IC 74254

MILITARY AND COMMERCIAL TEMPERATURE RANGES

DECEMBER 1995

The IDT octal buffer/line drivers are built using an advanced dual metal CMOS technology. The FCT240T/FCT2240T and FCT244T/FCT2244T are designed to be employed as memory and address drivers, clock drivers and bus-oriented transmit-ter/receivers which provide improved board density.

The FCT540T and FCT541T/FCT2541T are similar in function to the FCT240T/FCT2240T and FCT244T/FCT2244T,respectively, except that the inputs and outputs are on oppo-site sides of the package. This pinout arrangement makes these devices especially useful as output ports for micropro-cessors and as backplane drivers, allowing ease of layout and greater board density.

The FCT2240T, FCT2244T and FCT2541T have balanced output drive with current limiting resistors. This offers low ground bounce, minimal undershoot and controlled output fall times-reducing the need for external series terminating resis-tors. FCT2xxxT parts are plug-in replacements for FCTxxxT parts.

The IDT logo is a registered trademark of Integrated Device Technology, Inc.

?Common features:

–Low input and output leakage ≤1μA (max.)–CMOS power levels

–True TTL input and output compatibility – V OH = 3.3V (typ.)– V OL = 0.3V (typ.)

–Meets or exceeds JEDEC standard 18 specifications –Product available in Radiation Tolerant and Radiation Enhanced versions

–Military product compliant to MIL-STD-883, Class B and DESC listed (dual marked)

–Available in DIP, SOIC, SSOP, QSOP, CERPACK and LCC packages

?Features for FCT240T/FCT244T/FCT540T/FCT541T:–Std., A, C and D speed grades

–High drive outputs (-15mA I OH , 64mA I OL )?Features for FCT2240T/FCT2244T/FCT2541T:–Std., A and C speed grades

–Resistor outputs (-15mA I OH , 12mA I OL Com.)

(-12mA I OH , 12mA I OL Mil.)

–Reduced system switching noise

2565 drw 03

2565 drw 02

2565 drw 01

DA 0DA 1DA 2DA 3DB 0DB 1DB 2DB 3

FCT240/2240T

DA 0OB 0DA 1OB 1DA 2OB 2DA 3OB 3OA 0DB 0OA 1DB 1DB 2DB 3

OA 2OA 3FCT244/2244T D O 0D D D D D D D O 1O 2O 3O 4O 5O 6O 7

FCT540/541/2541T

*Logic diagram shown for 'FCT540.

'FCT541/2541T is the non-inverting option.

OE A

OE B

OE A

OE B OE OB 0OB 1OB 2OB 3

OE B

OA 0OA 1OA 2OA 3FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAMS

PIN CONFIGURATIONS

FCT240/2240T

FCT244/2244T

2565 drw 08

2565 drw 04

2565 drw 07

DA 0DA 1DA 2DA 3GND

DB 0DB 1DB 2DB 3

V CC DIP/SOIC/SSOP/QSOP/CERPACK

TOP VIEW

DB 0DB 10

O B G N D B O A D B 2

LCC TOP VIEW

OE A 0

123OE B 0OA 1OA 230OA 1OA 2

DA 0OB 0DA 1OB 1DA 2OB 2DA 3OB 3OA 0DB 0OA 1DB 1DB 2DB 3

OA 2OA 3V CC DIP/SOIC/SSOP/QSOP/CERPACK

TOP VIEW

OA 0DB 0OA 1DB 1OA 2

*

O B G N D B 3

O A D B

LCC TOP VIEW

OE B OE A A

2565 drw 05

FCT540/541/2541T

D 0D 2D 3D 4D 5D 6D 7GND

O 0*O 1*O 2*O 3*O 5*O 7*

O 4*O 6*V CC DIP/SOIC/QSOP/CERPACK

TOP VIEW

O 0*O 1*O 2*O 3*O 4*

LCC TOP VIEW

C

D 7

G N O 7*

O 6O 5A A

OE B D 12565 drw 06

2565 drw 09

*O x for 540, Ox for 541/2541T

(1)

A 1.Stresses greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUM RAT-INGS may cause permanent damage to the device. This is a stress rating only and functional operation of the device at these or any other conditions above those indicated in the operational sections of this specification is not implied. Exposure to absolute maximum rating conditions for extended periods may affect reliability. No terminal voltage may exceed V CC by +0.5V unless otherwise noted.2.Input and V CC terminals only.3.Outputs and I/O terminals only.

2565 tbl 02

1.H = High Voltage Level X = Don’t Care

L = Low Voltage Level Z = High Impedance

2565 lnk 04

NOTE:

1. This parameter is measured at characterization but not tested.

DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS OVER OPERATING RANGE

Following Conditions Apply Unless Otherwise Specified:

2565 lnk 07 NOTES:

1.For conditions shown as Max. or Min., use appropriate value specified under Electrical Characteristics for the applicable device type.

2.Typical values are at Vcc = 5.0V, +25°C ambient.

3.Not more than one output should be shorted at one time. Duration of the short circuit test should not exceed one second.

4.The test limit for this parameter is ±5μA at T A = –55°C.

1.For conditions shown as Max. or Min., use appropriate value specified under Electrical Characteristics for the applicable device type.

2.Typical values are at V CC = 5.0V, +25°C ambient.

3.Per TTL driven input (V IN = 3.4V). All other inputs at V CC or GND.

4.This parameter is not directly testable, but is derived for use in Total Power Supply Calculations.

5.Values for these conditions are examples of the I CC formula. These limits are guaranteed but not tested.

6.I C = I QUIESCENT + I INPUTS + I DYNAMIC

I C = I CC + ?I CC D H N T + I CCD (f CP/2 + f i N i)

I CC = Quiescent Current

?I CC = Power Supply Current for a TTL High Input (V IN = 3.4V)

D H = Duty Cycle for TTL Inputs High

N T = Number of TTL Inputs at D H

I CCD = Dynamic Current Caused by an Input Transition Pair (HLH or LHL)

f CP = Clock Frequency for Register Devices (Zero for Non-Register Devices)

f i = Input Frequency

N i = Number of Inputs at f i

All currents are in milliamps and all frequencies are in megahertz.

2565 tbl 11

NOTES:

1.See test circuit and waveforms.

2.Minimum limits are guaranteed but not tested on Propagation Delays.

1.See test circuit and waveforms.

2.Minimum limits are guaranteed but not tested on Propagation Delays.

TEST CIRCUITS AND WAVEFORMS TEST CIRCUITS FOR ALL OUTPUTS

SET-UP, HOLD AND RELEASE TIMES

PULSE WIDTH

DEFINITIONS:

C L =Load capacitance: includes jig and probe capacitance.

R T =Termination resistance: should be equal to Z OUT of the Pulse

Generator.

2565 drw 12

7.0V

3V 1.5V 0V

3V 1.5V 0V 3V 1.5V 0V 3V 1.5V 0V DATA INPUT

PRESET CLEAR ETC.

1.5V

1.5V

SAME PHASE INPUT TRANSITION

3V 1.5V 0V 1.5V V OH OUTPUT

OPPOSITE PHASE INPUT TRANSITION

3V 1.5V 0V V OL 3V

1.5V

0V 3.5V 0V

V OL

ENABLE

DISABLE

V OH

PRESET CLEAR

CLOCK ENABLE

ETC.

PROPAGATION DELAY ENABLE AND DISABLE TIMES

2565 drw 14

NOTES:

1.Diagram shown for input Control Enable-LOW and input Control Disable-HIGH

2.Pulse Generator for All Pulses: Rate ≤ 1.0MHz; t F ≤ 2.5ns; t R ≤ 2.5ns

ORDERING INFORMATION

2565 drw 15

IDT XX

Temp. Range

XXXX Device Type

X Package

X

Process

Blank B P D SO L E PY Q 240T 244T 540T 541T 240AT 244AT 540AT 541AT 240CT 244CT 540CT 541CT 240DT 244DT Commercial

MIL-STD-883, Class B

Plastic DIP CERDIP

Small Outline IC

Leadless Chip Carrier CERPACK

Shrink Small Outline Package

Quarter-size Small Outline Package Inverting Octal Buffer/Line Driver

Non-Inverting Octal Buffer/Line Driver Non-Inverting Octal Buffer/Line Driver Inverting Octal Buffer/Line Driver

Non-Inverting Octal Buffer/Line Driver

–55°C to +125°C 0°C to +70°C

FCT

X Family

Blank 2High Drive

Balanced Drive

ZCC9430 DC-DC同步升压芯片-内置MOS

ZCC9430同步升压芯片 一、产品综述 ZCC9430芯片是一款具有600KHz的自动调节频率、高效率、宽输入范围的电流模式升压（BOOST）芯片，且具有高效率同步升压功能和可调限流功能。该电源芯片内部全集成低内阻功率MOSFET，可以实现大功率输出的同时，大大简化了外部电路设计，同时实现低功耗，高效率电源开关。用户可灵活地通过外部补偿建立动态环路，获得在所有条件下最优瞬态性能。 ZCC9430芯片还包括欠压锁存，过流保护和过温保护，以防止在输出过载时产生损害。二、产品特点 ? 完全符合Intel Thunderbolt Power Spec. ? 输入限流电阻，灵活设置最大输出功率? 输入最大电流可达8A ? 自动调频，最大限度降低功耗 ? 增强PWM模式的快速瞬态响应 ? 3.0 V-30V宽输入范围 ? 输出电压:5V To 30V ? 芯片停止工作时电流< 1μA 三、产品应用 ? Thunderbolt 接口 ? 笔记本电脑和平板电脑 ? 热插拔电源管理 ? 通信供应电源 四、典型应用电路

ZCC9430同步升压芯片 五、采用QFN20 5mm*5mm封装 绝对最大额定参数(1)： SW, OUT ....... ..............–0.5V to +35V IN, SENSE .... ................–0.5V to +35V BST, SDR ....... ........–0.5V to Vsw+5V 其他管脚....... ...............–0.3V to +5V EN 偏置电流……...... ..........… 0.5mA 结温度................ .... .................. 150°C 存储温度. ....... .......... -65°C to +150°C 额定功耗 (TA......=+25°C)....2.6W（2） 推荐的操作条件（3） 电源电压VIN..............3.0V to 30V 输出电压 VOUT........ 5V to 30V EN 偏置电流……0mA to 0.3mA 操作临界温度. ....-40°C to +125°C 注: 1)超过这些额定参数可能损坏设备。 2)最大允许功耗是一个关于最大临界温度T J(MAX)，过热保护电阻θJA，环境温度T A的函数。在任何环境温度下的最大允许额定功耗计算公式为P D(MAX)=(T J(MAX)-T A)/θJA。超过了最大允许功耗将导致过温，导致产生过温保护。内部过温保护电路保护芯片免受永久性的损害。 3)芯片不能保证其在操作条件以外运行。

升压恒压IC驱动IC方案

特点 n 5V 到40V 宽输入电压范围 n 1.25V 输出电压采样电压 n SW 内置过压保护功能 n 固定220KHz 开关频率 n 最大5A 开关电流 n 94%以上转换效率 n EN 脚TTL 关断功能 n 出色的线性与负载调整率 n 内置功率MOS n 内置频率补偿功能 n 内置软启动功能 n 内置热关断功能 n 内置电流限制功能 n TO263-5L 封装 应用 n EPC/笔记本车载适配器 n 升压、升降压转换 n 手持式设备供电 XL6019是一款专为升压、升降压设计的单片集成电路，可工作在DC5V 到40V 输入电压范围，低纹波，内置功率MOS 。XL6019内置固定频率振荡器与频率补偿电路，简化了电路设计。 PWM 控制环路可以调节占空比从0~90%之间线性变化。内置过电流保护功能与EN 脚逻辑电平关断功能。 图1. XL6019封装

220KHz 60V 5A开关电流升压/升降压型DC-DC转换器XL6019 引脚配置 图2. XL6019引脚配置 表1.引脚说明 引脚号引脚名描述 1 GND 接地引脚。 2 EN 使能引脚，低电平关机，高电平工作，悬空时为高电平。 3 SW 功率开关输出引脚，SW是输出功率的开关节点。 4 VIN 电源输入引脚，支持5V到40V DC范围电压输入，需要在VIN 与GND之间并联电解电容以消除噪声。 5 FB 输出电压采样引脚，FB参考电压为1.25V。

220KHz 60V 5A 开关电流升压/ 升降压型DC-DC 转换器 XL6019 方框图 图3. XL6019方框图 典型应用 VOUT=1.25*(1+R2/R1) L1 47uH/5A 图4. XL6019系统参数测量电路

半导体器件综合参数测试

研究生《电子技术综合实验》课程报告 题目：半导体器件综合参数测试 学号 姓名 专业 指导教师 院（系、所） 年月日

一、实验目的： （1）了解、熟悉半导体器件测试仪器，半导体器件的特性，并测得器件的特性参数。掌握半导体管特性图示仪的使用方法，掌握测量晶体管输入输出特性的测量方法。 （2）测量不同材料的霍尔元件在常温下的不同条件下（磁场、霍尔电流）下的霍尔电压，并根据实验结果全面分析、讨论。 二、实验内容： （1）测试3AX31B、3DG6D的放大、饱和、击穿等特性曲线，根据图示曲线计算晶体管的放大倍数； （2）测量霍尔元件不等位电势，测霍尔电压，在电磁铁励磁电流下测霍尔电压。 三、实验仪器： XJ4810图示仪、示波器、三极管、霍尔效应实验装置 四、实验原理： 1.三极管的主要参数： （1）直流放大系数h FE：h FE=（I C-I CEO）/I B≈I C/I B。其中I C为集电极电流，I B为基极电流。 基极开路时I C值，此值反映了三极管热稳定性。 （2）穿透电流I CEO ： （3）交流放大系数β：β=ΔI C/ΔI B （4）反向击穿电压BV CEO：基极开路时，C、E之间击穿电压。 2.图示仪的工作原理： 晶体管特性图示仪主要由阶梯波信号源、集电极扫描电压发生器、工作于X-Y方式的示波器、测试转换开关及一些附属电路组成。晶体管特性图示仪根据器件特性测量的工作原理，将上述单元组合，实现各种测试电路。阶梯波信号源产生阶梯电压或阶梯电流，为被测晶体管提

供偏置；集电极扫描电压发生器用以供给所需的集电极扫描电压，可根据不同的测试要求，改变扫描电压的极性和大小；示波器工作在X-Y状态，用于显示晶体管特性曲线；测试开关可根据不同晶体管不同特性曲线的测试要求改变测试电路。（原理如图1） 上图中，R B、E B构成基极偏置电路。当E B》V BE时，I B=（E B-V BE）/R B基本恒定。晶体管C-E之间加入锯齿波扫描电压，并引入小取样电阻RC，加到示波器上X轴Y轴电压分别为：V X=V CE=V CA+V AC=V CA-I C R C≈V CA V Y=-I C·R C∝-I C I B恒定时，示波器屏幕上可以看到一根。I C-V CE的特征曲线，即晶体管共发射极输出特性曲线。为了显示一组在不同I B的特征曲线簇I CI=φ应该在X轴锯齿波扫描电压每变化一个周期时，使I B也有一个相应的变化。应将E B改为能随X轴的锯齿波扫描电压变化的阶梯电压。每一个阶梯电压能为被测管的基极提供一定的基极电流，这样不同变化的电压V B1、V B2、V B3…就可以对应不同的基极注入电流I B1、I B2、I B3….只要能使没一个阶梯电压所维持的时间等于集电极回路的锯齿波扫描电压周期。如此，绘出I CO=φ（I BO，V CE）曲线与I C1=φ（I B1，V CE）曲线。 3.直流电流放大系数h FE与工作点I,V的关系 h FE是晶体三极管共发射极连接时的放大系数，h FE=I C/I B。以n-p-n晶体管为例，发射区的载流子（电子）流入基区。这些载流子形成电流I E，当流经基区时被基区空穴复合掉一部分，这复合电流形成IB，复合后剩下的电子流入集电区形成电流为IC，则I E=IB+IC。因IC>>IB 所以一般h FE=IC/IB都很大。

XC9119 DCDC升压芯片

XC9119D10A Series 1MHz, PWM Controlled, Step-Up DC/DC Converter, Ceramic Capacitor Compatible ETR0408_008 ■GENERAL DESCRIPTION The XC9119D10A series is 1MHz, PWM controlled step-up DC/DC converter, designed to allow the use of ceramic capacitors. With a built-in 2.0Ω switching transistor, the XC9119D10A series can easily provide a step-up operation by using only a coil, a diode, a capacitor, and a resistor, connected externally. Since output voltage up to 19.5V (Maximum Lx operating voltage: 20V) can be derived with reference voltage supply of 1.0V (±2.0%) and external components, the series can easily supply high voltage for various general-purpose power supplies, LCD panels and organic EL displays. With a high switching frequency of 1.0MHz, a low profile and small board area solution can be achieved using a chip coil and an ultra small ceramic output capacitor. With the current limit function (400mA (TYP .): V DD =3.6V), a peak current, which flows through built-in driver transistors can be limited. Soft-start time can be adjusted by external resistors and capacitors. The stand-by function enables the output to be turned off (CE ’L’), that is, the supply current will be less than 1.0?A. ■TYPICAL APPLICATION CIRCUIT ■APPLICATIONS ●Organic electroluminescence display (OELD)●Power supplies for LCDs ●Multi-function power supplies ■FEATURES Operating Voltage Range : 2.5V ~ 6.0V Output Voltage Range : Up to 19.5V externally set-up : Reference voltage 1.0V +2.0% Oscillation Freq uency : 1.0MHz ±20% ON Resistance : 2.0Ω (V DD =3.6V, V DS=0.4V) Efficiency : 86% (V OUT =15V, V DD =3.6V, I OUT =10mA) Control : PWM control Stand-by function : I STB =1.0?A (MAX.) Load Capacitor : Low ESR ceramic capacitor Ultra Small Packages : SOT-25, USP-6C Lx Limit Current : 400mA (V DD =3.6V) ■TYPICAL PERFORMANCE CHARACTERISTICS ○Efficiency vs. Output Current 1020304050607080901000.1 1 101001000 Output Current: I OUT (mA) E f f i c i e n c y : E F F I (%) XC9119D10A 1/18

升压芯片-TPS系列

10Low-power DC/DC converter selection guides Page 7TPS6110x,Dual output DC/DC converter with integrated LDO offers complete power supply solution in one device Page 8TPS6220x, 97% efficient step-down converter in SOT-23TPS62202GND Vin EN SW FB 10 μH 2.5 V . . . 6.0 V 1.8 V/300 mA 100.0090.0080.0070.0060.0050.0040.0030.0020.0010.000.00 3.60.010.11101001000Iout/mA TPS62202 efficiency vs. Iout U p d a te d 2Q '02 R E A L W O R L D S I G N A L P R O C E S S I N G TM Actual Size (3.0 mm x 3.0 mm)SOT -23 package QFN/MLP-24 package 10 μH TPS61106 3.3 V LBO1LBO2PGOOD 1.5 V >250 mA >120 mA SWN SWN LBI SKIPEN ADEN EN ENPB ENLDO GND PGND PGOOD LB02LB01LDOSENSE LDOOUT LDOIN VOUT 0.8 V . . . 3.3 V Battery Order your free copy of the UPDATED 'Power Management Selection Guide' Actual Size (4.0 mm x 4.0 mm)?

HX3141 DC-DC升压IC

HX1001 T i n y P a c k a g e,H i g h E f f i c i e n c y,S t e p-u p F e a t u r e s Input Voltage Range: 1.1V~5.5V Internal MOSFET with high switch current up to 3A 90% Efficiency Up to 450kHz Switching Frequency SOT-23-6L Package A p p l i c a t i o n s PDA DSC LCD Panel RF-Tags MP3 Portable Instruments Wireless Equipments D e s c r i p t i o n The HX3141 is a compact, high efficiency, and low voltage step-up DC/DC converter including an error amplifier, ramp generator, comparator, switch pass element and driver in which providing a stable and high efficient operation over a wide range of load currents. It operates in stable waveforms without external compensation. The high switching rate minimized the size of external components. Besides, the low quiescent current together with high efficiency maintains long battery lifetime. The output voltage is set with two external resistors. The HX3141 is available in the industry standard SOT-23-6L power packages.

ic半导体测试基础(中文版)88678

本章节我们来说说最基本的测试——开短路测试（Open-Short Test），说说测试的目的和方法。 一．测试目的 Open-Short Test也称为ContinuityTest或Contact Test，用以确认在器件测试时所有的信号引脚都与测试系统相应的通道在电性能上完成了连接，并且没有信号引脚与其他信号引脚、电源或地发生短路。 测试时间的长短直接影响测试成本的高低，而减少平均测试时间的一个最好方法就是尽可能早地发现并剔除坏的芯片。Open-Short测试能快速检测出DUT是否存在电性物理缺陷，如引脚短路、bond wire缺失、引脚的静电损坏、以及制造缺陷等。 另外，在测试开始阶段，Open-Short测试能及时告知测试机一些与测试配件有关的问题，如ProbeCard或器件的Socket没有正确的连接。 二．测试方法 Open-Short测试的条件在器件的规格数或测试计划书里通常不会提及，但是对大多数器件而言，它的测试方法及参数都是标准的，这些标准值会在稍后给出。 基于PMU的Open-Short测试是一种串行（Serial）静态的DC测试。首先将器件包括电源和地的所有管脚拉低至“地”（即我们常说的清0），接着连接PMU到单个的DUT 管脚，并驱动电流顺着偏置方向经过管脚的保护二极管——一个负向的电流会流经连接到地的二极管（图3-1），一个正向的电流会流经连接到电源的二极管（图3-2），电流的大小在100uA到500uA之间就足够了。大家知道，当电流流经二极管时，会在其P-N结上引起大约0.65V的压降，我们接下来去检测连接点的电压就可以知道结果了。 既然程序控制PMU去驱动电流，那么我们必须设置电压钳制，去限制Open管脚引起的电压。Open-Short测试的钳制电压一般设置为3V——当一个Open的管脚被测试到，它的测试结果将会是3V。 串行静态Open-Short测试的优点在于它使用的是DC测试，当一个失效（failure）发生时，其准确的电压测量值会被数据记录（datalog）真实地检测并显示出来，不管它是Open引起还是Short导致。缺点在于，从测试时间上考虑，会要求测试系统对DUT的每个管脚都有相应的独立的DC测试单元。对于拥有PPPMU结构的测试系统来说，这个缺点就不存在了。 当然，Open-Short也可以使用功能测试（Functional Test）来进行，我会在后面相应的章节提及。

升压IC内置MOS管高性价比方案

n 5V 到40V 宽输入电压范围 n 0.22V 输出电流采样电压 n 输出可驱动2~10串1W LED n 固定400KHz 开关频率 n 最大2A 开关电流 n SW 内置过压保护功能 n 93%以上转换效率 n EN 脚TTL 关断功能 n 出色的线性与负载调整率 n 内置功率MOS n 内置频率补偿功能 n 内置软启动功能 n 内置热关断功能 n 内置电流限制功能 n SOP-8L 封装 应用 n 升压恒流驱动 n 显示器LED 背光 n 通用LED 照明 图1. XL6013封装 器，可工作在DC5V 到40V 输入电压范围，低纹波，内置功率MOS 。XL6013内置固定频率振荡器与频率补偿电路，简化了电路设计。 当输入电压大于或等于12V 时，XL6013可驱动5至10串1W LED 。 PWM 控制环路可以调节占空比从0~90%之间线性变化。内置过电流保护功能与EN 脚逻辑电平关断功能。内部补偿模块可以减少外围元器件数量。

400KHz 60V 2A 开关电流升压型LED 恒流驱动器 XL6013 引脚配置 SW EN FB VIN NC SW GND GND 图2. XL6013引脚配置 表1.引脚说明 引脚号 引脚名 描述 1 EN 使能引脚，低电平关机，高电平工作，悬空时为高电平。 2 VIN 电源输入引脚，支持5V 到40V DC 范围电压输入，需要在VIN 与GND 之间并联电解电容以消除噪声。 3 FB 输出电流采样引脚，FB 参考电压为0.22V 。 4 NC 无连接。 5,6 SW 功率开关输出引脚，SW 是输出功率的开关节点。 7,8 GND 接地引脚。

半导体晶圆针测与测试制程

晶圆针测制程 晶圆针测（Chip Probing；CP）之目的在于针对芯片作电性功能上的测试（Test），使IC 在进入构装前先行过滤出电性功能不良的芯片，以避免对不良品增加制造成本。 半导体制程中，针测制程只要换上不同的测试配件，便可与测试制程共享相同的测试机台（Tester）。 所以一般测试厂为提高测试机台的使用率，除了提供最终测试的服务亦接受芯片测试的订单。以下将此针测制程作一描述。 上图为晶圆针测之流程图，其流程包括下面几道作业： （1）晶圆针测并作产品分类（Sorting） 晶圆针测的主要目的是测试晶圆中每一颗晶粒的电气特性，线路的连接，检查其是否为不良品，若 为不良品，则点上一点红墨水，作为识别之用。除此之外，另一个目的是测试产品的良率，依良率 的高低来判断晶圆制造的过程是否有误。良品率高时表示晶圆制造过程一切正常，若良品率过低，表示在晶圆制造的过程中，有某些步骤出现问题，必须尽快通知工程师检查。 （2）雷射修补（Laser Repairing） 雷射修补的目的是修补那些尚可被修复的不良品（有设计备份电路在其中者），提高产品的良品率。 当晶圆针测完成后，拥有备份电路的产品会与其在晶圆针测时所产生的测试结果数据一同送往雷射 修补机中，这些数据包括不良品的位置，线路的配置等。雷射修补机的控制计算机可依这些数据，尝试将晶圆中的不良品修复。 （3）加温烘烤（Baking） 加温烘烤是针测流程中的最后一项作业，加温烘烤的目的有二： （一）将点在晶粒上的红墨水烤干。 （二）清理晶圆表面。经过加温烘烤的产品，只要有需求便可以出货。

半导体测试制程 测试制程乃是于IC构装后测试构装完成的产品之电性功能以保证出厂IC功能上的完整性，并对已测试的产品依其电性功能作分类（即分Bin），作为IC不同等级产品的评价依据；最后并对产品作外观检验（Inspect）作业。 电性功能测试乃针对产品之各种电性参数进行测试以确定产品能正常运作，用于测试之机台将根据产品不同之测试项目而加载不同之测试程序；而外观检验之项目繁多，且视不同之构装型态而有所不同，包含了引脚之各项性质、印字（mark）之清晰度及胶体（mold）是否损伤等项目。而随表面黏着技术的发展，为确保构装成品与基版间的准确定位及完整密合，构装成品接脚之诸项性质之检验由是重要。以下将对测试流程做一介绍 上图为半导体产品测试之流程图，其流程包括下面几道作业： 1.上线备料 上线备料的用意是将预备要上线测试的待测品，从上游厂商送来的包箱内拆封，并一颗颗的放在一 个标准容器（几十颗放一盘，每一盘可以放的数量及其容器规格，依待测品的外形而有不同）内，以利在上测试机台（Tester）时，待测品在分类机（Handler）内可以将待测品定位，而使其内的 自动化机械机构可以自动的上下料。 2.测试机台测试（FT1、FT2、FT3） 待测品在入库后，经过入库检验及上线备料后，再来就是上测 试机台去测试；如前述，测试机台依测试产品的电性功能种类 可以分为逻辑IC测试机、内存IC测试机及混合式IC（即同时包 含逻辑线路及模拟线路）测试机三种，测试机的主要功能在于 发出待测品所需的电性讯号并接受待测品因此讯号后所响应 的电性讯号并作出产品电性测试结果的判断，当然这些在测试 机台内的控制细节，均是由针对此一待测品所写之测试程序 （Test Program）来控制。

DC-DC升压(BOOST)电路原理

DC-DC升压(BOOST)电路原理 BOOST升压电路中： 电感的作用：是将电能和磁场能相互转换的能量转换器件，当MOS开关管闭合后，电感将电能转换为磁场能储存起来，当MOS断开后电感将储存的磁场能转换为电场能，且这个能量在和输入电源电压叠加后通过二极管和电容的滤波后得到平滑的直流电压提供给负载，由于这个电压是输入电源电压和电感的磁砀能转换为电能的叠加后形成的，所以输出电压高于输入电压，既升压过程的完成； 肖特基二极管主要起隔离作用，即在MOS开关管闭合时，肖特基二极管的正极电压比负极电压低，此时二极管反偏截止，使此电感的储能过程不影响输出端电容对负载的正常供电；因在MOS管断开时，两种叠加后的能量通过二极向负载供电，此时二极管正向导通，要求其正向压降越小越好，尽量使更多的能量供给到负载端！！

在图2所示的实际电路中，带集成功率MOSFET的IC代替了机械开关，MOSFET的开、关由脉宽调制(PWM)电路控制。输出电压始终由PWM占空比决定，占空比为50%时，输出电压为输入电压的两倍。将电压提高一倍会使输入电流大小达到输出电流的两倍，对实际的有损耗电路，输入电流还要稍高。 电感值如何影响电感型升压转换器的性能？ 因为电感值影响输入和输出纹波电压和电流，所以电感的选择是感性电压转换器设计的关键。等效串联电阻值低的电感，其功率转换效率最佳。要对电感饱和电流额定值进行选择，使其大于电路的稳态电感电流峰值。 电感型升压转换器IC电路输出二极管选择的原则是什么？ 升压转换器要选快速肖特基整流二极管。与普通二极管相比，肖特基二极管正向压降小，使其功耗低并且效率高。肖特基二极管平均电流额定值应大于电路最大输出电压. 怎样选择电感型升压转换器IC电路的输入电容？ 升压调节器的输入为三角形电压波形，因此要求输入电容必须减小输入纹波和噪声。纹波的幅度与输入电容值的大小成反比，也就是说，电容容量越大，纹波越小。如果转换器负载变化很小，并且输出电流小，使用小容量输入电容也很安全。如果转换器输入与源输出相差很小，也可选小体积电容。如果要求电路对输入电压源纹波干扰很小，就可能需要大容量电容，并(或)减小等效串联电阻(ESR)。

大电流升压恒压IC方案

400KHz 60V 3A Switching Current Boost / Buck-Boost / Inverting DC/DC Converter Features n Wide 3.6V to 32V Input Voltage Range n Positive or Negative Output Voltage Programming with a Single Feedback Pin n Current Mode Control Provides Excellent Transient Response n 1.25V reference adjustable version n Fixed 400KHz Switching Frequency n Maximum 3A Switching Current n SW PIN Built in Over Voltage Protection n Excellent line and load regulation n EN PIN TTL shutdown capability n Internal Optimize Power MOSFET n High efficiency up to 92% n Built in Frequency Compensation n Built in Soft-Start Function n Built in Thermal Shutdown Function n Built in Current Limit Function n Available in TO252-5L package Applications n Automotive and Industrial Boost / Buck-Boost / Inverting Converters n Portable Electronic Equipment General Description The XL6008 regulator is a wide input range, current mode, DC/DC converter which is capable of generating either positive or negative output voltages. It can be configured as either a boost, flyback, SEPIC or inverting converter. The XL6008 built in N-channel power MOSFET and fixed frequency oscillator, current-mode architecture results in stable operation over a wide range of supply and output voltages. The XL6008 regulator is special design for portable electronic equipment. Figure1. Package Type of XL6008

IC半导体封装测试流程

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IC 半导体封装测试流程 第1章 前言 1.1 半导体芯片封装的目的 半导体芯片封装主要基于以下四个目的[10, 13]： ● 防护 ● 支撑 ● 连接 ● 可靠性 第一，保护：半导体芯片的生产车间都有非常严格的生产条件控制，恒定的温度（230±3℃）、恒定的湿度（50±10%）、严格的空气尘埃颗粒度控制（一般介于1K 到10K ）及严格的静电保护措施，裸露的装芯片只有在这种严格的环境控制下才不会失效。但是，我们所生活的周围环境完全不可能具备这种条件，低温可能会有-40℃、高温可能会有60℃、湿度可能达到100%，如果是汽车产品，其工作温度可能高达120℃以上，为了要保护芯片，所以我们需要封装。 第二，支撑：支撑有两个作用，一是支撑芯片，将芯片固定好便于电路的连接，二是封装完成以后，形成一定的外形以支撑整个器件、使得整个器件不易损坏。 第三，连接：连接的作用是将芯片的电极和外界的电路连通。 引脚用于和外界电路连通，金线则将引脚和芯片的电路连接起来。载片台用于承载芯片，环氧树脂粘合剂用于将芯片粘贴在载片台上，引脚用于支撑整个器件，而塑封体则起到固定 图1-1 TSOP 封装的剖面结构图 环氧树脂粘合剂 载片台 塑封体（下模）

及保护作用。

第四，可靠性：任何封装都需要形成一定的可靠性，这是整个封装工艺中最重要的衡量指标。原始的芯片离开特定的生存环境后就会损毁，需要封装。芯片的工作寿命，主要决于对封装材料和封装工艺的选择。 1.2 半导体芯片封装技术的发展趋势 ● 封装尺寸变得越来越小、越来越薄 ● 引脚数变得越来越多 ● 芯片制造与封装工艺逐渐溶合 ● 焊盘大小、节距变得越来越小 ● 成本越来越低 ● 绿色、环保 以下半导体封装技术的发展趋势图[2,3,4,11,12,13]： 图1-2 半导体封装技术发展趋势 Figure 1-2 Assembly Technology Development Trend 小型化

MC3406芯片DC_DC转换升压电路

电子技术课程设计报告 设计课题：MC3406芯片DC/DC转换升压电路 专业班级： 学生姓名： 指导教师： 设计时间：2011.10.15-2011.12.15 目录 1 设计任务与要求 (3) 2 集成稳压电源和开关电源的区别 (3)

2.1 集成稳压器的组成 (3) 2.2 开关电源的组成 (4) 3 开关电源的分类 (5) 4 常见开关电源的介绍 (6) 4.1基本电路 (6) 4.2 单端反激式开关电源 (7) 4.3单端正激式开关电源 (7) 4.4自激式开关稳压电源 (8) 4.5 推挽式开关电源 (9) 4.6 降压式开关电源 (9) 4.7 升压式开关电源 (10) 4.8 反转式开关电源 (10) 5设计升压开关电源并计算参数 (11) 5.1 MC34063的介绍 (11) 5.2MC34063组成的升压电路原理 (12) 5.3电路的参数设计计算 (14) 6 性能测试结果分析 (17) 7.结论与心得 (18) 8.参考文献 (18) 9.附录 (19) 基于MC34063的稳压电源设计 一、设计任务与要求 1．掌握PCB制板技术、焊接技术、电路检测以及集成电路的使用方法。

2．掌握mc34063的非隔离开关电源的设计、组装与调试方法。 3．研究开关电源的实现方法，并按照设计指标要求进行电路的设计与仿真。具体要求如下： ①分析、掌握该课题总体方案，广泛阅读相关技术资料，并提出见解。 ②掌握开关电源的工作原理。 ③设计硬件系统并进行仿真，掌握系统调试方法，使系统达到设计要求。主要技术指标 直流输入电压：5~12V； 输出电压：28V； 输出电流：0.3A； 效率：≥90%。 二、集成稳压电源和开关电源的区别： （1）、集成稳压器的组成 电路内部包括了串联型直流稳压电路的各个组成部分,另外加上保电路和启动电路。 1. 调整管 在W7800系列三端集成稳压电路中，调整管为由两个三极管组成的复合管。这种结构要求放大电路用较小的电流即可驱动调整管发射极回路中较大的输出电流，而且提高了调整管的输入电阻。 2.放大电路 在W7800系列三端集成稳压电路中，放大管也是复合管，电路组态为共射接法，并采用有源负载，可以获得较高的电压放大倍数。

半导体IC制造流程

一、晶圆处理制程 晶圆处理制程之主要工作为在硅晶圆上制作电路与电子组件（如晶体管、电容体、逻辑闸等），为上述各制程中所需技术最复杂且资金投入最多的过程，以微处理器（Microprocessor）为例，其所需处理步骤可达数百道，而其所需加工机台先进且昂贵，动辄数千万一台，其所需制造环境为为一温度、湿度与含尘量（Particle）均需控制的无尘室（Clean-Room），虽然详细的处理程序是随着产品种类与所使用的技术有关；不过其基本处理步骤通常是晶圆先经过适当的清洗（Cleaning）之后，接着进行氧化（Oxidation）及沈积，最后进行微影、蚀刻及离子植入等反复步骤，以完成晶圆上电路的加工与制作。 二、晶圆针测制程 经过Wafer Fab之制程后，晶圆上即形成一格格的小格，我们称之为晶方或是晶粒（Die），在一般情形下，同一片晶圆上皆制作相同的芯片，但是也有可能在同一片晶圆上制作不同规格的产品；这些晶圆必须通过芯片允收测试，晶粒将会一一经过针测（Probe）仪器以测试其电气特性，而不合格的的晶粒将会被标上记号（Ink Dot），此程序即称之为晶圆针测制程（Wafer Probe）。然后晶圆将依晶粒为单位分割成一粒粒独立的晶粒，接着晶粒将依其电气特性分类（Sort）并分入不同的仓（Die Bank），而不合格的晶粒将于下一个制程中丢弃。 三、IC构装制程 IC构装制程（Packaging）则是利用塑料或陶瓷包装晶粒与配线以成集成电路（Integrated Circuit；简称IC），此制程的目的是为了制造出所生产的电路的保护层，避免电路受到机械性刮伤或是高温破坏。最后整个集成电路的周围会向外拉出脚架（Pin），称之为打线，作为与外界电路板连接之用。

手电筒IC升压方案

概述 QX2303系列产品是一种高效率、低纹波、工作频率高的PFM升压DC-DC变换器。 QX2303系列产品仅需要四个元器,就可完成将低输入的电池电压变换升压到所需的工作电压，非常适合于便携式1～4 节普通电池应 用的场合。 电路采用了高性能、低功耗的参考电压电 路结构，同时在生产中引入修正技术，保证了输出电压的高输出精度及低温度漂移。 QX2303可提供SOT-23-3, SOT-23-5, SOT-89封装形式,SOT23-5封装内置EN使能端，可控制变换器的工作状态，可使它处于关断省电状态，功耗降至最小。 订货信息 特性 ?最高工作频率:300KHz ?输出电压:2.0V～5.0V（步进0.1V） ?低起动电压：0.8V(1mA) ?输出精度:优于±2.5% ?最高效率:87% ?输出电流：大于300mA（Vi=2.5V，Vo=3.3V）?低纹波，低噪声 应用范围 1～3个干电池的电子设备,如：电子词典、数码相机、LED手电筒、LED灯、血压计、MP3、遥控玩具、无线耳机、无线鼠标键盘、医疗器械、防丢器、汽车防盗器、充电器、VCR、PDA 等手持电子设备

典型应用电路图

方框图

管脚定义 封装型式和管脚号 符号 QX2303 LXXT SOT-23-3 QX2303 LXXF SOT-23-5 QX2303 LXXE SOT-89 说明 LX 2 5 3 开关脚 VOUT 3 2 2 输出电压 EN - 1 - 使能端 GND 1 4 1 地 EXT 3 扩展脚

最大额定参数值 参数符号说明典型值单位Vmax 供给U OUT和V LX端的最大电压值 8 V 电压 Vmin-max 在EN端的电压范围 -0.3-VOUT+0.3V 电流 ILXmax LX端最大电流 1000 mA Psot-23-3 SOT-23-3封装最大电流功耗 0.25 W Psot-23-5 SOT-23-5封装最大电源功耗 0.25 W 电源功耗 Psot-89 SOT-89封装最大电源功耗 0.5 W Tmin-max 工作温度范围 -20-85 o C 温度 Tstorage 存储温度范围 -40-165 o C ESD VESD 人体静电耐压值 2000 V 电气特性 参数符号测试条件最小值典型值最大值单位输出电压精度 △VOUT -2.5 2.5 % 最大输入电压VIN MAX 0.7 VOUT V 起动电压V START ILOAD=1mA, VIN:0→ 2V 1.2 V 保持电压V HOLD ILOAD=1mA, VIN:2→ 0V 0.9 V 最大振荡频率F MAX 200 300 350 KHz 振荡信号占空比DC OSC 75 80 85 % 效率η84 88 % 限流I LIMIT 600 800 1000 mA VIN=1.8V VOUT=3.0V 11.8 uA 无负载状态下输入电流IIN0 VIN=1.8V VOUT=5.0V 7 uA 待机（省电）状态输入电流IINQ No load, EN=“low” 1 uA EN “高”电压值 0.4*VOUT V EN “低”电压值0.2 V EN “高” 输入电流0.1 uA -0.1 uA

IC可靠性测试项目及参考标准

IC产品的质量与可靠性测试 (IC Quality & Reliability T est) 质量（Quality）和可靠性（Reliability）在一定程度上可以说是IC产品的生命。 质量（Quality）就是产品性能的测量，它回答了一个产品是否合乎规格（SPEC）的要求，是否符合各项性能指标的问题；可靠性（Reliability）则是对产品耐久力的测量，它回答了一个产品生命周期有多长，简单说，它能用多久的问题。所以说质量（Quality）解决的是现阶段的问题，可靠性（Reliability）解决的是一段时间以后的问题。知道了两者的区别，我们发现，Quality的问题解决方法往往比较直接，设计和制造单位在产品生产出来后，通过简单的测试，就可以知道产品的性能是否达到SPEC的要求，这种测试在IC的设计和制造单位就可以进行。相对而言，Reliability的问题似乎就变的十分棘手，这个产品能用多久，谁能保证产品今天能用，明天就一定能用？ 为了解决这个问题，人们制定了各种各样的标准，如: JESD22-A108-A、EIAJED- 4701-D101，注：JEDEC（Joint Electron Device Engineering Council）电子设备工程联合委员会,，著名国际电子行业标准化组织之一；EIAJED：日本电子工业协会，著名国际电子行业标准化组织之一。 在介绍一些目前较为流行的Reliability的测试方法之前，我们先来认识一下IC产品的生命周期。典型的IC产品的生命周期可以用一条浴缸曲线（Bathtub Curve）来表示。 ⅠⅡⅢ

?Region (I) 被称为早夭期（Infancy period） 这个阶段产品的failure rate 快速下降，造成失效的原因在于IC设计和生产过程中的缺陷； ?Region (II) 被称为使用期（Useful life period）在这个阶段产品的failure rate保持稳定，失效的原因往往是随机的，比如温度变化等等； ?Region (III) 被称为磨耗期（Wear-Out period） 在这个阶段failure rate 会快速升高，失效的原因就是产品长期使用所造成的老化等。 认识了典型IC产品的生命周期，我们就可以看到，Reliability的问题就是要力图将处于早夭期failure的产品去除并估算其良率，预计产品的使用期，并且找到failure的原因，尤其是在IC生产，封装，存储等方面出现的问题所造成的失效原因。 下面就是一些IC产品可靠性等级测试项目（IC Product Level reliability test items ） 一、使用寿命测试项目（Life test items）：EFR, OLT (HTOL), LTOL ①EFR:早期失效等级测试（Early fail Rate Test） 目的: 评估工艺的稳定性，加速缺陷失效率，去除由于天生原因失效的产品。 测试条件: 在特定时间内动态提升温度和电压对产品进行测试 失效机制：材料或工艺的缺陷，包括诸如氧化层缺陷，金属刻镀，离子玷污等由于生产造成的失效。 具体的测试条件和估算结果可参考以下标准： JESD22-A108-A EIAJED- 4701-D101 ②HTOL/ LTOL：高/低温操作生命期试验（High/ Low Temperature Operating Life） 目的: 评估器件在超热和超电压情况下一段时间的耐久力 测试条件: 125℃，1.1VCC, 动态测试 失效机制：电子迁移，氧化层破裂，相互扩散，不稳定性，离子玷污等 参考标准：