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北邮半导体后五章概念

第五章

5.1 非平衡载流子产生与复合

·光注入：用光照使得半导体内部产生非平衡载流子的方法。 ·非平衡载流子：偏离平衡载流子浓度的那部分载流子

小注入：非平衡载流子浓度比平衡多子浓度低得多,比平衡少子浓度高得多。 N 型

，

P 型，

大注入：非平衡载流子浓度与平衡多子浓度接近。 N 型

P 型

非平衡载流子产生的电导率

·复合：导带电子跃迁到价带，使电子-空穴对消失的过程。 5.2 非平衡载流子寿命（寿命）、复合几率、复合率

·寿命：撤消注入后，非平衡少数载流子的平均存在时间。 5.3 准费米能级、非平衡半导体

·注入作用下，导带电子、价带空穴在极短时间各自达到平衡，但导带电子与价带空穴不平衡，半导体没有统一费米能级，处于非平衡态。这种非平衡

态用电子准费米能级E F n 、空穴准费米能级E F p

描述。 5.4 非平衡载流子复合理论

·直接复合：导带电子直接跃迁到价带与空穴复合间接复合：导带电子和价带空穴通过复合中心复合体内复合：半导体内复合表面复合：半导体表面复合

·复合中心：对复合起有效作用的杂质和缺陷

最有效复合中心：

设复合中心等效为一定半径的球，对载流子张开截面σ，当载流子与球相遇，则认为载流子被捕获。

σ?电子俘获截面 σ+空穴俘获截面

·表面复合：非平衡载流子通过表面复合中心的复合

·俄歇复合：非平衡载流子从高能级向低能级跃迁复合过程中释放的能量使导带（或价带）中另一个载流子激发到更高能级，或使另一个载流子发射到半导体外(俄歇电子)

·直接复合、间接复合、俄歇复合的区别：①直接复合是辐射复合，所确定的寿命是半导体材料能获得的最大寿命（本征寿命），在窄直接带隙半导体、本征半导体中占支配地位；②间接复合是辐射复合，不仅需要发射光子释放复合能量，还要吸收或发射一个适当的声子满足晶体动量守恒，在间接带隙半导体复合中占支配地位；③俄歇复合是无辐射复合，是三粒子过程，在窄禁带半导体、较高温度工作的半导体、大注入半导体中占支配地位。 5.5 陷阱效应

·陷阱效应：杂质或缺陷对一种非平衡载流子的收容效应有效陷阱（陷阱）：具有显著陷阱效应的杂质或缺陷陷阱能级：有效陷阱对应的能级陷阱中心：有效陷阱的位置 ·稳态：产生-复合动态平衡最有效电子陷阱能级

费米能级以上的杂质能级，越接近费米能级，电子陷阱效应越显著。最有效空穴陷阱能级

费米能级以下的杂质能级，越接近费米能级，空穴陷阱效应越显著。 5.6 载流子扩散运动及定律

载流子扩散：当空间分布不均匀时，载流子将由高浓度区向低浓度区扩散。扩散电流密度：载流子扩散方向上单位时间内通过单位面积的载流子数。扩散长度：非平衡载流子深入样品的平均距离 5.7 爱因斯坦关系式

高浓度N 区空穴浓度大于电子浓度显正电，低浓度N 区电子浓度大于空穴浓度显负电，形成电场，使电子、空穴漂移。

5.8 连续性方程（漂移-扩散-复合-产生方程）及应用举例

连续性方程：在漂移运动和扩散运动同时存在时少数载流子所遵守的运动方程。

5.9 硅半导体少子寿命、扩散长度与杂质浓度的关系

掺杂浓度越低，载流子寿命越高；掺杂浓度越高，寿命越低。

N 型半导体中的少子（空穴）迁移率大于相同掺杂浓度的P 型半导体中的空穴（多子）迁移率；P 型半导体中的少子（电子）迁移率大于相同掺杂浓度的N 型半导体中的电子（多子）迁移率。

第六章

6.1 平衡PN 结

·PN 结的形成：把p 型（或n 型）杂志掺入n 型（或p 型）半导体单晶中，使这块单晶的不同区域分别具有n 型和p 型的导电类型，在两者的交界处就形成了PN 结。

结深：从晶体表面到P 型变为N 型界面的距离

空间电荷区（势垒区、耗尽层）：pn 结附近电离施主和电离受主所带电荷为空间电荷，它们所处的区域。

突变结：杂质浓度在交界面处由N A （p 型）突变为N D （n 型）的pn 结

单边突变结：N A ?N D p +n 结 N D ?N A n +p 结

线性缓变结：杂质浓度从p 区到n 区近似线性变化的pn 结。突变结近似适合高表面浓度或浅扩散结。线性缓变结近似适合低表面浓度或深扩散结。

·接触电势差（内建电势差）：平衡pn 结的空间电荷区两端间的电势差V D 势垒高度：接触电势差相应的电子电势能之差，即能带的弯曲量qV D 势垒宽度：从n 区势垒区边界到p 区势垒区边界的距离。 6.2 PN 结电流-电压关系 ·正向偏置

载流子运动情况：正向偏置下，电子从N 区向P 区、空穴从P 区向N 区净扩散。注入电子在中性P 区与势垒区交界处堆积，浓度比P 区内部高，产生流向P 区内部的电子扩散流。非平衡电子扩散过程中与P 区空穴复合，经过几个扩散长度后，全部复合。注入空穴在中性N 区与势垒区交界处堆积，浓度比N 区内部高，产生流向N 区内部的空穴扩散流。非平衡空穴扩散过程中与N 区电子复合，经过几个扩散长度后，全部复合。耗尽层近似：空间电荷由电离施主、电离受主构成；空间电荷区与注入电子扩散区交界处的非平衡电子浓度空间电荷区与注入空穴扩散区交界处的非平衡空穴浓度

空穴扩散区空穴浓度分布

电子扩散区电子浓度分布

理想PN 结电流-电压方程（肖克莱方程、理想二极管方程） ·反向饱和电流密度：反向偏置下的电流密度，常量，与外加电压无关。 6.3 PN 结电容 ·势垒电容：pn 结上外加电压的变化，引起了电子和空穴在势垒区的“存入”和“取出”作用，导致势垒区的空间电荷数量随外加电压而变化，这和一个电容器的充放电作用相似。

·结面积减小，轻掺杂一边杂质浓度减小，反向偏压增大，电容减小 ·线性缓变结

结面积减小，杂质浓度梯度降低，反向偏压增大，电容减小。

·扩散电容：由于扩散区的电荷数量随外加电压的变化所产生的电容效应 6.4 PN 结击穿

·热电击穿：反向漏电流在PN 结产生的功耗如不能及时散发，则PN 结温度上升，反向电流增加，如此反复，功耗不断增加导致热电击穿。

·隧道击穿（齐纳击穿）：在强电场作用下，由于隧道效应，使大量电子从价带穿过禁带而进入到导带所引起的击穿现象。

特点：PN 结两侧掺杂浓度很高，容易发生隧道击穿；击穿电压随温度升高而降低（负温度系数）。

·雪崩击穿：P 区反向扩散电子、N 区反向扩散空穴进入空间电荷区，受到反向偏压产生的电场加速，获得动能。反向偏压很高时，载流子获得很大动能，与晶格原子碰撞，激发价带电子到导带，形成自由电子-空穴对（俄歇产生）。产生的电子-空穴对被电场分开、加速，产生更多电子-空穴对，载流子雪崩倍增，PN 结反向电流迅速增大。

特点：不仅与势垒电场强度有关，还与势垒宽度有关。若势垒很薄，即使电场强度高，载流子的加速距离很短，也不产生雪崩击穿。温度提高，晶格散射增加，平均自由程缩短，击穿电压提高，具有正温度系数。 6.5 隧道二极管（江畸二极管）

·峰值电流I p ：正向电流一开始随正向电压的增加而迅速上升达到的极大值。谷值电流I v ：随电压增大电流达到的极小值。峰值电压V p 谷值电压V v

隧道结：由重惨杂的p 区和n 区形成的pn 结

·由于简并半导体带尾，电压达到谷电压时，N 区导带和P 区价带仍有量子态对应，N 区导带带尾上的电子隧穿到P 区带尾空量子态，形成过量电流。

第七章

7.1 金属和半导体的接触及其模型 ·金属功函数：能量为费米能级的电子，由金属内逸出到真空所需最小能量。半导体功函数：半导体中能量等于费米能级的电子逸出到真空所需最小能量。

电子亲和能χ：要使半导体导带底的电子逸出体外所需要的最小能量。 ·接触电势差：当金属和半导体接触时，不考虑接触界面状态的影响，电子从功函数较小材料逸出到功函数较大材料，接触面附近两种材料表面状态变化，产生阻止电子继续转移的接触电势差。 W m >W s N 型：

电子阻挡层：半导体表面空间电荷区能带向上弯曲，形成表面电子势垒，阻止电子从向金属逸出 W m

电子反阻挡层：从半导体内到表面，能带向下弯曲，半导体表面电子浓度比体内高，形成电子反阻挡层。 W m

空穴阻挡层：从半导体内到表面，能带向下弯曲，半导体表面空穴浓度比体内低，形成空穴阻挡层。 W m >W s P 型：

空穴反阻挡层：

从半导体内到表面，能带向上弯曲，半导体表面空穴浓度

比体内高，形成空穴阻挡层。

·原子周期排列在表面中断，表面存在未饱和共价键（悬挂键），对应的电子量子态（表面态）和表面能级定域在表面。

施主型表面态：电子占据时为电中性、无电子时带正电的表面态

受主型表面态：无电子时为电中性，有电子时带负电的表面态

表面中性能级：价带顶以上约1/3禁带宽度处的能级。

钉扎效应：若表面态密度很高，半导体费米能级基本上被钉住在表面中性能级，表面中性能级始终等于半导体费米能级。

7.2 MS接触整流理论

·扩散理论：适合阻挡层宽度远大于载流子平均自由程（半导体杂质浓度很低）的情况，电流密度因子J sD随外加电压变化。

热电子发射理论：适合阻挡层宽度远小于载流子平均自由程（半导体杂质浓度很高）的情况电流密度因子J sT与外加电压无关，强烈依赖温度。

·肖特基二极管特点：1正向电流由半导体多子注入金属形成，注入电子在金属中不积累，直接漂移流走，高频特性好； 2正向导通电压0.3V左右，比PN结二极管低； 3制作工艺简单； 4制作MS结构后，不能有高于金属-半导体合金温度的工艺；

7.3 MS接触中的少子注入、欧姆接触

·欧姆接触：不产生明显的附加阻抗，而且不会使半导体内部的平衡载流子浓度发生明显变化。

实现：隧道效应，利用重掺杂的PN结形成欧姆接触。

制作工艺：蒸发、溅射、电镀

高低结（N+N结或P+P）：内建电场从高杂质浓度区指向低杂质浓度区

第八章

8.1 半导体表面态

·理想表面：表面层中原子陪列的对称性与体内原子完全相同，且表面上不附着任何原子或分子的半无限晶体表面。

一维半无限周期性势场：晶体内部，势场随x周期变化；晶体外部，势能为常数。

未饱和键（悬挂键）：表面最外层格点原子有一个未配对电子

半无限半导体中电子波函数在表面附近随距离指数衰减（定域在表面），称为表面态，对应能级称为达姆表面能级。

半导体物理器件期末考试试题(全)

---------------------------------------------------------------最新资料推荐------------------------------------------------------ 2015半导体物理器件期末考试试题(全) 半导体物理器件原理（期末试题大纲）指导老师：陈建萍一、简答题（共 6 题，每题 4 分）。代表试卷已出的题目1、耗尽区：半导体内部净正电荷与净负电荷区域，因为它不存在任何可动的电荷，为耗尽区（空间电荷区的另一种称呼）。 2、势垒电容：由于耗尽区内的正负电荷在空间上分离而具有的电容充放电效应，即反偏 Fpn 结的电容。 3、Pn 结击穿：在特定的反偏电压下，反偏电流迅速增大的现象。 4、欧姆接触：金属半导体接触电阻很低，且在结两边都能形成电流的接触。 5、饱和电压：栅结耗尽层在漏端刚好夹断时所加的漏源电压。 6、阈值电压：达到阈值反型点所需的栅压。 7、基区宽度调制效应：随 C-E 结电压或 C-B 结电压的变化，中性基区宽度的变化。 8、截止频率：共发射极电流增益的幅值为 1 时的频率。 9、厄利效应：基带宽度调制的另一种称呼（晶体管有效基区宽度随集电结偏置电压的变化而变化的一种现象） 10、隧道效应：粒子穿透薄层势垒的量子力学现象。 11、爱因斯坦关系：扩散系数和迁移率的关系： 12、扩散电容：正偏 pn 结内由于少子的存储效应而形成的电容。 1/ 11

13、空间电荷区：冶金结两侧由于 n 区内施主电离和 p 区内受主电离

---------------------------------------------------------------最新资料推荐------------------------------------------------------ 而形成的带净正电荷与净负电荷的区域。 14、单边突变结：冶金结的一侧的掺杂浓度远大于另一侧的掺杂浓度的 pn 结。 15、界面态：氧化层--半导体界面处禁带宽度中允许的电子能态。 16、平带电压：平带条件发生时所加的栅压，此时在氧化层下面的半导体中没有空间电荷区。 17、阈值反型点：反型电荷密度等于掺杂浓度时的情形。 18、表面散射：当载流子在源极和源漏极漂移时，氧化层--半导体界面处载流子的电场吸引作用和库伦排斥作用。 19、雪崩击穿：由雪崩倍增效应引起的反向电流的急剧增大，称为雪崩击穿。 20、内建电场：n 区和 p 区的净正电荷和负电荷在冶金结附近感生出的电场叫内建电场，方向由正电荷区指向负电荷区，就是由 n 区指向 p 区。 21、齐纳击穿：在重掺杂 pn 结内，反偏条件下结两侧的导带与价带离得非常近，以至于电子可以由 p 区的价带直接隧穿到 n 区的导带的现象。 22、大注入效应：大注入下，晶体管内产生三种物理现象，既三个效应，分别称为：（1）基区电导调制效应；（2）有效基区扩展效应； (3)发射结电流集边效应。它们都将造成晶体管电流放大系数的下降。 3/ 11

北邮通信原理课后习题答案(只有1-5,8)汇总

第三章 1 2 3

4 5 6 6.1

6.2 7

8 9 10 第4章（1）（2）()()()sin(2)sin(2)m c s t m t c t f t Ac f t ππ==

[cos 2()cos 2()]2c m c m Ac f f t f f t ππ= --+ (){[()][()]}4c m c m Ac S f f f f f f f δδ=+-+-- {[()][()]}4 c m c m Ac f f f f f f δδ-+++-+ （3）相干解调相干解调：将接收信号与载波信号sin(2)fct π相乘，得到 ()sin(2)()sin(2)sin(2)c c c c r t f t A m t f t f t πππ=()[1cos(4)]2 c c A m t f t π= - 通过低通滤波器抑制载频的二倍频分量，得到解调信号为0()()2 c A y t m t = 2解：(1)444)4cos()cos(2 1.210)()cos(2102 1.110t t t s t πππ++=????? 444cos(2 1.110)[10.5cos(20.110)]t t ππ=+???? 调制系数是a=0.5; 信号频率是f=1000Hz (2)44441 ()[(10)(10)]2[( 1.110)( 1.110)]2S f f f f f δδδδ=++-+++-?? 441 [( 1.210)( 1.210)]2 f f δδ+++-?? (3) 3解：(1)已调信号无法用包络检波解调，因为能包络检波的条件是()1m t ≤，这里的max ()151A m t ==>，用包络检波将造成解调波形失真。 (2)

北邮大三数据库实验六数据查询分析实验

实验六数据查询分析实验实验目的通过对不同情况下查询语句的执行分析，巩固和加深对查询和查询优化相关理论知识的理解，提高优化数据库系统的实践能力，熟悉了解Sybase中查询分析器的使用，并进一步提高编写复杂查询的SQL 程序的能力。实验内容 1.索引对查询的影响（1）对结果集只有一个元组的查询分三种情况进行执行（必如查询一个具体学生的信息）：不建立索引，（学号上）建立非聚集索引，（学号上）建立聚集索引。建立聚集索引： create clustered index student on student(student_id) go 建立非聚集索引： create nonclustered index student_index on student(student_id) go 用查询分析器的执行步骤和结果对执行进行分析比较。 select*from student where student_id='30201' 不建立索引建立聚集索引

建立非聚集索引（2）对结果集中有多个元组的查询（例如查看某门成绩的成绩表）分类似（1）的三种情况进行执行比较。 select*from student where student_id>'30401' 不建立索引：

建立聚集索引：建立非聚集索引：（3）对查询条件为一个连续的范围的查询（例如查看学号在某个范围内的学生的选课情况）分类似（1）的三种情况进行执行比较，注意系统处理的选择。 select*from student where student_id between'31201'and'31415' 不建立索引：

北京邮电大学历史沿革及历任校

北京邮电大学历史沿革及历任校（院）长简介北京邮电大学简单介绍北京邮电大学简称北邮（BUPT）位于北京市西土城路10号。是教育部直属、工业和信息化部共建、是我国信息科技人才的重要培养基地，是一所以信息科技为特色，工学门类为主体，工管文理相结合的多科性大学，是中国信息科技人才的重要培养基地，被誉为"信息通信的黄埔军校"。北京邮电大学历史沿革北京邮电大学创建于1955年，原名北京邮电学院，是以天津大学电讯系、电话电报通讯和无线电通信广播两个专业及重庆大学电机系电话电报通讯专业为基础组建的， 1993年经原国家教委批准，"北京邮电学院"更名为"北京邮电大学"。是中华人民共和国第一所邮电高等学府。原隶属邮电部，2000年全国院校调整后，直属教育部管理。北京邮电大学设置极其所有专业北京邮电大学设有信息与通信工程学院；计算机学院；经济管理学院；自动化学院；电子工程学院；人文学院；理学院；软件学院；国

际学院；民族教育学院；继续教育学院；网络学院等院。详细专业请登录官方网站或百度百科查询。现任北京邮电大学校（院）长：方滨兴。国际代码（毕业证编号）:10013 北京邮电大学历任校（院）长：钟夫翔（1955年至1956年任北京邮电学院院长）；孟贵民（1957年至1981年任北京邮电学院院长）；叶培大（1981年至1985年任北京邮电学院院长）；胡健栋（1985年至1989年任北京邮电学院院长）；朱祥华（1989年至1998年任北京邮电大学校长）；林金桐（1998年至2007年任北京邮电大学校长）；方滨兴（2007年至今任北京邮电大学校长）本文来自：https://www.wendangku.net/doc/552312134.html,/beijing/yangb/bjyddx.html 由https://www.wendangku.net/doc/552312134.html, https://www.wendangku.net/doc/552312134.html, https://www.wendangku.net/doc/552312134.html, https://www.wendangku.net/doc/552312134.html, https://www.wendangku.net/doc/552312134.html,整理上传

华工半导体物理期末总结

一、p-n结 1.PN结的杂质分布、空间电荷区，电场分布（1）按照杂质浓度分布，PN 结分为突变结和线性缓变结突变结--- P区与N区的杂质浓度都是均匀的，杂质浓度在冶金结面处（x = 0）发生突变。单边突变结---一侧的浓度远大于另一侧，分别记为PN+ 单边突变结和P+N 单边突变结。后面的分析主要是建立在突变结（单边突变结）的基础上突变结近似的杂质分布。

线性缓变结--- 冶金结面两侧的杂质浓度均随距离作线性变化，杂质浓度梯 a 为常数。在线性区 () N x ax =- () 常数 = - = dx N N d a a d 线性缓变结近似的杂质分布。

空间电荷区：PN结中，电子由N区转移至P区，空穴由P区转移至N区。电子和空穴的转移分别在N区和P区留下了未被补偿的施主离子和受主离子。它们是荷电的、固定不动的，称为空间电荷。空间电荷存在的区域称为空间电荷区。（2）电场分布 2.平衡载流子和非平衡载流子（1）平衡载流子--处于非平衡状态的半导体,其载流子浓度为n0和p0。（2）非平衡载流子--处于非平衡状态的半导体，其载流子浓度也不再是n0和p0（此处0是下标），可以比他们多出一部分。比平衡状态多出来的这部分载流子称为非平衡载流子 3. Fermi 能级，准Fermi 能级，平衡PN结能带图，非平衡PN结能带图 (1)Fermi 能级:平衡PN结有统一的费米能级。（2）当pn结加上外加电压V后，在扩散区和势垒区范围内，电子和空穴没有统一的费米能级，分别用准费米能级。（3）平衡PN结能带图

（4）非平衡PN结能带图

北邮通信原理课后习题答案

北邮通信原理课后习题答案第三章 1 2 3

4 5

6 6.1 6.2

7 8

9 10 (1) (2) stmtctftAcft()()()sin(2)sin(2),,,,mc Ac ,,,，[cos2()cos2()],,cmcmfftfft2 Ac (){[()][()]},，,，,,,,cmcmSfffffff4 Ac ,，，，,，{[()][()]},,cmcmffffff4 (3)相干解调输出y0(t)r(t)

理想低通滤波器 Cos(Wct) 与发端相干解调相干解调:将接收信号与载波信号相乘，得到 sin(2),fct Ac rtftAmtftft()sin(2)()sin(2)sin(2),,,ccc,c,,()[1cos(4)],mtftc2 Ac 通过低通滤波器抑制载频的二倍频分量，得到解调信号为 0()()ytmt,2 444st()cos(21021.110,，，，，，,,ttt)4cos()cos(21.210)，，,2解:(1) 44,，4cos(21.110)[10.5cos(20.110)],,，，，，tt 调制系数是a=0.5; 信号频率是f=1000Hz 14444 (2) ,，，,，，，,,,,,，，Sfffff()[(10)(10)]2[(1.110)(1.110)]2 144 ，，，,,,，，[(1.210)(1.210)]ff2 S(f) 5/2 2 3/2 1 1/2 10000120000f(Hz)-12000-10000-1100011000 (3) r(t)y(t) 包络检波器 3解:(1)已调信号无法用包络检波解调，因为能包络检波的条件是， mt()1, 这里的，用包络检波将造成解调波形失真。 Amt,,,max()151 (2)

北邮数据库实验报告

数据库实验报告（四）姓名：学号：班级: 1.简单查询： (1) 查询“数据库开发技术”课程的学分； SQL语句： select credit from course where course_name='SQL Server数据库开发技术'; 或者模糊查询： select credit from course where course_name like'%数据库开发技术'; 执行结果： (2) 查询选修了课程编号为“dep04_s004”的学生的学号和成绩，并将成绩按降序输出； SQL语句： select student_id,grade from student_course where course_id='dep04_s003' order by grade desc; 执行结果：

(3) 查询学号为“g9940205”的学生选修的课程编号和成绩； SQL语句： select course_id,grade from student_course where student_id='g9940205'; 执行结果： (4) 查询选修了课程编号为“dep04_s001”且成绩高于85分的学生的学号和成绩。 SQL语句： select student_id,grade from student_course where course_id='dep04_s001'and grade>'85'; 执行结果：

2.在多表连接的查询实验中，用Transact SQL语句完成以下查询操作： (1)查询选修了课程编号为“dep04_s002”且成绩高于85分的学生的学号、姓名和成绩； SQL语句： select student.student_id,student_name,grade from student,student_course where student.student_id=student_course.student_id and student_course.course_id='dep04_s002' and student_course.grade>'85'; 执行结果： (2)查询所有学生的学号、姓名、选修的课程名称和成绩； SQL语句： select student.student_id,student_name,course_name,grade from student,course,student_course where student.student_id=student_course.student_id and student_course.course_id=course.course_id; 执行结果：

北邮大学英语2答案【精选】word版本

北邮大学英语2答案【精选】

一、完形填空（共1道小题，共50.0分） 1.(错误) I first saw the baby panda when she was only 10 days old. She looked like a white mouse. We ____1___her Xi Wang. It means “hope”. When Xi Wang was born, she weighed____2___100 grams. Xi Wang drank her mothe r’s milk for as much as 14 hours a day. When she was six months old, she started to eat bamboo shoots (嫩芽) and ____3____. Eight months later, she was not a small baby any more. She grew into a____4___young panda and weighed 35 kilos. When Xi Wang was 20 months old, she had to look after herself _____5___ her mother had another baby. ____6_____, it is very difficult for pandas to live in the wild. Here are some of the _____7____that pandas like Xi Wang may have in the future. If hunters catch a panda, they will kill it for its fur. If farmers____8____trees and forests, pandas will have no place to live in. When mothers leave baby pandas alone, people will often take them away. People think that the baby pandas need ____9_____. If pandas are in danger, we should try our best to protect them. If we do____10_____, soon there will be no more pandas in the world!?? a. A.made B.called C.told D.kept 学生答案: B; 标准答案: B b. A.quite

电子科技大学半导体物理期末考试试卷试题答案

电子科技大学二零一零至二零一一学年第一学期期末考试 1．对于大注入下的直接辐射复合，非平衡载流子的寿命与（D ） A. 平衡载流子浓度成正比 B. 非平衡载流子浓度成正比 C. 平衡载流子浓度成反比 D. 非平衡载流子浓度成反比 2．有3个硅样品，其掺杂情况分别是：甲．含铝1×10-15cm-3乙.含硼和磷各1×10-17cm-3丙.含镓1×10-17cm-3 室温下，这些样品的电阻率由高到低的顺序是（C ） A.甲乙丙 B. 甲丙乙 C. 乙甲丙 D. 丙甲乙 3．题2中样品的电子迁移率由高到低的顺序是（ B ） 4．题2中费米能级由高到低的顺序是（ C ） 5. 欧姆接触是指（ D ）的金属一半导体接触 A. W ms = 0 B. W ms < 0 C. W ms > 0 D. 阻值较小且具有对称而线性的伏安特性 6．有效复合中心的能级必靠近( A ) A.禁带中部 B.导带 C.价带 D.费米能级 7．当一种n型半导体的少子寿命由直接辐射复合决定时，其小注入下的少子寿命正比于（C ） A.1/n0 B.1/△n C.1/p0 D.1/△p 8．半导体中载流子的扩散系数决定于其中的( A ) A.散射机构 B. 复合机构 C.杂质浓变梯度 D.表面复合速度 9．MOS 器件绝缘层中的可动电荷是（ C ） A. 电子 B. 空穴 C. 钠离子 D. 硅离子 10．以下4种半导体中最适合于制作高温器件的是（ D ） A. Si B. Ge C. GaAs D. GaN 二、解释并区别下列术语的物理意义（30 分，7+7+8+8，共4 题） 1. 有效质量、纵向有效质量与横向有效质量（7 分）答：有效质量：由于半导体中载流子既受到外场力作用，又受到半导体内部周期性势场作用。有效概括了半导体内部周期性势场的作用，使外场力和载流子加速度直接联系起来。在直接由实验测得的有效质量后，可以很方便的解决电子的运动规律。(3分) 纵向有效质量、横向有效质量：由于k空间等能面是椭球面，有效质量各向异性，在回旋共振实验中，当磁感应强度相对晶轴有不同取向时，可以得到为数不等的吸收峰。我们引入纵向有效质量跟横向有效质量表示旋转椭球等能面纵向有效质量和横向有效质量。(4分) 2. 扩散长度、牵引长度与德拜长度（7 分）答：扩散长度：指的是非平衡载流子在复合前所能扩散深入样品的平均距离。由扩散系数

北邮网院数据库原理与应用(新)阶段作业

一、单项选择题（共10道小题，共100.0分） 1. 在下列关于关系的述中，错误的是_____。 A. 表中任意两行的值不能相同 B. 表中任意两列的值不能相同 C. 行在表中的顺序无关紧要 D. 列在表中的顺序无关紧要知识点: 关系Relation 学生答案: [B;] 标准答案: B; 得分: [10] 试题分值: 10.0 2. 已知关系R如下图所示，可以作为关系R主键的属性组是_____。 A. ACD B. ABC C. ABD D. BCD 知识点: 码Key 学生答案: [C;] 标准答案: C; 得分: [10] 试题分值: 10.0 3. 关系数据库中，实现实体之间的联系是通过表与表之间的______。 A. 公共索引 B. 公共存储

C. 公共元组 D. 公共属性 4. 定义外键实现的是______。 A. 实体完整性 B. 参照完整性 C. 用户定义的完整性 D. 实体完整性、参照完整性和用户定义的完整性 5. 有一个关系：学生（学号，，系别），规定学号的值域是8个数字组成的字符串，这一规则属于 _____。 A. 实体完整性规则 B. 引用完整性约束 C. 用户自定义完整性规则 D. 关键字完整性约束 6. 若两个实体之间的联系是1:m,则实现1:m联系的方法是______。 A. 在"m"端实体转换的关系中加入"1"端实体转换关系的码 B. 将"m"端实体转换关系的码加入到"1"端的关系中 C. 在两个实体转换的关系中，分别加入另一个关系的码 D. 将两个实体转换成一个关系

7. ER图是一种直观表示_______的工具。 A. 结构数据模型 B. 关系数据模型 C. 逻辑数据模型 D. 层次和网状模型 8. 数据库三级模式体系结构的划分，有利于保持数据库的______。 A. 数据独立性 B. 数据安全性 C. 结构规化 D. 操作可行性 9. 数据库系统的体系结构分为三个层次，即______。 A. 模式、模型、视图 B. 外模型、概念模型 C. 外模式、逻辑模式、模式 D. 关系模型、网状模型、层次模型

北邮大学英语2阶段作业2

A . anyone else B . anything C . some of the things D . anything else A . more larger, all B . much larger, that C . very larger, both D . larger, those

A . flooded B . were flooded C . was flooded D . flood √4. A . being B . C . having D . having A . happened to see B . was happened to see C . happened to be seen D . was happened to be seen

A . rather B . enough C . quite a D . fairly A . the much best B . much the most best C . the very best D . very the best A . will put off

B . will be put off C . will be put D . has put off A . When B . What time C . How often D . How long A . take good care of B . has taken good care of C . took good care of D . are taken good care of

半导体物理期末试卷(含部分答案

一、填空题 1．纯净半导体Si 中掺错误！未找到引用源。族元素的杂质，当杂质电离时释放电子。这种杂质称施主杂质；相应的半导体称 N 型半导体。 2．当半导体中载流子浓度的分布不均匀时，载流子将做扩散运动；在半导体存在外加电压情况下，载流子将做漂移运动。 3．n o p o =n i 2标志着半导体处于平衡状态，当半导体掺入的杂质含量改变时，乘积n o p o 改变否？不变；当温度变化时，n o p o 改变否？改变。 4．非平衡载流子通过复合作用而消失，非平衡载流子的平均生存时间叫做寿命τ，寿命τ与复合中心在禁带中的位置密切相关，对于强p 型和强n 型材料，小注入时寿命τn 为，寿命τp 为 . 5．迁移率是反映载流子在电场作用下运动难易程度的物理量，扩散系数是反映有浓度梯度时载 q n n 0=μ ，称为爱因斯坦关系式。 6．半导体中的载流子主要受到两种散射，它们分别是电离杂质散射和晶格振动散射。前者在电离施主或电离受主形成的库伦势场下起主要作用，后者在温度高下起主要作用。 7．半导体中浅能级杂质的主要作用是影响半导体中载流子浓度和导电类型；深能级杂质所起的主要作用对载流子进行复合作用。 8、有3个硅样品，其掺杂情况分别是：甲含铝1015cm -3 乙. 含硼和磷各1017 cm -3 丙含镓1017 cm -3 室温下，这些样品的电阻率由高到低的顺序是乙甲丙。样品的电子迁移率由高到低的顺序是甲丙乙。费米能级由高到低的顺序是乙> 甲> 丙。 9．对n 型半导体，如果以E F 和E C 的相对位置作为衡量简并化与非简并化的标准，那么 T k E E F C 02>- 为非简并条件； T k E E F C 020≤-< 为弱简并条件； 0≤-F C E E 为简并条件。 10．当P-N 结施加反向偏压增大到某一数值时，反向电流密度突然开始迅速增大的现象称为 PN 结击穿，其种类为：雪崩击穿、和齐纳击穿（或隧道击穿）。 11．指出下图各表示的是什么类型半导体？ 12. 以长声学波为主要散射机构时，电子迁移率μn 与温度的 -3/2 次方成正比 13 半导体中载流子的扩散系数决定于其中的载流子的浓度梯度。 14 电子在晶体中的共有化运动指的是电子不再完全局限在某一个原子上，而是可以从晶胞中某一点自由地运动到其他晶胞内的对应点，因而电子可以在整个晶体中运动。二、选择题 1根据费米分布函数，电子占据（E F +kT ）能级的几率 B 。 A ．等于空穴占据（E F +kT ）能级的几率 B ．等于空穴占据（E F －kT ）能级的几率 C ．大于电子占据E F 的几率 D ．大于空穴占据 E F 的几率 2有效陷阱中心的位置靠近 D 。 A. 导带底 B.禁带中线 C ．价带顶 D ．费米能级 3对于只含一种杂质的非简并n 型半导体，费米能级E f 随温度上升而 D 。 A. 单调上升 B. 单调下降 C ．经过一极小值趋近E i D ．经过一极大值趋近E i 7若某半导体导带中发现电子的几率为零，则该半导体必定＿D ＿。 A ．不含施主杂质 B ．不含受主杂质 C ．不含任何杂质 D ．处于绝对零度

北邮大数据库实验三

实验三完整性及视图、索引视图是基于某个查询结果的一个虚拟表，只是用来查看数据的窗口而已。索引能够提供一种以一列或多列的值为基础迅速查找数据表(或视图)中行的能力，用来快速访问数据表(或视图)中的数据。触发器是一种特殊的存储过程，它在特定语言事件发生时自动执行，通常用于实现强制业务规则和数据完整性。【实验目的】掌握MySQL视图、索引的使用，理解什么是数据库的完整性。【实验要求】 1、每完成一个任务，截取全屏幕快照1~3作为中间步骤和结果的贴图，粘贴在最后的实验报告中。 2、除了使用我们提供的数据外还要自己向表中添加些新数据，以保证每个查询结果不为空集，或计数结果不为0。 3、思考题可以选做，作为优秀加分的依据。【实验任务】 1、创建一个视图，该视图为每门课程的平均成绩，视图包括的列有课程号及平均成绩，并用利用该视图查询所有课程的平均成绩，要求给出课程号、课程名及平均成绩。

2、创建一个视图，该视图为每门课程的平均成绩，视图包括的列有课程号、课程名及平均成绩，并用利用该视图查询所有课程的平均成绩，要求给出课程号、课程名及平均成绩。

3、为院系代码表(dept_code)创建基于“院系代码”列的索引。 4、为教室信息表(classroom_info)创建基于room_id列的惟一索引并插入一条room_id列与表中已有的值重复的数据，观察系统的反馈。

5、重新修改表stud_info、lesson_info及stud_grade，修改的容为： ①为三表增加主码约束，stud_info的主码为stud_id，lesson_info的主码为 course_id，stud_grade的主码为stud_id、course_id。

校长方滨兴院士在北邮大学生eID座谈会上的讲话摘要

校长方滨兴院士在北邮大学生eID座谈会上的讲话摘要根据录音整理，2012-10-10 大家好，非常高兴能来跟大家做个交流。我之所以关心eID 这件事情，因为这是科技部重大项目的一部分，我们把其中的试点争取到北邮来了。试点成功之后，就要在全国各高校推广。因此，如果我们没有把试点做好、没有做完善，推广到其他学校，又出现各种问题，那会丢北邮的脸的。你们大家都很辛苦地测试eID的使用，我今天就是要来听一下你们的想法，沟通一下你们的疑虑。我先说说我的看法吧，我将从四个方面来谈，其中三个方面是将eID的好处，总结起来就是“保密、安全、可信”；另一个就是给大家解惑。我上个月在大一新生军训结业时专门给他们讲过eID的这三个好处（https://www.wendangku.net/doc/552312134.html,/content/content.php?p=1_4_1097）。首先说保密，这是指保护个人的隐私。我们都知道，韩国曾经立法要求实名上网，原因是网络上的纠纷太多，难以追究责任。现在他们又在酝酿取消上网实名制，为什么？这是因为他们的实名制是要将

个人信息提交给网站，从而由网站来保存公众隐私信息。由于运营商的安全技术不如黑客高，致使黑客从网站将公众信息盗走。其根本原因就是因为韩国没有采用eID，因此没有保护用户隐私的措施。为什么eID就能够保护个人隐私呢？因为eID是通过认证的方法来验证身份，而不是通过提交个人隐私信息的方法来验证身份，因此网站不会获得个人的隐私信息。个人的隐私信息还是在该在的地方，例如你们的隐私信息在学校的学生数据库里面，外人访问不了；公民的隐私信息在公安部的人口数据库中，外界也访问不到。当你向网站提交个人的eID身份信息时，网站会将该信息提交给公安或相应的权威部门进行认证，认证通过后会给网站一个回复。由此，网站不需要保存公民的个人信息。这样一来，就算是新浪网被黑客攻击了，黑客也拿不到你的个人信息。目前购机票需要身份证，知道你身份证号码的人就可以查询你的航班行程，从而获得了你的行程信息。但如果你用eID购买机票，没有eID就不能查询你的航班行程，这就保护了你的个人隐私。第二个好处是安全。当你的账号被盗了，你的账号密码被破解了，结果是你再也登录不上去，而黑客反而掌握了你的账号与密码。就算你去找客服投诉，可客服怎么确定账户是你的呢？

北工大 10年半导体物理期末试卷

半导体物理2010-2011学年(2011.1.5) 一、简答题（8*6’=48’） 1.请填写下表中的数据：解理面材料晶格结构布拉伐格子直接/间接带隙 Si GaAs 2.什么是本征半导体？什么是杂质半导体？示意画出掺杂浓度为Nd的N型半导体样品电子浓度n和本征载流子浓度ni随T变化曲线。 3.“纯净的半导体中，掺入百万分之一的杂质，可以减小电阻率达1百万倍，”是估算说明之。 4.一块杂志补偿的半导体，受主杂质和施主杂质浓度相等。设杂质全部电离，判断当杂质浓度分别为 (a) Na=Nd=1014cm-3(b) Na=Nd=1018cm-3 时，哪种情况的电导率大？简述分析理由。 5.什么是载流子的平均自由时间τ？有两块Si半导体材料1和2，其中τ1>τ2，迁移率哪个大？如果同一块半导体中，有两种机理的平均自由时间τ1和τ2，其总迁移率如何确定？ 6.写出以n型样品为例少子空穴的连续性方程。由连续性方程写出：不考虑电场的作用、无产生、稳态载流子扩散方程； 7.什么是PN结的势垒电容？定性说明掺杂浓度对势垒电容有何影响。 8.一个p-N异质结接触前能带图见图1。画出平衡状态下能带图。

电阻率为7Ω·cm的p型硅，T=300K。 ⑴试计算室温时多数载流子和少子浓度（可查图）。 ⑵计算该半导体的功函数。 ⑶不考虑界面态，在金属铝（功函数W Al=4.20eV）和金属铂（功函数W Pi=5.3eV）中选择制备肖特基二极管的金属，给出选择理由。 ⑷求金属一侧势垒高度的理论值qΦms和半导体一侧势垒高度qV D 。三、(16’) 室温下，一个Si的N-P结，N区一侧掺杂浓度为1017cm-3，P区为1015cm-3 ⑴求该N-P结的接触电势差。 ⑵画出平衡PN结、正向偏置PN结、反向偏置PN结空间电荷区中及边界处的载流子分布示意图。 ⑶根据正向和反向少子分布情况，解释PN结正向导通，反向截止的饱和特性。 ⑷写出理想PN结电流-电压关系公式，在对数坐标下，定性画出理想和实际I-V特性示意图。四、（15’）一理想的MOS结构的高频测量的C-V曲线如图2. （1）判断该结构中，半导体的导电类型。（2）说明图中1,2,3,4,5点的半导体一侧的状态，并示意画出每点半导体一侧的能带形状，以及金属和半导体一侧的电荷分布。

北邮大学英语2

一、完形填空（共1道小题，共50.0分） 1.(错误) I first saw the baby panda when she was only 10 days old. She looked like a white mouse. We ____1___her Xi Wang. It means “hope”. When Xi Wang was born, she weighed____2___100 grams. Xi Wang drank her mother’s milk for as muc h as 14 hours a day. When she was six months old, she started to eat bamboo shoots (嫩芽) and ____3____. Eight months later, she was not a small baby any more. She grew into a____4___young panda and weighed 35 kilos. When Xi Wang was 20 months old, she had to look after herself _____5___ her mother had another baby. ____6_____, it is very difficult for pandas to live in the wild. Here are some of the _____7____that pandas like Xi Wang may have in the future. If hunters catch a panda, they will kill it for its fur. If farmers____8____trees and forests, pandas will have no place to live in. When mothers leave baby pandas alone, people will often take them away. People think that the baby pandas need ____9_____. If pandas are in danger, we should try our best to protect them. If we do____10_____, soon there will be no more pandas in the world!?? a. A.made B.called C.told D.kept 学生答案: B; 标准答案: B b. A.quite B.mostly

半导体物理期末考试试卷a-参考答案与评分标准

电子科技大学二零零七至二零零八学年第一学期期末考试一、选择填空（22分） 1、在硅和锗的能带结构中，在布里渊中心存在两个极大值重合的价带，外面的能带（ B ），对应的有效质量（ C ），称该能带中的空穴为( E )。 A. 曲率大； B. 曲率小； C. 大； D. 小； E. 重空穴； F. 轻空穴 2、如果杂质既有施主的作用又有受主的作用，则这种杂质称为（F ）。 A. 施主 B. 受主 C.复合中心 D.陷阱 F. 两性杂质 3、在通常情况下，GaN呈（ A ）型结构，具有（ C ），它是（F ）半导体材料。 A. 纤锌矿型； B. 闪锌矿型； C. 六方对称性； D. 立方对称性； E.间接带隙； F. 直接带隙。 4、同一种施主杂质掺入甲、乙两种半导体，如果甲的相对介电常数εr是乙的3/4，m n*/m0值是乙的2 倍，那么用类氢模型计算结果是（ D ）。 A.甲的施主杂质电离能是乙的8/3，弱束缚电子基态轨道半径为乙的3/4 B.甲的施主杂质电离能是乙的3/2，弱束缚电子基态轨道半径为乙的32/9 C.甲的施主杂质电离能是乙的16/3，弱束缚电子基态轨道半径为乙的8/3 D.甲的施主杂质电离能是乙的32/9，的弱束缚电子基态轨道半径为乙的3/8 5、.一块半导体寿命τ=15μs，光照在材料中会产生非平衡载流子，光照突然停止30μs后，其中非平衡载流子将衰减到原来的（C ）。 A.1/4 ； B.1/e ； C.1/e2； D.1/2 6、对于同时存在一种施主杂质和一种受主杂质的均匀掺杂的非简并半导体，在温度足够高、n i>> /N D-N A/ 时，半导体具有（ B ）半导体的导电特性。 A. 非本征 B.本征 7、在室温下，非简并Si中电子扩散系数Dｎ与ＮＤ有如下图（C ）所示的最恰当的依赖关系：ＤｎＤｎＤｎＤｎ 8、在纯的半导体硅中掺入硼，在一定的温度下，当掺入的浓度增加时，费米能级向（A ）移动；当掺

北京邮电大学往届毕业生就业主要去向

北京邮电大学往届毕业生就业主要去向 UT斯达康（中国）有限公司深圳分公司百度在线网络技术（北京）有限公司北京爱立信通信有限公司北京奥普泰通信技术有限公司北京北方华为通信技术有限公司北京高达商桥信息技术有限公司北京联想电脑公司北京市电信公司北京外企服务集团有限公司（爱立信）北京外企服务集团有限公司（安捷伦科技）北京外企服务集团有限公司（西门子）北京外企服务集团有限责任公司（北电网络）北京外企服务集团有限责任公司（环球网联）北京外企服务集团有限责任公司（朗讯贝尔）北京外企服务集团有限责任公司（朗讯科技）北京外企服务集团有限责任公司（摩托罗拉）北京外企服务集团有限责任公司（泰康移动）北京外企服务集团有限责任公司（网通）北京外企服务集团有限责任公司（英特尔）北京移动通信公司北京兆维电子（集团）有限责任公司北京中创信测科技股份有限公司大唐电信科技股份有限公司东方通信股份有限公司北京研究所广东省电信规划设计院) 广东省电信科学技术研究院杭州东方通信股份有限公司人民邮电报社上海贝尔电话设备制造有限公司上海移动通信公司深圳市华为技术有限公司深圳市中兴通讯股份有限公司北京研究所首都信息发展有限公司信息产业部北京邮电设计院信息产业部电信传输研究所中国电信集团公司中国工商银行北京市分行https://www.wendangku.net/doc/552312134.html, 中国国际技术智力合作公司（思科）中国国际信托投资公司中国海关总署中国联合通信有限公司中国移动有限公司

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