微电子学概论复习资料最终版 仅供参考
1，晶体管的发明
ENIAC计算机是由电子管构成的
1947年12月23日，第一次观测到了具有放大作用的晶体管
2，历史发展
1946年第一台计算机：ENIAC
1947年12月23日第一个晶体管：NPN Ge晶体管W. Schokley J. Bardeen W. Brattain 1977年在北京大学诞生第一块大规模集成电路
1958年以德克萨斯仪器公司基尔比(Clair Kilby)研制出了世界上第一块集成电路，并于1959年公布。TI公司的Kilby，12个器件，Ge晶片
3，微电子学的概念
微电子学是研究在固体（主要是半导体）材料上构成的微小型化电路及系统的电子学分支。微电子学——微型电子学核心——集成电路
4，集成电路的概念
集成电路：Integrated Circuit，缩写IC。是指通过一系列工艺,在单片半导体材料上(Si或GaAs)加工出许多元器件（有源和无源），这些元器件按照一定要求连接起来，作为一个不可分割的整体执行某一特定功能。
（通过一系列特定的加工工艺，将晶体管、二极管等有源器件和电阻、电容等无源器件，按照一定的电路互连，“集成”在一块半导体单晶片（如硅或砷化镓）上，封装在一个外壳内，执行特定电路或系统功能）
1.金属、半导体、绝缘体
金属：电导率106～104(W?cm-1)，不含禁带；
半导体：电导率104~10-10(W?cm-1)，含禁带；
绝缘体：电导率<10-10(W?cm-1)，禁带较宽；
金属、半导体、绝缘体的区别：半导体中存在着禁带，而金属中不存在；半导体和绝缘体的禁带宽度和电导率的温度特性不同。
2.半导体的特点：
（1）电导率随温度上升而指数上升；
（2）杂质的种类和数量决定其电导率；
（3）可以实现非均匀掺杂；
（4）光辐照、高能电子注入、电场和磁场等影响其电导率；
3.P型/N型半导体
N型半导体：自由电子浓度大大增加的杂质半导体，也称为电子半导体。在硅或锗晶体中掺入少量的五价元素磷(或锑)。
P型半导体：空穴浓度大大增加的杂质半导体，也称为空穴半导体。在硅或锗晶体中掺入少量的三价元素，如硼（或铟）。
4.多子、少子的概念
多子：多数载流子n型半导体：电子p型半导体：空穴
少子：少数载流子n型半导体：空穴p型半导体：电子
电子和空穴统称为载流子。
5.能带、导带、价带、禁带
能带之间的间隙叫禁带，一个能带到另一个能带之间的能量差称为禁带宽度。
价带：0K条件下被电子填充的能量最高的能带
导带： 0K条件下未被电子填充的能量最低的能带
禁带：导带底与价带顶之间能带
带隙：导带底与价带顶之间的能量差
5.本征半导体：没有掺杂的半导体（相对应的为掺杂半导体）
6.半导体迁移率
迁移率：单位电场作用下载流子获得平均速度，反映了载流子在电场作用下输运能力
影响迁移率的因素：有效质量和平均弛豫时间（散射）
体现在：温度和掺杂浓度
7.扩散和漂移
扩散运动：多数载流子因浓度上的差异而形成的运动。
漂移运动：少数载流子在内电场作用下有规则的运动。
漂移运动和扩散运动的方向相反
正向偏置时，扩散大于漂移；反向偏置时，漂移大于扩散
8.过剩载流子
由于受外界因素如光、电的作用，半导体中载流子的分布偏离了平衡态分布，称这些偏离平衡分布的载流子为过剩载流子.
9.PN结，为什么会单向导电，正向特性、反向特性，
正向特性：正向偏置时，扩散大于漂移，称为PN结的正向注入效应。
反向特性：反向偏置时，漂移大于扩散, PN结的反向抽取作用。
10.双极晶体管的基本结构及特点
双极晶体管（三极管）的结构：由两个相距很近的PN结组成：
三极管的特点
BIMOS：双极金属氧化物半导体
MOSFET和三极管的主要区别：
1：MOSFET是电压控制器件，三极管是电流控制器件
2．MOSFET输入阻抗很大，三极管输入阻抗比MOSFET小
3．MOSFET输出电阻比三极管小，所以驱动能力强
4．MOSFET截止频率比三极管截止频率高。
CMOS与双极集成电路区别：
双极型集成电路是由NPN或PNP型晶体管组成，也叫TTL集成电路。
单极型集成电路是由MOS场效应晶体管组成的。
TTL和COMS电路比较：1）TTL电路是电流控制器件，而CMOS电路是电压控制器件。2）TTL电路的速度快，传输延迟时间短(5-10ns)，但是功耗大。COMS电路的速度慢，传输延迟时间长(25-50ns),但功耗低。COMS电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关，频率越高，芯片集越热，这是正常现象。
MOS晶体管分类：
按载流子类型分：
?NMOS: 也称为N沟道，载流子为电子。
?PMOS: 也称为P沟道，载流子为空穴。
第三章大规模集成电路基础
1．集成电路制造流程、特征尺寸
集成电路的制造过程：设计工艺加工测试封装
集成电路的性能指标：
集成度
速度、功耗（功耗延迟积，又称电路的优值。功耗延迟积越小，集成电路的速度越快或功耗越低，性能越好）
特征尺寸（集成电路中半导体器件的最小尺度）。特征尺度越小，加工精度越高，可能精度越高，可能达到的集成度也越大，性能越好。
可靠性
集成电路的关键技术：光刻技术(DUV)
第四章
1.常用化学气相淀积法(CVD):常压化学气相淀积（APCVD）、低压化学气相淀积
（LPCVD）、等离子增强化学气相淀积（PECVD）
2.外延：在单晶衬底上生长单晶材料层的工艺
3.集成电路工艺主要分为哪几大类，每一类中包括哪些主要工艺，并简述各工艺的主要作用
*图形转换（将设计在掩膜版(类似于照相底片)上的图形转移到半导体单晶片上）：光刻光刻三要素：光刻胶、掩膜版和光刻机；光刻的基本要素是掩模板和光刻胶。
光刻工序：光刻胶的涂覆→爆光→显影→刻蚀→去胶
光致抗蚀剂（或称光刻胶）是一种对光敏感的高分子化合物，它是由光敏化合物、基体树脂和有机溶剂等混合而成的胶状液体。当光刻胶受到特定波长光线的辐照之后，光敏化合物会发生化学反应，导致光刻胶的化学结构发生变化，使光刻胶在特定溶液中的溶解特性发生改变。如果光刻胶在曝光前可溶于某种溶液而经过曝光后变为不可溶，这种光刻胶称为负胶；如果曝光前不溶而曝光后变为可溶的，这种光刻胶称为正胶。（分辨率高，在超大规模集成电路工艺中，一般只采用正胶）
几种常见的光刻方法
接触式光刻：分辨率较高，但是容易造成掩膜版和光刻胶膜的损伤。
接近式曝光：在硅片和掩膜版之间有一个很小的间隙(10～25m)，可以大
大减小掩膜版的损伤，分辨率较低
投影式曝光：利用透镜或反射镜将掩膜版上的图形投影到衬底上的曝光方法，
目前用的最多的曝光方式
*常用的腐蚀方法分为湿法刻蚀和干法刻蚀
湿法刻蚀：利用液态化学试剂或溶液通过化学反应进行刻蚀的方法，用在线条较大的IC(≥3mm)；
干法刻蚀：主要指利用低压放电产生的等离子体中的离子或游离基(处于激发态的分子、原子及各种原子基团等)与材料发生化学反应或通过轰
击等物理作用而达到刻蚀的目的
*掺杂：将需要的杂质掺入特定的半导体区域中，以达到改变半导体电学性质，形成PN结、电阻、欧姆接触。磷(P)、砷(As) —— N型硅；硼(B) —— P型硅扩散法（diffusion）是将掺杂气体导入放有硅片的高温炉中，将杂质扩散到
硅片内的一种方法。有以下两种扩散方式
离子注入：将具有很高能量的杂质离子射入半导体衬底中的掺杂技术，掺杂
深度由注入杂质离子的能量和质量决定，掺杂浓度由注入杂质离子的数目(剂
量)决定.（需要进行退火处理）。离子注入目前已成为集成电路工艺中主要的
杂质掺杂技术
退火：也叫热处理，集成电路工艺中所有的在氮气等不活泼气氛中进行的热
处理过程都可以称为退火。
退火作用：1、激活杂质：使不在晶格位置上的离子运动到晶格位置，以便
具有电活性，产生自由载流子，起到杂质的作用；2、消除晶格损伤引起的
晶体缺陷；
*制膜
氧化硅层的作用：
1）作为MOS期间的绝缘栅介质 2）用作选择扩散时的掩蔽层
3）作为离子注入的阻挡层 4）作为集成电路的隔离介质材料
5）作为电容器的隔离介质材料 6）作为多层金属互连层之间的介质材料
7）作为对器件和电路进行钝化的钝化层材料
热氧化层形成SiO2的机理：
硅与氧气和水蒸气的热氧化反应方程式为：
Si(固体) + 2H2O → SiO2(固体) + 2H2
Si(固体) + O2 → SiO2(固体)
硅的氧化过程是一个表面过程。必须经过以下三个步骤：1氧化剂从气体内部被传输到气体/氧化物界面。2通过扩散穿过已经形成的氧化层。3在氧化层/硅界面处发生反应。
影响硅表面氧化速率的三个关键因素为：温度，氧化剂的有效性，硅层的表面势。
4.简述光刻的工艺过程
硅片清洗、烘干涂底涂胶软烘对准曝光后烘显影硬烘刻蚀去胶
5.N阱、P阱工艺流程
形成N阱：初始氧化、淀积氮化硅层、光刻1版，定义出N阱、反应离子刻蚀氮化硅层、N阱离子注入，注磷
形成P阱：去掉光刻胶、在N阱区生长厚氧化层，其它区域被氮化硅层保护而不会被氧化、去掉氮化硅层、 P阱离子注入，注硼
6.Cu、Al作为互连线的比较：Al是目前集成电路工艺中最常用的金属互连材料, 但Al连线也存在一些比较严重的问题：电迁移严重、电阻率偏高、浅结穿透等。Cu连线工艺有望从根本上解决该问题，IBM、Motorola等已经开发成功。目前，互连线已经占到芯片总面积的70～80%；且连线的宽度越来越窄，电流密度迅速增加
1.什么是集成电路设计？
根据电路功能和性能的要求，在正确选择系统配置、电路形式、器件结构、工艺方案和设计规则的情况下，尽量减小芯片面积，降低设计成本，缩短设计周期，以保证全局优化，设计出满足要求的集成电路。——设计的最终输出结果是掩膜版图2.集成电路设计的特点：
1）对正确性要求更严格
2）采用便于检测的电路结构，考虑电路的自检测功能
3）特有的布局布线等版图设计过程
4）采用分层分级设计和模块化设计
3.什么是版图？
一组相互套合的图形，各层版图相应于不同的工艺步骤，每一层版图用不同的图案来表示。设计与制备之间的接口：版图
4.版图设计
概念：根据逻辑与电路功能和性能要求以及工艺水平要求来设计光刻用的掩膜版图，IC设计的最终输出。
目标：连线全部实现，芯片面积最小，性能优化（连线总延迟最小）
5.版图设计规则概念，为什么需要指定版图设计规则，版图设计规则主要内容以及表示方法。
设计规则：从图形如何精确地光刻到芯片上出发，可以确定一些对几何图形的最小尺寸限制规则，这些规则被称为设计规则。考虑器件在正常工作的条件下，根据实际工艺水平(包括光刻特性、刻蚀能力、对准容差等)和成品率要求，给出的一组同一工艺层及不同工艺层之间几何尺寸的限制，主要包括线宽、间距、覆盖、露头、凹口、面积等规则，分别给出它们的最小值，以防止掩膜图形的断裂、连接和一些不良物理效应的出现。芯片上每个器件以及互连线都占有有限的面积。它们的几何图形由电路设计者来确定。
制定目的：使芯片尺寸在尽可能小的前提下，避免线条宽度的偏差和不同层版套准偏差可能带来的问题，尽可能地提高电路制备的成品率
内容：Design Rule通常包括相同层和不同层之间的下列规定：最小线宽最小间距最小延伸最小包围最小覆盖
表示方法：以λ为单位：把大多数尺寸（覆盖，出头等等）约定为λ的倍数，λ与工艺线所具有的工艺分辨率有关，线宽偏离理想特征尺寸的上限以及掩膜版之间的最大套准偏差，一般等于栅长度的一半。优点：版图设计独立于工艺和实际尺寸举例：见书P135
以微米为单位：每个尺寸之间没有必然的比例关系，提高每一尺寸的合理度；简化度不高举例：见书P137
1.什么是综合？综合过程有几个步骤。
综合：通过附加一定的约束条件，结合相应的单元库，从设计的高层次向低层次转换的过程，是一种自动设计的过程。
分类：1）高级综合2）逻辑综合
2.逻辑模拟
逻辑模拟的基本概念：将逻辑设计输入到计算机，用软件方法形成硬件的模型，给定输入波形，利用模型算出各节点和输出端的波形，判断正确否
主要作用：验证逻辑功能和时序的正确性
分类：根据所模拟逻辑单元规模的大小
寄存器传输级模拟：总体操作正确性
功能块级模拟：加法器、计数器、存储器等
门级模拟：基本逻辑单元：门、触发器等
开关级模拟：晶体管：后仿真
主要环节：逻辑模拟模型、设计输入、模拟算法
3.电路模拟
电路模拟：根据电路的拓扑结构和元件参数将电路问题转换成适当的数学方程并求解，根据计算结果检验电路设计的正确性
模拟对象：元件
优点：不需实际元件、可作各种模拟甚至破坏性模拟
4.逻辑模拟、电路模拟、时序分析的比较
逻辑模拟：最简单，用时最短
电路模拟：最复杂，用时最长——SPICE电路模拟软件
时序分析：比门级逻辑模拟功能强，比SPICE速度快，但精确度稍低。
可将三者结合起来进行混合模拟。
5.版图的人工设计
用于底层单元设计、单元库单元设计、模拟电路设计等方面，进行版图输入编辑，考虑设计规则
版图检查与验证包括：DRC、ERC、LVS、后仿真
DRC：设计规则检查（最小线宽、最小图形间距、最小接触孔尺寸、栅和源漏区的最小交叠等）
实现：通过图形计算（线和线间的距离计算）、DRC软件
用户：编写DRC文件，给出设计规则
ERC：检查电学规则，检测出没有电路意义的连接错误，（短路、开路、孤立布线、非法器件等），介于设计规则与行为级分析之间，不涉及电路行为
实现：提取版图网表，ERC软件
网表提取工具：逻辑连接复原
LVS（网表一致性检查）：从版图提取出的电路网表与从原理图得到的网表进行比较，检查两者是否一致。
作用与特点：主要用于保证进行电路功能和性能验证之前避免物理设计错
误。可以检查出ERC无法检查出的设计错误，也可以实现错误定位
实现：网表提取，LVS软件
后仿真：考虑版图引入的寄生量的影响，进行后仿真，保证版图能满足电
路功能和性能的要求
1.光电器件主要包括哪几类？
光电子器件：光子和电子共同起作用的半导体器件，其中光子担任主要角色。
主要包括三大类：发光器件：将电能转换为光能。如发光二极管(Light Emitting
Diode，缩写为LED)、半导体激光器
太阳能电池：利用半导体内光电效应将光能转换为电能的
光电探测器：利用电子学方法检测光信号的。如热探测器、光
子探测器
2.半导体发光二极管的工作原理
正向偏置下的载流子注入，当非平衡少子与多子复合时，以辐射光子的形式将多余的能量转为光能。
3.光电二极管
光电二极管工作时需要外加一个反向偏置电压，这样在pn结附近的耗尽区内存在较大的电场，当入射光进入到pn结中时，激发产生的电子—空穴对会在电场作用下向相反方向漂移。
?PIN光电二极管（尽量增加耗尽区宽度，提高灵敏度）—光电二极管实际上就
是一个工作在反向偏置条件下的pn结，PIN光电二极管是最常用的光电探测器件。
?雪崩光电二极管（雪崩倍增效应，有很大电流增益）—雪崩光电二极管是借
助强电场作用产生载流子倍增效应(即雪崩倍增效应)的一种高速光电器件。
4.半导体太阳能电池
原理:吸收光辐射而产生电动势，它是半导体太阳能电池实现光电转换的理论基础产生光生伏特效应的两个基本条件：半导体材料对一定波长的入射光有足够大的光吸收系数，即要求入射光子的能量hv大于或等于半导体的禁带宽度Eg；具有光生伏特结构，即有一个内建电场所对应的势垒区
5.半导体激光器
半导体激光器中光的发射是受激辐射过程，因此是一种相干辐射光源。
半导体激光器是光纤通信中最重要的光源之一，在短距离激光测距、引爆、污染检测等方面有广泛的应用前景。
通常采用的激励方式有pn结注入电流激励（称为激光二极管或注入型半导体激光器）、电子束激励、光激励、碰撞电离激励等。
6.半导体发光器件的基本原理是什么？
半导体发射激光，即要实现受激发射，必须满足下面三个条件：
通过施加偏压等方法将电子从能量较低的价带激发到能量较高的导带，产生足够多的电子空穴对，导致粒子数分布发生反转
形成光谐振腔，使受激辐射光子增生，产生受激振荡，导致产生的激光沿谐振腔方向发射
满足一定的阈值条件，使电子增益大于电子损耗，即激光器的电流密度必须大于产生受激发射的电流密度阈值
1.微机电系统（MEMS）的基本概念
MEMS将电子系统与外部世界有机联系起来。从广义上讲，MEMS是指集微型传感器、微型执行器、信号处理和控制电路、接口电路、通信系统以及电源于一体的微型机电系统
MEMS的分类（1）、微传感器（2）、微执行器（3）、微型构件（4）、微机械光学器件（5）、真空微电子器件（6）、电力电子器件
MEMS主要包括：微型传感器、执行器、信号处理器三部分。
2、列举几种你所知道的MEMS器件，并简述其用途。
惯性MEMS器件，如加速度计、陀螺、压力传感器
光学MEMS器件，如微光开关、微光学平台、微执行器、微喷、微马达
生物MEMS器件
第十二章
1.叙述Moore定律的内容
集成电路的集成度每三年增长四倍，特征尺寸每三年缩小倍
2
2.微电子技术发展的趋势
1、由集成电路(IC)向集成系统(IS)转变——微系统
狭义：信息系统的芯片集成，即片上系统，或System on-a-Chip(SOC)
广义：微系统，微电子机械系统(MEMS)、微光机电系统(MOEMS)，等
2、由微电子学向纳电子学转变——纳电子学
狭义上：纳器件，包括延伸MOS结构的物理限制和寻找MOS的继承器件
广义上：纳系统，如分子、量子、生物(DNA)电子学等计算系统
3、“More Moore”——按比例缩小(Scaling)
几何Scaling：继续缩小片上逻辑记忆存储功能在水平、垂直方向的物理特征尺寸，以求持续改善密度、性能和可靠性
等价Scaling：影响芯片电学性能的三维器件结构改善、其它非几何工艺技术、新材料
4、“More than Moore”——功能多样化(Functional Diversification)
不必Scaling而提高附加值方法：如对非数字功能的RF通信、功率控制、片上无源元件、传感器/执行器(MEMS)等
异质集成：由PCB系统板级集成移植为SOC或SIP
5、“Beyond CMOS”——超越硅基CMOS
摩尔定律达到物理和概念上极限后，要求全新的科学、工程和概念框架。
美国NSF启动超越摩尔定律的科学与工程SEBML(Science and Engineering
Beyond Moore’s Law)项目，2009年拨款2000万美元
碳纳米管量子计算
器件小型化和系统中容错技术
3.硅微电子技术的三个主要发展方向
特征尺寸继续等比例缩小
集成电路(IC)将发展成为系统芯片(SOC)
微电子技术与其它领域相结合将产生新的产业和新的学科，例如MEMS、DNA芯片等
微电子学概论复习题
第一章 绪论 1.画出集成电路设计与制造的主要流程框架。 2.集成电路分类情况如何？ 答： 3.微电子学的特点是什么？ 答：微电子学：电子学的一门分支学科 微电子学以实现电路和系统的集成为目的，故实用性极强。 微电子学中的空间尺度通常是以微米(μm, 1μm ＝10－6m)和纳米(nm, 1nm = 10-9m)为单位的。 微电子学是信息领域的重要基础学科 微电子学是一门综合性很强的边缘学科 涉及了固体物理学、量子力学、热力学与统计物理学、材料科学、电子线路、信号处理、计算??????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????按应用领域分类数字模拟混合电路非线性电路线性电路模拟电路时序逻辑电路组合逻辑电路数字电路按功能分类GSI ULSI VLSI LSI MSI SSI 按规模分类薄膜混合集成电路厚膜混合集成电路混合集成电路BiCMOS BiMOS 型BiMOS CMOS NMOS PMOS 型MOS 双极型单片集成电路按结构分类集成电路
机辅助设计、测试与加工、图论、化学等多个学科 微电子学是一门发展极为迅速的学科，高集成度、低功耗、高性能、高可靠性是微电子学发展的方向 微电子学的渗透性极强，它可以是与其他学科结合而诞生出一系列新的交叉学科，例如微机电系统(MEMS)、生物芯片等 第二章半导体物理和器件物理基础 1.什么是半导体？特点、常用半导体材料 答：什么是半导体？ 金属：电导率106～104(W?cm-1)，不含禁带； 半导体：电导率104~10-10(W?cm-1)，含禁带； 绝缘体：电导率<10-10(W?cm-1)，禁带较宽； 半导体的特点： （1）电导率随温度上升而指数上升； （2）杂质的种类和数量决定其电导率； （3）可以实现非均匀掺杂； （4）光辐照、高能电子注入、电场和磁场等影响其电导率； 半导体有元素半导体，如：Si、Ge（锗） 化合物半导体，如：GaAs（砷化镓）、InP （磷化铟）、ZnS 硅：地球上含量最丰富的元素之一，微电子产业用量最大、也是最重要的半导体材料。硅(原子序数14)的物理化学性质主要由最外层四个电子（称为价电子）决定。每个硅原子近邻有四个硅原子，每两个相邻原子之间有一对电子，它们与两个原子核都有吸引作用，称为共价键。 化合物半导体：III族元素和V族构成的III-V族化合物，如，GaAs(砷化镓)，InSb(锑化铟)，GaP(磷化镓)，InP(磷化铟)等，广泛用于光电器件、半导体激光器和微波器件。 2.掺杂、施主/受主、P型/N型半导体（课件） 3.能带、导带、价带、禁带（课件） 4.半导体中的载流子、迁移率（课件） 5.PN结，为什么会单向导电，正向特性、反向特性，PN结击穿有几种（课件） 6.双极晶体管工作原理，基本结构，直流特性（课件） 7.MOS晶体管基本结构、工作原理、I-V方程、三个工作区的特性（课件） 8.MOS晶体管分类 答：按载流子类型分： ?NMOS: 也称为N沟道，载流子为电子。 ?PMOS: 也称为P沟道，载流子为空穴。 按导通类型分： ?增强（常闭）型：必须在栅上施加电压才能形成沟道。 ?耗尽（常开）型：在零偏压下存在反型层导电沟道，必须在栅上施加偏压才能使沟道内载流子耗尽的器件。 四种MOS晶体管：N沟增强型；N沟耗尽型；P沟增强型；P沟耗尽型 第三章大规模集成电路基础 1．集成电路制造流程、特征尺寸（课件） 2．CMOS集成电路特点（课件） 3．MOS开关、CMOS传输门特性（课件）
数据库系统概论期末试题及答案(重点知识)
试题十 一、单项选择题 （本大题共15小题，每小题2分，共30分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要 求的，错选、多选或未选均无分。 1. 数据库系统的特点是（ ）、数据独立、减少数据冗余、避免数据不一致和加强了数据保护。 A ．数据共享 B ．数据存储 C ．数据应用 D ．数据保密 2. 数据库系统中，物理数据独立性是指（ ）。 A ．数据库与数据库管理系统的相互独立 B ．应用程序与DBMS 的相互独立 C ．应用程序与存储在磁盘上数据库的物理模式是相互独立的 D ．应用程序与数据库中数据的逻辑结构相互独立 3. 在数据库的三级模式结构中，描述数据库中全体数据的全局逻辑结构和特征的是（ ）。 A ．外模式 B ．内模式 C ．存储模式 D ．模式 4． E-R 模型用于数据库设计的哪个阶段（ ）？ A ．需求分析 B ．概念结构设计 C ．逻辑结构设计 D ．物理结构设计 5． 现有关系表：学生（宿舍编号，宿舍地址，学号，姓名，性别，专业，出生日期）的主码是（ ）。 A ．宿舍编号 B ．学号 C ．宿舍地址，姓名 D ．宿舍编号，学号 6． 自然连接是构成新关系的有效方法。一般情况下，当对关系R 和S 使用自然连接时，要求R 和S 含有一个或多个共有的（ ）。 A ．元组 B ．行 C ．记录 D ．属性 7． 下列关系运算中，（ ）运算不属于专门的关系运算。 A ．选择 B ．连接 C ．广义笛卡尔积 D ．投影 8． SQL 语言具有（ ）的功能。 ( 考 生 答 题 不 得 超 过 此 线 )
A．关系规范化、数据操纵、数据控制 B．数据定义、数据操纵、数据控制 C．数据定义、关系规范化、数据控制 D．数据定义、关系规范化、数据操纵 9．如果在一个关系中，存在某个属性（或属性组），虽然不是该关系的主码或只是主码的一部分，但却是另一个关系的主码时，称该属性（或属性组）为这个关系的（） A.候选码 B.主码 C. 外码 D. 连接码 10.下列关于关系数据模型的术语中，（）术语所表达的概念与二维表中的 “行”的概念最接近？ A.属性 B.关系 C. 域 D. 元组 11.假定学生关系是S（S＃，SNAME，SEX，AGE），课程关系是C（C＃，CNAME， TEACHER），学生选课关系是SC（S＃，C＃，GRADE）。 要查找某个学生的基本信息及其选课的平均成绩，将使用关系（）A．S和SC B．SC和C C．S和C D．S、SC和C 12．在SQL语言的SELECT语句中，用于对结果元组进行排序的是（）子句。 A． GROUP BY B．HAVING C．ORDER BY D．WHERE 13．设有关系SC（SNO，CNO，GRADE），主码是（SNO，CNO）。遵照实体完整性规则，下面（）选项是正确的。 A．只有SNO不能取空值B．只有CNO不能取空值 C．只有GRADE不能取空值D．SNO与CNO都不能取空值 14．下面关于函数依赖的叙述中，（）是不正确的。 A．若X→Y，WY→Z，则XW→Z B．若Y X，则X→Y C．若XY→Z，则X→Z，Y→Z D．若X→YZ，则X→Y，X→Z 15．设有关系R（A，B，C）和S（C，D）。与SQL语句select A,B,D from R,S where R.C=S.C等价的关系代数表达式是（） A．σR.C=S.C(πA,B,D(R×S)) B．πA,B,D(σR,C= S.C(R×S)) C．σR.C=S.C((πA,B(R))×(πD(S))) D．σR,C=S.C(πD((πA,B(R))×S))
数据库概论期末复习试卷及答案
、选择题( 20 分) 1、数据库(DB )、数据库系统(DBS)和数据库管理系统(DBMS )三者之间的关 系是__ A___ 。 A． DBS 包括 DB 和 DBMS B ．DBMS 包括 DB 和 DBS C．DB 包括 DBS 和 DBMS D ．DBS 就是 DB ，也就是 DBMS 2、关系数据模型 ___D ___ 。 A ?只能表示实体之间的1:1联系 B ?只能表示实体之间的1:n联系 C .只能表示实体之间的 m:n联系 D?可以表示实体间的上述三种联系 3、在数据库中，下列说法 __A___是不正确的。 A 数据库避免了一切数据的重复 B 若系统是完全可以控制的，则系统可确保更新时的一致性 C 数据库中的数据可以共享 D 数据库减少了数据冗余 4、在数据库中，产生数据不一致的根本原因是__C___。 A .数据存储量太大 B ．没有严格保护数据 C ．未对数据进行完整性控制 D ．数据冗余 5、在数据库的三级模式结构中，描述数据库中全局逻辑结构和特征的是__D__。 A ?外模式B.内模式C.存储模式D.模式 6、数据库三级模式体系结构的划分，有利于保持数据库的___A___. A ?数据库独立性 B.数据安全性 C ?结构规范化D.操作可行性 7、设关系R和S都是二元关系，那么与元组表达式： {t | ($u) ( $v) (R(u) S(v) u[d]=v[1] t[?=v[1] t[2]=v[2])} 等价的关系代数表达式是_________ 。 A ? p3, 4 (R ￥ S) B ? p2, 3 (R ￥ S) 1=1 C ? p3, 4 ( R ￥ S) D ? p3, 4 ( s 仁1 (R 'S)) 1=1 8、关系模式中各级模式之间的关系为______ A? ____ 。 A. 3NF 12NF 11NF B. 3NF 1NF 52NF C. 1NF 2NF 13NF D. 2NF 1NF 3NF 9、数据库中的封锁机制是 ___C___的主要方法。 A. 完整性 B. 安全性 C. 并发控制 D. 恢复 10、在数据库设计中,用 E-R 图来描述信息结构但不涉及信息在计算机中的表示,它是 数据库设计的 ___B___阶段。 A. 需求分析 B. 概念设计 C. 逻辑设计 D. 物理设计
微电子学概论复习资料最终版 仅供参考
1，晶体管的发明 ENIAC计算机是由电子管构成的 1947年12月23日，第一次观测到了具有放大作用的晶体管 2，历史发展 1946年第一台计算机：ENIAC 1947年12月23日第一个晶体管：NPN Ge晶体管W. Schokley J. Bardeen W. Brattain 1977年在北京大学诞生第一块大规模集成电路 1958年以德克萨斯仪器公司基尔比(Clair Kilby)研制出了世界上第一块集成电路，并于1959年公布。TI公司的Kilby，12个器件，Ge晶片 3，微电子学的概念 微电子学是研究在固体（主要是半导体）材料上构成的微小型化电路及系统的电子学分支。微电子学——微型电子学核心——集成电路 4，集成电路的概念 集成电路：Integrated Circuit，缩写IC。是指通过一系列工艺,在单片半导体材料上(Si或GaAs)加工出许多元器件（有源和无源），这些元器件按照一定要求连接起来，作为一个不可分割的整体执行某一特定功能。 （通过一系列特定的加工工艺，将晶体管、二极管等有源器件和电阻、电容等无源器件，按照一定的电路互连，“集成”在一块半导体单晶片（如硅或砷化镓）上，封装在一个外壳内，执行特定电路或系统功能）
1.金属、半导体、绝缘体 金属：电导率106～104(W?cm-1)，不含禁带； 半导体：电导率104~10-10(W?cm-1)，含禁带； 绝缘体：电导率<10-10(W?cm-1)，禁带较宽； 金属、半导体、绝缘体的区别：半导体中存在着禁带，而金属中不存在；半导体和绝缘体的禁带宽度和电导率的温度特性不同。 2.半导体的特点： （1）电导率随温度上升而指数上升； （2）杂质的种类和数量决定其电导率； （3）可以实现非均匀掺杂； （4）光辐照、高能电子注入、电场和磁场等影响其电导率； 3.P型/N型半导体 N型半导体：自由电子浓度大大增加的杂质半导体，也称为电子半导体。在硅或锗晶体中掺入少量的五价元素磷(或锑)。 P型半导体：空穴浓度大大增加的杂质半导体，也称为空穴半导体。在硅或锗晶体中掺入少量的三价元素，如硼（或铟）。 4.多子、少子的概念 多子：多数载流子n型半导体：电子p型半导体：空穴 少子：少数载流子n型半导体：空穴p型半导体：电子 电子和空穴统称为载流子。 5.能带、导带、价带、禁带 能带之间的间隙叫禁带，一个能带到另一个能带之间的能量差称为禁带宽度。 价带：0K条件下被电子填充的能量最高的能带 导带： 0K条件下未被电子填充的能量最低的能带 禁带：导带底与价带顶之间能带 带隙：导带底与价带顶之间的能量差 5.本征半导体：没有掺杂的半导体（相对应的为掺杂半导体） 6.半导体迁移率 迁移率：单位电场作用下载流子获得平均速度，反映了载流子在电场作用下输运能力 影响迁移率的因素：有效质量和平均弛豫时间（散射） 体现在：温度和掺杂浓度 7.扩散和漂移 扩散运动：多数载流子因浓度上的差异而形成的运动。 漂移运动：少数载流子在内电场作用下有规则的运动。 漂移运动和扩散运动的方向相反 正向偏置时，扩散大于漂移；反向偏置时，漂移大于扩散 8.过剩载流子 由于受外界因素如光、电的作用，半导体中载流子的分布偏离了平衡态分布，称这些偏离平衡分布的载流子为过剩载流子. 9.PN结，为什么会单向导电，正向特性、反向特性， 正向特性：正向偏置时，扩散大于漂移，称为PN结的正向注入效应。 反向特性：反向偏置时，漂移大于扩散, PN结的反向抽取作用。 10.双极晶体管的基本结构及特点 双极晶体管（三极管）的结构：由两个相距很近的PN结组成：
微电子技术概论期末试题
《微电子技术概论》期末复习题 试卷结构： 填空题40分，40个空，每空1分， 选择题30分，15道题，每题2分， 问答题30分，5道题，每题6分 填空题 1.微电子学是以实现电路和系统的集成为目的的。 2.微电子学中实现的电路和系统又称为集成电路和集成系统，是微小化的。 3.集成电路封装的类型非常多样化。按管壳的材料可以分为金属封装、陶瓷封装和塑料封装。 4.材料按其导电性能的差异可以分为三类：导体、半导体和绝缘体。 5. 迁移率是载流子在电场作用下运动速度的快慢的量度。 6.PN 结的最基本性质之一就是其具有单向导电性。 7.根据不同的击穿机理，PN 结击穿主要分为雪崩击穿和隧道击穿这两种电击穿。 8.隧道击穿主要取决于空间电荷区中的最大电场。 9. PN结电容效应是PN结的一个基本特性。 10.PN结总的电容应该包括势垒电容和扩散电容之和。 11.在正常使用条件下，晶体管的发射结加正向小电压，称为正向偏置，集电结加反向大电压，称为反向偏置。 12.晶体管的直流特性曲线是指晶体管的输入和输出电流-电压关系曲线， 13.晶体管的直流特性曲线可以分为三个区域：放大区，饱和区，截止区。 14.晶体管在满足一定条件时，它可以工作在放大、饱和、截止三个区域中。 15.双极型晶体管可以作为放大晶体管，也可以作为开关来使用，在电路中得到了大量的应用。 16. 一般情况下开关管的工作电压为 5V ，放大管的工作电压为 20V 。 17. 在N 型半导体中电子是多子，空穴是少子； 18. 在P 型半导体中空穴是多子，电子是少子。 19. 所谓模拟信号，是指幅度随时间连续变化的信号。 20. 收音机、收录机、音响设备及电视机中接收、放大的音频信号、电视信号是模拟信号。 21. 所谓数字信号，指在时间上和幅度上离散取值的信号。 22. 计算机中运行的信号是脉冲信号，但这些脉冲信号均代表着确切的数字，因而又叫做数字信号。 23. 半导体集成电路是采用半导体工艺技术，在硅基片上制作包括电阻、电容、二极
数据库概论试题(期末)
试题四 一、单项选择题 （本大题共20小题，每小题1.5分，共30分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1. 数据库系统的特点是（）、数据独立、减少数据冗余、避免数据不一致 和加强了数据保护。 A．数据共享B．数据存储 C．数据应用D．数据保密 2.数据库系统中，物理数据独立性是指（）。 A．数据库与数据库管理系统的相互独立 B．应用程序与DBMS的相互独立 C．应用程序与存储在磁盘上数据库的物理模式是相互独立的 D．应用程序与数据库中数据的逻辑结构相互独立 3.在数据库的三级模式结构中，描述数据库中全体数据的全局逻辑结构和特征 的是（）。 A．外模式B．内模式C．存储模式D．模式 4. 关系模型的数据结构是（）。 A．层次结构B．二维表结构 C．网状结构 D．封装结构 5. 关系模型中，一个候选码（）。 A．可由多个任意属性组成 B．至多由一个属性组成 C．可由一个或多个其值能唯一标识该关系模式中任何元组的属性组成 D．必须由多个属性组成 6．自然连接是构成新关系的有效方法。一般情况下，当对关系R和S使用自然连接时，要求R和S含有一个或多个共有的（）。 A．元组B．行C．记录D．属性 7．设关系R和S的属性个数分别是2和3，那么R S等价于（） 1<2 A．σ1<2(R?S)B．σ1<4(R?S) C．σ1<2(R S)D．σ1<4(R S)
8．SQL语言具有（）的功能。 A．关系规范化、数据操纵、数据控制 B．数据定义、数据操纵、数据控制 C．数据定义、关系规范化、数据控制 D．数据定义、关系规范化、数据操纵 9．假定学生关系是S（S＃，SNAME，SEX，AGE），课程关系是C（C＃，CNAME，TEACHER），学生选课关系是SC（S＃，C＃，GRADE）。 要查找选修“COMPUTER”课程的“女”学生姓名，将涉及到关系（）。 A．S B．SC，C C．S，SC D．S，C，SC 10. 已知关系SPJ(S#,P#,J#,QTY),把对关系SPJ的属性QTY的修改权授予用户 张三的T-SQL语句是（ C ） A. GRANT QTY ON SPJ TO 张三 B. GRANT UPDA TE ON SPJ TO张三 C. GRANT UPDA TE (QTY) ON SPJ TO张三 D. GRANT UPDA TE ON SPJ (QTY) TO张三 12．在R(U)中，如果X→Y，并且对于X的任何一个真子集X'，都有X'→Y，则（）。 A. Y函数依赖于X B. Y对X完全函数依赖 C.X为U的候选码 D. R属于2NF 13．关系规范化中的插入操作异常是指 ( ) A．不该删除的数据被删除B．不该插入的数据被插入 C．应该删除的数据未被删除D．应该插入的数据未被插入 14．在数据库设计中，E－R图产生于（） A．需求分析阶段B．物理设计阶段 C．逻辑设计阶段D．概念设计阶段 15．在合并分E-R图时必须消除各分图中的不一致。各分E-R图之间的冲突主要有三类，即属性冲突、命名冲突和结构冲突，其中命名冲突是指（）。 A．命名太长或太短 B．同名异义或同义异名 C．属性类型冲突 D．属性取值单位冲突 16．事务是数据库运行的基本单位。如果一个事务执行成功，则全部更新提交； 如果一个事务执行失败，则已做过的更新被恢复原状，好像整个事务从未有过这些更新，这样保持了数据库处于（）状态。 A．安全性B．一致性
数据库系统概论期末试题及答案
《数据库原理及应用》试题1 一、选择题 1、数据库系统的基本特征是。_________A、数据的统一控制 B、数据共享 性和统一控制 C、数据共享性、独立性和冗余度小 D、数据共享性和数据独立性 （难度系数C）正确答案：C 2、DB、DBMS和DBS三者之间的关系是。_________ A、DBS与DB和DBMS无关 B、 DBMS包括DBS和DB C、DB包括DBMS和DBS D、DBS包括DB和DBMS （难度系数B）正确答案：D R?(R?S) S，关系代数表示的是3、设有关系R和。_________A、R∩S B、R―S C、R÷S D、R∪S （难度系数B）正确答案：A 4、自然连接是构成新关系的有效方法。一般情况下，当对关系R和S使用 自然连接时，要求R和S含有一个或多个共有的__________。 A、行 B、属性 C、记录 D、元组 （难度系数C）正确答案：B 5、以下是信息世界的模型，且实际上是现实世界到机器世界的一个中间层次的是_________。 A、数据模型 B、概念模型 C、关系模型 D、E-R图 （难度系数C）正确答案：C 6、构成E—R模型的三个基本要素是。_________A、实体、属性值、关系； B、实体、 属性、联系； C、实体、实体集、联系； D、实体、实体集、属性； （难度系数C）正确答案：B 7、在关系代数运算中，五种基本运算为_________。 A、并、差、选择、投影、连接 B、并、交、选择、投影、笛卡尔积 C、并、差、选择、投影、笛卡尔积 D、并、除、投影、笛卡尔积、选择 （难度系数B）正确答案：C 8、在下列关于规范化理论的叙述中，不正确的是。_________、任何一个关系模式一定有键。 A． B、任何一个包含两个属性的关系模式一定满足3NF。 C、任何一个包含两个属性的关系模式一定满足BCNF。 D、任何一个包含三个属性的关系模式一定满足2NF。 （难度系数B）正确答案：D 9、设有关系模式R(A,B,C)和S(C,D)。与SQL语句“SELECT A,B,D FROM R,S WHERE =”等价的关系代数表达式为。_________π(σ(R?S))σ(π(R?S))、 B、
数据库概论试题(期末)
试题四 -、单项选择题 （本大题共20小题，每小题1.5分，共30分） 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写 在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1. 数据库系统的特点是（ ）、数据独立、减少数据冗余、避免数据不一致 和加强了数据保护。 A ?数据共享C .数据应用 D ?数据保密 2. 数据库系统中，物理数据独立性是指（ ）。 A ?数据库与数据库管理系统的相互独立 B .应用程序与 DBMS 的相互独立 C. 应用程序与存储在磁盘上数据库的物理模式是相互独立的 D. 应用程序与数据库中数据的逻辑结构相互独立 3. 在数据库的三级模式结构中，描述数据库中全体数据的全局逻辑结构和特征 的是（ ）。 D ?封装结构 5. 关系模型中，一个候选码（ ）。 A .可由多个任意属性组成 B ?至多由一个属性组成 C .可由一个或多个其值能唯一标识该关系模式中任何元组的属性组成 D .必须由多个属性组成 6. 自然连接是构成新关系的有效方法。一般情况下，当对关系 R 和S 使用自然 连接时，要求R 和S 含有一个或多个共有的（ ）。 A .元组 B .行 C .记录 D .属性 7. 设关系R 和S 的属性个数分别是 2和3，那么RXs 等价于（ ） B ?数据存储 A ?外模式 B .内模式 C .存储模式 D ?模式 4.关系模型的数据结构是（ A ?层次结构 ）° B .二维表结构 C .网状结构
1 <2 A. I<2（R S）C. I<2（RXS）B . i<4（ R S）D. I<4（RA：
& SQL语言具有( )的功能。 A ?关系规范化、数据操纵、数据控制 B ?数据定义、数据操纵、数据控制 C.数据定义、关系规范化、数据控制 D ?数据定义、关系规范化、数据操纵 9. 假定学生关系是S (S#, SNAME , SEX, AGE)，课程关系是C ( C#, CNAME , TEACHER )，学生选课关系是SC (S#, C #, GRADE )。 要查找选修“COMPUTER ”课程的“女”学生姓名，将涉及到关系()。 A. S B. SC, C C. S, SC D. S, C, SC 10. 已知关系SPJ S#, P#, J#, QTY ),把对关系SPJ的属性QTY的修改权授予用户张三 的T-SQL语句是(C ) A. GRANT QTY ON SPJ TO 张三 B. GRANT UPDATE ON SPJ TO 张三 C. GRANT UPDATE (QTY) ON SPJ TO 张三 D. GRANT UPDA TE ON SPJ (QTY) TO 张三 12.在R(U)中，如果X T Y，并且对于X的任何一个真子集X'，都有X'T Y, 则()。 A. Y函数依赖于X B. Y对X完全函数依赖 C. X为U的候选码 D. R属于2NF 13 ?关系规范化中的插入操作异常是指() A?不该删除的数据被删除 B .不该插入的数据被插入 C应该删除的数据未被删除D.应该插入的数据未被插入 14 .在数据库设计中，E- R图产生于( ) A.需求分析阶段 B .物理设计阶段 C.逻辑设计阶段 D .概念设计阶段 15. 在合并分E-R图时必须消除各分图中的不一致。各分E-R图之间的冲突主要有三 类，即属性冲突、命名冲突和结构冲突，其中命名冲突是指( )。 A .命名太长或太短 B. 同名异义或同义异名 C. 属性类型冲突 D. 属性取值单位冲突 16. 事务是数据库运行的基本单位。如果一个事务执行成功，则全部更新提交；如果一个 事务执行失败，则已做过的更新被恢复原状，好像整个事务从未有过这些更新，这样保持了数据库处于( )状态。
微电子学概论复习题及答案(详细版)
第一章 绪论 1．画出集成电路设计与制造的主要流程框架。 2．集成电路分类情况如何？ ?????????????????? ????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????按应用领域分类数字模拟混合电路非线性电路线性电路模拟电路时序逻辑电路组合逻辑电路数字电路按功能分类GSI ULSI VLSI LSI MSI SSI 按规模分类薄膜混合集成电路厚膜混合集成电路混合集成电路B iCMOS B iMOS 型B iMOS CMOS NMOS PMOS 型MOS 双极型单片集成电路按结构分类集成电路 3．微电子学的特点是什么？ 微电子学：电子学的一门分支学科 微电子学以实现电路和系统的集成为目的，故实用性极强。 微电子学中的空间尺度通常是以微米(m, 1m ＝10－6m)和纳米(nm, 1nm = 10-9m)为单位的。 微电子学是信息领域的重要基础学科 微电子学是一门综合性很强的边缘学科 涉及了固体物理学、量子力学、热力学与统计物理学、材料科学、电子线路、信号处理、计算机辅助设计、测试与加工、图论、化学等多个学科 微电子学是一门发展极为迅速的学科，高集成度、低功耗、高性能、高可靠性是微
电子学发展的方向 微电子学的渗透性极强，它可以是与其他学科结合而诞生出一系列新的交叉学科，例如微机电系统(MEMS)、生物芯片等 4．列举出你见到的、想到的不同类型的集成电路及其主要作用。 集成电路按用途可分为电视机用集成电路、音响用集成电路、影碟机用集成电路、录像机用集成电路、电脑（微机）用集成电路、电子琴用集成电路、通信用集成电路、照相机用集成电路、遥控集成电路、语言集成电路、报警器用集成电路及各种专用集成电路。 5．用你自己的话解释微电子学、集成电路的概念。 集成电路（integrated circuit）是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构；其中所有元件在结构上已组成一个整体，使电子元件向着微小型化、低功耗和高可靠性方面迈进了一大步。 6．简单叙述微电子学对人类社会的作用。 可以毫不夸张地说，没有微电子技术的进步，就不可能有今天信息技术的蓬勃发展，微电子已经成为整个信息社会发展的基石。随着微电子的发展，器件的特征尺寸越来越小第二章半导体物理和器件物理基础 1．什么是半导体？特点、常用半导体材料 什么是半导体？ 金属：电导率106～104(W?cm-1)，不含禁带； 半导体：电导率104~10-10(W?cm-1)，含禁带； 绝缘体：电导率<10-10(W?cm-1)，禁带较宽； 半导体的特点： （1）电导率随温度上升而指数上升； （2）杂质的种类和数量决定其电导率； （3）可以实现非均匀掺杂； （4）光辐照、高能电子注入、电场和磁场等影响其电导率； 硅：地球上含量最丰富的元素之一，微电子产业用量最大、也是最重要的半导体材料。 硅(原子序数14)的物理化学性质主要由最外层四个电子（称为价电子）决定。每个硅原子近邻有四个硅原子，每两个相邻原子之间有一对电子，它们与两个原子核都有吸引作用，称为共价键。 化合物半导体：III族元素和V族构成的III-V族化合物，如，GaAs(砷化镓)，InSb(锑化铟)，GaP(磷化镓)，InP(磷化铟)等，广泛用于光电器件、半导体激光器和微波器件。2.掺杂、施主/受主、P型/N型半导体（课件） 掺杂：电子摆脱共价键所需的能量，在一般情况下，是靠晶体内部原子本身的热运动提供的。常温下，硅里面由于热运动激发价健上电子而产生的电子和空穴很少，它们对硅的导电性的影响是十分微小的。室温下半导体的导电性主要由掺入半导体中的微量的杂质（简称掺杂）来决定，这是半导体能够制造各种器件的重要原因。 施主：Donor，掺入半导体的杂质原子向半导体中 提供导电的电子，并成为带正电的离子。如 Si中掺的P 和As（最外层有5个价电子） 受主：Acceptor，掺入半导体的杂质原子向半导体中 提供导电的空穴，并成为带负电的离子。如 Si中掺的B(硼）（最外层只有3个价电子）
微电子学概论复习题
微电子概论习题 第一章绪论 1．画出集成电路设计与制造的主要流程框架。 2．集成电路分类情况如何？ 3．微电子学的特点是什么？ 4．列举出你见到的、想到的不同类型的集成电路及其主要作用。 5．用你自己的话解释微电子学、集成电路的概念。 6．简单叙述微电子学对人类社会的作用。 第二章半导体物理和器件物理基础 1．什么是半导体？特点、常用半导体材料 2．掺杂、施主/受主、P型/N型半导体 3．能带、导带、价带、禁带 4．半导体中的载流子、迁移率 5．PN结，为什么会单向导电，正向特性、反向特性，PN结击穿有几种 6．双极晶体管工作原理，基本结构，直流特性 7．MOS晶体管基本结构、工作原理、I-V方程、三个工作区的特性 8．MOS晶体管分类 9．载流子的输运有哪些模式？对这些输运模式进行简单的描述。 10．讨论PMOS晶体管的工作原理，写出PMOS管的电流电压方程。 第三章大规模集成电路基础 1．集成电路制造流程、特征尺寸 2．CMOS集成电路特点 3．MOS开关、CMOS传输门特性 4．CMOS反相器特性(电压传输特性、PMOS和NMOS工作区域) 5．CMOS组合逻辑：基本逻辑门、复合门 6．反相器、二输入与非、或非门 7．闩锁效应起因？ 第四章集成电路制造工艺 1．集成电路工艺主要分为哪几大类，每一类中包括哪些主要工艺，并简述各工艺的主要作用2．简述光刻的工艺过程 第五章集成电路设计 1．层次化、结构化设计概念，集成电路设计域和设计层次 2．什么是集成电路设计？
3．集成电路设计流程，三个设计步骤 ?系统功能设计 ?逻辑和电路设计 ?版图设计 4．模拟电路和数字电路设计各自的特点和流程 5．版图验证和检查包括哪些内容？如何实现？ 6．版图设计规则概念，为什么需要指定版图设计规则，版图设计规则主要内容以及表示方法。7．集成电路设计方法分类 全定制、半定制、PLD 8．标准单元/门阵列的概念，优点/缺点，设计流程 9．PLD设计方法的特点，FPGA/CPLD的概念 10．试述门阵列和标准单元设计方法的概念和它们之间的异同点。 11．标准单元库中的单元的主要描述形式有哪些？分别在IC设计的什么阶段应用？ 12．集成电路的可测性设计是指什么？ 第六章集成电路设计的EDA系统 1．ICCAD主要有哪几类，主要作用 2．VHDL语言的用途 3．VHDL设计要素：实体、结构体、配置、程序包和库，各自的概念和作用 4．VHDL并行信号赋值语句的硬件行为模型 5．VHDL描述电路的风格 6．信号、变量的区别 7．什么是进程语句，什么是敏感量表 8．什么是事件，什么是模拟周期 9．如何用VHDL产生信号激励，时钟激励 10．什么是综合？综合过程有几个步骤。 11．什么是电路模拟？其在IC设计中的作用 12．SPICE主要可以完成哪些主要的电路分析 13．试述器件模拟和工艺模拟的基本概念。 14．试述面向事件的模拟算法的基本思路。 15．列出逻辑模拟中的主要延迟模型，并给出简单说明。 16．用SPICE模拟软件模拟一个E/D NMOS反相器的直流输出特性，请写出相应的输入文件。 第七章几种重要的特种微电子器件 1．光电器件主要包括哪几类？ 2．半导体发光器件的基本原理是什么？ 第八章微机电系统 1．MEMS工艺与微电子工艺技术有哪些区别。 2、列举几种你所知道的MEMS器件，并简述其用途。
数据库期末考试
2017-2018学年数据库系统概论知识点期末总结试题类型:选择、填空、分析简答、分析应用、综合应用（SQL，变化控制）所占总成绩70% 第一章、绪论 1.数据库的特点 （1）数据库是长期储存在计算机内，有组织的、可共享的大量数据的集合，数据库中的数据按一定的数据模型组织、描述和储存，具有较小的冗余度、较高的数据独立性和易扩展性，并可为各种用户共享。（永久存储、有组织、可共享）;lllll. 2.数据库的数据独立性（数据特点） （1）逻辑独立性 （2）物理独立性：通过模式与内模式之间的映像把描述全局逻辑结构的模式与描述物理结构的内模式联系起来。 3.数据库模型 （1）数据模型的分类： 最常用的数据模型是概念数据模型和结构数据模型： ①概念数据模型（信息模型）：面向用户的，按照用户的观点进行建模，典型代表：E-R图 ②结构数据模型：面向计算机系统的，用于DBMS的实现，典型代表有：层次模型，网状模型、关系模型，面向对象模型 （2）数据模型的三要素： 数据结构、数据操作、数据（完整性）约束。 3.模式分类 （1）外模式
外模式又称子模式，对应于用户级。它是某个或某几个用户所看到的数据库的数据视图，是与某一应用有关的数据的逻辑表示。 （2）内模式 内模式又称存储模式，对应于物理级，它是数据物理结构和存储方式的描述，是数据在数据库内部的组织方式。 （3）模式 对应于概念级，是数据库中全体数据的逻辑结构和特征的描述，是所有用户的公共数据视图。 第二章、关系数据库 1.关系模式的写法及相关含义 （1）R(U,D,DOM,F) R表示关系名，U表示组成关系的属性名集合，DOM表示属性域的映像集合，F表示数据的依赖关系集合。 2.关系基本的五种操作 查询、插入、删除、修改、 3.关系的三种完整性 （1）实体完整性 若属性（指一个或一组属性）A是基本关系R的主属性，则A不能取空值。 （2）参照完整性 若属性（或属性组）F是基本关系R的外码，它与基本关系S的主码K相对应（或者说F引用了K），则对于R中每个元组在F上的值必须为：或者取空值；或者等于S中某个元组的主码值。 （3）用户定义的完整性 针对某一具体关系数据库的约束条件，它反映某一具体应用所涉及的数据必须满足的语义要求。 第三章、关系数据库标准语言SQL 1.看看实验报告
微电子学概论复习题
第三章大规模集成电路基础 1．集成电路制造流程、特征尺寸 集成电路制造通常包括集成电路设计、工艺加工、测试、封装等工序。集成电路设计 是根据电路所要完成的功能、指标等首先设计出在集成电路工艺中现实可行的电路 图，然后根据有关设计规则将电路图转换为制造集成电路所需要的版图，进而制成光 刻掩模版。完成设计以后，便可以利用光刻版按一定的工艺流程进行加工、测试，最 终制造出符合原电路设计指标的集成电路。 特征尺寸通常指集成电路中半导体器件的最小尺度，这是衡量集成电路加工和设计水 平的重要参数，特征尺寸越小，加工精度越高，可能达到的集成度也越大，性能越好。 2． CMOS集成电路特点 CMOS集成电路具有功耗低、速度快、噪声容限大、可适应较宽的环境温度和电源电压、 易集成、可按比例缩小等一系列优点。CMOS是pMOSFET和nMOSFET串接起来的一种电 路形式，为了在同一硅衬底上同时制作出p沟和n沟MOSFET，必须在同一硅衬底上分 别形成n型和p型区域，并在n型区域上制作pMOSFET，在p型区域上制作nMOSFET。 如果选用n型衬底，则可在衬底上直接制作pMOSFET，但对于nMOSFET必须在硅衬底 上形成p型扩散区（常称为p阱）以满足制备nMOSFET的需要。 3．MOS开关、CMOS传输门特性 MOSFET处于大信号工作时，有导通和截止两种状态，因此可以作为电子开关。如图所 示（P69），MOS开关接在A、B两电路之间，用以控制其间的信号传递，通常称为传 输门。为了解决NMOS管在传输’1’电平、PMOS在传输’0’电平时的信号损失，通 常采用CMOS传输门作为开关使用。它是由一个N管和一个P管构成。工作时，NMOS 管的衬底接地，PMOS管的衬底接电源，且NMOS管栅压Vgn与PMOS管的栅压Vgp极性 相反。
数据库系统概论期末试题及答案(重点知识)
7.试题 ）运算不属于专门的关系运算。 B .连接 D .投影 1 . 线 戋 2 . 3 . 4. 5. 6. 数据库系统的特点是 （和加强了数据保 护。 A .数据共享 C.数据应用 一、单项选择题 （本大题共15小题，每小题2分，共30分）在每小 题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的， 错选、多选或未选均无分。 ）、数据独立、减少数据冗余、避免数据不一 致 B .数据存储 D .数据保密 数据库系统中，物理数据独立性是指（ A .数据库与数据库管理系统的相互独立 B .应用程序与DBMS的相互独立 C.应用程序与存储在磁盘上数据库的物理模式是相互独立的 D.应用程序与数据库中数据的逻辑结构相互独立 ） 。 在数据库的三级模式结构中，描述数据库中全体数据的全局逻辑结构和特征 的是（）。 A .外模式B.内模式C.存储模式D.模式 E-R模型用于数据库设计的哪个阶段（）？ A .需求分析 B .概念结构设计 C.逻辑结构设计 D .物理结构设计 现有关系表：学生（宿舍编号，宿舍地址，学号，姓名，性别，专业，出生 日期）的主码是（）。 A .宿舍编号 B.学号 C.宿舍地址，姓名 D.宿舍编号，学号 自然连接是构成新关系的有效方法。一般情况下，当对关系连 接时，要求R和S含有一个或多个共有的（ ） 。 A .元组 R和S使用自然 B .行C.记录 D .属性 下列关系运算中，（ A .选择 C.广义笛卡尔积
8. SQL语言具有（）的功 能。7.
9. 如果在一个关系中，存在某个属性（或属性组），虽然不是该关系的主码或只 是主码的一部分，但却是另一个关系的主码时，称该属性（或属性组）为这个关系的（） A.候选码C.外码 B.主码D. 连接码 10. 下列关于关系数据模型的术语中， （ “行”的概念最接近？ A.属性）术语所表达的概念与二维表中的 11. B. D. 关系 元组 假定学生关系是S（ S#,SNAME ,SEX ,AGE ），课程关系是C（C #, CNAME , TEACHER ），学生选课关系是SC （S#, C#, GRADE ）。 要查找某个学生的基本信息及其选课的平均成绩，将使用关系（ A. S 和SC C. S 和C B . S C 和C D. S、SC 和C 12.在SQL语言的SELECT语句中，用于对结果元组进行排序的是（句。）子 A. GROUP BY C. ORDER BY HAVING WHERE 13 .设有关系SC （SNO, CNO , GRADE ）, 整 性规则，下面（ A .只有SNO不能取空值 C.只有GRADE不能取空值主码是（SNO, CNO）。遵照实体完 ）选项是正确的。 B .只有CNO不能取空值 D . SNO与CNO都不能取空值 14.下面关于函数依赖的叙述中，（ A .若 BY C.若 D.若）是不正确的。 X 7 Y , WY 7 Z,贝U XW 7 Z 丫匸X，贝U X 7 Y XY 7z,贝U X7Z, Y7Z X 7 YZ，贝U X 7 Y , X 7 Z 15.设有关系R( A , B, C)和S( C, D)。与SQL 语句select A,B,D from R,S where R.C=S.C等价的关系代数表达式是( A. C. (T R.C=S.C( n,B,D (R XS)) CT R.C=S.C(( n B (R)) X D(S))) ) n A,B,D ( (R,C= S.C(R>S)) c R,c=s.c( n(( n B(R)) X)) A .关系规范化、数据操纵、数据控制 B .数据定义、数据操纵、数据控制C.数据定义、关系规范化、数据控制D ?数据定义、关系规范化、数据操纵
微电子学概论课程教学大纲
《微电子学概论》课程教学大纲 课程名称：微电子学基础 / Conspectus of Microelectronics 课程代码：020727 学时：32 学分：2 讲课学时： 32 上机/实验学时： 0 考核方式：考查 先修课程：模拟电子技术 适用专业：电子信息工程等电类专业 开课院系：电子电气工程学院电子信息系 教材：张兴黄如刘晓彦主编.微电子学概论（第二版）.北京：北京大学出版社,2005年主要参考书： [1] 郝跃主编.微电子学概论.北京：高等教育出版社,2003年 [2] 吴德馨主编.现代微电子技术.北京：化学工业出版社,2003年 [3] （美）Donald A.Neamen编.半导体器件导论.北京：清华大学出版,2006年 一、课程的性质和任务 本课程是电子信息工程类专业的一门专业基础课。该门课程主要介绍了微电子学发展史、半导体器件、制造工艺、集成电路和SOC电路的设计以及计算机辅助设计技术。该课程为学生进行微电子技术研究和集成电路的开发提供了理论基础。 二、教学内容和基本要求 对本课程的学习，要求掌握集成电路的器件、组成、制造工艺及基本设计方法。教学内容如下： 第一章绪论 1.晶体管的发明和集成电路的发展史 2.集成电路的分类 3.微电子学的特点 第二章半导体物理和器件物理基础 1.半导体及其基本特性 2.半导体中的载流子 3. pn结 4.双极晶体管 5.MOS场效应管 第三章大规模集成电路基础 1.半导体集成电路概述 2.双极集成电路基础
3.MOS集成电路基础 第四章集成电路制造工艺 1.双极集成电路工艺流程 2.MOS集成电路工艺流程 3.光刻与刻蚀技术 4.氧化 5.扩散与离子注入 6.化学气象淀积 7.接触与互联 8.隔离技术 第五章集成电路设计 i.集成电路设计特点与设计信息描述 ii.集成电路的设计流程 iii.集成电路的设计规则和全定制设计方法iv.专用集成电路的设计方法 v.集中集成电路设计方法的比较 vi.可测性设计技术 第六章集成电路设计的EDA系统 1. VHDL及模拟 2.综合 3. 逻辑模拟 4．电路模拟 5．时序分析和混合模拟 6．版图设计 7．器件模拟 8．工艺模拟 9．计算机辅助测试（CAT）技术 第七章系统芯片（SOC）设计 1．系统芯片的基本概念和特点 2．SOC设计过程 第八章光电子器件 1．固体中的光吸收和光发射 2．半导体发光二极管 第九章微机电系统 1．基本概念