电子科技《政治学原理》在线作业3辅导答案

电子科技《政治学原理》在线作业3

单选题多选题

一、单选题（共 9 道试题，共 45 分。）

1. 提出人民主权学说的政治思想家是（）。

A. 洛克

B. 霍布斯

C. 孟德斯鸠

D. 卢梭

-----------------选择：D

2. 最早产生现代意义政党的国家是（）。

A. 美国

B. 英国

C. 法国

D. 日本

-----------------选择：B

3. 被誉为“地方自治之母”的国家是（）。

A. 日本

B. 泰国

C. 丹麦

D. 英国

-----------------选择：D

4. 下列关于原始民主制论述不正确的是（）。

A. 原始民主制是一种国家形式。

B. 原始民主制依靠的不是强力而是管理者的威信。

C. 原始民主制中的首领的权威不是强制性的权威。

D. 原始民主制是原始社会的公共事务管理的方式。

-----------------选择：A

5. 多党制起源于（）。

A. 德国

B. 日本

C. 法国

D. 意大利

-----------------选择：C

6. 精辟地论述道：“一切有权力的人都容易滥用权力，这是万古不易的一条经验。有权力的人们使用权力一直遇有界限的地主才休止。要防止滥用权力，就必须以权力约束权力。”这位思想家是（）。

A. 卢梭

B. 托克维尔

C. 霍布斯

D. 孟德斯鸠

-----------------选择：D

《电力电子技术》第一次作业答案

首页- 我的作业列表- 《电力电子技术》第一次作业答案 你的得分：100.0 完成日期：2018年09月09日16点13分 说明：每道小题选项旁的标识是标准答案。 一、单项选择题。本大题共30个小题，每小题2.0 分，共60.0分。在每小题给出的选项中，只有一项是符合题目要求的。 1.电力电子器件一般工作在（）状态。 A.导通 B.开关 C.截止 2.通常情况下（器件开关频率不太高）时，电力电子器件的损耗主要是（）损耗。 A.导通 B.关断 C.开关 3.把直流变换为交流的电路叫做（）电路。 A.整流 B.逆变 C.斩波 D.交流电力控制 4.二极管阳极有正向电压，其处于（）状态。 A.导通 B.开关 C.截止 5.晶闸管阳极加正向电压，门极不加信号，其处于（）状态。 A.导通 B.开关 C.截止 6.对已经触发导通的晶闸管，如果在阳极电流未达到擎住电流时门极触发信号消失，晶 闸管是（）状态。 A.导通 B.开关 C.截止 7.晶闸管的额定电压为（）。 A.正向重复峰值电压 B.反向重复峰值电压 C.正反向重复峰值电压中大者 D.正反向重复峰值电压中小者 8.电力MOSFET的通态电阻具有（）温度系数。 A.正 B.负 C.零 9.晶闸管是（）驱动型器件。

A.电流 B.电压 C.电荷 10.晶闸管的额定电流应按（）原则选取。 A.平均值相等 B.有效值相等 11.单相半波可控整流电路带阻性负载时，输出电流波形为（）。 A.与电源电压波形相同 B.与输出电压波形相同 C.为直线波形 12. A. A B. B C. C D.D 13. A. A B. B C.C D.D 14. A. A B. B C. C D.D 15.单相半波可控整流电路带阻性负载时，输出电压波形脉动频率为（）。 A.1/2电源频率 B.电源频率 C.两倍电源频率 D.三倍电源频率 16.单相桥式全控整流电路带反电动势阻性负载，与带纯阻性负载比较，输出电压（）。 A.增大 B.减小 C.不变 17.三相半波可控整流电路带大电感负载，晶闸管的移相范围为（）。

高频电子线路课后答案(胡宴如)

第2章 小信号选频放大器 2.1填空题 (1)LC 并联谐振回路中，Q 值越大，其谐振曲线越尖锐,通频带越窄,选择性越好。 (2)LC 并联谐振回路谐振时，回路阻抗为最大且为纯电阻,高于谐振频率时间阻抗呈容性，低于谐振频率时间阻抗感性。 (3)小信号谐振放大器的负载采用谐振回路,工作在甲类状态，它具有选频作用。 (4)集中选频放大器由集成宽带放大器和集中选频滤波器组成，其主要优点是接近理想矩形的幅频特性，性能稳定可靠，调整方便。 2.2 已知并联谐振回路的1μH,20pF,100,L C Q ===求该并联回路的谐振频率0f 、谐振电阻p R 及通频带0.7BW 。 [解] 900.035610Hz 35.6MHz f = = =? = 3640.722.4k 22.361022.36k 35.610Hz 35.610Hz 356kH z 100 p R Q f BW Q ρρ===Ω=?Ω=Ω?===?= 2.3 并联谐振回路如图P2.3所示，已知：300pF,390μH,100,C L Q ===信号源内阻s 100k ,R =Ω负载电阻L 200k ,R =Ω求该回路的谐振频率、谐振电阻、通频带。 [解] 0465kHz f ≈ = = 0.70114k Ω ////100k Ω//114.k Ω//200k Ω=42k Ω42k Ω37 1.14k Ω/465kHz/37=1 2.6kHz p e s p L e e e R Q R R R R R Q BW f Q ρρ========== 2.4 已知并联谐振回路的00.710MHz,C=50pF,150kHz,f BW ==求回路的L 和Q 以及600kHz f ?=时电压衰减倍数。如将通频带加宽为300 kHz ，应在回路两端并接一个多大的电阻? [解] 6 26212 0115105μH (2π)(2π1010)5010L H f C -- = ==?=????

电子技术习题册答案

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2 第1章 逻辑代数基础 1. 用真值表证明下列等式。 (1) (A B)C=A (B C)⊕⊕⊕⊕ (2) C B A C B A A +=++ A B C B A ⊕ C B ⊕ C B A ⊕⊕)( A )(C B A ⊕⊕ 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 1 1 1 0 1 0 1 1 1 1 0 1 1 1 0 0 0 1 0 0 1 0 1 1 1 0 1 1 1 0 0 1 1 0 0 1 0 0 1 1 1 0 1 1 A B C A C B + C B C B A A ++ C B A + 0 0 0 1 1 1 1 1 0 0 1 1 0 0 0 0 0 1 0 1 0 0 0 0 0 1 1 1 0 0 0 0 1 0 0 0 1 1 1 1 1 0 1 0 0 1 1 1 1 1 0 0 0 1 1 1 1 1 1 0 1 1 2. 用代数法化简下列各式。 (1) A+ABC+ABC+CB+CB ( C A B B C BC BC A +=++++=) ()1( 2) ABC+AB C+ABC+ABC A AB B A C C AB C C B A =+=+++=) ()( 3．将下列各函数化为最小项之和的形式。 (1) Y=ABC+BC+AB 7 543)()(m m m m C B A C B A BC A ABC BC A C C B A A A BC BC A +++=++++=++++= (2) )( AB Y D C B C ABD +++＝

电力电子作业答案

第二章习题答案 2. 使晶闸管导通的条件是什么？ 答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正相阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。或者U AK >0且U GK >0 3. 维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？ 答：维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持电流。 4. 图2-27中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为Im , 试计算各波形的电流平均值I d1,I d2,I d3与电流有效值I 1，I 2，I 3 解:a) Id1=Im 2717.0)12 2(2Im )(sin Im 214≈+∏=∏?∏∏t ω I1= Im 4767.021432Im )()sin (Im 2142≈∏+=∏?∏∏wt d t ? b) Id2=Im 5434.0)12 2(2Im )(sin Im 14=+=∏?∏∏wt d t ? I2=Im 6741.021432Im 2)()sin (Im 142≈∏ +=∏?∏∏wt d t ? c) Id3=?∏=∏20Im 4 1)(Im 21t d ω I3=Im 2 1)(Im 21202=∏?∏ t d ω 5.上题中如果不考虑安全裕量,问100A 的晶阐管能送出的平均电流Id1、Id2、Id3各为多少?这时,相应的电流最大值Im1,Im2,Im3各为多少? 解:额定电流I T(A V)=100A 的晶闸管,允许的电流有效值I=157A,由上题计算结果知 a) Im135.3294767 .0≈≈ I A, Id1≈0.2717Im1≈89.48A b) Im2,90.2326741.0A I ≈≈Id2A 56.1262Im 5434.0≈≈

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第1章检测题（共100分，120分钟） 一、填空题：（每空分，共25分） 1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为自由电子，少数载流子为空穴，不能移动的杂质离子带正电。P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为空穴，少数载流子为自由电子，不能移动的杂质离子带负电。 2、三极管的内部结构是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结组成的。三极管对外引出的电极分别是发射极、基极和集电 极。 3、PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向相反，有利于多数载流子的 扩散运动而不利于少数载流子的漂移；PN结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向一致，有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散，这种情况下的电流称为反向饱和电流。 4、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子由P向N区进行扩散，N型半导体中的多数载流子由N向P区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区，其方向由N区指向P区。空间电荷区的建立，对多数载流子的扩散起削弱作用，对少子的漂移起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时，PN结形成。 5、检测二极管极性时，需用万用表欧姆挡的R×1K档位，当检测时表针偏转度较大时，与红表棒相接触的电极是二极管的阴极；与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。检测二极管好坏时，两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时，说明二极管已经被击穿；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经绝缘老化。 6、单极型晶体管又称为场效应（MOS）管。其导电沟道分有N沟道和P沟道。 7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管，正常工作应在特性曲线的反向击穿区。 8、MOS管在不使用时应避免栅极悬空，务必将各电极短接。 二、判断正误：（每小题1分，共10分） 1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。（错） 2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。 （对）

光电子学与光子学讲义-作业答案(第1、2章)13版.doc

第一章 1.10 Refractive index (a) Consider light of free-space wavelength 1300 nm traveling in pure silica medium. Calculate the phase velocity and group velocity of light in this medium. Is the group velocity ever greater than the phase velocity? (b) What is the Brewster angle(the polarization angle qp) and the critical angle(qc) for total internal reflection when the light wave traveling in this silica medium is incident on a silica/air interface. What happens at the polarization angle? (c) What is the reflection coefficient and reflectance at normal incidence when the light beam traveling in the silica medium is incident on a silica/air interface? (d) What is the reflection coefficient and reflectance at normal incidence when a light beam traveling in air is incident on an air/silica interface? How do these compare with part (c) and what is your conclusion? 1.18 Reflection at glass-glass and air-glass interface A ray of light that is traveling in a glass medium of refractive index n1=1.460 becomes incident on a less dense glassmedium of refractive index n2=1.430. Suppose that the free space wavelength of the light ray is 850 nm. (a) What should the minimum incidence angle for TIR be? (b) What is the phase change in the reflected wave when the angle of incidence qi =85 ° and when qi =90° ? (c) What is the penetration depth of the evanescent wave into medium 2 when qi =85 ° and when qi =90° ? (d) What is the reflection coefficient and reflection at normal incidence (qi =0 ° )when the light beam traveling in the glass medium (n=1.460) is incident on a glass-air interface? (e) What is the reflection coefficient and reflectance at normal incidence when a light beam traveling in air is incident on an air/-glass interface (n=1.460)? How do these compare with part (d) and what is your conclusion? 1.20 TIR and polarization at water-air interface

浙江远程电力电子在线作业答案

您的本次作业分数为：100分单选题 1.关于三相桥式全控整流电路的实验操作，描述正确的是： A 按照原理图接线，然后打开主电源，再检查晶闸管脉冲是否正常 B 不能用示波器观察触发脉冲 C 正常情况下，应有间隔均匀，相互间隔120°，幅度相同的双脉冲 D 可以用示波器观察来检查相序是否正确 正确答案:D 单选题 2.交流调压电路控制方式中，谐波含量最少的是： A 通断控制 B 相位控制 C 斩波控制 D 反馈控制 正确答案:C 单选题 3.锯齿波同步移相触发电路实验中，3号点电压与5号点电压描述正确的是？ A 3号点电压与5号点电压波形相同 B 3号点电压上升使VT1导通时，5号点电压出现下降沿 C 出现下降沿后，5号点电压不会再次上升 D VT1导通时，3号点电压持续上升 正确答案:B 单选题 4.三相桥式全控整流电路电感性负载实验中，直流平均电压为零时触发角为多少度？ A 30° B 60° C 90° D 120°

单选题 5.关于单相桥式半控整流电路直流侧电压ud波形描述正确的是？ A ud会出现负值 B ud是否出现负值由触发角大小决定 C 电感性负载，触发脉冲丢失，则ud变为零 D 电感性负载，触发脉冲丢失，则ud半周期为正弦，半周期为零。正确答案:D 单选题 6.单相交流调压电路实验中，如何改变电阻电感性负载的阻抗角？ A 改变单相交流调压电路的触发角 B 改变输入电压源的频率 C 改变负载电阻的大小 D 改变输入电压的大小 正确答案:C 单选题 7.用于观察管压降、负载电压等波形的实验设备是 A 三相芯式变压器 B 滑线变阻器 C 示波器 D 异步电机 正确答案:C 单选题 8.关于逆变角的说法，错误的是 A 逆变角与整流角之和为180° B 电路工作在整流状态时，逆变角大于零，小于90° C 电路工作在逆变状态时，逆变角大于零，小于90° D 逆变角不能等于零

电工电子技术平时作业答案

电工电子技术平时作业1答案 一、选择题（每小题5分，共40分） 题目1 图1-1所示的电路中，电流I为（? ）。 图1-1 选择一项： A. ?5 A B. 5 A? C. 2 A D. ?3 A 题目2 图1-2所示电路中，电压U ab的数值是（? ）。 图1-2 选择一项： A. 20V B. 10V? C. 0V D. 2V 题目3 图1-3所示的电路中，电流表的正、负接线端用“+”、“?”号标出，现电流表指针正向偏转，示数为10 A，有关电流、电压方向也表示在图中，则（）。 图1-3 选择一项：

A.?I1=?10 A，U=6 V B.?I1=10 A，U=?6 V C.?I1=10 A，U=12 V? D.?I1=?10 A，U=12 V 题目4 图1-4所示的电路中包含（? ）条支路，用支路电流法分析该电路，需要列写（? ）个方程。 图1-4 选择一项： A. 5，3? B. 5，4 C. 4，3 D. 4，4 题目5 用叠加定理分析电路时，当其中一个电源单独作用时，其他电源应置零，即电压源（? ）、电流源（? ）。 选择一项： A. 短路，短路 B. 短路，开路? C. 开路，短路 D. 开路，开路 题目6

已知电路某元件的电压u和电流i分别为u=10cos（ωt+20°）V，i=5sin（ωt+110°）A，则该元件的性质是（? ）。 选择一项： A. 电容 B. 不确定 C. 电阻? D. 电感 题目7 在RLC串联电路中，如果调大电感，则电路（? ）。 选择一项： A. 性质不变 B. 感性增强? C. 容性增强 D. 呈电阻性 题目8 在三相电路中，三相对称负载为星形连接，三个线电流均为4A，则中线电流为（?? ）。选择一项： A. 8A B. 4A C. 0A? D. 12A 二、判断题（每小题5分，共40分） 题目9

电力电子习题答案

第2章电力电子器件 2.1 与信息电子电路中的二极管相比，电力二极管具有怎样的结构特点才能使它具有耐受高电压和大电流的能力？ 解：1. 电力二极管是垂直导电结构，使得硅片中通过电流的有效面积增大，提高通流能力2.电力二极管在P区和N区多了一层低掺杂区，可以承受很高的电压而不致被击穿；3.具有电导调制效应。 2.2 使晶闸管导通的条件是什么？ 答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正相阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。或者U AK >0且U GK>0 2.3 维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？ 答：维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持电流。 2.4 图2－27中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为Im , 试计算各波形的电流平均值I d1,I d2,I d3与电流有效值I1，I2，I3 解:a) Id1=0.2717 Im I1==0.4767Im b) Id2==0.5434 Im I2=0.6741 Im c) Id3==0.25 Im I3==0.5 Im 2.5.上题中如果不考虑安全裕量,问100A的晶阐管能送出的平均电流Id1、Id2、Id3各为多少?这时,相应的电流最大值Im1,Im2,Im3各为多少? 解:额定电流I T(AV)=100A的晶闸管,允许的电流有效值I=157A,由上题计算结果知 a) Im1=I/0.4767A=329.35A, Id1≈0.2717Im1≈89.48A b) Im2=I/0.6741 =232.90A Id2=0.5434Im2 =126.56A c) Im3=2I=314 Id3=0.25Im3 =78.5A 2.6.GTO和普通晶闸管同为PNPN结构,为什么GTO能够自关断,而普通晶闸管不能? 答: GTO之所以能够自行关断,而普通晶闸管不能,是因为GTO与普通晶闸管在设计和工艺方面有以下几点不同：

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高频电子线路（第 4 版）课后习题答案高等教育出版社 第 2 章小信号选频放大器 2.1 填空题 (1)LC 并联谐振回路中， Q 值越大，其谐振曲线越尖锐,通频带越窄 ,选择性越好。 (2)LC 并联谐振回路谐振时，回路阻抗为最大且为纯电阻,高于谐振频率时间阻抗呈容性，低于谐振频率时间阻抗感性。 (3)小信号谐振放大器的负载采用谐振回路 ,工作在甲类状态，它具有选频作用。 (4)集中选频放大器由集成宽带放大器和集中选频滤波器组成，其主要优点是接 近理想矩形的幅频特性，性能稳定可靠，调整方便。 2.2已知并联谐振回路的 L 1 μH, C20 pF, Q100, 求该并联回路的谐振频率 f0、谐振电阻 R p及通频带 BW0.7。 [ 解]f01 2π 10-6 H 10.0356 109Hz35.6 MHz 2π LC20 10 12 F R p Q10010 6 H22.4 k22.36 10322.36 k 2010 12 F f 35.6 106 Hz104 Hz BW0.735.6356 kH z Q100 2.3并联谐振回路如图 P2.3所示，已知： C300 pF, L390 μH, Q 100, 信号源内阻 R s100 k , 负载电阻 R L200 k , 求该回路的谐振频率、谐振电阻、通频带。[ 解] f011465 kHz 2π 390 μH300 PF 2π LC R p Q100390 μH114 kΩ 300 PF R e R s // R p // R L 100 kΩ//114. kΩ//200 kΩ=42 kΩ Q e R e42 kΩ42 kΩ 390 μH/300 PF 37 1.14 kΩ BW 0.7 f 0 / Q e 465 kHz/37=12.6 kHz 2.4 已知并联谐振回路的f010 MHz, C=50 pF, BW0.7150 kHz, 求回路的L和Q以及 f600 kHz 时电压衰减倍数。如将通频带加宽为300 kHz ，应在回路两端并接一个多大的电阻 ? [ 解]L11510 6H5μH (2π f0 )2 C(2π 10106 )2 50 10 12

电子技术习题答案

第6章第1次 专业 班 学号 2009 姓名 一、填空题 1．变压器的主要功能有 电压 变换、 电流 变换和 阻抗 变换。 2．稳压二极管稳压工作时，是工作在其特性曲线的 反向击穿 区。 3．稳压管是利用反向击穿 特性来稳压的，正向 也可以 稳压。 4．在电子线路和自动控制系统中，常需要稳定的直流电压，直流稳压电源主要由 变压 、 整流 、 滤波 和 稳压 四部分电路组成。 5．电路如图1所示，二极管为理想元件，已知交流电压表V 1的读数为100V ，负载电阻R L =1 k Ω，开关S 断开时直流电压表V 2 = 45V ，电流表A= 45mA ；开关S 闭合时直流电压表V 2 = 90V ，电流表A= 90mA 。 图1 二、选择题 1．要得到P 型杂质半导体，在本征半导体硅或锗的晶体中，应掺入少量的（ A ）。 A ．三价元素 B ．四价元素 C ．五价元素 D ．六价元素 2．稳压管电路如图2所示，稳压管Z1D 的稳定电压112V Z U =，Z2D 的稳定电压为 26V Z U =，则电压0U 等于（ C ）。 A ．12 V B ．20 V C ．6 V D ．0 V 图2 图3 3．理想二极管构成的电路如图3所示，则输出电压0U 等于（ A ） A ．8 V B .- 6 V C .2 V D .14 V 4．在整流电路中，设整流电路的输出电流平均值为o I ，如果流过每只二极管的电流平

均值D o /2I I =，每只二极管的最高反压为2U ，则这种电路是（ A ） A ．单相桥式整流电路 B ．单相全波整流电路 C ．单相半波整流电路 D ．单相半波整流电容滤波电路 5．稳压管电路如图4所示，稳压管Z1D 的稳定电压112V Z U =，Z2D 的稳定电压为 26V Z U =，则电压0U 等于（ C ） A ．12 V B ．20 V C ．6 V D ．0 V 图4 图5 6．整流电路如图5所示，输出电压平均值0U 是18V ，若因故一只二极管损坏而断开， 则输出电压平均值0U 是（ A ） A ．9 V B ．20 V C ．40 V D ．10 V 三、计算题 1．电路如图6所示，设S V U =6，i sin V u t ω=12，分别画出输出电压01U 和02U 的波形。二极管正向压降忽略不计。 图6 解：

光子学与光电子学 原荣邱琪 习题题解

《光子学与光电子学》 习题及题解 原荣 邱琪 编著 第1章 概述和理论基础 1-10 计算每个脉冲包含的光载波数 考虑工作在1 550 nm 波长的10 Gb/s RZ 数字系统，计算每个脉冲有多少个光载波振荡？ 解：已知λ = 1.550 μm ，所以光频是Hz 101.93514×==λc f ，光波的周期是 1T f ==5.168×10?15 s 。 已知数字速率是10 Gb/s RZ 码，所以脉冲宽度是T = 1/(10×109) = 10?10 s ，所以在该脉冲宽度内的光周期数是 19349015.168/101510ele =×==??T T N 1-11 计算LD 光的相干长度和相干时间 单纵模LD 的发射波长是1550 nm ，频谱宽度是0.02 nm ，计算它发射光的相干时间和相干长度。 解：由题可知，λ = 1550×10?9 m ，Δλ = 0.02 × 10?9 m ，从式（3.1.18）可知 ()()Hz 102.5100155/1031020.0/929 892×=××××=Δ=Δ??λλc v 于是，相干时间是 019104)102.5/(1/1?×=×=Δ≈Δv t s 或者 0.4 ns 相干长度是 12.010*******c =×××=Δ=?t c l m 或者 12 cm 与LED 相比（见例1.3.4），LD 的相干长度是LED 的6.3×103倍。

第2章 光波在光纤波导中的传输 2-14 平面电介质波导中的模数 平面电介质波导宽为100 μm ，，490.11=n 084.12=n ，使用式（2.2.6）估算波长为1.55 μm 的自由空间光入射进该波导时，它能够支持的模数。并把你的估算与下面的取整公式进行比较 1π2Int +?? ????=V M 解：全反射的相位变化不能够大于π，所以φ /π 小于1。对于多模波导，φ>>V ，式（2.2.6） ()π2π2V V m ≈?≤φ。利用已知的参数和式（2.2.7），可以计算V 值如下： ()()21.3648.149.1105.11050π2π212 266212221=?×××=?=??n n a V λ 此时()06.23π/21.362π2=×=≤V m ，把0=m 模算上，就有24个模。利用取整公式可以算出该波导能够支持的模数()()23136.212Int 1π2Int =+×=+=V M 。 该题和例2.2.1比较，因为074.12=n 变为084.12=n ，波长由1.0 μm 变为1.5 μm ，所以波导能够支持的模数也减少了。 2-15 计算保证只有一个TE 模工作的AlGaAs 对称平板波导的最大中心厚度 已知自由空间波长λ = 0.85 μm ， 计算保证只有一个TE 模工作的AlGaAs 对称平板波导的最大中心厚度。波导参数为n 1 = 3.6，n 2 = 3.55。 解：由式（2.2.9）可得到最大平板厚度为 μm 711.055.36.3258.02222221c =?=?=n n d λ 2-16 数值孔径计算 接收机PIN 光电二极管的光敏面是2 mm ，使用1cm 的透镜聚焦，透镜和PIN 管之间为空气，计算接收机的数值孔径。 解：因为n 0 = 1，光敏面d = 1 mm ，透镜焦距f = 10 mm ，d /2f <<1, 所以sin α≈ tan αmax max ，由式（2.3.5）可得到 NA = sin αmax ≈ tan αmax = d /2f = 0.05 对应的最大接收角αmax 为2.87o （见图2.2.6），总接收角为2αmax = 5.74o 。 2-17 平板波导的数值孔径和接收角计算 有一个对称的AlGaAs 平板波导，已知中心介质n 1 = 3.6，与其相邻的介质n 2 = n 3 =3.55，

电力电子作业及答案[精品文档]

1、设计图3.2(a)所示的Buck DC/DC 变换器。电源电压Vs=147～220V ，额定负载电流11A ，最小负载电流1.1A ，开关频率20KHz 。要求输出电压Vo=110V ；纹波小于1%。要求最小负载时电感电流不断流。计算输出滤波电感L 和电容C ，并选取开关管T 和二极管D 。 解：①滤波电感L ： v 1100≡v ，电流连续时M=D= s v v 0 。 当s v =147v 时，D=110/147=0.75;当v 220=s v 时，D=110/220=0.5。 所以在工作范围内占空比D 在0.5~0.75之间变化。要电流连续必须最小负载电流 )1(20 min D Lf V I I s OB o -=≥，应按最小的占空比5.0=D 确定实际运行中的临界负载电流)1(20 D Lf V I s OB -= ，即要求： H H D I f V L O s 25.11 .110202) 5.01(110)1(23min 0=???-?=-≥ 为确保最小负载电流、最小占空比时，电感电流连续，可选取mH L 5.1=。 ②开关关Ｔ和二极管Ｄ的选择： 由)93(-式。电感电流脉动的最大峰－峰值L i ?为： L i ?＝A A D Lf V I I s L L 8.11020105.1) 5.01(110)1(3 30min max =???-?=-= -- 所以：A A i I I L O L 9.11)2/8.111(21 max max =+=?+= A A i I I L O L 1.10)2/8.111(2 1 max min =-=?-= 开关关Ｔ和二极管Ｄ通过的最大峰值电流都是A I L 9.11max =，开关管Ｔ承受的最大正向电压为v V s 220=，二极管Ｄ承受的最大反向电压也是v V s 220=。若取电流过载安全系数为5.1倍，取过电压安全系数的2倍，则可选V A 500/20的MOSFET P -开关管和快恢复二极管。

电子技术作业及其答案

一、领会、理解下列名词、术语及思考题 1.发电：发电是将水力、火力、风力、核能和沼气等非电能转换成电能的过程。发电机组发 出的电压一般为 6 ~ 10 KV。 2.输电：输电就是将电能输送到用电地区或直接输送到大型用电户。输电网是由35KV及以 上的输电线路与其相连接的变电所组成，它是电力系统的主要网络。输电是联系发电厂和用户的中间环节。输电过程中, 一般将发电机组发出的 6~10KV 电压经升压变压器变为 35~500KV 高压，通过输电线可远距离将电能传送到各用户，再利用降压变压器将35KV高压变为 6~10KV 高压。 3.配电：配电是由 10KV 级以下的配电线路和配电(降压)变压器所组成。它的作用是将电能 降为 380/220V 低压再分配到各个用户的用电设备。 4.高压：1KV及以上的电压称为高压。有1, 3, 6, 10, 35, 110, 330, 550KV等。 5.低压：1KV及以下的电压称为低压。有220，380V。 6.安全电压：36V以下的电压称为低压。我国规定的安全电压等级有：12V、24V、36V等。 7.电击：是指电流通过人体，影响呼吸系统、心脏和神经系统，造成人体内部组织的破坏乃 至死亡。 8.电伤：是指在电弧作用下或熔断丝熔断时，对人体外部的伤害，如烧伤、金属溅伤等。 9.本征半导体：完全纯净的、具有晶体结构的半导体，称为本征半导体。 10.本征激发: 价电子在获得一定能量（温度升高或受光照）后，即可挣脱原子核的束缚， 成为自由电子（带负电），同时共价键中留下一个空位，称为空穴（带正电）。这 一现象称为本征激发。 11.电子电流：自由电子作定向运动→电子电流 12.空穴电流：价电子递补空穴→空穴电流 12.载流子：自由电子和空穴统称为载流子。 13.N型半导体：掺入五价元素，掺杂后自由电子数目大量增加，自由电子导电成为这种半 导体的主要导电方式，称为电子半导体或N型半导体。 14.P型半导体：掺入三价元素，掺杂后空穴数目大量增加，空穴导电成为这种半导体的主 要导电方式，称为空穴半导体或 P型半导体。 15.反馈：将放大电路输出端的信号(电压或电流)的一部分或全部通过某种电路引回到输入 端。 16.电压反馈：如果反馈信号取自输出电压，叫电压反馈。 17.电流反馈：如果反馈信号取自输出电流，叫电流反馈。 18.串联反馈：反馈信号与输入信号串联，即反馈信号与输入信号以电压形式作比较，称为 串联反馈。 19.并联反馈：反馈信号与输入信号并联，即反馈信号与输入信号以电流形式作比较，称为 并联反馈。 20.交越失真：当输入信号u i为正弦波时，输出信号在过零前后出现的失真称为交越失真。21．模拟信号：随时间连续变化的信号。如正弦波信号、三角波信号等。 22.模拟电路：处理模拟信号的电路称为模拟电路。如整流电路、放大电路等，注重研究的 是输入和输出信号间的大小及相位关系。在模拟电路中，晶体管三极管通常工作 在放大区。 23.脉冲信号：是一种跃变信号，并且持续时间短暂。如尖顶波、矩形波等。 24.数字电路：处理数字信号的电路称为数字电路，它注重研究的是输入、输出信号之间的 逻辑关系。在数字电路中，晶体管一般工作在截止区和饱和区，起开关的作用。

光电(第二版)习题答案1-9章

第一章绪论 1. 光电子器件按功能分为哪几类？每类大致包括哪些器件？ 光电子器件按功能分为光源器件、光传输器件、光控制器件、光探测器件、光存储器件。 光源器件分为相干光源和非相干光源。相干光源主要包括激光和非线性光学器件等。非相干光源包括照明光源、显示光源和信息处理用光源等。 光传输器件分为光学元件(如棱镜、透镜、光栅、分束器等等)、光波导和光纤等。 光控制器件包括调制器、偏转器、光开关、光双稳器件、光路由器等。 光探测器件分为光电导型探测器、光伏型探测器、热伏型探测器、各种传感器等。 光存储器件分为光盘(包括CD、VCD、DVD、LD等)、光驱、光盘塔等。 2．谈谈你对光电子技术的理解。 光电子技术主要研究物质中的电子相互作用及能量相互转换的相关技术，以光源激光化，传输波导（光纤）化，手段电子化，现代电子学中的理论模式和电子学处理方法光学化为特征，是一门新兴的综合性交叉学科。 3．谈谈光电子技术各个发展时期的情况。 20世纪60年代，光电子技术领域最典型的成就是各种激光器的相继问世。 20世纪70年代，光电子技术领域的标志性成果是低损耗光纤的实现，半导体激光器的成熟特别是量子阱激光器的问世以及CCD的问世。 20世纪80年代，出现了大功率量子阱阵列激光器；半导体光学双稳态功能器件的得到了迅速发展；也出现了保偏光纤、光纤传感器，光纤放大器和光纤激光器。 20世纪90年代，掺铒光纤放大器(EDFA)问世，光电子技术在通信领域取得了极大成功，

形成了光纤通信产业；。另外，光电子技术在光存储方面也取得了很大进展，光盘已成为计算机存储数据的重要手段。 21世纪，我们正步入信息化社会，信息与信息交换量的爆炸性增长对信息的采集、传输、处理、存储与显示都提出了严峻的挑战，国家经济与社会的发展，国防实力的增强等都更加依赖于信息的广度、深度和速度。 ⒋举出几个你所知道的光电子技术应用实例。 如：光纤通信，光盘存储，光电显示器、光纤传感器、光计算机等等。 ⒌据你了解，继阴极射线管显示（CRT）之后，哪几类光电显示器件代表的技术有可能发展成为未来显示技术的主体？ 等离子体显示（PDP），液晶显示（LCD），场致发射显示（EL）。

《电力电子技术(第二版)》课后习题及解答

《电力电子技术》习题及解答 第1章思考题与习题 晶闸管的导通条件是什么导通后流过晶闸管的电流和负载上的电压由什么决定 答：晶闸管的导通条件是：晶闸管阳极和阳极间施加正向电压，并在门极和阳极间施加正向触发电压和电流（或脉冲）。 导通后流过晶闸管的电流由负载阻抗决定，负载上电压由输入阳极电压U A决定。 晶闸管的关断条件是什么如何实现晶闸管处于阻断状态时其两端的电压大小由什么决定 答：晶闸管的关断条件是：要使晶闸管由正向导通状态转变为阻断状态，可采用阳极电压反向使阳极电流I A减小，I A 下降到维持电流I H以下时，晶闸管内部建立的正反馈无法进行。进而实现晶闸管的关断，其两端电压大小由电源电压U A

决定。 温度升高时，晶闸管的触发电流、正反向漏电流、维持电流以及正向转折电压和反向击穿电压如何变化 答：温度升高时，晶闸管的触发电流随温度升高而减小，正反向漏电流随温度升高而增大，维持电流I H 会减小，正向转折电压和反向击穿电压随温度升高而减小。 晶闸管的非正常导通方式有哪几种 答：非正常导通方式有：(1) I g =0，阳极电压升高至相当高的数值；(1) 阳极电压上升率du/dt 过高；(3) 结温过高。 请简述晶闸管的关断时间定义。 答：晶闸管从正向阳极电流下降为零到它恢复正向阻断能力所需的这段时间称为关断时间。即gr rr q t t t +=。 试说明晶闸管有哪些派生器件 答：快速晶闸管、双向晶闸管、逆导晶闸管、光控晶闸管等。

请简述光控晶闸管的有关特征。 答：光控晶闸管是在普通晶闸管的门极区集成了一个光电二极管，在光的照射下，光电二极管电流增加，此电流便可作为门极电触发电流使晶闸管开通。主要用于高压大功率场合。 型号为KP100-3，维持电流I H =4mA 的晶闸管，使用在图题所示电路中是否合理，为什么(暂不考虑电压电流裕量) 图题 答：（a ）因为H A I mA K V I <=Ω = 250100，所以不合理。 (b) 因为A V I A 2010200=Ω = , KP100的电流额定值为100Ａ，裕量达５倍，太大了。 （c ）因为A V I A 1501150=Ω = ，大于额定值，所以不合理。

电大电工电子技术形成性考核作业答案

形成性作业（一）参考答案 一、单项选择题 1.图1所示电路中的电流I 为（A ） A.-1A B.1A C.2A 2.图2所示电路中电流I 为（B ） A.5A B.-15 C.-5 3.图3所示电路中，电流表正负接线端用“+”，“-”号标出。今电流表指针正向偏转，示数10A ，有关电流，电压方向也表示在图中，则（C ）正确。 A.I1=10A ，U=-6V B.I=-10A ，U=6V C.I1=10A ，U=12V 4.图4所示电路中，电流I 为（B ） A.-3V B.5A C.2A 5.图5所示电路中U 为（A ） A.30V B.-10V C.-40V 6.图6所示电路中，判断电阻R 中流通的电流及消耗的功率为（A ） A.1A ，2W B.2A ，4W C.2A ，2W 7.图7所示电路中，判断电阻R 中流通的电流及消耗的功率为（B ） A.0A ，2W B.1A ，2W C.1A ，4W 8.图8所示电路中，电位器RP1的滑动端向下移动及RP2的滑动端向右移动时，电流I1，I2的变化趋势是（B ） A.I1减小，I2增大 B.I1增大，I2减小 C.I1不变，I2减小 9.图9所示电路中，UAB 的数值是（C ） A.0V B.2V C.10V 10.图10所示电路的I ，U 表达示为（B ）。 A.I1=I-IS ，U=（-IS-I ）/g B.I1=-I-IS,U=(-IS-I)/g C.I1=I-IS,U=(I-IS)/g 二、简答题 1、恒压源的性质是什么？ 答：恒压源的性质为（1）它的输出电压始终是恒定的，不受输出电流的影响；（2）通过它的电流不由它本身决定，由与之相连的负载电阻决定。 2、恒流源的性质是什么？ 答：恒流源的性质为（1）它的输出电流始终是恒定的，不受输出电压的影响；（2）恒流源的端电压不由它自身决定，由与之相连的负载电阻决定。 3、负载增加的涵义是什么？在近似恒压源供电或近似恒流源供电系统中，负载增加相当于负载电阻增大还是减小？ 答：负载增加意指电路的输出功率增加。在近似恒压源供电系统中，负载获得的功率P=UI=R U 2， 负载增加既是负载电流增大，相当于负载电阻减小。 在近似恒流源供电的系统中，负载获得的功率P=UI=I 2R ，负载增加既是负载电压增大，相当于负载电阻加大。 4、电压源模型与电流源模型等效交换的条件是什么？

电力电子技术作业解答复习用

第一章作业 1. 使晶闸管导通的条件是什么？ 答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。或：u AK>0且u GK>0。 2. 维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？ 答：维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持电流。要使晶闸管由导通变为关断，可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下，即降到维持电流以下，便可使导通的晶闸管关断。 3. 图1-43 中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为I m，试计算各波形的电流平均值I d1、I d2、I d3与电流有效值I1、I2、I3。 解：（a） (b) (c)

第二章作业 1. 单相半波可控整流电路对电感负载供电，L＝20mH，U2＝100V，求当α＝0?和60? 时的负载电流I d，并画出u d与i d波形。 解：α＝0?时，在电源电压u2的正半周期晶闸管导通时，负载电感L储能，在晶闸管开始导通时刻，负载电流为零。在电源电压u2的负半周期，负载电感L释放能量，晶闸管继续导通。因此，在电源电压u2的一个周期里，以下方程均成立： 考虑到初始条件：当ωt＝0 时i d＝0 可解方程得： u d与i d的波形如下图： 当α＝60°时，在u2正半周期60?~180?期间晶闸管导通使电感L储能，电感L储藏的能量在u2负半周期180?~300?期间释放，因此在u2一个周期中60?~300?期间以下微分方程成立：

考虑初始条件：当ωt＝60 时i d＝0 可解方程得： 其平均值为 此时u d与i d的波形如下图： 2．图2-9为具有变压器中心抽头的单相全波可控整流电路，问该变压器还有直流磁 ；②当负载是电阻或电化问题吗？试说明：①晶闸管承受的最大反向电压为 2 感时，其输出电压和电流的波形与单相全控桥时相同。 答：具有变压器中心抽头的单相全波可控整流电路，该变压器没有直流磁化的问题。因为单相全波可控整流电路变压器二次测绕组中，正负半周内上下绕组内电流的方向相反，波形对称，其一个周期内的平均电流为零，故不会有直流磁化的问题。 以下分析晶闸管承受最大反向电压及输出电压和电流波形的情况。 ①以晶闸管VT2为例。当VT1导通时，晶闸管VT2通过VT1与2个变压器二次绕 。 组并联，所以VT2承受的最大电压为 2 ②当单相全波整流电路与单相全控桥式整流电路的触发角a 相同时，对于电阻