性指，动态电阻r Z 越大，说明稳压性能越。 12、滤波器的作用是将整流电路输出的中的成分滤去，获得比较的直流电,通常接在电路的后面。它一般分为、和三类。 13、有一锗二极管正反向电阻均接近于零，表明该二极管已_______ ，又有一硅二极管正反向电阻均接近于无穷大，表明该二极管已_______ 。 14、如图，V 1、V 2 为理想二极管。 1 状态，V 2 状态。 AB = V 15、如图，V为理想二极管。 状态， V AB = V 16、图中，V为硅二极管。 与A接通时， V的状态，V MN = V 2)S与B接通时， 的状态，V MN = V 二、判断题 1、( )将P型半导体和N型半导体简单的接触并连在一起，就会形成PN 结。 2、（）P型半导体可通过纯净半导体中掺入五价磷元素获得。 3、（）P型半导体带正电，N型半导体带负电。 6V
二极管试题
一、 B 晶体二极管和二极管整流电路 一、填空 1、纯净的半导体称为，它的导电能力很。在纯净的半导体中掺入少量的价元素，可形成P型半导体，又称型半导体，其中多数载流子为，少数载流子为。 2、在本征半导体中掺入价元素，可形成N型半导体，其中多数载流子为，少数载流子为，它的导电能力比本征半导体。 3、如图，这是材料的二极管的 曲线，在正向电压超过 V 后，二极管开始导通，这个电压称为 电压。正常导通后，此管的正向压降约 为 V。当反向电压增大到 V时， 即称为电压。其中 稳压管一般工作在区。 4、二极管的伏安特性指和 _____后，二极管导通。正常导通后，硅管约为 V,锗管约为 V。 5、二极管的重要特性是，具体指：给二极管加电压，二极管导通；给二极管加电压，二极管截止。 6、PN结的单向导电性指，当反向电压增大到时，反向电流会急剧增大，这种现象称。 7、二极管的主要参数有 ________、_________和，二极管的主要特性是。 8、用模拟式万用表欧姆档测二极管的正、反向电阻时，若两次测得的阻值都较小，则表明二极管内部；若两次测得的阻值都较大，则表明二极管内部。两次测的阻值相差越大，则说明二极管的性能越好。 9、整流是指_______________________________________，整流电路分可为：和电路。将交流电转换成较稳定的直流电，一般要经过以下过程： ___________ →____________ →____________ →____________ 10、有一直流负载R L =9Ω，需要直流电压V L =45V,现有 2CP21(I FM =3000mA,V RM =100V)和2CP33B(I FM =500mA, V RM =50V) 两种型号的二极 管,若采用桥式整流电路，应选用型二极管只。 11、稳压二极管的稳压特性指，动态电阻r Z 越大，说明稳压性能越。 12、滤波器的作用是将整流电路输出的中的成