250℃外延硅薄膜太阳能电池及其界面的优化

薄膜硅太阳电池及材料．１９３．

薄膜生长，这种情况就是通常的非晶硅，晶体硅异质结。随着缓冲层ＳＨ的增加到５０％，部分外延生长可以观察到，此时薄膜硅由非晶态和晶态硅混合相组成。当缓冲层ｓＨ为９７％时，薄膜硅是完全外延生长的，界面比较平滑。低温下的外延生长是由于ＨＷＣＶＤ过程中有高的原子氢密度，原子氢可以打断弱的Ｓｉ—ｓｉ键，对晶格有弛豫作用，有利于薄膜的晶化【８】。

．．Ｖｏｌｔａｇｅ（ｖ）

图１不同缓冲层氢稀释度条件下Ｗ２一Ｖ变化曲线

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图２不同缓冲层Ｓ。条件下有效缺陷态密度

图３不同缓冲层稀释度时ＴＥＭ图片

我们测试了不同缓冲层ｓＨ条件下太阳能电池的Ｊ－Ｖ曲线，发现发射极和缓冲层的外延生