A Low Power Inductorless LNA with Double Gm Enhancement in 130nm CMOS

A Low Power Inductorless LNA With Double

Enhancement in 130nm CMOS

Fran?ois Belmas,Frédéric Hameau,and Jean-Michel Fournier

Abstract—This paper presents the design of a low power differ-ential Low Noise Ampli ?er (LNA)in 130nm CMOS technology for 2.45GHz ISM band applications.The circuit bene ?ts from sev-eral -enhancements.These techniques provide a high gain and reduced Noise Figure (NF)in spite of the low intrinsic of the MOS transistors.Moreover,the circuit is fully inductorless.Main design points are described and the performance tradeoffs of the circuit are discussed.A prototype has been implemented and it ex-hibits a 20dB gain with a 4dB NF while dissipating 1.32mW.The

is for an input compression point of .Index Terms—Inductorless,ISM band,LNA,low power,245GHz.

I.I NTRODUCTION

W

IRELESS Sensor Network (WSN)standards like IEEE 802.15.4require drastically low active mode power

consumption ()for remote applications with long battery lifetime.The particular case of WSN apin the 2.45GHz ISM band usually leads to RF Integrated Circuits (RFICs)using LNAs circuit with multiple inductors.These bulky inductors result in expensive RFIC [1].Removing them is de ?nitely a cost effective approach.Conversely,low inductorless LNAs cannot offer the narrowband and low Noise Figure (NF)of their inductor-based counterparts.Designing such low cost circuits is then very challenging.To be relevant for a WSN application,inductorless LNAs should provide a large voltage gain (given the low values available)as well as drastically reduced silicon area.Additionally,RFIC SoC architectures must handle the increased NF and the inherent wideband nature of such inductorless LNA.This work proposes an inductorless LNA suitable for 2.45GHz ISM band WSN applications with a milliwatt range .We focus on LNA design with -boost techniques [2],[3].These techniques have been widely used in common gate LNAs where is a key point as in [4].More recently,some papers investigated the bene ?t of “active”-boost techniques applied to LNAs [5],[6].We push further the investigation in order to reach the highest possible voltage gain with a NF as low as possible.For that,a new doubly -boosted differential LNA is presented [7].The combina-tion of gain,noise and bandwidth improvement techniques

Manuscript received September 01,2011;revised November 18,2011;ac-cepted December 18,2011.Date of publication February 15,2012;date of cur-rent version April 25,2012.This work is supported in part by FP7ICT-IP project SENSEI 215923.This paper was approved by Guest Editor Georg Boeck.F.Belmas and F.Hameau are with CEA LETI,F-38054Grenoble,France (e-mail:francois.belmas@https://www.wendangku.net/doc/3310678508.html,;rederic.hameau@cea.fr).

J.-M.Fournier is with IMEP-LHAC,F-38016Grenoble,France (e-mail:

fournier@minatec.inpg.fr).

Color versions of one or more of the ?gures in this paper are available online at https://www.wendangku.net/doc/3310678508.html,.

Digital Object Identi ?er 10.1109/JSSC.2012.2185533

Fig.1.Inductorless LNAs :a.Resistive matched LNA,b.Impedance-based SFB LNA,c.Source-follower-based SFB LNA,d.Basic CG LNA.

offers a good global performance tradeoff.While keeping a very low ,the circuit is fully differential for an easier SoC integration.This paper is organized as follow:Section II details the known design techniques of inductorless LNAs.The proposed circuit is presented in Section III.In addition to [7],we detail more deeply the input matching as well as gain,bandwidth,linearity,noise,and stability.Finally,part IV presents experimental results.

II.B ACKGROUND IN I NDUCTORLESS LNA D ESIGN

Inductorless LNA design is mainly based on circuit tech-niques for low input impedance while maintaining good gain and noise performance.The dif ?culty lies on the generation of mainly real impedance while a MOS transistor exhibits gen-erally capacitive high input impedance.A straightforward so-lution could be a discrete matching using a 50input shunt resistance Fig.1(a)bounding the NF to 3dB in con ?ict with low noise goals.A more acute approach points to circuits either based on shunt feedback (SFB)ampli ?ers or common gate (CG)topology.Schematics of these structures are given in (Fig.1)and their performance metrics are summarized in Table I.A.Shunt Feedback Technique

The impedance-based SFB ampli ?er (Fig.1(b))provides real input matching using feedback impedance.It generally con-sists of either a pure resistance

[8]or a parallel tank

[9].In any case,the input matching is obtained thanks to the LNA voltage gain

.The degraded output impedance (

)is a major drawback of impedance based SFB ampli ?ers.Indeed,this limitation enforces larger

value when higher gain is targeted and thus

increases.0018-9200/$31.00?2012IEEE

TABLE I

B ASI

C E QUATIONS OF K NOWN I NDCUTORLESS LNA C IRCUITS OF F IG .

1

Fig.2.-boosted LNA a.generic -boost CG,b.Differential CCC LNA,c.Transformer based -boost,d.CS based -boost circuit.

For that,[11]proposed a feedback circuit with a degenerated source follower (Fig.1(c)).Although extra is required for the feedback,it ef ?ciently decouples the output from the input impedance.Authors in [11]detail the underlying linearity-gain tradeoff inherent to such source-follower-based SFB circuits.As in [11]and [12],it is commonly known that the SFB ampli-?ers,whatever the feedback type,exhibit poor NF and poor lin-earity performance when values are very low (i.e.,few mS).Note that some more elaborate feedbacks based on multi-stage [13]or current-reuse [14]can slightly improve the linearity-gain tradeoff while keeping the same basic https://www.wendangku.net/doc/3310678508.html,mon Gate (CG)Technique

The main alternative to SFB ampli ?ers is the CG topology (Fig.1(d)).The basic CG circuit bene ?ts from the source terminal impedance.It follows that the amplifying simul-taneously sets the gain and the input impedance.The input matching condition results in a matched noise factor limited to where is the noise excess factor of the MOS transconductance [15].For this reason,CG circuits are considered noisy regarding SFB ampli ?ers where can be much larger than unity (Table I).CG circuits still have some advantages.First,they have a better linearity as they exhibit a low input voltage gain.Another difference between CG and SFB circuits concerns the available accessibility of the gate terminal.In fact,this node does not need to be a pure DC node for correct operation.This statement leads to a class of circuits called -boost CG circuits [2],[4]which are usually dedicated to low power operation.

C.-Boost Technique

The basics of -boost techniques consist of applying simul-taneously the signal on both gate and source pins to increase the

swing on the MOS transistor (Fig.2).

The technique requires an auxiliary voltage gain ()aside from the CG circuit (Fig.2(a)).Assuming an ideal boosting ampli ?er,the obtained LNA metrics are reported in (Table II).This technique enables a reduction of the noise factor ()while simultaneously offering a favorable -matching tradeoff.This approach is very popular in differential LNA design [4],[10].Indeed,a -boosting effect is simply enabled through a Capacitive Cross Coupling (CCC –Fig.2(b))of the inputs at no costs.However,the improvement of the -matching tradeoff is somewhat limited:since the CCC is based on a passive ampli ?cation,it limits

to values lower than 1.One could address that point through the use an inductive transformer (Fig.2(c))[3]but a large extra silicon area will be required.The last solution involves an auxiliary active ampli ?er,a CS stage for instance,with a dedicated budget [5](Fig.2(d)).To improve performance in such actively-boosted CG LNA,both main and auxiliary ampli ?ers must be power-optimized.The -boosting am-pli ?er in previous works ([5],[6]&[16])always shows high input impedance.A design of this ampli ?er with a ?nite input impedance would relax even more the -matching tradeoff.Indeed,the boosting ampli ?er will then reduce the input impedance not only through its own gain ()but also through its ?nite input impedance.Furthermore,nothing forbids the use of -boosting techniques inside the auxiliary

TABLE II

G ENERIC M ETRICS I MPROVEMENT IN

-B OOSTED CG

LNA

Fig.3.Schematic of the proposed differential CGAB LNA circuit.

ampli ?er circuit in order to reduce its budget.In the following section we propose a -boosted LNA that consider these two remarks.

III.P ROPOSED C OMMON G ATE A CTIVE B OOST LNA A.Basic Idea

The proposed circuit is depicted in Fig.3and includes a CG circuit being -boosted through another CG circuit rather than a CS.The “main CG ampli ?er”,made with and ,is en-hanced by the “-boost ampli ?er”made with and .A CCC technique is added to the boosting ampli ?er (MOM ca-pacitor).It further enhances its gain and reduces its noise.The boosting gain is therefore doubled without extra and be-comes .

The obtained Common Gate Active Boost LNA (CGAB)is thus a double--enhanced LNA.Moreover,the ?nite input impedance at the source terminal of is a novel degree of freedom to de ?ne the LNA input https://www.wendangku.net/doc/3310678508.html,ing a CG cir-cuit,known to be more linear than a CS circuit [2],helps to improve the linearity of the whole LNA at low where low bias current usually degrades linearity.The proposed cir-cuit also involves a capacitive coupling of both CG circuit’s out-puts through capacitance for bandwidth enhancement.The active load made by avoids large DC voltage drop through .Both gates are connected together to form a dynamic ground.This connection disables the parasitic active inductor at node which is mainly created by gate capacitor.Since this inductance is usually large,it results in an unwanted low frequency gain resonance.The DC current of both ampli ?ers is shared in a common input current source and in order to avoid extra input current mirror.The ratio is set by

through a large value resistor (20)which isolates the biasing parts from the RF parts.It has to be noticed that the

gate is DC coupled and it doesn’t require any extra RC-bias tee.The high-pass cut-off of the network (MHz)is neglected hereafter.Finally,it is assumed that the LNA is loaded with a capacitor at each output in the fol-lowing analysis to model the input capacitance of a succeeding mixer.The circuit is scaled to operate at milliwatt range (mW).All active transistors are of minimum gate length (0.13m)and they operate with positive overdrives above sat-uration limits.Next sections detail the metrics of the LNA of Fig.3.The various tradeoffs related to the low and the in-ductorless aspects are discussed.B.Input Matching

The differential input admittance is calculated with the MOS small-signal equivalent circuit:,,,.The low-frequency approximation of is given in (1)where the two ?rst terms de ?ne the low input impedance.The last terms in (1)involving the ?nite MOS conductances (&

)are the positive feedbacks proportional to the LNA gain and the boosting gain .These terms tend to mod-erately increase the input impedance.They are neglected in the next simpli ?ed theory,but they must be considered during cir-cuit design.We neglect and transition frequencies ,which are very high compared to the operating frequency

(1)(2)(3)

A simpli ?ed matching condition can be de ?ned and applied to

leading to (2).We compare this with the matching condition (3)obtained for the differential active-boost LNA in Fig.2(d)([5],[6]).It results in an improved -matching tradeoff.The improvement is mainly related to the CCC technique that dou-bles the boosting gain.We focus now on the input impedance second order effects related to the back-to-back connection of

and .This topology de ?nes an impedance gyrator which leads to a ?nite imaginary part in [17].A more detailed expression than (1)is obtained from the schematic of Fig.4and results in (4)(with ,the Laplace variable)

(4)In Fig.4,a simpli ?ed load ()resulting from in par-allel with the equivalent capacitor is used at -boost ampli-?er output to simplify the analysis.The evolution of (4)versus frequency is detailed in Fig.5and in Table III,through 3separate frequency domains (namely a ,b &c ).At low frequency (a )follows the relation (1),the expected boosted admit-tance.In (b ),as increases close to ,

Fig.4.Schematic used to calculate the input impedance.The capacitor

models extra parasitic capacitance at node

.

Fig.5.Input admittance of circuit from Fig.4versus frequency.Frequency ranges a,b &c are schematicaly delimited and they are detailled hereafter in Table III.

the boosting ampli ?er load decreases,and consequently,the boosting effect disappears.Aside from that,an active inductor

appears in parallel of the

real part Finally,at high frequency (c ),the input capacitor tends to dominate behavior and degrades the input matching.Fig.6illustrates the simulated with and without active inductor .In our case where the CGAB LNA is close to the mismatch limit (dB),it appears that the active inductor helps to maintain the matching at high fre-quency inside the dB circle.That shows how this imag-inary part can be advantageously used to ?ne tune the input matching.For instance,the inductive part can resonate with ,an input capacitor related to the necessary input ESD protection circuit.We consider in our simulation a value of 0.3pF for each single-ended input.C.Gain and Bandwidth

LNA design at low implies low DC current and hence small transistor values.To maintain acceptable gain and noise,output impedance has to be high enough.With this high impedance requirement,it becomes dif ?cult to maintain a large gain-bandwidth product.In the proposed circuit,the -boost gain-bandwidth –and consequently the whole LNA gain-bandwidth –is greatly limited.For that,is added for bandwidth extension purposes [18].The transfer function of the whole

LNA gain ()and the boosting gain ()are detailed hereafter (5)–(8)

Fig.6.Simulated of the model of Fig.4with and without including the

active inductor

.

(from 100MHz to 20GHz).TABLE III

B EHA VIOR V ERSUS F REQUENCY FOR A ,B ,

C

D OMAINS .

(5)

(6)

(7)(8)

Both gains share an identical 2nd-order pole systems with a common un-damped angular frequency ()and a damping factor ()given in (9)and (10).The terms and are de-?ned in Fig.4while and .High-frequencies zeros (,)in (5)are neglected while the effect of (,)in (6)result in bandwidth extension,as explained hereafter

(9)(10)

Fig.7.Simulated and for different values.

The boosting gain impacts the whole LNA gain since we have roughly.The purpose of

in such circuits is to act as a neutralizing capacitor which cre-ates a peaking effect by means of positive feedback and extends the bandwidth.reduces the value of and also creates an extra zero in which causes an overshoot effect in the before the main pole at.Given the tight cou-pling between both gains the peaking effect helps to increase the whole LNA bandwidth.The maximum gain()(11) occurs at a resonance frequency(noted)de?ned by(12)

(11)

(12) Moreover,inspecting(9)to(12),it follows that increasing increases the overshoot(by decreasing)but also decreases. Since we have always,this positive feedback tech-nique is limited and high values result in early overshoot fre-quency.The obtained and are depicted in Fig.7. Consequently,the value must be carefully chosen to extend suf?ciently the bandwidth while avoiding the early peaking ef-fect and to limit the in-band gain peaking.The effect of value on and ripple is detailed in Fig.7.With,the system is critically damped.We choose to implement this value.

The obtained gain peaking is kept small with this capacitance value.The physical implementation of C4must not introduce extra parasitic capacitance.

A MOM capacitor without the?rst metal level is used in this design to obtain the critically damped case of Fig.7.The layout of results in enough small parasitic capacitance on node

to be neglected versus the neutralizing effect.Without this band-width extension technique we would be forced to reduce output impedance resulting in lower gains and higher noises.

D.Noise

The noise factor equation from Table II does not include the contribution from the boosting ampli?er.This extra noise will impact the noise-power tradeoff in the circuit.In order to calculate the noise factor,some simpli?cations are performed to obtain a more insightful equation.First,it is stated that both half-circuit noise sources are correlated.It then implies a fully differential noise voltage at the output with the pes-simistic assumption that no common mode cancellation occurs between both half circuits.This statement enables the circuit simpli?cation detailed in Fig.8.Both half circuits are thus separated while being driven with two distinct sources,with a noise impedance[4].MOS transistor and resistor thermal noise sources are added to this simpli?ed schematic[15]

(13)

(14) Then,each noise transfer function(TFn)associated with a given noise source is computed to obtain the noise factor with the de?nition in(15).The contributions of each noise source are then separated between,,,terms forming the complete noise factor of the LNA(16)

(15)

(16) Assuming,,, and,a simpli?ed noise factor expression

is derived(17).It highlights the bene?ts of using the capacitive cross-coupling technique in the boosting ampli?er since it both reduces its noise contribution and doubles the boosting gain. This also improves noise reduction of the main ampli?er.The relative contribution of each noise source to versus the chosen transconductance is detailed in Fig.9

(17)

A constant is assumed(i.e.,a constant

)and therefore when increases,decreases.It high-lights and as the main noise contributors.To empha-size the advantage of this technique compared to another ac-tively-boosted LNA design,we derive the noise factor of a dif-ferential LNA based on the circuit of Fig.2(d).([5],[6]).Using again the simpli?cation process of Fig.8we obtain(18).Al-though-matching tradeoffs are different,(17)and(18)can be compared while assuming an identical.It follows that the proposed circuit limits more the noise degradation related to the boosting ampli?er.The key improvement is related to the extra CCC added into the circuit

(18)

Inspecting Fig.9highlights an optimal design point reached when both and are bigger than3mS.Finally our model(17)is compared to NF simulation of the LNA using the BSIM v3.3MOS transistor model(Fig.10).It appears that (17)predicts correctly the simulation result.Moreover,the optimal noise is obtained for an acceptable power matching

Fig.8.Circuit simpli ?cation to compute the noise ?gure assuming correlated noise sources of each

half-circuit.

Fig.9.Noise contributor to versus at constant power consumption.

(dB).The proposed circuit shows an acceptable NF for WSN applications.The noise-tradeoff is kept good,

even at low values.E.Linearity

The

-boosting block increases the swing on en-abling the noise reduction highlighted above.On the other hand,

the increased voltage swing increases the

related distortion by

.It is worth mentioning that the boosting ampli ?er also introduces its own extra distortion.Authors in [5]proposed an

estimation of the -boosted LNA

using and of both main and -boosting ampli ?ers (19).If we assume that both

and are very high given the differ-ential implementation,and

that

,Fig.10.Equation (17)and simulated NF versus value.

Fig.11.Simulated IIP3at 2.45GHz of the LNA versus at constant PDC.

it follows that the is lower than the non-boosted

of the

main CG circuit ()divided by a factor ()

(19)

The performance scaling of CGAB LNA thus includes a noise-linearity tradeoff since a high boosting gain is necessary for low NF but leads to a degraded linearity performance.Fig.11depicts the evolution of versus with and without the neutralizing capacitor .As the bandwidth ex-tension technique results in a 3–4dB higher boosting gain (Fig.7)it logically degrades the LNA by almost the same factor.The use of is still necessary since otherwise the LNA does not meet bandwidth.Ideally,a design point is chosen to simultaneously minimize the noise at an acceptable

value having an lower than dB.Because of the differential operation the simulated is found to be as high as .F.Stability

Given the multiple cross-connections and feedbacks in the circuit (crossing of the sources,CCC on M3gate,C4neutral-izing capacitors)the stability must be investigated.Two dif-ferent points are addressed in this section.The ?rst one is related to the DC biasing scheme which requires a close-loop control for good reliability.The second one concerns the effect of C4on high-frequency stability.

Fig.12.Evolution of I1&I3bias current versus on

gate.

Fig.13.DC loop feedback,..

1)DC Feedback Stability:The DC coupling between gate and drain makes the ratio shown in Fig.12very sensitive to the biasing voltage on gate().To con-trol precisely the biasing for optimal noise and linearity oper-ation,a DC feedback is necessary.The DC common mode at LNA output is sensed to generate with a DC comparator (Fig.13).The comparator draws5A from the power supply, the phase margin of the total loop gain is60.The bandwidth of the comparator is kept very low and thus it does not introduce any loop instability.

2)High Frequency Stability:At high frequency the stability robustness is investigated by means of-factor(20)[19],which indicates unconditional stability when.

(20)

is the most likely parameter to cause instability since the pos-itive feedback it induces can strongly lower-factor.In Fig.14, is swept till-factor falls under unity for at least one fre-quency between100MHz to10GHz.The corresponding curves are plotted in Fig.15.It follows that the LNA is matched and unconditionally stable for.Between30fF and 90fF the LNA is no longer matched since dB but it still shows an unconditional stability.At90fF,the stability is no longer guaranteed at high frequency.

Finally capacitor is set to30fF in order to reach a critical damped behavior.Even with strong technological variations on the LNA will not exhibit stability problem.

G.Circuit Implementation and Statistical Behavior

The geometry and biasing of the designed LNA is summa-rized in Table V.The output loads are somewhat high given

the Fig.14.-factor between0.1GHz and10GHz for,30fF,60fF, 90

fF.

Fig.15.Simulated input re?ection coef?cient for,30fF,60fF and90fF.

TABLE IV

E FFECT O

F ON B ANDWIDTH AND

G AIN P EAKING

.

desired voltage gain of dB.The power consumption is re-duced to1.32mW(biasing excluded)for the whole circuit.The obtained NF is4dB.The robustness of the design from Table V versus technological variation is investigated through Monte Carlo analysis.Over500runs,both technological process de-viations and in-wafer device mismatches are considered.PVT variations are simulated on all LNA components,including capacitor.Mean()and standard deviation()of the LNA met-rics are given in Table VI.

Because of the high gain and the low power consumption,the linearity is the most likely metric to vary.The rest of the metrics appear reliable versus technological variations.

IV.E XPERIMENTAL R ESULTS

The proposed LNA has been implemented in ST-Microelec-tronics CMOS0.13m-GP process.The implemented design is described in Table V and the differential LNA draws1.1mA from a1.2V power supply.The active area is8383m( mm)of a1.44mm pad-limited test-chip(Fig.16)dedi-cated for on-wafer-probe measurement.No RF-speci?c process

TABLE V

I MPLEMENTED D ESIGN OF THE CGAB

LNA.

TABLE VI

500R UNS M ONTE C ARLO S TATISTICAL D ISTRIBUTIONS

.

Fig.16.Micrograph of the measured LNA and area of the core

circuit.Fig.17.Measured gain of the proposed CGAB LNA.

options like MIM capacitor or extra thick metals were used.For test purposes,the LNA is loaded with an output buffer,which consumes 5.5mA using a dedicated power supply.It isolates the LNA output from the testing apparatus.The designed buffer shows an input parasitic capacitor which is close to the 50fF capacitor assumed before.A stand-alone version of this testing buffer is added next to the LNA for gain de-embedding pur-poses.The buffer ()and its NF (7dB)do not affect the measurements of the LNA and NF.The gain and input matching measurement of the differential circuit are performed on a 4-port VNA providing true differential-mode

-parameters.

Fig.18.Measured and simulated of the CGAB

LNA.

Fig.19.Measured NF of proposed CGAB LNA.

Other measurements like NF and require extra off-chip 180couplers for single-to-diff conversions.The bandwidth of these couplers is limited from 1.5GHz to 3GHz.Measurements are compared to post-layout simulations with layout parasites of the core LNA circuit.The measured gain is depicted in Fig.17.It shows a signi ?cant drop of almost 3dB which has been iden-ti ?ed to be caused by long-length RF input lines that exhibit a parasitic series inductance.The reduced boosting gain logically improves the measured as shown in Fig.18.The NF can be only measured in the working bandwidth of the hybrid couplers.Couplers with reduced bandwidth are preferred since they offer lower insertion losses.NF measurement is presented in Fig.19.A signi ?cant ?uctuation is observed in the NF plot because of the low gain of the chain.Indeed,the buffer losses reduce the accuracy of the measurement.However,Fig.19exhibits an av-erage value around 4dB.The measured dB and the

at 2.45GHz are shown in Fig.20.They performed with a two-tone test at 2.45GHz with 5MHz tone spacing.Be-cause of the gain drop,the LNA exhibits an improved of 2dB compared to simulation.The compression point is not sur-prisingly quite low given the low bias current of the LNA.Table VII presents recently published low power LNAs.A Figure of Merit (FoM)de ?ned in (21)is introduced for com-parison purposes.The circuit area (mm )has been added in (21)to provide a fair comparison with non-inductorless LNAs ([1]–[3]).In Table VII,among the circuits that exhibit a FoM close to 100dB,our circuit is the less consuming.We moreover

TABLE VII

C OMPARISON W ITH P UBLISHE

D L OW P OWER

LNA.

Fig.20.Measured IIP3and ICP-1dB of proposed CGAB LNA.

offer a high-fully-differential circuit robust to common

mode noise

mW mW

mm

(21)

V .C ONCLUSION

A doubly--boosted CG LNA circuit is presented.It achieves a power consumption of 1.32mW for fully differ-ential operation.The LNA design makes use of both active and passive -boosting effects in order to reach a 4d

B NF and a large voltage gain at milliwatt range .Tradeoff be-tween noise and linearity has been discussed.The LNA shows good stability as well as good robustness versus technological

variations.The measured circuit shows good performances compared to other low LNAs.Inductorless implementa-tion result in a silicon area of 0.007mm .

R EFERENCES

[1]T.Taris,A.Mabrouki,H.Kraimia,Y.Deval,and J.-B.Begueret,“Re-con ?gurable ultra low power LNA for 2.4GHz wireless sensor net-works,”in Proc.IEEE ICECS ,Dec.2010,pp.74–77.

[2]S.Woo and W.Kimal,“A 3.6mW differential common gate CMOS

LNA with positive-negative feedback,”in Proc.IEEE ISSCC ,Feb.2009,pp.218–219.

[3]X.Li,S.Shekhar,and D.J.Allstot,“

-boosted common-gate LNA and differential colpitts VCO/QVCO in 0.18-m CMOS,”IEEE J.Solid-State Circuits ,vol.40,no.12,pp.Dec.2005.

[4]S.B.T.Wang,A.M.Niknejad,and R.W.Brodersen,“Design of a

sub-mW 960-MHz UWB CMOS LNA,”IEEE J.Solid-State Circuits ,vol.41,no.11,pp.2449–2456,Nov.2006.

[5]I.R.Chamas and S.Raman,“Analysis,design,and X-band imple-mentation of a self-biased active feedback

-boosted common-gate CMOS LNA,”IEEE Trans.Microw.Tech.,vol.57,no.3,pp.542–551,Mar.2009.

[6]H.Wang,L.Zhang,and Z.Yu,“A wideband inductorless LNA with

local feedback and noise cancelling for low-power low-voltage appli-cations,”IEEE Trans.Circuits Syst.I,Reg.Papers ,vol.57,no.8,pp.1993–2005,Aug.2010.

[7]F.Belmas,F.Hameau,and J.-M.Fournier,“A 1.3mW 20dB gain

low power inductorless LNA with 4dB noise ?gure for 2.45GHz ISM band,”in Proc.IEEE Int.Symp.RFIC ,Jun.5–7,2011,pp.1–4.

[8]B.G.Perumana,J.-H.C.Zhan,S.S.Taylor,B.R.Carlton,and J.

Laskar,“Resistive-feedback CMOS low-noise ampli ?ers for multi-band applications,”IEEE Trans.Microw.Theory Tech.,vol.56,no.5,pp.1218–1225,May 2008.

[9]J.-H.C.Zhan and S.S.Taylor,“A 5GHz resistive-feedback CMOS

LNA for low-cost multi-standard applications,”in Proc.IEEE Solid-State Circuits Conf.(ISSCC),Feb.6–9,2006,pp.721–730.

[10]J.Liu,H.Liao,and R.Huang,“0.5V ultra-low power wideband LNA

with forward body bias technique,”Electron.Lett.,vol.45,no.6,pp.289–290,Mar.2009.

[11]J.Borremans,P.Wambac, C.Soens,Y.Rolain,and M.Kuijk,

“Low-area active-feedback low-noise ampli?er design in scaled digital CMOS,”IEEE J.Solid-State Circuits,vol.43,no.11,pp.

2422–2433,Nov.2008.

[12]A.Ismail and A.A.Abidi,“A3–10-GHz low-noise ampli?er with

wideband LC-ladder matching network,”IEEE J.Solid-State Circuits, vol.39,no.12,pp.2269–2277,Dec.2004.

[13]A.Bevilacqua,M.Camponeschi,M.Tiebout,A.Gerosa,and A.Ne-

viani,“Design of broadband inductorless LNAs in ultra-scaled CMOS technologies,”in Proc.ISCAS,May18–21,2008,pp.1300–1303. [14]R.Ramzan,S.Andersson,J.Dabrowski,and C.Svensson,“A1.4V25

mW inductorless wideband LNA in0.13m CMOS,”in Proc.ISSCC, Feb.11–15,2007,pp.424–613.

[15]Y.Cui et al.,“On the excess noise factors and noise parameter equa-

tions for RF CMOS,”in Proc.2007IEEE Topical Meeting Silicon Monolithic Integr.Circuits RF Syst.Dig.Papers,Jan.10–12,2007, pp.40–43.

[16]P.-I.Mak and R.Martins,“A0.46mm4dB-NF uni?ed receiver

front-end for fullband mobile TV in65nm CMOS,”in Proc.ISSCC, Feb.20–24,2011,pp.172–174.

[17]C.-C.Hsiao,C.-W.Kuo,C.-C.Ho,and Y.-J.Chan,“Improved quality-

factor of0.18-m CMOS active inductor by a feedback resistance de-sign,”IEEE Wireless Components Lett.,vol.12,no.12,pp.

467–469,Dec.2002.

[18]S.-S.Song,D.-G.Im,H.-T.Kim,and K.Lee,“A highly linear wide-

band CMOS low-noise ampli?er based on current ampli?cation for dig-ital TV tuner applications,”IEEE Microw.Wireless Components Lett., vol.18,no.2,pp.118–120,Feb.2008.

[19]B.Razavi,RF Microelectronics.Englewood Cliffs,NJ:Prentice

Hall,1997.

[20]T.-T.Liu and C.-K.Wang,“A0.9mW0.01–1.4GHz wideband CMOS

low noise ampli?er for low-band UWB application,”in Proc.IEEE ASSCC,Nov.2005,pp.345–348.

[21]K.Allidina and M.N.El-Gamal,“A1V CMOS LNA for low power

ultra-wideband systems,”in Proc.ICECS,Aug.-Sep.31-3,2008,pp.

165–168.

[22]A.Amer,E.Hegazi,and H.Ragai,“A low-power wideband CMOS

LNA for WiMAX,”IEEE Trans.Circuits Syst.II,Exp.Briefs,vol.54, no.1,pp.4–8,Jan.

2007.

Fran?ois Belmas received the M.S.degree in

electrical engineering from the National Institute of

Applied Science-INSA,Lyon,France,in2008.He

received the Ph.D.degree at the Institut National

Polytechnique de Grenoble(INPG)at RF labora-

tory/CEA-LETI,Grenoble,France,where he worked

on CMOS RF design.

He was with NXP semiconductor from2007to

2008where he worked on DTV SiP design.His

main interest was inductorless design for low power

RFICs.He is now with Cambridge Silicon Radio (CSR),Sophia Antipolis,France,as an RF

Designer.

Frédéric Hameau received the M.S.degree in

microelectronics from Ecole Nationale Supérieure

d’Electronique,d’Informatique et de Radiocommu-

nications de Bordeaux,France,in2001.

He did a6month period as RF designer in the

STmicroelectronics R&D Center,Crolles,France,

where he designed a power ampli?er for bluetooth

applications in0.12m SOI technology.He joined

CEA-LETI as RF designer in2001,where

he designed RF frontend blocs using SOI and CMOS

technology.He is now in charge of System On Chip integration in the wireless sensor network?eld.His work includes ultra-wide band applications as well as ultra-low power

applications.

Jean-Michel Fournier graduated in electronic

engineering from the National Engineer School(EN-

SEEIHT),Toulouse,France,in1974.He received

the M.S.and Ph.D.degrees from the Department

of Solid-State Physic,University Claude Bernard,

Lyon,France,in1975and1979,respectively.

In1979,he joined the R&D in Microelectronic

Department of France Telecom,Grenoble,where he

worked on analog MOS ASIC development(High

speed video ampli?ers,?lters,device mod-

eling).Between1992and1996,he was in charge of the analog design group,and he focused his interest on BiCMOS process for RF applications.From1996,he is a Professor at PHELMA(School Electronic and Physic of INPG).At IMEP-LAHC laboratory,his main research interest is the design of analog RF and millimeter-wave integrated circuits in CMOS technology.

十大世界顶级汽车品牌(汽车公司)

世界顶级汽车品牌及所属公司 德国大众： 德国大众集团目前是德国最大企业，2010年打败日本丰田、美国通用汽车公司成为世界最大汽车公司。大众汽车公司是一个在全世界许多国家都有生产厂的跨国汽车集团，名列世界十大汽车公司之首。公司总部曾迁往柏林，现在仍设在沃尔夫斯堡。目前有雇员35万人。 大众旗下的10个品牌： 保时捷（Porsche）大众（Volkswagen） 奥迪（Audi）兰博基尼（Lamborghini） 斯柯达（Skoda）西亚特（Seat） 宾利（Bentley）布加迪（Bugatti） 斯堪尼亚（Scania）大众商用车（Multivan） 戴姆勒-克莱斯勒 克莱斯勒汽车公司是美国第三大汽车公司，创立于1925年创始人名叫沃尔特?克莱斯勒。其汽车销售额在全世界汽车公司中名列第九。它的前身是麦克斯韦尔汽车公司。该公司在全世界许多国家设有子公司，是一个跨国汽车公司。公司总部设在美国底特律。 旗下品牌： 梅赛德斯-奔驰，smart，迈巴赫，克莱斯勒，Jeep® ，道奇，福

莱纳，Sterling，西星，Setra，三菱扶桑，Thomas Built Buses，Orion 等 美国通用 通用，可以代表全球著名的汽车公司——美国通用汽车公司，GM(General Motors）；也可以代表美国的多元化服务性公司——通用电气公司GE(General Electric)；以及美国防务巨头通用动力，GD （General Dynamics）。 通用汽车旗下的轿车和卡车品牌包括：别克、凯迪拉克、雪佛兰、GMC、霍顿、悍马、欧宝、庞蒂克、土星、vauxhall。 美国福特 福特汽车公司是世界最大的汽车企业之一。目前，它拥有世界著名的八大汽车品牌：福特(Ford)、林肯(Lincoln)、水星(Mercury)、马自达(Mazda)、阿斯顿?马丁(AstonMartin)、路虎(LandRover)和捷豹(Jaguar)，沃尔沃（Volvo）。此外，还拥有全球最大的信贷企业—福特信贷(FordFinancial)，全球最大的汽车租赁公司Hertz，和客户服务品牌QualityCare。 德国宝马 BMW，全称为巴伐利亚机械制造厂股份公司（德文：Bayerische Motoren Werke AG），是德国一家世界知名的高档汽车和摩托车制造商，总部位于慕尼黑。BMW在中国大陆、香港与早年的台湾又常称

2010年世界十大著名汽车公司排行榜

2010年世界十大著名汽车公司排行榜 按照品牌排名： 1.通用 通用汽车公司是世界上最大地汽车公司，年工业总产值达1000多亿美圆。其标志GM取自其英文名称（General Motro Corporation）地前两个单词地第一个字母。它是由威廉杜兰特于1908年9月在别克汽车公司地基础上发展起来地，成立于美国地汽车城底特律。现总部仍设在底特律。 它在美国及世界各地雇员达80万人，分布在世界上40 个国家和地区，通用家族每年地汽车总产量达900万辆。 通用汽车公司是美国最早实行股份制和专家集团管理地特大型企业之一。通用汽车公司生产地汽车，典型地表现了美国汽车豪华、宽大、内部舒适、速度快、储备功率大等特点。而且通用汽车公司尤其重视质量和新技术地采用。因而通用汽车公司地产品始终在用户心中享有盛誉。

通用当前在中国有四大基地，且基本都处于中国版图地东部。分别是上海、烟台、沈阳、柳州。上海通用汽车有限公司成立于1997年，一开始通用就采取地“高位入市”战略，一次性投资就达15亿美元，发展多年，如今上海通用品牌地声誉在中国已相当稳固。上海通用总部位于上海市浦东金桥出口加工区，占地面积55 万平方米。上海通用地第二个整车生产基地是位于烟台的上海通用东岳汽车公司。而上汽通用五菱则是于2002年重组原广西柳州五菱而成，当前主要生产微车、小型轿车。 在先后三次南下北上地并购之后，上海通用拥有了广西柳州五菱、山东东岳和沈阳北盛。 上海通用正在逐步实现自己地战略构想：以上海作为发展根据地，将凯越、君威包括刚刚引进地凯迪拉克等中高档车型放在上海生产，而将其他经济型轿车和MPV转移到根据地之外、劳动力成本更低地沈阳、山东、广西等地，这样可以进一步降低成本，扩大市场份额。 上海通用汽车公司生产地车型有别克、赛欧、雪佛兰、凯迪拉克等. 通用旗下品牌有: 旁蒂克、雪佛兰、凯迪拉克、别克、霍顿、沃克斯豪尔、奥兹莫比尔、欧宝、绅宝、土星、雷鸟、悍马、GMC、Suzuki（铃木）、Isuzu （五十铃）大宇。Buick, Cadillac, Chevrolet,

目前最全汽车品牌简介及车标

主流车标介绍 国产 车标名称产地简介备注 奇瑞中国6月，与美国量子公司成立 合资企业；7月，与克莱斯 勒集团签署战略合作协议；8 月，与菲亚特集团签订战略 合作备忘录。 威麟威麟定位为中高级全能商务车奇瑞旗下子 牌 瑞麒奇瑞向中高端市场奇瑞旗下子 牌 开瑞开瑞定位于行业用户工作车、中 小企业物流车、个体经营工具车、 宜商宜家的多功能车奇瑞旗下子牌 浙江吉利吉利豪情、美日、优利欧、美人 豹、华普、自由舰、吉利金刚、 吉利远景等八大系列30多个品 种的轿车 收购沃尔沃 吉利旗下

吉利旗下 一汽海马汽车有限公司，推出 的车型就是日本马自达的车 型，换标而已（以前是这样， 现在没有关注） 比亚迪不错的品牌，以前设计比较少， 现在很不错 奔腾（红旗车标一样）这就是由第一汽车集团公司研发的国内首款自主品牌中高级轿车--"奔腾" 东风中国东风汽车公司与法国标致雪 铁龙集团各出资50%兴建的轿车 生产经营企业 上海通用是由上海汽车集团股份有限公 司、通用汽车（中国）公司、柳 州五菱汽车有限责任公司三方共 同组建的大型中外合资汽车公 司，其前身可以追溯到1958年成 立的柳州动力机械厂 东南汽车和日本三菱汽车部分车型一样， 和海马差不多

中国·众泰控股集团是以汽车产 业为发展方向和主营业务的民营 企业，总部设在素有“五金之都” 和“百工之乡”美誉的浙江省永康 市 日韩车系 英菲尼迪美国尼桑（日产）的北美市场高端品 牌。 凌志 （雷克 萨斯） 美国丰田的北美市场高端品牌 讴歌美国本田北美市场高端品牌 富士斯 巴鲁 SUBAR U 日本

起亚韩国丰田日本本田日本现代韩国马自达日本 日本尼桑 （日 产） 三菱日本

国内主流商用车车桥品牌汇总

国内主流商用车车桥品牌汇总 车桥是卡车的三大动力核心总成之一，除了有承载车身重量的作用外，还有驱动车辆以及制动等作用。目前国内生产车桥的厂家众多，现为大家介绍下国内比较主流的卡车车桥的厂商及品牌。 ●解放车桥 一汽山东汽车改装厂 公司介绍：一汽山东汽车改装厂创建于1968年，2003年成为一汽集团公司全资子公司。位于山东省蓬莱市。主要生产各类卡车桥和客车桥，是中国改装车和中重型卡车驱动桥的主要生产基地之一。工厂具有年产15万根冲焊驱动桥的生产能 力. 解放300轮减桥 主要产品：产品有435系列、457系列、DA485系列、300系列的卡车和客车桥，可选装空气悬挂、盘式制动器、ABS防抱死装置、制动间隙自动调整臂等结构。 配套厂家：一汽、江淮、联合卡车、华菱等。 一汽解放车桥分公司 公司介绍：一汽解放汽车有限公司车桥分公司，前身为第一汽车制造厂底盘厂，始建于1953年7月15日。50多年来，经过三次创业、资源整合，于2003年3月28日组建公司。公司拥有南、北两个厂区，主要生产各类转向桥及驱动桥，每年为用户提供50万套卓越品质的车桥产品。 主要产品：轻、中、重、客、挂等8大系列，上千个品种的转向及驱动桥。 配套厂家：主要为解放配套。

●东风德纳车桥 公司介绍：东风德纳车桥有限公司（简称DDAC)成立于2005年6月28日，位于湖北省襄樊市，由东风汽车有限公司与美国德纳公司在原东风车桥有限公司基础上双方各持股50%合资组建，是东风汽车集团下的子公司。下设十堰工厂、襄樊工厂、十堰车桥部件厂三个大型工厂及厦门分公司，具有年生产车桥总成90万根，主从动齿轮100万套的能力。 主要产品：重、中、轻、微全系列商用车车桥，包括转向桥、单驱动桥、贯通式驱动双桥、转向驱动桥、支承桥等5大类40多个系列2500余种。 配套厂家：主要为东风商用车配套，同时也为中通、宇通、金龙等客车厂商配套。 ●汉德车桥 公司介绍：陕西汉德车桥有限公司于2003年3月23日，由潍柴动力与陕汽集团共同投资组建，其前身为陕西汽车制造总厂车桥分厂。公司属高新技术企业，拥有西安、宝鸡两个工厂，厂房面积20万平方米，现有员工4200余人，各类工程技术人员和中级以上专业技术人员600多人，注册资本3.2亿元，年销售额超过50亿元。公司是集研发、制造、销售为一体的中国车桥行业最具科技含量的大型企业，各系列桥总成已批量装备我军重型军用越野车和国内各大知名重卡企业商用车。

世界十大跑车品牌排行榜

世界十大跑车品牌排行榜 简介：跑车离我们的生活越来越近了，世界上堪称豪华得跑车有很多，经典的也不少，但是经典中的代表的就不多了。 ?法拉利 ?兰博基尼 ?宝马 ?Lotus ?保时捷 ?布加迪 ?福特 ?玛莎拉蒂 ?Pagani ?Aston Martin 法拉利 兰博基尼 兰博基尼（Lamborghini），又被翻译作朗博基尼，林保坚尼。在意大利乃至全世界，兰博基尼是诡异的，它神秘地诞生，出人意料地推出一款又一款的让人咋舌的超级跑车。兰博基尼最能代表罗马2700年的历... 宝马 宝马（BMW）与阿尔法·罗密欧、菲亚特、福特、梅塞德斯·奔驰、标致、雷诺、劳斯莱斯等老牌汽车品牌相比，属于小字辈。但是在20世纪30年代它却制造出了世界上最好的跑车和豪华轿车，它从二战的破坏和50...... Lotus 莲花汽车标志Lotus 莲花莲花是着名汽车品牌。在汽车工业史上，莲花品牌与众不同。它是英国杰出的工程师柯林·查普曼个人奋斗与智慧的结晶。无论是批量生产的跑车还是赛车，他都亲自参与设计与研制，倾注了毕... 保时捷

布加迪 福特 福特福特汽车公司是世界最大的汽车企业之一。福特汽车公司的历史始于上个世纪初，凭着创始人亨利·福特“制造人人都买得起的汽车”的梦想和卓越远见，福特汽车公司历经一个世纪的风雨沧桑，已经成长为全球最大的卡... 玛莎拉蒂 玛莎拉蒂玛莎拉蒂是七十余年间生产了多辆传奇式赛车、跑车的意大利品牌，它在历史上各款车型制造过程中体现了精湛技艺和思维方面的独创性让人着迷。玛莎拉蒂汽车的标志是在树叶形的底座上放置的一件三叉戟，这是公... Pagani Aston Martin Aston Martin 阿斯顿·马丁原是英国豪华轿车、跑车生产厂。建于1913年，创始人是莱昂内尔.马丁和罗伯特.班福德。公司设在英国新港市，阿斯顿·马丁·拉宫达公司是由奥斯顿、马丁、拉宫达三家......

十大世界级豪车品牌排行榜汇编

十大世界级豪车品牌排行榜汇编 豪车品牌排行NO.1：劳斯莱斯 打造唯一车型幻影劳斯莱斯Rolls-Royce的归来令人吃惊。2003年该品牌是个空白。在被宝马收购后，Rolls-Royce需要一个新工厂、新总部和新车型。现在Rolls-Royce的唯一一款车型是幻影(Phantom)。该车同迈巴赫和宾利Arnage一道成为顶级豪华汽车。取名为幻影，是设计者吸取劳斯莱斯古典车型银云和银影的一些神韵，并加入现代灵感设计出来的。 豪车品牌排行NO. 2：宝马 新MINI承前启后宝马MINI的回归，是汽车回归历史上最成功的案例之一。它曾是世界最著名的汽车品牌之一。1976年，第400万辆MINI的下线成为英国汽车的里程碑，在2002年，重装上阵时，在美国年销量预计将为20000辆。新MINI具有精简饱满的线条，成功地让所有人为之一见钟情。现代化的设计意味着其集所有尖端科技于一身，但又成功地蕴涵了前一代MINI的精髓。 豪车品牌排行NO. 3：克莱斯勒 欲借300重拾辉煌戴姆斯-克莱斯勒着力打造出了克莱斯勒300轿车和道奇Magnum。克莱斯勒300未曾消失过，只是失去了往日的号召力。重新打造的300设计夺人心魄，马力强劲，克莱斯勒欲借此重拾300昔日辉煌。1955年，克莱斯勒推出了第一辆300型号的轿车，具有Exner的典型风格，还有331-HEMI发动机。之所以被称为

300，是因为其发动机能达到300hp(221kW)，这是美国历史上第一次达到这个动力的汽车发动机。凭借着杰出的发动机性能，以及出色的外观设计，300系列在美国汽车几十年的发展历程中一直出类拔萃，历经时间的淘洗能仍长盛不衰。 豪车品牌排行NO.4 ：莲花 05款Elise让其卷土重来2005款Elise在美国的上市给这个传奇英国运动汽车制造商一个卷土重来的机会。Elise是最不舒适的汽车之一，但显然不能用普通标准来要求一辆赛车。莲花公司声称这款跑车能在4.9秒内将速度由0提高到60英里/小时，最高时速可达141英里/小时，样车的时速更可高达将近150英里/小时。有了这样卓越的加速度，这款具有强烈异国情调的跑车在赛道上的表现无疑也将不负众望。 豪车品牌排行NO. 5：Hemi 新版发动机被克莱斯勒广泛运用2004年12月，克莱斯勒宣布，Hemi发动机在其汽车上的使用率达到46%。旧版Hemi的使用始于1951年，是历史上最著名的发动机之一。从1955年到1960年，由于有了Hemi，克莱斯勒汽车成为美国最具动力的汽车。Hemi发动机的制造成本高于其他发动机，因为Hemi发动机气门位于气缸盖的对面。这就需要两套摇臂轴、摇臂和推杆来传动气门。然而，He-mi发动机的优势胜过了重量更大和制造成本更高的劣势。 豪车品牌排行NO. 6：福特GT 沿袭朴实无华设计风格福特GT，是历史上最杰出的赛车之一，

世界著名汽车品牌及生产商

世界著名汽车品牌及生产商 原名称翻译名称生产厂家 Abarth阿巴斯意大利阿巴斯股份公司 Abarth菲亚特/阿巴斯菲亚特汽车公司 Abarth阿尔詹特意大利菲亚特轿车股份 Acadian阿卡蒂安加拿大通用汽车有限公司 Acadiane阿卡迪恩法国标致-雪铁龙集团（已改称标致集团）Achieva路峰美国通用奥兹莫比尔汽车分部 Acty阿克泰日本本田技研工业股份有限公司 Acura阿库拉/极品日本本田技研工业股份有限公司 Admiral海军上将德国欧宝汽车公司/阿德姆·奥佩尔汽车股份公司Adolph Saurer索瑞尔瑞士阿道夫.索瑞尔股份有限公司 Aerobus空中巴士日本三菱汽车公司 Aeromedium空中女皇日本三菱汽车公司 Aeroqueen空中之王日本三菱汽车公司 Aerosrar航空之星日本三菱汽车公司 Aerostar宇宙之星美国福特汽车公司福特部 Alfa阿尔法意大利阿巴斯股份公司 Alfa Romeo阿尔法.罗密欧（意大利）意大利阿尔法·罗密欧股份公司Alfasud阿尔法苏意大利阿尔法·罗密欧股份公司 Alfetta阿尔法塔意大利阿尔法·罗密欧股份公司

Allante阿兰德/阿兰特 Allegro阿莱格罗英国利兰股份有限公司奥司汀.莫利斯分部 Alliance阿丽亚斯原美国汽车公司AMC公司（现已并入克莱斯勒公司）Alliance联盟 Alpiance阿尔宾（法国雷诺） Alpina阿尔宾那德国巴依尔发动机股份公司 Alpine阿尔宾（塔尔伯特）法国塔尔伯特公司 Alto阿尔托日本铃木汽车股份有限公司 Ambassador大使（英国）英国利兰股份有限公司奥司汀.罗孚分部Ambassador大使（国外其它）印度斯坦汽车有限公司 Ami艾米法国标致集团 Amigo阿米戈马来西亚通用汽车公司 AMX AMX原美国汽车公司AMC公司（现已并入克莱斯勒公司） AMX AMX加拿大美国汽车（加拿大）有限公司 Anadol阿纳多尔土耳其奥托桑股份公司 Angelia安琪丽英国福特汽车有限公司 Apollo阿波罗；太阳神美国通用别克汽车分部 Applause阿普劳斯日本丰田集团日本大发工业股份有限公司 Arise白羊座美国克莱斯勒公司克莱斯勒分部 Arkley阿克利英国约翰.布里顿汽车修理有限公司 Arrow利箭美国克莱斯勒公司顺风分部

世界十大汽车公司旗下品牌

1.D—C戴姆勒-克莱斯勒 下属品牌：Maybach（迈巴赫）Mercedes-Benz（梅赛德斯-奔驰）（轿车）Kreisler（克莱斯勒）Jeep（吉普）DODGE（道奇）、斯马特、普利茅斯、三菱 商用车品牌包括：Mercedes-Benz（梅赛德斯-奔驰）（商用车）FREIGHTLINER（福莱纳）Sterling（斯特林）Western Star Trucks（西星）Setra（塞特拉）。 总部：斯图加特 成立时间：1924年 在华企业：北京吉普 合并后的戴—克集团更加强大。它同时拥有在美国排名前三甲的克莱斯勒，又拥有世界上资格最老的奔驰，其实力不可小视。1924年克莱斯勒离开通用后建厂。凭技术和财力，该公司世界范围买下Dodge、Plymouth、Mistsubishi,使公司成为一个跨国汽车大公司。 总部设在斯图加特，创立于1926年的奔驰，创建人是被世人誉为“汽车之父”的卡尔`本茨和戈特利布`戴姆勒。在世界十大汽车公司中，奔驰公司产量最小，不到100万辆，但它的利润和销售额却名列前五名。年产汽车60万辆。奔驰公司小汽车新产品有奔驰W201、W124、R129和W126四大系列。其中W126系列的560SEC和R129系列的500SL都是十分受宠的超豪华汽车。 2.雷诺—日产 创立核心：雷诺、日产 雷诺创立时间：1898年、日产创立时间：1933年 旗下品牌：雷诺、日产、无限 在华企业：东风日产、三江集团 雷诺是法国第二大汽车公司。创立于1898年，如今已被收为国有，是法国最大的国营企业。日产创立于1933年，是日本三大汽车制造商之一，也是第一家开始制造小型Datusun轿车和汽车零件的制造商。 1999年3月，雷诺和日产达成一项“全球伙伴协定”，斥资53亿美圆收购了日产公司36.8%的股份，组成世界第四大汽车制造集团。2000年4月，雷诺宣布与沃尔沃汽车的联合，将麾下雷诺工业车辆公司的所有权转让给沃尔沃，作为交换，沃尔沃公司将其15%的股份转让给雷诺公司，同时雷诺购进沃尔沃5%的股份，成为该公司第一大股东。这一计划实施后，沃尔沃—雷诺集团成为仅次于戴—克集团的世界第二大重型卡车制造商。 3.V olkswagen大众 创立时间：1938年总部：德国沃尔夫斯堡 旗下品牌：大众、奥迪、西亚特、斯科达、布加迪、本特利、兰博基尼 在华企业：上海大众、一汽大众、大众汽车（上海）变速器厂 大众汽车由波尔舍创建于1938年德国的沃尔夫斯堡。1934年，波尔舍向德国政府提出一分为大众设计生产汽车建议书，建议被批准后，波尔舍组建了一个由34万人入股的大众汽车股份公司，年产量100万辆。 沃尔夫斯堡的“大众汽车城”里，第一批“甲壳虫”问世，但仅生产了630辆就因二战停产。二战后，大众公司划归西德政府汽车生产有逐步恢复。由于“甲壳虫”车价格低廉，这种汽车很快风靡德国和欧洲，1981年停产时已经累计生产2000万辆，打破T型车世界记录。随

世界十大汽车公司排行榜

世界十大汽车公司排行榜 2010-07-04 10:39 来源：极限网作者：姬缘溪点击：13334次 全球十大汽车公司排行榜近日出炉，通用继续蝉联冠军宝座，福特，克莱斯勒，丰田紧随其后。 全球十大汽车公司排行榜近日出炉，通用继续蝉联冠军宝座，福特，克莱斯勒，丰田紧随其后。 1.通用 通用汽车公司是世界上最大地汽车公司，年工业总产值达1000多亿美圆。其标志GM取自其英文名称（General Motro Corporation）地前两个单词地第一个字母。它是由威廉杜兰特于1908年9月在别克汽车公司地基础上发展起来地，成立于美国地汽车城底特律。现总部仍设在底特律。 通用汽车公司在美国最大五百家企业中居首位，在世界最大工业企业中位居第二。它在美国及世界各地雇员达80万人，分布在世界上40 个国家和地区，通用家族每年地汽车总产量达900万辆。 通用汽车公司是美国最早实行股份制和专家集团管理地特大型企业之一。通用汽车公司生产地汽车，典型地表现了美国汽车豪华、宽大、内部舒适、速度快、储备功率大等特点。而且通用汽车公司尤其重视质量和新技术地采用。因而通用汽车公司地产品始终在用户心中享有盛誉。 通用当前在中国有四大基地，且基本都处于中国版图地东部。分别是上海、烟台、沈阳、柳州。上海通用汽车有限公司成立于1997年，一开始通用就采取地“高位入市”战略，一次性投资就达15亿美元，发展多年，如今上海通用品牌地声誉在中国已相当稳固。上海通用总部位于上海市浦东金桥出口加工区，占地面积55 万平方米。上海通用地第二个整车生产基地是位于烟台地上海通用东

岳汽车公司。而上汽通用五菱则是于2002年重组原广西柳州五菱而成，当前主要生产微车、小型轿车。 在先后三次南下北上地并购之后，上海通用拥有了广西柳州五菱、山东东岳和沈阳北盛。但通用地“野心”并未得到满足：在北京车展上，通用公布其再次投资30亿美元地新计划。新项目发展计划涉及汽车核心设计研发设施新建、新产品规划、汽车金融服务开展等多项领域，投资总额超过30亿美元。此外还透露，通用与上汽将在中国再建几个新厂，包括发动机厂和变速箱厂，以扩大其在华合资企业地整车总产能，到2007年，整车总产能将由目前地年产 53万辆提升至近130万辆。 上海通用正在逐步实现自己地战略构想：以上海作为发展根据地，将凯越、君威包括刚刚引进地凯迪拉克等中高档车型放在上海生产，而将其他经济型轿车和MPV转移到根据地之外、劳动力成本更低地沈阳、山东、广西等地，这样可以进一步降低成本，扩大市场份额。 公司在1997年进入中国, 在中国合作地主要公司上海通用汽车,上海通用汽车公司生产地车型有别克、赛欧、雪佛兰、凯迪拉克等.生产基地分布(中国) 上海、山东、广西、山东。 未来投资额 30亿美元, 销售额(世界) 195324.0百万美元. 通用旗下品牌有: 旁蒂克.雪佛兰、凯迪拉克、别克、霍顿、沃克斯豪尔、奥兹莫比尔、欧宝、绅宝、土星、雷鸟、悍马、GMC、Suzuki（铃木）、Isuzu （五十铃）大宇。 2.福特 福特汽车公司由亨利.福特先生创立于1903年，是世界上最大地汽车企业之一。1908年，福特汽车公司生产出世界上第一辆属于普通百姓地汽车——T型车，世界汽车工业革命就此开始。1913年，福特汽车公司又开发出了世界上第一条流水线，这一创举使T型车一共达到了1,500万辆，缔造了一个至今仍未被打破地世界记录。福特先生为此被尊为“为世界装上轮子”地人。1999年，《财富》杂志将他评为“二十世纪商业巨人”以表彰他和福特汽车公司对人类工业发展所作出地杰出贡献。亨利?福特先生成功地秘诀只有一个：尽力了解人们内心地需求，用最好地材料，由最好地员工，为大众制造人人都买得起地好车。今天地福特汽车已是全球领先地汽车制造商，它地总部位于美国密执安

世界著名汽车公司一览表

世界著名汽车公司一览表 2008-10-16 09:15 1、通用汽车公司：全球最大的汽车公司 通用汽车公司旗下汽车品牌： ?雪佛兰汽车公司：通用汽车公司旗下最大的品牌，世界上最成功的汽车品牌 ?别克汽车公司：通用汽车公司旗下品牌公司，别克部是通用汽车公司的第二大部门。 ?凯迪拉克汽车公司：通用汽车公司凯迪拉克事业部，美国最豪华汽车的标志 ?通用大宇汽车公司；通用汽车公司旗下汽车公司，韩国第二大汽车生产企业 ?悍马汽车公司：通用汽车公司旗下汽车公司，世界公认的性能最优秀的民用越野车?霍顿汽车公司：通用汽车公司旗下品牌公司，澳洲汽车工业的领头羊 ?欧宝汽车公司：通用汽车公司在德国的子公司 ?萨博汽车公司：通用汽车公司旗下汽车公司 ?沃克斯豪尔汽车公司：通用汽车公司旗下汽车公司，英国产量较大的轿车厂商 ?土星汽车公司：通用汽车公司旗下汽车公司，通用汽车公司唯一从内部建立起来的公司 ?莲花汽车公司：通用汽车公司旗下子公司，世界上著名的运动汽车生产厂家 ?奥兹莫比尔汽车公司：通用汽车公司旗下汽车公司，美国最老的小客车生产厂，美国第一个大量生产销售汽车的企业 ?吉优汽车公司：通用汽车公司旗下品牌，是雪佛兰分公司，1997年退出历史舞台。 ?奥克兰汽车公司: 1909年被通用汽车公司收购, 1931年改为庞蒂克汽车公司 ?庞蒂克汽车公司：通用汽车公司旗下品牌之一，其前身是奥克兰汽车公司，1931年改为庞蒂克。 2、福特汽车公司：世界第二大汽车生产厂家 福特汽车公司旗下汽车品牌： ?阿斯顿·马丁汽车公司: 福特汽车公司的子公司 ?捷豹汽车公司：福特汽车公司的子公司，世界领先的豪华汽车和跑车设计制造厂商?林肯汽车公司：福特汽车公司旗下公司，美国当代几位总统首选的公务用车 ?路虎汽车公司：福特汽车公司的子公司，举世公认的权威四驱车革新者 ?罗孚汽车公司：福特汽车公司商标拥有者。 ?水星汽车公司：福特汽车公司唯一自创的品牌公司 ?马自达汽车公司；福特汽车公司控股公司，世界知名**本汽车品牌之一 ?沃尔沃汽车公司：福特汽车公司控股公司，世界20大汽车公司之一，北欧最大的汽车企业， o荷兰达富公司：沃尔沃汽车公司的子公司，专产沃尔沃微型轿车。 3、克莱斯勒公司:美国第三大汽车公司, 汽车销售额在全世界汽车公司中名列第九。 克莱斯勒公司旗下汽车品牌： ?道奇汽车公司：克莱斯勒公司的骨干企业 ?普利茅斯汽车公司：克莱斯勒公司在康采恩的分部 ?吉普汽车公司：克莱斯勒公司旗下公司

国外知名卡车品牌一览

VOLVO TRUCK [xx] 沃尔沃集团是世界上最大的商用运输产品供应商之 一。"沃尔沃制造卡车、客车、建筑机械、应用于船舶和工业用途的动力系统、航空发动机及航空发动机部件。产品范围还包括客户定制的金融、租赁、保险和维修总体解决方案，以及基于IT技术的运输信息和管理的整体解决方案。 沃尔沃始创于1927年，总部设在瑞典哥德堡。长期以来，它闪亮的品质一直与公司的三个核心价值观： 质量，安全，环保紧密联系在一起。通过2001年收购法国雷诺(Renault)公司的卡车业务，使得集团获得了另外两个强大的品牌： 法国雷诺(Renault)和美国马克(Mack)卡车。在市场上，互为补充，在其核心价值观的引导下，沃尔沃集团不断发展和壮大。 沃尔沃集团经营范围主要由八个商业领域组成，分别是： 沃尔沃卡车，雷诺(Renault)卡车，马克(Mack)卡车，沃尔沃客车，沃尔沃建筑设备，沃尔沃遍达公司，沃尔沃航空航天公司以及金融服务。此外，还有多个商业机构在工程、研发、IT、零部件和物流等领域提供全集团范围内的支持。在2003年，76，000名员工实现销售额达到195亿欧元。产品遍布世界140多个国家。 SCANIA [xx] 斯堪尼亚公司成立于1891年。是一家全球性的公司，业务遍及欧洲、拉美、亚洲、非洲和澳大利亚。全球拥有29,100名雇员。此外，约有20,000人在斯堪尼亚独立的销售和服务机构工作。在欧洲、拉丁美洲均设有生产厂。斯堪尼亚是其所在 领域内最赢利的公司之 一。"2003年年度销售额为505亿瑞典克朗，总利润为46亿瑞典克朗。

产品销往世界各地100多个国家，而且95%以上的产品销往瑞典以外的国家和地区。 与竞争对手不同，斯堪尼亚已经将公司资源系统地集中于重型卡车领域。今天，斯堪尼亚已成为世界最大的重型卡车和巴士制造商之 一。"斯堪尼亚凭借技术领先的模块化组合系统成为重型卡车行业赢利能力最强的公司。即使在卡车市场价格日益下跌的日子里，斯堪尼亚仍然保持很强的赢利能力。最近70多年来，斯堪尼亚公司每年都保持赢利的状态。斯堪尼亚公司设计、制造并销售车辆总重在16吨（8系列）以上的车辆，这些车辆可用来进行长途运输、地区或本地物流配送 以及工程建筑等方面。 1969年，斯堪尼亚－VABIS与萨伯(SAAB)合并成立萨伯－斯堪尼亚有限公司。 1995年5月，斯堪尼亚再次成为一家独立的公司。 RENAULT TRUCK [xx] 世界十大汽车公司之一，法国第二大汽车公司。 MERCEDES-BENZ [xx] 这个，这个霸主级别的家伙.无话可说了…… MAN [xx] MAN集团是欧洲机械与车辆制造业的领先企业之一，年销售额为160亿欧元。作为世界范围内的生产资料产业的产品与服务系统供应商，MAN在商用车辆、工业服务、印刷机械、柴油机等核心领域和机械设备制造业的一些特殊领域拥有大约76000名工作人员，另外还有跨康采恩的金融服务领域。在其大部分核心领域，MAN集团不论是在技术方面还是在市场上都拥有领先地位. 总部设在慕尼黑的MAN股份公司统领MAN集团的战略方向，作为结构精简的控股公司协调产品的长年规划一包括相应的开发与投资重点一产品策略以

世界著名汽车品牌大全

世界著名汽车品牌 ? 兰博基尼 兰博基尼汽车公司（Automobili Lamborghini S.p.A.）是一家坐落于意大利 ... 开放分类： 意大利 ·品牌 ? 保时捷 保时捷（Porsche ）是世界著名的高端汽车企业，以开发、生产和营销豪华跑... 开放分类： 人物 ·品牌 ? 法拉利 法拉利（Ferrari ）是一家意大利汽车生产商，1929年由恩佐·法拉利（Enzo ... 开放分类： 法拉利 ·汽车 ? 宾利 宾利汽车公司（Bentley Motors Limited ），世界著名的豪华汽车制造商，也... 开放分类： 名车 ·奢侈品 ? 奥迪 奥迪是著名的汽车开发商和制造商，其标志为四个圆环。现为大众汽车公司的... 开放分类： 德国品牌 ·奥迪 ? 迈巴赫 迈巴赫（德文：Maybach ）与迈巴赫引擎制造厂（德文：Maybach-Motorenbau ... 开放分类： 汽车 ·跑车 ? 丰田 丰田是世界十大汽车工业公司之一，全球最大的汽车公司，丰田喜一郎1933年... 开放分类： 交通 ·汽车 ? 斯巴鲁 斯巴鲁是富士重工业株式会社（ FHI ）旗下专业从事汽车制造的一家分公司... 开放分类： 汽车 ·日本 ?

凯迪拉克 凯迪拉克（香港译作“佳得利”）1902年诞生于被誉为美国汽车之城的底特律... 开放分类： 汽车 ·品牌 ? 雪佛兰 雪佛兰（Chevrolet ）是美国通用汽车公司（General Motors ，简称GM ）旗下... 开放分类： 汽车 ·美国 ? 克莱斯勒 克莱斯勒（香港译名：佳士拿），是美国著名汽车公司，同时也是美国三大汽... 开放分类： 汽车 ·品牌 ? 福特 福特（Ford ）是世界著名的汽车品牌，为美国福特汽车公司（Ford Motor Com... 开放分类： 美国 ·汽车 ? smart smart （精灵）汽车有限公司作为戴姆勒（梅赛德斯-奔驰的母公司）的全资子... 开放分类： 世界著名汽车品牌 ? MG 2005年7月22日，南京汽车集团有限公司成功收 购了英国MG 罗孚汽车公司及其... 开放分类： 世界著名汽车品牌 ? 菲亚特 菲亚特（FIAT ，NYSE ：FIA ，台湾作飞雅特，港澳作快意，马新作飞霞），是... 开放分类： 意大利 ·汽车 ? 别克 别克（Buick ），是由美国通用汽车公司在美国、加拿大和中国创立的一个品... 开放分类： 汽车 ·品牌 ? 五十铃 五十铃（いすゞ自动车株式会社，Isuzu Jid ōsha Kabushiki Kaisha ）是一... 开放分类： 汽车 ·品牌

中国汽车品牌介绍

中国汽车品牌介绍 中国, 汽车, 品牌 1 红旗汽车 1958年5月，中国历史上第一辆国产轿车，取名"东风"。(很多人都可能以为中国第一辆车名字叫红旗，其实不是的，这辆才是中国第一辆轿车，让没有见过这部车的人见识一下)车头标识为一条金龙。5月21日，当毛泽东主席在中南海坐上了东风轿车后高兴地说"坐上我们自己制造的小汽车了"。 1958年8月，第一辆红旗高级轿车试制成功。9月19日，邓小平、李富春、杨尚昆、蔡畅等中央领导到一汽视察，赞扬了红旗轿车，并从此定型。 1959.9，第一辆红旗检阅车送往北京，供国庆十周年阅兵式用。 1960，红旗轿车编入《世界汽车年鉴》。 1966.4，20辆红旗三排座高级轿车送北京，周恩来总理、陈毅外长等国家领导人正式乘用。 六十年代起，红旗轿车成为国家礼宾用车，被誉为"国车"。当量，外国政府首脑访华，把"见毛主席，住进钓鱼台，乘坐红旗轿车"为最大愿望和礼物。 1972年，毛主席坐上红旗特种保险车，为久负盛名享誉中外的"中国第一车"罩上了耀眼的光环。 1972年，在建国35周年的盛大庆典上，邓小平同志乘坐红旗高级检阅车，在天安门广场检阅了首都三军，成为让全世界瞩目，让全国人民振奋的历史镜头。 1998年，在红旗轿车诞生40周年之际，新一代高级红旗轿车将再度成为国家礼宾用车。 2 奇瑞汽车

奇瑞汽车有限公司成立于1997年，由安徽省及芜湖市五个投资公司共同投资兴建的国有大型股份制企业，坐落在水陆空交通条件非常便利的国家级开发区--芜湖经济技术开发区。占据着承东启西、连接南北的枢纽地位，是长江流域重要的工业基地和物流中心。 公司于1997年3月18日正式破土动工，至2003年3月，已全部完成一期至二期投资建设，占地面积130多万平方米，现已经形成年产40万台发动机和30万辆整车的生产能力。前两期工程都拥有各自的轿车生产四大工艺，即冲压、焊装、涂装、总装，此外还包括两个发动机厂、一个变速箱厂。2003年4月1日，奇瑞公司三期工程也正式破土动工，四期、五期工程也在紧张地规划之中。 奇瑞公司目前主要产品有风云、旗云、QQ、东方之子、瑞虎五种车型。2001年3月，奇瑞（风云）轿车成功推向市场，短短两年时间，一款风云轿车使奇瑞迅速成长为国内主流轿车企业，跻身国内轿车行业"八强"之列；于2003年6月份推出的奇瑞QQ系列轿车和奇瑞东方之子系列轿车再一次体现了奇瑞敏锐的市场把握能力，QQ以时尚的外形、宽大的空间、强劲的动力、精致的内饰引领中国微型轿车的新潮流；"东方之子"则成为进军公商务用车市场的利器，与当年风云轿车一样，它的上市，成为2003年汽车界最引人注目的事件之一。同年8月份，奇瑞又推出了奇瑞旗云系列轿车。也在当月，奇瑞月产销突破一万辆，成功完成产品线布置，进入全面发展的新阶段；2004年4月15日奇瑞第二十万辆轿车下线，预示着这个汽车业的新锐成长为中国自主品牌的支柱企业，成为中国主流轿车企业之一;2005年3月22日,奇瑞第一辆SUV上市,瑞虎(TIGGO)的下线成功实现奇瑞轿车向奇瑞汽车的精彩转身；2005年3月28日，奇瑞发动机二发启动及首台发动机点火仪式在奇瑞第二发动机举行，从而实现中国在主要零部件自主研发上"零"的突破。 汽车出口是检验一个国家汽车工业发达程度的指标，只有大量出口才能跻身于全球汽车工业高水平的竞争。奇瑞积极开拓海外市场，2001年10月，即实现第一批奇瑞轿车出口；2003

世界顶级十大跑车品牌

一、法拉利 1929年由恩佐＆＃8226;法拉利创办，主要制造一级方程式赛车、赛车及高性能跑车，法拉利生产的汽车大部分采用手工制造，年产量大约4300台。 第一辆披着法拉利“红鬃烈马”标徽，在赛道上先驰得点的，是由125型赛车加以改良的166型SPYDER CORSA，搭配一九九二毫升直列六缸引擎，勇夺一九四八年意大利的塔卡-傅里欧(TARG FLORIO)及米里-麦利亚(MILLE MIGLIA)大赛的双项冠军，“法拉利”从此一举成名，并接连缔创胜出超过五千场赛事的“跃马传奇”。

二、兰博基尼 Lamborghini——一个特立独行的、伟大的汽车品牌，它可以仅用短短几年的时间，就成为世界超跑的引领者。它造型犀利，每一个棱角与线条都让它显得与众不同，甚至与这个强调“圆滑”的社会有些格格不入。加之它生性暴躁、桀骜不驯的性格，让兰博基尼成为了一件不折不扣的稀有艺术品。没错，这就是兰博基尼，看到它之后你竟然想不到用什么言语去描绘它，似乎世间所有美妙的词汇都不足以表达它的完美，最后留下的唯有那满脸惊呆的表情……然后你会被它彻底征服。兰博基尼公司的全称为“Ferruccio Lamborghini Automobile S.P.A”，翻译成中文为“费卢西奥·兰博基尼汽车股份有限公司”。和国外大部分汽车品牌命名一样，兰博基尼品牌也是以创始人的名字“费卢西奥·兰博基尼”命名的。1916年4月28日，费卢西奥·兰博基尼出生于意大利费拉里省的一个小村镇，正是这样一位出身普通家庭的男人造就了今天大名鼎鼎的兰博基尼。

三、lotus (莲花） Lotus设计开发的主动式智能系统已经在世界70多辆原型车和展示车上装载。Lotus爱丽丝（LOTUS ELISE）为轻质量高性能汽车确立了标准，首次将蜂窝结构管状车架应用于汽车；率先采用超级轻灵的新材料，复合玻璃纤维以及激进的设计概念；更有独一无二的粘合型铝合金超轻结构，迄今已荣获50多项大奖。由Lotus领先开发的超轻刚制汽车悬架（ULSAS）项目证明，利用先进技术汽车实际重量可减轻32%。现在，Lotus拥有69个系列136项专利（包括申请中和已批准项目），其中21项已获得许可。其他项目包括船艇、卡车、巴士、农业和越野用车、赛车工程技术，当然还有1992年奥运会上英国自行车选手使用Lotus所设计的自行车获得奥运金牌。正是有了这些自主技术，Lotus才得以开发出产品的独特特点，使得Lotus品牌深入人心，更不愧为世界三大跑车制造商之一。

世界十大汽车品牌及旗下品牌

世界十大汽车品牌及旗下品牌 1 通用

通用汽车公司是世界上最大的汽车公司，年工业总产值达1000多亿美圆。其标志GM 取自其英文名称(GeneralMotroCorporation)的前两个单词的第一个字母。它是由威廉杜兰特于1908年9月在别克汽车公司的基础上发展起来的，成立于美国的汽车城底特律。现总部仍设在底特律通用汽车公司在美国最大五百家企业中居首位，在世界最大工业企业中位居第二。它在美国及世界各地雇员达80万人，分布在世界上40个国家和地区，通用家族每年的汽车总产量达900万辆。通用汽车公司是美国最早实行股份制和专家集团管理的特大型企业之一。通用汽车公司生产的汽车，典型地表现了美国汽车豪华、宽大、内部舒适、速度快、储备功率大等特点。而且通用汽车公司尤其重视质量和新技术的采用。因而通用汽车公司的产品始终在用户心中享有盛誉。通用汽车公司在美国近年经营状况不佳.通用当前在中国有四大基地，且基本都处于中国版图的东部。分别是上海、烟台、沈阳、柳州。上海通用汽车有限公司成立于1997年，一开始通用就采取的"高位渗透市"战略，一次性投资就达15亿美元，发展多年，如今上海通用品牌的声誉在中国已相当稳固。上海通用总部位于上海市浦东金桥出口加工区，占地面积55万平方米。上海通用的第二个整车生产基地是位于烟台的上海通用东岳汽车公司。而上汽通用五菱则是于2002年重组原广西柳州五菱而成，当前主要生产微车、小型轿车。 公司在1997年入渗透中国,在中国合作的主要公司上海通用汽车,上海通用汽车公司生产的车型有别克、赛欧、雪佛兰、凯迪拉克等.生产基地分布(中国)上海、山东、广西、山东.未来投资额30亿美元,销售额(世界)195324.0百万美元. 通用旗下品牌有：旁蒂克.雪佛兰、凯迪拉克、别克、霍顿、沃克斯豪尔、奥兹莫比尔、欧宝、绅宝、土星、雷鸟、悍马、GMC、Suzuki(铃木)、Isuzu(五十铃)大宇. 2.福特 福特汽车公司由亨利·福特先生创立于1903年，是世界上最大的汽车企业之一。1908年，福特汽车公司生产出世界上第一辆属于普通百姓的汽车--T型车，世界汽车工业革命就此开始。1913年，福特汽车公司又开发出了世界上第一条流水线，这一创举使T型车一共达到了1,500万辆，缔造了一个至今仍未被打破的世界记录。福特先生为此被尊为"为世界装上轮子"的人。1999年，《财富》杂志将他评为"二十世纪商业巨人"以表彰他和福特汽车公司对人类工业发展所作出的杰出贡献。亨利·福特先生成功的秘诀只有一个：尽力了解人们内心的需求，用最好的材料，由最好的员工，为大众制造人人都买得起的好车。今天的福特汽车已是全球领先的汽车制造商，它的总部位于美国密执安州迪尔伯恩市，业务遍及六大洲200多个区域市场，更有325，000名员工、110个工厂遍布全球。作为世界一流的汽车企业，今天的福特汽车依然坚守着亨利·福特先生开创的企业理念："消费者是我们工作的中心所在。我们在工作中必须时刻想着我们的消费者，提供比竞争对手更好的产品和服务。 "福特是五大巨头中进入中国最晚的一家。福特葫芦里卖的是什么药至今仍无一个清晰的答案。但有一点可以肯定，那就是福特现在稳稳占据了长江沿线上的两个重要"根据地"--重庆、南京。7月22日，长安福特汽车有限公司和南京江宁经济技术开发区签署了投资协议，购买土地建设第二个整车制造厂。与此同时，为加强中国市场战略福特中国销售部将从北京移到上海办公。马自达是当前福特子品牌中在中国最为活跃的一个。它先后在海南、长春布下生产线，而长安福特的南京工厂其也将参脚入来，而业界普遍认为，福特目前如此"关照"马自达除了其在中国市场表现不俗之外，可能还有另一原因，那就是福特欲借马自达给一汽集团抛出"橄榄枝"，实现更大程度的"强强合作"。而问题是福特在中国已有了两个合作伙伴，一是长安，一是江铃，江铃作为福特当前的商用车基地，福特在其中参股近30%，如何处理好与江铃的关系将首先被关注。公司2001年入入中国,在中国投资合作的主要公司

世界十大超级汽车品牌排行榜

世界十大超级汽车品牌排行榜 １劳斯莱斯：打造唯一车型幻影 劳斯莱斯Rolls－Royce的归来令人吃惊。2003年该品牌是个空白。在被宝马收购后，Rolls－Royce需要一个新工厂、新总部和新车型。现在Rolls－Royce的唯一一款车型是幻影（Phantom）。该车同迈巴赫和宾利Arnage一道成为顶级豪华汽车。取名为“幻影”，是设计者吸取劳斯莱斯古典车型“银云”和“银影”的一些神韵，并加入现代灵感设计出来的。 ２宝马:新MINI承前启后 宝马MINI的回归，是汽车回归历史上最成功的案例之一。它曾是世界最著名的汽车品牌之一。1976年，第400万辆MINI 的下线成为英国汽车的里程碑，在2002年，重装上阵时，在美国年销量预计将为20000辆。新MINI具有精简饱满的线条，成功地让所有人为之一见钟情。现代化的设计意味着其集所有尖端科技于一身，但又成功地蕴涵了前一代MINI的精髓。 ３克莱斯勒：欲借300重拾辉煌

戴姆斯－克莱斯勒着力打造出了克莱斯勒300轿车和道奇Magnum。克莱斯勒300未曾消失过，只是失去了往日的号召力。重新打造的300设计夺人心魄，马力强劲，克莱斯勒欲借此重拾300昔日辉煌。1955年，克莱斯勒推出了第一辆300型号的轿车，具有Exner的典型风格，还有331－HEMI发动机。之所以被称为“300”，是因为其发动机能达到300hp（221kW），这是美国历史上第一次达到这个动力的汽车发动机。凭借着杰出的发动机性能，以及出色的外观设计，300系列在美国汽车几十年的发展历程中一直出类拔萃，历经时间的淘洗能仍长盛不衰。 ４莲花:05款Elise让其卷土重来 2005款Elise在美国的上市给这个传奇英国运动汽车制造商一个卷土重来的机会。Elise是最不舒适的汽车之一，但显然不能用普通标准来要求一辆赛车。莲花公司声称这款跑车能在4.9秒内将速度由0提高到60英里／小时，最高时速可达141英里／小时，样车的时速更可高达将近150英里／小时。有了这样卓越的加速度，这款具有强烈异国情调的跑车在赛道上的表现无疑也将不负众望。 ５Hemi：新版发动机被克莱斯勒广泛运用