(华南理工大学)单片机试题2
二、填空题（每题2分，共20分）
1. 80C51单片机主要由CPU系统、、组成。
2. 在寄存器间接寻址中，其“间接”体现在指令中寄存器的内容不是操作数，而是操作数的。
3. 指令ADD A，#55H的源操作数属于__________寻址方式，其功能是
_____________ 。
4. 在80C51系列单片机中数据指针寄存器DPTR由和两个寄存器组成。
5. 89C51使用片内ROM时，其芯片引脚要接电平。
6. 80C51的外部中断请求有两种触发方式，一种是触发，另一种是触发。
7. 若A中的内容为87H，那么标志位P的值为。
8. D/A转换的作用是将量转换为量。
9. 串行通信的接口标准包括、和RS--485三种。
10. 共阳极8段LED显示器显示字符“0”的段代码是。
三、简答题（每题5分，共15分）
1. 单片机有哪些特点举出3个实际应用的例子。
2. 基本程序结构有哪几种
3. 80C51中断优先级分为几级响应中断的基本条件是什么？
四、阅读并分析程序( 每题5分，共15分)。
1. 若（20H）＝4，执行下列程序后，21H中的内容是多少？
MOV DPTR , #1000H
MOV A , 20H
MOVC A , @A+DPTR
MOV 21H , A
SJMP $
ORG 1000H
TABLE: DB 00 , 01 , 04 , 09 , 16 , 25
END
2. 若CY=1，（P1）=B，指出执行下列程序后，CY和P1口的内容。
MOV , C
MOV , C
MOV C,
END
3. 说明下列程序的功能
MOV R2，#10H
MOV R0 , #60H
CLR A
LOOP：MOV @R0，A
INC R0
DJNZ R2，LOOP
END
五、编程计算题（每题4分，共20分）。
（计算题要求写出步骤，注明单位，如果结果错误步骤正确，可适当给分。）
1. 寄存器R0和R1的内容相加，结果存入R2。
2. 将片内RAM 30H～3FH的内容传送到片外2000H～200FH中去。
3. 80C51系统中，当（SP）=60H时，执行“PUSH 50H”指令后，SP的值为多少？
4. 单片机用内部定时方法产生频率为100 Hz 等宽矩形波，由输出。假定单片机的晶振频率为12MHz。请计算定时器初值。
5. 某异步通信接口，其帧格式由1个起始位，7个数据位，1个奇偶校验位和1个停止位组成。当该接口每分钟传送1800个字符时，试计算出传送波特率
六、系统设计题（10分）
设计一个89C51单片机的简单应用系统。
要求：①扩展8KB外部数据存储器，请选择芯片；
②画出系统逻辑电路图，标明相应的总线关系;
③写出数据存储器的地址范围。（必须与逻辑电路一致。）
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参考答案及评分标准
一、选择题（每小题2，共20分）
1、B，
2、B，
3、B，
4、C，
5、D，
6、A，
7、B，
8、C，
9、D，10、C
二、填空题（每小题2分，共20分）
1、存储器系统，I/O和其它功能部件
2、地址
3、立即数，将立即数55H送入累加器A（或A←55H）
4、DPH,DPL
5、高
6、边沿，电平
7、0
8、数字，模拟
9、RS-232 , RS-422A
10、C0H
三、简答题（每题5分，共15分）
1、答：单片机具有以下特点：
①控制性能和可靠性高；
②体积小、功耗低、易于产品化；
③单片机具有良好的性能价格比。
实际应用的例子如手机、数码相机、全自动洗衣机等。
评分：第一小题3分。第二小题2分, 表达不准确扣1分。
2、答：基本程序结构有哪4种：顺序结构，分支结构，循环结构和子程序及调用结构。
评分：答错1种扣1分，全错0分。
3、80C51中断优先级分为2级。响应中断的基本条件是：中断源有中断请求；此中断源的中断允许位为1；CPU开中断即EA=1。
评分：第一小题2分。第二小题3分，每个条件各占1分。
四、阅读并分析程序（每题5分，共15分）
1、解：21H中的内容是16
评分：结果错误0分，表达不准确扣1分。
2、解：（P1）=B , CY=0
评分：第一部分3分，第二部分2分，表达不准确扣1分。
4、解：将60H ~ 6FH单元清零
评分：起始地址、末地址、执行任务三者错一项扣1分，全错0分。
五、编程计算题( 每题4分，共20分)。
1、MOV A，R0
ADD A，R1
MOV R2，A
评分：错误0分，表达不准确扣1分。
2、MOV R0,#30H
MOV R1,#10H
MOV DPTR,#2000H
LOOP: MOV A,@R0
MOVX @DPTR,A
INC R0
INC DPTR
DJNZ R1,LOOP
END
评分：错误0分，表达不准确扣1分，程序不完整扣2分。
3、（SP）=60H+1=61H
评分：结果错误0分，表达不准确扣1分。
4、解：T=1/f=1/100= (S)
t=T/2 ==5mS=5000 μS
TCY=1μS
N=t / TCY=5000
初值X=216-5000=60536=EC78H
评分：答案正确但解题步骤不全或表达不准确扣1分，解题步骤正确，结果错误扣2分。
5、解：每个字符10位，波特率=10×（1800/60）=300（b/S）
评分：只有结果没有解题步骤或表达不准确扣1分, 解题步骤正确，结果错误扣2分。
六、系统设计题（10分）
解：选择SRAM 6264，地址为0000～1FFFH (此题有多解，但容量为8KB)
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