电子技术基础试题库
电子技术基础(模拟篇)
第一章 半导体二极管
一、单选题
1. 当温度升高时，二极管正向特性和反向特性曲线分别（ ）。
A. 左移，下移
B. 右移，上移
C. 左移，上移
D. 右移，下移
2. 在PN 结外加正向电压时，扩散电流 漂移电流，当PN 结外加反向电压时，扩散电流 漂
移电流。
A. 小于，大于
B. 大于，小于
C. 大于，大于
D. 小于，小于
3. 设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程为（ ）
A. U I e S
B. T
U U I e
S C. )1e (S －T U U I D. 1e S －T U U I
4. 下列符号中表示发光二极管的为（ ）。
5. 稳压二极管工作于正常稳压状态时，其反向电流应满足( )。
A. I D = 0
B. I D < I Z 且I D > I ZM
C. I Z > I D > I ZM
D. I Z < I D < I ZM
6. 杂质半导体中（ ）的浓度对温度敏感。
A. 少子
B. 多子
C. 杂质离子
D. 空穴
7. 从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（ ）时处于正偏导通状态。
A. 0
B. 死区电压
C. 反向击穿电压
D. 正向压降
8. 杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于（ ）。
A. 温度
B. 掺杂工艺
C. 掺杂浓度
D. 晶体缺陷
9. PN 结形成后，空间电荷区由（ ）构成。
A. 电子和空穴
B. 施主离子和受主离子
C. 施主离子和电子
D. 受主离子和空穴
10. 硅管正偏导通时，其管压降约为（ ）。
A 0.1V
B 0.2V
C 0.5V
D 0.7V
11. 用模拟指针式万用表的电阻档测量二极管正向电阻，所测电阻是二极管的 电阻，由于不
同量程时通过二极管的电流 ，所测得正向电阻阻值 。
A. 直流，相同，相同
B. 交流，相同，相同
C. 直流，不同，不同
D. 交流，不同，不同
12. 在25oC 时，某二极管的死区电压U th ≈0.5V ，反向饱和电流I S ≈0.1pA ，则在35oC 时，下列哪组
数据可能正确：（ ）。
A U th≈0.525V，I S≈0.05pA
B U th≈0.525V，I S≈0.2pA
C U th≈0.475V，I S≈0.05pA
D U th≈0.475V，I S≈0.2pA
二、判断题
1. PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（）
2.二极管在工作电流大于最大整流电流I F时会损坏。（）
3.二极管在工作频率大于最高工作频率f M时会损坏。（）
4.二极管在反向电压超过最高反向工作电压U RM时会损坏。（）
5.在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（）
6.因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（）
7.稳压管正常稳压时应工作在正向导通区域。（）
三、填空题
1.当温度升高时，由于二极管内部少数载流子浓度，因而少子漂移而形成的反向电流，二极管反向伏安特性曲线移。
2.半导体稳压管的稳压功能是利用PN结的特性来实现的。
3.二极管P区接电位端，N区接电位端，称正向偏置，二极管导通；反之，称反向偏置，二极管截止，所以二极管具有性。
4.在本征半导体中掺入价元素得N型半导体，掺入价元素则得P型半导体。
5. PN结在时导通，时截止，这种特性称为。
6.光电二极管能将信号转换为信号，它工作时需加偏置电压。
7.发光二极管能将信号转换为信号，它工作时需加偏置电压。
8.二极管按PN结面积大小的不同分为点接触型和面接触型，型二极管适用于高频、小电流的场合，型二极管适用于低频、大电流的场合。
9.二极管反向击穿分电击穿和热击穿两种情况，其中是可逆的，而会损坏二极管。
10.半导体中有和两种载流子参与导电，其中带正电，而带负电。
11.本征半导体掺入微量的五价元素，则形成型半导体，其多子为，少子为。
12. PN结正偏是指P区电位N区电位。
13.温度升高时，二极管的导通电压，反向饱和电流。
14.普通二极管工作时通常要避免工作于，而稳压管通常工作于。
15.构成稳压管稳压电路时，与稳压管串接适当数值的方能实现稳压。
16.纯净的具有晶体结构的半导体称为，采用一定的工艺掺杂后的半导体称为。
17.在PN结形成过程中，载流子扩散运动是作用下产生的，漂移运动是作用下产生的。
18. PN结的内电场对载流子的扩散运动起作用，对漂移运动起作用。
19.发光二极管通以就会发光。光电二极管的随光照强度的增加而上升。
20.硅管的导通电压比锗管的，反向饱和电流比锗管的。
四、计算分析题
1. 电路如图（a ）、（b ）所示，稳压管的稳定电压U Z ＝4V ，R 的取值合适，u I 的波形如图（c ）所示。试分别画出u O1和u O2的波形。
(a)
(b)
(c)
2. 已知稳压管的稳压值U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Zmin ＝3mA ，最大值I ZM ＝20mA ，试问下面电路中的稳压管能否正常稳压工作，U O1和U O2各为多少伏。
(a)
(b)
3. 二极管电路如图所示，判断图中二极管是导通还是截止，并确定各电路的输出电压U o 。设二极管的导
通压降为0.7V 。
o
(c)(d)
o
4. 已知稳压管的稳定电压U Z = 6V ，稳定电流的最小值I Zmin =5mA ，最大功耗P ZM =150mW 。试求稳压管正
常工作时电阻R 的取值范围。
+－
O
5. 如图所示电路中，发光二极管导通电压U D ＝1V ，正常工作时要求正向电流为5～15mA 。试问： （1）开关S 在什么位置时发光二极管才能发光？
（2）R 的取值范围是多少？
+V DD R V
S
6. 二极管双向限幅电路如图所示，设tV u i ωsin 10=，二极管为理想器件，试画出输出u i 和u o 的波形。
7. 电路如图所示，二极管导通电压U D ＝0.7V ，常温下U T ≈26mV ，电容C 对交流信号可视为短路；u i 为
正弦波，有效值为10mV ，试问二极管中流过的交流电流有效值是多少？
C
i D
8. 二极管电路如图所示，判断图中二极管是导通还是截止，并确定各电路的输出电压U o 。设二极管的导
通压降为0.7V 。
V
o
(a)V
(b)
o
9. 电路如图（a ）所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b ）所示，设二极管导通电压可忽略。试画出输出电压u O 的波形，并标出幅值。
V 2u o
u I1u I2
+5V
（a ）u I1/V u I2/V 50.350.3t
t
（b ）
10. 下图所示电路中，稳压管的稳定电压Uz = 12V ，图中电压表流过的电流忽略不计，试求：
（1）当开关S 闭合时，电压表V 和电流表A1、A2的读数分别为多少？ （2）当开关S 断开时，电压表V 和电流表A1、A2的读数分别为多少？
U i R 2Ω
S
11. 电路如图所示，试估算流过二极管的电流和A
点的电位。设二极管的正向压降为0.7V 。
500Ω
2k V
12.电路如图所示，试估算流过二极管的电流和A点的电位。设二极管的正向压降为0.7V。
R1
R2
I D
V
+10V
3kΩ
10kΩ
R3
2kΩ
第二章半导体三极管
一、单选题
1.（）具有不同的低频小信号电路模型。
A. NPN管和PNP管
B. 增强型场效应管和耗尽型场效应管
C. N沟道场效应管和P沟道场效应管
D. 三极管和二极管
2.放大电路如图所示，已知三极管的05
=
β，则该电路中三极管的工作状态为（）。
A. 截止
B. 饱和
C. 放大
D. 无法确定
3.已知场效应管的转移特性曲线如图所示，则此场效应管的类型是（）。
A. 增强型PMOS
B. 增强型NMOS
C. 耗尽型PMOS
D. 耗尽型NMOS
4.硅三极管放大电路中，静态时测得集-射极之间直流电压U CE=0.3V，则此时三极管工作于（）状态。
A. 饱和
B. 截止
C. 放大
D. 无法确定
5.放大电路如图所示，已知硅三极管的50
=
β，则该电路中三极管的工作状态为（）。
A. 截止
B. 饱和
C. 放大
D. 无法确定 6. 三极管当发射结和集电结都正偏时工作于（ ）状态。 A. 放大 B. 截止 C. 饱和 D. 无法确定
7. 某三极管的V 15,mA 20,mW 100(BR)CEO CM CM ===U I P ，则下列状态下三极管能正常工作的是（ ）。
A. mA 10,V 3C CE ==I U
B. mA 40,V 2C CE ==I U
C. mA 20,V 6C CE ==I U
D. mA 2,V 20C CE ==I U
8. 下面的电路符号代表（ ）管。
A. 耗尽型PMOS
B. 耗尽型NMOS
C. 增强型PMOS
D. 增强型NMOS
9. 关于三极管反向击穿电压的关系，下列正确的是（ ）。
A. EBO BR CBO BR CEO BR U U U )()()(>>
B. EBO BR CEO BR CBO BR U U U )()()(>>
C. CEO BR EBO BR CBO BR U U U )()()(>>
D. CBO BR CEO BR EBO BR U U U )()()(>>
10. 在三极管放大电路中，下列等式不正确的是（ ）。
A.C B E I I I +=
B. B C I I β≈
C. CEO CBO I I )1(β+=
D. βααβ=+
11. （ ）情况下，可以用H 参数小信号模型分析放大电路。
A. 正弦小信号
B. 低频大信号
C. 低频小信号
D. 高频小信号
12. 场效应管本质上是一个（ ）。
A 、电流控制电流源器件
B 、电流控制电压源器件
C 、电压控制电流源器件
D 、电压控制电压源器件
二、判断题
1. 三极管的输出特性曲线随温度升高而上移，且间距随温度升高而减小。
2. I DSS 表示工作于饱和区的增强型场效应管在u GS =0时的漏极电流。
3. 结型场效应管外加的栅源电压应使栅源之间的PN 结反偏，以保证场效应管的输入电阻很大。
4. 三极管工作在放大区时，若i B 为常数，则u CE 增大时，i C 几乎不变，故当三极管工作在放大区时可视为一电流源。
5. 对三极管电路进行直流分析时，可将三极管用H 参数小信号模型替代。
6. 三极管的C 、E 两个区所用半导体材料相同，因此，可将三极管的C 、E 两个电极互换使用。
7. 开启电压是耗尽型场效应管的参数；夹断电压是增强型场效应管的参数。
8. 双极型三极管由两个PN 结构成，因此可以用两个二极管背靠背相连构成一个三极管。 9. 双极型三极管和场效应管都利用输入电流的变化控制输出电流的变化而起到放大作用。
10. 分析三极管低频小信号放大电路时，可采用微变等效电路分析法把非线性器件等效为线性器件，从而简化计算。
11. 三极管放大电路中的耦合电容在直流分析时可视为短路，交流分析时可视为开路。 12. 场效应管放大电路和双极型三极管放大电路的小信号等效模型相同。
三、填空题
1. 双极型半导体三极管按结构可分为 型和 型两种，它们的符号分别_______和
2. β反映 态时集电极电流与基极电流之比；β反映 态时的电流放大特性。
3. 当温度升高时，三极管的参数β会 ，CBO I 会 ，导通电压会
4. 某放大电路中，三极管三个电极的电流如图所示，测得I A =2mA ，I B =0.04mA ，I C =2.04mA ，则电极 为基
极， 为集电极， 为发射极；为 型管；=β 。
5. 硅三极管三个电极的电压如图所示，则此三极管工作于 状态。
6. 场效应管是利用 效应，来控制漏极电流大小的半导体器件。
7. 某三极管的极限参数mA 20CM =I 、mW 100CM =P 、V 20(BR)CEO =U 。当工作电压V 10CE =U 时，工作电流I C 不得超过 mA ；当工作电压V 1CE =U 时， I C 不得超过_____ mA ；当工作电流mA 2C =I 时， U CE 不得超过 V 。
8. 三极管工作在放大区时，发射结为 偏置，集电结为 偏置。
9. 对三极管放大电路进行直流分析时，工程上常采用 法或 法。 10. 工作在放大区的一个三极管，如果基极电流从10微安变化到22微安时，集电极电流从1毫安变为2.1毫安，则该三极管的β约为 ；α约为 。
11. _______通路常用以确定静态工作点；通路提供了信号传输的途径。
12.
场效应管是利用电压来控制电流大小的半导体器件。
13.用于构成放大电路时，双极型三极管工作于区；场效应管工作于区。
14.当u gs=0时，漏源间存在导电沟道的称为型场效应管；漏源间不存在导电沟道的称为型场效应管。
15.某处于放大状态的三极管，测得三个电极的对地电位为U1=-9V，U2=-6V，U3=-6.2V，则电极为基极，为集电极，为发射极，为型管。
16.三极管电流放大系数β反映了放大电路中极电流对极电流的控制能力。
17.场效应管具有输入电阻很、抗干扰能力等特点。
四、计算分析题
1.三极管电路如图所示，已知三极管的80
=
β，U BE（on）=0.7V，r bb′=200Ω，输入信号)
mV
(
sin
20
s t
uω
=,
电容C对交流的容抗近似为零。试：（1）计算电路的静态工作点参数I BQ、I CQ、U CEQ；（2）画出电路的微
变等效电路，求u BE、i B、i C和u CE。
2.场效应管的转移特性曲线如图所示，试指出各场效应管的类型并画出电路符号；对于耗尽型管求出U GS
（off）
、I DSS；对于增强型管求出U GS（th）。
3.三极管电路如图所示，已知β=100，U BE（on）=0.7V，试求电路中I C、U CE的值。
4. 图中三极管为硅管，β=100，试求电路中I B 、I C 、U CE 的值，判断三极管工作在什么状态。
5. 场效应管的转移特性曲线如图所示，试指出各场效应管的类型并画出电路符号；对于耗尽型管求出U GS
（off ）
、I DSS ；对于增强型管求出U GS （th ）。
6. 图中三极管为硅管，β=100，试求电路中I B 、I C 、U CE 的值，判断三极管工作在什么状态。
7. 场效应管电路如图所示，已知)mV (sin 20i t u ω=，场效应管的mS 58.0m =g 试求该电路的交流输出
电压u o 的大小。
8.图中三极管均为硅管，试求各电路中的I C、U CE及集电极对地电压U O。
9.图中三极管为硅管，β=100，试求电路中I B、I C、U CE的值，判断三极管工作在什么状态。
10.场效应管的输出特性曲线如图所示，试指出各场效应管的类型并画出电路符号；对于耗尽型管求出U GS
、I DSS；对于增强型管求出U GS（th）。
（off）
摸拟电子技术(第2版) 第三章选择 A
第三章 放大电路基础
一、单选题
1. 图示电路（ ）
A ．等效为PNP 管
B ．等效为NPN 管
C ．为复合管，其等效类型不能确定
D ．三极管连接错误，不能构成复合管
图号3401
2. 关于BJT 放大电路中的静态工作点（简称Q 点），下列说法中不正确的是（ ）。 A ． Q 点过高会产生饱和失真 B ．Q 点过低会产生截止失真 C ． 导致Q 点不稳定的主要原因是温度变化 D ．Q 点可采用微变等效电路法求得
3. 把差分放大电路中的发射极公共电阻改为电流源可以（ ） A ．增大差模输入电阻 B ．提高共模增益 C ．提高差模增益 D ．提高共模抑制比
4. 对恒流源而言，下列说法不正确的为（ ）。
A ．可以用作偏置电路
B ．可以用作有源负载
C ．交流电阻很大
D ．直流电阻很大
5. 图示电路中，为共发射极放大电路的是（ ）。
6. 差分放大电路由双端输入改为单端输入，则差模电压放大倍数（ ）。
A ．不变
B ．提高一倍
C ．提高两倍
D ．减小为原来的一半
7. 图示电路（ ）
图号3204
图号3203
A.
B.
C.
图号3205
R C
A．等效为PNP管，电流放大倍数约为β1
B．等效为NPN管，电流放大倍数约为β2
C．连接错误，不能构成复合管
D．等效为PNP管，电流放大倍数约为β1β2
2
2
图号3402
8.乙类互补对称功率放大电路会产生交越失真的原因是（）
A．输入电压信号过大B．三极管电流放大倍数太大
C．晶体管输入特性的非线性D．三极管电流放大倍数太小
9.直接耦合电路中存在零点漂移主要是因为（）。
A. 晶体管的非线性
B. 电阻阻值有误差
C. 晶体管参数受温度影响
D. 静态工作点设计不当
10.关于复合管，下述正确的是（）
A．复合管的管型取决于第一只三极管
B．复合管的输入电阻比单管的输入电阻大
C．只要将任意两个三极管相连，就可构成复合管
D．复合管的管型取决于最后一只三极管
11.图示电路中，出现下列哪种故障必使三极管截止（）。
A. R B1开路
B. R B2开路
C. R C短路
D. C E短路
图号3201
12.选用差分放大电路的主要原因是（）。
A．减小温漂B．提高输入电阻C．稳定放大倍数D．减小失真
13.放大电路A、B的放大倍数相同，但输入电阻、输出电阻不同，用它们对同一个具有内阻的信号源电
压进行放大，在负载开路条件下测得A 的输出电压小，这说明A 的（ ）。
A. 输入电阻大
B. 输入电阻小
C. 输出电阻大
D.输出电阻小
14. 交越失真是（ ）
A ．饱和失真
B ．频率失真
C ．线性失真
D ．非线性失真
15. 复合管的优点之一是（ ）
A ．电流放大倍数大
B ．电压放大倍数大
C ．输出电阻增大
D ．输入电阻减小
16. 已知两共射极放大电路空载时电压放大倍数绝对值分别为A 1u 和A 2u ，若将它们接成两级放大电路，则其放大倍数绝对值（ ）。
A. A 1u A 2u
B. A 1u +A 2u
C. 大于A 1u A 2u
D. 小于A 1u A 2u
17. 设图示电路工作于放大状态，当温度降低时，（ ）。
A ．三极管的 增大
B ．三极管的I CBO 增大
C ． I CQ 增大
D ．U CQ 增大
18. 某放大器的中频电压增益为40dB ，则在上限频率f H 处的电压放大倍数约为（ ）倍。 A. 43 B. 100 C. 37 D. 70
19. 某放大器输入电压为10mv 时,输出电压为7V ；输入电压为15mv 时, 输出电压为6.5V ，则该放大器的电压放大倍数为（ ） 。
A. 100
B. 700
C. -100
D. 433
20. 某共射极放大电路空载时输出电压有截止失真，在输入信号不变的情况下，经耦合电容接上负载电阻时，失真消失，这时由于（ ）。
A. Q 点上移
B. Q 点下移
C. 三极管交流负载电阻减小
D. 三极管输出电阻减小
二、判断题
图号3238
1. 放大电路只要静态工作点合理，就可以放大电压信号。 （ ）
2. 乙类放大电路中若出现失真现象一定是交越失真。（ ）
3. 放大电路必须加上合适的直流电源才可能正常工作（ ）
4. 只有直接耦合的放大电路中三极管的参数才随温度而变化，电容耦合的放大电路中三极管的参数不随温度而变化，因此只有直接耦合放大电路存在零点漂移。（ ）
5. 功率放大电路中，输出功率越大，三极管的管耗也越大。（ ）
6. 图示电路中be
L C be BQ L C BQ i o u r R R r I R R I u u A )
//()//(ββ-=?-==
。 （ ）
图号3201
7. 单端输出的电流源差分放大电路，主要靠电流源的恒流特性来抑制温漂。（ ） 8. 多级放大电路的输入电阻等于第一级的输入电阻，输出电阻等于末级的输出电阻。（ ） 9. 频率失真是由于线性的电抗元件引起的，它不会产生新的频率分量，因此是一种线性失真。（ ） 10. 结构完全对称的差分放大电路，空载时单端输出电压放大倍数为双端输出时的一半。 （ ） 11. 差分放大电路单端输出时，主要靠电路的对称性来抑制温漂。 （ ）
12. 将乙类双电源互补对称功率放大电路去掉一个电源，就构成乙类单电源互补对称功率放大电路。（ ）
13. 负载电阻所获得的能量取自于直流电源，而不是信号源或有源器件。（ ） 14. 放大电路的输出电阻等于负载电阻R L 。 （ ）
15. 直接耦合的多级放大电路，各级之间的静态工作点相互影响；电容耦合的多级放大电路，各级之间的静态工作点相互独立。（ ）
16. 恒流源电路具有输出电流稳定，交流内阻非常大的特点，因此常用作偏置电路和有源负载。 （ ） 17. 输入电阻反映了放大电路带负载的能力。 （ ）
18. 三极管放大电路中，设u b 、u e 分别表示基极和发射极的信号电位，则u b =U BEQ +u e 。 （ ）
19. 差分放大电路中单端输出与双端输出相比，差模输出电压减小，共模输出电压增大，共模抑制比下降。 （ ）
20. 乙类双电源互补对称功率放大电路中，正负电源轮流供电。（ ）
21. 双极型三极管的小信号模型中，受控电流源流向不能任意假定，它由基极电流i b 的流向确定。（ ） 22. 产生交越失真的原因是因为输入正弦波信号的有效值太小。（ ） 23. 直接耦合放大电路存在零点漂移主要是由于晶体管参数受温度影响。（ ） 24. 乙类互补对称功率放大电路中，输入信号越大，交越失真也越大。（ ） 25. 集成放大电路采用直接耦合方式的主要原因之一是不易制作大容量电容。（ ）
26.与三极管放大电路相比，场效应管放大电路具有输入电阻很高、噪声低、温度稳定性好等优点。（）
27.单端输出的长尾式差分放大电路，主要靠公共发射极电阻引入负反馈来抑制温漂。（）
28.场效应管放大电路的偏置电路可以采用自给偏压电路。（）
三、填空题
1.放大器的静态工作点过高可能引起______失真，过低则可能引起____ __失真。分压式偏置电路具有自动稳定____ __的优点。
2.当差分放大电路输入端加入大小相等、极性相反的信号时，称为输入；当加入大小和极性都相同的信号时，称为输入。
3.放大电路中采用有源负载可以电压放大倍数。
4.场效应管放大电路中，共极电路具有电压放大能力，输出电压与输入电压反相；共极电路输出电阻较小，输出电压与输入电压同相。
5.三种基本组态双极型三极管放大电路中，若希望源电压放大倍数大，宜选用共__ 极电路，若希望带负载能力强，宜选用共极电路，若希望从信号源索取的电流小，宜选用共极电路，若希望用作高频电压放大器，宜选用共极电路。
6.若信号带宽大于放大电路的通频带，则会产生失真
7.电阻反映了放大电路对信号源或前级电路的影响；电阻反映了放大电路带负载的能力。
8.单级双极型三极管放大电路中，输出电压与输入电压反相的为共极电路，输出电压与输入电压同相的有共极电路、共极电路。
9.某乙类双电源互补对称功率放大电路中，电源电压为±24V，负载为8Ω，则选择管子时，要求U（BR）
大于，I CM大于，P CM大于。
CEO
10.已知某放大电路的∣Au∣=100，∣Ai∣=100，则电压增益为dB，电流增益为dB，功率增益为dB。
11.测量三级晶体管放大电路，得其第一级电路放大倍数为－30，第二级电路放大倍数为30，第三级电路放大倍数为0.99，输出电阻为60Ω，则可判断三级电路的组态分别是、、。
12.在双端输入、双端输出的理想差分放大电路中，若两个输入电压u i1=u i2，则输出电压u O = 。若u i1=+50mV，u i2=+10mV，则可知该差动放大电路的共模输入信号u ic= ; 差模输入电压u id = ，因此分在两输入端的一对差模输入信号为u id1= ，u id2= 。
13.某两级三极管放大电路，测得输入电压有效值为2mV，第一级和第二级的输出电压有效值均为0.1V，输出电压和输入电压反相，输出电阻为30Ω，则可判断第一级和第二级放大电路的组态分别是和。
14.理想集成运放中存在虚断是因为差模输入电阻为，流进集成运放的电流近似为；集成运放工作在线性区时存在有虚短，是指和电位几乎相等。
15.理想集成运放差模输入电阻为，开环差模电压放大倍数为，输出电阻为。
16.单级双极型三极管放大电路中，既能放大电压又能放大电流的是共极电路，只能放大电压不能放大电流的是共极电路，只能放大电流不能放大电压的是共______极电路。
17.NPN管和PNP管构成放大电路时，所需的工作电压极性相，但这两种管子的微变等效电路。
18.乙类互补对称功率放大电路的效率比甲类功率放大电路的，理想情况下其数值可达。
19.当输入信号为零时，输出信号不为零且产生缓慢波动变化的现象称为。差分放大电路对之具有很强的作用。
20.差分电路的两个输入端电压分别为u i1=2.00V，u i2=1.98V，则该电路的差模输入电压u id为V，共模输入电压u ic为V。
21.射极输出器的主要特点是：电压放大倍数、输入电阻、输出电阻。
22.一个两级三极管放大电路，测得输入电压有效值为2mV，第一级和第二级的输出电压有效值均为0.1V，则该电路的放大倍数为。其中，第一级电路的放大倍数为，第二级电路的放大倍数为。23.放大电路中，当放大倍数下降到中频放大倍数的0.7倍时所对应的低端频率和高端频率，分别称为放大电路的频率和频率，这两个频率之间的频率范围称为放大电路的。
24.差分放大电路抑制零漂是靠电路结构和两管公共发射极电阻的很强的作用。
25.差分放大电路中，若u i1= +40mV，u i2= +20mV，A ud= -100，A uc= -0.5，，则可知该差动放大电路的共模输入信号u ic= ; 差模输入电压u id= ，输出电压为u o= 。
26.乙类互补对称功率放大电路中，由于三极管存在死区电压而导致输出信号在过零点附近出现失真，称之为。
27.差动放大电路具有电路结构___ _的特点，因此具有很强的__ 零点漂移的能力。它能放大__ _模信号，而抑制___ __模信号。
28.功率放大电路采用甲乙类工作状态是为了克服，并有较高的。
29.当放大电路要求恒压输入时，其输入电阻应远于信号源内阻；要求恒流输入时，输入电阻应远于信号源内阻
30.三种基本组态双极型三极管放大电路中，输入电阻最大的是共极电路，输入电阻最小的是共极电路，输出电阻最小的是共极电路。
三、计算分析题
1.放大电路如图所示，已知电容量足够大，Vcc=12V，R B1=15kΩ，R B2=5kΩ，R E=
2.3kΩ，R C =5.1kΩ，R L=5.1kΩ，三极管的β=100，Ω
r，U BEQ=0.7V。试：
=200
'
bb
（1）计算静态工作点（I BQ、I CQ、U CEQ）；
（2）画出放大电路的小信号等效电路；
（3）计算电压放大倍数A u、输入电阻R i.和输出电阻R o。
（4）若断开C E，则对静态工作点、放大倍数、输入电阻的大小各有何影响？
2.场效应管放大电路如图所示，已知gm=2mS，R G3=5.1M?，R D=20 k?，R L=10k? ，各电容对交流的容抗近似为零。试：（1）说明图中场效应管的类型；（2）画出放大电路的交流通路和小信号等效电路；（3）求A u、R i、R o。
3.差分放大电路如图所示，已知场效应管g m=2mS，I0为场效应管构成的恒流源，V1、V2管的静态栅源偏压合理，即满足U GS（off）＜U GSQ＜0。试：（1）求V1、V2管静态工作点I DQ及U DQ；（2）画出该电路的差模交流通路；（3）求A ud 、R id 、R o 。
4.如图所示OTL电路中，已知V CC＝16V，R L＝4Ω，V1和V2管的死区电压和饱和管压降均可忽略不计，输入电压足够大。试求最大不失真输出时的输出功率P o m、效率ηm。
图号3404
5.放大电路如图所示，已知电容量足够大，V cc=12V，R B=300kΩ，R E2=1.8kΩ，R E1=200Ω，R C =2kΩ，R L=2kΩ，
R S=1kΩ，三极管的β=50，
Ω
=200
'
bb
r
，U BEQ=0.7V。试：（1）计算静态工作点（I BQ、I CQ、U CEQ）；（2）计
算电压放大倍数A u、源电压放大倍数A us、输入电阻R i和输出电阻R o ；（3）若u o正半周出现图中所示失真，问该非线性失真类型是什么？如何调整R B值以改善失真？
u o
6.差分放大电路如图所示，已知V CC=V EE =15V，R C=10kΩ，R L=30kΩ，I0= 2mA，三极管的β=100，r bb′=200Ω，U BEQ=0.7V，试：（1）求I CQ1、U CEQ1、I CQ2、U CEQ2 ；（2）画出该电路差模交流通路；（3）若
)
(
sin
20mV
t
u
i
ω
=，求u o表达式。
7.差分放大电路如图所示，已知R C = R E =10kΩ，三极管的β=100，r bb′=200Ω，U BEQ=0.7V，试求：（1）
I CQ1、U CQ1和I CQ2、U CQ2 ；（2）差模电压放大倍数A ud=u od/u id；（3）差模输入电阻R id和输出电阻R o。
8. 放大电路如图所示，已知电容量足够大，Vcc=18V ，R B1=75k Ω，R B2=20k Ω，R E2=1.8k Ω，R E1=200Ω，
R C =8.2k Ω，R L =6.2k Ω，R S =600Ω，三极管的β=100，Ω=200'bb r ，U BEQ =0.7V 。试：（1）计算静态工作点（I BQ 、I CQ 、U CEQ ）；（2）画出放大电路的小信号等效电路；（3）计算电压放大倍数A u 、输入电阻R i .和输出电阻R o 。
（4）若)mV ( sin 15t u s ω=，求u o 的表达式。
9. 差分放大电路如图所示，已知V CC =V EE =12V ，R C =5.1k Ω，R B =1k Ω，I 0= 2mA ，三极管的β=100，r bb ′=200Ω，U BEQ =0.7V ，试：（1）求I CQ1、U CEQ1、I CQ2、U CEQ2 ；（2）若)( sin 2V t u o ω=，求u i 的表达式。
10. 差分放大电路如图所示，已知V CC = V EE =12V ，R C = R E =10k Ω，三极管的β=100，r bb ′=200Ω，U BEQ =0.7V ，试求：（1）V 1、V 2的静态工作点I CQ1、U CEQ1和I CQ2、U CEQ2 ；（2）差模电压放大倍数A ud =u od /u id ；（3）差模输入电阻R id 和输出电阻R o 。
电子技术基础考试试题及参考答案
电子技术基础考试试题及参考答案 试题 一、填空题（每空1分，共30分） 1．硅二极管的死区电压为_____V，锗二极管的死区电压为_____V。 2．常用的滤波电路主要有_____、_____和_____三种。 3．晶体三极管的三个极限参数为_____、_____和_____。 4．差模信号是指两输入端所施加的是对地大小_____，相位_____的信号电压。 5．互补对称推挽功率放大电路可分成两类：第一类是单电源供电的，称为_____电路，并有_____通过负载输出；第二类是双电源供电的，称为_____电路，输出直接连接负载，而不需要_____。 6．功率放大器主要用作_____，以供给负载_____。 7．集成稳压电源W7905的输出电压为_____伏。 8．异或门的逻辑功能是：当两个输入端一个为0，另一个为1时，输出为_____；而两个输入端均为0或均为1时，输出为_____。 9．(1111)2+(1001)2=( _____ )2(35)10=( _____ )2 (1010)2–(111)2=( _____ )2(11010)2=( _____ )10 (1110)2×(101)2=( _____ )2 10．逻辑函数可以用_____、_____、_____等形式来表示。 11．组合逻辑电路包括_____、_____、_____和加法器等。 二、判断题（下列各题中你认为正确的，请在题干后的括号内打“√”，错误的打“×”。全打“√”或全打“×”不给分。每小题1分，共10分） 1．放大器采用分压式偏置电路，主要目的是为了提高输入电阻。（） 2．小信号交流放大器造成截止失直的原因是工作点选得太高，可以增大R B使I B减小，从而使工作点下降到所需要的位置。（） 3．对共集电极电路而言，输出信号和输入信号同相。（） 4．交流放大器也存在零点漂移，但它被限制在本级内部。（） 5．同相运算放大器是一种电压串联负反馈放大器。（） 6．只要有正反馈，电路就一定能产生正弦波振荡。（） 7．多级放大器采用正反馈来提高电压放大倍数。（） 8．TTL集成电路的电源电压一般为12伏。（） 9．流过电感中的电流能够突变。（） 10．将模拟信号转换成数字信号用A/D转换器，将数字信号转换成模拟信号用D/A转换器。（） 三、单选题（在本题的每小题备选答案中，只有一个答案是正确的，请把你认为正确答案的代号填入题干后的括号内，多选不给分。每小题2分，共26分） 1．用万用表测得某电路中的硅二极管2CP的正极电压为2V，负极电压为1.3V，则此二极管所处的状态是（） A．正偏B．反偏C．开路D．击穿 2．放大器的三种组态都具有（） A．电流放大作用B．电压放大作用 C．功率放大作用D．储存能量作用 3．下列各图中，三极管处于饱和导通状态的是（）
数字电子技术基础试题及答案(一)
数字电子技术基础期末考试试卷 1.时序逻辑电路一般由和两分组成。 2.十进制数（56）10转换为二进制数为和十六进制数为。 3.串行进位加法器的缺点是，想速度高时应采用加法器。 4.多谐振荡器是一种波形电路，它没有稳态，只有两个。 5.用6个D 触发器设计一个计数器，则该计数器的最大模值M=。 123（1（24．T ，图1 5 时，6．D 触发器 的Q 和Q1的表达式，并画出其波形。 图 D=Q n+1=Q 1= 7.已知电路如图4所示，试写出: ①驱动方程； ②状态方程； ③输出方程； ④状态表；
⑤电路功能。图4 1．设计一个三变量偶检验逻辑电路。当三变量A 、B 、C 输入组合中的“1”的个数为偶数时F=1，否则F=0。选用8选1数选器或门电路实现该逻辑电路。 要求： （1）列出该电路F(A,B,C)的真值表和表达式； （2ABCF 2求： （1（21.3.4.产生5.32 10分，共 70分） 1．解： 2．证明：左边 3．解： （1）化简该 函数为最简与或式： 解： F 3()43A B C D E A B C D E AB AC A D E =++++--------------=?+++--------------=++-------------分 分 分 ()()33()(1)22BC D B C AD B BC D BAD CAD BC BC BC D BA CA =++++--------------=++++--------------=++++-----------------------分 分分分
填对卡诺图圈对卡诺图-----------2分 由卡诺图可得： F A B A C D A C D B C B D =++++------------------------------2分 （2）画出用两级与非门实现的最简与或式电路图： 则可得电路图如下：------------------------------------------------2分 4．T 1=0.7T=0.7f= T 1=q= 1T T 5．6． 方程： n n n Q Q K Q 0 0000=+ 1111110(n n n n Q J Q K Q Q X +=+=⊕（2分） ③输出方程：n n Q Q Y 01=-----------------------------------------（1分） ④状态表：--------------------------------------------------------------------（3分） ⑤从状态表可得：为受X 控制的可逆4进制值计数器。-----------------------------（2分） 1．解：（1）依题意得真值表如下:--------------------------3分 0102J J Q ⊕（分）
电子技术基础与技能题库
第一章：直流稳压电路 第一节：整流滤波电路 一、填空题 1、整流是将交流电压转换为_________电压，但整流后的电压是脉动直流电压，含有交流成分。 2、全波整流电路负载两端的电压大约是变压器二次电压的_____倍。 3、滤波是从脉动直流电压中滤除交流分量，使之成为___________电压。 4、电容滤波即将电容器________连接于负载两端，滤除交流分量。 5、电感滤波即将电感器与________串联，以限制交流分量通过负载。 6、二极管最主要的特性是___________ 二、判断题 1、二极管的正向电阻比反向电阻大。（） 2、二极管两端加上正向电压就能导通。（） 3、全波整流电路电容滤波负载上电压是二次电压的倍。（） 4、硅和锗是制作半导体器件的主要材料。（） 5、整流输出电压加电容滤波后，电压脉动减小了，输出电压也下降了。 （） 6、在半波整流电路中，接入滤波电容时的输出电压平均值约等于变压器二次电压（） 7、整流电路是直流电源的核心部分，它是利用二极管的单向导电性，将输入的交流电压转换为脉动的直流电压。（） 8、整流电路是直流电源的核心部分，它是利用二极管的单向导电性。（） 9、常用的整流电路有半波整流电路和桥式整流电路。（） 10、半波整流电路二极管流过的电流为负载上电流的一半。（） 11、电容滤波电路是利用电容两端电压不能突变，在电容充、放电过程中使输出电压趋于平滑。（） 12、电容滤波电路通常选电容比较大，效果越好。（） 13、稳压二极管稳压电路输出电流不受稳压二极管最大稳定电流的限制。 （） 三、选择题 1、二极管具有（ ) A、信号放大作用 B、单向导电性 C、双向导电性 2、用万用表测得二极管的正、反向电阻都很大，则二极管（） A、特性良好 B、已被击穿 C、内部开路 3、在用万用表测量二极管过程中，对于同一种二极管，用万用表不同的档位测出的正向电阻值不同，主要原因是（） A、万用表在不同的档位，其内阻不同 B、二极管有非线性的伏安特性 C、被测二极管质量差 4、关于电容滤波，下列说法错误的是（）
(完整版)数字电子技术基础模拟试题A及答案
74LS191功能表 LD CT D U / CP D 0 D 1 D 2 D 3 Q 0 Q 1 Q 2 Q 3 0 × × × d 0d 1 d 2 d 3 1 0 0 ↑ ×××× 1 0 1 ↑ ×d 0 d 1 d 2 d 3 加法计数 减法计数 命 题 人 ： 审 题 人 ： 命 题 时 间 ： 系名 专业 年级、班 学号 姓名 数字电子技术 课程试题（ 卷） 题号 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 总分 得分 （请将答案写在答题纸上，答在试卷上不给分） 一． 选择题（16分） 1．已知A B A B B A Y +++=，下列结果正确的是（ ） a ． Y =A b ．Y=B c ．A B Y += d ．Y=1 2．已知A=（10．44）10（下标表示进制），下列结果正确的是（ ） a ． A=（1010．1）2 b ．A=（0A ．8）16 c ． A=（12．4）8 d ．A=（20．21）5 3．下列说法不正确的是（ ） a ．当高电平表示逻辑0、低电平表示逻辑1时称为正逻辑 b ．三态门输出端有可能出现三种状态（高阻态、高电平、低电平） c ．OC 门输出端直接连接可以实现正逻辑的线与运算 d ．集电极开路的门称为OC 门 4．以下错误的是（ ） a ．数字比较器可以比较数字大小 b ． 半加器可实现两个一位二进制数相加 c ．编码器可分为普通全加器和优先编码器 d ．上面描述至少有一个不正确 5．下列描述不正确的是（ ） a ．触发器具有两种状态，当Q=1时触发器处于1态 b ．时序电路必然存在状态循环 c ．异步时序电路的响应速度要比同步时序电路的响应速度慢 d ．主从JK 触发器具有一次变化现象 6．电路如下图（图中为上升沿Jk 触发器），触发器当前状态Q 3 Q 2 Q 1为“100”，请问在时钟作用下，触发器下一状态（Q 3 Q 2 Q 1）为（ ） a ．“101” b ．“100” c ．“011” d ．“000” 7．电路如下图，已知电路的当前状态Q 3 Q 2 Q 1 Q 0为“1100”，74LS191具有异步置数的逻辑功能，请问在时钟作用下，电路的下一状态（Q 3 Q 2 Q 1 Q 0）为（ ） a ．“1100” b ．“1011” c ．“1101” d ．“0000” 8．下列描述不正确的是（ ） a ．EEPROM 具有数据长期保存的功能且比EPROM 在数据改写上更方便 b ．DAC 的含义是数-模转换、ADC 的含义是模数转换 c ．积分型单稳触发器电路只有一个状态 d ．上面描述至少有一个不正确 二．判断题（9分） 1．TTL 输出端为低电平时带拉电流的能力为5mA （ ） 2．TTL 、CMOS 门中未使用的输入端均可悬空（ ） 3．当决定事件发生的所有条件中任一个（或几个）条件成立时，这件事件就会发生，这种因果关系称为与运算。（） 4．将代码状态的特点含义“翻译”出来的过程称为译码。实现译码操作的电路称为译码器。（） 5．设计一个3进制计数器可用2个触发器实现（ ） 6．移位寄存器除了可以用来存入数码外，还可以利用它的移存规律在一定的范围内构成任意模值n 的计数器。所以又称为移存型计数器（ ） 7． 判断时序逻辑电路能否自启动可通过判断该电路是否存在有效循环来实现（ ） 8． 施密特触发器电路具有两个稳态，而多谐振荡器电路没有稳态（ ） 9． DRAM 需要定期刷新，因此，在微型计算机中不如SRAM 应用广泛（ ） 三．计算题（8分） 1、在如图所示电路中，U cc =5V ，U BB =9V ，R 1=5.1kΩ， R 2=15kΩ，R c =1kΩ，β=40，请计算U I 分别为5V ，0.3V 时输出U O 的大小？。 密 线 封 A B
电子技术基础期末考试考试题及答案
电子技术基础期末考试考试题及答 案 部门： xxx 时间： xxx 整理范文，仅供参考，可下载自行编辑
触发器，输入信号=0,A.Q=0 B.Q=0C.=0 D.=1脉冲作用下， A.1 B.D C.0 D. 9.下图所示可能是鈡控同步RS 触发器真值表的是<） 10.电路如下图所示，若初态都为0，则的是<） 11.五位二进制数能表示十进制数的最大值是<） A.31B.32C.10 D.5 12.n 个触发器可以构成最大计数长度为的计数器<） A.n B.2n C.n2 D.2n 13.一个4位二进制加法计数器起始状态为0010，当最低位接收到10个脉冲时，触发器状态为<） A.0010 B.0100 C.1100 D.1111 14.下图所示的电路中，正确的并联型稳压电路为<） 15.在有电容滤波的单相桥式整流电路中，若要使输出电压为60V ，则变压器的次级电压应为<） A.50VB.60VC.72VD.27V 二、判断题<本大题共5小题，每小题3分，共15分）<对打√，错打×） 16.P 型半导体中，多数载流子是空穴< ） 17.环境温度升高时，半导体的导电能力将显著下降< ） 18.二极管正偏时，电阻较小，可等效开关断开<） 19.稳压二极管工作在反向击穿区域<） 20.光电二极管是一种把电能转变为光能的半导体器件<）
注：将 选择题 和判断 题答案 填写在 上面 的表 格 里， 否则 该题不得分 三、填空题<本大题共5小题，每小题4分，共20分） 21.JK触发器可避免RS触发器状态出现。与RS触发器比较，JK触发器增加了功能； 22.寄存器存放数码的方式有和两种方式； 23.二极管的伏安特性曲线反映的是二极管的关系曲线； 24.常见的滤波器有、和； 25.现有稳压值为5V的锗稳压管两只，按右图所示方法接入电路，则 V0=。 四、应用题<本大题共3小题，共35分，要求写出演算过程） 26.<10分）某JK触发器的初态Q=1，CP的下降沿触发，试根据下图所示的CP、J、K的波形，画出输出Q 和的波形。RTCrpUDGiT 27.<9分）如下图所示电路，测得输出电压只有0.7V，原因可能是： <1）R开路；<2）RL开路；<3）稳压二极管V接反； <4）稳压二极管V短路。应该是那种原因，为什么？ 28.<16分）分析下图所示电路的工作原理，要求： <1）列出状态表，状态转换图； <2）说明计数器类型。 参考答案及评分标准 一、单项选择题<本大题共15小题，每小题2分，共30分） 二、判断题<本大题共5小题，每小题3分，共15分） 三、填空题<本大题共5小题，每小题4分，共20分） 21.不确定，翻转22.并行和串行 23.VD-ID24.电容、电感、复式25.5.3V 四、应用题<本大题共3小题，共30分，要求写出演算过程） 26. 27.解：稳压二极管V接反，变成正向偏置，稳压二极管正向导通时，压降是0.7V 28.解：计数前，各触发器置0，使Q2Q1Q0=000
模拟电子技术基础考试试题答案-(1)
第1页 共5页 一、填空（共20空，每空 1 分，共 20 分，所有答案均填写在答题纸上） 1、场效应管被称为单极型晶体管是因为 。 2、晶体三极管的输出特性可分三个区域，当三极管工作在 区时， b I Ic β<。 3、场效应管可分为 型场效应管和结型场效应管两种类型。 4、在由晶体管构成的单管放大电路的三种基本接法中，共 基本放大电路只能放大电压不能放大电流。 5、在绘制电子放大电路的直流通路时，电路中出现的 视为开路， 视为短路，信号源可视为为短路但应保留其内阻。 6、多级放大电路级间的耦合方式有直接耦合、阻容耦合、 和 耦合等。 7、晶体管是利用 极电流来控制 极电流从而实现放大的半导体器件。 8、放大电路的交流通路用于研究 。 9、理想运放的两个输入端虚断是指 。 10、为判断放大电路中引入的反馈是电压反馈还是电流反馈，通常令输出电压为零，看反馈是否依然存在。若输出电压置零后反馈不复存在则为 。 11、仅存在于放大电路的交流通路中的反馈称为 。 12、通用集成运放电路由 、 、输出级和偏置电路四部分组成。 13、如果集成运放的某个输入端瞬时极性为正时，输出端的瞬时极性也为正，该输入端是 相输入端，否则该输入端是 相输入端。 14、差分放大电路的差模放大倍数和共模放大倍数是不同的， 越大越好， 越小越好。 二、单项选择题（共10题，每题 2 分，共 20分；将正确选项的标号填在答题纸上） 1、稳压二极管如果采用正向接法，稳压二极管将 。 A ：稳压效果变差 B ：稳定电压变为二极管的正向导通压降 C ：截止 D ：稳压值不变，但稳定电压极性发生变化 2、如果在PNP 型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结正向偏置，则此管的工作状态为 。 A ：饱和状态 B ：截止状态 C ：放大状态 D ：不能确定 3、测得一放大电路中的三极管各电极相对一地的电压如图1所示，该管为 。 A ： PNP 型硅管 B ：NPN 型锗管 C ： NPN 型硅管 D ：PNP 型锗管 7V 0.7V 0V ① ② ③
电子技术基础试题
。电子技术基础试题库（第四版） 第一章:半导体二极管 一、填空题 1、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为______________、__________和__________三类。 导体、绝缘体、半导体 2、PN节具有__________特性，即加正向压时__________，加反向压时__________。 单向导电特性、导通、截止 3、硅二极管导通时的正向管压降约__________V，锗二极管导通时的正向管压降约__________V。 、 4、使用二极管时，应考虑的主要参数是__________、__________。 最大整流电流、最高反向工作电压 5、在相同的反向电压作用下，硅二极管的反向饱和电流常__________于锗二极管的反向饱和电流，所以硅二极管的热稳定性较__________ 小、好 6、根据导电能力来衡量，自然界的物质可分为_______ 、_________和__________三类。导体， 绝缘体，半导体 7、PN结具有_____________性能，即加正向电压时PN结________，加反向电压时的PN结 _________。单向导电性，导通，截止 二，判断题 １、半导体随温度的升高，电阻会增大。（）N ２、二极管是线性元件。（）N ３、不论是哪种类型的半导体二极管，其正向电压都为０.３Ｖ左右。（）N ４、二极管具有单向导电性。（）Y ５、二极管的反向饱和电流越大，二极管的质量越好。（）N ６、二极管加正向压时一定导通（）N 7、晶体二极管是线性元件。（）N 8、一般来说，硅晶体二极管的死区电压小于锗晶体二极管的死区电压。（）Y 三、选择题 １、ＰＮ结的最大特点是具有（）C Ａ、导电性Ｂ、绝缘性Ｃ、单相导电性 ２、当加在硅二极管两端的正向电压从０开始逐渐增加时，硅二极管（）C Ａ、立即导通Ｂ、到０.３Ｖ才开始导通Ｃ、超过死区压才开始导通Ｄ、不导通 ３、当环境温度升高时，二极管的反向电流将（）A Ａ、增大Ｂ、减少Ｃ、不变Ｄ、先变大后变小 4、半导体中传导电流的载流子是（）。C A、电子 B、空穴 C、电子和空穴 5、P型半导体是（）B A、纯净半导体 B、掺杂半导体 C、带正电的 四、综合题
数字电子技术基础试题及答案 (1)
. 数字电子技术基础期末考试试卷 一、填空题 1. 时序逻辑电路一般由 和 两分组成。 2. 十进制数（56）10转换为二进制数为 和十六进制数为 。 3. 串行进位加法器的缺点是 ，想速度高时应采用 加法器。 4. 多谐振荡器是一种波形 电路，它没有稳态，只有两个 。 5. 用6个D 触发器设计一个计数器，则该计数器的最大模值M= 。 二、化简、证明、分析综合题： 1．写出函数F (A,B,C,D) =A B C D E ++++的反函数。 2．证明逻辑函数式相等：()()BC D D B C AD B B D ++++=+ 3．已知逻辑函数F= ∑（3,5,8,9，10，12）+∑d(0,1,2) （1）化简该函数为最简与或式： （2）画出用两级与非门实现的最简与或式电路图： 4．555定时器构成的多谐振动器图1所示，已知R 1=1K Ω，R 2=8.2K Ω，C=0.1μF 。试求脉冲宽度 T ，振荡频率f 和占空比q 。 ………………………密……………………封…………………………装…………………订………………………线……………………… 系别 专业（班级） 姓名 学号
图1 5．某地址译码电路如图2所示，当输入地址变量A7-A0的状态分别为什么状态 时，1Y 、6Y 分别才为低电平（被译中）。 图2 6．触发器电路就输入信号的波形如图3所示，试分别写出D 触发器的Q 和Q1的表达式，并画出其波形。 图3 ………………封…………………………装…………………订………………………线………………………
D= Q n+1= Q1= 7. 已知电路如图4所示，试写出: ①驱动方程； ②状态方程； ③输出方程； ④状态表； ⑤电路功能。图4 三、设计题：（每10分，共20分） 1．设计一个三变量偶检验逻辑电路。当三变量A、B、C输入组合中的“1”的个数为偶数时F=1，否则F=0。选用8选1数选器或门电路实现该逻辑电路。要求： （1）列出该电路F(A,B,C)的真值表和表达式； （2）画出逻辑电路图。 2．试用74161、3-8译码器和少量门电路，实现图5所示波形VO1、VO2，其中CP为输入波形。要求： （1）列出计数器状态与V01、V02的真值表；
《电子技术基础》练习题库
《电子技术基础》练习题库 第一章思考复习题 1.填空题 (1)半导体中有两种载流子,一种是_______.另一种是_____. (2)在N型半导体中,多数载流子是______.在P型半导体中.主要靠其多数 载流子_____导电. (3)PN结单向导电性表现为:外加正向电压时_______;外加反向电压时 ______.。 (4)二极管的反向电流随外界的温度而________.反向电流越小,说明二极 管的单向电性________.一般硅二极管的反向电流比锗管_______很多, 所以电流越小,说明二极管的单向导电性________.一般硅二极管的反向 电流比锗管_______很多,所以应用中一般多选用硅管. (5)稳压二极管稳压时,应工作在其伏安特性的_______区. (6)三级管是一种________控制器件;而场效应管则是一种______控制器 件. (7)三级管工作在放大区的外部条件是:发射结-_______位置,集电结 _________偏置. (8)三级管的输出特性分为三个区域,即_________区、___________区和 _________区. (9)三级管在放大区的特点是:当基极电流固定时,其_______电流基本不变, 体现了三极管的___________特性.
(10) 用在电路中的整流二极管,主要考虑两个参数____________和 _______________,选择时应适当留有余地. (11) 在放大区,对NPN型的三极管有电位关系:Uc___________Ub_______Ue; 而对PNP型的管子,有电位关系:Uc______Ub__________ Ue. (12) 根据结构不同,场效应管分为两大类,__________和___________场效 应管. (13) 为实现场子效应管栅源电压对漏极电流的控制作用,结型场效应管在 工作时,栅源之间的PN结必须_______位置.N沟道结型场效应管的Ucs 不能______0,P沟道结型场效应管的Ucs不能___________0. (14) 场效应管的参数__________反映了场效应管栅源电压对漏极电流的控 制及放大作用. (15) 场效应管与三极管相比较,其特点是:输入电阻比较___________,热稳 定性比较_________. 2.选择题 (1)本征半导体,自由电子工业和空穴的数目是________. ①相等②自由电子比空穴的数目多③自由电子比空穴的数目少 (2)P型半导体的空穴数目多于自由电子,则P型半导体呈现的电性为 ______. ①负电②正电③电中性 (3)稳压二极管稳压,利用的是稳夺二级管的______. ①正向特性②反向特性③反向击穿特性
模拟电子技术基础试题汇总
模拟电子技术基础试题汇总 一.选择题 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将( )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0，则在静态时该三极管处于( ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( )。 ( A)温度稳定性( B)单向导电性( C)放大作用( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工作点过高，容易产生 ( )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示，二极管导通电压U D＝，关于输出电压的说法正确的是( )。 A：u I1=3V，u I2=时输出电压为。 B：u I1=3V，u I2=时输出电压为1V。 C：u I1=3V，u I2=3V时输出电压为5V。 D：只有当u I1=，u I2=时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可能的原因是。 A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高 C：基极电源+V BB电压变高D：基极回路电阻R b变高。
8. 直流负反馈是指( ) A. 存在于RC 耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中，A 为理想运放，则电路的输出电压约为( ) A. － B. －5V C. － D. － 11. 在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV ,则差模输 入电压△υid 为( ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与低阻负载间接入 ( )。 A. 共射电路 B. 共基电路 C. 共集电路 D. 共集-共基串联电路 13. 在考虑放大电路的频率失真时，若i υ为正弦波，则o υ( ) A. 有可能产生相位失真 B. 有可能产生幅度失真和相位失真 C. 一定会产生非线性失真 D. 不会产生线性失真 14. 工作在电压比较器中的运放与工作在运算电路中的运放的主要区别是，前者的运 放通常工作在( )。 A. 开环或正反馈状态 B. 深度负反馈状态 C. 放大状态 D. 线性工作状态 15. 多级负反馈放大电路在( )情况下容易引起自激。 A. 回路增益F A &&大 B 反馈系数太小
电子技术基础复习题与答案
中南大学网络教育课程考试（专科）复习题及参考答案 电子技术基础 一、选择题： 1．在杂质半导体中,少子浓度主要取决于( ) (A) 掺入杂质的浓度、 (B) 材料、 (C) 温度 2．测得某PNP型三极管各极点位为:UB=-3V UE=-4V UC=-6V,则该管工作于( ) (A) 放大状态、 (B) 饱和状态、 (C) 截止状态 3．在基本共射放大电路中，若更换晶体管使β值由50变为100,则电路的放大倍数( ) (A) 约为原来的1/2倍 (B) 约为原来的2倍 (C) 基本不变 4．在OCL电路中，引起交越失真的原因是( ) (A) 输入信号过大 (B) 晶体管输入特性的非线性 (C) 电路中有电容 5．差动放大器中,用恒流源代替长尾R e是为了( ) (A) 提高差模电压增益 (B) 提高共模输入电压围 (C) 提高共模抑制比 6．若A+B=A+C，则（） (A) B=C； (B) B=C；(C)在A=0的条件下，B=C 7．同步计数器中的同步是指（） （A）各触发器同时输入信号；（B）各触发器状态同时改变； （C）各触发器受同一时钟脉冲的控制 8．由NPN管组成的单管基本共射放大电路，输入信号为正弦波，输出电压出现顶部被削平的失真，这种失真是（） （A）饱和失真（B）截止失真（C）频率失真 9．对PN结施加反向电压时，参与导电的是（） （A）多数载流子（B）少数载流子（C）既有多数载流子又有少数载流子 10．当温度增加时，本征半导体中的自由电子和空穴的数量（） （A）增加（B）减少（C）不变 11．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（） A、输入电阻高 B、输出电阻低 C、共模抑制比大 D、电压放大倍数大 12．对于桥式整流电路，正确的接法是( )
数字电子技术基础习题及答案
数字电子技术基础考题 一、填空题：（每空3分，共15分） 1．逻辑函数有四种表示方法，它们分别是（真值表）、（逻辑图）、（逻辑表达式）和（卡诺图）。 2．将2004个“1”异或起来得到的结果是（0 ）。 3．由555定时器构成的三种电路中，（）和（）是脉冲的整形电路。4．TTL器件输入脚悬空相当于输入（高）电平。 5．基本逻辑运算有: （and ）、（not ）和（or ）运算。 6．采用四位比较器对两个四位数比较时，先比较（最高）位。 7．触发器按动作特点可分为基本型、（同步型）、（主从型）和边沿型；8．如果要把一宽脉冲变换为窄脉冲应采用（积分型单稳态）触发器 9．目前我们所学的双极型集成电路和单极型集成电路的典型电路分别是（TTL ）电路和（CMOS ）电路。 10．施密特触发器有（2）个稳定状态.，多谐振荡器有（0 ）个稳定状态。 11．数字系统按组成方式可分为功能扩展电路、功能综合电路两种；12．两二进制数相加时，不考虑低位的进位信号是（半）加器。 13．不仅考虑两个_______本位_____相加，而且还考虑来自___低位进位____相加的运算电路，称为全加器。 14．时序逻辑电路的输出不仅和___该时刻输入变量的取值______有关，而且还与_电路原来的状态_______有关。 15．计数器按CP脉冲的输入方式可分为__同步计数器和____异步计数器_。 16．触发器根据逻辑功能的不同，可分为_____rs______、______jk_____、___t________、___d________、___________等。 17．根据不同需要，在集成计数器芯片的基础上，通过采用__反馈归零法_________、__预置数法_________、__进位输出置最小数法__等方法可以实现任意进制的技术器。 18．4. 一个JK 触发器有 2 个稳态，它可存储 1 位二进制数。 19．若将一个正弦波电压信号转换成同一频率的矩形波，应采用多谐振荡器电路。20．把JK触发器改成T触发器的方法是 j=k=t 。 21．N个触发器组成的计数器最多可以组成2n 进制的计数器。 22．基本RS触发器的约束条件是rs=0 。
模拟电子技术基础考试试题答案
一、填空（共20空，每空 1 分，共 20 分，所有答案均填写在答题纸上） 1、晶体管三极管被称为双极型晶体管是因为 。 2、晶体三极管的输出特性可分三个区域，只有当三极管工作在 区时，关系式b I Ic β=才成立。 3、场效应管可分为结型场效应管和 型场效应管两种类型。 4、在由晶体管构成的单管放大电路的三种基本接法中，共 基本放大电路既能放大电流又能放大电压。 5、在绘制放大电路的交流通路时， 视为短路， 视为短路，但若有内阻则应保留其内阻。 6、多级放大电路级间的耦合方式有 、 、变压器耦合和光电耦合等。 7、场效应管是利用 极和 极之间的电场效应来控制漏极电流从而实现放大的半导体器件。 8、放大电路的直流通路用于研究 。 9、理想运放的两个输入端虚短是指 。 10、为判断放大电路中引入的反馈是电压反馈还是电流反馈，通常令输出电压为零，看反馈是否依然存在。若输出电压置零后反馈仍然存在则为 。 11、仅存在于放大电路的直流通路中的反馈称为 。 12、通用集成运放电路由输入级、中间级、 和 四部分组成。 13、集成运放的同相输入端和反相输入端中的“同相”和“反相”是指运放的 和 的相位关系。 14、在学习晶体三极管和场效应管的特性曲线时可以用类比法理解，三极管的放大工作区可与场效应管的 区相类比，而场效应管的可变电阻区则可以和三极管的 相类比。 二、单项选择题（共10题，每题 2 分，共 20分；将正确选项的标号填在答题纸上） 1、稳压二极管的反向电流小于min z I 时，稳压二极管 。 A ：稳压效果变差 B ：仍能较好稳压，但稳定电压变大 C ：反向截止 D ：仍能较好稳压，但稳定电压变小 2、如果在PNP 型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结反向偏置，则此管的工作状态为 。 A ：饱和状态 B ：截止状态 C ：放大状态 D ：不能确定 3、已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100，现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图1所示。关于这两只三极管，正确的说法是 。
电子技术基础试题及答案
电子技术基础试卷 一、填空题（20分） 1、______电路和_______电路是两种最基本的线性应用电路。 2、晶体二极管具有_______特性。 3、放大电路的分析方法有______和小信号模型分析法。 4、BJT的主要参数是__________。 5、带宽和________是放大电路的重要指标之一。 6、处理模拟信号的电子电路称为_______。 7、把整个电路中的元器件制作在一块硅基片上，构成特定功能的电子电路称为_____电路。 8、在电子电路中反馈按极性不同可分为______和_______两种。 9、判断一个放大电路中是否存在反馈，只要看该电路的输出回路与输入回路之间是否存在反馈网络，即________。 10、负反馈放大电路有四种类型：___________、 ___________、___________以及___________放大电路。 11、放大电路的实质都是_______电路。 12、放大电路可分为四种类型：_______、_______、_______和_______。 二、判断题（1—5题每题2分，6—15题每题1分，共20分） 1、图示中 R引人电压并联负反 2 图题1 2、图示中 R电流串联正反馈 e1 图题2
3、图示电路不能振荡 图题3 4、图示电路不能振荡 图题4 5、图示电路中T 1为共基极组态，T 2 为共集电极组态 图题5 6、PN结的单向导电性关键在于它的耗尽区的存在，且其宽度随外加电压而变化。 7、齐纳二极管是一种特殊二极管。 8、BJT有NPN和PNP两种类型。 9、图解法能分析信号幅值太小或工作频率较高湿的电路工作状态。 10、MOS器件主要用于制成集成电路。 11、差分放大电路中共模电压增益越小，说明放大电路的性能越好。 12、放大电路中的内部噪声与放大电路中个元器件内部载流子运动的不规则无关。 13、放大电路中直流反馈不影响静态工作点。 14、负反馈能够改善放大电路的多方面性能是由于将电路的输出量引回到输入端与输入量进行比较，从而随时对输出量进行调整。 15、在实际应用的放大电路中很少引人负反馈。 三、计算题（1题12分，2题13分，3题15分，共40分） 1、设计一反相加法器，使其输出电压V0= -7V i1+14V i2+3.5V i3+10V i4），允许使用的最大电阻为280kΩ，求各支路电阻。
数字电子技术基础试卷及答案套
数字电子技术基础1 一．1．（1５分） 试根据图示输入信号波形分别画出各电路相应的输出信号波形L1、L2、L3、L4、和L5。设各触发器初态为“0”。 二．（15分） 已知由八选一数据选择器组成的逻辑电路如下所示。试按步骤分析该电路在M1、M2取不同值时（M1、M2取值情况如下表所示）输出F的逻辑表达式。 八选一数据选择器输出端逻辑表达式为：Y=Σm i D i,其中m i是S2S1S0最小项。 三．（8分） 试按步骤设计一个组合逻辑电路，实现语句“A>B”，A、B均为两位二进制数，即A （A1、A0），B（B1、B0）。要求用三个3输入端与门和一个或门实现。 四．（12分） 试按步骤用74LS138和门电路产生如下多输出逻辑函数。 74LS138逻辑表达式和逻辑符号如下所示。 五．（15分） 已知同步计数器的时序波形如下图所示。试用维持-阻塞型D触发器实现该计数器。要求按步骤设计。 六．（18分） 按步骤完成下列两题 1．分析图5-1所示电路的逻辑功能：写出驱动方程，列出状态转换表，画出完全状态转换图和时序波形，说明电路能否自启动。 2．分析图5-2所示的计数器在M=0和M=1时各为几进制计数器，并画出状态转换图。 图5-1
图5-2 七． 八．（10分） 电路下如图所示，按要求完成下列问题。 1．指出虚线框T1中所示电路名称. 2．对应画出V C 、V 01、A 、B 、C 的波形。并计算出V 01波形的周期T=？。 数字电子技术基础2 一．（20分）电路如图所示，晶体管的β＝100,Vbe=0.7v 。 （1）求电路的静态工作点; （2） 画出微变等效电路图, 求Au 、r i 和r o ； （3）若电容Ce 开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？并定性说明变化趋势. 二．（15分）求图示电路中a U 、b U 、b U 、c U 及L I 。 三．（8分）逻辑单元电路符号和具有“0”、“1”逻辑电平输入信号X 1如下图所示，试分别画出各单元电路相应的电压输出信号波形Y 1、Y 2、Y 3。设各触发器初始状态为“0”态。 四．（8分）判断下面电路中的极间交流反馈的极性（要求在图上标出瞬时极性符号）。如为负反馈，则进一步指明反馈的组态。 （a ） （b ）
电工电子技术基础试题库(附有答案)
一、填空题 1．已知图中 U1＝2V， U2＝-8V，则U AB＝-10。 2．电路的三种工作状态是通路、断路、短路。 3．有三个6Ω的电阻，若把它们串联，等效电阻是 18 Ω；若把它们并联，等效电阻 2Ω；若两个并联后再与第三个串联，等效电阻是 9 Ω。 4．用电流表测量电流时，应把电流表串联在被测电路中；用电压表测量电压时，应把电压表与被测电路并联。 5．电路中任意一个闭合路径称为回路；三条或三条以上支路的交点称为节点。 6．电路如图所示，设U=12V、I=2A、R=6Ω，则U AB= -24 V。 7．直流电路如图所示，R1所消耗的功率为2W，则R2的阻值应为 2 Ω。 8．电路中电位的参考点发生变化后，其他各点的电位均发生变化。 9．在直流电路中，电感可以看作短路，电容可以看作断路。 9．我国工业交流电采用的标准频率是 50 Hz。 10．三相对称负载作三角形联接时，线电流I L与相电流I P间的关系是：I P＝3 I L。 11．电阻元件是耗能元件，电容元件是储能元件。 12．已知一正弦电压u=311sin(628t-60o)V，则其最大值为 311 V，频率为 100 Hz，初相位为 -60o。 13．在纯电阻交流电路中，已知电路端电压u=311sin(314t-60o)V，电阻R=10Ω，则电流I=22A,电压与电流的相位差φ= 0o，电阻消耗的功率P= 4840 W。 14．三角形联结的三相对称负载，若线电压为380 V，则相电压为 380 V；
若相电流为10 A ，则线电流为 17.32 A 。 15．式Q C =I 2X C 是表示电容元件在正弦电路中的 无功 功率计算公式。 16．正弦交流电压的最大值U m 与其有效值U 之比为 2 。 17．电感元件是一种储能元件，可将输入的电能转化为 磁场 能量储存起来。 18．若三相电动势依次达到最大值的次序为e 1—e 2—e 3，则称此种相序为 正序 。 19．在正弦交流电路中，电源的频率越高，电感元件的感抗越 大 。 20．已知正弦交流电压的有效值为200V ，频率为100Hz ，初相角为30o，则其瞬时值表达式u= 282.8sin （628t+30o） 。 21．正弦量的三要素是 最大值或有效值 、 频率 和 初相位 。 22．对称三相电源是指三个 幅值 相同、 频率 相同和 相位互差120o 的电动势电源。 23．电路有 通路 、 开路 和 短路 三种工作状态。当电路中电流0 R U I S 、端电压U ＝0时，此种状态称作 短路 ，这种情况下电源产生的功率全部消耗在 内阻 上。 24．表征正弦交流电振荡幅度的量是它的 最大值 ；表征正弦交流电随时间变化快慢程度的量是 角频率ω ；表征正弦交流电起始位置时的量称为它的 初相 。 25．在RLC 串联电路中，已知电流为5A ，电阻为30Ω，感抗为40Ω，容抗为80Ω，那么电路的阻抗为 50Ω ，该电路为 容 性电路。电路中吸收的有功功率为 750W ，吸收的无功功率为 1000var 。
模拟电子技术基础试题汇总附有答案.
模拟电子技术基础试题汇总 1.选择题 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 ( A )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( D ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0，则在静态时该三极管 处于( B ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。 ( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工 作点过高，容易产生
( B )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示，二极管导通电压U D＝0.7V，关于输出电压的说法正确的是( B )。 A：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为3.7V。 B：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为1V。 C：u I1=3V，u I2=3V时输出电压为5V。 D：只有当u I1=0.3V，u I2=0.3V时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可 能的原因是 。 A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高 C：基极电源+V BB电压变高D：基极回路电阻 R b变高。
8. 直流负反馈是指( C ) A. 存在于RC耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中，A为理想运放，则电路的输出电压约为( A ) A. －2.5V B. －5V C. －6.5V D. －7.5V 11. 在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输 入电压△υid为( B ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信 号源与低阻负载间接入 ( C )。 A. 共射电路 B. 共基电路