电子技术基础_习题集(含答案)
《电子技术基础》课程习题集
一、单选题
1.测得NPN三极管的三个电极的电压分别是U B=1.2V，U E=0.5V，U C=3V，该三极管处在（）状态。
A. 击穿
B. 截止
C. 放大
D. 饱和
2.二极管的主要特性是（）。
A.放大特性
B.恒温特性
C.单向导电特性
D.恒流特性
3.在N型半导体中（）。
A.只有自由电子
B.只有空穴
C.有空穴也有电子
D.没有空穴也没有自由电子
4.三极管的两个PN结都正偏，则晶体三极管的状态是（）。
A.放大
B.饱和
C.截止
D.倒置
5.工作在放大状态的某三极管，当输入电流I B=10μA时，I C=1mA；而I B=20μA时，I C=1.8mA，则该三极管的交流电流放大系数为（）。
A.50
B.80
C.100
D.180
6.稳压管的稳压是其工作在（）。
A.正向导通
B.反向截止
C.反向击穿区
D.正向死区
7.在某放大电路中测得三极管三个极的静态电位分别为0V、-10V和-9.3V，则该管为（）。
A.NPN硅管
B.NPN锗管
C.PNP硅管
D.PNP锗管
8.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。
A. 温度
B. 掺杂工艺
C. 杂质浓度
D. 晶体缺陷
9.测得NPN型硅三极管三个电极电位分别为：U B=2.8V，U E=2.1V，U C＝3.6V，则该管处于（）状态。
A.饱和
B.截止
C.放大
D.击穿
10. P型半导体中的自由电子浓度（）空穴浓度。
A.大于
B.小于
C.等于
D.大于或等于
11. N型半导体是在纯净的本征半导体中加入（）。
A.自由电子
B.空穴
C.硼元素
D.磷元素
12.三极管工作在放大区的条件是（）。
A.发射结正偏，集电结正偏
B.发射结反偏，集电结正偏
C.发射结正偏，集电结反偏
D.发射结反偏，集电结反偏
13.下列关于半导体的说法正确的是（）。
A.P型半导体带正电，N型半导体带负电
B.稳压二极管在稳压时工作在反向击穿状态
C.整流二极管和稳压二极管可以互换使用
D.以上说法都是错误的
14. PN结加正向电压时，空间电荷区将( )。
A. 变窄
B. 基本不变
C. 变宽
D.不确定
15.当温度升高时，二极管反向饱和电流将( )
A 增大
B 减小
C 不变
D 等于零
16.以下电路中，可用作电压跟随器的是（）。
A．差分放大电路 B．共基放大电路 C．共射放大电路 D．共集放大电路
17.共模抑制比K CMRR是（）。
A. 差模输入信号与共模输入信号之比
B. 输入量中差模成份与共模成份之比
C. 差模放大倍数与共模放大倍数(绝对值)之比
D. 交流放大倍数与直流放大倍数(绝对值)之比
18.下列哪种失真不属于非线性失真（）。
A. 饱和失真
B. 截止失真
C. 交越失真
D. 频率失真
19.共射极放大器的输出电压和输入电压在相位上相差（）。
A.90°
B.180°
C.60°
D.30°
20.收音机寻找要听的电台，利用的是（）原理。
A. 自激
B. 调谐
C. 整流
D. 稳压
21.如果三极管的发射结反偏，则三极管处于的状态是（）
A.放大
B.饱和
C.截止
D.倒置
22.共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（）失真。
A.饱和
B.截止
C.交越
D.频率
23.射极输出器的主要特点是（）
A.电压放大倍数无穷大，输出电阻高，输入电阻低
B.电压放大倍数接近1，输出电阻低，输入电阻高
C.电压放大倍数为0，输出电阻低，输入电阻高
D.以上说法都不对
24.固定偏置单管交流放大电路的静态工作点Q如下图所示，当温度升高时Q将( )。
A.不改变
B.向Q'移动
C.向Q''移动
D.向右平移
μA
/V
CE
25.电路如图所示，设晶体管工作在放大状态，欲使静态电流I C减小，则应（〕。
A.保持U CC，R B一定，减小R C
B.保持U CC，R C一定，增大R B
V.保持R B，R C一定，增大U CC D.保持R C一定，增大U CC，R B
26. 理想运算放大器的（ ）。
A.差模输入电阻趋于无穷大，开环输出电阻等于零
B.差模输入电阻等于零，开环输出电阻等于零
C.差模输入电阻趋于无穷大，开环输出电阻趋于无穷大
D.差模输入电阻等于零，开环输出电阻趋于无穷大
27. 同相比例运算放大器中的反馈类型为（ ）。
A.电压串联负反馈
B.电压并联负反馈
C.电流串联负反馈
D.电流并联负反馈 28. （ ）比例运算电路的比例系数大于1。
A.
反相 B.同相 C. A 和B 都可以 D.A 和B 都不行
29. 在图所示电路中，A 为理想运放。输出电压u o 应等于（ ）。
A. 0.5V
B. 1V
C. 2V
D. 3V
30. 欲将三角波电压转换成方波电压，应选用（ ）运算电路。
A.比例
B.加减
C.积分
D.微分 31. 集成运放级间耦合方式是 ( )。
A.变压器耦合
B.直接耦合
C.阻容耦合
D.光电耦合 32. 理想运算放大器的共模抑制比为 ( )。
A.零
B.约120 dB
C.无穷大
D.60 dB
33. 电路如图所示，该电路为 ( )。
A.加法运算电路
B.减法运算电路
C.比例运算电路
D.积分电路
-∞＋u O
u
i1
u
i2
34.电路如图所示，输入电压u i=10sin t (mV)，则输出电压u O为( )。
A.正弦波
B.方波
C.三角波
D.0
∞
u
O
35.电路如图所示，其电压放大倍数等于( )。
A.1
B.2
C.零
D.3
-∞
＋
36.交流负反馈是指（）。
A. 阻容耦合放大电路中所引入的负反馈
B. 只有放大交流信号时才有的负反馈
C. 在交流通路中的负反馈
D. 在交直流通路中的反馈
37.在输入量不变的情况下，若引入反馈后（），则说明引入的反馈是负反馈。A．输入电阻增大 B．输出量增大 C．净输入量增大 D．净输入量减小
38.电压串联负反馈使输入电阻（）。
A.增大
B.减小
C.不变
D.近似不变
39.放大电路中有反馈的含义是（）。
A.输出与输入之间有信号通路
B.电路中存在反向传输的信号通路
C.除放大电路以外还有信号通道
D.输出与输入信号成非线性的关系
40.对于放大电路，所谓开环是指（）。
A．无信号源 B．无反馈通路 C．无电源 D．无负载
41.整流的目的是（）。
A.将交流变为直流
B.将高频变为低频
C.将正弦波变为方波
D.将直流变为交流
42.串联型稳压电路中的放大环节所放大的对象是（）。
A.基准电压
B.采样电压
C.基准电压与采样电压之差
D.输出电压
43. 典型的串联型线性稳压电路正常工作时，调整管处于（ ）状态。
A.饱和
B.截止
C.放大
D.倒置
44. 直流稳压电源中滤波电路的目的是（ ）。
A.将交流变为直流
B.将高频变为低频
C.将交、直流混合量中的交流成分滤掉
D.降低电压
45. 开关型直流电源比线性直流电源效率高的原因是（ ）。
A.输出端有LC 滤波电路
B.调整管工作在开关状态
C.可以不用电源变压器
D.可以不装散热器
46. 可以有多个有效输入电平的编码器为（ ）。
A.二进制编码器
B.二—十进制编码器
C.优先编码器
D.普通编码器 47. 要实现多输入、单输出逻辑函数，应选（ ）。
A.数据选择器
B.数据分配器
C.译码器
D.加法器
48. 根据逻辑代数基本定律可知，A+BC=（ ）。
A. A
B. A ·B+A ·C
C. A ·（B+C ）
D. （A+B ）·（A+C ） 49. 可以实现线与的逻辑门是（ ）。
A. OC 门
B.三态门
C.传输们
D.与非门
50. 逻辑函数F=AB+BC+CA ，则F =（ ）。 A. A C C B B A ++ B. A C C B B A ++ C. A C C B B A ++ D. A
51. 一个16选一的数据选择器，其地址输入（选择控制输入）端有（ ）个。
A.1
B.2
C.4
D.16
52. 下列逻辑电路中为时序逻辑电路的是（ ）。
A.变量译码器
B.加法器
C.数码寄存器
D.数据选择器
53. 十进制数4用8421BCD 码表示为（ ）。
A.100
B.0100
C.0011
D.11
54. 已知二变量输入逻辑门的输入A 、B 和输出F 的波形如图所示，试判断这是（ ）种逻辑门的波形。
A.与非门
B.或非门
C.同或门
D.与门
55. 四变量逻辑函数F(ABCD)的最小项m 8为（ ）。 A.D ABC B. D BC A C. D C B A D. ABCD
56. 下列哪种逻辑表达式化简结果错误（ ）。
A. A+1=A
B. A+AB=A
C. A ·1=A
D. A ·A=A
57. 在函数L(A,B,C,D)=AB+CD 的真值表中，L=1的状态有（ ）个。
A.2
B.4
C.6
D.7
58. 已知A 、B 为逻辑门的输入端，F 为输出端，其输入、输出波形如图所示。试判断这是（ ）逻辑门的波形。
A.与非门
B.与门
C.或非门
D.或门
59. 已知二变量输入逻辑门的输入A 、B 和输出F 的波形如图所示，试判断这是（ ）种逻辑门的波形。
A.与非门
B.异或门
C.同或门
D.无法判断
60. 与最小项ABC 相邻的最小项是（ ）。 A. C B A B. BC A C. C B A D. C B A
61. N 个触发器可以构成最大计数长度（进制数）为（ ）的计数器。
A. N
B. 2N
C. N 2
D. 2N
62. 数码寄存器的功能是（ ）。
A.寄存数码和清除原有数码
B.寄存数码和实现移位
C.清除数码和实现移位
D.计数
63. 主从JK 触发器可以避免的形象是（ ）。
A.空翻
B.一次翻转
C.置位
D.计数
64. 时序电路中（ ）。
A.必须有组合电路
B.可以没有组合电路
C. 没有门电路
D.不能有触发器 65. 若JK 触发器的初始状态为0，欲在CP 作用后变为1状态，则激励函数JK 的值应是（ ）。
A.J=1，K=1
B.J=0，K=0
C.J=0，K=1
D.J=×，K=×
66. 在下列器件中，不属于时序逻辑电路的是（）。
A.计数器
B.移位寄存器
C.全加器
D.序列信号检测器 67. 设计模值为36的计数器至少需要（ ）级触发器。
A.3
B.4
C.5
D.6
68. 构成计数器的基本电路是（ ）。
A.与门
B.或门
C.非门
D.触发器
69. 时序逻辑电路的一般结构由组合电路与（ ）组成。
A.全加器
B.存储电路
C.译码器
D.选择器
70. 可以用来实现并/串转换和串/并转换的器件是（ ）。
A.计数器
B.移位寄存器
C.存储器
D.全加器
71. 基本RS 触发器，当D D S R ,都接高电平时，该触发器具有（ ）。
A.置“1”功能
B.保持功能
C.不定功能
D.置“0”功能
72. 时序逻辑电路与组合逻辑电路的主要区别是（ ）。
A.时序电路只能计数，而组合电路只能寄存
B.时序电路没有记忆功能，组合电路则有
C.时序电路具有记忆功能，组合电路则没有
D. 时序电路只能寄存，而组合电路只能计数
73. 分析时序逻辑电路的状态表，判定它是（ ）。
A.加法计数器
B.减法计数器
C.移位寄存器
D.数码寄存器
74. 8位移位寄存器，串行输入时经( )个脉冲后，8位数码全部移入寄存器中。
A.1
B.2
C.4
D.8
75. 欲使D 触发器按Q n+1=n Q 工作，应使输入D=( )。
A. 0
B. 1
C. Q n
D. n Q
二、简答题
76. 判断图所示各电路中是否引入了反馈，是直流反馈还是交流反馈，是正反馈还是负反馈。设图中所有电容对交流信号均可视为短路。
77.判断图所示电路中是否引入了反馈，是直流反馈还是交流反馈，是正反馈还是负反馈。
78.判断图所示电路中是否引入了反馈，是直流反馈还是交流反馈，是正反馈还是负反馈。设图中所有电容对交流信号均可视为短路。
79.写出图所示电路中R f的反馈类型。
80.判断图中反馈元件R f的类型。
模拟电子技术基础实验思考题
低频电子线路实验思考题 实验一常用电子仪器的使用（P6） 1.什么是电压有效值？什么是电压峰值？常用交流电压表的电压测量值和示波器的电压直接测量值有什么不同？ 答：电压峰值是该波形中点到最高或最低之间的电压值；电压有效值等于它的瞬时值的平方在一个周期内职分的平均值再取平方根。 常用交流电压表的电压测量值一般都为有效值，而示波器的电压直接测量都为峰值。 2.用示波器测量交流信号的峰值和频率，如何尽可能提高测量精度？答：幅值的测量：Y轴灵敏度微调旋钮置于校准位置，Y轴灵敏度开关置于合适的位置即整个波形在显示屏的Y轴上尽可能大地显示，但不能超出显示屏指示线外。频率测量：扫描微调旋钮置于校准位置，扫描开关处于合适位置即使整个波形在X轴上所占的格数尽可能接近10格（但不能大于10格）。 实验二晶体管主要参数及特性曲线的测试（P11） 1.为什么不能用MF500HA型万用表的R×1Ω和R×10Ω档量程测量工作极限电流小的二极管的正向电阻值？ 答：根据MF500HA型万用表的内部工作原理，可知R×1Ω和R×10Ω档量程测量工作极限电流小的二极管的正向电阻值的等效电路分别为图1和图2所示，此时流过二极管的最大电流，，当I D1和I D2大于该二极管的工作极限电流时就会使二极管损坏。
图1 图2 2. 用MF500HA型万用表的不同量程测量同一只二极管的正向电阻值，其结果不同，为什么？ 提示：根据二极管的输入特性曲线和指针式万用表Ω档的等效电路，结合测试原理分析回答。 答：R×1Ω：r o=9.4Ω; R×10Ω: r o=100Ω; R×100Ω: r o=1073Ω; R×1kΩ: r o=32kΩ。因为二极管工作特性为正向导通、反向截至，尤其是正向导通的输入特性曲线为一条非线性曲线。用MF500HA型万用表
模拟电子技术基础知识点总结
模拟电子技术复习资料总结 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6.杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路); 若V阳 2) 等效电路法 直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路); 若V阳 习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA ，试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大？已知温度每升高10℃，反向电流大致增加一倍。解：在20℃时的反向电流约为：3 2 10 1.25A A μμ-?=在80℃时的反向电流约为：321080A A μμ?= 习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性，它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ，是大一些好还是小一些好？ 答：动态电阻r Z 愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，稳压性能愈好。 一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z 愈大，则其动态内阻愈小，稳压性能也愈好。但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。 温度系数αU 的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。 100B i A μ=80A μ60A μ40A μ20A μ0A μ0.993 3.22 安全工作区 习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ， β=30；试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。已知每当温度升高10℃时，I CBO 大约增大一倍，而每当温度升高1℃时，β大约增大1% 。解：20℃时，()131CEO CBO I I A βμ=+=50℃时，8C BO I A μ≈() () ()0 5020 011%3011%301301%39 t t ββ--=+=?+≈?+?=()13200.32CEO CBO I I A mA βμ=+== 第1章检测题（共100分，120分钟） 一、填空题：（每空0.5分，共25分） 1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为自由电子，少数载流子为空穴，不能移动的杂质离子带正电。P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为空穴，少数载流子为自由电子，不能移动的杂质离子带负电。 2、三极管的内部结构是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结组成的。三极管对外引出的电极分别是发射极、基极和集电极。 3、PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向相反，有利于多数载流子的 扩散运动而不利于少数载流子的漂移；PN结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向一致，有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散，这种情况下的电流称为反向饱和电流。 4、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子由P向N区进行扩散，N型半导体中的多数载流子由N向P区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区，其方向由N区指向P区。空间电荷区的建立，对多数载流子的扩散起削弱作用，对少子的漂移起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时，PN结形成。 7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管，正常工作应在特性曲线的反向击穿区。 三、选择题：（每小题2分，共20分） 2、P型半导体是在本征半导体中加入微量的（A）元素构成的。 A、三价； B、四价； C、五价； D、六价。 3、稳压二极管的正常工作状态是（C）。 A、导通状态； B、截止状态； C、反向击穿状态； D、任意状态。 5、PN结两端加正向电压时，其正向电流是（A）而成。 A、多子扩散； B、少子扩散； C、少子漂移； D、多子漂移。 6、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为V E＝2.1V，V B＝2.8V，V C＝4.4V，说明此三极管处在（A）。 A、放大区； B、饱和区； C、截止区； D、反向击穿区。 10、若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（C） A、发射结正偏、集电结正偏； B、发射结反偏、集电结反偏； C、发射结正偏、集电结反偏； D、发射结反偏、集电结正偏。 四、简述题：（每小题4分，共28分） 2、某人用测电位的方法测出晶体管三个管脚的对地电位分别为管脚①12V、管脚②3V、管脚③ 3.7V，试判断管子的类型以及各管脚所属电极。 第一章 半导体基础知识 自测题 一、（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）× 二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C 三、U O1≈1.3V U O2＝0 U O3≈－1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈－2V 四、U O1＝6V U O2＝5V 五、根据P CM ＝200mW 可得：U CE ＝40V 时I C ＝5mA ，U CE ＝30V 时I C ≈6.67mA ，U CE ＝20V 时I C ＝10mA ，U CE ＝10V 时I C ＝20mA ，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。图略。 六、1、 V 2V mA 6.2 A μ26V C C CC CE B C b BE BB B =-====-= R I U I I R U I β U O ＝U CE ＝2V 。 2、临界饱和时U CES ＝U BE ＝0.7V ，所以 Ω ≈-= == =-= k 4.45V μA 6.28mA 86.2V B BE BB b C B c CES CC C I U R I I R U I β 七、T 1：恒流区；T 2：夹断区；T 3：可变电阻区。 习题 1.1（1）A C （2）A （3）C （4）A 1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。 1.3 u i 和u o 的波形如图所示。 1.4 u i 和u o 的波形如图所示。 t 1.5 u o 的波形如图所示。 1.6 I D ＝（V －U D ）/R ＝ 2.6mA ，r D ≈U T /I D ＝10Ω，I d ＝U i /r D ≈1mA 。 1.7 （1）两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。 （2）两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。 1.8 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA ，R ＝U Z /I DZ ＝0.24～1.2k Ω。 1.9 （1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流为4mA ，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+= U R R R U 当U I ＝15V 时，由于上述同样的原因，U O ＝5V 。 当U I ＝35V 时，U O ＝U Z ＝5V 。 （2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。 1.10 （1）S 闭合。 （2）。，Ω=-=Ω≈-=700)V (233)V (Dm in D m ax Dm ax D m in I U R I U R 1.11 波形如图所示。 1.12 60℃时I CBO ≈32μA 。 1.13 选用β＝100、I CBO ＝10μA 的管子，其温度稳定性好。 1.14 实验一、常用电子仪器的使用 一、实验目的 1、学习电子技术实验中常用电子仪器的主要技术指标、性能和正确使用方法。 2、初步掌握用示波器观察正弦信号波形和读取波形参数的方法。 电路实验箱的结构、基本功能和使用方法。 二、实验原理 在模拟电子电路实验中，要对各种电子仪器进行综合使用，可按照信号流向，以接线简捷，调节顺手，观察与读数方便等原则进行合理布局。接线时应注意，为防止外界干扰，各仪器的公共接地端应连接在一起，称共地。 1．信号发生器 信号发生器可以根据需要输出正弦波、方波、三角波三种信号波形。输出信号电压频率可以通过频率分挡开关、频率粗调和细调旋钮进行调节。输出信号电压幅度可由输出幅度调节旋钮进行连续调节。 操作要领： 1）按下电源开关。 2）根据需要选定一个波形输出开关按下。 3）根据所需频率，选择频率范围（选定一个频率分挡开关按下）、分别调节频率粗调和细调旋钮，在频率显示屏上显示所需频率即可。 4）调节幅度调节旋钮，用交流毫伏表测出所需信号电压值。 注意：信号发生器的输出端不允许短路。 2．交流毫伏表 交流毫伏表只能在其工作频率范围内，用来测量300伏以下正弦交流电压的有效值。 操作要领： 1）为了防止过载损坏仪表，在开机前和测量前（即在输入端开路情况下）应先将量程开关置于较大量程处，待输入端接入电路开始测量时，再逐档减小量程到适当位置。 2）读数：当量程开关旋到左边首位数为“1”的任一挡位时，应读取0～10标度尺上的示数。当量程开关旋到左边首位数为“3”的任一挡位时，应读取0～3标度尺上的示数。 3）仪表使用完后，先将量程开关置于较大量程位置后，才能拆线或关机。 3．双踪示波器 示波器是用来观察和测量信号的波形及参数的设备。双踪示波器可以同时对两个输入信号进行观测和比较。 操作要领： 1）时基线位置的调节开机数秒钟后，适当调节垂直（↑↓）和水平（←→）位移旋钮，将时基线移至适当的位置。 2）清晰度的调节适当调节亮度和聚焦旋钮，使时基线越细越好（亮度不能太亮，一般能看清楚即可）。 3）示波器的显示方式示波器主要有单踪和双踪两种显示方式，属单踪显示的有“Y1”、“Y2”、“Y1+Y2”，作单踪显示时，可选择“Y1”或“Y2”其中一个按钮按下。属双踪显示的有“交 替”和“断续”，作双踪显示时，为了在一次扫描过程中同时显示两个波形，采用“交替”显示 方式，当被观察信号频率很低时（几十赫兹以下），可采用“断续”显示方式。 4）波形的稳定为了显示稳定的波形，应注意示波器面板上控制按钮的位置：a）“扫描 第1 章检测题（共100 分，120 分钟） 一、填空题：（每空分，共25分） 1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的 _五_价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为—自由电子_,少数载流子为—空穴_,不能移动的杂质离子带—正电。P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的 _三_价元素组成的。这种半导体内 的多数载流子为—空穴_,少数载流子为—自由电子_,不能移动的杂质离子带_负_电。 2、三极管的内部结构是由—发射—区、_基_区、—集电区—区及—发射—结和—集电结组成的。三极管对外引出的电极分别是—发射—极、_基_极和—集电—极。 3、PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向 _相反—，有利于—多数载流子—的 _扩散—运动而不利于—少数载流子_的_漂移_; PN结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向—一致_，有利于_少子—的_漂移_运动而不利于_多子_的_扩散_，这种情况下的电流称为_反向饱和_电流。 4、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子由_巳向_N区进行扩散，N 型半导体中的多数载流子由__^_向—P_区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个—空间电荷区_,其方向由_N区指向_P_区。—空间电荷区—的建立，对多数载流子的—扩散—起削弱作用，对少子的—漂移—起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时，_PN结—形成。 5、检测二极管极性时，需用万用表欧姆挡的_R X 1K档位，当检测时表针偏转 度较大时，与红表棒相接触的电极是二极管的_阴_极；与黑表棒相接触的电极是二 极管的_阳_极。检测二极管好坏时，两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时，说明二极管已经被—击穿_;两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经_绝缘老化。 6、单极型晶体管又称为场效应（MO$管。其导电沟道分有N沟道和―巳沟 电子技术基础实验答案 导语：在模拟电子电路实验中，要对各种电子仪器进行综合使用，可按照信号流向，以接线简捷，调节顺手，观察与读数方便等原则进行合理布局。以下为大家介绍电子技术基础实验答案文章，欢迎大家阅读参考! 实验一、常用电子仪器的使用 1、学习电子技术实验中常用电子仪器的主要技术指标、性能和正确使用方法。 2、初步掌握用示波器观察正弦信号波形和读取波形参数的方法。 电路实验箱的结构、基本功能和使用方法。 在模拟电子电路实验中，要对各种电子仪器进行综合使用，可按照信号流向，以接线简捷，调节顺手，观察与读数方便等原则进行合理布局。接线时应注意，为防止外界干扰，各仪器的公共接地端应连接在一起，称共地。 1．信号发生器 信号发生器可以根据需要输出正弦波、方波、三角波三种信号波形。输出信号电压频率可以通过频率分挡开关、频率粗调和细调旋钮进行调节。输出信号电压幅度可由输出幅度调节旋钮进行连续调节。 操作要领： 1）按下电源开关。 2）根据需要选定一个波形输出开关按下。 3）根据所需频率，选择频率范围、分别调节频率粗调和细调旋钮，在频率显示屏上显示所需频率即可。 4）调节幅度调节旋钮，用交流毫伏表测出所需信号电压值。 注意：信号发生器的输出端不允许短路。 2．交流毫伏表 交流毫伏表只能在其工作频率范围内，用来测量300伏以下正弦交流电压的有效值。 1）为了防止过载损坏仪表，在开机前和测量前应先将量程开关置于较大量程处，待输入端接入电路开始测量时，再逐档减小量程到适当位置。 2）读数：当量程开关旋到左边首位数为“1”的任一挡位时，应读取0～10标度尺上的示数。当量程开关旋到左边首位数为“3”的任一挡位时，应读取0～3标度尺上的示数。 3）仪表使用完后，先将量程开关置于较大量程位置后，才能拆线或关机。 3．双踪示波器 示波器是用来观察和测量信号的波形及参数的设备。双踪示波器可以同时对两个输入信号进行观测和比较。 《模拟电子技术基础》教案 1、本课程教学目的： 本课程是电气信息类专业的主要技术基础课。其目的与任务是使学生掌握常用半导体器件和典型集成运放的特性与参数，掌握基本放大、负反馈放大、集成运放应用等低频电子线路的组成、工作原理、性能特点、基本分析方法和工程计算方法；使学生具有一定的实践技能和应用能力；培养学生分析问题和解决问题的能力，为后续课程和深入学习这方面的内容打好基础。 2、本课程教学要求： 1．掌握半导体器件的工作原理、外部特性、主要参数、等效电路、分析方法及应用原理。 2．掌握共射、共集、共基、差分、电流源、互补输出级六种基本电路的组成、工作原理、特点及分析，熟悉改进放大电路，理解多级放大电路的耦合方式及分析方法，理解场效应管放大电路的工作原理及分析方法，理解放大电路的频率特性概念及分析。 3．掌握反馈的基本概念和反馈类型的判断方法，理解负反馈对放大电路性能的影响，熟练掌握深度负反馈条件下闭环增益的近似估算，了解负反馈放大电路产生自激振荡的条件及其消除原则。 4．了解集成运算放大器的组成和典型电路，理解理想运放的概念，熟练掌握集成运放的线性和非线性应用原理及典型电路；掌握一般直流电源的组成，理解整流、滤波、稳压的工作原理，了解电路主要指标的估算。 3、使用的教材： 杨栓科编，《模拟电子技术基础》，高教出版社 主要参考书目： 康华光编，《电子技术基础》（模拟部分）第四版，高教出版社 童诗白编，《模拟电子技术基础》，高等教育出版社， 张凤言编，《电子电路基础》第二版，高教出版社， 谢嘉奎编，《电子线路》（线性部分）第四版，高教出版社， 陈大钦编，《模拟电子技术基础问答、例题、试题》，华中理工大学出版社，唐竞新编，《模拟电子技术基础解题指南》，清华大学出版社， 孙肖子编，《电子线路辅导》，西安电子科技大学出版社， 谢自美编，《电子线路设计、实验、测试》（二），华中理工大学出版社， 绪论 本章的教学目标和要求： 要求学生了解放大电路的基本知识；要求了解放大电路的分类及主要性能指标。 本章总体教学内容和学时安排：（采用多媒体教学） §1－1 电子系统与信号0.5 §1－2 放大电路的基本知识0.5 本章重点： 放大电路的基本认识；放大电路的分类及主要性能指标。 本章教学方式：课堂讲授 本章课时安排： 1 本章的具体内容： 1节 介绍本课程目的，教学参考书，本课程的特点以及在学习中应该注意的事项和学习方法； 介绍放大电路的基本认识；放大电路的分类及主要性能指标。 重点: 放大电路的分类及主要性能指标。 “模拟电子技术基础”课程教学大纲 课程名称：模拟电子技术基础 教材信息：《模拟电子电路及技术基础（第三版）》，孙肖子主编 主讲教师：孙肖子（西安电子科技大学电子工程学院副教授） 学时：64学时 一、课程的教学目标与任务 通过本课程教学使学生在已具备线性电路分析的基础上，进一步学习包含有源器件的线性电路和线性分析、计算方法。使学生掌握晶体二极管、稳压管、晶体三极管、场效应管和集成运放等非线性有源器件的工作原理、特性、主要参数及其基本应用电路，掌握各种放大器、比较器、稳压器等电路的组成原理、性能特点、基本分析方法和工程计算及应用技术，获得电子技术和线路方面的基本理论、基本知识和基本技能。培养学生分析问题和解决问题的能力，为以后深入学习电子技术其他相关领域中的内容，以及为电子技术在实际中的应用打下基础。 二、课程具体内容及基本要求 （一）、电子技术的发展与模电课的学习MAP图（2学时） 介绍模拟信号特点和模拟电路用途，电子技术发展简史，本课程主要教学内容，四种放大器模型的结构、特点、用途及增益、输入电阻、输出电阻等主要性能指标，频率特性和反馈的基本概念。 1.基本要求 （1）了解电子技术的发展，本课程主要教学内容，模拟信号特点和模拟电路用途。 （2）熟悉放大器模型和主要性能指标。 （3）了解反馈基本概念和反馈分类。 （二）、集成运算放大器的线性应用基础（8学时） 主要介绍各种理想集成运算应用电路的分析、计算，包括同/反相比例放大、同/反相相加、相减、积/微分、V-I和I-V变换电路和有源滤波等电路的分析、计算，简单介绍集成运放的实际非理想特性对应用电路的影响及实践应用中器件选择的依据和方法。 1.基本要求 （1）了解集成运算放大器的符号、模型、理想运放条件和电压传输特性。 （2）熟悉在理想集成运放条件下，对电路引入深反馈对电路性能的影响，掌握“虚短”、“虚断”和“虚地”概念。 （3）掌握比例放大、相加、相减、积/微分、V-I和I-V变换电路的分析、计算。 （4）了解二阶有源RC低通、高通、带通、带阻和全通滤波器的传递函数、幅频特性及零极点分布，能正确判断电路的滤波特性。 （5）熟悉集成运算放大器的主要技术指标的含义，了解实际集成运放电路的非理想特性对实际应用的限制。 2.重点、难点 重点：各种集成运放应用电路的分析、计算和设计。 难点：有源滤波器的分析、计算和集成运放非理想特性对实际应用的影响，。 （三）、电压比较器、弛张振荡器及模拟开关（4学时） 主要介绍简单比较器、迟滞比较器和弛张振荡器的电路构成、特点、用途、传输特性及主要参数的分析、计算，简单介绍单片集成电压比较器和模拟开关的特点、主要参数和基本应用。 学习《电子技术基础》的一些心得体会 ZD8898 一.电子技术基础是通信、电子信息、自动控制、计算机等专业的 专业基础课程 电子技术基础包含了《模拟电子技术基础》和《数字电子技术基础》两门最重要的专业基础课程。是上述专业最底层，最基础的课程。首先要从思想上高度重视这两门基础课的学习，你才能学好这两门课。如果这两门基础课程学不好，可以肯定，其它的专业课程也学不好。因为没有扎实的电子技术方面的基础，就无法理解和掌握其它的专业课程的知识。例如高频电路、自动控制、计算机接口电路、微型计算机技术等等。假如你对放大、反馈、振荡、滤波电路都读不懂，你怎么能读懂彩色电视机电路图、DVD电路图？如果你对数字电路一窍不通，你怎么去学习计算机硬件和软件知识？你怎么能成为出色的电气工程师？ 二.培养对电子技术的兴趣，使你学好电子技术有充足的学习动力 大家都知道，如果你想要学习某个方面的知识和技能，就必须对这方面有浓厚的兴趣才能学好。 例如歌手，除了其本身有好的嗓子外，他（她）们肯定对唱歌有浓厚的兴趣，他（她）们才能如此刻苦去学习，才能成为百姓们喜爱的歌唱演员。中央电视台〈星光大道〉节目中出来的歌手，如李玉刚、阿宝、朱之文、石头、玖月奇迹、凤凰传奇、王二妮等等就是最好的例子。 同样，学习电子技术基础也如此。只有对这门课程有兴趣，不是老师要我学，而是我要学。只有这样自己才能变被动学习为主动学习，才能学好电子技术基础。 本人能从事电子技术工作数十年，其中一个非常重要的原因就是爱好电子技术，对电子技术有浓厚的兴趣。我在大学学的专业是物理专业，而不是电子专业。毕业后分配到三线的工厂，当时正是文化革命时期，到了工厂就接受工人阶级再教育，六、七年的时间，和其它工人师傅一样，一直在车间生产第一线。三班倒，干的是高温作业，又热又累的工作。尽管干的别的工种的活，但我热爱电子技术。到工厂之后，对电器、电子特别有兴趣。就自学电工、半导体以及电子方面的知识。自己组装收音机、电视机等。电子技术的水平得到提高。在车间实现了多项技术革新。如程序控制的熔结炉、涡流棒材探伤仪等。后来成为电气工程师。80年代，本人又从研究所调回学校，从事科研和教学工作。同时负责实验室的仪器设备的电器维修工作。所以说兴趣爱好是学习的动力和源泉。本人深有体会。 三.电子技术基础是比较难学的课程。 无论是〈模拟电子技术基础〉或〈数字电子技术基础〉课程都是难度较大的课程。 常用半导体器件 一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。 （1）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（√）（2）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（×） （3）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（×） （4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。（×） （5）若耗尽型N沟道MOS管的U GS大于零，则其输入电阻会明显变小。（√） 二、选择正确答案填入空内。 （1）PN结加正向电压时，空间电荷区将 A 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （2）稳压管的稳压区是其工作在 C 。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 （3）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏（4）U GS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A C 。 A. 结型管 B. 增强型MOS管 C. 耗尽型MOS管 （5）在本征半导体中加入A 元素可形成N型半导体，加入 C 元素可形成P型半导体。 A. 五价 B. 四价 C. 三价 （6）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将A 。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 （7）工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C从1mA变为2mA，那么它的β约为 C 。 A. 83 B. 91 C. 100 三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。 图T1.3 四、已知稳压管的稳压值U Z＝6V，稳定电流的最小值I Zmin＝5mA。求图T1.4 《模拟电子技术基础》教学大纲 二、课程内容 （一）课程教学目标 本课程是电类各专业在电子技术方面入门性质的技术基础课，是一门实践性极强的课程。 本课程以分立元件的基本放大电路为基础，以集成电路为主体，通过课堂讲授使学生理解各种基本电路的组成、基本工作原理和基本分析方法及应用；通过课程实验、课程设计等实践环节使学生加深对基本概念的理解，掌握基本电路的设计与调试方法，便学生获得电子技术方面的基本理论、基本知识和基本技能，培养学生分析和解决问题的能力。（二）基本教学内容 第一章、绪论 教学目的与要求： 了解课程性质、特点、学习方法。了解电子技术的发展及应用。掌握放大电路的模型和 主要性能指标。 教学重点： 放大电路的模型，放大电路的主要性能指标及应用考虑。 教学难点： 放大电路的主要性能指标及应用考虑。 教学内容： 简单介绍本课程的性质、课程特点、课程学习方法等。对电子技术的发展状况作简要介绍，引发学生对本课程学习的积极性。 对放大电路的模型、性能指标及应用做概要介绍。 对教材中第一章内容可不作详细讲解，待讲到相关内容时再作简要讲解。 第二章、集成电路运算放大器 教学目的与要求： 了解集成运放的主要结构，掌握理想运放的模型、特点及利用“虚短”和“虚断”分析理想放大器构成的应用电路。熟练掌握集成运放构成的典型应用电路，包括同相放大、反相放大、加法、减法、微分、积分运算电路和仪用放大器。通过自学和上机环节掌握模拟电路计算机仿真软件－PSPICE。 教学重点： 理想运算放大器的模型、特性。运算放大器构成的典型应用电路。 教学难点： 对理想放大器的理解，“虚短”和“虚断”的理解和正确运用。 教学内容： (1)集成电路运算放大器 了解集成动算放大器的内部构成、集成运算放大器的传输特性。 (2)理想运算放大器 正确理解理想放大器条件下，放大器的电路参数及其物理意义。 电子技术实验报告 学号： 222014321092015 姓名： 刘 娟 专业： 教育技术学 实验三 单级交流放大器（二） 一、 实验目的 1. 深入理解放大器的工作原理。 2. 学习测量输入电阻、输出电阻及最大不失真输出电压幅值的方法。 3. 观察电路参数对失真的影响. 4. 学习毫伏表、示波器及信号发生器的使用方法。 二. 实验设备: 1、实验台 2、示波器 3、数字万用表 三、预习要求 1、熟悉单管放大电路。 2、了解饱和失真、截止失真和固有失真的形成及波形。 3、掌握消除失真方法。 四、实验内容及步骤 ● 实验前校准示波器，检查信号源。 ● 按图3-1接线。 图3-1 1、测量电压参数，计算输入电阻和输出电阻。 ● 调整RP2，使V C =Ec/2（取6～7伏），测试V B 、V E 、V b1的值，填入表3-1中。 表3-1 ● 输入端接入f=1KHz 、V i =20mV 的正弦信号。 ● 分别测出电阻R 1两端对地信号电压V i 及V i ′按下式计算出输入电阻R i ： ● 测出负载电阻R L 开路时的输 出电压V ∞ ，和接入R L （2K ）时的输出电压V 0 , 然后按下式计算出输出电阻R 0； 将测量数据及实验结果填入表3-2中。 2 中。 ● 输入信号不变，用示波器观察正常工作时输出电压V o 的波形并描画下来。 ● 逐渐减小R P2的阻值，观察输出电压的变化，在输出电压波形出现明显失真时，把失 真的波形描画下来，并说明是哪种失真。( 如果R P2=0Ω后，仍不出现失真，可以加大输入信号V i ，或将R b1由100K Ω改为10K Ω，直到出现明显失真波形。) ● 逐渐增大R P2的阻值，观察输出电压的变化，在输出电压波形出现明显失真时，把失 真波形描画下来，并说明是哪种失真。如果R P2=1M 后，仍不出现失真，可以加大输入信号V i ，直到出现明显失真波形。 表 3-3 ● 调节R P2使输出电压 波形不失 真且幅值 为最大（这 时的电压放大倍数最大），测量此时的静态工作点V c 、V B 、V b1和V O 。 表 3-4 五、实验报告 1、分析输入电阻和输出电阻的测试方法。 按照电路图连接好电路后，调节RP2，使Vc 的值在6-7V 之间，此时使用万用表。接入输入信号1khz 20mv 后，用示波器测试Vi 与Vi ’，记录数据。用公式计算出输入电阻的值。在接入负载RL 和不接入负载时分别用示波器测试Vo 的值，记录数据，用公式计算出输出电阻的值。 2、讨论静态工作点对放大器输出波形的影响。 静态工作点过低，波形会出现截止失真，即负半轴出现失真；静态工作点过高，波形会出现饱和失真，即正半轴出现失真。 实验四 负反馈放大电路 一、 实验目的 1、熟悉负反馈放大电路性能指标的测试方法。 2、通过实验加深理解负反馈对放大电路性能的影响。 二、实验设备 1、实验台 2、示波器 3、数字万用表 三、预习要求 1、熟悉单管放大电路，掌握不失真放大电路的调整方法。 2、熟悉两级阻容耦合放大电路静态工作点的调整方法。 3、了解负反馈对放大电路性能的影响。 四、实验电路 中南大学网络教育课程考试（专科）复习题及参考答案 电子技术基础 一、选择题： 1．在杂质半导体中,少子浓度主要取决于( ) (A) 掺入杂质的浓度、 (B) 材料、 (C) 温度 2．测得某PNP型三极管各极点位为:UB=-3V UE=-4V UC=-6V,则该管工作于( ) (A) 放大状态、 (B) 饱和状态、 (C) 截止状态 3．在基本共射放大电路中，若更换晶体管使β值由50变为100,则电路的放大倍数( ) (A) 约为原来的1/2倍 (B) 约为原来的2倍 (C) 基本不变 4．在OCL电路中，引起交越失真的原因是( ) (A) 输入信号过大 (B) 晶体管输入特性的非线性 (C) 电路中有电容 5．差动放大器中,用恒流源代替长尾R e是为了( ) (A) 提高差模电压增益 (B) 提高共模输入电压围 (C) 提高共模抑制比 6．若A+B=A+C，则（） (A) B=C； (B) B=C；(C)在A=0的条件下，B=C 7．同步计数器中的同步是指（） （A）各触发器同时输入信号；（B）各触发器状态同时改变； （C）各触发器受同一时钟脉冲的控制 8．由NPN管组成的单管基本共射放大电路，输入信号为正弦波，输出电压出现顶部被削平的失真，这种失真是（） （A）饱和失真（B）截止失真（C）频率失真 9．对PN结施加反向电压时，参与导电的是（） （A）多数载流子（B）少数载流子（C）既有多数载流子又有少数载流子 10．当温度增加时，本征半导体中的自由电子和空穴的数量（） （A）增加（B）减少（C）不变 11．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（） A、输入电阻高 B、输出电阻低 C、共模抑制比大 D、电压放大倍数大 12．对于桥式整流电路，正确的接法是( ) 第3章 逻辑代数及逻辑门 【３—１】 填空 1、与模拟信号相比,数字信号的特点是它的 离散 性。一个数字信号只有两种取值分别表示为0 和1 。 2、布尔代数中有三种最基本运算： 与 、 或 和 非 ，在此基础上又派生出五种基本运算，分别为与非、或非、异或、同或和与或非. ３、与运算的法则可概述为：有“0”出 ０ ，全“1”出 1;类似地或运算的法则为 有”1"出”1”,全”0”出”0" . ４、摩根定理表示为:A B ?＝A B + ；A B +=A B ?。 5、函数表达式Ｙ=AB C D ++,则其对偶式为Y '=()A B C D +?。 6、根据反演规则,若Y=AB C D C +++，则Y =()AB C D C ++? 。 7、指出下列各式中哪些是四变量A Ｂ C Ｄ的最小项和最大项。在最小项后的( ）里填入m i ，在最大项后的( ）里填入M i ，其它填×(ｉ为最小项或最大项的序号)。 (1) Ａ＋Ｂ+D （× ）； (２） ABCD （m 7 ）; （3) ABC （ × ) （４)AB （C +D ) （×）; (5） A B C D +++ （M 9 ） ； (6） A+Ｂ+CD （× ）; 8、函数式F=AB+BC ＋CD 写成最小项之和的形式结果应为m ∑（3，6，7，11,１2，１3， １4,１5），写成最大项之积的形式结果应为 M (∏ 0，1，2,４,5，8，9，10 ) 9、对逻辑运算判断下述说法是否正确，正确者在其后( )内打对号，反之打×。 （１) 若X +Y =X ＋Z ,则Y=Z ；（ × ） （2） 若XY=X Ｚ，则Y=Z;( × ) （3) 若X ⊕Y=Ｘ⊕Z ，则Y=Z ；（√ ） 【3—2】用代数法化简下列各式 （1） F １ =1ABC AB += (2) F 2 =ABCD ABD ACD AD ++= (3）3F AC ABC ACD CD A CD =+++=+ （４） 4()()F A B C A B C A B C A BC =++?++?++=+ 【3-３】 用卡诺图化简下列各式 （1） 1F BC AB ABC AB C =++=+ （2) 第一章半导体二极管 1.本征半导体 ?单质半导体材料是具有4价共价键晶体结构的硅Si和锗Ge。 ?导电能力介于导体和绝缘体之间。 ?特性：光敏、热敏和掺杂特性。 ?本征半导体：纯净的、具有完整晶体结构的半导体。在一定的温度下，本征半导体内的最重要的物理现象是本征激发（又称热激发），产生两种带电性质相反的载流子（空穴和自由电子对），温度越高，本征激发越强。 ◆空穴是半导体中的一种等效+q的载流子。空穴导电的本质是价电子依次填补本征晶体中空位， 使局部显示+q电荷的空位宏观定向运动。 ◆在一定的温度下，自由电子和空穴在热运动中相遇，使一对自由电子和空穴消失的现象称为 复合。当热激发和复合相等时，称为载流子处于动态平衡状态。 2．杂质半导体 ?在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 ◆P型半导体：在本征半导体中掺入微量的3价元素（多子是空穴，少子是电子）。 ◆N型半导体：在本征半导体中掺入微量的5价元素（多子是电子，少子是空穴）。 ?杂质半导体的特性 ◆载流子的浓度：多子浓度决定于杂质浓度，几乎与温度无关；少子浓度是温度的敏感函数。 ◆体电阻：通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 ◆在半导体中，存在因电场作用产生的载流子漂移电流（与金属导电一致），还才能在因载流子 浓度差而产生的扩散电流。 3.PN结 ?在具有完整晶格的P型和N型半导体的物理界面附近，形成一个特殊的薄层（PN结）。 ?PN结中存在由N区指向P区的内建电场，阻止结外两区的多子的扩散，有利于少子的漂移。 ?PN结具有单向导电性：正偏导通，反偏截止，是构成半导体器件的核心元件。 ◆正偏PN结（P+，N-）：具有随电压指数增大的电流，硅材料约为0.6-0.8V，锗材料约为0.2-0.3V。 ◆反偏PN结（P-，N+）：在击穿前，只有很小的反向饱和电流Is。 ◆PN结的伏安（曲线）方程： 4.半导体二极管 目录 习题一 (1) 习题二 (6) 习题三 (16) 习题四 (24) 习题五 (30) 习题六 (35) 习题七 (37) 习题八 (46) 习题一 1.1 解释名词：①测量；②电子测量。 答：测量是为确定被测对象的量值而进行的实验过程。在这个过程中，人们借助专门的设备，把被测量与标准的同类单位量进行比较，从而确定被测量与单位量之间的数值关系，最后用数值和单位共同表示测量结果。从广义上说，凡是利用电子技术进行的测量都可以说是电子测量；从狭义上说，电子测量是指在电子学中测量有关电的量值的测量。 1.2 叙述直接测量、间接测量、组合测量的特点，并各举一两个测量实例。 答：直接测量：它是指直接从测量仪表的读数获取被测量量值的方法。如：用电压表测量电阻两端的电压，用电流表测量电阻中的电流。 间接测量：利用直接测量的量与被测量之间的函数关系，间接得到被测量量值的测量方法。如：用伏安法测量电阻消耗的直流功率P，可以通过直接测量电压U，电流I，而后根据函数关系P＝UI，经过计算，间接获得电阻消耗的功耗P；用伏安法测量电阻。 组合测量：当某项测量结果需用多个参数表达时，可通过改变测试条件进行多次测量，根据测量量与参数间的函数关系列出方程组并求解，进而得到未知量，这种测量方法称为组合测量。例如，电阻器电阻温度系数的测量。 1.3 解释偏差式、零位式和微差式测量法的含义，并列举测量实例。 答：偏差式测量法：在测量过程中，用仪器仪表指针的位移(偏差)表示被测量大小的测量方法，称为偏差式测量法。例如使用万用表测量电压、电流等。 零位式测量法：测量时用被测量与标准量相比较，用零示器指示被测量与标准量相等(平衡)，从而获得被测量从而获得被测量。如利用惠斯登电桥测量电阻。 微差式测量法：通过测量待测量与基准量之差来得到待测量量值。如用微差法测量直流稳压源的稳定度。 1.下列等式中正确的是： ? A A(A+B+C)’=B’C’ ? B AB+AB’=A+B ? C A+AB+B=A+B 单选题 2.典型的双极型三极管放大电路中，下列哪种电路输出电阻最小：? A 共基放大电路 ? B 共集放大电路 ? C 共射放大电路 单选题 3.测量放大电路的静态工作点时应该选择下列哪种仪器： ? A 信号发生器 ? B 万用表 ? C 交流毫伏表 4.对于JK触发器，输入J=0，K=1，CLK脉冲作用后，触发器的次态 应该为： ? A 1 ? B 0 ? C Q’ 单选题 5.用万用表测量交流电流时，应将功能/量程开关置于量程范围，并将表 笔接到被测电路中。 ? A A~，串 ? B A~,并 ? C V~,串 单选题 6.下列说法正确的是： ? A 卡诺图的每一个小方块都代表着一个最小项 ? B 卡诺图中最小项的排列方式是随机排列的 ? C 卡诺图中最小项的排列方式是按最小项从小到大数字编号顺序排列的 单选题 7.硅材料二极管的导通电压约为： ? A 0.3V ? B 0.5V ? C 0.7 单选题 8.下列属于系统误差的是： ? A 近似测量方法误差 ? B 计数习惯误差 ? C 仪表零点漂移误差 单选题 9.典型的双极型三极管放大电路中，下列哪种电路既能放大电流，又能 放大电压： ? A 共基放大电路 ? B 共集放大电路 ? C 共射放大电路 单选题 10.某电流值为0.05846A，其有效数字的个数为：? A 4 ? B 5 ? C 6 单选题 11.下列哪种仪器常用来判断二极管的极性： ? A 示波器 ? B 万用表 ? C 信号发生器 单选题 12.为了稳定静态工作点，应在放大电路中引入: ? A 直流负反馈 ? B 电压负反馈 ? C 交流负反馈 半导体器件的基础知识 1.1 电路如图P1.1 所示，已知u i ＝5sin ωt (V) ，二极管导通电压U D＝0.7V。试画出u i 与u O的波形，并标出幅值。 图P1.1 解图P1.1 解：波形如解图P1.1 所示。 1.2 电路如图P1.2（a）所示，其输入电压u I1 和u I2 的波形如图（b）所示，二极管导通电压U D＝0.7V。试画出输出电压u 的波形，并标出幅值。 O 图P1.2 解：u 的波形如解图P1.2 所示。 O 1 解图P1.2 1.3 已知稳压管的稳定电压U Z＝6V，稳定电流的最小值I Zmin＝5mA，最大功耗P ZM＝150mW。试求图P1.3 所示电路中电阻R的取值范围。 图P1.3 解：稳压管的最大稳定电流 I ZM＝P ZM/ U Z＝25mA 电阻R的电流为I ZM～I Zmin，所以其取值范围为 R U U I ～ Z 0 .36 1.8k I Z 1.4 已知图P1.4 所示电路中稳压管的稳定电压U Z＝6V，最小稳定电流I Zmin＝5mA，最大 稳定电流I Zmax＝25mA。 （1）别计算U I 为10V、15V、35V三种情况下输出电压U O 的值； （2）若U I ＝35V时负载开路，则会出现什么现象?为什么？ 图P1.4 解：（1）当U I＝10V时，若U O＝U Z＝6V，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 U R L O U R R L I 3. 33V 当U I＝15V时，若U O＝U Z＝6V，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 R U U 5V模拟电子技术基础简明教程(第三版)答案-
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