Mott-Schottcky

性质：该方程描述半导体的空间电荷层微分电容C sc与半导体表面对于本体的电势△φ的关系：式中ε为相对介电常数，εn为真空介电常数，N是施主（对n型半导体）或受主（对p型半导体）密度；E及E fb分别为电极电势及平带电势，均相对于特定的参比电极。此式在时成立。根据上述方程，对E作图应为一直线，即莫特-肖特基图。直线的延长线在纵轴上的截距可以给出E fb；从直线的斜率可求得N。但表面态的干扰会造成偏离莫特-肖特基理论关系式。所以应核实由此图得到的“E fb”与电容测量中所用的频率无关。