DVCC-C8JH-存储器实验
第一章DVCC系列计算机组成原理系统概述
一、DVCC系列计算机组成原理系统简介
DVCC系列计算机组成原理系统是江苏启动计算机公司研制的。DVCC实验机能很好地完成计算机硬件系统各功能部件的教学实验，它包括运算器部件、控制器部件、主存储器部件、总线和几种最重要的外设接口实验，包括中断、定时计数器、输入/输出接口等，在相应软件的配合下，将各功能部件有机的结合起来，完成计算机整机的实验。通过它能体现出重要教学内容、能完成主要教学实验项目。在基本系统上支持多项扩展功能，它包括一个在系统大规模可编程器件，一个并行接口电路。
DVCC系列实验系统可支持高级与初级两个层次上两种方式的实验，高层次的实验方式是指DVCC系列机与PC微机连起来运行，可以动态显示整个实验过程中数据流的流向和当前的各种参数；初级实验方式是指不接任何计算机外围设备，只用DVCC系列机上的开关、按键及指示灯、数码管显示器等操作，控制实验机的运行，同时显示运行的结果。
二、DVCC系列计算机组成原理系统硬件技术指标
1、实验系统的字长为8位、16位兼容设计。可进行16位运算器实验。
2、实验系统的基本指令系统类PC 机，有多种指令格式，多种寻址方式。
3、主存储器采用8K字节静态存储器6264，用于存放用户程序和数据。
4、由4片4位的算术逻辑单元功能发生器级联而成16位运算器。另配有一个双向通用移位/寄存器，以实现逻辑移位功能。
5、控制器采用微程序方案实现，控存字长为24位，可用最大容量为1024字节，且用电可擦写的E2ROM存储器芯片组成，支持动态微程序设计。
6、实验系统上配有一个RS232串行接口，能直接与微机相连，在软件的配合下，完成全部的部件实验和整机组成实验。
7、作为实验系统的扩展部分：（1）主板上扩展有一个6000门CPLD器件，以实现可重构原理计算机组成设计实验以及系统结构的实验，培养学生综合设计能力；
（2）扩展有并行I/O口8255、定时/计数器8253，便于学生掌握计算机I/O口扩展方法；（3）配有万能接线板组成的通用实验板。
8、实验系统工作频率源由555时基电路和74LS123可再触发单稳态多谐振荡器组成产生，频率范围为330HZ～580HZ。
9、实验系统上装有24个微程序输入开关，16个数据开关，18个控制开关，2个微动开关和2位七段数码管以及多个发光二极管等。在不接入计算机的情况下能在手动方式下完成全部部件实验和整机组成实验。而且数据的输入/输出显示为高电平亮，低电平灭，符合人们的习惯。
10、实验系统须采用总线结构，使实验计算机具有结构简单清晰、扩展方便、灵活易变等诸多优点，实验时只要少些接线即可。
三、DVCC系列计算机组成原理系统软件性能
1、独创的查错功能，通过上位机软件实时显示硬件运行情况，错误定位一目了然。
2、代码程序、微程序直接屏幕编辑。
3、微程序动作屏幕上直接解释，让学生充分理解计算机系统硬件与软件的结合点。
4、实验原理、目的、内容和动态调试软件集成于一体，计算机内部程序运行流程彩色动态显示，直观生动，便于多媒体教学。
5、提供双通道虚拟示波器，用于实验过程中信号的观察，以便在设计性、创新性实验过程中及时分析排除故障，这样，可以减少实验室硬件设备的投入，提高实验设备的综合利用率。
四、DVCC系列计算机组成原理实验机平面图
DVCC系列实验机平面图如图1所示。从图1中可看到，DVCC系列实验机为学生提供了运算器ALU、寄存器堆模块、指令部件模块、内存模块、微程序模块、启停和时序电路模块、控制台控制模块以及扩展模块。各功能模块的输出均通过三态器件，部分模块间的总线已连好，另一部分模块的总线学生可按需要连接。各模块所用的控制线全部用跳线器跳接，简单方便。
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图1-1 DVCC-C8JH 实验机平面图
扩展区
扩展数据 输出显示
总线数据 显示 数据输入 并显示 微地址 控制 微地址 显示 微地址 输入
微程序模块
启动 运行
手动 脉冲
编程写 读运行
单步 运行方式
停止 运行控制
SWC SWA
总清外部 总线
内部 总线
程序 RAM
RS232 串行通信口
低8位 运算器
地址总 线显示
24个微程序输入开关
运算器
部分信号 控制开关
手动、自动 切换跳线器
第二章调试软件简介
DVCC实验机系统在控制软件的协调控制下，提供灵活的实验操作方式。在实验计算机独立使用时，通过拨动开关及发光二极管以及二进制数码形式进行输入、编程、显示、调试，而且数据的输入/输出显示为高电平亮，低电平灭，符合人们的习惯。在实验计算机通过RS232通信接口与上位机联机时，可以在上位机上进行编程、相互传送装载实验程序、动态调试和运行实验程序等全部操作，实验者可根据实验题目的需要在两种实验操作方式之间随意切换。
DVCC实验计算机系统提供WINDOWS环境下集成调试软件，有多个显示窗口，如寄存器窗口、微代码窗口、程序代码窗口、动态代码调试窗口、实时数据流动显示窗口等，可在屏幕上显示本实验计算机的组成逻辑示意图，如图2所示。在此环境下，微代码、程序代码可以直接在屏幕上修改或编程；微代码字段可以直接动作解释；调试运行过程实时动态跟踪显示，如数据流的流向及数据总线、地址总线、控制总线的各种信息，使调试过程极为生动形象；并具有逻辑示波器测量等强大功能。为同学们提供了良好的实验操作环境，增强同学们的学习、实验的兴趣，从而提高教学效果。
在DVCC实验计算机上还配有双通道虚拟示波器测量软件，用于实验过程中信号的观察，以便在设计性、创新性实验过程中及时分析排除故障，这样，可以减少实验室硬件设备的投入，提高实验设备的综合利用率。
DVCC实验计算机系统的集成调试软件的硬件要求：
⊙一台IBM 兼容个人计算机，至少Pentium 或PentiumII或更高。
⊙光驱和鼠标；
⊙Microsoft Windows95/97/98/NT/2000 操作系统；
⊙至少32兆内存，建议使用>64兆；
⊙至少4兆可用硬盘空间；
⊙至少256色显示卡。
图2-1 DVCC计算机系统的WINDOWS环境下集成调试软件界面
存储器实验
一、实验目的
掌握静态随机存取存储器RAM工作特性及数据的读写方法。
接
CS2
拨
2、实验接线
①总清开关拨到“1”位置。
②MBUS连BUS2；
③EXJ1连BUS3；
④跳线器J22的T3连TS3；
⑤跳线器J16的SP连H23；
⑥跳线器SWB、CE、WE、LDAR拨至左侧（手动位置）。
图
5.1
主存储器单元电路
表5.1 6264功能表
如果要对其它地址单元写入内容，方法同上，只是输入的地址和内容不同。
④读出刚才写入00地址单元的内容，观察内容是否与写入的一致。具体操作
相关补充：
1、74ls273引脚图与管脚功能表中文资料
74LS273是8位数据/地址锁存器，他是一种带清除功能的8D触发器，下面我介绍一下他的管脚图功能表等资料。
(1).1脚是复位CLR,低电平有效,当1脚是低电平时,输出脚2(Q0)、5(Q1)、6(Q2)、9(Q3)、12(Q4)、15(Q5)、16(Q6)、19(Q7)全部输出0,即全部复位;
(2).当1脚为高电平时,11(CLK)脚是锁存控制端,并且是上升沿触发锁存,当11脚有一个上升沿,立即锁存输入脚3、4、7、8、13、14、17、18的电平状态,并且立即呈现在在输出脚2(Q0)、5(Q1)、6(Q2)、9(Q3)、12(Q4)、15(Q5)、16(Q6)、19(Q7)上.
74ls273管脚功能：
1D～8D为数据输入端，1Q～8Q为数据输出端，正脉冲触发，低电平清除，常用作8位地址锁存器。
2、74ls245
74LS245是我们常用的芯片，用来驱动led或者其他的设备，它是8路同相三态双向总线收发器，可双向传输数据。
74LS245还具有双向三态功能，既可以输出，也可以输入数据。
当片选端/CE高电平时，高阻。
当片选端/CE低电平有效时，DIR=“0”，信号由B 向A 传输；（接收）
DIR=“1”，信号由A 向B 传输；（发送）。
3、6264芯片引脚图和内部结构图
Intel 6264的特性及引脚信号
Intel 6264的容量为8KB，是28引脚双列直插式芯片，采用
CMOS工艺制造
A12～A0（address inputs）：地址线，可寻址8KB的存储空
间。
D7～D0（data bus）：数据线，双向，三态。
OE（output enable）：读出允许信号，输入，低电平有效。
WE（write enable）：写允许信号，输入，低电平有效。
CE1（chip enable）：片选信号1，输入，在读/写方式时为低
电平。
CE2（chip enable）：片选信号2，输入，在读/写方式时为高
电平。
VCC：+5V工作电压。
GND：信号地。
Intel 6264的操作方式
Intel 6264的操作方式由OE,WE, CE1 , CE2的共同作用决定
①写入：当WE和CE1为低电平，且OE和CE2为高电平时，数据输入缓冲器打开，数据由数据线D7～D0写入被选中的存储单元。
②读出：当OE和CE1为低电平，且WE和CE2为高电平时，数据输出缓冲器选通，被选中单元的数据送到数据线D7～D0上。
③保持：当CE1为高电平，CE2为任意时，芯片未被选中，处于保持状态，数据线呈现高阻状态。
静态存储器扩展实验报告
静态存储器扩展实验报告告圳大学实验报深
微机原理与接口技术 课程名称： 静态存储器扩展实验实验项目名称： 信息工程学院学院： 专业：电子信息工程
指导教师：周建华 32012130334 学号：班级：电子洪燕报告人：班 2014/5/21 实验时间： 实验报告提交时间：2014/5/26 教务部制． 一．实验目的与要求： 1. 了解存储器扩展的方法和存储器的读/写。 2. 掌握CPU对16位存储器的访问方法。
二．实验设备 PC机一台，TD-PITE实验装置或TD-PITC实验装置一套，示波器一台。 三．实验原理VCC28A141WE27A122A1326A73A8254A6存储器是用来存储信息的A924A55A1123A46OE22A3762256A10218A2CS209A1部件，是计算机的重要组成部D719A010D618D011D517D112D416D213D315GND14管组成的是由MOS分，静态RAM触发器电路，每个触发器可以存放1位
信息。只要不掉电，所储存的信息就不会丢失。因此，静态RAM工作稳定，不要外加刷新电路，使用方便。 但一般SRAM 的每一个触发器是由6个晶体管组成，SRAM 芯片的集成度不会太高，目前较常用的有6116（2K×8位），图4.1 62256引脚图6268位）622532位。本验平台上选． 用的是62256，两片组成32K×16位的形式，共64K字节。 62256的外部引脚图如图4.1所示。 本系统采用准32位CPU，具有16位外部
数据总线，即D0、D1、…、D15，地址总线为BHE＃（＃表示该信号低电平有效）、BLE ＃、A1、A2、…、A20。存储器分为奇体和偶体，分别由字节允许线BHE＃和BLE＃选通。 存储器中，从偶地址开始存放的字称为规则字，从奇地址开始存放的字称为非规则字。处理器访问规则字只需要一个时钟周期，BHE＃和BLE＃同时有效，从而同时选通存储器奇体和偶体。处理器访问非规则字却需要
实验十四 存储器扩展机读写实验
实验十四存储器扩展机读写实验 一、实验目的 （1）通过阅读并测试示例程序，完成程序设计题，熟悉静态RAM的扩展方法。 （2）了解8086/8088与存储器的连接，掌握扩展存储器的读写方法。 二、实验内容 1.实验原理（62256RAM介绍） 62256是32*8的静态存储器，管脚如图所示。其中：A0~A14为地址线，DB0~DB7为数据线，/cs为存储器的片选，/OE为存储器数据输出选通信号，/WE为数据写入存储器信号。62256工作方式如下图。 /CS /WE /OE 方式DB-~DB7 H X X 未选中高阻 L H H 读写禁止高阻 L L H 写IN L H L 读OUT 2.实验内容 设计扩展存储电器的硬件连接图并编制程序，讲字符A~Z循环存入62256扩展RAM 中，让后再检查扩展存储器中的内容。 三、程序设计 编写升序，将4KB扩展存储器交替写入55H和0AAH。 程序如下： RAMADDR EQU 0000H RAMOFF EQU 9000H COUNT EQU 800H CODE SEGMENT ASSUME CS:CODE START: PROC NEAR MOV AX,RAMADDR MOV DS,AX MOV BX,RAMOFF MOV CX,COUNT MOV DL,55h MOV AX ,0AAH REP: MOV [BX],DL INC BX MOV [BX],AX INC BX LOOP REP JMP $ CODE ENDS END START 四、实验结果 通过在软件上调试，运行时能够看到内存地址的改变，证明此扩展的程序成功实现了。 五、实验心得
湘潭大学计算机原理实验二ROM存储器与RAM存储器实验报告
计算机原理与设计 实验报告 实验二存储器实验 ：XXX 学号：2013551728
班级：13级软件工程2班 实验日期：2014年10 月29 日 1.FPGA中ROM定制与读出实验 一．实验目的 1、掌握FPGA中ROM的设置，作为只读存储器ROM的工作特性和配置方法。 2、用文本编辑器编辑mif文件配置ROM，学习将程序代码以mif格式文件加载于ROM中； 3、在初始化存储器编辑窗口编辑mif文件配置ROM； 4、验证FPGA中ROM的功能。 二．实验原理 ALTERA的FPGA中有许多可调用的模块库，可构成如rom、ram、fifo等存储器结构。CPU 中的重要部件，如RAM、ROM可直接调用他们构成，因此在FPGA中利用嵌入式阵列块EAB 可以构成各种结构的存储器，ROM是其中的一种。ROM有5组信号：地址信号address[ ]、数据信号q[ ]、时钟信号inclock、outclock、允许信号memenable，其参数都是可以设定的。由于ROM是只读存储器，所以它的数据口是单向的输出端口，ROM中的数据是在对FPGA 现场配置时，通过配置文件一起写入存储单元的。图2-1-1中的ROM有3组信号：inclk——输入时钟脉冲；instruction[31..0]——lpm_ROM的32位数据输出端；a[4..0]——lpm_ROM的5位读出地址。 实验中主要应掌握以下三方面的内容： （1）ROM的参数设置； （2）ROM中数据的写入，即FILE初始化文件的编写；
（3）ROM的实际应用，在GW48_CP+实验台上的调试方法。 三．实验步骤 （1）新建工程。工程名是scinstmem.qpf。 （2）用初始化存储器编辑窗口编辑ROM配置文件（文件名.mif）。这里预先给出后面将要用到的指令存储器初始化文件：scinstmem.mif 。如下图，scinstmem.mif中的数据是机器指令代码。 scinstmem.mif中的数据 （3）模块设计。用图形编辑，使用工具Mega Wizard Plug-In Manager，定制指令存储器rom 宏功能块。设置地址总线宽度address[]和数据总线宽度q[]，分别为5位和32位,并添加输入输出引脚，如图设置和连接。 ROM的结构图 在设置rom数据参数选择项file的对应窗口中（下图），用键盘输入ROM配置文件的路径（scinstmem.mif），然后设置在系统ROM/RAM读写允许，以便能对FPGA中的ROM在系统读写。
虚拟存储器管理 页面置换算法模拟实验
淮海工学院计算机工程学院实验报告书 课程名：《操作系统原理A 》 题目：虚拟存储器管理 页面置换算法模拟实验 班级：软件*** 学号：20**1228** 姓名：****
一、实验目的与要求 1.目的： 请求页式虚存管理是常用的虚拟存储管理方案之一。通过请求页式虚存管理中对页面置换算法的模拟，有助于理解虚拟存储技术的特点，并加深对请求页式虚存管理的页面调度算法的理解。 2.要求： 本实验要求使用C语言编程模拟一个拥有若干个虚页的进程在给定的若干个实页中运行、并在缺页中断发生时分别使用FIFO和LRU算法进行页面置换的情形。其中虚页的个数可以事先给定（例如10个），对这些虚页访问的页地址流（其长度可以事先给定，例如20次虚页访问）可以由程序随机产生，也可以事先保存在文件中。要求程序运行时屏幕能显示出置换过程中的状态信息并输出访问结束时的页面命中率。程序应允许通过为该进程分配不同的实页数，来比较两种置换算法的稳定性。 二、实验说明 1．设计中虚页和实页的表示 本设计利用C语言的结构体来描述虚页和实页的结构。 在虚页结构中，pn代表虚页号，因为共10个虚页，所以pn的取值范围是0—9。pfn代表实 页号，当一虚页未装入实页时，此项值为-1；当该虚页已装入某一实页时，此项值为所装入的实页 的实页号pfn。time项在FIFO算法中不使用，在LRU中用来存放对该虚页的最近访问时间。 在实页结构中中，pn代表虚页号，表示pn所代表的虚页目前正放在此实页中。pfn代表实页号， 取值范围（0—n-1）由动态指派的实页数n所决定。next是一个指向实页结构体的指针，用于多个实页以链表形式组织起来，关于实页链表的组织详见下面第4点。 2．关于缺页次数的统计 为计算命中率，需要统计在20次的虚页访问中命中的次数。为此，程序应设置一个计数器count，来统计虚页命中发生的次数。每当所访问的虚页的pfn项值不为-1，表示此虚页已被装入某实页内，此虚页被命中，count加1。最终命中率=count/20*100%。 3．LRU算法中“最近最久未用”页面的确定
实验一扩展存储器读写实验
实验一：扩展存储器读写实验 一.实验要求 编制简单程序，对实验板上提供的外部存贮器（62256）进行读写操作。 二.实验目的 1．学习片外存储器扩展方法。 2．学习数据存储器不同的读写方法。 三.实验电路及连线 将P1.0接至L1。CS256连GND孔。 四.实验说明 1．单片机系统中，对片外存贮器的读写操作是最基本的操作。用户藉此来熟悉MCS51单片机编程的基本规则、基本指令的使用和使用本仿真实验系统调试程序的方法。 用户编程可以参考示例程序和流程框图。本示例程序中对片外存贮器中一固定地址单元进行读写操作，并比较读写结果是否一致。不一致则说明读写操作不可靠或该存储器单元不可靠，程序转入出错处理代码段（本示例程序通过熄灭一个发光二极管来表示出错）。读写数据的选用，本例采用的是55（0101，0101）与AA（1010，1010）。一般采用这两个数据的读写操作就可查出数据总线的短路、断路等，在实际调试用户电路时非常有效。 用户调试该程序时，可以灵活使用单步、断点和变量观察等方法，来观察程序执行的流程和各中间变量的值。 2．在I状态下执行MEM1程序，对实验机数据进行读写，若L1灯亮说明RAM读
写正常。 3．也可进入LCA51的调试工具菜单中的对话窗口，用监控命令方式读写RAM，在I状态执行SX0000↓ 55，SPACE，屏幕上应显示55，再键入AA，SPACE，屏幕上也应显示AA，以上过程执行效果与编程执行效果完全相同。 注：SX是实验机对外部数据空间读写命令。 4．本例中，62256片选接地时，存储器空间为0000~7FFFH。 五.实验程序框图 实验示例程序流程框图如下： 六.实验源程序： ORG 0000H LJMP START ORG 0040H START:
存储器管理实验报告.docx
操作系统实验报告 存储器管理 学院电信学院 专业计算机科学与技术 班级 14级计科一班 实验题目动态分区分配 实验组别第三组 指导老师曹华
一、实验目的 了解动态分区分配方式中使用的数据结构和分配算法，并进一步加深对动态分区存储管理方式及其实现过程的理解。 二、实验内容 用Ｃ语言分别实现采用首次适应算法和最佳适应算法的动态分区分配过程alloc()和回收过程free()。其中，空闲分区通过分区链来管理，在进行内存分配时，系统优先使用空闲区低端的空间。 请分别用首次适应算法和最佳适应算法进行内存块的分配和回收，要求每次分配和回收后显示出空闲内存分区链的情况。 三、实验主要仪器设备 软件环境：ＶＣ＋＋６编程环境 四、实验原理及设计方案 1.实验原理： 可变分区调度算法有：最先适应分配算法，循环首次适应算法，最佳适应算法，最坏适应算法。 首次适应算法（First-fit）：当要分配内存空间时，就查表，在各空闲区中查找满足大小要求的可用块。只要找到第一个足以满足要求的空闲块就停止查找，并把它分配出去； 如果该空闲空间与所需空间大小一样，则从空闲表中取消该项；如果还有剩余，则余下的部分仍留在空闲表中，但应修改区分大小和分区始址。 用户提出内存空间的申请：系统根据申请者的要求，按照一定的分配策略分析内存空间的使用情况，找出能满足请求的空闲区，分给申请者；当程序执行完毕或主动归还内存资源时，系统要收回它所占用的内存空间或它归还的部分内存空间。 最佳适应算法（Best-fit）：当要分配内存空间时，就查找空闲表中满足要求的空闲块，并使得剩余块是最小的。然后把它分配出去，若大小恰好合适，则直按分配；若有剩余块，则仍保留该余下的空闲分区，并修改分区大小的起始地址。 内存回收：将释放作业所在内存块的状态改为空闲状态，删除其作业名，设置为空，并判断该空闲块是否与其他空闲块相连，若释放的内存空间与空闲块相连时，则合并为同一个空闲块，同时修改分区大小及起始地址。 每当一个进程被创建时，内存分配程序首先要查找空闲内存分区链，从中寻找一个合适的空闲块进行划分，并修改空闲内存分区链，系统根据回收区的首址，从空闲区链中找到相应的插入点，此时出现如下四种情况： (１)回收区与插入点的前一个空闲区Ｆ１相邻接，此时可将回收区直接与Ｆ１合并，并修改Ｆ１的大小； (２)回收区与插入点的后一个空闲分区Ｆ２相邻接，此时可将回收区直接与Ｆ２合并，并用回收区的首址作为新空闲区的首址，大小为二者之和； (３)回收区同时与插入点的前后两个空闲分区邻接，此时需将三者合并； (４)回收区不与任何一个空闲区邻接，此时应建一新的表项 2.主要数据结构的说明 定义一个空闲区说明表结构
虚拟存储器管理实验报告
淮海工学院计算机科学系实验报告书 课程名：《操作系统》 题目：虚拟存储器管理 页面置换算法模拟实验 班级： 学号： 姓名：
一、实验目的与要求 1.目的： 请求页式虚存管理是常用的虚拟存储管理方案之一。通过请求页式虚存管理中对页面置换算法的模拟，有助于理解虚拟存储技术的特点，并加深对请求页式虚存管理的页面调度算法的理解。 2.要求： 本实验要求使用C语言编程模拟一个拥有若干个虚页的进程在给定的若干个实页中运行、并在缺页中断发生时分别使用FIFO和LRU算法进行页面置换的情形。其中虚页的个数可以事先给定（例如10个），对这些虚页访问的页地址流（其长度可以事先给定，例如20次虚页访问）可以由程序随机产生，也可以事先保存在文件中。要求程序运行时屏幕能显示出置换过程中的状态信息并输出访问结束时的页面命中率。程序应允许通过为该进程分配不同的实页数，来比较两种置换算法的稳定性。 二、实验说明 1．设计中虚页和实页的表示 本设计利用C语言的结构体来描述虚页和实页的结构。 在虚页结构中，pn代表虚页号，因为共10个虚页，所以pn的取值范围是0—9。pfn代表实页号，当一虚页未装入实页时，此项值为-1；当该虚页已装入某一实页时，此项值为所装入的实页的实页号pfn。time项在FIFO算法中不使用，在LRU中用来存放对该虚页的最近访问时间。 在实页结构中中，pn代表虚页号，表示pn所代表的虚页目前正放在此实页中。pfn代表实页号，取值范围（0—n-1）由动态指派的实页数n所决定。next是一个指向实页结构体的指针，用于多个实页以链表形式组织起来，关于实页链表的组织详见下面第4点。 2．关于缺页次数的统计 为计算命中率，需要统计在20次的虚页访问中命中的次数。为此，程序应设置一个计数器count，来统计虚页命中发生的次数。每当所访问的虚页的pfn项值不为-1，表示此虚页已被装入某实页内， 此虚页被命中，count加1。最终命中率=count/20*100%。 3．LRU算法中“最近最久未用”页面的确定 为了能找到“最近最久未用”的虚页面，程序中可引入一个时间计数器countime，每当要访问 一个虚页面时，countime的值加1，然后将所要访问的虚页的time项值设置为增值后的当前
存储器的工作原理
存储器的工作原理 1、存储器构造 存储器就是用来存放数据的地方。它是利用电平的高低来存放数据的，也就是说，它存放的实际上是电平的高、低，而不是我们所习惯认为的1234这样的数字，这样，我们的一个谜团就解开了，计算机也没什么神秘的吗。 图2
图3 让我们看图2。这是一个存储器的示意图：一个存储器就像一个个的小抽屉，一个小抽屉里有八个小格子，每个小格子就是用来存放“电荷”的，电荷通过与它相连的电线传进来或释放掉，至于电荷在小格子里是怎样存的，就不用我们操心了，你可以把电线想象成水管，小格子里的电荷就像是水，那就好理解了。存储器中的每个小抽屉就是一个放数据的地方，我们称之为一个“单元”。 有了这么一个构造，我们就可以开始存放数据了，想要放进一个数据12，也就是00001100，我们只要把第二号和第三号小格子里存满电荷，而其它小格子里的电荷给放掉就行了（看图3）。可是问题出来了，看图2，一个存储器有好多单元，线是并联的，在放入电荷的时候，会将电荷放入所有的单元中，而释放电荷的时候，会把每个单元中的电荷都放掉，这样的话，不管存储器有多少个单元，都只能放同一个数，这当然不是我们所希望的，因此，要在结构上稍作变化，看图2，在每个单元上有个控制线，我想要把数据放进哪个单元，就
给一个信号这个单元的控制线，这个控制线就把开关打开，这样电荷就可以自由流动了，而其它单元控制线上没有信号，所以开关不打开，不会受到影响，这样，只要控制不同单元的控制线，就可以向各单元写入不同的数据了，同样，如果要某个单元中取数据，也只要打开相应的控制开关就行了。 2、存储器译码 那么，我们怎样来控制各个单元的控制线呢？这个还不简单，把每个单元的控制线都引到集成电路的外面不就行了吗？事情可没那么简单，一片27512存储器中有65536个单元，把每根线都引出来，这个集成电路就得有6万多个脚？不行，怎么办？要想法减少线的数量。我们有一种方法称这为译码，简单介绍一下：一根线可以代表2种状态，2根线可以代表4种状态，3根线可以代表几种，256种状态又需要几根线代表？8种，8根线，所以65536种状态我们只需要16根线就可以代表了。 3、存储器的选片及总线的概念 至此，译码的问题解决了，让我们再来关注另外一个问题。送入每个单元的八根线是用从什么地方来的呢？它就是从计算机上接过来的，一般地，这八根线除了接一个存储器之外，还要接其它的器件，如图4所示。这样问题就出来了，这八根线既然不是存储器和计算机之间专用的，如果总是将某个单元接在这八根线上，就不好了，比如这个存储器单元中的数值是0FFH另一个存储器的单元是00H，那么
存储器扩展实验
实验5 存储器扩展实验 一、实验目的 1．掌握PC存储器扩展的方法。 2．熟悉6264芯片的接口方法。 3．掌握8031内部RAM和外部RAM的数据操作 二、实验设备 PC机、星研Star16L仿真器系统+仿真头PODPH51(DIP)、EL-Ⅱ型通用接口板实验电路，PROTEUS仿真软件。 三、实验内容 1）向外部存储器的7000H到8000H区间循环输入00～0FFH数据段。设置断点，打开外部数据存储器观察窗口，设置外部存储器的窗口地址为7000H—7FFFH。全速运行程序,当程序运行到断点处时,观察7000H—7FFFH的内容是否正确。 四、实验原理 实验系统上的两片6264的地址范围分别为：4000H～5FFFH，6000H～7FFFH，既可作为实验程序区，也可作为实验数据区。6264的所有信号均已连好。（3000H~3FFFH也可用） 五、实验方法 1、运用PROTUES软件进行虚拟仿真实验。按照实验要求用PROTUES软件绘制电路，编制程序，并通过调试。 2、运用星研仿真系统进行实际系统仿真实验。将星研仿真器与微机和目标板相互连接构成完整的硬件仿真系统，按照实验要求在通用实验板上进行硬件系统连接，并用星研仿真器进行系统仿真运行调试。 3、实验说明 在采用星研仿真时，若CPU选型为8051则，应将P2、P3口修改为总线模式（默认为IO口模式）。若为8031CPU则无此选项，因此不必修改。 4、星研仿真器设置时，注意，在项目工作环境设置选项中的存储器借出方式中，不能借用仿真器的外部数据空间（直接选择默认方式即可），否则无法正确测试实验箱上的存储器。 5、利用星研仿真器，在选择用户板外部RAM方式下，可以在存储器窗口中，通过直接对外部存储器单元的内容进行修改来确定该单元是否可用，可以修改的单元，表明用户可用，如果无法修改（无论键盘输入任何数字与字符，始终显示FF），则表明该存储单元不可用。 六、实验电路 1、PROTEUS 仿真电路
实习五虚拟存储器实验报告
实习五虚拟存储器 一、实习内容 模拟分页式虚拟存储管理中硬件的地址转换和缺页中断，以及选择页面调度算法处理缺页中断。 二、实习目的 在计算机系统中，为了提高主存利用率，往往把辅助存储器（如磁盘）作为主存储器的扩充，使多道运行的作业的全部逻辑地址空间总和可以超出主存的绝对地址空间。用这种办法扩充的主存储器称为虚拟存储器。通过本实习帮助同学理解在分页式存储管理中怎样实现虚拟存储器。 三、实习题目 本实习有三个题，其中第一题必做，第二、第三题中可任选一个。 第一题：模拟分页式存储管理中硬件的地址转换和产生缺页中断。 [提示]： (1) 分页式虚拟存储系统是把作业信息的副本存放在磁盘上，当作业被选中时，可把作业的开始几页先装入主存且启动执行。为此，在为作业建立页表时，应说明哪些页已在主存，哪些页尚未装入主存，页表的格式为： 其中，标志——用来表示对应页是否已经装入主存，标志位=1，则表示该页已经在主存，标志位=0，则表示该页尚未装入主存。 主存块号——用来表示已经装入主存的页所占的块号。 在磁盘上的位置——用来指出作业副本的每一页被存放在磁盘上的位置。 (2) 作业执行时，指令中的逻辑地址指出了参加运算的操作数存放的页号和单元号，硬件的地址转换机构按页号查页表，若该页对应标志为“1”，则表示该页已在主存，这时根据关系式： 绝对地址=块号 块长+单元号 计算出欲访问的主存单元地址。如果块长为2的幂次，则可把块号作为高地址部分，把单元号作为低地址部分，两者拼接而成绝对地址。按计算出的绝对地址可以取到操作数，完成一条指令的执行。若访问的页对应标志为“0”，则表示该页不在主存，这时硬件发“缺页中断”信号，由操作系统按该页在磁盘上的位置，把该页信息从磁盘读出装入主存后再重新执行这条指令。 (3) 设计一个“地址转换”程序来模拟硬件的地址转换工作。当访问的页在主存时，则形成绝对地址，但不去模拟指令的执行，而用输出转换后的地址来代替一条指令的执行。当访问的页不在主存时，则输出“*该页页号”，表示产生了一次缺页中断。该模拟程序的算法如图5-1。 (4) 假定主存的每块长度为128个字节；现有一个共七页的作业，其中第0页至第3
有机浮栅存储器的工作原理
有机浮栅存储器的工作原理 1.1 有机场效应晶体管(OFET)的基本结构和工作原理 1.1.1 有机场效应晶体管的基本结构 有机场效应晶体管的具有很多的优点：材料来源广、可以大量生产和能够实现低成本、可与柔性衬底兼容。应用前景十分广泛，如有机集成电路、存储器件、柔性显示屏等。自20世纪80年代有机场效应晶体管诞生，有机场效应晶体管得到迅速发展，到目前为止，一些有机场效应晶体管已经得到实用化的程度，在载流子迁移率、开关电流比方面已经可与非晶硅相媲美。 有机场效应晶体管按照源漏极和有机半导体的相对位置有两种结构(图2-1)底接触和顶接触，按照沟道中起传输作用的载流子的种类的不同，可以分为两种：n沟道场效应晶体管和p沟道场效应晶体管[8,9]。 图2-1 两种OFET结构：顶接触(左) 底接触(右) 1.1.2 有机场效应晶体管的工作原理 有机场效应晶体管的工作原理与无机场效应晶体管的工作原理类似。下面通过对一个顶接触的p-沟的OFET进行分析，如图2-2所示:
图2-2 有机场效应管的原理示意图 我们在栅极上施加一个相对于源极的负偏压时（源极是接地的），栅极表面出现负电荷，相应的在沟道表面感应出正电荷。当增大栅极电压时，在沟道表面形成积累层并进而形成含有可动载流子-空穴-的薄层，源漏之间的电流主要是由空穴贡献，这是与无机场效应晶体管最大的不同，通过控制栅极电压来改变沟道中空穴的数量，进而控制漏极电流[10]。 由于我们使用的是有机材料作为有源区，我们在引用传统的EEPROM的模型时必须要进行修改。在本文中，我们考虑了Pool-Frenkel效应[11]，在半导体和绝缘层接触面的电荷，接触势垒，陷阱效应，采用修正以后的漂移-扩散模型（DDM）[12]，借助TCAD求解泊松方程和连续性方程(2-1)，(2-2)，(2-3)[13]，来模拟有机场效应晶体管的电学特性。 其中为静电势，为有机材料的介电常数，G为产生率， 和分别为捕获的电子和空穴的密度，和分别为电子和空穴的 电流密度。R是电子和空穴的复合率。[14,15]，
存储器和IO扩展实验,计算机组成原理
科技学院 课程设计实验报告 ( 2014--2015年度第一学期) 名称：计算机组成原理综合实验题目：存储器和I/O扩展实验 院系：信息工程系 班级： 学号： 学生姓名： 指导教师：李梅王晓霞 设计周数：一周 成绩： 日期：2015 年1 月
一、目的与要求 1. 内存储器部件实验 （1）熟悉ROM芯片和RAM芯片在功能和使用方法等方面的相同和差异之处；学习用编程器设备向EEPROM芯片内写入一批数据的过程和方法。 （2）理解并熟悉通过字、位扩展技术实现扩展存储器系统容量的方案； （3）了解静态存储器系统使用的各种控制信号之间正常的时序关系； （4）了解如何通过读、写存储器的指令实现对58C65 ROM芯片的读、写操作； （5）加深理解存储器部件在计算机整机系统中的作用。 2. I/O口扩展实验 学习串行口的正确设置和使用。 二、实验正文 1．主存储器实验内容 1．1实验的教学计算机的存储器部件设计（说明只读存储器的容量、随机读写器的容量，各选用了什么型号及规格的芯片、以及地址空间的分布） 在教学计算机存储器部件设计中，出于简化和容易实现的目的，选用静态存储器芯片实现内存储器的存储体，包括唯读存储区（ROM，存放监控程序等） 和随读写存储区（RAM）两部分，ROM存储区选用4片长度8位、容量8KB 的58C65芯片实现，RAM存储区选用2片长度8位、容量2KB的6116芯片 实现，每2个8位的芯片合成一组用于组成16位长度的内存字，6个芯片被分 成3组，其地址空间分配关系是：0-1777h用于第一组ROM，固化监控程序， 2000-2777h用于RAM，保存用户程序和用户数据，其高端的一些单元作为监 控程序的数据区，第二组ROM的地址范围可以由用户选择，主要用于完成扩 展内存容量（存储器的字、位扩展）的教学实验。 1．2扩展8K字的存储空间，需要多少片58C65芯片，58C65芯片进行读写时的特殊要求 要扩展8K字的存储空间，需要使用2片（每一片有8KB容量，即芯片内由8192个单元、每个单元由8个二进制位组成）存储器芯片实现。对 58C65 ROM芯片执行读操作时，需要保证正确的片选信号（/CE）为低点平， 使能控制信号（/OE）为低电平，读写命令信号（/WE）为高电平，读58C65 ROM 芯片的读出时间与读RAM芯片的读出时间相同，无特殊要求；对58C65 ROM 芯片执行写操作时，需要保证正确的片选信号（/CE）为低电平，使能控制信 号（/OE）为高电平，读写命令信号（/WE）为低电平，写58C65 ROM芯片的 维持时间要比写RAM芯片的操作时间长得多。为了防止对58C65 ROM芯片执 行误写操作，可通过把芯片的使能控制引脚（/OE）接地来保证，或者确保读 写命令信号（/WE）恒为高电平。 1．3在实验中思考为何能用E命令直接写58C65芯片的存储单元，而A命令则有时不正确；
操作系统-实验六虚拟存储器实验报告
计算机与信息工程学院实验报告 一、实验内容 实验一：模拟分页式存储管理中硬件的地址转换和产生缺页中断。 [提示] （1）分页式虚拟存储系统是把作业信息的副本存放在磁盘上，当作业被选中时，可把作业的开始几页先装入主存且启动执行。为此，在为作业建立页表时，应说明哪些页 其中，标志----用来表示对应页是否已经装入主存，标志位=1，则表示该页已经在主存，标志位=0，则表示该页尚未装入主存。 主存块号----用来表示已经装入主存的页所占的块号。 在磁盘上的位置----用来指出作业副本的每一页被存放在磁盘上的位置。 （2）作业执行时，指令中的逻辑地址指出了参加运算的操作存放的页号和单元号，硬件的地址转换机构按页号查页表，若该页对应标志为“1”，则表示该页已在主存，这时根据关系式： 绝对地址=块号×块长+单元号 计算出欲访问的主存单元地址。如果块长为2的幂次，则可把块号作为高地址部分， 把单元号作为低地址部分，两者拼接而成绝对地址。若访问的页对应标志为“0”，则表示该页不在主存，这时硬件发“缺页中断”信号，有操作系统按该页在磁盘上 的位置，把该页信息从磁盘读出装入主存后再重新执行这条指令。
（3）设计一个“地址转换”程序来模拟硬件的地址转换工作。当访问的页在主存时，则形成绝对地址，但不去模拟指令的执行，而用输出转换后的地址来代替一条指令的执行。当访问的页不在主存时，则输出“* 该页页号”，表示产生了一次缺页中断。 该模拟程序的算法 （4）假定主存的每块长度为128个字节；现有一个共七页的作业，其中第0页至第3页已经装入主存，其余三页尚未装入主存；该作业的页表为： （5）运行设计的地址转换程序，显示或打印运行结果。因仅模拟地址转换，并不模拟指令的执行，故可不考虑上述指令序列中的操作。 实验二：用先进先出（FIFO）页面调度算法处理缺页中断。 [提示]： （1）在分页式虚拟存储系统中，当硬件发出“缺页中断”后，引出操作系统来处理这个中断事件。如果主存中已经没有空闲块，则可用FIFO页面调度算法把该作业中最先进入主存的一页调出，存放到磁盘上，然后再把当前要访问的页装入该块。调出和装入后都要修改页表页表中对应页的标志。 （2）FIFO页面调度算法总是淘汰该作业中最先进入主存的那一页，因此可以用一个数组来表示该作业已在主存的页面。假定作业被选中时，把开始的m个页面装入主存，则数组的元素可定为m个。例如： P[0]，P[1]，….，P[m-1] 其中每一个P[i]（i=0，1，….，m-1）表示一个在主存中的页面号。它们的初值为：P[0]:=0，P[1]:=1，….，P[m-1]:=m-1 用一指针k指示当要装入新页时，应淘汰的页在数组中的位置，k的初值为“0”。 当产生缺页中断后，操作系统选择P[k]所指出的页面调出，然后执行： P[k]:=要装入页的页号 k:=(k+1) mod m 再由装入程序把要访问的一页信息装入到主存中。重新启动刚才那条指令执行。
数据库存储器与触发器实验报告
南昌航空大学实验报 二0 一七年5月3日 课程名称：数据库概论实验名称：存储器与触发器 班级： XX X 姓名：XXX 同组人： 指导教师评定：________________________________________ 签名：__________________ 一、实验环境 1. Windows2000或以上版本； 2. SQLServer2000 或2005。 二、实验目的 1. 掌握存储过程的创建，修改，使用，删除; 2. 掌握触发器的创建，修改，使用，删除。 三、实验步骤及参考源代码 1.创建过程代码： CREATEPROCEDURI_P_Proc( @ccna varchar (10), @cnochar (4) OUTPU,T@cna varchar (10) OUTPU,T@pnavarchar (20) OUTPU,T@numint OUTPUT
AS SELECT@cna=cna, @cno=cp. cno, @pna=pna, @num=num FROMcp , customer , paper WHEREcustomer . cno=cp. cno ANDpaper . pno=cp. pno ANDcna =@ccna; 6.执行存储过程C_P_Pro,实现对李涛，钱金浩等不同顾客的订阅信息查询 execute C_P_Proc @nam=e' 李涛' execute C_P_Proc @nam=e' 钱金浩' 7，删除存储过程C_P_Prcc DROPPROCEDURCE_P_PROC （4）在DingBao数据库中针对PAPER创建插入触发器TR_PAPER_I删除触发器TR_PAPER_D修改触发器TR_PAPER_J具体要求如下。 <1>对PAPER的插入触发器：插入报纸记录，单价为负值或为空时，设定为10 元。 CREATE TRIGGER TR_PAPER_I ON paper FOR INSERT AS DECLARE @ippr FLOAT; declare @ipno int;
实验五_存储器设计
计算机组成原理 实验五《存储器设计》 实验报告 姓名：吴速碘黄紫微 学号：13052053 13052067 班级：计算机二班 日期2015、5、25
实验五存储器设计 一、实验目的 1、掌握RAM和ROM的Verilog语言描述方法； 2、学习用宏模块的方法定制RAM和ROM。 二、实验任务 1、设计并实现一个128*16 的单端口的RAM； 2、设计并实现一个128*16的ROM； 3、设计并实现一个双端口的128*16的RAM 4、设计并实现一个16*32的FIFO。 5、设计并实现正弦信号发生器，见“正弦信号发生器实验指南”。 三、实验步骤 1 编写Verilog代码（见附页） 2功能仿真 进行分析与综合，排除语法上的错误 建立波形仿真文件，输入激励 生成功能仿真网表 进行功能仿真，观察输出结果 3选择器件 DE2_70开发板的使用者请选择EP2C70F896C6 4绑定管脚 5 下载验证 DE2_70开发板的下载:使用USB-Blaster进行下载 四、实验内容 五、实验思考题 1、分析存储器采用三态输出的原因是什么？ 存储器的输出端是连接在数据总线上的。数据总线相当于一条车流频繁的大马路，必须在绿灯条件下，车辆才能进入这条大马路，否则要撞车发生交通事故。同 理，存储器中的数据是不能随意传送到数据总线上的。例如，若数据总线上的数 据是“1”(高电平5V)，存储器中的数据是“0”(低电平0V)，两种数据若碰到一 起就会发生短路而损坏单片机。因此，存储器输出端口不仅能呈现“l”和“0”两 种状态，还应具有第三种状态“高阻"态。呈“高阻"态时，输出端口相当于断开，对数据总线不起作用，此时数据总线可被其他器件占用。当其他器件呈“高阻”态 时，存储器在片选允许和输出允许的条件下，才能将自己的数据输出到数据总线 上。 2、单端口和双端口的区别是什么？ 单端口ram是ram的读写只有一个端口，同时只能读或者只能写。 双端口ram是ram读端口和写端口分开，一个端口能读，另一个端口可以同时写。 3、什么情况下考虑采用双端口存储器？
存储管理实验报告
广东海洋大学学生实验报告书（学生用表） 实验名称存储管理课程名称操作系统课程号 学院(系) 软件学院专业软件工程班级 学生姓名学号实验地点实验日期 一、实验目的 修改MINIX操作系统内存管理的源程序，将MINIX的首次适应算法改为最佳适应和最差适应算 法，对修改之后的MINIX源代码进行重新编译和重新启动，以测试你修改的正确性。 二、实验内容 1、打开Minix3，进入alloc.c所在目录 2、修改原算法为最佳适应算法(BEST_FIT)和最差适应算法(WORST_FIT)的程序如下： #include "pm.h" #include
存储程序工作原理
一、存储程序工作原理 二、计算机的三个基本能力：一是采用二进制，二是能够存储程序，三是能够自动地执行程序。 三、计算机是利用“存储器”（内存）来存放所要执行的程序的，而称之为CPU的部件可以依次从存储器中取出程序中的每一条指令，并加以分析和执行，直至完成全部指令任务为止。 四、总线(Bus)：是微型计算机中用于连接CPU、存储、输入/输出接口等部件的一组信号线和控制电路，是系统内各种部件之间共享的一组公共数据传输线路。 五、回收站：硬盘的部分存储区域 六、文件:新建打开保存另存为页面设置打印 七、编辑:撤消重复复制粘贴查找替换 八、格式:字体段落分栏文字方向背景 九、表格:绘制表格插入表格合并单元格绘制斜线表头表格属性 十、计算机网络是指通过通信设备将地理位置分散、具有独立功能的多个计算机连接起来，按照协议进行数据通信，以实现资源共享和信息传递的系统。 十一、计算机网络的物理组成:计算机传输介质连接设备 十二、网络连接设备:网络适配器集线器交换机中继器网桥路由器网关调制解调器 十三、国标字符集有6763个常用汉字 十四、由三部分组成： 十五、字母、数字和各种符号，共687个 十六、一级常用汉字，共3755个，按汉语拼音排列 十七、二级常用汉字，共3008个，按偏旁部首排列 十八、基本思想：先把编制的程序存储起来，再用程序来控制计算机的运行. 十九、“存储程序”工作原理:在计算机中设置存储器，将二进制编码表示的计算步骤与数据一起存放在存储器中，机器一经启动，就能按照程序指定的逻辑顺序依次取出存储内容进行译码和处理，自动完成由程序所描述的处理工作 二十、计算机网络的概念:概念：计算机网络是通信技术与计算机技术相结合的产物，是以资源共享为主要目的、以通信媒体互连起来的计算机的集合二十一、计算机：服务器、客户机和同位体。 二十二、传输介质：计算机与通信设备之间、以及通信设备之间都通过传输介质互连，具体有双绞线、同轴电缆、光纤、电话线、微波信道、卫星信道等。 二十三、通信设备：其作用是为计算机转发数据，具体有交换机、集线器、路由器、调制解调器等。 二十四、中国教育科研网（CERNET ）中国公用信息网（ChinaNET ）中国科学技术网（CSTNET ）中国金桥信息网(CHINAGBN) 1．阐述系统软件和应用软件的分类和作用。 系统软件：操作系统、程序设计语言、语言处理程序、诊断程序、数据库管理系统。 应用软件：用于科学计算方面的数学计算软件包、统计软件包；文字处理软件包；图像处理软件包；各种财务管理、税务管理、工业控制等行业软件。
存储器扩展实验
存储器扩展实验 1．实验目的 1. 了解存储器的扩展方法及其对存储器的读/写。 2. 掌握CPU对8/16位存储器的访问方法。 2．实验设备 PC机一台，TD-PITC实验箱。 3．实验内容 编写程序，往扩展存储器中传送有规律的数据（如5555H、AAAAH或顺序递增的数据等，以便于观察写入是否正确），然后通过Tdpit软件中的“扩展存储区数据显示窗口”查看该存储空间，检测写入数据是否正确。 1）循环传送16位规则字到扩展存储器（共32768个字）； 2）循环传送16位非规则字到扩展存储器（共32768个字）； 3）循环传送字节数据到扩展存储器（共32768个字节）。 关于规则字和非规则字的含义见以下16位存储器操作的说明。 4．实验原理 1）SRAM 62256介绍 SRAM（静态RAM）的基本存储元是由MOS管组成的触发器电路构成，每个触发器可以存放1位信息。只要不掉电，所储存的信息就不会丢失。目前较常用的SRAM有6116（2K×8），6264（8K×8）和62256（32K×8）。TD-PITC实验箱内使用了2片62256构成32K×16的扩展存储器模块。62256的引脚如图1所示。 图1 62256引脚图 2）16位总线的存储器接口 TD-PITC实验箱中的16位系统总线提供了XA1～XA20、#BHE、#BLE、MY0等信号用于扩展存储器的读写操作。MY0是系统为扩展存储器提供的片选信号，其地址空间为D8000H～DFFFFH，XA1～XA20提供了16位（2字节）存储单元的地址，#BHE和#BLE用来确定访问16位存储单元中的低8位还是高8位，#BLE有效时允许访问低8位（D7-D0），#BHE有效时允许访问高8位（D15-D8）。其对应关系如表1所示。
RAM-ROM-EEPROM存储器工作原理
RAM-ROM-EEPROM存储器工作原理
一．基本工作原理 1、存储器构造 存储器就是用来存放数据的地方。它是利用电平的高低来存放数据的，也就是说，它存放的实际上是电平的高、低，而不是我们所习惯认为的1234这样的数字，这样，我们的一个谜团就解开了，计算机也没什么神秘的吗。 图1 图2 让我们看图1。这是一个存储器的示意图：
一个存储器就像一个个的小抽屉，一个小抽屉里有八个小格子，每个小格子就是用来存放“电荷”的，电荷通过与它相连的电线传进来或释放掉，至于电荷在小格子里是怎样存的，就不用我们操心了，你可以把电线想象成水管，小格子里的电荷就像是水，那就好理解了。存储器中的每个小抽屉就是一个放数据的地方，我们称之为一个“单元”。 有了这么一个构造，我们就可以开始存放数据了，想要放进一个数据12，也就是00001100，我们只要把第二号和第三号小格子里存满电荷，而其它小格子里的电荷给放掉就行了（看图2）。可是问题出来了，看图1，一个存储器有好多单元，线是并联的，在放入电荷的时候，会将电荷放入所有的单元中，而释放电荷的时候，会把每个单元中的电荷都放掉，这样的话，不管存储器有多少个单元，都只能放同一个数，这当然不是我们所希望的，因此，要在结构上稍作变化，看图1，在每个单元上有个控制线，我想要把数据放进哪个单元，就给一个信号这个单元的控制线，这个控制线就把开关打开，这样电荷就可以自由流动了，而其它单元控制线上没有信号，所
以开关不打开，不会受到影响，这样，只要控制不同单元的控制线，就可以向各单元写入不同的数据了，同样，如果要某个单元中取数据，也只要打开相应的控制开关就行了。 2、存储器译码 那么，我们怎样来控制各个单元的控制线呢？这个还不简单，把每个单元的控制线都引到集成电路的外面不就行了吗？事情可没那么简单，一片27512存储器中有65536个单元，把每根线都引出来，这个集成电路就得有6万多个脚？不行，怎么办？要想法减少线的数量。我们有一种方法称这为译码，简单介绍一下：一根线可以代表2种状态，2根线可以代表4种状态，3根线可以代表几种，256种状态又需要几根线代表？8种，8根线，所以65536种状态我们只需要16根线就可以代表了。 3、存储器的选片及总线的概念 至此，译码的问题解决了，让我们再来关注另外一个问题。送入每个单元的八根线是用从什么地方来的呢？它就是从计算机上接过来的，一般地，这八根线除了接一个存储器之外，还要接其它的器件。这样问题就出来了，这八根线既然