清华电子系电子电路(2)习题课第9讲 第7周作业讲解

模拟电子技术基本练习题(解)教学文稿

模拟电子技术基本练 习题(解)

电子技术基础（模拟部分）综合练习题 2010-12-12 一．填空题：（将正确答案填入空白中） 1．N型半导体是在本征半导体中掺入3价元素，其多数载流子是电子，少数载流子是空穴。P型半导体是在本征半导体中掺入 5价元素，其多数载流子是空穴，少数载流子是电子。 2．为使三极管能有效地有放大作用，要求三极管的发射区掺杂浓度最高；基区宽度最薄；集电结结面积最大。 3．三极管工作在放大区时，发射结要正向偏置，集电结反向偏置，工作在饱和区时，发射结要正向偏置，集电结正向偏置，工作在截止区时，发射结要反向偏置，集电结反向偏置。 4．工作在放大状态的三极管，流过发射结的电流主要是扩散电流，流过集电结的电流主要是漂移电流。 5．某三极管，其α=0.98，当发射极电流为2mA，其基极电流为0.04mA，该管的β值为 49。 6．某三极管，其β=100，当集电极极电流为5mA，其基极电流为0.05mA，该管的α值为 0.99。 7．某三极管工作在放大区时，当I B从20μA增大到40μA，I C从1mA变成 2mA。则该管的β约为 50。 8.半导体三极管通过基极电流控制输出电流，所以它属于电流控制器件。其输入电阻较低；场效应管通过栅极电压控制输出电流，所以它属于 电压控制器件。其输入电阻很高。

9.晶体管的三个工作区是放大区，截止区，饱和区。场效应的三个工作区是可变电阻区，饱和区，截止区。 10．场效应管又称单极型管，是因为只有一种载流子参与导电；半导体三极管又称双极型管，是因为有两种载流子参与导电。 11．串联式直流稳压电源是由组成取样电路；比较放大器； 基准电压和调整管。 12．集成运算放大器的内部电路是由偏置电路 , 中间放大器 , 输入级和 输出级四部分组成。 13．在一个三级放大电路中，已知A v1=20；A v2=-100；Av3=1，则可知这三级放大电路中A1是共基极组态；A2是共射极组态；A3是共集电极组态。14．正弦波振荡电路一般是由如下四部分组成放大器；反馈网络； 稳幅电路和选频网络。 15．为稳定放大电路的输出电流和提高输出电阻，在放大电路中应引入电流串联负反馈。 16．PNP三极管基区中的多数载流子是电子。少数载流子是空穴。17．对于放大电路，所谓开环是指放大电路没有反馈支路。 18．为稳定放大电路的输出电压和增大输入电阻，应引入电压串联负反馈。19．单相桥式整流电路中，设变压器的副边电压为V2，则输出直流电压的平均值为0.9V2。 20．差动放大电路中，共模抑制比K CMR是指差模电压放大倍数与共模电压放大倍数之比的绝对值。 二．选择题

电子技术复习题及答案

一、填空题 1、右图中二极管为理想器件， V1工作在_导通__ 状态；V2工作在__截止___状态。 2、差分放大器对差模信号有较强的放大能力，对共模信号有较强的__抑制__能力。 3、三级管工作在放大区时，发射结__正向__偏置，集电结__反向__偏置， 工作在饱和区时，发射结__正向_偏置，集电结_正向__偏置。 4、根据反馈的分类方式，负反馈电路有4种组合形式，即_串联负反馈、_并联负反馈__、_电流负反馈_、电压负反馈。 5、理想集成运算放大器有两个重要特性对分析线性运用电路非常有用，他们分别是虚短、虚断。 6、逻辑函数的表示形式有四种：逻辑函数式、______真值表____、卡诺图和逻辑图。 7、将十六进制（0BF）转换成十进制= __191________。 8、计数器、寄存器、编码器、译码器中，属于组合逻辑电路的是___译码器编码器___，属于时序逻辑电路的是_____计数器、寄存器_________ 。 9、共阳接法的发光二极管数码显示器，应采用___低_______电平驱动的七段显示译码器。 1、数字信号只有 0 和 1 两种取值。 2、十进制123的二进制数是 1111011 ；八进制数是 173 ；十六进制数是 7B 。 3、一位十进制计数器至少需要 4 个触发器。 4、有一A/D转换器，其输入和输出有理想的线性关系。当分别输入0V和5V电压时，输出的数字量为00H 和FFH，可求得当输入2V电压时，电路输出的数字量为： 66H 。 5、设ROM容量为256字×8位，则它应设置地址线 8 条，输出线 8 条。 6、用256字×4位RAM，扩展容量为1024字×8位RAM，则需要 8 片 1、在常温下，锗二极管的门槛电压约为 0.1 V，导通后在较大电流下的正向压降约为 0.2 V。 2、三极管须使发射结正向偏置，集电结反向偏置才能工作在放大区。 3、一般直流稳压电源由电源变压器、整流电路、滤波电路 和稳压电路四个部分组成。 4、按移位方向，移位寄存器可分为单向移动寄存器和双向移动寄存器。 5、三态门的“三态”指输出高电平，输出低电平和输出高阻态。 6、（101111）(2)=47(10),(87)(10)=1010111(2) 7、用一个称为时钟的特殊定时控制信号去限制存储单元状态的改变时间，具有这种特点的存储单元电路称为触发器。 8、时序电路分为组合电路和存储电路两种。 二、选择题 1、离散的，不连续的信号，称为（B ） A、模拟信号 B、数字信号 2、在下列逻辑部件中，不属于组合逻辑部件的是（ D ）。 A．译码器B．编码器 C．全加器D．寄存器

模拟电路典型例题讲解

3.3 频率响应典型习题详解 【3-1】已知某放大器的传递函数为 试画出相应的幅频特性与相频特性渐近波特图，并指出放大器的上限频率f H ，下限频率f L 及中频增益A I 各为多少？ 【解】本题用来熟悉：（1）由传递函数画波特图的方法；（2）由波特图确定放大器频响参数的方法。 由传递函数可知，该放大器有两个极点：p 1=－102rad/s ，p 2=－105rad/s 和一个零点z =0。 （1）将A (s )变换成以下标准形式： （2）将s =j ω代入上式得放大器的频率特性： 写出其幅频特性及相频特性表达式如下： 对A (ω)取对数得对数幅频特性： （3）在半对数坐标系中按20lg A (ω)及φ(ω)的关系作波特图，如题图3.1所示。

由题图3.1（a ）可得，放大器的中频增益A I =60dB ，上限频率f H =105/2π≈15.9kHz ， 下限频率f L =102/2π≈15.9Hz 。 【3-2】已知某放大器的频率特性表达式为 试问该放大器的中频增益、上限频率及增益带宽积各为多少？ 【解】本题用来熟悉：由放大器的频率特性表达式确定其频率参数的方法。 将给出的频率特性表达试变换成标准形式： 则 当ω = 0时，A (0) =200，即为放大器的直流增益（或低频增益）。 当ω =ωH 时， ωH =106rad/s 相应的上限频率为 由增益带宽积的定义可求得：GBW=│A (0)·f H │≈31.84MHz 思考：此题是否可用波特图求解？ 【3-3】已知某晶体管电流放大倍数β的频率特性波特图如题图3.2（a ）所示，试写出β的频率特性表达式，分别指出该管的ωβ、ωT 各为多少？并画出其相频特性的渐近波特图。

2017年清华大学电子系828初复试第一考研经验分享：xxx-nls

以梦为马，不忘初心 考研一路走来，师兄师姐研友朋友给与过我很多帮助。如今，我如愿进入清华电子系读研，也希望这份经验贴能够为后来的学弟学妹们提供一点参考。 简单自我介绍一下吧。我本科就读于北京航空航天大学通信工程，考研初试总分为436，其中数学147，英语83，政治76，信号130。复试成绩422.56，总成绩排名第一，成功考上电子系专硕。下面从考试科目、录取情况、参考书目、复习过程、复习思路、专业课的重点内容、复试等七个方面向大家介绍一下清华828考研的情况。 一、考试科目简介 828信号与系统是清华电子系考研信息与通信工程必考专业科目，电子与通信工程选考科目之一，分值150分，考试时间3个小时，一般位于考研第二天下午考查。 信号与系统是电子类专业的一门必修的专业基础课，它前面承接电路分析、高等数学、线性代数等科目，同时也是后续数字信号处理、图像信号处理、雷达原理、通信原理等科目的基础。信号与系统问题的无处不在，在众多学校专业课考试两三门科目的背景下清华电子只考一门，足以可见清华对信号与系统的重视。学好信号与系统不仅是考研成功的关键，对于未来在通信领域进行科学研究也至关重要。 二、录取情况分析 2017年清华电子系统招录取学硕5人（其中电子科学与技术1人，信息与通信工程4人），专硕21人。入围复试人数共43人，其中电子科学与技术3人，信息与通信工程7人，电子与通信工程33人。复试分数线如下表所示。

综合往年招生计划，电子系每年统招录取学硕4到5人，专硕20到25人。 三、复习参考书目 根据新祥旭学姐学长给我推荐的参考书目如下： 1.专业课： 《信号与系统（第三版）》郑君里高等教育出版社 《信号与系统（第二版）》奥本海姆西安交通大学出版社 《数字信号处理（第四版）》程佩青清华大学出版社 2.数学： 《考研数学复习全书》李永乐国家行政出版社 《数学基础过关660题》李永乐国家行政出版社 《数学历年真题权威解析》李永乐国家行政出版社 3.英语： 《历年考研英语真题》华研外语世界图书出版公司 4.政治： 肖秀荣的一整套书

清华大学微电子学本科生培养

首页->人才培养->本科生培养 一、简介 微纳电子系本科生一级学科名称为电子科学与技术，二级学科名称为微电子学。共有2003级本科生92人，2004级本科生66人，2005级本科生67人。2007年微纳电子系开设了21门本科生课程，其中专业核心课8门，专业限选课5门，平台课2门，专业任选课4门，新生研讨课2门。 二、课程设置 ?课程编号：30260093 课程名称：固体物理学 课程属性：专业核心课 任课教师：王燕 内容简介：固体物理学是固体材料和固体器件的基础。该课程主要研究晶体的结构及对称性，晶体中缺陷的形成及特征，晶格动力学，能带理论的基础知识以及晶体中的载流子输运现象等。是微纳电子专业的核心课。 ?课程编号：40260103 课程名称：数字集成电路分析与设计 课程属性：专业核心课 任课教师：吴行军 内容简介：本课程从半导体器件的模型开始，然后逐渐向上进行，涉及到反相器，复杂逻辑门（NAND，NOR，XOR），功能模块（加法器，乘法器，移位器，寄存器）和系统模块（数据通路，控制器，存储器）的各个抽象层次。对于这些层次中的每一层，都确定了其最主要的设计参数，建立简化模型并除去了不重要的细节。 ?课程编号：40260173

课程名称：数字集成电路分析与设计（英） 课程属性：专业核心课 任课教师：刘雷波 内容简介：数字集成电路的分析与设计，包括：CMOS反相器、组合和时序逻辑电路分析与设计、算术运算逻辑功能部件、半导体存储器的结构与实现、互连线模型与寄生效应的分析。并介绍常用数字集成电路的设计方法和流程。 ?课程编号：30260072 课程名称：微电子工艺技术 课程属性：专业核心课 任课教师：岳瑞峰 内容简介：本课程授课目的是使学生掌握微电子制造的各单项工艺技术，以及亚微米CMOS集成电路的工艺集成技术。本课程讲授微电子制造工艺各单项工艺的基本原理（包括氧化、扩散、离子注入、薄膜淀积、光刻、刻蚀、金属化工艺等），并介绍常用的工艺检测方法和MEMS加工技术、集成电路工艺集成技术和工艺技术的发展趋势等问题。另通过计算机试验，可学习氧化、扩散、离子注入等工艺设备的简单操作和模拟。 ?课程编号：40260033 课程名称：模拟集成电路分析与设计 课程属性：专业核心课 任课教师：王自强 内容简介：本课程介绍模拟集成电路的分析与设计方法，帮助学生学习基础电路理论，实现简单的模拟集成电路。课程分成3个部分：电路理论知识、电路仿真和版图介绍。课程以讲述电路理论为主，通过电路仿真对电路理论加以验证，最后介绍版图、流片方面的内容，使学生对全定制集成电路的设计流程有初步了解。 ?课程编号：40260054

模拟电路基础知识大全

模拟电路基础知识大全 一、填空题:(每空1分共40分) 1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。 2、漂移电流是(反向)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。 3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(零),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(无穷大),等效成断开; 4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。 6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(增大),发射结压降(减小)。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共集电极)、(共发射极)、(共基极)放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用(直流)负反馈,为了稳定交流输出电流采用(交流)负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(A/1+AF),对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF= (1/F )。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=(1+AF)BW,其中BW=(fh-fl ), (1+AF )称为反馈深度。

11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为(共模)信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为(差模)信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的(交越)失真,而采用(甲乙)类互补功率放大器。 13、OCL电路是(双)电源互补功率放大电路; OTL电路是(单)电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(近似于1 ),输入电阻(大),输出电阻(小)等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制(零点)漂移,也称(温度)漂移,所以它广泛应用于(集成)电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为(调波),未被调制的高频信号是运载信息的工具,称为(载流信号)。 17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=(KUxUy ) 1、1、P型半导体中空穴为(多数)载流子,自由电子为(少数)载流子。 2、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。 3、反向电流是由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。 4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 5、当温度升高时,三极管的等电极电流I(增大),发射结压降UBE(减小)。

【清华考博辅导班】清华微电子与纳电子学系2019年博士招生简章录取办法考博经验

【清华考博辅导班】清华微电子与纳电子学系2019年博士招生简章 录取办法考博经验 启道考博分享 一、清华微电子与纳电子学系简介-启道 微电子所成立于1980年，其前身是原无线电电子学系1957年创办的半导体教研组，是专门从事微电子学和纳电子学领域高层次人才培养和科学研究的机构。微纳电子系建于2004年，是清华大学微纳电子学科的教学和科研机构，主要从事前沿科学研究，产出对本学科有重大影响的科研和学术成果，培育微电子和纳电子领域的学术大师和优秀人才。三十多年来，微纳电子系/微电子所在我国半导体及集成电路发展史上取得了一系列代表国家水平、具有标志性的成果，为中国的半导体事业发展做出了突出贡献，累计获国家奖励9项，省部级奖励30多项。微纳电子系/微电子所下设有固体器件与集成技术研究室、集成电路与系统设计研究室、微纳器件与系统研究室和CAD技术研究室四个研究室和微纳电子技术支撑平台。2018年3月共有教职工78人，其中教授、研究员16人，副教授、副研究员、高级工程师和高级实验师36人。经过三十多年的发展，微纳电子系/微电子所形成了微纳电子学和集成电路与系统两个研究方向，建立了比较完善的硅基微电子研究体系，培养了大批高素质的优秀人才，是中国微纳电子学科研和人才培养的重要基地之一。 二、清华微电子与纳电子学系博士招生简章-启道 (一)应届本科生推荐免试攻读博士学位研究生 按《清华大学 2019 年接收外校推荐免试攻读博士(硕士)学位研究生的有关要求》和《清华大学关于 2015 级本科生推荐免试攻读研究生的若干规定》申请。 (二)硕博连读生 按《关于在校硕士生硕博连读的招生办法》要求申请。 (三)公开招考博士生 1.申请条件 符合《清华大学 2019 年博士研究生招生简章》中的报考条件。 2.申请时间 申请人需于 8 月 24 日-9 月 7 日登录 https://www.wendangku.net/doc/4510760965.html, 按相关要求完成网上报名手续。

模拟电子技术基础试题汇总附有答案.

模拟电子技术基础试题汇总 1.选择题 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 ( A )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( D ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0，则在静态时该三极管 处于( B ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。 ( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工 作点过高，容易产生

( B )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示，二极管导通电压U D＝0.7V，关于输出电压的说法正确的是( B )。 A：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为3.7V。 B：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为1V。 C：u I1=3V，u I2=3V时输出电压为5V。 D：只有当u I1=0.3V，u I2=0.3V时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可 能的原因是 。 A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高 C：基极电源+V BB电压变高D：基极回路电阻 R b变高。

8. 直流负反馈是指( C ) A. 存在于RC耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中，A为理想运放，则电路的输出电压约为( A ) A. －2.5V B. －5V C. －6.5V D. －7.5V 11. 在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输 入电压△υid为( B ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信 号源与低阻负载间接入 ( C )。 A. 共射电路 B. 共基电路

清华大学2015年电子工程系统考硕士复试名单

清华大学2015年电子工程系统考硕士复试名单 2015年3月10日 总分备注考生编号政治英语数学专业课成 绩1000350231105486270148139419 1000350231105026066144148418 1000350231101436853138134393 1000350231105506272133125392 1000350231092455571121140387 1000350230006666451134133382 1000350231094286058139125382 1000350231105496367138111379 1000350230005845567133123378 1000350230005905973135111378 1000350230006685966136110371 1000350231105036353135120371 1000350231073325781121106365 1000350230005897158120105354 1000350231094275557105131348 100035023107584655812893344 100035023109426625713193343 1000350231092476978142116405 1000350231086896765142121395 1000350231064807067139111387 1000350230006436871140107386 1000350231076946767130122386 1000350231080466068143115386 1000350231103096671132117386 1000350230006426577138105385 1000350230006476359148114384 1000350231078196967142105383 1000350230006245960150110379 1000350231101035966133116374 1000350230006186861140104373 1000350231104646050140123373 1000350231105526351142102358 100035023000622566614094356 1000350231075865767100130354 1000350231062936255136100353

清华大学微电子本科生培养课程设置.

一、简介 微纳电子系本科生一级学科名称为电子科学与技术,二级学科名称为微电子学。 二、课程设置 课程编号:30260093 课程名称:固体物理学 课程属性:专业核心课开课学期:09秋 任课教师:王燕 内容简介:固体物理学是固体材料和固体器件的基础。该课程主要研究晶体的结构及对称性,晶体中缺陷的形成及特征,晶格动力学,能带理论的基础知识以及晶体中的载流子输运现象等。是微纳电子专业的核心课。 课程编号:40260103 课程名称:数字集成电路分析与设计 课程属性:专业核心课开课学期:09秋 任课教师:吴行军 内容简介:本课程从半导体器件的模型开始, 然后逐渐向上进行, 涉及到反相器, 复杂逻辑门 (NAND , NOR , XOR , 功能模块(加法器,乘法器,移位器,寄存器和系统模块(数据通路,控制器,存储器的各个抽象层次。对于这些层次中的每一层,都确定了其最主要的设计参数,建立简化模型并除去了不重要的细节。 课程编号:40260173 课程名称:数字集成电路分析与设计(英 课程属性:专业核心课开课学期:09秋 任课教师:刘雷波

内容简介:数字集成电路的分析与设计,包括:CMOS 反相器、组合和时序逻辑电路分析与设计、算术运算逻辑功能部件、半导体存储器的结构与实现、互连线模型与寄生效应的分析。并介绍常用数字集成电路的设计方法和流程。 课程编号:30260072 课程名称:微电子工艺技术 课程属性:专业核心课开课学期:09秋 任课教师:岳瑞峰 内容简介:本课程授课目的是使学生掌握微电子制造的各单项工艺技术, 以及亚微米 CMOS 集成电路的工艺集成技术。本课程讲授微电子制造工艺各单项工艺的基本原理(包括氧化、扩散、离子注入、薄膜淀积、光刻、刻蚀、金属化工艺等,并介绍常用的工艺检测方法和 MEMS 加工技术、集成电路工艺集成技术和工艺技术的发展趋势等问题。另通过计算机试验,可学习氧化、扩散、离子注入等工艺设备的简单操作和模拟。 课程编号:40260054 课程名称:半导体物理与器件 课程属性:专业核心课开课学期:09春 任课教师:许军 内容介绍:主要讲授半导体材料的基本物理知识,半导体器件的工作原理以及现代半导体器件的新进展。主要内容包括:半导体中的电子态和平衡载流子统计,载流子的输运(非平衡载流子,产生和复合,载流子的漂移、扩散,电流连续性方程, PN 结二极管和双极型晶体管,场效应晶体管,半导体光电器件,纳电子器件基础。 课程编号:40260033 课程名称:模拟集成电路分析与设计 课程属性:专业核心课开课学期:09春 任课教师:王自强

李健的才华与清华电子系

李健作为清华的学霸，其才华也是特别出众 李健，1974年9月23日出生于黑龙江省哈尔滨市，中国内地流行乐男歌手、音乐制作人，毕业于清华大学电子工程系。 说起李健，可能很多人都很熟悉，他的才华和气质可以说很出众了，他的声音总是那么的清澈，仿佛可以让人忘了白天发生的一切烦恼，在另一方面，他又是作为清华的一名大学霸，可以说让人十分的仰慕了，他喜欢穿西装，也是发散着特殊的绅士魅力。 他出生在黑龙江的哈尔滨，他的才艺可以说和他的家庭有很大的关系了。他爸爸妈妈都是以文艺出身的，所以他家是一个文艺之家了，小时候他父母对他的培养就多元化，像戏曲和武术等等，他都是特别感兴趣，他尤其喜欢武术，所以说他小时候算是一个孩子王了，到处也是喜欢调皮捣蛋，这也是很多小孩子的共性，但是他很不普通。虽然经常和同学有摩擦，但是这并没有影响到他的学习，他成绩一直很优秀。 很多人对于一些爱好的启蒙，都是从电影开始的。那时候李健还是读初中，但是看了路边吉他队之后，他对于吉他也是产生了浓厚的兴趣，但是家里面经济也没有很宽裕，他母亲也是用了将近三个月的工资才帮李健买了他心心念念的吉他，他也是倍感珍惜，而那时候的音乐也是往吉他这方面靠拢，所以这也是加大了他对于吉他的热爱。 我对他产生浓厚的兴趣还是因为他是清华毕业的，毕竟娱乐圈学霸还真是不多。学霸不是一朝一夕能够养成的，但是可以抓住很多机会。我们都知道很多高校为了能吸引人才，也是想尽了办法，但是那时候清华就有了冬令营的这种方式，李健毕竟小时候就有了很多的才艺，所以在冬令营的一些比赛中，他也是获得了全国第一的成绩，因此也是加了定向的五十分，虽然使得他考入清华会简单一点，但是之后能顺利进入还是能证明他的足够优秀，毕竟换作是大部分人，加一百分也是无济于事。 在大学期间的李健同样是很优秀的，不仅担任了班长职务，在很多的活动中也是展现了自己的能力。他那时和清华同学一拍即合成立了自己的组合，而且发表了他们的专辑，而且还获得了许多的大奖。但是因为两个人的歌曲观念渐行渐远，后来李健选择了单飞，而且发表了自己的专辑，他自己主场的演唱会也是很圆满的落幕，他自己也是很有才华，所以创作了很多的原创歌曲，而且非常适合他自己的演唱方式。 李健在音乐方面有很高的造诣，但是都是他自身的努力得来的，没有谁是天生就对哪方面有着比别人高的成就，很多人觉得李健凭借着运气考上了清华大学，然后又有着好的运气组合了水木年华，后来出了一个专辑迅速蹿红，但是他们不知道的是李健对于音乐的追求有多么的纯粹，他不想随波逐流的创造市场音乐，所以他退出了水木年华组合，开始了自己的北漂生活。 这是真正的北漂生活，没有任何名气，也没有自己的事业，他每天在自己租的房子里苦练吉他和音乐，可以想象一下，在寒冷冬天的北京，一个四合院的小房间里亮着灯，里面传来一串串的音符。这个时候的李健真的特别的穷，他会为了生计去商场的促销活动上演唱，那时候台下都是大爷大妈，他一唱歌三楼的顾客都会伸着脖子往下看，音响设备也很不好，所以

集成电路工程-清华大学

微纳电子学系 集成电路工程领域（全日制工程硕士专业学位研究生） 一、培养目标和要求 集成电路工程领域培养集成电路设计与应用高级工程技术人才和集成电路制造、测试、封装、材料与设备的高级工程技术人才。集成电路工程领域的工程硕士要求具备本领域扎实的基础理论和宽广的专业知识以及管理知识，较为熟练地掌握一门外国语，掌握解决集成电路工程问题的先进技术方法和现代技术手段，具有创新意识和独立承担解决工程技术或工程管理等方面实际问题的能力。 二、培养方式及学习年限 工程硕士生根据培养方式不同分为两大类： 1.参加全国硕士研究生统一考试，按照清华大学分数线由清华大学研究生院统一录取的 “全日制”工程硕士生；或从应届本科毕业生中，按照清华大学免试推荐录取原则，经免试推荐择优录取的“全日制”工程硕士生。学习年限一般为2～3年，论文工作时间从开题报告之日起至完成学位论文申请答辩之日止一般不少于一年。 2.来源于企事业单位的委托、定向培养类不离岗工程硕士生，或不脱产攻读工程硕士学位 的研究生，或来源于应届本科毕业生，经参加全国工程硕士研究生入学考试，并通过清华大学复试，由清华大学研究生院统一录取。课程学习时间一般为一年到一年半，学习年限最长不超过5 年。论文工作时间（从选题报告通过之日起至论文送评阅前止）一般不少于一年半。 三、适用领域 集成电路工程领域。 四、学分要求 攻读工程硕士专业学位的研究生，需获得学位要求学分不少于32，其中考试学分不少于22。具体如下： 1、必修课程不少于23学分 2、选修课程不少于6学分 3、必修环节3学分 五、课程设置 （一）必修课程（不少于23学分，其中考试学分不少于20学分）

模拟电路基础知识大全

一、填空题:(每空1分共40分) 1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。 2、漂移电流是(反向)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。 3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(零),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(无穷大),等效成断开; 4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。 6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(增大),发射结压降(减小)。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共集电极)、(共发射极)、(共基极)放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用(直流)负反馈,为了稳定交流输出电流采用(交流)负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(A/1+AF),对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF= (1/F )。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=(1+AF)BW,其中BW=(fh-fl ), (1+AF )称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为(共模)信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为(差模)信号。

12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的(交越)失真,而采用(甲乙)类互补功率放大器。 13、OCL电路是(双)电源互补功率放大电路; OTL电路是(单)电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(近似于1 ),输入电阻(大),输出电阻(小)等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制(零点)漂移,也称(温度)漂移,所以它广泛应用于(集成)电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为(调波),未被调制的高频信号是运载信息的工具,称为(载流信号)。 17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=(KUxUy ) 1、1、P型半导体中空穴为(多数)载流子,自由电子为(少数)载流子。 2、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。 3、反向电流是由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。 4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 5、当温度升高时,三极管的等电极电流I(增大),发射结压降UBE(减小)。 6、晶体三极管具有放大作用时,发射结(正偏),集电结(反偏)。 7、三极管放大电路共有三种组态()、()、()放大电路。

模拟电子技术课程习题第二章基本放大电路

第二章基本放大电路 在基本放大电路的三种组态中，输入电阻最大的放大电路是[ ] A.共射放大电路 B.共基放大电路 C.共集放大电路 D.不能确定 在基本共射放大电路中，负载电阻R L 减小时，输出电阻R O 将[ ] A.增大 B.减少 C.不变 D.不能确定 在三种基本放大电路中，输入电阻最小的放大电路是[ ] A.共射放大电路 B.共基放大电路 C.共集放大电路 D.不能确定 在电路中我们可以利用[ ]实现高内阻信号源与低阻负载之间较好的配合。 A 共射电路 B 共基电路 C 共集电路 D 共射-共基电路 在基本放大电路的三种组态中，输出电阻最小的是[ ] A.共射放大电路 B.共基放大电路 C.共集放大电路 D.不能确定 在由NPN晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1kHz,5mV的正弦电压时，输出电压波形出现了底部削平的失真，这种失真是[ ] A.饱和失真 B.截止失真 C.交越失真 D.频率失真 以下电路中，可用作电压跟随器的是[ ] A．差分放大电路 B．共基电路 C．共射电路 D．共集电路 晶体三极管的关系式i E =f(u EB )|u CB 代表三极管的 A.共射极输入特性 B.共射极输出特性 C.共基极输入特性 D.共基极输出特性 对于图所示的复合管，穿透电流为（设I CEO1、I CEO2 分别表示T 1 、T 2 管的穿透电 流） A.I CEO = I CEO2 ?I CEO B.I CEO =I CEO1 +I CEO2 C.I CEO =（1+? 2 ）I CEO1 +I CEO2 D.I CEO =I CEO1 图 [ ] 在由PNP晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1kHz,5mV的正

清华大学电子工程系学科方向

电子工程系学科设置? 通信与信息系统 信号与信息处理 电磁场与微波技术? 物理电子学 电路与系统 电子工程系教学工作? 年本科开课目录? 年研究生课程目录? 各研究所教研室介绍 信息光电子研究所? 一、情况介绍和研究方向 二、年在研的科研项目? 三、课题组介绍（) 通信与微波研究所? 一、情况介绍和研究方向 二、年在研的科研项目? 三、课题组介绍（) 通信技术方向 电磁场与微波技术方向? 高速信号处理与网络传输研究所 一、情况介绍和研究方向 二、年在研的科研项目 网络与人机语音通信研究所? 一、情况介绍和研究方向? 二、年在研的科研项目 三、研究方向(）? 图象图形研究所 一、情况介绍和研究方向 二、年在研的科研项目

三、联系方式? 电路与系统教研室 一、情况介绍和研究方向? 二、年在研的科研项目? 三、研究方向()

电子工程系学科设置 专业设置 本科生专业： ?电子信息科学类 研究生专业： 一级学科???二级学科 电子科学与技术???物理电子学 ????电路与系统 ??????微电子学与固体电子学 ??????电磁场与微波技术 信息与通信工程??通信与信息系统 ??????信号与信息处理 ????电子与通信工程（工硕） 通信与信息系统 学科方向：通信与信息系统 研究课题:、信息传输与接入 、数字信号处理与终端技术 、无线通信技术与系统 、通信网络与交换技术 、通信与信息系统的仿真与集成 依托国家重点实验室及相关学术领域： 微波与数字通信国家重点实验室、集成光电子学国家重点实验室 系内:微波与天线、信息光电子与光电子学、电路与系统、信号与信息处理 跨系、所:微电子学研究所、计算机科学与技术系、自动化系、电机工程与应用电子技术系、工程力学系、材料科学与工程系

清华大学微纳电子系课程

微电子与纳电子学系 00260011 晶体管的发明和信息时代的诞生 1学分 16学时 The Invention of Transistors and the Birth of Information Age 晶体管的发明，是二十世纪最重要的科技进步。晶体管及以晶体管核心的集成电路是现代信息社会的基础，对社会的进步起着无以伦比的作用。晶体管的发明，源于19世纪末20世纪初物理学、电子学以及相关技术科学的迅速成熟。晶体管的发明造就了一大批物理学家、工程师。晶体管的发明，也随之产生了许多著名的研究机构与重要的公司，如贝尔实验室、仙童公司、Intel等都与晶体管的发明密切相关。“以铜为鉴，可正衣寇；以古为鉴，可知兴替；以人为鉴，可明得失”。晶体管发明作为现代科技史上的重大事件发生过鲜为人知的重要经验和教训，涉及科研管理、人才和科学方法等诸多方面，可以从成功和失败两个方面为后人提供十分重要的借鉴与启示。本课程试图从晶体管的发明到信息社会的诞生，探讨技术革命和创新的方向，为大学低年级学生将来从事科学研究建立正确的思想观。所讨论的课题包括，科学预见和准确选题的重要性、科学研究的方法、放手研究的政策、知人善任和合理配备专业人才等。 00260051 固体量子计算器件简介 1学分 16学时 Introduction to solid-state quantum computing devices 作为量子力学和信息学的交叉，量子信息学是最近二十多年迅速发展起来的新兴学科，量子信息处理技术能够完成许多经典信息技术无法实现的任务。比如，一旦基于量子信息学的量子计算机得以实现，其在几分钟内就可解决数字计算机几千年才能解决的问题，那么用它就可及时地破解基于某些数学问题复杂性假定之上的传统保密通信的密钥，从而对建立于经典保密系统行业的信息安全构成根本性的威胁。这种新兴技术的实现可以直接地应用于国防，政治，经济和日常生活。本课程在此大的学术背景下展开，主要介绍最有希望成为量子比特的固体量子相干器件的基本原理和目前的研究状况，以及如何用这些器件实现量子计算。 00260061 量子信息处理的超导实现 1学分 16学时 Quantum information process and its implemention with superconducting devices 基于半导体集成电路的经典信息处理技术已渗透到我们生活的各个方面，信息处理器件，例如个人电脑和手机，为我们生活质量的提高提供了强有力的技术支持。但是经典信息处理技术的继续发展面临着技术上的瓶颈，其性能很难在现有技术路线上继续提高。一种新型的完全基于量子力学原理的量子信息处理技术，有望提高信息处理的效率并解决一些经典信息处理技术无法解决的问题。量子信息处理技术的成功实施，将为我们提供绝对保密的量子通信技术和高效的量子计算机。本课程将学习量子信息处理的基本原理；超导材料的基本特性以及利用超导器件实现量子信息处理的原理与方法。通过文献调研和小组讨论等方式了解利用超导器件实现量子信息处理的最新进展和面临的挑战，探讨可能的解决方案。 00260071 智能传感在社会生活中的应用 1学分 16学时 Smart Sensing in Social Activities 智能传感已经深入到社会生活的每个领域，深刻地影响着我们的社会组织方式和行为方式。本课程采用视频、图片等多媒体方式，以活泼生动地方式，向具有不同专业背景的学生深入浅出地讲述智能传感器及其在社会和生活中的应用。例如，在文化与智能传感器章节中，结合大家熟知的电影形象《指环王》中的“咕噜”，介绍智能运动传感器在电影制作中的应用；结合《机械战警》中的形象，介绍脑机接口传感器在脑神经科学研究及帕金森症等疾病治疗中的应用。在传感器与智能交通章节中，介绍汽车中种类繁多的传感器对未来无人驾驶汽车的作用。在传感器与智能家居章节中，介绍iphone手机中集成的多种传感器，及其功能扩展。在传感器与现代国防章节中，结合南斯拉夫亚炸馆事件，介绍控制炸弹穿透多层建筑后再爆炸的

模拟电路基础 教案

教师教案（2011—2012学年第一学期) 课程名称：模拟电路基础 授课学时：64学时 授课班级：20XX级光电2-4专业任课教师：钟建 教师职称：副教授 教师所在学院：光电信息学院 电子科技大学教务处

第1章半导体材料及二极管(讲授8学时+综合训练2学时) 一、教学内容及要求（按节或知识点分配学时，要求反映知识的深度、广度，对知识点的掌握程度（了解、理解、掌握、灵活运用），技能训练、能力培养的要求等） 1.1 半导体材料及其特性：理解并掌握本征半导体与杂质半导体（P型与N 型）的导电原理，本征激发与复合、多子与少子、漂移电流与扩散电流的区别；理解并掌握PN结的形成原理（耗尽层、空间电荷区和势垒区的含义）；理解PN 结的单向导电特性与电容效应。（2学时） 1.2 PN结原理：PN结的形成：耗尽层、空间电荷区和势垒区的含义，PN结的单向导电特性，不对称PN结。（2学时） 1.3 晶体二极管及应用：理解并掌握二极管单向导电原理及二极管伏安特性方程；理解二极管特性随温度变化的机理；理解并掌握二极管的四种等效电路及选用原则与区别；理解并掌握二极管主要参数；了解不同种类二极管区别（原理），了解硅管与锗管的区别；理解稳压二极管的工作原理。（4学时） 二、教学重点、难点及解决办法（分别列出教学重点、难点，包括教学方式、教 学手段的选择及教学过程中应注意的问题；哪些内容要深化，那些内容要拓宽等等） 重点：半导体材料及导电特性，PN结原理，二极管单向导电特性及二极管方程，二极管伏安特性曲线及其温度特性。 难点：晶体二极管及应用，PN结的反向击穿及应用。 三、教学设计（如何讲授本章内容，尤其是重点、难点内容的设计、构思） 重点讲解二极管的单向导电性，二极管单向导电特性及二极管方程，二极管伏安特性曲线及其温度特性，二极管导通电压与反向饱和电流，二极管的直流电阻与交流电阻。反向击穿应用：设计基本稳压管及电路。

模拟电子技术》复习题

《模拟电子技术》复习 一、选择题： 1. 用直流电压表测得放大电路中某BJT各极电位分别是2V、6V、 2.7V，则该BJT 三个电极分别是 C 。 （A） B、C、E （B）.C、B、E （C）E、C、B 2. 用直流电压表测得放大电路中某BJT各极电位分别是-9V、-6V、-6.2V，则该BJT 三个电极分别是 B 。 （A） B、C、E （B）.C、E、B （C）E、C、B 3. 测得某硅BJT各电极对地电压值分别为V C =6V，V B =0.7V，V E =0V，则该管子工作在 A 。 （A）放大区（B）截止区（C）饱和区 4. 测得某硅BJT各电极对地电压值分别为V C =6V，V B =4V，V E =3.6V，则该管子工作在 B 。 （A）放大区（B）截止区（C）饱和区5. 稳压管的稳压区是其工作在 C 。 （A）正向导通（B）反向截止（C）反向击穿6. 当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。 （A）增大（B）减小（C）不变 7. 工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12μA增大到22μA时，I C 从1mA变为 2mA，那么它的β值约为 C 。 （A）83 （B）91 （C）100 8. 三极管放大电路的三种组态中， B 组态的电压放大倍数总是略小于1。

（A）共射（B）共集（C）共基 9. 共射极放大电路的交流输出波形正半周失真时为 B 。 （A）饱和失真（B）截止失真（C）交越失真 10.共射极放大电路的交流输出波形负半周失真时为 A 。 （A）饱和失真（B）截止失真（C）交越失真 11.差分式放大电路是为了 C 而设置的。 （A）稳定电压增益（B）放大信号（C）抑制零点漂移 12.共模抑制比是差分式放大电路的一个主要技术指标，它反映放大电路 A 能力。 （A）放大差模抑制共模（B）输入电阻高（C）输出电阻低 13.用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻Re，将使电路的 B 。（A）差模电压增益增大（B）抑制共模信号的能力增强（C）差模输入电阻增大 14.差分式放大电路的共模信号是两个输入端信号的 C 。 （Ａ）差值（Ｂ）和值（Ｃ）平均值 15.将单端输入-双端输出的差分放大电路改接成双端输入-双端输出时，其差模放大 倍数 将 A 。 （A）不变（B）增大一倍（C）减小一半 16.将单端输入-双端输出的差分放大电路改接成单端输入-单端输出时，其差模放大倍数将 C 。