3D存储芯片是SSD容量突破的关键

3D存储芯片是SSD容量突破的关键

2015年5月14日，某半导体公司举办了一场技术讲解会3D Nand Technical Workshop，某公司的技术人员在会议上具体揭示了某公司 3D NAND的计划以及一些技术上的细节。

现在每一个闪存厂家都在向3D NAND技术发展，这场会议在某市某某酒店举行，参与会议的有相当多的业内朋友。

3D NAND的好处自然就是能够比现在的闪存提供功能大的存储空间，存储密度可以达到现有闪存的三倍以上，未来甚至可以做出10TB 以上的2.5寸SSD出来。

另外还有一个重要特性，就是（每单位容量）成本将会比现有技术更低，而且因为无需再通过升级制程工艺、缩小cell单元以增加容量密度，可靠性和性能会更好。

某公司在现在2D NAND时代是没有做TLC闪存的，但是在即将到来的3D NAND时代，某公司将推出自己的TLC闪存。

另外还有一个非常重要的就是，TLC与MLC其实都是同一块芯片，这点和现在另一家公司的3D NAND差不多。客户可以根据自己的需求选择闪存是工作在MLC模式还是TLC模式。在MLC模式下每Die容量是256Gb，而TLC模式下每Die容量是384Gb。

某公司 3D NAND目前会使用32层堆叠，电荷存储量和当年的

50nm节点产品相当，第二第三代产品依然会保持这样的电荷量，以保证产品的可靠性。

会议上并没有明确说明3D NAND到底是使用那种工艺，只说了用的是50nm到34nm之间的工艺。

某公司的3D NAND代号是L06B/B0KB

L06B是MLC产品的代号，采用ONFI 4.0标准，Die Size 32GB，Page Size 16KB，使用4-plane设计，虽然会带来额外的延时，但同时也提供了比目前常见的2-plane设计闪存高1倍的读写吞吐量，闪存寿命是3000 P/E。

B0KB则是TLC产品的代号，由于是同一芯片所以许多东西都是L06B一样，当然容量、性能与寿命什么的肯定不同，Die Size 48GB，闪存寿命是1500 P/E，由于是TLC所以需要ECC标准是更高的LDPC。

某公司3D NAND全部会使用132-Ball BGA封装，L06B可以从256Gb（32GB）到4096Gb（512GB）的产品，不过这款闪存的CE数其实是可以调的，这样可以更容易的做出更大容量的SSD。

闪存有三种工作模式

MLC工作的模式有2-pass和1-pass两种编程模式，默认的是

2-pass编程模式，第一次编程lower page的数据写入到NAND阵列里面，而第二次编程则会把upper page的数据写入。1-pass编程模

式的意思当然就是指一次编程就把lower page与upper page的数据都写入到NAND阵列里面，这样可以节省15%的编程时间，但是用这种算法的话闪存寿命会比两步编程模式时低一些，低多少并没有具体说明。

TLC的编程算法则要复杂很多了，第一步和MLC的一步编程模式相类似，就是直接把lower page与upper page一齐写入到NAND阵列里面，第二步则是写入extra page的数据，由于算法复杂，第二部编程时需要对数据进行ECC校验。

上面所说闪存的2-pass MLC、1-pass MLC与TLC工作模式是可以用使用指令随时切换的，这对厂家来说闪存的使用会变得非常灵活，当然了产品的用户是不能这样乱改工作模式的。

至于某公司的3D NAND什么时候会开始供应，2015年Q3中旬会开始相各个合作伙伴提供测试样品，MLC/TLC的都有，2015年Q4末开始大规模供货，产品的定价会根据那时的市场情况再决定。

如何看内存条型号(容量)

金士顿 1.KVR代表kingston value RAM 2.外频速度单位：兆赫 3.一般为X 4. 64为没有ECC；72代表有ECC 5.有S字符表示笔记本专用内存，没有S字符表示普通的台式机或是服务器内存 6. 一般为C C3：CAS=3； C2.5：CAS=2.5； C2：CAS=2 7.分隔符号 8.内存的容量 我们以金士顿ValueRAM DDR内存编号为例： 编号为ValueRAM KVR400X64C25/256 这条内存就是.金士顿ValueRAM 外频400MHZ 不带有ECC校验 CAS=2.5 256M内存 HY（现代HYNIX） 现代是韩国著名的内存生产厂，其产品在国内的占用量也很大. HY的编码规则： HY 5X X XXX XX X X X X－XX XX 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 定义： 1、HY代表现代. 2、一般是57，代表SDRAM. 3、工艺：空白则是5V, V是3V, U是2.5V. 4、内存单位容量和刷新单位：16：16M4K刷新；64：64M，8K刷新；65：64M，4K刷新；128：128M，8K刷新；129：128M，4K刷新. 5、数据带宽：40：4位，80：8位，16：16位，32：32位. 6、芯片组成：1：2BANK，2：4BANK；3：8BANK； 7、I／O界面：一般为0 8、产品线：从A－D系列 9、功率：空白则为普通，L为低功耗. 10、封装：一般为TC（TSOP） 11、速度：7：7NS，8：8NS，10P：10NS（CL2&3），10S：10NS，（PC100，CL3），10：

内存芯片参数介绍

内存芯片参数介绍 具体含义解释： 例：SAMSUNG K4H280838B-TCB0 主要含义： 第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。 第2位——芯片类型4，代表DRAM。 第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。 第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit 的容量；56、55、57、5A代表256MBit的容量；51代表512Mbit的容量。 第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。 第11位——连线“-”。 第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为7ns；7B为7.5ns (CL=3)；7C 为7.5ns (CL=2) ；80为8ns；10 为10ns (66MHz)。 知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits（兆数位）× 16片/8bits=256MB（兆字节）。 注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC 校验码。通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。 Hynix(Hyundai)现代 现代内存的含义： HY5DV641622AT-36 HY XX X XX XX XX X X X X X XX 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 1、HY代表是现代的产品 2、内存芯片类型：(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)； 3、工作电压：空白=5V，V=3.3V,U=2.5V 4、芯片容量和刷新速率：16=16Mbits、4K Ref；64=64Mbits、8K Ref；65=64Mbits、4K Ref；128=128Mbits、8K Ref；129=128Mbits、4K Ref；256=256Mbits、16K Ref； 257=256Mbits、8K Ref 5、代表芯片输出的数据位宽：40、80、16、32分别代表4位、

DDR系列内存详解及硬件设计规范-Michael

D D R 系列系列内存内存内存详解及硬件详解及硬件 设计规范 By: Michael Oct 12, 2010 haolei@https://www.wendangku.net/doc/db16602117.html,

目录 1.概述 (3) 2.DDR的基本原理 (3) 3.DDR SDRAM与SDRAM的不同 (5) 3.1差分时钟 (6) 3.2数据选取脉冲（DQS） (7) 3.3写入延迟 (9) 3.4突发长度与写入掩码 (10) 3.5延迟锁定回路（DLL） (10) 4.DDR-Ⅱ (12) 4.1DDR-Ⅱ内存结构 (13) 4.2DDR-Ⅱ的操作与时序设计 (15) 4.3DDR-Ⅱ封装技术 (19) 5.DDR-Ⅲ (21) 5.1DDR-Ⅲ技术概论 (21) 5.2DDR-Ⅲ内存的技术改进 (23) 6.内存模组 (26) 6.1内存模组的分类 (26) 6.2内存模组的技术分析 (28) 7.DDR 硬件设计规范 (34) 7.1电源设计 (34) 7.2时钟 (37) 7.3数据和DQS (38) 7.4地址和控制 (39) 7.5PCB布局注意事项 (40) 7.6PCB布线注意事项 (41) 7.7EMI问题 (42) 7.8测试方法 (42)

摘要： 本文介绍了DDR 系列SDRAM 的一些概念和难点，并分别对DDR-I/Ⅱ/Ⅲ的技术特点进行了论述，最后结合硬件设计提出一些参考设计规范。 关键字关键字：：DDR, DDR, SDRAM SDRAM SDRAM, , , 内存模组内存模组内存模组, , , DQS DQS DQS, DLL, MRS, ODT , DLL, MRS, ODT , DLL, MRS, ODT Notes : Aug 30, 2010 – Added DDR III and the PCB layout specification - by Michael.Hao

芯片存储容量计算问题

1.芯片容量=2的地址线位数次方乘以数据线位数 比如地址线8位，数据线4位芯片容量就是2的8次方乘以4=1024位 2.若单片机外存储器芯片容量为2kb，起始地址为3000h，终止地址为（31FF）吗？请给出计算方法 没那么多吧, 2K = 2*1024 = 0x0800h 0x0800+0x3000h=0x3800h;最大也就0x3799h 3.地址线14根，数据线1根，则存储芯片容量为4k位！怎么算出来的？谢谢 存储容量4KB=2*2*2^10*2^3=2^(14+1)=4*1KB=4KB 4.用（1K*4）SRAM芯片组成容量为4K*8的储存器。问需要多少个芯片？指出需要多少根地址和数据线？在线等 呵呵！1K*4位理解透了没什么的！你需要8块这样的SRAM！地址线10根数据线那就是8根喽！并行的哦！这样速度快！还有控制和时钟线！这些东西不是很难的！只要理解透了就没什么了！希望对你有帮助！ 根地址线按字节寻址范围是多少？ 生活如歌:2^24=16MB 2^10=1024=1K 2^20=1048576=1M 寂寞如影随:地址线用于传输地址信号，可以指向主存储器的每一个单元。地址线24根，表示能指示2^24 个内存地址，按字节寻址也就是说每一地址可以标识一个字节。寻址范围没有单位，而寻址空间有单位， 注意两者的区别，所以寻址空间为0~2^24-1，也就是16M 6.问一个计算机题目当内存储器的容量为512 MB时，若首地址的十六进制表示为：0000 0000H，则末地 址的十六进 满意回答:2 = 2000 0000H。 人工计算，数字太大，用WINDOWS里面的计算器来算即可。追问但是我们试题是卷面的没有计算机怎么 算？回答512 MB = (1024 / 2) * 1024 * 1024 = 2^29 即2的29次方。 2的2次方＝４，就是二进制：100，即在1后面加上2个0； 2的3次方＝８，就是二进制：1000，即在1后面加上3个0； …… 2的29次方，就是在1后面加上29个0。 转换成16进制，就是 2000 0000H。 起始地址为：0000 0000H，末尾地址就是：2^29－1。 即：2000 0000H－１＝ 1FFFFFFFH。 7.问：当内存储器的容量为512 MB时，若首地址的十六进制表示为：0000 0000H，则末地址的十六进制表 示为 __H。 2011-1-15 17:44 提问者：逍遥·狂雷 | 浏览次数：750次 求详细的解答步骤，单位什么的求标好。要能看明白的。。还有就是看到其他有类似的问题其中计算中有 0x。。。是什么，和组后的。。。H有什么关系512MB * 1024KB * 1024B = 2 = 0x1FFFFFFF (1FFFFFFFH)求解释 答：先说0x，其实0x就是十六进制标志代码，意思是看到0x开始，后面的数字是十六进制的。和H是一个意思，只不过H是放在十六进制数字后面，0x是放在十六进制数字前面而已。（呵呵呵呵，是不是有种恍

主流DDR内存芯片与编号识别

我们关注哪些厂商 在本站前不久的内存评测与优化专题中，经常会提到一些内存芯片编号， 最近在一些论坛中也发现了类似的话题，因此就有了写一篇这方面文章的想法。在下文中，我们将介绍世界主流内存芯片厂商的芯片识别与编号的定义。所有 相关资料截止至2004年4月6日，由于内存产品肯定存在着新旧交替与更新 换代，厂商也因此会不定期的更新编码规则以为新的产品服务，所以若发现新 产品的编号与我介绍的有所不同，请以当时的新规则为准。 这里要强调的是，所谓的主流厂商，就是指DRAM销售额世界排名前十位 的厂商，有不少模组厂商也会自己生产内存芯片。但请注意，他们并不是真正 的生产，而只是封装！像胜创（KingMax）、金士顿（Kingston）、威刚（ADATA、VDATA）、宇瞻（Apacer）、勤茂（TwinMOS）等都出过打着自 己品牌的芯片，不过它们自己并不生产内存晶圆，而是从那些大厂购买晶圆再 自己或找代工厂封装。这类的芯片并不是主流（除了自己，其他模组厂商不可 能用），厂商也没从公布完整详细的编号规则，有时不是厂商某一级别的技术 人员都不会说清自己封装芯片的编号规则。因此，本文所介绍的内容不包括它们，请读者见谅。 那么，现在常见的内存芯片都是哪些厂商生产的呢？我们可以先看看下面 这个2003年世界最大十家DRAM厂商排名。 从中可以看出，排名前十的厂商是三星（SAMSUNG，韩国）、美光（Micron，美国）、英飞凌（Infineon，德国）、Hynix（韩国）、南亚（Nanya，中国台湾）、尔必达（ELPIDA，日本）、茂矽（Mosel Vitelic，中 国台湾），力晶（Powerchip，中国台湾）、华邦（Winbond，中国台湾）、 冲电气（Oki，日本）。

内存计算

1、内存地址从4000H到43FFH，共有? 个内存单元。若该内存每个存储单元可存储16位二进制数，并用4片存储芯片构成，则芯片的容量是? 解析:首先转换为10进制，4000(16)=16384(10)，43FF(16)=17407(10),。17407-16384+1=1024 芯片容量:1024*16bit/4=256*16bit 2、某程序的目标代码为16384个字节，将其写到以字节编址的内存中，以80000H为首地址开始依次存放，则存放该目标程序的末地址为?。 解析:16384(10)=4000H,80000H+4000H-1=83FFFH 3、构成4M*8bit的存储器，若采用256K*8bit的芯片，需?片，若采用512K*1bit的芯片，需?片 解析:4M*8bit/(256K*8bit)=16 4M*8bit/(512k*1bit)=64 4、内存按字节编址，地址从A4000H到CBFFFH，共有多少个字节？若用存储容量为32K×8bit的存储器芯片构成内存，至少需要多少片？ 解析 十六进制计算：（CBFFF-A4000）+1=28000H个字节，转化为十进制就是163840字节，也就是163840/1024=160K 字节。 所需32K*8bit存储芯片个数为：（160K/32K）X（8bit/8bit）=5 个 5、若指令流水线把一条指令分为取指、分析和执行三部分，且三部分的时间分别是t取=2ns，t分=2ns，t执=1ns，则100条指令全部执行完毕需要?ns 解析2*100+3=203ns。因为，每一个2ns就会取一条指令，所以2*100;当最后一条取完后还需要2+1来分析和执行。

存储系统和结构

第4章存储系统和结构 4.1 基本内容摘要 1、存储系统的组成 ◆存储器的分类 ◆主存 半导体存储器 SRAM、DRAM、ROM的基本电路 ◆辅存 2、主存的组织与操作 ◆半导体存储器的基本结构 ◆存储器中的数据组织 小端存放格式 大端存放格式 ◆半导体存储器的主要技术指标 存储容量 存储速度 ◆半导体存储器芯片的发展 DRAM芯片技术发展： FPM DRAM ；EDO DRAM ；SDRAM ；DDR SDRAM ◆主存储器的组织 SRAM HM 6116 DRAM Intel 2164 芯片的互联：位扩展、字扩展、字位扩展 ◆多体交叉存储技术 组成、工作原理 3、存储系统的层次结构 ◆层次化存储系统 ◆Cache-主存存储层次 ◆主存-辅存存储层次 4、高速缓冲存储器 ◆Cache的工作原理 Cache的结构 Cache的工作过程 ◆主存与Cache之间的地址映像

Cache的基本结构 地址映像和地址映像表 ◆直接映像 直接映像方式 主存地址 直接映像的访存过程 ◆全相联映像 全相联映像方式 主存和Cache的地址结构 主存和Cache的地址结构 全相联映像下的访存过程 ◆组相联映像 组相联映像方式 主存和Cache的地址结构 组相联映像下的访存过程 ◆替换策略和更新策略 三种替换算法：随机法、先进先出法、LRU法 更新策略：写回法、全写法、写装入法、写不装入法 5、虚拟存储器 ◆虚拟存储器的基本概念 虚拟存储器的工作原理 虚地址、实地址 ◆页式虚拟存储器 页式虚拟存储器地址结构 页式虚拟存储器的地址映像 页式虚拟存储器的地址变换过程 ◆段式虚拟存储器 段式虚拟存储器地址结构 段式虚拟存储器的地址映像 段式虚拟存储器的地址映像过程 ◆段页式虚拟存储器 段页式虚拟存储器的地址结构 段页式虚拟存储器的地址映像 段页式虚拟存储器的地址映像过程

从内存条芯片编号看内存条的大小

从内存条芯片编号看内存条的大小 (2009-11-22 08:12:39) 转载▼ 标签： 刷新速度 tsop封装 字段 ddr266 台湾 it SDRAM 内存芯片的新编号 HY XX X XX XX X X XX X X X-XX X A B C D E F G H I J K L M A字段由HY组成，代表现代(Hynix)内存芯片的前缀。 B字段表示产品类型。57代表SDRAM内存。 C字段表示工作电压。V代表VDD电压为3.3V、VDDQ电压为3.3V；Y代表VDD电压为 3.0V、VDDQ电压为3.0v；U代表VDD电压为2.5V、VDDQ电压为2.5V；W代表VDD电压为 2.5V、VDDQ电压为1.8V；S代表VDD电压为1.8V、VDDQ电压为1.8V/ D字段表示密度与刷新速度。16代表16Mbit密度、2K刷新速度；32代表32Mbit密度、4K刷新速度；64代表64Mbit密度、4K刷新速度；28

代表128Mbit密度、4K刷新速度；2A代表128Mbit密度(TCSR)、4K刷新速度；56代表256Mbit密度、8K刷新速度；12代表512Mbit密度、8K刷新速度。 E字段表示内存结构。4代表x4；8代表x8；16代表x16 ;32代表x32。F字段表示内存芯片内部由几个Bank组成。1代表2Bank；2代表4Bank。G字段表示电气接口。0代表LVTTL；1代表SSTL_3。 H字段表示内存芯片的修正版本。空白或H代表第1版；A或HA代表第2版；B或HB代表第3版；C或HC代表第4版。也有一些特殊的编号规则，如：编号为HY57V64420HFT是第7版；编号为HY57V64420HGT和HY57V64820HGT是第8版；编号为HY57V28420AT是第3版；编号为 HY57V56420HDT是第5版。 I字段表示功率消耗能力。空白代表正常功耗；L代表代功耗；S代表超代功耗。 J字段表示内存芯片的封装方式。T代表TSOP封装；K代表Stack封装(Type1)；J代表Stack封装(Type2)。 K字段表示内存芯片的封装材料。空白代表正常；P代表Pb free；H代表Halogen free；R代表Pb & Halogen free。 L字段表示内存芯片的速度标识。5代表200MHz；55代表183MHz；6代表166MHz；7代表143MHz；K代表PC133(CL=2)；H代表PC133(CL=3)；8代表125MHz；P代表PC133(CL=2)；S代表PC100(CL=3)；10代表100MHz。

如何看内存条型号(容量)

金士顿 KVR *** X ** （s）C* /*** 1 2 外频3 4 5 6 延迟时间 7 8 容量 1.KVR代表kingston value RAM 2.外频速度单位：兆赫 3.一般为X 4. 64为没有ECC；72代表有ECC 5.有S字符表示笔记本专用内存，没有S字符表示普通的台式机或是服务器内存 6. 一般为C C3：CAS=3； C2.5：CAS=2.5； C2：CAS=2 7.分隔符号 8.内存的容量 我们以金士顿ValueRAM DDR内存编号为例： 编号为ValueRAM KVR400X64C25/256 这条内存就是.金士顿ValueRAM 外频400MHZ 不带有ECC校验 CAS=2.5 256M内存 HY（现代HYNIX） 现代是韩国著名的内存生产厂，其产品在国内的占用量也很大. HY的编码规则： HY 5X X XXX XX X X X X－XX XX 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 定义： 1、HY代表现代. 2、一般是57，代表SDRAM. 3、工艺：空白则是5V, V是3V, U是2.5V. 4、内存单位容量和刷新单位：16：16M4K刷新；64：64M，8K刷新；65：64M，4K刷新；128：128M，8K刷新；129：128M，4K刷新. 5、数据带宽：40：4位，80：8位，16：16位，32：32位. 6、芯片组成：1：2BANK，2：4BANK；3：8BANK； 7、I／O界面：一般为0 8、产品线：从A－D系列 9、功率：空白则为普通，L为低功耗. 10、封装：一般为TC（TSOP） 11、速度：7：7NS，8：8NS，10P：10NS（CL2&3），10S：10NS，（PC100，CL3），10：

3D TSV内存芯片技术与大容量内存

3D TSV内存芯片技术与大容量内存 文章导读：市场上的单条4GB内存越来越普遍，而更大的单条8GB、16GB内存也已经初显端倪。在小小的DRAM颗粒中实现更大的容量，必然需要更先进的制造技术，目前各个DRAM 大厂都推出了基于3D TSV多层穿孔技术的产品，这让我们看到了将内存“做大”的希望。 今天就为大家介绍一下3D TSV内存芯片技术与大容量内存之间的关系。 市场上的单条4GB内存越来越普遍，而更大的单条8GB、16GB内存也已经初显端倪。在小小的DRAM颗粒中实现更大的容量，必然需要更先进的制造技术，目前各个DRAM大厂都推出了基于3D TSV多层穿孔技术的产品，这让我们看到了将内存“做大”的希望。今天就为大家介绍一下3D TSV内存芯片技术与大容量内存之间的关系。 3D TSV，不一样的封装 3D TSV是通过在芯片之间或晶圆之间制作垂直导通，从而实现互连的最新技术。采用这种方式可以大幅缩小芯片尺寸，提高芯片内的晶体管密度，改善层间电气互联性能，提升芯片运行速度以及降低芯片的功耗。 1．数据传输距离更短、功耗更低 虽然先进的纳米制造技术可以不断缩小芯片的尺寸、芯片内晶体管的延迟时间会随着晶体管沟道长度尺寸的缩小而缩短，但与此同时互联电路部分的延迟则会提升。比如90nm 制程晶体管的延迟时间大约在1.6ps（皮秒）左右，而此时互联电路中每1mm长度尺寸的互联线路，其延迟时间会增加500ps左右；而到22nm制程，晶体管的延迟时间会达到0.4ps 水平，而互联线路的延迟则会增加到1万ps水平。晶体管的尺寸越小速度越快，但与此同时，互联层线路的电阻则会随着线路截面积的缩小而增大，这正是导致互联层延迟增加的主要原因 而3D TSV技术最大的优点就是减小互联线的长度，能够实现最短、最丰富的Z方向互连，通过在芯片和芯片、晶圆和晶圆之间制造垂直导通，实现芯片间的互连，能够将逻辑、内存和模拟等组件非常紧密地连结在一起。TSV这种封装结构可把芯片上数据需要传输的距离缩短1000倍，并使每个元件的互连性增加100倍。 垂直互连提供更短的信号路径，就能提高性能，同时也能增加互连带宽，解决过去平面式互连造成的电阻及电容延迟问题。而且缩短组件之线路连接距离，还可进而降低寄生电容和耗电量，功耗随之降低。

SDRAM的逻辑Bank与芯片容量表示方法

SDRAM内存模组的物理Bank与芯片位宽 虽然有关内存结构与时序的基础概念，在本刊2001年第2期的专题中就已有阐述，但在这里为了保证专题的可读性，我们需要再次加强这方面的系统认识。正确并深刻理解内存的基础概念，是阅读本专题的第一条件。因为即使是RDRAM，在很多方面也是与SDRAM 相似的，而至于DDR与DDR-Ⅱ、QBM等形式的内存更是与SDRAM有着紧密的联系。 SDRAM内存模组与基本结构 我们平时看到的SDRAM都是以模组形式出现，为什么要做成这种形式呢？这首先要接触到两个概念：物理Bank与芯片位宽。 PC133时代的168pin SDRAM DIMM 1、物理Bank 传统内存系统为了保证CPU的正常工作，必须一次传输完CPU在一个传输周期内所需要的数据。而CPU在一个传输周期能接受的数据容量就是CPU数据总线的位宽，单位是bit（位）。当时控制内存与CPU之间数据交换的北桥芯片也因此将内存总线的数据位宽等同于CPU数据总线的位宽，而这个位宽就称之为物理Bank（Physical Bank，下文简称

P-Bank）的位宽。所以，那时的内存必须要组织成P-Bank来与CPU打交道。资格稍老的玩家应该还记得Pentium刚上市时，需要两条72pin的SIMM才能启动，因为一条72pin -SIMM只能提供32bit的位宽，不能满足Pentium的64bit数据总线的需要。直到 168pin-SDRAM DIMM上市后，才可以使用一条内存开机。下面将通过芯片位宽的讲述来进一步解释P-Bank的概念。 不过要强调一点，P-Bank是SDRAM及以前传统内存家族的特有概念，在RDRAM中将以通道（Channel）取代，而对于像Intel E7500那样的并发式多通道DDR系统，传统的P-Bank概念也不适用。 2、芯片位宽 上文已经讲到SDRAM内存系统必须要组成一个P-Bank的位宽，才能使CPU正常工作，那么这个P-Bank位宽怎么得到呢？这就涉及到了内存芯片的结构。 每个内存芯片也有自己的位宽，即每个传输周期能提供的数据量。理论上，完全可以做出一个位宽为64bit的芯片来满足P-Bank的需要，但这对技术的要求很高，在成本和实用性方面也都处于劣势。所以芯片的位宽一般都较小。台式机市场所用的SDRAM芯片位宽最高也就是16bit，常见的则是8bit。这样，为了组成P-Bank所需的位宽，就需要多颗芯片并联工作。对于16bit芯片，需要4颗（4×16bit=64bit）。对于8bit芯片，则就需要8颗了。

如何查看内存条的大小

当你拿到一条内存的时候，能看出它的容量吗？虽然我们可以把它插到机器上测试出来，但对于一个内行人来说，看一眼就能知道内存条的大小显然是有意义的，并且并不难做到。 通过查验内存颗粒的型号，我们就可以计算出内存的容量。虽然目前生产内存条的厂商有许多，但能生产内存颗粒、并且能够占领市场的厂家相对来说就不多了，国内市场上主流内存条所用的内存颗粒，主要是一些国际性的大厂所生产。 下面就以几个大厂的内存颗粒编码规则为例来说明内存容量的辨识方法。 三星内存颗粒 目前使用三星的内存颗粒来生产内存条的厂家非常多，在市场上有很高的占有率。由于其产品线庞大，所以三星内存颗粒的命名规则非常复杂。三星内存颗粒的型号采用一个16 位数字编码命名的。这其中用户更关心的是内存容量和工作速率的识别，所以我们重点介绍这两部分的含义。 编码规则： K 4 X X X X X X X X - X X X X X 主要含义： 第1位--- 芯片功能K,代表是内存芯片。 第 2 位——芯片类型4，代表DRAM。 第3位一一芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM H代表DDR G代表SGRAM第4、5位一一容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。 64、62、 63、65、 66、67、6A代表64Mbit的容量； 28、27、2A 代表128Mbit 的容量；

56、55、 57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。 第6、7 位——数据线引脚个数，08 代表8 位数据；16 代表16 位数据； 32 代表32 位数据；64代表64 位数据。 第11 位——连线“-”。 第14、15位——芯片的速率，如60为6ns; 70为7ns; 7B为7.5ns (CL=3) 7C为7.5ns(CL=2) 80 为8ns; 10 为10ns (66MHz。 知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。 例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TC 装。颗粒编号第 4、5位“ 28代表该颗粒是128Mbits，第 6、7位“08代”表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits (兆数位)X 16片/8bits=256MB (兆字节)。 注： “ bit为'数位”“ E即字节“ byte,”一个字节为8位则计算时除以&关于内 存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况： 一种是非ECC内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC校验码。通过校验码,可以检测出内存数据中的两位错误,纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16 乘。在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。 Micron 内存颗粒 Micron （美光）内存颗粒的容量辨识相对于三星来说简单许多。下面就以

(完整word版)内存芯片的BANK参数说明

内存芯片的BANK 一．内存芯片的逻辑BANK 在芯片的内部，内存的数据是以位（bit）为单位写入一张大的矩阵中，每个单元我们称为CELL，只要指定一个行（Row），再指定一个列（Column），就可以准确地定位到某个CELL，这就是内存芯片寻址的基本原理。这个阵列我们就称为内存芯片的BANK，也称之为逻辑BANK（Logical BANK）。由于工艺上的原因，这个阵列不可能做得太大，所以一般内存芯片中都是将内存容量分成几个阵列来制造，也就是说存在内存芯片中存在多个逻辑BANK，随着芯片容量的不断增加，逻辑BANK数量也在不断增加，目前从32MB到1GB的芯片基本都是4个，只有早期的16Mbit和32Mbit的芯片采用的还是2个逻辑BANK的设计，譬如三星的两种16MB芯片：K4S161622D （512K x 16Bit x 2 BANK）和 K4S160822DT（1M x 8Bit x 2 BANK）。芯片组本身设计时在一个时钟周期内只允许对一个逻辑BANK进行操作（实际上芯片的位宽就是逻辑BANK的位宽），而不是芯片组对内存芯片内所有逻辑BANK同时操作。逻辑BANK的地址线是通用的，只要再有一个逻辑BANK编号加以区别就可以了（BANK0到BANK3）。但是这个芯片的位宽决定了一次能从它那里读出多少数据，并不是内存芯片里所有单元的数据一次全部能够读出 每个逻辑BANK有8M个单元格（CELL），一些厂商（比如现代/三星）就把每个逻辑BANK的单元格数称为数据深度（Data Depth），每个单元由8bit组成，那么一个逻辑BANK的总容量就是64Mbit（8M×8bit），4个逻辑BANK就是256Mbit，因此这颗芯片的总容量就是256Mbit（32MB）。 内存芯片的容量是一般以bit为单位的。比如说32Mbit的芯片，就是说它的容量是32Mb（b=bit=位），注意位（bit）与字节（Byte）区别,这个芯片换算成字节就是4MB（B=Byte=字节=8个bit）,一般内存芯片厂家在芯片上是标明容量的，我们可以芯片上的标识知道，这个芯片有几个逻辑BANK，每个逻辑bank的位宽是多少，每个逻辑BANK内有多少单元格（CELL），比如64MB和128MB内存条常用的64Mbit的芯片就有如下三种结构形式： ①16 Meg x 4 (4 Meg x 4 x 4 banks) [16M╳4] ②8 Meg x 8 (2 Meg x 8 x 4 banks) [8M╳8] ③4 Meg x 16 (1 Meg x 16 x 4 banks) [4M╳16] 表示方法是：每个逻辑BANK的单元格数×逻辑BANK数量×每个单元格的位数（芯片的位宽）。芯片逻辑BANK 位宽目前的工艺水平只能最多做到16位，因此大家看到几乎所有的芯片逻辑BANK位宽只可能4/8/16三者之一。以前 16Mbit的芯片基本采用的单个芯片两个逻辑BANK，但是到了64Mbit基本就都是4个逻辑BANK设计了 二．内存条的物理BANK 通常主板上的每个内存插槽分为两段，这个大家从VIA主板BIOS设置中的BANK 0/1 DRAM Timing选项很容易推理得到，实际上也就是两个BANK，不过这里的BANK概念与我们前面分析芯片内部结构时提到的BANK可不一样。简单地说这个BANK就是内存和主板上的北桥芯片之间用来交换数据的通道，目前以SDRAM系统为例，CPU与内存之间（就是CPU到DIMM槽）的接口位宽是64bit，也就意味着CPU一次会向内存发送或从内存读取64bit的数据，那么这一个64bit的数据集合就是一个内存条BANK，很多厂家的产品说明里称之为物理BANK（Physical BANK），目前绝大多数的芯片组都只能支持一根内存包含两个物理BANK，但是针对某个具体的条子，很多人想当然，认为每个DIMM插槽使用内存条的面数来区分占用几个BANK通道，单面的（16M，64M）只占用一个物理BANK，而双面的（32M， 128M）则需占用两个物理BANK。实际上物理BANK与面数是无关的，PCB电路可以设计成双面和单面，也可把全部芯片（16颗）放在一面上（至少从理论上是完全可能）。有些内存条单面就是一个物理BANK，但有些双面才是一个物理BANK，所以不能一概而论。256MB内存条就是一个典型的例子，虽然是双面并多达16枚芯片，但仍然是单个物理BANK的。要准确知道内存条实际物理BANK数量，我们只要将单个芯片的逻辑BANK数量和位宽以及内存条上芯片个数搞清楚。各个芯片位宽之和为64就是单物理BANK，如果是128就是双物理BANK。CPU一次只能对一个物理BANK进行访问和操作（因为一个物理BANK是64bit的位宽），那么内存条要保证一个周期内向数据总线提供或接收64bit的数据，而这些数据都是分别存储在内存条的的芯片中。那么内存条中有多个内存芯片，这64位数据到底是有一个芯片提供还是由所有芯片每个提供一部分呢？我们还是以上面的那颗256Mbit的芯片为例，根据芯片组的工作原理，目前还没有那家芯片生产厂家做出位宽16位以上的芯片，所以现在的芯片组设计时都是要求内存条上每个芯片均承担提供数据的任务，也就是说内存条上的每个芯片都要要对这64位数据做贡献，而那颗内存芯片的位宽是8位，因此用这个芯片组成内存条只需要8颗芯片即完成了64位数据并发任务，算下来，内存条的容量就是32 MB (256Mbit)×8=256MB的容量，假如是内存芯片的位宽是4位，那么需要的芯片数量必须是16颗，这时假如使用八颗位宽还是8位的64MB（512bit）芯片

(整理)常用存储器芯片设计指南

常用存储器芯片设计指南 现代通讯产品中，各种存储器的应用已经是越来越广泛，可以这么说，产品中包含的存储器的特性的好坏，直接关系到产品整体性能。因此，存储器芯片的设计，在通讯产品的设计中，也显得愈发重要。 目前在通讯产品中应用的存储器，主要有FLASH、SSRAM、SDRAM、串行PROM等，由此延伸出去还有在接口电路中经常应用的FIFO、双口RAM等，下面的内容就是这些常用存储器芯片的原理介绍和在产品中的设计指南。 FLASH介绍 一、BOOT ROM简介 我们在CPU最小系统中一般采用AM29LV040B-90 // SST39VF040-90-4C-NH （代码：10300067，512kB，8位总线宽度，PLCC32封装，3.3V供电）作为BOOT ROM。 BOOT ROM中存放的是系统自举程序，实现CPU系统的自举。当系统上电后，CPU 首先运行BOOT ROM中的程序，完成对CPU系统的初始化。 图1 AM29LV040B-90 // SST39VF040-90-4C-NH引脚图 该FLASH芯片可在线读写，但作为BOOT ROM时，我们一般用烧录机烧写入程序，不对其进行在线写。其读操作时序如图2所示。

图2 读操作时序 下面给出一个MPC860最小系统的应用例子。 图3 MPC860 BOOT电路图 因为我们不需要在线写，所以为防止BOOT FLASH的程序被改写，一般将/WE信号接高电平。 MPC860用8位数据口的方式访问BOOT，经缓冲之后的数据线为BD00-BD07。MPC860地址线使用A31-A13，经一级驱动与BOOT相连。使用/CS0片选端，地址范围0x0800 0000~0x0807 FFFF，使用内部等待，等待周期为8。 BOOT ROM中存放的是系统自举程序，实现MPC860系统的自举。当系统上电后，MPC860首先运行BOOT ROM中的程序，该程序首先完成MPC860的初始化，然后根据参数，将Flash ROM中的应用程序复制到SDRAM空间中，然后将控制权移交给该应用程序运行；或准备应用程序加载，进入调试状态。

内存颗粒的型号

内存条可以通过查看内存颗粒的型号来确认其容量大小。 下面就以几个大厂的内存颗粒编码规则为例来说明内存容量的辨识方法。 三星内存颗粒 目前使用三星的内存颗粒来生产内存条的厂家非常多，在市场上有很高的占有率。由于其产品线庞大，所以三星内存颗粒的命名规则非常复杂。三星内存颗粒的型号采用一个16位数字编码命名的。这其中用户更关心的是内存容量和工作速率的识别，所以我们重点介绍这两部分的含义。 编码规则：K 4 X X X X X X X - X X X X X 主要含义： 第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。 第2位——芯片类型4，代表DRAM。 第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。 第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit 的容量。 第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。 第11位——连线“-”。 第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为 7ns；7B为7.5ns (CL=3)；7C为7.5ns (CL=2) ；80为 8ns；10 为10ns (66MHz)。 知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits （兆数位）× 16片/8bits=256MB（兆字节）。 注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC 内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC校验码。通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。 Micron内存颗粒 Micron（美光）内存颗粒的容量辨识相对于三星来说简单许多。下面就以MT48LC16M8A2TG-75这个编号来说明美光内存的编码规则。 含义： MT——Micron的厂商名称。 48——内存的类型。48代表SDRAM；46 代表DDR。 LC——供电电压。LC代表3V；C 代表5V；V 代表2.5V。

高手进阶,终极内存技术指南——完整

高手进阶，终极内存技术指南——完整/进阶版发布日期：2002年12月17日作者/编辑：特约作者赵效民 警告：本文原载于《电脑高手》杂志2002年第12期，由《电脑高手》杂志授权PCPOP 网站转载，《电脑高手》杂志及作者拥有本文的独家版权，任何个人或媒体未经许可不得使用本文文字与图片！ 注：您现在看到的版本是本专题的完整/进阶版，而非《电脑高手》杂志2002年第12期上的“精华版”，在这里您能看到专题的完整内容。 作为电脑中必不可少的三大件之一（其余的两个是主板与CPU），内存是决定系统性能的关键设备之一，它就像一个临时的仓库，负责数据的中转、暂存…… 不过，虽然内存对系统性能的至关重要，但长期以来，DIYer并不重视内存，只是将它看作是一种买主板和CPU时顺带买的“附件”，那时最多也就注意一下内存的速度。这种现象截止于1998年440BX主板上市后，PC66/100的内存标准开始进入普通DIYer的视野，因为这与选购有着直接的联系。一时间，有关内存时序参数的介绍文章大量出现（其中最为著名的恐怕就是CL参数）。自那以后，DIYer才发现，原来内存也有这么多的学问。接下来，始于2000年底/2001年初的VIA芯片组4路交错（4-Way Interleave）内存控制和部分芯片组有关内存容量限制的研究，则是深入了解内存的一个新开端。本刊在2001年第2期上也进行了VIA内存交错控制与内存与模组结构的详细介绍，并最终率先正确地解释了这一类型交错（内存交错有多种类型）的原理与容量限制的原因。从那时起，很多关于内存方面的深入性文章接踵而至，如果说那时因此而掀起了一股内存热并不夸张。大量的内存文章让更多的用户了解了内存，以及更深一层的知识，这对于DIY当然是一件好事情。然而，令人遗憾的是这些所谓的内存高深技术文章有不少都是错的（包括后来的DDR与RDRAM内存的介绍），有的甚至是很低级的错误。在这近两年的时间里，国内媒体上优秀的内存技术文章可谓是寥若晨星，有些媒体还编译国外DIY网站的大篇内存文章，但可惜的是，外国网站也不见得都是对的（这一点，似乎国内很多作者与媒体似乎都忽视了）。就这样，虽然打开了一个新的知识领域，可“普及”的效果并不那么好，很多媒体的铁杆读者高兴地被带入内存深层世界，但也因此被引向了新的误区。 不过，从这期间（2001年初至今）各媒体读者对这类文章的反映来看，喜欢内存技术的玩家大有人在且越来越多，这是各媒体“培养”的成果。这些用户已经不满足如何正确的使用内存，他们更渴望深入的了解这方面原来非常贫乏的知识，这些知识可能暂时不会对他们在使用内存过程中有什么帮助，但会大大满足他们的求知欲。在2001年初，我们揭开VIA芯片组4路交错内存控制和部分芯片组有关内存容量限制之迷时，还是主要围绕着内存使用的相关话题来展开，而且在这期间有关内存技术的话题，《电脑高手》也都是一笔带过。但在今天，在很多人希望了解内存技术而众多媒体的文章又“力不从心”时，我们觉得有必要再次站出来以正视听，也就是说，我们这次的专题不再以内存使用为中心，更多的是纯技术性介绍，并对目前现存的主要内存技术误区进行重点纠正。 1

如何查看内存颗粒型号

内存的具体品牌和型号是什么 内存条是由一个PCB电路板上焊接上内存颗粒构成的，电路板只是连接电路的作用，真正内存的大小要看内存颗粒，一条内存条上的单颗粒容量都相同，内存条的容量等于颗粒容量*颗粒数。 通过查验内存颗粒的型号，我们就可以计算出内存的容量。虽然目前生产内存条的厂商有许多，但能生产内存颗粒、并且能够占领市场的厂家相对来说就不多了，国内市场上主流内存条所用的内存颗粒，主要是一些国际性的大厂所生产。 下面就以几个大厂的内存颗粒编码规则为例来说明内存容量的辨识方法。 三星内存颗粒 目前使用三星的内存颗粒来生产内存条的厂家非常多，在市场上有很高的占有率。由于其产品线庞大，所以三星内存颗粒的命名规则非常复杂。三星内存颗粒的型号采用一个16位数字编码命名的。这其中用户更关心的是内存容量和工作速率的识别，所以我们重点介绍这两部分的含义。 编码规则：K 4 X X X X X X X X - X X X X X 主要含义： 第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。 第2位——芯片类型4，代表DRAM。 第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。 第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量； 56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。 第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。 第11位——连线“-”。