【合肥工业大学】【半导体器件物理】试卷含答案

《半导体器件物理》试卷（二）标准答案及评分细则

一、填空（共24分，每空2分）

1、PN结电击穿的产生机构两种；

答案：雪崩击穿、隧道击穿或齐纳击穿。

2、双极型晶体管中重掺杂发射区目的；

答案：发射区重掺杂会导致禁带变窄及俄歇复合，这将影响电流传输，目的为提高发射效率，以获取高的电流增益。

3、晶体管特征频率定义；

答案：随着工作频率f的上升，晶体管共射极电流放大系数β下降为1

β时

=所对应的频率

f，称作特征频率。

T

4、P沟道耗尽型MOSFET阈值电压符号；

答案：0

V。

>

T

5、MOS管饱和区漏极电流不饱和原因；

答案：沟道长度调制效应和漏沟静电反馈效应。

6、BV CEO含义；

答案：基极开路时发射极与集电极之间的击穿电压。

7、MOSFET短沟道效应种类；

答案：短窄沟道效应、迁移率调制效应、漏场感应势垒下降效应。

8、扩散电容与过渡区电容区别。

答案：扩散电容产生于过渡区外的一个扩散长度范围内，其机理为少子的充放电，而过渡区电容产生于空间电荷区，其机理为多子的注入和耗尽。

二、简述（共20分，每小题5分）

1、内建电场；

答案：P型材料和N型材料接触后形成PN结，由于存在浓度差，N区的电子会扩散到P区，P区的空穴会扩散到N区，而在N区的施主正离子中心固定不动，出现净的正电荷，同样P区的受主负离子中心也固定不动，出现净的负电荷，于是就会产生空间电荷区。在空间电荷区内，电子和空穴又会发生漂移运动，它的方向正好与各自扩散运动的方向相反，在无外界干扰的情况下，最后将达到动态平衡，至此形成内建电场，方向由N区指向P区。

2、发射极电流集边效应；

答案：在大电流下，基极的串联电阻上产生一个大的压降，使得发射极由边缘到中心的电场减小，从而电流密度从中心到边缘逐步增大，出现了发射极电流在靠近基区的边缘逐渐增大，此现象称为发射极电流集边效应，或基区

电阻自偏压效应。

3、MOSFET 本征电容；

答案：即交流小信号或大信号工作时电路的等效电容，它包括栅漏电容和栅源电容，栅漏电容是栅源电压不变、漏源电压变化引起沟道电荷的变化与漏源电压变化量之间的比值，而栅源电容是指栅压变化引起沟道电荷与栅源电压变化量之间的比值。

4、截止频率。

答案：对于共基极接法，截止频率即共基极电流增益下降到低频时的2

1

倍

时所对应的频率值αf ，对于共射极接法，截止频率是指共射极电流增益下降到2

1

倍时所对应的频率值βf ，其中有αβf f <<。

三、论述（共24分，每小题8分）

1、如何提高晶体管的开关速度？

答案：晶体管的开关速度取决于开关时间，它包括开启时间和关断时间，综合考虑，提高速度的主要措施有：（1）采用掺金工艺，以增加复合中心，加

速载流子的耗散，降低存储时间；（2）降低外延层的电阻率，以降低s t ；（3）减小基区宽度，降低基区渡越时间；（4）减小发射结结面积，以减小TE C 和

TC

C ，从而减小延迟时间；（5）适当控制β并选择合适的工作条件。

2、BJT 共基极与共射极输出特性曲线的比较。

答案：（1）输出电流增益共射极要远远高于共基极，即αβ>>；（2）共射极输出特性曲线的末端上翘，是由于Early 效应的缘故缘故；（3）因为共机共基极输出特性曲线的斜率比共射极的小，所以其输出电阻要大于共射极接法的输出电阻；（4）由于共射极接法的电压落在两个结上，即BE CB CE V V V +=，则CE V 还未减小到零时，C I 已经开始下降，而共基极揭发时CB V 下降到零以后，C I 才开始下降。

3、改善晶体管频率特性的主要措施。

答案：（1）降低基区渡越时间b τ，如减小基区宽度等；（2）降低发射区渡越时间e τ，如减小E W ，增加发射区少子的扩散长度，作较陡的杂质分布，以

减小减速场的作用；（3）降低发射结充放电时间te τ和集电结充放电时间tc τ，如减小发射结与集电结的面积等；（4）降低d τ，如降低集电极电阻率，但会降低集电区的击穿电压；（5）降低eb τ，如降低发射结面积；（6）降低c τ，如降低TC C 和C r 等。

四、计算（共32分）

1、试推导非饱和区MOSFET 的Sah 方程；（此小题10分）

答案：参见教材《微电子技术基础—双极、场效应晶体管原理》（曹培栋编著，电子工业出版社，2001）第236-237页。

2、长二极管I-V 方程的推导计算；（此小题10分）

答案：参见教材《微电子技术基础—双极、场效应晶体管原理》（曹培栋编著，电子工业出版社，2001）第18-19页，同时长二极管的近似条件。

3、MOSFET 的阈值电压V T 的计算。（此小题12分）

答案：参见教材《微电子技术基础—双极、场效应晶体管原理》（曹培栋编著，电子工业出版社，2001）第222-229页。

半导体器件物理 试题库

半导体器件试题库 常用单位： 在室温（T = 300K ）时，硅本征载流子的浓度为 n i = 1.5×1010/cm 3 电荷的电量q= 1.6×10-19C μn =1350 2cm /V s ? μp =500 2 cm /V s ? ε0=8.854×10-12 F/m 一、半导体物理基础部分 （一）名词解释题 杂质补偿：半导体内同时含有施主杂质和受主杂质时，施主和受主在导电性能上有互相抵消 的作用，通常称为杂质的补偿作用。 非平衡载流子：半导体处于非平衡态时，附加的产生率使载流子浓度超过热平衡载流子浓度， 额外产生的这部分载流子就是非平衡载流子。 迁移率：载流子在单位外电场作用下运动能力的强弱标志，即单位电场下的漂移速度。 晶向： 晶面： （二）填空题 1．根据半导体材料内部原子排列的有序程度，可将固体材料分为 、多晶和 三种。 2．根据杂质原子在半导体晶格中所处位置，可分为 杂质和 杂质两种。 3．点缺陷主要分为 、 和反肖特基缺陷。 4．线缺陷，也称位错，包括 、 两种。 5．根据能带理论，当半导体获得电子时，能带向 弯曲，获得空穴时，能带 向 弯曲。 6．能向半导体基体提供电子的杂质称为 杂质；能向半导体基体提供空穴的杂 质称为 杂质。 7．对于N 型半导体，根据导带低E C 和E F 的相对位置，半导体可分为 、弱简 并和 三种。 8．载流子产生定向运动形成电流的两大动力是 、 。

9．在Si-SiO 2系统中，存在 、固定电荷、 和辐射电离缺陷4种基 本形式的电荷或能态。 10．对于N 型半导体，当掺杂浓度提高时，费米能级分别向 移动；对于P 型半 导体，当温度升高时，费米能级向 移动。 （三）简答题 1．什么是有效质量，引入有效质量的意义何在？有效质量与惯性质量的区别是什么？ 2．说明元素半导体Si 、Ge 中主要掺杂杂质及其作用？ 3．说明费米分布函数和玻耳兹曼分布函数的实用范围？ 4．什么是杂质的补偿，补偿的意义是什么？ （四）问答题 1．说明为什么不同的半导体材料制成的半导体器件或集成电路其最高工作温度各不相同？ 要获得在较高温度下能够正常工作的半导体器件的主要途径是什么？ （五）计算题 1．金刚石结构晶胞的晶格常数为a ，计算晶面（100）、（110）的面间距和原子面密度。 2．掺有单一施主杂质的N 型半导体Si ，已知室温下其施主能级D E 与费米能级F E 之差为 1.5B k T ，而测出该样品的电子浓度为 2.0×1016cm -3，由此计算： （a ）该样品的离化杂质浓度是多少？ （b ）该样品的少子浓度是多少？ （c ）未离化杂质浓度是多少？ （d ）施主杂质浓度是多少？ 3．室温下的Si ，实验测得430 4.510 cm n -=?，153510 cm D N -=?， （a ）该半导体是N 型还是P 型的？ （b ）分别求出其多子浓度和少子浓度。 （c ）样品的电导率是多少？ （d ）计算该样品以本征费米能级i E 为参考的费米能级位置。 4．室温下硅的有效态密度1932.810 cm c N -=?，1931.110 cm v N -=?，0.026 eV B k T =，禁带 宽度 1.12 eV g E =，如果忽略禁带宽度随温度的变化

安徽建筑大学数电期末考试(试卷A).doc

总分—=四五六七八 阅卷 复核 安徽建筑大学试卷（A卷）第1页共4页 （2013—2014学年第2学期）适用年级专业：电气、自动化、测控专业 考试课程：数字电子技术基础A 班级：学号： __________________________ 姓名： 一、填空题：（每空1分，共20 注 . 学 生 不 得 在 草 稿 纸 上 答 题， 答 题 不 得 超 出 框 体1 .十进制数3. 625的二进制数和8421 BCD码分别为（） （） 2.三态门输出的三种状态分别为：（）、（）和（）. 3.主从型JK触发器的特性方程. 4.用4个触发器可以存储（）位二进制数. 5.逻辑函数Y = + C的两种标准形式分别为（）、 和 （）. 6.将2015个“1”异或起来得到的结果是（）? 是脉冲的整形电路。 8.JK 触发器、当JK二10, Q*=（）,JK二11 旦Q二0,则Q*= （） 9.二进制负整数-1011011,反码表示为（）补码表示为（ ） 10.对500个符号进行二进制编码，则至少需要（）位二进制数。 11.SR触发器的特性方程为（）,（ ）。 12.如用OV表示逻辑1, -1OV表示逻辑0,这属于（）逻 辑。 二、选择题：（每题2分，共20分） :Q _ 勺 CP Q - Q I I AB C D （）2单稳态触发器的输出脉冲的宽度取决于（） A.触发脉冲的宽度 B.触发脉冲的幅度 C.电路本身的电容、电阻的参数 D.电源电压的数值 （）3.下图所示施密特触发器电路中，它的回差电压等于多少 A、2v B、5v C、4v D、3v ,I ----------- ZV 8 4 s—— 6 2 555 3 （1） 1 5 -L 1+4V （）4.请判断以下哪个电路不是时序逻辑电路： A、计数器 B、寄存器 C、数据比较器 D、触发器 （）5.某电路的输入波形Ui和输出波形赤如下图所示，贝IJ

合肥工业大学健康教育考试试卷附答案

健康教育 合肥工业大学试卷 2011-2012学年第二学期 命题教师:高志荣 一.名词解释（每题2.5分，共5分） 猝死：由于心脏病、电击、淹溺、中毒及创伤、过度疲劳等各种原因导致的心脏功能及全身血液循环或?和呼吸突然停止，医学上称之 为猝死。 药物：药物指用于诊断、防治疾病的天然或人工合成的化学物质和生物制剂。 二.填空题( 每空一分，共60分) 1.毒素的吸收途径：经呼吸道吸收经消化道吸收经皮肤和黏膜吸收静脉肌肉吸收 2.前列腺炎临床表现主要有全身表现，排尿异常，小腹部胀痛，神经衰弱症状。 3.外科疾病的范畴包括 :先天性畸形;损伤；感染；肿瘤;功能障碍五类。 4.成人正常收缩压为 <130 舒张压 <85 5. 正常人体温在 36---37 心率75 6.药物的起效取决于吸收与分布药物的作用终止于代谢与排泄， 7.CPR第一个阶段---第一个A.B.C.D中的A是气道开放；B是人工呼吸；C是胸外按压； D是除颤。 8.人体所需要的营养素：糖类、蛋白质、脂肪、维生素、矿物质和水六大种类。 9. 膳食应以谷物为主.多吃蔬菜 .水果和薯类。 10.艾滋病传播途径：性传播血液传播母婴传播。 11.传染病流行的基本条件：传染源；传播途径；人群易感性。 12.体育运动必须遵循：全面锻炼的原则; 持之以恒的原则; 适合个体的原则，循序渐进的原则。 13. 我国学者提出的对大学生适应与发展的任务和要求是：学会做人、学会做事、学会与人相处、学会学习。14.典型的细菌性痢疾主要症状有发热，腹痛，脓血便，有时发生中度全身中毒。 15.体育运动要防止出现两种认识上的偏差;一是急于求成二是认为“健身万能”。 16.健康有三个层次的内涵：生理健康.心理健康.适应社会的能力 17.痔疮按解剖的关系分为内痔、外痔和混合痔。 三.判断题 1.防治痔疮，养成良好的大便习惯至关重要（对） 2.面部特别是“危险三角区”，一定要到医院就医，切忌自行处理。（错） 3.大学生肺炎常见致病菌为绿脓杆菌。（错） 4.性传播疾病绝大多数是通过两性行为而传播，但不是唯一的途径。（对） 5.糖的吸收，糖类只有分解为双糖时才会被小肠吸收。（错） 6.胸外按压频率100次/分，一次口对口呼吸时间为两秒。（对） 7.减少油炸食品的食入量，尽量避免油脂的反复加热使用，可以减少多环芳烃污染食品。（对） 8.正确使用安全套，可以减少感染艾滋病、性病的危险。（对） 9.急性黄疸型肝炎为甲型肝炎，急性无黄疸型肝炎为乙型肝炎。（错） 10.缺乏维生素A易引起夜盲症。（对） 11.水是人体含量最多的组成成分，约占人体体重60%。（对） 12.合理的膳食制度是早餐占全天热能的35%，中餐占全天热能的40%，晚餐占全天热能的25%。（错） 13.心理咨询就是做思想工作或叫“谈心”。（错） 14.人在社会中生存发展，需要有良好的适应能力。（对） 15.只有科学的进行体育锻炼，才能促进人体健康。（对） 四.单项选择题（每题1分，共10分） 1.非处方药标志为（B） A.WHO B.OTC C.ADR D.R 2.下列哪项和艾滋病的接触一般不会感染艾滋病（B） A.性接触 B.握手拥抱 C.接受艾滋病人的输血 D.和艾滋病人共用剃须刀 3.正常成人空腹血糖检验值为（B）

《半导体器件》习题及参考答案

第二章 1 一个硅p －n 扩散结在p 型一侧为线性缓变结，a=1019cm -4，n 型一侧为均匀掺杂，杂质浓度为3×1014cm －3，在零偏压下p 型一侧的耗尽层宽度为0.8μm，求零偏压下的总耗尽层宽度、内建电势和最大电场强度。 解：)0(,22≤≤-=x x qax dx d p S εψ )0(,2 2n S D x x qN dx d ≤≤-=εψ 0),(2)(22 ≤≤--=- =E x x x x qa dx d x p p S εψ n n S D x x x x qN dx d x ≤≤-=- =E 0),()(εψ x ＝0处E 连续得x n ＝1.07μm x 总=x n +x p =1.87μm ?? =--=-n p x x bi V dx x E dx x E V 0 516.0)()( m V x qa E p S /1082.4)(25 2max ?-=-= ε,负号表示方向为n 型一侧指向p 型一侧。 2 一个理想的p-n 结，N D ＝1018cm －3，N A ＝1016cm －3，τp＝τn＝10－6s ，器件的面积为1.2×10－5cm －2，计算300K 下饱和电流的理论值，±0.7V 时的正向和反向电流。 解：D p ＝9cm 2/s ，D n ＝6cm 2/s cm D L p p p 3103-?==τ，cm D L n n n 31045.2-?==τ n p n p n p S L n qD L p qD J 0 + =

I S =A*J S =1.0*10-16A 。 ＋0.7V 时，I ＝49.3μA ， －0.7V 时，I ＝1.0*10-16A 3 对于理想的硅p +-n 突变结，N D ＝1016cm －3，在1V 正向偏压下，求n 型中性区内存贮的少数载流子总量。设n 型中性区的长度为1μm，空穴扩散长度为5μm。 解：P ＋ >>n ，正向注入：0)(2 202=---p n n n n L p p dx p p d ，得： ) sinh() sinh() 1(/00p n n p n kT qV n n n L x W L x W e p p p ---=- ??=-=n n W x n n A dx p p qA Q 20010289.5)( 4一个硅p +-n 单边突变结，N D ＝1015cm －3，求击穿时的耗尽层宽度，若n 区减小到5μm，计算此时击穿电压。 解：m V N E B g c /1025.3)1 .1E )q ( 101.148 14 32 1S 7 ?=?=（ ε V qN E V B C S B 35022 == ε m qN V x B B S mB με5.212== n 区减少到5μm 时，V V x W x V B mB mB B 9.143])(1[2 2 /=--＝ 第三章 1 一个p +-n-p 晶体管，其发射区、基区、集电区的杂质浓度分别是5×1018，1016，1015cm －3，基区宽度W B 为1.0μm，器件截面积为3mm 2。当发射区－基区结上的正向偏压为0.5V ，集电区－基区结上反向偏压为5V 时，计算

安徽建筑大学数电期末考试(试卷A)

安 徽 建 筑 大学 试 卷（ A 卷） 第 1 页 共 6 页 （ 2014—2015学年第2 学期 ） 适用年级专业：电气、自动化、测控专业 注 ：学 生 不 得 在 草 稿 纸 上 答 题，答 题 不 得 超 出 框

（ ）3.下图所示施密特触发器电路中，它的回差电压等于多少 A.2v B.5v C.4v D.3v （ ）4.请判断以下哪个电路不是时序逻辑电路： A.计数器 B.寄存器 C.数据比较器 D.触发器 （ ）5.某电路的输入波形 Ui 和输出波形Uo 如下图所示，则该电路为： A.施密特触发器 B.反相器 C.单稳态触发器 D.JK 触发器 （ ）6.已知逻辑函数 C B C A AB Y '+'+= 与其相等的函数为： A.AB B. C A AB '+ C.C B AB '+ D.C AB + ( )7.下列触发器中上升沿触发的是（ ）。 A.主从RS 触发器； B.JK 触发器； C.T 触发器； D.D 触发器 （ ）8.下列几种A/D 转换器中，转换速度最快的是。 A.并行A/D 转换器 B.计数型A/D 转换器 C.逐次渐进型A/D 转换器 D.双积分A/D 转换器 （ ）9．单稳态触发器的输出脉冲的宽度取决于（ ） A ．触发脉冲的宽度 B ．触发脉冲的幅度 C ．电路本身的电容、电阻的参数 D ．电源电压的数值 （ ）10. 指出下列电路中能够把串行数据变成并行数据的电路是（ ）。 A ．JK 触发器 B ．3/8线译码器 C ．移位寄存器 D ．十进制计数器 三、逻辑函数化简及形式变换：（共15分,每题5分） 1.（代数法化简为最简与或式）CD ACD ABC C A F +++'='1 2.（卡诺图法化简逻辑函数） υ

半导体器件物理试题

1.P-N结雪崩击穿、隧道击穿和热击穿的原理 2.简述晶体管开关的原理 3.简述晶体管4个频率参数的定义并讨论它们之间的大小关系 4.简述弗仑克耳缺陷和肖特基缺陷的特点、共同点和关系 5.以NPN型晶体管为例，试论述晶体管在不同工作模式下基区少数载流子分 布特征及与晶体管输出特性间的关系 6.请阐述MOSFET的基本结构并结合示意图说明在不同外置电压情况下其工 作状态和输出特性 7.叙述非平衡载流子的产生和复合过程，并描述影响非平衡载流子寿命的因素 8.论述在外加直流电压下P-N结势垒的变化、载流子运动以及能带特征 9.试叙述P-N结的形成过程以及P-N结外加电压时其单向导电特征 10.何谓截止频率、特征频率及振荡频率，请叙述共发射极短路电流放大系数与 频率间的关系 11.请叙述晶体管四种工作模式并分析不同模式下基区少数载流子的分布特征 12.请画出P型半导体理想MOS的C-V曲线，并叙述曲线在不同外加电信号作 用下的曲线特征及原因 13.影响MOS的C-V特性的因素有哪些？它们是如何影响C-V曲线的 14.MOS中硅-二氧化硅，二氧化硅层中有哪些影响器件性能的不利因素 15.介绍MIS结构及其特点，并结合能带变化论述理想MIS结构在加不同偏压 时半导体表面特征 16.晶体管具备放大能力须具备哪些条件 17.饱和开关电路和非饱和开关电路的区别（各自有缺点）是什么 18.简述势垒区正负空间电荷区的宽度和该区杂质浓度的关系 19.结合能带图简述绝缘体、半导体及导体的导电能力 20.说明晶体管具有电信号放大能力的条件并画出不同情况下晶体管的输入输 出曲线并描述其特征 21.请画图并叙述晶体管电流放大系数与频率间的关系 22.请画出MOSFET器件工作中的输出特性及转移特性曲线并描述其特征 23.请叙述双极型晶体管和场效应晶体管的工作原理及区别 24.画出CMOS倒相器的工作图并叙述其工作原理 25.提高双极型晶体管功率增益的途径有哪些 26.请描述双极型晶体管大电流特性下的三个效应 27.画出共基极组态下的晶体管输入及输出特性曲线

数电期末试卷及答案(共4套)汇编

XX大学信息院《数字电子技术基础》 期终考试试题（110分钟）(第一套) 一、填空题：（每空1分，共15分） 1．逻辑函数Y AB C =+的两种标准形式分别为 （）、（）。 2．将2004个“1”异或起来得到的结果是（）。 3．半导体存储器的结构主要包含三个部分，分别是（）、（）、（）。 4．8位D/A转换器当输入数字量10000000为5v。若只有最低位为高电平，则输出电压为（）v；当输入为10001000，则输出电压为（）v。5．就逐次逼近型和双积分型两种A/D转换器而言，（）的抗干扰能力强，（）的转换速度快。 6．由555定时器构成的三种电路中，（）和（）是脉冲的整形电路。 7．与PAL相比，GAL器件有可编程的输出结构，它是通过对（）进行编程设定其（）的工作模式来实现的，而且由于采用了（）的工艺结构，可以重复编程，使它的通用性很好，使用更为方便灵活。 二、根据要求作题：（共15分） 1．将逻辑函数P=AB+AC写成“与或非”表达式，并用“集电极开路与非门” 来实现。 2．图1、2中电路均由CMOS门电路构成，写出P、Q 的表达式，并画出对应A、 B、C的P、Q波形。

三、分析图3所示电路：（10分） 1）试写出8选1数据选择器的输出函数式； 2）画出A2、A1、A0从000~111连续变化时，Y的波形图； 3）说明电路的逻辑功能。 四、设计“一位十进制数”的四舍五入电路（采用8421BCD码）。要求只设定一个输出，并画出用最少“与非门”实现的逻辑电路图。（15分） 五、已知电路及CP、A的波形如图4(a) (b)所示，设触发器的初态均为“0”，试画出输出端B和C的波形。（8分）

合工大-试验设计与数据处理-试卷

合肥工业大学试验设计与数据处理试卷2010级 及参考答案 一、填空（24分，每空1分） 1. 表()、()中符号各表示什么含义，L U n q 2.用来衡量试验效果的称为试验指标，可分为定量和定性指标两类； 试验考察指标可以是一个，也可以同时有 3.为了减少试验误差，应尽量控制或消除试验干扰的影响。因此，在进行试验设计时必须严格遵守的三个原则是 和。 4．平均数是描述数据资料程度的特征数，常用的平均数 有， ，等。 5.正交表中的任何一列，各个水平都出现，且重复出现的次数相等，我们将这种重复称为重复，正是这种重复，使其对试验结果的处理具有。 6.多元线性回归方程的显著性检验分为回归关系的显著性检验和 的显著性检验，其中通常采用，，进行回归关系的显著性检

验。 7.在对正交试验结果进行计算分析形成最优组合条件时，对于主要因素应按照有选取。利于指标要求选取，对于次要因素则按照 8.考虑交互作用正交试验设计中，一个交互作用并不是只占正交表的一列，而是p列，其中t表示，P表示。）占有（1 二、设计与分析（8+4=12分） 1. 在某项试验研究中，有A、B、C三个2水平因素及A×B、B×C、A×C间的1 / 6 77）两列间交互2）正交表及L一级交互作用对试验指标产生影响，根据L（2（88作用列表，设计的两种表头方案一、方案二如下表。 方案一： 234567C C B BC 方案二：

765324C C B C B 7）两列间交互作用列表，判断上述表头设计方案正确与否？2试根据L（8如果有误，重新进行表头设计。 7）两列间交互作用列表2L（8 2 3 4 5

半导体物理与器件第四版课后习题答案(供参考)

Chapter 4 4.1 ??? ? ? ?-=kT E N N n g c i exp 2υ ??? ? ??-??? ??=kT E T N N g O cO exp 3003 υ where cO N and O N υ are the values at 300 K. (b) Germanium _______________________________________ 4.2 Plot _______________________________________ 4.3 (a) ??? ? ??-=kT E N N n g c i exp 2υ ( )( )( ) 3 19 19 2 113001004.1108.2105?? ? ????=?T ()()?? ????-?3000259.012.1exp T () 3 382330010912.2105.2?? ? ???=?T ()()()()?? ????-?T 0259.030012.1exp By trial and error, 5.367?T K (b) () 252 12 2105.2105?=?=i n ( ) ()()()()?? ????-??? ???=T T 0259.030012.1exp 30010912.23 38 By trial and error, 5.417?T K _______________________________________ 4.4 At 200=T K, ()?? ? ??=3002000259.0kT 017267.0=eV At 400=T K, ()?? ? ??=3004000259.0kT 034533.0=eV ()()()() 172 22102 210025.31040.11070.7200400?=??= i i n n ? ? ????-??????-???? ??? ?? ??=017267.0exp 034533.0exp 3002003004003 3 g g E E ?? ? ???-=034533.0017267.0exp 8g g E E ()[] 9578.289139.57exp 810025.317-=?g E or ()1714.38810025.3ln 9561.2817=??? ? ???=g E or 318.1=g E eV Now ( ) 3 2 1030040010 70.7?? ? ??=?o co N N υ

合肥工业大学测量学试题

《测量学》试卷样卷之二（答案） 将正确答案前的字母填在题后的括号内。 1．某地经度为东经118°50′，该地位于高斯投影3°带的带号n为（D） A．19B．20 C．39D．40 2．光学经纬仪的基本操作步骤为（A） A．对中、整平、瞄准、读数B．瞄准、精平、对中、读数 C．粗平、瞄准、精平、读数D．粗平、精平、瞄准、读数 3．当钢尺的名义长度大于其实际长度时，会把所量测的距离（A） A．量长B．量短 C．不长不短D．量长或量短 4．系统误差具有（B） A．离散性B．积累性 C．随机性D．补偿性 5．某直线的磁方位角为8840，磁偏角为东偏3，子午线收敛角为西偏6，该直线的坐标方位角为（B） A．8843B．8849？ C．8831D．8837 6．在水准测量中，权的大小应（B） A．与测站数成正比，与距离成反比B．与测站数和距离均成反比 C．与测站数成反比，与距离成正比D．与测站数和距离均成正比 7.用光学经纬仪测量竖直角时，竖直度盘应（D） A．随经纬仪转动B．固定不动 C．随望远镜转动D．随照准部转动 8．附合导线内业计算中，如果测量的是左角，那么角度闭合差的调整应（A） A．反符号平均分配B．反符号按比例分配 C．符号不变平均分配D．符号不变按比例分配 9．某点经纬度为东经11020，北纬1910，该地所在1：1百万地形图分幅编号为（C） A．H50B．J50 C．E49D．F49 10．观测一个圆半径R的中误差为m，则圆面积的中误差M为（B）

A ．±Rm π B ．±Rm π2 C ．±m R 2 πD ．±m R 2 )2(π 10分） 正确的在括号内写“√”，错误的写“×”。 1．测量工作的基准线是铅垂线。(√) 2．视差现象是由于人眼的分辨率造成的，视力好则视差就小。（×） 3．用水平面代替水准面，对距离测量的影响比对高程测量的影响小。(√) 4．钢尺量距中倾斜改正永远为负数。(√) 5．水准管上2mm 的圆弧所对应的圆心角为水准管分划值。(√) 6．采用盘左盘右一测回观测取平均数的方法可以消除经纬仪竖轴误差。(×) 7．在测量工作中只要认真仔细，粗差是可以避免的。(√) 8．地形图上所表示的实际距离为比例尺的精度，所以比例尺越小其精度就越高。(×) 9．水准测量的测站检核主要有闭合水准测量和附合水准测量两种方法。(×) ,三20分） 1. 大地水准面 2. 其中与平均海水面吻合并向大陆、岛屿内延伸而形成的闭合曲面，称为大地水准面。 2.视准轴 十字丝交点与物镜光心的连线。 3.水平角 地面上一点到两目标的方向线投影到水平面上的夹角，也就是过这两方向线所作两竖直面间的二面角。 4.偶然误差 在相同的观测条件下作一系列观测，若误差的大小及符号都表现出偶然性，即从单个误差来看，该误差的大小及符号没有规律，但从大量误差的总体来看，具有一定的统计规律，这类误差称为偶然误差或随机误差。 5.测设 测设工作是根据工程设计图纸上待建的建筑物、构筑物的轴线位置、尺寸及其高程，算出待建的建筑物、构筑物各特征点(或轴线交点)与控制点(或已建成建筑物特征点)之间的距离、角度、高差等测设数据，然后以地面控制点为根据，将待建的建、构筑物的特征点在实地桩定出来，以便施工。 6．导线全长相对闭合差 由于量边的误差和角度闭合差调整后的残余误差，往往 ∑?测 x 、 ∑?测 y 不等于 ∑?理 x 、 ∑?理 y ，而产生纵坐标增量闭合差x f 与横坐标增量闭合差y f ，22y x f f f +=称 为导线全长闭合差，而f D K /1 ∑= 称为导线全长相对闭合差。

半导体器件物理复习题

半导体器件物理复习题 一． 平衡半导体： 概念题： 1. 平衡半导体的特征（或称谓平衡半导体的定义） 所谓平衡半导体或处于热平衡状态的半导体，是指无外界（如电压、电场、磁场或温度梯度等）作用影响的半导体。在这种情况下，材料的所有特性均与时间和温度无关。 2. 本征半导体： 本征半导体是不含杂质和无晶格缺陷的纯净半导体。 3. 受主（杂质）原子： 形成P 型半导体材料而掺入本征半导体中的杂质原子（一般为元素周期表中的Ⅲ族元素）。 4. 施主（杂质）原子： 形成N 型半导体材料而掺入本征半导体中的杂质原子（一般为元素周期表中的Ⅴ族元素）。 5. 杂质补偿半导体： 半导体中同一区域既含受主杂质又含施主杂质的半导体。 6. 兼并半导体： 对N 型掺杂的半导体而言，电子浓度大于导带的有效状态密度， 费米能级高于导带底（0F c E E ->）；对P 型掺杂的半导体而言，空穴浓度大于价带的有效状态密度。费米能级低于价带顶（0F v E E -<）。

7. 有效状态密度： 在导带能量范围（ ~c E ∞ ）内，对导带量子态密度函数 导带中电子的有效状态密度。 在价带能量范围（ ~v E -∞） 内，对价带量子态密度函数 8. 以导带底能量c E 为参考，导带中的平衡电子浓度： 其含义是：导带中的平衡电子浓度等于导带中的有效状态密度乘以能量为导带低能量时的玻尔兹曼分布函数。 9. 以价带顶能量v E 为参考，价带中的平衡空穴浓度： 其含义是：价带中的平衡空穴浓度等于价带中的有效状态密度乘以能量为价带顶能量时的玻尔兹曼分布函数。 10.

11. 12. 13. 14. 本征费米能级Fi E ： 是本征半导体的费米能级；本征半导体费米能级的位置位于禁带 带宽度g c v E E E =-。？ 15. 本征载流子浓度i n ： 本征半导体内导带中电子浓度等于价带中空穴浓度的浓度 00i n p n ==。硅半导体，在300T K =时，1031.510i n cm -=?。 16. 杂质完全电离状态： 当温度高于某个温度时，掺杂的所有施主杂质失去一个电子成为带正电的电离施主杂质；掺杂的所有受主杂质获得一个电子成为带负电的电离受主杂质，称谓杂质完全电离状态。 17. 束缚态： 在绝对零度时，半导体内的施主杂质与受主杂质成电中性状态称谓束缚态。束缚态时，半导体内的电子、空穴浓度非常小。 18. 本征半导体的能带特征： 本征半导体费米能级的位置位于禁带中央附近，且跟温度有关。如果电子和空穴的有效质量严格相等，那么本征半导体费米能级

施敏 半导体器件物理英文版 第一章习题

施敏 半导体器件物理英文版 第一章习题 1. （a ）求用完全相同的硬球填满金刚石晶格常规单位元胞的最大体积分数。 （b ）求硅中（111）平面内在300K 温度下的每平方厘米的原子数。 2. 计算四面体的键角，即，四个键的任意一对键对之间的夹角。（提示：绘出四 个等长度的向量作为键。四个向量和必须等于多少？沿这些向量之一的方向 取这些向量的合成。） 3. 对于面心立方，常规的晶胞体积是a 3，求具有三个基矢：（0,0,0→a/2,0,a/2）， (0,0,0→a/2,a/2,0),和(0,0,0→0,a/2,a/2)的fcc 元胞的体积。 4. （a ）推导金刚石晶格的键长d 以晶格常数a 的表达式。 （b ）在硅晶体中，如果与某平面沿三个笛卡尔坐标的截距是10.86A ，16.29A ， 和21.72A ，求该平面的密勒指数。 5. 指出（a ）倒晶格的每一个矢量与正晶格的一组平面正交，以及 （b ）倒晶格的单位晶胞的体积反比于正晶格单位晶胞的体积。 6. 指出具有晶格常数a 的体心立方（bcc ）的倒晶格是具有立方晶格边为4π/a 的面心立方（fcc ）晶格。[提示：用bcc 矢量组的对称性： )(2x z y a a -+=，)(2y x z a b -+=，)(2 z y x a c -+= 这里a 是常规元胞的晶格常数，而x ，y ，z 是fcc 笛卡尔坐标的单位矢量： )(2z y a a +=，)(2x z a b +=，)(2 y x a c +=。] 7. 靠近导带最小值处的能量可表达为 .2*2*2*22 ???? ??++=z z y y x x m k m k m k E 在Si 中沿[100]有6个雪茄形状的极小值。如果能量椭球轴的比例为5:1是常数，求纵向有效质量m*l 与横向有效质量m*t 的比值。 8. 在半导体的导带中，有一个较低的能谷在布里渊区的中心，和6个较高的能 谷在沿[100] 布里渊区的边界，如果对于较低能谷的有效质量是0.1m0而对 于较高能谷的有效质量是1.0m0，求较高能谷对较低能谷态密度的比值。 9. 推导由式（14）给出的导带中的态密度表达式。（提示：驻波波长λ与半导体

合肥工业大学-线性代数-1

第一章行列式主要内容 §1逆序数与对换 §2 行列式的定义 §3 行列式的性质 §4 行列式按行（列）展开 §5 克拉默法则

二阶与三阶行列式

一、二元线性方程组与二阶行列式 二元线性方程组11112212112222 a x a x b a x a x b +=?? +=?由消元法，得 21 1211221122211)(a b b a x a a a a ?=?212221*********)(b a a b x a a a a ?=?当时，该方程组有唯一解 021122211≠?a a a a 211222112 122211a a a a b a a b x ??= 21 12221121 12112a a a a a b b a x ??=

求解公式为 11112212112222 a x a x b a x a x b +=?? +=?122122111221221112121 211221221b a a b x a a a a a b b a x a a a a ?? =???? ??=??? 请观察，此公式有何特点？ ①分母相同，由方程组的四个系数确定.②分子、分母都是四个数分成两对相乘再 相减而得.

11112212112222 a x a x b a x a x b +=?? +=?122122111221221112121 211221221b a a b x a a a a a b b a x a a a a ?? =???? ??=??? 111211221221 21 22 a a D a a a a a a = =?11122122 a a a a 记为 11 122122 a a a a 数表 表达式称为由该数表所确定的二阶行列式，即 11221221a a a a ?其中， 称为元素.(1,2;1,2)ij a i j ==i 为行标，表明元素位于第i 行； j 为列标，表明元素位于第j 列. 原则：横行竖列

合肥工业大学数理统计期末试卷往年收集

1．设随机变量 ~()X f x （密度函数），且对任意,()()x f x f x -=,若{}P X u αα≥=，则对满足： {}P X a α<=的常数a =（ ） A. u α B. 1u α- C. 1 (1) 2u α- D. 112 u α- 2．在假设检验中，记1H 是备择假设，则我们犯第二类错误是（ ） A. 1H 为真时，接受1H . B. 1H 不真时，接受1H . C. 1H 为真时，拒绝1H . D. 1H 不真时，拒绝1H . 3. 设 15,,X X 为总体X σ2～N(0,)的样本， 则统计量22 12323(2)(3)a X X b X X X θ=-+-+的分布及常数应该为（ ） A. a=-1, b=3, ~(2)t θ B. a=5, b=11 2~(2)θχ C. a= 2 15σ, b= 2111σ 2 ~(2)θχ D. a=2 15σ, b= 2 1 11σ ~(1,2)F θ 4. 设?θ 是θ的无偏估计，且()0,D θ>则2 2?θθ是的（ ） A. 无偏估计 B . 有效估计 C . 相合估计 D .以上均不正确. 1． 设总体X 的一样本为：2.1, 1.5, 5.5, 2.1, 6.1, 1.3 则对应的经验分布函数是： * ()n F x =? ??? ??? . 2. 设 1.3 0.6 1.7 2.2 0.3 1.1 是均匀分布U(0,θ)总体中的简单随机样本,则总体方差的最大似然估计值为 _______________. 3. 设* ()()n F x F x 、分别是总体X 及样本12,,,n X X X 的分布函数与经验分布函数，则格列汶科定理指出：在样本容 量n →∞时，有 , 4. 若非线性回归函数b x ae y - +=100(0>b ),则将其化为一元线性回归形式的变换为________________________. 5. 设 12,,,n X X X 是X 的样本，当方差2 σ未知时，且样本容量很大(n>50)时，则对统计假设： 0010:,:H H μμμμ≥<，0H 的拒绝域是：

线性代数 (12)

21世纪全国应用型本科计算机系列实用规划教材 联合编写学校名单（按拼音顺序排名） 1 安徽财经大学 2 安徽工业大学 3 安阳师范学院 4 北华大学 5 北京化工大学 6 北京建筑工程学院 7 北京理工大学 8 渤海大学 9 长春大学 10 长春工业大学 11 长春理工大学 12 长春税务学院 13 滁州学院 14 楚雄师范学院 15 东北电力大学 16 福建工程学院 17 福建师范大学 18 广西财经学院 19 桂林工学院 20 哈尔滨理工大学 21 海南大学 22 韩山师范学院23 杭州师范学院 24 合肥工业大学 25 合肥学院 26 河北经贸大学 27 河南科技学院 28 黑龙江八一农垦大学 29 黑龙江科技学院 30 湖南大学 31 湖北经济学院 32 孝感学院 33 湖州师范学院 34 华北科技学院 35 华南师范大学 36 华中农业大学 37 华中师范大学 38 华北水利水电学院 39 淮北煤炭师范学院 40 黄石理工学院 41 吉林农业大学 42 集美大学 43 江汉大学 44 江苏科技大学

45 内蒙古大学 46 南昌工程学院 47 南京航空航天大学 48 南开大学 49 南阳理工学院 50 宁波工程学院 51 平顶山学院 52 青岛理工大学 53 青岛科技大学 54 青海民族学院 55 曲阜师范大学 56 山西大学 57 山西广播电视大学 58 陕西理工学院 59 上海第二工业大学 60 上海海事大学 61 沈阳大学 62 沈阳化工学院 63 石家庄铁道学院64 苏州大学 65 台州学院 66 太原理工大学 67 太原师范学院 68 唐山师范学院 69 同济大学 70 皖西学院 71 武汉大学 72 武汉科技学院 73 武汉理工大学 74 武夷学院 75 忻州师范学院 76 新疆石油学院 77 许昌学院 78 玉溪师范学院 79 浙江工业大学之江学院 80 衢州广播电视大学 81 中国农业大学 82 中国石油大学

数电期末试卷及复习资料

《数字电路》试卷 姓名：__ _______ 班级：__________ 考号：___________ 成绩：____________ 本试卷共 6 页，满分100 分；考试时间：90 分钟；考试方式：闭卷 题 号 一 二 三 四（1） 四（2） 四（3） 四（4） 总 分 得 分 1. 有一数码10010011，作为自然二进制数时，它相当于十进制数（147 ），作为8421BCD 码时， 它相当于十进制数（ 93 ）。 2.三态门电路的输出有高电平、低电平和（高电阻 ）3种状态。 3．TTL 与非门多余的输入端应接（ 高电平或悬空 ）。 4．TTL 集成JK 触发器正常工作时，其d R 和d S 端应接（ 高）电平。 5. 已知某函数??? ??+??? ??++=D C AB D C A B F ，该函数的反函数F =（ ）。 6. 如果对键盘上108个符号进行二进制编码，则至少要（ 7 )位二进制数码。 7. 典型的TTL 与非门电路使用的电路为电源电压为（ 5 ）V ，其输出高电平为（ 3.6 ）V ，输出低电平为（0.35 ）V ， CMOS 电路的电源电压为（ 3-18 ） V 。 8．74LS138是3线—8线译码器，译码为输出低电平有效，若输入为A 2A 1A 0=110时，输出 01234567Y Y Y Y Y Y Y Y 应为（ 10111111） 。 9．将一个包含有32768个基本存储单元的存储电路设计16位为一个字节的ROM 。该ROM 有（ 11）根地址线，有（ 16）根数据读出线。 10. 两片中规模集成电路10进制计数器串联后，最大计数容量为（ 100 ）位。 11. 下图所示电路中， Y 1＝（ ）；Y 2 ＝（ ；Y 3 ＝（ ）。 12. 某计数器的输出波形如图1所示，该计数器是（ 5 ）进制计数器。 13．驱动共阳极七段数码管的译码器的输出电平为（ 低 ）有效。 二、单项选择题（本大题共15小题，每小题2分，共30分） （在每小题列出的四个备选项中只有一个是最符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。） 1. 函数F(A,B,C)=AB+BC+AC 的最小项表达式为( A ) 。 A ．F(A,B,C)=∑m （0，2，4） B. (A,B,C)=∑m （3，5，6，7） C ．F(A,B,C)=∑m （0，2，3，4） D. F(A,B,C)=∑m （2，4，6，7） 2．8线—3线优先编码器的输入为I 0—I 7 ，当优先级别最高的I 7有效时，其输出012Y Y Y ??的值 是（ C ）。 A ．111 B. 010 C. 000 D. 101 3．十六路数据选择器的地址输入（选择控制）端有（ C ）个。 A ．16 B.2 C.4 D.8 4. 有一个左移移位寄存器，当预先置入1011后，其串行输入固定接0，在4个移位脉冲CP 作用下，四位数据的移位过程是（ A ）。 A. 1011--0110--1100--1000--0000 B. 1011--0101--0010--0001--0000 C. 1011--1100--1101--1110--1111 D. 1011--1010--1001--1000--0111 5．已知74LS138译码器的输入三个使能端（E 1=1， E 2A = E 2B =0）时，地址码A 2A 1A 0=011，则输出 Y 7 ～Y 0是( C ) 。 A. 11111101 B. 10111111 C. 11110111 D. 11111111 6. 一只四输入端或非门，使其输出为1的输入变量取值组合有( A )种。 A ．15 B ．8 C ．7 D ．1 7. 随机存取存储器具有( A )功能。 A.读/写 B.无读/写 C.只读 D.只写 8．N 个触发器可以构成最大计数长度（进制数）为(D )的计数器。 A.N B.2N C.N 2 D.2N 9．某计数器的状态转换图如下， 其计数的容量为( B ) A ． 八 B. 五 C. 四 D. 三 A B Y 1 Y 2 Y 3 000 001 010 011 100 101 110 111

数电期末试卷

天津理工大学考试试卷 2013～2014学年度第一学期 《高频电子线路》 期末考试 答案 课程代码： 0562010 试卷编号： 5-A 命题日期： 2013 年 11 月 5 日 答题时限： 120 分钟 考试形式：闭卷笔试 得分统计表： 大题号 总分 一 二 三 四 五 一、单项选择题（从4个备选答案中选择最适合的一项，每小题1分，共10分） 得分 1. 下图所示抽头式并联谐振回路中，接入系数为p ，则把电容C1折合到LC 回路两端后的值为 A 。 A 12C p B 11 2C p C 1pC D 11C p 2. 某丙类高频功率放大器原工作于在欠压状态，现欲调整使它工 作在临界状态，可采用办法 B 。 A CC V 增加、bm V 减小、p R 减小 B CC V 减小、bm V 增加、p R 增加 C CC V 减小、bm V 减小、p R 减小 D CC V 增加、 bm V 增加、 p R 增加

3. 给一个振荡器附加AFC 系统，是为了 D 。 A 尽量保持输出电平恒定； B 使振荡器的输出与参考信号完全同步（同频同相）； C 使振荡器输出的频率与参考信号频率相等，但初相位相对于参考信号初相位有一定的剩余误差； D 使振荡频率比不加时稳定。 4. 为了保证调幅波的包络能够较好地反映调制信号， C 。 A 集电极被调功率放大器和基极被调功率放大器都应工作在欠压状态 B 它们都应工作在过压状态 C 集电极被调功率放大器应工作在过压状态，另一个则应工作在欠压状态 D 基极被调功率放大器应工作在过压状态，另一个则应工作在欠压状态 5. 下面属于非线性元件特性的是 C 。 A 只有直流电阻，且阻值随静态工作点的改变而改变 B 只有动态电阻，且阻值随静态工作点的改变而改变 C 具有频率变换的作用 D 满足叠加原理 6. 某一调谐放大器，假设输入信号的频率为2MHz 、5MHz 、10MHz ，12MHz ，当谐振回路的谐振频率为10MHz 时，频率为 C 的信号在输出信号中最强。 A 2MHz B 5MHz C 10MHz D 12MHz 7. 若调制信号的频率范围为n F F -1时，用来进行标准调幅，则形成已调波的带宽为 A 。 A n F 2 B ()12F F n - C 12F D ()n f F m 12+ 8. 多级单调谐回路谐振放大器与单级单调谐回路放大器比较，叙述正确的是 C 。 A 增益变大，选择性变好，带宽变宽 B 增益变大，选择性变差，带宽变宽 C 增益变大，选择性变好，带宽变窄 D 增益变小，选择性变好，带宽变窄 9. 包络检波器出现惰性失真的根本原因是 C 。 A 隔直电容 c C 取得不够大 B 检波二极管的折线化仅仅是一种工程近似，与实际情况不完全符合 C 时间常数RC 过大