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《模拟电子技术实践》课程

习题答案

一、填空题

1、共集电极放大器的特点有输入阻抗大、输出阻抗小、电压放大倍数≈1等。是从射极输出，所以简称射极跟随器。

2、三极管有放大、饱和、截止三种工作状态，在数字电路中三极管作为开关使用时，它是工作在饱和、截止两种状态下。

3、在三极管的输出特性曲线中，当I B=0时的I C是穿透电流I CEO。

4E，V C=8V，V B=3.7V，则该管是NPN、处于放大状态。

5、集成运放其内部电路的耦合方式是直接耦合。

6、三极管的输出特性曲线分为饱和、截止、放大等区域，三极管放大器处于截止区的条件是发射结反偏、集电结反偏。

7、场效应管是一种利用电压来控制其电流大小的半导体三极管，所以我们说场效应管是

电压控制型器件，三极管是电流控制型器件。

8、三极管具有放大作用的外部条件是发射结正向偏置，集电结反向偏置；三极管的结温升高时穿透电流I CEO将增加。

9、二极管具有单向导电性，两端加上正向电压时有一段“死区电压”，锗管约为0.1-0.2 V；硅管约为0.4-0.5 V。

10、串联型可调稳压电源由取样电路、基准电路、比较放大、调整电路四个部分组成。

11、我们通常把大小相等、极性相同的输入信号叫做共模信号把大小相等、极性相反的信号叫做差模信号。集成运算放大器一般由输入电路、电压放大电路、推动级、输出级四个部分组成。

12、稳压电源一般由变压电路、整流电路、滤波电路、稳压电路四个部分组成。

13、理想集成放大器的开环差模电压放大倍数A VO为_无穷大，共模抑制比K CMR为无穷大，差模

输入电阻为无穷大。

14、单相半波整流电路输出电压的有效值U O=0.45U2 ，单相桥式整流电路输出电压的有效值

U O=0.9U2 ；整流电路是利用二极管的单向导电特性将交流电变成直流电的。滤波电路是利用电容或电感的储能充放电性质来减少脉动成分的。

15、三端固定式稳压器LM7805的输出电压为_5_V；LM7924输出电压为-24V。

16、理想乙类互补功率放大电路的效率为78.5%，理想甲类功率放大器的效率为50% 。

17、如希望减小放大电路从信号源索取电流，则可采用B；如希望负载变化时输出电流稳定，应

引入D；如希望动态输出电阻要小，应引入A；（A 电压负反馈；B 并联负反馈；C 串联负反馈；D电流负反馈）。

18、在图示电路中，已知开环电压放大倍数Au=10000，若需要Auf =100，则电路的负反馈系数

F为0.01。

19、多级放大器耦合的方式有阻容耦合、

变压器耦合、直接耦合；集成运算放大器是一种直接

耦合耦合放大器。

20、多级放大器与单级放大器相比，电压放大倍数较大；通频带较窄；

21、能使输入电阻提高的负反馈是C；能使输入电阻降低的负反馈是D；

能使输出电阻提高的负反馈是B；能使输出电阻降低的负反馈是A；

（A 电压负反馈；B 电流负反馈：C 串联负反馈：D 并联负反馈）22、电压串联负反馈能稳定输出A ，并能使输入电阻D；

电压并联负反馈能稳定输出A ，并能使输入电阻C ；

电流并联负反馈能稳定输出B ，并能使输入电阻C ；

电流串联负反馈能稳定输出B ，并能使输入电阻 D 。

（A 电压； B 电流； C 减小； D 增大）

23、输出功率为200W 的扩音电路，采用甲乙类功放，则应选用功放管的P V T ≧D 。

（A 200W ； B 100W ； C 50W ； D 40W ）

24、OTL 输出耦合电容的作用是B 。（A 隔直耦合； B 相当于提供负电源；C 对地旁路）

25、当差动放大器两边的电压分别为U i1=-5mV 、 U i2=3mV 时，输入信号中的差摸分量为8 mV ，共摸分量为-1 mV 。

26、信号放大电路主要研究的指标是输入电阻、输出电阻、电压放大倍数；

27、功率放大电路主要研究的指标是输出功率、管耗、效率、电源提供功率。

28、反相比例运算电路属于电压并联负反馈电路，同相比例运算电路属于电压串联负反馈电路。

29、集成运放可以构成模拟加法、减法、微分、积分等数学运算电路。

30、半导体中有电子和空穴两种载流子。N 型半导体中的少数载流子是空穴，多数载流子是电子。P 型半导体中的少数载流子是电子，多数载流子是空穴。

31、硅管的导通电压比锗管大，反向电流比锗管小，温度稳定性比锗管好。

32、整流滤波后输出的直流电压不稳定的主要原因是电源电压波动和负载变化。

33、电容滤波适用于小电流场合；而电感滤波适用于大小电流场合。

34、当放大器整个信号周期内都处于放大状态时称为甲类放大；只有半个周期处于放大状态时称为乙类放大；而不满一个周期，但大于半个周期处于放大状态时称为甲乙类放大。

35、三极管有三个电极，分别是基极、集电极、发射极_。

36、某深度负反馈的开环放大倍数为1000，反馈系数为0.1，则负反馈放大器的闭环放大倍数为1000/101，反馈深度为101。

37、二极管当正向电压超过U VD 后，二极管开始导通。正常导通时，二极管的正向管压降很小，硅管约为0.7V ，锗管约为0.3 V 。

38、晶体三极管是电流控制型器件，是双极型器件。场效应管是电压控制型器件，是单极型器件。

39、晶体三极管工作在放大区时，关系式I C =βI B 才成立；当三极管工作在截止区时，I C ≈0；当三极管工作在饱和区时，V CE ≈0。

40、场效应晶体管的输出特性曲线是指在V GS 一定的条件下，u DS 和i D 之间的关系。可分成四个区域，即恒流区、可变电阻区、击穿区和夹断区。

41、晶体三极管放大器中，当输入信号一定时，静态工作点设置太低，将容易产生截止失真；静态工作点设置太高，将容易产生饱和失真。当输入信号较大时，为避免上述失真，静态工作点应选择在负载线的中点。

42、能使放大工作点稳定的偏置电路是分压式偏置电路。

43、在放大器的频率特性曲线中，低频段放大倍数随频率的下降而下降，原因是耦合电容和旁路电容的存在，高频段放大倍数随频率的升高而下降_，原因是半导体管极间电容和分布电容的存在。

44、直流负反馈的作用是稳定静态直流工作点；交流负反馈能改变放大器的性能，例如：电压串联负反馈能使放大倍数下降，通频带变宽，使放大器的输入电阻变宽，输出电阻变大。

45、正弦波振荡器一般由_选频网路_、正反馈网路、_放大电路和__稳幅环节四个部分组成。

46、LC 选频回路的振荡频率的计算公式为_LC

f π210=______，RC 串并联选频回路的振荡频率的计算公式为__RC

f π210=________。 47、振荡器要正常工作，需满足相位平衡条件和幅值平衡条件。

二、判断题：

1、（× ）多级放大器的通频带比单级放大器的通频带宽。

2、（× ）功率放大器有功率放大作用，无电压放大作用。

3、（√ ）在三极管放大电路中，为了稳定直流工作点可引入直流负反馈。

4、（× ）OCL 直流放大器只能放大直流信号，不能放大交流信号。

5、（√ ）三极管有放大、饱和、截止三种工作状态。在数字电路中三极管作为开关使用时，

它是工作在饱和或截止两种状态下。

6、（× ）差动放大器只有一个信号输入端，有两个信号输出端。

7、（× ）在功率放大电路中，输出功率最大时，功率管的消耗功率最大。

8、（× ）在深度负反馈的条件下，闭环放大倍数AF ≈1/F ，它与反馈网络有关，而与放大器

开环放大倍数A 无关，故可以省去放大通路，仅留下反馈网络，来获得稳定的放大倍数。

9、（× ）由于负反馈能展宽频带，所以只要负反馈足够深，就可以用低频管来代替高频管组

成放大电路来放大高频信号。

10、（× ）同相输入比例运算放大器是一种电压并联负反馈放大器。

11、（× ）互补对称功放在工作时总有一只功放管是截止的，所以输出波形必然失真。

12、（√ ）为了使功率放大器有足够高的输出功率，功放三极管往往工作在极限状态。

13、（√ ）结型场效应管的漏极、源极可调换使用。

14、（× ）在功率放大器中，静态电流越大，电路效率越高。

15、（√ ）直流负反馈可以稳定电路的静态工作点，交流负反馈可以改善放大器的动态性能。

16、（√ ）放大电路中的负反馈将削弱净输入信号。

17、（× ）电容具有“通直隔交”的作用。

18、（× ）稳压管不是二极管。

19、（× ）在放大电路中，若静态工作点选的过高，则容易产生截止失真。

20、（× ）引入负反馈不会降低放大电路的放大倍数。

21、（√ ）在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。

22、（× ）因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。

23、（√ ）现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为－100，将它们连成两级放大

电路，其电压放大倍数应为10000。

24、（√ ）阻容耦合多级放大电路各级的Q 点相互独立，它只能放大交流信号。

25、（× ）只有直接耦合放大电路中晶休管的参数才随温度而变化。

26、（× ）功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下，负载上可能获得的最大交流功率。

27、（× ）当OCL 电路的最大输出功率为1W 时，功放管的集电极最大耗散功率应大于1W 。

28、（× ）若放大电路的放大倍数为负，则引入的反馈一定是负反馈。

29、（× ）只要在放大电路中引入反馈，就一定能使其性能得到改善。

30、（× ）既然电流负反馈稳定输出电流，那么必然稳定输出电压。

31、（× ）在运算电路中，集成运放的反相输入端均为虚地。

32、（× ）若U2为电源变压器副边电压的有效值，则半波整流电容滤波电路和全波整流电容滤波电路在空载时的输出电压均为

22U

。 33、（√ ）电容滤波电路适用于小负载电流，而电感滤波电路适用于大负载电流。

34、（× ）放大器具有正反馈时，电路必然产生自激振荡。

35、（× ）在正弦波振荡电路中，只允许存在正反馈，不允许引入负反馈。

36、（× ）自激振荡器中如没有选频网络，就不可能产生正弦波振荡。

37、（√ ）从电路结构上看，正弦波振荡器是一个没有输入信号的带选频网络的正反馈放大器。

模电试题及答案复习过程

模电试题及答案

《模拟电子技术基础》试题（A 卷）学号姓名 . 一、判断下列说法是否正确，用“×”或“√”表示判断结果。（10分）（1）在运算电路中，同相输入端和反相输入端均为“虚地”。（）（2）电压负反馈稳定输出电压，电流负反馈稳定输出电流。（）（3）使输入量减小的反馈是负反馈，否则为正反馈。（）（4）产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。（）（5）利用两只NPN 型管构成的复合管只能等效为NPN 型管。（）（6）本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。（）（7）未加外部电压时，PN 结中电流从P 区流向N 区。（）（8）集成运放在开环情况下一定工作在非线性区。（）（9）只要引入正反馈，电路就会产生正弦波振荡。（）（10）直流稳压电源中的滤波电路是低通滤波电路。（）二、选择填空（10分）（1）为了减小输出电阻，应在放大电路中引入；为了稳定静态工作点，应在放大电路中引入。（A ）电流负反馈（B ）电压负反馈（C ）直流负反馈（D ）交流负反馈（2）RC 串并联网络在RC f f π21 0= =时呈。（A ）感性（B ）阻性（C ）容性（3）通用型集成运放的输入级多采用。（A ）共基接法（B ）共集接法（C ）共射接法（D ）差分接法（4）两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为。（A ）β （B ）β2 （C ）2β （D ）1+β （5）在（A ）、（B ）、（C ）三种电路中输出电阻最小的电路是；既能放大电流，又能放大电压的电路是。（A ）共基放大电路（B ）共集放大电路（C ）共射放大电路（6）当NPN 型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为u C u B u E 。（A ） > （B ） < （C ） = （D ）≤ （7）硅二极管的正向导通压降比锗二极管的。（A ）大（B ）小（C ）相等

(完整版)模拟电子基础的复习题及答案

模拟电子技术基础复习题图 1 图 2 一、填空题 1、现有基本放大电路：①共射放大电路 ④共源放大电路 ②共基放大电路 ③共集放大电路一般情况下，上述电路中输入电阻最大的电路是 ③ ，输入电阻最，频带最宽的电路是；只能放大电流，小的电路是 ②，输出电阻最小的电路是 ③ ② ；既能放大电流，又能放大电压的电路是 ① 不能放大电压的电路是 ③ ；只能放大电压，不能放大电流的电路是 ② 。 2、如图 1所示电路中，已知晶体管静态时 B- E 间电压为 U ，电流放大系 BEQ 数为β，B- E 间动态电阻为 r 。填空： be V CC U BEQ （ 1）静态时， I 的表达式为 BQ ， I 的表达式为 CQ I BQ R B I CQ I BQ ；，U 的表达式为 CEQ U CEQ V CC I R C CQ R L （2）电压放大倍数的表达式为 A u ，输入电阻的表达式为 r be ，输出电阻的表达式为 R R // r be R R ； 0 C i B （3）若减小 R ，则 I 将 A ，r 将 C ，将 C ，R 将 i C ， A B CQ bc u R 将 B 。 o

A.增大 B.不变 C.减小当输入电压不变时， R 减小到一定程度，输出将产生 B A 失真。 A.饱和 B.截止 3、如图 1所示电路中，（1）若测得输入电压有效值为 10mV ，输出电压有效值为 1.5V ，则其电压放大倍数 = 150 ；若已知此时信号源电压有效值为 20mV ，信号源内阻 A u 为 1k Ω，则放大电路的输入电阻 R = 1 。 i （2）若已知电路空载时输出电压有效值为 1V ，带 5 k Ω负载时变为 0.75V ，则放大电路的输出电阻 Ro （3）若输入信号增大引起电路产生饱和失真，则可采用将 R B Rc 减小的方法消除失真；若输入信号增大使电路既产生饱和失真又产生 1.67 。增大或将截止失真，则只有通过设置合适的静态工作点的方法才能消除失真。 4、文氏桥正弦波振荡电路的“桥”是以 RC 串联支路、 RC 并联支路、电阻 R1 和 R2 各为一臂而组成的。 5、正弦波振荡电路按选频网络所用元件可分为变压器反馈式、电感三点式和电容三点式三种电路，其中电容三点式振荡电路的振荡频率最为稳定。 6、为了得到音频信号发生器，应采用正弦波振荡电路。 7、稳压电源一般由整流电路、滤波电路和稳压电路三部分电路组成。 8、在负载电流比较小且其变化也比较小的时候，应采用电容滤波电

模拟电子技术基础试卷及答案

模拟电子技术基础试卷及答案一、填空（18分） 1．二极管最主要的特性是单向导电性。 2．如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V ，桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V ，经过电容滤波后为 12 V ，二极管所承受的最大反向电压为 14 V 。 3．差分放大电路，若两个输入信号u I1u I2，则输出电压，u O 0 ；若u I1=100V ，u I 2 =80V 则差模输入电压u Id = 20 V ；共模输入电压u Ic = 90 V 。 4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz 时，可选用低通滤波器；有用信号频率高于10 kHz 时，可选用高通滤波器；希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时，可选用带阻滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用带通滤波器。 5．若三级放大电路中A u 1A u 230dB ，A u 320dB ，则其总电压增益为 80 dB ，折合为 104 倍。 6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到 78.5% ，但这种功放有交越失真。 7．集成三端稳压器CW7915的输出电压为 15 V 。二、选择正确答案填空（20分） 1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ，-9.3 V ，则这只三极管是（ A ）。 A ．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。 A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。 A ．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻，R S 为常数，为使下限频率f L 降低，应（ D ）。 A ．减小C ，减小R i B. 减小C ，增大R i C. 增大C ，减小 R i D. 增大C ，增大 R i 5.如图所示复合管，已知V 1的1 = 30，V 2的2 = 50，则复合后的约为（ A ）。 A ．1500 B.80 C.50 D.30 6.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和（ D ）。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是（ A ）。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 0 i D /mA -4 u GS /V 5 + u O _ u s R B R s +V CC V C + R C R i O t u I t u o 4题图 7题图 V 2 V 1

模拟电子基础复习题与答案

模拟电子技术基础复习题图1 图2 一、填空题 1、现有基本放大电路：①共射放大电路②共基放大电路③共集放大电路 ④共源放大电路一般情况下，上述电路中输入电阻最大的电路是③，输入电阻最小的电路是②，输出电阻最小的电路是③，频带最宽的电路是②；既能放大电流，又能放大电压的电路是①；只能放大电流，不能放大电压的电路是③；只能放大电压，不能放大电流的电路是②。 2、如图1所示电路中，已知晶体管静态时B-E间电压为U BEQ，电流放大系数为β，B-E间动态电阻为r be。填空：（1）静态时，I BQ的表达式为，I CQ的表达式为；，U CEQ的表达式为（2）电压放大倍数的表达式为，输入电阻的表达式为，输出电阻的表达式为；（3）若减小R B，则I CQ将 A ，r bc将 C ，将 C ，R i将 C ，R o将 B 。

A.增大 B.不变 C.减小当输入电压不变时，R B减小到一定程度，输出将产生 A 失真。 A.饱和 B.截止 3、如图1所示电路中，（1）若测得输入电压有效值为10mV，输出电压有效值为1.5V，则其电压放大倍数= 150；若已知此时信号源电压有效值为20mV，信号源内阻为1kΩ，则放大电路的输入电阻R i= 1 。（2）若已知电路空载时输出电压有效值为1V，带5 kΩ负载时变为0.75V，则放大电路的输出电阻Ro 1.67 。（3）若输入信号增大引起电路产生饱和失真，则可采用将R B增大或将Rc 减小的方法消除失真；若输入信号增大使电路既产生饱和失真又产生截止失真，则只有通过设置合适的静态工作点的方法才能消除失真。 4、文氏桥正弦波振荡电路的“桥”是以RC串联支路、RC并联支路、电阻R1 和R2 各为一臂而组成的。 5、正弦波振荡电路按选频网络所用元件可分为变压器反馈式、电感三点式和电容三点式三种电路，其中电容三点式振荡电路的振荡频率最为稳定。 6、为了得到音频信号发生器，应采用正弦波振荡电路。 7、稳压电源一般由整流电路、滤波电路和稳压电路三部分电路组成。 8、在负载电流比较小且其变化也比较小的时候，应采用电容滤波电

《模拟电子技术基础》基本概念复习题及答案

《模拟电子技术基础》基本概念复习题一、判断题 1、凡是由集成运算放大器组成的电路都可以利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。× 2、凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算电路。√ 3、理想运放不论工作在线性区还是非线性区状态都有v N = v P 。× 4、当集成运放工作在闭环时，可运用虚短和虚断概念分析。× 5、在运算电路中，同相输入端和反相输入端均为“虚地”。× 6、在反相求和电路中，集成运放的反相输入端为虚地点，流过反馈电阻的电流基本上等于各输入电流之代数和。√ 7、温度升高后，本征半导体中自由电子和空穴数目都增多，且增量相同。 √ 8、因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。× 9、因为P 型半导体的多子是空穴，所以它带正电。× 10、在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。√ 11、稳压管工作在截止区时，管子两端电压的变化很小。× 12、 BJT 型三极管是电流控制型有源器件，基极电流i b 与集电极电流i c 的关系为c b i i β=。× 13、放大电路必须加上合适的直流电源才可能正常工作。√ 14、放大电路工作时所需要的能量是由信号源提供的。× 15、放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的。× 16、由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化。× 17、共集电极电路没有电压和电流放大作用。√ 18、共集放大电路无电压放大作用，但有功率放大作用。√ 19、只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。× 20、放大电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的。× 21、射极输出器即是共射极放大电路，有电流和功率放大作用。× 22、只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。× 23、放大器的输入电阻是从输入端看进去的直流等效电阻。× 24、输出电阻越大，放大电路带负载的能力越弱。√

模电模拟试卷及答案

模拟电子技术基础试卷及答案一、填空（18分） 1．二极管最主要的特性是单向导电性。 3．差分放大电路中，若u I1=100μV ，u I 2=80μV 则差模输入电压u Id = 20μV ；共模输入电压u Ic = 90 μV 。 4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz 时，可选用低通滤波器；有用信号频率高于10 kHz 时，可选用高通滤波器；希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时，可选用带阻滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用带通滤波器。 6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到 78.5% ，但这种功放有交越失真。二、选择正确答案填空（20分） 1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ，-9.3 V ，则这只三极管是（ A ）。 A ．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。 A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。 A ．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 6.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和（ D ）。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是（ A ）。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 8．与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是( C )。 a ．不用输出变压器 b ．不用输出端大电容 c ．效率高 d ．无交越失真 9．稳压二极管稳压时，其工作在( C )，发光二极管发光时，其工作在( A )。 a ．正向导通区 b ．反向截止区 c ．反向击穿区三、放大电路如下图所示，已知：V CC 12V ，R S 10k Ω，R B1 120k Ω， R B2 39k Ω，R C 3.9k Ω，R E 2.1k Ω，R L 3.9k Ω，r bb’ Ω，电流放大系数β 50，电路中电容容量足够大，要求： 0 i D /mA -4 u GS /V 5 + u O _ u s R B R s +V CC V C + R C R i O t u I t u o 4题图 7题图

模电复习题和答案

《模拟电子技术实践》课程习题答案一、填空题 1、共集电极放大器的特点有输入阻抗大、输出阻抗小、电压放大倍数≈1等。是从射极输出，所以简称射极跟随器。 2、三极管有放大、饱和、截止三种工作状态，在数字电路中三极管作为开关使用时，它是工作在饱和、截止两种状态下。 3、在三极管的输出特性曲线中，当I B=0时的I C是穿透电流I CEO。 4E，V C=8V，V B=3.7V，则该管是NPN、处于放大状态。 5、集成运放其内部电路的耦合方式是直接耦合。 6、三极管的输出特性曲线分为饱和、截止、放大等区域，三极管放大器处于截止区的条件是发射结反偏、集电结反偏。 7、场效应管是一种利用电压来控制其电流大小的半导体三极管，所以我们说场效应管是电压控制型器件，三极管是电流控制型器件。 8、三极管具有放大作用的外部条件是发射结正向偏置，集电结反向偏置；三极管的结温升高时穿透电流I CEO将增加。 9、二极管具有单向导电性，两端加上正向电压时有一段“死区电压”，锗管约为0.1-0.2 V；硅管约为0.4-0.5 V。 10、串联型可调稳压电源由取样电路、基准电路、比较放大、调整电路四个部分组成。 11、我们通常把大小相等、极性相同的输入信号叫做共模信号把大小相等、极性相反的信号叫做差模信号。集成运算放大器一般由输入电路、电压放大电路、推动级、输出级四个部分组成。 12、稳压电源一般由变压电路、整流电路、滤波电路、稳压电路四个部分组成。 13、理想集成放大器的开环差模电压放大倍数A VO为_无穷大，共模抑制比K CMR为无穷大，差模输入电阻为无穷大。 14、单相半波整流电路输出电压的有效值U O=0.45U2 ，单相桥式整流电路输出电压的有效值 U O=0.9U2 ；整流电路是利用二极管的单向导电特性将交流电变成直流电的。滤波电路是利用电容或电感的储能充放电性质来减少脉动成分的。 15、三端固定式稳压器LM7805的输出电压为_5_V；LM7924输出电压为-24V。 16、理想乙类互补功率放大电路的效率为78.5%，理想甲类功率放大器的效率为50% 。 17、如希望减小放大电路从信号源索取电流，则可采用B；如希望负载变化时输出电流稳定，应引入D；如希望动态输出电阻要小，应引入A；（A 电压负反馈；B 并联负反馈；C 串联负反馈；D电流负反馈）。 18、在图示电路中，已知开环电压放大倍数Au=10000，若需要Auf =100，则电路的负反馈系数 F为0.01。 19、多级放大器耦合的方式有阻容耦合、变压器耦合、直接耦合；集成运算放大器是一种直接耦合耦合放大器。 20、多级放大器与单级放大器相比，电压放大倍数较大；通频带较窄； 21、能使输入电阻提高的负反馈是C；能使输入电阻降低的负反馈是D；能使输出电阻提高的负反馈是B；能使输出电阻降低的负反馈是A；（A 电压负反馈；B 电流负反馈：C 串联负反馈：D 并联负反馈）22、电压串联负反馈能稳定输出A ，并能使输入电阻D；

模电试题及答案1-2

《模拟电子技术》复习题综合（第1、2章）一.选择题 1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素，形成N 型半导体。A.二 B.三 C.四 D 五 2、在P 型半导体中，自由电子浓度 C 空穴浓度。A.大于 B.等于 C.小于 3、本征半导体温度升高以后， C 。 A.自由电子增多，空穴数基本不变 B.空穴数增多，自由电子数基本不变 C.自由电子数和空穴数都增多，且数目相同 D.自由电子数和空穴数都不变 4、空间电荷区是由 C 构成的。A.电子 B.空穴 C.离子 D.分子 5、PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 D. 无法确定 6、稳压管的稳压区是其工作在 C 。A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 7、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏 D. 前者反偏、后者正偏 8、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。A. 增大 B. 不变 C. 减小 D. 都有可能 9、工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12μA 增大到22μA 时，I C 从1mA 变为2mA ，那么它的β约为 C 。A. 83 B. 91 C. 100 D. 10 10、晶体管是 A 器件。A.电流控制电流 B.电流控制电压 C.电压控制电压 D.电压控制电流 11、在正常放大的电路中，测得晶体管三个电极的对地电位如图所示，试判断管子的类型和材料。图1为 D ；图2为 A 。[基极电位总是处于中间] A.NPN 硅管 B.PNP 硅管 C.NPN 锗管 D.PNP 锗管 12、场效应管是 D 器件。 A.电流控制电流 B.电流控制电压 C.电压控制电压 D.电压控制电流 13、基本共射放大电路中，基极电阻R b 的作用是 A 。 A.限制基极电流，使晶体管工作在放大区，并防止输入信号短路 B.把基极电流的变化转化为输入电压的变化 C.保护信号源 D.防止输出电压被短路 14、基本共射放大电路中，集电极电阻R c 的作用是 B 。 A.限制集电极电流的大小 B.将输出电流的变化量转化为输出电压的变化量 C.防止信号源被短路 D.保护直流电压源E C 15、基本共射放大电路中，输入正弦信号，现用示波器观察输出电压u o 和晶体管集电极电压u c 的波形，二者相位 A 。A.相同 B.相反 C.相差90° D.相差270° 16、NPN 管基本共射放大电路输出电压出现了非线性失真，通过减小R b 失真消除，这种失真一定是 B 失真。A.饱和 B.截止 C.双向 D.相位 17、分压式偏置工作点稳定电路，当β＝50时，I B =20μA ，I C =1mA 。若只更换β＝100的晶体管，而其他参数不变，则I B 和I C 分别是 A 。 A. 10μA ，1mA B. 20μA ，2mA C. 30μA ，3mA D. 40μA ， 4mA ① 0V 5.7V 图 1 ① 9V 2.3V 图2

模拟电路期末试卷及答案

《模拟电子技术基础（1）》期末试题（A 卷）参考答案及评分标准一、填空（每空1分，共20分） 1. 双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结正偏、集电结反偏。 2. 放大器级间耦合方式有三种：直接耦合；阻容耦合；变压器耦合；在集成电路中通常采用直接耦合。 3. 差分放大器的基本特点是放大差模信号、抑制共模信号。 4. 乙类推挽放大器的主要失真是交越失真，要消除此失真，应改用甲乙类推挽放大器。 5. 图1所示两级放大电路，图中级间采用阻容耦合方式，1T 接成共基组态，2T 接成共集组态，1R 和2R 的作用是为T1管提供基极偏置。 6. 在阻容耦合放大器中，若要降低下限频率，应将耦合电容的值增大。 7. 共射－共基组合电路中，由于共射电路的上限频率小于共基电路的上限频率，故此组合电路的上限频率主要取决于共射电路。 8. 负反馈系统产生自激的条件是1)(-=ωj T ，相应的振幅条件是1)(=ωj T ，相位条件是()πω?±=T 。

二、简答（共3小题，每小题5分，共15分） 1. 测得工作在放大电路中两个晶体管的三个电极电流如图2所示（1）判断它们各是NPN 管还是PNP 管，在图中标出e ，b ，c 极；答：见图中标识（判断NPN 管还是PNP 管各1分，标出e ，b ，c 极1分，共3分）（2）估算(b)图晶体管的β和α值。 601 .06 === B C I I β， 985.01≈+= ββα （各1分，共2分）

2.电路如图3所示，试回答下列问题（1）要使电路具有稳定的输出电压和高的输入电阻，应接入何种负反馈？ R f 应如何接入？（在图中连接）答：应接入电压串联负反馈（1分） R接法如图（1分） f （2）根据前一问的反馈组态确定运放输入端的极性（在图中“□”处标出），并根据已给定的电路输入端极性在图中各“○”处标注极性。答：见图中标识（3分）（共6空，两个1分） 3.简述直流电源的主要组成部分及各部分功能。答：直流电源主要由整流电路、滤波滤波、稳压电路组成，其中整流电路的作用是将交流电压转换为直流电压，滤波电路的作用是减小电压的脉动，稳压电路的作用是使输出直流电压基本不受电网电压波动和负载电阻变化的影响，从而获得足够高的稳定性。（组成部分3分，功能2分）

模拟电子技术复习题(含答案)知识分享

模拟电子技术复习题 (含答案)

模拟电子技术复习题一、判断题（在正确的论断前的括号内填入“√”，否则填入“×”。）第二章（×）1. 运算电路中一般引入正反馈。（√）2. 凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。第三章（×）1. 因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（×）2. 因为P型半导体的多子是空穴，所以它带正电。（×）3. 稳压二极管在稳压工作时，只要反向击穿，不需要限流。（√）4. N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（×）5.二极管的正向偏置电压升高时，其正向电阻增大。（√）6. PN结中的空间电荷区是由带电的正负离子形成的，因而它的电阻率很高。（×）7. 未加外部电压时，PN结中电流从P区流向N区。第四章（√）1. 放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。（√）2. 直接耦合多级放大电路各级的Q点相互影响。（×）3. 晶体管的参数不随温度变化。（√）4. 放大电路没有直流偏置不能正常工作。（×）5. 多级放大电路总的电压放大倍数，等于各级空载电压放大倍数的乘积。（√）6. 放大电路的直流分析，要依据直流通路图；放大电路的交流小信号分析计算，要依据交流通路图。（×）7. 只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。（×）8. 放大电路在低频信号作用时，放大倍数下降的原因是半导体管的非线性特性。（×）9. 射极跟随器的放大倍数为1，因此在电路不起任何作用。（×）10.只要将晶体管的静态工作点设置在BJT特性曲线的放大区，则不论输入什么信号都不会产生非线性失真。（×）11.多极放大电路的级数越多，其放大倍数越大，且其通频带越宽。（√）12. 射极输出器的输入电流是B i，输出电流是E i，因此具有较高的电流放大倍数。第五章（×）1. 场效应管都可分为增强型和耗尽型两种。

模电复习题2答案

[ 1．在常温下，硅二极管的门槛电压约为，导通后在较大电流下的正向压降约为；锗二极管的门槛电压约为，导通后在较大电流下的正向压降约为。 2、二极管的正向电阻小；反向电阻大。 3、二极管的最主要特性是单向导电性。ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层变窄。 4、二极管最主要的电特性是单向导电性，稳压二极管在使用时，稳压二极管与负载并联，稳压二极管与输入电源之间必须加入一个电阻。 5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分，其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术，称为模拟电子技术。 6、PN结反向偏置时，PN结的内电场增强。PN具有具有单向导电特性。 7、硅二极管导通后，其管压降是恒定的，且不随电流而改变，典型值为伏；其门坎电压V th约为伏。 8、二极管正向偏置时，其正向导通电流由多数载流子的扩散运动形成。 [ 9、P型半导体的多子为空穴、N型半导体的多子为自由电子、本征半导体的载流子为电子—空穴对。 10、因掺入杂质性质不同，杂质半导体可为空穴（P）半导体和电子（N）半导体两大类。 11、二极管的最主要特性是单向导电性，它的两个主要参数是反映正向特性的最大整流电流和反映反向特性的反向击穿电压。 12、在常温下，硅二极管的开启电压约为 V，导通后在较大电流下的正向压降约为 V。 13、频率响应是指在输入正弦信号的情况下，输出随频率连续变化的稳态响应。 15、N型半导体中的多数载流子是电子，少数载流子是空穴。 16、按一个周期内一只三极管的导通角区分，功率放大电路可分为甲类、乙类、甲乙类三种基本类型。 17、在阻容耦合多级放大电路中，影响低频信号放大的是耦合和旁路电容，影响高频信号放大的是结电容。 - 18、在NPN三极管组成的基本共射放大电路中，如果电路的其它参数不变，三极管的β增加，则 I BQ增大，I CQ增大，U CEQ减小。 19、三极管的三个工作区域是截止，饱和，放大。集成运算放大器是一种采用直接耦合方式的放大电路。 20、某放大电路中的三极管，在工作状态中测得它的管脚电压V a = ， V b = , V c = , 试问该三极管是硅管管（材料），NPN型的三极管，该管的集电极是a、b、c中的 C 。 21、已知某两级放大电路中第一、第二级的对数增益分别为60dB和20dB, 则该放大电路总的对数增益为80 dB，总的电压放大倍数为10000。 22、三极管实现放大作用的外部条件是：发射结正偏、集电结反偏。某放大电路中的三极管，测得管脚电压V a = -1V，V b =, V c =, 这是硅管（硅、锗），NPN型，集电极管脚是a。 23、三种不同耦合方式的放大电路分别为：阻容（RC）耦合、直接耦合和_变压器耦合_，其中直接耦合能够放大缓慢变化的信号。 24、在多级放大电路中，后级的输入电阻是前级的负载，而前级的输出电阻可视为后级的信号源的内阻。多级放大电路总的通频带比其中每一级的通频带要窄。 25、某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入12kΩ的负载电阻后，输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为 4 kΩ。 ' 26、为了保证三极管工作在放大区，要求： ①发射结正向偏置，集电结反向偏置。②对于ＮＰＮ型三极管，应使V BC＜0。 27、放大器级间耦合方式主要有阻容（RC）耦合、直接耦合和变压器耦合三大类。 28、在三极管组成的三种不同组态的放大电路中，共射和共基组态有电压放大作用，共射

大学模电题库模拟电路考试试题10套和答案

试卷编号01 ……………………………………………………………………………………………………………… 一、填空（本题共20分，每空1分）： 1．整流电路的任务是__将交流电变成脉动直流电________；滤波电路的任务是_滤除脉动直流电中的交流成分_________。 2．在PN结的形成过程中，载流子的扩散运动是由于__载流子的浓度差________而产生的，漂移运动是_______内电场的电场力___作用下产生的。 3．放大器有两种不同性质的失真，分别是____线性______失真和非线性__________失真。 4．在共射阻容耦合放大电路中，使低频区电压增益下降的主要原因是_耦合电容__和旁路电容_______的影响；使高频区电压增益下降的主要原因是__三极管的级间电容________的影响。 5．在交流放大电路中，引入直流负反馈的作用是_稳定静态工作点_________；引入交流负反馈的作用是___稳定增益、抑制非线性失真、___改变输入输出电阻、展宽频带、抑制干扰和噪声__。 6．正弦波振荡电路一般由选频网络__________、__放大电路________、正反馈网络__________、__稳幅电路________这四个部分组成。 7．某多级放大器中各级电压增益为：第一级25dB 、第二级15dB 、第三级60dB ，放大器的总增益为__100________，总的放大倍数为__________。 8．在双端输入、单端输出的差动放大电路中，发射极公共电阻R e对__差模输入________信号的放大无影响，对_共模输入_________信号的放大具有很强的抑制作用。共模抑制比K CMR为_差模增益与共模增益_________之比。 9．某放大电路的对数幅频特性如图1（在第三页上）所示，当信号频率恰好为上限频率时，实际的电压增益为____37______dB。二、判断（本题共10分,每小题1分，正确的打√，错误的打×）： 1、（y ）构成各种半导体器件的基础是PN结，它具有单向导电和反向击穿特性。 2、（y ）稳定静态工作点的常用方法主要是负反馈法和参数补偿法。 3、（y ）在三极管的三种基本组态中，只有电流放大能力而无电压放大能力的是基本共集组态。 4、（n ）若放大电路的放大倍数为负值，则引入的一定是负反馈。 5、（yn ）通常，甲类功放电路的效率最大只有40%，而乙类和甲乙类功放电路的效率比甲类功放电路的效率要高。 6、（n ）一般情况下，差动电路的共模电压放大倍数越大越好，而差模电压放大倍数越小越好。 7、（y n）根据负反馈自动调节原理，交流负反馈可以消除噪声、干扰和非线性失真。 8、（y）要使放大电路的输出电流稳定并使输入电阻增大，则应引入电流串联负反馈。 9、（y）在放大电路中引入电压负反馈可以使输出电阻减小，在放大电路中引入电流负反馈可以使输出电阻增大。 10、（y n）在正弦波振荡电路的应用中，通常，当要求振荡工作频率大于1MHz时，应选用RC正弦波振荡电路。三、选择（本题共20分,每个选择2分）： 1．在放大电路中，测得某三极管的三个电极的静态电位分别为0V，－10V，－9.3V，则此三极管是（ A ） A. NPN型硅管； B. NPN型锗管； C. PNP型硅管； D. PNP型锗管； 2．为了使放大电路Q点上移，应使基本放大电路中偏置电阻R b的值（C ）。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 3．典型的差分放大电路中Re（ B ）。 A. 对差模信号起抑制作用 B. 对共模信号起抑制作用 C. 对差模信号和共模信号均无作用 4．在差动电路中，若单端输入的差模输入电压为20V，则其共模输入电压为（C ）。 A. 40V B. 20V C. 10V D. 5V 5．电流源的特点是（ A ）。 A . 交流电阻大，直流电阻小； B . 交流电阻小，直流电阻大； C. 交流电阻大，直流电阻大； D. 交流电阻小，直流电阻小。 6．影响放大电路高频特性的主要因素是（ D ）。 A. 耦合电容和旁路电容的存在； B. 放大电路的静态工作点不合适； C. 半导体管的非线性特性； D. 半导体管极间电容和分布电容的存在； 7．关于理想运算放大器的错误叙述是（ A ）。 A．输入阻抗为零，输出阻抗也为零；B．输入信号为零时，输出处于零电位； C．频带宽度从零到无穷大；D．开环电压放大倍数无穷大 8．有T1 、T2和T3三只晶体管，T1的β＝200，I CEO＝200μA；T2的β＝100，I CEO＝10μA；T3的β＝10，I CEO＝100μA，其它参数基本相同，则实用中应选（ B ） A. T1管； B. T2管； C. T3管 9．交流反馈是指（ C ） A．只存在于阻容耦合电路中的负反馈；B．变压器耦合电路中的负反馈； C．交流通路中的负反馈；D．放大正弦信号时才有的负反馈； 10．RC桥式正弦波振荡电路是由两部分组成，即RC串并联选频网络和（ D ） A. 基本共射放大电路； B. 基本共集放大电路； C. 反相比例运算电路； D. 同相比例运算电路；四、分析与计算（本题共50分）： 1．(本小题10分) 电路如图2所示，通过分析判断反馈组态，并近似计算其闭环电压增益A usf。 2．(本小题10分) 电路如图3所示，u2=10V，在下列情况下，测得输出电压平均值U o的数值各为多少？（1）正常情况时；（2）电容虚焊时；（3）R L开路时；（4）一只整流管和电容C同时开路时。 3．(本小题12分) 如图4所示电路中，A为理想运放，Vcc＝16V，R L＝8Ω，R1＝10kΩ，R2＝100kΩ，三极管的饱和管压降U CES＝0V，

模拟电路考试题及答案【精】

自测题一一、判断题 1．因为P型半导体的多数载流子是空穴，所以它带正电。（F） 2．在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（T） 3．处于放大状态的三极管，集电极电流是多数载流子漂移所形成的。（F）二、单选题 1．半导体中的少数载流子产生的原因是（D）。 A．外电场B．内电场C．掺杂D．热激发2．用万用表测二极管的正、反向电阻来判断二极管的好坏，好的管子应为（C）。 A．正、反向电阻相等B．正向电阻大，反向电阻小 C．反向电阻比正向电阻大很多倍D．正、反向电阻都等于无穷大 3．二极管的伏安特性曲线的正向部分在环境温度升高时将（B）。(X 轴为电压) A．右移B．左移C．上移D．下移 4．当外加偏置电压不变时，若工作温度升高，二极管的正向导通电流将（A）。 A．增大B．减小C．不变D．不确定 5．三极管β值是反映（B ）能力的参数。（三极管可改为电流控制电流源） A．电压控制电压B．电流控制电流C．电压控制电流D．电流控制电压 6．温度升高时，三极管的β值将（A ）。 A．增大B．减少C．不变D．不能确定 7．下列选项中，不属三极管的参数是（B ）。 A．电流放大系数B．最大整流电流 C．集电极最大允许电流D．集电极最大允许耗散功率 8．某放大电路中三极管的三个管脚的电位分别为V U6 1 =，V U4.5 2 =，V U12 3 =，则对应该管的管脚排列依次是（B）。 A．e, b, c B．b, e, c C．b, c, e D．c, b, e 9．晶体三极管的反向电流是由（B）运动形成的。 A．多数载流子B．少数载流子 C．扩散D．少数载流子和多数载流子共同 10．三极管工作在放大区，三个电极的电位分别是6V、12V和6.7V，则此三极管是（D）。（发正偏集反偏） A．PNP型硅管B．PNP型锗管C．NPN型锗管D．NPN型硅管 11．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的（B）。 A．非饱和区B．饱和区C．截止区D．击穿区12．增强型绝缘栅场效应管，当栅极g与源极s之间电压为零时（B）。 A．能够形成导电沟道B．不能形成导电沟道 C．漏极电流不为零D．漏极电压为零三、填空题 1．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺杂浓度。 2．少数载流子在内电场力作用下有规则的运动称为漂移。 3．PN结正偏导通，反偏截止，称为PN结的单向导电性性能。 4．PN结加正向电压时，空间电荷区将变窄。 5．PN结正向偏置时，PN结的内电场被削弱。 6．三极管最重要的特性是电流放大作用。 7．温度升高时，晶体管的反向饱和电流将增大。 8．场效应晶体管属于电压控制器件。精选文档

哈工大模电期末考试题及答案

一、填空（16分） 1、在电流控制方式上，双极型晶体管是__电流控制电流源____型，而场效应管是__电压控制电流源___型；二者比较，一般的由_____场效应管___构成的电路输入电阻大。 2、放大电路中，为了不出现失真，晶体管应工作在___放大___区，此时发射结___正偏______，集电结___反偏______。 3、负反馈能改善放大电路性能，为了提高负载能力，应采用___电压___型负反馈，如果输入为电流源信号，宜采用___并联___型负反馈。 4、正弦波振荡电路应满足的幅值平衡条件是___AF=1____。RC 振荡电路、LC 振荡电路及石英晶体振荡电路中，___石英晶体振荡电路___的频率稳定性最好。 5、直流电源的组成一般包括变压器、_整流电路__、_滤波电路_和_稳压电路_。 6、下列说法正确的画√，错误的画× （1）放大电路的核心是有源器件晶体管，它能够实现能量的放大，把输入信号的能量放大为输出信号的能量，它提供了输出信号的能量。（ × ）（2）共集组态基本放大电路的输入电阻高，输出电阻低，能够实现电压和电流的放大。（ × ）（3）图1所示的文氏桥振荡电路中，对于频率为01 2f RC π=的信号，反馈信号U f 与输出信号U o 反相，因此在电路中引入了正反馈环节，能产生正弦波振荡。（ × ）第 1 页（共 8 页） C C R R + + + +R R 3 4 o U ?f U ?t 图1

试题：班号：姓名：二、（18分）基本放大电路及参数如图2所示，U BE =0.7V ，R bb ’=300?。回答下列各问：（1）请问这是何种组态的基本放大电路？（共射、共集、共基）（2）计算放大电路的静态工作点。（3）画出微变等效电路。（4）计算该放大电路的动态参数：u A ，R i 和R o （5）若观察到输出信号出现了底部失真，请问应如何调整R b 才能消除失真。图2 答：（1）是共射组态基本放大电路（1分）（2）静态工作点Q ： Vcc=I BQ *R b +U BEQ +(1+β) I BQ *R e ，即15= I BQ *200k ?+0.7V+51* I BQ *8k ?， ∴I BQ =0.0235mA （2分） ∴I CQ =βI BQ =1.175mA ，（2分） ∴U CEQ =V cc-I CQ *R C -I EQ *R E ≈V cc-I CQ *(R C +R E )=15-1.175*10=3.25V （2分）（3）微变等效电路 o （4分）（4）r be =r bb ’+(1+β)U T /I EQ =0.2+51*26/1.175=1.33K ? A u =-β(R c //R L )/r be =-50*1.32/1.33=-49.6 （2分） Ri=R b //r be ≈1.33K ?; （2分） Ro ≈Rc=2K ? （2分）（5）是饱和失真，应增大R b （1分）

模电复习题含答案

判断题 1、在N型半导体中如果掺有足够量的三价素，可将其改型为P型半导体(√). 2、因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电（×）。 3、处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。（×） 4、结型场效应管的栅-源电压的耗尽层承受反向电压，才能保证其R GS大的特点。（√） 5、放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作（√） 6、只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用（√） 7、阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立，（√）它只能放大交流信号。（√） 8、直接耦合多级放大电路各级的Q点相互影响，（√）它只能放大直流信号。（×） 9、运放的输入失调电压U IO是两输入电压之差（×） 10、运放的输入失调电流I IO是两输入端电流之差（×） 11、若放大电路的放大倍数为负，则引入的反馈一定是负反馈（×） 12、负反馈放大电路的放大倍数与组成它的基本放大电路的放大倍数量纲基本相同（√） 13、运算放大电路一般均引入负反馈（√） 14、在集成运算电路中，集成运放的反相输入端均为虚地（×）。 15、只要电路引入了正反馈，就一定会产生正弦波震荡（×） 16、凡是振荡电路中的集成运放均工作在线性区。（×） 17、在功率放大电路中，输出功率越大，功放管的功耗越大（×） 18、功放电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下，负载上可能获得的最大交流功率（√）。 19、整流电路可将正弦电压变为脉动的直流电压（√）。 20、在单相桥式整流电容滤波电路中，若有一只整流管断开，输出平均电压变为原来的一半（×）。二、填空题 1、在本征半导体中加五价元素可形成N型半导体，加入三价元素可形成形成P型半导体。 2、工作在放大区的某三极管，如果当I B从12uA增大到22uA时，I C从1mA变到2mA，那麽它的β约为100 。 3、要求输入电阻1K至2K电压放大倍数大于3000，第一级采用共射放大电路，第二级采用共射放大电路 4、为了稳定静态工作点，应引入直流负反馈。 5为了稳定放大电路的输出电流，应引入电流负反馈。 6、反相比例运算电路中集成运放反相输入端为虚地，而同相比例运算电路中集成运放两个输入端的电位等于输入电压。 7、同相比例运算电路可实现Au＞1的放大器。 8、LC并联网络在谐振时呈阻性，在信号频率大于谐振频率时呈容性，在信号频率小于谐振频率时呈感性。三、选择题 1、PN结加正向电压时，空间电荷区将 A 。 A变窄B基本不变C变宽 2、当晶体管工作在放大区时发射结电压和集电结电压应为 B A前者反偏，后者也反偏B前者正偏，后者反偏C前者正偏，后者也正偏 3、Ugs=0时，能够工作在恒流区的场效应管有 A C A结型管B增强型MOS管C耗尽型MOS管