模电习题课答案版
1．当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流Ｉs将增大,是因为此时ＰN结内部的B 。 [ ]
A 多数载流子浓度增大
B 少数载流子浓度增大
C 多数载流子浓度减小
D 少数载流子浓度减小
2. 某只硅稳压管的稳定电压Ｖz = 4v,其两端施加的电压分别为＋５v（正向偏置）和-5v(反向偏置）时，稳压管两端的最终电压分别为 D 。［］
A +5ｖ和-５v Ｂ－５ｖ和+4v C +４v和-0.7v Ｄ +0．7v和－4v
⒊根据某只晶体管的各极对地电压分别是V B ＝ -６．３v，ＶＥ＝ -７ｖ，VＣ＝ -４ｖ，可以判定此晶体管是管，处于 B 。 [ ]
A ＮPN管，饱和区ＢＰNP管, 放大区
C PNP管，截止区
D NPN管, 放大区
⒋场效应管起放大作用时应工作在其漏极特性的Ｂ。［］
A 非饱和区
B 饱和区
C 截止区
D 击穿区
⒌在单级放大电路的三种接法中,它们相互比较起来正确的说法是: Ｂ。
[ ]
A 共发射极电路的A V最大、RＩ最小、R O最小
Ｂ共集电极电路的A V最小、ＲI最大、R O最小
C 共基极电路的AＶ最小、R I最小、R O最大
D 共发射极电路的A V最小、ＲI最大、RＯ最大
⒍直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是Ｃ。 [ ]
A 电阻阻值有误差Ｂ晶体管参数的分散性
Ｃ晶体管参数受温度影响 D 受输入信号变化的影响
7.差分放大电路的长尾电阻的主要功能是 A ，而提高共模抑制比.
[ ]
A 抑制共模信号；
B 抑制差模信号;
Ｃ放大共模信号； D 既抑制共模信号又抑制差模信号;
8.组合放大电路的输出级采用射极输出方式是为了使D。
[ ]Ａ电压放大倍数高 B 输出电流小
C 输出电阻增大
D 带负载能力强
9．集成运放电路的实质是一个 B 的多级放大电路。[ ] A阻容耦合式 B直接耦合式 C 变压器耦合式 D 三者都有
10．放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是 B 。 [ ]Ａ耦合电容和旁路电容的影响Ｂ晶体管极间电容和分布电容的影响
C 晶体管的非线性特性Ｄ放大电路的静态工作点设置不合适
11．在输入量不变的情况下,若引入反馈后 D ，则说明引入的是负反馈。 [ ] A电路稳定性变差 B输出量增大 C 净输入量增大 D 净输入量减小
12、共发射极电路中采用恒流源做有源负载是利用其 B 的特点以获得较高增益。［ ]
A 直流电阻大、交流电阻小Ｂ直流电阻小、交流电阻大
C 直流电阻和交流电阻都小
D 直流电阻大和交流电阻都大
1３、在RC桥式正弦波振荡电路中，当满足相位起振条件时,则其中电压放大电路的放大倍数必须满足 D 才能起振。［ ]Ａ A V = 1 Ｂ A V= ３ＣＡV＜ 3 Ｄ A V >3
１4、迟滞比较器有2个门限电压,因此在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中，其输出状态将发生Ａ次跃变。[ ］
A 1
B 2
C 3
D 0
１5.当我们想要放大频率为1０kHz以上的信号时，应采用 B 滤波器。 [ ］
A 低通
B 高通
C 带阻Ｄ带通
１6.串联型稳压电源正常工作的条件是：其调整管必须工作于放大状态,即必须满足
D 。［ ]
A ＶＩ = V O ＋VＣES
B V I < ＶO + VＣES
C ＶI≠ＶO + VＣES
D V I > ＶO + V CES
２.理想二极管构成的电路如题2图所示，则输出电压U０为（Ｂ )
A．-5Ｖ B.+5V
Ｃ.+10V D．+15V
3.测得电路中某晶体三极管(锗管）各管脚的电位,如题３图所示,则可判定该管处在( C)，上图
A.放大状态Ｂ．饱和状态C．截止状态 D.不确定状态?
4.测得某放大状态的晶体三极管，各管脚的电位如题4图所示，则可判定该管为(B )
A.ＰNＰ型管,①是ｅ
极
B.PNＰ型管,③是ｅ极
C．NＰＮ型管,①是e
极
Ｄ．NPN型管,②是e极
5．下列基本放大电路中，有电压放大作用无电流放大作用的是（Ｃ )
A．共射极放大电路
B．共集电极放大电路
C．共基极放大电路 D.
共源极放大电路
6.为了使输出电阻降低，在放大电路中应引入交流( C )
A.串联负反
馈
B．并联负反馈
Ｃ.电压负反
馈
D.电流负反馈
8.在共射极放大电路中，当其他参数不变只有负载电阻R L增大时,电压放大倍数将（ B ) A．减少?? B.增大
C．保持不变? D.大小不变,符号改变
9. 在单管固定偏置共射极放大电路中，若测得三极管的静态管压降U CE近似等于电源电压U CC时，
则该管工作状态为（ B )
A.饱和???Ｂ.截止
Ｃ．放大??? D.不能确定
１0．若图示运算放大电路的输出电压Ｕ０=３V,则Ｐ点必须( D )
A.接ｎ点 Ｂ.接地 Ｃ．悬空 D.接ｍ点
1.当温度升高时，二极管反向饱和电流
将
。 [ A ］
A 增大
B 减小
C 不变
D 等于零
2．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的 Ｂ 。 [ ］
A 非饱和区
B 饱和区 Ｃ 截止区 D 击穿区
3．直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是 。 [ C ]
Ａ 电阻阻值有误差 B 晶体管参数的分散性
C 晶体管参数受温度影响
D 受输入信号变化的影响
4.差动放大电路的主要特点是 。 ［ A ]
Ａ 有效放大差模信号，有力抑制共模信号;B 既放大差模信号，又放大共模信号
Ｃ有效放大共模信号，有力抑制差模信号；D 既抑制差模信号,又抑制共模信号。
5.互补输出级采用射极输出方式是为了使 。 [ D ]
A 电压放大倍数高
B 输出电流小
C 输出电阻增大
D 带负载能力强
６．集成运放电路采用直接耦合方式是因为 ?。 Ｃ[ ] A 可获得较高增益 B 可使温漂变小
C 在集成工艺中难于制造大电容
D 可以增大输入电阻
７.放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是 Ｂ 。?［ ]
A 耦合电容和旁路电容的影响
B 晶体管极间电容和分布电容的影响
C 晶体管的非线性特性
D 放大电路的静态工作点设置不合适 8.当信号频率等于放大电路的L f 和H f 时,放大倍数的数值将下降到中频时的 Ｂ 。
Ａ ０．５倍 B 0.7倍 C 0.9倍 Ｄ 1.2倍 [ ］
9．在输入量不变的情况下,若引入反馈后 ，则说明引入的是负反馈。
[ D ]
A 输入电阻增大
B 输出量增大 Ｃ 净输入量增大 D 净输入量减小
10.带通滤波器所对应的幅频特性为 C 。
[ ?]
A 、
B 、
?C 、
D 、
５．下列基本放大电路中，有电压放大作用无电流放大作用的是( Ｃ)
A.共射极放大电路
B.共集电极放大电路
C.共基极放大电路
D. 共源极放大电路
6.为了使输出电阻降低，在放大电路中应引入交流( C ) A.串联负反
馈 B ．并联负反馈 C.电压负反
馈 D.电流负反馈
8．PN 结加反向偏置时，其PN 结的厚度将( A ）
Ａ．变宽 B.变窄 C.不变 D ．不能确定 9．理想二极管构成的电路如题2图,其输出电压u0为( D ）
A VMAX f o A V A V A VMAX A VMAX
A VMAX A V A V
o o
o f f f
A ．-1０V
B ．-6Ｖ
C ．-4Ｖ D.０V
１0．ＮPN 型三级管,处在饱和状态时是( B ）
A ．ＵBE<0,U
B Ｃ<0 Ｂ．UBE ＞０，ＵBC>0
C ．UB Ｅ>0,UBC<０
D ．UB
E ＜0，ＵＢＣ>0 1１.某放大状态的三极管，测得各管脚电位为：①脚电位U1＝2.3V ，②脚电位U2=3V,③脚电位U 3=-9V ，则可判定（ D )
A.Ge 管①为e B ．Si 管③为e Ｃ.Ｓi 管①为e D ．Si 管②为e 12．在下列组态的放大电路中，若要求输出电阻低，应选（ B )
A.共射组态 Ｂ.共集组态 C.共基组态 Ｄ.共源组态 13．若要求放大电路输入电阻高,且稳定输出电压,在放大电路中应引入的负反馈类型为（ C ） A ．电流串联
B.电流并联
C.电压串联 D ．电压并联
14.电流放大系数为β1和β２的两个晶体管构成等效复合晶体管,其等复合管的β值约为( Ｄ ）
A.β1 B ．β2 Ｃ.β１＋β2 D.β1·β２
1、单级放大电路如图3-1：在输入信号的中频段C 1、Ｃ２、C 足够大且对交流短路，试求：
（1)该放大电路的I BQ ，ＩC Ｑ，V CEQ 的表达式；
（２）画出该放大电路的交流小信号等效电路,并推导出ＡＶ、R I 、R O 的的表达式;
（3)该电路为何能稳定工作点?若要提高电压增益，可采取哪些措施？
解:① 画出直流通路如下图，求解各Q 点参数：
2
12
BQ CC R V V R R =
?+
()()55
345
1BQ BEQ
EQ CQ
BQ BEQ
BQ CEQ CC CQ EQ V V I Z R V V I R V V I R R I R β-=≈-=
+=-+-
② 画出交流小信号等效电路如图:
? ()
()()'4
5
12504
11////1T be bb EQ
v be i be V r r I R A r R R R R r R R R ββββ=++=-++=++????=
③ 由于该电路具有分压式偏置电路,BQ V 固定不变，静态工作点就基本稳定,同时射极电阻5R 引入直流电流负反馈作用，可以自动跟踪CQ I 的变化，使晶体管的Q 点受温度的影响减小，从而进一步稳定了工作点。 若要提高输出电压增益，可以采取以下措施： a 、 用有源负载电阻代替3R 、4R 支路; b 、更换β值更高的晶体管；
在发射极电阻5R 旁加一旁路电容E C ,以减小交流发射极电阻,进一步提高交流电压增
益。
２．组合电路如图3-2，已知 :ＶCC = 9V ， 晶体管的V CES1 = V ＣE Ｓ2 = １V,R Ｌ ＝ ８Ω,
（1) T １、Ｔ2构成什么电路? (2) D １ 、D 2起何作用?
（３) 若输入电压U I 足够大,求电路最大输出功率OMAX P ＝ ?
V CC
+V 0
-
-+
图3-１图3-2
解:(1)
1
T、
2
T构成互补对称输出级电路;
(２)
1
D、
2
D的作用是为
1
T、
2
T提供预偏置,使
1
T、
2
T微导通而达到消除交越失真的目的；
（3)当输入电压足够大时，电路的最大不矢真输出功率
为:
()()
22
max
91
4
228
CC CES
o
L
V V
P w
R
--
===
?
??
３.图3-3中的各运放为理想运放,已知:ＶD = ０.８ｖ，Vom ＝±12v;
(１) 试定性画出V O随VＩ变化的传输特性图。
(2) 试分别写出当VＩ>０和V I＜0时，电路的ＶO与VＩ的关系式。
图３-３
同类题ＶD = 0.７v，Voｍ＝±15v
解:(1）当
i
V＞0时,
0102
,
i om
V V V V
==-
此时D截止而断开，R支路无电流,则
0i
V V
=;
? （2）当i V <0时，0102,i om V V V V ==+
??此时D 导通，2A 构成反相比例运算电路,有： ??
?03i i R
V V V V R
+==-=-
所以,从上述两方面的分析，再考虑到运放的饱和值15V ±,可以画出0V 随i V 变化的传输特性图为：
(3）O V 与i V 的关系式为:
???0i V V =000,i i
i i
V V V V V >=??<=-?0当时,V 当时
4. 组合电路如图所示,集成运放是理想的，请做如下分析：
（1） Ｔ１和T2，T3和T ４各构成什么电路？理想运放A 又构成什么电路？ （2） 试计算ＩＯ，U C2Q （A 点对地的直流电压)的数值，
设U BE Ｑ = ０.７v,ＵＣC = 12v, Ｒ2 = ２K Ω。
(3) 写出整个电路的电压增益ＡU ＝ U Ｏ/ＵI 的表达式
(4) 为进一步提高输出电压的稳定性,增大输入电阻,试正确引入合理的负反馈类型（请在电路中画出反馈通路）；
(5) 估算电路在引入合理的反馈（假设为深度负反馈)后的闭环增益 ＡU Ｆ ＝ ?（推导表达式)
图３－4
T 1 T 2 T 4 T 3 O
V 0
V i
45°
15V
45°
解：
(１)1T 、2T 构成差分放大电路；3T 、4T 构成比例式镜像电流源电路;同时作为差放的长尾，理想运放A 构成同相比例运算电路。 (2)()40350120.7112 4.61R V R K I i mA R K K K
---=
=?≈+ V K mA V R I U R I U U CC Q C CC Q c 1125.0122
20
222=Ω?-=-
=-= (3）整个电路的电压增益为:020
2
od U i i od U U U A U U U =
=? 其中
()()()(
)26262211////1
211od od i i be be R R R R U V V U R r r R r r βββαβ=??=?++++++???? 又6
262
od R U U R R +=
?+
且8
8627762(1)1o od R R R U V U R R R R +????=+
=+? ? ?+????
()8626
7621//112(1)U be R R R R A R R R R r r ββ??????∴=++?
? ???++++?
????? (４）为进一步提高输出电压的稳定性,增大输入电阻,现引入电压串联负反馈f R ，反馈通路如下图红色支路所示:
(５)设f R 引入深度电压串联负反馈，则采用分离法：
R f
模电习题课答案版
1
011
1
1f vf f
f vf vf V R R V R R R A R R ==
+∴==+
5．电路如图3-5所示：各运放为理想运放，ＤZ １，D Z ２的稳压值均为
V Z =±6V,开关S 1和S 2在t = ０以前均掷于①,此时ＵＯ = －6Ｖ。
（1） 在t = 0时刻将开关S 1和S 2改掷于②之后,判断Ａ1、Ａ２各是什么单元电路， （2） 在ｔ = ０时刻将开关S １和S 2改掷于②之后，试问经过多少时间便由原来的-6V 跳变为＋
6Ｖ？并定性地作出U O1，U O 处的波形。
解：
(1)当t ＝ 0时刻,开关1S 、2S 改掷于
②后，
A 1构成反相积分运算电路；A 2构成反相滞回电压比较器。
(２)当t = 0时刻,2S 掷于 ① 则()()01000C V V ==，此时1S 、2S 改掷②后，
运放A 1进行积分运算,有： 0136
011
1100101010t U vdt t t RC -=-
=-?=-????, 同时，A 2的反相端电位V -随积分运算反向增长直到:()10
622010V V V V -+==-?-=-+时，A 2
输出电压U ０从－６Ｖ跳变为+6Ｖ,因此积分所需的时间由012U t V =-=-得：t = ２S
显然,当t = 0时刻,S 1、S 2改掷②后，经过2秒时间,电路的输出从-６V 变为＋6V 。
(3）在２秒内电路Ｕ01、U 02的输出波形为：
t
清华大学《模拟电子技术基础》习题解答与答案
第一章 半导体基础知识 自测题 一、（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）× 二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C 三、U O1≈1.3V U O2＝0 U O3≈－1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈－2V 四、U O1＝6V U O2＝5V 五、根据P CM ＝200mW 可得：U CE ＝40V 时I C ＝5mA ，U CE ＝30V 时I C ≈6.67mA ，U CE ＝20V 时I C ＝10mA ，U CE ＝10V 时I C ＝20mA ，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。图略。 六、1、 V 2V mA 6.2 A μ26V C C CC CE B C b BE BB B =-====-= R I U I I R U I β U O ＝U CE ＝2V 。 2、临界饱和时U CES ＝U BE ＝0.7V ，所以 Ω ≈-= == =-= k 4.45V μA 6.28mA 86.2V B BE BB b C B c CES CC C I U R I I R U I β 七、T 1：恒流区；T 2：夹断区；T 3：可变电阻区。 习题 1.1（1）A C （2）A （3）C （4）A 1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。 1.3 u i 和u o 的波形如图所示。 t t u u O O i o /V /V 1010
1.4 u i 和u o 的波形如图所示。 1.5 u o 1.6 I D ＝（V －U D ）/R ＝ 2.6mA ，r D ≈U T /I D ＝10Ω，I d ＝U i /r D ≈1mA 。 1.7 （1）两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。 （2）两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。 1.8 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA ，R ＝U Z /I DZ ＝0.24～1.2k Ω。 1.9 （1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流为4mA ，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+= U R R R U 当U I ＝15V 时，由于上述同样的原因，U O ＝5V 。 当U I ＝35V 时，U O ＝U Z ＝5V 。 （2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。 1.10 （1）S 闭合。 （2）。，Ω=-=Ω≈-=700)V (233)V (Dm in D m ax Dm ax D m in I U R I U R t t
模电试题及答案1-2
《模拟电子技术》复习题综合（第1、2章） 一.选择题 1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素，形成N 型半导体。A.二 B.三 C.四 D 五 2、在P 型半导体中，自由电子浓度 C 空穴浓度。A.大于 B.等于 C.小于 3、本征半导体温度升高以后， C 。 A.自由电子增多，空穴数基本不变 B.空穴数增多，自由电子数基本不变 C.自由电子数和空穴数都增多，且数目相同 D.自由电子数和空穴数都不变 4、空间电荷区是由 C 构成的。A.电子 B.空穴 C.离子 D.分子 5、PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 D. 无法确定 6、稳压管的稳压区是其工作在 C 。A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 7、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏 D. 前者反偏、后者正偏 8、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。A. 增大 B. 不变 C. 减小 D. 都有可能 9、工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12μA 增大到22μA 时，I C 从1mA 变为2mA ，那么它的β约为 C 。A. 83 B. 91 C. 100 D. 10 10、晶体管是 A 器件。A.电流控制电流 B.电流控制电压 C.电压控制电压 D.电压控制电流 11、在正常放大的电路中，测得晶体管三个电极的对地电位如图所示，试判断管子的类型和材料。图1为 D ；图2为 A 。[基极电位总是处于中间] A.NPN 硅管 B.PNP 硅管 C.NPN 锗管 D.PNP 锗管 12、场效应管是 D 器件。 A.电流控制电流 B.电流控制电压 C.电压控制电压 D.电压控制电流 13、基本共射放大电路中，基极电阻R b 的作用是 A 。 A.限制基极电流，使晶体管工作在放大区，并防止输入信号短路 B.把基极电流的变化转化为输入电压的变化 C.保护信号源 D.防止输出电压被短路 14、基本共射放大电路中，集电极电阻R c 的作用是 B 。 A.限制集电极电流的大小 B.将输出电流的变化量转化为输出电压的变化量 C.防止信号源被短路 D.保护直流电压源E C 15、基本共射放大电路中，输入正弦信号，现用示波器观察输出电压u o 和晶体管集电极电压u c 的波形，二者相位 A 。A.相同 B.相反 C.相差90° D.相差270° 16、NPN 管基本共射放大电路输出电压出现了非线性失真，通过减小R b 失真消除，这种失真一定是 B 失真。A.饱和 B.截止 C.双向 D.相位 17、分压式偏置工作点稳定电路，当β＝50时，I B =20μA ，I C =1mA 。若只更换β＝100的晶体管，而其他参数不变，则I B 和I C 分别是 A 。 A. 10μA ，1mA B. 20μA ，2mA C. 30μA ，3mA D. 40μA ， 4mA ① 0V 5.7V 图 1 ① 9V 2.3V 图2
模电题库及答案.doc
模拟电子线路随堂练习 第一章半导体器件 作业1-1 一、习题（满分100分） 1.N型半导体带负电，P型半导体带正电。（） 2.以空穴为主要导电方式的半导体称为P型半导体。（） 3.PN结处于正向偏置时，正向电流小，电阻大，处于导通状态。（） 4.晶体二极管的反向电压上升到一定值时，反向电流剧增，二极管被击穿，就不能再使用了。（） 5.硅二极管两端只要加上正向电压时立即导通。（） 6.在本征半导体中，空穴和自由电子两种载流子的数量不相等。（） 7.晶体三极管的基极，集电极，发射极都不可互换使用。（） 8.晶体三极管工作在饱和状态的条件是：发射结正偏，集电结正偏。（） 9.晶体三极管有三种工作状态，即：放大状态，饱和状态，导通状态。（） 10.三极管是一种电压控制器件，场效应管是一种电流控制器件。（） 11.温度升高后，在纯净的半导体中（）。 A.自由电子和空穴数目都增多，且增量相同 B.空穴增多，自由电子数目不变 C.自由电子增多，空穴不变 D.自由电子和空穴数目都不变 12.如果PN结反向电压的数值增大（小于击穿电压），则（）。 A.阻当层不变，反向电流基本不变 B.阻当层变厚，反向电流基本不变 C.阻当层变窄，反向电流增大 D.阻当层变厚，反向电流减小
一、习题（满分100分） 1.N型半导体（）。 A.带正电 B.带负电Ｃ.呈中性Ｄ.不确定 2.如果二极管的正反向电阻都很大，则该二极管（）。 A.正常 B.断路Ｃ.被击穿Ｄ.短路 3.对于晶体二极管，下列说法正确的是（）。 A.正向偏置时导通，反向偏置时截止 B.反向偏置时无电流流过二极管 C.反向击穿后立即烧毁 D.导通时可等效为一线性电阻 4.工作在放大状态的三极管两个电极电流如图，那么，第三个电极的电流大小、方向和管脚自左至右顺序分别为（）。 A.0.03mA 流出三极管e、c、b B.0.03mA 流进三极管e、c、b C.0.03mA 流出三极管c、e、b D.0.03mA 流进三极管c、e、b 5.测得电路中晶体三极管各电极相对于地的电位如图，从而可判断该晶体管工作在（）。 A.饱和状态 B.放大状态 C.倒置状态Ｄ.截止状态 6.PNP型晶体管工作在放大状态，三个极电位的关系是（）。 A.V C>V B>V E B. V C> V E > V BＣ.V E >V B> V CＤ.V E >V C>V B 7.PNP型硅管工作在放大状态，各极对地电位分别是V1=6V，V2=2.7V，V3=2V，则1，2，3分别为（）。 A.发射极、基极、集电极 B.集电极、基极、发射极 C.集电极、发射极、基极 D.基极、集电极、发射极 8.测得三极管i b=30μA时i c=2.4mA，而i b=40μA时i c=3mA，则该管的交流电流放大系数β为（）。 A.60 B.75 C.80 Ｄ.100 9.NPN型硅管各极对地电位分别是V1=6V，V2=2.7V，V3=2V，则1，2，3分别为（）。 A.基极、集电极、发射极 B.发射极、基极、集电极 C.集电极、发射极、基极 D.集电极、基极、发射极 10.三极管输出特性曲线可分为三个区，下列不属于工作区的是（）。 A.截止区 B.放大区 C.饱和区Ｄ.击穿区 11.在放大电压信号时，通常希望放大电路的输入电阻和输出电阻分别为（） A.输入电阻小，输出电阻大 B.输入电阻小，输出电阻小 C.输入电阻大，输出电阻小 D.输入电阻大，输出电阻大
模拟电路之二极管考精彩试题库完整
二级管电路习题选 1 在题1.1图所示电路中，U0电压为（）。 （a）12V （b）-9V （c）-3V 2 在题1.2图所示电路中，所有二极管均为理想元件，则D1、D2、D3的工作状态为（）。 （a）D1导通，D2、D3截止（b）D1、D2截止，D3导通 （c）D1、D3截止，D2导通 题1.1图题1.2图 3 在题1.3图所示电路中，所有二极管均为理想元件，则D1、D2的工作状态为（）。 （a）D1导通，D2、截止（b）D1、D2均导通（c）D1、截止，D2导通 题1.3图题1.4图 4 在题1.4图所示电路中，D1、D2为理想元件，则电压U0为（）。（a）3V （b）5V （c）2V 5 电路如题1.5图（a）所示，二极管D为理想元件，输入信号u i为图（b）所示的三角波，则输出电压u0的最大值为（）。 （a）5V （b）17V （c）7V
（a）(b) 题1.5图 6 在题1.6图所示电路中，二极管为理想元件，u A=3v,u B=2sinωtV,R=4KΩ,则u F等于( ). （a）3V （b）2sinωtV （c）3+2sinωtV 题1.6图题1.7图 7 在题1.7图所示电路中，二极管为理想元件，则输出电压U0为（）。（a）3V （b）0V （c）－12V 8 在题1.8图（1）所示电路中，二极管D为理想元件，设u1=2sinωtV,稳压二极管D Z的稳定电压为6V，正向压降不计，则输出电压u0的波形为图（2）中的波形（）。 (1) (2)
9 在题1.9图所示电路中，稳压二极管D Z2的稳定电压为6V，D Z2的稳定电压为12V，则输出电压U0等于（）。 （a）12V （b）6V （c）18V 10 在题1.10图所示电路中，稳压二极管D Z1和 D Z2的稳定电压分别为6V和9V，正向电压降都是0.7V。则电压U0等于（）。 （a）3V （b）15V （c）－3V 11 在题1.11图所示电路中，稳压二极管D Z1的稳定电压U Z1=12V,D Z2的稳定电压U Z2=6V，则电压U0等于（）。 （a）12V （b）20V （c）6V 12 已知某晶体管处于放大状态，测得其三个级的电位分别为6V、9V和6.3V，则6V所对应的电极为（a ）。 （a）发射极（b）集电极（c）基极 13晶体管的工作特点是（ a ）。 一、（a）输入电流控制输出电流（b）输入电流控制输出电压选 择题 1．在N型半导体中，多数载流子为电子，N型半导体（） A、带正电 B、带负电 C、不带电 D、不能确定 2．如果在NPN型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结也为正向偏置，则此管的工作状态为（） A、放大状态 B、饱和状态 C、截止状态 D、不能确定 3．在一个放大电路中，测得某三极管各极对地的电位为U1=3V，U2=﹣3V，U3=﹣2.7V，则可知该管为（）。 A. PNP锗管 B. NPN硅管 C. NPN锗管 D. PNP硅管 4、已知某三极管的三个电极电位为6V, 2.7V, 2V, 则可判断该三极管的类型及工作状态为（）。 A、NPN型，放大状态 B、PNP型，截止状态 C、NPN型，饱和状态 D、PNP型，放大状态 5.已知某晶体管处于放大状态，测得其三个极的电位分别为 6V、9V 和 6.3V，则 6V所对应的电极为（）。
模电试题及答案
试题一 一、选择题：（每小题2分，共24分） （1）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（ B ）。 A.前者反偏、后者反偏 B .前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者正偏 （2）N 型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的（ C ）。 A.电子 B.三价硼元素 C .五价磷元素 （3）为了减小零点漂移，通用型运放的输入级大多采用（ C ）。 A.共射电路 B.乙类放大电路 C .差动放大电路 （4）高通滤波电路可以用于（ A ）。 A . 滤除低于某一频率的无用信号 B. 滤除高于某一频率的无用信号 C. 让低于某一频率的有用信号通过 （5）长尾式差动放大电路抑制零点漂移的主要原因是（ C ）。 A.采用了双极型电源 B.电路和参数对称性好 C .引入了电流串联型负反馈 （6）、电路如图所示，其输出电压u O 等于（ B ）。 A.i2i1u u - B .i1i2u u - C. i2i1u u + （7）当信号频率等于放大电路的f L 或f H 时，放大倍数的值约下降到中频时的0.7倍,即增益下降（ A ）。 A .3d B B.4dB C.5dB （8）( B )运算电路可将三角波电压转换成方波电压。 A ．同相比例 B ．微分 C ．同相求和 （9）PN 结加正向电压时，空间电荷区将( A )。 A . 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （10）OCL 功率放大电路如图所示，当u i 为正半周时，则( A )。
A. T1导通T2截止 B. T1截止T2导通 C. T1，T2导通 （11）整流的目的是（ A ）。 A. 将交流变为直流 B. 将高频变为低频 C. 将正弦波变为方波（12）电路如图所示，二极管D为理想元件，输入信号u i为如图所示的三角波，则输出电压u o的最大值为（ B ）。 A. 5 V B. 7 V C. 2 V 二、填空题：（总16 分，每空 2 分） （1）、一只晶体管在放大电路中，用万用表测出管脚对地电压分别是：A脚为12伏，B脚为11.7伏，C脚为6伏，则该管为PNP型锗管，A为e 极，B为 b 极，C为 c 极。 （2）工作在放大区的晶体管，当I B从10μA增大到20μA，I C从1mA增大到2mA，它的β为 100 。 （3）由于不易制造大容量电容，集成电路采用直接耦合放大方式。
模电第五版题库
《模拟电子技术基础》题库 华成英主编高等教育出版社 一、判断下列各题是否正确，对的打“√”，错的打“×” 1．半导体中的空穴带正电。（√） 2．本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。（√） 3．P型半导体带正电，N型半导体带负电。（×） 4．未加外部电压时，PN结中电流从P区流向N区。（√） 5．稳压管工作在反向击穿状态时，其两端电压恒为U Z。（×） 6．若晶体管将集电极和发射极互换，则仍有较大的电流放大作用。（×） 7．多级阻容耦合放大器的通频带比组成它的单级放大器的通频带宽。（×） 8．射极输出器是电压串联负反馈放大器，它具有稳定输出电压的作用。（√） 9. 一个完全对称的差分式放大器，其共模放大倍数为零。（√） 10. 一个理想的差分放大电路，只能放大差模信号，不能放大共模信号。（√） 11.差动放大电路的A VD越大越好，而A VC则越小越好。（√） 12.零点漂移就是静态工作点的漂移。（√） 13.产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。（√） 14．只有直接耦合放大电路才有温漂。（×） 15.不管差分放大电路的参数是否理想对称，R E均有共模负反馈作用。（√） 16．利用两只NPN型管构成复合管只能等效为NPN型管。（√） 17．利用一只NPN型管和一只PNP型管构成的复合管只能等效为PNP管。（×） 18．差分放大电路采用恒流源代替R E是为了增大差模放大倍数。（×） 19．放大电路采用复合管是为了减小输入电阻和放大倍数。（×） 20.镜像电流源电路中两只晶体管的特性应完全相同。（√） 21.在差分放大电路中采用恒流源作集电极负载电阻能够增大差模放大倍数。（√） 同时也可以增大共模抑制比。（√） 二、选择填空 1、型半导体中的多数载流子是_____B__,N型半导体的多数载流子是____A____. A.电子 B .空穴 C. 正离子 D.负离子 2、杂质半导体中少数载流子的浓度__ A ___本征半导体中的载流子的浓度。 A．大于 B.等于 C.小于 3、室温附近，当温度升高时，杂质半导体中_____ C __ 浓度明显增加。 A．载流子 B.多数载流子 C.少数载流子 D.离子 4、硅二极管的正向导通压降比锗二极管______ A ___,反向饱和电流比锗二极管____ B ___. A.大 B.小 C. 等于 5、温度升高时，二极管在正向电流不变的情况下的正向电压___ B ___,反向电流_ A ______. A.增大 B.减小 C.不变 6、工作在放大状态的晶体管，流过发射极的是____ A __电流，流过集电结的是__ B ___电流。 A．扩散 B.漂移 C.反向饱和 7、晶体管通过改变____ A __来控制____ C ___,而场效应管是通过改变__B ___控制___ D _____, 是一种__ E ____ 控制器件。 A．基极电流 B.栅—源电压 C.集电极电流 D.漏极电流 E．电压 F.电流
模拟电路试题库
1.PN结反向电压时，其空间电荷区将，使运动占优。 2.PN结内电场的方向由区指向区。 3.P型半导体中掺入的杂质是价元素,多数载流子是 ,少数载流子 是 . 4.本征半导体中加入微量五价元素的杂质,构成的是型半导体,起多数载流子 是 ,少数载流子是 . 5.二极管的单向导电性是加正向电压 ,加反相电压 . 6.PN结具有单向导电性是指 . 7.PN 结处于正向偏置是指 . 8.由理想二极管组成的电路如图1所示,则该电路的输出电压U AB= . 9.由理想二极管组成的电路如图2所示,则该电路的输出电压U AB= . 10.半导体二极管在整流电路中,主要是利用其特性. 11.所谓PN结的正偏偏置,是将电源的正极与区相接,负极与区相接,在正向 偏置电压大于死区电压的条件下,PN结将 . 12.半导体三极管结构上的特点为基区、,发射 区、,集电区、. 13.半导体三极管工作在放大区时,发射结应加电压,集电结应加电压; 工作 在饱和区时,U CES≈ ;I CS≈ ; 工作在截止区时, U CE≈ ;I C≈ . 14.在三极管放大电路中,测得静态U CE=0V,说明三极管处于工作状态. 15.晶体三极管是型控制器件.场效应管是型控制器件. 16.已知晶体三极管的发射极电流I E=2mA,集电极电流I C=1.98mA,若忽略穿透电流I CEO的影 响时,则该管的β= . 17.半导体三极管通常可能处于、、 3种工作状态. 18.半导体三极管又称双极型三极,因为 ;场效应管又称单极型三极,因 为 . 19.已知晶体管各管脚电位如图所示,则该管子的材料是 ,型号是 ,工作状态 是 . 20.半导体三极管的穿透电流I CEO随温度的升高而,β随温度的升高而, U BE 随温度的升高而, I C随温度的升高而 21.PNP型三极管处于放大状态时,3个电极电位以极电位最高, 极电位最低. 22.在三极管组成的放大电路输入回路中，耦合电容的作用是。 23.在单级共射放大电路的输入端加一微小的正弦波电压信号，而在输出端的电压信号出现 正半周削顶现象，这是属于失真。
《模电》经典题目-含答案
模拟电子技术基础试卷及参考答案 试卷三及其参考答案 试卷三 一、选择题（这是四选一的选择题，选择一个正确的答案填在括号内）（共16分） 1．有两个增益相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。在负载开路的条件下，测得A放大器的输出电压小，这说明A的（） a. 输入电阻大 b. 输入电阻小 c. 输出电阻大 d. 输出电阻小 2．共模抑制比K CMR越大，表明电路（）。 a. 放大倍数越稳定 b. 交流放大倍数越大 c. 抑制温漂能力越强 d. 输入信号中的差模成分越大 3．多级放大电路与组成它的各个单级放大电路相比，其通频带（）。 a. 变宽 b. 变窄 c. 不变 d. 与各单级放大电路无关 4．一个放大电路的对数幅频特性如图1-4所示。当信号频率恰好为上限频率或下限频率时，实际的电压增益为（）。 a. 43dB b. 40dB c. 37dB d. 3dB 图1-4 图1-5 5．LC正弦波振荡电路如图1-5所示，该电路（）。 a. 满足振荡条件，能产生正弦波振荡 b. 由于无选频网络，不能产生正弦波振荡 c. 由于不满足相位平衡条件，不能产生正弦波振荡 d. 由于放大器不能正常工作，不能产生正弦波振荡 6．双端输入、双端输出差分放大电路如图1-6所示。已知静态时，V o=V c1－V c２＝０，设差
模电压增益 100vd =A &，共模电压增益mV 5V mV,10,0i2i1c ===V A V ，则输出电压o V 为（ ）。 a. 125mV b. 1000 mV c. 250 mV d. 500 mV 图1-6 图1-7 7．对于图1-7所示的复合管，假设CEO1I 和CEO2I 分别表示T 1、T 2单管工作时的穿透电流， 则复合管的穿透电流CEO I 为（ ）。 a. CEO2CEO I I = b. CEO2CEO1CEO I I I += c. CEO1CEO I I = d. CEO12CEO2CEO )1(I I I β++= 8．某仪表放大电路，要求R i 大，输出电流稳定，应选（ ）。 a. 电流串联负反馈 b. 电压并联负反馈 c. 电流并联负反馈 d. 电压串联负反馈 二、判断下列管子的工作状态（共10分） 1．测得各三极管静态时三个电极对地的电位如图2-1 a 、b 、c 所示，试判断它们分别工作在什么状态（饱和、放大、载止、倒置）。设所有的三极管和二极管均为硅管。 图2-1 2．电路如图2-2 a 、b 所示，分别指出它们工作在下列三个区中的哪一个区（饱和区、夹断区、可变电阻区）。
华南理工大学模电试题(附答案)
B 选择题（在题末的备选答案中选出一个正确答案的号码。每空1分，共14分） 1． 已知常温下26mV T U =,二极管D 正偏电压U D =0.6V ，电流I D =0.8mA ，其交流电阻 r D =（ ）。 A. 750Ω B. 32.5Ω C. 375Ω D. 16.25Ω 2． BJT 放大电路中，测得三个电极①、②、③对地电位分别为12V 、12.2V 、0V ，据此 可判定BJT 为( A )型三极管，其三个电极中①为( D )极。 A. PNP B. NPN C. 发射极 D. 基极, E. 集电极 3． 图1所示共射放大电路，设静态时CQ 5mA I =，晶体管 饱和管压降CES 0.6V U =，当输入信号幅度增大到一定值时，电路将首先出现（ ）失真，其输出波形的( )将削去一部分。 A. 截止 B. 饱和 C. 顶部 D. 底部 4． 在图1所示电路中，已知晶体管的100β=， be 1k r =Ω，i 20mV U =；静态工作时BEQ 0.7V U =，CEQ 5V U =，BQ 20uA I =， 相应的电压增益为（ ）。 A ．u 1003 3001A ?=-=-& B ．u 1001.5 1501 A ?=-=-& C ．u -352502010A =-=-?& D ．u 57.140.7 A =-≈-& 5． 根据不同器件的工作原理，试判断（ ）可以构成复合管。 （A ） （B ）（C ） （D ） 6． 在设计两级放大电路的过程中，要求输入电阻i R 约为150k Ω，电压放大倍数的数值 u A &约为100，第一级电和第二级电路应采用（ ）。 A. 共集电路；共射电路 B ．共基电路；共射电路 C. 共集电路；共基电路 D. 共射电路；共射电路 7． MOS FET 构成的两级放大电路，总电压增益u 2000A =倍，其中第一级的电压增益
模电数电复习考试题(已整理)
第1章 常用半导体器件 自测题 三、写出图Tl.3 所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D =0.7V 。 图T1.3 解：U O1=1.3V , U O2=0V , U O3=-1.3V , U O4=2V , U O5=1.3V , U O6=-2V 。 四、已知稳压管的稳压值U Z =6V ，稳定电流的最小值I Zmin =5mA 。求图Tl.4 所示电路中U O1和U O2各为多少伏。 (a) (b) 图T1.4 解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V 。 右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V 。 五、电路如图T1.5所示，V CC =15V ，β=100，U BE =0.7V 。 试问： (1)R b =50k Ω时，U o=? (2)若T 临界饱和，则R b =? 解：(1)26BB BE B b V U I A R μ-= =， 2.6C B I I mA β==, 2O CC C c U V I R V =-=。 图T1.5
(2)∵ 2.86CC BE CS c V U I mA R -= =， /28.6BS CS I I A βμ== ∴45.5BB BE b BS V U R k I -= =Ω 习题 1.2电路如图P1.2 所示，已知10sin i u t ω=(V )，试画出i u 与o u 的波形。设二极管导通电压可忽略不计。 图P1.2 解图P1.2 解：i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。 1.3电路如图P1.3所示，已知t u i ωsin 5=(V )，二极管导通电压U D =0.7V 。试画出i u 与 o u 的波形图，并标出幅值。 图P1.3 解图P1.3 解：波形如解图Pl.3所示。
模电试卷题库(含答案)
1.某个处于放大状态的电路，当输入电压为10mV，输出电压 为6.5V,输入电压为15mV时，输出电压为7V（以上均为直 流电压），它的电压增益为（ C ） a、700 b、650 c、100 d、-100 2.当输入信号频率为f L或f H时，电压增益的幅值约下降为中 频时的（ B ） a、05. b、0.7 c、0.9 d、1 3.当输入信号频率为fL或fH时, 电压增系下降了( B )。 A、2 dB B、3dB C、4dB D、6dB 4.某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接3KΩ的负载 电阻后输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为 （ C ） a、10KΩ b、2KΩ c、1 KΩ d、0.5KΩ 5.用两个AU相同的放大电路A和B分别对同一个具有相同内 阻的电压 信号进行放大，测试结果输出电压VOA>VOB，由此可知A比B （ B ） a、一样 b、差 c、好 d、无法判别 6.用两个放大电路A和B分别对同一电压信号进行放大。当输出端开路时V OA=V OB ，都接入负载R L时，测得V OA 第 1 章常用半导体器件 自测题 、判断下列说法是否正确，用“× ”和“√”表示判断结果填入空内。 (1) 在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。( √ ) (2) 因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( × ) (3) PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。( √ ) (4) 处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。( × ) (5) 结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其 (6) 若耗尽型N 沟道MOS 管的大于零，则其输入电阻会明显变小。( × ) 、选择正确 答案填入空内。 (l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。 A. 变窄 B. 基本不变 C.变宽 (2) 稳压管的稳压区是其工作在 C 。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 (3) 当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B.前者正偏、后者反偏 C.前者正偏、后者也正偏 (4) U GS=0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有 A 、 C 。 A. 结型管 B.增强型MOS 管 C.耗尽型MOS 管 四、 伏。 、写出图Tl.3 所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D= 0.7V。 图T1.3 解：U O1= 1.3V, U O2= 0V, U O3=-1.3V, U O4=2V, U O5= 1.3V, U O6= -2V。已知稳压管的稳压值U Z= 6V，稳 定电流的最小值I Zmin=5mA。求图Tl.4 所示电路中U O1 和U O2各为多少 (a) (b) T1.4 解：左图中稳压管工作在击穿状态， 右图中稳压管没有击穿，故 故U O2= 5V。 U O1= 6V。 五、电路如图T1.5 所示，V CC=15 V，试问： (1)R b=50k 时，Uo=? (2)若T 临界饱和，则R b=? 解：(1) = 100，U BE=0.7V。 大的特点。( √ ) 1.某个处于放大状态的电路，当输入电压为1０mV,输出电压 为6.5Ｖ,输入电压为１5mV时，输出电压为7V(以上均为直 流电压),它的电压增益为( Ｃ) ａ、70０b、6５0 ｃ、100 d、－１０0 2.当输入信号频率为f L或ｆH时,电压增益的幅值约下降为中 频时的( Ｂ） ａ、05. b、0．７c、0．9 ｄ、１ 3.当输入信号频率为fL或ｆH时, 电压增系下降了( B )。 Ａ、2 ｄＢB、3ｄＢC、４ｄＢD、6dB 4.某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接3KΩ 的负载 电阻后输出电压降为３V,这说明放大电路的输出电阻为（C) ａ、１0KΩb、2KΩｃ、1 KΩｄ、0．5KΩ 5.用两个A U相同的放大电路A和B分别对同一个具有相同内阻的电压 信号进行放大，测试结果输出电压V OＡ>ＶOＢ,由此可知A比B（ B ） a、一样 b、差 c、好 d、无法判别 6.用两个放大电路A和Ｂ分别对同一电压信号进行放大。当输出端开路时Ｖ =V OB,都接入负载R L时，测得V OＡ a、虚短 b、虚断ｃ、虚地d、以上均否 8.如图示,运放Ａ为理想器件,则其输出电压V0为（A ） a、０V b、３V c、6Ｖｄ、9Ｖ 9.如图示,运放Ａ为理想器件，则其输出电压V O为（Ｃ) a、9Ｖｂ、6Vｃ、0V d、3Ｖ 10.设ＶN、V P和Ｖ0分别表示反相输入端、同相输入端和输 出端，则V0与V N、V P分别成( Ｄ) a、同相、同相 b、反相、反相 c、同相、反相 d、反相、同相 11.若要将幅度为±Uｍ的矩形波转变为三角波，则应选用( D ) A、反相比例运算电路?Ｂ、同相比例运算电路?C、微分运算电路 D、积分运算电路 半导体 12.N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的( Ｄ)。 ａ、电子b、空穴c、三价硼元素d、五价磷元素 13.半导体中有两种载流子，它们分别是（Ｃ) ａ、电子和受主离子b、空穴和施主离子 c、电子和空穴 d、受主离子和施主离子 14.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于( B ） a、温度 b、杂质浓度 c、掺杂工艺ｄ、晶体缺陷 15.在室温附近，当温度升高时,杂质半导体中浓度明显增加是（C ） a、载流子ｂ、多数载流子c、少数载流子d、正负离子 最新模电题库附答案 1晶体管工作在放大区时，发射结为____，集电结为____，工作在饱和区时，发射结为____，集电结为____。 A、正向偏置， B、反向偏置， C、零偏置 [答案]A|B|A|A 2N型半导体是在纯净半导体中掺入____；P型半导体是在纯净半导体中掺入____。 A、带负电的电子， B、带正电的离子， C、三价元素，如硼等， D、五价元素，如磷等 [答案]D|C 3当PN结外加正向电压时，扩散电流漂移电流，耗尽层；当PN 结外加反向电压时，扩散电流漂移电流，耗尽层。 A、大于， B、小于， C、等于， D、变宽， E、变窄， F、不变 [答案]A|E|B|D 4在保持二极管反向电压不变的条件下，二极管的反向电流随温度升高而____；在保持二极管的正向电流不变的条件下，二极管的正向导通电压随温度升高而____。 A、增大， B、减小， C、不变 [答案]A|B 5某二极管反向电压为10V时，反向电流为μA。在保持反向电压不变的条件下，当二 极管的结温升高10℃，反向电流大约为____。 A、0.05μA， B、0.1μA， C、0.2μA， D、1μA [答案]C 6在如图所示的电路中，当V＝3V时，测得I＝1mA，。 1．当V调到6V，则I将为____。 A、1mA， B、大于1mA，但小于2mA C、2mA， D、大于2mA 2．保持V＝3V不变，温度升高20℃，则将为____。 A、小于0.7V， B、0.7V不变， C、大于0.7V [答案]D|A 7电路如图所示，，当直流电源电压V增大时，二极管VD的动态电阻 将____。 A、增大， B、减小， C、保持不变 [答案]B 8在某放大电路中，测得晶体管的三个电极①、②、③的流入电流分别为－1.22mA、0.02mA、1.2mA。由此可判断电极①是____，电极②是____，电极③是____（A、发射极，B、基极，C、集电极）；该晶体管的类型是____（A、PNP型，B、NPN型）；该晶体管的共射电流放大系数约为____ 1 晶体管工作在放大区时，发射结为____，集电结为____，工作在饱和区时，发射结为____，集电结为____。 A、正向偏置， B、反向偏置， C、零偏置 [答案]A|B|A|A 2 N型半导体是在纯净半导体中掺入____；P型半导体是在纯净半导体中掺入____。 A、带负电的电子， B、带正电的离子， C、三价元素，如硼等， D、五价元素，如磷等 [答案] D|C 3 当PN结外加正向电压时，扩散电流漂移电流，耗尽层；当PN结外加反向电压时，扩散电流漂移电流，耗尽层。 A、大于， B、小于， C、等于， D、变宽， E、变窄， F、不变 [答案] A|E|B|D 4 在保持二极管反向电压不变的条件下，二极管的反向电流随温度升高而____；在保持二极管的正向电流不变的条件下，二极管的正向导通电压随温度升高而____。 A、增大， B、减小， C、不变 [答案] A|B 5 某二极管反向电压为10V时，反向电流为μA 。在保持反向电压不变的条件下，当二 极管的结温升高10℃，反向电流大约为____。 A、0.05μA， B、0.1μA， C、0.2μA， D、1μA [答案] C 6 在如图所示的电路中，当V＝3V时，测得I＝1mA，。 1．当V调到6V，则I将为____。 A、1mA， B、大于1mA，但小于2mA C、2mA， D、大于2mA 2．保持V＝3V不变，温度升高20℃，则将为____。 A、小于0.7V ， B、0.7V不变， C、大于0.7V [答案] D|A 7 电路如图所示，，当直流电源电压V增大时，二极管VD的动态电阻 将____。 A、增大， B、减小， C、保持不变 [答案] B 清华大学出版社模拟电子技术习题解答(课后同步) 习题1 客观检测题 一、填空题 1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ，而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系。 2、当PN 结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层 变窄 。当外加反向电压时，扩散电流 小于 漂移电流，耗尽层 变宽 。 3、在N 型半导体中，电子为多数载流子， 空穴 为少数载流子。 二．判断题 1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子，N 型半导体中含有大量电子载流子，所以P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。（ × ） 2、在N 型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P 型半导体。（ √ ） 3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。（× ） 4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。（ × ） 5、PN 结在无光照无外加电压时，结电流为零。（ √ ） 6、温度升高时，PN 结的反向饱和电流将减小。（ × ） 7、PN 结加正向电压时，空间电荷区将变宽。（× ） 三．简答题 1、PN 结的伏安特性有何特点？ 答：根据统计物理理论分析，PN 结的伏安特性可用式)1e (I I T V V s D -?=表示。 式中，I D 为流过PN 结的电流；I s 为PN 结的反向饱和电流，是一个与环境温度和材料等有关的参数，单位与I 的单位一致；V 为外加电压； V T =kT/q ，为温度的电压当量（其单位与V 的单位一致），其中玻尔兹曼常数k .J /K -=?2313810，电子电量 《模拟电子技术》模拟试题一 一、填空题：（每空1分共40分） 1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向） 导电性。 2、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温 度）有关，而与外加电压（无关）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其 反偏时，结电阻为（无穷），等效成断开； 4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集） 放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳 定交流输出电流采用（串联）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路 的放大倍数AF=（1/ F ）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（）， （）称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号， 而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互 补功率放大器。 13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路； OTL电路是（）电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻 （）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（） 电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（），未被调制的高频信 号是运载信息的工具，称为（）。 17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（），电路符号是（）。 二、选择题（每空2分共30分） 1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（）状态，但其两端电压 必须（），它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于（）状态。 A、正偏 B、反偏 C、大于 D、小于 E、导通 F、截止 2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V，则三个 电极分别是（），该管是（）型。 A、（ B、 C、E）B、（C、B、E）C、（E、C、B） D、（NPN） E、（PNP） 3、对功率放大器的要求主要是（）、（）、（）。 A、U0高 B、P0大 C、功率大 D、Ri大 E、波形不失真 4、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（），此时应该（）偏置 电阻。 A、饱和失真 B、截止失真 C、交越失真 D、增大 E、减小 5、差分放大电路是为了（）而设置的。 A、稳定Au B、放大信号 C、抑制零点漂移 6、共集电极放大电路的负反馈组态是（）。 A、压串负 B、流串负 C、压并负 7、差分放大电路RE上的直流电流IEQ近似等于单管集电极电流ICQ（）倍。 A、1 B、2 C、3 8、为了使放大器带负载能力强，一般引入（）负反馈。 A、电压 B、电流 C、串联 9、分析运放的两个依据是（）、（）。 A、U-≈U+ B、I-≈I+≈0 C、U0=Ui D、Au=1 三、分析计算题 1、已知电力如下图示：为理想二极管，试分析： ①二极管导通还是截止？②UA0=？（4分） 模电试题库 一、填空题。 1、由PN 结构成的半导体二极管具有的主要特性是 性。 2、温度升高时，三极管的β将 （增加、减小、不变）。 3、要让三极管工作在放大区，发射结要求 ，集电结要 （正偏或反偏）。 4、当差分放大器两边的输入电压为1i u =7mV ，2i u =-3mV ，输入信号的差模分量为 ，共模分量 为 。 5、在放大电路中，如果要想提高输出电阻，减小输入电阻的要求，应引入 反馈。 6、直流稳压电源一般是由_________、、________、_________四部分组成。 7、乙类推挽放大器，由于三极管的死区电压造成的失真现象，这种失真称为 。 8、 在RC 桥式正弦波振荡电路中，当满足相位起振条件时，则其中电压放大电路的放大倍数要略大于 才能起振。 [ 9、放大器级间耦合方式有三种： 耦合； 耦合； 耦合；在集成电路中通常采用 耦合。 10、负反馈能够改善放大电路的性能，例如它可以提高增益的稳定性， ， ， 等。 11、场效应管属于_______________控制器件，而三极管属于_____________控制器件。（电压或电流） 12、差放电路中，公共发射极电阻Re 对于共模信号而言，相当于每个差放管的发射极接入________ _____的电阻，对于差模信号而言，Re 相当于为__________ ______。 13、负反馈能使放大器许多性能获得改善，如_______________、__________________、 __________________、__________________。但是性能的改善是以牺牲______________________为代价的 14、振荡电路的振幅平衡条件是：__________________________,相位平衡条件是： ___________________________. 15、为使双极型半导体三极管工作在放大状态，必须满足的外部条件是_________________ _________ ___________, （ 16．为简化分析过程，在应用集成运放时总假定它是理想的，理想运放具有以下特点：开环差模增益A d =___________，开环输入电阻R i =_____________, 开环输出电阻R o =_______________。 17、某双极型半导体三极管其三个电极流过的电流如图所示：分别为：①、②、③10mA ，则该三极管为________ 型，三个电极分别为：①___e _____ ②____b ___ ___③__c ______ 。 18．三极管各电极的电流分配关系为_e=b+c _。 19．晶体管的输出特性是指当三极管基极电流I B 一定时，___________与_____________之间的关系。 20．晶体管输出特性有三个区域： 、 和 。晶体管工作在 时，相当于闭合的开关；工作在 时，相当于断开的开关。 21．三极管图形符号中的发射极的箭头表示三极管的________________方向。 22．在放大电路中，为了稳定静态工作点，宜引入__________反馈；要展宽频、稳定增益，宜引入____________反馈；为了提高输入阻抗，宜引入___________反馈。模电(第四版)习题解答
模电试卷题库含答案
最新模电题库附答案
模电题库
清华大学出版社模拟电子技术习题解答(课后同步) 新
模电试题及答案(大学期末考试题)
模电试题(题库)