电极箔-腐蚀化成箔

最后，我们来到了电子铝箔的下道工序腐蚀和化成，也是腐蚀化成箔（又称电极箔）产业链最关键的环节：

1) 腐蚀过程是以电子光箔为原材料，通过电化学方法刻蚀（Etching）电子光箔表面形成孔洞，从而增加阴极、阳极光箔的表面积，以提高其比电容而制成腐蚀箔；腐蚀技术决定比容高低——比容越高，电极箔需使用面积越小，电容器体积越小。

2) 化成（Forming）是阳极腐蚀箔采用阳极氧化原理，根据对电极箔耐压值要求的不同，采用不同的阳极氧化电压（Vf），在其表面生成氧化薄膜（A l2O3）作为介电质，制成腐蚀化成箔。化成技术决定电压和容量损耗的大小——化成技术越高，越耐高压，容量损耗小，寿命越长。

腐蚀和化成环节均有两类生产体系，我们通过表13简单说明腐蚀和化成环节的工艺原理：

高比容高压腐蚀赋能铝箔原来在国际上

仅有日本JCC公司，KDK公司，法国STAMA公司，意大利BECROMAL公司等少数几家公司能生产。但近几年我国在这方面的技术研究取得突破，目前国内同时具备腐蚀和化成技术较大规模生产中高压腐蚀化成箔的

企业主要有：东阳光铝、江苏中联科技集团，凯普松（宜都）和南通南辉电子，在国内初步形成垄断格局。这不仅大大提高了我国铝电解电容器在国际市场的竞争能力，而且结束了我国长期依赖进口设备、技术和进口产品的历史，使我国成为国际上少数几个能够生产高比容高压电解电容器阳极用腐蚀铝箔的国家之一。

当然与国外相比，我国企业生产的腐蚀化成箔仍存在性能参数离散性大、一致性差、稳定性差等一系列问题，制约了我国铝电解电容器技术水平和产品档次的提高，专有技术和高品质特色产品少，普通产品居多。我国在电极箔方面，一般用途（85℃、1 05℃）低、中、高压的阳极用铝箔能满足需求，且性价比较高，但长寿命产品（85C，20000h；105℃，50 00h 或8000h）用铝箔、AC 铝箔、马达启动电容器用铝箔、工业变频器用铝箔、特高化成高压（750V以上）铝箔等，我国尚不能生产或技术上仍不能满足要求。

国内腐蚀化成箔与日本的高端技术差距5年左右。技术瓶颈主要在腐蚀环节，日本目前将硫酸腐蚀体系技术列为最高机密等级。此外，化成环节也存在一定技术壁垒。化成环节是一个以耗电为主环节（45

度电/平米，即1吨化成箔需18万度电）。化成技术主要在满足耐压值需求的同时，解决如何进一步改善阳极箔的氧化膜的均匀性，以减少其漏电流，提高电容器的寿命。而影响这些性能的关键因素是化成液成分的配比，化成液可分为三种：有机酸（己二酸胺）、混合酸（无机酸和有机酸的混合液）、无机酸（硼酸）。无机酸化成的氧化膜厚度均匀，介质损耗小，是目前中高电容器端领域的主要技术，国内企业化成液一般是使用混合酸，化成箔的性能略差。

在国内化成箔产业链中，腐蚀箔的生产能力较低，尤其是高性能腐蚀箔，目前只有东阳光和凯普松（宜都）能量产，但是质量还不能保证能替代像日本的JC C的产品。化成环节，东阳光铝在三年前就开始采用硼酸系化成体系，在性能上已经达到了日本同类技术水平。以东阳光铝的腐蚀箔为例，已经在2009年全部改为硫酸腐蚀体系，但目前比容仅能达到0.72μF/cm 2，同类技术下日本的产品比容能达到1μF/cm2以上。东阳光铝腐蚀箔只要在比容上有所突破，其腐蚀化成箔质量将逐步追赶上日本同类产品的质量。小结：耐压值要求越高，氧化膜越厚，比表面积越小，比电容越小，最后电容器的电容量就越小，可见高压和高比容本身就是负相关的。按照JCC给出的数据，

可以计算出，中高压领域平均每提高1V的电压，将损失约0.0044μF/c㎡的比电容。因此既要做到耐高压又要大比容是非常困难的。要做出小体积、长寿命、耐高温、耐中高频纹波电流强、低阻抗、低漏电流性能的铝电解电容器，核心技术之一就是高压高比容腐蚀化成箔的生产。我国目前已经成为能够生产高比容高压电解电容器阳极用腐蚀铝箔的少数国家之一，只是在腐蚀环节还有待进一步改进。腐蚀技术得到突破的企业，将深度受益于铝电解电容器行业的结构性调整。