模电第二章习题参考答案
第二章自我检测题参考答案
一、填空题
1.三极管用来放大时，应使发射结处于正向偏置，集电结处于反向偏置。
2.型号为3CG4D的三极管是PNP型高频小功率管。
3.温度升高时，三极管的电流放大系数β增大，反向饱和电流I CBO增大，正向结电压U BE下降。
4. 有两只三极管：A管β=200，I CEO=200μA；B管β=80，I CEO=10μA，其他参数大致相同，一般应选B管。
5.共射基本电路电压放大倍数为负值，说明输出信号与输入信号相位相差180o。
6.放大电路未输入信号时的状态称为静态，其在特性曲线上的点称为静态工作点；有输入信号时的状态称为动态，动态工作点移动的轨迹称为交流负载线。
7.在放大电路的下限截止频率处，幅度的放大倍数为中频处的0.707倍，这主要是由电路的频率失真引起的。
8.场效应晶体管是通过改变栅源电压来改变漏极电流（输出电流），所以它是一个电压控制电流源（或电压控制）器件。
二、判断题
1.由于放大的是变化量，所以在输入直流信号时，任何放大电路的输出量都没有变化。（×）提示：直接耦合放大电路就有变化。
2.阻容耦合多级放大电路的点相互独立，（√）它只能放大交流信号。（√）
3.放大电路中各电量的交流成分是由交流信号源提供的。（×）提示：增加的幅度所需能量是由直流电源提供的。
4.通常，JFET在漏极与源极互换时，仍有正常放大作用。（√）
三、选择题
1.测得某放大电路中三极管三个管脚对地电压分别为U1=2V，U2=6V，U3=
2.7V，则三极管三个电极为（B）。
A.①管脚为发射极，②管脚为基极，③管脚为集电极；
B.①管脚为发射极，②管脚为集电极，③管脚为基极；
C.①管脚为集电极，②管脚为基极，③管脚为发射极；
D. ①管脚为发射极，②管脚为集电极，③管脚为基极。
2.在共射基本放大电路中，集电极电阻R C的作用是（C）。
A.放大电流
B.调节I BQ
C.防止输出信号交流对地短，把放大了的电流转换成电压。
3. 在共射基本放大电路中，当用直流电压表测得U CE≈V CC，有可能是因为（A）；当测得U CE≈0，有可能是因为（B）
A. R b开路
B. R b过小
C. R c开路
4.当输入电压为正弦信号时，如果PNP管共发射极放大电路发生饱和失真，则输出电压波形将()。
A.正半周削波
B.负半周削波
C.不削波
5.为了使高阻输出的放大电路与低阻输入的放大负载很好地配合，可以在放大电路与负载之间插入（B）。
A.共射电路
B.共集电路
C.共基电路
四、
1工作状态为：放大电路未工作，故障分析：未加电源
2.工作状态为：饱和，故障分析：R e被短路
3.工作状态为：放大，故障分析：
4.工作状态为：截止，故障分析：上偏置电阻断开
5.工作状态为：，故障分析：三极管发射结损坏断开
6.工作状态为：放大，故障分析：
第二章习题参考答案
2.1填空题
1.三极管具有电流放大作用的实质是利用改变基极电流对集电极或发射极电流的控制。
2.三极管在电路中的三种基本连接方式分别是：①共发射极；②共集电极；③共基极。
3.放大器的输出电阻小，向外输出信号时，自身损耗小，有利于提高带负载能力。
4.两级放大电路，要求输入电阻为1～2kΩ，电压放大倍数大于3000，则第一级应采用共射电路，则第二级应采用共射电路；若要求输入电阻为10MΩ，电压放大倍数等于200，则第一级应采用共源FET电路，则第二级应采用共射电路；若电压放大倍数等于10，输入电阻大于，输出电阻小于，则第一级应采用共源电路，则第二级应采用共集电路。
2.2选择题
1.某NPN硅管在放大电路中测得各极对地电压分别为U C=12V，U B=4V，U E=0V，由此可判别三极管（D）。
A.处于放大状态
B.处于饱和状态
C.处于截止状态
D.已损坏
2.测得三极管的电流方向、大小如图所示，则可判断三个电极为（C）。
A.①基极b，②发射极e，③集电极c
B.①基极b，②集电极c，③发射极e
C.①集电极c，②基极b，③发射极e
D.①发射极e，②基极b，③集电极c
3.上题中的三极管为(B)。
A.NPN管
B.PNP管
C.根据已知条件无法判断
4.电路的静态是指输入交流信号（C）时的电路状态。
A.幅值不变
B.频率不变
C. 幅值为零
5.对直流通路而言，放大电路中的电容应视为（B）
A.直流电源
B.开路
C.短路
6.沟道场效应管的电流I D是由沟道中（A）在漏源极之间电场作用下运动形成的。
A.电子
B.空穴
C.电子和空穴
7.将基本共射电路中β=50的三极管换成的β=100三极管，其他参数不变，设电路不会产生失真，则电压放大倍数为（C）。
A.约为原来的1/2
B.基本不变
C. 约为原来的2倍
D. 约为原来的4倍
8.图2.2.3所示基本共射放大电路，输出正半周波形削波，说明该电路工作点（B）。
A.偏低
B.偏高
C.合适
9.上题中，要使正常放大，应（B）。
A.增大R b
B.减小R b
C. 减小V CC
10.图2.3.1所示电路出现饱和失真，应（A）。
A.增大R b1
B.减小R b1
2.3三极管各电极实测数据如图P2.2所示，回答以下问题：
⑴各只管子是型还是型？
⑵是硅管还是锗管？
⑶管子是否损坏(指出哪个结已开路或短路)？若未损坏，处于放大、截止饱和哪一种工作状态？
解：
图a的三极管为NPN型Si管，处于放大状态。
图b的三极管为PNP型Ge管，处于放大状态。
图c的三极管为PNP型Si管，管子损坏，发射结开路。
图d的三极管为NPN型Si管，处于饱和状态。
图e的三极管为PNP型Ge管，处于截止状态。
2.4判断图P2.3所示电路中三极管的工作状态，并计算输出电压的u O值。
解：
图(a)所示电路，发射结正偏
I B=（6V-0.7V）/530kΩ=10μA
I C=βI B=50×10μA=0.5mA
U O=U CE=12V－(0.5 mA ×10kΩ)=7V
电路处于放大状态。
图(b)所示电路，发射结正偏
I B=（12V-0.7V）/47 kΩ≈240μA
I C=βI B=40×240μA=9.6mA
U O= U CE=12V－(9.6 mA ×1.5kΩ) =－2.4V
U CE不可能出现负值，电路处于饱和状态。
图(c)所示电路，发射结反偏，集电极反偏，三极管处于截止状态。
2.5分析图P2.4所示各电路能否正常放大交流信号？为什么？若不能，应如何改正？
解：
图(a)所示电路，不能放大交流信号。因为，尽管三极管的发射结正偏，集电结反偏，但U BB把输入交流信号对地短接了。
图(b)所示电路，不能放大交流信号。因为C1的隔直作用，电源不能加至基极，发射结零偏。
图(c)所示电路，不能放大交流信号。因为发射结零偏。
图(d)所示电路，不能放大交流信号。因为发射结零偏，且电容C1和直流电源在交流通路中视为短路，把输入交流信号对地短路，无法输入。
图(e)所示电路，不能放大交流信号，所加电源极性错了。三极管的发射结反偏，集电结反偏，处于截止状态。
图(f)所示电路，不能放大交流信号，因为，尽管三极管的发射结正偏，集电结反偏，但把输入交流信号对地短接了。
2.6求P2.5图所示各电路的工作点，设β=50，U BE 、U CE(sat)均可忽略不计。
解：
图(a)所示电路
=≈-=
R V R U V I b
CC
b BEQ CC BQ 12V/560kΩ≈21μA
I CQ =βI BQ =50×21μA =1.05mA
U CEQ =V CC －I CQ R c =12V －(1.05 mA ×5.1 kΩ)=4.35V
图(b)所示电路
Ω
+Ω?Ω=+≈k k V k R R V R U 47681268b2b1CC b2B
≈7.1V 2
e2B
21e BE B E C e e R R U R R U U I I +≈
+-=
≈=7.1V/2.2kΩ≈3.2mA U C E ＝V C C －I C R C －I E （R e 1+R e 2）=12V －3.2 mA×3.9kΩ－3.2 mA×2.2 kΩ=－7.52V U CE 不可能出现负值，电路处于饱和状态。
U C E ＝0.3V
图(c)所示电路
Ω+Ω?Ω=+≈
k k V
k R R V R U 47121212b2
b1CC b2B ≈2.4V
R U R U U I I e
B
e BE B E
C ≈-=≈=2.4mA
U C E ≈ V C C －I C ( R C +R e ) =12V －2.4 mA×3.2 kΩ=4.32V
2.7 电路如图P2..6（a ）所示，若输入信号源的有效值U S =20m V ，用直流电压表和电流表分别测得U C E =8V ，U B E =0.7V ，I B =20μA 。判断以下结论正确与否，并说明理由。
解：
⑴A u =8/0.7≈11.4 错，他认为放大电路的放大倍数是直流通路中的直流输出端电压除以直流输入端的电压，正确的求法应先求出r be ，然后代入公式r R u u A be
L i o u '-==
β计算。或
用交流电压毫伏表测得负载上电压和输入端对地电压，负载上电压除以输入电压，为电压放
大倍数。
⑵R i =20 mV/20μA=1kΩ 错，输入电阻是交流参数，应是输入电压变化量除以输入电流变化量。
⑶A us =－50×4/1=－200 错，正确公式应是u i
s i
i o s i i o us A R R R u u u u u u A +=?==
， be
S L be L be S be u be b S be b us r R R r R r R r A r R R r R A +'
-='?+-≈+=ββ////
⑷R o =R c //R L =2 kΩ 错，放大电路的输出电阻应是断开负载后从输出端看进去的等效电阻。正确公
式应是R o ≈R c 。
2.8 某放大电路及三极管输出特性曲线如图P2..6所示，图中V C C =12V ，R c =4kΩ，R b =300kΩ，R L =4kΩ，三极管U C E 忽略不计。
⑴画出直流通路，交流通路。 ⑵试用图解法确定静态工作点。 解：⑴画出直流通路，交流通路如下图所示。
⑵用图解法确定静态工作点步骤如下： ① 求I B
40b
CC
b BE CC B =≈-=
R V R U V I μA
② 输出回路的直流负载线方程为 V C C =I C R C +U C E ③求特殊点
设I C =0，则U CE = V cc ，在横坐标轴上得截点M （V cc ，0）；设U CE =0，则I C = V cc/R c ，在纵坐标轴上得截点N （0，V cc/R c ）。代入电路参数，V cc=12V ，V cc/R c =3mA ，
④ 作负载线
连结截点M （V 12V ，0）、N （0，3mA ）所得直线即为直流负载线。 ⑤求Q 点
直流负载线MN 与输出特性曲线族中I B =40μA 曲线的交点即为静态工作点。 ⑥从图上读得静态工作点参数 U C E Q = I C Q =
2.9 电路如图P2..6（a ）所示，若三极管U BE =0.7V ，U CE(sat)=0.3V ，β=50。
⑴估算静态工作点Q ⑵求A u 、R i 、R o 、A us 。
⑶在图P2..6（b ）上画直流负载线和交流负载线。 解：
⑴ Ω=
Ω-=-=
k V
k V V R U V I 3003.113007.012b
BEQ CC BQ ≈37.7μA I CQ =βI BQ =50×37.7μA ≈1.89mA
U CEQ =V CC －I CQ R c =12V －(1.89 mA ×4 kΩ)=4.44V
该电路静态工作点为：I BQ =37.7μA ，I CQ =1.89 mA ，U CEQ =4.44V 。 ⑵
该电路
()(
)Ω≈Ω?
+Ω=++Ω≈100289
.126
51300261300be mA
I mV r E β '
L R =R C //R L =2kΩ
r R u u A be
L i
o
u '-=
=β =－50×2/ 1.002≈－100
R i ≈r be ≈1 kΩ
501001
11-=?+-=+=?==
u i s i i o s i i o us A R R R u u u u u u A ⑶直流负载线作法同2.8题。
交流负载线作法如下： ①'
L R =R C //R L =2kΩ ②V CC /'
L R =12/2mA=6mA
在纵坐标上标出A 点(0V ,6 mA)。横坐标上标出N 点(12V ,60mA) ③连结AN ，即为交流负载线的辅助线，其斜率为1/'
L R 。
④过静态工作点Q 点作AN 的的平行线，交纵坐标于C ，交横坐标于D 。直线CD 即为交流负载线。
2.10分压式工作点稳定电路如图P2.7所示，已知三极管3DG4的β=60，U CE(sat)=0.3V 、U BE =0.7V 。
⑴估算静态工作点； ⑵A u 、R i 、R o 、A us ； ⑶若电路其他条件不变，则R b1为多大时，能使U CE =4V ？ 解：⑴
R R V R U b2
b1CC b2B +≈
=20kΩ×16V/80kΩ=4V
R U U I I e
BE
B E
C -=
≈=（4－0.7）V/2 kΩ=2.15mA U C E ＝V C C －I C R C －I E R e ≈V C C －I C ( R C +R e )=16V －2.15 mA×5 kΩ=5.25V
β
I I C B =
=2.15 mA /60=35.8μA
⑵
()(
)Ω≈Ω?
+Ω=++Ω≈103815
.226
61300261300be mA
I mV r E β
L C L R R R ///
==(3×6/9) kΩ= 2kΩ
r R u u A be
L i
o
u '-=
=β ＝－60×2/1.038≈－115.6
///////
21b i b b i R R R R R ==r be ≈r be ≈1.038kΩ
R o ≈R C =3 kΩ
u i
s i
i o us A R R R u u A +==
=（1038/11038）×（－115.6）=－105.4 ⑶
U C E ＝4V ，根据U C E ＝V C C －I C R C －I E R e ≈V C C －I E ( R c +R e )求得 I E =(V CC －U CE )/( R C +R e )＝12V/5 kΩ＝2.4 mA U B =U BE ＋I E R e ＝(0.7＋2.4×2)V ＝5.5V
R b1=(R b2V CC －R b2U B )/U B =(20 kΩ×16V －20 kΩ×5.5V)/5.5V ＝38.18 kΩ 取标称值为39 kΩ电阻。 代入公式R R V R U b2
b1CC b2B +≈验算 U B ≈5.42V 误差不大。
2.11电路参数如图P2.7所示，若电路发生下列故障，求此时的静态值I B 、I C 、U B 、U C 。 ⑴R b1开路； ⑵R c 开路； ⑶C e 被短路 ⑷发射结开路； ⑸发射结短路。
解： ⑴R b1开路，电路变为基本共射电路加射极偏置电阻的电路，
CC e E BE b B V R I U R I =++1 ()e b BE CC B R R U V I β++-=
11=2
61607
.016?+-mA≈84.1 μA
I E =(1+β)I B =61×84.1μA ＝5.13mA
U CE ≈V CC －I E (R c +R e )=16V －5.13 mA×5 kΩ=－9.65V 说明三极管处于饱和状态。则 U CE = U CES =0.3V I CS =
=Ω
=+-k V
R R U V e c CES CC 57.15 3.14 mA
I BS = I CS /β=52.3μA
U E ≈I ES R e =3.14×2 kΩ=6.28V U C = U E + U CES =6.58V
U B =V CC －I BS R b1=16V －52.3μA×60 kΩ＝12.862V ⑵R c 开路，发射结等效为正偏二极管，U BE =0.7V 。U C ≈0V ，I C =0mA
发射极电流等于基极电流，发射结就相当于一个与电阻R b1串联且与电阻R b2并联的正向偏置的二极管。因R e 阻值较小，发射极电位下降到较小值。U B 由下式求得
U B =
()()
D e b b CC
D e b R R R R V R R R ++?+////212
式中，R D 为结导通时的等效直流电阻。
⑶C e 被短路，发射极直接接地，发射结正偏导通，则 U B = U BE =0.7V
I R b2= U BE /R b2=0.7V/20 kΩ=35μA
I R b1=(V CC －U BE )/ R b1=15.3V/60 kΩ=255μA I B = I R b1－I R b2=225μA
若管子处于放大状态，则 I C =βI B =60×225μA =15.3 mA 三极管处于饱和状态。
I CS =(V CC －U CES )/R c =15.7V/3 kΩ=5.23 mA
U E =0V U C =0.3V
C e 被短路，电路无电流负反馈作用，温度升高，集电极电流增加。 ⑷三极管发射结开路，集电结反偏，PN 结截止。发射极电阻R e 、集电极电阻R c 均无电流流过，发射极电位为零
I C ≈0；U C ≈ V CC ≈16V
R R V R U b2
b1CC b2B +=
=4V I B ≈0 ⑸发射结短路，集电结反偏，PN 结截止。U E =U B U B =
8
.6116
82.1////212?=
+?e b b CC e b R R R V R R V≈0.47V U C ≈ V CC ≈16V
2.12电路如图P2.8所示，若电路参数为V cc=24V ，R c =2 kΩ，R L 开路，三极管β=100，U BE =0.7V 。
⑴欲将I C 调至1mA ，问R b 应调至多大？求此时的A u 。 ⑵在调整静态工作点时，若不小心把R b 调至零，这时三极管是否会损坏？为什么？如会损坏的话，为避免损坏，电路上可采取什么措施？
⑶若要求A u 增大一倍，可采取什么措施？
解： ⑴I B =I C /β=10μA V CC = I B R b + U BE
R b =( V CC －U BE )/ I B =23.3V/0.01mA ＝323kΩ
()Ω+≈mA
I mV
r C be 26300β
=2900Ω=2.9 kΩ
A u =－
be
c
r R β=－（100×2 kΩ）/2.9 kΩ≈－68.97
⑵在调整静态工作点时，若不小心把R b 调至零，这时三极管会损坏。因此时24电源电压直接加在发射结上，产生很大电流，结过热烧毁。为避免损坏，电路上可采取电位器串接
150 kΩ或100 kΩ固定电阻作为基极偏置电阻。这样可防止R b 调至零，使三极管损坏。
⑶若要求A u 增大一倍，可采取： ①其他条件不变的情况下，用β=200的三极管。 ②其他条件不变的情况下，增大集电极电流，使r be 减小至原来的一半。 实际中，一般用方法①。
2.13图P2.9所示射电输出器电路，求其A u 、R i 、R o 。
解： A u ≈1
e b CC R R V R R U V I )1(1e b BE
CC B ββ++≈
++-=
）（=Ω
?+Ωk k V 9.35120012=30μA I E =(1+β)I B =1.5mA
mA I r E be mV 261300）（β++
≈=1.184 kΩ L e L R R R //='
=0.796 kΩ
[]R βr R R R R '='=L be b i b i 1）＋＋（∥∥=200 kΩ//[]ΩΩk 50k 796.01184.1）＋＋（
=200 kΩ//41.78 kΩ=3.46 kΩ
ββ+'+≈???
? ??+'+==
11S
be S be e o R r R r R i u R o o ∥ 本例中无R S ，即R S =0，有 R o ≈
22.2351
184.11=Ω=+k r be βΩ
2.14试分析图P2.10所示电路能否正常放大，并说明理由。
解：
图P2.10（a ）所示电路不能正常放大，U DS 为正值符合条件。因栅源电压为正偏电压，而N 沟道结型场效应能正常放大，U GS 必须为负值。
图P2.10（b ）所示电路不能正常放大，因该场效应管为增强型场效应管，该电路为自偏压电路，不能提供形成导电沟道的偏置电压。
2.15若将两个如图P2.7所示电路连成两级阻容耦合放大电路，设单级电路的放大倍数为A u1，问总的电压放大倍数是否等于2
1u A ？为什么？
解：
不能。因在两级放大电路中，第二级放大电路的输入电阻为第一级放大电路的负载。P2.7所示电路单级放大电路，r R u u A be
L1i o11u '-==
β，L c L R R R //1='
而接成两级放大电路后，//1c L R R ='
R i2 R i2= R b1// R b2//r be2≈r be2
一般情况下，R L ≠r be2，所以总的电压放大倍数不等于2
1u A 。本例中，R L =6 kΩ>r be2，接成两级阻容耦合放大电路后，A u1下降。
2.16两级放大电路如图P2.11所示的直接耦合方式，它是否具有电压放大作用？ 解：
不能正常放大。因V 2的发射结正偏，发射结电压钳制在0.7V 。U CE1=U BE2=0.7V 。要使电路放大，发射结正偏，集电结反偏，且U CE >1V 。所以，不能正常放大。
2.17放大电路及其元件参数如P2.12所示，三极管β1=β2=40，r be1=1.4 kΩ，r be2=0.9 kΩ，试求：
⑴电压放大倍数A u ； ⑵输入电阻R i ； ⑶输出电阻R o 。
解：
⑴第二级电路为共集电极电路，输入电阻
R i2=[]R βr 'L 2be 1）＋＋（=0.9 kΩ+41×2.55 kΩ=105.45 kΩ A u2≈1
第一级电路为分压式射极偏置共发射极电路
//31R R L ='
R i2=10 kΩ//105.45 kΩ=9.13 kΩ
-=-=?+?-=++-=17
2
.36539.0414.113.940)1(41/
11R r R A be L u ββ21.48
A u =A u1×A u2=－21.48
⑵输入电阻R i
411/
)1(R r i u R be b
i
i β++==
=1.4 kΩ+41×0.39 kΩ=17.3917.39 kΩ /
/
21//////i b i i R R R R R R ===6.57 kΩ//17.39 kΩ=4.7717.39 kΩ
⑶输出电阻 R o ≈R o2≈
41
9.0122Ω
=
+k r be β≈22Ω
2.18放大电路如图P2.13所示，三极管β1=β2=50，V CC =12V ，R b11=100 kΩ，R b12=24kΩ，R b21=33kΩ，R b22=100kΩ，R e1=1.5 kΩ，R e2=2kΩ， R c1= R L =5.1 kΩ，R c2=4.7kΩ。试求：
⑴电压放大倍数A u ； ⑵输入电阻R i ； ⑶输出电阻R o 。
解：⑴电压放大倍数A u
=Ω
+Ω?Ω=+≈
k k V k R R V R U 241001224b12b11CC b121B 2.32V
1
e BE1
1B 1E R U U I -=
=1.62mA
mA I r E11be1mV
261300）（β++
Ω≈=1.118kΩ =Ω+Ω?Ω=+≈k k V k R R V
R U 10331210b22
b21CC b222
1B 2.79V
1
e BE2
2B 2
E R U U I -=
=2.09mA
mA
I r E222
be mV
261300）（β++Ω≈=0.934 kΩ
//11c L R R ='
r be2=5.1 kΩ//0.934 kΩ≈0.79 kΩ
r R u u A be1
L1
i o1u1'-==
β=－(50×0.79)/ 1.118≈－35.33 R R R C L //2/
2=L =4.7kΩ//5.1 kΩ≈2.45 kΩ
r R A be2
L2u2'-=
β=－(50×2.45)/0.79≈－155.06
A u =A u1×A u2=5478.27 ⑵输入电阻R i
R i =R i1= R b11// R b12//r be1≈r be1=1.118kΩ ⑶输出电阻R o R o ≈ R c2=4.7kΩ
2.19什么是频率失真？某放大器的f L =100Hz ，f H =1MHz ，现输入频率为2MHz 的正弦波信号，问输出信号波形有无失真？若分别注入100kHz 和2MHz 两种频率的信号，问输出信号波形有无失真？
解：
放大电路的通频带BW 不够宽，则信号中各种频率成分的放大倍数和附加相移将发生变化，使输出信号波形失真，统称为频率失真。它包括以下两种情况：如果放大电路对不同频率分量的放大倍数不同引起输出信号波形失真的称为幅度失真；如果放大电路对不同频率分量的相移不同而造成输出信号波形失真的称为相位失真。
输入频率为2MHz 的正弦波信号，输出波形会产生频率失真。因
f i =2MHz >BW ＝f H －f L =0.9999MHz
注入100kHz 频率的信号，输出波形不会产生频率失真。 注入2MHz 频率的信号，输出波形会产生频率失真。
2.20某放大电路在输入端加入的信号电压值不变，当不断改变信号频率时，测得在不同频率下的输出电压值如下表所示。试问：该放大电路的下限频率f L 和上限频率f H 各为多少？
解：下限截止频率为45Hz ，上限截止频率为120kHz 。 从表中可看出，u om =4.2V ，的为中频区的输出电压值。2
2.42
=
=om oL u u V=2.97V 所对
应的频率为f L ，查表得，f L =45Hz 。
2
2.42
=
=
om oH u u V=2.97V 所对应的频率为f H ，查表得，f H =120103?Hz 。
模拟电路第二章课后习题答案(供参考)
第二章 习题与思考题 ◆ 题 2-1 试判断图 P2-1中各放大电路有无放大作用，简单说明理由。 解： (a) 无放大作用，不符合“发射结正偏，集电结反偏”的外部直流偏置要求； (b) 不能正常放大，三极管发射结没有偏置（正偏）； (c) 无放大作用，三极管集电结没有偏置（反偏）； (d) 无放大作用，三极管发射结没有偏置（正偏）； (e) 有放大作用（电压放大倍数小于1）； (f) 无放大作用，电容C 2使输出端对地交流短路，输出交流电压信号为0； (g) 无放大作用，电容C b 使三极管基极对地交流短路，输入交流信号无法加至三极管基极； (h) 不能正常放大，场效应管栅源之间无直流偏置； (i) 无放大作用，VGG 的极性使场效应管不能形成导电沟道。 本题的意图是掌握放大电路的组成原则和放大原理。 ◆ 题 2-2 试画出P2-2中各电路的直流通路和交流通路。设电路中的电容均足够大，变压器为理想变压器。 解： 本题的意图是掌握直流通路和交流通路的概念，练习画出各种电路的直流通路和交流通路。 ◆ 题 2-3 在NPN 三极管组成的单管共射放大电路中，假设电路其他参数不变，分别改变以下某一项参数时，试定性说明放大电路的I BQ 、I CQ 、U CEQ 将增大、减小还是不变。 ① 增大Rb ；②增大VCC ；③增大β。 解： ① ↓↓?↓?↑?CEQ CQ BQ b U I I R ② 不定)(↑-↑=↑?↑?↑?CQ c CC CEQ CQ BQ CC I R V U I I V ③ ???↓↑?↑?CC CQ BQ V I I 基本不变β 本题的意图是理解单管共射放大电路中各种参数变化时对Q 点的影响。 ◆ 题 2-4 在图，假设电路其他参数不变，分别改变以下某一项参数时，试定性说明放大电路的I BQ 、I CQ 、 U CEQ 、r be 和||u A &将增大、减小还是不变。 ① 增大R b1；②增大R b2；③增大Re ；④增大β。 解： ① ?????↑↓?↓↑↑?≈↑?↑?↑?||1u be CEQ BQ EQ CQ EQ BQ b A r U I I I U U R & ② ?????↓↑?↑↓↓?≈↓?↓?↑?||2u be CEQ BQ EQ CQ EQ BQ b A r U I I I U U R & ③ ?????↓↑?↑↓↓?≈↑?||u be CEQ BQ EQ CQ e A r U I I I R &
模拟电子技术模电课后习题含答案第三版
第1章 常用半导体器件 1.1选择合适答案填入空内。 (l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体，加入( C )元素可形成P 型半导体。 A.五价 B. 四价 C. 三价 (2)当温度升高时，二极管的反向饱和电流将(A) 。 A.增大 B.不变 C.减小 (3)工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时，I C 从l mA 变为2mA ，那么它的β约为( C ) 。 A.83 B.91 C.100 (4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。 A.增大； B.不变； C.减小 1.3电路如图P1.2 所示，已知10sin i u t ω=(V )，试画出i u 与o u 的波形。设二极管导通电 压可忽略不计。 图P1.2 解图P1.2 解：i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。 1.4电路如图P1.3所示，已知t u i ωsin 5=(V )，二极管导通电压U D =0.7V 。试画出i u 与o u 的 波形图，并标出幅值。 图P1.3 解图P1.3
1.6电路如图P1.4所示, 二极管导通电压U D =0.7V ,常温下mV U T 26≈，电容C 对交流信号可视为短路；i u 为正弦波，有效值为10mV 。试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少？ 解：二极管的直流电流 ()/ 2.6D D I V U R mA =-= 其动态电阻: /10D T D r U I ≈=Ω 故动态电流的有效值：/1d i D I U r mA =≈ 1.7现有两只稳压管，稳压值分别是6V 和8V ，正向导通电压为0.7V 。试问： (1)若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？ (2)若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？ 解：(1)串联相接可得4种：1.4V ；14V ；6.7V ；8.7V 。 1、两个管子都正接。（1.4V ） 2、6V 的管子反接，8V 的正接。(6.7V) 3、8V 的反接， 6V 的管子正接。(8.7V) 4、两个管子都反接。（14V ） (2)并联相接可得2种：0.7V ；6V 。 1、 两个管子都反接，电压小的先导通。(6V) 2.、一个正接，一个反接，电压小的先导通。（0.7V ） 1.8 已知稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Zmin ＝5mA ，最大功耗P ZM ＝150mW 。试求图P1.8所示电路中电阻R 的取值范围。 解：稳压管的最大稳定电流： I ZM ＝P ZM / U Z ＝25mA 电阻R 的电流为I ZM ～I Zmin 所以其取值范围为 Ω=-= k 8.136.0Z Z I ～I U U R
模电第二章习题答案
习题2-5 设图中的三极管β =100，U BEQ =0.6V ，V CC =12 V ，R C =3 k Ω，R b =120 k Ω。求静态工作点处的I BQ I CQ 和U CEQ 值。 习题2-15 设图中三极管的β =100，U BEQ =0.6V ，V CC =10V ，R C =3 k Ω，Rb b’=100 Ω。V CC =10V ,，R C =3 k Ω，Re=1.8 k Ω，RF=200Ω，Rb1=33 k Ω，Rb2=100 k Ω，RL=3 k Ω C1，C2和Ce 足够大。 ①求静态工作点 ②画微变等效电路如图 (3)求O i u U A U =； (4)设Rs =4 k Ω，求o s us U A U =
(5)求o i R R 和 ① 2.48,0.94, 5.3E U I I mA U =≈=≈BQ CQ Q CEQ V V ②微变等效电路如图 ③ be 2.9r ≈ k Ω， L be = 6.5 (1)u F R A r R ββ'-≈-++
(4) 12i r ≈ k Ω，= 4.9i us u i s r A A r R -≈-+ (5) R i ≈12 k Ω，R o ≈3 k Ω 习题2-17 画出如图放大电路的微变等效电路，写出计算电压放大倍O1O2 i i U U U U 和数的表达式，并画出当c e R R =时的两个输出电压o1o1U U 和的波形（与正弦波i U 相对应）。
微变等效电路如下图 解 O1i be (1)c e U R U r R ββ=-++ e c O1O2O1O2R u u R U U =≈当时，，和的波形如下图 e be e * 02* )1(1R r R U U Au i ββ+++= = ）（
2017模电习题课复习
模电典型例题分析 第一章 题1.1 1、对某放大电路进行测试，u s=15mv,Rs=1kΩ，R L=12 kΩ。若测得ui=12 mv,则可知该放大电路的输入电阻Ri= kΩ。若当开关S断开时，测得uo=1.5v, 当开关S闭合时，测得uo=1.2v，则可知该放大电路的输出电阻Ro= kΩ。 2、对某放大电路进行测试，当接入一个内阻等于零的电压信号源时，测得输出电压为5V，在信号源内阻增大到1，其它条件不变时，测得输出电压为4V， 说明该放大电路的输入电阻Ri= ______kΩ。若在接有2负载电阻时，测得输 出电压为3V，在输入电压不变的情况下断开负载电阻，输出电压上升到7.5V，说明该放大电路的输出电阻Ro= kΩ。 3、用两个放大电路A和B分别对同一个电压信号进行放大，当输出端开路时，U OA=U OB；都接入负载电阻R L时，测得U OA
=8.26和=2.5 第二章 题2.1 1.如图所示电路，已知集成运放开环差模电压增益为∞，其电源电压±VCC=±14V ，Ui=1V ；R1＝10k,Rw=100k 。请问：当Rw 滑动端分别在最下端、最上端和中点时时，输出Uo ＝？V ； 解：14V ,1V ,6（7）V 2.如图所示电路，已知集成运放开环差模电压增益为∞，其电源电压±VCC=±14V ，Ui=1V ；R1＝10k,R2=200k 。请问： 当R2滑动端在最左端、最右端、中点时输出Uo ＝？V ； 最左端时Uo ＝ -14 V ；最右端时Uo ＝ 0 V ；中点时Uo ＝ -10 V 。 题 2.2 在题图所示的放大电路中，已知Ω=====k R R R R R 1087521， Ω===k R R R 201096∶ ① 列出1O u 、2O u 和O u 的表达式； ② 设V u I 3.01=，V u I 1.02=，则输出电压?=O u s i s i i v v R R R += L o L i O o R R R A V +=v v s v v o = VS A L o L o R R R A +=v
模拟电路第二章课后习题答案汇编
模拟电路第二章课后 习题答案
第二章习题与思考题 ◆题 2-1试判断图 P2-1中各放大电路有无放大作用，简单说明理由。 解： (a) 无放大作用，不符合“发射结正偏，集电结反偏”的外部直流偏置要求； (b) 不能正常放大，三极管发射结没有偏置（正偏）； (c) 无放大作用，三极管集电结没有偏置（反偏）； (d) 无放大作用，三极管发射结没有偏置（正偏）； (e) 有放大作用（电压放大倍数小于1）；
(f) 无放大作用，电容C2使输出端对地交流短路，输出交流电压信号为0； (g) 无放大作用，电容C b使三极管基极对地交流短路，输入交流信号无法加至三极管基极； (h) 不能正常放大，场效应管栅源之间无直流偏置； (i) 无放大作用，VGG的极性使场效应管不能形成导电沟道。 本题的意图是掌握放大电路的组成原则和放大原理。 ◆题 2-2 试画出P2-2中各电路的直流通路和交流通路。设电路中的电容均足够大，变压器为理想变压器。 解：
本题的意图是掌握直流通路和交流通路的概念，练习画出各种电路的直流通路和交流通路。 ◆题 2-3 在NPN三极管组成的单管共射放大电路中，假设电路其他参数不变，分别改变以下某一项参数时，试定性说明放大电路的I BQ、I CQ、U CEQ将增大、减小还是不变。①增大Rb；②增大VCC；③增大β。 解： ①↓ ↓? ↓? ↑? CEQ CQ BQ b U I I R ②不定 ) (↑ - ↑ = ↑? ↑? ↑? CQ c CC CEQ CQ BQ CC I R V U I I V b CC b CC b BEQ CC BQ R V R V R U V I≈ - ≈ - = 7.0 BQ BQ CQ I I Iβ β≈ ≈C CQ CC CEQ R I V U- =
模电(第四版)习题解答
第 1 章常用半导体器件 自测题 、判断下列说法是否正确，用“× ”和“√”表示判断结果填入空内。 (1) 在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。( √ ) (2) 因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( × ) (3) PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。( √ ) (4) 处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。( × ) (5) 结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其 (6) 若耗尽型N 沟道MOS 管的大于零，则其输入电阻会明显变小。( × ) 、选择正确 答案填入空内。 (l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。 A. 变窄 B. 基本不变 C.变宽 (2) 稳压管的稳压区是其工作在 C 。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 (3) 当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B.前者正偏、后者反偏 C.前者正偏、后者也正偏 (4) U GS=0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有 A 、 C 。 A. 结型管 B.增强型MOS 管 C.耗尽型MOS 管 四、 伏。 、写出图Tl.3 所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D= 0.7V。 图T1.3 解：U O1= 1.3V, U O2= 0V, U O3=-1.3V, U O4=2V, U O5= 1.3V, U O6= -2V。已知稳压管的稳压值U Z= 6V，稳 定电流的最小值I Zmin=5mA。求图Tl.4 所示电路中U O1 和U O2各为多少 (a) (b) T1.4 解：左图中稳压管工作在击穿状态， 右图中稳压管没有击穿，故 故U O2= 5V。 U O1= 6V。 五、电路如图T1.5 所示，V CC=15 V，试问： (1)R b=50k 时，Uo=? (2)若T 临界饱和，则R b=? 解：(1) = 100，U BE=0.7V。 大的特点。( √ )
模电复习题和答案..
《模拟电子技术实践》课程 习题答案 一、填空题 1、共集电极放大器的特点有输入阻抗大、输出阻抗小、电压放大倍数≈1等。是从射极输出，所以简称射极跟随器。 2、三极管有放大、饱和、截止三种工作状态，在数字电路中三极管作为开关使用时，它是工作在饱和、截止两种状态下。 3、在三极管的输出特性曲线中，当I B=0时的I C是穿透电流I CEO。 4E，V C=8V，V B=3.7V，则该管是NPN、处于放大状态。 5、集成运放其内部电路的耦合方式是直接耦合。 6、三极管的输出特性曲线分为饱和、截止、放大等区域，三极管放大器处于截止区的条件是发射结反偏、集电结反偏。 7、场效应管是一种利用电压来控制其电流大小的半导体三极管，所以我们说场效应管是 电压控制型器件，三极管是电流控制型器件。 8、三极管具有放大作用的外部条件是发射结正向偏置，集电结反向偏置；三极管的结温升高时穿透电流I CEO将增加。 9、二极管具有单向导电性，两端加上正向电压时有一段“死区电压”，锗管约为0.1-0.2 V；硅管约为0.4-0.5 V。 10、串联型可调稳压电源由取样电路、基准电路、比较放大、调整电路四个部分组成。 11、我们通常把大小相等、极性相同的输入信号叫做共模信号把大小相等、极性相反的信号叫做差模信号。集成运算放大器一般由输入电路、电压放大电路、推动级、输出级四个部分组成。 12、稳压电源一般由变压电路、整流电路、滤波电路、稳压电路四个部分组成。 13、理想集成放大器的开环差模电压放大倍数A VO为_无穷大，共模抑制比K CMR为无穷大，差模 输入电阻为无穷大。 14、单相半波整流电路输出电压的有效值U O=0.45U2 ，单相桥式整流电路输出电压的有效值 U O=0.9U2 ；整流电路是利用二极管的单向导电特性将交流电变成直流电的。滤波电路是利用电容或电感的储能充放电性质来减少脉动成分的。 15、三端固定式稳压器LM7805的输出电压为_5_V；LM7924输出电压为-24V。 16、理想乙类互补功率放大电路的效率为78.5%，理想甲类功率放大器的效率为50% 。 17、如希望减小放大电路从信号源索取电流，则可采用B；如希望负载变化时输出电流稳定，应 引入D；如希望动态输出电阻要小，应引入A；（A 电压负反馈；B 并联负反馈；C 串联负反馈；D电流负反馈）。 18、在图示电路中，已知开环电压放大倍数Au=10000，若需要Auf =100，则电路的负反馈系数 F为0.01。 19、多级放大器耦合的方式有阻容耦合、 变压器耦合、直接耦合；集成运算放大器是一种直接 耦合耦合放大器。 20、多级放大器与单级放大器相比，电压放大倍数较大；通频带较窄； 21、能使输入电阻提高的负反馈是C；能使输入电阻降低的负反馈是D； 能使输出电阻提高的负反馈是B；能使输出电阻降低的负反馈是A； （A 电压负反馈；B 电流负反馈：C 串联负反馈：D 并联负反馈）22、电压串联负反馈能稳定输出A ，并能使输入电阻D；
模拟电路部分习题答案
模拟电路部分习题答案 第二章晶体二极管及应用电路 2-1．填空 （1）N型半导体是在本征半导体中掺入五价元素；P型半导体是在本征半导体中掺入三价元素。 （2）当温度升高时，二极管的反向饱和电流会增大。 （3）PN结的结电容包括势垒电容和扩散电容。 （4）晶体管的三个工作区分别是放大区、截止区和饱和区。在放大电路中，晶体管通常工作在放大区区。 （5）结型场效应管工作在恒流区时，其栅-源间所加电压应该反偏。（正偏、反偏） 2-2．判断下列说法正确与否。 （1）本征半导体温度升高后，两种载流子浓度仍然相等。（） （2）P型半导体带正电，N型半导体带负电。（） （3）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R GS大的特点。（） （4）只要在稳压管两端加反向电压就能起稳压作用。（） （5）晶体管工作在饱和状态时发射极没有电流流过。（） （6）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（） （7）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（）
（8）若耗尽型N沟道MOS场效应管的U GS大于零，则其输入电阻会明显减小。（） 答案：（1）对；温度升高后，载流子浓度会增加，但是对于本征半导体来讲，电子和空穴的数量始终是相等的。 （2）错；对于P型半导体或N型半导体在没有形成PN结时，处于电中性的状态。 （3）对；结型场效应管在栅源之间没有绝缘层，所以外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R GS大的特点。 （4）错；稳压管要进入稳压工作状态两端加反向电压必须达到稳压值。 （5）错；晶体管工作在饱和状态和放大状态时发射极有电流流过，只有在截止状态时没有电流流过。 （6）对； N型半导体中掺入足够量的三价元素，不但可复合原先掺入的五价元素，而且可使空穴成为多数载流子，从而形成P型半导体。 （7）对；PN结在无光照、无外加电压时，处于动态平衡状态，扩散电流和漂移电流相等。 （8）错。绝缘栅场效应管因为栅源间和栅漏之间有SiO2绝缘层而使栅源间电阻非常大。因此耗尽型N沟道MOS场效应管的U GS 大于零，有绝缘层故而不影响输入电阻。2-3．怎样用万用表判断二极管的正、负极性及好坏 答：可以利用万用表的电阻挡测量二极管两端电阻，正向时电阻很小，反向时电阻很大。 2-4．二极管电路如题2-4图所示，试判断图中的二极管是导通
模电课后习题答案
模电典型例题分析 第二章 题2．1 如图所示电路，已知集成运放开环差模电压增益为∞，其电源电压±VCC=±１４Ｖ，Ｕｉ=１V;R １＝10k,R ｗ=1０0k 。请问：当Rw 滑动端分别在最下端、最上端和中点时时，输出Ｕo=?V ； 解： 1４V ,1V ,6V 题２．2 在题图所示的放大电路中，已知Ω=====k R R R R R 1087521，Ω===k R R R 201096∶ ① 列出1O u 、2O u 和O u 的表达式； ② 设V u I 3.01=,V u I 1.02=,则输出电压?=O u 注：此图A 1的同相端、反相端标反。 解 分析:本题中,运放A １构成反相比例运用电路,A 2构成同相比例运用。而A ３则构成了一个减法电路，由于可将运放当作理想器件,又在线线场合下使用，所以可使用“虚短”及“虚断”的两个基本概念来对电路进行分析。 (1) 21111152221 610 10 10311202O I I I O I I I R u u u u R R u u u u R =- =-?=-???? =+=+?= ? ????? 对A 3,1032222 810202 10203O O O I R u u u u u R R +=?===++ 因为0133079u u u u R R ---=－ 332011 I I u u u u u -+===-
()()90313212712 20 10 23O I I I I I R u u u u u u u R u u -=- -=---=+ (2）120.3,0.120.330.10.9I I O u V u V u V ===?+?= 题２.３ 加减运算电路如图所示，求输出电压O u 的值。 R u 分析:本题中运放Ａ构成了差分减法电路，由于运放可作理想器件,且工作在线性区,可用“虚短”和“虚断”的基本概念来分析电路。此电路的同相和反相端分别有两个输入信号,因此可用叠加原理来分析。 1s u 单独作用：2s u 、 3s u 、4s u 接地，此时输出为O1u F O11 1s R u u R =- 2s u 单独作用:1s u 、 3s u 、4s u 接地,此时输出为O2u F O222 s R u u R =- 3s u 单独作用：1s u 、 2s u 、4s u 接地，此时输出为O3u 45 p 3 453////s R R u u R R R =+ N P N O3N 12F //u u u u u R R R =-∴ = F O3N 12 (1)//R u u R R =+ 45F 3 12453//(1)////s R R R u R R R R R =++ 4s u 单独作用：1s u 、 2s u 、3s u 接地，此时输出为O4u 35F O44 12354 //(1)////s R R R u u R R R R R =+ +
模电第二章三极管练习题
第二章三极管练习题 一、填空题： 1．晶体管工作在饱和区时发射结偏；集电结偏。 2．三极管按结构分为_ 和两种类型，均具有两个PN结，即______和______。 3.三极管是___________控制器件，场效应管是控制器件。 4.晶体管放大电路的性能指标分析，主要采用等效电路分析法。 5.放大电路中，测得三极管三个电极电位为U1=,U2=,U3=15V，则该管是______类型管子，其中_____极为集电极。 6.场效应管输出特性曲线的三个区域是________、___________和__________。 7．三极管的发射结和集电结都正向偏置或反向偏置时，三极管的工作状态分别是__ __和______。 8．场效应管同三极管相比其输入电阻_________，热稳定性________。 9.采用微变等效电路法对放大电路进行动态分析时，输入信号必须是________的信号。 10.三极管有放大作用的外部条件是发射结________，集电结______。 11.在正常工作范围内，场效应管极无电流 12．三极管按结构分为______和______两种类型，均具有两个PN结，即___________和_________。 13.晶体三极管是一种＿＿＿控制＿＿＿器件，而场效应管是一种＿＿＿控制＿＿＿器件。 14．若一晶体三极管在发射结加上反向偏置电压，在集电结上也加上反向偏置电压，则这个晶体三极管处于＿＿＿＿＿＿状态。 15．作放大作用时，场效应管应工作在＿＿＿＿(截止区，饱和区，可变电阻区)。 16．晶体三极管用于放大时，应使发射极处于＿＿偏置，集电极处于＿＿偏置。 二、选择题： 1.有万用表测得PNP晶体管三个电极的电位分别是V C=6V，V B=，V E=1V则晶体管工作在（）状态。 A、放大 B、截止 C、饱和 D、损坏 2、三级管开作在放大区，要求（） A、发射结正偏，集电结正偏 B、发射结正偏，集电结反偏 C、发射结反偏，集电结正偏 D、发射结反偏，集电结反偏 3、在放大电路中，场效应管应工作在漏极特性的哪个区域（） A 可变线性区 B 截止区 C 饱合区 D击穿区 4.一NPN型三极管三极电位分别有V C=，V E=3V，V B=，则该管工作在（） A．饱和区 B．截止区 C．放大区 D．击穿区 5.三极管参数为P CM=800mW, I CM=100mA, U BR(CEO)=30V,在下列几种情况中，（）属于正常工作。 A．U CE=15V，I C=150 mA B．U CE=20V，I C=80 mA
模电第二章习题参考答案
第二章自我检测题参考答案 一、填空题 1.三极管用来放大时，应使发射结处于正向偏置，集电结处于反向偏置。 2.型号为3CG4D的三极管是PNP型高频小功率管。 3.温度升高时，三极管的电流放大系数β增大，反向饱和电流I CBO增大，正向结电压U BE下降。 4. 有两只三极管：A管β=200，I CEO=200μA；B管β=80，I CEO=10μA，其他参数大致相同，一般应选B管。 5.共射基本电路电压放大倍数为负值，说明输出信号与输入信号相位相差180o。 6.放大电路未输入信号时的状态称为静态，其在特性曲线上的点称为静态工作点；有输入信号时的状态称为动态，动态工作点移动的轨迹称为交流负载线。 7.在放大电路的下限截止频率处，幅度的放大倍数为中频处的0.707倍，这主要是由电路的频率失真引起的。 8.场效应晶体管是通过改变栅源电压来改变漏极电流（输出电流），所以它是一个电压控制电流源（或电压控制）器件。 二、判断题 1.由于放大的是变化量，所以在输入直流信号时，任何放大电路的输出量都没有变化。（×）提示：直接耦合放大电路就有变化。 2.阻容耦合多级放大电路的点相互独立，（√）它只能放大交流信号。（√） 3.放大电路中各电量的交流成分是由交流信号源提供的。（×）提示：增加的幅度所需能量是由直流电源提供的。 4.通常，JFET在漏极与源极互换时，仍有正常放大作用。（√） 三、选择题 1.测得某放大电路中三极管三个管脚对地电压分别为U1=2V，U2=6V，U3= 2.7V，则三极管三个电极为（B）。 A.①管脚为发射极，②管脚为基极，③管脚为集电极； B.①管脚为发射极，②管脚为集电极，③管脚为基极； C.①管脚为集电极，②管脚为基极，③管脚为发射极； D. ①管脚为发射极，②管脚为集电极，③管脚为基极。 2.在共射基本放大电路中，集电极电阻R C的作用是（C）。 A.放大电流 B.调节I BQ C.防止输出信号交流对地短，把放大了的电流转换成电压。 3. 在共射基本放大电路中，当用直流电压表测得U CE≈V CC，有可能是因为（A）；当测得U CE≈0，有可能是因为（B） A. R b开路 B. R b过小 C. R c开路 4.当输入电压为正弦信号时，如果PNP管共发射极放大电路发生饱和失真，则输出电压波形将()。 A.正半周削波 B.负半周削波 C.不削波 5.为了使高阻输出的放大电路与低阻输入的放大负载很好地配合，可以在放大电路与负载之间插入（B）。 A.共射电路 B.共集电路 C.共基电路
(完整版)模电答案第二章
第2章基本放大电路 自测题 一．在括号内用“√”和“×”表明下列说法是否正确。 1.只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用。(×) 2.可以说任何放大电路都有功率放大作用。(√) 3.放大电路中输出的电流和电压都是有源元件提供的。(×) 4.电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的。(×) 5.放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。(√) 6.由于放大的对象是变化量，所以当输入直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化。(×) 7.只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。(×) 二．试分析图T2.2各电路是否能放大正弦交流信号，简述理由。设图中所有电容对交流信号均可视为短路。 (a) (b) (c) (d) (e) (f)
(g) (h) (i) 图T2.2 解：图(a)不能。V BB 将输入信号短路。 图(b)可以。 图(c)不能。输入信号与基极偏置是并联关系而非串联关系。 图(d)不能。晶体管基极回路因无限流电阻而烧毁。 图(e)不能。输入信号被电容C 2短路。 图(f)不能。输出始终为零。 图(g)可能。 图(h)不合理。因为G -S 间电压将大于零。 图(i)不能。因为T 截止。 三．在图T2.3 所示电路中，已知12CC V V =, 晶体管β=100，' 100b R k =Ω。填空：要求 先填文字表达式后填得数。 (1)当0i U V =&时，测得0.7BEQ U V =，若要基极电流20BQ I A μ=, 则'b R 和W R 之和 b R =( ()/CC BEQ BQ V U I - )k Ω≈( 565 )k Ω；而若测得6CEQ U V =， 则c R =( ()/CC CEQ BQ V U I β- )≈( 3 )k Ω。 (2)若测得输入电压有效值5i U mV =时， 输出电压有效值' 0.6o U V =， 则电压放大倍数u A =&( /o i U U - )≈( -120 )。 若负载电阻L R 值与c R 相等，则带上 图T2.3 负载后输出电压有效值o U =( ' L o L c R U R R ?+ )=( 0.3 )V 。 四、已知图T2.3 所示电路中12,3CC c V V R k ==Ω，静态管压降6,CEQ U V =并在输出端加负载电阻L R ，其阻值为3k Ω。选择一个合适的答案填入空内。 (1)该电路的最大不失真输出电压有效值om U ≈( A )； A.2V B.3V C.6V (2)当1i U mV =&时，若在不失真的条件下，减小R w ，则输出电压的幅值将( C )； A.减小 B.不变 C.增大
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1．当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流I s将增大，是因为此时PN结内部的B 。[ ] A 多数载流子浓度增大 B 少数载流子浓度增大 C 多数载流子浓度减小 D 少数载流子浓度减小 2. 某只硅稳压管的稳定电压Vz = 4v，其两端施加的电压分别为+5v（正向偏置）和－5v（反向偏置）时，稳压管两端的最终电压分别为 D 。［］ A +5v和-5v B -5v和+4v C +4v和-0.7v D +0.7v和-4v ⒊根据某只晶体管的各极对地电压分别是V B = -6.3v，V E = -7v，V C = -4v，可以判定此晶体管是管，处于 B 。［］ A NPN管，饱和区 B PNP管，放大区 C PNP管，截止区 D NPN管，放大区 ⒋场效应管起放大作用时应工作在其漏极特性的 B 。[ ] A 非饱和区 B 饱和区 C 截止区 D 击穿区 ⒌在单级放大电路的三种接法中，它们相互比较起来正确的说法是： B 。 [ ] A 共发射极电路的A V最大、R I最小、R O最小 B 共集电极电路的A V最小、R I最大、R O最小 C 共基极电路的A V最小、R I最小、R O最大 D 共发射极电路的A V最小、R I最大、R O最大 ⒍直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是 C 。[ ] A 电阻阻值有误差 B 晶体管参数的分散性 C 晶体管参数受温度影响 D 受输入信号变化的影响 7．差分放大电路的长尾电阻的主要功能是 A ，而提高共模抑制比. [ ] A 抑制共模信号； B 抑制差模信号； C 放大共模信号； D 既抑制共模信号又抑制差模信号； 8．组合放大电路的输出级采用射极输出方式是为了使 D 。[ ] A 电压放大倍数高 B 输出电流小 C 输出电阻增大 D 带负载能力强 9．集成运放电路的实质是一个 B 的多级放大电路。[ ] A阻容耦合式B直接耦合式 C 变压器耦合式 D 三者都有 10．放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是 B 。[ ] A 耦合电容和旁路电容的影响 B 晶体管极间电容和分布电容的影响 C 晶体管的非线性特性 D 放大电路的静态工作点设置不合适 11．在输入量不变的情况下，若引入反馈后 D ，则说明引入的是负反馈。[ ] A电路稳定性变差B输出量增大 C 净输入量增大 D 净输入量减小 12、共发射极电路中采用恒流源做有源负载是利用其 B 的特点以获得较高增益。［］ A 直流电阻大、交流电阻小 B 直流电阻小、交流电阻大 C 直流电阻和交流电阻都小 D 直流电阻大和交流电阻都大 13、在RC桥式正弦波振荡电路中，当满足相位起振条件时，则其中电压放大电路的放大倍数必须满足 D 才能起振。［］
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模拟电子线路随堂练习 第一章半导体器件 作业1-1 一、习题（满分100分） 1.N型半导体带负电，P型半导体带正电。（） 2.以空穴为主要导电方式的半导体称为P型半导体。（） 3.PN结处于正向偏置时，正向电流小，电阻大，处于导通状态。（） 4.晶体二极管的反向电压上升到一定值时，反向电流剧增，二极管被击穿，就不能再使用了。（） 5.硅二极管两端只要加上正向电压时立即导通。（） 6.在本征半导体中，空穴和自由电子两种载流子的数量不相等。（） 7.晶体三极管的基极，集电极，发射极都不可互换使用。（） 8.晶体三极管工作在饱和状态的条件是：发射结正偏，集电结正偏。（） 9.晶体三极管有三种工作状态，即：放大状态，饱和状态，导通状态。（） 10.三极管是一种电压控制器件，场效应管是一种电流控制器件。（） 11.温度升高后，在纯净的半导体中（）。 A.自由电子和空穴数目都增多，且增量相同 B.空穴增多，自由电子数目不变 C.自由电子增多，空穴不变 D.自由电子和空穴数目都不变 12.如果PN结反向电压的数值增大（小于击穿电压），则（）。 A.阻当层不变，反向电流基本不变 B.阻当层变厚，反向电流基本不变
C.阻当层变窄，反向电流增大 D.阻当层变厚，反向电流减小 作业1-2 一、习题（满分100分） 1.N型半导体（）。 A.带正电 B.带负电Ｃ.呈中性Ｄ.不确定 2.如果二极管的正反向电阻都很大，则该二极管（）。 A.正常 B.断路Ｃ.被击穿Ｄ.短路 3.对于晶体二极管，下列说法正确的是（）。 A.正向偏置时导通，反向偏置时截止 B.反向偏置时无电流流过二极管 C.反向击穿后立即烧毁 D.导通时可等效为一线性电阻 4.工作在放大状态的三极管两个电极电流如图，那么，第三个电极的电流大小、方向和管脚自左至右顺序分别为（）。 流出三极管 e、c、b 流进三极管 e、c、b 流出三极管 c、e、b 流进三极管 c、e、b 5.测得电路中晶体三极管各电极相对于地的电位如图，从而可判断该晶体管工作在（）。 A.饱和状态 B.放大状态 C.倒置状态Ｄ.截止状态 6.PNP型晶体管工作在放大状态，三个极电位的关系是（）。 A.V C >V B >V E B. V C > V E > V B Ｃ.V E >V B > V C Ｄ.V E >V C >V B 7.PNP型硅管工作在放大状态，各极对地电位分别是V 1=6V，V 2 =2.7V，V 3 =2V，则1， 2，3分别为（）。 A.发射极、基极、集电极 B.集电极、基极、发射极 C.集电极、发射极、基极 D.基极、集电极、发射极
模电第二章习题答案
题2－1 判断图中放大电路有无放大作用，说明理由。 a) 因为E 结反偏，C 结正偏，所以无放大作用。应将+VCC 改成-VCC b) 电源未给发射结正偏——无放大作用。应将Rb 连在电源和基极之间 c) 输入交流信号会因交流通路中VCC 的接地而被短路，无法作用在三极管的发射结—— 无放大作用。应在电源和基极之间接一个电阻 d) 由于电容的隔直作用，发射结没有得到正偏——无放大作用。应将电容C 移走 e) 有放大作用 f) 无放大作用，原因：电容C2在交流时短路输出电压无法引出，而始终为零。改正方法： 将电容C2放在集电极和电压引出端之间。 g) 无放大作用，原因：电容Cb 在交流时短路而使输入交流信号被短路，无法作用在三极 管的发射结。改正方法：将电容Cb 去掉。 h) 无放大作用 i) 无放大作用 题2－5 V R I I V U m A I m A R R U V I CEQ 82.3)(7.2,027.0)1(c BQ CQ CC CQ b c BEQ CC BQ =+-===++-=β 题2－6
题2－13 1）I BQ=20uA, I CQ=2mA, U CEQ=-4V 2) r be=1.5K, 3) A U=-100, 4)截止失真，应减小Rb 题2－15 (2) 画出微变等效电路
题2－16 1）I BQ =10uA, I CQ =1mA, U CEQ =6.4V 2) r be =2.9K Ω, RL=∞时，R e /‘=5.6K ，A U =0.99, RL=1.2K 时，R e /‘=0.99K ，A U =0.979, 3) RL=∞时，R i ‘=282K Ω， RL=1.2K 时，R i ‘=87K Ω 4) R o ‘=29Ω 题2－17 e be e be L 1)(1)(1R βr R βR βr R βU U C i o ++-=++-=' e be 2)(1)(1R βr R βU U e i o +++= R C ‘= R e 时，U O1 ‘≈ -U O2, 两者波形反相 题2－25 题2－26
第二章模拟电路(康华光)课后习题答案
模拟电路（康光华）第二章课后习题答案 2.4.1电路如图题2.4.1所示。（1）利用硅二极管恒压降模型求电路的I D 和 V o 的值；（2）在室温（300K ）的情况下，利用二极管的小信号模型求v o 的变化范围。 解（1）求二极管的电流和电压 mA A V R v V I D DD D 6.8106.8101)7.0210(23 3 =?=Ω ??-=-= - V V V V D O 4.17.022=?== （2）求v o 的变化范围 图题2.4.1的小信号模型等效电路如图解2.4.l 所示，温度 T ＝300 K 。 Ω≈== 02.36.826mA mV I V r D T d 当r d1=r d2=r d 时，则 mV V r R r V v d d DD O 6) 02.321000(02.32122±=Ω?+Ω ??±=+?=? O v 的变化范围为)(~)(O O O O v V v V ?-?+，即1.406V ～1.394V 。 2.4.3二极管电路如图2.4.3所示，试判断图中的二极管是导通还是截止，并求出AO 两端电压V AO 。设二极管是理想的。 解 图a ：将D 断开，以O 点为电位参考点，D 的阳极电位为－6 V ，阴极电位为－12 V ，故 D 处于正向偏置而导通，V AO =–6 V 。 图b ：D 的阳极电位为－15V ，阴极电位为－12V ，D 对被反向偏置而截止，V AO ＝－12V 。 图c ：对D 1有阳极电位为 0V ，阴极电位为－12 V ，故D 1导通，此后使D 2的阴极电位为 0V ，而其阳极为－15 V ，故D 2反偏截止，V AO =0 V 。 图d ：对D 1有阳极电位为12 V ，阴极电位为0 V ，对D 2有阳极电位为12 V ，阴极电位为 －6V ．故D 2更易导通，此后使V A ＝－6V ；D 1反偏而截止，故V AO ＝－6V 。
模电1_3章课后习题
填空 1. 和开路PN结的结区宽度相比较，当PN结加正偏电压时，其结区宽度将变窄；当PN结加反偏电压时，其结区宽度将变宽。 2. 整流二极管的整流作用是利用PN结的单向导电特性，稳压管的稳压作用是利用PN结的反向击穿特性。 3. 三极管工作在放大状态时，发射结应正偏置，集电结应反偏置。若工 作在饱和状态时，发射结应正偏置，集电结应正偏置。若工作在截止状态时，发射结应反偏置，集电结应反偏置。 4. 三极管电流放大系数β＝50，则α＝ 0.98 ；若α＝0.99，则β＝ 99 。 5. 当环境温度升高时，三极管的下列参数变化的趋势是：电流放大系数β增 大，穿透电流I CEO 增加，当I B 不变时，发射结正向压降|U BE | 减小。 6. 共射极放大电路中三极管集电极静态电流增大时，其电压增益将变大； 若负载电阻R L 变小时，其电压增益将变小。 7. 单级共射极放大电路产生截止失真的原因是静态Ic偏小；产生饱和失真 的原因是 Ic偏大；若两种失真同时产生，其原因是输入信号太大。 8. 试比较共射、共集和共基三种组态的放大电路，其中输入电阻较大的是 共集电路；通频带较宽的是共基电路；输入电阻较小的是 共基电路；输出电阻较小的是共集电路；输出信号与输入信号同相位的是共集和共基电路；电压增益小于1的是共集电路；带负载能力较强的是共集电路；既有电流放大能力又有电压放大能力的是共射电路。 9. 单级阻容耦合共射极放大电路的中频电压增益为-100，当信号频率为上限频 率f H 时，这时电路的实际增益为 -77.7 ，其输出与输入信号的相位相差 -225 度。 10. 某放大电路的对数幅频特性如图所示，由图可知，该电路的中频电压放大倍
模电(第四版)习题解答72841
模拟电子技术基础 第四版 清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答
目录 第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3 第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126
第1章常用半导体器件 自测题 一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。 (1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。( √ ) (2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( ×) (3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。( √ ) (4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。( ×) (5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证 R大的特点。( √) 其 GS U大于零，则其输入电阻会明显变小。( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的 GS 二、选择正确答案填入空内。 (l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。 A.变窄 B.基本不变 C.变宽 (2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。 A.正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 (3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。 A.前者反偏、后者也反偏 B.前者正偏、后者反偏 C.前者正偏、后者也正偏 (4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。 A.结型管 B.增强型MOS 管 C.耗尽型MOS 管 三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。 图T1.3 解：U O1=1.3V, U O2=0V, U O3=-1.3V, U O4=2V, U O5=1.3V, U O6=-2V。 四、已知稳压管的稳压值U Z=6V，稳定电流的最小值I Zmin=5mA。求图Tl.4所示电路