Ge Si heterojunction photodetector for 1.064 μm laser pulses
PACS 42.79.Pw, 85.60.Gz
Ge/Si heterojunction photodetector for 1.064 μm laser pulses
Raid A. Ismail1*, Jospen Koshapa2, Omar A. Abdulrazaq3
1Applied Physics Center, Ministry of Science and Technology, Baghdad, Iraq
E-mail: raidismail@https://www.wendangku.net/doc/077489704.html,
*Present address: Faculty of education, Hadrhamout University, Yemen
2Applied Science Dept., University of Technology, Baghdad, Iraq
3NASSR State Company, Ministry of Industry and Minerals
Abstract. Iso- and anisotype heterojunction Ge/Si photodetectors were made by
depositing Ge layer onto monocrystalline Si using a vacuum evaporation technique.
These detectors before and after annealing were utilized to detect 1.064 μm Nd:YAG
laser pulses. The study also included determination of the optimal Ge thickness and
annealing conditions. The experimental results show that the photoresponse was highly
improved after classical thermal annealing and rapid thermal annealing (RTA). The
voltage responsivity and signal rise time results strongly depended on the annealing type
and conditions. It was found that the optimal conditions can be obtained for n-Ge/p-Si
photodetector prepared with Ge 200 nm thick and treated with RTA at 500 oC for 25 s.
Keywords: Ge/Si photodetector, thermal annealing, Nd:YAG laser pulse.
Manuscript received 24.01.06; accepted for publication 29.03.06.
1. Introduction
The wide use of Nd:YAG laser in industrial, medical, and military applications has initiated extensive researches on photon detectors for the wavelength 1.064 μm [1-4]. Nowadays, fabrication of IR-detectors is directed principally towards heterojunction photo-detectors. The fabrication simplicity and absence of high-temperature diffusion processes were an incentive to use a heterojunction as IR-detector. Ge/Si heterojunction is an appropriate junction for detectors in the visible and IR ranges 500 to 1800 nm [2, 5-6]. The high mismatch (about 4.2 %) takes place between Ge and Si would degrade the detector properties. Many studies were devoted to reduce the mismatch effect by varying the Ge layer thickness when using Ge x Si1-x [6] and Ge1-x C x layers [7] as well as by post-deposition thermal annealing [8]. Previous study on the Ge/Si heterojunction was centered on its optoelectronics properties after and before annealing [9]. In this study, the effect of the Ge-layer thickness and annealing conditions (involving classical thermal annealing (CTA) and rapid thermal annealing (RTA) techniques) on Ge/Si photodetector main parameters for 1.064 μm laser pulses were described. 2. Experimental procedure
High purity germanium (99.99 %) was deposited on (111)-oriented monocrystalline silicon wafers of n- and p-type conductivity and 3…5 Ohm·cm resistivity using the thermal resistive technique (pressure in vacuum chamber was less than 10-6Torr). The thickness of the Ge layer varied from 50 to 250 nm at 50-nm intervals. As ohmic contacts, Al and Sn were deposited onto Si and Ge, respectively. Photoresponse of the detectors (Ge-side) was measured by exposure to the 400 μs single pulse of Nd:YAG laser, and the output voltage signal was recorded across a load resistance of 5 kOhm connected in series with the reverse biased detector and monitored by storage oscilloscope (100 MHz). In a tube furnace, CTA was performed at various temperatures 200 to 600 °C for 30 min, while RTA was made by utilizing incoherent light from a halogen lamp (one sided illumination mode) at temperatures 200 to 600 °C for 25 s. The set-up of RTA system is schematically shown in Fig. 1. Four-point probe measurement was used to investigate the conductivity type of the Ge deposited layer. The signal rise time of photodetectors was measured using 2 ns (FWHM) diode pumped Nd:YAG laser pulses formed with the aid of 300 MHz CRO.
Quartz Tube
Sample
Valve
Rotary Pump
Thermocouple Reader
Stand
Halogen Lamp
Fig. 1. Scheme of RTA system .
3. Results and discussion
Using the four-probe technique, it was revealed that the
type of conductivity of Ge layers is n -one, thereby, it is anticipated that the anisotype heterojunction can be
formed by depositing the Ge-layer onto p -Si substrate,
while the deposition of Ge-layer onto n -Si substrate will
form an anisotype heterojunction. The voltage
responsivity of photodetectors to Nd:YAG laser pulses
versus the reverse bias voltage for variuos thicknesses is given in Fig. 2. It is obvious that the responsivity to the
wavelength 1.064 μm increases with reverse bias
voltage. This can be accounted for definetely by the increase in the depletion region width with the reverse
bias, and hence most of generated carriers will be
accumulated near the junction. The observed saturation refers to full accumulation in the space charge region
and may take place due to increasing the noise voltage of
detector at high-voltage biases. Moreover, it can be seen that the photoresponse increases with increase of the
thickness up to 200 nm and then decreased clearly. This
observation may be interpreted by the reduction of the
resistance in series with increasing the thickness in
addition to the location of the depletion region far from the surface, which in turns reduces the surface
recombination. While in the case of the large thickness (more than 200 nm) the role of dislocations will be significant due to lattice mismatch and will negatively affects the device operation. Furthermore, the anisotype
n -Ge/p -Si heterojunction detector exhibits better results
than the isotype n -Ge/n -Si one, which is in a full
agreement with published results.
Results of treating the photodetector by CTA for the anisotype Ge/Si detector with the Ge-layer thickness of 200 nm and the annealing time 20 min are shown in Fig. 3. It is obvious that the detector properties are enhanced with increase of the annealing temperature (up to 500 °C). This enhancement is probably ascribed to the reduction in structural defect density of the Ge-layer [10]. An annealing cycle with the high temperature T a > 500 °C degrades the detector characteristics because of the effects occuring at the interface and bulk properties as well as those caused by nondesirable diffusion of Si into Ge at the interface [11].
Fig. 2. The variation of voltage responsivity with the reverse bias voltage for various Ge-layer thicknesses: anisotype (a) and isotype (b) n -Ge/n -Si heterojunction detectors.
Fig. 4 depicts the influence of RTA on n -Ge/p -Si responsivity with Ge-layer thickness of 200 nm and annealing time of 25
s. The figure shows that this responsivity increases remarkedly after RTA compared with that for unannealed detectors. The photodetector
annealed at 500
°C/25 s gave best results, and further increase in the temperature annealing results in decreasing the voltage responsivity. This can be ascribed to excess of Si diffusion into Ge since the activation energy of Ge is higher than that of Si [8]. On the other hand, the beneficial effect of post-annealing on the electrical and structrural properties of Ge epilayers on the detector operation has resulted from the decrease of
threading the dislocation densities [11].
Fig. 3. n-Ge/p-Si photodetector (200 nm thick Ge) voltage response for Nd:YAG laser at the various CTA temperatures.
Fig. 5 shows a laser pulse recorded by unannealed and annealed photodetectors. It is obvious that the annealed samples show higher response than the unannealed ones. When the incident laser pulse power increases, the detector output voltage will be increased as shown in Fig. 6. The figure illustrates that at a high power a saturation region did not appear. From this curve, linearity deviation K was calculated and approximately equals to 10 % for unannealed samples and 6 % for the annealed ones.The time analysis shows that the optimal annealed photodetector gave the rise time close to 18 ns and the other photodetectors exhibited the rise time ranging between 75 and 90 ns depending on preparation conditions. The previous measurements were repeated after six months and no remarkable degredation was observed.
Fig. 4. Anisotype photodetector response for Nd:YAG laser at the various RTA temperatures.
a
b
Fig. 5. Photographs of laser waveform recorded by detectors with the Ge-layer thickness of 200 nm and at 20 V reverse bias before annealing (a) and after RTA (b) at 500 oC and 25 s. (Hor. ms/div), (Ver. V/div).
Fig. 6. Linearity characteristics of the best photodetector for Nd:YAG laser.
4. Conclusions
Demonstrated were p-n- and p-p-photodetectors capable to register Nd:YAG laser pulses and made from heterojunctions of p-type Ge epilayers on n- and p-type Si substrates without using a buffer interface layer and without anti-reflection coating. The detecton ability for Nd:YAG laser pulses were investigated as a function of Ge thickness and annealing conditions. Post-annealing of these photodetectors leads to a significant improvement in their important characteristics, namely, voltage responsivity, linear characteristics, and rise time. The photodetector treated by RTA (500 °C/25 s) demonstrates superiour detection properties comparing to conventional p-n and p-i-n silicon homojunction photodetectors. These photodetectors exhibits a good stability of their characteristics. References
1. S.
Have
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10. H. Takeuchi, P. Rande, V. Subramanian, T. King //
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11. L. Colace, G. Masini, G. Assanto, H. Chiao,
K. Wada, L. Kimerling // Appl. Phys. Lett.76,
p. 1231 (2000).
新员工成长手册
某某技术股份有限公司 新 员 工 成 长 手 册 所在部门: 姓名： 入职时间:
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手册填写须知 1、新员工成长手册共分为四部分：《新员工入职培训》、《新员工部门培训》、《新员工部门工作记录》、《新员工转正审批及考核》 2、新员工入职培训（见表一）:由人力资源部负责组织实施，培训完成后在相应的表格中签字确认已完成的培训项目并记录考试成绩. 3、新员工部门培训(见表二、表三）：由用人部门定期组织的《新员工部门培训》，每次培训完成后,新员工需在相应的表格中认真填写培训记录,并由辅导人/培训讲师签字确认。 4、新员工部门工作日志(见表四至表六）：请将试用期间的工作内容以周报的形式填写，并由直接领导签字确认。 5、请在约定的转正日期前十天，在《新员工成长手册》表七的《新员工转正申请及审批表》内认真填写工作总结，填写完交至部门直接上级和部门负责人签字确认，之后交至人力资源部员工关系主管处审核并逐级签批。 6、《新员工成长手册》是每个新员工试用期间所有培训、工作以及成绩的记录，将作为新员工试用期考核和转正的重要依据。
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某公司新员工入职指引手册
新员工入职指引手册 致新员工： 大家好，欢迎您加入公司大家庭！ 相信不管是刚踏入社会的应届毕业生，还是有着丰富社会阅历的职场精英，刚进入一个新的职场环境，都或多或少存在着一种陌生感（陌生的环境、陌生的同事、陌生的流程等等），同时在工作过程中不知道如何去开展工作而使得比较迷茫。如何尽快的摆脱陌生感及迷茫的工作状态，如何更快的了解公司、了解部门、了解同事，让自己迅速的融入新的团队，在新的组织中快速成长。是我们编写《新员工入职指南》的初衷。 每位新员工，都希望能够了解到公司是如何经历过来的。在这里我们先简单的作一描述： 2001年，公司高层确立走自主品牌的道路，XX品牌创立，凭着XX人特有的拼搏精神，品牌初创不久，即XX高校市场崭露头角，赢得了客户，同时进一步积极拓展XX以外的市场，成为XX省的省级品牌新秀；2004年，XX品牌成功进入XX 省全省的政府采购目录、成为省市政府协议采购的指定品牌，标志着XX品牌在政府采购市场，与为数不多的几家国际和国内大牌，平起平坐，同场竞技，把众多二线品牌抛在竞跑的身后；2005年，XX通过ISO9000、XX市名牌、XX省名牌培育计划。。。；2007年，公司致力于网上商务平台与线下实体相结合的营销模式，积极向电子商务领域进军。这些成绩已成为过去，新的辉煌等着我们一起去创造！ 公司的历程了解后，我们那视线转到公司的组织架构，大体上了解组织架构，有利于后期的工作开展： 总经理负责公司的战略决策及整体公司运营管理；营销中心负责XX产品的销售推广；技术中心负责新产品的研发、售前、售中、售后的技术服务保障；生产储运中心负责XX产品的生产和储运；总经办负责公司行政人事管理、对外关系、综合行政人事服务和后勤保障。每个部门紧紧围绕公司的总体运营目标，相互信任、相互协作，助推着XX品牌的茁壮成长！ 接下来所要讲的内容，作为新员工踏入公司的第一天开始，都可能会遇到并且用的上信息，虽然都是一些最基本的信息（专业信息有待各个部门进一步的培
员工成长手册
新员工成长手册 欢迎辞 亲爱的朋友，感谢您加入我们正在启航的香港修身堂直营美容公司，美容公司过去取得的任何成绩，都离不开新老员工的辛勤奉献；从今天起，公司将来的每一个进步，也都将与您的努力息息相关。 公司一直致力于为员工提供可持续发展的机会和空间，努力创造公平的竞争环境，只要您用心付出，最终将得到公司公正的评价，实现自己的人生价值。 在美容公司，我们倡导团队精神和责任意识，唯有融入团队，并积极进取，您的聪明才智才能得到最大程度的发挥。真诚期待您，在这个和谐而又富有激情的环境中一展才华，与美容公司一起成长。希望美容公司成为您事业发展的 第1 页共21 页
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新入职员工成长通关攻略
润华公司新入职员工成长通关攻略（入职实习通关指引工具） 部门名称： 员工姓名： 代教人姓名： 主管经理姓名： 致新入职伙伴
亲爱的伙伴：你好! 欢迎加入润华公司这个大家庭，愿这里可以成为你新的腾飞起点。 当你拿到这本新员工岗位实习成长通关攻略时，期待着润华会因为你的加入、成长与付出而自豪。 通关攻略中包括了在岗位实习过程中要掌握的专业技能、零售知识及相关要领学习指引，同样也涵盖了各类通关测试，它可以很好地帮助你在岗位更加轻松、得心应手的工作，并且迅速地成为专业的金牌销售高手。 在实习通关过程中，主管经理以及为你专门指派的通关教练将是你的辅导人，他们会为你讲解相关知识、流程，并为你提供相关技巧，助你在整个实习过程中加快成长，每一天的关卡他们都将伴随你共同完成，当你有任何疑问及困难时你都可以第一时间找到他们，同时公司也会为你提供振翅高飞的机会，当然要想搏击长空，还需你的投入和努力。。。。。。 真诚希望你与润华公司一起成长与发展，祝你在润华工作顺利，每天都有愉快心情。 润华公司财务部 2013年月日 新入职员工成长通关攻略使用说明 1. 该手册由新入职员工保管，每天下班前请主动将手册交到主管经理或带教教练进行评估及测试评分；
2. 每天实习结束后请主管经理或带教教练在通关任务书需要学习的后面项目栏“□”内划“√”，未完成的划“X”；所通关内容适用员工在N/A下面的“□”内划“√”不适用划“X”。 3．请主管经理或教练按照通关攻略对新员工进行关卡测试考核及综合评分，分数请写在表格的空白评分处，满分150分，新员工总评分达到120分（含以上），方视为合格； 4.请主管经理或教练对当天的学习及实习表现进行面对面的反馈及辅导，共同制定改善计划； 5.请主管经理或教练及时跟进每天思想动态及表现，关注执行； 6.若遇周六日或大型促销活动及节假日，店铺教练可进行销售工作，新员工在旁进行观摩学习或由主管经理安排适当工作，实习通关攻略内容可适当顺延。 7.通关攻略每天表格中设置添加了空白行，各部门可结合新员工自身情况添加对新入职员工的通关任务帮教、考核项目； 8.通关攻略每天考核项目根据入职员工成长要求设定，各部门可结合新员工自身情况对每天通关任务书中部分帮教项目做天数顺序调整。 新入职员工成长通关攻略—第1天 入职第1天： 你的通关目标是熟悉岗位及相关标准规范，请你结合通关任务书，在主管经理或教练的辅导下，顺利完成首关测试，祝你成功。
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手册填写须知 1、新员工成长手册共分为四部分：《新员工入职培训》、《新员工部门培训》、《新员工部门工作记录》、《新员工转正审批及考核》 2、新员工入职培训（见表一）：由人力资源部负责组织实施，培训完成后在相应的表格中签字确认已完成的培训项目并记录考试成绩。 3、新员工部门培训（见表二、表三）：由用人部门定期组织的《新员工部门培训》，每次培训完成后，新员工需在相应的表格中认真填写培训记录，并由辅导人/培训讲师签字确认。 4、新员工部门工作日志（见表四至表六）：请将试用期间的工作内容以周报的形式填写，并由直接领导签字确认。
5、请在约定的转正日期前十天，在《新员工成长手册》表七的《新员工转正申请及审批表》内认真填写工作总结，填写完交至部门直接上级和部门负责人签字确认，之后交至人力资源部员工关系主管处审核并逐级签批。 6、《新员工成长手册》是每个新员工试用期间所有培训、工作以及成绩的记录，将作为新员工试用期考核和转正的重要依据。 表一
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新员工入司引导计划工作方案 一、目的 1、为新员工提供相应的入司物品、指引和人员介绍，让新员工尽快熟悉环境，减少新员工初进公司时的紧张情绪，让新员工体会到归属感； 2、让新员工了解公司历史、政策、企业文化，使其更快适应公司； 3、让新员工了解中心的工作、岗位、相关工作情况及公司对他的发展期望； 4、使新员工明白自己的成长和发展工作的职责、加强同事之间的关系； 5、培训新员工解决问题的能力及提供寻求帮助的方法。 二、新员工入职及试用期成长规划 1、入职前准备（综合管理部负责） 入职前： 准备好新员工宿舍安排、部分物品采购、办公用品发放； 准备好给新员工培训的课件相关资料； 为新员工计划指定一位资深员工（师傅）作为新员工的帮带人； 饭卡办理及新员工档案建立（入司登记表，简历，面试表等，身份证复印件及照片）； 新员工阶段实习岗位的确定。 2、上岗实习前培训（相关部门经理负责） 到职后第一周：（综合管理部） 第一天新员工报到，带新员工介绍认识中心人员（仓库、办公室）； 第一天陪新员工熟悉下公司环境、餐厅位置，介绍厂内的相关管理规定； 第一周内尽快完成新员工入职培训（公司篇，物流篇，安全篇）； 新员工实习岗位的工作安排及帮带人的交付； 员工手册及相关管理规范的学习安排。 入职后一个月：(相关部门经理负责） 入职一个月内，相关实习岗位部门经理及综合管理部经理分别与新员工进行至少
一次非正式谈话，了解实习工作进展，思想认识，谈论工作中出现的问题，解答新员工的疑问。 综合管理部每周对新员工的岗位实习进行了解，同时从实习岗位帮带人处了解员工实习情况，并讨论确定一些短期的实习目标与学习内容； 中心领导或综合管理部与新员工进行一次正式面谈，了解新员工一个月内的适应情况及实习情况，做相关记录； 入职后第二个月 相关实习岗位部门经理做好新员工实习工作的安排，定期了解新员工试用期每月的表现，实习岗位负责人月底负责填写实习评价表 综合管理部继续跟踪新员工的实习状况及思想沟通，并适时组织检查新员工阶段性的培训工作（课件考虑中） 入职后第三个月 实习第三月，综合管理部跟踪新员工实习与培训的进度； 新员工在月底前完成实习总结，上交综合管理人事处，存档； 月底前实习岗位负责人做好新员工各实习阶段评价，与相关部门经理、综合管理部讨论新员工实习表现，填写试用期考核表，最终由中心领导确定录用情况； 完成试用期考核表，确定是否录用后，综合管理部负责告知新员工； 中心领导了解新员工实习情况，并安排实习结束后的晤谈，对新员工转正进行工作指引。 3、入职培训内容：（综合管理部负责） 新员工入职培训（公司篇，物流篇，安全篇） 员工手册（政策与福利、规章制度等） 员工职业化培训（职业、成长等） 新员工入职沟通 三、新员工试用期要求 熟悉公司、企业文化及中心工作： 1、了解公司的发展史、企业文化、公司及中心现状及发展前景，了解物流工作 和实习工作内容； 2、熟悉公司及中心的规章制度并遵照执行。
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致新入职伙伴 亲爱的伙伴：你好 欢迎加入润华公司这个大家庭，愿这里可以成为你新的腾飞起点。当你拿到这本新员工岗位实习成长通关攻略时，期待着润华会因为你的加入、成长与付出而自豪。通关攻略中包括了在岗位实习过程中要掌握的专业技能、零售知识及相关要领学习指引，同样也涵盖了各类通关测试，它可以很好地帮助你在岗位更加轻松、得心应手的工作，并且迅速地成为专业的金牌销售高手。 在实习通关过程中，主管经理以及为你专门指派的通关教练将是你的辅导人，他们会为你讲解相关知识、流程，并为你提供相关技巧，助你在整个实习过程中加快成长，每一天的关卡他们都将伴随你共同完成，当你有任何疑问及困难时你都可以第一时间找到他们，同时公司也会为你提供振翅高飞的机会，当然要想搏击长空，还需你的投入和努力。。。。。。 真诚希望你与润华公司一起成长与发展，祝你在润华工作顺利，每天都有愉快心情。 润华公司财务部 2013 年月日 新入职员工成长通关攻略使用说明 1.该手册由新入职员工保管，每天下班前请主动将手册交到主管经理或带教教练进行评估及测试评分；
2.每天实习结束后请主管经理或带教教练在通关任务书需要学习的后面项目栏“□”内划“，未完成的划“X”；所通关内容适用员工在N/A下面的“□”内划“"”不适用划“ X”。 3．请主管经理或教练按照通关攻略对新员工进行关卡测试考核及综合评分，分数请写在表格的空白评分处，满分 150 分，新员工总评分达到120分（含以上），方视为合格； 4.请主管经理或教练对当天的学习及实习表现进行面对面的反馈及辅导，共同制定改善计划； 5.请主管经理或教练及时跟进每天思想动态及表现，关注执行； 6.若遇周六日或大型促销活动及节假日，店铺教练可进行销售工作，新员工在旁进行观摩学习或由主管经理安排适当工作，实习通关攻略内容可适当顺延。 7.通关攻略每天表格中设置添加了空白行，各部门可结合新员工自身情况添加对新入职员工的通关任务帮教、考核 项目； 8.通关攻略每天考核项目根据入职员工成长要求设定，各部门可结合新员工自身情况对每天通关任务书中部分帮教项目做天数顺序调整。 新入职员工成长通关攻略—第 1 天
【技术】新员工成长手册
【关键字】技术 某某技术股份有限公司 新 员 工 成 长 手 册 所在部门： 姓名： 入职时间： 欢迎您加入 某某技术股份有限公司 我们的愿景：做中国最优秀的信息技术服务企业 我们的使命：信息生活的保障 我们的精神：自信责任激情创新 我们的核心价值观：让优秀成为习惯
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3、新员工部门培训（见表2、表三）：由用人部门定期组织的《新员工部门培训》，每次培训完成后，新员工需在相应的表格中认真填写培训记录，并由辅导人/培训讲师签字确认。 4、新员工部门工作日志（见表四至表六）：请将试用期间的工作内容以周报的形式填写，并由直接领导签字确认。 5、请在约定的转正日期前十天，在《新员工成长手册》表七的《新员工转正申请及审批表》内认真填写工作总结，填写完交至部门直接上级和部门负责人签字确认，之后交至人力资源部员工关系主管处审核并逐级签批。 6、《新员工成长手册》是每个新员工试用期间所有培训、工作以及成绩的记录，将作为新员工试用期考核和转正的重要依据。 表一
成长公司员工入职引导手册
成长公司员工入职引导手 册 Final revision by standardization team on December 10, 2020.
公司网址： 前言 本手册根据公司的管理制度和工作流程而制定，并经董事会批准实施。主要为您介绍入职及任职期间需要了解的有关政策和工作规则，并就您在企业可享受的权利、所应承担的责任和义务进行了约定。 由于公司的发展与经营环境的不断变化，本手册中规定的政策都会随之做相应的修订，我们将及时通知您关于此手册有关政策的变动。 本手册适用于公司的所有员工。同时以文本版和电子网络版形式与您见面，两者具有同等效力。 第一章公司篇 企业简介 第二章文化篇 企业文化――企业价值观： 坦诚，上进心，责任感，执行力。 <企业价值观>是企业文化的精髓所在，您作为企业的员工，同时作为企业大家庭的一份子，应以此为依据指导自己的工作。 战略篇 1个宗旨(创造顾客价值，实现企业利润)； 2型企业(学习型、创新型)；如您对工作提出合理化建议并经公司采纳实施的，将有一定的薪金奖励。 3三创、三要、三立 三创价值观：创业、创新(核心价值观)、创顾客价值(核心目的) 三要文化：要对每位员工体贴备至；要不惜时间使顾客惊喜；要竭尽所能把事情办好。
三立信条：勤奋求知、适者生存；只争朝夕、永不言败；创造价值、实现自我。战术篇 1、以顾客为本，对焦经营，高价值(全质量)、低成本、赢得顾客心 2、以时间为本，三现(现场、现金、现在)的争速度、适弹性原则 3、以团队为本，三承(承认、承诺、承担)并尊重个人价值，体现专业精神的原则识别篇 理念识别：与顾客一起创造卓越 行为识别：微笑与专业 风格篇 专业：一切从顾客出发——追求存在的价值 创绩效和坚持企业价值观——现实的理想主义者 职业道德与伦理——不做自然人，做角色人 业务技能——具备相当业务专业技能 适应环境——勤奋、学习、创新 会议作风：一短(会议时间短)、 二准(准时、准备)、如有迟到罚款。 三不（不交头接耳、不随意离场、手机静音） 开放、对立、统合的会议作风与组织沟通风格 评估篇 1、绩效 2、坚持企业价值观 3、追求持续的进步 我们的人才观： 1、人力资本经营的理念