《电子技术基础》正式教案
电
子
技
术
基
础
教
案
§1-1 半导体的基础知识
目的与要求
1. 了解半导体的导电本质，
2. 理解N型半导体和P型半导体的概念
3. 掌握PN结的单向导电性
重点与难点
重点
1.N型半导体和P型半导体
2. PN结的单向导电性
难点
1.半导体的导电本质
2.PN结的形成
教学方法
讲授法,列举法,启发法
教具
二极管,三角尺
小结
半导体中载流子有扩散运动和漂移运动两种运动方式。载流子在电场作用下的定向运动称为漂移运动。在半导体中，如果载流子浓度分布不均匀，因为浓度差，载流子将会从浓度高的区域向浓度低的区域运动，这种运动称为扩散运动。
多数载流子因浓度上的差异而形成的运动称为扩散运动
PN结的单向导电性是指PN结外加正向电压时处于导通状态，外加反向电压时处于截止状态。
布置作业
1.什么叫N型半导体和P型半导体
第一章常用半导体器件
§1-1 半导体的基础知识
自然界中的物质，按其导电能力可分为三大类：导体、半导体和绝缘体。
半导体的特点：
①热敏性
②光敏性
③掺杂性
导体和绝缘体的导电原理：了解简介。
一、半导体的导电特性
半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间的物质，如硅(Si)、锗(Ge)。硅和锗是4价元素，原子的最外层轨道上有4个价电子。
1．热激发产生自由电子和空穴
每个原子周围有四个相邻的原子，原子之间通过共价键紧密结合在一起。两个相邻原子共用一对电子。室温下，由于热运动少数价电子挣脱共价键的束缚成为自由电子，同时在共价键中留下一个空位这个空位称为空穴。失去价电子的原子成为正离子，就好象空穴带正电荷一样。
在电子技术中，将空穴看成带正电荷的载流子。
2．空穴的运动（与自由电子的运动不同）
有了空穴，邻近共价键中的价电子很容易过来填补这个空穴，这样空穴便转移到邻近共价键中。新的空穴又会被邻近的价电子填补。带负电荷的价电子依次填补空穴的运动，从效果上看，相当于带正电荷的空穴作相反方向的运动。
3.结论
（1）半导体中存在两种载流子，一种是带负电的自由电子，另一种是带正电的空穴，它们都可以运载电荷形成电流。
（2）本征半导体中，自由电子和空穴相伴产生，数目相同。
（3）一定温度下，本征半导体中电子空穴对的产生与复合相对平衡，电子空穴对的数目相对稳定。
（4）温度升高，激发的电子空穴对数目增加，半导体的导电能力增强。
空穴的出现是半导体导电区别导体导电的一个主要特征。
二、N型半导体和P型半导体
本征半导体
完全纯净的、结构完整的半导体材料称为本征半导体。
杂质半导体
在本征半导体中加入微量杂质，可使其导电性能显著改变。根据掺入杂质的性质不同，杂质半导体分为两类：电子型（N型）半导体和空穴型（P型）半导体。
1. N型半导体
在硅（或锗）半导体晶体中，掺入微量的五价元素，如磷（P）、砷（As）等，则构成N型半导体。
在纯净半导体硅或锗中掺入磷、砷等5价元素，由于这类元素的原子最外层有5个价电子，故在构成的共价键结构中，由于存在多余的价电子而产生大量自由电子，这种半导体主要靠自由电子导电，称为电子半导体或N型半导体，其中自由电子为多数载流子，热激发形成的空穴
为少数载流子。
2.P型半导体
在硅（或锗）半导体晶体中，掺入微量的三价元素，如硼（B）、铟（In）等，则构成P型半导体。
在纯净半导体硅或锗中掺入硼、铝等3价元素，由于这类元素的原子最外层只有3个价电子，故在构成的共价键结构中，由于缺少价电子而形成大量空穴，这类掺杂后的半导体其导电作用主要靠空穴运动，称为空穴半导体或P型半导体，其中空穴为多数载流子，热激发形成的自由电子是少数载流子。
三、PN结及其单向导电性
1．PN结的形成
半导体中载流子有扩散运动和漂移运动两种运动方式。载流子在电场作用下的定向运动称为漂移运动。在半导体中，如果载流子浓度分布不均匀，因为浓度差，载流子将会从浓度高的区域向浓度低的区域运动，这种运动称为扩散运动。
多数载流子因浓度上的差异而形成的运动称为扩散运动，如图1.6所示。
图1.7 PN结的形成（1）
由于空穴和自由电子均是带电的粒子，所以扩散的结果使P区和N区原来的电中性被破坏，在交界面的两侧形成一个不能移动的带异性电荷的离子层，称此离子层为空间电荷区，这就是所谓的PN结，如图1.7所示。在空间电荷区，多数载流子已经扩散到对方并复合掉了，或者说消耗尽了，因此又称空间电荷区为耗尽层。
空间电荷区出现后，因为正负电荷的作用，将产生一个从N区指向P区的内电场。内电场的方向，会对多数载流子的扩散运动起阻碍作用。同时，内电场则可推动少数载流子（P区的自由电子和N区的空穴）越过空间电荷区，进入对方。少数载流子在内电场作用下有规则的运动称为漂移运动。漂移运动和扩散运动的方向相反。无外加电场时，通过PN结的扩散电流等于漂
P型半导体
N型半导体
＋
＋
＋
＋
＋
＋
＋
＋
＋
＋
＋
＋
移电流，PN结中无电流流过，PN结的宽度保持一定而处于稳定状态。
图1.8 PN结的形成（2）
2. PN结的单向导电性
如果在PN结两端加上不同极性的电压，PN结会呈现出不同的导电性能。
（1）PN结外加正向电压
PN结P端接高电位，N端接低电位，称PN结外加正向电压，又称PN结正向偏置，简称为正偏，
图1.9 PN结外加正向电压
（2）PN结外加反向电压
PN结P端接低电位，N端接高电位，称PN结外加反向电压，又称PN结反向偏置，简称为反偏，
图1.20 PN结外加反向电压
小结：PN结的单向导电性是指PN结外加正向电压时处于导通状态，外加反向电压时处于
截止状态。
§1-2 二极管
目的与要求
1. 了解半导体二极管的结构
2. 掌握半导体二极管的符号
3. 理解半导体二极管的伏安特性
4. 知道二极管的主要参数
重点与难点
重点 1.二极管的符号
2. 二极管的伏安特性
难点二极管的伏安特性
教学方法
讲授法,列举法,启发法
教具
二极管,三角尺
小结
外加正向电压较小时，外电场不足以克服内电场对多子扩散的阻力，PN结仍处于截止状态。
正向电压大于死区电压后，正向电流
随着正向电压增大迅速上升。通常死区电压硅管约为0.5V，锗管约为0.2V。当反向电压的值增大到U BR时，反向电压值稍有增大，反向电流会急剧增大，称此现象为反向击穿，U BR为反向击穿电压。
布置作业
§1-2 二极管
一、半导体二极管的结构
二极管的定义：一个PN结加上相应的电极引线并用管壳封装起来，就构成了半导体二极管，简称二极管。
二极管按半导体材料的不同可以分为硅二极管、锗二极管和砷化镓二极管等。
二极管按其结构不同可分为点接触型、面接触型和平面型二极管三类。
点接触型二极管PN结面积很小，结电容很小，多用于高频检波及脉冲数字电路中的开关元件。
面接触型二极管PN结面积大，结电容也小，多用在低频整流电路中。
平面型二极管PN结面积有大有小。
图1.11 二极管的符号
简单介绍常见的二极管的外型
了解国产二极管的型号的命名方法。
二、半导体二极管的伏安特性
1、正向特性
外加正向电压较小时，外电场不足以克服内电场对多子扩散的阻力，PN结仍处于截止状态。
正向电压大于死区电压后，正向电流
随着正向电压增大迅速上升。通常死区电压硅管约为0.5V，锗管约为0.2V。
图1.13 二极管的伏安特性曲线
2、反向特性
二极管外加反向电压时，电流和电压的关系称为二极管的反向特性。由图1.13可见，二极管外加反向电压时，反向电流很小（I≈-
IS），而且在相当宽的反向电压范围内，反向电流几乎不变，因此，称此电流值为二极管的反向饱和电流
从图1.13可见，当反向电压的值增大到U BR时，反向电压值稍有增大，反向电流会急剧增大，称此现象为反向击穿，U BR为反向击穿电压。利用二极管的反向击穿特性，可以做成稳压二极管，但一般的二极管不允许工作在反向击穿区。
补充：二极管的温度特性
二极管是对温度非常敏感的器件。实验表明，随温度升高，二极管的正向压降会减小，正向伏安特性左移，即二极管的正向压降具有负的温度系数（约为-
2mV/℃）；温度升高，反向饱和电流会增大，反向伏安特性下移，温度每升高10℃，反向电流大约增加一倍。
三、二极管的主要参数
（1）最大整流电流I F
最大整流电流IF是指二极管长期连续工作时，允许通过二极管的最大正向电流的平均值。
（2）反向击穿电压U BR
反向击穿电压是指二极管击穿时的电压值。
（3）反向饱和电流IS
它是指管子没有击穿时的反向电流值。其值愈小，说明二极管的单向导电性愈好。
另外
（4）反向击穿电压U B：指管子反向击穿时的电压值。
（5）最高工作频率fm：主要取决于PN结结电容的大小。
理想二极管：正向电阻为零，正向导通时为短路特性，正向压降忽略不计；反向电阻为无
穷大，反向截止时为开路特性，反向漏电流忽略不计。
四、二极管极性的判定
将红、黑表笔分别接二极管的两个电极，若测得的电阻值很小（几千欧以下），则黑表笔所接电极为二极管正极，红表笔所接电极为二极管的负极；若测得的阻值很大（几百千欧以上），则黑表笔所接电极为二极管负极，红表笔所接电极为二极管的正极。
五、二极管好坏的判定
（1）若测得的反向电阻很大（几百千欧以上），正向电阻很小（几千欧以下），表明二极管性能良好。
（2）若测得的反向电阻和正向电阻都很小，表明二极管短路，已损坏。
（3）若测得的反向电阻和正向电阻都很大，表明二极管断路，已损坏。
补充：特殊二极管
1.稳压二极管
2.发光二极管LED
3.光电二极管
4.变容二极管
5.激光二极管
§1-3 三极管
目的与要求
1. 了解三极管的结构及类型
2. 掌握半导体三极管的符号
3. 理解半导体三极管的伏安特性及电流放大作用
4. 知道三极管的主要参数和检测方法
重点与难点
重点 1.三极管的符号
2. 三极管的伏安特性曲线
难点三极管的伏安特性曲线
教学方法
讲授法,列举法,启发法 教具
二极管,三极管，三角尺 小结
放大区
输出特性曲线近似平坦的区域称为放大区。三极管工作在放大状态时，具有以下特点： （a ）三极管的发射结正向偏置，集电结反向偏置；
（b ）基极电流I B 微小的变化会引起集电极电流I C 较大的变化，有电流关系式：I C =βI B ；
（c ）对NPN 型的三极管，有电位关系：U C >U B >U E ；
（d ）对NPN 型硅三极管，有发射结电压U BE ≈0.7V ；对NPN 型锗三极管，有U BE ≈0.2V 。 布置作业
§1-3 三 极 管
一、三极管的结构、符号及类型 1. 三极管的结构及符号
半导体三极管又称晶体三极管（下称三极管），一般简称晶体管，或双极型晶体管。它是通过一定的制作工艺，将两个PN 结结合在一起的器件，两个PN 结相互作用，使三极管成为一个具有控制电流作用的半导体器件。三极管可以用来放大微弱的信号和作为无触点开关。
三极管从结构上来讲分为两类：NPN 型三极管和PNP 型三极管
三极管的文字符号为V 。 三极管的结构特点：
三极管制作时，通常它们的基区做得很薄（几微米到几十微米），且掺杂浓度低；发射区的杂质浓度则比较高；集电区的面积则比发射区做得大，这是三极管实现电流放大的内部条件。
B C
E B 集电区基区发射区
B 集电区基区发射区
C
E B
2．三极管的类型
（1）国产三极管的型号，见P10-表1-3
（2）三极管的分类：
三极管可以是由半导体硅材料制成，称为硅三极管；也可以由锗材料制成，称为锗三极管。
三极管从应用的角度讲，种类很多。根据工作频率分为高频管、低频管和开关管；根据工作功率分为大功率管、中功率管和小功率管。常见的三极管外形如图P10-1.13所示。
二、三极管的电流放大作用
1、产生放大作用的条件
内部：a）发射区杂质浓度>>基区>>集电区
b）基区很薄
外部：发射结正偏，集电结反偏
图1.14 三极管的工作电压电路
2、三极管的电流分配及放大关系
I E = I C + I B
I E≈ I C
I C = βI B
三、三极管的特性曲线
三极管的特性曲线是指三极管的各电极电压与电流之间的关系曲线，它反映出三极管的特性。它可以用专用的图示仪进行显示，也可通过实验测量得到。
1、输入特性曲线
它是指一定集电极和发射极电压UCE下，三极管的基极电流IB与发射结电压UBE之间的关系曲线。
简单分析曲线规律。
硅管的死区电压约0.5V ，锗管的死区电压约0.3V ，三极管处于放大状态时，硅管的U BE 约0.7V ，锗管的U BE 约0.3V 。
2．输出特性曲线
三极管的输出特性曲线是指一定基极电流I B 下，三极管的集电极电流I C 与集电结电压U CE 之间的关系曲线。
一般把三极管的输出特性分为3个工作区域，下面分别介绍。
① 截止区
三极管工作在截止状态时，具有以下几个特点： （a ）发射结和集电结均反向偏置；
（b ）若不计穿透电流I CEO ，有I B 、I C 近似为0；
（c ）三极管的集电极和发射极之间电阻很大，三极管相当于一个开关断开。
② 放大区
输出特性曲线近似平坦的区域称为放大区。三极管工作在放大状态时，具有以下特点： （a ）三极管的发射结正向偏置，集电结反向偏置；
（b ）基极电流I B 微小的变化会引起集电极电流I C 较大的变化，有电流关系式：I C =βI B ；
（c ）对NPN 型的三极管，有电位关系：U C >U B >U E ；
（d ）对NPN 型硅三极管，有发射结电压U BE ≈0.7V ；对NPN 型锗三极管，有U BE ≈0.2V 。 ③ 饱和区
三极管工作在饱和状态时具有如下特点： （a ）三极管的发射结和集电结均正向偏置； （b ）三极管的电流放大能力下降，通常有I C <βI B ；
（c ）U CE 的值很小，称此时的电压U CE 为三极管的饱和压降，用U CES 表示。一般硅三极管
CE /V
的U CES约为0.3V，锗三极管的U CES约为0.1V；
（d）三极管的集电极和发射极近似短接，三极管类似于一个开关导通。
三极管作为开关使用时，通常工作在截止和饱和导通状态；作为放大元件使用时，一般要工作在放大状态。
四、三极管的主要参数
三极管的参数有很多，如电流放大系数、反向电流、耗散功率、集电极最大电流、最大反向电压等，这些参数可以通过查半导体手册来得到。
（1）共发射极电流放大系数β和β
它是指从基极输入信号，从集电极输出信号，此种接法（共发射极）下的电流放大系数。
（2）极间反向电流
①集电极基极间的反向饱和电流I CBO
②集电极发射极间的穿透电流I CEO
（3）极限参数
①集电极最大允许电流I CM
②集电极最大允许功率损耗P CM
③反向击穿电压
五、三极管的检测
1.已知型号和管脚排列的三极管，判断其性能的好坏
（1）测量极间电阻
（2）三极管穿透电流ICEO大小的判断
（3）电流放大系数β的估计
2.判别三极管的管脚
（1）判定基极和管型
（2）判定集电极c和发射极e
图1.CK 判别三极管c、e电极的原理图
§1.4 场效应管
目的与要求
1. 了解场效应管的结构及工作原理
2. 掌握场效应管的分类和符号
3. 了解场效应管的转移特性曲线及输出特性曲线
4. 知道场效应管的主要参数
重点与难点
重点场效应管的分类和符号
难点场效应管的转移特性曲线及输出特性曲线
教学方法
讲授法,列举法,启发法
教具
三极管，三角尺
小结
结型场效应管分为N沟道结型管和P沟道结型管，它们都具有3个电极：栅极、源极和漏极，分别与三极管的基极、发射极和集电极相对应。
绝缘栅场效应管分为增强型和耗尽型两种，每一种又包括N沟道和P沟道两种类型。
场效应管的主要参数
①夹断电压（U P）
②开启电压(U T)
③饱和漏极电流I DSS
④最大漏源击穿电压（U（BR）DS）
⑤跨导（g m）
布置作业
§1.4 场效应管
场效应管则是一种电压控制器件，它是利用电场效应来控制其电流的大小，从而实现放大。场效应管工作时，内部参与导电的只有多子一种载流子，因此又称为单极性器件。
根据结构不同，场效应管分为两大类，结型场效应管和绝缘栅场效应管。
一、结型场效应管
结型场效应管分为N沟道结型管和P沟道结型管，它们都具有3个电极：栅极、源极和漏极，分别与三极管的基极、发射极和集电极相对应。
1.结型场效应管的结构与符号
图1.23所示为N沟道结型场效应管的结构与符号，结型场效应管符号中的箭头，表示由P区指向N区。
图1.23 N沟道结型管的结构与符号
P沟道结型场效应管的构成与N沟道类似，只是所用杂质半导体的类型要反过来。图1.39所示为P沟道结型场效应管的结构与符号
图1.23 P沟道结型管的结构与符号
2.结型场效应管的工作原理
以N沟道结型场效应管为例，参考P16图1-24.
（1）当栅源电压UGS=0时，两个PN结的耗尽层比较窄，中间的N型导电沟道比较宽，沟道电阻小。
（2）当UGS<0时，两个PN结反向偏置，PN结的耗尽层变宽，中间的N型导电沟道相应变窄，沟道导通电阻增大。
（3）当UP
U DS的存在，使得漏极附近的电位高，而源极附近的电位低，即沿N型导电沟道从漏极到源极形成一定的电位梯度，这样靠近漏极附近的PN结所加的反向偏置电压大，耗尽层宽；靠近源极附近的PN结反偏电压小，耗尽层窄，导电沟道成为一个楔形。
注意，为实现场效应管栅源电压对漏极电流的控制作用，结型场效应管在工作时，栅极和源极之间的PN结必须反向偏置。
3.结型场效应管的特性曲线
（1）转移特性曲线
在场效应管的U DS一定时，I D与U GS之间的关系曲线称为场效应管的转移特性曲线，如图1.2 5所示。它反映了场效应管栅源电压对漏极电流的控制作用。
图1.25 N沟道结型场效应管的转移特性曲线
图1.25 N沟道结型场效应管的输出特性曲线
当U GS=0时，导电沟道电阻最小，I D最大，称此电流为场效应管的饱和漏极电流I DSS。
当U GS=U P时，导电沟道被完全夹断，沟道电阻最大，此时I D=0，称U P为夹断电压。
（2）输出特性曲线
输出特性曲线是指栅源电压U GS一定时，漏极电流I D与漏源电压U DS之间的关系曲线。
场效应管的输出特性曲线可分为四个区域：
可变电阻区
恒流区
截止区（夹断区）
击穿区
二、绝缘栅场效应管
绝缘栅场效应管是由金属（Metal）、氧化物（Oxide）和半导体（Semiconductor）材料构成的，因此又叫MOS管。
绝缘栅场效应管分为增强型和耗尽型两种，每一种又包括N沟道和P沟道两种类型
补充：耗尽型：U GS=0时漏、源极之间已经存在原始导电沟道。
增强型：U GS=0时漏、源极之间才能形成导电沟道。
无论是N沟道MOS管还是P沟道MOS管，都只有一种载流子导电，均为单极型电压
控制器件。
MOS管的栅极电流几乎为零，输入电阻R GS很高。
1、结构与符号
以N沟道增强型MOS管为例，它是以P型半导体作为衬底，用半导体工艺技术制作两个高浓度的N型区，两个N型区分别引出一个金属电极，作为MOS管的源极S和漏极D；在P形衬底的表面生长一层很薄的SiO
2绝缘层，绝缘层上引出一个金属电极称为MOS管的栅极G。B为从衬底引出的金属电极，一般工作时衬底与源极相连。
图1.26 N沟道增强型MOS管的结构与符号
符号中的箭头表示从P区（衬底）指向N区（N沟道），虚线表示增强型。
2、N沟道增强型MOS管的工作原理
如P18图1.27所示，在栅极G和源极S之间加电压U GS，漏极D和源极S之间加电压U DS，衬底B与源极S相连。
形成导电沟道所需要的最小栅源电压U GS，称为开启电压U T。
3、特性曲线
（1）转移特性曲线
（2）输出特性（漏极特性）曲线
图1.28 N沟道增强型MOS管的转移特性曲线
图1.28 N沟道增强型MOS管的输出特性曲线
三、场效应管的主要参数
①夹断电压（U P）
②开启电压(U T)
③饱和漏极电流I DSS
④最大漏源击穿电压（U（BR）DS）
⑤跨导（g m）
四、场效应管应注意的事项
（1）选用场效应管时，不能超过其极限参数。
（2）结型场效应管的源极和漏极可以互换。
（3）MOS管有3个引脚时，表明衬底已经与源极连在一起，漏极和源极不能互换；有4个引脚时，源极和漏极可以互换。
（4）MOS管的输入电阻高，容易造成因感应电荷泄放不掉而使栅极击穿永久失效。因此，在存放MOS管时，要将3个电极引线短接；焊接时，电烙铁的外壳要良好接地，并按漏极、源极、栅极的顺序进行焊接，而拆卸时则按相反顺序进行；测试时，测量仪器和电路本身都要良好接地，要先接好电路再去除电极之间的短接。测试结束后，要先短接电极再撤除仪器。
（5）电源没有关时，绝对不能把场效应管直接插入到电路板中或从电路板中拔出来。
（6）相同沟道的结型场效应管和耗尽型MOS场效应管，在相同电路中可以通用。
第5节其他半导体器件简单介绍，了解。
§2.1 基本共射极放大电路目的与要求
1. 掌握共射极放大电路组成
2. 了解共射极放大电路的工作原理及性能特点
3. 知道共射极放大电路中各元件的作用
重点与难点
重点共射极放大电路组成
难点共射极放大电路的工作原理
教学方法
讲授法,列举法,启发法
教具
三极管，三角尺
小结
电路中各元件的作用如下。
（1）三极管
（2）隔直耦合电容C1和C2
（3）基极回路电源UBB和基极偏置电阻Rb
（4）集电极电源U CC
（5）集电极负载电阻Rc
布置作业
第二章常用放大器
2.1 基本共射极放大电路
一、三极管在放大电路中的三种连接方式
《电子技术基础》正式教案
电 子 技 术 基 础 教 案 §1-1 半导体的基础知识
目的与要求 1. 了解半导体的导电本质， 2. 理解N型半导体和P型半导体的概念 3. 掌握PN结的单向导电性 重点与难点 重点 1.N型半导体和P型半导体 2. PN结的单向导电性 难点 1.半导体的导电本质 2.PN结的形成 教学方法 讲授法,列举法,启发法 教具 二极管,三角尺 小结 半导体中载流子有扩散运动和漂移运动两种运动方式。载流子在电场作用下的定向运动称为漂移运动。在半导体中，如果载流子浓度分布不均匀，因为浓度差，载流子将会从浓度高的区域向浓度低的区域运动，这种运动称为扩散运动。 多数载流子因浓度上的差异而形成的运动称为扩散运动 PN结的单向导电性是指PN结外加正向电压时处于导通状态，外加反向电压时处于截止状态。 布置作业 1.什么叫N型半导体和P型半导体 第一章常用半导体器件 §1-1 半导体的基础知识 自然界中的物质，按其导电能力可分为三大类：导体、半导体和绝缘体。 半导体的特点： ①热敏性 ②光敏性 ③掺杂性 导体和绝缘体的导电原理：了解简介。
一、半导体的导电特性 半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间的物质，如硅(Si)、锗(Ge)。硅和锗是4价元素，原子的最外层轨道上有4个价电子。 1．热激发产生自由电子和空穴 每个原子周围有四个相邻的原子，原子之间通过共价键紧密结合在一起。两个相邻原子共用一对电子。室温下，由于热运动少数价电子挣脱共价键的束缚成为自由电子，同时在共价键中留下一个空位这个空位称为空穴。失去价电子的原子成为正离子，就好象空穴带正电荷一样。 在电子技术中，将空穴看成带正电荷的载流子。 2．空穴的运动（与自由电子的运动不同） 有了空穴，邻近共价键中的价电子很容易过来填补这个空穴，这样空穴便转移到邻近共价键中。新的空穴又会被邻近的价电子填补。带负电荷的价电子依次填补空穴的运动，从效果上看，相当于带正电荷的空穴作相反方向的运动。 3.结论 （1）半导体中存在两种载流子，一种是带负电的自由电子，另一种是带正电的空穴，它们都可以运载电荷形成电流。 （2）本征半导体中，自由电子和空穴相伴产生，数目相同。 （3）一定温度下，本征半导体中电子空穴对的产生与复合相对平衡，电子空穴对的数目相对稳定。 （4）温度升高，激发的电子空穴对数目增加，半导体的导电能力增强。 空穴的出现是半导体导电区别导体导电的一个主要特征。 二、N型半导体和P型半导体 本征半导体 完全纯净的、结构完整的半导体材料称为本征半导体。 杂质半导体 在本征半导体中加入微量杂质，可使其导电性能显著改变。根据掺入杂质的性质不同，杂质半导体分为两类：电子型（N型）半导体和空穴型（P型）半导体。 1. N型半导体 在硅（或锗）半导体晶体中，掺入微量的五价元素，如磷（P）、砷（As）等，则构成N型半导体。 在纯净半导体硅或锗中掺入磷、砷等5价元素，由于这类元素的原子最外层有5个价电子，故在构成的共价键结构中，由于存在多余的价电子而产生大量自由电子，这种半导体主要靠自由电子导电，称为电子半导体或N型半导体，其中自由电子为多数载流子，热激发形成的空穴
电子技术基础l练习习题答案(1)
第1章检测题（共100分，120分钟） 一、填空题：（每空0.5分，共25分） 1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为自由电子，少数载流子为空穴，不能移动的杂质离子带正电。P 型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为空穴，少数载流子为自由电子，不能移动的杂质离子带负电。 2、三极管的内部结构是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结组成的。三极管对外引出的电极分别是发射极、基极和集电极。 3、PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向相反，有利于多数载流子的 扩散运动而不利于少数载流子的漂移；PN结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向一致，有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散，这种情况下的电流称为反向饱和电流。 4、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子由P向N区进行扩散，N 型半导体中的多数载流子由N向P区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区，其方向由N区指向P区。空间电荷区的建立，对多数载流子的扩散起削弱作用，对少子的漂移起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时，PN结形成。 5、检测二极管极性时，需用万用表欧姆挡的R×1K档位，当检测时表针偏转度较大时，与红表棒相接触的电极是二极管的阴极；与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。检测二极管好坏时，两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时，说明二极管已经被击穿；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经绝缘老化。 7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管，正常工作应在特性曲线的反向击穿区。 二、判断正误：（每小题1分，共10分） 1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。（错） 2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。（对） 3、用万用表测试晶体管时，选择欧姆档R×10K档位。（错） 4、PN结正向偏置时，其内外电场方向一致。（PN结反向偏置时，其内外电场方向一致）（错） 5、无论在任何情况下，三极管都具有电流放大能力。
电工电子技术基础-在线作业-
电工电子技术基础_在线作业_5 交卷时间：2017-01-16 13:54:47 考试成绩100分 一、单选题 1. (5分)555集成定时器内部属于（）电路。 ? A. 模拟 ? B. 模拟和数字 ? C. 数字 ? D. 分立元件 纠错 得分：5 知识点：电工电子技术基础 展开解析 答案B 解析 2. (5分)74290的控制信号R9(1)、R9(2)均为高电平时，计数器的输出为（）。
? A. 0 0 0 0 ? B. 1 0 0 1 ? C. 1 1 1 1 ? D. 1 0 0 0 纠错 得分：5 知识点：电工电子技术基础展开解析 答案B 解析 3. (5分) ? A. 串联电 压负反馈 ? B. 并联电流负反馈 ? C. 串联电流负反馈 纠错 得分：5 知识点：电工电子技术基础 展开解析 某测量放大电路，欲提高输入电阻、稳定输出电流，应引入（）。
答案C 解析 4. (5分)为了提高电感性负载的功率因数，可以采用与电感性负载串联电容的办法。（） ? A. 对 ? B. 错 纠错 得分：5 知识点：电工电子技术基础 展开解析 答案B 解析 5. (5分)恒流源的端口电压不会随负载的变化而变化，但恒流源的端口电流却会随负载的变化而变化。（） ? A. 对 ? B. 错 纠错 得分：5
知识点：电工电子技术基础 展开解析 答案B 解析 6. (5分)可以表示为（）。 ? A. ? B. ? C. ? D. 纠错 得分：5 知识点：电工电子技术基础 展开解析 答案D 解析 7. (5分)555集成定时器内部3个电阻的作用是（）。 ? A. 加压 ? B. 充电
电子技术基础习题带答案
【理论测验】 一、单项选择题： 1．不属于对助焊剂的要求的是（C ） A、常温下必须稳定，熔点应低于焊料 B、在焊接过程中具有较高的活化性，较低的表面张力，粘度和比重应小于焊料 C、绝缘差、无腐蚀性、残留物无副作用，焊接后的残留物难清洗 D、不产生有刺激性的气味和有害气体，熔化时不产生飞溅或飞沫 2．松香酒精溶液的松香和酒精的比例为（B ） A、1：3 B、3：1 C、任何比例均可 3．烙铁头按照材料分为合金头和纯铜头，使用寿命长的烙铁头是（ A ） A、合金头 B、纯铜头 4．焊接一般电容器时，应选用的电烙铁是（ A ） A、20W内热式 B、35W内热式 C、60W外热式 D、100W外热式5．150W外热式电烙铁采用的握法是（ B ） A、正握法 B、反握法 C、握笔法 6．印刷电路板的装焊顺序正确的是（C ） A、二极管、三极管、电阻器、电容器、集成电路、大功率管，其它元器件是先小后大。 B、电阻器、电容器、二极管、三极管、集成电路、大功率管，其它元器件是先大后小。 C、电阻器、电容器、二极管、三极管、集成电路、大功率管，其它元器件是先小后大。 D、电阻器、二极管、三极管、电容器、集成电路、大功率管，其它元器件是先大后小。7．在更换元器件时就需要拆焊，属于拆焊用的工具的是（A ） A、电烙铁、铜纺织线、镊子 B、电烙铁、铜纺织线、螺丝刀 C、电烙铁、镊子、螺丝刀 D、铜纺织线、镊子、螺丝刀 二、多项选择题 1．焊点出现弯曲的尖角是由于（AB ） A、焊接时间过长，烙铁撤离方向不当 B、焊剂太多，烙铁撤离方向不当 C、电烙铁功率太大造成的 D、电烙铁功率太小造成的 2．焊接一只低频小功率三极管应选用的电烙铁是（A ） A、20W内热式 B、35W内热式 C、50W外热式 D、75W外热式 ３．75W外热式电烙铁（B ） A、一般做成直头，使用时采用握笔法 B、一般做成弯头，使用时采用正握法 C、一般做成弯头，使用时采用反握法 D、一般做成直头，使用时采用正握法４．下列电烙铁适合用反握法的是（ D ） A、20W B、35W C、60W D、150W ５．20W内热式电烙铁主要用于焊接（ D ） A、8W以上电阻 B、大电解电容器 C、集成电路 D、以上答案都不对６．焊点表面粗糙不光滑（ B ） A、电烙铁功率太大或焊接时间过长 B、电烙铁功率太小或焊丝撤离过早 C、焊剂太多造成的 D、焊剂太少造成的 ７．电烙铁“烧死”是指（ C ） A、烙铁头不再发热 B、烙铁头粘锡量很多，温度很高 C、烙铁头氧化发黑，烙铁不再粘锡 D、烙铁头内电热丝烧断，不再发热
模拟电子技术基础教案
《模拟电子技术基础》教案 1、本课程教学目的： 本课程是电气信息类专业的主要技术基础课。其目的与任务是使学生掌握常用半导体器件和典型集成运放的特性与参数，掌握基本放大、负反馈放大、集成运放应用等低频电子线路的组成、工作原理、性能特点、基本分析方法和工程计算方法；使学生具有一定的实践技能和应用能力；培养学生分析问题和解决问题的能力，为后续课程和深入学习这方面的内容打好基础。 2、本课程教学要求： 1．掌握半导体器件的工作原理、外部特性、主要参数、等效电路、分析方法及应用原理。 2．掌握共射、共集、共基、差分、电流源、互补输出级六种基本电路的组成、工作原理、特点及分析，熟悉改进放大电路，理解多级放大电路的耦合方式及分析方法，理解场效应管放大电路的工作原理及分析方法，理解放大电路的频率特性概念及分析。 3．掌握反馈的基本概念和反馈类型的判断方法，理解负反馈对放大电路性能的影响，熟练掌握深度负反馈条件下闭环增益的近似估算，了解负反馈放大电路产生自激振荡的条件及其消除原则。 4．了解集成运算放大器的组成和典型电路，理解理想运放的概念，熟练掌握集成运放的线性和非线性应用原理及典型电路；掌握一般直流电源的组成，理解整流、滤波、稳压的工作原理，了解电路主要指标的估算。
3、使用的教材： 杨栓科编，《模拟电子技术基础》，高教出版社 主要参考书目： 康华光编，《电子技术基础》（模拟部分）第四版，高教出版社 童诗白编，《模拟电子技术基础》，高等教育出版社， 张凤言编，《电子电路基础》第二版，高教出版社， 谢嘉奎编，《电子线路》（线性部分）第四版，高教出版社， 陈大钦编，《模拟电子技术基础问答、例题、试题》，华中理工大学出版社，唐竞新编，《模拟电子技术基础解题指南》，清华大学出版社， 孙肖子编，《电子线路辅导》，西安电子科技大学出版社， 谢自美编，《电子线路设计、实验、测试》（二），华中理工大学出版社， 绪论 本章的教学目标和要求： 要求学生了解放大电路的基本知识；要求了解放大电路的分类及主要性能指标。 本章总体教学内容和学时安排：（采用多媒体教学） §1－1 电子系统与信号0.5 §1－2 放大电路的基本知识0.5
数字电子技术基础1答案
数字电子技术基础 模拟卷1 一、单项选择题 1、将十进制数56转换成8421BCD 码应是： （D ） A 、（56）10= （0011 1000）8421BCD B 、（56）10= （0011 1001）8421BCD C 、（56）10= （0101 1000）8421BCD D 、（56）10= （0101 0110）8421BCD 2、使晶体三极管工作于饱和区的电压条件是： （C ） A 、发射结正偏，集电结反偏 B 、发射结反偏，集电结反偏 C 、发射结正偏，集电结正偏 D 、发射结反偏，集电结正偏 3、只有当两个输入变量的取值相同时，输出才为1，否则输出为0，这种逻辑关系叫做： （A ） A 、同或 B 、与非 C 、异或 D 、或非 4、在功能表中×的含义是： （ D ） A 、表示高电平 B 、表示低电平 C 、高低电平都不可以 D 、高低电平都可以 5、下列4个电路中能实现AB L 逻辑关系的是： （ C ） A A ≥1 & B B B A L 1 L =1 B A =1 A B C D 6、TTL 门电路理论上的逻辑低电平为： （ B ） A 、0V B 、0.3V C 、1.4V D 、1.8V 7、下列电路中不属于时序逻辑电路的是： （B ） A 、移位寄存器 B 、译码器 C 、随机存取存储器 D 、计数器 8、下列电路中无需外加触发信号就能自动产生方波信号的电路是： （ A ） A 、多谐振荡器 B 、单稳态触发器 C 、施密特触发器 D 、RS 触发器 9、下面对时序逻辑电路的描述不正确的是： （A ） A 、时序电路中任一时刻的输出信号仅取决于该时刻的输入信号。 B 、时序电路包含组合电路和存储电路两部分。 C 、时序电路中的存储电路是要记忆以前的状态，存储电路可由触发器组成。 D 、时序电路一般分为两大类：同步时序电路和异步时序电路
电工电子技术基础-在线作业_C
电工电子技术基础-在线作业_C最终成绩：100.0 一单项选择题 1. 字符“A”的ASCII码为（）。 1000100 1000001 0001100 1001000 本题分值： 5.0 用户得分： 5.0 用户解答： 1000001 知识点： 2. 逻辑变量的取值，1比0大。（）。 错 对 本题分值： 5.0 用户得分： 5.0 用户解答：对 知识点： 3. 异或函数与同或函数在逻辑上互为反函数。（） 对 错 本题分值： 5.0 用户得分： 5.0 用户解答：对 知识点： 4. 的逻辑表达式为（）。
本题分值： 5.0 用户得分： 5.0 用户解答： 知识点： 5. 上图电路的逻辑表达式为（）。 本题分值： 5.0 用户得分： 5.0 用户解答： 知识点： 6. 若两个函数具有相同的真值表，则两个逻辑函数必然相等。（） 错 对 本题分值： 5.0 用户得分： 5.0 用户解答：对 知识点： 7. 若两个函数具有不同的逻辑函数式，则两个逻辑函数必然不相等。（） 错
本题分值： 5.0 用户得分： 5.0 用户解答：错 知识点： 8. 上图是一位（）电路符号。 全加器 译码器 半加器 编码器 本题分值： 5.0 用户得分： 5.0 用户解答：全加器 知识点： 9. “竞争-冒险”现象是由于门电路出现互补输入信号的缘故。（） 错 对 本题分值： 5.0 用户得分： 5.0 用户解答：对 知识点： 10. 时序逻辑电路的输出（）。 与电路的上一个状态无关 只与输入信号有关 与电路的上一个状态有关 与输入信号无关 本题分值： 5.0 用户得分： 5.0 用户解答：与电路的上一个状态有关
《数字电子技术基础》课后习题答案
《数字电路与逻辑设计》作业 教材：《数字电子技术基础》 （高等教育出版社，第2版，2012年第7次印刷）第一章： 自测题： 一、 1、小规模集成电路，中规模集成电路，大规模集成电路，超大规模集成电路 5、各位权系数之和，179 9、01100101，01100101，01100110； 11100101，10011010，10011011 二、 1、× 8、√ 10、× 三、 1、A 4、B 练习题： 1.3、解： (1) 十六进制转二进制： 4 5 C 0100 0101 1100 二进制转八进制：010 001 011 100 2 1 3 4 十六进制转十进制：(45C)16=4*162+5*161+12*160=(1116)10 所以：(45C)16=(10001011100)2=(2134)8=(1116)10 (2) 十六进制转二进制： 6 D E . C 8 0110 1101 1110 . 1100 1000 二进制转八进制：011 011 011 110 . 110 010 000 3 3 3 6 . 6 2 十六进制转十进制：(6DE.C8)16=6*162+13*161+14*160+13*16-1+8*16-2=(1758.78125)10 所以：(6DE.C8)16=(011011011110. 11001000)2=(3336.62)8=(1758.78125)10
(3) 十六进制转二进制：8 F E . F D 1000 1111 1110. 1111 1101二进制转八进制：100 011 111 110 . 111 111 010 4 3 7 6 . 7 7 2 十六进制转十进制： (8FE.FD)16=8*162+15*161+14*160+15*16-1+13*16-2=(2302.98828125)10 所以：(8FE.FD)16=(100011111110.11111101)2=(437 6.772)8=(2302.98828125)10 (4) 十六进制转二进制：7 9 E . F D 0111 1001 1110 . 1111 1101二进制转八进制：011 110 011 110 . 111 111 010 3 6 3 6 . 7 7 2 十六进制转十进制： (79E.FD)16=7*162+9*161+14*160+15*16-1+13*16-2=(1950. 98828125)10 所以：(8FE.FD)16=(011110011110.11111101)2=(3636.772)8=(1950.98828125)10 1.5、解： (74)10 =(0111 0100)8421BCD=(1010 0111)余3BCD (45.36)10 =(0100 0101.0011 0110)8421BCD=(0111 1000.0110 1001 )余3BCD (136.45)10 =(0001 0011 0110.0100 0101)8421BCD=(0100 0110 1001.0111 1000 )余3BCD (374.51)10 =(0011 0111 0100.0101 0001)8421BCD=(0110 1010 0111.1000 0100)余3BCD 1.8、解 （1）(+35)=(0 100011)原= (0 100011)补 （2）(+56 )=(0 111000)原= (0 111000)补 （3）(-26)=(1 11010)原= (1 11101)补 （4）(-67)=(1 1000011)原= (1 1000110)补
《电子技术基础》教案
《电子技术基础》教案 适用学时：前60（54）学时 编写日期：2006年2月1日
§绪言 学时：1学时 教学内容 一、电子技术基础课的性质 电子技术研究怎样通过各种半导体管以及由它们组成的电路将微弱电信号进行放大、变换或重新组合，然后应用到各个领域。 电子技术基础课主要介绍半导体器件的结构、工作原理和功能等，进而说明各种基本电路的应用范围、效率和形式。 二、电子技术基础课程的内容 1、半导体器件 二极管、三极管、场效应管等是最常用的半导体器件，本书重点介绍二极管、三极管、场效应管的结构、工作原理、特性和主要参数，以及它们的简单检测方法。 2、放大和振荡电路 放大电路的放大功能是电子技术的重要理论依据。 3、集成运算放大器 4、直流电源 5、晶闸管电路 6、门电路及组合逻辑电路 7、触发器和时序电路 三、课程目的和学习方法 “电子技术基础”虽然是专业理论基础，但它具有很强的实践性。 §第一章常用半导体器件 第一节半导体的基本知识 学时：1学时 教学要求： 1．了解半导体的一般概念 2．理解半导体的导电机理与导电特性 3．理解掺杂半导体的产生及导电类型 4．了解PN结的概念 5．理解PN结形成的原理及PN结的单向导电性 教学内容 一、半导体的导电特性
（a ）硅和锗原子的简化结构模型 (b)晶体的共价键结构及电子空穴对的产生 图 1.1硅、锗原子结构模型及共价键结构示意图 二、N 型和P 型半导体 1、N 型半导体 在本征半导体中参入微量五价元素的杂质形成的半导体，其共价键结构如图1.2所示。常用的三价元素的杂质有磷、砷和锑等。 图1.2 N 2、P 型半导体 在本征半导体中参入微量三价元素的杂质形成的半导体，其共价键结构如图1.3所示。常用的三价元素的杂质有硼、铟等。 图1.3 P 三、PN 结及其单向导电性 1、PN 结的形成 所示。
完整版数字电子技术基础1
、单项选择题 1、将十进制数56转换成8421BCD 码应是: 2、使晶体三极管工作于饱和区的电压条件是: 系叫做: 6、TTL 门电路理论上的逻辑低电平为: 7、下列电路中不属于时序逻辑电路的是: &下列电路中无需外加触发信号就能自动产生方波信号的电路是: A 、多谐振荡器 B 、单稳态触发器 C 、施密特触发器 9、下面对时序逻辑电路的描述不正确的是: A 、时序电路中任一时刻的输出信号仅取决于该时刻的输入信号。 数字电子技术基础 模拟卷1 A 、(56) 10= ( 0011 1000 8421BCD B 、 (56) 10= ( 0011 1001) 8421BCD C 、(56) 10= ( 0101 1000) 8421BCD D 、 (56) 10= ( 0101 0110) 8421BCD A 、发射结正偏，集电结反偏 B 、发射结反偏，集电结反偏 C 、发射结正偏，集电结正偏 D 、发射结反偏，集电结正偏 3、只有当两个输入变量的取值相同时, 输出才为 1,否则输出为0,这种逻辑关 A 、同或 B 、与非 C 、异或 D 、或非 4、 在功能表中刈勺含义是: A 、表示高电平 B 、表示低电平 C 、咼低电平都不可以 D 、咼低电平都可以 5、 下列4个电路中能实现L AB 逻辑关系的是: >1 =1 >1 =1 D- A 、0V B 、0.3V C 、1.4V D 、1.8V A 、移位寄存器 B 、译码器 C 、随机存取存储器 计数器 RS 触发器
B 、时序电路包含组合电路和存储电路两部分。 C 、时序电路中的存储电路是要记忆以前的状态， 存储电路可由触发器组成。 D 、时序电路一般分为两大类：同步时序电路和异步时序电路 10、已知静态RAM2114的存储容量为1K X 4位，若要扩展存储容量为 需要几片2114 D 、16 片 12、5G7520为10位集成数模转换器，设参考电压 V REF =10V ，R F =R , 、多项选择题(在每小题的四个备选答案中，选出至少两个正确答案，并将其 2、描述触发器逻辑功能的方法有: 3、比较下列几个数的大小，正确的结果是: D 、(2A ) 16 >( 101101) 2 4、在下式中选出正确的逻辑代数公式: 4KX8 位, 11、已知逻辑函数 L A B D ，则其反函数F 为: A 、A BCD B 、A BCD C 、A BCD D 、 A BCD 当输入全 1时，输出电压的绝对值为： 10V C 10V ——255 B 、—— 1 256 1024 B 、 C 、 10V ——1023 1024 D 、 10V —— 1 256 号码分别填在题干的括号内。多选、少选、 错选均无分。) 1、逻辑函数L (AB AB)C 中，变量A 、 B 、C 取哪些值时, L 的值为1。 A 、ABC 取 011 B 、AB C 取 101 C 、ABC 取 000 ABC 取 111 A 、功能表 B 、特征方程 C 、状态转换图 D 、驱动表 A 、(46) 8>( 39) 10 B 、(2A ) 16>( 39) 10 C 、(101101) 2>( 39) 10
电工电子技术基础在线作业Abcdef
1. 若规定一个电路元件的电压与电流参考方向相关联，并计算得出其功率大于0，则该电路元件是吸收功率。（） 对 错 本题分值： 用户得分： 教师评语： 用户解答：对 知识点： 2. 对于电路中的一个线性电阻元件，若规定其电压u和电流i的参考方向一致，则。（） 对 错 本题分值： 用户得分： 教师评语： 用户解答：对 知识点： 3. 对于电路中的一个线性电感元件，若规定其电压u和电流i的参考方向一致，则。（） 错 对 本题分值： 用户得分： 教师评语： 用户解答：对 知识点：
4. 对于电路中的一个线性电容元件，若规定其电压u和电流i的参考方向一致，则。（） 错 对 本题分值： 用户得分： 教师评语： 用户解答：对 知识点： 5. 恒压源和恒流源可以等效互换。（） 错 对 本题分值： 用户得分： 教师评语： 用户解答：错 知识点： 6. 恒压源的端口电压不会随负载的变化而变化，但恒压源的端口电流却会随负载的变化而变化。（） 错 对 本题分值： 用户得分： 教师评语： 用户解答：对 知识点：
7. 恒流源的端口电压不会随负载的变化而变化，但恒流源的端口电流却会随负载的变化而变化。（） 错 对 本题分值： 用户得分： 教师评语： 用户解答：错 知识点： 8. 当电路发生换路时，对电容元件来说，应有。（） 对 错 本题分值： 用户得分： 教师评语： 用户解答：对 知识点： 9. 当电路发生换路时，对电感元件来说，应有。（） 错 对 本题分值： 用户得分： 教师评语： 用户解答：错 知识点： 10. 若购得一个耐压为300V的电器，则可以用在220V的交流电源上。（） 对
电子技术基础-作业
2、分析电路中，各二极管是导通还是截止？并求出 管)。 3、二极管接成所示的电路，分析在下述条件下各二极管的通断情况。 (1) V C CI =6V, V CC =6V, R=2kQ, R 2=3k Q (2) V CCI =6V, V C C 2=6V, R I = F 2=3kQ (3) V C CI =6V, V CC =6V, F=3kQ , F 2=2k Q 设二极管D 的导通压降 V D =0.7V ，求出D 导通时电流I D 的大小。 4、图所示电路中，设晶体管的 3 =50, V BE =0.7V 。 (1) 试估算开关S 分别接通A 、B C 时的I B 、I C 、V CE 并说明管子处于什么工作状态。 (2) 当开关S 置于B 时，若用内阻为10k Q 的直流电 压表分 别测量 V BE 和V CE ,能否测得实际的数值？试 画出测量时的等效电路，并通过图解分析说明所 测得的电压与理论值相比，是偏大还是偏小？ (3) 在开关置于A 时，为使管子工作在饱和状态 (设 临界饱和时的 V CE =0.7V ), F C 值不应小于多 少？ (1) V =12V, R=4KQ , Fb=8k (2) V =12V, R=4KQ , R z =4k Q ; (3) V =24V, R=4KQ , R z =2k Q ; (4) V =24V, R=4KQ , R z =1k Q 。 试确定输出电压V O 的值。 5、图所示均为基本放大电路，设各三极管的 r bb =200Q , 3 =50, V BE =0.7V 。 计算各电路的静态工作点; 何 2) A 、O 两端的电压 V A 。(设D 为理想二极 0.5 V (+15 V)
《电子技术基础》1答案
一、单选题（共 30 道试题，共 60 分。） 1. 图示电路，在参数设计合理，电路能正常工作的条件下，输出电压u o的波形是( ) A. 正弦波 B. 方波 C. 三角波 D. 锯齿波 正确答案：B 满分：2 分 2. 逻辑函数可化简为（） A. A B. B C. C D. D 正确答案：A 满分：2 分 3. 某10位A/D转换器的参考电压为10V，则该A/D转换器能分辨出的输入模 拟电压的最小变换量为( ) A. 4.88mV B. 9.76mV C. 19.53mV
D. 39.06mV 正确答案：B 满分：2 分 4. 运放组成的放大电路如图所示，R F引入的级间反馈类型为（） A. 串联电压负反馈 B. 串联电流负反馈 C. 并联电压负反馈 D. 并联电流负反馈 正确答案：D 满分：2 分 5. 直流电源电路如图所示，变压器电压为220V/18V，稳压管稳定电压为6V，三极管U BE= 0.6V，电阻R3 = R4 = 510Ω，R P = 390Ω，输出电压u O的调节范围( )
A. A B. B C. C D. D 正确答案：B 满分：2 分6. 电路如图所示，设二极管D 1、D 2 为理想元件，则输出电压U O为( ) A. 0V B. -15V C. -15V D. 25V 正确答案：A 满分：2 分 7. 某D/A转换器的参考电压为10V，如要求其最小输出电压不大于9.766mV，则该D/A转换器的位数至少应为( ) A. 8位 B. 9位 C. 10位 D. 11位 正确答案：C 满分：2 分 8. 图示RC正弦波振荡电路的振荡频率为( )
《电子技术基础》课程作业
浙江大学远程教育学院 《电子技术基础》课程作业 姓名：学号: 年级：学习中心： 模拟电子技术基础部分 题1在图1电路中，设v I2sin t V，试分析二极管的导电情况（假定D均为理想二极管） 图1 解：题中的电路是二极限幅电路，对电路（a），当输入电压幅度v i6V时，二极管导电，输出电压为+6V,当输入电压V i 6时D截止，输出电压等于输入电压V。V i ；对电路（b）,当输入电压幅度v i 6 V时二极管导电，输出电压为V。 v i，输入电压v i 6 V 时，二极管截止，输出电压为+6V；对电路（c）,是一个双向限幅电路，当输入电压v i 6 V 时，D1导电、D2截止，输出为一6V，当输入电压v i 8V时，D2导电、D1截止，输出电 压为+8V。 -0 V
5 题 2 电路如图2所示，分析在下述条件下各二极管的通断情况。设二极管 D 的导通压 解：（1）求出二极管两端的开路电压，如开路电压使二极管正偏，则二极管导电，然后再求 出流过二极管的电流。二极管开路后流过 R1和R2的电流： IR 2 V Q V cci IR i 1.2V ，由于二极管两端开路电压大于 降V D =0.7 V ，并求出 D 导通时电流I D 的大小。 (1)V C CI = 6 V , V cc = 6 V , R i = 2 k Q, R ?= 3 k Q; V cci V cC2 R i R 2 12 2.4mA ，则二极管两端的开路电压 0.7V ，所以二 ■l E) J 1Z 06 %宁 !■ I II f. (2) V Cci = 6 V , V cc = 6 V , R i =Ra= 3 k Q; 图2
(完整word版)中等职业学校《电子技术基础》教案.doc
第1、2课时 课题半导体特性、 PN 结、二极管课型 教学了解半导体的特性和PN 结的形成与特性 目的掌握二极管、稳压管的特性 重点PN结的形成与特性 难点二极管的伏安特性 教学过程 一、半导体的导电特性 1、光敏性、热敏性、可掺杂性 2、本征半导体：纯净的半导体称为本征半导体。 3、 N 型半导体 结构形成方式：掺入五价杂质元素使载流子数目增多，自由电子是多子 4、 P 型半导体 结构形成方式：掺入三价杂质元素使载流子数目增多，空穴是多子 二、 PN结的形成与特性 1、形成过程 2、特性：单向导电性 三、二极管 1、结构、外形、分类： (1)按材料分 : 有硅二极管，锗二极管和砷化镓二极管等。 (2 ）按结构分 : 根据 PN结面积大小 , 有点接触型、面接触型二极管。 (3 ）按用途分 : 有整流、稳压、开关、发光、光电、变容、阻尼等二极管。 (4 ）按封装形式分: 有塑封及金属封等二极管。 (5)按功率分 : 2、主要参数 3、判别办法：用万用表欧姆档判别正、负极及好坏。 4、二极管的伏安特性。 5、特殊功能二极管：稳压管、发光二极管 课后小结半导体有自由电子和空穴两种载流子参与导电 PN结具有单向导电性普通 二极管电路的分析主要采用模型分析法 稳压二极管和光电二极管结构与普通二极管类似，均由 PN 结构成。但稳压二极管工作在反向击穿区
第 3、4 课时 课题半导体三极管课型 教学1、了解三极管的结构与特性；2、掌握三极管的类型和电流放大原理； 目的3、理解三极管的特性曲线和主要参数。 重点三极管的电流放大原理 难点三极管的输入输出特性 教学过程 一、三极管的基本结构和类型 二、三极管在电路中的联接方式 三、三极管的电流放大作用及原理 三极管实现放大作用的外部条件是发射结正向偏置, 集电结反向偏置。 1）发射区向基区发射电子的过程 2）电子在基区的扩散和复合过程 I C I B 3）电子被集电区收集的过程 二、特性曲线和主要参数 1、输入特性：i B=f(u BE)u CE常数 2、输出特性：i C=f(u CE)i B常数 课后小结了解三极管的结构与特性；掌握三极管的类型和电流放大原理；理解三极管的特性曲线和主要参数。
电工电子技术基础在线作业
电工电子技术基础_在线作业_2 交卷时间：2016-10-30 12:37:53 一、单选题 1. (5分)要使JK触发器的输出Q处于反转的状态，它的输入信号JK应为（）。 A. 0 0 B. 1 0 C. 0 1 D. 1 1 纠错 得分： 5 知识点：电工电子技术基础 收起解析 答案 D 解析 2. (5分)由555集成定时器组成单稳态触发器时，需要外加的元件是（）。 A. 两个电阻、一个电容 B. 两个电容
C. 一个电阻、一个电容 D. 两个电阻 纠错 得分： 5 知识点：电工电子技术基础 收起解析 答案 C 解析 3. (5分)要使JK触发器的输出Q=0的状态，它的输入信号JK应为（）。 A. 不变 B. 0 1 C. 1 0 D. 翻转 纠错 得分： 5 知识点：电工电子技术基础 收起解析 答案 B 解析
4. (5分)上图是（）电路符号。 A. 逻辑与 B. 逻辑非 C. 逻辑或 D. 逻辑加 纠错 得分： 5 知识点：电工电子技术基础 收起解析 答案 B 解析 5. (5分)计数器电路由触发器组成。（） A. 对 B. 错 纠错 得分： 5 知识点：电工电子技术基础
收起解析 答案 A 解析 6. (5分)在交流电路中，电动势、电压及电流的有效值分别表示为（）。 A. B. C. D. 纠错 得分： 5 知识点：电工电子技术基础 收起解析 答案 C 解析 7. (5分)字符“A”的ASCII码为（）。 A. 0001100 B. 1001000 C. 1000100
D. 1000001 纠错 得分： 5 知识点：电工电子技术基础 收起解析 答案 D 解析 8. (5分)在交流电路中，容抗随频率的增大而增大。（） A. 对 B. 错 纠错 得分： 5 知识点：电工电子技术基础 收起解析 答案 B 解析 9. (5分)逻辑变量的取值，1比0大。（）。
电子技术基础1
《电子技术基础》课程设计 总结报告 篮球比赛计时器 指导教师：万星 设计人员：张馨月 学号：10240305 班级：电气3班 日期：2012-6-25
目录
⑴设计任务与基本要求 ①设计任务 篮球比赛计时器是一种体育比赛计时装置，经过改造可满足多种要求和场合。利用中小规模集成电路设计一个数字显示的简易篮球比赛计时器。 ②基本要求 ●篮球比赛上下半场四节制，每节12 min，要求能随时暂停，启动后继续计时，一节比赛结束后应可清零。 ●按篮球比赛规则，进攻方有24 s为倒计时。要求进攻方得到发球权后，必须在24 s内完成一次进攻，否则将球权判给对方，因此需要一个具有24 s的倒计时功能。 ●“分”、“秒”显示用LED数码管，应配用相应译码器。 ●用扭子开关控制计时器的启动／暂停。 ●24s计时时间到、每节结束和全场结束能自动音响提示。
（2）设计框图及整体概述 篮球比赛计时器实际上是一种多功能倒计时装置，它包括12 min、24 s倒计时，按键启停功能和自动音响提示等，其组成原理框图如上图所示。该电路主要由秒信号发生电路、启停电路、声响电路、门控电路、显示电路和计数电路等组成。一旦发球，启停电路启动，计时器开始工作，即12 min、24 s倒计时同时工作。当发球权交给对方时，24 s倒计重新开始计时，而12 min倒计时继续工作。当启停电路暂停时，12 min、24 s倒计器保持原来的数据不变，等到重新启动开始工作。
（3）设计思路 篮球比赛计时器的主要功能包括：12分钟倒计时，进攻方24秒倒计时暂停，重新开启和结束提示。该计时系统由以下四个电路模块组成： 1秒时集产生器：这部分利用32.768KHz需要通过分频器，最终产生1Hz的电信号，驱动整个电路的运作。这一模块主要是利用CD4060分频功能和74LS73D触发器来实现。 12分钟倒计时：这部分电路完成12分钟倒计时的功能，比赛准备开始时，屏幕显示12：00，然后利用74LS192的减计数的功能，从12：00变化到00:00. 攻方24秒倒计时：这部分电路与12分钟倒计时功能类似，当比赛开始时，屏幕上显示24秒字样，当比赛开始后，倒计时从24逐秒倒数到00.这一模块也是利用双向计数器74LS192来实现。 节数计次：四个LED分别表示四场节次，根据比赛场次的转变，用适当的方法使这四个LED依次自动指示四场节次。 音响控制电路：用TTL的功率门或OC门可以直接驱动小功率喇叭发声。CP是周期1S的矩形波，则会产生响一下停一下，响停共一秒的声音。 总体电路说明：倒计时功能主要是利用192计数芯片来实现，同时利用反馈和置数实现进制的转换，以适合分和秒的不同
电子技术基础作业习题教学文案
精品文档 一、填空题： 1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为，少数载流子为，不能移动的杂质离子带电。P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为，少数载流子为，不能移动的杂质离子带电。 2、三极管的内部结构是由区、区、区及结和结组成的。三极管对外引出的电极分别是极、极和极。 二、判断正误：（每小题1分，共10分） （）1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。（）2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。 （）3、用万用表测试晶体管时，选择欧姆档R×10K档位。 （）4、PN结正向偏置时，其内外电场方向一致。 （）5、无论在任何情况下，三极管都具有电流放大能力。 三、选择题 1、单极型半导体器件是（）。 A、二极管； B、双极型三极管； C、场效应管； D、稳压管。 2、P型半导体是在本征半导体中加入微量的（）元素构成的。 A、三价； B、四价； C、五价； D、六价。 3、稳压二极管的正常工作状态是（）。 A、导通状态； B、截止状态； C、反向击穿状态； D、任意状态。 4、用万用表检测某二极管时，发现其正、反电阻均约等于1KΩ，说明该二极管（）。 A、已经击穿； B、完好状态； C、内部老化不通； D、无法判断。 5、PN结两端加正向电压时，其正向电流是（）而成。 A、多子扩散； B、少子扩散； C、少子漂移； D、多子漂移。 四、简述题 1、N型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子，P型半导体中的多子是带正电的空穴载流子，因此说N型半导体带负电，P型半导体带正电。上述说法对吗？为什么？ 2、半导体和金属导体的导电机理有什么不同？单极型和双极型晶体管的导电情况又有何不同？ 精品文档
数字电子技术基础1
数字电子技术基础 模拟卷1 一、单项选择题 1、将十进制数56转换成8421BCD 码应是： （ ） A 、（56）10= （0011 1000）8421BCD B 、（56）10= （0011 1001）8421BCD C 、（56）10= （0101 1000）8421BCD D 、（56）10= （0101 0110）8421BCD 2、使晶体三极管工作于饱和区的电压条件是： （ ） A 、发射结正偏，集电结反偏 B 、发射结反偏，集电结反偏 C 、发射结正偏，集电结正偏 D 、发射结反偏，集电结正偏 3、只有当两个输入变量的取值相同时，输出才为1，否则输出为0，这种逻辑关系叫做： （ ） A 、同或 B 、与非 C 、异或 D 、或非 4、在功能表中×的含义是： （ ） [ A 、表示高电平 B 、表示低电平 C 、高低电平都不可以 D 、高低电平都可以 5、下列4个电路中能实现AB L 逻辑关系的是： （ ） L A A ≥1 & B B B A L 1 L =1 B A =1 A B C D 6、TTL 门电路理论上的逻辑低电平为： （ ） A 、0V B 、 C 、 D 、 7、下列电路中不属于时序逻辑电路的是： （ ） A 、移位寄存器 B 、译码器 C 、随机存取存储器 D 、计数器 8、下列电路中无需外加触发信号就能自动产生方波信号的电路是： （ ） A 、多谐振荡器 B 、单稳态触发器 C 、施密特触发器 D 、RS 触发器 …
9、下面对时序逻辑电路的描述不正确的是： （ ） A 、时序电路中任一时刻的输出信号仅取决于该时刻的输入信号。 B 、时序电路包含组合电路和存储电路两部分。 C 、时序电路中的存储电路是要记忆以前的状态，存储电路可由触发器组成。 D 、时序电路一般分为两大类：同步时序电路和异步时序电路 10、已知静态RAM2114的存储容量为1K×4位，若要扩展存储容量为4K ×8位，需要几片2114 （ ） A 、4片 B 、2片 C 、8片 D 、16片 11、已知逻辑函数D C B A L ++?=，则其反函数F 为： （ ） A 、D C B A ??+ B 、D C B A ??+ C 、 D C B A ??+ D 、D C B A ??+ 12、5G7520为10位集成数模转换器，设参考电压V REF =10V ，R F =R ，当输入全1时，输出电压的绝对值为： （ ） { A 、25525610V ? B 、1102410V ? C 、1023102410V ? D 、1256 10V ? 二、多项选择题（在每小题的四个备选答案中，选出至少两个正确答案，并将其号码分别填在题干的括号内。多选、少选、错选均无分。） 1、逻辑函数C B A B A L )(+=中，变量A 、B 、C 取哪些值时，L 的值为1。 （ ） （ ） （ ） （ ） A 、ABC 取011 B 、AB C 取101 C 、ABC 取000 D 、ABC 取111 2、描述触发器逻辑功能的方法有： （ ） （ ） （ ） （ ） A 、功能表 B 、特征方程 C 、状态转换图 D 、驱动表 3、比较下列几个数的大小，正确的结果是： "