电子技术基础
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电阻：
1:作用：用于降压限流。
2:符号:
它一般用“ R”表示。单位为欧姆（）
3:串并联.
串联：R=R1+R2+ …Rn 1=11=12= …Rn U=U1+U2+ …Un
并联：R\仁R1\1+R2\1+ … Rn\1 1=11+12+ …In U=U1=U2= ?…Un 分压公式：R2\R仁U2\U1分流公式：R2\R1=I1\I2
4:电阻的分类。
1:固定电阻（不可调的电阻）
按结构分｛2 :可变电阻（可调的电阻）
1:碳膜电阻（RT）
按材料分｛2:金属膜电阻（RJ）
3:线绕电阻（RX
5 :电阻的参数。
8\1W
色4\1W
勺标
2\1W1W 5W10W
颜色第一色第二色第三色第四色环环环环
黑10 棕 1 1 10 红 2 2 10 橙 3 3 10 黄 4 4 10 绿 5 5 10 蓝 6 6 10 紫7 7 10 灰8 8 10 白9 9 10
10 ± 5% 10 士 10% ± 20%
标停他第?位仆效Bt 字 标称（ff 第二位右毀做字 ； 标《MH 刊迪敷后o 的亍他
6:热敏电阻
—~C
符号：
热敏电阻的温度系数。
正温度系数：温度升高阻值变大，温度下降阻值变小。
负温度系数：温度升高组织变小，温度下降组织变大。
7:压敏电阻。
压敏电阻在没有超过它的额定电压时， 它的阻值很大，对电路没有影响。当外界电压超过
它
的额定电压时，压敏电阻被击穿 220V 短路造成保险丝熔断。
二.电容器
金
银
本色
1■符号:
它一般用“ C ”表示。
2■组成。
它是由两块平行的半导体中间隔着绝缘介质构成。
3.特性。
1■通交流隔直流（通高频阻低频）。2■充电放电特性。
4■什么叫电容放电？
当电容两端电压高于外电路电压时电容器就开始放电，放电时间长短与电阻和电容的容量有关，电阻越大容量越大放电越慢，要想让电容器快速放电只需将电容两端直接短路就可以直接放电（只适用于容量小的电容）。
5■电容的基本单位：
法拉（F）
毫法拉（Mf）微法拉（uF）纳法拉（nf）皮法拉（pF）
凡是用整数表示电容大小，而且没有标单位的，通常表示pF （电解电容除外）
凡是用小数表示电容大小，而且没有标单位的，通常表示uF。
6■电容的容抗。
电容器虽然具有通交流，但对交流电也有阻碍作用，通常称这种阻碍作用为容抗（Xc）
公式：Xc=1/2 Fc X c—容抗（）F—频率（HZ） C —容量（F）
从式中可以看出当“C” 一定时，容抗与交流电的频率成反比频率越高容抗越小阻碍作用越小，因此电容具有通高频阻低频。当“ F” 一定时容抗与电容量的大小也成反比容量越大容抗越小，因此容量大的电容一般用于低频电路中，容量小的电容用于高频电路中。
7.电容的串并联：
①电容的串联：1/C总=1/C1+1/C2+ ?…+1/Cn U总=U1+U2十…Un
电容串联容量变小，耐压值变高。
②电容的并联：C总=C1+C2+ ? ? +Cn U总=U仁U2= ? ? =Un
电容并联电容的容量增大，它的耐压值以最小值为算。
K —静电力恒量S—正对面积d—正对距离一介电常数—正比与9 x 109牛顿米/库伦
从公式可以看出电容器的大小和它的正对面积成正比与它的正对距离成反比，要想改变电容的大小要改变面积或距离，在实际的运用当中两个极板的距离是一定的，通过改变面积来实现电容容量的大小改变。
8.电容器的分类：
固定电容瓷片电容
按结构分可变电容按材料分｛涤棱电容
云母电容
9.电容器的参数：
①电容量②耐压值
10.电容器的好坏判别:
①C v O.OluF以下的电容。用R X 10K档测量，表针几乎不动是好的。若表针回到表盘中间某个位置，说明电容漏电，若表针回到零点说明被击穿。
②O.OlUf ③10uF< C< 50uF 的电容。用R X 1K ④50uF< C< 500uF 的电容。用R X 100 ⑤500uF< C< 1000Uf 的电容。用R X 10 ⑥C> 1000uF以上的电容。用R X 1 ③--⑥的判别方法如“②”。 三.电解电容： 电解电容有正负极之分，因此在使用过程中正极接高电位负极接低电位，不能接反，否者容易爆炸。另外电解电容它的容量比较大，用于低频电路中。 1.电容的正负极判别： 新买的电解电容，一个引脚长一个引脚短，长的是正极，短的是负极。另外电解电容旁边也标有级别。 一、符号： 二、组成： 他是由绝缘漆包线（或沙包线）绕制而成。 二，特性：阻交流，通直流。 电感器对交流电的阻碍作用，称为感抗（X L） X L=2TFL XL :感抗（Q） F :频率（HQ L:电感量（H） 由于感抗与交流的频率成正比因此电感具有通低频，阻高频。 三，电感的基本单位，亨利（H） 1H=10mH=10 田 四，电感的串并联。 1，电感串联：L串=L1+L2+?…Ln 2，电感并联：L并=L1\仁L2\仁? ? ? Ln\ 1 五，线圈产生自感电动势的条件。 流过线圈中的电流需要发生变化：增加（A）或减小（A） 六，判断自感电动势方向的条件。 1，了解流过线圈中的电流方向。 2，了解流过线圈的电流大小变化。 当线圈中的电流越来越大时将在线圈上产生上+下-的自感电动势，自感电动势越来越大。 当线圈中的电流越来越小时，将会在线圈上产生上-下+的自感电动势，自感电动势也越来越大。 电子技术基础（三）试题答案及评分参考 第 1 页 （共 5 页） 绝密★启用前 2020 8 04730 一、单项选择题：本大题共15小题，每小题1分，共15分。 1．B 2．C 3．D 4．A 5．D 6．A 7．B 8．A 9．B 10．D 11．D 12．A 13．B 14．B 15．D 二、填空题：本大题共15小题，每小题1分，共15分。 16．0 17．?∠1.5310 18．0 19．单向导电性 20．截止 21．电压串联 22．反 23．同 24．增大 25．1A 26．1 27．32 28．4 29．2kHz 30．可编程 三、分析题：本大题共8小题，每小题5分，共40分。 31．（1）5 '31010V 105U =??=+,（1分） 10 ''1510V 105U =?=+,（1分） 101020V U =+=（1分） （2）2 2 2040W 10U P R ===（2分) 32．（1）1 o i u u dt t RC =-=?（3分） （2）t=3s 时，3V o u =；而t=6s 时，输出电压饱和，所以5V o u =（2分） 33．（1）U O(A V) =0.9U 2=18V （1分） （2）U O(A V) =1.2U 2=24V （1分） （3）U O(A V) =0.45U 2=9V （1分） （4）I D(A V) =0.5*18V/1 k Ω=9mA （2分） 34．（01000111）2=（71）10 （2分） （01000111）2=（47）16 （2分） （01000111）2=（01110001）8421BCD （1分） 第1章检测题（共100分，120分钟） 一、填空题：（每空0.5分，共25分） 1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为自由电子，少数载流子为空穴，不能移动的杂质离子带正电。P 型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为空穴，少数载流子为自由电子，不能移动的杂质离子带负电。 2、三极管的内部结构是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结组成的。三极管对外引出的电极分别是发射极、基极和集电极。 3、PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向相反，有利于多数载流子的 扩散运动而不利于少数载流子的漂移；PN结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向一致，有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散，这种情况下的电流称为反向饱和电流。 4、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子由P向N区进行扩散，N 型半导体中的多数载流子由N向P区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区，其方向由N区指向P区。空间电荷区的建立，对多数载流子的扩散起削弱作用，对少子的漂移起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时，PN结形成。 5、检测二极管极性时，需用万用表欧姆挡的R×1K档位，当检测时表针偏转度较大时，与红表棒相接触的电极是二极管的阴极；与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。检测二极管好坏时，两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时，说明二极管已经被击穿；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经绝缘老化。 7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管，正常工作应在特性曲线的反向击穿区。 二、判断正误：（每小题1分，共10分） 1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。（错） 2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。（对） 3、用万用表测试晶体管时，选择欧姆档R×10K档位。（错） 4、PN结正向偏置时，其内外电场方向一致。（PN结反向偏置时，其内外电场方向一致）（错） 5、无论在任何情况下，三极管都具有电流放大能力。 第三章组合逻辑电路 第一节重点与难点 一、重点: 1．组合电路的基本概念 组合电路的信号特点、电路结构特点以及逻辑功能特点。 ２。组合电路的分析与设计 组合电路分析是根据已知逻辑图说明电路实现的逻辑功能。 组合电路设计是根据给定设计要求及选用的器件进行设计,画出逻辑图。如果选用小规模集成电路SSI,设计方法比较规范且容易理解,用ＳＳI设计是读者应掌握的最基本设计方法。由于设计电路由门电路组成,所以使用门的数量较多，集成度低。 若用中规模集成电路MＳＩ进行设计，没有固定的规则，方法较灵活。 无论是用ＳSI或ＭSI设计电路，关键是将实际的设计要求转换为一个逻辑问题，即将文字描述的要求变成一个逻辑函数表达式。 3．常用中规模集成电路的应用 常用中规模集成电路有加法器、比较器、编码器、译码器、数据选择器和数据分配器等,重要的是理解外部引脚功能，能在电路设计时灵活应用. 4.竞争冒险现象 竞争冒险现象的产生原因、判断是否存在竞争冒险现象以及如何消除。 二、难点: 1.组合电路设计 无论是用SSI还是用MSI设计电路,首先碰到的是如何将设计要求转换为逻辑问题，得到明确的真值表，这一步既是重点又是难点.总结解决这一难点的方法如下： (1)分析设计问题的因果关系，分别确定输入变量、输出变量的个数及其名称. (2）定义逻辑变量０、1信号的含义。无论输入变量、输出变量均有两个状态０、1，这两个状态代表的含义由设计者自己定义。 (3）再根据设计问题的因果关系以及变量定义，列出真值表. ２。常用组合电路模块的灵活应用 同样的设计要求,用MSＩ设计完成后，所得的逻辑电路不仅与所选芯片有关，而且还与设计者对芯片的理解及灵活应用能力有关。读者可在下面的例题和习题中体会. 3．硬件描述语言ＶHDL的应用 VＨDL的应用非常灵活,同一个电路问题可以有不同的描述方法，初学者可以先仔细阅读已有的程序实例，再自行设计。 三、考核题型与考核重点 １。概念与简答 题型1为填空、判断和选择； 题型２为叙述基本概念与特点。 建议分配的分数为3～6分。 2。综合分析与设计 2008年4月高等教育自学考试全国统一命题考试 电子技术基础（三） 试卷 课程代码 4730 一、单项选择题（本大题共15小题，每小题1分，共15分） 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1．电路如图所示,能正确反映电压1U 和U 之间关系的表达式是（ ） A ．U R R R U 2 12 1+= B ．U R R R U 22 11+= C ．U R R R U 2 11 1+= D ．U R R R U 12 11+= 2．正弦电压u(t)=t)sin( ?m U (V),则正弦电压的有效值等于（ ） A ．m U 21 B ． m U 2 2 C ．m U D ．m U 2 3．电路如图所示,已知V U ,R R R s 21K Ω321====。则电流I 等于（ ） A ．0.5mA B ．1mA C ．2mA D ．3mA 4．图示电路中二极管21D D 和的导通电压均为0.7V ,当V U ,V U 51021==时,可以判断出（ ） A ．截止导通21D ,D B ．导通截止21D ,D C ．导通导通21 D ,D D ．截止截止21D ,D 5．为使放大电路的输出电压稳定、输入电阻增大，需引入的交流负反馈是（ ） A ．电压串联 B ．电压并联 C ．电流串联 D ．电流并联 6．其特征是是理想运放的输出电阻,R o （ ） A ．0R o = B ．较大o R C ．∞趋于o R D ．与信号有关o R 7．集成运放作为线性应用时，电路形式一般是（ ） A ．开环 B ．正反馈 C ．开环或正反馈 D ．深度负反馈 8．单相桥式整流电路，2U 为变压器副边电压有效值，则二极管承受的最高反压RM U 为（ ） A ．222U B ．22U C ．2U 2 D ．2U 9．开关型集成稳压器与普通线性集成稳压器相比较，前者的突出特点是（ ） A ．稳压效果好 B ．效率高 C ．滤波电容大 D ．输出纹波小 10．某逻辑电路真值表如下表所示，其函数F 的表达式是（ ） A ． B F = B ．A F = C ．A F = D ．B F = 四川省仁寿县职业教育中心理论教学教案 教学过程 [引入新课] [新课教案] 一、什么是半导体？ 物质的导电能力介于导体和半导体之间。常见的半导体材料如硅、锗等。 二、半导体的基本特性 半导体的导电能力随着掺入杂质、输入电压（电流）、温度和光照条件的不同而发生很大变化。 1、掺杂性：在纯净的半导体中掺入及其微量的杂质元素，则它的导电能力将大大增强。 2、热敏性：温度升高，将使半导体的导电能力大大增强。 3、光敏性：对半导体施加光线照射时，光照越强，导电能力越强。 三、半导体的分类 分为本征半导体和杂质半导体。 1、本征半导体：不含其他杂质的纯净半导体。 【载流子：本征半导体中存在自由电子和空穴两种载流子，但由于其载流子数量太少，且受温度影响太明显，因此本征半导体不能直接用来制造晶体二极管。】 2、杂质半导体 N型半导体：在本征半导体中掺入少量五价元素磷或砷，称为N型半导体。其多数载流子为电子，少数载流子为空穴，主要靠 自由电子导电。 P型半导体：在本征半导体中参入少量三家 元素铟或硼，称为P型半导体。其多数载流子 为空穴，少数载流子为电子，主要靠空穴导电。 [课后练习] 1、半导体与金属相比较有什么特点？ 答：（1）半导体的导电能力较弱 （2）金属靠自由电子导电，半导体靠自由电子和空穴导电。 2、半导体具有哪些特性？答：三个特性 3、什么是P型半导体？什么是N型半导体？ 答：主要靠空穴导电的是P型半导体，主要靠自由电子导电的是N型半导体。 4、N型半导体本身是带负电的还是中性的？为什么？ 四川省仁寿县职业教育中心理论教学教案 内容 教学 程序 引入——新课——小结 学情 分析 在元器件课程中学生了解一些基本知识。教学 方法 讲授 教学 重点 二极管的特性及特性曲线 教学 手段 多媒体教学视频 教学 难点 二极管的特性曲线及测量方法 板 书 设 计 晶体二极管 一、二极管的构成和符号二、二极管的导电特性三、例题 （一）构成（一）实验一四、二极管的检测 （二）符号（二）实验二 （三）分类 教 学 过 [引入新课] 以前在元器件当中我们学习过二极管的符号、作用、分类和实训测量方法，以前学的是外表上面的，本书所讲的是从外到内的。 [新课教案] 一、二极管的结构和符号 （一）结构 在本征半导体上利用特殊工艺分别渗入硼元素和磷元素加工出一半是P型半导体、一半是N型半导体，在P型和N型半导体的结合部位形成一个特殊的结构，即PN结， PN结是构成各种半导体器件的基础。 在P区和N区两侧各接上电极引线，并将其封装在密封的壳体中，即构成半导体二极管，如图。接在P区的引线称为阳极（正极）用a表示，接在N区的引线称为阴 极或负极，用k表示。 二极管的核心即是一个PN结。 （二）符号 2009年7月高等教育自学考试全国统一命题考试 电子技术基础（三）试题 课程代码：04730 一、单项选择题（本大题共15小题，每小题1分，共15分） 1.某元件A 上的电压与电流参考方向如题1图所示，已知 U =5V ，I=2mA ，则（ ） A.元件吸收的功率为10W B.元件产生的功率为10W C.元件吸收的功率为10mW D.元件产生的功率为10mW 题1图 2.若令理想电压源和理想电流源等于零，则下列表述正确的是（ ） A.电压源短路，电流源开路 B.电压源开路，电流源开路 C.电压源短路，电流源短路 D.电压源开路，电流源短路 3.若正弦电流i 1(t )=I 1m sin(2πt )A,i 2(t )=I 2m sin(4πt -2π)A ，则i 1相位（ ） A.超前i 2相位2π B.滞后i 2相位2π C.滞后i 2相位4π D.不能与i 2相位作比较 4.在由双极型晶体管构成的单级放大电路中，输出电压与输入电压相位相反的是（ ） A.共集电极放大电路 B.共发射极放大电路 C.共基极放大电路 D.任何一种放大电路 5.放大电路如题5图所示，假设电容C 1，C 2，C s 容量足够大，对交流信号可视作短路， L L R R ='∥R D ，则输入电阻R i 的表达式是（ ） A.R G 1 B.R G 2 C.R G 1∥R G 2 D.R G 1+R G 2 题5图 6.在同相比例运算电路中，其输入电阻R if 为（ ） A.R if =∞ B.R if 很小 C.R if =0 D.R if 与信号有关 7.理想运放作放大信号使用时，其放大倍数A uf （ ） A.与信号大小有关 B.与信号极性有关 C.仅与外接电阻有关 D.与运放型号有关 8.单相桥式整流电路流过每个二极管的电流平均值I D(A V)与输出电流平均值I O(A V)的关系为 （ ） A.I D(A V)=2I O(A V) B.I D(A V)=I O(A V) C.I D(A V)= 21I O(A V) D.I D(A V)= 41I O(A V) 9.如输出电压为5V ，最大输出电流为1.5A ，则可选用的集成稳压器是（ ） A.7805 B.78M05 C.78L05 D.7905 10.十六进制数(7D)16对应的十进制数为（ ） A.(123)10 B.(125)10 C.(127)10 D.(256)10 11.有三个输入端的或非门电路，要求输出高电平，则其输入端应（ ） A.全部都要为高电平 B.至少一个端为低电平 C.全部都要为低电平 D.至少一个端为高电平 12.下列各图中，使输出F=1的电路是（ ） 13.在半加器 中，AB 分别为被加数与加数，则半加器和S 为（ ） A.S =B A B.S =B A +AB C.S =B A B A + D.S =AB 14.在下列各图中，能实 行 数字电子技术基础 模拟卷1 一、单项选择题 1、将十进制数56转换成8421BCD 码应是： （D ） A 、（56）10= （0011 1000）8421BCD B 、（56）10= （0011 1001）8421BCD C 、（56）10= （0101 1000）8421BCD D 、（56）10= （0101 0110）8421BCD 2、使晶体三极管工作于饱和区的电压条件是： （C ） A 、发射结正偏，集电结反偏 B 、发射结反偏，集电结反偏 C 、发射结正偏，集电结正偏 D 、发射结反偏，集电结正偏 3、只有当两个输入变量的取值相同时，输出才为1，否则输出为0，这种逻辑关系叫做： （A ） A 、同或 B 、与非 C 、异或 D 、或非 4、在功能表中×的含义是： （ D ） A 、表示高电平 B 、表示低电平 C 、高低电平都不可以 D 、高低电平都可以 5、下列4个电路中能实现AB L 逻辑关系的是： （ C ） A A ≥1 & B B B A L 1 L =1 B A =1 A B C D 6、TTL 门电路理论上的逻辑低电平为： （ B ） A 、0V B 、0.3V C 、1.4V D 、1.8V 7、下列电路中不属于时序逻辑电路的是： （B ） A 、移位寄存器 B 、译码器 C 、随机存取存储器 D 、计数器 8、下列电路中无需外加触发信号就能自动产生方波信号的电路是： （ A ） A 、多谐振荡器 B 、单稳态触发器 C 、施密特触发器 D 、RS 触发器 9、下面对时序逻辑电路的描述不正确的是： （A ） A 、时序电路中任一时刻的输出信号仅取决于该时刻的输入信号。 B 、时序电路包含组合电路和存储电路两部分。 C 、时序电路中的存储电路是要记忆以前的状态，存储电路可由触发器组成。 D 、时序电路一般分为两大类：同步时序电路和异步时序电路 2009年4月高等教育自学考试全国统一命题考试 电子技术基础(三)试题 课程代码：04730 一、单项选择题(本大题共15小题，每小题1分，共15分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个选项是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.两个串联元件A 、B 上的电压与电流参考方向如题1图所示，已知U 1=2V ，I=5A ，U 2=-4V ，则( ) A.元件A 吸收功率10W ，元件B 吸收功率20W B.元件A 产生功率10W ，元件B 产生功率20W C.元件A 产生功率10W ，元件B 吸收功率20W D.元件A 吸收功率l0W ，元件B 产生功率20W 2.实际电压源和电流源模型中，其内阻与理想电压源和电流源之间的正确连接关系是 ( ) A.理想电压源与内阻串联，理想电流源与内阻串联 B.理想电压源与内阻并联，理想电流源与内阻串联 C.理想电压源与内阻串联，理想电流源与内阻并联 D.理想电压源与内阻并联，理想电流源与内阻并联 3.若正弦电压)6 2sin()(11π-π=t U t u m （V ），)32s i n ()(22π-π=t U t u m (V)，则u 2相位( ) A.超前u 1相位3 π B.滞后u 1相位3π C.超前u 1相位6π D.滞后u 1相位6 π 4.某场效应管的转移特性曲线如题4图所示，则可以判断该管为( ) A.P 沟道增强型MOS 管 B.P 沟道耗尽型MOS 管 C.N 沟道增强型MOS 管 D.N 沟道耗尽型MOS 管 5.某放大器在1K Ω负载电阻上测得输出电压为1V ，在4.7K Ω负载电阻上测得输出电压为 1.65V ，则该放大器的输出电阻等于( ) 第一章数字电路基础 第一部分基础知识 一、选择题 1．以下代码中为无权码的为。 A. 8421BCD码 B. 5421BCD码 C.余三码 D.格雷码 2．以下代码中为恒权码的为。 A.8421BCD码 B. 5421BCD码 C.余三码 D.格雷码 3．一位十六进制数可以用位二进制数来表示。 A.１ B.２ C.４ D. 16 4．十进制数25用8421BCD码表示为。 A.10 101 B.0010 0101 C. D.10101 5．在一个8位的存储单元中，能够存储的最大无符号整数是。 A.（256）10 B.（127）10 C.（FF）16 D.（255）10 6．与十进制数（53.5）10等值的数或代码为。 A.(0101 0011.0101)8421BCD B.(35.8)16 C.(.1)2 D.(65.4)8 7．矩形脉冲信号的参数有。 A.周期 B.占空比 C.脉宽 D.扫描期 8．与八进制数(47.3)8等值的数为： A. (.011)2 B.(27.6)16 C.(27.3 )16 D. (.11)2 9.常用的B C D码有。 A.奇偶校验码 B.格雷码 C.8421码 D.余三码 10．与模拟电路相比，数字电路主要的优点有。 A.容易设计 B.通用性强 C.保密性好 D.抗干扰能力强 二、判断题（正确打√，错误的打×） 1. 方波的占空比为0.5。（） 2. 8421码1001比0001大。（） 3. 数字电路中用“1”和“0”分别表示两种状态,二者无大小之分。（） 4．格雷码具有任何相邻码只有一位码元不同的特性。（） 5．八进制数（18）8比十进制数（18）10小。（） 6．当传送十进制数5时，在8421奇校验码的校验位上值应为1。（） 2010年4月高等教育自学考试全国统一命题考试 电子技术基础（三）试题 课程代码：04730 一、单项选择题（本大题共15小题，每小题1分，共15分） 1．加在某电容C=1F μ上的电压为u C (t)=10cos (10t+45°) (V)，则流过该电容的电流i C (t)的相位与u C (t)相位之间的关系为（ ） A ．电流超前电压45° B ．电流滞后电压45° C ．电流超前电压90° D ．电流滞后电压90° 2．题2图所示电路的等效电阻R 等于（ ） A ．13Ω B ．14Ω C ．15Ω D ．16Ω 3．并联RLC 电路谐振时，其输入端的电压和电流相位之间的关系是（ ） A ．电压相位超前电流相位2/π B ．电压相位滞后电流相位2/π C ．电压与电流同相 D ．电压与电流反相 4．已知某晶体管的三个电极电位如题4图所示，则该晶体管工作在（ ） A ．饱和区 B ．截止区 C ．放大区 D ．反向放大区 5．电路如题5图所示，则二极管D 1、D 2的 状态为（ ） A ．D 1导通，D 2截止 B ．D 1截止，D 2导通 C ．D 1、D 2均截止 D ．D 1、D 2均导通 6．集成运放内部电路的输入级电路一般采用（ ） A ．共射放大电路 B ．差动放大电路 C ．互补对称功率放大电路 D ．微分电路 7．集成运放接成电压跟随器时，电路反馈形式应为（ ） A ．电压串联负反馈 B ．电压并联负反馈 C ．电流串联负反馈 D ．电流并联负反馈 8．单相桥式整流滤波电路中，若变压器副方电压的有效值为20V，那么当电容断开时，电阻负载两端的直流电压为（） A．28V B．24V C．18V D．9V 9．若要求集成稳压器输出电压为-5V，最大输出电流为1.5A，则可选用的集成稳压器是 （）A．7805 B．78M05 C．78L05 D．7905 10．数字电路中基本逻辑运算关系有（） A．2种B．3种 C．4种D．5种 11．十进制数（27）10转换为十六进制数为（） A．（17）16B．（1B）16 C．（21）16D．（1D）16 12．若逻辑表达式F=B A ，则下列表达式中与F相同的是（） A．F=A B B．F=AB C．F=A+B D．F=AB 13．对于共阳极七段显示数码管，若要显示数字“5”，则七段显示译码器输出abcdefg应该为（） A．0100100 B．0000101 C．1011011 D．1111010 14．设计一个能存放8位二进制代码的寄存器需要触发器（） A．8个B．4个 C．3个D．2个 15．可编程器件FPGA也称为（） A．可编程逻辑阵列B．通用阵列逻辑 C．复杂可编程逻辑器件D．现场可编程门阵列 二、填空题（本大题共15小题，每小题1分，共15分） 请在每小题的空格中填上正确答案。错填、不填均无分。 16．电路如题16图所示，欲使电路中的电流I=2A，则电阻R的值应为__________Ω。 、单项选择题 1、将十进制数56转换成8421BCD 码应是: 2、使晶体三极管工作于饱和区的电压条件是: 系叫做: 6、TTL 门电路理论上的逻辑低电平为: 7、下列电路中不属于时序逻辑电路的是: &下列电路中无需外加触发信号就能自动产生方波信号的电路是: A 、多谐振荡器 B 、单稳态触发器 C 、施密特触发器 9、下面对时序逻辑电路的描述不正确的是: A 、时序电路中任一时刻的输出信号仅取决于该时刻的输入信号。 数字电子技术基础 模拟卷1 A 、(56) 10= ( 0011 1000 8421BCD B 、 (56) 10= ( 0011 1001) 8421BCD C 、(56) 10= ( 0101 1000) 8421BCD D 、 (56) 10= ( 0101 0110) 8421BCD A 、发射结正偏，集电结反偏 B 、发射结反偏，集电结反偏 C 、发射结正偏，集电结正偏 D 、发射结反偏，集电结正偏 3、只有当两个输入变量的取值相同时, 输出才为 1,否则输出为0,这种逻辑关 A 、同或 B 、与非 C 、异或 D 、或非 4、 在功能表中刈勺含义是: A 、表示高电平 B 、表示低电平 C 、咼低电平都不可以 D 、咼低电平都可以 5、 下列4个电路中能实现L AB 逻辑关系的是: >1 =1 >1 =1 D- A 、0V B 、0.3V C 、1.4V D 、1.8V A 、移位寄存器 B 、译码器 C 、随机存取存储器 计数器 RS 触发器 B 、时序电路包含组合电路和存储电路两部分。 C 、时序电路中的存储电路是要记忆以前的状态， 存储电路可由触发器组成。 D 、时序电路一般分为两大类：同步时序电路和异步时序电路 10、已知静态RAM2114的存储容量为1K X 4位，若要扩展存储容量为 需要几片2114 D 、16 片 12、5G7520为10位集成数模转换器，设参考电压 V REF =10V ，R F =R , 、多项选择题(在每小题的四个备选答案中，选出至少两个正确答案，并将其 2、描述触发器逻辑功能的方法有: 3、比较下列几个数的大小，正确的结果是: D 、(2A ) 16 >( 101101) 2 4、在下式中选出正确的逻辑代数公式: 4KX8 位, 11、已知逻辑函数 L A B D ，则其反函数F 为: A 、A BCD B 、A BCD C 、A BCD D 、 A BCD 当输入全 1时，输出电压的绝对值为： 10V C 10V ——255 B 、—— 1 256 1024 B 、 C 、 10V ——1023 1024 D 、 10V —— 1 256 号码分别填在题干的括号内。多选、少选、 错选均无分。) 1、逻辑函数L (AB AB)C 中，变量A 、 B 、C 取哪些值时, L 的值为1。 A 、ABC 取 011 B 、AB C 取 101 C 、ABC 取 000 ABC 取 111 A 、功能表 B 、特征方程 C 、状态转换图 D 、驱动表 A 、(46) 8>( 39) 10 B 、(2A ) 16>( 39) 10 C 、(101101) 2>( 39) 10 2016年4月高等教育自学考试全国统一命题考试 电子技术基础(三) 试卷 (课程代码 04730) 本试卷共8页，满分l00分，考试时间l50分钟。 考生答题注意事项： 1．本卷所有试题必须在答题卡上作答。答在试卷上无效，试卷空白处和背面均可作草稿纸。2．第一部分为选择题。必须对应试卷上的题号使用2B铅笔将“答题卡”的相应代码涂黑。3．第二部分为非选择题。必须注明大、小题号，使用0．5毫米黑色字迹签字笔作答。4．合理安排答题空间，超出答题区域无效。 第一部分选择题(共l 5分) 一、单项选择题(本大题共l5小题，每小题l分，共l5分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其选出并将“答题卡” 的相应代码涂黑。错涂、多涂或来涂均无分。 1、理想电流源的外接负载电阻越大，它的端电压 A、越高 B、越低 C、不变 D、不能确定 2、EN电在电容c两端产生电流，则电流的相位 A、超前电压)的相位180 O。 B、滞后电压的相位180 O C、NN电压的相位90 O D、滞后电压电的相位90 O 3、己知正弦交流电压在t=锄时为220V，其初相位为45O，则它的有效值为 4、以下关于本征半导体特性的描述中，正确的是 A、本征半导体中的载流子只有自由电子 B、本征半导体中的载流子只有空穴 C、本征半导体中的载流子既有自由电子，也有空穴，且浓度相等 D、本征半导体中的载流子浓度与温度无关 5、为使放大器输出电压稳定，输入电阻增大，则需引入酶交流负反馈类型是 A、电压串联负反馈 B、电压并联负反馈 C、电流串联负反馈 D、电流并联负反馈 6、运算放大器输入级通常采用的电路结构是 A、单管共发射极电路 B、恒流源电路 C、射极跟随器电路 D、差动放大电路 7、回相比倒运算电路如题7图所示，设输入电压梯=20cosl000t(mV)，若要实现输出 电压为，则电阻和，的正确关系是 一、单选题（共 30 道试题，共 60 分。） 1. 图示电路，在参数设计合理，电路能正常工作的条件下，输出电压u o的波形是( ) A. 正弦波 B. 方波 C. 三角波 D. 锯齿波 正确答案：B 满分：2 分 2. 逻辑函数可化简为（） A. A B. B C. C D. D 正确答案：A 满分：2 分 3. 某10位A/D转换器的参考电压为10V，则该A/D转换器能分辨出的输入模 拟电压的最小变换量为( ) A. 4.88mV B. 9.76mV C. 19.53mV D. 39.06mV 正确答案：B 满分：2 分 4. 运放组成的放大电路如图所示，R F引入的级间反馈类型为（） A. 串联电压负反馈 B. 串联电流负反馈 C. 并联电压负反馈 D. 并联电流负反馈 正确答案：D 满分：2 分 5. 直流电源电路如图所示，变压器电压为220V/18V，稳压管稳定电压为6V，三极管U BE= 0.6V，电阻R3 = R4 = 510Ω，R P = 390Ω，输出电压u O的调节范围( ) A. A B. B C. C D. D 正确答案：B 满分：2 分6. 电路如图所示，设二极管D 1、D 2 为理想元件，则输出电压U O为( ) A. 0V B. -15V C. -15V D. 25V 正确答案：A 满分：2 分 7. 某D/A转换器的参考电压为10V，如要求其最小输出电压不大于9.766mV，则该D/A转换器的位数至少应为( ) A. 8位 B. 9位 C. 10位 D. 11位 正确答案：C 满分：2 分 8. 图示RC正弦波振荡电路的振荡频率为( ) 3《数字电子技术》试卷 姓名：__ _______ 班级：__________ 考号：___________ 成绩：____________ 1. 有一数码10010011，作为自然二进制数时，它相当于十进制数（ ），作为 8421BCD 码时，它相当于十进制数（ ）。 2.三态门电路的输出有高电平、低电平和（ ）3种状态。 3．TTL 与非门多余的输入端应接（ ）。 4．TTL 集成JK 触发器正常工作时，其d R 和d S 端应接（ ）电平。 5. 已知某函数??? ??+??? ??++=D C AB D C A B F ，该函数的反函数F = （ ）。 6. 如果对键盘上108个符号进行二进制编码，则至少要（ ）位二进制数码。 7. 典型的TTL 与非门电路使用的电路为电源电压为（ ）V ，其输出高电平为（ ）V ，输出低电平为（ ）V ， CMOS 电路的电源电压为（ ） V 。 8．74LS138是3线—8线译码器，译码为输出低电平有效，若输入为A 2A 1A 0=110时，输出 01234567Y Y Y Y Y Y Y Y 应为（ ）。 9．将一个包含有32768个基本存储单元的存储电路设计16位为一个字节的ROM 。该ROM 有（ ）根地址线，有（ ）根数据读出线。 10. 两片中规模集成电路10进制计数器串联后，最大计数容量为（ ）位。 11. ）；Y 3 ＝（ ）。 12. 某计数器的输出波形如图1所示，该计数器是（ ）进制计数器。 13．驱动共阳极七段数码管的译码器的输出电平为（ ）有效。 二、单项选择题（本大题共15小题，每小题2分，共30分） （在每小题列出的四个备选项中只有一个是最符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。） 1. 函数F(A,B,C)=AB+BC+AC 的最小项表达式为( ) 。 A ．F(A,B,C)=∑m （0，2，4） B. (A,B,C)=∑m （3，5，6，7） C ．F(A,B,C)=∑m （0，2，3，4） D. F(A,B,C)=∑m （2，4，6，7） 2．8线—3线优先编码器的输入为I 0—I 7 ，当优先级别最高的I 7有效时，其输出012Y Y Y ??的值是（ ）。 A ．111 B. 010 C. 000 D. 101 3．十六路数据选择器的地址输入（选择控制）端有（ ）个。 A ．16 B.2 C.4 D.8 4. 有一个左移移位寄存器，当预先置入1011后，其串行输入固定接0，在4个移位脉冲CP 作用下，四位数据的移位过程是（ ）。 A. 1011--0110--1100--1000--0000 B. 1011--0101--0010--0001--0000 C. 1011--1100--1101--1110--1111 D. 1011--1010--1001--1000--0111 5．已知74LS138译码器的输入三个使能端（E 1=1， E 2A = E 2B =0）时，地址码A 2A 1A 0=011，则输出 Y 7 ～Y 0是( ) 。 A. 11111101 B. 10111111 C. 11110111 D. 11111111 6. 一只四输入端或非门，使其输出为1的输入变量取值组合有( )种。 A ．15 B ．8 C ．7 D ．1 7. 随机存取存储器具有( )功能。 A.读/写 B.无读/写 C.只读 D.只写 8．N 个触发器可以构成最大计数长度（进制数）为( )的计数器。 A.N B.2N C.N 2 D.2N 9．某计数器的状态转换图如下， 其计数的容量为( ) A ． 八 B. 五 C. 四 D. 三 10．已知某触发的特性表如下（A 、B 为触发器的输入）其输出信号的逻辑表达式为( )。 A B Q n+1 说明 0 Q n 保持 000 001 010 011 100 101 110 111 第一章数字逻辑基础 第一节重点与难点 一、重点： 1.数制 2.编码 (1) 二—十进制码（BCD码） 在这种编码中，用四位二进制数表示十进制数中的0~9十个数码。常用的编码有8421BCD码、5421BCD码和余3码。 8421BCD码是由四位二进制数0000到1111十六种组合中前十种组合，即0000~1001来代表十进制数0~9十个数码，每位二进制码具有固定的权值8、4、2、1，称有权码。 余3码是由8421BCD码加3（0011）得来，是一种无权码。 (2)格雷码 格雷码是一种常见的无权码。这种码的特点是相邻的两个码组之间仅有一位不同，因而其可靠性较高，广泛应用于计数和数字系统的输入、输出等场合。 3.逻辑代数基础 (1)逻辑代数的基本公式与基本规则 逻辑代数的基本公式反映了二值逻辑的基本思想，是逻辑运算的重要工具，也是学习数字电路的必备基础。 逻辑代数有三个基本规则，利用代入规则、反演规则和对偶规则使逻辑函数的公式数目倍增。 (2)逻辑问题的描述 逻辑问题的描述可用真值表、函数式、逻辑图、卡诺图和时序图，它们各具特点又相互关联，可按需选用。 (3)图形法化简逻辑函数 图形法比较适合于具有三、四变量的逻辑函数的简化。 二、难点： 1.给定逻辑函数，将逻辑函数化为最简 用代数法化简逻辑函数，要求熟练掌握逻辑代数的基本公式和规则，熟练运用四个基本方法—并项法、消项法、消元法及配项法对逻辑函数进行化简。 用图形法化简逻辑函数时，一定要注意卡诺图的循环邻接的特点，画包围圈时应把每个包围圈尽可能画大。 2.卡诺图的灵活应用 卡诺图除用于简化函数外，还可以用来检验化简结果是否最简、判断函数间的关系、求函数的反函数和逻辑运算等。 3.电路的设计 在工程实际中，往往给出逻辑命题，如何正确分析命题，设计出逻辑电路呢？通常的步骤如下： 1半导体二极管 自我检测题 一．选择和填空 1．纯净的、结构完整的半导体称为 本征半导体，掺入杂质后称 杂质半导体。若掺入五价杂质，其多数载流子是 电子 。 2．在本征半导体中，空穴浓度 C 电子浓度；在N 型半导体中，空穴浓度 B 电子浓度；在P 型半导体中，空穴浓度 A 电子浓度。 （A ．大于，B ．小于，C ．等于） 3. 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 C ，而少数载流子的浓度与 A 关系十分密切。 （A ．温度，B ．掺杂工艺，C ．杂质浓度） 4. 当PN 结外加正向电压时，扩散电流 A 漂移电流，耗尽层 E ；当PN 结外加反向电压时，扩散电流 B 漂移电流，耗尽层 D 。 （A ．大于，B ．小于，C ．等于，D ．变宽，E ．变窄，F 不变 ） 5．二极管实际就是一个PN 结，PN 结具有 单向导电性 ，即处于正向偏置时，处于 导通 状态；反向偏置时，处于 截止 状态。 6. 普通小功率硅二极管的正向导通压降约为_B ，反向电流一般_C_；普通小功率锗二极管的正向导通压降约为_A_，反向电流一般_D_。 （A ．0.1～0.3V ，B ．0.6～0.8V ，C ．小于A μ1，D ．大于A μ1） 7. 已知某二极管在温度为25℃时的伏安特性如图选择题7中实线所示，在温度为 T 1 时的伏安特性如图中虚线所示。在25℃时，该二极管的死区电压为 0.5 伏，反向击穿电 压为 160 伏，反向电流为 10-6 安培。温度T 1 小于 25℃。（大于、小于、等于） 图选择题7 8．PN 结的特性方程是)1(-=T V v S e I i 。普通二极管工作在特性曲线的 正向区 ；稳 压管工作在特性曲线的 反向击穿区 。 二．判断题（正确的在括号画√，错误的画×） 1．N 型半导体可以通过在纯净半导体中掺入三价硼元素而获得。 （ × ） 2．在P 型半导体中，掺入高浓度的五价磷元素可以改型为N 型半导体。 （ √ ） 3．P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。 （ × ） 4．PN 结的漂移电流是少数载流子在电场作用下形成的。 （ √ ） 5．由于PN 结交界面两边存在电位差，所以当把PN 结两端短路时就有电流流过。（ × ） 6．PN 结方程既描写了PN 结的正向特性和反向特性，又描写了PN 结的反向击穿特 性 。 （ × ） 7．稳压管是一种特殊的二极管，它通常工作在反向击穿状态（√ ），它不允许工作在正向导通状态（×）。 《电子技术基础》课程设计 总结报告 篮球比赛计时器 指导教师：万星 设计人员：张馨月 学号：10240305 班级：电气3班 日期：2012-6-25 目录 ⑴设计任务与基本要求 ①设计任务 篮球比赛计时器是一种体育比赛计时装置，经过改造可满足多种要求和场合。利用中小规模集成电路设计一个数字显示的简易篮球比赛计时器。 ②基本要求 ●篮球比赛上下半场四节制，每节12 min，要求能随时暂停，启动后继续计时，一节比赛结束后应可清零。 ●按篮球比赛规则，进攻方有24 s为倒计时。要求进攻方得到发球权后，必须在24 s内完成一次进攻，否则将球权判给对方，因此需要一个具有24 s的倒计时功能。 ●“分”、“秒”显示用LED数码管，应配用相应译码器。 ●用扭子开关控制计时器的启动／暂停。 ●24s计时时间到、每节结束和全场结束能自动音响提示。 （2）设计框图及整体概述 篮球比赛计时器实际上是一种多功能倒计时装置，它包括12 min、24 s倒计时，按键启停功能和自动音响提示等，其组成原理框图如上图所示。该电路主要由秒信号发生电路、启停电路、声响电路、门控电路、显示电路和计数电路等组成。一旦发球，启停电路启动，计时器开始工作，即12 min、24 s倒计时同时工作。当发球权交给对方时，24 s倒计重新开始计时，而12 min倒计时继续工作。当启停电路暂停时，12 min、24 s倒计器保持原来的数据不变，等到重新启动开始工作。 （3）设计思路 篮球比赛计时器的主要功能包括：12分钟倒计时，进攻方24秒倒计时暂停，重新开启和结束提示。该计时系统由以下四个电路模块组成： 1秒时集产生器：这部分利用32.768KHz需要通过分频器，最终产生1Hz的电信号，驱动整个电路的运作。这一模块主要是利用CD4060分频功能和74LS73D触发器来实现。 12分钟倒计时：这部分电路完成12分钟倒计时的功能，比赛准备开始时，屏幕显示12：00，然后利用74LS192的减计数的功能，从12：00变化到00:00. 攻方24秒倒计时：这部分电路与12分钟倒计时功能类似，当比赛开始时，屏幕上显示24秒字样，当比赛开始后，倒计时从24逐秒倒数到00.这一模块也是利用双向计数器74LS192来实现。 节数计次：四个LED分别表示四场节次，根据比赛场次的转变，用适当的方法使这四个LED依次自动指示四场节次。 音响控制电路：用TTL的功率门或OC门可以直接驱动小功率喇叭发声。CP是周期1S的矩形波，则会产生响一下停一下，响停共一秒的声音。 总体电路说明：倒计时功能主要是利用192计数芯片来实现，同时利用反馈和置数实现进制的转换，以适合分和秒的不同 2011年4月高等教育自学考试全国统一命题考试 电子技术基础（三）试题 课程代码:04730 一、单项选择题(本大题共15小题，每小题1分，共15分） 在每小题列出的四个备选项中只有一个选项是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1、题1图所示波形中，表示恒定直流电压信号的是( ) 2、下列关于电抗元件上电压和电流的描述中，正确的是( ) A、仅电感上流过的电流不能突变 B、仅电容两端的电压不能突变 C、电感上流过的电流和电容两端的电压都不能突变 D、电感上流过的电流和电容两端的电压都能突变 3、设流过1kΩ电阻的电流为i(t)=2cos2t(mA)，则该电阻消耗的平均功率为 A、P=2cos22t(mW) B、P=4cos22t(mW) C.P=2(mW) D、P=4(mW) 4、晶体三极管用于放大时，其发射结和集电结的正确偏置状态是( ) A、发射结正偏，集电结正偏 B、发射结正偏，集电结反偏 C、发射结反偏，集电结正偏 D、发射结反偏，集电结反偏 5、已知工作在放大区的某硅晶体三极管的三个电极电位如题5图所示，则a、b、c三个电极分别为( ) A、集电极、发射极、基极 B、集电极、基极、发射极 C、发射极、集电极、基极 D、基极、集电极、发射极 6、理想集成运算放大器工作在线性区时的两个重要结论是( ) A、有虚短，无虚断 B、有虚短，有虚断 C、无虚短，无虚断 D、无虚短，有虚断 7、在反相比例运算电路中，正确的是( ) A、u+=u－=0，共模输入信号u ic=0 B、u+=u－=0，共模输入信号u ic=u i C、u+=u－=u i，共模输入信号u ic=u i D、u+=u－=u i，共模输入信号u ic=0 8、在电阻性负载单相半波整流电路中，如果输出电流平均值是I O(A V)，则二极管中的电流平均值为( ) A、0.25I O(A V) B、0.5I O(A V) C、I O(A V) D、2I O(A V) 9、如输出电压为5V，最大输出电流为0.5A，则可选用的集成稳压器是( ) A.7805 B、78L12 C、7905 D、78M05 10、与A+错误！未找到引用源。B相等的函数式是( ) A、AB B、A+B C、A D、B 1l、将二进制数(11001)2转换成十进制数为( ) A、(20)10 B、(37)10 C、(25)10 D、(21)10 12、与非门的逻辑功能为( ) A、输入有0，输出为0；输入全1，输出为1 B、输入有0，输出为1；输入全1，输出为0 C、输入全0，输出为1；输入有1，输出为0 D、输入全0，输出为0；输入有1，输出为1 13、一个十六选一的数据选择器，其地址输入端有( ) A、2个 B、4个2020年8月自考04730电子技术基础三试题答案及评分参考
电子技术基础l练习习题答案(1)
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