真空电子技术
进行了表征。发现由于LaAlO3和BaTiO3晶格常数的不匹配，在LaAlO3/BaTiO3超晶格中存在应变，该应变又对超晶格的铁电性能具有很大的影响。而不同的结构存在的应变不同，非对称结构的LaAlO3/BaTi O3超晶格的应变随每个周期中LaAlO3层厚度的增加、B aTiO3层厚度的减少而增大，其剩余极化强度不仅未减少，反而增加。图4表2参8
TB432006020175化学气相沉积制备碳化钨纳米晶薄膜/郑华均，马淳安，黄建国，赵峰鸣，朱英红(浙江工业大学化学工程与材料学院)//浙江工业大学学报.―2005,33(4).―368～371.
采用氟化钨（WF6）和甲烷（CH4）为前驱体，采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）方法制备具有纳米晶结构的碳化钨薄膜。采用SEM，XRD，EDS等方法表征了碳化钨薄膜的形貌、晶体结构和化学组成。通过表征，表明在前驱体混合气体中的甲烷与氟化钨气体的流量比（碳钨比）为20，基底温度为800℃的条件下得到的碳化钨薄膜是由直径为20～35nm的圆球状纳米晶构成。通过分析影响薄膜的晶体结构、化学组成的因素后，认为要得到具有纳米晶结构的碳化钨薄膜，主要应控制前驱体气体中的碳钨比以及基底温度。图5表2参7
TB43，O484.42006020176循环刻蚀工艺对金刚石膜形貌和电阻率的影响/张进，冉均国，苟立，苏葆辉，廖晓明，徐明星(四川大学无机材料系)//电子元件与材料.―2005,24(3).―7～9,19.
为了制备新型金刚石薄膜辐射剂量计，针对目前金刚石薄膜质量较差，难于满足辐射剂量计要求的问题，采用微波等离子体CVD法，研究了循环刻蚀生长阶段工艺参数（甲烷浓度，基片温度）和刻蚀方法对薄膜形貌、电阻率的影响。结果表明，循环刻蚀生长有利于提高金刚石薄膜的纯度和取向性。当φ（甲烷）为0.34％，基片温度为960℃时，可获得[100]晶面取向的、电阻率达1011Ωcm的金刚石膜，和采用常规工艺所得金刚石薄膜相比，其电阻率提高了3个数量级。图4表3参9
TM272006020177 S H S法制备N i Z nFe2O4预烧料的工艺研究/周丹丹，刘颖，张然，高升吉，涂铭旌(四川大学材料科学与工程学院)//电子元件与材料.―2005,24(3).―17～19.
利用自蔓延高温合成的方法制备出纯度较高的NiZnFe2O4预烧料，并且利用XRD图谱，通过外推法及V egard定律等分析了SHS法中保温时间及压坯相对密度对产物结构的影响。结果表明：NiZnFe2O4的标准图谱中应当去掉原有的第三条特征峰，同时添加（622）晶面上的一条特征峰；SHS合成的NiZnFe2O4预烧料中还有少量残余的Fe2O3，其在产物中的质量分数不超过4％，且随着保温时间的延长而减少；随着粉料压坯相对密度（ρr）的提高，预烧料的主相，即固溶体NiZnFe2O4中所固溶的ZnFe2O4的含量增多，且在相对密度为57％～63％时，其摩尔分数接近配方比例。图5表0参4
TM272006020178精矿粉和M n3O4制备类PC30M nZ n铁氧体/吕庆荣，胡国光，尹平(安徽大学物理与材料科学学院)//安徽大学学报（自然科学版）.―2005,29(5).―45～48.
采用传统氧化物工艺，用精铁矿粉代替Fe2O3、用Mn3O4代替MnCO3制备出高性能功率软磁MnZn铁氧体，研究了精铁矿粉和Mn3O4制备MnZn 铁氧体的固相反应及预烧温度、烧结温度和掺杂对样品磁性能的影响，选择合适的配方及制备工艺，用精铁矿粉和Mn3O4可以制备出综合性能达到日本TDK PC30材料性能水平的功率软磁MnZn铁氧体。该项目研究成功可使功率铁氧体成本大幅下降，促进精铁矿资源深度开发，具有显著的社会经济效益。图3表3参4TM272006020179 FeC uN bC r Si B/C u/FeC uN bC r Si B薄膜各层宽度对其巨磁阻抗效应的影响/张亚民，陈吉安，周勇，丁文，王明军，高孝裕，周志敏(上海交通大学微纳米科学技术研究院)//电子器件.―2005,28(2).―254～257.
采用射频磁控溅射方法，利用微细加工工艺制备了不同薄膜宽度的三明治结构FeCuNbCrSiB/Cu/FeCuNbCrSiB多层膜，在频率1～40MHz下研究了薄膜宽度对多层膜的纵向和横向巨磁阻抗效应的影响。结果表明，三明治结构多层膜的巨磁阻抗效应随薄膜宽度的变化具有显著的影响，当FeCuNbCrSiB层、Cu层宽度分别取1.6rmm、O.8mm时，GMI％达到最大值-21.22645％。图5表0参10
TM272006020180降低精矿粉制备功率铁氧体功耗的理论研究/王勇，胡国光(解放军电子工程学院物理教研室)//安徽大学学报（自然科学版）.―2005,29(5).―40～44.
依据功耗公式P L=（k a f+k a f2）×B n×V e对用精矿粉制备功率铁氧体材料的功耗数据进行了分析，从而说明了一种数据处理方法，并揭示了该公式的一些内涵；同时运用数学分析的思想指导实验，对降低样品的功耗做了初步的研究，得到了很好的结果。图2表4参3
TM2732006020181添加剂对注射成型钕铁硼粘结磁体性能的影响/叶金文，刘颖，连利仙，李军，高升吉，涂铭旌(四川大学金属材料系)//电子元件与材料.―2005,24(3).―14～16.
为了制备出高性价比的注射成型粘结钕铁硼磁体，采用国产的快淬钕铁硼磁粉和尼龙6混合、挤出造粒后，注射成型制备钕铁硼磁体．通过对硅烷系列的偶联剂、硬脂酸系列的润滑剂等添加剂对注射磁体性能的影响研究。并结合微观分析优化出了各种添加剂的最佳添加量，制备出了磁性能为B r：0.5158T，H c b：321kA/m，H cj：730kA/m，（BH）m：40kJ/m3的注射钕铁硼磁体。磁体的性能与日本Mate公司的RNI-50产品性能相当，而价格却低得多。图7表2参7
TM273，TG1562006020182热处理工艺对双相纳米复合磁体性能的影响/林万明，赵浩峰(太原理工大学材料科学与工程学院)//太原理工大学学报.―2005,36(2).―167～169.
采用磁粉晶化制备纳米晶磁材的方法，研究了热处理工艺对纳米晶复合磁体磁性能的影响。结果表明，热处理温度和时间明显地影响纳米晶的形成及其磁性能，热处理温度为700℃时，纳米复合磁体可以获得较好的磁性能。该研究方法工艺简单，成本较低，具有一定的实用价值。图3表1参4
TM273，TG1782006020183 N dFeB A l D yN b磁性能及抗海水腐蚀研究/于濂清，罗伟，严密(浙江大学硅材料国家重点实验室)//浙江大学学报（工学版）.―2005,39(7).―1031～1033.
针对通常用合金化法提高烧结NdFeB磁体耐蚀性的同时使磁性能严重下降的问题，提出了通过元素Dy、Nb复合添加的方法，提高磁体耐蚀性和磁性能。结果表明，同时添加Dy、Nb元素，不仅可以大幅增加磁体矫顽力，而且能削减Dy元素添加对剩磁降低的不利影响，使磁能积增大当ω（Dy）=1.0%，ω（Nb）=0.8%时的磁体显微结构较好、综合磁性能优异。磁体耐蚀性随着Dy、Nb元素添加量的增大而提高。因此通过元素复合添加，可以提高磁体磁性能及耐腐蚀性，使其能广泛应用于腐蚀环境。图4表0参8
5、真空电子技术
O4612006020184中频交流脉冲等离子体源的研究/陈侃松，顾豪爽，孙奉娄，危立辉(湖北大学物理学与电子技术学院)//电子器件.―2005,28(2).―271～274.采用中频交流脉冲等离子体源进行了抑制弧光放电和空心阴极效应以及
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