模电选择题
模拟电子技术期末练习选择题
一、单选题(每题1分)
1.图示电路中二极管是理想的，电阻R为6 Ω。当普通指针式万用表置于R ? 1 Ω 档时，用黑表笔(通常带正电)接B点，红表笔(通常带负电)接A点，则万用表的指示值为 ( )。
R
R
A
A 18 Ω
B 9 Ω
C 3 Ω
D 2 Ω
2. PN结不加外部电压时，扩散电流（）漂移电流。
A 大于
B 小于
C 等
3.加在PN结上的反向电压数值增大时，空间电荷区（）。
A 基本不变
B 变宽
C 变窄
4.室温附近，当温度升高时，杂质半导体中（）浓度明显增高。
A 少数载流子
B 多数载流子
C 载流子
5.杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于（）。
A. 温度
B. 掺杂工艺
C. 掺杂浓度
D. 晶体缺陷
6.在本征半导体中加入元素（）可形成N型半导体。
A 硼
B 铝
C 铟
D 磷
7. 二极管的正向电压从0.6V 增大10%时，正向电流（ ）。 A 基本不变 B 增加10% C 增加超过10%
8. 分别用万用表的R ?100挡和R ? 1k 挡测量同一PN 结的正向电阻，前者的测量结果应（ ）后者。 A 小于 B 大于 C 等于
9. 二极管的电流方程是（ ）。 A
u e I S B
)1(T
S -U u
e I
C
T
S U u e
I
10. 理想二极管的导通压降为（ ）。 A 0.7 V B 0.2 V C 0 V
11. P 型半导体中多数载流子是（ ）。 A 电子 B 空穴 C 正离子 D 负离子
12. 图示电路中二极管是理想的，电阻R 为6 Ω。当普通指针式万用表置于R ? 1 Ω 档时，用黑表笔(通常带正电)接A 点，红表笔(通常带负电)接B 点，则万用表的指示值为 ( )。
R
A
R
A 18 Ω
B 9 Ω
C 3 Ω
D 2 Ω
13. 稳压二极管工作于正常稳压状态时，其反向电流应满足( )。 A. I D = 0
B. I D < I Z 且I D > I ZM
C. I Z > I D > I ZM
D. I Z < I D < I ZM
14. 单相桥式整流输出电压的平均值为（ ）。 A 0.45 U 2 B 0.9 U 2 C 1.1 U 2 D 1.2 U 2
15. 单相桥式整流电路中每只二极管承受的最大反向电压为（ ）。 A 222U B 22U C
22U
16. 单相桥式整流电压经过电容滤波后，负载开路时输出电压为（ ），带负载时，输出电压一般为（ ）。
A
22U ， (1.1~1.2 )U 2
B (1.1~1.2 )U 2, (1.1~1.2 )U 2
C U 2, (1.1~1.2 )U 2
D (1.1~1.2 )U 2, , U 2
17. 在单相半波整流电路中，所用整流二极管的数量是（ 。 A 四只 B 二只 C 一只
18. 在整流电路中，二极管之所以整流，是因为它具有（ 。 A 电流放大特性 B 单向导电的特性 C 反向击穿的性能
19. 在整流电路中，设整流电流平均值为I O ， 则流过每只二极管的电流平均值I D =I O 的电路是（ ）。
A 单相半波整流电路
B 单相全波整流电路
C 单相桥式整流电路
20.整流电路如图所示，变压器副边电压有效值为U2，二极管D所承受的最高反向电压是（）
图题1307
A U2
U
B 22
U
C 222
21.倍压整流适合于（）的直流电源。
A 负载电阻小，输出电压高
B 负载电阻大，输出电压高
C 负载电流小，输出电压低
D 负载电流小，输出电压低
22.光电二极管工作在（）条件下。
A 正向偏置
B 反向偏置
C 反向击穿
23.稳压二极管应工作在（）区。
A 正向导通
B 反向截止
C 反向击穿
24.硅二极管的恒压降模型是把二极管等效成理想二极管和（）的电压源串联。
A 0.7 V
B 0.2 V
C 0.5 V
25.某放大器输入电压为10mV时，输出电压为8V；输入电压为30mV时，输出电压为6V，则该放大器的电压放大倍数为（）。
A 800
B 200
C 100
D. -100
26.测得三极管I B = 20 μA时，I C = 1.6 mA，I B = 30 μA时，I C = 2.43 mA则该管的交流电流放大系数β为（）。
A 80
B 81
C 83
27.在题图电路中，V CC=12V，R c=3kΩ，静态管压降U CEQ=6V。当U i≈1mV时，在不失真条件下，减小R W，则输出电压的幅值将（）。
题图2213
A 减小
B 不变
C 增大
D 无法确定
28.用直流电压表测出U CE ≈0，有可能是因为（）。
题图2212
A R B开路
B R c短路
C R B过小
D. V CC过小
29.用直流电压表测出U CE ≈V CC，有可能是因为（）。
题图2211
A R B短路
B R B开路
C R C开路
D. β过大
30.设图示电路工作于放大状态，当温度降低时，（）。
A 三极管的β增大
B 三极管的I CBO增大
C I CQ增大
D. U CQ升高
31.放大电路如图所示，已知三极管的β＝100，则该电路中三极管的工作状态为（）。
A 放大
B 饱和
C 截止
D. 无法确定
题图2209
32. 放大电路中，为了使晶体管不工作在饱和区，其静态管压降U CE 应选择为（ ）。 A U CE = V CC B U CE = 0
C U CE = U CE （sat ）+ U om D. U CE = U CE （sat ）
33. 某共射极放大电路空载时输出电压有截止失真，在输入信号不变的情况下，经耦合电容接上负载电阻时，失真消失，这时由于（ ）。 A Q 点上移 B Q 点下移
C 三极管交流负载电阻减小 D. 三极管输出电阻减小
34. 在题图电路中，β =100，r be =1 k Ω，U i =20mV ；静态时U BE =0.7V ，U CE = 4 V ，I B =20μA ，则：（ ）。
题图 2215
A u = （ ）
A 20010
204
3
-=?-
- B 71.57.04
-=-
C 50015
100-=?- D 2501
5
.2100-=?-
35. 某放大电路在负载开路时的输出电压为4V ，接入1 k Ω负载电阻后输出电压降为1V 。则该放大电路的输出电阻为（ ） 。 A 1 k Ω B 3 k Ω C 4 k Ω D. 不能确定
36. 在题图电路中，β =100，r be =1 k Ω，U i =20mV ；静态时U BE =0.7V ，U CE = 4 V ，I B =20μA ，则：
（ ）。
题图 2215
输入电阻R i （ ）
A k Ω1k Ω2020
== B k Ω35k Ω02.07
.0==
C ≈3 k Ω
D ≈1 k Ω
37. 放大电路A 、B 的放大倍数相同，但输入电阻、输出电阻不同，用它们对同一个具有内阻的信号源电
压进行放大，在负载开路条件下测得A 的输出电压小，这说明A 的（ ）。 A. 输入电阻小
B. 输入电阻大
C. 输出电阻小
D. 输出电阻大
38. 当输入电压为正弦波时，如果PNP 管共发射极电路发生截止失真，则集电极电流i C 将发生（ ）失真，输出电压u o 将发生（ ）失真。 A 正半波削波，正半波削波 B 负半波削波，负半波削波 C 负半波削波，正半波削波 D 正半波削波，负半波削波
39. 当输入电压为正弦波时，如果NPN 管共发射极电路发生饱和失真，则集电极电流i C 将发生（ ）失真，输出电压u o 将发生（ ）失真。 A 正半波削波，正半波削波 B 负半波削波，负半波削波 C 负半波削波，正半波削波 D 正半波削波，负半波削波
40. BJT 能起放大作用的内部条件通常是（1）发射区掺杂浓度（高、低、一般）；（2）基区杂质浓度比发
射区杂质浓度（高、低、相同）；（3）基区宽度（宽、窄、一般）；（4）集电结面积比发射结面积（大、小、相等）。
A （高）（一般）（窄）（大）
B （低）（高）（宽）（小）
C （低）（高）（一般）（相等）
D （高）（低）（窄）（大）
41.某三极管的I CM =20 mA、P CM =100 mW、U BR(CEO) = 15 V，则下列状态下三极管能正常工作的是（）。
A I C = 30 mA、U CE = 2 V
B I
C = 10 mA、U CE = 6 V
C I C = 3 mA、U CE = 15V
D I C = 18 mA、U C
E = 6 V
42.关于三极管反向击穿电压的关系，下列正确的是（）。
A. U BR(CBO) ) >( U BR(CEO) )> (U BR(EBO)
B. U BR(CBO) ) <( U BR(CEO) )< (U BR(EBO)
C. U BR(CEO) >( U BR(CBO) )> (U BR(EBO)
D. U BR(EBO) >( U BR(CBO) )> (U BR(CEO)
43.硅三极管放大电路中，静态时测得集—射极之间直流电压U CE = 0.4V，则此时三极管工作于（）
状态。
A 放大
B 截止
C 饱和
D 无法确定
44. P沟道增强型IGFET的开启电压U GS（th）为（）。
A 正值
B 负值
C 0
45.某FET的I DSS= 4mA，其I D= 6mA，实际方向为流入漏极D，则该管为（）。
A P沟道JFET
B N沟道JFET
C P沟道耗尽型IGFET
D N沟道耗尽型IGFET
46.若希望高频性能好，则应选用（）放大电路。
A 共发射极
B 共集电极
C 共基极
47.若希望带负载能力强，则应选用（）放大电路。
A 共发射极
B 共集电极
C 共基极
48.为了获得电压放大，同时又使得输出与输入电压同相，则应选用（）放大电路。
A 共发射极
B 共集电极
C 共基极
49.基本组态双极型三极管放大电路中，输入电阻最大的是___________电路。
A 共发射极
B 共集电极
C 共基极
50.图示电路中，出现下列哪种故障必使三极管截止（）。
题图2303
A R B1开路
B R B2开路
C R C短路
D. C E短路
51.图示电路中，欲增大U CEQ，可以（）。
题图2302
A 增大R C
B 增大R L
C 增大R B1
D. 增大
52.图示电路中，已知I1>>I BQ，U BQ>>U BEQ，则当温度升高时，（）。
题图2301
A I CQ增大
B I CQ减小
C I CQ基本不变
D. U CEQ增大
53.放大电路的频率特性在高频区主要受（）影响。
A 耦合电容
B 射极旁路电容
C 管子内部结电容
D 偏置电阻
54.通用型集成运放的上限截止频率很低是因为（）。
A. 没有耦合电容
B. 结电容很多
C. 大阻值电阻很多
D. 没有电感
55.集成运放制造工艺使得同类半导体管的（）。
A 指标参数准确
B 参数不受温度影响
C 参数一致性好
56.通用型集成运放的适用于放大（）。
A 高频信号
B 低频信号
C 任何频率信号
57.集成运放正常工作时，当其差模输入电压超过U Idmax时，集成运放将（）。
A 不能正常放大差模信号
B 输入级放大管将击穿
58.集成运放正常工作时，当其共模输入电压超过U Icmax时，集成运放将（）。
A 不能正常放大差模信号
B 输入级放大管将击穿
59.为了提高带负载能力，集成运放的互补输出级采用（）。
A 共射接法
B 共基接法
C 共集接法
D 差分电路
60.（）运算电路可将方波变成三角波。
A 微分
B 积分
C 比例
61.（）运算电路可将阶跃信号变成尖脉冲。
A 微分
B 积分
C 比例
62.直接耦合放大电路的电压放大倍数越大，在输出端出现的零点漂移现象就越（）。
A 严重
B 轻微
C 和放大倍数无关
63.对于长尾式差分放大电路，在差模交流通路中。射级电阻R e应视为（）。
A 开路
B 短路
C 2R e
64.对差分放大电路而言，下列说法不正确的为（）。
A. 可以用作直流放大器
B. 可以用作交流放大器
C. 可以用作限幅器
D. 具有很强的放大共模信号的能力。
65.差分放大电路由双端输入改为单端输入，则差模电压放大倍数（）。
A 不变
B 提高一倍
C 提高两倍
D 减小为原来的一半
66.差分放大电路如图所示，当有输入电压u i时，T1管集电极电流i C1=0.6mA，此时T2管集电极电位u C2等于（）。
题图3107
A 5V
B 6V
C 4V
D 10V
67.把差分放大电路中的发射极公共电阻R e改为恒流源可以（）。
A 提高差模电压放大倍数
B 提高共模电压放大倍数
C 提高共模抑制比
D 增大差模输入电阻
68.对恒流源而言，下列说法不正确的为（）。
A 可以用作偏置电路
B 可以用作有源负载
C 直流电阻很大
D 交流电阻很大
69.差分放大电路主要通过（）来实现。
A 提高输入电阻
B 克服温漂
C 扩展频带
D 增加一级放大
E 利用两半电路和器件参数对称
70.通用型集成运放的输出级多采用（）。
A 共射放大电路
B 差分放大电路
C OCL电路
D OTL电路
71.通用型集成运放的中间级多采用（）。
A 共射放大电路
B 差分放大电路
C OCL电路
D OTL电路
72.通用型集成运放的输入级多采用（）。
A 共射放大电路
B 差分放大电路
C OCL电路
D OTL电路
73.由于恒流源的电流恒定，因此等效直流电阻（）。
A 很大
B 不太大
C 等于0
74.由于恒流源的电流恒定，因此其等效交流电阻（）。
A 很大
B 不太大
C 等于0
75.集成运放的输入失调电流I IO是（）。
A 使输出电压为零在输入端所加的补偿电压
B 两个输入端电位之差
C 两个输入端静态电流之差
D 两个输入端静态电流之和
76.电路的A u d越大表示（）。
A 温漂越大
B 抑制温漂能力越强
C 对差模信号的放大能力越强
77.通用型集成运放的下限截止频率为0是因为（）。
A. 没有耦合电容
B. 结电容很多
C. 大阻值电阻很多
D. 没有电感
78.差分放大电路是为了（）而设置的。
A 提高输入电阻
B 克服温漂
C 扩展频带
D 增加一级放大
E 利用两半电路和器件参数对称
79.（）比例运算电路的输入电流几乎等于零。
A 同相
B 反相
80.（）比例运算电路的输入电流基本上等于流过反馈电阻的电流。
A 同相
B 反相
81.集成运放有（）输出端。
A 1
B 2
C 3
82.集成运放有（）个输入端
A 1
B 2
C 3
83.集成运放的输入失调电压U IO是（）。
A 使输出电压为零在输入端所加的补偿电压
B 两个输入端电位之差
C 两个输入端静态电流之差
D 两个输入端静态电流之和
84.电路的A u c越大表示（）。
A 温漂越大
B 抑制温漂能力越强
C 对差模信号的放大能力越强
85.欲从信号源获得更大的电流，并稳定输出电流，应在放大电路中引入（）负反馈。
A 电压串联
B 电压并联
C 电流串联
D 电流并联
86.对于放大电路，所谓开环是指（）。
A 无信号源
B 无反馈通路
C 无电源
D 无负载
87.对于放大电路，所谓闭环是指（）。
A 考虑信号源内阻
B 存在反馈通路
C 接入电源
D 接入负载
88.在输入量不变的情况下，若引入反馈后（），则说明引入的是负反馈。
A 输入电阻增大
B 输出量增大
C 净输入量增大
D 净输入量减小
89.为了增大放大电路的输入电阻，应引入（）负反馈。
A 直流
B 交流电流
C 交流串联
D 交流并联
90.为了减小放大电路的输出电阻，应引入（）负反馈。
A 直流
B 交流电流
C 交流电压
D 交流并联
91.为了稳定放大倍数，应引入（）负反馈。
A 直流
B 交流
C 串联
D 并联
92.为了抑制温漂，应引入（）负反馈。
A 直流
B 交流
C 串联
D 并联
93.为了展宽频带，应引入（）负反馈。
A 直流
B 交流
C 串联
D 并联
94.为了增大输入电阻、减小输出电阻，应在放大电路中引入（）交流负反馈。
A 电压串联
B 电压并联
C 电流串联
D 电流并联
95.为了减小从信号源索取的电流，并得到稳定的输出电流，应在放大电路中引入（）交流负反馈。
A 电压串联
B 电压并联
C 电流串联
D 电流并联
96.为了实现电流 电压的转换，应在放大电路中引入（）交流负反馈。
A 电压串联
B 电压并联
C 电流串联
D 电流并联
97.为了减小放大电路从信号源索取的电流并增强带负载能力，应引入（）负反馈。
A 电压串联
B 电压并联
C 电流串联
D 电流并联
98.构成反馈电路的元器件（）。
A 只能是电阻、电容等无源元件
B 只能是晶体管、集成运放等有源器件
C 可以是无源元件，也可以是有源器件
99.需要一个阻抗变换电路，要求输入电阻大，输出电阻小，应选用（）负反馈。
A 电压串联
B 电压并联
C 电流串联
D 电流并联
100.分析题图电路，选择正确答案填空：
题图 4210
（3）在深度负反馈条件下，电路的电压放大倍数为： A 12R R -
， B 4
2R R
-， C 121R R R +， D 31321R R R R R ++
101. 深度电流串联负反馈放大器相当于一个（ ）。
A 压控电压源
B 压控电流源
C 流控电压源
D 流控电流源
102. 深度电压串联负反馈放大器相当于一个（ ）。 A 压控电压源 B 压控电流源 C 流控电压源 D 流控电流源
103. 分析题图电路，选择正确答案填空：
题图 4210
（1）在电路的级间反馈回路中，（ ）。
A 只存在直流反馈而无交流反馈
B 只存在交流反馈而无直流反馈
C 既有交流反馈又有直流反馈
D 不存在实际的反馈作用
104. 在深度负反馈条件下，电路的电压放大倍数为：
A 12R R -
， B 4
2R R
-， C 121R R R +， D 31321R R R R R ++
105. 设运放为理想运放，分析题图电路，选择正确答案填空：
题图 4211
（1）在电路的级间反馈回路中，（ ）。
A 只存在直流反馈而无交流反馈
B 只存在交流反馈而无直流反馈
C 既有交流反馈又有直流反馈
D 不存在实际的反馈作用
106. 设运放为理想运放，分析题图电路，选择正确答案填空：
题图 4211 （2）反馈的组态与极性为：（ ）。 答案A 电压并联负反馈 答案B 电压并联正反馈 答案C 电流并联负反馈 答案D 电流串联负反馈 答案E 电压串联负反馈
107. 设运放为理想运放，分析题图电路，选择正确答案填空：
题图 4211 （3）电路的闭环电压放大倍数为： A 3142R R R R -
， B 314
21)(R R R R R +- C 3214321)()(R R R R R R R +++-
， D 3
14
321)(R R R R R R ++-
108. 负反馈放大电路产生自激的条件是（ ）。
A 0=F A
B 1=F A
C 1-=F A
D ∞=F A
109. 一个单管放大电路如果通过电阻引入负反馈，则（ ）。 A 一定会产生高频自激振荡 B 有可能产生高频自激振荡 C 不可能产生高频自激振荡
110. 多级负反馈放大电路在下述情况下容易引起自激振荡：（ ）。
A. 反馈深度越深
B. 各级电路参数很分散
C. 闭环放大倍数大
D. 放大器级数少
111. 分析题图电路，选择正确答案填空：
模电试卷+9道经典题型
15-16学年第1学期模拟电子技术A期末试卷（B）一、判断题 1.直接耦合放大电路能够放大缓慢变化信号和直流信号，但是不能放大交流信号。 2.从能量控制和转换的角度看，功率放大器和电压放大器没有本质的区别。 3.只要电路引入了正反馈，就一定会产生正弦波振荡。 4.在LC正弦波振荡电路中，不用通用型集成运放作放大电路的原因是其上限截止频率太低。 5.单限比较器比滞回比较器抗干扰能力强，而滞回比较器比单限比较器灵敏度高。 6.任何单管放大电路的输入电阻都与负载电阻无关。 7.若耗尽型N沟道MOS管的U GS大于零，则其输入电阻会明显变小。 8.当OCL电路的最大输出功率为1W时，功率管的集电极最大耗散功率应大于1W。 二、单项选择题 1.P型掺杂半导体的多数载流子是（） A.空穴 B.自由电子 C.正离子 D.负离子 2.场效应管本质上是一个（） A.电流控制电流源器件 B.电压控制电流源器件 C.电流控制电压源器件 D.电压控制电压源器件 3.测得某放大电路中某晶体管三个电极对地电位分别为-1.4V、-0.7V和 -6.7V，则该三极管的类型为（） A.锗PNP B.锗NPN C.硅PNP D.硅NPN 4.下列四图为NPN管共射基本放大电路输出电压u o波形，则截止失真的波形和消除失真的主要措施均正确的是（） A.增大V BB B.减小V BB C.减小V BB D.增大V BB 5.制作频率为2MHz～20MHz的接收机的本机振荡器，应采用（） A.LC正弦波振荡电路 B.RC正弦波振荡电路 C.石英晶体正弦波振荡电路 D.多谐振荡器 6.要求将电流信号转换成与之成稳定关系的电压信号，应引入（） A.电压串联负反馈 B.电压并联负反馈 C.电流串联负反馈 D.电流并联负反馈 7.差分放大器中，若u I1=2.02V，u I2=l.98V，则u Id、u Ic分别为（） A.2V、0.02V B.2V、4V C.0.04V、2V D.0.02V、0.04V 8.设计一个两级放大电路，要求电压放大倍数的数值大于10，输入电阻大10MΩ，输出电阻小于100Ω，第一级和第二级应分别采用（） A.共漏电路、共射电路 B.共源电路、共射电路 C.共基电路、共漏电路 D.共源电路、共集电路 9.反应场效应管放大能力的一个重要参数是（） A.输入电阻 B.输出电阻 C.击穿电压 D.跨导 10.互补输出级采用共集形式是为了使（） A.电压放大倍数大 B.不失真输出电压大 C.带负载能力强 D.交越失真小 11.为防止50Hz的电网电压干扰，可以在电路中加一个（） .. ..
模电试题及答案12
《模拟电子技术》复习题综合（第1、2章） 一.选择题 1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素,形成N 型半导体。A.二 B.三 C.四 D 五 ２、在P 型半导体中,自由电子浓度 Ｃ 空穴浓度。A ．大于 B.等于 C ．小于 ３、本征半导体温度升高以后， Ｃ 。 A.自由电子增多,空穴数基本不变 B ．空穴数增多,自由电子数基本不变 C ．自由电子数和空穴数都增多，且数目相同 Ｄ.自由电子数和空穴数都不变 4、空间电荷区是由 C 构成的。A ．电子 B.空穴 C.离子 D.分子 5、ＰN 结加正向电压时,空间电荷区将 Ａ 。 Ａ. 变窄 Ｂ． 基本不变 C. 变宽 D ． 无法确定 6、稳压管的稳压区是其工作在 Ｃ 。A. 正向导通 B ．反向截止 C.反向击穿 7、当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。 A. 前者反偏、后者也反偏 Ｂ. 前者正偏、后者反偏 Ｃ. 前者正偏、后者也正偏 D ． 前者反偏、后者正偏 ８、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。Ａ． 增大 B ． 不变 C. 减小 D. 都有可能 ９、工作在放大区的某三极管,如果当I B 从12μA 增大到２2μA 时，I Ｃ从1m Ａ变为２mA ，那么它的β约为 C 。Ａ. 83 B. ９1 C. 10０ D ． 1０ １0、晶体管是 A 器件。Ａ.电流控制电流 B.电流控制电压 Ｃ．电压控制电压 D.电压控制电流 1１、在正常放大的电路中,测得晶体管三个电极的对地电位如图所示,试判断管子的类型和材料。图1为 Ｄ ；图２为 A 。[基极电位总是处于中间］ A.ＮＰN 硅管 B.P ＮP 硅管 C ．ＮP Ｎ锗管 D.P ＮP 锗管 12、场效应管是 Ｄ 器件。 A ．电流控制电流 B.电流控制电压 C ．电压控制电压 D.电压控制电流 13、基本共射放大电路中,基极电阻R ｂ的作用是 A 。 Ａ.限制基极电流,使晶体管工作在放大区，并防止输入信号短路 Ｂ.把基极电流的变化转化为输入电压的变化C ．保护信号源 D.防止输出电压被短路 １4、基本共射放大电路中,集电极电阻Ｒc 的作用是 Ｂ 。 A ．限制集电极电流的大小 B.将输出电流的变化量转化为输出电压的变化量 C.防止信号源被短路 D.保护直流电压源E Ｃ 15、基本共射放大电路中，输入正弦信号,现用示波器观察输出电压u o 和晶体管集电极电压u c 的波形,二者相位 A 。A.相同 B ．相反 C.相差90° Ｄ.相差270° 16、NP Ｎ管基本共射放大电路输出电压出现了非线性失真，通过减小R b 失真消除, 这种失真一定 ① 0V 5.7V 图 1 ① 9V 2.3V 图2
数电复习题集(含答案解析)-数电复习题集
数 电 复 习 题 选择题： 1．下列四个数中，与十进制数（163）10不相等的是（ D ） A 、(A3)16 B 、（10100011）2 C 、（000101100011）8421BC D D 、（203）8 2．N 个变量可以构成多少个最小项（ C ） A 、N B 、2N C 、2N D 、2N -1 3．下列功能不是二极管的常用功能的是（ C ） A 、检波 B 、开关 C 、放大 D 、整流 4．.将十进制数10)18(转换成八进制数是 （ B ） A 、20 B 、22 C 、21 D 、23 5．译码器的输入地址线为4根，那么输出线为多少根（ C ） A 、8 B 、12 C 、16 D 、20 6．能把正弦信号转换成矩形脉冲信号的电路是（D ） A 、多谐振荡器 B 、D/A 转换器 C 、JK 触发器 D 、施密特触发器 7．三变量函数()BC A C B A F +=,,的最小项表示中不含下列哪项 （ A ） A 、m2 B 、 m5 C 、m3 D 、 m7 8．用PROM 来实现组合逻辑电路，他的可编程阵列是（ B ） A 、与阵列 B 、或阵列 C 、与阵列和或阵列都可以 D 、以上说法都不对 9．A/D 转换器中，转换速度最高的为( A )转换 A 、并联比较型 B 、逐次逼近型 C 、双积分型 D 、计数型 10．关于PAL 器件与或阵列说确的是 （ A ） A 、 只有与阵列可编程 B 、 都是可编程的 C 、 只有或阵列可编程 D 、 都是不可编程的 11. 当三态门输出高阻状态时，输出电阻为 （ A ） A 、无穷大 B 、约100欧姆 C 、无穷小 D 、约10欧姆 12为使采样输出信号不失真地代表输入模拟信号，采样频率 f s 和输入模
模拟电路期末考试题A卷
模拟电路试题B卷 一.（24分） 1）射极输出器的特性归纳为：电压增益，电压跟随性好，输入阻抗，输出阻抗，而且具有一定的放大能力和功率放大能力，射极输出器的反馈类型是。 2）电压负反馈可以使放大器的输出稳定，电流负反馈可以使放大器的输出稳定。 3）在差分放大电路中，大小相等、极性或相位一致的两个输入信号称为信号；大小相等，极性 或相位相反的两个输入信号称为信号。 4）在导体中导电的是，在半导体中导电的不仅有，而且有，这是半导体区别于导 体导电的重要特征。 5）PN结正向偏置时，反向偏置时，这种特性称为PN结的。 6）晶体三极管有两个PN结，即结和结，在放大电路中结必须正偏， 结必须反偏。 7）晶体三极管有型和型两种类型。 8）画放大器的直流通路时，将视为开路，画交流通路时，将和视为短;.
路。 二.（1.9分，2.9分，3.6分，共24分） 1.放大电路如图所示,T为锗NPN管. (1)设V cc=12V,R c=3kΩ,β=70,如果要将静态工作点电流I c调至1.5mA,问R b要取多大? (2)电路参数同上,如果要将静态工作点的电压V CE调至3.3V,问R b应多大? (3)在调整静态工作点时,如稍不小心把R b调至零,这时三极管是否会损坏,为什么?为避免损坏,电路上可 采取什么措施? 得分 ;.
2.已知电路参数如图所示,R g1=300kΩ，R g2=100kΩ，R g3=2MΩ，R d=10kΩ，R2=10kΩ，+V DD=+20V，场效应 管工作点的互导g m=1ms,设r d>>R d (1)画出小信号等效电路； (2)求电压增益A v； (3)求放大器的输入电阻R i 3.下面电路其输入,输出波形如图所示 试问： a)此电路产生何种类型失真? (饱和?截止?) b)为消除此失真,应如何调节电阻R b? ;.
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模拟电子线路随堂练习 第一章半导体器件 作业1-1 一、习题（满分100分） 1.N型半导体带负电，P型半导体带正电。（） 2.以空穴为主要导电方式的半导体称为P型半导体。（） 3.PN结处于正向偏置时，正向电流小，电阻大，处于导通状态。（） 4.晶体二极管的反向电压上升到一定值时，反向电流剧增，二极管被击穿，就不能再使用了。（） 5.硅二极管两端只要加上正向电压时立即导通。（） 6.在本征半导体中，空穴和自由电子两种载流子的数量不相等。（） 7.晶体三极管的基极，集电极，发射极都不可互换使用。（） 8.晶体三极管工作在饱和状态的条件是：发射结正偏，集电结正偏。（） 9.晶体三极管有三种工作状态，即：放大状态，饱和状态，导通状态。（） 10.三极管是一种电压控制器件，场效应管是一种电流控制器件。（） 11.温度升高后，在纯净的半导体中（）。 A.自由电子和空穴数目都增多，且增量相同 B.空穴增多，自由电子数目不变 C.自由电子增多，空穴不变 D.自由电子和空穴数目都不变 12.如果PN结反向电压的数值增大（小于击穿电压），则（）。 A.阻当层不变，反向电流基本不变 B.阻当层变厚，反向电流基本不变 C.阻当层变窄，反向电流增大 D.阻当层变厚，反向电流减小
一、习题（满分100分） 1.N型半导体（）。 A.带正电 B.带负电Ｃ.呈中性Ｄ.不确定 2.如果二极管的正反向电阻都很大，则该二极管（）。 A.正常 B.断路Ｃ.被击穿Ｄ.短路 3.对于晶体二极管，下列说法正确的是（）。 A.正向偏置时导通，反向偏置时截止 B.反向偏置时无电流流过二极管 C.反向击穿后立即烧毁 D.导通时可等效为一线性电阻 4.工作在放大状态的三极管两个电极电流如图，那么，第三个电极的电流大小、方向和管脚自左至右顺序分别为（）。 A.0.03mA 流出三极管e、c、b B.0.03mA 流进三极管e、c、b C.0.03mA 流出三极管c、e、b D.0.03mA 流进三极管c、e、b 5.测得电路中晶体三极管各电极相对于地的电位如图，从而可判断该晶体管工作在（）。 A.饱和状态 B.放大状态 C.倒置状态Ｄ.截止状态 6.PNP型晶体管工作在放大状态，三个极电位的关系是（）。 A.V C>V B>V E B. V C> V E > V BＣ.V E >V B> V CＤ.V E >V C>V B 7.PNP型硅管工作在放大状态，各极对地电位分别是V1=6V，V2=2.7V，V3=2V，则1，2，3分别为（）。 A.发射极、基极、集电极 B.集电极、基极、发射极 C.集电极、发射极、基极 D.基极、集电极、发射极 8.测得三极管i b=30μA时i c=2.4mA，而i b=40μA时i c=3mA，则该管的交流电流放大系数β为（）。 A.60 B.75 C.80 Ｄ.100 9.NPN型硅管各极对地电位分别是V1=6V，V2=2.7V，V3=2V，则1，2，3分别为（）。 A.基极、集电极、发射极 B.发射极、基极、集电极 C.集电极、发射极、基极 D.集电极、基极、发射极 10.三极管输出特性曲线可分为三个区，下列不属于工作区的是（）。 A.截止区 B.放大区 C.饱和区Ｄ.击穿区 11.在放大电压信号时，通常希望放大电路的输入电阻和输出电阻分别为（） A.输入电阻小，输出电阻大 B.输入电阻小，输出电阻小 C.输入电阻大，输出电阻小 D.输入电阻大，输出电阻大
数字电子技术试题及答案(题库)
《数字电子技术》试卷 姓名：__ _______ 班级：__________ 考号：___________ 成绩：____________ 1. 有一数码10010011，作为自然二进制数时，它相当于十进制数（ ），作为8421BCD 码时，它相当于 十进制数（ ）。 2.三态门电路的输出有高电平、低电平和（ ）3种状态。 3．TTL 与非门多余的输入端应接（ ）。 4．TTL 集成JK 触发器正常工作时，其d R 和d S 端应接（ ）电平。 5. 已知某函数??? ??+??? ??++=D C AB D C A B F ，该函数的反函数F =（ ） 。 6. 如果对键盘上108个符号进行二进制编码，则至少要（ ）位二进制数码。 7. 典型的TTL 与非门电路使用的电路为电源电压为（ ）V ，其输出高电平为（ ）V ，输出低电平为（ ）V ， CMOS 电路的电源电压为（ ） V 。 8．74LS138是3线—8线译码器，译码为输出低电平有效，若输入为A 2A 1A 0=110时，输出 01234567Y Y Y Y Y Y Y Y 应为（ ）。 9．将一个包含有32768个基本存储单元的存储电路设计16位为一个字节的ROM 。该ROM 有（ ）根地址线，有（ ）根数据读出线。 10. 两片中规模集成电路10进制计数器串联后，最大计数容量为（ ）位。 11. ）；Y 3 ＝（ ）。
12. 某计数器的输出波形如图1所示，该计数器是（ ）进制计数器。 13．驱动共阳极七段数码管的译码器的输出电平为（ ）有效。 二、单项选择题（本大题共15小题，每小题2分，共30分） （在每小题列出的四个备选项中只有一个是最符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。） 1. 函数F(A,B,C)=AB+BC+AC 的最小项表达式为( ) 。 A ．F(A,B,C)=∑m （0，2，4） B. (A,B,C)=∑m （3，5，6，7） C ．F(A,B,C)=∑m （0，2，3，4） D. F(A,B,C)=∑m （2，4，6，7） 2．8线—3线优先编码器的输入为I 0—I 7 ，当优先级别最高的I 7有效时，其输出012Y Y Y ??的值是（ ）。 A ．111 B. 010 C. 000 D. 101 3．十六路数据选择器的地址输入（选择控制）端有（ ）个。 A ．16 B.2 C.4 D.8 4. 有一个左移移位寄存器，当预先置入1011后，其串行输入固定接0，在4个移位脉冲CP 作用下，四位数据的移位过程是（ ）。 A. 1011--0110--1100--1000--0000 B. 1011--0101--0010--0001--0000 C. 1011--1100--1101--1110--1111 D. 1011--1010--1001--1000--0111 5．已知74LS138译码器的输入三个使能端（E 1=1， E 2A = E 2B =0）时，地址码A 2A 1A 0=011，则输出 Y 7 ～Y 0是( ) 。 A. 11111101 B. 10111111 C. 11110111 D. 11111111 6. 一只四输入端或非门，使其输出为1的输入变量取值组合有( )种。 A ．15 B ．8 C ．7 D ．1 7. 随机存取存储器具有( )功能。 A.读/写 B.无读/写 C.只读 D.只写 8．N 个触发器可以构成最大计数长度（进制数）为( )的计数器。
模电试题及答案
试题一 一、选择题：（每小题2分，共24分） （1）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（ B ）。 A.前者反偏、后者反偏 B .前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者正偏 （2）N 型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的（ C ）。 A.电子 B.三价硼元素 C .五价磷元素 （3）为了减小零点漂移，通用型运放的输入级大多采用（ C ）。 A.共射电路 B.乙类放大电路 C .差动放大电路 （4）高通滤波电路可以用于（ A ）。 A . 滤除低于某一频率的无用信号 B. 滤除高于某一频率的无用信号 C. 让低于某一频率的有用信号通过 （5）长尾式差动放大电路抑制零点漂移的主要原因是（ C ）。 A.采用了双极型电源 B.电路和参数对称性好 C .引入了电流串联型负反馈 （6）、电路如图所示，其输出电压u O 等于（ B ）。 A.i2i1u u - B .i1i2u u - C. i2i1u u + （7）当信号频率等于放大电路的f L 或f H 时，放大倍数的值约下降到中频时的0.7倍,即增益下降（ A ）。 A .3d B B.4dB C.5dB （8）( B )运算电路可将三角波电压转换成方波电压。 A ．同相比例 B ．微分 C ．同相求和 （9）PN 结加正向电压时，空间电荷区将( A )。 A . 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （10）OCL 功率放大电路如图所示，当u i 为正半周时，则( A )。
A. T1导通T2截止 B. T1截止T2导通 C. T1，T2导通 （11）整流的目的是（ A ）。 A. 将交流变为直流 B. 将高频变为低频 C. 将正弦波变为方波（12）电路如图所示，二极管D为理想元件，输入信号u i为如图所示的三角波，则输出电压u o的最大值为（ B ）。 A. 5 V B. 7 V C. 2 V 二、填空题：（总16 分，每空 2 分） （1）、一只晶体管在放大电路中，用万用表测出管脚对地电压分别是：A脚为12伏，B脚为11.7伏，C脚为6伏，则该管为PNP型锗管，A为e 极，B为 b 极，C为 c 极。 （2）工作在放大区的晶体管，当I B从10μA增大到20μA，I C从1mA增大到2mA，它的β为 100 。 （3）由于不易制造大容量电容，集成电路采用直接耦合放大方式。
模拟电路试卷(总集)
苏州大学模拟电路课程试卷（1 卷）共4页 一. 填空题：(20分) 1. PN 结伏安特性方程为I=_____________________。 2. 高频时二极管的单向导电性变差，原因是PN 结存在___________ (A. 结电容 B. 反向击穿 C. 单向导电性)。 3. 温度升高时，二极管的正向导通压降将 。 (A. 增大 B. 减小 C. 不变) 4. 单管共射电路当输入正弦波信号幅度很大时，输出信号波形可能产生_______和_________失真（A 饱和 B 截止C 交越 D 频响）。 5. 放大器为了稳定放大倍数，可以引入______(A.交流 B.直流)。 6. 100μV ～10V 范围内的音频信号, 经过_____(A.对数 B.指数 C.乘法)运算电路处理后，可以用0V ～ 10V 范围的电压表反映。 7. 已知 则此电路为_________(A. HPF B. LPF C. BPF D. BEF)滤波电路。 8. ___________（A 简单 B 滞回 C 窗口 D 三态）比较器在输入电压足够高和足够低的时候，输出电 平是相同的。 9. 正弦波振荡器按照选频网络的元件类型可分为三类:_____________、_______________和 _________________。 10. 滤波电路的主要目的是____________________________________。 二．分析计算题： 1．(16分) 图示单管共射电路中，已知晶体管β=100， r bb'=200， （1）求I CQ ,U CEQ （2）求r be (3) 画出微变等效电路 (4) 求Au ，Ri ，Ro 2．(12分) 图示差动放大电路中，两个三极管的β=60，r bb'=200， (1)试求I CQ1 ,U C1 (2) 求Aud ，Rid ，Ro (3) 求Auc 1110 200)(++=f f Q j f f j f f Q j Aup Au
大学模电最新最全题库模拟电路考试试题10套和答案
试卷编号01 ……………………………………………………………………………………………………………… 一、填空（本题共20分，每空1分）： 1．整流电路的任务是__将交流电变成脉动直流电________；滤波电路的任务是_滤除脉动直流电中的交流成分_________。 2．在PN结的形成过程中，载流子的扩散运动是由于__载流子的浓度差________而产生的，漂移运动是_______内电场的电场力___作用下产生的。 3．放大器有两种不同性质的失真，分别是____线性______失真和非线性__________失真。 4．在共射阻容耦合放大电路中，使低频区电压增益下降的主要原因是_耦合电容__和旁路电容_______的影响；使高频区电压增益下降的主要原因是__三极管的级间电容________的影响。 5．在交流放大电路中，引入直流负反馈的作用是_稳定静态工作点_________；引入交流负反馈的作用是___稳定增益、抑制非线性失真、___改变输入输出电阻、展宽频带、抑制干扰和噪声__。 6．正弦波振荡电路一般由选频网络__________、__放大电路________、正反馈网络__________、__稳幅电路________这四个部分组成。 7．某多级放大器中各级电压增益为：第一级25dB 、第二级15dB 、第三级60dB ，放大器的总增益为__100________，总的放大倍数为__________。 8．在双端输入、单端输出的差动放大电路中，发射极公共电阻R e对__差模输入________信号的放大无影响，对_共模输入_________信号的放大具有很强的抑制作用。共模抑制比K CMR为_差模增益与共模增益_________之比。 9．某放大电路的对数幅频特性如图1（在第三页上）所示，当信号频率恰好为上限频率时，实际的电压增益为____37______dB。 二、判断（本题共10分,每小题1分，正确的打√，错误的打×）： 1、（y ）构成各种半导体器件的基础是PN结，它具有单向导电和反向击穿特性。 2、（y ）稳定静态工作点的常用方法主要是负反馈法和参数补偿法。 3、（y ）在三极管的三种基本组态中，只有电流放大能力而无电压放大能力的是基本共集组态。 4、（n ）若放大电路的放大倍数为负值，则引入的一定是负反馈。 5、（yn ）通常，甲类功放电路的效率最大只有40%，而乙类和甲乙类功放电路的效率比甲类功放电路的效率要高。 6、（n ）一般情况下，差动电路的共模电压放大倍数越大越好，而差模电压放大倍数越小越好。 7、（y n）根据负反馈自动调节原理，交流负反馈可以消除噪声、干扰和非线性失真。 8、（y）要使放大电路的输出电流稳定并使输入电阻增大，则应引入电流串联负反馈。 9、（y）在放大电路中引入电压负反馈可以使输出电阻减小，在放大电路中引入电流负反馈可以使输出电阻增大。 10、（y n）在正弦波振荡电路的应用中，通常，当要求振荡工作频率大于1MHz时，应选用RC正弦波振荡电路。 三、选择（本题共20分,每个选择2分）： 1．在放大电路中，测得某三极管的三个电极的静态电位分别为0V，－10V，－9.3V，则此三极管是（ A ） A. NPN型硅管； B. NPN型锗管； C. PNP型硅管； D. PNP型锗管； 2．为了使放大电路Q点上移，应使基本放大电路中偏置电阻R b的值（C ）。 A. 增大 B.不变 C. 减小 3．典型的差分放大电路中Re（ B ）。 A.对差模信号起抑制作用 B. 对共模信号起抑制作用 C. 对差模信号和共模信号均无作用 4．在差动电路中，若单端输入的差模输入电压为20V，则其共模输入电压为（C ）。 A. 40V B. 20V C. 10V D. 5V 5．电流源的特点是（ A ）。 A .交流电阻大，直流电阻小； B . 交流电阻小，直流电阻大； C. 交流电阻大，直流电阻大； D. 交流电阻小，直流电阻小。 6．影响放大电路高频特性的主要因素是（ D ）。 A. 耦合电容和旁路电容的存在； B. 放大电路的静态工作点不合适； C. 半导体管的非线性特性； D. 半导体管极间电容和分布电容的存在； 7．关于理想运算放大器的错误叙述是（ A ）。 A．输入阻抗为零，输出阻抗也为零；B．输入信号为零时，输出处于零电位； C．频带宽度从零到无穷大；D．开环电压放大倍数无穷大 8．有T1 、T2和T3三只晶体管，T1的β＝200，I CEO＝200μA；T2的β＝100，I CEO＝10μA；T3的β＝10，I CEO＝100μA，其它参数基本相同，则实用中应选（ B ） A. T1管； B. T2管； C. T3管 9．交流反馈是指（ C ） A．只存在于阻容耦合电路中的负反馈；B．变压器耦合电路中的负反馈； C．交流通路中的负反馈；D．放大正弦信号时才有的负反馈； 10．RC桥式正弦波振荡电路是由两部分组成，即RC串并联选频网络和（ D ） A. 基本共射放大电路； B. 基本共集放大电路； C. 反相比例运算电路； D. 同相比例运算电路； 四、分析与计算（本题共50分）： 1．(本小题10分) 电路如图2所示，通过分析判断反馈组态，并近似计算其闭环电压增益A usf。 2．(本小题10分) 电路如图3所示，u2=10V，在下列情况下，测得输出电压平均值U o的数值各为多少？（1）正常情况时；（2）电容虚焊时；（3）R L开路时；（4）一只整流管和电容C同时开路时。 3．(本小题12分) 如图4所示电路中，A为理想运放，Vcc＝16V，R L＝8Ω，R1＝10kΩ，R2＝100kΩ，三极管的饱和管压降U CES＝0V，U o＝－10V。（1）合理连接反馈电阻R2；（2）设A输出电压幅值足够大，估算最大输出功率P om；（3）估算单个三极管的最大集电极
数电选择题答案及详解
1 : 对于JK触发器，输入J＝0，K＝1，CLK脉冲作用后，触发器的次态应为（）。(2分） A:0 B:1 C:Q' D:不确定 您选择的答案: 正确答案： A 知识点：JK触发器的特性为：J=1，K=1时，Q状态为翻转，即Q= Q’ 2 : 已知Y=A+AB′+A′B,下列结果中正确的是（）(2分） A:Y=A B:Y=B C:Y=A+B D:Y=A′+B′ 您选择的答案: 正确答案： C 知识点：利用公式A+AB′=A和A+A′B=A+B进行化简 3 : (1001111)2的等值十进制数是（）(2分） A:97 B:15.14 C:83 D:79 您选择的答案: 正确答案：D 知识点：把二进制数转换为等值的十进制数，只需将二进制数按多项式展开，然后把所有各项的数值按十进制数相加。 4 : 图中为CMOS门电路，其输出为（）状态(2分）(对于CMOS门电路，输入端接负载时，输入电平不变) A:高电平 B:低电平 C:高阻态 D:不确定 您选择的答案: 正确答案： A 知识点：对于CMOS门电路，输入端接负载时，输入电平不变
5 : 四选一数据选择器的数据输出Y与数据输入Di和地址码Ai之间的逻辑表达式为Y=（）(2分） A:A1′A0′D0+ A1′A0D1+ A1A0′D2+ A1A0D3 B:A1′A0′D0 C: A1′A0D1 D:A1A0′D2 您选择的答案: 正确答案： A 知识点：四选一数据选择器的Y= A1′A0′D0+ A1′A0D1+ A1A0′D2+ A1A0D 6 : 一个同步时序逻辑电路可用（）三组函数表达式描述(2分） A:最小项之和、最大项之积和最简与或式 B:逻辑图、真值表和逻辑式 C:输出方程、驱动方程和状态方程 D:输出方程、特性方程和状态方程 您选择的答案: 正确答案： C 知识点：时序逻辑电路的逻辑关系需用三个方程即输出方程、驱动方程及状态方程来描述。 7 : (1010.111)2的等值八进制数是（）(2分） A:10. 7 B:12. 7 C:12. 5 D:10. 5 您选择的答案: 正确答案： B 知识点：把每三位二进制数分为一组，用等值的八进制数表示。 8 : 一位十六进制数可以用（）位二进制数来表示。(2分） A:1 B:2 C:4 D:16 您选择的答案: 正确答案： C 知识点： 9 : TTL同或门和CMOS同或门比较，它们的逻辑功能一样吗？(2分）
模电试卷题库含答案
1.某个处于放大状态的电路，当输入电压为10mV，输出电压 为6.5V,输入电压为15mV时，输出电压为7V（以上均为直 流电压），它的电压增益为（ C ） a、700 b、650 c、100 d、-100 2.当输入信号频率为f L或f H时，电压增益的幅值约下降为中 频时的（ B ） a、05. b、0.7 c、0.9 d、1 3.当输入信号频率为fL或fH时, 电压增系下降了( B )。 A、2 dB B、3dB C、4dB D、6dB 4.某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接3KΩ 的负载 电阻后输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为（ C ） a、10KΩ b、2KΩ c、1 KΩ d、0.5KΩ 5.用两个A U相同的放大电路A和B分别对同一个具有相同内阻的电压 信号进行放大，测试结果输出电压V OA>V OB，由此可知A比B（ B ） a、一样 b、差 c、好 d、无法判别 6.用两个放大电路A和B分别对同一电压信号进行放大。当输出端开路时V OA=V OB ，都接入负载R L时，测得V OA a、虚短 b、虚断 c、虚地 d、以上均否 8.如图示，运放A为理想器件，则其输出电压V0为（ A ） a、0V b、3V c、6V d、9V 9.如图示，运放A为理想器件，则其输出电压V O为（ C ） a、9V b、6V c、0V d、3V 10.设V N、V P和V0分别表示反相输入端、同相输入端和输 出端，则V0与V N、V P分别成（ D ） a、同相、同相 b、反相、反相 c、同相、反相 d、反相、同相 11.若要将幅度为±Um的矩形波转变为三角波，则应选用（ D ） A、反相比例运算电路 B、同相比例运算电路 C、微分运算电路 D、积分运算电路 半导体 12.N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的（ D ）。 a、电子 b、空穴 c、三价硼元素 d、五价磷元素 13.半导体中有两种载流子，它们分别是（ C ） a、电子和受主离子 b、空穴和施主离子 c、电子和空穴 d、受主离子和施主离子 14.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（ B ） a、温度 b、杂质浓度 c、掺杂工艺 d、晶体缺陷 B 选择题（在题末的备选答案中选出一个正确答案的号码。每空1分，共14分） 1． 已知常温下26mV T U =,二极管D 正偏电压U D =0.6V ，电流I D =0.8mA ，其交流电阻 r D =（ ）。 A. 750Ω B. 32.5Ω C. 375Ω D. 16.25Ω 2． BJT 放大电路中，测得三个电极①、②、③对地电位分别为12V 、12.2V 、0V ，据此 可判定BJT 为( A )型三极管，其三个电极中①为( D )极。 A. PNP B. NPN C. 发射极 D. 基极, E. 集电极 3． 图1所示共射放大电路，设静态时CQ 5mA I =，晶体管 饱和管压降CES 0.6V U =，当输入信号幅度增大到一定值时，电路将首先出现（ ）失真，其输出波形的( )将削去一部分。 A. 截止 B. 饱和 C. 顶部 D. 底部 4． 在图1所示电路中，已知晶体管的100β=， be 1k r =Ω，i 20mV U =；静态工作时BEQ 0.7V U =，CEQ 5V U =，BQ 20uA I =， 相应的电压增益为（ ）。 A ．u 1003 3001A ?=-=-& B ．u 1001.5 1501 A ?=-=-& C ．u -352502010A =-=-?& D ．u 57.140.7 A =-≈-& 5． 根据不同器件的工作原理，试判断（ ）可以构成复合管。 （A ） （B ）（C ） （D ） 6． 在设计两级放大电路的过程中，要求输入电阻i R 约为150k Ω，电压放大倍数的数值 u A &约为100，第一级电和第二级电路应采用（ ）。 A. 共集电路；共射电路 B ．共基电路；共射电路 C. 共集电路；共基电路 D. 共射电路；共射电路 7． MOS FET 构成的两级放大电路，总电压增益u 2000A =倍，其中第一级的电压增益 1 : (110.1)2的等值十六进制数是（）(2分） A:110.1 B:15. 5 C:6. 8 D:2. 1 您选择的答案: 正确答案： C 知识点：把每四位二进制数分为一组，用等值的十六进制数表示。 2 : 两输入的与门在下列（）时可能产生竞争—冒险现象(2分）门电路两个输入信号同时向相反的逻辑电平跳变的现象称为竞争 A:一个输入端为0，另一个端为1 B:一个输入端发生变化，另一个端不变 C:两个不相等的输入端同时向相反的逻辑电平跳变 D:两个相等的输入端同时向相反的逻辑电平跳变 您选择的答案: 正确答案： C 知识点：门电路两个输入信号同时向相反的逻辑电平跳变的现象称为竞争 3 : 电路如下图所示，设起始状态Q2Q1=00，第3个上升沿，Q2Q1变为( ) (5分） A:00 B:01 C:10 D:11 您选择的答案: 正确答案：D 知识点：参考T触发器的特性表 您选择的答案: 正确答案： A 4 : 逻辑函数Y(A, B, C, D)=∑m(0,2,4,6,9,13) + d(1,3,5,7,11,15)的最简与或式为（）(5分） A:AD+A’D’ B:A’+D C: A+D D:A’C+AD 您选择的答案: 正确答案： B 知识点：化简具有无关项的逻辑函数最好用卡诺图的方法。 5 : 图中为TTL门电路，其输出为（）状态(2分） A:高电平 B:低电平 C:高阻态 D:不确定 您选择的答案: 正确答案： C 知识点：图示中，控制端低电平电平有效。控制端无效时输出为高阻态 6 : 逻辑函数Y＝（A’＋D）(A C＋B C’) ’＋A B D’ 的Y’ 是（）(2分） A:(AD’+(A’+C’)(B’+C))(A’+B’+D) B:(AD’+((A’+C’)(B’+C))’)(A’+B’+D) C:AD’+(A’+C’)(B’+C)(A’+B’+D) D:AD’+((A’+C’)(B’+C))’(A’+B’+D) 您选择的答案: 正确答案： B 知识点：利用反演定理求Y’时，要注意：利用加括号的方式保证原来的运算顺序不变；非单个变量上的非号不变。 7 : （）的特性方程为Q*=A (2分） A: D触发器 B:T触发器 C:JK触发器 D: SR触发器 您选择的答案: 正确答案： A 知识点：D触发器的特性方程为Q*=D 8 : 组合逻辑电路消除竞争冒险的方法有（(2分） A:修改逻辑设计 B:在输出端接入滤波电容 C:后级加缓冲电路 D:屏蔽输入信号的尖峰干扰 您选择的答案: 正确答案： B 知识点：输出端接入滤波电容可以滤除竞争冒险产生的尖峰 9 : (1001111)2的等值十进制数是（）(2分） A:97 B:15.14 C:83 D:79 您选择的答案: 正确答案：D 通信 071~5 班 20 08 ~20 09 学年 第 二 学期 《数字电子技术基 础》 课试卷 试卷类型： A 卷 一、 单项选择题（每小题2分，共24分） 1、8421BCD 码01101001.01110001转换为十进制数是：（ ） A ：78.16 B ：24.25 C ：69.71 D ：54.56 2、最简与或式的标准是：（ ） A ：表达式中乘积项最多，且每个乘积项的变量个数最多 B ：表达式中乘积项最少，且每个乘积项的变量个数最多 C ：表达式中乘积项最少，且每个乘积项的变量个数最少 D ：表达式中乘积项最多，且每个乘积项的变量个数最多 3、用逻辑函数卡诺图化简中，四个相邻项可合并为一项,它能：（ ） A ：消去1个表现形式不同的变量，保留相同变量 B ：消去2个表现形式不同的变量，保留相同变量 C ：消去3个表现形式不同的变量，保留相同变量 表1 D ：消去4个表现形式不同的变量，保留相同变量 4、已知真值表如表1所示，则其逻辑表达式为：（ ） A ：A ⊕B ⊕C B ：AB + BC C ：AB + BC D ：ABC （A+B+C ） 5、函数F(A ，B ，C)=AB+BC+AC 的最小项表达式为：（ ） A ：F(A,B,C)=∑m （0，2，4） B ：F(A,B,C)=∑m （3，5，6，7） C ：F(A,B,C)=∑m （0，2，3，4） D ：F(A,B,C)=∑m （2，4，6，7） 6、欲将一个移位寄存器中的二进制数乘以（32）10需要（ ）个移位脉冲。 A ：32 B ： 10 C ：5 D ： 6 7、已知74LS138译码器的输入三个使能端（E 1=1，E 2A =E 2B =0）时，地址码A 2A 1A 0=011，则输出Y 7 ～Y 0是：（ ） A ：11111101 B ：10111111 C ：11110111 D ：11111111 8、要实现n 1n Q Q =+，JK 触发器的J 、K 取值应是：（ ） A ：J=0，K=0 B ：J=0，K=1 C ：J=1，K=0 D ：J=1，K=1 1.某个处于放大状态的电路，当输入电压为1０mV,输出电压 为6.5Ｖ,输入电压为１5mV时，输出电压为7V(以上均为直 流电压),它的电压增益为( Ｃ) ａ、70０b、6５0 ｃ、100 d、－１０0 2.当输入信号频率为f L或ｆH时,电压增益的幅值约下降为中 频时的( Ｂ） ａ、05. b、0．７c、0．9 ｄ、１ 3.当输入信号频率为fL或ｆH时, 电压增系下降了( B )。 Ａ、2 ｄＢB、3ｄＢC、４ｄＢD、6dB 4.某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接3KΩ 的负载 电阻后输出电压降为３V,这说明放大电路的输出电阻为（C) ａ、１0KΩb、2KΩｃ、1 KΩｄ、0．5KΩ 5.用两个A U相同的放大电路A和B分别对同一个具有相同内阻的电压 信号进行放大，测试结果输出电压V OＡ>ＶOＢ,由此可知A比B（ B ） a、一样 b、差 c、好 d、无法判别 6.用两个放大电路A和Ｂ分别对同一电压信号进行放大。当输出端开路时Ｖ =V OB,都接入负载R L时，测得V OＡ a、虚短 b、虚断ｃ、虚地d、以上均否 8.如图示,运放Ａ为理想器件,则其输出电压V0为（A ） a、０V b、３V c、6Ｖｄ、9Ｖ 9.如图示,运放Ａ为理想器件，则其输出电压V O为（Ｃ) a、9Ｖｂ、6Vｃ、0V d、3Ｖ 10.设ＶN、V P和Ｖ0分别表示反相输入端、同相输入端和输 出端，则V0与V N、V P分别成( Ｄ) a、同相、同相 b、反相、反相 c、同相、反相 d、反相、同相 11.若要将幅度为±Uｍ的矩形波转变为三角波，则应选用( D ) A、反相比例运算电路?Ｂ、同相比例运算电路?C、微分运算电路 D、积分运算电路 半导体 12.N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的( Ｄ)。 ａ、电子b、空穴c、三价硼元素d、五价磷元素 13.半导体中有两种载流子，它们分别是（Ｃ) ａ、电子和受主离子b、空穴和施主离子 c、电子和空穴 d、受主离子和施主离子 14.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于( B ） a、温度 b、杂质浓度 c、掺杂工艺ｄ、晶体缺陷 15.在室温附近，当温度升高时,杂质半导体中浓度明显增加是（C ） a、载流子ｂ、多数载流子c、少数载流子d、正负离子 模拟电子技术基础试卷及参考答案 试卷三及其参考答案 试卷三 一、选择题（这是四选一的选择题，选择一个正确的答案填在括号内）（共16分） 1．有两个增益相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。在负载开路的条件下，测得A放大器的输出电压小，这说明A的（） a. 输入电阻大 b. 输入电阻小 c. 输出电阻大 d. 输出电阻小 2．共模抑制比K CMR越大，表明电路（）。 a. 放大倍数越稳定 b. 交流放大倍数越大 c. 抑制温漂能力越强 d. 输入信号中的差模成分越大 3．多级放大电路与组成它的各个单级放大电路相比，其通频带（）。 a. 变宽 b. 变窄 c. 不变 d. 与各单级放大电路无关 4．一个放大电路的对数幅频特性如图1-4所示。当信号频率恰好为上限频率或下限频率时，实际的电压增益为（）。 a. 43dB b. 40dB c. 37dB d. 3dB 图1-4 图1-5 5．LC正弦波振荡电路如图1-5所示，该电路（）。 a. 满足振荡条件，能产生正弦波振荡 b. 由于无选频网络，不能产生正弦波振荡 c. 由于不满足相位平衡条件，不能产生正弦波振荡 d. 由于放大器不能正常工作，不能产生正弦波振荡 6．双端输入、双端输出差分放大电路如图1-6所示。已知静态时，V o=V c1－V c２＝０，设差 模电压增益 100 vd = A ，共模电压增益mV 5 V mV, 10 ,0 i2 i1 c = = =V A V，则输出电压o V为（）。 a. 125mV b. 1000 mV c. 250 mV d. 500 mV 图1-6 图1-7 7．对于图1-7所示的复合管，假设CEO1I 和CEO2I 分别表示T 1、T 2单管工作时的穿透电流，则复合管的穿透电流CEO I 为（ ）。 a. CEO2CEO I I = b. CEO2CEO1CEO I I I += c. CEO1CEO I I = d. CEO12CEO2CEO )1(I I I β++= 8．某仪表放大电路，要求R i 大，输出电流稳定，应选（ ）。 a. 电流串联负反馈 b. 电压并联负反馈 c. 电流并联负反馈 d. 电压串联负反馈 二、判断下列管子的工作状态（共10分） 1．测得各三极管静态时三个电极对地的电位如图2-1 a 、b 、c 所示，试判断它们分别工作在什么状态（饱和、放大、载止、倒置）。设所有的三极管和二极管均为硅管。 图2-1 2．电路如图2-2 a 、b 所示，分别指出它们工作在下列三个区中的哪一个区（饱和区、夹断区、可变电阻区）。华南理工大学模电试题(附答案)
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